JP5343450B2 - 半導体素子固定用接着フィルム及び接着シート - Google Patents

Description

本発明は、半導体素子固定用接着フィルム及び接着シートに関する。

従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子を支持部材に接合する際には、主に銀ペーストが用いられていた。しかし、銀ペーストによる場合には、ワイヤボンディング時に不具合が生じやすい、厚み制御が困難である、ボイドが発生しやすいなどの問題があった。

そのため、銀ペーストに代わるものとして、フィルム状の接着剤である接着フィルム（ダイボンディングフィルム）が用いられるようになってきた（特許文献１及び２参照）。接着フィルムによる半導体素子と支持部材との接合には、個片貼付け方式とウェハ裏面貼付方式とがある。

個片貼付け方式では、リール状の接着フィルムをカッティング又はパンチングによって個片化し、個片化された接着フィルムを支持部材に貼り付ける。次いで、ダイシング工程によって得られた半導体素子を、個片化された接着フィルムの支持部材と反対側の面に貼り付ける。（特許文献３参照）。この個片貼付け方式による場合、接着フィルムを個片化して支持部材に貼り付ける装置を要するため、銀ペーストを用いる場合と比べて製造コストが高くなりやすい。

一方、ウェハ裏面貼付け方式では、接着フィルムを半導体ウェハの裏面（回路が形成された面と反対側の面）に貼り付け、接着フィルムの半導体ウェハと反対側の面にダイシングテープを貼り付ける。次いで、半導体ウェハと接着フィルムからなる積層体をダイシングにより個片化し、個片化された上記積層体をピックアップして、上記積層体の接着フィルム側の面を、支持部材に貼り付ける。

上記ウェハ裏面貼付け方式による場合は、接着フィルムを個片化して支持部材に貼り付ける装置を要しないため、従来の銀ペースト用の装置をそのまま又は一部改良するだけで用いることができる。したがって、ウェハ裏面貼付け方式は、半導体素子を支持部材に接合する際に、製造コストを比較的安く抑えられる方法として注目されている（特許文献４参照）。

しかし、最近の半導体ウェハの小型薄型化に伴い、ウェハ裏面貼付け方式においても、搬送時のウェハ割れや、ウェハ裏面に接着フィルムを貼り付ける際のウェハ反り、ウェハ割れ等の問題が顕在化してきた。このようなウェハ反りやウェハ割れを防止する方法として、ウェハ表面（回路が形成された面）に軟質保護テープ（バックグラインドテープ）を貼り付ける方法が提案されている。

また、ウェハ裏面貼付け方式を更に簡略化するべく、接着フィルム（接着剤層）及びダイシングテープからなる積層体である接着シート（ダイシング・ダイボンド一体型フィルム）を用いる方法も提案されている。

特開平０３−１９２１７８号公報 特開平０４−２３４４７２号公報 特開平０９−０１７８１０号公報 特開平０４−１９６２４６号公報 特許第３０１４５７８号公報

しかしながら、バックグラインドテープ及びダイシングテープは、熱により軟化しやすいため、ウェハ裏面に接着フィルムを貼り付ける際の加熱により軟化してしまう場合があった。このようなバックグラインドテープ及びダイシングテープの軟化を防ぐためには、ウェハ裏面への接着フィルムの貼り付け（ラミネート）を１００℃程度の低温で行う必要がある。そのため、１００℃程度の低温でラミネートを行うことが可能な接着フィルム、すなわち、低温ラミネート性（低温加工性）を備えた接着フィルムが所望される。接着フィルムに低温ラミネート性を付与する手段としては、接着フィルムに含まれる樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）を低くすることが考えられる。

しかし、樹脂のＴｇを低くすると、得られる接着フィルムの耐熱性が十分でなくなる傾向がある。特許文献５には、低温ラミネート性と耐熱性とを兼ね備えた接着フィルムを得るべく、Ｔｇが低い熱可塑性樹脂を熱硬化性樹脂と組み合わせる方法が提案されている。

また、Ｔｇが低い樹脂を用いる場合、接着フィルムの耐熱性が十分でなくなるだけでなく、接着フィルム表面の粘着性（タック）の増大を引き起こす結果、ダイシング後にダイシングテープから接着フィルムを剥離（ピックアップ）しにくくなる傾向がある。

そこで、本発明は、低温ラミネート性、耐熱性及び低粘着性を十分に兼ね備えた接着フィルム、及び上記接着フィルムを用いた接着シートを提供することを目的とする。

すなわち、本発明は、ガラス転移温度が１０〜８０℃で重量平均分子量が２００００〜１０００００であるポリイミド樹脂と、熱硬化性樹脂と、無機フィラーと、を含み、１００℃での溶融粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓであり、４０℃でのフィルム表面タック強度が５０ｇｆ以下である、半導体素子固定用接着フィルムである。

上記のような構成を備えることにより、本発明の接着フィルムは、低温ラミネート性、耐熱性及び低粘着性を十分に兼ね備えたものとなる。特に、１００℃での溶融粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓであると、ウェハ裏面への接着フィルムの貼り付け（ラミネート）を１００℃程度の低温で行うことが可能となる。また、４０℃でのフィルム表面タック強度が５０ｇｆ以下であると、ダイシング後にダイシングテープから接着フィルムを剥離（ピックアップ）しやすくなる。また、後述するように、ダイシング時の接着フィルムの切断性が向上する。

上記無機フィラーは球状であることが好ましい。無機フィラーが球状であることによって、ダイボンディング時の圧力によってフィラー同士が接触したときに互いに滑り合うため、良好な熱流動性が得られる。さらに、後述するように、粒径の異なる２種の無機フィラーを混合することによって、フィラー高充填時の良好な熱流動性を達成できる。

無機フィラーの含有量は、接着フィルム全体の１０〜４０体積％であることが好ましい。無機フィラーの含有量が１０体積％未満だと、接着フィルムの低粘着性が十分でなくなる傾向があり、無機フィラーの含有量が４０体積％を超えると、接着フィルムの低温ラミネート性、熱流動性及び耐熱性が十分でなくなる傾向がある。

無機フィラーの最大粒径は２５．０μｍ以下であることが好ましい。この粒径が２５．０μｍを超えると、十分な接着力が得られにくくなる傾向がある他、薄膜化時のフィルム表面の平滑性が損なわれる傾向がある。

無機フィラーの粒度分布は２つのピークを有し、それら２つのピークにおける粒径の差が１μｍ以上であることが好ましい。これにより、接着フィルム中の無機フィラーの充填密度が高まり、それにより、接着フィルムの表面の低粘着性やダイシング時の切断性が向上する。また、無機フィラーの充填密度が高まると、ダイシング後の切断面において、見かけの樹脂の占有面積が低減するため、ダイシング後のフィルム切断面の再融着が抑制される。

さらに、無機フィラーが、平均粒径の異なる２種の無機フィラーを混合したものであり、２種の無機フィラーのうち一方の無機フィラーの平均粒径が０．０１〜２．０μｍであり、もう一方の無機フィラーの平均粒径が２．０〜１０．０μｍであると好ましい。このように平均粒径の異なる２種の無機フィラーを併用することによって、無機フィラーの粒度分布が２つのピークを有するようになり、上記充填密度上昇効果が得られるほか、無機フィラーがダイシングブレード（ダイサー刃）に対して研磨剤として作用することにより、ダイシング時の接着フィルムの切断面における研磨効率が向上する。

