JP2019209689A

JP2019209689A - 帯電防止ダイアタッチフィルム、その製造方法、及びこれを用いたウエハダイシング工程

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Publication number: JP2019209689A
Application number: JP2019105694A
Authority: JP
Inventors: ヨン・グン・キム; Young Gun Kim; チェ・ウォン・チェ; Jae-Won Choi; ホン・ウック・ハ; Hun Uk Ha; チャ−ミン・ク; Ja-Min Gu; ポムソク・シン; Bumseok Shin; ヒョン・チョン・チョ; Hyeongjun Cho; ソン−モク・パク; Sung-Muk Park
Original assignee: Innox Advanced Materials Co Ltd
Current assignee: Innox Advanced Materials Co Ltd
Priority date: 2018-06-05
Filing date: 2019-06-05
Publication date: 2019-12-12
Also published as: TWI823941B; KR102563869B1; KR20190138457A; CN110564329B; CN110564329A; TW202003743A

Abstract

【課題】剥離帯電圧が低くて半導体パッケージング時に電荷帯電による素子破壊を防止して不良率を格段に低めることができる帯電防止ダイアタッチフィルムの提供。【解決手段】帯電防止層４、ポリオレフィンフィルム（PO film、Polyolefin film）層３、ＰＳＡ（Pressure sensitive adhesive）層２を含むダイシングフィルム１０；及びダイシングフィルムのＰＳＡ層２の上部に積層された接着剤層１；を含み、ダイシングフィルム１０は、帯電防止層４、ポリオレフィンフィルム層３、及びＰＳＡ層２が順に積層されているか、またはポリオレフィンフィルム層３、帯電防止層４、及びＰＳＡ層２が順に積層されている帯電防止ダイアタッチフィルム１００。【選択図】図１

Description

本発明はＤＢＧ（dicing before grinding）またはＳＤＢＧ（stealth dicing before grinding）などのウエハダイシング工程に使われるＤＡＦ（die attach film）であって、帯電防止機能があり、かつ特定条件でボンディング（bonding）及びディボンディング（de-bonding）容易なＤＡＦ、これを用いたウエハダイシング工程に関する。

一般に、ウエハダイシング工程とは、半導体製造工程のうち、ウエハ製造工程と呼ばれる前工程とアセンブリー（assembly）工程と呼ばれる後工程との間に位置する工程であって、多数の半導体チップまたはダイが形成されたウエハを切断して個々のダイに分離させる工程をいう。

一般的なウエハダイシング工程は高速で回転するブレード（blade）を用いるか、または特定エネルギーを有するレーザーを利用してウエハ上に形成されたダイの間の切断線（scribe line）に沿って切断を遂行することになる。

２００μｍ以下の薄い（thin）ウエハをばらのダイにソーイング（sawing）する既存のブレードを用いた方法は、過度なエッジクラック（edge crack）、チッピング（chipping）、及び断面クラックを誘発してダイの破壊強度（fracture strength）、即ちダイが破れに堪える力を低下させる。それによって、小さい外部衝撃によってもダイが容易に破れるようになる。ブレード利用に従うウエハのエッジクラックなどは、ウエハとブレードが機械的に接触することによって発生する振動、摩擦熱などに起因する。

ダイの破壊強度を強化するために切削面の損傷（damage）を最小化しなければならないが、このためにブレードの厚さを薄くしたり、切削速度を落としたりする方法が提案されている。しかしながら、ブレード厚さの減少は限界があり、切削速度の減少は量産性の低下をもたらすという短所を有する。

一方、他の方法に、ＤＢＧ（dicing before grinding）、即ちウエハの裏面研磨（back grinding）前にブレードによるダイシングを実施してウエハに対する衝撃を相対的に少なくする方法が提案されているが、現在一般的に適用されているダイ接着フィルム（die attach film：ＤＡＦ）工程を適用し難いという制約があり、また裏面研磨後、リングマウント（ring mount）内でダイが正確な位置（position）を維持し難いという問題点を有する。ここで、リングマウントは一般的にダイシングされたウエハを支持する装置であって、内部下部面がテープで塞がれている円形のステンレススチール（stainless steel）のリングからなる半導体装備である。

レーザーを用いたウエハダイシング方法のうちの１つであるＳＤＢＧ（stealth dicing before grinding）は、相対的に高い量産性及び切断面の低い損傷により脚光を浴びている。ＳＤＢＧウエハダイシング方法は光源の種類によって切削原理に差異がある。

ところで、ＤＢＧまたはＳＤＢＧウエハダイシング工程でＤＡＦパッケージング（packaging）時、フィルムを合紙時、ウエハまたは半導体チップとの接触によりＤＡＦフィルム内の電荷の移動が発生して電気的に二重層（＋層と−層）を形成することになり、半導体チップピックアップ（pickup）時、ＤＡＦが剥離されながら剥離帯電が発生し、その結果、半導体チップスタック（stack）時、隣接半導体チップに静電気電流放電が発生して素子破壊が起こるという問題があった。

韓国公開特許番号１０−２０１３−００３７６３８号（公開日２０１３．０４．１６）韓国公開特許番号１０−２０１７−００８８２８５号（公開日２０１７．０８．０１）

本発明の目的は、ＤＢＧまたはＳＤＢＧなどのウエハダイシング工程に使われるＤＡＦフィルムを帯電防止機能が与えられたダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）を使用することによって、半導体スタック（stack）時、静電気電流放電による半導体チップの素子破壊を防止することができる新規のＤＡＦを提供しようとする。

前述した課題を解決するために、本発明の帯電防止ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）は、帯電防止層、ポリオレフィンフィルム（PO film、Polyolefin film）層、ＰＳＡ（Pressure sensitive adhesive）層を含むダイシングフィルム；及びダイシングフィルムの前記ＰＳＡ層の上部に積層された接着剤層；を含む。

本発明の好ましい一実施形態として、前記ダイシングフィルムは、帯電防止層、ポリオレフィンフィルム層、及びＰＳＡ層が順に積層されているか、またはポリオレフィンフィルム層、帯電防止層、及びＰＳＡ層が順に積層されていることができる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記帯電防止層は、Ａｌ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｎｉ（ニッケル）、及びＡｇ（銀）のうちから選択された１種以上を含むことができる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記接着体層はＢ−ステージ状態の接着剤またはＢ−ステージ状態の接着フィルムを含むことができる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記Ｂ−ステージ状態の接着剤は数平均分子量６００，０００〜１，０００，０００である熱可塑性樹脂６０〜７５重量％、前記エポキシ樹脂１０〜２５重量％、硬化剤２〜１０重量％、無機充填剤４〜１５重量％、硬化促進剤０．１〜２重量％、及びカップリング剤０．１〜４重量％を含むことができる。

本発明の好ましい一実施形態として、帯電防止ダイアタッチフィルムは、前記帯電防止層の厚さが５〜３０ｎｍの時、接着剤層の剥離帯電圧（ＥＳＤ、electrostatic discharge）は０．１ｋＶ〜０．８ｋＶでありうる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記帯電防止層の表面抵抗は１×１０²〜１×１０¹²ｏｈｍ／ｓｑでありうる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記接着剤層の貯蔵弾性率は以下の方程式６を満たすことができる。

［方程式６］
１８≦接着剤層の２５℃での硬化前貯蔵弾性率値（Ｍｐａ）／接着剤層の１３０℃での硬化前貯蔵弾性率値（Ｍｐａ）≦９０

方程式６において、前記貯蔵弾性率値は２０ｍｍ×５ｍｍ（横×縦）サイズの試片を、動的熱機械分析装置（Perkin Elmer社、Diamond DMA）を用いて、測定温度−３０℃〜３００℃（昇温速度１０℃／分）及び測定周波数１０Ｈｚの条件で測定したものである。

