WO2020129917A1 - 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート並びに半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020129917A1
WO2020129917A1 PCT/JP2019/049245 JP2019049245W WO2020129917A1 WO 2020129917 A1 WO2020129917 A1 WO 2020129917A1 JP 2019049245 W JP2019049245 W JP 2019049245W WO 2020129917 A1 WO2020129917 A1 WO 2020129917A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
temporary fixing
resin
resin composition
semiconductor wafer
film
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/049245
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
省吾 祖父江
恭之 大山
雄志 山口
Original Assignee
日立化成株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立化成株式会社 filed Critical 日立化成株式会社
Priority to KR1020217019359A priority Critical patent/KR20210104065A/ko
Priority to CN201980083555.8A priority patent/CN113195668B/zh
Priority to US17/414,954 priority patent/US20220059388A1/en
Priority to JP2020561420A priority patent/JP7342886B2/ja
Publication of WO2020129917A1 publication Critical patent/WO2020129917A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1804—C4-(meth)acrylate, e.g. butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate or tert-butyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • C09D163/04—Epoxynovolacs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
    • C09J133/068—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing glycidyl groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J161/00—Adhesives based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J161/00—Adhesives based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J161/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C09J163/04—Epoxynovolacs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Definitions

  • the present invention relates to a temporary fixing resin composition, a temporary fixing resin film and a temporary fixing sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • stacked MCP Multi Chip Package
  • a film adhesive is widely used as an adhesive for die bonding in mounting a semiconductor element.
  • the operation speed of electronic devices tends to be slow because the data processing speed is limited.
  • power saving is also being demanded. From such a viewpoint, in recent years, an electronic device device having a new structure in which semiconductor elements are connected to each other by a through electrode instead of a wire bond has been developed for the purpose of further speeding up and power saving.
  • BG tape back grinding tape
  • the semiconductor wafer used in the grinding step has a circuit formed on the front surface side, and due to the influence thereof, when thinned by grinding, warpage is likely to occur. Since the BG tape is a deformable tape material, it cannot sufficiently support a thinned semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is likely to warp.
  • peeling method examples include a method of dissolving the pressure-sensitive adhesive with a solvent, a method of reducing the pressure-sensitive adhesiveness by heating, and a method of modifying or eliminating the pressure-sensitive adhesive by laser irradiation (Patent Documents 1 and 2).
  • the productivity tends to decrease.
  • the method of lowering the adhesiveness by heating is not applicable from the viewpoint of heat resistance to the application of the process for forming the through electrode and the like, while the influence on the semiconductor element by heating is concerned.
  • the method of modifying or eliminating the adhesive by laser irradiation it is indispensable to introduce expensive laser equipment, and considerable investment is indispensable to apply such a process.
  • the electronic parts to be processed are not limited to those with high smoothness, and there is an increasing trend in the case where a wafer with a solder ball on the circuit surface and an uneven surface of more than 80 ⁇ m is the processing target.
  • a component having such large irregularities is the object to be processed, if the adhesive is sufficiently embedded in the irregularities, it becomes difficult to peel the adhesive from the surface having irregularities.
  • the adhesive strength of the solder balls is insufficient, there is a concern that the solder balls may be missing when the adhesive is peeled off.
  • shelf life storage stability under a normal use environment of a clean room (UV cut, 25° C.) (may be referred to as “shelf life”) It is also important. Since an excellent step embedding property is required, if the shelf life is insufficient, insufficient embedding occurs, which greatly affects productivity and is not preferable.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a temporary fixing resin composition that can favorably process electronic components. Another object of the present invention is to provide a temporary fixing resin film and a temporary fixing sheet using the above temporary fixing resin composition, and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • the resin composition for temporary fixing comprises a temporary fixing step of temporarily fixing a semiconductor wafer to a support through a temporary fixing material, a processing step of processing the semiconductor wafer temporarily fixed to the support, and a post-processing step.
  • a temporary fixing step of temporarily fixing a semiconductor wafer to a support through a temporary fixing material a processing step of processing the semiconductor wafer temporarily fixed to the support, and a post-processing step.
  • the method for processing a semiconductor wafer including a separation step of separating the semiconductor wafer from the temporary fixing material, for forming the temporary fixing material, (A) a thermoplastic resin, (B) a thermosetting resin, (C) a silicone compound, ,
  • the shear viscosity at 120° C. is 4000 Pa ⁇ s or less, and the change rate of the shear viscosity after standing for 7 days in an atmosphere of 25° C. is within 30%.
  • the temporary fixing resin composition of the present invention may further contain (D) a curing accelerator.
  • the shear viscosity at 120° C. of the temporary fixing resin composition is 4000 Pa ⁇ s or less (preferably 100 to 3000 Pa ⁇ s), even if the surface of the semiconductor wafer to be processed has irregularities, the step embedding property and Both of the peelability after processing can be made sufficiently high. As a result, according to the present invention, the semiconductor wafer can be satisfactorily processed, and as a result, electronic components can be manufactured with high productivity.
  • thermosetting resin in the temporary fixing resin composition is, for example, 10 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) thermoplastic resin from the viewpoint of film formability.
  • the thermosetting resin (B) may include at least one of an epoxy resin and a phenol resin.
  • the thermoplastic resin is, for example, a reactive group-containing (meth)acrylic copolymer containing a reactive group-containing (meth)acrylic monomer as a copolymerization component.
  • a reactive group-containing (meth)acrylic copolymer an epoxy group-containing (meth)containing (meth)acrylic monomer having an epoxy group is contained in an amount of 1.0 to 10% by mass based on the total amount of the copolymerization components.
  • Acrylic copolymers may be mentioned.
  • an organic group-modified silicone can be adopted from the viewpoint of compatibility with the resin component.
  • the present invention provides a temporary fixing resin film having a single-layer or multi-layer structure and including at least one layer comprising the temporary fixing resin composition (hereinafter, sometimes referred to as “temporary fixing resin layer”). ..
  • temporary fixing resin layer By preliminarily forming the temporary fixing resin composition in the form of a film having a sufficiently uniform thickness, it is possible to sufficiently suppress the variation in thickness that can occur in the processed semiconductor wafer, and to efficiently form the semiconductor wafer. It can be processed.
  • the temporary fixing resin film of the present invention may have two temporary fixing resin layers. Since the temporary fixing resin film has a two-layer structure, there is an advantage that the step embedding property and the peeling property after processing can be more highly compatible.
  • one temporary fixing resin layer may be in direct contact with another temporary fixing resin layer.
  • the two layers may be integrated to have a single-layer structure, or an interface may exist between the two layers to maintain the two-layer structure.
  • these temporary fixing resin films are interposed between the support and the semiconductor wafer and can be used for temporarily fixing the semiconductor wafer to the support.
  • the present invention provides a temporary fixing sheet including the temporary fixing resin film and a support film provided on at least one surface of the temporary fixing resin film. It is preferable that the surface of the support film that is in contact with the temporary fixing resin film has releasability.
  • the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device using the temporary fixing resin composition.
  • the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a temporary fixing step of temporarily fixing a semiconductor wafer to a support through a temporary fixing material made of a resin composition for temporary fixing, and a temporary fixing to the support. And a separating step of separating the processed semiconductor wafer from the temporary fixing material.
  • a temporary fixing resin composition that can favorably process an electronic component. Further, according to the present invention, it is possible to provide a temporary fixing resin film and a temporary fixing sheet using the above temporary fixing resin composition, and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • FIG. 1(A) is a top view showing an embodiment of the temporary fixing sheet
  • FIG. 1(B) is a schematic cross-sectional view taken along the line II of FIG. 1(A).
  • FIG. 2(A) is a top view showing an embodiment of a temporary fixing sheet having two temporary fixing resin layers
  • FIG. 2(B) is taken along line II-II of FIG. 2(A).
  • FIG. 3(A) is a top view showing another embodiment of the temporary fixing sheet according to the present invention
  • FIG. 3(B) is a schematic cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 3(A).
  • FIG. 4(A) is a top view showing another embodiment of the temporary fixing sheet according to the present invention
  • FIG. 4(B) is a schematic cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 4(A).
  • .. 5(A) to 5(C) are schematic cross-sectional views for explaining one embodiment of a method for processing a semiconductor wafer
  • FIG. 5(D) is an upper surface showing the back surface of the processed semiconductor wafer.
  • FIG. 6A to 6D are schematic cross-sectional views for explaining an embodiment of a method for processing a semiconductor wafer.
  • FIG. 7(A) is a cross-sectional view schematically showing an example of a semiconductor element manufactured by the processing method according to the present invention
  • FIG. 7(B) is an example of an electronic device apparatus in which a plurality of semiconductor elements are stacked. It is a sectional view showing typically.
  • the temporary fixing material resin composition contains (A) a thermoplastic resin, (B) a thermosetting resin, and (C) a silicone compound, and has a shear viscosity at 120° C. of 4000 Pa ⁇ s or less. And the change rate of the shear viscosity after standing for 7 days in an atmosphere of 25° C. is within 30%.
  • this temporary fixing material resin composition as a temporary fixing material (temporary fixing resin layer)
  • a semiconductor wafer can be favorably processed, and thus an electronic component can be manufactured with high productivity. ..
  • the shear viscosity of the temporary fixing resin composition at 120° C. is 4000 Pa ⁇ s or less, preferably 100 to 3000 Pa ⁇ s, and 300 to 2500 Pa ⁇ s or 500 to 2000 Pa ⁇ s. It may be.
  • the shear viscosity of the resin composition for temporary fixing at 120° C. is 4000 Pa ⁇ s or less, excellent step embedding property can be achieved even if the surface of the semiconductor wafer to be processed has irregularities, and also for temporary fixing. It is also possible to achieve excellent releasability from the surface having irregularities after the irregularity is embedded in the layer made of the resin composition.
  • the shear viscosity at 120° C. of the temporary fixing resin composition is 100 Pa ⁇ s or more, the state of the film can be maintained during heating after the processing of the semiconductor wafer.
  • the rate of change in the shear viscosity after leaving the temporary fixing material resin composition in an atmosphere of 25° C. for 7 days is within 30%, preferably within the range of 0 to 25%, and within the range of 0 to 20 as described above. % Or 0 to 15%. When the rate of change is within 30%, the temporary fixing material resin composition has excellent storage stability, which makes it possible to manufacture electronic components with high productivity.
  • the “shear viscosity at 120° C. before standing in an atmosphere of 25° C. for 7 days” is preferably measured using a temporary fixing material resin composition that is not exposed to the external environment as a sample, for example, after preparation. Alternatively, it is preferable to measure the sample within 5 hours after opening. Further, the relative humidity of the environment left for 7 days may be about 55%.
  • the shear viscosity of the resin composition for temporary fixing material before and after standing for 7 days was 20° C./minute while applying 5% strain to the resin film for temporary fixing, using ARES (manufactured by Rheometric Scientific). It means the measured value when the measurement is performed while raising the temperature at the heating rate.
  • the storage elastic modulus of the temporary fixing material resin composition after curing is preferably 20 MPa or more at 25° C., and more preferably 50 MPa or more. If the storage elastic modulus is 20 MPa or more, there is a tendency that the electronic component and the support can be sufficiently fixed when the electronic component is thinned.
  • the upper limit value of this storage elastic modulus is, for example, 6000 MPa or less.
  • the storage elastic modulus of the temporary fixing material resin composition after curing is measured by using a dynamic viscoelasticity measuring device (manufactured by UBM Co., Ltd.) while increasing the temperature at a heating rate of 3° C./min. means.
  • thermoplastic resin (A) any resin can be used without particular limitation as long as it is a resin having thermoplasticity before the film is laminated on the electronic component or the support.
  • the thermoplastic resin may be a resin that forms a crosslinked structure by heating or the like.
  • thermoplastic resin a polymer having a crosslinkable functional group
  • examples of the polymer having a crosslinkable functional group include a thermoplastic polyimide resin, a (meth)acrylic copolymer having a crosslinkable functional group, a urethane resin polyphenylene ether resin, a polyetherimide resin, a phenoxy resin, and a modified polyphenylene ether resin.
  • a (meth)acrylic copolymer having a crosslinkable functional group is preferable.
  • the above resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the (meth)acrylic copolymer having a crosslinkable functional group one obtained by a polymerization method such as pearl polymerization or solution polymerization may be used, or a commercially available product may be used.
  • the polymer having a crosslinkable functional group may have a crosslinkable functional group in the polymer chain or at the polymer chain terminal.
  • Specific examples of the crosslinkable functional group include an epoxy group, an alcoholic hydroxyl group, a phenolic hydroxyl group, and a carboxyl group.
  • a carboxyl group is preferable.
  • Carboxyl groups can be introduced into the polymer chain by using acrylic acid.
  • the glass transition temperature (hereinafter sometimes referred to as “Tg”) of the thermoplastic resin (A) is preferably ⁇ 50° C. to 50° C., and more preferably ⁇ 40° C. to 20° C.
  • Tg is in such a range, it is possible to obtain sufficient fluidity while suppressing deterioration of handleability due to excessively high tack force, and further to lower the elastic modulus after curing. Therefore, it is possible to further suppress the peel strength from becoming too high.
  • Tg is a midpoint glass transition temperature value when a thermoplastic resin is measured using a differential scanning calorimetry (DSC, for example, “Thermo Plus 2” manufactured by Rigaku Corporation).
  • DSC differential scanning calorimetry
  • the above Tg is the midpoint glass transition calculated by a method in accordance with JIS K 7121:1987 by measuring the change in heat quantity under the conditions of a temperature rising rate of 10°C/min and a measurement temperature of -80 to 80°C. Is the temperature.
  • the weight average molecular weight of the (A) thermoplastic resin is not particularly limited and is preferably 100,000 to 1,200,000, more preferably 200,000 to 1,000,000. When the weight average molecular weight of the thermoplastic resin is within such a range, it becomes easy to secure film-forming property and fluidity.
  • the weight average molecular weight is a polystyrene conversion value using a calibration curve based on standard polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).
  • thermosetting resin (B) examples include epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, phenol resin, thermosetting polyimide resin, polyurethane resin, melamine resin, and urea resin, and these may be used alone. They may be used, or two or more kinds may be used in combination.
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it cures and has a heat resistance effect.
  • a bifunctional epoxy resin such as bisphenol A type epoxy, a novolac type epoxy resin such as phenol novolac type epoxy resin, and a cresol novolac type epoxy resin can be used.
  • the epoxy resin a generally known one such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, a heterocycle-containing epoxy resin, an alicyclic epoxy resin can be applied.
  • jER registered trademark
  • Mitsubishi Chemical Corporation Epicoat 807, Epicoat 815, Epicoat 825, Epicoat 827, Epicoat 828, Epicoat 834, Epicoat 1001, Epicoat 1004, Epicoat 1007, Epicoat 1009, "Epicote” is a registered trademark
  • DER-330, DER-301, DER-361 manufactured by Dow Chemical Co., Ltd. and YD8125, YDF8170 manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation.
  • Examples of the phenol novolac type epoxy resin include Epicoat 152 and Epicoat 154 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., EPPN-201 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., and DEN-438 manufactured by Dow Chemical Co., Ltd.
  • Examples of o-cresol novolac type epoxy resins include EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027 (“EOCN” is a registered trademark) and Nippon Steel by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • Examples include YDCN701, YDCN702, YDCN703, and YDCN704 manufactured by Sumikin Chemical Co., Ltd.
  • the amine type epoxy resin Epicoat 604 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., YH-434 manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., TETRAD-X and TETRAD-C manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.
  • TTRAD is a registered trademark
  • ELM-120 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.
  • heterocycle-containing epoxy resin examples include Araldite PT810 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, ERL4234, ERL4299, ERL4221, ERL4206 manufactured by UCC. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