無機フィラー全体に対して、平均粒径が０．０１〜２．０μｍである無機フィラーが１０〜７０質量％であり、平均粒径が２．０〜１０．０μｍである無機フィラーが３０〜９０質量％であることが好ましい。平均粒径が大きな無機フィラーと平均粒径が小さな無機フィラーを上記のような割合で含有することにより、上述の充填密度上昇効果がより得られやすくなる。

上記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂及びアリルナジイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。これらの熱硬化性樹脂をポリイミド樹脂と組み合わせることにより、高温化での優れた接着力、すなわち、良好な耐熱性を有する接着フィルムが得られる。

別の側面において、本発明は、上記接着フィルムからなる接着剤層と、基材フィルムとを備え、上記接着剤層と上記基材フィルムとが積層されている、接着シートである。

別の側面において、本発明は、上記接着剤層と、粘着剤層及び基材フィルムを有するダイシングテープとを備え、上記接着剤層、上記粘着剤層及び上記基材フィルムがこの順に積層されている、接着シートである。このように、上記接着フィルムとダイシングテープとが一体化した接着シート（ダイシング・ダイボンド一体型フィルム）を用いることにより、ウェハ裏面貼付け方式において、接着フィルムとダイシングテープとの貼り付け工程を省略し、プロセスを簡略化することができる。

本発明によれば、低温ラミネート性、耐熱性及び低粘着性を十分に兼ね備えた接着フィルムを得ることが可能となる。本発明の接着フィルムは、十分な低温ラミネート性を備え、１００℃程度の低温でウェハ裏面への貼合せ（ラミネート）を行うことが可能であるため、ウェハ反り及びそれに起因するダイシング時のチップの飛び散りや、バックグラインドテープ及びダイシングテープの軟化を防ぐことができる。また、十分な耐熱性を備えることにより、２６０℃前後のリフロー加熱温度においても、十分な接着強度を保つことができる。さらに、十分な低粘着性を備えることにより、ダイシング後のダイシングテープからの剥離（ピックアップ）が容易となる。加えて、本発明の接着フィルムは、十分な熱流動性を備えることにより、表面に配線段差を有する有機基版に対して十分な充填性（埋め込み性）を得ることができ、それにより、半導体装置の耐湿信頼性及び配線間の絶縁信頼性を確保することができる。また、本発明の接着シートによれば、ウェハ裏面貼付け方式において、接着フィルムとダイシングテープとの貼り付け工程を省略し、プロセスを簡略化することができる。

以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

本発明の接着フィルムは、ポリイミド樹脂と、熱硬化性樹脂と、無機フィラーとを含む。ポリイミド樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は１０〜８０℃の間で調整できるが、１０〜６０℃とすることが好ましく、２０〜６０℃とすることがより好ましい。本発明の接着フィルムは、上記のようにＴｇが１０〜８０℃のポリイミド樹脂を含むことにより、低温ラミネート性及び低粘着性を十分に備えたものとなる。上記ポリイミド樹脂のＴｇが８０℃を超えると、接着フィルムをウェハ裏面に貼り付ける際に１００℃以上の高温を要する傾向があり、ポリイミド樹脂のＴｇが１０℃未満であると、得られる接着フィルムの表面の粘着性が増大する傾向がある。Ｔｇは、フィルム化したサンプルについて、レオメトリックス製粘弾性アナライザーＲＳＡ−２を用いて、フィルムサイズ３５ｍｍ×１０ｍｍ×４０μｍ厚、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚ、測定温度−１５０℃〜３００℃の条件でｔａｎδを測定したときの、主分散ピーク温度（ｔａｎδピークが最大となる温度）とした。

ポリイミド樹脂の重量平均分子量は、２００００〜１０００００である。ポリイミド樹脂の重量平均分子量を２００００〜１０００００とすることにより、良好なフィルム形成性、靭性、切断性（ダイシング性）及び熱流動性（ダイボンディング時の流動性）を備えた接着フィルムが得られる。ポリイミド樹脂の重量平均分子量が２００００未満であると、接着フィルムにおけるフィルム形成性及び靭性が十分でなくなる傾向があり、上記分子量が１０００００を超えると、接着フィルムの切断性及び熱流動性が十分でなくなる傾向がある。

上記のようなポリイミド樹脂は、例えば、有機溶媒中でテトラカルボン酸二無水物とジアミンとを公知の方法で反応させることにより得られる。まず、８０℃以下、好ましくは０〜６０℃にて上記無水物とジアミンとの付加反応を行うと、反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸（ポリアミック酸）が生成する。ポリアミド酸の分子量は、５０〜８０℃にて解重合させることによって調整することができる。次いで、ポリアミド酸を脱水閉環させることにより、ポリイミド樹脂が得られる。脱水閉環は、加熱処理を行う熱閉環法又は脱水剤を用いる化学閉環法により行うことができる。

テトラカルボン酸二無水物１．０ｍｏｌと反応させるジアミンの量は、０．５〜２．０ｍｏｌとすることが好ましく、０．８〜１．０ｍｏｌとすることがより好ましい。上記ジアミンの量が２．０ｍｏｌを超えると、得られるポリイミド樹脂中にアミン末端のポリイミドオリゴマーの量が多くなり、上記ジアミンの量が０．５ｍｏｌ未満だと、酸末端のポリイミドオリゴマーの量が多くなる。いずれの場合も、ポリイミド樹脂の重量平均分子量が小さくなることにより、得られる接着フィルムの耐熱性などの特性が十分でなくなる傾向がある。なお、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの配合比を上記範囲内で調整することによって、ポリイミド樹脂の重量平均分子量を調整することができる。

接着フィルムの諸特性低下を抑制するために、あらかじめテトラカルボン酸二無水物に、加熱乾燥又は無水酢酸による再結晶精製処理を施しておくことが好ましい。これらの処理は、モノマーの融点よりも１０〜２０℃低い温度にて１２時間以上行うことが好ましい。テトラカルボン酸二無水物の純度は、示差走査熱量計（「ＤＳＣ−７型」、パーキンエルマー製）を用いて、以下の条件で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を行ったときに、吸熱開始温度と吸熱ピーク温度との差が１０℃以内となる純度であることが好ましい。
条件
サンプル量 ： ５ｍｇ
昇温速度 ： ５℃／ｍｉｎ
測定雰囲気 ： 窒素

テトラカルボン酸二無水物としては特に制限はなく、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３´、４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２´、３，３´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３´，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２´，３´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３，３´，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３´，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３´，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２´，３´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ［２，２，１］ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ−［２，２，２］−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２、−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル］プロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２、−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４´−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、４，４´−オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、このほか、以下に示すテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。

・下記一般式（Ｉ）で表されるテトラカルボン酸二無水物

・下記構造式（ＩＩ）で表されるテトラカルボン酸二無水物

式（Ｉ）中、ｎは２〜２０の整数を示す。式（Ｉ）で表されるテトラカルボン酸二無水物は、例えば、無水トリメリット酸モノクロライドと、対応するジオールとから合成することができる。式（Ｉ）で表されるテトラカルボン酸二無水物としては、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）等が挙げられる。