本発明の好ましい一実施形態として、前記接着剤層は２６０℃での硬化後貯蔵弾性率値が３ＭＰａ以上でありうる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記接着剤層は厚さが２０μｍの時、硬化後２６０℃でのせん断接着強度が４〜１０ＭＰａでありうる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記ダイシングフィルムのＰＳＡ層は前記接着層に対する２２℃での粘着力がＵＶ（ultraviolet）硬化前には８０〜３００Ｎ／ｍであり、ＵＶ硬化後には２２℃での粘着力が２０Ｎ／ｍ以下でありうる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記ＰＳＡ層と前記接着剤層との間の粘着力は−１５℃〜−７℃温度下で最大接着力を有し、前記最大接着力は３００〜７００Ｎ／ｍでありうる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記ダイシングフィルムのＰＳＡ層と前記接着層との間の粘着力はＵＶ硬化前の粘着力が以下の方程式１〜方程式５を満たし、かつ−１３℃〜−１５℃での粘着力が−７℃〜−１０℃での粘着力より高いことを特徴とすることができる。

［方程式１］
１５０Ｎ／ｍ≦０℃での粘着力≦４７０Ｎ／ｍ

［方程式２］
２２０Ｎ／ｍ≦−３℃〜−５℃での粘着力≦５２０Ｎ／ｍ

［方程式３］
３００Ｎ／ｍ≦−７℃〜−１０℃での粘着力≦５４０Ｎ／ｍ

［方程式４］
３０５Ｎ／ｍ≦−１３℃−１５℃での粘着力≦７００Ｎ／ｍ

［方程式５］
−１８℃〜−２０℃での粘着力≦５００Ｎ／ｍ

本発明の好ましい一実施形態として、前記ＰＳＡ層は、アクリル共重合樹脂９０〜９７重量％、熱硬化剤２〜８重量％、及び光開始剤０．１〜２重量％を含むＰＳＡ樹脂で形成されたものでありうる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記アクリル共重合樹脂は、アクリル酸−２−エチルヘキシル１００重量部に対し、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル１０〜４０重量部、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０〜４５重量部を共重合反応させた共重合体を含むことができる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記共重合体はエチルヘキシルメタクリレート及びヒドロキシルエチルメタクリレートのうちから選択された１種以上をさらに共重合させた共重合体でありうる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記共重合時、エチルヘキシルメタクリレートは、アクリル酸−２−エチルヘキシル１００重量部に対し、５〜１３５重量部で使用することができる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記共重合時、ヒドロキシルエチルメタクリレートは、アクリル酸−２−エチルヘキシル１００重量部に対し、３〜３０重量部で使用することができる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記接着剤層及び前記ＰＳＡ層との間の接着力は−２０℃〜−７℃温度下で最大接着力を有し、前記最大接着力は３００〜７００Ｎ／ｍでありうる。

本発明の好ましい一実施形態として、本発明のダイアタッチフィルムにおいて、接着剤層は平均厚さ５μｍ〜６０μｍであり、前記ダイシングフィルム層は６０μｍ〜１５０μｍでありうる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記ＰＳＡ層は５μｍ〜３０μｍであり、前記帯電防止層は平均厚さ１ｎｍ〜３０ｎｍでありうる。

本発明の好ましい一実施形態として、本発明のダイアタッチフィルムを接着剤層の上方から見た時、前記接着剤層はＰＳＡ層の内部に存在し、接着剤層の面積はＰＳＡ層の面積より小さいことがある。

本発明の好ましい一実施形態として、本発明のダイアタッチフィルムは前記接着剤層の上部に保護フィルム層（または、離型フィルム層）がさらに積層されていることができる。

本発明の他の目的は、前述したダイアタッチフィルムを製造する方法に関するものであって、帯電防止層、ポリオレフィンフィルム層、ＰＳＡ層を含むダイシングフィルムを製造する１ステップ；及び前記ダイシングフィルムのＰＳＡ層の上部に接着フィルムを積層させて一体化させるか、または前記ダイシングフィルムのＰＳＡ層の上部に接着剤をキャスティング及び乾燥させて接着層を形成させる２ステップ；を含む工程を遂行して製造することができる。

本発明の好ましい一実施形態として、前記接着フィルムまたは接着層は、Ｂ−ステージ状態でありうる。

本発明の更に他の目的は、前述したダイアタッチフィルムを用いたＤＢＧ（dicing before grinding）またはＳＤＢＧ（stealth dicing before grinding）ウエハダイシング工程を提供することにある。

本発明のダイアタッチフィルムは剥離帯電圧が低くて半導体パッケージング時、電荷帯電による素子破壊を防止して不良率を格段に低めることができるだけでなく、ＵＶ硬化前にはフィルム内の接着剤層がＰＳＡ層間に高い接着力を維持しながら、ＵＶ硬化後にはフィルム内の接着剤層がＰＳＡ層と、接着力が非常に低くなって、効果的にボンディング及びディボンディング可能であるので、ウエハダイシング及び半導体チップピックアップ工程の効率を増大させることができる。

各々本発明の好ましい一具現例であって、本発明の帯電防止ＤＡＦの概略図である。各々本発明の好ましい一具現例であって、本発明の帯電防止ＤＡＦの概略図である。各々本発明の好ましい一具現例であって、本発明の帯電防止ＤＡＦの概略図である。本発明ＤＡＦの接着剤層がＵＶ硬化前ウエハとラミネーティング後にＵＶ硬化を通じてＰＳＡとの粘着力が弱くなってウエハと共にピックアップしてチップをスタックする概略図を示すものである。

本発明で使用する用語のうち、“Ｂ−ステージ（B-stage）状態”とは、半硬化状態をいい、具体的に物質の硬化反応過程のうち、中間状態をいう。そして、“Ｃ−ステージ（C-stage）状態”とは、完全硬化された状態をいう。

以下、本発明をより具体的に説明する。

ＤＢＧ（dicing before grinding）またはＳＤＢＧウエハダイシング工程は裏面が研磨されたウエハの裏面にＤＡＦを接着した後、ウエハの研磨された裏面の反対面に貼られているバックグラウンドテープを剥離させた後、ＤＡＦをエクスパンディング（expanding）工程を遂行した後、ＵＶ照射工程を遂行することになる。その後、半導体チップピックアップ工程、半導体チップスタック（stack）工程、ワイヤーボンディング工程、ＥＭＣモールディング工程を順に遂行して半導体チップを製造する。

ところで、ＤＡＦ接着時、半導体との接触により電荷移動に従う電気二重層（＋層及び−層）が形成され、半導体チップピックアップ工程時、ＤＡＦフィルム内の接着剤層はダイシングフィルム層（ＰＳＡ層含み）と分離することになるが、この際、剥離帯電が発生することになる。また、ＤＡＦフィルムはエクスパンディング（expanding）工程などを遂行するところ、前記ＵＶ照射工程前まで適正な接着力を維持しなければならず、ＵＶ照射後には円滑な半導体チップピックアップのための分離を容易にするために接着力が低くならなければならない。

本発明はこのような条件を満たす帯電防止ダイアタッチフィルム（以下、ＤＡＦと称する）に関するものである。

図１から図２に概略図として示すように、本発明のＤＡＦは、帯電防止層４、４’、ポリオレフィンフィルム（PO film、Polyolefin film）層３、ＰＳＡ（Pressure sensitive adhesive）層２を含むダイシングフィルム１０、１０’；及びダイシングフィルムの前記ＰＳＡ層２の上部に積層された接着剤層１；を含む。

そして、本発明のＤＡＦのダイシングフィルムは、図１の概略図のように帯電防止層４、ポリオレフィンフィルム層３、及びＰＳＡ層２が順に積層されていることができる。

また、本発明のＤＡＦのダイシングフィルムは図２の概略図のようにポリオレフィンフィルム層３、帯電防止層４’及びＰＳＡ層２が順に積層されていることもできる。

本発明のＤＡＦは接着剤層１の上方から見た時、前記接着剤層１はＰＳＡ層２の内部に存在し、接着剤層の面積はＰＳＡ層の面積より小さいことがある。

また、本発明のＤＡＦは前記接着剤層１の上部に保護フィルム層（または、離型フィルム層）３０、３０’がさらに積層されていることができ、図３のＡ〜Ｃのように多様な形態に形成されていることができる。

