KR102239643B1 - 가고정용 필름, 가고정용 필름 시트 및 반도체 장치 - Google Patents

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KR102239643B1
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타카히로 토쿠야스
마사노리 나츠카와
야스유키 오오야마
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쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명에 관련되는 가고정용 필름은, 반도체 웨이퍼를 지지체에 가고정용 필름을 통하여 가고정하는 가고정 공정과, 지지체에 가고정된 반도체 웨이퍼를 가공하는 가공 공정과, 가공된 반도체 웨이퍼를 지지체 및 가고정용 필름으로부터 분리하는 분리 공정을 구비하는 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 사용되는 가고정용 필름으로서, (A)고분자량 성분 및 (B)실리콘 변성 수지를 함유하고, 110℃에서 30분간 및 170℃에서 1시간 가열된 후의 탄성률이 23℃에 있어서 0.1∼1000MPa이다.

Description

가고정용 필름, 가고정용 필름 시트 및 반도체 장치{FILM FOR TEMPORARY FIXING, FILM SHEET FOR TEMPORARY FIXING AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 반도체 웨이퍼를 가공할 때에 사용되는 가고정(假固定)용 필름 및 가고정용 필름 시트, 및 이들을 사용하여 제조된 반도체 장치에 관한 것이다.
스마트폰 및 타블릿 PC 등의 전자기기의 다기능화에 따라, 반도체 소자를 다단(多段)으로 적층하여, 고용량화한 스택드(stacked) MCP(Multi　Chip　Package)가 보급되어 있으며, 반도체 소자의 실장(實裝)에는, 실장 공정에 있어서 유리한 필름상(狀) 접착제가 다이본딩용의 접착제로서 널리 사용되고 있다. 그러나, 이와 같이 다기능화의 경향가 있음에도 불구하고, 현행의 와이어 본드를 사용한 반도체 소자의 접속 방식에서는, 데이터의 처리 속도에 한계가 있는 점에서, 전자기기의 동작이 늦어지게 되는 경향이 있다. 또한, 소비 전력을 낮게 억제하고, 충전없이 보다 장시간 사용하고자 하는 요구가 높아지고 있는 점에서, 전력 절약화도 요구되고 있다. 이와 같은 관점에서, 최근, 더욱 고속화와 전력 절약화를 목적으로 하여, 와이어 본드가 아니라 관통 전극에 의해 반도체 소자끼리를 접속하는 새로운 구조의 반도체 장치도 개발되고 있다.
이와 같이 새로운 구조의 반도체 장치가 개발되고 있지만, 여전히 고용량화가 요구되고 있으며, 패키지 구조에 관계없이, 반도체 소자를 보다 다단으로 적층할 수 있는 기술의 개발이 진행되고 있다. 그러나, 한정된 스페이스에 대해 많은 반도체 소자를 적층하기 위해서는, 반도체 소자의 안정된 박형화가 필요 불가결하다.
현재, 반도체 소자를 박형화하기 위한 반도체 웨이퍼의 연삭 공정에서는, 소위 BG테이프라고 불리는 지지 테이프를 반도체 웨이퍼에 첩부하여, 서포트한 상태에서 연삭하는 것이 주류가 되고 있다. 그러나. 박형화한 반도체 웨이퍼는 표면에 형성된 회로의 영향에 의해 휘어지기 쉽고, 변형되기 쉬운 테이프 소재인 BG테이프에서는 박형화한 반도체 웨이퍼를 충분히 서포트할 수 없게 되어 있다.
이와 같은 배경으로부터, BG테이프보다 딱딱한 소재인 실리콘 웨이퍼 혹은 유리를 지지체로 하는 반도체 웨이퍼의 박형화 프로세스가 제안되고 있으며, 반도체 웨이퍼와 지지체인 실리콘 웨이퍼 또는 유리를 점착시키는 재료가 제안되고 있다. 이와 같은 점착제에서는, 연삭 후의 반도체 웨이퍼를 손상시키는 일 없이, 지지체로부터 박리할 수 있는 것이 중요한 특성으로서 요구되지만, 그와 같은 특성을 만족하기 위한, 박리 방법에 관하여 예의(銳意) 검토가 이루어지고 있다. 예를 들면, 용제에 의한 점착제의 용해를 사용한 것, 가열에 의해 점착성을 떨어뜨림으로써 박리성을 향상시킨 것(예를 들면, 하기 특허문헌 1), 레이저 조사에 의해 점착제를 개질 또는 소실시키는 것을 이용한 것(예를 들면, 하기 특허문헌 2)을 들 수 있다. 그러나, 용제에서의 점착제의 용해에는 시간이 걸리기 때문에, 생산성이 저하되기 쉽다. 또한, 가열에 의해 점착성을 떨어뜨리는 방법에서는, 가열에 의한 반도체 웨이퍼에의 악영향이 염려되는 것과 동시에, 내열성이 뒤떨어지는 점에서, 관통 전극 등을 형성하는 프로세스 용도에서는 사용할 수 없다. 한편, 레이저 조사에 의해 점착제를 개질 또는 소실시키는 방법에서는, 고가의 레이저 설비의 도입이 필요 불가결하고, 이와 같은 프로세스의 적용에는, 상당한 투자가 필요 불가결하게 된다.
특허문헌 1 : 일본 특허 제4936667호 명세서 특허문헌 2 : 일본 특허 제4565804호 명세서
종래의 점착제는 액상의 것이 대부분이고, 반도체 웨이퍼 또는 지지체에 스핀 코트 등으로 도포하고, 가열 또는 UV조사 등에 의해 성막하여 사용되고 있다. 그러나, 이와 같은 경우, 점착제의 도포 편차에 의해, 개개의 반도체 웨이퍼에서, 연삭 후의 두께에 편차가 생기기 쉽고, 또한 스핀 코트에서는 도포시의 회전으로 비산한 재료를 폐기할 필요가 있는 등의 과제가 있다. 한편, 필름상의 점착제에서는, 막두께의 제어가 보다 용이하고, 개개의 반도체 웨이퍼 사이에서 두께 편차를 경감할 수 있다. 또한, 라미네이트 등의 간편한 방법에 의해 반도체 웨이퍼 또는 지지체 위에 성막할 수 있는 점에서, 작업성도 양호하게 된다고 기대할 수 있다.
또한, 연삭하는 반도체 웨이퍼는, 평활성이 높은 것에 한정되지 않으며, 회로면에 납땜볼을 장비한 80㎛를 초과하는 표면 요철이 있는 웨이퍼도 증가 경향이 있다. 이와 같이 큰 요철이 있는 표면으로부터 점착제를 박리하는 것은 비교적 어렵고, 또한, 납땜볼의 접착 강도가 불충분한 경우에는, 점착제의 박리시에 납땜볼이 결락(缺落)되는 등의 염려가 발생된다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이고, 지지체 위에 반도체 웨이퍼를 충분히 고정할 수 있고, 게다가 가공 후의 반도체 웨이퍼를 지지체 및 가고정용 필름으로부터 용이하게 분리할 수 있는 가고정용 필름 및 가고정용 필름 시트, 및 이들을 사용하여 제조된 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 반도체 웨이퍼를 지지체에 가고정용 필름을 통하여 가고정하는 가고정 공정과, 지지체에 가고정된 반도체 웨이퍼를 가공하는 가공 공정과, 가공된 반도체 웨이퍼를 지지체 및 가고정용 필름으로부터 분리하는 분리 공정을 구비하는 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 사용되는 가고정용 필름으로서, (A)고분자량 성분 및 (B)실리콘 변성 수지를 함유하고, 110℃에서 30분간 및 170℃에서 1시간 가열된 후의 탄성률이 23℃에 있어서 0.1∼1000MPa인, 가고정용 필름을 제공한다.
