TWI602228B - Divide plate cut ‧ wafer bonding film - Google Patents

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Yuichiro Yanagi
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Description

附分隔板之切割‧晶片接合薄膜
本發明有關附分隔板之切割‧晶片接合薄膜。
以往，在半導體裝置的製造步驟中，係使用在切割薄膜上層合有熱硬化性之晶片接合薄膜的切割‧晶片接合薄膜(例如，參考專利文獻1)。在使用該切割‧晶片接合薄膜的半導體裝置之製造步驟中，首先，將半導體晶圓貼合於切割‧晶片接合薄膜上將其固定，並在該狀態下進行切割。藉此，半導體晶圓被單片化為特定的尺寸，成為半導體晶片。接著，為了將固定在切割‧晶片接合薄膜上的半導體晶片從切割薄膜上剝離，而進行半導體晶片的拾取。隨後，將與晶片接合薄膜一起被拾取的半導體晶片透過晶片接合薄膜固定到基板等被黏著體上。
對於上述的切割‧晶片接合薄膜而言，係將根據半導體晶圓的尺寸而各自沖裁為圓形等的切割薄膜及晶片接合薄膜層合而成。切割‧晶片接合薄膜以晶片接合薄膜為貼合側以空出特定的間隔配置於長條狀的分隔板 上。與半導體晶圓貼合時，使用晶圓安裝裝置等將切割‧晶片接合薄膜從分隔板上剝離，隨後貼附到半導體晶圓上。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
專利文獻1：日本特開2008-218571號公報
分隔板一般為了提高切割‧晶片接合薄膜的剝離性而利用脫模劑等進行脫模處理。然而，從分隔板上剝離切割‧晶片接合薄膜時，有時分隔板與晶片接合薄膜之間的剝離不能順利地進行，會有晶片接合薄膜殘留在分隔板上的狀態僅將切割薄膜剝離。
本發明係鑒於前述問題而完成，其目的在於提供切割‧晶片接合薄膜容易從分隔板上剝離的附分隔板的切割‧晶片接合薄膜。
本申請案之發明人為了解決前述問題而進行研究之結果，發現藉由採用下述構成，可解決前述問題點，從而完成本發明。
即，本發明係一種附分隔板之切割‧晶片接 合薄膜，其係藉由將分隔板、俯視時於外周部具有向外側凸出的伸出片之晶片接合薄膜以及切割薄膜以該順序層合而成。
該附分隔板之切割‧晶片接合薄膜(以下亦稱為“附分隔板之薄膜”)中，晶片接合薄膜在俯視時於外周部具有向外側凸出的伸出片(以下有時簡稱為“伸出片”)，因此在從形成有伸出片之側剝離時，該伸出片成為剝離的起點，結果，可以容易地進行切割‧晶片接合薄膜從分隔板之剝離。另一方面，在晶片接合薄膜不具有伸出片的情況下，作為晶片接合薄膜之剝離起點的區域呈更接近直線的狀態，在剝離初期晶片接合薄膜從分隔板接受到的應力(欲將晶片接合薄膜往分隔板側牽拉的應力，以下亦稱為“牽拉應力”)變大，會有產生以往的剝離不良之情況。
該附分隔板之薄膜中，較好前述伸出片具有錐狀之前端部。由此，使伸出片的前端部與分隔板的接觸面積變小，可降低來自分隔板的牽拉應力，可更容易地剝離切割‧晶片接合薄膜。
該附分隔板之薄膜中，前述伸出片較好具有V字狀的前端部。藉由將伸出片的前端部設定為V字狀，可一方面保持伸出片的機械強度，一方面降低來自分隔板的牽拉應力，並且可成為以直線形成前端部之簡易結構，因此伸出片之形成變得容易。
該附分隔板之薄膜中，前述V字狀之前端部 的內角較好為30°以上且90°以下。由此，可進一步降低來自分隔板的牽拉應力，可使切割‧晶片接合薄膜從分隔板之剝離更良好地進行。
該附分隔板之薄膜中，與前述伸出片的伸出方向垂直之方向上，前述伸出片之根部的最小跨徑距離較好小於前述伸出片的根部與前端部間之中間部的最大跨徑距離。藉由如此使該伸出片的根部成為縮窄之形狀，即使剝離時伸出片的前端部(以及中間部)殘留在分隔板側，剝離越過根部進行時剝離的應力(從伸出片的前端部起、中間部從分隔板受到的牽拉應力與越過根部之區域(即，晶片接合薄膜的伸出片以外之區域，以下，亦將該區域稱為晶片接合薄膜的“基部”)被提起的應力之和)也會集中於根部從而將根部切斷。結果，可在伸出片之切斷部位附近設置基部的新剝離起點，可儘可能地抑制剝離的不良狀況產生。
該附分隔板之薄膜中，前述根部之最小跨徑距離較好為1mm以下。據此可以在剝離越過根部進行時促進根部的切斷，可容易地促進從基部開始的新的剝離。
該附分隔板之薄膜中，前述分隔板可為長條狀的分隔板。藉由在長條狀之分隔板上以特定間隔配置多個切割‧晶片接合薄膜，可以連續作業，因而可提高半導體裝置之製造效率。
該附分隔板之薄膜中，前述伸出片較好沿前述長條狀分隔板的長度方向配置。自捲出之長條狀之附分 隔板的切割‧晶片接合薄膜連續地剝離切割‧晶片接合薄膜時，若伸出片沿長條狀分隔板之長度方向配置，則剝離方向與長條狀分隔板的長度方向平行，因此可高效地進行連續剝離。
該附分隔板之薄膜中，前述晶片接合薄膜上，俯視時於前述晶片接合薄膜的外周之一部分形成有以隔著該外周上之前述伸出片的兩個伸出起點之該外周上的兩個點作為伸出起點，且以前述伸出片之兩個伸出起點作為伸出前端點之錐形伸出部，分別連接前述伸出片的兩個伸出起點與前述伸出部的兩個伸出起點的兩條線段較好位於通過前述伸出片之兩個伸出起點的任意一點以及前述伸出部之兩個伸出起點此三個點的圓弧的內側。以該形態，可說是將晶片接合薄膜的外周形狀本身形成為錐狀之相對較大的伸出部及與該伸出部的前端部分連結之相對較小的伸出片的兩段構成。藉由採用該構成，在將切割‧晶片接合薄膜從分隔板上剝離時，即使未進行伸出片之剝離，在剝離越過伸出片的根部(或伸出起點)時，亦可藉形成為錐狀而降低了來自分隔板之牽拉應力的伸出部引起剝離，可儘可能地抑制非預料之剝離的不良狀況產生。
該附分隔板之薄膜中，連接前述伸出部之伸出起點與伸出前端點(即，伸出片的伸出起點)之前述兩條線段較好為直線。藉此，可容易地形成伸出部，並且可以有效地降低來自分隔板之牽拉應力。
該附分隔板之薄膜中，前述兩條線段所成的 角度較好為120°以上且175°以下。藉由該構成，可有效地降低來自分隔板的牽拉應力，同時可充分地確保晶片接合薄膜中用於貼附半導體晶圓之有效面積。
前述切割薄膜具有基材與層合於該基材上之黏著劑層，且在前述切割薄膜之前述黏著劑層上亦可層合前述晶片接合薄膜。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
3、23‧‧‧晶片接合薄膜
3a、33a~331‧‧‧伸出片
3A‧‧‧伸出部