  • thermosetting resin When using an epoxy resin as the thermosetting resin, it is preferable to use an epoxy resin curing agent together.
  • the epoxy resin curing agent (B) As the epoxy resin curing agent (B), a commonly used known curing agent can be used.
  • the epoxy resin curing agent and the curing agent are collectively referred to as "thermosetting component".
  • the epoxy resin curing agent include amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups such as bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S in one molecule, Examples thereof include phenol resins such as phenol novolac resin, bisphenol A novolac resin, and cresol novolac resin.
  • the epoxy resin curing agent is preferably a phenol resin such as phenol novolac resin, bisphenol A novolac resin, or cresol novolac resin from the viewpoint of excellent resistance to electrolytic corrosion when absorbing moisture.
  • phenolic resins as the epoxy resin curing agent, preferred are, for example, DIC Corporation, trade names: Phenolite LF2882, Phenolite LF2822, Phenolite TD-2090, Phenolite TD-2149, Phenolite VH.
  • Phenolite VH4170 manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., trade name: H-1, Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name: jER Cure MP402FPY, Epicure YL6065, Epicure YLH129B65 and Mitsui Chemicals, Inc., trade name: Milex Examples include XL, Milex XLC, Milex RN, Milex RS, and Milex VR (“Phenolite”, “Epicure”, and “Milex” are registered trademarks).
  • the content of the (B) thermosetting resin in the temporary fixing resin composition is preferably 10 to 500 parts by mass, and more preferably 20 to 300 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the (A) thermoplastic resin.
  • the temporary fixing resin film can have sufficient low-temperature adhesiveness, heat resistance, curability, and peelability.
  • the content of the thermosetting resin (B) is 10 parts by mass or more, the sticking property and the heat resistance are improved, the holding property at the time of back grinding is also improved, and the wafer tends to be hard to break.
  • the content of the (B) thermosetting resin is 500 parts by mass or less, the viscosity before curing is unlikely to be excessively low, the curing can be performed in a relatively short time, and the retention property of the electronic component to the support is high. And the releasability from the support tend to be compatible.
  • the silicone compound (C) can be used without particular limitation as long as it has a polysiloxane structure.
  • silicone modified resin straight silicone oil, non-reactive modified silicone oil, reactive modified silicone oil, etc. may be mentioned.
  • the silicone compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • the temperature is 100° C. or less. Even at a low temperature, peeling can be easily performed without using a solvent.
  • the silicone compound used in this embodiment is a silicone-modified resin
  • silicone-modified resin there is no particular limitation as long as it is a resin modified with silicone.
  • the silicone-modified resin is preferably a silicone-modified alkyd resin. By including the silicone-modified alkyd resin, it becomes possible to more easily peel the temporary fixing resin film from the electronic component without using a solvent.
  • silicone compound used in this embodiment is a modified silicone oil
  • polyether modified silicone alkyl modified silicone
  • epoxy modified silicone are preferable.
  • the silicone as described above can be used without particular limitation as long as it is compatible with the high molecular weight substance.
  • silicone SH3773M, L-7001, SH-550, SH-710 manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd., X-22-163, KF-105, X-22-163B, X manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. -22-163C, BYK-UV3500 manufactured by BYK, and the like.
  • the content of the (C) silicone compound in the temporary fixing resin composition is preferably 0 to 100 parts by mass, and more preferably 0.01 to 80 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the (A) thermoplastic resin.
  • the content of the silicone compound (C) is within the above range, it becomes possible to achieve both a high level of adhesion at the time of processing an electronic component and a high level of releasability after processing.
  • the temporary fixing resin composition may include (D) a curing accelerator.
  • the (D) curing accelerator include imidazoles, dicyandiamide derivatives, dicarboxylic acid dihydrazides, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate, 1,8-diazabicyclo.
  • Examples include [5,4,0]undecene-7-tetraphenylborate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • thermoplastic resin includes a (meth)acrylic copolymer having an epoxy group
  • curing accelerator that accelerates curing of the epoxy group contained in the acrylic copolymer.
  • the content of the (D) curing accelerator in the temporary fixing resin composition is preferably 0.01 to 5.0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) thermoplastic resin.
  • the content of the (C) curing accelerator is 0.01 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the (A) thermoplastic resin, the temporary fixing resin composition is sufficiently contained in the heat history in the manufacturing process of the semiconductor element. Since it can be hardened, the electronic component and the support can be more reliably fixed.
  • the content of the (D) curing accelerator is 5.0 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (A) thermoplastic resin, the melt viscosity of the temporary fixing resin film hardly increases due to heating during the manufacturing process. Therefore, the storage stability of the film tends to be further improved.
  • the temporary fixing resin composition may include a filler (inorganic filler and/or organic filler), a silane coupling agent, and the like as components other than the above components.
  • the inorganic filler examples include metal fillers such as silver powder, gold powder and copper powder; non-metal inorganic fillers such as silica, alumina, boron nitride, titania, glass, iron oxide and ceramics.
  • the inorganic filler can be selected according to the desired function.
  • the metal filler can be added for the purpose of imparting thixotropy to the film.
  • the non-metal inorganic filler can be added for the purpose of imparting low thermal expansion and low hygroscopicity to the film.
  • the inorganic filler one kind may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.
  • the inorganic filler preferably has an organic group on the surface. Since the surface of the inorganic filler is modified by an organic group, it is easy to improve dispersibility in an organic solvent when preparing a resin composition for forming a film, and adhesion and heat resistance of the film. Becomes
  • the inorganic filler having an organic group on the surface can be obtained, for example, by mixing a silane coupling agent represented by the following general formula (B-1) with the inorganic filler and stirring the mixture at a temperature of 30° C. or higher. .. It can be confirmed by UV (ultraviolet) measurement, IR (infrared) measurement, XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) measurement and the like that the surface of the inorganic filler is modified by the organic group.
  • X represents an organic group selected from the group consisting of a phenyl group, a glycidoxy group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a mercapto group, an amino group, a vinyl group, an isocyanate group and a methacryloxy group, and s Represents 0 or an integer of 1 to 10, and R 11 , R 12 and R 13 each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • alkyl group having 1 to 10 carbon atoms examples include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, isopropyl group and isobutyl group.
  • the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferably a methyl group, an ethyl group and a pentyl group from the viewpoint of easy availability.
  • X is preferably an amino group, a glycidoxy group, a mercapto group and an isocyanate group, more preferably a glycidoxy group and a mercapto group.
  • S in the formula (B-1) is preferably 0 to 5 and more preferably 0 to 4 from the viewpoint of suppressing film fluidity at high heat and improving heat resistance.
  • Preferred silane coupling agents include, for example, trimethoxyphenylsilane, dimethyldimethoxyphenylsilane, triethoxyphenylsilane, dimethoxymethylphenylsilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris(2-methoxyethoxy)silane, N- (2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxys
  • 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane are preferable, and trimethoxyphenylsilane and 3-glycidoxy Propyltrimethoxysilane and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane are more preferable.
  • the silane coupling agent may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the coupling agent used is preferably 0.01 to 50 parts by mass, and 0.05 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic filler. Parts to 20 parts by mass is more preferable, and from the viewpoint of improving heat resistance, 0.5 to 10 parts by mass is further preferable.
  • the content of the inorganic filler is preferably 300 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (A) thermoplastic resin, from the viewpoint of improving the handleability of the temporary fixing resin film in the B stage state and improving the low thermal expansion property. , 200 parts by mass or less, more preferably 100 parts by mass or less.
  • the lower limit of the content of the inorganic filler is not particularly limited, and is preferably 5 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin.
  • Examples of the organic filler include carbon, rubber-based filler, silicone-based fine particles, polyamide fine particles, polyimide fine particles, and the like.
  • the content of the organic filler is preferably 300 parts by mass or less, more preferably 200 parts by mass or less, and further preferably 100 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin (A).
  • the lower limit of the content of the organic filler is not particularly limited, and is preferably 5 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the thermoplastic resin.
  • the temporary fixing resin composition according to the present embodiment is a temporary fixing resin film, since it is a film-like pressure-sensitive adhesive, it is easier to control the film thickness, and the thickness between individual electronic components is increased. Variation can be reduced.
  • the temporary fixing resin film according to the present embodiment can be attached to an electronic component or a support by a simple method such as laminating, and is excellent in workability.
  • the thickness of the temporary fixing resin film is not particularly limited, and is preferably 10 to 350 ⁇ m from the viewpoint of sufficiently fixing the electronic component and the carrier for transportation.
  • the thickness is 10 ⁇ m or more, the variation in the thickness during coating is small, and because the thickness is sufficient, the strength of the film or the cured product of the film becomes good, and the support for electronic parts and transportation is provided.
  • the body and the body can be fixed more sufficiently.
  • the thickness is 350 ⁇ m or less, variation in the thickness of the temporary fixing resin film is unlikely to occur, and the amount of residual solvent in the film can be easily reduced by sufficient drying, and the cured product of the film is heated. It is possible to further reduce foaming.
  • FIG. 1A is a top view showing an embodiment of a temporary fixing sheet
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line II of FIG. 1A.
  • the temporary fixing sheet 10 shown in these figures includes a support film 1, a temporary fixing resin film 2A made of a temporary fixing resin composition, and a protective film 3 in this order.
  • the support film 1 is not particularly limited, and examples thereof include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene, polypropylene, polyamide, and polyimide.
  • the support film 1 is preferably polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, polyamide or polyimide from the viewpoint of excellent flexibility and toughness. Further, from the viewpoint of improving the releasability from the resin film (resin layer), it is preferable to use a film subjected to a release treatment with a silicone compound, a fluorine compound or the like as the support film.
  • the thickness of the support film 1 may be appropriately changed depending on the desired flexibility, but it is preferably 3 to 350 ⁇ m. If the thickness is 3 ⁇ m or more, the film strength is sufficient, and if it is 350 ⁇ m or less, sufficient flexibility tends to be obtained. From such a viewpoint, the thickness of the support film 1 is more preferably 5 to 200 ⁇ m, further preferably 7 to 150 ⁇ m.
  • the protective film 3 is not particularly limited, and examples thereof include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene and polypropylene. From the viewpoint of flexibility and toughness, the protective film 3 is preferably polyethylene terephthalate, polyethylene or polypropylene. Further, from the viewpoint of improving the releasability from the temporary fixing resin film (resin layer), it is preferable to use as the protective film 3 a film that has been subjected to a release treatment with a silicone compound, a fluorine compound or the like.
  • the thickness of the protective film 3 can be appropriately set depending on the desired flexibility, and is preferably 10 to 350 ⁇ m, for example. When the thickness is 10 ⁇ m or more, the film strength becomes better, and when it is 350 ⁇ m or less, further flexibility is obtained. From such a viewpoint, the thickness of the protective film 3 is more preferably 15 to 200 ⁇ m, further preferably 20 to 150 ⁇ m.
  • the temporary fixing resin film 2A can be formed by a method in which the above components are mixed and kneaded in an organic solvent to prepare a varnish, and the manufactured varnish is applied onto the support film 1 and dried.
  • the organic solvent is not particularly limited, and can be determined in consideration of the volatility and the like during film formation from the boiling point. Specifically, from the viewpoint of making it difficult for the film to harden during film formation, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, toluene, xylene, etc. Solvents with relatively low boiling points are preferred.
  • a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone or cyclohexanone. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the solid content concentration in the varnish is preferably 10 to 80% by mass.
  • Mixing and kneading can be performed by using an ordinary stirrer, a raider, a three-roller, a ball mill, or other dispersing machine, and combining them appropriately.
  • the heat drying is not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized, and can be usually heated at 60° C. to 200° C. for 0.1 to 90 minutes.
  • the resin film 2A for temporary fixing is formed on the support film 1 by heating and drying. After that, the temporary fixing sheet 10 is obtained by laminating the protective film 3 so as to cover the temporary fixing resin film 2A.
  • the temporary fixing sheet 10 thus obtained can be easily stored, for example, by winding it into a roll. Further, the roll-shaped temporary fixing sheet 10 can be stored in a state of being cut into a suitable size.
  • FIG. 2(A) is a top view showing an embodiment of a temporary fixing sheet having two temporary fixing resin layers
  • FIG. 2(B) is taken along line II-II of FIG. 2(A). It is a schematic cross section.
  • the temporary fixing sheet 20 shown in these figures includes a support film 1a, a temporary fixing resin film 2B including a first resin layer 2a and a second resin layer 2b, and a supporting film 1b in this order.
  • the temporary fixing resin film 2B including the first resin layer 2a and the second resin layer 2b satisfies the above-mentioned condition regarding the shear viscosity.
  • the first resin layer 2a and the second resin layer 2b may be composed of the same composition or may be composed of different compositions.
  • the second resin layer 2b is excellent. While having a step embedding property and an excellent peeling property with respect to a surface having a step (see FIG. 6B), a support to which the first resin layer 2a is attached prior to processing (FIG. 5A) It can be designed so as to have excellent releasability from the support 50).
  • the temporary fixing resin film 2B is a laminate prepared by mixing and kneading the above components in an organic solvent to prepare a varnish, applying the varnish on the support film 1a and drying the varnish, and the same or separately. It can be formed by applying the prepared varnish on the support film 1b and drying it, and then laminating the laminate.
  • the first resin layer 2a and the second resin layer 2b are formed of the same varnish, there is an advantage that the residual amount of the organic solvent can be easily sufficiently reduced even if a relatively thick temporary fixing resin film is formed.
  • the first resin layer 2a and the second resin layer 2b may be integrated to have a single-layer structure, or an interface may exist between two layers to maintain a two-layer structure.
  • the 90° peel strength (peeling speed: 300 mm/min) of the temporary fixing resin films 2A and 2B with respect to the support is preferably 5 to 200 N/m at 25° C., and 6 to 180 N/m. More preferably m.
  • the 90° peel strength is within the above range, it is possible to sufficiently suppress the adhesive residue from being produced on the processed semiconductor wafer, and it is possible to favorably peel the processed semiconductor wafer from the support. That is, if the 90° peel strength is 5 N/m or more, the electronic component and the support can be more firmly fixed in the grinding step, and if the 90° peel strength is 200 N/m or less, the temporary fixing resin film is removed from the support. It is possible to sufficiently reduce the adhesive residue between the support and the support at the time of peeling, and further reduce the possibility that the film remains on the support.
  • the 90° peel strength can be measured as follows. A 625 ⁇ m thick silicon mirror wafer (6 inches) was placed on the stage of a vacuum laminator (LM-50X50-S manufactured by NPC Co., Ltd.), and the temporary fixing resin film according to the present embodiment was used as a second layer. Is installed so that it sticks to the silicon mirror wafer side. This is heated and pressed for 2 minutes at a temperature of 120° C. and a pressure of 0.1 MPa under a condition of 15 mbar, and vacuum laminated to obtain a measurement sample. The obtained measurement sample is cured and cut into a 10 mm width. A peeling test is carried out at a speed of 300 mm/min with a peeling tester set so that the peeling angle is 90°, and the peeling strength at that time is defined as 90° peeling strength.
  • FIG. 3A is a top view showing another embodiment of the temporary fixing sheet
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 3A.
  • the temporary fixing sheet 30 shown in FIG. 3A is a temporary fixing sheet except that the temporary fixing resin film 2A and the protective film 3 are preliminarily cut according to the shape of a member (for example, a semiconductor wafer) to be temporarily fixed. It has the same structure as the fixing sheet 10.
  • FIG. 4A is a top view showing another embodiment of the temporary fixing sheet