본 발명에 관한 가고정용 필름에 의하면, 지지체 위에 반도체 웨이퍼를 충분히 고정할 수 있음과 동시에, 가공 후의 반도체 웨이퍼를 지지체 및 가고정용 필름으로부터 용이하게 분리하는 것이 가능해진다. 또한, 본 발명에 관련되는 가고정용 필름은, 상기 탄성률을 가지는 것임으로써, 요철이 있는 반도체 웨이퍼로부터도 용이하게 박리할 수 있다.
본 발명에 관련되는 가고정용 필름에 있어서, 상기 (A)고분자량 성분이, 유리전이온도가 -50℃∼50℃이며, 중량평균분자량이 10만∼120만인 가교성 관능기를 가지는 (메타)아크릴 공중합체를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 (B)실리콘 변성 수지가 실리콘 변성 알키드 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 (B)실리콘 변성 수지의 함유량이, 상기 (A)고분자량 성분 100질량부에 대하여, 1∼100질량부인 것이 바람직하다.
본 발명에 관련되는 가고정용 필름은, (C) 경화촉진제를 더 함유할 수 있다.
본 발명에 관련되는 가고정용 필름은, 경화 전의 용융점도가 120℃에 있어서 15000Pa·s 이하이며, 또한, 두께가 10∼150μm인 것이 바람직하다.
본 발명에 관련되는 가고정용 필름은, 반도체 웨이퍼와 가고정용 필름과의 사이의 30°박리강도가 300N/m 이하인 것이 바람직하다.
본 발명은 또한, 이형성을 가지는 지지 필름과, 그 지지 필름 위에 설치된, 청구항 1∼7 중 어느 한 항에 기재된 가고정용 필름을 구비하는 가고정용 필름 시트를 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 본 발명에 관련되는 가고정용 필름 또는 가고정용 필름 시트를 사용하여 가공된 반도체 웨이퍼로부터 얻어지는 반도체 소자를 구비하는 반도체 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 지지체 위에 반도체 웨이퍼를 충분히 고정할 수 있고, 또한 가공 후의 반도체 웨이퍼를 지지체 및 가고정용 필름으로부터 용이하게 분리할 수 있는 가고정용 필름 및 가고정용 필름 시트, 및 이들을 사용하여 제조된 반도체 장치를 제공할 수 있다.
[도 1] 도 1(A)은, 본 발명에 관련되는 가고정용 필름 시트의 일실시 형태를 나타내는 표면도이며, 도 1(B)은, 도 1(A)의 I-I선에 따른 모식 단면도이다.
[도 2] 도 2(A)는, 본 발명에 관련되는 가고정용 필름 시트의 다른 실시 형태를 나타내는 표면도이며, 도 2(B)는, 도 2(A)의 II-II선에 따른 모식 단면도이다.
[도 3] 도 3(A), 도 3(B) 및 도 3(C)은, 반도체 웨이퍼의 가공 방법의 일실시 형태를 설명하기 위한 모식 단면도이며, 도 3(D)은, 가공 후의 반도체 웨이퍼를 나타내는 표면도이다.
[도 4] 도 4는, 가공된 반도체 웨이퍼를 지지체 및 가고정용 필름으로부터 분리하는 분리 공정의 일실시 형태를 설명하기 위한 모식 단면도이다.
[도 5] 도 5는, 반도체 장치의 제조 방법의 일실시 형태를 설명하기 위한 모식 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 관해 상세하게 설명한다. 또한, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 도면의 치수 비율은, 도시의 비율에 한정되는 것은 아니다.
[가고정용 필름]
본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름은, 반도체 웨이퍼를 지지체에 가고정용 필름을 통하여 가고정하는 가고정 공정과, 지지체에 가고정된 반도체 웨이퍼를 가공하는 가공 공정과, 가공된 반도체 웨이퍼를 지지체 및 가고정용 필름으로부터 분리하는 분리 공정을 구비하는 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 사용되는 가고정용 필름으로써, (A)고분자량 성분 및 (B)실리콘 변성 수지를 함유하고, 110℃에서 30분간 및 170℃에서 1시간 가열된 후의 탄성률이 23℃에 있어서 0.1∼1000MPa인 것을 특징으로 한다.
본 실시 형태에서 사용하는 (A)고분자량 성분으로서는, 가교성 관능기를 가지는 폴리머를 사용할 수 있다. 폴리머로서는, 예를 들면, 폴리이미드 수지, (메타)아크릴 공중합체, 우레탄 수지 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리에테르이미드 수지, 페녹시 수지, 변성 폴리페닐렌에테르 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 가교성 관능기를 가지는 (메타)아크릴 공중합체가 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메타)아크릴이란, 아크릴 또는 메타크릴의 어느 하나의 의미로 사용된다. 상기의 수지는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
상술한 가교성 관능기를 가지는 (메타)아크릴 공중합체로서는, 펄(pearl) 중합, 용액 중합 등의 중합 방법에 따라 얻어지는 것을 사용해도 되고, 혹은, 시판품을 사용해도 된다.
상기 폴리머는, 가교성 관능기를 폴리머쇄 중에 가지고 있어도, 폴리머쇄 말단에 가지고 있어도 된다. 가교성 관능기의 구체적인 예로서는, 에폭시기, 알코올성 수산기, 페놀성 수산기, 카복실기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 카복실기가 바람직하다. 카복실기는, 아크릴산을 사용함으로써 폴리머쇄에 도입할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 카복실기를 가지는 (메타)아크릴 공중합체를 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 카복실기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 카복실기를 가지는 아크릴고무 등을 들 수 있다. 이들 중, 카복실기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체가 바람직하다. 아크릴고무는, 아크릴산 에스테르를 주성분으로 하는 것이고, 예를 들면, 부틸아크릴레이트 및/또는 에틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴과의 공중합체 등으로 이루어지는 고무를 들 수 있다.
고분자량 성분의 유리전이온도(이하, "Tg"로 표기한다)는, -50℃∼50℃인 것이 바람직하고, -30℃∼20℃인 것이 보다 바람직하다. Tg가 이와 같은 범위이면, 시트에 성형한 후의 접착력이 너무 올라서 취급성이 악화되는 것을 억제하면서, 충분한 유동성을 얻을 수 있고, 경화 후의 탄성률을 더 낮출 수 있어, 박리강도가 너무 높아지는 것을 억제할 수 있다.
유리전이온도는, DSC(열시차 주사 열량계)(예를 들면, (주)리가쿠제 "Thermo Plus 2")을 사용하여 측정한 것을 말한다.
고분자량 성분의 중량평균분자량은, 특히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10만∼120만이며, 보다 바람직하게는 20만∼100만이다. 고분자량 성분의 중량평균분자량이 이와 같은 범위이면, 성막성과 유동성을 확보하는 것이 용이해진다.
중량평균분자량은, 겔퍼미에이션크로마토그래피법(GPC)으로 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 사용한 폴리스티렌 환산값이다.
본 실시 형태로 사용하는 (B)실리콘 변성 수지로서는, 실리콘으로 변성된 수지이면 특히 제한은 없다.
실리콘 변성 수지로서는, 실리콘 변성 알키드 수지가 바람직하다.
가고정용 필름이 실리콘 변성 알키드 수지를 함유함으로써, 가고정용 필름을 반도체 웨이퍼로부터 박리할 때, 용제를 사용하는 일 없이 용이하게 박리하는 것이 가능해진다.
실리콘 변성 알키드 수지를 얻는 방법으로서는, 예를 들면 (i)알키드 수지를 얻는 통상의 합성 반응, 즉 다가 알코올과 지방산, 다염기산 등을 반응시킬 때에, 오르가노폴리실록산을 알코올 성분으로서 동시에 반응시키는 방법, (ii)미리 합성된 일반의 알키드 수지에, 오르가노폴리실록산을 반응시키는 방법을 들 수 있다.
