TWI823941B - 防靜電模片黏貼膜、其製備方法及使用其的晶圓切割工序 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種防靜電模片黏貼膜，更具體而言，涉及由於低剝離靜電壓而防止半導體封裝中的電荷充電引起的器件擊穿來降低缺陷率，並且在特定條件下容易控制黏合和脫黏以提高晶片切割和半導體晶片拾取工序效率的模片黏貼膜。

Description

防靜電模片黏貼膜、其製備方法及使用其的晶圓切割工序
本發明涉及在如研磨前切割(dicing before grinding；DBG)或研磨前隱形切割(stealth dicing before grinding；SDBG)等的晶圓切割工序中使用的模片黏貼膜(die attach film；DAF)，即，具有抗靜電功能並在特定條件下易於黏合和脫黏的DAF及使用其的晶圓切割工序。
通常，晶圓切割工序是指在半導體製備工序中位於稱為晶片製備工藝的前工序和稱為組裝(assembly)工序的後工序之間的工序，也是指通過切割形成有多個半導體晶片或模片的晶片後分成單個模片的工序。
在一般晶圓切割工序中，使用高速旋轉的刀片(blade)或使用具有特定能量的鐳射沿著晶片上形成的模片之間的劃線(scribe line)進行切割。
將厚度小於或等於200μm的薄(thin)晶圓切割(sawing)成單個模片的使用刀片的現有方法導致過多的邊緣開裂(edge crack)、碎裂(chipping)和橫截面裂縫，從而降低模片的斷裂強度(fracture strength)，即，降低模片承受斷裂的力量。結果，即使受到小的外部衝擊，模片也容易破裂。由於使用刀片 而導致的晶片邊緣裂縫等是起因於晶片和刀片之間的機械接觸引起的振動、摩擦熱等。
為了提高模片的斷裂強度，必須使對切割表面的損壞(damage)最小化。為此，已經提出了一種減小刀片厚度或降低切割速度的方法。然而，刀片厚度的減小是有限的，並且切割速度的降低導致批量生產率降低。
另一方面，作為另一方法，已經提出了一種研磨前切割(DBG)即在晶片的背面研磨(back grinding)之前通過刀片切割來相對減小對晶片的衝擊的方法。然而，該方法難以應用目前通常應用的晶片黏接薄膜(DAF)工藝，並且在背面研磨後也很難使模片在環形安裝座(ring mount)中保持正確的位置。其中，通常環形安裝座是支撐經過切割的晶片的裝置，是由內部下面被膠帶堵塞的不鏽鋼(stainless steel)圓形環構成的半導體器件。
作為使用鐳射的晶圓切割方法之一的研磨前隱形切割(SDBG)由於其相對較高的批量生產率和對切割表面的低損壞而受到關注。SDBG晶片切割方法根據光源的類型具有不同的切割原理。
然而，在DBG或SDBG晶圓切割工序中的DAF封裝(packaging)時，當貼合薄膜時，由於與晶圓或半導體晶片之間的接觸而在DAF薄膜中發生電荷移動，從而形成電雙層(+層和-層)，在拾取(pick up)半導體晶片時由於DAF的剝離而發生剝離靜電，結果，在半導體晶片堆疊(stack)時在相鄰的半導體晶片中發生靜電電流放電，導致發生器件擊穿問題。
(現有技術文獻)
(專利文獻)
韓國公開專利號10-2013-0037638(公開日：2013.04.16)
韓國公開專利號10-2017-0088285(公開日：2017.08.01)
本發明的目的在於通過使用具有抗靜電功能的模片黏貼膜(DAF)作為在如DBG或SDBG等晶片切割工序中使用的DAF膜，提供一種能夠防止由於在半導體堆疊(stack)時的靜電電流放電而半導體晶片的器件擊穿的新穎的DAF。
為了達到上述目的，本發明的防靜電模片黏貼膜(DAF)包括：切割膜，包括抗靜電層、聚烯烴薄膜(Polyolefin film；PO film)層及壓敏黏合劑(Pressure sensitive adhesive；PSA)層；及黏合劑層，層疊在切割膜的上述壓敏黏合劑層的上部。
作為本發明的優選實施例，在上述切割膜中，可以依序層疊有抗靜電層、聚烯烴薄膜層及壓敏黏合劑層，或可以依序層疊有聚烯烴薄膜層、抗靜電層及壓敏黏合劑層。
作為本發明的優選實施例，上述抗靜電層可以包括選自Al、Al2O3、ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)、Ni及Ag中的至少一種。
作為本發明的優選實施例，上述黏合劑層可以包括處於B階段狀態的黏合劑或處於B階段狀態的黏合膜。
作為本發明的優選實施例，上述處於B階段狀態的黏合劑可以包括60至75重量百分比的數目平均分子量為600,000至1,000,000的熱塑性樹脂、10至25重量百分比的上述環氧樹脂、2至10重量百分比的固化劑、4至15重量百分比的無機填料、0.1至2重量百分比的固化促進劑及0.1至4重量百分比的偶聯劑。
作為本發明的優選實施例，在防靜電模片黏貼膜中，當上述抗靜電層的厚度為5至30nm時，黏合劑層的剝離靜電壓(ESD,electrostatic discharge)可以為0.1kV至0.8kV。
作為本發明的優選實施例，上述抗靜電層的表面電阻可以為1x102至1x1012ohm/sq。
作為本發明的優選實施例，上述黏合劑層的儲存彈性率值可以滿足下述方程式6。
[方程式6]18
Figure 108119084-A0305-02-0005-34
黏合劑層的固化前在25℃下的儲存彈性率值(Mpa)/黏合劑層的固化前在130℃下的儲存彈性率值(Mpa)
Figure 108119084-A0305-02-0005-35
90。
在方程式6中，上述儲存彈性率值為使用購買自珀金埃爾默公司的產品名稱為Diamond DMA的動態熱機械分析儀來在10℃/分鐘的升溫速度、-30℃至300℃的測定溫度和10Hz的測定頻率條件下對寬度為20mm且長度為5mm的樣品進行測定而得到。
作為本發明的優選實施例，上述黏合劑層的固化後在260℃下UV的儲存彈性率值可以為3MPa或更大。
作為本發明的優選實施例，當上述黏合劑層的厚度為20μm時，上述黏合劑層的固化後在260℃下的剪切黏合強度可以為4至10MPa。
作為本發明的優選實施例，紫外線固化之前，在上述切割膜的壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的在22℃下的黏合力可以為80至300N/m，在紫外線固化之後，在上述切割膜的壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的在22℃下的黏合力可以為20N/m或更小。
作為本發明的優選實施例，在上述壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的黏合力在-15℃至-7℃的溫度下成為最大黏合力，上述最大黏合力可以為300至700N/m。
作為本發明的優選實施例，上述切割膜的壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的黏合力可以被設置為使得在UV固化之前的黏合力滿足下述方程式1至方程式5且在-13℃至-15℃下的黏合力高於在-7℃至-10℃下的黏合力。
[方程式1]在150N/m
Figure 108119084-A0305-02-0006-16
0℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0006-17
470N/m。
[方程式2]在220N/m
Figure 108119084-A0305-02-0006-27
-3℃至-5℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0006-19
520N/m。
[方程式3]在300N/m
Figure 108119084-A0305-02-0006-24
-7℃至-10℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0006-25
540N/m。