  • FIG. 4B is a schematic cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. 4A.
  • the temporary fixing sheet 40 shown in FIG. 4A the support film 1b, the protective film 3 and the temporary fixing resin film 2B are preliminarily cut in accordance with the shape of a member (for example, a semiconductor wafer) to be temporarily fixed. Except for this, the sheet has the same configuration as the temporary fixing sheet 10.
  • the protective film 3, the support film 1b, and the temporary fixing resin films 2A and 2B are cut in a circular shape, but they are temporarily fixed. Notches may be provided in these members according to the shapes of the members, or outer edges may be left.
  • the method of processing a semiconductor wafer using the temporary fixing resin composition roughly includes the following four steps.
  • the temporary fixing material temporary fixing resin layer
  • FIG. 5D is a top view showing the processed semiconductor wafer.
  • the temporary fixing material temporary fixing resin layer
  • the temporary fixing material is a two-layer temporary fixing resin film 2B shown in FIG. 2(B) or FIG. 4(B).
  • the structure of the temporary fixing material is not limited to this.
  • the temporary fixing step is a step of temporarily fixing the semiconductor wafer W to the support body 50 by interposing a temporary fixing material between the support body 50 and the semiconductor wafer W (FIG. 5A).
  • the thickness of the semiconductor wafer W is not particularly limited, but can be 300 to 800 ⁇ m.
  • a circuit (not shown) is formed and a plurality of connection terminals Wt are formed on the surface Wa of the semiconductor wafer W on the temporary fixing resin film 2B side.
  • the distance (height of the connection terminal Wt) from the surface Wa of the semiconductor wafer W to the crown of the connection terminal Wt is, for example, 1 to 200 ⁇ m, and may be 5 to 150 ⁇ m or 10 to 100 ⁇ m.
  • (A-1) Formation of Temporary Fixing Material on Support 50 As shown in FIG. 5(A), when the resin film 2B for temporary fixing having a two-layer structure is used, a roll laminator and a vacuum laminator are used. As a result, a temporary fixing material can be formed on the support body 50. It should be noted that a single-layer temporary fixing resin film 2A may be used instead of the two-layer temporary fixing resin film. When the liquid temporary fixing resin composition is used, the temporary fixing material is formed on the support 50 by means such as spin coating, printing and dispensing.
  • the material of the support 50 is not particularly limited, and substrates such as silicon wafers, glass wafers, quartz wafers and SUS plates can be used.
  • the support 50 may be subjected to a release treatment, or the release layer 52 may be formed by performing a release treatment on all or part of the surface of the support 50 (see FIG. 5A).
  • the release agent used in the release treatment is not particularly limited.
  • a surface modifier having a fluorine element, a polyolefin wax and silicone oil, a silicone oil containing a reactive group, and a silicone-modified alkyd resin are excellent in release properties. Therefore, it is preferable.
  • a laminate having the support 50 and the temporary fixing material formed on the surface thereof is set on a wafer bonding apparatus or a vacuum laminator.
  • the semiconductor wafer W is pressed and attached to the temporary fixing material (see FIG. 5A).
  • EVG's vacuum press machine EVG520IS (trade name) can be mentioned.
  • EVG520IS (trade name)
  • the semiconductor wafer W and the support 50 are temporarily fixed to each other with a temporary fixing material at an air pressure of 1 hPa or less, a pressure bonding pressure of 1 MPa, a pressure bonding temperature of 60° C. to 200° C., and a holding time of 100 seconds to 300 seconds. Good.
  • Examples of the vacuum laminator include a vacuum laminator LM-50 ⁇ 50-S (trade name) manufactured by NPC Co., Ltd. and a vacuum laminator V130 (trade name) manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd. Pressing conditions are atmospheric pressure of 1 hPa or less, pressure bonding temperature of 40° C. to 180° C. (preferably 60° C. to 150° C.), laminating pressure of 0.01 to 0.5 MPa (preferably 0.1 to 0.5 MPa), holding time of 1 second.
  • the semiconductor wafer W and the support 50 may be temporarily fixed with a temporary fixing material in about 600 seconds (preferably 30 seconds to 300 seconds).
  • the curing method is not particularly limited, and there is a method by heat or radiation irradiation.
  • curing by heat is preferable.
  • the curing condition is preferably 100 to 200° C. for 10 to 300 minutes (more preferably 20 to 210 minutes). If the temperature is 100° C. or higher, the temporary fixing material is sufficiently hardened so that a problem does not occur in the processing step. It can be further suppressed. Further, if the curing time is 10 minutes or longer, problems in the processing process are unlikely to occur, and if it is 300 minutes or less, work efficiency is unlikely to deteriorate.
  • the temporary fixing resin film 2C in FIG. 5B is a cured product of the temporary fixing resin film 2B.
  • the processing steps include grinding used at the wafer level, electrode formation, metal wiring formation, protective film formation, and the like.
  • the grinding method is not particularly limited, and a known grinding method can be used. Grinding is preferably performed while water is applied to the semiconductor wafer W and the grindstone (diamond or the like) while cooling.
  • the back surface Wb of the semiconductor wafer W is ground by a grinder G to reduce the thickness of, for example, about 700 ⁇ m to 100 ⁇ m or less.
  • a grinder G to reduce the thickness of, for example, about 700 ⁇ m to 100 ⁇ m or less.
  • An example of the grinding device is DGP-8761 (trade name) manufactured by DISCO Co., Ltd., and the cutting conditions can be arbitrarily selected according to the desired thickness of the semiconductor wafer W and the grinding state.
  • metal sputtering for forming electrodes and the like
  • wet etching for etching the metal sputtering layer
  • resist for masking metal wiring formation
  • resist formation pattern formation by exposure and development
  • resist formation for resist formation
  • Known processes include peeling, dry etching, metal plating formation, silicon etching for TSV formation, and oxide film formation on the silicon surface.
  • FIG. 5C the back surface side of the thinned semiconductor wafer W is processed by dry ion etching, Bosch process, or the like to form through holes, and then copper plating or the like is performed to form through electrodes Et.
  • FIG. 5D is a top view showing the back surface Wb side of the processed semiconductor wafer W.
  • the semiconductor wafer W is diced into semiconductor elements through a dicing step of cutting along the dicing line L shown by the broken line in FIG.
  • ⁇ (c) Separation step> 6A to 6D are schematic cross-sectional views showing steps subsequent to the state shown in FIG. 5C.
  • the separation step is a first separation step of separating the semiconductor wafer W from the support 50 together with the temporary fixing resin film (see FIG. 6A), and a second separation step of separating the temporary fixing material from the semiconductor wafer W. (See FIG. 6B). Note that the semiconductor wafer W may be peeled from the temporary fixing resin film without performing the first peeling step.
  • one of the semiconductor wafer W and the support 50 is fixed horizontally, and the other is lifted at a certain angle from the horizontal direction, and a method of attaching a protective film to a ground surface of an electronic component
  • Examples include a method of peeling the component and the protective film from the support 50 by a peel method.
  • the peeled semiconductor wafer W and the temporary fixing material are transferred onto the dicing tape 90 to horizontally fix the semiconductor wafer W, and
  • the semiconductor wafer W from which the temporary fixing material is peeled off can be obtained by lifting the end of the fixing material at a certain angle from the horizontal direction (see FIG. 6C).
  • the temporary fixing material By forming the temporary fixing material using the temporary fixing resin film according to the present embodiment, it is possible to easily obtain the processed semiconductor wafer W in which the residue such as adhesive residue is sufficiently reduced.
  • These peeling methods are usually carried out at room temperature, but may be carried out at a temperature of about 40 to 100° C. that does not damage electronic components.
  • a debonder (DB12T, manufactured by SUSS Microtec Co., Ltd.)
  • a De-Bonding device EVG805EZD, manufactured by EVG
  • the electronic component 80 is fixed horizontally, and the end of the film-shaped temporary fixing material 70 is formed at a constant angle from the horizontal direction. By lifting, the electronic component 80 from which the temporary fixing material is peeled off can be obtained, and the support can be collected.
  • a part of the temporary fixing material is likely to remain on the circuit formation surface (surface Wa) of the semiconductor wafer W.
  • a cleaning process can be provided to remove the temporary fixing material. The removal of the temporary fixing material can be performed, for example, by cleaning the semiconductor wafer W.
  • the cleaning liquid is not particularly limited as long as it is a cleaning liquid that can remove the partially remaining temporary fixing material.
  • a cleaning liquid examples include the above organic solvents that can be used for diluting the temporary fixing resin composition. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • bases and acids may be added to the organic solvent.
  • bases amines such as ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, triethylamine, ammonia; ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide can be used.
  • acids organic acids such as acetic acid, oxalic acid, benzenesulfonic acid and dodecylbenzenesulfonic acid can be used.
  • the addition amount is preferably 0.01 to 10 mass% in terms of concentration in the cleaning liquid.
  • an existing surfactant may be added to the cleaning liquid in order to improve the removability of the residue.
  • the cleaning method is not particularly limited, and examples thereof include a method of performing paddle cleaning using the above cleaning solution, a cleaning method of spray spraying, and a method of immersing in a cleaning solution tank.
  • the temperature is preferably 10 to 80° C., preferably 15 to 65° C.
  • a thin semiconductor wafer W is obtained by washing with water or alcohol and drying.
  • residues such as adhesive residue can be sufficiently reduced, so that the washing step can be omitted.
  • the semiconductor wafer W on which the through electrodes Et are formed is further diced into semiconductor elements by dicing along the dicing line L (see FIG. 6D).
  • the plurality of semiconductor elements 100 shown in FIG. 6D are separated from each other by the expansion of the dicing tape 90.
  • FIG. 7A is a sectional view schematically showing the semiconductor element 100 manufactured through the above steps.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view schematically showing an example of an electronic device device in which a plurality of semiconductor elements 100 are stacked.
  • the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiments, and appropriate modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.
  • the resin composition for temporary fixing, the resin film for temporary fixing, the sheet for temporary fixing, and the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention are not limited to the processing of semiconductor wafers, and are applied to the processing of various electronic components. Then, it can be used for a method of manufacturing an electronic device.
  • the transparent beads obtained by the polymerization reaction were separated by filtration, washed with deionized water, and then dried at 50° C. for 6 hours in a vacuum dryer to obtain acrylic rubber K-1.
  • the acrylic rubber K-1 was measured by GPC, the weight average molecular weight of the acrylic rubber K-1 was 300,000 in terms of polystyrene.
  • the Tg of acrylic rubber K-1 was -20°C.
  • the transparent beads obtained by the polymerization reaction were separated by filtration, washed with deionized water, and then dried at 50° C. for 6 hours in a vacuum dryer to obtain acrylic rubber K-2.
  • the acrylic rubber K-2 was measured by GPC, the weight average molecular weight of the acrylic rubber K-2 was 400,000 in terms of polystyrene.
  • the Tg of acrylic rubber K-2 was -28°C.
  • Examples 1 to 5, Comparative Examples 1 to 8 [Preparation of temporary fixing resin film]
  • Varnishes according to Examples and Comparative Examples were prepared with the compositions of parts by mass shown in Tables 1 to 3, respectively.
  • the prepared varnish is applied onto the release-treated surface of a release-treated polyethylene terephthalate film (A31, thickness: 38 ⁇ m, manufactured by Teijin Film Solutions Ltd.), and heated and dried at 90° C. for 5 minutes and 140° C. for 5 minutes.
  • the first resin layer was formed.
  • a second resin layer was formed using the same varnish, and a temporary fixing resin film was obtained from the first resin layer and the second resin layer.
  • a protective film was attached on the temporary fixing resin film to obtain a temporary fixing resin film having the protective film and the support film.
  • Acrylic rubber K-1 GPC weight average molecular weight 300,000, glycidyl methacrylate 20 mass%, Tg-20° C. acrylic rubber
  • Acrylic rubber K-2 GPC weight average molecular weight 400,000, glycidyl methacrylate 10 mass%, Tg -28°C acrylic rubber
  • HTR-860P-3CSP GPC weight average molecular weight 800,000, glycidyl methacrylate 3% by mass, Tg 12°C acrylic rubber (Nagase Chemtex Co., Ltd.) ⁇ YDCN-700-10: Cresol novolac type multifunctional epoxy resin (manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.)
  • EXA-830CRP Bisphenol F type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation)
  • HE100-30 Phenol aralkyl resin (manufactured by Air Water Co., Ltd.)
  • SH3773M Bisphenol F type epoxy resin (manufactured by
  • Shear viscosity measurement The shear viscosity of the temporary fixing resin film was evaluated by the following method. Eight films adjusted to a thickness of 30 ⁇ m were laminated at 80° C. to 240 ⁇ m, and the shear viscosity was measured using a rotary viscoelasticity measuring device (TAE Instruments, Inc., ARES). The measuring method is “parallel plate”, the measuring jig is a circular jig with a diameter of 8 mm, the measuring mode is “Dynamic temperature ramp”, the frequency is 1 Hz, and the temperature rises from 35° C. to 20° C./min while applying 5% strain. The temperature was raised to 200°C at a temperature rate, and the viscosity when 120°C was reached was measured.
  • Step embedding The step embedding property of the temporary fixing resin film was evaluated by the following method.
  • a resin film for temporary fixing was attached to the surface of a silicon mirror wafer (6 inches) having a thickness of 625 ⁇ m by roll lamination at 80° C. to obtain a wafer with a resin film for temporary fixing.
  • grooves having a width of 40 ⁇ m and a depth of 40 ⁇ m were formed at intervals of 100 ⁇ m on the surface of a 625 ⁇ m thick silicon mirror wafer (6 inches) by blade dicing.
  • the resin film wafer for temporary fixing of the resin film-attached wafer was placed so that it was attached to the side of the stepped silicon mirror wafer with the resin film surface for temporary fixing facing down. This was heated and pressed at a temperature of 120° C. and a pressure of 0.1 MPa for 2 minutes under the condition of 15 mbar, and vacuum laminated. Then, the state of the temporary fixing resin film was confirmed using an ultrasonic microscope (SAM, Insight-300 manufactured by Insight Corporation).
  • SAM ultrasonic microscope
  • the heat resistance of the temporary fixing resin film at 250° C. was evaluated by the following method.
  • a 625 ⁇ m thick silicon mirror wafer (6 inches) was cut into 25 mm square pieces by blade dicing.
  • a resin film for temporary fixing was roll-laminated at 80° C. on the surface of the diced silicon mirror wafer.
  • a slide glass having a thickness of 0.1 to 0.2 mm and a size of about 18 mm square is roll laminated on the temporary fixing resin film at 80° C., and the temporary fixing resin film is a silicon wafer and a slide.
  • a laminate sample sandwiched between glass was prepared. The obtained sample was heated at 130° C. for 30 minutes, then at 170° C.
  • the sample thus obtained was observed from the slide glass surface, the image was analyzed with a soft wafer such as Photoshop (registered trademark), and the heat resistance at 250° C. was determined from the ratio of voids to the entire area of the temporary fixing resin film.
  • the sex was evaluated.
  • the evaluation criteria are as follows. A: The ratio of voids is less than 5%. B: The void ratio is 5% or more.
  • the cut film is set on a dynamic viscoelastic device (product name: Rheogel-E4000, manufactured by UBM Co., Ltd.), a tensile load is applied, and the measurement is performed at a frequency of 10 Hz and a heating rate of 3° C./min, and at 25° C.
  • the storage elastic modulus of was measured.
  • the 90° peel strength between the silicon mirror wafer and the temporary fixing resin film was evaluated by the following method. Place a 625 ⁇ m thick silicon mirror wafer (6 inches) on the stage of a vacuum laminator (LM-50X50-S, manufactured by NPC Co., Ltd.) so that the resin film for temporary fixing sticks to the silicon mirror wafer side. It was installed, heated and pressurized at a temperature of 120° C. and a pressure of 0.1 MPa for 2 minutes under the condition of 15 mbar, and vacuum laminated. The obtained sample was heated at 130° C. for 30 minutes, subsequently heated at 170° C. for 2 hours to be cured, further heated at 200° C.
  • LM-50X50-S manufactured by NPC Co., Ltd.
  • the measurement film was subjected to a peel test at a speed of 300 mm/min with a peel tester set so that the peel angle was 90°, and the peel strength at that time was defined as the 90° peel strength.
  • the peelability of the temporary fixing resin film in a debonding device was evaluated by the following method.
  • a resin film for temporary fixing was attached to a silicon mirror wafer as a support by roll lamination at 80° C. to obtain a support with a resin film for temporary fixing.
  • the silicon wafer is attached so that the temporary fixing resin film of the support with the temporary fixing resin film comes into contact with the step side of the silicon wafer, and a vacuum bonding apparatus (VE07-14 manufactured by Ayumi Industry Co., Ltd.) under the condition of 5 mbar,
  • the laminate was obtained by heating and pressurizing at a temperature of 120° C. and a pressure of 0.1 MPa for 2 minutes.
  • the laminate thus obtained was heated at 130° C. for 30 minutes and then at 170° C. for 1 hour to cure the resin film for temporary fixing. Then, this was heated at 200° C.
  • a temporary fixing resin composition that can favorably process an electronic component. Further, according to the present invention, it is possible to provide a temporary fixing resin film and a temporary fixing sheet using the temporary fixing resin composition, and a method for manufacturing a semiconductor device.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工後の半導体ウェハを仮固定材から分離する分離工程とを含む半導体ウェハの加工方法において、仮固定材を形成するためのものであり、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）シリコーン化合物とを含み、１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下であり且つ２５℃の雰囲気下に７日放置した後のずり粘度の変化率が３０％以内である。