알키드 수지의 원료로서 사용되는 다가 알코올로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 트리메틸렌글리콜, 테트라메틸렌글리콜, 네오펜틸글리콜 등의 2가 알콜, 글리세린, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판 등의 3가 알코올, 디글리세린, 트리글리세린, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 만니톨, 솔비톨 등의 4가 이상의 다가 알코올을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
알키드 수지의 원료로서 사용되는 다염기산으로서는, 예를 들면, 무수 프탈산, 테레프탈산, 이소프탈산, 무수 트리메트산 등의 방향족 다염기산, 숙신산, 아디핀산, 세바신산 등의 지방족 포화 다염기산, 말레산, 무수 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 무수 시트라콘산 등의 지방족 불포화 다염기산, 시클로펜타디엔-무수 말레산 부가물, 테르펜-무수 말레산 부가물, 로진(Rosin)-무수 말레산 부가물 등의 딜스-알더 반응에 의한 다염기산을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
알키드 수지는, 변성제 또는 가교제를 더 함유하고 있어도 된다.
변성제로서는, 예를 들면 옥틸산, 라우린산, 팔미틴산, 스테아린산, 올레인산, 리놀레산, 리놀레인산, 엘레오스테아린산, 리시노레인산, 탈수 리시노레인산, 혹은 야자유, 아마인유, 동유(桐油), 피마자유, 탈수 피마자유, 대두유, 새플라워유 및 이들의 지방산 등을 사용할 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
가교제로서는, 멜라민 수지, 요소 수지 등의 아미노 수지, 우레탄 수지, 에폭시 수지 및 페놀 수지를 예시할 수 있다. 이들 중에서도, 아미노 수지를 사용한 경우, 아미노 수지에 의해 가교 된 아미노 알키드 수지를 얻을 수 있어 바람직하다. 가교제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
실리콘 변성 알키드 수지에 있어서는, 경화 촉매로서 산성 촉매를 사용할 수 있다. 산성 촉매로서는, 특히 제한은 없고, 알키드 수지의 가교 반응 촉매로서 공지의 산성 촉매 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 이와 같은 산성 촉매로서는, 예를 들면 p-톨루엔술폰산, 메탄술폰산 등의 유기계의 산성 촉매가 적합하다. 산성 촉매는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
상술과 같은 실리콘 변성 알키드 수지로서는, 예를 들면, 테스파인 TA31-209 E(히타치가세이폴리머(주)제, 상품명)를 들 수 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 용이하게 박리하게 한다고 하는 관점에서, 실리콘 변성 알키드 수지와 동시에 폴리에테르 변성 실리콘, 알킬 변성 실리콘, 에폭시 변성 실리콘 등을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.
상술과 같은 실리콘으로서는, 도오레다우코닝(주)제의 SH3773M, L-7001, SH-550, SH-710, 신에츠실리콘(주)제의 X-22-163, KF-105, X-22-163B, X-22-163C 등을 들 수 있지만, 고분자량체와 상용(相容)하면, 특히 한정은 없다.
본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름에 있어서의 (B)실리콘 변성 수지의 배합량은, (A)고분자량 성분 100질량부에 대하여, 1∼100질량부가 바람직하고, 10∼80질량부가 보다 바람직하다. (B)실리콘 변성 수지의 배합량이 상기 범위내이면, 반도체 웨이퍼 가공시의 접착성과 가공 후의 박리성을 양립시키는 것이 가능해진다. 또한, (B)실리콘 변성 수지의 배합량은, (A)고분자량 성분 100질량부에 대하여, 30질량부 이상인 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름은, (A)고분자량 성분 및 (B)실리콘 변성 수지 이외에, 필요에 따라서 (C)경화촉진제, 및 그 밖의 성분을 함유할 수 있다.
(C)경화촉진제로서는, 예를 들면, 이미다졸류, 디시안디아미드 유도체, 디카복실산디히드라지드, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸-테트라페닐보레이트, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]운데센-7-테트라페닐보레이트 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름이 카복실기를 가지는 (메타)아크릴 공중합체를 함유하는 경우, 관련되는 아크릴 공중합체에 포함되는 에폭시기의 경화를 촉진하는 경화촉진제를 함유하는 것이 바람직하다.
경화촉진제의 첨가량이 너무 적은 경우에는, 반도체 소자의 제조 공정 내의 열이력에서는 가고정용 필름을 완전하게 경화시키는 것이 곤란해지고, 반도체 웨이퍼와 지지체를 확실히 고정할 수 없게 될 가능성이 있다. 한편, 경화촉진제의 첨가량이 너무 많은 경우에는, 제조 공정 중의 가열에 의해 가고정용 필름의 용융점도가 상승하기 쉬워질 뿐만 아니라, 필름의 보존 안정성이 나빠지는 경향이 있다. 이와 같은 관점에서, 본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름에 있어서의 (C)경화촉진제의 배합량은, (A)고분자량 성분 100질량부에 대하여 0.01∼2.0질량부가 바람직하다.
그 밖의 성분으로서는, 무기 필러를 들 수 있다. 무기 필러로서는, B스테이지 상태에 있어서의 가고정용 필름의 취급성의 향상, 저열팽창성의 향상의 관점에서, 실리카 필러를 배합하는 것이 바람직하다. 이 경우, 미경화 가고정용 필름의 취급성의 관점에서, 고분자량 성분 100질량부에 대하여, 무기 필러를 10∼100질량부 배합하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름은, 내열성의 관점에서, 커플링제를 함유할 수 있다. 커플링제로서는, γ-우레이드프로필트리에톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름은, 에폭시 수지, 페놀 수지, 비스말레이미드 수지 등의 열강화성 수지를 함유할 수 있다.
본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름은, 110℃에서 30분간 및 170℃에서 1시간 가열된 후의 탄성률이 23℃에 있어서 0.1 이상 1000MPa 이하가 바람직하다. 23℃에서의 탄성률이 0.1MPa 이상이면, 필름이 부드러워져 박리 공정시에 반도체 웨이퍼에 풀 잔여물이 발생할 가능성을 저감할 수 있고, 23℃에서의 탄성률이 1000MPa 이하이면, 범프 등의 요철을 가지는 반도체 웨이퍼로부터도 박리하기 쉬워진다.
탄성률은, 동적 점탄성 측정 장치((주)UBM사제)를 사용하여, 3℃/분의 온도상승 속도로 온도상승시키면서 측정한 경우의 측정치를 의미한다.
본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름은, 경화 전의 용융점도가 120℃에 있어서 15000Pa·s 이하인 것이 바람직하다. 120℃에 있어서의 용융점도가 15000Pa·s 이하이면, 예를 들면, 70∼150℃/0.02∼0.2MPa/1∼5분/5∼15mbar의 조건하에서, 공극을 발생시키는 일없이 반도체 웨이퍼에의 압착이 가능해진다. 또한, 120℃에 있어서의 용융점도가 15000Pa·s 이하이면, 상기 조건에서 반도체 웨이퍼에 진공 압착했을 때에, 충분한 유동성을 얻을 수 있어, 공극의 발생을 억제할 수 있다.
상기 용융점도는, ARES(레오메트릭 사이언티픽사제)를 사용하여, 가고정용 필름에 5%의 왜곡을 주면서 20℃/분의 승온(昇溫) 속도로 승온시키면서 측정한 경우의 측정치를 의미한다.
본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름의 막 두께는, 가고정의 기능 확보와 반도체 웨이퍼의 범프 등의 요철을 충분히 충전 가능하게 하는 관점에서, 10∼150μm인 것이 바람직하다. 막 두께가 10μm 이상이면, 범프 등을 충분히 매입하는 것에 뛰어나고, 150μm 이하이면, 경제적이다. 반도체 웨이퍼에 범프가 형성되어 있는 경우, 범프를 충분히 매입하는 관점에서, 15∼150μm인 것이 바람직하고, 30∼110μm인 것이 더욱 바람직하다. 반도체 웨이퍼에 범프가 형성되어 있지 않은 경우, 경제적인 관점에서, 10∼30μm인 것이 바람직하고, 또한 10∼20μm인 것이 더욱 바람직하다.