[方程式4]在305N/m
Figure 108119084-A0305-02-0006-29
-13℃至-15℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0006-30
700N/m。
[方程式5]在-18℃至-20℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0006-32
500N/m。
作為本發明的優選實施例，上述壓敏黏合劑層可以由壓敏黏合樹脂形成，上述壓敏黏合樹脂包括90至97重量百分比的丙烯酸共聚物樹脂、2至8重量百分比的熱固化劑及0.1至2重量百分比的光起始劑。
作為本發明的優選實施例，上述丙烯酸共聚物樹脂可以包括相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯共聚反應10至40重量份的丙烯酸-2-羥乙酯和10至45重量份的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯而得到的共聚物。
作為本發明的優選實施例，上述共聚物可以為進一步共聚選自甲基丙烯酸乙基己酯和甲基丙烯酸羥乙酯中的至少一種而得到的共聚物。
作為本發明的優選實施例，在上述共聚時，甲基丙烯酸乙基己酯的含量相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯可以為5至135重量份。
作為本發明的優選實施例，在上述共聚時，上述甲基丙烯酸羥乙酯的含量相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯可以為3至30重量份。
作為本發明的優選實施例，在上述黏合劑層和上述壓敏黏合劑層之間的黏合力在-20℃至-7℃的溫度下成為最大黏合力，上述最大黏合力可以為300至700N/m。
作為本發明的優選實施例，在本發明的模片黏貼膜中，黏合劑層的平均厚度可以為5μm至60μm，且上述切割膜層的平均厚度可以為60μm至150μm。
作為本發明的優選實施例，上述壓敏黏合劑層的平均厚度可以為5μm至30μm，且上述抗靜電層的平均厚度可以為1nm至30nm。
作為本發明的優選實施例，當從黏合劑層的上部方向觀察到本發明的模片黏貼膜時，上述黏合劑層存在於壓敏黏合劑層的內部，且黏合劑層的面積可以小於壓敏黏合劑層的面積。
作為本發明的優選實施例，在本發明的模片黏貼膜中，上述黏合劑層的上部可以進一步層疊有保護膜層(或離型膜層)。
本發明的另一目的涉及一種如上所述的模片黏貼膜的製備方法，上述模片黏貼膜可以通過執行包括如下步驟的工序來製備：步驟1，製備包括抗靜電層、聚烯烴薄膜層及壓敏黏合劑層的切割膜；及步驟2，通過將黏合膜層疊在上述切割膜的壓敏黏合劑層的上部來一體化或將黏合劑澆鑄在上述切割膜的壓敏黏合劑層的上部並乾燥以形成黏合劑層。
作為本發明的優選實施例，在上述切割膜中，可以依序層疊有抗靜電層、聚烯烴薄膜層及壓敏黏合劑層，或可以依序層疊有聚烯烴薄膜層、抗靜電層及壓敏黏合劑層。
作為本發明的優選實施例，上述黏合膜或黏合劑層可以處於B階段狀態。
本發明的再一目的在於提供一種研磨前切割(DBG)或研磨前隱形切割(SDBG)晶圓切割工序，其特徵在於，使用如上所述的模片黏貼膜。
本發明的模片黏貼膜具有如下效果，即，剝離靜電壓低，因此可以防止由於在半導體封裝時的電荷帶電引起的器件擊穿，從而大大降低了缺陷率，在UV固化之前，薄膜內黏合劑層和壓敏黏合劑層之間保持高黏合力，在UV固化之後，薄膜內黏合劑層和壓敏黏合劑層之間的黏合力變得非常低，從而可以有效地黏合和脫黏，以能夠增大晶圓切割和半導體晶片拾取工藝效率。
1:黏合劑層
2:壓敏黏合劑層
3:聚烯烴薄膜層
4、4':抗靜電層
10:切割膜
30、30':保護膜層(或離型膜層)
100~500:抗靜電DAF
本發明上述的和/或其他z方面和特徵從下面結合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：圖1A~1B、圖2A~2B、圖3A~3C分別為本發明的一優選實施例，即，本發明的抗靜電DAF(100~500)的示意圖； 圖4為本發明的(A)DAF的黏合劑層在UV固化前與晶片層壓，然後通過UV固化使與PSA之間的黏合力變弱，從而(B)將DAF的黏合劑層與晶片一起拾取，以(C)層疊晶片的示意圖。
以下將參照相關圖式，說明依本發明所提供的各種實施例的，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
需要說明的是，本發明各實施例中所有方向性指示(諸如上、下、左、右、前、後......)僅用於解釋在某一特定姿態(如所附的各圖式所示)下各部件之間的相對位置關係、運動情況等，如果該特定姿態發生改變時，則該方向性指示也會相應的隨之改變。
在本發明中使用的術語中，「B階段(B-stage)狀態」是指半固化狀態，具體而言，是指在材料的固化反應中中間狀態。而且，「C階段(C-stage)狀態」是指完全固化的狀態。
下面，對本發明進行更詳細的說明。
在研磨前切割(DBG)或SDBG晶圓切割工序中，在將DAF黏附在研磨背面的晶片的背面之後，剝離黏附在晶片的經過研磨的背面的相對面的背景膠帶，然後對DAF進行擴大(expanding)工序，並進行UV照射工序。之後，依次進行半導體晶片拾取工藝、半導體晶片堆疊(stack)工藝、引線鍵合工藝和EMC模製工藝以製備半導體晶片。
當DAF黏合時，通過與半導體接觸形成由於電荷轉移引起的雙電層(+層和-層)，在半導體晶片拾取工序時，DAF膜中的黏合劑層與切割膜層(包 括壓敏黏合劑層)分離，此時發生剝離靜電。並且，DAF膜經過擴大(expanding)工序等，且應保持適當黏合力直至上述UV照射工序。在UV照射之後，為了順利拾取半導體晶片，黏合力應降低。
本發明涉及滿足如上所述的條件的防靜電模片黏貼膜(下面稱為DAF)。
如圖1A~1B至圖2A~2B的示意圖所示，本發明的DAF包括：切割膜10、10'，其包括抗靜電層4、4'、聚烯烴薄膜(PO film)層3及壓敏黏合劑(PSA)層2；及黏合劑層1，層疊在切割膜的上述壓敏黏合劑層2上部。
而且，如圖1A~1B的示意圖所示，在本發明的DAF的切割膜中，可以依序層疊有抗靜電層4、聚烯烴薄膜層3及壓敏黏合劑層2。
並且，如圖2A~2B的示意圖所示，在本發明的DAF的切割膜中，可以依序層疊有聚烯烴薄膜層3、抗靜電層4'及壓敏黏合劑層2。
當從黏合劑層1的上部方向觀察到本發明的DAF時，上述黏合劑層1存在於壓敏黏合劑層2的內部，且黏合劑層的面積可以小於壓敏黏合劑層的面積。
並且，在本發明的DAF中，保護膜層(或離型膜層)30、30'可以進一步層疊在上述黏合劑層1的上部，且如圖3A~3C所示，可以形成為各種形式。
下面，對構成本發明的DAF的切割膜和黏合劑層進行具體說明。
構成切割膜的聚烯烴薄膜層用作基材，其實施例可以包括選自低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯的聚烯烴共聚物和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物中的至少一種的聚烯烴 樹脂，優選地，可以包括選自低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯及無規共聚聚丙烯中的至少一種的聚烯烴樹脂，且可以有單層或多層形成。
其次，構成切割膜的抗靜電層用來通過降低DAF的剝離靜電電壓而防止在半導體封裝時由於電荷帶電發生器件擊穿，其平均厚度為1nm至35nm，優選為2至30nm，更優選為2至25nm。此時，若將抗靜電層形成為具有小於1nm的平均厚度，則存在技術限制，且可能存在剝離靜電電壓增加至1kV或更高的問題，若抗靜電層的平均厚度大於35nm，則UV透射率降低至小於5%，從而可能導致難以UV固化壓敏黏合劑層的問題。