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被黏著體
7‧‧‧接合金屬線
8‧‧‧密封樹脂
10‧‧‧附分隔板之切割‧晶片接合薄膜
11‧‧‧切割薄膜
12‧‧‧切割‧晶片接合薄膜
14‧‧‧分隔板
圖1A係表示本發明之一實施形態之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜的剖面示意圖。
圖1B係表示圖1A所示之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜的晶片接合薄膜的透視俯視圖。
圖2係表示本發明之一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖3係表示使用本發明之一實施形態之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜之半導體裝置的製造步驟之一步驟的剖面示意圖。
圖4係表示透過圖1A所示之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜中之晶片接合薄膜安裝半導體晶片之例的剖面示意圖。
圖5A係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的一部分之放大俯視圖。
圖5B係表示本發明之另一實施形態之附分隔板之切 割‧晶片接合薄膜的晶片接合薄膜的透視俯視圖。
圖6A係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6B係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6C係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6D係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6E係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6F係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6G係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6H係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6I係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6J係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6K係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6L係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜 的伸出片之部分放大俯視圖。
圖6M係表示本發明之另一實施形態之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
<第一實施形態> 〔附分隔板之切割‧晶片接合薄膜〕
以下針對本發明之一實施形態的第一實施形態之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜進行說明。圖1A係表示本發明之一實施形態之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜之剖面示意圖，圖1B係其透視俯視圖。圖2係表示圖1B所示之晶片接合薄膜的伸出片之部分放大俯視圖。
如圖1A及1B所示，附分隔板之切割‧晶片接合薄膜10具有在長條狀分隔板14上依次層合俯視為圓形的晶片接合薄膜3以及切割薄膜11之構成。藉由該等晶片接合薄膜3及切割薄膜11構成切割‧晶片接合薄膜12。另外，圖1B中，為了便於說明，未圖示切割薄膜11，僅示出長條狀之分隔板14以及層合於其上之晶片接合薄膜3。切割薄膜11藉由於基材1上層合黏著劑層2而構成，在黏著劑層2上層合直徑小於切割薄膜11的晶片接合薄膜3。切割薄膜11係以使黏著劑層2與晶片接合薄膜3相對之方式層合於分隔板14上。另外，切割薄膜11之超出晶片接合薄膜3的外周之部分可如圖1A所示 不與分隔板14接觸，也可以與分隔板14接觸。
雖然未圖示，但本實施形態之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜10中，在長條狀分隔板14上以特定間隔配置有複數個切割‧晶片接合薄膜12。藉此，可連續地進行切割‧晶片接合薄膜12自分隔板14之剝離以及其後之與半導體晶圓之貼合，可提高半導體裝置之製造效率。就可連續捲出的觀點而言，長條之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜10亦可捲繞為捲筒狀的捲繞體。另外，附分隔板之切割‧晶片接合薄膜亦可為如下形態：複數個晶片接合薄膜以特定間隔配置在長條狀分隔板上，以覆蓋該等複數個晶片接合薄膜之方式層合長條狀之切割薄膜。
(分隔板)
長條狀分隔板14具有作為在供給實際應用之前保護晶片接合薄膜3之保護材之功能等。另外，長條狀分隔板14進而亦可以用作將晶片接合薄膜3轉印到黏著劑層2上時之支撐基材。長條狀分隔板14在將工件黏貼到晶片接合薄膜3上時被剝離。長條狀分隔板14的材質可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或利用含氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等之剝離劑進行表面塗佈後的塑膠薄膜或紙等。另外，分隔板可如本實施形態所示為長條狀物體，亦可為與切割薄膜11同樣地在俯視時呈大致圓形並且具有相同程度尺寸之形狀。
長條狀分隔板14的厚度並無特別限制，較好 為25~100μm，更好為25~75μm，又更好為35~60μm。藉由設定為上述範圍，可保持作為保護材之強度，並且可容易地製作附分隔板之切割‧晶片接合薄膜10的捲繞體。
(晶片接合薄膜)
如圖1B所示，晶片接合薄膜3在俯視時的外周部中具有向外側凸出之伸出片3a。另外，切割薄膜11以覆蓋包含該伸出片3a在內的整個晶片接合薄膜的方式層合。另外，晶片接合薄膜3可如圖1B所示具有一個伸出片3a，亦可具有兩個以上之複數個伸出片3a。