본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름은, 가고정용 필름과 반도체 웨이퍼(예를 들면, 실리콘 웨이퍼)와의 사이의 30°박리강도가 300N/m 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 반도체 웨이퍼와 가고정용 필름을 박리할 때에, 반도체 웨이퍼의 깨짐 등을 방지하는 것이 용이해진다.
본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름은, 상술한 각 성분을 포함하는 가고정용 필름 형성용 조성물의 바니스로부터 제작할 수 있다.
구체적으로는, 우선, 상기 (A)고분자량 성분 및 상기 (B)실리콘 변성 수지, 및, 필요에 따라서, 상기 (C)경화촉진제, 상기 무기 필러나 커플링제 등의 다른 첨가 성분을, 유기용매 중에서 혼합, 혼련하여 바니스를 조제한다. 다음으로, 얻어진 바니스를 기재 필름 위에 도포함으로써 바니스의 층을 형성한다. 다음으로, 가열 건조에 의해 바니스층으로부터 용매를 제거한 후, 기재 필름을 제거함으로써, 가고정용 필름을 얻을 수 있다.
상기의 혼합, 혼련은, 통상의 교반기, 라이카이기, 3본(本) 롤, 볼 밀 등의 분산기를 사용하고, 이들을 적절히 조합하여 실시할 수 있다. 상기의 가열 건조는, 사용한 용매가 충분히 휘산하는 조건이면 특히 제한은 없지만, 통상 60℃∼200℃에서, 0.1∼90분간 가열하여 실시할 수 있다.
상기 기재 필름으로서는, 특히 제한은 없고, 예를 들면, 폴리에스테르 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리이미드 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리에테르나프탈레이트 필름, 메틸펜텐 필름 등을 들 수 있다.
상기 유기용매는, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이면 제한은 없고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 이와 같은 용매로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 건조 속도가 빠르고, 가격이 싼 점에서, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등을 사용하는 것이 바람직하다.
도 1(A)은, 본 실시 형태의 가고정용 수지 필름 시트의 일실시 형태를 나타내는 표면도이며, 도 1(B)은 도 1(A)의 I-I선에 따른 모식 단면도이다.
도 1에 나타내는 가고정용 필름 시트(1)는, 이형성을 가지는 지지 필름(10)과, 지지 필름(10) 위에 설치된 가고정용 필름(20)과, 가고정용 필름(20)의 지지 필름(10)과는 반대 측에 설치된 보호 필름(30)을 구비한다.
지지 필름(10)으로서는, 특히 제한은 없지만, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 유연성 및 강인성의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리이미드인 것이 바람직하다. 또한, 가고정용 필름(수지층)과의 박리성 향상의 관점에서, 실리콘계 화합물, 불소계 화합물 등에 의해 이형 처리가 실시된 필름을 지지 필름으로서 사용하는 것이 바람직하다.
지지 필름(10)의 두께는, 목적으로 하는 유연성에 의해 적절히 변경해도 되지만, 3∼250μm인 것이 바람직하다. 3μm 이상이면, 필름 강도가 충분하고, 250μm 이하이면, 충분한 유연성을 얻을 수 있다. 이와 같은 관점에서, 지지 필름(10)의 두께는, 5∼200μm인 것이 더욱 바람직하고, 7∼150μm인 것이 특히 바람직하다.
본 실시 형태의 가고정용 필름(20)의 두께에 관해서는, 가고정의 기능 확보와 반도체 웨이퍼의 범프 등의 요철을 충분히 충진 가능하게 하는 관점에서, 10∼150μm인 것이 바람직하다. 막 두께가 10μm 이상이면, 범프 등을 충분히 매입하는 것이 뛰어나고, 150μm 이하이면, 경제적이다. 반도체 웨이퍼에 범프가 형성되어 있는 경우, 범프를 충분히 매입하는 관점에서, 15∼150μm인 것이 바람직하고, 30∼110μm인 것이 더욱 바람직하다. 반도체 웨이퍼에 범프가 형성되어 있지 않은 경우, 경제적인 관점에서, 10∼30μm인 것이 바람직하고, 또한 10∼20μm인 것이 더욱 바람직하다.
후막(厚膜)의 필름을 제조하는 경우는, 미리 형성한 두께 100μm 이하의 필름을 첩합하여도 된다. 이와 같이 첩합한 필름을 사용함으로써, 후막화 필름을 제작했을 때의 잔존 용제를 저하시킬 수 있다.
보호 필름(30)으로서는, 특히 제한은 없지만, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 유연성 및 강인성의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌인 것이 바람직하다. 또한, 가고정용 필름(수지층)과의 박리성 향상의 관점에서, 실리콘계 화합물, 불소계 화합물 등에 의해 이형 처리가 실시된 필름을 보호 필름으로서 사용하는 것이 바람직하다.
보호 필름(30)의 두께는, 목적으로 하는 유연성에 의해 적절히 설정할 수 있지만, 10∼250μm인 것이 바람직하다. 10μm 이상이면, 필름 강도가 충분하고, 250μm 이하이면, 충분한 유연성을 얻을 수 있다. 이와 같은 관점에서, 보호 필름(30)의 두께는, 15∼200μm인 것이 더욱 바람직하고, 20∼150μm인 것이 특히 바람직하다.
도 2(A)는, 본 발명에 관련되는 가고정용 필름 시트의 다른 실시 형태를 나타내는 표면도이며, 도 2(B)는 도 2(A)의 II-II선에 따른 모식 단면도이다.
도 2에 나타내는 가고정용 필름 시트(2)는, 가고정하는 부재의 형상에 맞추어 가고정용 필름(20) 및 보호 필름(30)이 미리 재단되어 있는 것 이외는, 가고정용 필름 시트(1)와 동일한 구성을 가진다. 또한, 도 2에서는, 재단된 가고정용 필름(20) 및 보호 필름(30)의 외연부(外緣部)가 제거되어 있지만, 가고정하는 부재의 형상에 맞추어 가고정용 필름 및 보호 필름에 홈이 설치되고, 외연부가 남아 있어도 된다.
[반도체 웨이퍼 가공 방법]
본 실시 형태에 관련되는 반도체 웨이퍼의 가공 방법은, 크게 나누어 이하의 4 공정으로 이루어진다. (a)반도체 웨이퍼와 지지체를 가고정용 필름을 통하여 가고정하는 가고정 공정과, (b)지지체에 가고정된 반도체 웨이퍼를 가공하는 가공 공정과, (c)가공된 반도체 웨이퍼를 지지체 및 가고정용 필름으로부터 분리하는 분리 공정과, (d)반도체 웨이퍼에 잔사가 있는 경우에 세정하는 세정 공정으로 이루어진다.
도 3(A), 도 3(B) 및 도 3(C)은, 반도체 웨이퍼의 가공 방법의 일실시 형태를 설명하기 위한 모식 단면도이며, 도 3(D)은, 가공 후의 반도체 웨이퍼를 나타내는 표면도이다.
＜(a)가고정 공정＞
도 3의 (A)는, 지지체(50) 및 반도체 웨이퍼(60)의 사이에, 본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름(40)을 개재시켜, 지지체(50)에 반도체 웨이퍼(60)를 가고정하는 공정을 나타낸다.
반도체 웨이퍼(60)의 두께는, 특히 제한은 없지만, 600∼800μm로 할 수 있다.
우선, 가고정용 필름을 준비한다. 다음으로, 유리 혹은 웨이퍼로 이루어지는 원형의 지지체 위에 가고정용 필름을 첩부한다. 첩부 후, 지지체의 형상에 맞추어 가고정용 필름을 원형으로 절단한다. 이때, 가공하는 반도체 웨이퍼의 형상에도 맞추어 절단하는 형상을 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 지지체가 아니라, 가공하는 반도체 웨이퍼 측에 가고정용 필름을 첩부해도 된다.