而且，上述抗靜電層可以由選自Al、Al2O3、ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、Ni和Ag中的至少一種形成。
[壓敏黏合劑層]
其次，構成切割膜的壓敏黏合劑層需要在黏合劑層經過UV固化之前保持與黏合劑層的高黏合力，在黏合劑層經過UV固化之後，黏合力變得很弱，從而容易從黏合劑層剝離。上述壓敏黏合劑層可以通過直接在上述聚烯烴薄膜或抗靜電層的一面上澆鑄塗敷和乾燥壓敏黏合樹脂來形成，或通過使用壓敏黏合樹脂來製備單獨的壓敏黏合膜，然後在上述聚烯烴膜或抗靜電層的一面上層壓上述壓敏黏合膜來形成壓敏黏合劑層。
本發明的DAF中壓敏黏合劑層的平均厚度優選為5μm至30μm，此時，若壓敏黏合劑層的厚度小於5μm，則由於黏合力不足而在擴晶過程中切割膜與環形框架脫離，若厚度大於30μm，則在澆鑄薄膜後乾燥時，剩下殘留溶劑，導致與黏合劑黏合膜固定化的問題。
在形成上述壓敏黏合劑層時使用的壓敏黏合樹脂包括丙烯酸共聚物樹脂、熱固化劑及光起始劑。
上述丙烯酸共聚物樹脂優選包括相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯共聚反應10至40重量份的丙烯酸-2-羥乙酯和10至45重量份的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯的共聚物，優選地，包括相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯共聚反應15至38重量份的丙烯酸-2-羥乙酯和20至40重量份的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯的共聚物，更優選地，包括相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯共聚反應15至35重量份的丙烯酸-2-羥乙酯和25至38.5重量份的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯的共聚物。
此時，若丙烯酸-2-羥乙酯的使用量小於10重量份，則在0℃以下的壓敏黏合劑層的黏合力會非常低，若使用量大於40重量份，則會存在在約-7至-10℃下具有最大黏合力的問題。而且，若甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯小於10重量份，則會存在在約-3至-5℃下具有最大黏合力的問題。若使用量大於45重量份，則PSA的UV固化後黏合力變得太低，導致在拾取工序中可能存在環形框架脫離或晶片飛散的問題。
並且，上述丙烯酸共聚物樹脂可以為除了丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸-2-羥乙酯及甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯之外進一步共聚選自甲基丙烯酸乙基己酯和甲基丙烯酸羥乙酯中的至少一種而製成的共聚物。
更具體而言，上述丙烯酸共聚物樹脂可以相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯進一步共聚5至135重量份的上述甲基丙烯酸乙基己酯，優選地，進一步共聚5至75重量份的甲基丙烯酸乙基己酯，更優選地，進一步共聚6至45重量份的甲基丙烯酸乙基己酯來製成。
並且，上述丙烯酸共聚物樹脂可以相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯進一步共聚3至30重量份的甲基丙烯酸羥乙酯，優選地，進一步共聚4至20重量份的甲基丙烯酸羥乙酯，更優選地，進一步共聚5至10重量份的甲基丙烯酸羥乙酯來製成。
而且，上述丙烯酸共聚物樹脂的含量相對於壓敏黏合樹脂的總重量優選為90至97重量百分比，優選為91至96.5重量百分比，更優選為92至96重量百分比。此時，若丙烯酸共聚物樹脂的含量小於90重量百分比，則壓敏黏合劑層與黏合劑層之間的UV固化前低溫黏合力會低，若上述含量大於97重量百分比，則可能存在由於其他組分相對太小而整體黏合性劣化的問題。
並且，上述壓敏黏合樹脂可以包括2至8重量百分比的熱固化劑，優選地，包括3至7重量百分比的熱固化劑，若熱固化劑的含量小於2重量百分比，則由於壓敏黏合劑層的凝聚力不足而可能存在壓敏黏合劑層轉移到環形框架或黏合膜層的問題，若上述含量大於8重量百分比，則UV前黏合力變得太低，導致從環形框架脫離的問題。而且，作為上述熱固化劑，可以使用本領域中使用的一般熱固化劑，優選地，可以使用多異氰酸酯，更優選地，可以使用包括選自甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯和六亞甲基亞甲基二異氰酸酯中的至少一種的多異氰酸酯。
並且，上述壓敏黏合樹脂可以包括0.1至2重量百分比的光起始劑，優選地，可以包括0.4至1.5重量百分比的光起始劑，更優選地，可以包括0.5至1.2重量百分比的光起始劑。而且，作為光起始劑，可以使用本領域中使用的常規光起始劑，優選地，作為光起始劑，可以使用選自二苯甲酮、苯乙酮、安息香、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻 苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮、羥基環己基苯基酮、苄基二苯硫醚、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮二異丁腈、苄基、二苄基、二乙醯基及β-氯蒽醌中的至少一種以上的混合物。
包括如上所述的抗靜電層、聚烯烴薄膜層及壓敏黏合劑層的上述切割膜的平均厚度為60μm至150μm，且優選為80μm至130μm，此時，若切割膜的平均厚度小於60μm，則當擴晶時，薄膜被撕裂或力量不能順利地傳遞，因此晶片不會被分割。若平均厚度大於150μm，則當擴張薄膜時，太多的力量可能會轉移到晶片上，從而可能導致晶片飛散。
[黏合劑層]
其次，上述黏合劑層可以通過在壓敏黏合劑層的一面上澆鑄和乾燥黏合樹脂(或黏合劑)來形成，或在通過使用黏合樹脂來形成黏合膜之後，在壓敏黏合劑層的一側上層壓上述黏合膜來與切割膜一體化。
本發明的上述黏合劑層處於B階段狀態，並且當在與晶片層壓之後通過UV固化弱化PSA黏合力時，將黏合劑層與晶片一起拾取，以層疊晶片(參照圖4：(A)UV照射、(B)拾取及(C)堆疊晶片)。
在形成上述黏合劑層時使用的黏合樹脂(或黏合劑)可以將包括熱塑性樹脂、環氧樹脂、固化劑、無機填料、固化促進劑及偶聯劑的組合物混合來製成。
上述熱塑性樹脂的數目平均分子量可以為600,000至1,000,000，優選地，數目平均分子量可以為700,000至900,000，更優選地，可以為740,000至870,000。此時，若熱塑性樹脂的數目平均分子量小於600,000，則會存在由於耐 熱性不足而可靠性降低的問題。若數目平均分子量大於1,000,000，則會存在由於凝聚力過大而初始黏合特性劣化的問題。
作為這樣的熱塑性樹脂，可以使用丙烯酸類共聚物樹脂，優選使用玻璃化轉變溫度為10至20℃的丙烯酸類共聚物樹脂，更優選使用玻璃化轉變溫度為12至18℃的丙烯酸類共聚物樹脂。上述丙烯酸共聚物樹脂可以是丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯及，丙烯酸縮水甘油酯和丙烯腈的共聚物，此時，作為上述共聚物的單體的丙烯酸縮水甘油酯和丙烯腈可以以6.5至12的重量比共聚，更優選地，丙烯酸縮水甘油酯和丙烯腈可以以8至10的重量比共聚。
而且，熱塑性樹脂的含量相對於黏合樹脂的總重量優選為60至75重量百分比，優選為62至74重量百分比，更優選為65至72重量百分比，若熱塑性樹脂的含量小於60重量百分比，則增強膜在固化前可能具有不足的彈性，從而使黏合效果變差且難以製備。若熱塑性樹脂的含量大於75重量百分比，則由於熱固性部分的含量不足，因此總交聯度低，導致固化後黏合力降低和耐熱性不足的問題。