(伸出片)
如圖2所示，伸出片3a以自外周上的兩個伸出起點Ea、Ea起沿著伸出方向Z向外側凸出地伸出的方式形成。伸出起點Ea、Ea係自晶片接合薄膜3的基部之外周向外側開始伸出之點。夾著晶片接合薄膜3之伸出起點Ea、Ea，與伸出片3a相反側之部分成為晶片接合薄膜3的基部。伸出片3a俯視為略菱形，具有銳角的前端部的一部分被通過伸出起點Ea、Ea的線段切割的形狀，具體而言，具有如下形狀：自包含沿著伸出方向Z從晶片接合薄膜的圓形外周之起始部分的根部，經過沿著垂直於伸出方向Z的方向鼓起的中間部，到達錐形化為V字狀之前端部。藉由將伸出片3a的前端部設定為V字狀，可保持伸 出片3a之機械強度，並且可降低來自分隔板14的牽拉應力。另外，可成為以直線形成前端部之簡易結構，因此可以容易地形成伸出片。
上述V字狀之前端部的內角α雖沒有特別限制，但是就切割‧晶片接合薄膜12從分隔板14剝離的容易性之觀點而言，其上限較好為90°以下，更好為75°以下。另外，上述內角α之下限較好為30°以上，更好為45°以上。
與伸出片3a之伸出方向Z垂直的方向之前述伸出片的根部的最小跨徑距離dmin(即本實施方式的伸出起點Ea、Ea間的距離)較好小於伸出片3a的根部與前端部之間的中間部的最大跨徑距離dmax(即，本實施形態之鈍角的前端部之頂點間之距離)。藉由成為使伸出片3a的根部與中間部相比縮窄的形狀，即使剝離時伸出片3a之前端部(以及中間部)殘留在分隔板14側，剝離越過根部進行時剝離的應力也會集中於根部，因而可促進根部之切斷。結果，可在伸出片3a的切斷部位附近設置晶片接合薄膜3的新的剝離起點，可儘可能地抑制剝離的不良狀況之產生。
基於促進剝離時之根部切斷之觀點，根部的最小跨徑距離dmin較好為1mm以下。基於根部之機械強度的觀點，最小跨徑距離dmin之下限較好為0.5mm以上。
根部之最小跨徑距離dmin相對於中間部之最 大跨徑距離dmax之比(dmin/dmax)，從確保伸出片之機械強度與促進根之剝離時的切斷之平衡的觀點而言，較好為0.7以下，更好為0.5以下。
伸出片3a自基部伸出的伸出量h，只要伸出片3a可以作為切割‧晶片接合薄膜12的剝離起點發揮作用則沒有特別限制，但較好為1~10mm，更好為3~5mm。另外，伸出量h係以通過伸出起點Ea、Ea之直線與通過伸出片3a之最前端點之垂直於伸出方向Z的直線之間的距離求出。通過伸出起點Ea、Ea之直線不垂直於伸出方向Z時，係以直線將伸出起點Ea、Ea連接的線段之二等分點與通過伸出片3a之前端點的垂直於伸出方向Z的直線之間的距離求出。
伸出片3a之中間部之從基部伸出的伸出量hmid並無特別限制，但較好為0.5~10mm，更好為0.5~5mm。另外，中間部之伸出量hmid係以通過伸出起點Ea、Ea的直線與通過獲得伸出片3a的中間部的最大跨徑距離dmax之兩點的直線間之距離求出。通過伸出起點Ea、Ea之直線或者通過獲得伸出片3a之中間部的最大跨徑距離dmax之兩點的直線不垂直於伸出方向Z時，係以直線將伸出起點Ea、Ea連接之線段之二等分點與以直線連接獲得伸出片3a的中間部之最大跨徑距離dmax的兩點的線段的二等分點間之距離求出。
如圖1B所示，伸出片3a較好為沿著長條狀附分隔板14之長度方向X配置。在將切割‧晶片接合薄 膜12從捲出之長條狀附分隔板的薄膜10連續地剝離時，如果伸出片3a沿著長條狀分隔板14的長度方向X配置，則剝離方向與長條狀分隔板14的長度方向X平行，因此，可高效率地進行連續剝離。
另外，伸出片沿著長條狀分隔板14之長度方向X配置時，較好在沿著長條狀分隔板14之長度方向X的晶片接合薄膜3的兩端部(圖1B中圖示的晶片接合薄膜3之設置有伸出片3a的左端、及與其相反側之未設置伸出片的右端)設置有伸出片。藉此，尤其，不論形成為捲繞體的長條狀之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜10之捲出方向為何，均可進行切割‧晶片接合薄膜12的連續剝離。
(晶片接合薄膜之構成材料等)
晶片接合薄膜3之層結構，如本實施形態所示，列舉為僅由接著劑層的單層所成之結構、或在芯材料的單面或兩面形成接著劑層之多層結構者等。至於上述芯材料，列舉為薄膜(例如聚醯亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、以玻璃纖維或塑膠製不織纖維強化後的樹脂基板、矽基板或玻璃基板等。
至於構成晶片接合薄膜3之接著劑組成物，列舉為併用熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂者。
至於前述熱硬化性樹脂，列舉為酚樹脂、胺 基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂或熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。該等樹脂可單獨使用或併用兩種以上使用。尤其，以會腐蝕半導體元件的離子性雜質等之含量少的環氧樹脂較佳。另外，環氧樹脂之硬化劑較好為酚樹脂。
作為前述環氧樹脂，只要是通常作為接著劑組成物使用之環氧樹脂則沒有特別限制，可使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三(羥苯基)甲烷型、四(羥苯基)乙烷型等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或者縮水甘油胺型等環氧樹脂。該等可單獨使用或併用兩種以上使用。該等環氧樹脂中，以酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三(羥苯基)甲烷型環氧樹脂或四(羥苯基)乙烷型環氧樹脂最佳。其理由為該等環氧樹脂與作為硬化劑的酚醛樹脂富有反應性，耐熱性等優異。
前述酚樹脂係作為前述環氧樹脂之硬化劑發揮作用者，列舉為例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚聯苯樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等之酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛樹脂型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。該等可單獨使用或併用兩種以上使用。該等酚樹脂中以苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂等最佳。其 理由為可提高半導體裝置的連接可靠性。