Description

仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート並びに半導体装置の製造方法
　本発明は、仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート、並びに半導体装置の製造方法に関する。
　スマートフォン、タブレットＰＣ等の電子機器の多機能化に伴い、半導体素子を多段に積層することによって高容量化したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ　Ｃｈｉｐ　Ｐａｃｋａｇｅ）が普及している。半導体素子の実装には、ダイボンディング用接着剤としてフィルム状接着剤が広く用いられている。しかし、現行のワイヤボンドを使用した半導体素子の接続方式では、データの処理速度に限界があることから、電子機器の動作が遅くなる傾向にある。また、消費電力を低く抑え、充電せずにより長時間使用したいとのニーズが高まっていることから、省電力化も求められつつある。このような観点から、近年、更なる高速化及び省電力化を目的として、ワイヤボンドではなく貫通電極により半導体素子同士を接続する新しい構造の電子機器装置も開発されてきている。
　このように新しい構造の電子機器装置が開発されてきているものの、依然として高容量化も求められており、パッケージ構造に関わらず、半導体素子をより多段に積層できる技術の開発が進められている。しかし、限られたスペースに、より多くの半導体素子を積層するためには、半導体素子の安定した薄型化が必要不可欠である。
　例えば現在、半導体ウェハを裏面側から薄型化する研削工程では、いわゆるＢＧテープ（バックグラインドテープ）と呼ばれるテープを半導体素子に貼り付け、半導体ウェハをサポートした状態で研削工程を実施することが主流となっている。しかし、研削工程に供される半導体ウェハは、表面側に回路が形成されており、その影響により、研削によって薄型化されると反りが生じやすい。ＢＧテープは、変形しやすいテープ素材であるから、薄型化された半導体ウェハを充分にサポートすることができず、半導体ウェハに反りが生じやすい。
　このような背景から、ＢＧテープよりも硬い素材であるシリコンウェハ又はガラスを支持体として使用し、これによって半導体ウェハを薄型化するプロセスが提案されている。そして、半導体ウェハと支持体（シリコンウェハ又はガラス）との間に介在して両者を粘着させる粘着剤が提案されてきている。このような粘着剤は、研削後の半導体素子を損傷させることなく、支持体から剥離できることが重要な特性として要求される。そのため、これらの特性を満足するための剥離方法が検討されている。剥離方法としては、例えば、溶剤によって粘着剤を溶解させる方法、加熱により粘着性を低下させる方法、レーザー照射により粘着剤を改質又は消失させる方法が挙げられる（特許文献１及び２）。
特許第４５６５８０４号明細書 特許第４９３６６６７号明細書
　しかし、溶剤によって粘着剤を溶解させる方法は時間がかかるため、生産性が低下しやすい。また、加熱により粘着性を低下させる方法は、加熱による半導体素子への影響が懸念されるとともに、貫通電極等を形成するプロセス用途には耐熱性の観点から適用できない。一方、レーザー照射により粘着剤を改質又は消失させる方法は、高価なレーザー設備の導入が必要不可欠であり、このようなプロセスの適用には、かなりの投資が必要不可欠となる。
　上述のとおり、作業性及び高額な設備投資の必要性という点から、従来の粘着剤は更なる改善の余地がある。特に、このような粘着剤は液状のものがほとんどであり、半導体ウェハ又は支持体にスピンコート等で塗布し、加熱、ＵＶ照射等により成膜して使用されている。しかし、このような場合、塗布時の粘着剤のバラツキにより、個々の半導体ウェハで、加工後の半導体ウェハの厚さにバラツキが生じ易く、またスピンコートでは塗布時の回転で飛散した材料を廃棄する必要がある等の課題がある。
　また、加工する電子部品は、平滑性が高いものに限らず、回路面にハンダボールを備え、表面に８０μｍを超える凹凸のあるウェハが加工対象である場合も増加傾向にある。このように大きな凹凸を有する部品が加工対象である場合、凹凸に粘着剤を充分に埋め込んだ状態とすると、凹凸を有する表面から粘着剤を剥離することが難しくなる。また、ハンダボールの接着強度が不充分な場合には、粘着剤の剥離時にハンダボールが欠落する等の懸念が生じる。更に、電子部品の製造プロセスにおいては、例えばハンダボール搭載時のリフロー工程、あるいは、再配線層の形成工程など、２００℃を超えるプロセスがあり、粘着剤にはこれらの工程で電子部品をしっかり保持し、且つプロセス通過後に簡単に剥離できる必要がある。
　更に、光、熱等の外部エネルギーの照射によって硬化する材料を用いる場合、通常の使用環境であるクリーンルーム（ＵＶカット、２５℃）下での保存安定性（「シェルフライフ」と称する場合がある）も重要である。優れた段差埋込性が求められるため、シェルフライフが不充分であると、埋め込み不足が発生してしまい、生産性に大きな影響を及ぼし、好ましくない。
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、電子部品の加工を良好に行うことができる仮固定用樹脂組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、上記仮固定用樹脂組成物を用いた仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート、並びに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工後の半導体ウェハを仮固定材から分離する分離工程とを含む半導体ウェハの加工方法において、仮固定材を形成するためのものであり、
　（Ａ）熱可塑性樹脂と、
　（Ｂ）熱硬化性樹脂と、
　（Ｃ）シリコーン化合物と、
を含み、１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下であり且つ２５℃の雰囲気下に７日放置した後のずり粘度の変化率が３０％以内である。本発明の仮固定用樹脂組成物は（Ｄ）硬化促進剤を更に含んでもよい。
　仮固定用樹脂組成物の１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下（好ましくは１００～３０００Ｐａ・ｓ）であることで、加工対象の半導体ウェハの表面に凹凸があっても段差埋込性及び加工後の剥離性の両方を十分に高水準とすることができる。これにより、本発明によれば、半導体ウェハを良好に加工することができ、これにより、高い生産性で電子部品を製造することができる。
　仮固定用樹脂組成物における（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量は、フィルム形成性の観点から、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、例えば、１０～５００質量部である。（Ｂ）熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくとも一方を含むものであってもよい。
　（Ａ）熱可塑性樹脂として、例えば、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含む反応性基含有（メタ）アクリル共重合体である。この反応性基含有（メタ）アクリル共重合体の具体例としては、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを、共重合成分全量を基準として１．０～１０質量％を含むエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体が挙げられる。
　（Ｃ）シリコーン化合物として、樹脂成分との相溶性の観点から、例えば、有機基変性シリコーンを採用することができる。
　本発明は、単層又は多層構成を有し、上記仮固定用樹脂組成物からなる層（以下、場合により「仮固定用樹脂層」という。）を少なくとも一層含む仮固定用樹脂フィルムを提供する。仮固定用樹脂組成物を厚さが十分に均一のフィルム状に予め形成しておくことで、加工後の半導体ウェハに生じ得る厚さのバラツキを十分に抑制できるとともに、効率的に半導体ウェハを加工することができる。本発明の仮固定用樹脂フィルムは、仮固定用樹脂層を二層有するものであってもよい。仮固定用樹脂フィルムが二層構成であることで、より高度に段差埋込性及び加工後の剥離性を両立し得るという利点がある。仮固定用樹脂フィルムにおいて、一つの仮固定用樹脂層と、他の仮固定用樹脂層とが直接接していてもよい。この場合、二つの層が一体化して単層構造となっていてもよいし、二つの層の間に界面が存在して二層構造を維持していてもよい。これらの仮固定樹脂フィルムは、上述のとおり、支持体と半導体ウェハの間に介在し、支持体に対する半導体ウェハの仮固定に使用することができる。
　本発明は、上記仮固定樹脂フィルムと、この仮固定樹脂フィルムの少なくとも一方の面に設けられた支持フィルムとを備える仮固定用シートを提供する。支持フィルムにおける仮固定樹脂フィルムと接する面は離型性を有することが好ましい。
　本発明は、上記仮固定用樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供する。本発明に係る半導体装置の製造方法は、具体的には、仮固定用樹脂組成物からなる仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程と、支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程と、加工後の半導体ウェハを仮固定材から分離する分離工程とを含む。
　本発明によれば、電子部品の加工を良好に行うことができる仮固定用樹脂組成物を提供することができる。また、本発明によれば、上記仮固定用樹脂組成物を用いた仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート、並びに半導体装置の製造方法を提供することができる。
図１（Ａ）は仮固定用シートの一実施形態を示す上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩ－Ｉ線に沿った模式断面図である。 図２（Ａ）は二層の仮固定用樹脂層を有する仮固定用シートの一実施形態を示す上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＩＩ－ＩＩ線に沿った模式断面図である。 図３（Ａ）は本発明に係る仮固定用シートの他の実施形態を示す上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。 図４（Ａ）は本発明に係る仮固定用シートの他の実施形態を示す上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＩＶ－ＩＶ線に沿った模式断面図である。 図５（Ａ）～図５（Ｃ）は、半導体ウェハの加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図５（Ｄ）は、加工後の半導体ウェハの裏面を示す上面図である。 図６（Ａ）～図６（Ｄ）は、半導体ウェハの加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 図７（Ａ）は本発明に係る加工方法を経て製造された半導体素子の一例を模式的に示す断面図であり、図７（Ｂ）は複数の半導体素子が積層された電子機器装置の一例を模式的に示す断面図である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限られるものではない。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はメタクリルを意味する。
［仮固定用樹脂組成物］
　本実施形態に係る仮固定材樹脂組成物は、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）シリコーン化合物とを含み、１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下であり且つ２５℃の雰囲気下に７日放置した後のずり粘度の変化率が３０％以内である。この仮固定材樹脂組成物を仮固定材（仮固定用樹脂層）として使用することで、半導体ウェハを良好に加工することができ、これにより、高い生産性で電子部品を製造することができる。
　仮固定用樹脂組成物の１２０℃でのずり粘度は、上述のとおり、４０００Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは１００～３０００Ｐａ・ｓの範囲であり、３００～２５００Ｐａ・ｓ又は５００～２０００Ｐａ・ｓであってもよい。仮固定用樹脂組成物の１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下であることで、加工対象の半導体ウェハの表面に凹凸があっても優れた段差埋込性を達成できるとともに、仮固定用樹脂組成物からなる層が凹凸を埋め込んだ後において、凹凸を有する面からの優れた剥離性も達成できる。仮固定用樹脂組成物の１２０℃でのずり粘度が１００Ｐａ・ｓ以上であることで、半導体ウェハの加工後において加熱時にフィルムの状態を維持することができる。
　仮固定材樹脂組成物を２５℃の雰囲気下に７日放置した後のずり粘度の変化率は、上述のとおり、３０％以内であり、好ましくは０～２５％の範囲であり、０～２０％又は０～１５％であってもよい。この変化率が３０％以内であることで、仮固定材樹脂組成物は保存安定性に優れ、これにより、電子部品を高い生産性で製造することができる。なお、ずり粘度の変化率は以下の式で算出される値である。
　ずり粘度の変化率（％）＝［（２５℃の雰囲気下に７日放置後における１２０℃でのずり粘度）－（２５℃の雰囲気下に７日放置前における１２０℃でのずり粘度）］／（２５℃の雰囲気下に７日放置前における１２０℃でのずり粘度）×１００
　なお、「２５℃の雰囲気下に７日放置前における１２０℃でのずり粘度」は外部の環境になるべく曝されていない仮固定材樹脂組成物を試料として測定することが好ましく、例えば、調製後又は開封後から５時間以内の試料を測定することが好ましい。また、７日間にわたって放置する環境の相対湿度は５５％程度であればよい。
　７日放置の前及び後における仮固定材樹脂組成物のずり粘度は、ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック社製）を用い、仮固定用樹脂フィルムに５％の歪みを与えながら２０℃／分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。
　硬化後における仮固定材樹脂組成物の貯蔵弾性率は２５℃において２０ＭＰａ以上であることが好ましく、５０ＭＰａ以上であることがより好ましい。この貯蔵弾性率が２０ＭＰａ以上であれば、電子部品を薄化する際に電子部品と支持体とを充分に固定することができる傾向にある。この貯蔵弾性率の上限値は、例えば、６０００ＭＰａ以下である。硬化後における仮固定材樹脂組成物の貯蔵弾性率は動的粘弾性測定装置（株式会社ユービーエム製）を用い、３℃／分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。
＜（Ａ）熱可塑性樹脂＞
　（Ａ）熱可塑性樹脂としては、少なくともフィルムが電子部品又は支持体にラミネートされる前において熱可塑性を有している樹脂であれば特に制限なく用いることができる。熱可塑性樹脂は、加熱等により架橋構造を形成する樹脂であってもよい。
　（Ａ）熱可塑性樹脂は、架橋性官能基を有するポリマーを用いることができる。架橋性官能基を有するポリマーとしては、熱可塑性ポリイミド樹脂、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体、ウレタン樹脂ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体が好ましい。上記の樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体は、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよく、あるいは、市販品を用いてもよい。架橋性官能基を有するポリマーは、架橋性官能基をポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。架橋性官能基の具体例としては、エポキシ基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。架橋性官能基の中でも、カルボキシル基が好ましい。カルボキシル基は、アクリル酸を用いることによってポリマー鎖に導入することができる。
