JP2004211053A - フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】極薄ウェハに対応できるウェハ裏面貼付け方式のフィルム状接着剤、及び前記フィルム状接着剤とＵＶ型ダイシングテープを貼りあわせた接着シートを提供する。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂を含有してなるフィルム状接着剤であって、前記（Ｂ）エポキシ樹脂は（Ｂ１）３官能以上のエポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％、かつ（Ｂ２）液状エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％を含有してなるフィルム状接着剤。
【選択図】 なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フィルム状接着剤、接着シート及びそれを使用した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の接合には、銀ペーストが主に使用されていたが、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになってきており、こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、および接着剤層のボイド発生などにより、前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、前記要求に対処するべく、近年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってきた（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
このフィルム状接着剤は、個片貼付け方式あるいはウェハ裏面貼付方式において使用されている。前者の個片貼付け方式のフィルム状接着剤を用いて半導体装置を製造する場合、リール状のフィルム状接着剤をカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後、支持部材に接着し、前記フィルム状接着剤付き支持部材に、ダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後、ワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られる（例えば、特許文献３参照）。しかし、前記個片貼付け方式のフィルム状接着剤を用いるためには、フィルム状接着剤を切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。
【０００４】
一方、ウエハ裏面貼付け方式のフィルム状接着剤を用いて半導体装置を製造する場合、まず半導体ウエハの裏面にフィルム状接着剤を貼付け、さらにフィルム状接着剤の他面にダイシングテープを貼り合わせ、その後、前記ウェハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化したフィルム状接着剤付き半導体素子をピックアップし、それを支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ることにより、半導体装置が得られることとなる。このウェハ裏面貼付け方式のフィルム状接着剤は、フィルム状接着剤付き半導体素子を支持部材に接合するため、フィルム状接着剤を個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのままあるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、フィルム状接着剤を用いた組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている（例えば、特許文献４参照）。
【０００５】
しかし、最近になって、上述の半導体素子の小型薄型化・高性能化に加えて、多機能化が進み、それに伴って２個以上の半導体素子を積層化した３Ｄパッケージが急増しており、それに伴って半導体ウェハのさらなる極薄化が進んでいる。それに伴い、搬送時のウェハ割れ、ウェハ裏面へのフィルム状接着剤の貼付け、すなわちラミネート時のウェハ割れの発生が顕在化してきた。これを防止するため、ウェハ表面に材質がポリオレフィン系のバックグラインドテープを保護テープとして貼り合わせる手法が採用されつつある。しかし、前記バックグラインドテープの軟化温度が１００℃以下であるため、ウェハ裏面に１００℃以下の温度でラミネートが可能なフィルム状接着剤の要求が強くなってきている。
【０００６】
さらに、ダイシング後のピックアップ性、すなわち上記フィルム状接着剤とダイシングテープとの易剥離性等、パッケージ組立時の良好なプロセス特性が求められる。
このような低温ラミネート性を含むプロセス特性とパッケージとしての信頼性、すなわち耐リフロー性を高度に両立できるフィルム状接着剤に対する要求が強くなってきている。
これまで、低温加工性と耐熱性を両立すべく、比較的Ｔｇが低い熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂を組み合わせたフィルム状接着剤が提案されている（例えば、特許文献５参照）。しかしながら、上記の低温ラミネート性と耐リフロー性を両立させるためには、さらなる詳細な材料設計が必要である。
【０００７】
【特許文献１】
特開平３−１９２１７８号
【特許文献２】
特開平４−２３４４７２号
【特許文献３】
特開平９−１７８１０号
【特許文献４】
特開平４−１９６２４６号
【特許文献５】
特許第３０１４５７８号
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記した従来技術の問題に鑑み、極薄ウェハに対応できるウェハ裏面貼付け方式のフィルム状接着剤、及び前記フィルム状接着剤とＵＶ型ダイシングテープを貼りあわせた接着シートを提供することにより、上述のダイシング工程までの貼付工程を簡略化することを目的とする。また、ウェハ裏面に前記接着シートを貼り付ける（以下、ラミネートという）際に、フィルム状接着剤が溶融する温度まで加熱するが、この加熱温度を上記のＵＶ型ダイシングテープの軟化温度よりも低くすることができるフィルム状接着剤を提供する。これによって、作業性の改善のみならず、大径化薄膜化するウェハの反りといった問題を解決することを目的とする。さらに、半導体素子搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性および耐湿性を有し、かつ作業性、低アウトガス性に優れるフィルム状接着剤を提供することを目的とする。本発明は、さらに、半導体装置の製造工程を簡略化でき、信頼性に優れる半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、極薄ウェハの保護テープ、又は貼り合わせるダイシングテープの軟化温度よりも低い温度でウェハ裏面にラミネートでき、かつウェハの反り等の熱応力を低減でき、半導体装置の製造工程を簡略化でき、さらに耐熱性及び耐湿信頼性に優れるダイ接着用フィルム状接着剤、及び前記フィルム状接着剤とＵＶ型ダイシングテープを貼り合せた接着シートの開発及び半導体装置を鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下のフィルム状接着剤ならびに接着シート及び半導体装置を提供するものである。
【００１０】
即ち、本発明は以下の記載事項に関する。
＜１＞ （Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂を含有してなるフィルム状接着剤であって、
前記（Ｂ）エポキシ樹脂は（Ｂ１）３官能以上のエポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％、かつ（Ｂ２）液状エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％を含有してなるフィルム状接着剤。
＜２＞ ｔａｎδピーク温度が２０〜６５℃、かつフロー量が２００〜１５００μｍである前記＜１＞記載のフィルム状接着剤。
＜３＞ さらに（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤を含有してなる前記＜１＞又は＜２＞記載のフィルム状接着剤。
＜４＞ さらに（Ｄ）フィラーを含有してなる前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
＜５＞ 前記（Ｄ）フィラーは絶縁性のフィラーである前記＜４＞記載のフィルム状接着剤。
＜６＞ 前記（Ｄ）フィラーの平均粒子径が１０μｍ以下、最大粒子径が２５μｍ以下である前記＜４＞又は＜５＞記載のフィルム状接着剤。
＜７＞ 上記（Ａ）熱可塑性樹脂は、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、フェノキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一つ以上の樹脂である前記＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
＜８＞ 前記（Ａ）熱可塑性樹脂が、テトラカルボン酸二無水物と下記式（Ｉ）
【化７】

（式中、Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３は各々独立に炭素数１〜１０のアルキレン基を示しｍは２〜８０の整数を示す）
で表される脂肪族エーテルジアミンが全ジアミンの１〜５０モル％、下記一般式（ＩＩ）
【化８】

（式中、ｎは５〜２０の整数を示す）
で表される脂肪族ジアミンが全ジアミンの２０〜８０モル％、及び下記一般式（ＩＩＩ）
【化９】

（式中、Ｑ^４及びＱ^９は各々独立に炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、Ｑ^５、Ｑ^６、Ｑ^７、及びＱ^８は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、ｐは１〜５の整数を示す）
で表されるシロキサンジアミンが全ジアミンの２０〜８０モル％を含むジアミンとを反応させて得られるポリイミド樹脂である前記＜１＞〜＜７＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
＜９＞ 前記（Ａ）熱可塑性樹脂が、下記一般式（ＩＶ）
【化１０】

で表されるテトラカルボン酸二無水物の含量が全テトラカルボン酸二無水物の４０モル％以上であるテトラカルボン酸二無水物と、ジアミンとを反応させて得られるポリイミド樹脂である前記＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
＜１０＞ 前記（Ｂ２）液状エポキシ樹脂が、数平均分子量４００〜１５００の２官能エポキシ樹脂である前記＜１＞〜＜９＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
【００１１】
＜１１＞ 前記２官能エポキシ樹脂が、下記一般式（ＶＩＩＩ）
【化１１】

（式中、Ｑ^１３及びＱ^１６は各々独立に炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基又はフェノキシ基を示し、Ｑ^１４及びＱ^１５は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基又は水素を示し、ｔは１〜１０の整数を示す）
で表されるビスフェノール型エポキシ樹脂である前記＜１０＞記載のフィルム状接着剤。
＜１２＞ 前記（Ｂ１）３官能以上のエポキシ樹脂が、下記一般式（ＶＩＩ）
【化１２】