以下、本発明のＤＡＦを構成するダイシングフィルム及び接着剤層について具体的に説明する。

ダイシングフィルムを構成するポリオレフィンフィルム層は基材の役割をするものであって、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレンのポリオレフィン共重合体及びエチレン−アセト酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メト）アクリル酸共重合体、エチレン−（メト）アクリル酸共重合体のうちから選択された単種または２種以上のポリオレフィン樹脂を、好ましくは低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン及びランダム共重合ポリプロピレンのうちから選択された単種または２種以上のポリオレフィン樹脂を使用することができ、単層または多層に形成させることができる。

次に、ダイシングフィルムを構成する帯電防止層はＤＡＦの剥離帯電圧を低めて、半導体パッケージング時、電荷帯電による素子破壊の発生を防止する役割をするものであって、その平均厚さは１ｎｍ〜３５ｎｍ、好ましくは２〜３０ｎｍ、より好ましくは２〜２５ｎｍのものが良い。この際、帯電防止層を平均厚さが１ｎｍ未満に形成させることは技術的に限界があり、剥離帯電圧が１ｋＶ以上に高まるという問題がありえ、帯電防止層を平均厚さが３５ｎｍを超過すれば、ＵＶ透過度が５％未満に低くなってＰＳＡ層をＵＶ硬化させ難いという問題がありうる。

そして、前記帯電防止層はＡｌ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｎｉ及びＡｇのうちから選択された単種または２種以上で形成させることができる。

［ＰＳＡ層］
次に、ダイシングフィルムを構成するＰＳＡ層は接着剤層がＵＶ硬化される前には接着剤層と高い粘着力を維持してから、接着剤層がＵＶ硬化された後には粘着力が非常に弱くなって接着剤層から剥離が容易でなければならない。前記ＰＳＡ層はＰＳＡ樹脂を前記ポリオレフィンフィルムまたは帯電防止層の一面に直接キャスティングコーティング及び乾燥させて形成させるか、またはＰＳＡ樹脂を用いてＰＳＡフィルムを別途に製造した後、前記ポリオレフィンフィルムまたは帯電防止層の一面にラミネートさせてＰＳＡ層を形成させることもできる。

本発明のＤＡＦ内のＰＳＡ層の平均厚さは５μｍ〜３０μｍのものが良く、この際、ＰＳＡ層の厚さが５μｍ未満であれば粘着力が充分でなくてウエハエクスパンディング過程でダイシングフィルムがリングフレームから脱離されるという問題があり、３０μｍを超過すれば、フィルムキャスティング後、乾燥時に残留溶剤が残って接着剤接着フィルムとの固着化を誘発するという問題がありうる。

前記ＰＳＡ層形成に使われるＰＳＡ樹脂は、アクリル共重合樹脂、熱硬化剤、及び光開始剤を含む。

前記アクリル共重合樹脂は、アクリル酸−２−エチルヘキシル１００重量部に対し、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル１０〜４０重量部、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０〜４５重量部を共重合反応させた共重合体を含むものが良く、好ましくはアクリル酸−２−エチルヘキシル１００重量部に対し、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル１５〜３８重量部、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート２０〜４０重量部を共重合反応させた共重合体を、より好ましくはアクリル酸−２−エチルヘキシル１００重量部に対し、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル１５〜３５重量部、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート２５〜３８．５重量部を共重合反応させた共重合体を含むことができる。

この際、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル使用量が１０重量部未満であれば、０℃以下でのＰＳＡ層の粘着力が非常に低いという問題がありえ、４０重量部を超過すれば、−７〜−１０℃位で最大粘着力を有するという問題がありうる。そして、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０重量部未満であれば、−３〜−５℃位で最大粘着力を有するという問題がありえ、４５重量部を超過すればＰＳＡのＵＶ硬化後、粘着力があまりに低くなってピックアップ工程でリングフレーム脱離やチップが飛散するという問題がありうる。

また、前記アクリル共重合樹脂は、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリロイルオキシエチルイソシアネートの他に、エチルヘキシルメタクリレート及びヒドロキシルエチルメタクリレートのうちから選択された１種または２種をさらに共重合させた共重合体でありうる。

より具体的には、前記アクリル共重合樹脂は、アクリル酸−２−エチルヘキシル１００重量部に対し、前記エチルヘキシルメタクリレート５〜１３５重量部をさらに共重合させるか、好ましくはエチルヘキシルメタクリレート５〜７５重量部を、より好ましくはエチルヘキシルメタクリレート６〜４５重量部をさらに共重合させて製造することができる。

また、前記アクリル共重合樹脂はアクリル酸２−エチルヘキシル１００重量部に対し、ヒドロキシルエチルメタクリレート３〜３０重量部を、好ましくはヒドロキシルエチルメタクリレート４〜２０重量部を、より好ましくはヒドロキシルエチルメタクリレート５〜１０重量部をさらに共重合させて製造することができる。

そして、前記アクリル共重合樹脂は、ＰＳＡ樹脂全体重量のうち、９０〜９７重量％で、好ましくは９１〜９６．５重量％で、より好ましくは９２〜９６重量％で含むのが良い。この際、アクリル共重合樹脂含量が９０重量％未満であれば、ＰＳＡ層と接着剤層とのＵＶ硬化前の低温粘着力が低いという問題がありえ、９７重量％を超過すれば、相対的に他の成分があまりに少なく含まれ全般的な粘着性が落ちるという問題がありうる。

また、前記ＰＳＡ樹脂は熱硬化剤を２〜８重量％、好ましくは３〜７重量％で含むことができ、熱硬化剤含量が２重量％未満であれば、ＰＳＡ層の凝集力が不足しＰＳＡ層がリングフレームや接着フィルム層に転移されるという問題がありえ、８重量％を超過すれば、ＵＶ前の粘着力があまりに低くなってリングフレームから脱離されるという問題がありうる。そして、前記熱硬化剤には当業界で使用する一般的な熱硬化剤を使用することができ、好ましくはポリイソシアネート、より好ましくはトルエンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート及びヘキサメチレンジイソシアネートのうちから選択された１種以上を含むポリイソシアネートを使用することができる。

また、前記ＰＳＡ樹脂は光開始剤を０．１〜２重量％、好ましくは光開始剤を０．４〜１．５重量％、より好ましくは０．５〜１．２重量％で含むことができる。そして、光開始剤には当業界で使用する一般的な光開始剤を使用することができ、好ましくは光開始剤としてベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタル、２，４−ジエチルチオキサントン、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、及びβ−クロロアントリキノンのうちから選択された１種または２種以上を混合して使用することができる。

前述した帯電防止層、ポリオレフィンフィルム層、及びＰＳＡ層を含む前記ダイシングフィルムは、平均厚さ６０μｍ〜１５０μｍ、好ましくは８０μｍ〜１３０μｍのものが良く、この際、ダイシングフィルムの平均厚さが６０μｍ未満であれば、ウエハエクスパンディング時、フィルムが破れるか、または力の伝達が円滑でなくてウエハが分断できないという問題がありえ、平均厚さが１５０μｍを超過すれば、フィルムのエクスパンディング時、あまりに多くの力がウエハに伝達されてチップが飛散するという問題がありうる。

［接着剤層］
次に、前記接着剤層はＰＳＡ層の一面に接着樹脂（または、接着剤）をキャスティング及び乾燥させて形成させるか、または接着樹脂を用いて接着フィルムを製造した後、ＰＳＡ層の一面に前記接着フィルムをラミネートさせてダイシングフィルムと一体化させることができる。

