TWI632625B - Tape for electronic device packaging - Google Patents

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丸山弘光
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古河電氣工業股份有限公司
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Abstract

本發明之課題為提供於預切加工時，可將金屬層保持於基材膠帶，而且使用時可將基材膠帶良好地剝離之電子裝置封裝用膠帶。
其解決手段為，本發明之電子裝置封裝用膠帶(1)，其特徵為具有：具有黏著面之基材膠帶(2)；設置於基材膠帶(2)之黏著面上，且具有特定平面形狀之金屬層(3)；於金屬層(3)之與基材膠帶(2)側相反側與金屬層(3)層合而設置，且具有特定平面形狀之接著劑層(4)；與具有被覆接著劑層(4)，且以於接著劑層(4)之周圍接觸於基材膠帶(2)的方式設置之特定平面形狀的標籤部(5a)之黏著膠帶(5)，且基材膠帶(2)與金屬層(3)之黏著力(P1)為0.01~0.5N/25mm，基材膠帶(2)與黏著膠帶(5)之黏著力(P2)為0.01~0.5N/25mm，P1/P2為0.1~10。

Description

電子裝置封裝用膠帶
本發明係關於電子裝置封裝用膠帶，特別是關於具有金屬層之電子裝置封裝用膠帶。
近年來，行動電話或筆記型PC等之電子機器，要求更加薄型化/小型化。因而，為了將搭載於電子機器之半導體封裝等之電子裝置封裝薄型化/小型化，係使電子裝置或電路基板之電極數增加，進而亦使節距變窄。如此之電子裝置封裝中，例如係有覆晶(FC；Flip Chip)構裝封裝。
於覆晶構裝封裝中，如上所述，電極數目增加或者窄節距化，因此發熱量增加係成為問題。因而，作為覆晶構裝封裝之散熱構造，提出有於電子裝置背面隔著接著劑層而設置金屬層(例如參照專利文獻1)。
又，於覆晶構裝封裝中，可能有電子裝置之線膨脹率與電路基板之線膨脹率大幅相異的情況。此時，於電子裝置封裝之製造過程中，中間製品被加熱及冷卻時，電子裝置與電路基板之間會產生膨脹量及收縮量的差 異。因為該差異，電子裝置封裝中會產生翹曲。作為抑制如此之翹曲的構造，亦提出於電子裝置之背面隔著接著劑層而設置金屬層(例如參照專利文獻2)。
進一步地，於覆晶構裝封裝中，亦提出於電子裝置之背面隔著接著劑層而設置金屬層，且使用該金屬層作為雷射標記用之保護層(例如參照專利文獻3)。
又，近年來，有於半導體晶片上進一步層合相同尺寸之其他半導體晶片，進行三次元構裝的情況。此處，為了可於半導體晶片上層合相同尺寸之其他半導體晶片，於兩者之間必須預先層合間隔件。其係因於半導體晶片中之電極墊部分上亦會層合其他半導體晶片之故。作為前述間隔件，提出了使用附接著劑層之金屬層(例如參照專利文獻4)。專利文獻4中記載間隔件係藉由如下之步驟而設置：將具有至少一面具備接著劑層之金屬層的間隔件用接著薄片，以接著劑層為貼合面而貼合於切割薄片之步驟；切割間隔件用接著薄片，而形成具備接著劑層之晶片狀的間隔件之步驟；將間隔件以針頂起，且將頂起之間隔件，藉由自切割薄片一起剝離接著劑層與半導體晶片時所使用的拾取裝置，與接著劑層一起自切割薄片剝離之步驟；與隔著接著劑層將間隔件固定於被黏著體之步驟。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2007-235022號公報
〔專利文獻2〕日本專利第5487847號公報
〔專利文獻3〕日本專利第5419226號公報
〔專利文獻4〕日本專利第4954569號公報
如上所述，附接著劑層之金屬層，有用於各種電子裝置封裝，如專利文獻4所揭示，若能夠使用既有的裝置拾取，而固定於被黏著體，則為便利。
此處，以往之一般的拾取裝置中，係於黏著保持晶圓W或附有固晶層之晶圓的切割膠帶D之黏著面的周緣部，貼合環狀保持構件之環狀框架R，將該環狀框架R固定於裝置，藉以將晶圓W設置於拾取裝置(參照圖5(C))。因此，切割膠帶D於使用時，必須被切斷為對應於環狀框架R的形狀。
因而，若可預先準備於基材膠帶上依序設置金屬層、接著劑層、黏著膠帶，該黏著膠帶被切斷為對應於環狀框架之形狀，且金屬層及接著劑層亦對應於其而被切斷為特定形狀(亦即，經預切(precut)加工)的電子裝置封裝用膠帶(參照圖1、2)，並於使用時剝離基材膠帶而將環狀框架貼合於黏著膠帶，則便利性非常良好。但是，如此構成之電子裝置封裝用膠帶，並未揭示於上述專利文獻。