前述環氧樹脂與酚樹脂的調配比例較好以例如前述環氧樹脂成分中的環氧基每1當量，酚樹脂中的羥基成為0.5~2.0當量的方式進行調配。更好為0.8~1.2當量。即，其理由為若兩者的調配比例在前述範圍以外，則無法進行充分的硬化反應，環氧樹脂硬化物之特性容易變差。
至於前述熱塑性樹脂，可列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6,6等聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等之飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂或者含氟樹脂等。該等熱塑性樹脂可單獨使用或併用兩種以上使用。該等熱塑性樹脂中，最好為離子性雜質少、耐熱性高、可確保半導體元件之可靠性的丙烯酸系樹脂。
作為前述丙烯酸系樹脂並無特別限制，可列舉為以一種或兩種以上的具有碳數30以下、特別是碳數4~18之直鏈或支鏈烷基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作為成分的聚合物(丙烯酸系共聚物)等。作為前述烷基可列舉為例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八 烷基或者二十烷基等。
另外，作為形成前述聚合物之其他單體並無特別限制，可列舉為例如丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之單體、丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基之單體、馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環己基)-甲酯等含羥基之單體、苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體、丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基之單體、苯乙烯單體、或者丙烯腈等。
另外，晶片接合薄膜3中，根據其用途可以適當調配填料。填料之調配可賦予導電性或提高導熱性、調節彈性率等。作為上述填料可列舉為無機填料及有機填料，但基於提高操作性、提高熱導電性、調節熔融黏度、賦予觸變性等特性之觀點而言，較好為無機填料。作為前述無機填料並無特別限制，可列舉為例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧 化矽、非晶質二氧化矽等。該等可單獨使用或併用兩種以上使用。就提高熱導電性之觀點而言，較好為氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽。另外，就上述各特性之平衡良好的觀點而言，較好為結晶質二氧化矽或非晶質二氧化矽。另外，為了賦予導電性、提高熱導電性等，亦可使用導電性物質(導電填料)作為無機填料。至於導電填料可以列舉使銀、鋁、金、銅、鎳、導電性合金等形成為球形、針狀、薄片狀的金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形碳黑、石墨等。前述填料之平均粒徑為0.1~80μm。另外，填料之平均粒徑為例如以光度式粒度分佈計(HORIBA製，裝置名：LA-910)求出之值。
前述填料之調配量相對於熱固性樹脂成分、熱塑性樹脂成分以及填料之合計100重量份較好為5重量份以上，更好為10重量份以上且95重量份以下，又更好為20重量份以上且90重量份以下。
另外，晶片接合薄膜3中除了上述填料以外，尚可根據需要適當調配其他添加劑。作為其他添加劑可列舉為例如阻燃劑、矽烷偶合劑或離子捕獲劑等。作為前述阻燃劑，可列舉為例如三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。該等可單獨使用或併用兩種以上使用。前述矽烷偶合劑可列舉為例如β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。該等化合物可單獨使 用或併用兩種以上使用。前述離子捕獲劑可列舉為例如水滑石類、氫氧化鉍等。該等離子捕獲劑可單獨使用或併用兩種以上使用。
晶片接合薄膜3之厚度(層合體之情況下為總厚度)並無特別限制，例如可以從1~200μm的範圍選擇，較好為5~100μm，更好為10~80μm。
(基材)
前述基材1較好為具有紫外線透射性者，且係成為切割薄膜11之強度母體者。列舉為例如低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二申酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳族聚醯胺、聚苯硫醚、芳醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、聚矽氧樹脂、金屬(箔)、紙等。
且作為基材1之材料可列舉為前述樹脂之交聯物等聚合物。前述塑膠薄膜可未經拉伸使用，亦可根據需要使用經單軸或雙軸拉伸處理者。若藉拉伸處理等而成 為賦予熱收縮性的樹脂片，則在切割後使該基材1熱收縮，藉此可減小黏著劑層2與晶片接合薄膜3的膠黏面積，從而可以容易地回收半導體晶片(半導體元件)。
另外，為了提高與鄰接層的密著性、保持性等，基材1之表面可實施慣用之表面處理，例如，鉻酸處理、臭氧曝露、火焰曝露、高壓電擊曝露、電離輻射線處理等化學或物理處理、利用底塗劑(例如後述的黏著物質)之塗布處理。前述基材1可以適當地選擇使用同種或不同種者，亦可根據需要使用將數種材料共混而成者。
基材1的厚度並無特別限制，可適當決定，但一般為5~200μm左右。
(黏著劑層)
黏著劑層2之形成中使用之的黏著劑並無特別限制，例如，可以使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等一般的感壓黏著劑。作為前述感壓黏著劑，從半導體晶圓或玻璃等避忌污染之電子零件之利用超純水或醇等有機溶劑之清潔洗滌性等觀點考慮，較好為以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。