（式中、Ｑ^１０、Ｑ^１１及びＱ^１２は各々独立に水素又は炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、ｒは１〜２０の整数を示す）で表されるノボラック型エポキシ樹脂である前記＜１＞〜＜１１＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
＜１３＞ 前記（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤は、分子中に水酸基を２個以上有し、数平均分子量が４００〜１５００であるフェノール系化合物である前記＜３＞〜＜１２＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
＜１４＞ 前記（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤は、分子内に芳香環を３個以上有するナフトール系化合物、又は、トリスフェノール系化合物である前記＜３＞〜＜１２＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
＜１５＞ 前記フィルム状接着剤塗工用のワニス溶剤が含窒素化合物である前記＜１＞〜＜１４＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
＜１６＞ シリコンウェハに８０℃でラミネートした段階で、前記シリコンウェハに対する２５℃での９０°ピール剥離力が５Ｎ／ｍ以上である前記＜１＞〜＜１５＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
＜１７＞ 有機レジスト材が表面に設けられた有機基板上に、前記フィルム状接着剤を介してチップをダイボンディングして得られたフィルム状接着剤付き有機基板が、以下の要件：
（１） 前記フィルム状接着剤付き有機基板を加熱硬化したのち、８５℃８５％相対湿度の条件で１５時間吸湿処理した後、２６０℃の熱盤上で３０秒加熱したときに発泡の発生が認められない；
（２） 前記フィルム状接着剤付き有機基板を加熱硬化したのち、８５℃６０％相対湿度の条件で１６８時間吸湿処理した後、２６０℃の熱盤上で３０秒加熱した後のせん断接着強度が５Ｎ／ｃｈｉｐ以上である；
の少なくとも１つを満たす前記＜１＞〜＜１６＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
【００１２】
＜１８＞ 熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを少なくとも含有するダイボンディングフィルムに用いられるフィルム状接着剤であって、
前記フィルム状接着剤の残存揮発分をＶ（重量％）、加熱硬化後の吸水率をＭ（重量％）、フロー量をＦ（μｍ）、加熱硬化後の２６０℃における貯蔵弾性率をＥ（ＭＰａ）としたとき、以下の（１）〜（４）で示される条件：
（１）Ｖ≦１０．６５×Ｅ、
（２）Ｍ≦０．２２×Ｅ、
（３）Ｖ≦―０．００４３Ｆ＋１１．３５、
（４）Ｍ≦―０．０００２Ｆ＋０．６、
の少なくとも１つを満たすフィルム状接着剤。
＜１９＞ 半導体素子と半導体搭載用支持部材とを貼り合せるためのダイボンディング用接着材料である前記＜１＞〜＜１８＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤。
＜２０＞ 前記半導体搭載用支持部材が有機レジスト層を具備してなる有機基板である前記＜１９＞に記載のフィルム状接着剤。
＜２１＞ 基材層、粘接着剤層、及び前記＜１＞〜＜２０＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤層とがこの順に形成されてなる接着シート。
＜２２＞ 上記粘接着剤層が、放射線硬化型粘接着剤層である前記＜２１＞に記載の接着シート。
＜２３＞ シリコンウェハに８０℃でラミネートした段階で、上記シリコンウェハに対するフィルム状接着剤の２５℃での９０°ピール剥離力をＡ、露光量５００ｍＪ／ｃｍ^２の条件でＵＶ照射した後の前記放射線硬化型粘接着剤層のフィルム状接着剤層に対する２５℃での９０°ピール剥離力をＢとしたとき、Ａ−Ｂの値が１Ｎ／ｍ以上である前記＜２２＞に記載の接着シート。
＜２４＞ 前記＜１＞〜＜２０＞のいずれか１つに記載のフィルム状接着剤を介して、
（１）半導体素子と半導体搭載用支持部材、及び
（２）半導体素子同士、
の少なくとも１つが接着された構造を有してなる半導体装置。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明のフィルム状接着剤は、極薄ウェハの保護テープ、又は貼り合わせるダイシングテープの軟化温度よりも低い温度でウェハ裏面にラミネートでき、ダイシング後のダイシングテープとの良好なピックアップ性を確保でき、かつ優れた耐熱性及び耐湿信頼性を有するものである。
【００１４】
本発明は、（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤、及び（Ｄ）フィラーを含有してなるフィルム状接着剤であって、前記（Ｂ）エポキシ樹脂は（Ｂ１）３官能以上のエポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％、かつ（Ｂ２）液状エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％を含有してなるフィルム状接着剤に関する。
【００１５】
（Ａ）熱可塑性樹脂
前記（Ａ）熱可塑性樹脂は、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、フェノキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一つ以上の樹脂であり、中でもポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂が好ましい。
【００１６】
前記ポリイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを等モル又はほぼ等モル用い（各成分の添加順序は任意）、反応温度８０℃以下、好ましくは０〜６０℃で付加反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。尚、フィルム状接着剤の諸特性の低下を抑えるため、上記の酸二無水物は無水酢酸で再結晶精製処理されることが好ましい。
【００１７】
上記ポリアミド酸は、５０〜８０℃の温度で加熱して解重合させることによって、その分子量を調整することもできる。
ポリイミド樹脂は、上記反応物（ポリアミド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法と、脱水剤を使用する化学閉環法で行うことができる。
【００１８】
ポリイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特に制限は無く、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３’、４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’、３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ−〔２，２，２〕−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２、−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕プロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２、−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、下記一般式（ＩＸ）
【化１３】

（式中、ｎは２〜２０の整数を示す）
で表されるテトラカルボン酸二無水物、下記式（ＩＶ）
【化１４】

で表されるテトラカルボン酸二無水物等が挙げられ、上記一般式（ＩＸ）で表されるテトラカルボン酸二無水物は、例えば、無水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジオールから合成することができ、具体的には１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）等が挙げられる。中でも、優れた耐湿信頼性を付与できる点で上記式（ＩＶ）で表されるテトラカルボン酸二無水物が好ましい。これらテトラカルボン酸二無水物は単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００１９】
また、上記一般式（ＩＶ）で表されるテトラカルボン酸二無水物の含量は、全テトラカルボン酸二無水物に対して４０モル％以上が好ましく、５０モル％以上がより好ましく、７０モル％以上が極めて好ましい。４０モル％未満であると、上記式（ＩＶ）で表されるテトラカルボン酸二無水物を使用したことによる耐湿信頼性の効果を充分に確保することができない。
【００２０】
上記ポリイミド樹脂の原料として用いられるジアミンとしては特に制限はなく、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノエノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノエノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノエノキシ）フェニル）スルフォン、ビス（４−（４−アミノエノキシ）フェニル）スルフォン、３，５−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、下記式（Ｉ）
【化１５】

（式中、Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３は各々独立に炭素数１〜１０のアルキレン基を示しｍは２〜８０の整数を示す）
で表される脂肪族エーテルジアミン、下記一般式（ＩＩ）
【化１６】

（式中、ｎは５〜２０の整数を示す）
で表される脂肪族ジアミン、下記一般式（ＩＩＩ）
【化１７】

（式中、Ｑ^４及びＱ^９は各々独立に炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、Ｑ^５、Ｑ^６、Ｑ^７、及びＱ^８は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、ｐは１〜５の整数を示す）
で表されるシロキサンジアミン等が挙げられ、中でも低応力性、低温ラミネート性、低温接着性を付与できる点で、上記一般式（Ｉ）、又は（ＩＩ）が好ましい。また、低吸水性、低吸湿性を付与できる点で、上記一般式（ＩＩＩ）が好ましい。これらのジアミンは単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。この場合、下記式（Ｉ）
【化１８】

（式中、Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３は各々独立に炭素数１〜１０のアルキレン基を示しｍは２〜８０の整数を示す）
で表される脂肪族エーテルジアミンが全ジアミンの１〜５０モル％、下記一般式（ＩＩ）
【化１９】

（式中、ｎは５〜２０の整数を示す）
で表される脂肪族ジアミンが全ジアミンの２０〜８０モル％、及び下記一般式（ＩＩＩ）
【化２０】

（式中、Ｑ^４及びＱ^９は各々独立に炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、Ｑ^５、Ｑ^６、Ｑ^７、及びＱ^８は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、ｐは１〜５の整数を示す）
で表されるシロキサンジアミンが全ジアミンの２０〜８０モル％であることが好ましい。上記モル％の範囲外であると、低温ラミネート性及び低吸水性の付与の効果が小さくなり好ましくない。
また、上記一般式（Ｉ）で表される脂肪族エーテルジアミンとしては、具体的には、
【化２１】

等があり、中でも、低温ラミネート性と有機レジスト付き基板に対する良好な接着性を確保できる点で、下記式（Ｖ）
【化２２】

（式中、ｍは２〜８０の整数を示す）
で表される脂肪族エーテルジアミンがより好ましい。具体的には、サン テクノケミカル（株）製 ジェファーミン Ｄ−２３０，Ｄ−４００，Ｄ−２０００，Ｄ−４０００，ＥＤ−６００，ＥＤ−９００，ＥＤ−２００１，ＥＤＲ−１４８，ＢＡＳＦ（製）ポリエーテルアミンＤ−２３０，Ｄ−４００，Ｄ−２０００等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミンが挙げられる。
【００２１】
また、上記一般式（ＩＩ）で表される脂肪族ジアミンとしては、例えば、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，２−ジアミノシクロヘキサン等が挙げられ、中でも１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカンが好ましい。
【００２２】
また、上記一般式（ＩＩＩ）で表されるシロキサンジアミンとしては、例えば、前記式（ＩＩＩ）中、＜ｐが１のとき＞、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノブチル）ジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン等があり、＜ｐが２のとき＞、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン等がある。
【００２３】
上記ポリイミド樹脂は単独又は必要に応じて２種以上を混合（ブレンド）してもよい。
【００２４】
本発明のフィルム状接着剤のラミネート可能温度は、ウェハの保護テープ、すなわちバックグラインドテープの耐熱性あるいは軟化温度以下、又はダイシングテープの耐熱性あるいは軟化温度以下であることが好ましく、また半導体ウェハの反りを抑えるという観点からも１０〜１００℃が好ましく、さらに好ましくは２０〜８０℃である。上記ラミネート温度を達成するためには、前記ポリイミド樹脂のＴｇは２０〜１００℃が好ましく、３０〜８０℃がより好ましい。前記Ｔｇが１００℃を超えると、上記ラミネート温度が１００℃を超える可能性が高くなり好ましくない。
【００２５】
また、前記ポリイミド樹脂の重量平均分子量は１００００〜２０００００の範囲内で制御されていることが好ましく、２００００〜１０００００がより好ましく、３００００〜８００００が極めて好ましい。前記重量平均分子量が１００００より小さいと、フィルム形成性が悪くなり、２０００００を超えると、熱時の流動性が悪くなり、上記ラミネート温度が１００℃を超える可能性が高くなるので、いずれも好ましくない。前記ポリイミドのＴｇ及び重量平均分子量を上記の範囲内とすることにより、ラミネート温度を低く抑えることができるだけでなく、半導体素子を半導体素子搭載用支持部材に接着固定する際の加熱温度（ダイボンディング温度）も低くすることができ、チップの反りを抑えることができるという効果も得られる。なお、上記のＴｇとは、ＤＳＣ（パーキンエルマー社製ＤＳＣ−７型）を用いて、サンプル量１０ｍｇ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、測定雰囲気：空気、の条件で測定したときのＴｇである。また、上記の重量平均分子量とは、高速液体クロマトグラフィー（島津製作所製Ｃ−Ｒ４Ａ）を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量のことである。
【００２６】
（Ｂ）エポキシ樹脂
本発明に用いる（Ｂ）エポキシ樹脂は（Ｂ１）３官能以上のエポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％、かつ（Ｂ２）液状エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％含有するものである。
本発明において、（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量は、全体として３官能以上のエポキシ樹脂が１０〜９０重量％、液状エポキシ樹脂が１０〜９０重量％であればよい。
すなわち、（Ｉ）２官能の液状エポキシ樹脂、（ＩＩ）２官能の固形エポキシ樹脂、（ＩＩＩ）３官能以上の液状エポキシ樹脂、（ＩＶ）３官能以上の固形エポキシ樹脂を併用することも可能で、このような場合、（Ｉ）と（ＩＩＩ）の合計（すなわち液状エポキシ樹脂の合計）が１０〜９０重量％、（ＩＩＩ）と（ＩＶ）の合計（すなわち３官能以上のエポキシ樹脂の合計）が１０〜９０重量％となるように調整することで本発明の効果を得ることができる。
【００２７】
前記（Ｂ１）３官能以上のエポキシ樹脂とは、分子内に少なくとも３個以上のエポキシ基を含むものであれば特に制限はなく、このようなエポキシ樹脂としては、例えば、下記一般式（ＶＩＩ）
【化２３】