다음으로, 진공 프레스기 또는 진공 라미네이터 위에, 가고정용 필름을 설치한 지지체를 세트하고, 반도체 웨이퍼를 프레스로 압압(押壓)하여 첩부한다. 또한, 반도체 웨이퍼 측에 가고정용 필름을 설치한 경우에는, 진공 프레스기 또는 진공 라미네이터 위에, 가고정용 필름을 첩합한 웨이퍼를 세트하고, 지지체를 프레스로 압압하여 첩부한다.
이렇게 하여, 도 3(A)에 나타내듯이, 지지체(50) 및 반도체 웨이퍼(60)의 사이에 가고정용 필름(40)을 개재시켜, 지지체(50)에 반도체 웨이퍼(60)를 가고정한다.
웨이퍼 접합 장치를 사용하는 경우는, 예를 들면 EVG사제 진공 프레스기 EVG520IS(상품명)를 사용하고, 기압 1hPa 이하, 압착 압력 1MPa, 압착 온도 60℃∼200℃, 유지 시간 100초∼300초로, 반도체 웨이퍼(60)와 지지체(50)를 가고정용 필름(40)을 통하여 가고정한다.
진공 라미네이터를 사용하는 경우는, 예를 들면 가부시키가이샤 엔피씨제 진공 라미네이터 LM-50×50-S(상품명), 니치고모톤가부시키가이샤제 진공 라미네이터 V130(상품명)를 사용하고, 기압 1hPa 이하, 압착 온도 40℃∼180℃, 바람직하게는 60℃∼150℃, 라미네이트 압력 0.01∼0.5MPa, 바람직하게는 0.1∼0.5MPa, 유지 시간 1초∼600초, 바람직하게는 30초∼300초로, 반도체 웨이퍼(60)와 지지체(50)를 가고정용 필름(40)을 통하여 가고정한다.
반도체 웨이퍼(60)와 지지체(50)를 가고정용 필름(40)을 통하여 가고정한 후, 가열함으로써, 가고정용 필름(40)의 열경화를 실시한다. 열경화의 조건으로서는, 예를 들면, 110℃에서 30분간 가열하고, 계속하여 170℃에서 1시간 가열하는 것을 들 수 있다.
본 실시 형태의 지지체에는 박리 처리를 실시해도 되고, 도 3(A)과 같이 지지체(50) 표면의 전부, 또는 일부를 박리 처리함으로써, 박리층(52)을 형성한다. 박리 처리에 사용되는 박리제는 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 불소 원소를 가지는 표면 개질제, 폴리오레핀계 왁스 및 실리콘 오일, 반응성기를 함유하는 실리콘 오일, 실리콘 변성 알키드 수지가 박리성이 뛰어나기 때문에 바람직하다.
이상 설명한 바와 같은 구성의 가고정용 필름을 사용하면, 지지체를 사용한 고온에서의 반도체 웨이퍼의 가공이 가능하고, 가공 후에 실온에서 가고정용 필름을 반도체 웨이퍼 및 지지체로부터 풀 잔여물 없이 박리할 수 있다.
＜(b)가공 공정＞
가공 공정에는, 웨이퍼 레벨로 사용되는 연삭(硏削), 전극 형성, 금속 배선 형성, 보호막형성 등이 포함된다. 연삭 방식에는 특히 제한은 없고, 공지의 연삭 방식을 사용할 수 있다. 연삭은 반도체 웨이퍼와 지석(砥石)(다이아몬드 등)에 물을 뿌려서 냉각하면서 실시하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 도 3(B)에 나타내듯이, 그라인더(90)에 의해서 반도체 웨이퍼(80)의 이면, 즉 반도체 웨이퍼(80)의 가고정용 필름(70)과 접하는 측과는 반대측의 면을 연삭하고, 예를 들면 725μm 정도의 두께를 100μm 이하로까지 박화(薄化)한다.
연삭 가공하는 장치로서는, 예를 들면 DISCO가부시키가이샤제 DGP-8761(상품명) 등을 들 수 있고, 이 경우의 절삭 조건은 원하는 반도체 웨이퍼의 두께 및 연삭 상태에 따라 임의로 선택할 수 있다.
그 밖의 공정은 구체적으로는, 전극 등의 형성을 위한 금속 스패터링, 금속 스패터링층을 에칭하는 웨트 에칭, 금속 배선 형성의 마스크를 위한 레지스터의 도포, 노광·현상에 의한 패턴의 형성, 레지스터의 박리, 드라이 에칭, 금속 도금의 형성, TSV 형성을 위한 실리콘 에칭, 실리콘 표면의 산화막 형성 등, 공지의 프로세스를 들 수 있다.
도 3(C)은, 박화한 반도체 웨이퍼(80)의 이면 측에 드라이이온 에칭 또는 보슈 프로세스 등의 가공을 실시하고, 관통 구멍을 형성한 후, 구리도금 등의 처리를 실시하여, 관통 전극(82)를 형성한 예를 나타내고 있다.
이렇게 하여 반도체 웨이퍼(80)에 소정의 가공이 실시된다. 도 3(D)은, 가공 후의 반도체 웨이퍼(80)의 표면도이다.
다른 태양(態樣)으로서, 미리 관통 전극을 제작한 후막의 반도체 웨이퍼를 준비하고, 이 웨이퍼의 회로면에 가고정용 필름을 설치하고, 그라인더에 의해서 반도체 웨이퍼의 이면(본 실시 형태에 있어서는 반도체 웨이퍼의 배선 패턴을 가지는 면과는 반대측)을 연삭하여, 예를 들면 700μm 정도의 두께를 100μm 이하로까지 박화할 수 있다. 다음에, 박화한 반도체 웨이퍼를 에칭하고, 관통 전극의 노출을 실시하고, 패시베이션막을 형성한다. 그 후, 이온 에칭 등으로 동(銅)전극의 노출을 재차 실시하고, 회로를 형성한다. 이렇게 하여 가공된 반도체 웨이퍼를 얻을 수 있다.
＜(c)분리 공정＞
도 4는, 가공된 반도체 웨이퍼를 지지체 및 가고정용 필름으로부터 분리하는 분리 공정의 일실시 형태를 설명하기 위한 모식 단면도이다. 본 실시 형태에 관련되는 분리 공정은, 지지체로부터 반도체 웨이퍼를 박리하는 제1의 박리 공정과, 반도체 웨이퍼로부터 가고정용 필름을 박리하는 제2의 박리 공정을 포함한다. 제1의 박리 공정은, 가공 공정에서 가공을 실시한 반도체 웨이퍼를 지지체로부터 박리하는 공정, 즉, 박형화한 반도체 웨이퍼에 여러 가지 가공을 실시한 후, 다이싱하기 전에 지지체로부터 박리하는 공정이다. 박리 방법으로서는, 주로 반도체 웨이퍼와 지지체를 가열(바람직하게는 200∼250℃)하면서, 수평 방향에 따라서 반대 방향으로 슬라이드시킴으로써 양자를 분리하는 방법, 지지체의 반도체 웨이퍼 또는 지지체의 한편을 수평으로 고정해 두고, 다른편을 수평 방향에서 일정한 각도를 두고 들어올리는 방법, 및, 연삭된 반도체 웨이퍼의 연삭면에 보호 필름을 붙이고, 반도체 웨이퍼와 보호 필름을 필 방식으로 지지체로부터 박리하는 방법 등을 들 수 있지만, 특별히 제한없이 채용할 수 있다.