如上述構成之電子裝置封裝用膠帶，必須以 可於黏著膠帶之周緣部貼合環狀框架的方式，將金屬層及接著劑層切斷為小於黏著膠帶之形狀。欲成為如此之構成，例如可首先於長形薄膜狀之基材膠帶上依序設置長形之金屬箔及接著劑薄膜，將金屬箔及接著劑薄膜切斷而形成特定形狀之金屬層及接著劑層，去除特定形狀周邊之不要的部分後，將長形薄膜狀之黏著膠帶貼合於接著劑層側，將黏著膠帶與金屬層及接著劑層對合位置而切斷為對應於環狀框架的形狀，且將不要的部分去除。
此時，金屬層必須被保持於基材膠帶，因此基材膠帶之與金屬層鄰接的面，必須具有某種程度之黏著力。然而，如上所述，相較於金屬層及接著劑層，黏著膠帶為較大的形狀，因此存在有黏著膠帶之黏著面與基材膠帶的具有黏著力之面貼合的部分。因此，使用時雖欲剝離基材膠帶，係有無法順利剝離之虞。
因而，本案發明之目的為提供於預切加工時，可將金屬層保持於基材膠帶，而且使用時可將基材膠帶良好地剝離之電子裝置封裝用膠帶。
為了解決以上課題，本發明之電子裝置封裝用膠帶其特徵為具有：具有黏著面之基材膠帶；設置於前述基材膠帶之前述黏著面上，且具有特定平面形狀之金屬層；於前述金屬層之與前述基材膠帶側相反側與前述金屬層層合而設置，且具有特定平面形狀之接著劑層；與具有 基材薄膜與黏著劑層之黏著膠帶，且前述黏著膠帶，具有被覆前述接著劑層，且以於前述接著劑層之周圍接觸於前述基材膠帶的方式設置之特定平面形狀的標籤部，前述基材膠帶與前述金屬層之黏著力P1為0.01~0.5N/25mm，前述基材膠帶與前述黏著膠帶之黏著力P2為0.01~0.5N/25mm，前述基材膠帶與前述金屬層之黏著力P1及前述基材膠帶與前述黏著膠帶之黏著力P2的比P1/P2，為0.1~10。
上述電子裝置封裝用膠帶，前述金屬層較佳含有銅或鋁。
上述電子裝置封裝用膠帶，前述基材膠帶，較佳具有樹脂薄膜與設置於前述樹脂薄膜之單面的基材膠帶用黏著劑層。
又，電子裝置封裝用膠帶，前述基材膠帶用黏著劑層，較佳含有包含CH2=CHCOOR(式中，R為碳數4~18之烷基)表示之丙烯酸酯、含羥基之單體、與異氰酸酯化合物所構成的丙烯酸系聚合物。
又，上述電子裝置封裝用膠帶，前述接著劑層較佳含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)丙烯酸樹脂或苯氧樹脂、及(D)經表面處理之無機填充材。
又，電子裝置封裝用膠帶，前述黏著劑層，較佳含有包含CH2=CHCOOR(式中，R為碳數4~18之烷基)表示之丙烯酸酯、含羥基之單體、與分子內具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物所構成的丙烯酸系 聚合物。
依照本發明，於預切加工時，可將金屬層保持於基材膠帶，而且使用時可將基材膠帶良好地剝離。
1‧‧‧電子裝置封裝用膠帶
2‧‧‧基材膠帶
3‧‧‧金屬層
4‧‧‧接著劑層
5‧‧‧黏著膠帶
5a‧‧‧標籤部
5b‧‧‧周邊部
〔圖1〕(a)為示意顯示本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之構造的平面圖、(b)為該截面圖。
〔圖2〕示意顯示本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之構造的透視圖。
〔圖3〕示意顯示本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之製造方法的說明圖，(A)為顯示金屬層之貼合步驟的長邊方向截面圖、(B)為顯示接著劑層之貼合步驟的長邊方向截面圖、(C)為顯示預切步驟之短邊方向截面圖、(D)為顯示不要部分之去除步驟的透視圖。
〔圖4〕示意顯示本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之製造方法的說明圖，(A)為顯示黏著膠帶之貼合步驟的短邊方向截面圖、(B)為顯示預切步驟之短邊方向截面圖、(C)為顯示不要部分之去除步驟的短邊方向截面圖。
〔圖5〕示意說明本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之使用方法的截面圖。
〔圖6〕示意說明本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之使用方法的截面圖。
〔圖7〕示意顯示使用本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶之電子裝置封裝的構造之截面圖。
以下詳細說明本發明之實施形態。
圖1為顯示本發明之實施形態的電子裝置封裝用膠帶1之截面圖。該電子裝置封裝用膠帶1，具備具有黏著面之基材膠帶2，且於該基材膠帶2之黏著面上，具有特定平面形狀之金屬層3；於金屬層3之與基材膠帶2側相反側與金屬層3層合而設置，且具有特定平面形狀之接著劑層4；與具有被覆接著劑層4，且以於接著劑層4之周圍接觸於基材膠帶2的方式設置之特定平面形狀的標籤部5a與圍繞該標籤部5a之外側的周邊部5b之黏著膠帶5。