　（Ａ）熱可塑性樹脂のガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と表記する場合もある）は、－５０℃～５０℃であることが好ましく、－４０℃～２０℃であることがより好ましい。Ｔｇがこのような範囲であれば、タック力が上がりすぎて取り扱い性が悪化することを抑制しつつ、より充分な流動性を得ることができ、更に硬化後の弾性率をより低くすることができるため、剥離強度が高くなりすぎることをより抑制できる。
　Ｔｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、例えば株式会社リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ　Ｐｌｕｓ　２」）を用いて熱可塑性樹脂を測定したときの中間点ガラス転移温度値である。具体的には、上記Ｔｇは、昇温速度１０℃／分、測定温度：－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。
　（Ａ）熱可塑性樹脂の重量平均分子量は特に限定されず、好ましくは１０万～１２０万であり、より好ましくは２０万～１００万である。熱可塑性樹脂の重量平均分子量がこのような範囲であれば、成膜性と流動性とを確保することが容易となる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
＜（Ｂ）熱硬化性樹脂＞
　（Ｂ）熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂が挙げられ、これらは、１種を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
　エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、エポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。
　ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製ｊＥＲ（登録商標）シリーズ（エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９、「エピコート」は登録商標）、ダウケミカル社製、ＤＥＲ－３３０、ＤＥＲ－３０１、ＤＥＲ－３６１、及び新日鉄住金化学株式会社製、ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬株式会社製のＥＰＰＮ－２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ－４３８等が挙げられる。ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のＥＯＣＮ－１０２Ｓ、ＥＯＣＮ－１０３Ｓ、ＥＯＣＮ－１０４Ｓ、ＥＯＣＮ－１０１２、ＥＯＣＮ－１０２５、ＥＯＣＮ－１０２７（「ＥＯＣＮ」は登録商標）、新日鉄住金化学株式会社製のＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のＥｐｏｎ　１０３１Ｓ、ハンツマン・ジャパン株式会社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールＥＸ－６１１、ＥＸ－６１４、ＥＸ－６１４Ｂ、ＥＸ－６２２、ＥＸ－５１２、ＥＸ－５２１、ＥＸ－４２１、ＥＸ－４１１、ＥＸ－３２１等が挙げられる（「アラルダイト」、「デナコール」は登録商標）。アミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート６０４、新日鉄住金化学株式会社製のＹＨ－４３４、三菱ガス化学株式会社製のＴＥＴＲＡＤ－Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ－Ｃ（「ＴＥＴＲＡＤ」は登録商標）、住友化学株式会社製のＥＬＭ－１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。
　（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤は、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。以下、エポキシ樹脂硬化剤と硬化剤とを合わせて「熱硬化性成分」という。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等のフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れるという観点から、エポキシ樹脂硬化剤は、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。
　上記エポキシ樹脂硬化剤としてのフェノール樹脂の中で好ましいものとしては、例えば、ＤＩＣ株式会社製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ－２０９０、フェノライトＴＤ－２１４９、フェノライトＶＨ－４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成株式会社製、商品名：Ｈ－１、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名：ｊＥＲキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５及び三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲが挙げられる（「フェノライト」、「エピキュア」、「ミレックス」は登録商標）。
　仮固定用樹脂組成物における（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して１０～５００質量部が好ましく、２０～３００質量部がより好ましい。硬化性成分の配合量が上記範囲内であれば、仮固定用樹脂フィルムは充分な低温貼り付け性、耐熱性、硬化性及び剥離性を兼ね備えることができる。（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量が１０質量部以上であれば貼付性及び耐熱性が向上するとともに、バックグラインド時の保持性も向上し、ウェハが割れにくい傾向がある。一方、（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量が５００質量部以下であれば、硬化前の粘度が過度に低くなりにくく、比較的短時間で硬化できるとともに、電子部品の支持体への保持性と支持体からの剥離性を両立できる傾向にある。
＜（Ｃ）シリコーン化合物＞
　（Ｃ）シリコーン化合物としては、ポリシロキサン構造を有するものであれば特に制限なく用いることができる。例えば、シリコーン変性樹脂、ストレートシリコーンオイル、非反応性の変性シリコーンオイル、反応性の変性シリコーンオイル等が挙げられる。シリコーン化合物は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
　仮固定用樹脂組成物がシリコーン化合物を含有することで、仮固定用樹脂組成物から形成されるフィルム状の仮固定材を、半導体チップ及び封止体並びに支持体から剥離する際、１００℃以下の低温であっても、溶剤を用いることなく容易に剥離することが可能となる。
　本実施形態で用いるシリコーン化合物がシリコーン変性樹脂である場合、シリコーンで変性された樹脂であれば特に制限はない。シリコーン変性樹脂としては、シリコーン変性アルキド樹脂が好ましい。シリコーン変性アルキド樹脂を含有することで、仮固定用樹脂フィルムを電子部品から剥離する際、溶剤を用いることなく一層容易に剥離することが可能となる。
　本実施形態で用いるシリコーン化合物が変性シリコーンオイルである場合、ポリエーテル変性シリコーン、アルキル変性シリコーン、エポキシ変性シリコーンが好ましい。
　上述のようなシリコーンとしては、高分子量体と相溶するものであれば、特に限定なく用いることができる。シリコーンとしては、東レ・ダウコーニング株式会社製のＳＨ３７７３Ｍ、Ｌ－７００１、ＳＨ－５５０、ＳＨ－７１０、信越化学工業株式会社製のＸ－２２－１６３、ＫＦ－１０５、Ｘ－２２－１６３Ｂ、Ｘ－２２－１６３Ｃ、ＢＹＫ社製のＢＹＫ－ＵＶ３５００等が挙げられる。
　仮固定用樹脂組成物における（Ｃ）シリコーン化合物の含有量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０～１００質量部が好ましく、０．０１～８０質量部がより好ましい。（Ｃ）シリコーン化合物の含有量が上記範囲内であれば、電子部品加工時の接着性と加工後の剥離性とをより高水準で両立させることが可能となる。
＜（Ｄ）硬化促進剤＞
　仮固定用樹脂組成物は、（Ｄ）硬化促進剤を含んでいてもよい。（Ｄ）硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　（Ａ）熱可塑性樹脂がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含む場合、このアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有させることが好ましい。
　仮固定用樹脂組成物における（Ｄ）硬化促進剤の含有量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０１～５．０質量部が好ましい。（Ｃ）硬化促進剤の含有量が（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１質量部以上であれば、半導体素子の製造工程内の熱履歴において仮固定用樹脂組成物を充分に硬化させることできるため、電子部品と支持体とをより確実に固定できる。（Ｄ）硬化促進剤の含有量が（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して５．０質量部以下であれば、製造工程中の加熱により仮固定用樹脂フィルムの溶融粘度が上昇しにくくなり、フィルムの保存安定性が更に良好になる傾向がある。
＜その他の成分＞
　仮固定用樹脂組成物は、上記の成分以外の成分として、フィラー（無機フィラー及び／又は有機フィラー）、並びに、シランカップリング剤等を含んでもよい。
　無機フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー；シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金属無機フィラー等が挙げられる。無機フィラーは所望する機能に応じて選択することができる。金属フィラーは、フィルムにチキソ性を付与する目的で添加することができる。非金属無機フィラーは、フィルムに低熱膨張性及び低吸湿性を付与する目的で添加することができる。無機フィラーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　無機フィラーは表面に有機基を有するものが好ましい。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されていることにより、フィルムを形成するための樹脂組成物を調製するときの有機溶剤への分散性、並びにフィルムの密着性及び耐熱性を向上させることが容易となる。
　表面に有機基を有する無機フィラーは、例えば、下記一般式（Ｂ－１）で表されるシランカップリング剤と無機フィラーとを混合し、３０℃以上の温度で攪拌することにより得ることができる。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されたことは、ＵＶ（紫外線）測定、ＩＲ（赤外線）測定、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）測定等で確認することが可能である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　式（Ｂ－１）中、Ｘは、フェニル基、グリシドキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、ビニル基、イソシアネート基及びメタクリロキシ基からなる群より選択される有機基を示し、ｓは０又は１～１０の整数を示し、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に、炭素数１～１０のアルキル基を示す。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、イソブチル基が挙げられる。炭素数１～１０のアルキル基は、入手が容易であるという観点から、メチル基、エチル基及びペンチル基が好ましい。Ｘは、耐熱性の観点から、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基及びイソシアネート基が好ましく、グリシドキシ基及びメルカプト基がより好ましい。式（Ｂ－１）中のｓは、高熱時のフィルム流動性を抑制し、耐熱性を向上させる観点から、０～５が好ましく、０～４がより好ましい。
　好ましいシランカップリング剤は、例えば、トリメトキシフェニルシラン、ジメチルジメトキシフェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２－メトキシエトキシ）シラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－（１，３―ジメチルブチリデン）－３－（トリエトキシシリル）－１－プロパンアミン、Ｎ，Ｎ’―ビス（３－（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、ポリオキシエチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシジメチルシロキサンが挙げられる。これらの中でも、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシランが好ましく、トリメトキシフェニルシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシランがより好ましい。シランカップリング剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　上記カップリング剤の使用量は、耐熱性を向上させる効果と保存安定性とのバランスを図る観点から、無機フィラー１００質量部に対して、０．０１～５０質量部が好ましく、０．０５質量部～２０質量部がより好ましく、耐熱性向上の観点から、０．５～１０質量部が更に好ましい。
　無機フィラーの含有量は、Ｂステージ状態における仮固定用樹脂フィルムの取扱い性の向上、及び低熱膨張性の向上の観点から、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更に好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はなく、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。無機フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、接着性を充分に確保しつつ、所望の機能を付与することができる傾向にある。
　有機フィラーとしては、例えば、カーボン、ゴム系フィラー、シリコーン系微粒子、ポリアミド微粒子、ポリイミド微粒子等が挙げられる。有機フィラーの含有量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下が更に好ましい。有機フィラーの含有量の下限は特に制限はなく、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。
［仮固定用樹脂フィルム及びこれを含む仮固定用シート］
　本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物が、仮固定用樹脂フィルムである場合、フィルム状の粘着剤であるため、膜厚の制御がより容易であり、個々の電子部品間での厚さのバラツキを軽減することができる。また、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、ラミネート等の簡便な方法により電子部品又は支持体上に貼り合わせることができ、作業性にも優れている。
　仮固定用樹脂フィルムの厚さは、特に限定されず、電子部品と搬送用の支持体とを充分に固定するという観点から、１０～３５０μｍであることが好ましい。厚さが１０μｍ以上であれば、塗工時の厚さのバラツキが少なくなり、また、厚さが充分であるためフィルム又はフィルムの硬化物の強度が良好になり、電子部品と搬送用の支持体とをより充分に固定することができる。厚さが３５０μｍ以下であれば、仮固定用樹脂フィルムの厚さのバラツキが生じにくく、また、充分な乾燥によりフィルム中の残留溶剤量を低減することが容易となり、フィルムの硬化物を加熱したときの発泡を更に少なくできる。