본 실시 형태에는, 이들 박리 방법 모두에 적용 가능하지만, 도 4(A)에 나타내는 바와 같은 지지체의 반도체 웨이퍼(80) 또는 지지체(50)의 한편을 수평으로 고정해 두고, 다른편을 수평 방향에서 일정한 각도를 두고 들어올리는 방법, 및, 연삭된 반도체 웨이퍼의 연삭면에 보호 필름을 붙이고, 반도체 웨이퍼와 보호 필름을 필 방식으로 박리하는 방법 등이 보다 적합하다. 이들 박리 방법은, 통상, 실온에서 실시되지만, 40∼100℃ 정도의 반도체 웨이퍼에 손상이 없는 온도하에서 실시해도 된다. 기계적으로 분해할 때는, 예를 들면 EVG사제 De-Bonding 장치 EVG805EZD를 사용한다.
또한, 반도체 웨이퍼(80)와 지지체(50)의 분리는, 예를 들면, 가고정용 필름과 반도체 웨이퍼의 계면(界面)에 열쇠형의 형상을 한 지그를 걸치듯이 설치하고, 윗방향에 응력을 가함으로써 실시할 수 있다.
제2의 박리 공정에서는, 예를 들면, 도 4(B)에 나타나듯이, 반도체 웨이퍼(80)를 수평에 고정해 두고, 가고정용 필름(70)의 끝을 수평 방향에서 일정한 각도를 두고 들어올리는 것으로, 가고정용 필름이 박리된 반도체 웨이퍼(80)를 얻을 수 있다(도 4(C)를 참조). 본 실시 형태에 있어서는, 본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름을 사용함으로써, 풀 잔여물 등의 잔사가 충분히 저감된 가공 종결 반도체 웨이퍼를 용이하게 얻을 수 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 제1의 박리 공정에서, 반도체 웨이퍼와, 필름형상의 가고정재의 사이에서 분리를 실시해도 된다.
＜(d)세정 공정＞
반도체 웨이퍼의 회로 형성면은 가고정재의 일부가 잔존하기 쉽다. 박리한 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 가고정재가 일부 잔존한 경우, 이를 제거하기 위한 세정 공정을 설치할 수 있다. 가고정재의 제거는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼를 세정함으로써 실시할 수 있다.
사용하는 세정액에는, 일부 잔존한 가고정재를 제거할 수 있는 세정액이면, 특히 제한은 없고, 예를 들면, 가고정용 수지 조성물의 희석에 사용할 수 있는 상기 유기용제를 들 수 있다. 이들 유기용제는, 1종을 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 잔존한 가고정재가 제거하기 어려운 경우는, 유기용제에 염기류, 산류를 첨가해도 된다. 염기류의 예로서는, 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 트리에틸아민, 암모니아 등의 아민류; 테트라메틸암모늄히드록시드 등의 암모늄염류가 사용 가능하다. 산류로서는, 아세트산, 옥살산, 벤젠설폰산, 도데실벤젠설폰산 등의 유기산이 사용 가능하다. 첨가량은, 세정액 중 농도로, 0.01∼10질량%가 바람직하다. 또한, 잔존물의 제거성을 향상시키기 위하여, 기존의 계면활성제를 첨가해도 된다.
세정 방법으로서, 특히 제한은 없지만, 예를 들면, 상기 세정액을 사용하여 패들에서의 세정을 실시하는 방법, 스프레이 분무에서의 세정 방법, 세정액조에 침지하는 방법을 들 수 있다. 온도는 10∼80℃, 바람직하게는 15∼65℃가 적합하고, 최종적으로 수세 또는 알코올 세정을 실시하고, 건조 처리시켜, 박형의 반도체 웨이퍼(80)를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 관련되는 가고정용 필름에 의하면, 풀 잔여물 등의 잔사를 충분히 저감할 수 있기 때문에, 세정 공정을 생략하는 것이 가능해진다.
가공된 반도체 웨이퍼(80)는, 상기와 동일하게 하여 관통 전극(82)이 형성되고, 또한 다이싱 라인(84)에 따른 다이싱에 의해서 반도체 소자로 개편화(個片化) 된다.
본 실시 형태에 있어서는, 얻어진 반도체 소자를 다른 반도체 소자 또는 반도체 소자 탑재용 기판에 접속함으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다.
도 5는, 반도체 장치의 제조 방법의 일실시 형태를 설명하기 위한 모식 단면도이다. 우선, 상술한 방법에 의해, 관통 전극(86)이 형성되고, 개편화 된 반도체 소자(100)를 준비한다(도 5(A)). 그리고, 반도체 소자(100)를 배선 기판(110) 위에 복수 적층함으로써 반도체 장치(120)를 얻을 수 있다(도 5(B)).
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 의해서, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1∼5 및 비교예 1, 2)
표 1 또는 표 2에 나타내는 조성(성분 및 조성비(단위: 질량부))을 가지는 조성물에, 시클로헥사논을 가하고, 교반 혼합하여 바니스를 얻었다.
다음으로, 얻어진 바니스를 100 메쉬의 필터로 여과하고, 진공 탈포했다. 진공 탈포 후의 바니스를, 두께 38μm의 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 위에 도포했다. 도포한 바니스를, 90℃에서 5분간, 이어서 140℃에서 5분간의 2 단계로 가열 건조했다. 이렇게 하여 지지 필름으로서의 PET 필름 위에, B스테이지 상태에 있는 두께 40μm의 가고정용 필름을 구비한 가고정용 필름 시트를 얻었다. 또한, 얻어진 가고정 필름 시트의 가고정재면을 폴리에틸렌(PE) 필름과 첩합하여 3층 구조로 함으로써, 가고정재면에의 이물 부착을 방지했다.
Figure 112016063408372-pct00001
Figure 112016063408372-pct00002
또한, 표 1 및 표 2 중의 각 성분의 기호는 하기의 것을 의미한다.
(고분자량 성분)
HTR-860P-30B: (아크릴고무, 테이코쿠가가쿠산교가부시키가이샤제 샘플명, 중량평균분자량 25만, Tg: 12℃).
HTR-280-CHN: (아크릴고무, 테이코쿠가가쿠산교가부시키가이샤제 샘플명, 중량평균분자량 90만, Tg: -28℃).
HTR-280-CHN　개(改)17: (아크릴고무, 테이코쿠가가쿠산교가부시키가이샤제 샘플명, 중량평균분자량 90만, Tg: -10℃).
(실리콘 변성 수지)
TA31-209E: (히타치가세이폴리머(주)제 상품명, 실리콘 변성 알키드 수지)
KF-105: (신에츠실리콘가부시키가이샤제 상품명, 에폭시 변성 실리콘)
SH-550: (도오레다우코닝가부시키가이샤제 상품명, 메틸페닐실리콘)
SH3773M: (도오레다우코닝가부시키가이샤제 상품명, 폴리에테르 변성 실리콘)
(경화촉진제)
큐아조르 2 PZ-CN: (시코쿠가세이고교가부시키가이샤제 상품명, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸).
(비교예 3)
[폴리이미드 수지 PI-1의 합성]
교반기, 온도계, 질소 치환 장치(질소 유입관), 및 수분 수용기 부착의 환류 냉각기를 구비한 플라스크 내에, 디아민인, BAPP(상품명, 도쿄가세이제, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판), 분자량 410.51)를 10.26g(0.025mol) 및 1,4-부탄디올비스(3-아미노프로필)에테르(도쿄가세이제, 상품명: B-12, 분자량: 204.31) 5.10g(0.025mol)와, 용매인, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 100g을 넣고, 교반하여 디아민을 용매에 용해시켰다. 상기 플라스크를 빙욕(氷浴) 중에서 냉각하면서, 데카메틸렌비스트리멜리테이트산 이무수물(DBTA) 26.11g(0.05mol)을, 플라스크 내의 용액에 소량씩 첨가했다. 첨가 종료 후, 질소 가스를 취입하면서 용액을 180℃로 승온시키고 5시간 보온하여, 폴리이미드 수지 PI-1을 얻었다. 폴리이미드 수지 PI-1의 중량평균분자량은 50000, Tg는 70℃이었다.