標籤部5a，具有對應於切割用之環狀框架R的形狀。對應於切割用之環狀框架R的形狀之形狀，較佳為與環狀框架R之內側大致相同形狀且係大於環狀框架R內側之大小的相似形。又，並不一定必須為圓形，但較佳為接近圓形之形狀、更佳為圓形。周邊部5b，包含完全包圍標籤部5a之外側的形態、與如圖示之未完全包圍之形態。再者，亦可不設置周邊部5b。
接著劑層4具有特定之平面形狀，該平面形狀，以將 環狀框架R貼合於黏著膠帶5之標籤部5a的周緣部，而能夠以拾取裝置之頂起構件頂起的方式(參照圖6(C))，而成為小於標籤部5a之形狀。接著劑層4，較佳為與標籤部5a大致相同形狀且係小於標籤部5a之大小的相似形。接著劑層4，並不一定必須為圓形，但較佳為接近圓形之形狀、更佳為圓形。
金屬層3係為與接著劑層4相同之形狀，接著劑層4層合於金屬層3。此處所稱之層合，只要主要部分有層合即可，金屬層3與接著劑層4並不一定必須為相同大小，但由製造之便利性而言，較佳為大致相同形狀。
又，此處所稱之層合，包含於金屬層3上直接設置接著劑層4的情況、與隔著用以使兩者之密著性成為良好之底塗層等而間接地設置的情況。
本發明之電子裝置封裝用膠帶1，可為將形成有複數個層合有金屬層3、接著劑層4、黏著膠帶5之標籤部5a的層合體之長形之基材膠帶2捲繞為輥狀之形態，亦可為設置於基材膠帶2之層合體逐個被切斷的形態。以下說明各構成要素。
<基材膠帶2>
基材膠帶2只要係具有黏著面，且基材膠帶2與金屬層3之黏著力P1為0.01~0.5N/25mm，基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2為0.01~0.5N/25mm，基材膠帶2與金屬層3之黏著力P1及基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力 P2的比P1/P2為0.1~10，則無特殊限定。如此之基材膠帶2，例如可適合使用具有樹脂薄膜與設置於樹脂薄膜之單面的基材膠帶用黏著劑層之膠帶。
構成基材膠帶2之樹脂薄膜的素材，可使用公知材料，若為例示者，則可列舉聚酯(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、聚烯烴(PP、PE)系、共聚物(EVA、EEA、EBA)系、及將此等材料一部分取代，進一步提高接著性或機械強度之薄膜。又，亦可為此等薄膜之層合體。就耐熱性、平滑性、及獲得容易性之觀點，較佳為由聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、及高密度聚乙烯中選擇。
構成基材膠帶2之樹脂薄膜的厚度，並無特殊限定，可適當設定，較佳為10~150μm。
構成基材膠帶2之基材膠帶用黏著劑層所使用的樹脂，只要係基材膠帶2與金屬層3之黏著力P1為0.01~0.5N/25mm，基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2為0.01~0.5N/25mm，且基材膠帶2與金屬層3之黏著力P1及基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2的比P1/P2為0.1~10，則無特殊限定，可使用黏著劑所使用之公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂等，較佳為以丙烯酸系聚合物為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑。
丙烯酸系聚合物，可列舉例如使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲基酯、乙基酯、丙基酯、異丙基 酯、丁基酯、異丁基酯、s-丁基酯、t-丁基酯、戊基酯、異戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、異辛基酯、壬基酯、癸基酯、異癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等之烷基的碳數1~30、特別是碳數4~18之直鏈狀或分支鏈狀的烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊基酯、環己基酯等)之1種或2種以上作為單體成分的丙烯酸系聚合物等。再者，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之(甲基)均為相同之意義。