（式中、Ｑ^１０、Ｑ^１１及びＱ^１２は各々独立に水素又は炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、ｒは１〜２０の整数を示す）で表されるノボラック型エポキシ樹脂の他、３官能型（又は４官能型）のグリシジルエーテル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン等が挙げられ、上記一般式（ＶＩＩ）で表されるノボラック型エポキシ樹脂としては、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル等が挙げられる。中でも、硬化物の架橋密度が高く、フィルムの熱時の接着強度を高くすることができる点で、上記一般式（ＶＩＩ）で表されるノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。上記エポキシ樹脂は全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％、好ましくは１０〜８０重量％、より好ましくは１０〜７０重量％、さらに好ましくは１０〜６０重量％である。１０重量％未満では硬化物の架橋密度を有効に上げることができず、９０重量％を超えると硬化前の熱時の流動性が十分に得られず、いずれも好ましくない。
【００２８】
また、前記（Ｂ２）液状エポキシ樹脂とは、分子内に２個以上のエポキシ基を有し、１０〜３０℃で液状エポキシ樹脂であり、前記の液状とは粘調液体の状態も含むものとする。
【００２９】
このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型（又はＡＤ型、Ｓ型、Ｆ型）のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等の他、下記一般式（ＶＩＩＩ）
【化２４】

（式中、Ｑ^１３及びＱ^１６は各々独立に炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基又はフェノキシ基を示し、Ｑ^１４及びＱ^１５は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基又は水素を示し、ｔは１〜１０の整数を示す）
で表されるビスフェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。
【００３０】
上記一般式（ＶＩＩＩ）で表されるエポキシ樹脂としては、例えば、エチレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル等が挙げられ、これらの中から１０〜３０℃で液状のものを選択する。
【００３１】
分子内にエポキシ基を２個有する２官能型エポキシ樹脂を選択する場合は、数平均分子量が４００〜１５００の範囲内のものを選択することが好ましい。これにより、パッケージ組み立て加熱時に、チップ表面、又は装置等の汚染の原因となるアウトガスを有効に低減できる。フィルムの良好な熱時流動性を確保し、低温ラミネート性を付与し、かつ上記のアウトガスを低減できるという点で、一般式（ＶＩＩＩ）で表されるビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。
【００３２】
これらのエポキシ樹脂は単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。上記エポキシ樹脂は全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％、好ましくは２０〜９０重量％、より好ましくは３０〜９０重量％、さらに好ましくは４０〜９０重量％である。１０重量％未満では硬化前の熱時の流動性が十分に得られず、９０重量％を超えると２官能型エポキシ樹脂を選択した場合、硬化物の架橋密度を有効に上げることができず、いずれも好ましくない。
【００３３】
本発明において、（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量は、全体として３官能以上のエポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％、かつ液状エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％であればよい。すなわち、（Ｉ）２官能の液状エポキシ樹脂、（ＩＩ）２官能の固形エポキシ樹脂、（ＩＩＩ）３官能以上の液状エポキシ樹脂、（ＩＶ）３官能以上の固形エポキシ樹脂を併用することも可能で、このような場合、（Ｉ）と（ＩＩＩ）の合計が１０〜９０重量％、（ＩＩＩ）と（ＩＶ）の合計が１０〜９０重量％となるように調整することで本発明の効果を得ることができる。
【００３４】
（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤
前記（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤としては、特に制限はなく、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第３級アミン等が挙げられるが、中でもフェノール系化合物が好ましく、分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。
【００３５】
上記分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、トリスフェノールノボラック樹脂、テトラキスフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。これらの中で、数平均分子量が４００〜１５００の範囲内のものが好ましい。これにより、パッケージ組み立て加熱時に、チップ表面、又は装置等の汚染の原因となるアウトガスを有効に低減できる。中でもパッケージ組み立て加熱時に、チップ表面、又は装置等の汚染、又は臭気の原因となるアウトガスを有効に低減できる点で、ナフトールノボラック樹脂、又はトリスフェノールノボラック樹脂が好ましい。
【００３６】
前記ナフトールノボラック樹脂とは、下記一般式（ＸＩ）、又は下記一般式（ＸＩＩ）で表される、分子内に芳香環を３個以上有するナフトール系化合物である。
【化２５】

上記式（ＸＩ）、及び（ＸＩＩ）中、Ｒ^１〜Ｒ^２０はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、又は水酸基を示し、ｎは１〜１０の整数を示す。また、Ｘは２価の有機基で、例えば、次に示されるような基がある。
【化２６】

このようなナフトール系化合物をさらに具体的に例示すれば、次の一般式（ＸＩＩＩ）、（ＸＩＶ）で表されるキシリレン変性ナフトールノボラックや、（ＸＶ）で表されるｐ−クレゾールとの縮合によるナフトールノボラック等が挙げられる。
【化２７】

【化２８】

【化２９】

ここで、一般式（ＸＩＩＩ）、（ＸＩＶ）、中の繰り返し数ｎは１〜１０が好ましい。
前記トリスフェノール系化合物とは、分子内に３個のヒドロキシフェニル基を有するトリスフェノールノボラック樹脂であり、好ましくは下記一般式（ＸＶＩ）で表される。
【化３０】

ただし、上記式（ＸＶＩ）中、Ｒ^１〜Ｒ^１０はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、及び水酸基から選ばれる基を示す。また、Ｄは４価の有機基を示し、そのような４価の有機基の例を以下に示す。
【化３１】