これらのテトラカルボン酸二無水物のうち、優れた耐湿信頼性を付与できる点で、４，４´−オキシジフタル酸二無水物又は上記式（ＩＩ）で示されるテトラカルボン酸二無水物が好ましく用いられる。これらのテトラカルボン酸二無水物は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。

ジアミンとしては特に制限はなく、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３´−ジアミノジフェニルエーテル、３，４´−ジアミノジフェニルエーテル、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、３，３´−ジアミノジフェニルメタン、３，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−ジアミノジフェニルメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタン、３，３´−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４´−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４´−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３´−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４´−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４´−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３´−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４´−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４´−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３´−ジアミノジフェニルケトン、３，４´−ジアミノジフェニルケトン、４，４´−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２´−（３，４´−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４´−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３´−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４´−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４´−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフォン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフォン、３，３´−ジヒドロキシ−４，４´−ジアミノビフェニル、３，５−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン等が挙げられ、このほか、以下に示すジアミンが挙げられる。

・下記一般式（ＩＩＩ）で表される脂肪族エーテルジアミン

式（ＩＩＩ）中、Ｑ_１、Ｑ_２及びＱ_３は、各々独立に炭素数１〜１０のアルキレン基を示し、ｍは２〜８０の整数を示す。式（ＩＩＩ）で表される脂肪族エーテルジアミンとしては、下記一般式（ＩＶ）に示す脂肪族エーテルジアミンが挙げられる。

・下記一般式（Ｖ）で表される脂肪族エーテルジアミン

式（Ｖ）中、ｐは０〜８０の整数を示す。式（Ｖ）で表される脂肪族エーテルジアミンとしては、ジェファーミンＥＤ−２３０、ＥＤ−４００、ＥＤ−２０００、ＥＤ−４０００、ＥＤ−６００、ＥＤ−９００、ＥＤ−２００１、ＥＤＲ−１４８（以上、サン テクノケミカル（株）製）、ポリエーテルアミンＤ−２３０、Ｄ−４００、Ｄ−２０００（以上、ＢＡＳＦ製）等のポリオキシアルキレンジアミンが挙げられる。

・下記一般式（ＶＩ）で表される脂肪族ジアミン

式（ＶＩ）中、ｎは５〜２０の整数を示す。式（ＶＩ）で表される脂肪族ジアミンとしては、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，２−ジアミノシクロヘキサン等が挙げられる。

・下記一般式（ＶＩＩ）で表されるシロキサンジアミン

式（ＶＩＩ）中、Ｑ^４及びＱ^９は各々独立に炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、Ｑ^５、Ｑ^６、Ｑ^７及びＱ^８は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、ｐは１〜５の整数を示す。式（ＶＩＩ）で表されるシロキサンジアミンとしては、以下に示すものが挙げられる。
ｐ＝１のとき
１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４−アミノエチル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、
１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノブチル）ジシロキサン、
１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン
ｐ＝２のとき
１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、
１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、
１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、
１，１，３，３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、
１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン

これらのジアミンは、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。得られるポリイミド樹脂のＴｇを１０〜８０℃に調整する観点から、これらのジアミンのなかでも、式（Ｖ）で表される脂肪族エーテルジアミンが好ましく用いられる。式（Ｖ）で表される脂肪族エーテルジアミンのジアミン全体に対する割合が１〜８０モル％であることが好ましく、５〜６０モル％であるとより好ましい。上記割合が１モル％未満であると、ポリイミド樹脂のＴｇが高くなり、得られる接着フィルムの低温ラミネート性及び熱時流動性が十分でなくなる傾向がある。一方、上記割合が８０モル％を超えると、ポリイミド樹脂のＴｇが低くなり過ぎて、得られる接着フィルムの低粘着性が十分でなくなり、取り扱いにくくなる傾向がある。

上述のようにして得られるポリイミド樹脂は、単独で又は必要に応じて２種以上を混合（ブレンド）して用いてもよい。

本発明の接着フィルムに含まれる熱硬化性樹脂の配合比は、ポリイミド樹脂１００重量部に対して１〜２００重量部とすることが好ましく、１０〜１００重量部とすることがより好ましい。このような配合比とすることにより、接着フィルムに、低アウトガス性、フィルム形成性（靭性）、熱流動性、及び熱硬化による高温時の高い接着力を有効に付与することができる。なお、熱硬化性樹脂を硬化させるために、硬化剤、硬化促進剤、触媒、助触媒等を用いることができ、必要に応じて、硬化剤と硬化促進剤、又は触媒と助触媒を併用することができる。

熱硬化性樹脂は、熱により架橋反応を起こす反応性化合物からなる成分であれば特に制限はなく、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、マレイミド樹脂、アリルナジイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含有する樹脂、トリアリルトリメリタートを含有する樹脂、シクロペンタジエンから合成された熱硬化性樹脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂が挙げられる。これらの中でも、ポリイミド樹脂と組み合わせることによって高温での優れた接着力が得られる点で、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂又はアリルナジイミド樹脂が好ましい。なお、これら熱硬化性樹脂は単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。

エポキシ樹脂としては、分子内に複数のエポキシ基を有するものが好ましく、特に、硬化性や硬化物特性の観点から、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂が好ましい。このような樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型（又はＡＤ型、Ｓ型、Ｆ型）のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミンが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

エポキシ樹脂としては、イオン性不純物を３００ｐｐｍ以下に低減した高純度品を用いることが、エレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止のために好ましい。上記イオン性不純物としては、例えば、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特に、塩素イオン、加水分解性塩素が挙げられる。

エポキシ樹脂を用いる場合、必要に応じて硬化剤及び／又は硬化促進剤を併用することができる。硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３級アミンが挙げられる。これらの硬化剤の中でもフェノール系化合物が好ましく、分子内に複数のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。

分子内に複数のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ナフトール系化合物、トリスフェノール系化合物、テトラキスフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂が挙げられる。

これらの硬化剤として用いるフェノール系化合物は、数平均分子量が４００〜１５００の範囲内のものとすることが好ましい。これにより、半導体装置組立加熱時に、半導体素子又は装置等の汚染の原因となるアウトガスを有効に低減できる。なお、硬化物の耐熱性を確保するためにも、フェノール系化合物の配合量は、エポキシ樹脂のエポキシ当量と、フェノール系化合物のＯＨ当量の当量比が、０．９５〜１．０５：０．９５〜１．０５となる量とすることが好ましい。

硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂を硬化させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレートが挙げられる。

マレイミド樹脂とは、分子内に複数のマレイミド基を有する化合物である。マレイミド樹脂としては、以下に示すものが挙げられる。

・下記一般式（ＩＸ）で表されるビスマレイミド樹脂

式（ＩＸ）中、Ｒ_５は芳香族環及び／又は直鎖、分岐若しくは環状脂肪族炭化水素を含む２価の有機基を示す。このような２価の有機基としては、ベンゼン残基、トルエン残基、キシレン残基、ナフタレン残基、直鎖、分岐若しくは環状アルキル基又はこれらの混合基が挙げられ、さらに好ましい有機基として、下記一般式（１）〜（２７）でそれぞれ表される有機基が挙げられる。