並且，在上述黏合樹脂組分中，上述環氧樹脂優選通過將雙酚基環氧樹脂和甲酚酚醛清漆基環氧樹脂以1：0.2至1.2的重量比，優選地，以1：0.5至1.2的重量比混合使用。此時，若甲酚酚醛清漆環氧樹脂的使用量小於0.2重量比，則形成三維交聯的交聯點可能不足且耐熱性可能不足。若甲酚酚醛清漆環氧樹脂的使用量超過1.2重量比，則交聯度過高，導致可能存在耐衝擊性差的問題。而且，上述雙酚類環氧樹脂優選為當量為400至500g/eq且軟化點為57至70℃的雙酚A型環氧樹脂，更優選為當量為440至495g/eq且軟化點為60℃至68℃的雙酚A型環氧樹脂。並且，上述甲酚酚醛清漆基環氧樹脂可以是當量為150至250g/eq且 軟化點為48至54℃的甲酚酚醛清漆環氧樹脂，更優選為當量為180至220g/eq且軟化點為50至54℃的甲酚酚醛清漆環氧樹脂。而且，環氧樹脂的含量相對於黏合樹脂的總重量優選為10至25重量百分比，優選為12至22重量百分比，更優選為15至20重量百分比。若環氧樹脂含量小於10重量百分比，則可能存在增強膜的固化後黏合力不足的問題。若環氧樹脂含量大於25重量百分比，則固化前後的脆性很強，因此可能在剪切時存在黏合效果降低的現象，並且在固化後的耐衝擊性會存在問題。
並且，在黏合樹脂組分中，上述固化劑可以是本領域中使用的常規固化劑，優選使用OH當量為95至120g/eq且軟化點為110至130℃的苯酚酚醛清漆樹脂，更優選使用OH當量為100至110g/eq且軟化點為115至125℃的苯酚酚醛清漆樹脂。並且，固化劑的含量相對於黏合樹脂的總重量優選為2至10重量百分比，優選為3至8重量百分比，更優選為4至7.5重量百分比。若固化劑的含量小於2重量百分比，由於增強膜的固化後交聯密度太低，可能存在黏合力不足的問題。若固化劑的含量大於10重量百分比，則可能存在由於剩餘的未反應固化劑而可靠性降低的問題。
並且，在黏合樹脂組分中，上述無機填料用來補充尺寸穩定性和耐熱性，並且可以使用選自二氧化矽、氧化鋁、炭黑、二氧化鈦及鈦酸鋇中的至少一種。而且，上述無機填料的平均粒徑為10至100nm，優選為10至50nm。並且，無機填料的含量相對於黏合樹脂的總重量為4至15重量百分比，優選為6至13重量百分比，更優選為7至12.5重量百分比，若無機填料的含量小於4重量百分比，則熱膨脹係數可能增加，從而由於熱膨脹和收縮導致基板之間的黏合力可能劣化。若含量大於15重量百分比，則可能存在黏合力顯著降低的問題。
並且，在黏合樹脂組分中，上述固化促進劑用來當對處於B階段的黏合劑層進行UV固化時加速固化，且可以使用咪唑基固化促進劑或磷基固化促進劑，且優選使用咪唑基固化促進劑。此時，上述咪唑基固化促進劑可以包括選自四國公司的2E4MZ、2E4MZ-A、2E4MZ-CN、2PZ、2PZ-CN、2P4MZ、C11Z、C11Z-CN、C11Z-CNS、C17Z、2MZ、2MZ-H、2PHZ-S、2PHZ-PW、2P4MHZ-PW及TBZ中的至少一種。而且，上述磷基固化促進劑可以包括選自三苯基膦、三丁基膦、三甲苯基膦、三甲矽烷基膦、氧化膦、三苯基硼酸三苯基鏻、四苯基鏻及四苯基膦酸酯中的至少一種。而且，固化促進劑的含量相對於黏合樹脂的總重量為0.1至2重量百分比，優選為0.1至1重量百分比，更優選為0.1至0.8重量百分比。若固化促進劑的含量小於0.1重量百分比，則可能存在由於在工序中產品固化時間變得太長而生產率顯著降低的問題，若固化促進劑的含量大於1重量百分比，則由於經時穩定性不足而存在使用時間縮短的問題。
並且，在黏合樹脂組分中，上述偶聯劑起到增加由於無機填料表面與有機材料之間的化學鍵合而產生的黏合力的作用，並且可以使用本領域中使用的一般偶聯劑，但優選使用矽烷偶聯劑。而且，偶聯劑的含量相對於黏合樹脂的總重量為0.1至4重量百分比，優選地，0.5至2.5重量百分比，更優選地，0.5至2重量百分比。若偶聯劑含量小於0.1重量百分比，則可能存在由於無法充分包圍無機填料表面而黏合力降低的問題，若偶聯劑含量大於4重量百分比，則揮發性低分子材料的含量變得太高，從而由於剩餘的偶聯劑而降低可靠性。
在本發明中，上述黏合劑層的平均厚度為3μm至60μm，優選為5μm至55μm，更優選為10μm至50μm。若黏合劑層的平均厚度小於3μm，則可能存在拾 取性能劣化的問題。若平均厚度大於60μm，則拾取性能差且在擴大切割工藝時可能會分割晶片。
上述黏合劑層的UV固化前的儲存彈性率值可滿足以下方程式6。
0
Figure 108119084-A0305-02-0018-36
在黏合劑層UV固化之前25℃下的儲存彈性率值(Mpa)/在黏合劑層UV固化之前130℃下的儲存彈性率值(Mpa)
Figure 108119084-A0305-02-0018-37
90，優選地，18
Figure 108119084-A0305-02-0018-39
在黏合劑層UV固化之前25℃下的儲存彈性率值(Mpa)/在黏合劑層UV固化之前130℃下的儲存彈性率值(Mpa)
Figure 108119084-A0305-02-0018-40
90，更優選地，20
Figure 108119084-A0305-02-0018-44
在黏合劑層UV固化之前25℃下的儲存彈性率值(Mpa)/在黏合劑層UV固化之前130℃下的儲存彈性率值(Mpa)
Figure 108119084-A0305-02-0018-45
80。
在上述方程式6中，上述儲存彈性率值為使用購買自珀金埃爾默公司的產品名稱為Diamond DMA的動態熱機械分析儀來在10℃/分鐘的升溫速度、-30℃至300℃的測定溫度和10Hz的測定頻率條件下對寬度為20mm且長度為5mm的樣品進行測定而得到。
並且，上述黏合劑層的UV固化後在260℃下的儲存彈性率值可以為3MPa或更大，優選地，可以為3.2至11MPa。並且，上述黏合劑層的UV固化後在25℃下的儲存彈性率值可以為140至300MPa，優選地，可以為148至275MPa。
並且，上述黏合劑層的厚度為20μm時，上述黏合劑層的固化後在260℃下的剪切黏合強度可以為4至10MPa，優選地，可以為4.5至9.0MPa。剪切黏合強度與黏合膜的迴流(reflow)性有關，若剪切黏合強度小於4MPa，則可能存在黏合力過低，迴流性劣化，黏合膜內產生裂縫等問題，若剪切黏合強度大於10MPa，則可能存在黏合膜的耐衝擊性降低的問題。
在本發明的DAF中，在紫外線固化之前，在上述切割膜的壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的在22℃下的黏合力可以為80至300N/m，優選地， 可以為100至200N/m，更優選地，可以為120至180N/m，在紫外線固化之後，在上述切割膜的壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的在22℃下的黏合力可以為4至20N/m，優選地，可以為4至15N/m或更小，更優選地，可以為5至15N/m。此時，若在22℃下的黏合力小於4N/m，則由於黏合力過低而存在在擴大切割工藝時晶片分割或飛散。
並且，在本發明的DAF中，在上述壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的黏合力在-15℃至-10℃下的溫度下成為最大黏合力，優選地，在-15℃至-13℃下的溫度下成為最大黏合力，上述最大黏合力可以為300至700N/m。
並且，在本發明的DAF中，在上述切割膜的壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的在UV固化之前黏合力滿足下述方程式1至方程式5，且在-13℃至-15℃下的黏合力高於在-7℃至-10℃下的黏合力。
[方程式1]150N/m
Figure 108119084-A0305-02-0019-47
0℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0019-48