상기의 폴리이미드 수지 PI-1을, NMP 용매 중에 고형분 농도가 50질량%가 되도록 용융 혼합하여 필름을 형성하기 위한 바니스를 제작했다. 이 바니스를 사용하여, 상기와 동일하게 하여 가고정용 필름 시트를 얻었다.
[가고정용 필름의 평가]
상기에서 얻어진 실시예 1∼5, 비교예 1∼3의 가고정용 필름 시트에 관하여, 이하에 나타내는 방법에 따라서, 용융점도, 단차 매입성, 200℃에서의 내열성 평가, 경화 후의 탄성률, 30°박리강도, 및 박리성을 각각 평가했다. 결과를 표 3 및 4에 나타낸다.
＜용융점도＞
가고정용 필름의 용융점도를 하기의 방법에 의해 평가했다.
상기에서 얻어진 가고정용 필름(두께 40μm)을 80℃에서 롤 라미네이트 하고, 4매 겹침으로써, 두께 160μm의 가고정용 필름을 얻었다. 이것을, 두께 방향으로 사방 10mm으로 뚫어내어, 사방 10mm, 두께 160μm의 사각형의 적층체를 얻었다. 동적 점탄성 장치 ARES(레오메트릭 사이언티픽사제)에 직경 8mm의 원형 알루미늄 플레이트 지그를 세트하고, 또한 여기에 뚫어낸 가고정용 필름의 적층체를 세트 했다. 그 후, 35℃에서 5%의 왜곡을 주면서 20℃/분의 승온 속도로 150℃까지 승온시키면서 측정하고, 120℃에서의 용융점도를 기록했다.
＜단차 매입성＞
필름형상 점착제의 단차 매입성을 하기의 방법에 의해 평가했다.
상기에서 얻어진 가고정용 필름(두께 40μm)을 80℃에서 롤 라미네이트 하고, 2매 겹침으로써, 두께 80μm의 가고정용 필름을 얻었다. 다음으로, 두께 625μm 실리콘 밀러 웨이퍼(6인치) 표면에, 브레이드다이싱에 의해 폭 40μm, 깊이 40μm의 홈을 100μm 간격으로 제작했다. 이와 같이하여 제작한 단차 부착 실리콘 밀러 웨이퍼의 단차가 상면이 되도록 진공 라미네이터((주) 엔피씨제, LM-50X50-S)의 스테이지 위에 두고, 상기에서 얻어진 가고정용 필름을 단차 부착 실리콘 밀러 웨이퍼 측에 첩부하듯이 설치하고, 120℃/0.1MPa/2분, 15mbar에서 진공 라미네이트했다. 얻어진 샘플을 단면 관찰하고, 브레이드다이싱으로 제작한 홈의 매입성을 평가했다. 매입성의 평가 기준은 이하와 같다.
○: 보이드의 비율이 5% 미만.
×: 보이드의 비율이 5% 이상.
＜200℃에서의 내열성＞
가고정용 필름의 200℃에서의 내열성을 하기의 방법에 의해 평가했다.
두께 625μm 실리콘 밀러 웨이퍼(6인치)를 브레이드다이싱에 의해 사방 25mm로 소편화(小片化)했다. 소편화한 실리콘 밀러 웨이퍼 표면에, 가고정용 필름이 첩부하듯이 80℃에서 롤 라미네이트했다. 다음으로, 가고정용 필름 위에 두께가 0.1∼0.2mm로 크기가 사방 약 18mm의 슬라이드 글라스를 80℃에서 롤 라미네이트 하고, 가고정용 필름이 실리콘 웨이퍼와 슬라이드 글라스에 끼워진 적층품을 제작했다. 얻어진 샘플을 110℃에서 30분간 가열하고, 이어서 170℃에서 1시간 가열하여 가고정용 필름을 경화시키고, 그 후, 200℃에서 30분간 가열했다.
이와 같이하여 얻어진 샘플을 슬라이드 글라스면으로부터 관찰하고, 화상을 Photoshop(등록상표) 등의 소프트 웨이퍼로 해석하고, 가고정용 필름 전체의 면적에 점유하는 보이드의 비율로부터 200℃에서의 내열성을 평가했다. 평가 기준은 이하와 같다.
○: 보이드의 비율이 5% 미만.
×: 보이드의 비율이 5% 이상.
＜경화 후의 탄성률(＠23℃)＞
가고정용 필름의 경화 후의 인장 탄성률을 하기의 방법에 의해 평가했다.
상기에서 얻어진 가고정용 필름(두께 각 40μm)을 80℃에서 롤 라미네이트 하고, 3매 겹침으로써, 두께 120μm의 가고정용 필름을 얻었다. 110℃의 오븐에서 30분, 170℃에서 1시간 더 가열한 후, 두께 방향으로 4mm 폭, 길이 33mm로 잘라냈다. 또한, 가고정용 필름 시트의 지지 필름은 박리 제거했다. 얻어진 샘플을 동적 점탄성 장치(제품명: Rheogel-E4000, (주)UMB제)에 세트하고, 인장 하중을 가하여, 주파수 10Hz, 온도상승 속도 3℃/분으로 측정하고, 23℃에서의 측정치를 기록했다.
＜30°박리강도＞
실리콘 웨이퍼 및 가고정용 필름의 사이의 30°박리강도를 하기의 방법에 의해 평가했다.
두께 625μm 실리콘 밀러 웨이퍼(6인치) 표면에, 브레이드다이싱에 의해 폭 40μm, 깊이 40μm의 홈을 100μm 간격으로 제작했다. 이와 같이하여 제작한 단차 부착 실리콘 밀러 웨이퍼의 단차가 상면이 되도록 진공 라미네이터((주)엔피씨제, LM-50X50-S)의 스테이지 위에 두고, 상기에서 얻어진 가고정용 필름을 단차 부착 실리콘 밀러 웨이퍼 측에 첩부하듯이 설치하고, 120℃/0.1MPa/2분, 15mbar에서 진공 라미네이트했다. 얻어진 샘플을 110℃에서 30분간 가열하고, 이어서 170℃에서 1시간 가열하여 경화시키고, 그 후, 200℃에서 30분간 가열한 후, 10mm 폭으로 잘라냈다. 이것을, 박리 각도가 30°가 되도록 설정한 박리 시험기에서 300mm/분의 속도로 박리 시험을 실시하고, 그 때의 박리강도를 기록했다.
＜박리성＞
가고정용 필름의 디본드 장치에서의 박리성을 하기의 방법에 의해 평가했다.
상기에서 얻어진 가고정용 필름(두께 40μm)과 지지 필름(두께 60μm)을 80℃에서 롤 라미네이트 하여, 두께 100μm의 필름을 얻었다.
지지체로서 실리콘 밀러 웨이퍼를 사용하여, 상기에서 얻어진 필름을, 가고정용 필름 측이 실리콘 밀러 웨이퍼 측에 첩부하도록 80℃에서 롤 라미네이트에 의해 첩부함으로써, 가고정용 필름 부착 지지체를 얻었다. 다음으로, 두께 725μm의 실리콘 밀러 웨이퍼(8인치) 표면에, 브레이드다이싱에 의해 폭 40μm, 깊이 40μm의 홈을 100μm 간격으로 제작하고, 표면에 단차를 가지는 실리콘 웨이퍼를 준비했다. 이 실리콘 웨이퍼의 단차 측과 상기에서 얻어진 가고정용 필름 부착 지지체의 가고정용 필름 측을 진공 본딩 장치(아유미고교(주)제　VE07-14)로 120℃/0.1MPa/5분, 5mbar로 진공 압착하여, 적층체를 얻었다. 이와 같이하여 얻어진 적층체를 110℃에서 30분간 가열하고, 이어서 170℃에서 1시간 가열함으로써 가고정용 필름을 경화시키고, 그 후, 200℃에서 30분간 가열한 후, 선단(先端)이 예리한 핀셋을 실리콘 웨이퍼의 단차 측과 가고정용 필름과의 사이에 넣고, 외연을 따라서 핀셋을 움직였다. 실리콘 웨이퍼 및 지지체가 갈라지는 일 없이 박리된 것을 ○로 하고, 박리할 수 없거나, 또는 손상을 보인 것을 ×로 하였다.