作為前述丙烯酸系聚合物可列舉為例如使用(甲基)丙烯酸烷酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷 酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基之碳數1~30、特別是碳數4~18之直鏈或支鏈烷酯等)及(甲基)丙烯酸環烷酯(例如，環戊酯、環己酯等)之一種或兩種以上作為單體成分之丙烯酸系聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之(甲基)全部表示相同的含義。
為了改善凝聚力、耐熱性等，前述丙烯酸系聚合物亦可根據需要含有可與前述(甲基)丙烯酸烷酯或(甲基)丙烯酸環烷酯共聚合之其他單體成分所對應之單元。該單體成分可列舉為例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基之單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體；丙烯醯磷酸2-羥基乙酯等含磷酸基之單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該等可共聚合之單體成分可以使用一種或兩種以上。該等可共聚合之單體之使用量較好為全部單體成分的40重量%以下。
另外，為了進行交聯，上述丙烯酸系聚合物亦可根據需要含有多官能單體等作為共聚合用單體成分。該多官能單體可列舉為例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。該等多官能單體亦可使用一種或兩種以上。從黏合特性等觀點考慮，多官能單體之使用量較好為全部單體成分的30重量%以下。
前述丙烯酸系聚合物可藉由將單一單體或兩種以上單體之混合物聚合而得到。聚合可藉溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等任意一種方式進行。從防止對潔淨的被黏著體的污染等觀點而言，較好為低分子量物質之含量少者。從該觀點考慮，丙烯酸系聚合物之數平均分子量較好為30萬以上，更好為40萬~300萬左右。
另外，為了提高基礎聚合物的丙烯酸系聚合物等之數平均分子量，前述黏著劑中亦可適當採用外部交聯劑。外部交聯方法之具體手段可列舉為添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂的交聯劑並使其反應之方法。在使用外部交聯劑之情況下，其使用量係根據與應交聯之基礎聚合物之平衡， 以及作為黏著劑之使用用途適當決定。一般而言，相對於前述基礎聚合物100重量份，較好調配5重量份以下，更好調配0.1~5重量份。另外，根據需要，在黏著劑中，除前述成分以外，尚可使用以往習知之各種黏著賦予劑、抗老化劑等添加劑。
黏著劑層2可由輻射線硬化型黏著劑形成。輻射線硬化型黏著劑係藉由照射紫外線等輻射線而增大交聯度，可容易地降低其黏著力。藉由輻射線照射使輻射線硬化型黏著劑層2硬化、藉此硬化而降低黏著力之黏著劑層2與晶片接合薄膜3之界面具有在拾取時容易剝離之性質。
輻射線硬化型黏著劑可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等輻射線硬化性官能基，且顯示出黏著性者硬化。輻射線硬化型黏著劑可例示為例如在前述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等一般之感壓黏著劑中調配輻射線硬化性之單體成分或寡聚物成分之添加型輻射線硬化型黏著劑。
調配之輻射線硬化性單體成分，可列舉為例如胺基甲酸酯寡聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外輻射線硬化性寡聚物成分可列 舉為胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種寡聚物，其分子量較好在100~30000左右之範圍內。輻射線硬化性單體成分或寡聚物成分的調配量可根據前述黏著劑層之種類適當地決定可降低黏著劑層之黏著力之量。一般而言，相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，為例如5重量份~500重量份，較好為40重量份~150重量份左右。
另外，作為輻射線硬化型黏著劑，除前面說明之添加型輻射線硬化型黏著劑以外，亦列舉使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵者作為基礎聚合物的內在型輻射線硬化型黏著劑。內在型之輻射線硬化型黏著劑無需含有或者不大量含有低分子成分的寡聚物成分等，因此，寡聚物成分等不會隨時間推移在黏著劑中遷移，可形成穩定之層結構之黏著劑層故較佳。
前述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵，且具有黏著性者。該基礎聚合物較好為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。至於丙烯酸系聚合物之基本骨架可列舉為前述例示之丙烯酸系聚合物。
於前述丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵之方法並無特別限制，可採用各種方法，但將碳-碳雙鍵導入於聚合物側鏈在分子設計上比較容易。列舉為例如預先將具有官能基之單體共聚合於丙烯酸系聚合物中後，使具有可與該官能基反應之官能基與碳-碳雙鍵之化合物在保持 碳-碳雙鍵之輻射線硬化性下進行縮合或加成反應之方法。
該等官能基之組合例列舉為例如羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。該等官能基之組合中從反應追蹤之容易性考慮，較好為羥基與異氰酸酯基之組合。另外，若藉由該等官能基之組合而生成前述具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物之組合，則官能基亦可在丙烯酸系聚合物與前述化合物之任一側上，上述之較佳組合中，較好丙烯酸系聚合物具有羥基、且前述化合物具有異氰酸酯基之情況。此時，具有碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物可列舉為例如甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基聯苯醯異氰酸酯等。另外，丙烯酸系聚合物可使用將前述例示之含羥基之單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚之醚系化合物等共聚合而成者。