470N/m，優選地，180N/m
Figure 108119084-A0305-02-0019-49
0℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0019-77
450N/m。
[方程式2]220N/m
Figure 108119084-A0305-02-0019-52
-3℃至-5℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0019-53
520N/m，優選地，245N/m
Figure 108119084-A0305-02-0019-55
-3℃至-5℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0019-57
510N/m。
[方程式3]300N/m
Figure 108119084-A0305-02-0019-58
-7℃至-10℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0019-59
540N/m，優選地，305N/m
Figure 108119084-A0305-02-0019-60
-7℃至-10℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0019-62
505N/m。
[方程式4]305N/m
Figure 108119084-A0305-02-0019-63
-13℃至-15℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0019-66
700N/m，優選地，310N/m
Figure 108119084-A0305-02-0019-67
-13℃至-15℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0019-69
600N/m。
[方程式5]-18℃至-20℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0019-73
500N/m，優選地，200N/m
Figure 108119084-A0305-02-0019-74
-18℃至-20℃下的黏合力
Figure 108119084-A0305-02-0019-76
450N/m。
如上所述的本發明的防靜電模片黏貼膜(DAF)可以通過執行包括如下步驟的工序來製備：步驟1，製備包括抗靜電層、聚烯烴薄膜層及壓敏黏合劑層的切割膜；及步驟2，通過將黏合膜層疊在上述切割膜的壓敏黏合劑層的上部來一體化或將黏合劑澆鑄在上述切割膜的壓敏黏合劑層的上部並乾燥以形成黏合劑層。
在步驟1的上述切割膜中，可以依序層疊有抗靜電層、聚烯烴薄膜層及壓敏黏合劑層，或可以依序層疊有聚烯烴薄膜層、抗靜電層及壓敏黏合劑層。
而且，步驟2的上述黏合膜或黏合劑層處於B-階段狀態。
如上所述，在本發明中，可以使用上述防靜電模片黏貼膜來執行研磨前切割(DBG)或研磨前隱形切割(SDBG)晶圓切割工序。
下面，通過實施例對本發明進行更具體的說明，但下述實施例不限定本發明的範圍，而應解釋為有助於理解本發明。
[實施例]
準備例1-1：黏合劑用樹脂和黏合膜的製備
將67重量百分比的作為熱塑性樹脂的數目平均分子量為800,000且玻璃化轉變溫度為15℃且含有3重量百分比的丙烯酸縮水甘油酯的丙烯酸共聚物(N公司，商品名稱：SG-P3)、8重量百分比的當量為475g/eq且軟化點為65℃的雙酚A環氧樹脂(K化學公司，商品名稱：YD-011)、8重量百分比的當量為200g/eq且軟化點為52℃的甲酚酚醛清漆環氧樹脂(K化學公司，商品名稱：YDCN1P)、6重量百分比的作為固化劑的OH當量為106g/eq且軟化點為120℃的苯酚酚醛清漆樹脂(Kolon Chemical Co.,Ltd，商品名稱：KPH-F2004)、9.5重 量百分比的平均粒徑為15至17nm的二氧化矽(E公司製備的Aerosil R972)、0.5重量百分比的作為固化促進劑的咪唑化合物(四國化成工業製品Curezol 2PH)及1重量百分比的矽烷偶聯劑(Shin-Etsu Co.,Ltd.的KBM-303)混合來準備黏合劑用樹脂。
其次，將上述黏合劑用樹脂澆鑄在經過離型處理的聚酯膜上，然後在140℃下熱風乾燥5分鐘，以製備平均厚度為20μm的B階段黏合膜。
準備例1-2至準備例1-7及比較準備例1-1至比較準備例1-6
通過以與上述準備例1-1相同的方式製備黏合樹脂和黏合膜，製備具有下表1中所示組成和組成比的樹脂，然後使用該樹脂來分別製備黏合膜來進行準備例1-2至1-7和比較準備例1-1至1-6。
Figure 108119084-A0305-02-0021-1
Figure 108119084-A0305-02-0022-2
實驗例1：黏合膜的物理性能測定
作為準備例和比較準備例中製備的黏合膜的物理性能的儲存彈性率值和黏合強度通過以下方法測定，結果示於下表2中。
(1)儲存彈性率值測定
針對20mm×5mm×20μm(寬×長×厚)尺寸的層疊成50層的樣品，通過使用動態熱機械分析儀(珀金埃爾默(Perkin Elmer)公司，Diamond DMA)並應用-30℃至300℃的測定溫度(10℃/分鐘的升溫速度)和10Hz的測定頻率來基於測定方法測定儲存彈性率值。而且，測定在25℃和130℃下的固化前處於B階段狀態的黏合膜的儲存彈性率值，並且，針對相同的組成的黏合膜測定固化後的在25℃和260℃下的處於C階段狀態的黏合膜的儲存彈性率值。而且，表2的儲存彈性率值是通過將測定的儲能模量值除以樣品厚度而獲得的值。
(2)剪切黏合強度測定
至於剪切黏合強度，將黏合膜(厚度：20μm)與厚度為0.5mm的上基板晶片(wafer)在60℃下貼合，切成5mm×5mm的尺寸，在130℃和1kgf的壓力下黏合到厚度為0.5mm的下基板晶片上，並在180℃下固化2小時。在固化完成後，以0.5mm/sec的速度和260℃下測定下基板晶片的剪切黏合強度。此時，在固化後，260℃下的剪切黏合強度必須在4至10MPa的範圍內。
表2
Figure 108119084-A0305-02-0023-3
如上表2的測定結果所示，總體上，準備例1-1至1-7的黏合膜在固化前後的儲存彈性率值和黏合強度呈現出適當的範圍。
相對地，在熱塑性樹脂含量小於60重量百分比的比較準備例1-1的情況下，由於固化前缺乏彈性，黏合劑層容易破裂，從而難以製備。因此，存在無法測定在130℃下的儲存彈性率值的問題。在熱塑性樹脂含量大於75重量百分比的比較準備例1-2的情況下，由於熱固性部分的含量不足而總交聯度低，因此 25℃/130℃儲存彈性率值比小於20，固化後260℃下的儲存彈性率值低，存在黏合力降低且耐熱性不足的問題。
並且，在環氧樹脂中不使用甲酚酚醛清漆樹脂的比較準備例1-3的情況下，形成三維交叉的交聯點不足，因此存在耐熱性和黏合性不足的問題，在甲酚酚醛清漆基環氧樹脂使用量大於1.2重量份的比較準備例1-4的情況下，儲存彈性率值和黏合強度總體上優異，但25℃/130℃下的儲存彈性率值比超過90且交聯度太高，因此可能存在耐衝擊性差的問題。
在無機填料的使用量小於4重量百分比的比較準備例1-5的情況下，熱膨脹係數上升，因此存在由於固化後260℃下的熱膨脹和收縮而基板之間的黏合力降低的問題，且存在在260℃下的儲存彈性模量太低的問題。而且，在無機填料的使用量大於15重量百分比的比較準備例1-6的情況下，由於相對於下基板晶片的填充性不足而黏合力顯著降低。
準備例2-1：PSA黏合樹脂和層壓薄膜的製備
將94重量百分比的數目平均分子量為600,000且玻璃化轉變溫度為-40℃的丙烯酸共聚物樹脂、5重量百分比的作為熱固化劑的多異氰酸酯(Aekyung Chemical Industries.,Ltd.的AK75)及1重量百分比的光起始劑(Ciba specialty Chemical Inc，IRGACURE 184)混合而成的混合樹脂澆鑄在經過離型處理的聚酯膜上，然後在140℃下熱風乾燥5分鐘以獲得平均厚度為10μm的PSA膜。之後，在室溫(15至30℃)下將壓敏黏合劑層貼合到80μm聚烯烴膜(由包括Pillmax Co.製備的EPG-80、中密度聚乙烯及無規共聚物聚丙烯的聚烯烴樹脂製成)來製備層壓膜。