本発明の前記接着剤層はＢ−ステージ状態で存在し、ウエハとラミネーティングの後にＵＶ硬化を通じてＰＳＡ粘着力が弱くなれば、ウエハと共にピックアップしてチップをスタックする（図４参照）。

前記接着剤層形成に使われる接着樹脂（または、接着剤）は、熱可塑性樹脂；エポキシ樹脂；硬化剤；無機充填剤；硬化促進剤；及びカップリング剤；を含む組成物を混合して製造することができる。

前記熱可塑性樹脂は、数平均分子量６００，０００〜１，０００，０００のものを、好ましくは数平均分子量７００，０００〜９００，０００のものを、より好ましくは７４０，０００〜８７０，０００のものを使用するのが良いが、この際、熱可塑性樹脂の数平均分子量が６００，０００未満であれば、耐熱性が不足し信頼性が低下するという問題がありえ、数平均分子量が１，０００，０００を超過すれば、凝集力が過多となり初期付着特性が低下するという問題がありうるためである。

このような熱可塑性樹脂としてはアクリル共重合体樹脂を使用することができ、好ましくはガラス転移温度１０〜２０℃のアクリル共重合体樹脂を、より好ましくはガラス転移温度１２〜１８℃でありうる。そして、前記アクリル共重合体樹脂はエチルアクリレート、ブチルアクリレート、メチルメタアクリレート、グリシジルアクリレート、及びアクリロニトリルの共重合体でありえ、この際、前記共重合体の単量体であるグリシジルアクリレート及びアクリロニトリルは６．５〜１２重量比で共重合されていることができ、より好ましくはグリシジルアクリレート及びアクリロニトリルは８〜１０重量比で共重合できる。

そして、接着樹脂全体重量のうち、熱可塑性樹脂の含量は６０〜７５重量％、好ましくは６２〜７４重量％、より好ましくは６５〜７２重量％のものが良いが、熱可塑性樹脂含量が６０重量％未満であれば、補強フィルムが硬化前弾性が足りず接着効果が落ちて、製造が難しいという問題があり、７５重量％を超過すれば、熱硬化部含量が不足し全体架橋度が低くて硬化後の接着力の低下及び耐熱性が不足するという問題がありうるためである。

また、前記接着樹脂成分のうち、前記エポキシ樹脂はビスフェノール系エポキシ樹脂及びクレゾールノボラック系エポキシ樹脂を１：０．２〜１．２重量比で、好ましくは１：０．５〜１．２重量比で混合して使用するのが良い。この際、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂使用量が０．２重量比未満であれば、３次元架橋を形成する架橋点が不足し耐熱性が不足することがありえ、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂使用量が１．２重量比を超過すれば、架橋度があまり高くて耐衝撃性に脆弱であるという問題がありうる。そして、前記ビスフェノール系エポキシ樹脂は当量４００〜５００ｇ／ｅｑ及び軟化点５７℃〜７０℃のビスフェノールＡエポキシ樹脂を、より好ましくは当量４４０〜４９５ｇ／ｅｑ及び軟化点６０℃〜６８℃のビスフェノールＡエポキシ樹脂を使用するのが良い。また、前記クレゾールノボラック系エポキシ樹脂は当量１５０〜２５０ｇ／ｅｑ及び軟化点４８℃〜５４℃のクレゾールノボラックエポキシ樹脂を使用することができ、より好ましくは１８０〜２２０ｇ／ｅｑ及び軟化点５０℃〜５４℃のクレゾールノボラックエポキシ樹脂を使用するのが良い。そして、接着樹脂全体重量のうち、エポキシ樹脂の含量は１０〜２５重量％、好ましくは１２〜２２重量％、より好ましくは１５〜２０重量％のものが良いが、エポキシ樹脂含量が１０重量％未満であれば、補強フィルムの硬化後、接着力が不足するという問題がありえ、２５重量％を超過すれば、硬化前後の脆性が強くて裁断時、接着効果減少現象が発生し、硬化後、耐衝撃性に問題がありうるためである。

また、接着樹脂成分のうち、前記硬化剤は当業界で使用する一般的なものを使用することができ、好ましくはＯＨ当量９５〜１２０ｇ／ｅｑ及び軟化点１１０℃〜１３０℃のフェノールノボラック樹脂を使用することができ、より好ましくはＯＨ当量１００〜１１０ｇ／ｅｑ及び軟化点１１５℃〜１２５℃のフェノールノボラック樹脂を使用するのが良い。そして、接着樹脂全体重量のうち、硬化剤の含量は２〜１０重量％、好ましくは３〜８重量％、より好ましくは４〜７．５重量％のものが良いが、硬化剤含量が２重量％未満であれば、補強フィルムが硬化後、架橋密度があまりに低くて接着力が不足するという問題がありえ、１０重量％を超過すれば、未反応硬化剤の残存により信頼性が低下するという問題がありうるためである。

また、接着樹脂成分のうち、前記無機充填剤は寸法安定性及び耐熱性を補完する役割をするものであって、シリカ、アルミナ、カーボンブラック、二酸化チタニウム、及びチタン酸バリウムのうちから選択された１種以上を使用することができる。そして、前記無機充填剤は平均粒径１０〜１００μｍのものを、好ましくは１０〜５０ｎｍのものを使用するのが良い。そして、接着樹脂全体重量のうち、無機充填剤の含量は４〜１５重量％、好ましくは６〜１３重量％、より好ましくは７〜１２．５重量％のものが良いが、無機充填剤の含量が４重量％未満であれば、熱膨張係数が上昇して熱膨脹及び収縮により基材間接着力が低下するという問題がありえ、１５重量％を超過すれば、接着力が格段に低下するという問題がありうるためである。

また、接着樹脂成分のうち、前記硬化促進剤はＢ−ステージ状態の接着剤層をＵＶ硬化させる時、硬化を促進させる役割をするものであって、イミダゾール系硬化促進剤またはリン系硬化促進剤を使用することができ、好ましくはイミダゾール系硬化促進剤を使用するのが良い。この際、前記イミダゾール系硬化促進剤には四国化成工業株式会社の２Ｅ４ＭＺ、２Ｅ４ＭＺ−Ａ、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ、２ＰＺ、２ＰＺ−ＣＮ、２Ｐ４ＭＺ、Ｃ１１Ｚ、Ｃ１１Ｚ−ＣＮ、Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ、Ｃ１７Ｚ、２ＭＺ、２ＭＺ−Ｈ、２ＰＨＺ−Ｓ、２ＰＨＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ、及びＴＢＺのうちから選択された１種以上を含むことができる。そして、前記リン系硬化促進剤はトリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリキシリルホスフィン、ホスフィンオキサイド、トリフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート、テトラフェニルホスホニウム及びテトラフェニルボラートのうちから選択された１種以上を含むことができる。そして、接着樹脂全体重量のうち、硬化促進剤の含量は０．１〜２重量％、好ましくは０．１〜１重量％、より好ましくは０．１〜０．８重量％のものが良いが、硬化促進剤の含量が０．１重量％未満であれば、工程中、製品硬化時間があまりに長くなるので、生産性が格段に低下するという問題がありえ、１重量％を超過すれば、経時安定性が不足し使用期間が減少するという問題がありうるためである。

また、接着樹脂成分のうち、前記カップリング剤は無機充填剤の表面と有機物質との間の化学的結合により接着力を増大する役割をするものであって、当業界で使用する一般的なカップリング剤を使用することができるが、好ましくはシランカップリング剤を使用することができる。そして、接着樹脂全体重量のうち、カップリング剤の含量は０．１〜４重量％、好ましくは０．５〜２．５重量％、より好ましくは０．５〜２重量％のものが良いが、カップリング剤の含量が０．１重量％未満であれば、無機充填剤の表面を十分に覆うことができず接着力が低下するという問題がありえ、４重量％を超過すれば、揮発性低分子物質の含量が高まり過ぎて残存するカップリング剤によって信頼性が低下するという問題がありうるためである。