上述內在型輻射線硬化型黏著劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，亦可以不使特性惡化的程度調配上述輻射線硬化性單體成分或寡聚物成分。輻射線硬化性寡聚物成分等相對於基礎聚合物100重量份通常在30重量份的範圍內，優選為0~10重量份的範圍。
上述輻射線硬化型黏著劑中，在利用紫外線等硬化的情況下含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙 基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基甲酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉丙烷-1-酮等苯乙酮系化合物；苯偶因乙醚、苯偶因異丙醚、茴香偶因甲醚等苯偶因醚系化合物；聯苯醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合引發劑的調配量相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份例如為0.05重量份~20重量份左右。
另外，作為輻射線硬化型黏著劑，可列舉例如日本特開昭60-196956號公報中所揭示之含有具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等光聚合性化合物、與羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽系化合物等光聚合引發劑之橡膠系黏著劑或丙烯酸系黏著劑等。
另外，在輻射線照射時因氧而引起硬化障礙的情況下，較好利用任意方法使輻射線硬化型黏著劑層2 的表面與氧(空氣)阻隔。可列舉例如：以分隔板將上述黏著劑層2表面覆蓋之方法或者在氮氣氛圍中進行紫外線等輻射線之照射的方法等。
黏著劑層2的厚度並無特別限制，但由同時實現防止晶片切割面的缺損及接著層之固定保持等觀點而言，較好為1μm~50μm左右。較好2μm~30μm，更好5μm~25μm。
〔附分隔板之切割‧晶片接合薄膜之製造方法〕
本實施形態之附帶分隔板之切割‧晶片接合薄膜10例如可藉如下方法製作。
首先，基材1可藉由過去公知之製膜方法製膜。作為該製膜方法，可例示例如：壓延製膜法、於有機溶劑中之流延法、於密閉系之吹塑擠出法、T形模頭擠出法、共擠出法、乾式層合法等。欲對基材1進行著色之情況下，添加上述色料。
接著，在基材1上塗佈黏著劑組成物溶液形成塗膜，然後在特定條件下將該塗膜乾燥(根據需要進行加熱交聯)而形成黏著劑層2。作為塗佈方法並無特別限制，可列舉例如：輥塗、絲網塗佈、凹版塗佈等。且，作為乾燥條件，可在例如乾燥溫度80~150℃、乾燥時間0.5~5分鐘的範圍內進行。且，亦可在分隔板上塗佈黏著劑組成物形成塗膜後，在上述乾燥條件下將塗膜乾燥而形成黏著劑層2。然後，將黏著劑層2與分隔板一起貼合到基 材1上。由此，製作切割薄膜11。
晶片接合薄膜3例如藉下述方法製作。
首先，製作晶片接合薄膜3之形成材料的接著劑組成物溶液。該接著劑組成物溶液中，如前所述，調配有上述接著劑組成物、填料、其他各種添加劑等。
接著，將接著劑組成物溶液塗佈於基材上成為特定厚度，從而形成塗膜，然後將該塗膜在特定條件下乾燥，形成晶片接合薄膜前驅體。作為塗佈方法並無特別限制，可列舉例如：輥塗、絲網塗佈、凹版塗佈等。且，作為乾燥條件，可在例如乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1~5分鐘的範圍內進行。另外，亦可在分隔板上塗佈接著劑組成物溶液形成塗膜後，在前述乾燥條件下將塗膜乾燥而形成晶片接合薄膜前驅體。然後，將晶片接合薄膜前驅體與分隔板一起貼合到基材分隔板上。
然後，將所得之晶片接合薄膜前驅體以成為特定的俯視形狀的方式進行模切或切割，製作具有伸出片之晶片接合薄膜3。
接著，從切割薄膜11及晶片接合薄膜3上分別剝離分隔板，以晶片接合薄膜3與黏著劑層2成為貼合面之方式將兩者貼合。貼合例如可藉由壓著進行。此時，層合溫度並無特別限制，例如較好為30~50℃，更好為35~45℃。且，線壓亦未特別限制，例如較好為0.1~20kgf/cm，更好為1~10kgf/cm。
最後，將晶片接合薄膜3上之基材分隔板剝 離，與分隔板貼合，得到本實施形態之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜10。本實施形態中，使用長條狀分隔板14作為分隔板，將複數個切割‧晶片接合薄膜12以特定間隔貼合到分隔板14上。可將該長條狀附分隔板之薄膜10捲繞為捲筒狀而以捲繞體的形式使用。
〔半導體裝置之製造方法〕
以下，參考圖1B、圖3及圖4以使用附分隔板之切割‧晶片接合薄膜10之情況為例進行說明。圖3係表示使用本實施形態之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜的半導體裝置之製造步驟的一步驟之剖面示意圖，圖4係表示藉由圖1A所示之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜中的晶片接合薄膜安裝半導體晶片之例的剖面示意圖。
如圖1B所示，附分隔板之薄膜10沿捲出方向Y被連續地捲出。然後，藉由公知之晶片安裝裝置，將切割‧晶片接合薄膜12從長條狀分隔板14剝離，如圖3所示，將半導體晶圓4壓著於經剝離之切割‧晶片接合薄膜12上(貼附步驟)。剝離係從晶片接合薄膜3之形成有伸出片3a的一側進行。藉此，伸出片3a成為剝離起點，可將切割‧晶片接合薄膜12容易地剝離。另外，藉由沿長條狀分隔板14的長度方向X形成伸出片3a，可使剝離起點總是位於捲出方向Y的前端側，因此，可在長條狀分隔板14上的恒定位置開始進行捲出的切割‧晶片接合薄膜12的剝離，並且可抑制用於剝離的複雜作業。
貼附步驟係藉由壓接輥等按壓手段之按壓的同時進行。安裝時的貼附溫度並無特別限制，例如較好在20~80℃的範圍內。