【００３７】
このようなトリスフェノール系化合物の具体的な例としては、例えば、４，４′，４″−メチリデントリスフェノール、４，４′−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、４，４′，４″−エチリジントリス［２−メチルフェノール］、４，４′，４″−エチリジントリスフェノール、４，４′−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−メチルフェノール］、４，４′−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−メチルフェノール］、４，４′−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３−ジメチルフェノール］、４，４′−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，６−ジメチルフェノール］、４，４′−［（３−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３−ジメチルフェノール］、２，２′−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール］、２，２′−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール］、２，２′−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３，５−トリメチルフェノール］、４，４′−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３，６−トリメチルフェノール］、４，４′−［（３−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３，６−トリメチルフェノール］、４，４′−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３，６−トリメチルフェノール］、４，４′−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール］、４，４′−［（３−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール］、４，４′−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール］、４，４′−［（３，４−ジヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−メチルフェノール］、４，４′−［（３，４−ジヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，６−ジメチルフェノール］、４，４′−［（３，４−ジヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３，６−トリメチルフェノール］、４−［ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）メチル］−１，２−ベンゼンジオール、４，４′−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３−メチルフェノール］、４，４′，４″−（３−メチル−１−プロパニル−３−イリデン）トリスフェノール、４，４′−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−メチルエチルフェノール］、４，４′−［（３−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−メチルエチルフェノール］、４，４′−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−メチルエチルフェノール］、２，２′−［（３−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５，６−トリメチルフェノール］、２，２′−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５，６−トリメチルフェノール］、４，４′−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−シクロヘキシルフェノール］、４，４′−［（３−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−シクロヘキシルフェノール］、４，４′−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビス［２、６−ジメチルフェノール］、４，４′，４″−メチリジントリス［２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール］、４，４′−［１−［４−［１−（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビス［２−シクロヘキシルフェノール］、２，２′−［（３，４−ジヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール］、４，４′−［（３，４−ジヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−（メチルエチル）フェノール］、２，２′−［（３，４−ジヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５，６−トリメチルフェノール］、４，４′−［（３，４−ジヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−シクロヘキシルフェノール］、α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、等がある。
【００３８】
また、本発明のフィルム状接着剤には、硬化促進剤を添加することもできる。硬化促進剤には、特に制限が無く、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等を用いることができる。これらは単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３９】
上記（Ｂ１）、及び（Ｂ２）のエポキシ当量と、（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤としてのフェノール系化合物のＯＨ当量の当量比は、０．９５〜１．０５：０．９５〜１．０５とする。前記範囲外であると、未反応モノマが残存、あるいは硬化物の架橋密度が上がらないことがあり、好ましくない。
また、上記（Ａ）ポリイミド樹脂１００重量部に対して、上記（Ｂ１）３官能以上のエポキシ樹脂を５〜３０重量部、上記（Ｂ２）液状エポキシ樹脂を１０〜５０重量部含有してなることが、ラミネート温度２５〜１００℃、組み立て加熱時の低アウトガス性、耐リフロー性、耐湿信頼性等のパッケージとしての良好な信頼性を同時に確保できる点で好ましい。
【００４０】
硬化促進剤の添加量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して０．０１〜２０重量部が好ましく、０．１〜１０重量部がより好ましい。添加量が０．０１重量部未満であるとると硬化性が劣る傾向があり、２０重量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
【００４１】
（Ｄ）フィラー
本発明に用いる（Ｄ）フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等の金属フィラー；アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機フィラー；、カーボン、ゴム系フィラー等の有機フィラー等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。
【００４２】
上記フィラーは所望する機能に応じて使い分けることができる。例えば、金属フィラーは、接着剤組成物に導電性、熱伝導性、チキソ性等を付与する目的で添加され；非金属無機フィラーは、接着フィルムに熱伝導性、低熱膨張性、低吸湿性等を付与する目的で添加され；有機フィラーは接着フィルムに靭性等を付与する目的で添加される。これら金属フィラー、無機フィラー又は有機フィラーは、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。中でも、半導体パッケージ用接着材料に求められる、導電性、熱伝導性、低吸湿特性、絶縁性等を付与できる点で、金属フィラー、無機フィラー、又は絶縁性のフィラーが好ましく、無機フィラー、又は絶縁性フィラーの中では、樹脂ワニスに対する分散性が良好でかつ、熱時の高い接着力を付与できる点で窒化ホウ素がより好ましい。
【００４３】
上記フィラーの平均粒子径は１０μｍ以下、最大粒子径は２５μｍ以下であり、平均粒子径が５μｍ以下、最大粒子径が２０μｍ以下であることが好ましい。平均粒子径が１０μｍを超え、かつ最大粒子径が２５μｍを超えると、破壊靭性向上の効果が得られない。下限は特に制限はないが、通常、どちらも０．１μｍである。
【００４４】
上記フィラーは、平均粒子径１０μｍ以下、最大粒子径は２５μｍ以下の両方を満たす必要がある。最大粒子径が２５μｍ以下であるが平均粒子径が１０μｍを超えるフィラーを使用すると、高い接着強度が得られない。また、平均粒子径は１０μｍ以下であるが最大粒子径が２５μｍを超えるフィラーを使用すると、粒径分布が広くなり接着強度にばらつきが出やすくなる。また、本発明の接着剤組成物を薄膜フィルム状に加工して使用する場合、表面が粗くなり接着力が低下する。
【００４５】
上記フィラーの平均粒子径及び最大粒子径の測定方法としては、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、２００個程度のフィラーの粒径を測定する方法等が挙げられる。
【００４６】
ＳＥＭを用いた測定方法としては、例えば、接着剤組成物を用いて半導体素子と半導体支持基板とを接着した後、加熱硬化（好ましくは１５０〜２００℃で１〜１０時間）させたサンプルを作製し、このサンプルの中心部分を切断して、その断面をＳＥＭで観察する方法等が挙げられる。
【００４７】
また、用いるフィラーが金属フィラー又は無機フィラーである場合は、接着剤組成物を６００℃のオーブンで２時間加熱し、樹脂成分を分解、揮発させ、残ったフィラーをＳＥＭで観察、測定する方法をとることもできる。フィラーそのものをＳＥＭで観察する場合、サンプルとしては、ＳＥＭ観察用の試料台の上に両面粘着テープを貼り付け、この粘着面にフィラーを振り掛け、その後、イオンスパッタで蒸着したものを用いる。このとき、前述のフィラーの存在確率が全フィラーの８０％以上であるとする。
【００４８】
上記（Ｄ）フィラーの使用量は、付与する特性、又は機能に応じて決められるが、（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤を含む樹脂成分と（Ｄ）フィラーの合計に対して１〜５０体積％、好ましくは２〜４０体積％、さらに好ましくは５〜３０体積％である。２体積％未満であるとフィラー添加による特性、又は機能の付与の効果が得られず、５０体積％を超えると接着性が低下し、いずれも好ましくない。フィラーを増量させることにより、高弾性率化が図れ、ダイシング性（ダイサー刃による切断性）、ワイヤボンディング性（超音波効率）、熱時の接着強度を有効に向上できるが、必要以上に増量させると、本発明の特徴である低温貼付性及び被着体との界面接着性が損なわれ、耐リフロー性を含む信頼性の低下を招くため好ましくない。求められる特性のバランスをとるべく、最適フィラー含量を決定する。
本発明のフィルム状接着剤には、上記成分に加えてさらに以下に説明する任意成分を添加してもよい。
【００４９】
本発明のフィルム状接着剤には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。
【００５０】
（製造方法）
本発明のフィルム状接着剤は、（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂、必要に応じて、（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤、（Ｄ）フィラー、及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニス（フィルム状接着剤塗工用のワニス）を調製した後、基材フィルム上に前記ワニスの層を形成させ、加熱乾燥した後に基材を除去することで得ることができる。上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。
ここで、Ｂステージ状態でのフロー量を２００〜１５００μｍの範囲内に制御するためには、残存溶媒をできるだけ低減することが望ましく、また、貼付性が損なわれない程度に、エポキシ樹脂の硬化反応、またはポリイミド樹脂とエポキシ樹脂間の橋かけ反応をある程度進めておくことが望ましい。この観点から、フィルム調製時に、１２０〜１６０℃、１０〜６０分の乾燥工程が含まれることが好ましい。
【００５１】
上記フィルム状接着剤の製造における上記ワニスの調整に用いる有機溶媒、即ちワニス溶剤は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル等が挙げられるが、ポリイミド樹脂とエポキシ樹脂間の橋かけ反応を有効に進める点で、含窒素化合物が好ましい。このような溶剤としては、例えば、上記のジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ―メチルピロリドン等が挙げられ、中でもポリイミド樹脂の溶解性に優れるという点で、Ｎ―メチルピロリドンが好ましい。
【００５２】
上記フィルム状接着剤の製造時に使用する基材フィルムは、上記の加熱、乾燥条件に耐えるものであれば特に限定するものではなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。これらの基材としてのフィルムは２種以上組み合わせて多層フィルムとしてもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されたものであってもよい。この時、基材を除去せずにフィルムの支持体とした基材つきフィルム状接着剤としてもよい。