Figure 112016063408372-pct00003
Figure 112016063408372-pct00004
표 3, 4에 나타나듯이, 실시예 1∼5의 가고정용 필름은, 실리콘 웨이퍼의 단차 매입성 및 내열성이 뛰어남과 동시에, 경화 후의 탄성률이 낮고, 실리콘 웨이퍼와 가고정용 필름과의 사이의 30°박리강도가 낮고, 실리콘 웨이퍼로부터의 박리성이 양호함이 확인되었다.
1…가고정용 필름 시트, 2…가고정용 필름 시트, 10…지지 필름, 20…가고정용 필름, 30…보호 필름, 40…가고정용 필름, 50…지지체, 52…박리층, 60…반도체 웨이퍼, 70…가고정용 필름, 80…반도체 웨이퍼, 82…관통 전극, 84…다이싱라인, 86…관통 전극, 100…반도체 소자, 110…배선 기판, 120…반도체 장치.

Claims (10)

  1. 반도체 웨이퍼를 지지체에 가고정(假固定)용 필름을 통하여 가고정하는 가고정 공정과, 상기 지지체에 가고정된 상기 반도체 웨이퍼를 가공하는 가공 공정과, 가공된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 지지체 및 상기 가고정용 필름으로부터 분리하는 분리 공정을 구비하는 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 사용되는 상기 가고정용 필름으로서,
    (A)고분자량 성분 및 (B)실리콘 변성 수지를 함유하고,
    상기 (B)실리콘 변성 수지가, 실리콘 변성 알키드 수지를 포함하고,
    110℃에서 30분간 및 170℃에서 1시간 가열된 후의 탄성률이 23℃에 있어서 2.6∼1000MPa이고,
    경화 전의 용융점도가 120℃에 있어서 8500Pa·s 이하이며, 또한, 두께가 10∼150μm인,
    가고정용 필름.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 (A)고분자량 성분이, 유리전이온도가 -50℃∼50℃이며, 중량평균분자량이 10만∼120만인 가교성 관능기를 가지는 (메타)아크릴 공중합체를 포함하는, 가고정용 필름.
  3. 삭제
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 (B)실리콘 변성 수지의 함유량이, 상기 (A)고분자량 성분 100질량부에 대하여, 1∼100질량부인, 가고정용 필름.
  5. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    (C)경화촉진제를 더 함유하는, 가고정용 필름.
  6. 삭제
  7. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    반도체 웨이퍼와 가고정용 필름 사이의 30°박리강도가 300N/m 이하인, 가고정용 필름.
  8. 이형성을 가지는 지지 필름과, 그 지지 필름 위에 설치된, 청구항 1 또는 2에 기재된 가고정용 필름을 구비하는, 가고정용 필름 시트.
  9. 청구항 1 또는 2에 기재된 가고정용 필름을 사용하여 가공된 반도체 웨이퍼로부터 얻어지는 반도체 소자를 구비하는, 반도체 장치.
  10. 청구항 8에 기재된 가고정용 필름 시트를 사용하여 가공된 반도체 웨이퍼로부터 얻어지는 반도체 소자를 구비하는, 반도체 장치.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI692517B (zh) 2015-09-30 2020-05-01 日商富士軟片股份有限公司 暫時接著劑、積層體、積層體的製造方法、元件基板的製造方法及半導體元件的製造方法
KR20170053416A (ko) * 2015-11-06 2017-05-16 주식회사 엘지화학 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2017191815A1 (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 日立化成株式会社 仮固定用樹脂フィルム
JP6859729B2 (ja) * 2016-07-05 2021-04-14 昭和電工マテリアルズ株式会社 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム、仮固定用樹脂フィルムシート及び半導体装置の製造方法
EP3563411B1 (en) 2016-12-28 2021-04-14 Invensas Bonding Technologies, Inc. Method of processing a substrate on a temporary substrate
WO2018210426A1 (en) 2017-05-18 2018-11-22 Karl Heinz Priewasser Protective sheeting for use in processing wafer, handling system for wafer, and combination of wafer and protective sheeting
CN109082241A (zh) * 2017-06-13 2018-12-25 麦克赛尔控股株式会社 双面粘着胶带、及薄膜部件与支承部件的层叠体
US10964664B2 (en) 2018-04-20 2021-03-30 Invensas Bonding Technologies, Inc. DBI to Si bonding for simplified handle wafer
WO2020129917A1 (ja) * 2018-12-20 2020-06-25 日立化成株式会社 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート並びに半導体装置の製造方法
JPWO2021131925A1 (ko) * 2019-12-23 2021-07-01
CN114605645A (zh) * 2022-03-24 2022-06-10 无锡宁融新材料有限公司 一种mlcc离型膜用聚酯母料及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009083271A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Tdk Corp 積層フィルムおよび積層セラミック電子部品の製造方法
KR100922684B1 (ko) * 2007-08-31 2009-10-19 제일모직주식회사 점착층용 광경화 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4936667B1 (ko) 1969-12-19 1974-10-02
US4320172A (en) * 1979-07-09 1982-03-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Organopolysiloxane resin compositions for release papers
JPH03263475A (ja) * 1979-07-09 1991-11-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 工程剥離紙用樹脂組成物
JPH0420954A (ja) 1990-05-16 1992-01-24 Konica Corp 画像形成方法
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
AU2003299296A1 (en) 2002-11-29 2004-06-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Method and device for machining a wafer, in addition to a wafer comprising a separation layer and a support layer
JP4170839B2 (ja) 2003-07-11 2008-10-22 日東電工株式会社 積層シート
JP2005120206A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルム、ダイシングフィルムおよび半導体装置
JP5157229B2 (ja) 2006-04-11 2013-03-06 日立化成株式会社 接着シート
JP4732472B2 (ja) 2007-03-01 2011-07-27 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP5032231B2 (ja) * 2007-07-23 2012-09-26 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP5343450B2 (ja) 2007-08-29 2013-11-13 日立化成株式会社 半導体素子固定用接着フィルム及び接着シート
JP5532575B2 (ja) 2007-10-22 2014-06-25 日立化成株式会社 接着シート
JP4728380B2 (ja) * 2008-11-26 2011-07-20 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP5477144B2 (ja) * 2009-05-26 2014-04-23 日立化成株式会社 回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法
JP2011054939A (ja) * 2009-08-07 2011-03-17 Nitto Denko Corp 半導体ウェハ保持保護用粘着シート及び半導体ウェハの裏面研削方法
JP2011102383A (ja) * 2009-10-14 2011-05-26 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム
WO2012020710A1 (ja) 2010-08-09 2012-02-16 積水化成品工業株式会社 粘着性高分子ゲル及び粘着性ゲルシート
JP5789974B2 (ja) * 2010-12-14 2015-10-07 住友ベークライト株式会社 仮固定剤および基材の加工方法
JP2012186361A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
KR20130075188A (ko) * 2011-12-27 2013-07-05 제일모직주식회사 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름
CN103265907A (zh) * 2013-04-29 2013-08-28 广东普赛特电子科技股份有限公司 一种耐磨导电胶组合物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100922684B1 (ko) * 2007-08-31 2009-10-19 제일모직주식회사 점착층용 광경화 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프
JP2009083271A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Tdk Corp 積層フィルムおよび積層セラミック電子部品の製造方法

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