　図１（Ａ）は仮固定用シートの一実施形態を示す上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩ－Ｉ線に沿った模式断面図である。これらの図に示す仮固定用シート１０は、支持フィルム１と、仮固定用樹脂組成物からなる仮固定用樹脂フィルム２Ａと、保護フィルム３とをこの順に備える。
　支持フィルム１としては、特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミドが挙げられる。支持フィルム１は、柔軟性及び強靭性に優れるという観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリアミド又はポリイミドであることが好ましい。また、樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物などにより離型処理が施されたフィルムを支持フィルムとして用いることが好ましい。
　支持フィルム１の厚さは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、３～３５０μｍであることが好ましい。厚さが、３μｍ以上であればフィルム強度が充分であり、３５０μｍ以下であれば充分な柔軟性が得られる傾向にある。このような観点から、支持フィルム１の厚さは、５～２００μｍであることがより好ましく、７～１５０μｍであることが更に好ましい。
　保護フィルム３としては、特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンが挙げられる。保護フィルム３は、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン又はポリプロピレンが好ましい。また、仮固定用樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物等により離型処理が施されたフィルムを保護フィルム３として用いることが好ましい。
　保護フィルム３の厚さは、目的とする柔軟性により適宜設定することができ、例えば、１０～３５０μｍであることが好ましい。厚さが１０μｍ以上であればフィルム強度がより良好になり、３５０μｍ以下であれば更なる柔軟性が得られる。このような観点から、保護フィルム３の厚さは、１５～２００μｍであることがより好ましく、２０～１５０μｍであることが更に好ましい。
　仮固定用樹脂フィルム２Ａは、上述の成分を有機溶媒中で混合及び混練してワニスを調製し、作製したワニスを支持フィルム１上に塗布して乾燥する方法により形成することができる。有機溶剤は特に限定されず、製膜時の揮発性等を沸点から考慮して決めることができる。具体的には、製膜時にフィルムの硬化を進みにくくする観点から、メタノール、エタノール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、２－ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶剤が好ましい。また、製膜性を向上させる等の目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン、シクロヘキサノンの比較的高沸点の溶剤を使用することが好ましい。これらの溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ワニスにおける固形分濃度は、１０～８０質量％であることが好ましい。
　混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はなく、通常６０℃～２００℃で、０．１～９０分間加熱して行うことができる。加熱乾燥によって支持フィルム１上に仮固定用樹脂フィルム２Ａが形成される。その後、仮固定用樹脂フィルム２Ａを覆うように保護フィルム３を貼り合わせることによって仮固定用シート１０が得られる。
　このようにして得られた仮固定用シート１０は、例えばロール状に巻き取ることによって容易に保存することができる。また、ロール状の仮固定用シート１０を好適なサイズに切り出した状態で保存することもできる。
　図２（Ａ）は二層の仮固定用樹脂層を有する仮固定用シートの一実施形態を示す上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＩＩ－ＩＩ線に沿った模式断面図である。これらの図に示す仮固定用シート２０は、支持フィルム１ａと、第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂからなる仮固定用樹脂フィルム２Ｂと、支持フィルム１ｂとをこの順に備える。第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂからなる仮固定用樹脂フィルム２Ｂがずり粘度に関する上記条件を満たす。第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂは同一の組成物で構成されていてもよいし、互いに異なる組成物で構成されていてもよい。第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂが異なる組成物で構成されている場合、例えば、第二樹脂層２ｂが半導体ウェハの凹凸を有する面と接する側とすると、第二樹脂層２ｂが優れた段差埋込性及び段差を有する面に対する優れた剥離性を有し（図６（Ｂ）参照）する一方、第一樹脂層２ａが加工に先立って貼り付けられる支持体（図５（Ａ）の支持体５０参照）に対する優れた剥離性を有するものとなるように設計することができる。
　仮固定用樹脂フィルム２Ｂは、上述の成分を有機溶媒中で混合及び混練してワニスを調製し、これを支持フィルム１ａ上に塗布して乾燥して作製した積層体と、これと同じ又は別途調製したワニスを支持フィルム１ｂ上に塗布して乾燥して作製した積層体とを貼り合わせことにより形成することができる。第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂを同じワニスで形成する場合、比較的厚い仮固定用樹脂フィルムを形成しても、有機溶媒の残存量を十分に低減しやすいという利点がある。第一樹脂層２ａ及び第二樹脂層２ｂは一体化して単層構造となっていてもよいし、二つの層の間に界面が存在して二層構造を維持していてもよい。
　仮固定用樹脂フィルム２Ａ，２Ｂの支持体（例えばシリコンミラーウェハ）に対する９０°剥離強度（剥離速度：３００ｍｍ／分）は、２５℃において５～２００Ｎ／ｍであることが好ましく、６～１８０Ｎ／ｍであることがより好ましい。９０°剥離強度が上記範囲内であれば、加工後の半導体ウェハに糊残りが生じることを十分に抑制でき、加工後の半導体ウェハを支持体から良好に剥離することができる。すなわち、９０°剥離強度が５Ｎ／ｍ以上であれば研削加工工程で電子部品と支持体とをより強固に固定することができ、２００Ｎ／ｍ以下であれば、支持体から仮固定用樹脂フィルムを剥離する際に支持体との間の糊残りを十分に低減でき、支持体上にフィルムが残る可能性を更に低減できる。
　９０°剥離強度は以下のように測定できる。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）を真空ラミネーター（株式会社エヌ・ピー・シー製、ＬＭ－５０Ｘ５０－Ｓ）のステージ上に置き、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムを第二の層がシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置する。これを１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートして測定用サンプルとする。得られた測定用サンプルを硬化させ、１０ｍｍ幅に切り出す。これを、剥離角度が９０°となるように設定した剥離試験機により、３００ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を９０°剥離強度とする。
［仮固定用シートの他の実施形態］
　図３（Ａ）は仮固定用シートの他の実施形態を示す上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。図３（Ａ）に示す仮固定用シート３０は、仮固定する部材（例えば、半導体ウェハ）の形状に合わせて仮固定用樹脂フィルム２Ａ及び保護フィルム３が予め裁断されていること以外は、仮固定用シート１０と同様の構成を有する。
　図４（Ａ）は仮固定用シートの他の実施形態を示す上面図であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＩＶ－ＩＶ線に沿った模式断面図である。図４（Ａ）に示す仮固定用シート４０は、仮固定する部材（例えば、半導体ウェハ）の形状に合わせて支持フィルム１ｂ、保護フィルム３及び仮固定用樹脂フィルム２Ｂが予め裁断されていること以外は、仮固定用シート１０と同様の構成を有する。なお、図３（Ａ）及び図４（Ａ）に示す態様においては、保護フィルム３、支持フィルム１ｂ及び仮固定用樹脂フィルム２Ａ，２Ｂが円形に裁断された態様を例示したが、仮固定する部材の形状に合わせてこれらの部材に切れ込みが設けられていたり、外縁部が残されていたりしていてもよい。
［半導体ウェハの加工方法］
　仮固定用樹脂組成物を用いた半導体ウェハの加工方法は、大きく分けて以下の４工程を備える。
（ａ）仮固定用樹脂組成物からなる仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程。
（ｂ）支持体に仮固定された半導体ウェハを加工する加工工程。
（ｃ）加工後の半導体ウェハを支持体及び仮固定材から分離する分離工程。
（ｄ）半導体ウェハに残渣がある場合、半導体ウェハを洗浄する洗浄工程。
　図５（Ａ）～図５（Ｃ）は半導体ウェハの加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図５（Ｄ）は加工後の半導体ウェハを示す上面図である。なお、図５（Ａ）～図５（Ｃ）においては、仮固定材（仮固定用樹脂層）が図２（Ｂ）又は図４（Ｂ）に示す二層構成の仮固定用樹脂フィルム２Ｂである場合を図示したが、仮固定材の構成はこれに限定されない。
＜（ａ）仮固定工程＞
　仮固定工程は、支持体５０と半導体ウェハＷとの間に、仮固定材を介在させ、支持体５０に対して半導体ウェハＷを仮固定する工程である（図５（Ａ））。半導体ウェハＷの厚さは、特に制限はないが、３００～８００μｍとすることができる。半導体ウェハＷの仮固定用樹脂フィルム２Ｂ側の面Ｗａには回路（不図示）が形成され且つ複数の接続端子Ｗｔが形成されている。半導体ウェハＷの面Ｗａから接続端子Ｗｔの頭頂部までに距離（接続端子Ｗｔの高さ）は、例えば、１～２００μｍであり、５～１５０μｍ又は１０～１００μｍであってもよい。
（ａ－１）支持体５０上への仮固定材の形成
　図５（Ａ）に示すように、二層構成の仮固定用樹脂フィルム２Ｂを使用する場合、ロールラミネーター及び真空ラミネーター等を使用して支持体５０上に仮固定材を形成することができる。なお、二層構成の仮固定用樹脂フィルムの代わりに、単層の仮固定用樹脂フィルム２Ａを使用してもよい。液状の仮固定用樹脂組成物を使用する場合、スピンコート、印刷及びディスペンス等の手段によって、支持体５０上に仮固定材を形成する。
　支持体５０の材質は特に制限されず、シリコンウェハ、ガラスウェハ、石英ウェハ、ＳＵＳ板等の基板が使用可能である。支持体５０には剥離処理を行ってもよく、支持体５０表面の全部又は一部を剥離処理することで、剥離層５２を形成してもよい（図５（Ａ）参照）。剥離処理に使用される剥離剤は特に限定されず、例えば、フッ素元素を有する表面改質剤、ポリオレフィン系ワックス及びシリコーンオイル、反応性基を含有するシリコーンオイル、シリコーン変性アルキド樹脂が剥離性に優れるため好ましい。
（ａ－２）半導体ウェハＷの貼り付け
　支持体５０とその表面上に形成された仮固定材とを有する積層体を、ウェハ接合装置又は真空ラミネーター上にセットする。仮固定材に対して半導体ウェハＷを押圧して貼り付ける（図５（Ａ）参照）。
　ウェハ接合装置として、例えば、ＥＶＧ社製真空プレス機ＥＶＧ５２０ＩＳ（商品名）が挙げられる。この装置を使用する場合、気圧１ｈＰａ以下、圧着圧力１ＭＰａ、圧着温度６０℃～２００℃、保持時間１００秒～３００秒で、半導体ウェハＷと支持体５０とを仮固定材を介して仮固定すればよい。
　真空ラミネーターとして、例えば、株式会社エヌ・ピー・シー製真空ラミネーターＬＭ－５０×５０－Ｓ（商品名）及びニチゴー・モートン株式会社製真空ラミネーターＶ１３０（商品名）が挙げられる。押圧条件は、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度４０℃～１８０℃（好ましくは６０℃～１５０℃）、ラミネート圧力０．０１～０．５ＭＰａ（好ましくは０．１～０．５ＭＰａ）、保持時間１秒～６００秒（好ましくは３０秒～３００秒）で、半導体ウェハＷと支持体５０とを仮固定材を介して仮固定すればよい。
（ａ－３）仮固定用樹脂フィルムの硬化
　支持体５０に対して半導体ウェハＷを仮固定した後、仮固定材の硬化を行う。硬化方法は特に制限されなく、熱又は放射線照射による方法がある。硬化方法としては、中でも、熱による硬化が好ましい。熱による硬化をする場合、硬化条件は、１００～２００℃で１０～３００分（より好ましくは２０～２１０分）の硬化が好ましい。温度が１００℃以上であれば仮固定材が充分に硬化して加工工程で問題が起きにくく、２００℃以下であれば仮固定材の硬化中にアウトガスが発生しにくく、仮固定材の剥離を更に抑制できる。また、硬化時間が１０分以上であれば加工工程で問題が起きにくく、３００分以下であれば作業効率が悪化しにくい。図５（Ｂ）における仮固定用樹脂フィルム２Ｃは仮固定用樹脂フィルム２Ｂの硬化体を示す。
＜（ｂ）加工工程＞
　加工工程は、ウェハレベルで用いられる研削、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が含まれる。研削方式には特に制限はなく、公知の研削方式が利用できる。研削は半導体ウェハＷと砥石（ダイヤモンド等）とに水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。
　例えば、図５（Ｂ）に示すように、グラインダーＧによって半導体ウェハＷの裏面Ｗｂを研削し、例えば７００μｍ程度の厚さを１００μｍ以下にまで薄化する。研削加工する装置としては、例えば、株式会社ディスコ製ＤＧＰ－８７６１（商品名）等が挙げられ、切削条件は所望の半導体ウェハＷの厚さ及び研削状態に応じて任意に選ぶことができる。
　その他の工程は具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクするためのレジストの塗布、露光・現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成等、公知のプロセスが挙げられる。
　図５（Ｃ）は、薄化した半導体ウェハＷの裏面側にドライイオンエッチング又はボッシュプロセス等の加工を行い、貫通孔を形成した後、銅めっき等の処理を行い、貫通電極Ｅｔを形成した例を示している。図５（Ｄ）は加工後の半導体ウェハＷの裏面Ｗｂ側を示す上面図である。なお、半導体ウェハＷは、後述のとおり、図５（Ｄ）に破線で示されたダイシングラインＬに沿って切断するダイシング工程を経て半導体素子に個片化される。
＜（ｃ）分離工程＞
　図６（Ａ）～図６（Ｄ）は、図５（Ｃ）に示す状態から後の工程を示す模式断面図である。分離工程は、仮固定用樹脂フィルムとともに半導体ウェハＷを支持体５０から剥離する第一の剥離工程と（図６（Ａ）参照）、半導体ウェハＷから仮固定材を剥離する第二の剥離工程（図６（Ｂ）参照）とを含む。なお、第一の剥離工程を実施することなく、仮固定用樹脂フィルムから半導体ウェハＷを剥離してもよい。剥離方法としては、半導体ウェハＷ又は支持体５０の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、電子部品の研削面に保護フィルムを貼り、電子部品と保護フィルムとをピール方式で支持体５０から剥離する方法等が挙げられる。