本発明で前記接着剤層は平均厚さ３μｍ〜６０μｍのものが、好ましくは５μｍ〜５５μｍのものが、より好ましくは１０μｍ〜５０μｍのものが良いが、接着剤層の平均厚さが３μｍ未満であれば、ピックアップ性が落ちるという問題がありえ、６０μｍを超過すれば、ピックアップ性が悪いだけでなく、エキスペンドダイシング工程時にチップが分断されるという問題が発生することがある。

このような前記接着剤層はＵＶ硬化前、貯蔵弾性率が以下の方程式６を満たすことができる。

［方程式６］
０≦接着剤層のＵＶ硬化前２５℃での貯蔵弾性率値（ＭＰａ）／接着剤層のＵＶ硬化前１３０℃での貯蔵弾性率値（ＭＰａ）≦９０、好ましくは１８≦接着剤層のＵＶ硬化前２５℃での貯蔵弾性率値（Ｍｐａ）／接着剤層のＵＶ硬化前１３０℃での貯蔵弾性率値（ＭＰａ）≦９０、より好ましくは２０≦接着剤層のＵＶ硬化前２５℃での貯蔵弾性率値（ＭＰａ）／接着剤層のＵＶ硬化前１３０℃での貯蔵弾性率値（ＭＰａ）≦８０

前記方程式６において、前記貯蔵弾性率値は２０ｍｍ×５ｍｍ（横×縦）サイズの試片を動的熱機械分析装置（Perkin Elmer社、Diamond DMA）を用いて、測定温度−３０℃〜３００℃（昇温速度１０℃／分）、及び測定周波数１０Ｈｚの条件で測定したものである。

また、前記接着剤層はＵＶ硬化後、２６０℃での貯蔵弾性率値が３ＭＰａ以上でありえ、好ましくは３．２〜１１ＭＰａでありうる。また、前記接着剤層は硬化後、２５℃での貯蔵弾性率値が１４０〜３００ＭＰａでありえ、好ましくは１４８〜２７５ＭＰａでありうる。

また、前記接着剤層は厚さが２０μｍの時、硬化後２６０℃でのせん断接着強度が４〜１０ＭＰａ、好ましくは４．５〜９．０ＭＰａでありうる。この際、せん断接着強度は接着フィルムの耐リフロー（reflow）性特性と関連のあるものであって、４Ｍｐａ未満の場合、接着力が低過ぎてフロー性が落ちて接着フィルム内のクラックが発生する等の問題がありえ、１０Ｍｐａを超過すれば、接着フィルムの耐衝撃性が低くなるという問題がありうる。

本発明のＤＡＦはダイシングフィルムのＰＳＡ層と前記接着層との間の２２℃での粘着力がＵＶ硬化前は８０〜３００Ｎ／ｍ、好ましくは１００〜２００Ｎ／ｍ、より好ましくは１２０〜１８０Ｎ／ｍであり、ＵＶ硬化後には２２℃での粘着力が４〜２０Ｎ／ｍ、好ましくは４〜１５Ｎ／ｍ以下、より好ましくは５〜１５Ｎ／ｍでありうる。この際、２２℃での粘着力が４Ｎ／ｍ未満であれば、粘着力が低過ぎてエキスペンドダイシング工程時にチップが分断、飛散するという問題がある。

また、本発明のＤＡＦは前記ＰＳＡ層と前記接着剤層との間の粘着力は−１５℃〜−１０℃、好ましくは−１５℃〜−１３℃温度下で最大接着力を有し、前記最大接着力は３００〜７００Ｎ／ｍでありうる。

また、本発明のＤＡＦは前記ダイシングフィルムのＰＳＡ層と前記接着層との間の粘着力はＵＶ硬化前の粘着力が以下の方程式１〜方程式５を満たし、かつ−１３℃〜−１５℃での粘着力が−７℃〜−１０℃での粘着力より高いという特徴がある。

［方程式１］
１５０Ｎ／ｍ≦０℃での粘着力≦４７０Ｎ／ｍ、好ましくは１８０Ｎ／ｍ≦０℃での粘着力≦４５０Ｎ／ｍ

［方程式２］
２２０Ｎ／ｍ≦−３℃〜−５℃での粘着力≦５２０Ｎ／ｍ、好ましくは２４５Ｎ／ｍ≦−３℃〜−５℃での粘着力≦５１０Ｎ／ｍ

［方程式３］
３００Ｎ／ｍ≦−７℃〜−１０℃での粘着力≦５４０Ｎ／ｍ、好ましくは３０５Ｎ／ｍ≦−７℃〜−１０℃での粘着力≦５０５Ｎ／ｍ

［方程式４］
３０５Ｎ／ｍ≦−１３℃−１５℃での粘着力≦７００Ｎ／ｍ、好ましくは３１０Ｎ／ｍ≦−１３℃−１５℃での粘着力≦６００Ｎ／ｍ

［方程式５］
−１８℃〜−２０℃での粘着力≦５００Ｎ／ｍ、好ましくは２００Ｎ／ｍ≦−１８℃〜−２０℃での粘着力≦４５０Ｎ／ｍ

前述した本発明の帯電防止ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）は、帯電防止層、ポリオレフィンフィルム層、ＰＳＡ層を含むダイシングフィルムを製造する１ステップ；及び前記ダイシングフィルムのＰＳＡ層の上部に接着フィルムを積層させて一体化させるか、または前記ダイシングフィルムのＰＳＡ層の上部に接着剤をキャスティング及び乾燥させて接着層を形成させる２ステップ；を含む工程を遂行して製造することができる。

１ステップの前記ダイシングフィルムは、帯電防止層、ポリオレフィンフィルム層、及びＰＳＡ層が順に積層されているか、またはポリオレフィンフィルム層、帯電防止層、及びＰＳＡ層が順に積層されていることができる。

そして、２ステップの前記接着フィルムまたは接着層は、Ｂ−ステージ状態である。

このような本発明は前記帯電防止ダイアタッチフィルムを用いてＤＢＧ（dicing before grinding）またはＳＤＢＧ（stealth dicing before grinding）ウエハダイシング工程を遂行することができる。

以下、実施例を通じて本発明をより具体的に説明するが、以下の実施例が本発明の範囲を制限するものではなく、これは本発明の理解を助けるためのものとして解析されるべきである。

［実施例］
準備例１−１：接着剤用樹脂及び接着フィルムの製造
熱可塑性樹脂として数平均分子量８００，０００及びガラス転移温度１５℃であり、グリシジルアクリレート３重量％を含有したアクリル共重合体（Ｎ社、商品名：ＳＧ−Ｐ３）６７重量％、当量４７５ｇ／ｅｑ及び軟化点６５℃のビスフェノールＡエポキシ樹脂（Ｋ化学社、商品名：ＹＤ−０１１）８重量％、当量２００ｇ／ｅｑ及び軟化点５２℃のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（Ｋ化学社、商品名：ＹＤＣＮ１Ｐ）８重量％、硬化剤としてＯＨ当量１０６ｇ／ｅｑ及び軟化点１２０℃のフェノールノボラック樹脂（コーロン油化社の商品名：ＫＰＨ−Ｆ２００４）６重量％、平均粒径１５〜１７μｍのシリカ（Ｅ社のエアロシルＲ９７２）９．５重量％、硬化促進剤であるイミダゾール化合物（四国化成工業株式会社のキュアゾール２ＰＨ）０．５重量％、及びシランカップリング剤（信越化学工業株式会社のＫＢＭ−３０３）１重量％を混合して接着剤用樹脂を準備した。

次に、前記接着剤用樹脂を離型処理したポリエステルフィルム上にキャスティングした後、１４０℃で５分間熱風乾燥させて平均厚さ２０μｍのＢ−ステージの接着フィルムを製造した。