【００５３】
次に、好ましい態様をいくつか挙げながら本発明をさらに詳細に説明する。
（第１の態様）
本発明の１態様としてのフィルム状接着剤は、ｔａｎδピーク温度が２０〜６５℃、かつフロー量が２００〜１５００μｍであることを特徴とする。上記ｔａｎδピーク温度とは、１８０℃５ｈの条件で加熱硬化したフィルムを、レオメトリックス製粘弾性アナライザーＲＳＡ−２を用いて、フィルムサイズ３５ｍｍ×１０ｍｍ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚ、測定温度−１００〜３００℃の条件で測定したときのｔａｎδピーク温度である。上記フィルムのｔａｎδピーク温度が２０℃未満であると、上記フロー量が１５００μｍを超える確率が高くなり、ｔａｎδピーク温度が６５℃を超えるとラミネート温度が１００℃を超える可能性が高くなり、いずれも好ましくない。また、上記フロー量とは、１０ｍｍ×１０ｍｍ×４０μｍ厚サイズ（尚、フィルム厚は±５μｍの誤差で調製した。以下、フィルム厚の誤差についての記載は前記と同様のため省略する。）の上記フィルム（未硬化フィルム）の上に１０ｍｍ×１０ｍｍ×５０μｍ厚のユーピレックスフィルムを重ね合わせ、２枚のスライドグラス（ＭＡＴＳＵＮＡＭＩ製、７６ｍｍ×２６ｍｍ×１．０〜１．２ｍｍ厚）の間に挟んだサンプルについて、１８０℃の熱盤上で１００ｋｇｆ／ｃｍ^２の荷重をかけ、１２０ｓｅｃ加熱圧着した後の上記ユーピレックスフィルムからのはみ出し量を光学顕微鏡で観測したときの最大値である。このときのフロー量が１００μｍ未満であると、トランスファモールド時の熱と圧力によって、配線付き基板上の凹凸を十分に埋め込むことができず、また、１５００μｍを超えると、ダイボンド又はワイヤボンド時の熱履歴によって流動し、上記の基板上の凹凸に対して、凹凸間に残存する気泡を巻き込み易くなり、トランスファモールド工程での熱と圧力を加えても、この気泡が抜けきれずにボイドとなってフィルム層に残存し、このボイドが起点となって、吸湿リフロー時に発泡し易くなるため、いずれも好ましくない。
【００５４】
（第２の態様）
本発明の１態様としてのフィルム状接着剤は、シリコンウェハ裏面（バックグラインド処理面）に８０℃でラミネートした段階で、前記シリコンウェハに対する２５℃での９０°ピール剥離力が５Ｎ／ｍ以上であることを特徴とする。
ここで、９０°ピール剥離力について図１〜図３の概略図を用いて説明する。
図１及び図２には、本発明のフィルム状接着剤１がシリコンウェハ３上に、ロール２と支持台４とを有する装置を用いてラミネートされるラミネート方法の概略図が示されている。９０°ピール剥離力とは、装置のロール温度：８０℃、送り速度：０．５ｍ／ｍｉｎのラミネート条件下で、５ｉｎｃｈ、４００μｍ厚のシリコンウェハ裏面に４０μｍ厚のフィルム状接着剤をラミネートした後、図３に示す方法でフィルム状接着剤（１ｃｍ幅）を９０°方向に１００ｍｍ／ｍｉｎの条件で引き剥がしたときのピール剥離力をいう。
９０°ピール剥離力は５Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、８Ｎ／ｍ以上であることがより好ましく、１０Ｎ／ｍ以上であることがさらに好ましく、２０Ｎ／ｍ以上であることがさらにより好ましい。前記ピール剥離力が５Ｎ／ｍ未満であると、ダイシング時にチップ飛びが発生する可能性が高くなる。
上記ラミネート条件において、ラミネート圧力は、被着体である半導体ウェハの厚みや大きさから定めることが好ましい。具体的には、ウェハの厚みが１０〜６００μｍの場合は線圧が０．５〜２０ｋｇｆ／ｃｍであることが好ましく、ウェハ厚みが１０〜２００μｍ場合は線圧０．５〜５ｋｇｆ／ｃｍが好ましい。ウェハの大きさは４〜１０インチ程度が一般的であるが、特にこれに限定されるものではない。上記ラミネート条件とすることによって、ラミネート時のウェハ割れ防止と密着性確保のバランスを保つことができる。
【００５５】
（第３の態様）
本発明の１態様としてのフィルム状接着剤は、表面に厚さ１５μｍのソルダーレジスト層が付いた厚さ０．１ｍｍの有機基板に５ｍｍ×５ｍｍ×０．５５ｍｍ厚のガラスチップを５ｍｍ×５ｍｍ×４０μｍ厚のフィルム状接着剤でフィルムのＴｇ（ここではｔａｎδピーク温度）＋１００℃×５００ｇｆ／ｃｈｉｐ×３ｓｅｃの条件でダイボンディングした後、１８０℃×５ｋｇｆ／ｃｈｉｐ×９０ｓｅｃの条件で加熱圧着し、前記フィルム状接着剤を１８０℃５ｈの条件で加熱硬化したのち、８５℃８５％相対湿度（以下「ＲＨ」ともいう。）の条件で１５時間吸湿処理した後、２６０℃の熱盤上で３０秒加熱したとき、発泡の発生が認められないことを特徴とする。
本発明の１態様としてのフィルム状接着剤は、前記の発泡の発生が認められないという特徴に加えてさらに、上記有機基板に３．２ｍｍ×３．２ｍｍ×０．４ｍｍ厚のシリコンチップを３．２ｍｍ×３．２ｍｍ×４０μｍ厚のフィルム状接着剤でフィルムのＴｇ（ここではｔａｎδピーク温度）＋１００℃×５００ｇｆ／ｃｈｉｐ×３ｓｅｃの条件でダイボンディングした後、１８０℃×５ｋｇｆ／ｃｈｉｐ×９０ｓｅｃの条件で加熱圧着し、前記フィルム状接着剤を１８０℃５ｈの条件で加熱硬化したのち、８５℃６０％ＲＨの条件で１６８時間吸湿処理した後、２６０℃の熱盤上で３０秒加熱した後のせん断接着強度が５Ｎ／ｃｈｉｐ以上であることを特徴とする。
上記発泡の発生の有無は、光学顕微鏡（×２０倍）で目視で観測して判定する。上記のせん断接着強度は、Ｄａｇｅ製ＢＴ２４００を用い、測定速度：５００μｍ／ｓｅｃ、測定ギャップ：５０μｍの条件で測定する。
【００５６】
（第４の態様）
本発明の１態様としてのフィルム状接着剤は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを少なくとも含有するフィルム状ダイボンディング材に用いられものであって、前記フィルム状接着剤の残存揮発分をＶ（重量％）、加熱硬化後の吸水率をＭ（重量％）、フロー量をＦ（μｍ）、加熱硬化後の２６０℃における貯蔵弾性率をＥ（ＭＰａ）としたとき、以下の（１）〜（４）：
（１）Ｖ≦１０．６５×Ｅ、
（２）Ｍ≦０．２２×Ｅ、
（３）Ｖ≦―０．００４３Ｆ＋１１．３５、
（４）Ｍ≦―０．０００２Ｆ＋０．６
の少なくとも１つの条件を満たすことを特徴とする。
この場合、上記（３）、（４）の条件を同時に満たすことが好ましく、また上記（２）〜（４）の条件を満たすことがより好ましく、上記（１）〜（４）のすべての条件を満たすことがさらに好ましい。
【００５７】
上記の残存揮発分Ｖは、調製後のフィルムについて、Ｖ＝（加熱前のフィルム重量−オーブン中で２６０℃２ｈの条件で加熱した後のフィルム重量）／加熱前のフィルム重量より求める。上記の加熱硬化後の吸水率Ｍは、１８０℃５ｈの条件で加熱硬化したフィルムについて、Ｍ＝（イオン交換水で２４ｈ浸漬後のフィルムの重量−吸水前のフィルムの重量）／吸水前のフィルムの重量より求める。吸水前のフィルムの重量は、真空乾燥器中で１２０℃３ｈの条件で乾燥した後の重量である。上記のフロー量Ｆとは上述した条件で測定したときの値である。加熱硬化後の２６０℃における貯蔵弾性率Ｅとは、１８０℃５ｈの条件で加熱硬化したフィルムについて、レオメトリックス製粘弾性アナライザーＲＳＡ−２を用いて、フィルムサイズ３５ｍｍ×１０ｍｍ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚ、測定温度−５０〜３００℃の条件で測定したときの２６０℃における貯蔵弾性率である。上記の残存揮発分Ｖ、吸水率をＭ、フロー量Ｆ、及び貯蔵弾性率をＥ（ＭＰａ）のいずれかが上記式の範囲外であると、本発明での低温ラミネート性と良好な耐リフロー性を同時に確保することが困難となる。
【００５８】
（第５の態様）
また、本発明の１態様として、基材層、粘接着剤層、及び本発明のフィルム状接着剤層とがこの順に形成されてなる接着シートが提供される。この接着シートは、半導体装置製造工程を簡略化する目的で、フィルム状接着剤とダイシングフィルムとを少なくとも備える一体型の接着シートである。即ち、ダイシングフィルムとダイボンディングフィルムの両者に要求される特性を兼ね備える接着シートである。
このように基材層の上にダイシングフィルムとしての機能を果たす粘接着剤層を設け、さらに粘接着剤層の上にダイボンディングフィルムとしての機能を果たす本発明のフィルム状接着剤層とを積層させたことにより、ダイシング時にはダイシングフィルムとして、ダイボンディング時にはダイボンディングフィルムとしての機能を発揮する。そのため、前記の一体型の接着シートは、半導体ウェハの裏面に一体型接着シートのフィルム状接着剤層を加熱しながらウェハ裏面にラミネートし、ダイシングした後、フィルム状接着剤付き半導体素子としてピックアップして使用することができる。
上記の粘接着剤層は、感圧型、又は放射線硬化型のどちらでも良いが、放射線硬化型の方が、ダイシング時には高粘着力を有し、ピックアップする前に紫外線（ＵＶ）を照射することにより、低粘着力になり、粘着力の制御がし易いという点で好ましい。前記の放射線硬化型粘接着剤層としては、ダイシング時には半導体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、その後の半導体素子のピックアップ工程においては半導体素子を傷つけない程度の低い粘着力を有するものであれば特に制限されることなく従来公知のものを使用することができる。このとき、シリコンウェハに８０℃でラミネートした段階で、上記シリコンウェハに対するフィルム状接着剤の２５℃での９０°ピール剥離力をＡ、露光量５００ｍＪ／ｃｍ^２の条件でＵＶ照射した後の放射線硬化型粘接着剤層のフィルム状接着剤に対する２５℃での９０°ピール剥離力をＢとしたとき、Ａ−Ｂの値が１Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、５Ｎ／ｍ以上がより好ましく、１０Ｎ／ｍ以上がさらにより好ましい。シリコンウェハに対するフィルム状接着剤の２５℃での９０°ピール剥離力は上述の通りである。また、露光量５００ｍＪ／ｃｍ^２の条件でＵＶ照射した後の放射線硬化型粘接着剤層のフィルム状接着剤に対する２５℃での９０°ピール剥離力は、シリコンウェハ裏面（バックグラインド処理面）に８０℃でラミネートした後（ラミネート方法は上述）、上記のダイシングテープを室温でラミネートし、その後、露光量５００ｍＪ／ｃｍ^２の条件でＵＶ照射した後のダイシングテープのフィルム状接着剤に対する２５℃での９０°ピール剥離力（１ｃｍ幅、図４）を９０°方向に引き剥がしたときのピール剥離力である。上記の値（Ａ−Ｂ）が１Ｎ／ｍ未満であると、ピックアップ時に各素子を傷つける傾向にある、またはピックアップ時に、シリコンチップ及びフィルム状接着剤界面で先に剥がれてしまい、有効にピックアップできないため、好ましくない。
【００５９】
上記の９０°ピール剥離力は、シリコンウェハ裏面（バックグラインド処理面）に８０℃でラミネートした後（ラミネート方法は上述）、上記のダイシングテープを室温でラミネートし、その後、露光量５００ｍＪ／ｃｍ^２の条件でＵＶ照射した後のダイシングテープのフィルム状接着剤に対する２５℃での９０°ピール剥離力（１ｃｍ幅、図４）を９０°方向に引き剥がしたときのピール剥離力である。尚、「ピール剥離力」については後に実施例の欄でさらに詳しく説明する。
上記の露光量５００ｍＪ／ｃｍ^２の条件でＵＶ照射した後の放射線硬化型粘接着剤層のフィルム状接着剤に対する２５℃での９０°ピール剥離力は、図４に示す方法でダイシングテープ５（１ｃｍ幅）（１：フィルム状接着剤、３：シリコンウェハ、４：支持体）を９０°方向に１００ｍｍ／ｍｉｎの条件で引き剥がしたときのピール剥離力をいう。
【００６０】
放射線硬化型粘接着剤層としては、前記の特性を有するものであれば特に制限されることなく従来公知のものを使用することができる。
放射線硬化型粘接着剤層としては、具体的には粘着剤と放射線重合性オリゴマーを含有してなる層を用いることができる。
【００６１】
この場合、前記放射線硬化型粘着剤層を構成する粘着剤としては、アクリル系粘着剤が好ましい。より具体的には、例えば、（メタ）アクリル酸エステル又はその誘導体を主たる構成単量体単位とする（メタ）アクリル酸エステル共重合体、又はこれら共重合体の混合物等が挙げられる。なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルのように記載した場合、メタクリル酸エステル及びアクリル酸エステルの両方を示す。
【００６２】
上記（メタ）アクリル酸エステル共重合体としては、例えば、アルキル基の炭素数が１〜１５である（メタ）アクリル酸アルキルエステルから選択される少なくとも１種以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー（ａ）と、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、酢酸ビニル、スチレン及び塩化ビニルからなる群より選択される少なくとも１種の酸基を有しない極性モノマー（ｂ）と、アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸からなる群より選択される少なくとも１種の酸基を有するコモノマー（ｃ）との共重合体等が挙げられる。
【００６３】
（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー（ａ）と、酸基を有しない極性モノマー（ｂ）と、酸基を有するコモノマー（ｃ）との共重合比としては、重量比で、ａ／ｂ／ｃ＝３５〜９９／１〜６０／０〜５の範囲で配合することが好ましい。また、酸基を有するコモノマー（ｃ）は使用しなくてもよく、その場合には、ａ／ｂ＝７０〜９５／５〜３０の範囲で配合することが好ましい。
【００６４】
コモノマーとして、酸基を有しない極性モノマー（ｂ）が６０重量％を超えて共重合されると、放射線硬化型粘着剤層３は、完全相溶系となり、放射線硬化後における弾性率が１０ＭＰａを超えてしまい、充分なエキスパンド性、ピックアップ性が得られなくなる傾向がある。一方、酸基を有しない極性モノマー（ｂ）が１重量％未満で共重合されると、放射線硬化型粘着剤層３は不均一な分散系となり、良好な粘着物性が得られなくなる傾向がある。
【００６５】