　第二の剥離工程では、例えば、図６（Ｂ）に示されるように、剥離された半導体ウェハＷ及び仮固定材をダイシングテープ９０上に移して半導体ウェハＷを水平に固定しておき、仮固定材の端を水平方向から一定の角度をつけて持ち上げることで、仮固定材が剥離された半導体ウェハＷを得ることができる（図６（Ｃ）を参照）。本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムを用いて仮固定材が形成されていることにより、糊残りなどの残渣が充分低減された加工済み半導体ウェハＷを容易に得ることができる。これらの剥離方法は、通常、室温で実施されるが、４０～１００℃程度の電子部品にダメージのない温度下で実施してもよい。機械的に分解する際は、例えばデボンダー（ズース・マイクロテック株式会社製、ＤＢ１２Ｔ）、Ｄｅ－Ｂｏｎｄｉｎｇ装置（ＥＶＧ社製、ＥＶＧ８０５ＥＺＤ）等を用いる。
　第二の剥離工程では、例えば、図５（Ｂ）に示されるように、電子部品８０を水平に固定しておき、フィルム状の仮固定材７０の端を水平方向から一定の角度をつけて持ち上げることで、仮固定材が剥離された電子部品８０を得ることができ、支持体を回収することができる。
＜（ｄ）洗浄工程＞
　半導体ウェハＷの回路形成面（面Ｗａ）は仮固定材の一部が残存しやすい。半導体ウェハＷの回路形成面に仮固定材が一部残存した場合、これを除去するための洗浄工程を設けることができる。仮固定材の除去は、例えば、半導体ウェハＷを洗浄することにより行うことができる。
　洗浄液は、一部残存した仮固定材を除去できるような洗浄液であれば、特に制限はない。このような洗浄液としては、例えば、仮固定用樹脂組成物の希釈に用いることができる上記有機溶剤が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　また、残存した仮固定材が除去しにくい場合は、有機溶剤に塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類は、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で０．０１～１０質量％が好ましい。また、洗浄液には、残存物の除去性を向上させるため既存の界面活性剤を添加してもよい。
　洗浄方法に特に制限はなく、例えば、上記洗浄液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が挙げられる。温度は１０～８０℃、好ましくは１５～６５℃が好適であり、最終的に水洗又はアルコール洗浄を行い、乾燥処理させて、薄型の半導体ウェハＷが得られる。
　なお、上述したように、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルム組成物によれば、糊残り等の残渣を充分に低減することができるため、洗浄工程を省略することが可能となる。
　貫通電極Ｅｔが形成された半導体ウェハＷは、更にダイシングラインＬに沿ったダイシングによって半導体素子に個片化される（図６（Ｄ）参照）。なお、図６（Ｄ）に示す複数の半導体素子１００は、ダイシングテープ９０のエキスパンドによって、互いに離間している。
　図７（Ａ）は上記工程を経て製造された半導体素子１００を模式的に示す断面図である。図７（Ｂ）は複数の半導体素子１００が積層された電子機器装置の一例を模式的に示す断面図である。半導体素子１００を配線基板１１０上に複数積層するとともに、半導体素子１００の上に更に半導体素子１００を配置して電気的に接続することにより電子機器装置１２０を得ることができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。例えば、本発明に係る仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート、並びに、半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの加工に限定されず、種々の電子部品の加工に適用して電子機器装置の製造方法に利用することができる。
　以下、実施例及び比較例によって、本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
［アクリルゴムＫ－１の合成］
　撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた５００ｃｃのセパラブルフラスコ内において、以下の成分を配合した。
・脱イオン水２００ｇ
・アクリル酸ブチル６０ｇ
・メタクリル酸メチル１０ｇ
・２－ヒドロキシエチルメタクリレート１０ｇ
・グリシジルメタクリレート２０ｇ
・１．８％ポリビニルアルコール水溶液１．９４ｇ
・ラウリルパーオキサイド０．２ｇ
・ｎ－オクチルメルカプタン０．０８ｇ
　続いて、６０分間にわたってＮ２ガスをフラスコに吹き込んで系内の空気を除去した後、系内温度を６５℃に昇温して５時間重合を行った。更に、系内温度を９０℃に昇温して２時間攪拌を続け重合を完結させた。重合反応により得られた透明のビーズをろ過により分離し、脱イオン水で洗浄した後、真空乾燥機で５０℃６時間乾燥させ、アクリルゴムＫ－１を得た。アクリルゴムＫ－１をＧＰＣで測定したところ、アクリルゴムＫ－１の重量平均分子量はポリスチレン換算で３０万であった。アクリルゴムＫ－１のＴｇは－２０℃であった。
［アクリルゴムＫ－２の合成］
　撹拌機、温度計、窒素置換装置（窒素流入管）及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた５００ｃｃのセパラブルフラスコ内において、以下の成分を配合した。
・脱イオン水２００ｇ
・アクリル酸ブチル７０ｇ
・メタクリル酸メチル１０ｇ
・２－ヒドロキシエチルメタクリレート１０ｇ
・グリシジルメタクリレート１０ｇ
・１．８％ポリビニルアルコール水溶液１．９４ｇ
・ラウリルパーオキサイド０．２ｇ
・ｎ－オクチルメルカプタン０．０６ｇ
　続いて、６０分間にわたってＮ２ガスをフラスコに吹き込んで系内の空気を除去した後、系内温度を６５℃に昇温して５時間重合を行った。更に、系内温度を９０℃に昇温して２時間攪拌を続け重合を完結させた。重合反応により得られた透明のビーズをろ過により分離し、脱イオン水で洗浄した後、真空乾燥機で５０℃６時間乾燥させ、アクリルゴムＫ－２を得た。アクリルゴムＫ－２をＧＰＣで測定したところ、アクリルゴムＫ－２の重量平均分子量はポリスチレン換算で４０万であった。アクリルゴムＫ－２のＴｇは－２８℃であった。
（実施例１～５、比較例１～８）
［仮固定用樹脂フィルムの調製］
　表１～３に示す質量部の組成で実施例及び比較例に係るワニスをそれぞれ調製した。調製したワニスを、離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人フィルムソリューション株式会社製、Ａ３１、厚さ３８μｍ）の離型処理面上に塗布し、９０℃で５分間、１４０℃で５分間加熱乾燥することによって第一樹脂層を形成した。同じワニスを用いて第二樹脂層を形成し、第一樹脂層及び第二樹脂層によって仮固定用樹脂フィルムを得た。その後、仮固定用樹脂フィルム上に保護フィルムを貼り合わせ、保護フィルム及び支持フィルムが付いた仮固定用樹脂フィルムを得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表１～３に記載の各成分の詳細は以下のとおりである。
・アクリルゴムＫ－１：ＧＰＣによる重量平均分子量３０万、グリシジルメタクリレート２０質量％、Ｔｇ－２０℃のアクリルゴム
・アクリルゴムＫ－２：ＧＰＣによる重量平均分子量４０万、グリシジルメタクリレート１０質量％、Ｔｇ－２８℃のアクリルゴム
・ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ：ＧＰＣによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３質量％、Ｔｇ１２℃のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製）
・ＹＤＣＮ－７００－１０：クレゾールノボラック型多官能エポキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製）
・ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製）
・ＨＥ１００－３０：フェノールアラルキル樹脂（エア・ウォーター株式会社製）
・ＳＨ３７７３Ｍ：ポリエーテル変性シリコーン化合物（東レ・ダウコーニング株式会社製）
・ＴＡ３１－２０９Ｅ：シリコーン変性アルキド樹脂（日立化成株式会社製）
・２ＰＺ－ＣＮ：イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製）
・２ＰＨＺ－ＰＷ：イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製）
・ＳＣ２０５０－ＨＬＧ：エポキシシラン表面処理シリカフィラ（アドマッテクス株式会社製）
　調製した実施例及び比較例の仮固定用樹脂フィルムについて、１２０℃におけるずり粘度、段差埋込性、２５０℃での耐熱性評価、硬化後の弾性率（２５℃における貯蔵弾性率）、支持体に対する仮固定用樹脂フィルムの９０°剥離強度及びプロセス性評価を、以下に示す方法にしたがって評価した。２５℃の雰囲気下に７日間放置した前（経時なし）及び後（経時あり）の評価結果を表４～６に示す。
［ずり粘度測定］
　仮固定用樹脂フィルムにおけるずり粘度を下記の方法により評価した。厚さ３０μｍに調整したフィルムを８０℃で８枚ラミネートし２４０μｍとし、回転式粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメント株式会社製、ＡＲＥＳ）を用いて、ずり粘度を測定した。測定方法は「ｐａｒａｌｌ　ｐｌａｔｅ」、測定冶具は直径８ｍｍの円形の治具、測定モードは「Ｄｙｎａｍｉｃ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｒａｍｐ」、周波数は１Ｈｚで行い、５％の歪みを与えながら３５℃から２０℃／分の昇温速度で２００℃まで昇温し、１２０℃に到達したときの粘度を測定した。
［段差埋込性］
　仮固定用樹脂フィルムの段差埋込性を下記の方法により評価した。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）表面に、仮固定用樹脂フィルムを８０℃でロールラミネートにて貼り合せ、仮固定用樹脂フィルム付きウェハを得た。次に、厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）表面に、ブレードダイシングにより幅４０μｍ、深さ４０μｍの溝を１００μｍ間隔で作製した。このようにして作製した段差付きシリコンミラーウェハの段差が上面となるように真空ラミネーター（株式会社エヌ・ピー・シー製、ＬＭ－５０Ｘ５０－Ｓ）のステージ上に置き、上記で作製した仮固定用樹脂フィルム付きウェハの仮固定用樹脂フィルム面を下にして、段差付きシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置した。これを、１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートした。その後、超音波顕微鏡（ＳＡＭ、インサイト株式会社製、Ｉｎｓｉｇｈｔ－３００）を用いて仮固定用樹脂フィルムの状態を確認した。埋込性の評価基準は以下のとおりである。
Ａ：ボイドの割合が５％未満。
Ｂ：ボイドの割合が５％以上。
［２５０℃での耐熱性評価］
　仮固定用樹脂フィルムの２５０℃での耐熱性を下記の方法により評価した。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）をブレードダイシングにより２５ｍｍ角に小片化した。小片化したシリコンミラーウェハ表面に、仮固定用樹脂フィルムを８０℃でロールラミネートした。次に、厚さが０．１～０．２ｍｍで大きさが約１８ｍｍ角のスライドガラスを、仮固定用樹脂フィルムの上に８０℃でロールラミネートし、仮固定用樹脂フィルムがシリコンウェハ及びスライドガラスで挟まれた積層体サンプルを作製した。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱して仮固定用樹脂フィルムを硬化させ、その後、２００℃で３０分間加熱した。更にその後２５０℃で３０分間加熱した。このようにして得られた試料をスライドガラス面から観察し、画像をＰｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）等のソフトウェハで解析し、仮固定用樹脂フィルム全体の面積に占めるボイドの割合から２５０℃での耐熱性を評価した。評価基準は以下のとおりである。
Ａ：ボイドの割合が５％未満。
Ｂ：ボイドの割合が５％以上。
［２５℃における貯蔵弾性率］
　仮固定用樹脂フィルムについて、硬化後の貯蔵弾性率を下記の方法により評価した。厚さ３０μｍに調整したフィルムを８０℃で８枚ラミネートし２４０μｍとし、これを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱して仮固定用樹脂フィルムを硬化させ、その後２００℃で３０分間加熱した。その後、厚さ方向に４ｍｍ幅、長さ３３ｍｍに切り出した。切り出したフィルムを動的粘弾性装置（製品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００、株式会社ユービーエム製）にセットし、引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３℃／分で測定し、２５℃での貯蔵弾性率を測定した。
［９０°剥離強度］
　シリコンミラーウェハ及び仮固定用樹脂フィルムの間の９０°剥離強度を下記の方法により評価した。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）を真空ラミネーター（株式会社エヌ・ピー・シー製、ＬＭ－５０Ｘ５０－Ｓ）のステージ上に置き、仮固定用樹脂フィルムがシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置し、１５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートした。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱して硬化させ、これを更に２００℃で３０分間加熱した後、１０ｍｍ幅に切り出し、測定用フィルムとした。測定用フィルムを、剥離角度が９０°となるように設定した剥離試験機で３００ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を９０°剥離強度とした。
［プロセス性評価］
　仮固定用樹脂フィルムのデボンド装置での剥離性を下記の方法により評価した。支持体としてシリコンミラーウェハに仮固定用樹脂フィルムを８０℃でロールラミネートにより貼り付けることで、仮固定用樹脂フィルム付き支持体を得た。次に、厚さ７２５μｍのシリコンミラーウェハ（８インチ）表面に、ブレードダイシングにより幅４０μｍ、深さ４０μｍの溝を１００μｍ間隔で作製し、表面に段差を有するシリコンウェハを用意した。このシリコンウェハの段差側に、仮固定用樹脂フィルム付き支持体の仮固定用樹脂フィルムが接触するように貼り合わせ、真空ボンディング装置（アユミ工業株式会社製ＶＥ０７－１４）で５ｍｂａｒの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、積層体を得た。このようにして得られた積層体を１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱することにより仮固定用樹脂フィルムを硬化させた。その後、これを２００℃で３０分間加熱した後、シリコンウェハの段差側と仮固定用樹脂フィルムとの間に、先端が鋭利なピンセットを差し入れ、外縁に沿ってピンセットを動かした。シリコンウェハ及び支持体が割れることなく剥離できたものをＡとし、剥離できなかったもの又は損傷が見られたものはＢとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　本発明によれば、電子部品の加工を良好に行うことができる仮固定用樹脂組成物を提供することができる。また、本発明によれば、上記仮固定用樹脂組成物を用いた仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート、並びに半導体装置の製造方法を提供することができる。
１，１ａ，１ｂ…支持フィルム、２Ａ，２Ｂ…仮固定材（仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂層、仮固定用樹脂フィルム）、２Ｃ…仮固定材（仮固定用樹脂組成物の硬化体）、２ａ…第一樹脂層（仮固定用樹脂層）、２ｂ…第二樹脂層（仮固定用樹脂層）、３…保護フィルム、１０，２０，３０，４０…仮固定用シート、５０…支持体、１００…半導体素子、１２０…半導体装置、Ｅｔ…貫通電極、Ｗ…半導体ウェハ、Ｗｔ…接続端子