準備例１−２〜準備例１−７、及び比較準備例１−１〜比較準備例１−６
前記準備例１−１と同一な方法により接着樹脂及び接着フィルムを製造し、かつ以下の表１のような組成及び組成比を有する樹脂を製造した後、これを用いて接着フィルムを各々製造して準備例１−２〜１−７及び比較準備例１−１〜１−６を各々実施した。

実験例１：接着フィルムの物性測定
準備例及び比較準備例で製造した接着フィルムの物性である貯蔵弾性率及び接着強度を以下のような方法により測定し、その結果を以下の表２に示した。

（１）貯蔵弾性率測定
貯蔵弾性率は動的熱機械分析装置（Perkin Elmer社,Diamond DMA）を用いて２０ｍｍ×５ｍｍ×２０μｍ（横×縦×厚さ）サイズ５０層に積層させた試片を測定温度−３０℃〜３００℃（昇温速度１０℃／分）、測定周波数１０Ｈｚを適用して測定方法に基づいて測定した。そして、２５℃及び１３０℃の時の硬化前Ｂ−ステージ状態の接着フィルムの貯蔵弾性率を測定したものであり、また同一な組成の接着フィルムを硬化させた後の２５℃及び２６０℃下でのＣ−ステージ状態の接着フィルムの貯蔵弾性率を測定したものであり、そして、表２の貯蔵弾性率値は測定された貯蔵弾性率値を試片厚さで割った値である。

（２）せん断接着強度測定
せん断接着強度は、接着フィルム（厚さ２０μｍ）を厚さ０．５ｍｍの上部基板ウエハ（wafer）と６０℃で合紙した後、５ｍｍ×５ｍｍサイズに切断し、厚さ０．５ｍｍの下部基板ウエハに１３０℃及び１ｋｇｆの圧力下で接合して、１８０℃で２時間の間硬化を遂行した。硬化が完了した後、０．５ｍｍ／秒の速度及び２６０℃下で下部基板ウエハに対するせん断接着強度を測定した。この際、硬化後、２６０℃でのせん断接着強度は４〜１０Ｍｐａを満たさなければ合格でない。

前記表２の測定結果を見ると、準備例１−１〜１−７の接着フィルムは全般的に硬化前後の貯蔵弾性率及び接着強度が適正範囲を示した。

これに反して、熱可塑性樹脂の含量が６０重量％未満である比較準備例１−１の場合、硬化前の弾性が不足し接着層が破れやすくて製造が難しいという問題があり、これによって１３０℃での貯蔵弾性率の測定が不可能であるという問題があり、熱可塑性樹脂の含量が７５重量％を超過した比較準備例１−２の場合、熱硬化部の含量が不足し全体架橋度が低くて、２５℃／１３０℃貯蔵弾性率比が２０未満であり、硬化後２６０℃での貯蔵弾性率が低く、接着力の低下及び耐熱性が不足するという問題があった。

また、エポキシ樹脂内クレゾールノボラック系樹脂を使用しない比較準備例１−３の場合、３次元架橋を形成する架橋点が不足し耐熱性及び接着性が不足するという問題があり、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂使用量が１．２重量比を超過した比較準備例１−４の場合、貯蔵弾性率及び接着強度が全般的に優れるが、２５℃／１３０℃貯蔵弾性率比が９０を超過し、架橋度が高過ぎて耐衝撃性に脆弱であるという問題がありうる。

無機充填剤の含量が４重量％未満で使用した比較準備例１−５の場合、熱膨張係数が上昇して、硬化後２６０℃での熱膨脹及び収縮により基材間の接着力が低下するという問題があり、２６０℃での貯蔵弾性率があまり低いという問題があった。そして、無機充填剤を１５重量％超過して使用した比較準備例１−６の場合、下部基板ウエハに対する充填性が不足し接着力が格段に低下するという問題があった。

準備例２−１：ＰＳＡ粘着樹脂及び積層フィルムの製造
数平均分子量６００，０００及びガラス転移温度−４０℃のアクリル共重合樹脂９４重量％、熱硬化剤としてポリイソシアネート（AEKYUNG化学社のＡＫ７５）５重量％、及び光開始剤（Ciba specialty Chemical Inc、IRGACURE 184）１重量％を配合した混合樹脂を離型処理したポリエステルフィルム上にキャスティングした後、１４０℃で５分間熱風乾燥させて平均厚さ１０μｍのＰＳＡフィルムを得た。そして、ＰＳＡ層を８０μｍポリオルレピンフィルム（フィルマックス社のＥＰＧ−８０、中密度ポリエチレン及びランダム共重合ポリプロピレンを含むポリオレフィン樹脂で製造）に常温（１５〜３０℃）で合紙して積層フィルムを製造した。

この際、前記アクリル共重合樹脂は、アクリル酸２−エチルヘキシル１００重量部に対し、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル３３．３重量部、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート３３．３重量部を共重合させて製造したものである。

準備例２−２〜２−５及び比較準備例２−１〜２−６
前記準備例２−１と同一な方法により積層フィルムを製造し、かつ以下の表３のような組成を有するアクリル共重合樹脂を製造した後、これを用いて以下の表３の組成を有する積層フィルムを各々製造した。

実験例２：ＰＳＡ層の接着剤層に対する温度別粘着力測定
前記準備例２−１〜２−５及び比較準備例２−１〜２−６で製造した積層フィルムのＰＳＡ層方向に準備例１−１接着フィルムと２５℃のロールラミネーターを用いて合紙した後、２５ｍｍ（幅）×１００ｍｍ（長さ）サイズに裁断して試片を製作した。次に、用意した試片を５００μｍ厚さの８インチシリコンウエハ（ディスコ社製ＤＦＤ−８４０研削装備で＃２３００グラインディング処理したウエハ）の裏面にＤＡＦフィルムの接着層方向にＤＡＦフィルムを６０℃でロールラミネーションを行った後、角度１８０゜、速度３００ｍｍ／ｍｉｎの測定条件で接着剤層に対するダイシングフィルムの温度別ＵＶ硬化前粘着力（−２０〜２２℃）を測定した。

また、ＵＶ硬化後、粘着力は高圧水銀ランプ紫外線照射機（Dymax社、Dymax 2000-EC）を用いてダイシングフィルム側で照射量２００ｍＪ／ｃｍ²になるように紫外線を照射して２２℃で測定した。接着層に対するＰＳＡ層のＵＶ硬化前温度別粘着力及びＵＶ硬化後２５℃粘着力測定結果を以下の表４に示した。

前記表４の実験結果を見ると、準備例２−１〜準備例２−７の場合、方程式１〜方程式５を満たし、かつ−１５℃から−１０℃、または−２０℃より相対的に高い粘着力を示した。

これに反して、アクリル共重合樹脂内ＨＥＡを含まない比較準備例２−１の場合、約０℃で最大粘着力を示し、比較準備例２−２の場合、−５℃最大粘着力を示すという問題があった。そして、ＨＥＡを４０重量部超過使用した比較準備例２−３は−１０℃で最大粘着力を示した。ＭＯＩを４５重量％超過使用した比較準備例２−４の場合、低温粘着力は−１５℃で最大値を有し、適正粘着力を有したが、ＵＶ硬化後、粘着力が低過ぎてチップが飛散するという問題がある。そして、ＨＥＡを１０重量部未満で使用した比較準備例２−５の場合、ＵＶ硬化後、粘着力が２０Ｎ／ｍで、あまりに高いという問題があった。また、アクリル共重合樹脂を９０重量％未満で含むＰＳＡ樹脂を用いた比較準備例２−６の場合、全般的な低温粘着力が準備例２−１〜２−７と比較する時、低いという問題があった。