なお、酸基を有するコモノマーとして（メタ）アクリル酸を用いる場合には、（メタ）アクリル酸の共重合量は５重量％以下であることが好ましい。酸基を有するコモノマーとして（メタ）アクリル酸が５重量％を超えて共重合されると、放射線硬化型粘着剤層３は、完全相溶系となり充分なエキスパンド性、ピックアップ性が得られなくなる傾向がある。
【００６６】
またこれらのモノマーを共重合して得ることができる（メタ）アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量としては、２．０×１０^５〜１０．０×１０^５が好ましく、４．０×１０^５〜８．０×１０^５がより好ましい。
【００６７】
放射線硬化型粘着剤層を構成する放射線重合性オリゴマーの分子量としては、特に制限はないが、通常３０００〜３００００程度であり、５０００〜１００００程度が好ましい。
【００６８】
上記放射線重合性オリゴマーは、放射線硬化型粘着剤層中に均一に分散していることが好ましい。その分散粒径としては、１〜３０μｍが好ましく、１〜１０μｍがより好ましい。分散粒径とは、放射線硬化型粘着剤層３を、６００倍の顕微鏡で観察して、顕微鏡内のスケールで分散しているオリゴマーの粒子径を実測することで決定される値である。また、均一に分散している状態（均一分散）とは、隣接する粒子間の距離が、０．１〜１０μｍである状態をいう。
【００６９】
上記放射線重合性オリゴマーとしては、例えば、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシアクリレートオリゴマー等の分子内に炭素−炭素二重結合を少なくとも１個以上有する化合物などが挙げられ、中でも所望する目的に応じて種々の化合物を選択できる点でウレタンアクリレート系オリゴマーが好ましい。
【００７０】
上記ウレタンアクリレート系オリゴマーは、例えば、ポリエステル型又はポリエーテル等のポリオール化合物と、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン、４，４−ジイソシアネート等の多価イソシアネート化合物とを反応させて得ることができる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート等のヒドロキシル基を有するアクリレート又はメタクリレートなどとを反応させて得ることができる。
【００７１】
上記ウレタンアクリレート系オリゴマーの分子量としては特に制限はないが、３０００〜３００００が好ましく、３０００〜１００００がより好ましく、４０００〜８０００が極めて好ましい。
【００７２】
本発明の接着用シートにおいて、放射線硬化型粘着剤層中の粘着剤と放射線重合性オリゴマーとの配合比は、粘着剤１００重量部に対して、放射線重合性オリゴマーが２０〜２００重量部用いられることが好ましく、５０〜１５０重量部用いられることがより好ましい。
【００７３】
上記の配合比とすることで、放射線硬化型粘着剤層とダイ接着用接着剤層との間に大きな初期接着力が得られ、しかも放射線照射後には接着力は大きく低下し、容易にウェハチップとダイ接着用接着剤層とを該粘着シートからピックアップすることができる。またある程度の弾性率が維持されるため、エキスパンディング工程において、所望のチップ間隔を得ることが容易になり、かつチップ体のズレ等も発生せず、ピックアップを安定して行えるようになる。また、必要により前記成分のほかにさらに他の成分を加えても構わない。
【００７４】
（用途及び使用態様）
本発明のフィルム状接着剤は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子と、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム；ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム；ガラス不織布等基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させたもの；アルミナ等のセラミックス等の半導体搭載用支持部材とを貼り合せるためのダイボンディング用接着材料として用いられる。中でも、有機レジスト層を具備してなる有機基板とを貼り合わせるためのダイボンディング用接着材料として好適に用いられる。
また、複数の半導体素子を積み重ねた構造のＳｔａｃｋｅｄ−ＰＫＧにおいて、半導体素子と半導体素子とを接着するための接着材料としても好適に用いられる。
【００７５】
本発明のフィルム状接着剤の用途について、本発明のフィルム状接着剤を備える半導体装置について図面を用いて具体的に説明する。尚、近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本発明のフィルム状接着剤の用途は、以下に説明する構造の半導体装置に限定されるものではない。
図５には一般的な構造の半導体装置が示されている。図５において、半導体素子１０ａは本発明のフィルム状接着剤１１ａを介して半導体素子支持部材１２に接着され、半導体素子１０ａの接続端子（図示せず）はワイヤ１３を介して外部接続端子（図示せず）と電気的に接続され、封止材１４によって封止されている。
また、図６には半導体素子同士を接着した構造を有する半導体装置の一例が示されている。図６において、一段目の半導体素子１０ａは本発明のフィルム状接着剤１１ａを介して半導体素子支持部材１２に接着され、一段目の半導体素子１０ａの上に更に本発明のフィルム状接着剤１１ｂを介して二段目の半導体素子１０ｂが接着されている。一段目の半導体素子１０ａ及び二段目の半導体素子１０ｂの接続端子（図示せず）は、ワイヤ１３を介して外部接続端子（図示せず）と電気的に接続され、封止材（図示せず）によって封止されている。このように、本発明のフィルム状接着剤は、半導体素子を複数重ねる構造の半導体装置にも好適に使用できる。
【００７６】
尚、前記構造を備える半導体装置（半導体パッケージ）は、半導体素子と支持部材との間に本発明のフィルム状接着剤を挾み、加熱圧着して両者を接着させ、その後ワイヤボンディング工程、必要に応じて封止材による封止工程等の工程を経ることにより得られる。前記加熱圧着工程における加熱温度は、通常、４０〜２５０℃、０．１〜３００秒間である。
【００７７】
本発明のフィルム状接着剤は、図７に示すように、接着剤層１５のみからなる単層のフィルム状接着剤であることが好ましいが、図８に示すように基材フィルム１６の両面に接着剤層１５を設けてなる構造でもよい。尚、接着剤層の損傷・汚染を防ぐために適宜接着剤層にカバーフィルムを設けることなどもできる。即ち、図９に示されるように基材フィルム１７の上に接着剤層１８を設け、さらにカバーフィルム１９を設ける構造を有するフィルム状接着剤としてもよい。
【００７８】
本発明のフィルム状接着剤は、半導体素子等の電子部品とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持部材の接着材料として、低温ラミネート性及びダイシング後のピックアップ性に優れると共に、良好な熱時接着力及び実装時の高温半田付けの熱履歴に対して優れた信頼性を有し、鉛フリーに対応した半導体パッケージのダイボンド材として好適に使用できる。また、本発明の接着剤組成物又はフィルム状接着剤を用いて半導体素子と支持部材とを接着した構造を含有してなる半導体装置は信頼性に優れる。
【００７９】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は、これらに限定されるものではない。
（実施例１〜３、比較例１〜４）
下記ポリイミドＡ〜Ｅを熱可塑性樹脂として用い、表１及び表２の配合表に示す通り、フィルム塗工ワニスを調合した。
＜ポリイミドＡ＞
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた３００ｍｌフラスコに、１，１２−ジアミノドデカン２．７１ｇ（０．０４５モル）、ポリエーテルジアミン（ＢＡＳＦ製、ポリエーテルジアミン２０００（分子量：１９２３））５．７７ｇ（０．０１モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学製、ＬＰ−７１００）３．３５ｇ（０．０４５モル）及びＮ−メチル−２−ピロリドン１１３ｇを仕込み攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、無水酢酸を用いて再結晶精製した４，４´−（４，４´−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）１５．６２ｇ（０．１モル）を少量ずつ添加した。室温で８時間反応させたのち、キシレン７５．５ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し、ポリイミド溶液を得た（Ｔｇ：５３℃，重量平均分子量：５８０００）。
＜ポリイミドＢ＞
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた３００ｍｌフラスコに、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン１３．６７ｇ（０．１０モル）、及びＮ−メチル−２−ピロリドン１２４ｇを仕込み攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリメリテート二無水物１７．４０ｇ（０．１０モル）を少量ずつ添加した。室温で８時間反応させたのち、キシレン８３ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し、ポリイミド溶液を得た（Ｔｇ：１２０℃，重量平均分子量：１２１０００）。
＜ポリイミドＣ＞
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた３００ｍｌフラスコに、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン６．８３ｇ（０．０５モル）、４，９−ジオキサデカン−１，１２−ジアミン３．４０ｇ（０．０５モル）、及びＮ−メチル−２−ピロリドン１１０．５ｇを仕込み攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリメリテート二無水物１７．４０ｇ（０．１０モル）を少量ずつ添加した。室温で８時間反応させたのち、キシレン７４ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し、ポリイミド溶液を得た（Ｔｇ：７３℃，重量平均分子量：８４３００）。
＜ポリイミドＤ＞
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた３００ｍｌフラスコに、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン２．７３ｇ（０．０２モル）、ポリシロキサンジアミン（信越シリコーン製ＫＦ−８０１０，分子量：９００２４．００ｇ（０．０８モル）、及びＮ−メチル−２−ピロリドン１７６．５ｇを仕込み攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリメリテート二無水物１７．４０ｇ（０．１０モル）を少量ずつ添加した。室温で８時間反応させたのち、キシレン１１７．７ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し、ポリイミド溶液を得た（Ｔｇ：４０℃，重量平均分子量：１９７００）。
＜ポリイミドＥ＞
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた３００ｍｌフラスコに、１，１２−ジアミノドデカン５．４１ｇ（０．０４５モル）、エーテルジアミン（ＢＡＳＦ製、エーテルジアミン２０００（分子量：１９２３））１１．５４ｇ（０．０１モル）、ポリシロキサンジアミン（信越シリコーン製、ＫＦ−８０１０（分子量：９００））２４．３ｇ（０．０４５モル）及びＮ−メチル−２−ピロリドン１６９ｇを仕込み攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）３１．２３ｇ（０．１モル）を少量ずつ添加した。室温で８時間反応させたのち、キシレン１１２．７ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し、ポリイミド溶液を得た（Ｔｇ：２５℃，重量平均分子量：３５０００）。
【００８０】
なお、表１において、種々の記号は下記のものを意味する。
ＥＳＣＮ−１９５：住友化学、クレゾールノボラック型固体状エポキシ樹脂（エポキシ当量２００、分子量：７７８）、
ＢＥＯ−６０Ｅ：新日本理化学、エチレンオキシド６モル付加体ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：３７３、分子量：７４６）、
ＸＢ−４１２２：旭チバ、アルキレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：３３６、分子量：６７２）、
Ｎ−７３０：大日本インキ化学、フェノールノボラック型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：１７５、分子量：６００〜８００）、
ＥＸＡ８３０ＣＲＰ：大日本化学、ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：１６０、分子量：３２０）、
Ｈ−１：明和化成、フェノールノボラック（ＯＨ当量：１０６、分子量：６５３）、
ＮＨ−７０００：日本化薬、ナフトールノボラック（ＯＨ当量：１７５、分子量：４２０）、
ＴｒｉｓＰ−ＰＡ：本州化学、トリスフェノールノボラック（ＯＨ当量：１４１、分子量：４２４）、
ＸＬ−２２５、三井東圧化学、キシリレン変性フェノールノボラック（ＯＨ当量：１７５、分子量：９７６）、
ＴＰＰＫ：東京化成、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート、
２ＰＺ−ＣＮ：四国化成工業、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、
ＮＭＰ：関東化学、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
ＨＰ−Ｐ１：水島合金鉄、窒化ホウ素（平均粒子径：１．０μｍ、最大粒子径：５．１μｍ）、
Ｅ−０３：東海ミネラル、シリカ（平均粒子径：４．０μｍ、最大粒子径：１１．４μｍ）、
ＳＥ−１：トクヤマ、シリカ（平均粒子径：０．８μｍ、最大粒子径：３．１μｍ）、
【表１】