上記式（２３）、（２６）及び（２７）において、ｎは１〜１０の整数を示す。

・下記一般式（Ｘ）で表されるノボラック型マレイミド樹脂

式（Ｘ）中、ｎは０〜２０の整数を示す。

これらのマレイミド樹脂の中でも、接着フィルムの硬化後の耐熱性及び高温接着力を付与できる点で、下記構造式（ＸＩＩ）で表されるビスマレイミド樹脂、下記構造式（ＸＩＩＩ）で表されるノボラック型マレイミド樹脂等が好ましく用いられる。

式（ＸＩＩＩ）中、ｎは０〜２０の整数を示す。

マレイミド樹脂を用いる場合、樹脂を硬化させるために、アリル化ビスフェノールＡ、シアネートエステル化合物などの化合物や、過酸化物などの触媒を併用することもできる。

アリルナジイミド樹脂とは、分子内に複数のアリルナジイミド基を有する化合物である。アリルナジイミド樹脂としては、下記一般式（ＸＩＶ）で表されるビスアリルナジイミド樹脂が挙げられる。

式（ＸＩＶ）中、Ｒ_１は芳香族環及び／又は直鎖、分岐若しくは環状脂肪族炭化水素を含む２価の有機基を示す。このような２価の有機基としては、ベンゼン残基、トルエン残基、キシレン残基、ナフタレン残基、直鎖、分岐、若しくは環状アルキル基又はこれらの混合基が挙げられ、さらに好ましい有機基として、下記一般式（１）〜（２４）及び（２８）でそれぞれ表される有機基が挙げられる。

上記式（２３）中、ｎは１〜１０の整数を示す。

上記アリルナジイミド樹脂の中でも特に好ましいものとして、下記構造式（ＸＶＩ）で表される液状のヘキサメチレン型ビスアリルナジイミド、及び下記構造式（ＸＶＩＩ）で表される低融点（融点：４０℃）で固体状のキシリレン型ビスアリルナジイミドが挙げられる。これらのアリルナジイミド樹脂は、異種成分間の相溶化剤として作用し、接着フィルムに良好な熱流動性を付与できる点で好ましい。さらに、固体状のキシリレン型ビスアリルナジイミドは、良好な熱流動性を付与できるのみならず、室温における接着フィルム表面の粘着性の上昇を抑制することにより、接着フィルムの取り扱い性及びピックアップ時のダイシングテープとの易剥離性を向上させ、ダイシング後の切断面の再融着も抑制するため、より好ましい。なお、これらのビスアリルナジイミド樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる

アリルナジイミド樹脂を無触媒下で単独硬化させる場合、２５０℃以上の硬化温度が必要である。また、触媒を用いて硬化させる場合も、触媒として用いることができるのは、強酸やオニウム塩など、電子材料においては重大な欠点となる金属腐食性の触媒のみであり、最終硬化には２５０℃前後の温度が必要である。しかし、アリルナジイミド樹脂と共に、２官能以上のアクリレート化合物若しくはメタクリレート化合物又はマレイミド樹脂を併用することによって、２００℃以下の低温で硬化させることができる。（文献：Ａ．Ｒｅｎｎｅｒ，Ａ．Ｋｒａｍｅｒ，“Ａｌｌｙｌｎａｄｉｃ−Ｉｍｉｄｅｓ：Ａ Ｎｅｗ Ｃｌａｓｓ ｏｆ Ｈｅａｔ−Ｒｅｓｉｓｔａｎｔ Ｔｈｅｒｍｏｓｅｔｓ”，Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐａｒｔ Ａ Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．，２７，１３０１（１９８９））。

アリルナジイミド樹脂と併用するアクリレート化合物としては、１分子中に有するアクリル官能基の数が２個以上の化合物であれば、特に制限はなく、例えば、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、エチレンオキシド変性ネオペンチルグリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、トリシクロデカンジメチロールジアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート等が挙げられる。

メタクリレート化合物としては、１分子中に有するメタクリル官能基の数が２個以上の化合物であれば、特に制限はなく、例えば、ペンテニルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、エチレンオキシド変性ネオペンチルグリコールメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、フェノキシエチルメタクリレート、トリシクロデカンジメチロールジメタクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリメタクリレートなどが挙げられる。これらのアクリレート化合物又はメタクリレート化合物は単独、又は２種類以上を併用することもできる。

接着フィルムに含まれる無機フィラーは球状であることが好ましい。無機フィラーが球状であることによって、ダイボンディング時の圧力によってフィラー同士が接触したときに互いに滑り合うため、良好な熱流動性が得られる。

無機フィラーの含有量は、接着フィルム全体に対して１０〜４０体積％であることが好ましく、１０〜３０体積％であることがより好ましく、１０〜２０体積％であると更に好ましい。このように適量の無機フィラーを含むことにより、本発明の接着フィルムは、良好な低粘着性（ピックアップ性）、弾性率、切断性、ワイヤボンディング性（超音波効率）、及び加熱時の接着強度（耐熱性）を備えたものとなる。無機フィラーの量が１０体積％未満だと、接着フィルムの低粘着性が十分でなくなる傾向があり、無機フィラーの量が４０体積％を超えると、接着フィルムの低温ラミネート性、熱流動性及び耐熱性が十分でなくなる傾向がある。

無機フィラーの最大粒径は２５．０μｍ以下であることが好ましい。この粒径が２５．０μｍを超えると、十分な接着力が得られにくくなる傾向がある。また、薄膜フィルム状に加工する際、表面が粗くなり、十分な成膜性が得られにくくなる傾向がある。無機フィラーの最小粒径については特に限定しないが、０．００１μｍ以上であることが好ましい。上記粒径が０．００１μｍ未満であると、樹脂とフィラーとの界面積が増大し、フィラーが樹脂に対して分散しにくくなる傾向があるほか、加熱時の溶融粘度が上昇することにより十分な熱流動性が得られにくくなる傾向がある。

無機フィラーの粒度分布は２つのピークを有し、それら２つのピークにおける粒径の差が１μｍ以上であることが好ましい。これにより、接着フィルム中の無機フィラーの充填密度が高まり、それにより、接着フィルムの表面の低粘着性やダイシング時の切断性が向上する。また、無機フィラーの充填密度が高まると、ダイシング後の切断面において、見かけの樹脂の占有面積が低減するため、ダイシング後のフィルム切断面の再融着が抑制される。

さらに、無機フィラーが、平均粒径の異なる２種の無機フィラーを混合したものであり、２種の無機フィラーのうち一方の無機フィラーの平均粒径が０．０１〜２．０μｍであり、もう一方の無機フィラーの平均粒径が２．０〜１０．０μｍであると好ましい。このように平均粒径の異なる２種の無機フィラーを併用することによって、無機フィラーの粒度分布が２つのピークを有するようになり、上記充填密度上昇効果が得られるほか、無機フィラーがダイシングブレード（ダイサー刃）に対して研磨剤として作用することにより、ダイシング時の接着フィルムの切断面における研磨効率が向上する。