準備例３−１：帯電防止層が形成されたポリオレフィンフィルムの製造
準備例２−１で使用した８０μｍ厚さのポリオレフィンフィルム（フィルマックス社のＥＰＧ−８０）を１，０００℃及び３×１０^-4ｔｏｒｒ環境の坩堝でダイシングフィルムのコロナ処理された裏面にＡｌ（aluminum）を蒸着させて約２ｎｍ厚さの帯電防止層が形成されたポリオレフィンフィルムを製造した。

準備例３−２〜準備例３−５及び比較準備例３−１〜３−３
前記準備例３−１と同一な方法により帯電防止層が形成されたポリオレフィンフィルムを製造し、かつ以下の表５のような厚さに帯電防止層を形成させてポリオレフィンフィルムを各々製造した。

実験例３：帯電防止層が形成されたポリオレフィンフィルムの物性測定
準備例３−１〜３−５及び比較準備例３−１〜３−３で製造したポリオレフィンフィルム各々の透過度及び表面抵抗を測定し、その結果を以下の表５に示した。

この際、透過度はＵＶ／visible spectrometer（JASCO社Ｖ−５５０）を用いて５５０ｎｍ波長領域を測定し、５％未満であれば、ＵＶ透過できず、ＰＳＡ層がＵＶ硬化がよくできないという問題があるので、透過度が５％であれば不合格である。

そして、表面抵抗は表面抵抗測定機（Trek社１５２−１抵抗測定機）を用いて１００Ｖ電圧で測定した。

前記表５の測定結果を見ると、準備例３−１〜３−５は５％以上の透過を有し、適正表面抵抗を有することを確認することができる。これに反して、帯電防止層が４０ｎｍを超過した比較準備例３−１及び３−２の場合、透過度が５％未満で、透過度があまりに低く、表面抵抗が準備例３−５対比、より低くならなかった。

本実験を通じて、帯電防止層は最大４０ｎｍ未満、好ましくは３０ｎｍ以下に形成させ、最小１ｎｍ以上に、好ましくは２ｎｍ以上に形成させることが透過度及び表面抵抗の面で有利であることを確認することができた。

実施例１：帯電防止ダイアタッチフィルムの製造
準備例３−１で製造した帯電防止層が形成されたポリオレフィンフィルムを準備した。前記帯電防止層が形成されたポリオレフィンフィルムの他面に準備例２−１で製造したＰＳＡフィルムをラミネーションさせた後、離型フィルムであるポリエステルフィルムを剥離させた。次に、前記ＰＳＡフィルムの上部に前記準備例１−１の接着フィルムをラミネーション（または、合紙）させて図１のように帯電防止層４−ポリオレフィンフィルム層３−ＰＳＡ層２−接着層１が順に積層された形態のＤＡＦフィルムを製造した。

実施例２〜実施例５及び比較例１〜比較例７
前記実施例１と同一な方法により帯電防止層−ポリオレフィンフィルム層−ＰＳＡ層−接着層が順に積層された形態のＤＡＦフィルムを製造し、かつ以下の表６のようにダイシングフィルムが異なるようにして製造した。

実施例６
準備例３−１のダイシングフィルムの代わりに準備例３−５で製造したダイシングフィルムを使用して、図２のようにポリオレフィンフィルム層３−帯電防止層４’−ＰＳＡ層２−接着層１が順に積層された形態のＤＡＦフィルムを製造した。

実験例４：接着剤層の剥離帯電圧、ＵＶ硬化前後の接着力測定、ピックアップ性測定
（１）剥離帯電圧測定
前記実施例及び比較例で製造したＤＡＦフィルムをＵＶ照射してダイシングフィルム面がＩＴＯ基板（glass）に接するように上に上げて接着フィルムを３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で剥離して接着フィルムが剥離されたダイシングフィルム粘着剤面の帯電圧を測定した。帯電圧測定はSTATIRON DZ-4（SHISHIDO社）装備を用いてダイシングフィルムと３０ｍｍ距離を置いて測定し、その結果を以下の表７に示した。

参考に、比較例３の場合、帯電防止層が存在しない。

（２）ＵＶ硬化前後の接着剤層に対するＰＳＡ層の粘着力測定
前記実施例及び比較例で製造したＤＡＦフィルムのＵＶ硬化前後の接着層に対するダイシングフィルムの粘着力を測定し、その結果を以下の表７に示した。この際、粘着力は５００μｍ厚さの８インチシリコンウエハ（ディスコ社製ＤＦＤ−８４０研削装備で＃２３００グラインディング処理したウエハ）の裏面にＤＡＦフィルムの接着層方向にＤＡＦフィルムをロールラミネーションした後、ダイシングフィルムのＰＳＡ層と接着層を３００ｍｍ／分の速度で１８０゜剥離させることによって、ＵＶ硬化前後のダイシングフィルムのＰＳＡ層の接着層に対するピール強度を測定した。参考に、ＵＶ硬化後にはＰＳＡ層の粘着力が弱まって接着層（接着フィルム）との剥離が容易になる。

前記表７の測定結果を見ると、帯電防止層のない比較例３の場合、剥離帯電圧が１．２ｋＶと高い結果を示し、このように剥離帯電圧が高い場合、半導体パッケージング時、電荷帯電による素子破壊が発生するという問題がある。帯電防止層が形成された実施例１〜８及び比較例３〜６の場合、０．８ｋＶ以下の低い剥離帯電圧を示した。

そして、実施例１〜８はＵＶ硬化後、２０Ｎ／ｍ未満の低い粘着力を示して接着フィルム（接着層）との適正剥離性を確保したことを確認することができた。しかしながら、接着層の厚さが３μｍ未満である２μｍであった比較例３の場合、ウエハとの接着力が充分でなくて接着層とＰＳＡ層との間の粘着力が測定できないという問題があり、接着層の厚さが６０μｍを超過した６５μｍである比較例４の場合、ＵＶ硬化後にも２０Ｎ／ｍを超過した高い粘着力を有するという問題があった。

実験例５：ＤＢＧ及びＳＤＢＧ公正性確保有無テスト
実施例及び比較例のＤＡＦフィルムの温度別粘着力最大値及びＤＡＦピックアップ性を測定した。

（１）温度別粘着力最大値測定
ＤＡＦフィルムの接着剤層とＰＳＡ層との温度別粘着力最大値（−２０℃、−１５℃、−１０℃、−７℃、−３℃、０℃、及び５℃）を測定し、これを通じてエクスパンディング（expanding）工程での分断性確保と接着剤層とＰＳＡ層との浮き上がり発生有無を確認し、その結果を以下の表８に示した。この際、粘着力は最大粘着力及び最大粘着力を有する時の温度を示した。

（２）チップ分断及び浮き上がり発生有無
チップ分断有無はＤＡＦフィルムを１００ｕｍ厚さの８インチウエハに固定用リングフレームと共に７０℃でラミネーションした。そして、ダイシングマシン（ディスコ社ＤＦＤ−６３６１）を用いてウエハ厚さ２０ｕｍを残して、９ｍｍ×１２ｍｍ（横×縦）サイズに切削した。切削されたウエハとＤＡＦが合紙されたリングフレームを−１０℃のエクスパンド装置に入れてエクスパンド速度８０ｍｍ／秒、エクスパンド高さ１０ｍｍにダイシングフィルムをエクスパンドダイシング処理した。

ブレードにより切削された総ライン数対比エクスパンドにより実際分断が成功したライン数が９０％以上のものを良好（Ｏ）、９０％未満のものを不良（Ｘ）と測定した。そして、分断されたチップのエッジ（edge）部分の接着層とダイシングフィルムＰＳＡ粘着剤との間の浮き上がりが１ｍｍ未満のものを“未発生”、１ｍｍ以上のものを“発生”と測定し、その結果を以下の表８に示した。