丙烯酸系聚合物，亦能夠以凝集力、耐熱性等之改質為目的，依需要含有可與前述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚合之其他單體成分所對應的單位。如此之單體成分可列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、依康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等之含羧基之單體；馬來酸酐、依康酸酐等之酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等之含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺 酸等之含磺酸基之單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之含磷酸基之單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。此等可共聚合之單體成分，可使用1種或2種以上。此等可共聚合之單體的使用量，較佳為全部單體成分之40重量%以下。
進一步地，丙烯酸系聚合物因為會被交聯，因此亦可依需要含有多官能性單體等作為共聚合用單體成分。如此之多官能性單體，可列舉例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸環氧酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。此等多官能性單體亦可使用1種或2種以上。多官能性單體之使用量，由黏著特性等之觀點，較佳為全部單體成分之30重量%以下。
丙烯酸系聚合物之配製，例如可對1種或2種以上之成分單體的混合物應用溶液聚合方式或乳化聚合方式、塊狀聚合方式或懸浮聚合方式等之適當方式來進行。基材膠帶用黏著劑層，較佳為抑制低分子量物質之含有的組成，由該觀點，係以重量平均分子量30萬以上、特別是40萬~300萬之丙烯酸系聚合物為主成分者較佳，由此，黏著劑亦能夠以內部交聯方式或外部交聯方式等而成為適當的交聯形態。
又，為了控制基材膠帶用黏著劑層之交聯密度而提高與黏著膠帶5之剝離性，例如可採用使用多官能異氰酸酯系化合物、多官能環氧系化合物、三聚氰胺系化合物、金屬鹽系化合物、金屬鉗合系化合物、胺基樹脂系化合物、或過氧化物等之適當的外部交聯劑來進行交聯處理之方式；或混合具有2個以上碳-碳雙鍵之低分子化合物並藉由能量線照射等來進行交聯處理之方式等之適當方式。使用外部交聯劑時，其使用量係依與欲交聯之基底聚合物的平衡、進而依作為黏著劑之使用用途來適當決定。一般而言，相對於前述基底聚合物100重量份而言，較佳摻合10重量份左右以下、更佳摻合0.1重量份~10重量份。
上述之丙烯酸系聚合物中，尤特別以含有以CH2=CHCOOR(式中，R為碳數4~18之烷基)表示之丙烯酸酯、含羥基之單體、與異氰酸酯化合物而構成之丙烯酸系聚合物P為佳。
丙烯酸烷基酯之烷基的碳數未達4時，極性高，剝離力變得過大，於電子裝置封裝用膠帶1之製造過程中，可能有將金屬層3及接著劑層4或黏著膠帶5切斷為特定形狀後，變得不易將該特定形狀之周邊的不要部分由基材膠帶2剝離的情況。另一方面，丙烯酸烷基酯之烷基的碳數超過18時，基材膠帶用黏著劑層之玻璃轉移溫度變得過高，於常溫之接著特性降低，其結果，於電子裝置封裝用膠帶1之製造過程中，可能有金屬層3未充分被 保持於基材膠帶2、或環狀框架貼合時於金屬層3及接著劑層4產生皺褶的情況。
上述丙烯酸系聚合物P，亦可依需要含有其他單體成分所對應之單位。
丙烯酸系聚合物P中，較佳使用不具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，但亦可使用具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物。使用具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物時，丙烯酸聚合物係成為具有對於前述丙烯酸酯或含羥基之單體等之單體組成物所成的聚合物，加成反應含有雙鍵之異氰酸酯化合物而得的構成。藉此，可成為藉由活性能量線(紫外線等)之照射而硬化的活性能量線硬化型黏著劑層(紫外線硬化型黏著劑層等)。惟，金屬層3之表面具有凹凸時，因能量線照射所致之基材膠帶用黏著劑層的硬化收縮，可能使基材膠帶用黏著劑層會咬入金屬層3表面之凹凸，使基材膠帶2與金屬層3之剝離力上昇。又，與黏著膠帶5貼合後照射能量線時，連黏著膠帶5之黏著力也會降低，因此必須於黏著膠帶5之貼合前照射，製程變得複雜。因此，丙烯酸系聚合物P中，較佳為使用不具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物。
構成基材膠帶2之基材膠帶用黏著劑層的厚度並無特殊限制，可適當決定，一般而言為3~200μm左右。又，基材膠帶用黏著劑層可由單層構成亦可由複數層構成。
<黏著膠帶5>