無機フィラー全体に対して、平均粒径が０．０１〜２．０μｍである無機フィラーが１０〜７０質量％であり、平均粒径が２．０〜１０．０μｍである無機フィラーが３０〜９０質量％であることが好ましい。平均粒径が大きな無機フィラーと平均粒径が小さな無機フィラーを上記のような割合で含有することにより、上述の充填密度上昇効果がより得られやすくなる。

無機フィラーとしては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等のフィラーが挙げられる。これらの無機フィラーは２種類以上を併用することもできる。これら無機フィラーの中でも、シリカを用いると、高い接着力が得られ、かつ金属腐食を起こす原因となる不純物を低減し、半導体装置の信頼性を向上できるため好ましい。

なお、上記無機フィラーの粒径又は平均粒径とは、粒度分布測定時に得られる値である。接着フィルムに充填された無機フィラーの粒度分布、粒径及び平均粒径は、接着フィルムを６００℃のオーブンで２時間加熱し、樹脂成分を分解、揮発させ、残った無機フィラーをＳＥＭで観察する方法や、粒度分布測定から算出する方法で見積もることができる。

本発明の接着フィルムは、上述のポリイミド樹脂、熱硬化性樹脂、無機フィラー、硬化剤、硬化促進剤、触媒、助触媒などのほかにも、カップリング剤、イオン捕捉剤、軟化剤、老化防止剤、着色剤、難燃剤、テルペン系樹脂等の粘着付与剤、熱可塑系高分子成分などを含んでいてもよい。

カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等のカップリング剤が挙げられる。これらの中でも、異種材料間の界面結合を良くする効果が高い点で、シラン系カップリング剤が好ましい。カップリング剤の添加量は、上記効果、耐熱性及びコストの観点から、ポリイミド樹脂１００重量部に対して０．０１〜２０重量部とするのが好ましい。

イオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の銅がイオン化して溶け出すのを防止するための銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。これらのイオン捕捉剤は、イオン性不純物を吸着することにより、接着フィルムの吸湿時の絶縁信頼性を向上させることができる。イオン捕捉剤の添加量は、上記効果、耐熱性及びコストの観点から、ポリイミド樹脂１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部とするのが好ましい。

熱可塑系高分子成分としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、キシレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、尿素樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。熱可塑系高分子成分としては、分子量が５，０００〜５００，０００のものが好ましい。これらの熱可塑系高分子成分を添加することにより、接着フィルムの接着性、及び硬化時の応力緩和性を向上させることができる。

本発明の接着フィルムを得るには、まず、ポリイミド樹脂、熱硬化性樹脂、無機フィラー及び必要に応じて上述の他の成分を、有機溶媒と共に混合及び／又は混練することにより接着剤組成物を得る。混合及び／又は混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。

有機溶媒としては、材料成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチルが挙げられる。

得られたワニス状の接着剤組成物を基材フィルムの片面又は両面に塗布し、加熱乾燥することにより、基材フィルム上に接着剤層を形成することができる。加熱乾燥の条件は、有機溶媒が十分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常５０〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。

基材フィルムとしては、上記の加熱乾燥条件に耐え得るものであれば特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。基材フィルムは、これらのフィルムを２種以上組み合わせた多層フィルムであってもよく、表面がシリコーン系、シリカ系、フッ素系等の離型剤などで処理されたものであってもよい。

このようにして、基材フィルムと接着剤層とが積層されてなる接着シートが得られる。本発明の接着シートは、図２に示すように、基材フィルム２の片面に接着剤層１が積層されてなる接着シート４でもよいし、図３に示すように、基材フィルム２の両面に接着剤層１が積層されてなる接着シート４でもよい。さらに、図４に示すように、図２に示す接着剤層１の基材フィルム２と反対側の面にカバーフィルム３が積層されてなる接着シート４としてもよい。このようにカバーフィルム３を設けることにより、接着剤層１の損傷や汚染を防ぐことができる。

これらの接着シート４から、基材フィルム２及び／又はカバーフィルム３を剥離することによって、図１に示すような、単層の接着剤層からなるフィルム状の接着剤である接着フィルム１が得られる。接着フィルム１の厚みは、１〜１００μｍであることが好ましい。単層の接着フィルム１は、幅が１〜２０ｍｍ程度のテープ状や、幅が１０〜５０ｃｍ程度のシート状として、巻き芯に巻いた形態で搬送することが好ましい。

接着フィルム１は、上述のような構成を備えることにより、低温ラミネート性、耐熱性及び低粘着性を十分に兼ね備えたものとなる。

接着フィルム１の低温ラミネート性については、硬化前の接着フィルム１の１００℃における溶融粘度（１００℃溶融粘度（Ｐａ・ｓ））を指標とすることができる。１００℃溶融粘度の測定方法については、以下の実施例の記載のとおりである。接着フィルム１の１００℃溶融粘度は、５００〜５０００Ｐａ・ｓであることが好ましく、５００〜３０００Ｐａ・ｓであるとより好ましく、１０００〜３０００Ｐａ・ｓであると更に好ましい。

１００℃溶融粘度が上記範囲内である接着フィルム１は、ウェハ裏面への貼り付け（ラミネート）を１００℃程度の低温で好適に行うことができるため、ウェハ反り及びそれに起因するダイシング時のチップの飛び散りや、バックグラインドテープ及びダイシングテープ５の軟化を防ぐことができる。また、１００℃溶融粘度が上記範囲内である接着フィルム１は、熱流動性（ダイボンディング時の流動性）が良好であるため、上記接着フィルム１によれば、表面に配線段差が形成されている有機基板のような表面凹凸を有する支持部材に、半導体素子を８０〜１５０℃且つ１ＭＰａ以下の条件でダイボンディング（加熱圧着）したときに、支持部材表面凹凸への良好な充填性（埋め込み性）を確保でき、それにより、半導体装置の耐湿信頼性及び配線間の絶縁信頼性を確保することができる。

接着フィルム１の１００℃溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ未満であると、上記ダイボンディング条件下での熱流動性が大きくなりすぎて、支持部材界面に残存する空気の巻き込みや発泡により、接着フィルム１内部にボイドが残存しやすくなる傾向がある。一方、１００℃溶融粘度が５０００Ｐａ・ｓを超えると、十分な熱流動性が得られず、支持部材表面凹凸への良好な充填性が得られにくくなる傾向がある。

接着フィルム１の耐熱性については、２６０℃ピール強度を指標とすることができる。２６０℃ピール強度の測定方法については、以下の実施例の記載のとおりである。接着フィルム１の２６０℃ピール強度は、１０Ｎ／ｃｈｉｐ以上であることが好ましい。このようなピール強度を有する接着フィルム１によれば、２６０℃前後のリフロー加熱温度においても、十分な接着強度を保つことができる。

接着フィルム１の低粘着性については、硬化前の接着フィルムの４０℃におけるフィルム表面タック強度を指標とすることができる。フィルム表面タック強度の測定方法については、以下の実施例の記載のとおりである。接着フィルム１の４０℃でのフィルム表面タック強度は、５０ｇｆ以下であることが好ましく、４０ｇｆ以下であるとより好ましく、２０ｇｆ以下であるとさらに好ましい。