（３）ＤＡＦフィルムのピックアップ性測定
ピックアップ性は、前記実験例５−（２）で分断したウエハ及びＤＡＦフィルムを先の実験例と同一にＵＶ照射し、ピックアップ装備（株式会社新川ＳＰＡ−３００）を用いて２２℃雰囲気下でチップをピックアップした。この際、ニードルピンの高さを０．２５ｍｍ及び０．３０ｍｍでピックアップし、ピックアップ成功率が９５％以上の場合は良好（Ｏ）、９５％未満の場合は不良（Ｘ）と表示した。

前記表８の測定結果を見ると、実施例１〜実施例８の場合、浮き上がりが発生せず、チップ分断されなかった。また、優れたピックアップ性を示した。

これに反して、比較準備例２−１または比較準備例２−２のＰＳＡ樹脂でＰＳＡ層を形成させた比較例５と比較例６の場合、最大粘着力を示す温度が実施例より高かったし、ピックアップ性がよくないという結果を示した。

また、帯電防止層の厚さが各々４０ｎｍ及び５０ｎｍであった比較例１及び比較例２やはりピックアップ性がよくないという結果を示した。

そして、接着剤層の厚さが２μｍであった比較例３の場合、接着層とウエハとの接着力が充分でなくてピックアップで接着層無しにウエハのみピックアップされるという問題があり、接着剤層の厚さが６５μｍであった比較例４の場合、接着層とＰＳＡ層との間の粘着力が高くてピックアップ性がよくないだけでなく、チップが分断できないという問題が発生した。

１接着剤層
２ＰＳＡ粘着層
３ポリオレフィンフィルム層
４、４’ 帯電防止層
１０ダイシングフィルム
３０離型フィルム層
１００、２００、３００、４００帯電防止ＤＡＦ

Claims

帯電防止層、ポリオレフィンフィルム（PO film、Polyolefin film）層、ＰＳＡ（Pressure sensitive adhesive）層を含むダイシングフィルム；及びダイシングフィルムの前記ＰＳＡ層の上部に積層された接着剤層；を含み、前記ダイシングフィルムは、
帯電防止層、ポリオレフィンフィルム層、及びＰＳＡ層が順に積層されているか、またはポリオレフィンフィルム層、帯電防止層、及びＰＳＡ層が順に積層されていることを特徴とする、帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記帯電防止層は、Ａｌ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｎｉ、及びＡｇのうちから選択された１種以上を含むことを特徴とする、請求項１に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
接着剤層は平均厚さ３μｍ〜６０μｍであり、前記ＰＳＡ層は５μｍ〜３０μｍであり、前記ダイシングフィルム層は６０μｍ〜１５０μｍであり、前記帯電防止層は平均厚さ１ｎｍ〜３０ｎｍであることを特徴とする、請求項１に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記接着体層はＢ−ステージ状態の接着剤またはＢ−ステージ状態の接着フィルムを含むことを特徴とする、請求項１に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記接着剤は、熱可塑性樹脂６０〜７５重量％、前記エポキシ樹脂１０〜２５重量％、硬化剤２〜１０重量％、無機充填剤４〜１５重量％、硬化促進剤０．１〜２重量％、及びカップリング剤０．１〜４重量％を含むことを特徴とする、請求項４に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記帯電防止層の厚さが５〜３０ｎｍの時、接着剤層の剥離帯電圧（electrostatic voltage）は０．１ｋＶ〜０．８ｋＶであることを特徴とする、請求項１に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記帯電防止層の表面抵抗は、１×１０²〜１×１０¹²ｏｈｍ／ｓｑであることを特徴とする、請求項１に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記接着剤層のＵＶ硬化前の貯蔵弾性率は以下の方程式６を満たすことを特徴とする、請求項１に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
［方程式６］
１８≦接着剤層の硬化前２５℃での貯蔵弾性率値（Ｍｐａ）／接着剤層の硬化前１３０℃での貯蔵弾性率値（Ｍｐａ）≦９０
方程式６において、前記貯蔵弾性率値は２０ｍｍ×５ｍｍ（横×縦）サイズの試片を動的熱機械分析装置（Perkin Elmer社、Diamond DMA）を用いて、測定温度−３０℃〜３００℃（昇温速度１０℃／分）及び測定周波数１０Ｈｚの条件で測定したものである。
前記接着剤層は、ＵＶ硬化後２６０℃での貯蔵弾性率値が３ＭＰａ以上であり、
前記接着剤層は厚さが２０μｍの時、硬化後２６０℃でのせん断接着強度が４〜１０ＭＰａであることを特徴とする、請求項１に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記ダイシングフィルムのＰＳＡ層と前記接着層との間の２２℃での粘着力がＵＶ（ultraviolet）硬化前には８０〜３００Ｎ／ｍ、ＵＶ硬化後には２２℃での粘着力が２０Ｎ／ｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記ＰＳＡ層と前記接着剤層との間の粘着力は−１５℃〜−７℃温度下で最大接着力を有し、前記最大接着力は３００〜７００Ｎ／ｍであることを特徴とする、請求項１０に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記ダイシングフィルムのＰＳＡ層と前記接着層との間の粘着力はＵＶ硬化前の粘着力が以下の方程式１〜方程式５を満たし、かつ、
−１３℃〜−１５℃での粘着力が−７℃〜−１０℃での粘着力より高いことを特徴とする、請求項１０に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
［方程式１］
１５０Ｎ／ｍ≦０℃での粘着力≦４７０Ｎ／ｍ
［方程式２］
２２０Ｎ／ｍ≦−３℃〜−５℃での粘着力≦５２０Ｎ／ｍ
［方程式３］
３００Ｎ／ｍ≦−７℃〜−１０℃での粘着力≦５４０Ｎ／ｍ
［方程式４］
３０５Ｎ／ｍ≦−１３℃−１５℃での粘着力≦７００Ｎ／ｍ
［方程式５］
−１８℃〜−２０℃での粘着力≦５００Ｎ／ｍ
前記ＰＳＡ層はアクリル共重合樹脂９０〜９７重量％、熱硬化剤２〜８重量％、及び光開始剤０．１〜２重量％を含むＰＳＡ樹脂で形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記アクリル共重合樹脂は、アクリル酸−２−エチルヘキシル１００重量部に対し、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル１０〜４０重量部、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０〜４５重量部を共重合反応させた共重合体を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記共重合体は、エチルヘキシルメタクリレート及びヒドロキシルエチルメタクリレートのうちから選択された１種以上をさらに共重合させた共重合体であることを特徴とする、請求項１４に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
前記エチルヘキシルメタクリレートはアクリル酸−２−エチルヘキシル１００重量部に対し、５〜１３５重量部で含み、
前記ヒドロキシルエチルメタクリレートはアクリル酸２−エチルヘキシル１００重量部に対し、３〜３０重量部で含むことを特徴とする、請求項１５に記載の帯電防止ダイアタッチフィルム。
帯電防止層、ポリオレフィンフィルム層、ＰＳＡ層を含むダイシングフィルムを製造する１ステップ；及び
前記ダイシングフィルムのＰＳＡ層の上部に接着フィルムを積層させて一体化させるか、または前記ダイシングフィルムのＰＳＡ層の上部に接着剤をキャスティング及び乾燥させて接着層を形成させる２ステップ；を含み、
前記ダイシングフィルムは、帯電防止層、ポリオレフィンフィルム層、及びＰＳＡ層が順に積層されているか、またはポリオレフィンフィルム層、帯電防止層、及びＰＳＡ層が順に積層されていることを特徴とする、帯電防止ダイアタッチフィルムの製造方法。
前記接着フィルムまたは接着層はＢ−ステージ状態であることを特徴とする、請求項１７に記載の帯電防止ダイアタッチフィルムの製造方法。
ＤＢＧ（dicing before grinding）またはＳＤＢＧ（stealth dicing before grinding）ウエハダイシング工程において、
請求項１乃至１６のうちから選択されたいずれか一項の帯電防止ダイアタッチフィルムを用いることを特徴とする、ウエハダイシング工程。