此時，上述丙烯酸共聚物樹脂是通過相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯共聚33.3重量份的丙烯酸-2-羥乙酯和33.3重量份的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯來製備的。
準備例2-2至2-5和比較準備例2-1至2-6
除了在具有下表3所示組成的丙烯酸共聚物樹脂之後，使用其來分別製備具有下表3的組成的層壓膜之外，以與上述準備例2-1相同的方法製備層壓膜。
Figure 108119084-A0305-02-0025-4
Figure 108119084-A0305-02-0026-5
實驗例2：壓敏黏合劑層對於黏合劑層的基於溫度的黏合力測定
使用25℃輥式層壓機在上述準備例2-1至2-5和比較準備例2-1至2-6中製備的層壓膜的壓敏黏合劑層方向與準備例1-1的黏合膜貼合，然後以25mm(寬度)×100mm(長度)尺寸剪切來製備樣品。其次，將準備的樣品在厚度為500μm的8英寸矽晶片(用DISCO Co.,Ltd.製備的DFD-840研磨設備進行# 2300研磨處理的晶片)的背面上的DAF膜的黏合劑層的方向上在60℃下進行輥層壓，然後以180°角度和300mm/分鐘速度的測定條件測定切割膜對於黏合劑層的基於溫度的UV固化前黏合力(-20至22℃)。
並且，在UV固化後，使用高壓汞燈紫外線照射器(Dymax公司的Dymax 2000-EC)來從切割膜側以200mJ/cm2的照射量照射紫外線，在22℃下測定黏合力。壓敏黏合劑層對於黏合劑層的UV固化前的基於溫度的黏合力和UV固化後25℃黏合力測定結果如下表4所示。
Figure 108119084-A0305-02-0026-6
Figure 108119084-A0305-02-0027-7
參照上表4的實驗結果，在準備例2-1至準備例2-7的情況下，滿足方程式1至方程式5且在-15℃下的黏合力高於在-10℃或-20℃下的黏合力。
相對地，在丙烯酸共聚物樹脂中不包括HEA的比較準備例2-1的情況下，在約0℃下具有最大黏合力，且在比較準備例2-2的情況下，在-5℃下具有最大黏合力。而且，在HEA含量大於40重量份的比較準備例2-3的情況下，在-10℃下具有最大黏合力。在MOI含量大於45重量百分比的比較準備例2-4的情況下，低溫黏合力在-15℃下具有最大值並具有適當的黏合力。然而，在UV固化之後，發生由於黏合力過低而晶片飛散的問題。而且，在HEA的含量小於10重量份的比較準備例2-5的情況下，UV固化後黏合力為過高的20N/m。並且，在使用丙烯酸共聚物樹脂的含量小於90重量百分比的壓敏黏合樹脂的比較準備例2-6的情況下，總體上低溫黏合力與準備例2-1至2-7相比較低。
準備例3-1：形成有抗靜電層的聚烯烴薄膜的製備
對於準備例2-1中使用的厚度為80μm的聚烯烴薄膜(filmax公司的EPG-80)，在溫度為1000℃且3×10-4torr環境下的坩堝中，將鋁沉積在經電暈處理的切割膜背面上，以製備厚度為約2nm的形成有抗靜電層的聚烯烴薄膜。
準備例3-2至準備例3-5和比較準備例3-1至3-3
除了以如下表5所示的厚度形成抗靜電層來分別製備聚烯烴薄膜之外，以與上述準備例3-1相同的方法製備形成有抗靜電層的聚烯烴薄膜。
實驗例3：形成有抗靜電層的聚烯烴薄膜的物理性能測定
對準備例3-1至3-5和比較準備例3-1至3-3中製備的各個聚烯烴薄膜的透射率和表面電阻進行測定，其結果如下表5所示。
此時，使用紫外線/可見光譜儀(visible spectrometer，JASCO公司的V-550)在550nm的波長領域下測定透射率。當UV透射率小於5%時，紫外線不會透過，且無法順利實現壓敏黏合劑層的紫外線固化，因此若透射率為5%，則不合格。
而且，使用表面電阻測定器(Trek公司的152-1電阻測定器)來以100V電壓測定表面電阻。
Figure 108119084-A0305-02-0028-8
參照上表5的測定結果，可以確認準備例3-1至3-5具有5%或更大的透過率且具有適當表面電阻。相對地，在抗靜電層大於40nm的比較準備例3-1 和3-2的情況下，透射率小於5%，即，透射率過低，且表面電阻與準備例3-5相比不會更低。
通過本實驗，可以確認將抗靜電層的厚度形成為最大小於40nm，優選地，等於或小於30nm，最小等於或大於1nm，優選地，等於或大於2nm，這在透射率和表面電阻方面有利。
實施例1：防靜電模片黏貼膜的製備
準備了在準備例3-1製備的形成有抗靜電層的聚烯烴薄膜。在上述形成有抗靜電層的聚烯烴薄膜的另一面層壓在準備例2-1製備的PSA膜之後，剝離作為離型膜的聚酯薄膜。其次，在上述PSA膜上部層壓(或貼合)上述準備例1-1的黏合膜來製備如圖1所示依序層疊抗靜電層4-聚烯烴薄膜層3-壓敏黏合劑層2-黏合劑層1的形態的DAF膜。
實施例2至實施例5和比較例1至比較例7
除了如下表6所示改變切割膜之外，以與上述實施例1相同的方法製備依序層疊抗靜電層-聚烯烴薄膜層-壓敏黏合劑層-黏合劑層的形態的DAF膜。
實施例6
通過代替準備例3-1的切割膜而使用在準備例3-5製備的切割膜來製備如圖2所示依序層疊聚烯烴薄膜層3-抗靜電層4'-壓敏黏合劑層2-黏合劑層1的形態的DAF膜。
Figure 108119084-A0305-02-0029-9
Figure 108119084-A0305-02-0030-10
實驗例4：黏合劑層的剝離靜電電壓、UV固化前後的黏合力測定及拾取性測定
(1)剝離靜電電壓測定
對上述實施例和比較例中製備的DAF膜進行UV照射，並以切割膜表面與ITO基板(玻璃)相接的方式將DAF膜放置在其上，然後以300mm/分鐘的速率剝離黏合膜並測定剝離黏合膜的切割膜黏合劑表面的靜電電壓。使用STATIRONDZ-4(SHISHIDO公司)設備來在與切割膜隔開30mm的距離的狀態下測定靜電電壓，其結果示於下表7中。
作為參考，在比較例3的情況下，不存在抗靜電層。
(2)在UV固化前後的對於黏合劑層的壓敏黏合劑層的黏合力測定
對在上述實施例和比較例製備的DAF膜的UV固化前後的對於黏合劑層的切割膜的黏合力進行測定，其結果示於下表7。此時，通過在厚度為500μm的8英寸矽晶片(通過用DISCO公司製備的DFD-840研磨設備進行# 2300研磨處理而獲得的晶片)的背面沿DAF膜的黏合劑層的方向上對DAF膜進行輥層壓，然後以300mm/分鐘的速度180°黏合劑層，從而測定在UV固化前後的切割膜的壓敏黏合劑層的黏合劑層的剝離強度。作為參考，在UV固化後，壓敏黏合劑層的黏合力降低，使得與黏合劑層(黏合膜)之間的剝離變得容易。
Figure 108119084-A0305-02-0031-12
參照上表7的測定結果，在沒有抗靜電層的比較例3的情況下，剝離靜電電壓為較高的1.2kV，如上所述，在剝離靜電電壓較高時，存在在半導體封裝中可能發生由於電荷帶電導致的器件擊穿的問題。在形成有抗靜電層的實施例1至8和比較例3至6的情況下，呈現等於或小於0.8kV的低剝離靜電電壓。
並且，可以確認實施例1至8在UV固化後呈現小於20N/m的低黏合力，從而確保了與黏合膜(黏合劑層)之間的適當剝離性。然而，在黏合劑層的厚度為小於3μm的2μm的比較例3的情況下，由於與晶片之間的黏合力不足而存在無法測定接觸層和壓敏黏合劑層之間的黏合力的問題，在黏合劑層的厚度為大於60μm的65μm的比較例4的情況下，存在在UV固化後也具有大於20N/m的高黏合力的問題。
實驗例5：是否確保DBG和SDBG的工序性的測試
測定實施例和比較例的DAF膜的基於溫度的黏合力最大值和DAF拾取性。
(1)基於溫度的黏合力最大值測定