【表２】

このワニスを４０μｍの厚さに、基材（剥離剤処理ＰＥＴ）上に塗布し、オーブン中で８０℃３０分、続いて１５０℃３０分加熱し、その後、室温で基材から剥がして、フィルム状接着剤を得た。比較例４のみ室温でタック性が認められた他は、いずれも自己支持性をもつフィルムであった。
実施例１〜３、及び比較例１〜４のフィルム状接着剤の特性評価結果を表３、表４に示す。
【表３】

【表４】

【００８１】
＜残存揮発分＞
５０ｍｍ×５０ｍｍ×４０μｍ厚サイズのフィルム状接着剤（未硬化フィルム）をサンプルとし、サンプルの重量をＭ１とし、サンプルをオーブン中で２６０℃２ｈ加熱後、秤量してＭ２とし、［（Ｍ２−Ｍ１）／Ｍ１］×１００＝残存揮発分（ｗｔ％）として、残存揮発分を算出した。
＜フロー量＞
１０ｍｍ×１０ｍｍ×４０μｍ厚サイズのフィルム状接着剤（未硬化フィルム）をサンプルとし、前記サンプルの上に１０ｍｍ×１０ｍｍ×５０μｍ厚サイズのユーピレックスフィルムを重ね合わせ、２枚のスライドグラス（ＭＡＴＳＵＮＡＭＩ製、７６ｍｍ×２６ｍｍ×１．０〜１．２ｍｍ厚）の間に挟み、１８０℃の熱盤上で１００ｋｇｆ／ｃｍ^２の荷重をかけ、１２０ｓｅｃ加熱圧着した後の上記ユーピレックスフィルムからのはみ出し量を、目盛り付き光学顕微鏡で観測したときの最大値をフロー量とした。
＜吸水率＞
２０ｍｍ×２０ｍｍ×４０μｍ厚サイズのフィルム状接着剤（１８０℃５ｈの条件で加熱硬化したフィルム）をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、１２０℃３ｈ乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥重量をＭ１とし、乾燥後のサンプルをイオン交換水に室温で２４時間浸漬してから取り出し、サンプル表面をろ紙でふきとり、すばやく秤量して、Ｍ２とする。
［（Ｍ２−Ｍ１）／Ｍ１］×１００＝吸水率（ｗｔ％）として、吸水率を算出した。
＜２６０℃貯蔵弾性率及びｔａｎδピーク温度＞
１８０℃５ｈの条件で加熱硬化したフィルム状接着剤について、レオメトリックス製粘弾性アナライザーＲＳＡ−２を用いて、フィルムサイズ３５ｍｍ×１０ｍｍ×４０μｍ厚、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚ、測定温度−１００〜３００℃の条件で測定し、２６０℃における貯蔵弾性率、及びＴｇ付近のｔａｎδピーク温度を見積もった。
＜ピール剥離力＞
ウェハに対するピール剥離力：調製後の４０μｍ厚のフィルム状接着剤（未硬化フィルム）１をシリコンウェハ３の裏面に、図２に示されるロール２と、支持台４とを有する装置を用いてラミネートした。その際、装置のロール温度：８０℃、線圧：４ｋｇｆ／ｃｍ、送り速度：０．５ｍ／ｍｉｎの条件で、５ｉｎｃｈ、３００μｍ厚のシリコンウェハ３の裏面に上記フィルム状接着剤１をラミネートした。その後、図３に示す方法でフィルム状接着剤１（１ｃｍ幅）を９０°方向に引き剥がしたときのピール剥離力を、ウェハに対するピール剥離力とした（測定速度：１００ｍｍ／ｍｉｎ）。
放射線硬化型粘接着剤層のフィルム状接着剤に対するピール剥離力：上記ウェハ付きフィルム状接着剤１のウェハに対向する面の他面に、さらに放射線硬化型粘接着剤層としてのＵＶ型ダイシングテープ５をラミネートした。ラミネート条件は、装置のロール温度を室温（２５℃）としたことを除いて上記のフィルム状接着剤のラミネート条件と同様とした。その後、（株）オーク製作所製ＵＶ−３３０ ＨＱＰ−２型露光機を用い、波長３００〜４５０ｎｍ（ランプの電力：３ｋＷ、照度：１５ｍＷ／ｃｍ^２）、露光量５００ｍＪ／ｃｍ^２の条件で図４中矢印で示される方向から上記ダイシングテープに放射線を照射した。次に、図４に示す方法でダイシングテープ（１ｃｍ幅）を９０°方向に引き剥がしたときのピール剥離力を、放射線硬化型粘接着剤層のフィルム状接着剤に対するピール剥離力とした（測定速度：１００ｍｍ／ｍｉｎ）。
＜ダイシング時のチップ飛び及びピックアップ性＞
上記の条件で、５ｉｎｎｃｈ、４００μｍ厚のシリコンウェハ裏面にフィルム状接着剤をラミネートし（ラミネート温度：８０℃）、続いて上記のダイシングテープを上記と同様の条件でラミネートし、その後、ダイサーを用いて、ダイシング速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数３００００ｒｐｍの条件で、５ｍｍ×５ｍｍサイズにダイシングしたときのチップ飛びの有無を観測し、前記チップ飛びが１０％以下のときをチップ飛びなしとした。尚、ウェハ端部のチップ切り出し残部の飛びは評価の対象外とした。
次に、上記チップ飛びなしのサンプルについて、ダイシングテープ側を上記と同様の条件で露光した後、個々のチップについてピンセットでピックアップしたときのダイシングテープとフィルム状接着剤間の剥離性が良好、すなわちピックアップ可能なチップが９０％以上であることをピックアップ性の基準とした。
＜耐発泡性＞
表面に厚さ１５μｍのソルダーレジスト層が付いた厚さ０．１ｍｍの有機基板に５ｍｍ×５ｍｍ×０．５５ｍｍ厚のガラスチップを５ｍｍ×５ｍｍ×４０μｍ厚のフィルム状接着剤でフィルムのＴｇ＋１００℃×５００ｇｆ／ｃｈｉｐ×３ｓｅｃの条件でダイボンディングした後、１８０℃×５ｋｇｆ／ｃｈｉｐ×９０ｓｅｃの条件で加熱圧着し、前記フィルム状接着剤を１８０℃５ｈの条件で加熱硬化したのち、８５℃８５％ＲＨの条件で１５時間吸湿処理した後、２６０℃の熱盤上で３０秒加熱したときのサンプルを、光学顕微鏡（×２０倍）で目視で観測したとき、発泡がフィルム全体の１０％以下であることを、耐発泡性の基準とした。
＜せん断接着強度＞
上記と同様の有機基板に３．２ｍｍ×３．２ｍｍ×０．４ｍｍ厚のシリコンチップを３．２ｍｍ×３．２ｍｍ×４０μｍ厚のフィルム状接着剤でフィルムのｔａｎδピーク温度＋１００℃×５００ｇｆ／ｃｈｉｐ×３ｓｅｃの条件でダイボンディングした後、１８０℃×５ｋｇｆ／ｃｈｉｐ×９０ｓｅｃの条件で加熱圧着し、前記フィルム状接着剤を１８０℃５ｈの条件で加熱硬化したのち、８５℃６０％ＲＨの条件で１６８時間吸湿処理した後、２６０℃の熱盤上で３０秒加熱した後、Ｄａｇｅ製ＢＴ２４００を用い、測定速度：５００μｍ／ｓｅｃ、測定ギャップ：５０μｍの条件でせん断接着強度を測定した。
＜耐リフロー性＞
表面に厚さ１５μｍのソルダーレジスト層が付いた、銅配線（配線高さ１２μｍ）付きの厚さ０．１ｍｍの有機基板に、６．５ｍｍ×６．５ｍｍ×２８０μｍ厚のシリコンチップを６．５ｍｍ×６．５ｍｍ×４０μｍ厚のフィルム状接着剤で、フィルムのｔａｎδピーク温度＋１００℃×５００ｇｆ／ｃｈｉｐ×３ｓｅｃの条件でダイボンディングした後、１７０℃３ｍｉｎの条件でワイヤボンディング相当の熱履歴をかけ、その後、トランスファモールドを行い（金型温度：１８０℃、キュアタイム：２ｍｉｎ）、封止材をオーブン中で１８０℃５ｈの条件で加熱硬化して半導体パッケージを得た（ＣＳＰ９６ｐｉｎ、封止領域：１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚み：０．８ｍｍ）。このパッケージを恒温恒湿器中で３０℃６０％ＲＨ１９２ｈ吸湿処理した後、ＴＡＭＵＲＡ製ＩＲリフロー装置（パッケージ表面ピーク温度：２６５℃、温度プロファイル：パッケージ表面温度を基準にし、ＪＥＤＥＣ規格に沿って調整）に３回繰り返し投入し、日立製作所製超音波探査映像装置ＨＹＥ−ＦＯＵＣＵＳを用いて、ダイボンディング層の剥離、及び破壊の有無を調べた。その後、パッケージの中心部を切断し、切断面を研磨した後、オリンパス製金属顕微鏡を用いて、パッケージの断面を観察し、ダイボンディング層の剥離、及び破壊の有無を調べた。これらの剥離、及び破壊が認められないことを耐リフロー性の評価基準とした。
＜耐湿信頼性＞
耐湿性評価は、上記パッケージを温度１２１℃、湿度１００％、２．０３×１０^５Ｐａの雰囲気（プレッシャークッカ−テスト：ＰＣＴ処理）で７２時間処理後に、上記の方法で剥離を観察することにより行った。剥離の認められなかったものを○とし、剥離のあったものを×とした。
表４及び表５から、本発明のフィルム状接着剤は、極薄ウェハの保護テープ、又は貼り合わせるダイシングテープの軟化温度よりも低い温度でウェハ裏面にラミネートでき、かつウェハの反り等の熱応力を低減でき、ダイシング時のチップ飛びも無く、ピックアップ性も良好であり、半導体装置の製造工程を簡略化でき、さらに耐熱性及び耐湿信頼性に優れるものであることが分かった。
【００８２】
【発明の効果】
本発明のフィルム状接着剤は、極薄ウェハの保護テープ、又は貼り合わせるダイシングテープの軟化温度よりも低い温度でウェハ裏面にラミネートできる。また、本発明のフィルム状接着剤は、ウェハの反り等の熱応力を低減でき、ダイシング時のチップ飛びもなく、ピックアップ性も良好であることから、半導体装置の製造工程を簡略化できる。さらに本発明のフィルム状接着剤は、耐熱性及び耐湿信頼性に優れるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関わるラミネート方法の一例を示す図である。
【図２】本発明に関わるラミネート方法の一例を示す図である。
【図３】シリコンウェハに対する９０°ピール剥離力の測定に関する一例を示す図である。
【図４】ダイシングテープに対する９０°ピール剥離力の測定に関する一例を示す図である。
【図５】一般的な構造を有する半導体装置の一例を示す図である。
【図６】半導体素子同士を接着した構造を有する半導体装置の一例を示す図である。
【図７】接着剤層１５のみからなる単層のフィルム状接着剤の断面図である。
【図８】基材フィルム１６の両面に接着剤層１５を設けてなるフィルム状接着剤の断面図である。
【図９】基材フィルム１７と接着剤層１８とカバーフィルム１９とを備えるフィルム状接着剤の断面図である。