其次，進行半導體晶圓4之切割。藉此，將半導體晶圓4切割為特定的尺寸而單片化，製造半導體晶片5(參考圖4)。切割例如從半導體晶圓4之電路面側根據常法進行。另外，本步驟中，例如可採用切入到晶片接合薄膜3之稱為全切的切割方式等。作為本步驟中使用之切割裝置並無特別限制，可使用過去公知的切割裝置。另外，半導體晶圓4由切割‧晶片接合薄膜12予以接著固定，因此可抑制晶片缺損或晶片飛散且亦可抑制半導體晶圓4之破損。
為了將由切割‧晶片接合薄膜12接著固定之半導體晶片5剝離，而進行半導體晶片5之拾取。作為拾取方法並未特別限制，可採用過去公知的各種方法。例如可列舉：用針將各個半導體晶片5從切割薄膜11側頂起並利用拾取裝置拾取被頂起的半導體晶片5之方法等。
此處，黏著劑層2為紫外線硬化型之情況下，拾取係在對該黏著劑層2照射紫外線後進行。由此，黏著劑層2對晶片接合薄膜3之黏著力下降，使半導體晶片5之剝離變得容易。結果，可以在不損傷半導體晶片5的情況下進行拾取。紫外線照射時的照射強度、照射時間等條件並未特別限制，根據需要適當設定即可。另外，作為紫外線照射中使用的光源，可使用高壓水銀燈、微波激 發型燈、化學燈等。
所拾取的半導體晶片5透過晶片接合薄膜3接著固定於被黏著體6上(晶片接合)。作為被黏著體6，可列舉引線框、TAB薄膜、基板或者另行製作的半導體晶片等。被黏著體6例如可為容易變形的變形型被黏著體，亦可為不易變形之非變形型被黏著體(半導體晶圓等)。
作為上述基板，可使用過去公知之基板。另外，作為上述引線框，可使用Cu引線框、42合金引線框等之金屬引線框或由玻璃環氧樹脂、BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)、聚醯亞胺等所成之有機基板。但是，本發明不限於此，亦包含可以安裝半導體元件、與半導體元件電連接後使用之電路基板。
在晶片接合薄膜3為熱硬化型之情況下，藉由加熱硬化，將半導體晶片5接著固定在被黏著體6上，而提高耐熱強度。加熱溫度可在80~200℃、較好100~175℃、更好100~140℃進行。另外，可以加熱時間為0.1~24小時、較好0.1~3小時、更好0.2~1小時進行。另外，透過晶片接合薄膜3將半導體晶片5接著固定於基板等上所成者可供於回流焊步驟。
熱硬化後之晶片接合薄膜3之剪切接著力對被黏著體6較好為0.2MPa以上，更好為0.2~10MPa。如果晶片接合薄膜3之剪切接著力至少為0.2MPa以上，則在金屬線接合(wire bonding)步驟時不會因該步驟中之 超音波振動或加熱而在晶片接合薄膜3與半導體晶片5或被黏著體6之接著面處產生剪切變形。即，半導體元件不會因金屬線接合時的超音波振動而移動，由此，可以防止金屬線接合的成功率下降。
另外，本實施形態之半導體裝置的製造方法中，可不經過晶片接合薄膜3之利用加熱處理的熱硬化步驟而進行金屬線接合，再用密封樹脂將半導體晶片5密封，並對該密封樹脂進行後硬化。此時，晶片接合薄膜3暫時固著時之剪切接著力對被黏著體6較好為0.2MPa以上，更好為0.2~10MPa。如果晶片接合薄膜3暫時固著時的剪切接著力至少為0.2MPa以上，則即使在不經過加熱步驟進行金屬線接合步驟，亦不會因該步驟中的超音波振動或加熱而在晶片接合薄膜3與半導體晶片5或被黏著體6之接著面處產生剪切變形。即，半導體元件不會因金屬線接合時之超音波振動而移動，由此，可防止金屬線接合之成功率下降。
上述金屬線接合係利用接合金屬線7將被黏著體6之端子部(內部引線)的前端與半導體晶片5上的電極焊盤(未圖示)電連接之步驟。作為上述接合金屬線7，可使用例如：金線、鋁線或銅線等。進行金屬線接合時的溫度係在80~250℃、較好80~220℃的範圍內進行。另外，其加熱時間係進行數秒~數分鐘。連接線係藉由在加熱成達到上述溫度範圍內的狀態下組合使用超音波的振動能與施加加壓產生的壓接能而進行。本步驟亦可不 進行晶片接合薄膜3的熱硬化而進行。
上述密封步驟係利用密封樹脂8將半導體晶片5密封之步驟。本步驟係為了保護搭載在被黏著體6上之半導體晶片5或接合金屬線7而進行。本步驟係藉由以模具將密封用的樹脂成型而進行。作為密封樹脂8係使用例如用環氧系樹脂。對於樹脂密封時之加熱溫度，通常在175℃下進行60~90秒鐘，但本發明不限於此，例如，亦可在165~185℃硬化數分鐘。藉此，在使密封樹脂硬化的同時透過晶片接合薄膜3將半導體晶片5與被黏著體6固著。即，本發明中，在不進行後述之後硬化步驟的情況，本步驟中亦可藉由晶片接合薄膜3進行固著，從而可有助於減少製造步驟數及縮短半導體裝置之製造時間。
上述後硬化步驟中，使在前述密封步驟中硬化不足之密封樹脂8完全硬化。即使在密封步驟中晶片接合薄膜3未完全熱硬化之情況下，在本步驟中晶片接合薄膜3亦可與密封樹脂8一起完全熱硬化。本步驟中之加熱溫度雖隨密封樹脂的種類而異，但可在例如165~185℃的範圍內，加熱時間為約0.5小時~約8小時。
<第二實施形態>
第一實施形態之晶片接合薄膜具有從外周向外側伸出的伸出片。第二實施形態之晶片接合薄膜具有形成為錐形的伸出部作為晶片接合薄膜的基部之一個區域，在其前端部連接有第一實施形態中已說明之伸出片。以下，對該方 式進行說明。
如圖5A所示，本實施形態之附分隔板之薄膜中，晶片接合薄膜23中，在俯視時的晶片接合薄膜23的外周的一部分形成有以夾著該外周上的上述伸出片3a的兩個伸出起點Ea、Ea的該外周上的兩個點作為伸出起點EA、EA並且以伸出片3a的兩個伸出起點Ea、Ea作為伸出前端點的錐形伸出部3A。分別將伸出片3a的兩個伸出起點Ea、Ea與伸出部3A的兩個伸出起點EA、EA連接的兩條線段LA、LA位於通過伸出片3a的兩個伸出起點Ea、Ea的任意一點以及伸出部3A的兩個伸出起點EA、EA之此三個點的圓弧CA、CA的內側。因此，晶片接合薄膜23具有相對較大的錐狀伸出部3A及與該伸出部3A的前端部分連結的相對較小的伸出片3a。藉此，在從分隔板剝離切割‧晶片接合薄膜時，即使不進行伸出片3a的剝離，在剝離越過伸出片3a的根部(或者伸出起點Ea、Ea)時，亦可在藉由形成為錐狀而降低了來自分隔板的牽拉應力的伸出部3A引起剝離，可儘可能地抑制非預料之剝離的不良狀況的產生。
使連結伸出部3A的兩個伸出起點EA、EA與伸出前端點(即，伸出片的伸出起點Ea、Ea)的兩條線段LA、LA只要位於上述圓弧CA、CA的內側(晶片接合薄膜的重心側)，則其可為直線、曲線或其組合之任意一者。兩條線段LA、LA為曲線時，只要位於圓弧CA、CA的內側，則可係相對於晶片接合薄膜的重心向外側凸出的曲 線，亦可係相對於晶片接合薄膜的重心向內側凸出的曲線。其中，較好兩條線段LA、LA為直線。藉此，可容易地形成伸出部3A，並且可有效地降低來自分隔板之牽拉應力。