測定在DAF膜的黏合劑層和壓敏黏合劑層之間的基於溫度的黏合力最大值(-20℃、-15℃、-10℃、-7℃、-3℃、0℃及5℃)，由此，確認在擴大(expanding)工序中的分裂性確保和在黏合劑層和壓敏黏合劑層之間是否發生浮起，其結果示於下表8。此時，黏合力示出最大黏合力和在成為最大黏合力時的溫度。
(2)晶片是否分裂和是否發生浮起
關於晶片是否分裂，將DAF膜和固定環框架一起在70℃下層壓到厚度為100μm的8英寸晶片。使用切割機(Disco公司製備的DFD-6361)將晶片切 割成9mm×12mm(寬×高)的尺寸而留下20μm的晶片厚度。將切割的晶片和其上貼合DAF的環形框架置於-10℃的擴大裝置中，並以80mm/sec的擴大速度和10mm的擴大高度對切割膜進行擴大切割處理。
與通過刀片切割的總線數相比，當實際通過擴大成功分裂的線數為90%或更大時，測定為良好(O)，當實際通過擴大成功分裂的線數小於90%時，測定為不良(X)。而且，當分裂的晶片的邊緣(edge)部分的黏合劑層和切割膜PSA黏合劑之間的浮起小於1mm時，測定為“未發生”，當分裂的晶片的邊緣(edge)部分的黏合劑層和切割膜PSA黏合劑之間的浮起等於或大於1mm時，測定為“發生”，其結果示於下表8。
(3)DAF膜的拾取性測定
關於拾取性，以與先前實驗例中相同的方式對在上述實驗例5-(2)中分裂的晶片和DAF膜進行UV照射，並使用拾取設備(SHINKAWA公司製備的SPA-300)在22℃的氣氛中拾取晶片。此時，針銷的高度在0.25mm和0.30mm處被拾取，當拾取成功率為95%或更高時，表示為良好(O)，當拾取成功率小於95%時，表示為不良(X)。
Figure 108119084-A0305-02-0033-14
Figure 108119084-A0305-02-0034-15
參照上表8的測定結果，在實施例1至實施例8的情況下，未發生浮起，且晶片未分裂。並且，拾取性優異。
相對地，在用比較準備例2-1或比較準備例2-2的壓敏黏合樹脂形成壓敏黏合劑層的比較例5和比較例6的情況下，呈現最大黏合力的溫度比實施例更高，拾取性差。
並且，抗靜電層厚度分別為40nm和50nm的比較例1和比較例2也呈現較低的拾取性。
而且，在黏合劑層厚度為2μm的比較例3的情況下，由於黏合劑層和晶片之間的黏合力不足而存在在拾取時僅拾取晶片而不拾取黏合劑層的問題。在黏合劑層厚度為65μm的比較例4的情況下，由於黏合劑層和壓敏黏合劑層之間的黏合力高而拾取性差，還發生晶片不分裂的問題。
1‧‧‧黏合劑層
2‧‧‧壓敏黏合劑層
3‧‧‧聚烯烴薄膜層
4‧‧‧抗靜電層
10‧‧‧切割膜

Claims (17)

  1. 一種靜電模片黏貼膜，包括：一切割膜，包括一抗靜電層、一聚烯烴薄膜層及一壓敏黏合劑層；及一黏合劑層，層疊在上述切割膜的上述壓敏黏合劑層的上部，其中，在上述切割膜中依序層疊有上述抗靜電層、上述聚烯烴薄膜層及上述壓敏黏合劑層，或依序層疊有上述聚烯烴薄膜層、上述抗靜電層及上述壓敏黏合劑層，其中，上述黏合劑層的平均厚度為3μm至60μm，且上述抗靜電層的平均厚度為1nm至30nm，其中，上述黏合劑層包括60至75重量百分比的熱塑性樹脂、10至25重量百分比的環氧樹脂、2至10重量百分比的固化劑、4至15重量百分比的無機填料、0.1至2重量百分比的固化促進劑及0.1至4重量百分比的偶聯劑，其中，上述環氧樹脂包括重量比為1：0.2至1.2及1：9/7的雙酚基環氧樹脂和甲酚酚醛清漆基環氧樹脂，其中，上述壓敏黏合劑層由壓敏黏合樹脂形成，上述壓敏黏合樹脂包括90至97重量百分比的丙烯酸共聚物樹脂、2至8重量百分比的熱固化劑及0.1至2重量百分比的光起始劑，其中，上述丙烯酸共聚物樹脂包括相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯共聚反應10至40重量份的丙烯酸-2-羥乙酯和10至45重量份的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯而得到的共聚物。
  2. 如請求項1所述之防靜電模片黏貼膜，其中上述抗靜電層包括選自Al、Al2O3、ITO、Ni及Ag中的至少一種。
  3. 如請求項1所述之防靜電模片黏貼膜，其中上述壓敏黏合劑層的平均厚度為5μm至30μm，上述切割膜的平均厚度為60μm至150μm。
  4. 如請求項1所述之防靜電模片黏貼膜，其中上述黏合劑層包括處於B階段狀態的黏合劑或處於B階段狀態的黏合膜，其中該B階段狀態為一半固化狀態。
  5. 如請求項1所述之防靜電模片黏貼膜，其中，在上述抗靜電層的厚度為5至30nm時，上述黏合劑層的剝離靜電壓為0.1kV至0.8kV。
  6. 如請求項1所述之防靜電模片黏貼膜，其中上述抗靜電層的表面電阻為1x102至1x1012ohm/sq。
  7. 如請求項1所述之防靜電模片黏貼膜，其中上述黏合劑層的UV固化前的儲存彈性率值滿足下述方程式6：[方程式6]18
    Figure 108119084-A0305-02-0037-78
    黏合劑層的固化前在25℃下的儲存彈性率值(Mpa)/黏合劑層的固化前在130℃下的儲存彈性率值(Mpa)
    Figure 108119084-A0305-02-0037-79
    90，在方程式6中，上述儲存彈性率值為使用購買自珀金埃爾默公司的產品名稱為Diamond DMA的動態熱機械分析儀來在10℃/分鐘的升溫速度、-30℃至300℃的測定溫度和10Hz的測定頻率條件下對寬度為20mm且長度為5mm的樣品進行測定而得到。
  8. 如請求項1所述之防靜電模片黏貼膜，其中上述黏合劑層在UV固化後在260℃下的儲存彈性率值為3MPa或更大，當上述黏合劑層的厚度為20μm時，上述黏合劑層的固化後在260℃下的剪切黏合強度為4至10MPa。
  9. 如請求項1所述之防靜電模片黏貼膜，其中在紫外線固化之前，上述切割膜的上述壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的在22℃下的黏合力 為80至300N/m；在紫外線固化之後，上述切割膜的壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的在22℃下的黏合力為20N/m或更小。
  10. 如請求項10所述之防靜電模片黏貼膜，其中，在上述壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的黏合力在-15℃至-7℃的溫度下成為最大黏合力，上述最大黏合力為300至700N/m。
  11. 如請求項10所述之防靜電模片黏貼膜，其中，在上述切割膜的上述壓敏黏合劑層和上述黏合劑層之間的黏合力被設置為使得在UV固化之前的黏合力滿足下述方程式1至方程式5且在-13℃至-15℃下的黏合力高於在-7℃至-10℃下的黏合力；[方程式1]在150N/m
    Figure 108119084-A0305-02-0038-80
    0℃下的黏合力
    Figure 108119084-A0305-02-0038-97
    470N/m；[方程式2]在220N/m
    Figure 108119084-A0305-02-0038-82
    -3℃至-5℃下的黏合力
    Figure 108119084-A0305-02-0038-87
    520N/m；[方程式3]在300N/m
    Figure 108119084-A0305-02-0038-83
    -7℃至-10℃下的黏合力
    Figure 108119084-A0305-02-0038-88
    540N/m；[方程式4]在305N/m
    Figure 108119084-A0305-02-0038-85
    -13℃至-15℃下的黏合力
    Figure 108119084-A0305-02-0038-95