４０℃でのフィルム表面タック強度が上記範囲内である接着フィルム１は、室温（２５℃）におけるフィルム表面の良好な低粘着性を備え、フィルム取扱い性が良好である。このような接着フィルム１によれば、ダイシング後のピックアップ性を向上させることができる。上記タック強度が５０ｇｆを超えると、十分なピックアップ性が得られにくくなる傾向があるほか、フィルム延性の増大によりダイシング時に良好な破断性が得られずバリが残存しやすくなる傾向や、ダイシング後のフィルム切断面再融着が発生しやすくなる傾向がある。

ウェハ裏面貼付け方式におけるプロセスの簡略化のために、図５に示す接着シート４を用いることもできる。図５の接着シート４は、基材フィルム２、粘着剤層６及び接着剤層１がこの順に積層されてなる。この接着シート４は、基材フィルム２及び粘着剤層６が積層されてなるダイシングテープ５の粘着剤層６側の面に上記接着フィルム１を貼り付けることにより得られる。

上記接着シート４は、接着剤層１を備える点でダイボンディングフィルムに要求される特性を有し、同時に、引張テンションを加えたときの伸び（エキスパンド）を確保できる基材フィルム２を備える点でダイシングテープに要求される特性を有する。すなわち、図５の接着シートは、ダイシング時にはダイシングテープとして、ダイボンディング時にはダイボンディングフィルムとして機能する、ダイシング・ダイボンド一体型フィルムである。

上記ダイシング・ダイボンド一体型の接着シート４を用いたウェハ裏面貼付け方式においては、接着シート４の接着剤層１側の面を、加熱しながら半導体ウェハ裏面にラミネートし、ダイシングした後、半導体素子と個片化された接着剤層１からなる積層体をピックアップして、支持部材にダイボンディングする。

このように、図５の接着シート４によれば、ウェハ裏面貼付け方式において、接着フィルム１とダイシングテープ５との貼り付け工程を省略し、プロセスを簡略化することができる。なお、ウェハ裏面貼付け方式による場合は、接着フィルム１が、あらかじめウェハに近い形状に形成（プリカット）されていることが好ましい。

粘着剤層６は、感圧型又は放射線硬化型のどちらでもよく、ダイシング時には半導体素子の飛散を抑制するのに十分な粘着力を有し、その後のピックアップ工程においては半導体素子を傷つけない程度の低い粘着力を有するものであれば特に制限することなく、従来公知のものを使用することができる。

基材フィルム２は、引張テンションを加えたときの伸び（エキスパンド）を確保できるフィルムであれば特に制限はないが、材質がポリオレフィンのフィルムが好ましく用いられる。

本発明の接着フィルム１及び接着シート４は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を、半導体搭載用支持部材等の被着体に貼り付けるためのダイボンディング用接着材料として用いられる。上記被着体としては、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム；ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム；ガラス不織布等基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させたもの；アルミナ等のセラミックスなどが挙げられる。これらの被着体の中でも、表面に有機レジスト層を備える有機基板、表面に配線段差がある有機基板等の、表面に凹凸を有する有機基板に対して、好適に用いられる。また、本発明の接着フィルム等は、複数の半導体素子を積み重ねた構造のＳｔａｃｋｅｄ−ＰＫＧにおいて、半導体素子同士を接着するための接着材料としても好適に用いられる。

図６は、本発明の接着フィルムを用いて組み立てられた半導体装置の一般的な構造を示す端面図である。図６において、半導体素子９は接着フィルム１を介して支持部材１０に貼り付けられ、半導体素子９の接続端子（図示せず）はワイヤ１１を介して支持部材１０上の外部接続端子（図示せず）と電気的に接続され、これら半導体素子９、接着フィルム１、支持部材１０、ワイヤ１１、接続端子及び外部接続端子は、封止材１２によって封止されている。

図７は、本発明の接着フィルムを用いて組み立てられた複数の半導体素子を備える半導体装置の一例を示す端面図である。図７において、半導体素子９ａは接着フィルム１を介して支持部材１０に貼り付けられ、半導体素子９ｂは接着フィルム１を介して半導体素子９ａの支持部材側と反対側の面に貼り付けられている。半導体素子９ａ及び半導体素子９ｂの接続端子（図示せず）は、ワイヤ１１を介して支持部材１０上の外部接続端子と電気的に接続され、これら半導体素子９ａ、９ｂ、接着フィルム１、支持部材１０、ワイヤ１１、接続端子及び外部接続端子は、封止材１２によって封止されている。このように、本発明の接着フィルムは、半導体素子を複数重ねた構造の半導体装置にも好適に用いられる。

図６又は図７に示す半導体装置（半導体パッケージ）は、半導体素子９と支持部材１０との間、及び／又は半導体素子９ａと９ｂとの間に接着フィルム１を挟んで加熱圧着した後、ワイヤボンディング工程及び封止材による封止工程を経ることにより得られる。加熱圧着は通常、以下の条件で行う。
条件
加熱温度 ： ２０〜２５０℃
荷重 ： ０．０１〜２０ｋｇｆ
加熱時間 ： ０．１〜３００秒間

以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

ポリイミド樹脂（ＰＩ）
（ＰＩ−１）
温度計、撹拌機、冷却管及び窒素流入管を装着した３００ｍＬフラスコ中に、以下の化合物を仕込み、撹拌して、均一な反応溶液を調製した。
・１，１２−ジアミノドデカン：２．１０ｇ（０．０３５ｍｏｌ）
・ポリエーテルジアミン（ＢＡＳＦ製、ＥＤ２０００（分子量：１９２３））：１７．３１ｇ（０．０３ｍｏｌ）
・１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学工業（株）製、ＬＰ−７１００）：２．６１ｇ（０．０３５ｍｏｌ）
・Ｎ−メチル−２−ピロリドン（関東化学（株）製）：１１３ｇ

フラスコを氷浴中に入れ、反応溶液を冷却及び撹拌しながら、予め無水酢酸からの再結晶により精製した４，４´−（４，４´−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）１５．６２ｇ（０．１ｍｏｌ）を、反応溶液に少量ずつ添加した。

室温で８時間反応させた後、反応溶液にキシレン７５．５ｇを加えた。次いで、反応溶液を１８０℃まで昇温させ、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃にてしばらく反応させた後、水と共にキシレンを共沸除去して、ポリイミド樹脂（ＰＩ−１）を得た。得られたポリイミド樹脂（ＰＩ−１）について、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）による分子量分布測定を行ったところ、ポリスチレン換算で、Ｍｗ（重量平均分子量）が５３８００、Ｍｎ（数平均分子量）が１７３００であった。また、得られたポリイミド樹脂（ＰＩ−１）のＴｇは２２℃であった。

（ＰＩ−２）
温度計、撹拌機、冷却管及び窒素流入管を装着した３００ｍＬフラスコ中に、以下の化合物を仕込み、撹拌して、均一な反応溶液を調製した。
・ポリエーテルジアミン（ＢＡＳＦ製、ＥＤ４００（分子量：４５２．４））：３２．６０ｇ（０．１ｍｏｌ）
・Ｎ−メチル−２−ピロリドン（関東化学（株）製）：１０５ｇ