兩條線段LA、LA為直線時，其所成的角度β較好為120°以上且175°以下，更好為130°以上且160°以下。藉由將伸出部3A的前端部之內角β設定為上述範圍，可有效地降低來自分隔板的牽拉應力，並且可以充分地確保晶片接合薄膜23中用於貼附半導體晶圓4(參考圖3)的有效面積。
如圖5B所示，基於與第一實施形態同樣之理由，伸出片3a及伸出部3A較好沿長條狀分隔板14之長度方向X配置。特別地，如圖5B所示，較好在沿長條狀分隔板14的長度方向X的晶片接合薄膜23的兩端部設置有伸出片3a、3a’及伸出部3A、3A’。
<其他實施形態>
本發明之其他實施形態之伸出片的變形例如圖6A至圖6M所示。藉由使晶片接合薄膜具有圖6A至圖6M所示的伸出片33a~33m，可容易地進行切割‧晶片接合薄膜從分隔板之剝離。第一實施形態中的伸出片之結構特徵對於伸出片33a~33m亦可同樣地適用。
〔實施例〕
以下，例示性地詳細說明本發明之較佳實施例。但是，若未特別限制性地記載，則該實施例中記載的材料或調配量等無意將本發明的要旨限定於此。另外，下文中，出現的“份”係指重量份。
〔實施例1〕 (晶片接合薄膜之製作)
使下述(a)~(d)溶解或分散於甲基乙基酮中，得到濃度25重量%之接著劑組成物溶液。且，下述(a)~(d)的份數係指固體成分的份數。
(a)環氧樹脂(日本化藥(股)製，EPPN-501HY)11份
(b)酚樹脂(明和化成(股)製，MEH7851M)14份
(c)丙烯酸系橡膠(NAGASE CHEMTEX製，SG-P3)100份
(d)球形二氧化硅(ADMATECHS製，SO-E2)67份
將該接著劑組成物溶液塗佈於由經聚矽氧烷脫模處理之厚度50μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成的脫模處理薄膜(分隔板)上之後，在130℃乾燥2分鐘。藉此，製作厚度25μm之晶片接合薄膜前驅體。
將所製作之晶片接合薄膜前驅體進行沖壓使得基部成為直徑330mm的圓形並且具有圖2所示形狀的 伸出片，製作整體上具有圖1B的俯視形狀的本實施例之晶片接合薄膜。伸出片之形狀細節如表1所示。
(附分隔板之切割‧晶片接合薄膜之製作)
接著，將具有伸出片之晶片接合薄膜轉印到切割薄膜(日東電工公司製造，商品名“DU-2187G”)上。轉印以使切割薄膜的黏著劑層與晶片接合薄膜相對的方式進行。將該層合體沖壓為圓形使得切割薄膜的直徑為370mm，由此得到本實施例之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜。
〔實施例2〕
將與實施例1同樣製作之晶片接合薄膜前驅體進行沖壓，使得基部成為直徑330mm的圓形並且具有圖5A所示形狀的伸出片及伸出部，製作整體上具有圖5B的俯視形狀的晶片接合薄膜，除此以外，與實施例1同樣製作附分隔板之切割‧晶片接合薄膜。另外，伸出片的形狀與實施例1同樣。伸出片的形狀細節如表1所示。
〔實施例3〕
將伸出片的形狀設定為圖6M所示之形狀，除此以外，與實施例1同樣地製作附分隔板之切割‧晶片接合薄膜。伸出片的形狀細節如表1所示。
〔實施例4〕
將伸出片之形狀設定為圖6C所示之形狀，除此以外，與實施例1同樣地製作附分隔板之切割‧晶片接合薄膜。伸出片的形狀細節如表1所示。
〔比較例1〕
在晶片接合薄膜上不設置伸出片，將俯視形狀設定為直徑330mm的圓形，除此以外，與實施例1同樣地製作附分隔板之切割‧晶片接合薄膜。伸出片的形狀細節如表1所示。
<分隔板的剝離性評價>
使用晶片安裝機(日東精機公司製造，商品名“MA3000II”)，將分隔板從實施例及比較例之附分隔板之切割‧晶片接合薄膜剝離。另外，實施例1~4中，從設置有伸出片的一側進行剝離。從切割薄膜剝離晶片接合薄膜時(晶片接合薄膜殘留在分隔板上時)，將切割薄膜的被剝離部分到達晶片接合薄膜上預定貼附12吋晶圓之區域者評價為不良，並且將樣品數設為50，求出不良率{(不良數/全部樣品數)×100(%)}。結果如表1所示。
<結果>
由表1之結果可知，藉由在晶片接合薄膜的外周部設置向外側凸出的伸出片，可容易地進行切割‧晶片接合薄膜從分隔板之剝離。
3‧‧‧晶片接合薄膜
3a‧‧‧伸出片
14‧‧‧分隔板

Claims (11)

  1. 一種附分隔板之切割．晶片接合薄膜，其係藉由將分隔板、俯視時於外周部具有向外側凸出的伸出片之晶片接合薄膜以及切割薄膜以該順序層合而成，與前述伸出片之伸出方向垂直之方向上之前述伸出片之根部的最小跨徑(span)距離小於前述伸出片之根部與前端部之間的中間部的最大跨徑距離。
  2. 如請求項1之附分隔板之切割．晶片接合薄膜，其中前述伸出片具有錐狀之前端部。
  3. 如請求項2之附分隔板之切割．晶片接合薄膜，其中前述伸出片具有V字狀之前端部。
  4. 如請求項3之附分隔板之切割．晶片接合薄膜，其中前述V字狀之前端部的內角為30°以上且90°以下。
  5. 如請求項1之附分隔板之切割．晶片接合薄膜，其中前述根部之最小跨徑距離為1mm以下。
  6. 如請求項1之附分隔板之切割．晶片接合薄膜，其中前述分隔板為長條狀分隔板。
  7. 如請求項6之附分隔板之切割．晶片接合薄膜，其中前述伸出片係沿前述長條狀分隔板之長度方向配置。
  8. 如請求項1至7中任一項之附分隔板之切割．晶片接合薄膜，其中前述晶片接合薄膜上，俯視時於前述晶片接合薄膜外周之一部分中，形成有以夾著該外周上之前述伸出片的兩個伸出起點的該外周上之兩個點作為伸出起點且以前述伸出片之兩個伸出起點作為伸出前端點之錐狀 伸出部，分別連接前述伸出片的兩個伸出起點與前述伸出部的兩個伸出起點的兩條線段位於通過前述伸出片的兩個伸出起點之任一者以及前述伸出部的兩個伸出起點之三個點的圓弧的內側。
  9. 如請求項8之附分隔板之切割．晶片接合薄膜，其中前述兩條線段為直線。
  10. 如請求項9之附分隔板之切割．晶片接合薄膜，其中前述兩條線段所成的角度為120°以上且175°以下。
  11. 如請求項1之附分隔板之切割．晶片接合薄膜，其中前述切割薄膜具有基材與層合在該基材上之黏著劑層，在前述切割薄膜之前述黏著劑層上層合有前述晶片接合薄膜。
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