    700N/m；[方程式5]在-18℃至-20℃下的黏合力
    Figure 108119084-A0305-02-0038-103
    500N/m。
  12. 如請求項1所述之防靜電模片黏貼膜，其中上述共聚物為進一步共聚選自甲基丙烯酸乙基己酯和甲基丙烯酸羥乙酯中的至少一種而得到的共聚物。
  13. 如請求項12所述之防靜電模片黏貼膜，其中上述甲基丙烯酸乙基己酯的含量相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯為5至135重量份，且上述甲基丙烯酸羥乙酯的含量相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯為3至30重量份。
  14. 一種防靜電模片黏貼膜的製備方法，依序包括：步驟1，製備包括一抗靜電層、一聚烯烴薄膜層及一壓敏黏合劑層的一切割膜；及步驟2，通過將一黏合膜層疊在上述切割膜的上述壓敏黏合劑層的上部來一體化或將黏合劑澆鑄在上述切割膜的上述壓敏黏合劑層的上部並乾燥以形成一黏合劑層；其中，在上述切割膜中，依序層疊有上述抗靜電層、上述聚烯烴薄膜層及上述壓敏黏合劑層，或依序層疊有上述聚烯烴薄膜層、上述抗靜電層及上述壓敏黏合劑層，其中，上述黏合劑層的平均厚度為3μm至60μm，且上述抗靜電層的平均厚度為1nm至30nm，其中，上述黏合劑層包括60至75重量百分比的熱塑性樹脂、10至25重量百分比的環氧樹脂、2至10重量百分比的固化劑、4至15重量百分比的無機填料、0.1至2重量百分比的固化促進劑及0.1至4重量百分比的偶聯劑，其中，上述環氧樹脂包括重量比為1：0.2至1.2及1：9/7的雙酚基環氧樹脂和甲酚酚醛清漆基環氧樹脂，其中，上述壓敏黏合劑層由壓敏黏合樹脂形成，上述壓敏黏合樹脂包括90至97重量百分比的丙烯酸共聚物樹脂、2至8重量百分比的熱固化劑及0.1至2重量百分比的光起始劑，其中，上述丙烯酸共聚物樹脂包括相對於100重量份的丙烯酸-2-乙基己酯共聚反應10至40重量份的丙烯酸-2-羥乙酯和10至45重量份的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯而得到的共聚物。
  15. 如請求項14所述之防靜電模片黏貼膜的製備方法，其中上述黏合膜或上述黏合劑層處於B階段狀態，其中該B階段狀態為一半固化狀態。
  16. 一種研磨前切割晶圓切割工序，使用如請求項1至13任一項之防靜電模片黏貼膜。
  17. 一種研磨前隱形切割晶圓切割工序，使用如請求項1至13任一項之防靜電模片黏貼膜。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7229815B2 (ja) * 2019-03-01 2023-02-28 日東電工株式会社 熱硬化性粘接着フィルム、半導体プロセスシート、および半導体パッケージ製造方法
JP7247419B2 (ja) * 2020-08-07 2023-03-28 日東電工株式会社 保護カバー部材及び部材供給用シート
CN113150730B (zh) * 2021-05-13 2022-07-29 湖北三选科技有限公司 一种晶圆切割用保护胶
CN115197662B (zh) * 2022-06-22 2024-02-20 宁波惠之星新材料科技股份有限公司 一种uv减粘胶黏剂、uv减粘膜及制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201111461A (en) * 2004-06-01 2011-04-01 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheet and surface protecting film
CN102408845A (zh) * 2010-09-21 2012-04-11 日东电工株式会社 切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法
CN104212374A (zh) * 2013-06-04 2014-12-17 日东电工株式会社 热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002226796A (ja) * 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
JP4002236B2 (ja) * 2003-02-05 2007-10-31 古河電気工業株式会社 ウエハ貼着用粘着テープ
JP2007043198A (ja) * 2006-10-20 2007-02-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装
JP4717086B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5888927B2 (ja) 2011-10-06 2016-03-22 株式会社ディスコ ダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法
JP2014135468A (ja) * 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型接着シート、及び、ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法
KR102108102B1 (ko) * 2012-12-10 2020-05-11 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
KR101799499B1 (ko) * 2014-12-24 2017-12-20 주식회사 엘지화학 반도체 접착용 수지 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치
CN204569803U (zh) * 2015-04-20 2015-08-19 上海东煦电子科技有限公司 一种具有防静电功能的新型uv切割膜
JP6470848B2 (ja) * 2015-04-29 2019-02-13 エルジー・ケム・リミテッド 半導体用接着フィルム
JP6716263B2 (ja) 2016-01-22 2020-07-01 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017183705A (ja) * 2016-03-24 2017-10-05 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP6895714B2 (ja) * 2016-03-30 2021-06-30 デンカ株式会社 薄厚基板用組成物及び仮固定方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201111461A (en) * 2004-06-01 2011-04-01 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheet and surface protecting film
CN102408845A (zh) * 2010-09-21 2012-04-11 日东电工株式会社 切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法
CN104212374A (zh) * 2013-06-04 2014-12-17 日东电工株式会社 热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法

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