Claims (14)

  1. 　フィルム状の仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程と、
    　前記支持体に仮固定された前記半導体ウェハを加工する加工工程と、
    　加工後の前記半導体ウェハを前記仮固定材から分離する分離工程と、
    を含む半導体ウェハの加工方法において、前記仮固定材を形成するための仮固定用樹脂組成物であって、
    　（Ａ）熱可塑性樹脂と、
    　（Ｂ）熱硬化性樹脂と、
    　（Ｃ）シリコーン化合物と、
    を含み、１２０℃でのずり粘度が４０００Ｐａ・ｓ以下であり且つ２５℃の雰囲気下に７日放置した後のずり粘度の変化率が３０％以内である、仮固定用樹脂組成物。
  2. 　前記（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量が、前記（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、１０～５００質量部である、請求項１に記載の仮固定用樹脂組成物。
  3. 　前記（Ｂ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の少なくとも一方を含む、請求項１又は２に記載の仮固定用樹脂組成物。
  4. 　（Ｄ）硬化促進剤を更に含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
  5. 　前記（Ａ）熱可塑性樹脂が、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含む反応性基含有（メタ）アクリル共重合体である、請求項１～４のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
  6. 　前記反応性基含有（メタ）アクリル共重合体が、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを、共重合成分全量を基準として１．０～１０質量％を含むエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体である、請求項５に記載の仮固定用樹脂組成物。
  7. 　前記（Ｃ）シリコーン化合物が、有機基変性シリコーンである、請求項１～６のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
  8. 　単層又は多層構成の仮固定用樹脂フィルムであって、
    　請求項１～７のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物からなる層を少なくとも一層含む、仮固定用樹脂フィルム。
  9. 　前記仮固定用樹脂組成物からなる層を二層有する、請求項８に記載の仮固定用樹脂フィルム。
  10. 　一つの前記仮固定用樹脂組成物からなる層と、他の前記仮固定用樹脂組成物からなる層が直接接している、請求項８又は９に記載の仮固定用樹脂フィルム。
  11. 　支持体と半導体ウェハの間に介在し、前記支持体に対する前記半導体ウェハの仮固定に使用される、請求項８～１０のいずれか一項に記載の仮固定樹脂フィルム。
  12. 　請求項８～１１のいずれか一項に記載の仮固定樹脂フィルムと、
    　前記仮固定樹脂フィルムの少なくとも一方の面に設けられた支持フィルムと、
    を備える、仮固定用シート。
  13. 　請求項１～７のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法。
  14. 　前記仮固定用樹脂組成物からなる仮固定材を介して支持体に半導体ウェハを仮固定する仮固定工程と、
    　前記支持体に仮固定された前記半導体ウェハを加工する加工工程と、
    　加工後の前記半導体ウェハを前記仮固定材から分離する分離工程と、
    を含む、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
PCT/JP2019/049245 2018-12-20 2019-12-16 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート並びに半導体装置の製造方法 WO2020129917A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020217019359A KR20210104065A (ko) 2018-12-20 2019-12-16 가고정용 수지 조성물, 가고정용 수지 필름 및 가고정용 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
CN201980083555.8A CN113195668B (zh) 2018-12-20 2019-12-16 临时固定用树脂组合物、临时固定用树脂膜及临时固定用片、以及半导体装置的制造方法
US17/414,954 US20220059388A1 (en) 2018-12-20 2019-12-16 Resin composition for temporary fixing use, resin film for temporary fixing use, sheet for temporary fixing use, and method for manufacturing semiconductor device
JP2020561420A JP7342886B2 (ja) 2018-12-20 2019-12-16 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート並びに半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018238562 2018-12-20
JP2018-238562 2018-12-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020129917A1 true WO2020129917A1 (ja) 2020-06-25

Family

ID=71100321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/049245 WO2020129917A1 (ja) 2018-12-20 2019-12-16 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート並びに半導体装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220059388A1 (ja)
JP (1) JP7342886B2 (ja)
KR (1) KR20210104065A (ja)
CN (1) CN113195668B (ja)
TW (1) TWI814968B (ja)
WO (1) WO2020129917A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016035821A1 (ja) * 2014-09-05 2016-03-10 日立化成株式会社 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム、仮固定用樹脂フィルムシート及び半導体ウェハの加工方法
WO2017191815A1 (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 日立化成株式会社 仮固定用樹脂フィルム

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4936667B1 (ja) 1969-12-19 1974-10-02
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP5962759B2 (ja) * 2012-06-29 2016-08-03 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法
KR102239643B1 (ko) * 2013-12-26 2021-04-12 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 가고정용 필름, 가고정용 필름 시트 및 반도체 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016035821A1 (ja) * 2014-09-05 2016-03-10 日立化成株式会社 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム、仮固定用樹脂フィルムシート及び半導体ウェハの加工方法
WO2017191815A1 (ja) * 2016-05-02 2017-11-09 日立化成株式会社 仮固定用樹脂フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
TW202033714A (zh) 2020-09-16
JP7342886B2 (ja) 2023-09-12
KR20210104065A (ko) 2021-08-24
JPWO2020129917A1 (ja) 2021-11-04
US20220059388A1 (en) 2022-02-24
CN113195668A (zh) 2021-07-30
TWI814968B (zh) 2023-09-11
CN113195668B (zh) 2023-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6958674B2 (ja) 電子部品の加工方法
WO2021085539A1 (ja) 基板搬送用サポートテープ及び電子機器装置の製造方法
JP6627255B2 (ja) 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシート
JP7147163B2 (ja) 仮固定用樹脂フィルム、仮固定用樹脂フィルムシート、及び半導体装置の製造方法
JP2019151696A (ja) 仮固定用の樹脂組成物、樹脂フィルム及び樹脂フィルムシート
WO2016035821A1 (ja) 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム、仮固定用樹脂フィルムシート及び半導体ウェハの加工方法
JP2017203139A (ja) 電子部品支持部材
JP7342886B2 (ja) 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用シート並びに半導体装置の製造方法
JP2017204612A (ja) 電子部品支持部材
JP7392730B2 (ja) 仮固定用樹脂組成物、基板搬送用サポートテープ及び電子機器装置の製造方法
JP7392731B2 (ja) 仮固定用樹脂組成物、基板搬送用サポートテープ及び電子機器装置の製造方法
JP2019031608A (ja) 仮固定用樹脂フィルム、仮固定用樹脂フィルムシート及びそれらの製造方法
WO2023132158A1 (ja) 仮固定材形成用樹脂組成物、仮固定材、基板搬送用サポートテープ及び電子機器装置の製造方法
WO2023199845A1 (ja) 熱硬化性接着剤組成物、積層フィルム、接続体及びその製造方法
CN110678966B (zh) 半导体加工用胶带
JP2018078199A (ja) 仮固定用樹脂組成物、仮固定用樹脂フィルム及び仮固定用樹脂フィルムシート

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19901326

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020561420

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

32PN Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established

Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC (EPO FORM 1205 DATED 04.10.21)

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19901326

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1