フラスコを氷浴中に入れ、反応溶液を冷却及び撹拌しながら、予め無水酢酸からの再結晶により精製した４，４´−（４，４´−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）３７．４０ｇ（０．１ｍｏｌ）を、反応溶液に少量ずつ添加した。

反応溶液を１７０℃まで昇温させ、窒素ガスを吹き込みながら１７０℃にて５時間反応させ、発生する水を留去してポリイミド樹脂（ＰＩ−２）を得た。得られたポリイミド樹脂（ＰＩ−２）について、ＧＰＣによる分子量分布測定を行ったところ、ポリスチレン換算で、Ｍｗが７２０００、Ｍｎが３４０００であった。また得られたポリイミド樹脂（ＰＩ−２）のＴｇは、３７℃であった。

（ＰＩ−３）
温度計、撹拌機、冷却管及び窒素流入管を装着した３００ｍＬフラスコ中に、以下の化合物を仕込み、撹拌して、均一な反応溶液を調製した。
・１，１２−ジアミノドデカン：２．７１ｇ（０．０４５ｍｏｌ）
・ポリエーテルジアミン（ＢＡＳＦ製、ＥＤ２０００（分子量：１９２３））：５．７７ｇ（０．０１ｍｏｌ）
・１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学工業（株）製、ＬＰ−７１００）：３．３５ｇ（０．０４５ｍｏｌ）
・Ｎ−メチル−２−ピロリドン（関東化学（株）製）：１１３ｇ

フラスコを氷浴中に入れ、反応溶液を冷却及び撹拌しながら、予め無水酢酸からの再結晶により精製した４，４´−（４，４´−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）１５．６２ｇ（０．１ｍｏｌ）を、反応溶液に少量ずつ添加した。

室温で８時間反応させた後、反応溶液にキシレン７５．５ｇを加えた。次いで、反応溶液を１８０℃まで昇温させ、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃にてしばらく反応させた後、水と共にキシレンを共沸除去して、ポリイミド樹脂（ＰＩ−３）を得た。得られたポリイミド樹脂（ＰＩ−３）について、ＧＰＣによる分子量分布測定を行ったところ、ポリスチレン換算で、Ｍｗが７００００、Ｍｎが２０８００であった。また、得られたポリイミド樹脂（ＰＩ−３）のＴｇは５３℃であった。

（ＰＩ−４）
温度計、撹拌機、冷却管及び窒素流入管を装着した３００ｍＬフラスコ中に、以下の化合物を仕込み、撹拌して、均一な反応溶液を調製した。
・１，１２−ジアミノドデカン：２．１０ｇ（０．０３５ｍｏｌ）
・ポリエーテルジアミン（ＢＡＳＦ製、ＥＤ２０００（分子量：１９２３））：１７．３１ｇ（０．０３ｍｏｌ）
・１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学工業（株）製、ＬＰ−７１００）：２．６１ｇ（０．０３５ｍｏｌ）
・Ｎ−メチル−２−ピロリドン（関東化学（株）製）：１１３ｇ

フラスコを氷浴中に入れ、反応溶液を冷却及び撹拌しながら、予め無水酢酸からの再結晶により精製した４，４´−（４，４´−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）１５．６２ｇ（０．１ｍｏｌ）を、反応溶液に少量ずつ添加した。

室温で８時間反応させた後、反応溶液にキシレン７５．５ｇを加えた。次いで、反応溶液を１８０℃まで昇温させ、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃にて、ポリイミド樹脂（ＰＩ−１）の場合よりも長時間反応させた後、水と共にキシレンを共沸除去してポリイミド樹脂（ＰＩ−４）を得た。得られたポリイミド樹脂（ＰＩ−４）について、ＧＰＣによる分子量分布測定を行ったところ、ポリスチレン換算で、Ｍｗが１３３０００、Ｍｎが２３８００であった。また、得られたポリイミド樹脂（ＰＩ−４）のＴｇは２２℃であった。

（ＰＩ−５）
温度計、撹拌機、冷却管及び窒素流入管を備えた３００ｍｌフラスコに、以下の化合物を仕込み、撹拌して、均一な反応溶液を調製した。
・２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン：１３．６７ｇ（０．１ｍｏｌ）
・Ｎ−メチル−２−ピロリドン（関東化学（株）製）：１２４ｇ
フラスコを氷浴中に入れ、反応溶液を冷却及び撹拌しながら、予め無水酢酸からの再結晶により精製したデカメチレンビストリメリテート二無水物１７．４０ｇ（０．１ｍｏｌ）を、反応溶液に少量ずつ添加した。

室温で８時間反応させたのち、反応溶液にキシレン８３ｇを加えた。次いで、反応溶液を１８０℃まで昇温させ、窒素ガスを吹き込みながらしばらく反応させた後、水と共にキシレンを共沸除去してポリイミド樹脂（ＰＩ−５）を得た。得られたポリイミド（ＰＩ−５）について、ＧＰＣによる分子量分布測定を行った結果、ポリスチレン換算で、Ｍｗが９３１００、Ｍｎが２２７００であった。また、得られたポリイミド樹脂のＴｇは１２０℃であった。

実施例１〜３、参考例４及び比較例１〜１０の接着剤組成物
得られたポリイミド樹脂（ＰＩ−１）〜（ＰＩ−５）を用いて、以下の表１、表２及び表３に示す配合で、実施例１〜３、参考例４及び比較例１〜１０の接着剤組成物を作製した。表中の数値は、特に示さない限り、ポリイミド樹脂を１００重量部としたときの配合比（重量部）を示す。無機フィラーの配合比は、シリカの比重を２．６５、窒化ホウ素の比重を２．２６、樹脂成分の比重を１．２０として計算した。表中の記号が示す成分は、それぞれ以下に示す通りである。

・ＢＡＮＩ−Ｘ：丸善石油化学（株）製、下記構造式（ＸＶＩＩＩ）で示されるキシリレン型ビスアリルナジイミド

・Ｒ−７１２：日本化薬（株）製、下記構造式（ＸＸ）で示されるエトキシ化ビスフェノールＦジアクリレート

・ＢＭＩ−１０００：和光純薬工業（株）製、下記構造式（ＸＩＸ）で示される、４，４´−ジフェニルメタンビスマレイミド

・ＥＳＣＮ−１９５：住友化学（株）製、クレゾールノボラック型固体状エポキシ樹脂（エポキシ当量２００）
・ＨＰ−８５０Ｎ：日立化成工業（株）製、フェノールノボラック（ＯＨ当量：１０６）
・ＴＰＰＫ：東京化成工業（株）製、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート

・ＥＳ−０３：東海ミネラル（株）製、シリカ（形状：球状、平均粒径：４．０μｍ、最大粒径：１１．４μｍ）
・ＳＥ−２１００：（株）アドマテックス製、シリカ（形状：球状、平均粒径：０．５２μｍ、最大粒径：１．０μｍ）
・ＨＰ−Ｐ１：水島合金鉄（株）製、窒化ホウ素（形状：鱗片状、平均粒径：１．２μｍ、最大粒径：５．１μｍ）
・Ｒ９７２：日本アエロジル（株）製、ナノシリカ（形状：球状、平均粒径：９．０ｎｍ、最大粒径：４０．０ｎｍ）