Claims (24)

1. （Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂を含有してなるフィルム状接着剤であって、
   前記（Ｂ）エポキシ樹脂は（Ｂ１）３官能以上のエポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％、かつ（Ｂ２）液状エポキシ樹脂が全エポキシ樹脂の１０〜９０重量％を含有してなるフィルム状接着剤。
2. ｔａｎδピーク温度が２０〜６５℃、かつフロー量が２００〜１５００μｍである請求項１記載のフィルム状接着剤。
3. さらに（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤を含有してなる請求項１又は２記載のフィルム状接着剤。
4. さらに（Ｄ）フィラーを含有してなる請求項１〜３のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
5. 前記（Ｄ）フィラーは絶縁性のフィラーである請求項４記載のフィルム状接着剤。
6. 前記（Ｄ）フィラーの平均粒子径が１０μｍ以下、最大粒子径が２５μｍ以下である請求項４又は５記載のフィルム状接着剤。
7. 上記（Ａ）熱可塑性樹脂は、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、フェノキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一つ以上の樹脂である請求項１〜６のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
8. 前記（Ａ）熱可塑性樹脂が、テトラカルボン酸二無水物と下記式（Ｉ）
   

   

   （式中、Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３は各々独立に炭素数１〜１０のアルキレン基を示しｍは２〜８０の整数を示す）
   で表される脂肪族エーテルジアミンが全ジアミンの１〜５０モル％、下記一般式（ＩＩ）
   

   

   （式中、ｎは５〜２０の整数を示す）
   で表される脂肪族ジアミンが全ジアミンの２０〜８０モル％、及び下記一般式（ＩＩＩ）
   

   

   （式中、Ｑ^４及びＱ^９は各々独立に炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、Ｑ^５、Ｑ^６、Ｑ^７、及びＱ^８は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、ｐは１〜５の整数を示す）
   で表されるシロキサンジアミンが全ジアミンの２０〜８０モル％を含むジアミンとを反応させて得られるポリイミド樹脂である請求項１〜７のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
9. 前記（Ａ）熱可塑性樹脂が、下記一般式（ＩＶ）
   

   

   で表されるテトラカルボン酸二無水物の含量が全テトラカルボン酸二無水物の４０モル％以上であるテトラカルボン酸二無水物と、ジアミンとを反応させて得られるポリイミド樹脂である請求項１〜８のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
10. 前記（Ｂ２）液状エポキシ樹脂が、数平均分子量４００〜１５００の２官能エポキシ樹脂である請求項１〜９のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
11. 前記２官能エポキシ樹脂が、下記一般式（ＶＩＩＩ）
    

    

    （式中、Ｑ^１３及びＱ^１６は各々独立に炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基又はフェノキシ基を示し、Ｑ^１４及びＱ^１５は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基又は水素を示し、ｔは１〜１０の整数を示す）
    で表されるビスフェノール型エポキシ樹脂である請求項１０記載のフィルム状接着剤。
12. 前記（Ｂ１）３官能以上のエポキシ樹脂が、下記一般式（ＶＩＩ）
    

    

    （式中、Ｑ^１０、Ｑ^１１及びＱ^１２は各々独立に水素又は炭素数１〜５のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、ｒは１〜２０の整数を示す）で表されるノボラック型エポキシ樹脂である請求項１〜１１のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
13. 前記（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤は、分子中に水酸基を２個以上有し、数平均分子量が４００〜１５００であるフェノール系化合物である請求項３〜１２のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
14. 前記（Ｃ）エポキシ樹脂硬化剤は、分子内に芳香環を３個以上有するナフトール系化合物、又は、トリスフェノール系化合物である請求項３〜１２のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
15. 前記フィルム状接着剤塗工用のワニス溶剤が含窒素化合物である請求項１〜１４のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
16. シリコンウェハに８０℃でラミネートした段階で、前記シリコンウェハに対する２５℃での９０°ピール剥離力が５Ｎ／ｍ以上である請求項１〜１５のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
17. 有機レジスト材が表面に設けられた有機基板上に、前記フィルム状接着剤を介してチップをダイボンディングして得られたフィルム状接着剤付き有機基板が、以下の要件：
    （１） 前記フィルム状接着剤付き有機基板を加熱硬化したのち、８５℃８５％相対湿度の条件で１５時間吸湿処理した後、２６０℃の熱盤上で３０秒加熱したときに発泡の発生が認められない；
    （２） 前記フィルム状接着剤付き有機基板を加熱硬化したのち、８５℃６０％相対湿度の条件で１６８時間吸湿処理した後、２６０℃の熱盤上で３０秒加熱した後のせん断接着強度が５Ｎ／ｃｈｉｐ以上である；
    の少なくとも１つを満たす請求項１〜１６のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
18. 熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを少なくとも含有するダイボンディングフィルムに用いられるフィルム状接着剤であって、
    前記フィルム状接着剤の残存揮発分をＶ（重量％）、加熱硬化後の吸水率をＭ（重量％）、フロー量をＦ（μｍ）、加熱硬化後の２６０℃における貯蔵弾性率をＥ（ＭＰａ）としたとき、以下の（１）〜（４）で示される条件：
    （１）Ｖ≦１０．６５×Ｅ、
    （２）Ｍ≦０．２２×Ｅ、
    （３）Ｖ≦―０．００４３Ｆ＋１１．３５、
    （４）Ｍ≦―０．０００２Ｆ＋０．６、
    の少なくとも１つを満たすフィルム状接着剤。
19. 半導体素子と半導体搭載用支持部材とを貼り合せるためのダイボンディング用接着材料である請求項１〜１８のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤。
20. 前記半導体搭載用支持部材が有機レジスト層を具備してなる有機基板である請求項１９に記載のフィルム状接着剤。
21. 基材層、粘接着剤層、及び請求項１〜２０のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤層とがこの順に形成されてなる接着シート。
22. 上記粘接着剤層が、放射線硬化型粘接着剤層である請求項２１に記載の接着シート。
23. シリコンウェハに８０℃でラミネートした段階で、上記シリコンウェハに対するフィルム状接着剤の２５℃での９０°ピール剥離力をＡ、露光量５００ｍＪ／ｃｍ^２の条件でＵＶ照射した後の前記放射線硬化型粘接着剤層のフィルム状接着剤層に対する２５℃での９０°ピール剥離力をＢとしたとき、Ａ−Ｂの値が１Ｎ／ｍ以上である請求項２２に記載の接着シート。
24. 請求項１〜２０のいずれか１項に記載のフィルム状接着剤を介して、
    （１）半導体素子と半導体搭載用支持部材、及び
    （２）半導体素子同士、
    の少なくとも１つが接着された構造を有してなる半導体装置。

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