作為黏著膠帶5，只要基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2為0.01~0.5N/25mm、基材膠帶2與金屬層3之黏著力P1及基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2的比P1/P2為0.1~10，則無特殊限制，可使用習知之黏著膠帶5。作為黏著膠帶5，例如可適合使用於基材薄膜上設置有黏著劑層者。
基材薄膜，只要係以往公知者則可無特別限制地使用，但使用放射線硬化性之材料作為後述黏著劑層時，較佳為使用具有放射線透過性者。
例如，作為其材料，可列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物等之α-烯烴之均聚物或共聚物或此等之混合物、聚胺基甲酸酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等之熱可塑性彈性體、及此等之混合物。又，基材薄膜亦可為混合由此等之群中選出的2種以上之材料者，此等亦可為單層或經複層化者。
基材薄膜之厚度並無特殊限定，可適當設定，較佳為50~200μm。
為了提高基材薄膜與黏著劑層之密著性，對基材薄膜之表面亦可實施鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴 露、高壓電撃暴露、離子化放射線處理等之化學或物理表面處理。
又，本實施形態中，雖於基材薄膜之上直接設置黏著劑層，但亦可隔著用以提高密著性之底塗層、或用以提高切割時之切削性之錨定層、應力緩和層、抗靜電層等而間接地設置。
黏著膠帶5之黏著劑層所使用的樹脂，並無特殊限定，可使用黏著劑所使用之公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂等，較佳為以丙烯酸系聚合物為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑。
丙烯酸系聚合物，可列舉例如使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲基酯、乙基酯、丙基酯、異丙基酯、丁基酯、異丁基酯、s-丁基酯、t-丁基酯、戊基酯、異戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、異辛基酯、壬基酯、癸基酯、異癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等之烷基的碳數1~30、特別是碳數4~18之直鏈狀或分支鏈狀的烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊基酯、環己基酯等)之1種或2種以上作為單體成分的丙烯酸系聚合物等。再者，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之(甲基)均為相同之意義。
丙烯酸系聚合物，亦能夠以凝集力、耐熱性 等之改質為目的，依需要含有可與前述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚合之其他單體成分所對應的單位。如此之單體成分可列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、依康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等之含羧基之單體；馬來酸酐、依康酸酐等之酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等之含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之含磺酸基之單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之含磷酸基之單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。此等可共聚合之單體成分，可使用1種或2種以上。此等可共聚合之單體的使用量，較佳為全部單體成分之40重量%以下。
進一步地，丙烯酸系聚合物因為會被交聯，因此亦可依需要含有多官能性單體等作為共聚合用單體成分。如此之多官能性單體，可列舉例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四 醇六(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸環氧酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。此等多官能性單體亦可使用1種或2種以上。多官能性單體之使用量，由黏著特性等之觀點，較佳為全部單體成分之30重量%以下。