上記のようにして得られた実施例１〜３、参考例４及び比較例１〜１０の接着剤組成物を、それぞれ基材フィルム（剥離剤で処理したＰＥＴ）上に４０μｍの厚さになるように塗布した。接着剤組成物が塗布された基材フィルムを、オーブン中で、８０℃にて３０分間加熱後、１２０℃にて３０分間加熱することにより、基材フィルム及び基材フィルム上に形成された厚さ４０μｍの接着フィルムからなる接着シートを得た。

１００℃溶融粘度
接着シートから基材フィルムを剥離し、得られた厚さ４０μｍの硬化前の接着フィルムを、３〜７枚重ねて貼り合わせて、厚さ１００〜３００μｍの多層フィルムとした。得られた多層フィルムについて、１００℃溶融粘度の測定を行った。測定は、回転型レオメーターＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック・エフ・イー（株）製）を用いて、上記多層フィルムを、その厚みより２〜５μｍ小さなギャップ幅で平行円板（直径８ｍｍ）に挟み、周波数１Ｈｚ、歪み５％、昇温速度５℃／分及び測定温度３０〜３００℃の条件で行い、１００℃における複素粘度の値（Ｐａ・ｓ）を１００℃溶融粘度とした。結果を表４、表５及び表６に示す。

フィルム表面４０℃タック強度
接着シートにおける接着フィルム（厚さ４０μｍ）の表面について、フィルム表面４０℃タック強度を測定した。測定は、プローブタッキング試験機（（株）レスカ製）を用いて、ＪＩＳＺ０２３７−１９９１に記載の方法（プローブ直径５．１ｍｍ、引き剥がし速度１０ｍｍ／ｓ、接触荷重１００ｇｆ／ｃｍ^２、接触時間１ｓ）により行い、４０℃におけるタック力（粘着力）を、フィルム表面４０℃タック強度とした。結果を表４、表５及び表６に示す。

２６０℃ピール強度
表面にソルダーレジスト層（厚さ１５μｍ）を備える有機基板（厚さ０．１ｍｍ）のソルダーレジスト層側の面に、上記接着フィルムを積層し、接着フィルムのソルダーレジスト層側と反対側の面に、シリコンチップ（５ｍｍ×５ｍｍ×０．４ｍｍ厚）を以下の条件で貼り付け、試験片を得た。
条件
温度：接着フィルムを構成するポリイミド樹脂のＴｇ＋１００℃
圧力：５００ｇｆ／ｃｈｉｐ
時間：３ｓｅｃ

次いで、トランスファモールドの熱と圧力を想定した以下の条件で、試験片を加熱圧着（ダイボンディング）した。
条件
温度：１８０℃
圧力：５ｋｇｆ／ｃｈｉｐ
時間：９０ｓｅｃ

その後、試験片をオーブン中で１８０℃にて５時間加熱硬化し、さらに、２６０℃の熱盤上で２０秒加熱した。このようにして得られた試験片について、シリコンチップの引き剥がし強度を、測定速度０．５ｍｍ／ｓｅｃで測定し、得られた値を２６０℃ピール強度とした。測定は、図８に示すピール強度測定装置（接着力評価装置）を用いて行った。結果を表４、表５及び表６に示す。

表４に示されるように、実施例１〜３、参考例４の接着剤組成物から得られる接着フィルムは、１００℃溶融粘度が１５００〜３４００Ｐａ／ｓと、十分な低温ラミネート性及び熱流動性を備え、フィルム表面４０℃タック強度が８〜１８ｇｆと、十分な低粘着性を備え、２６０℃ピール強度が２０．０〜２２．６Ｎ／ｃｈｉｐと、十分な耐熱性を備える。

それに対し、比較例１及び２の接着剤組成物から得られる接着フィルムは、低温ラミネート性及び耐熱性は十分に備えるものの、フィルム表面４０℃タック強度１８３、１３５と大きいため、低粘着性については十分とは言えない。

比較例３〜７及び１０においては、低粘着性及び耐熱性は十分だが、１００℃溶融粘度が６４００〜２９４００Ｐａ・ｓと大きいため、低温ラミネート性については十分とは言えない。また、比較例８及び９においては２６０℃ピール強度が１．２、２．１と小さいため、耐熱性については十分とは言えない。

上記結果より、本発明によれば、低温ラミネート性、耐熱性及び低粘着性を十分に兼ね備えた接着フィルムが得られることが明らかとなった。

本発明の接着フィルム及び接着シートは、複数の半導体素子が積層された半導体装置等を製造する際に好適に用いられる。

本発明の接着フィルムを示す端面図である。 本発明の接着シートの一実施形態を示す端面図である。 本発明の接着シートの一実施形態を示す端面図である。 本発明の接着シートの一実施形態を示す端面図である。 本発明の接着シートの一実施形態を示す端面図である。 本発明の接着フィルムを用いた半導体装置の一例を示す端面図である。 本発明の接着フィルムを用いた半導体装置の一例を示す端面図である。 ピール強度測定装置を示す概略図である。

符号の説明

１…接着フィルム（接着剤層）、２…基材フィルム、３…カバーフィルム、４…接着シート、５…ダイシングテープ、６…粘着剤層、９，９ａ，９ｂ…半導体素子、１０…支持部材、１１…ワイヤ、１２…封止材、１３…有機基板、１４…プッシュプルゲージ、１５…熱盤。

Claims (7)

1. ガラス転移温度が１０〜８０℃で重量平均分子量が２００００〜１０００００であるポリイミド樹脂と、熱硬化性樹脂と、無機フィラーと、を含む半導体素子固定用接着フィルムであって、
   前記無機フィラーが、平均粒径の異なる２種の無機フィラーを混合したものであり、
   前記２種の無機フィラーのうち一方の無機フィラーの平均粒径が０．０１〜２．０μｍであり、もう一方の無機フィラーの平均粒径が２．０〜１０．０μｍであり、
   前記無機フィラーの含有量が、前記接着フィルム全体の１０〜４０体積％であり、
   前記無機フィラーがシリカである、半導体素子固定用接着フィルム。
2. 前記無機フィラーが球状である、請求項１記載の半導体素子固定用接着フィルム。
3. 前記無機フィラーの最大粒径が２５．０μｍ以下であり、前記無機フィラーの粒度分布が２つのピークを有し、それら２つのピークにおける粒径の差が１μｍ以上である、請求項１又は２記載の半導体素子固定用接着フィルム。
4. 前記無機フィラー全体に対して、前記平均粒径が０．０１〜２．０μｍである無機フィラーが１０〜７０質量％であり、前記平均粒径が２．０〜１０．０μｍである無機フィラーが３０〜９０質量％である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体素子固定用接着フィルム。
5. 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂及びアリルナジイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体素子固定用接着フィルム。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の接着フィルムからなる接着剤層と、基材フィルムとを備え、前記接着剤層と前記基材フィルムとが積層されている、接着シート。
7. 前記接着剤層と、粘着剤層及び基材フィルムを有するダイシングテープとを備え、
   前記接着剤層、前記粘着剤層及び前記基材フィルムがこの順に積層されている、
   請求項６に記載の接着シート。

Images