丙烯酸系聚合物之配製，例如可對1種或2種以上之成分單體的混合物應用溶液聚合方式或乳化聚合方式、塊狀聚合方式或懸浮聚合方式等之適當方式來進行。黏著劑層，由防止晶圓污染等之觀點，較佳為抑制低分子量物質之含有的組成，由該觀點，係以重量平均分子量30萬以上、特別是40萬~300萬之丙烯酸系聚合物為主成分者較佳，由此，黏著劑亦能夠以內部交聯方式或外部交聯方式等而成為適當的交聯形態。
又，為了控制黏著劑層之交聯密度，提高拾取性，例如可採用使用多官能異氰酸酯系化合物、多官能環氧系化合物、三聚氰胺系化合物、金屬鹽系化合物、金屬鉗合系化合物、胺基樹脂系化合物、或過氧化物等之適當的外部交聯劑進行交聯處理之方式；或混合具有2個以上碳-碳雙鍵之低分子化合物，藉由能量線照射等進行交聯處理之方式等之適當方式。使用外部交聯劑時，其使用量係依與欲交聯之基底聚合物的平衡、進而依作為黏著劑之使用用途來適當決定。一般而言，相對於前述基底聚合物100重量份而言，較佳摻合10重量份左右以下、更佳摻合0.1重量份~10重量份。再者，由防止劣化等之觀點 而言，於黏著劑中，亦可依需要，於前述成分以外，使用各種增黏劑、老化防止劑等之添加劑。
構成黏著劑層之黏著劑，放射線硬化型黏著劑為適宜。放射線硬化型黏著劑，可例示於前述黏著劑中，摻合了放射線硬化性之單體成分或放射線硬化性之寡聚物成分的添加型之放射線硬化型黏著劑。
所摻合之放射線硬化性的單體成分，可列舉例如胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。此等單體成分可使用1種或合併使用2種以上。
又，放射線硬化性之寡聚物成分可列舉胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種寡聚物，其分子量以100~30000左右之範圍者為適當。放射線硬化性之單體成分或寡聚物成分的摻合量，可依前述黏著劑層之種類，適當決定可使黏著劑層之黏著力降低的量。一般而言，相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等之基底聚合物100重量份而言，例如為5重量份~500重量份、較佳為70重量份~150重量份左右。
又，放射線硬化型黏著劑，除了前述添加型之放射線硬化型黏著劑以外，亦可列舉使用於聚合物側鏈或主鏈中或主鏈末端具有具有碳-碳雙鍵者作為基底聚合 物的內在型之放射線硬化型黏著劑。內在型之放射線硬化型黏著劑，不需含有低分子成分的寡聚物成分等，或者含量不多，因此寡聚物成分等不會隨著時間經過而於黏著劑中移動，可形成安定之層構造的黏著劑層，故較佳。
具有碳-碳雙鍵之基底聚合物，可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵、且具有黏著性者。如此之基底聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物為基本骨架者。丙烯酸系聚合物之基本骨架，可列舉前述例示之丙烯酸系聚合物。
碳-碳雙鍵對丙烯酸系聚合物之導入法並無特殊限制，可採用各種方法，但於分子設計上將碳-碳雙鍵導入聚合物側鏈較為容易。例如，可列舉預先使具有官能基的單體與丙烯酸系聚合物共聚合後，使具有可與該官能基反應之官能基及碳-碳雙鍵的化合物，在維持碳-碳雙鍵之放射線硬化性之下進行縮合或加成反應之方法。
此等官能基之組合的例子，可列舉羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。就反應追蹤的容易性而言，此等官能基之組合當中尤以羥基與異氰酸酯基之組合為適宜。又，藉由此等官能基之組合，只要是會生成前述具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物的組合，則官能基不管位於丙烯酸系聚合物與前述化合物之何側均可，於前述較佳之組合中，以丙烯酸系聚合物具有羥基、前述化合物具有異氰酸酯基的情況為適宜。此時，具有碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，可列舉例如甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、m-異丙烯 基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。又，丙烯酸系聚合物，可使用使前述例示的含羥基之單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等之醚系化合物等共聚合者。
內在型之放射線硬化型黏著劑，可單獨使用前述具有碳-碳雙鍵之基底聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，然亦可摻合前述放射線硬化性之單體成分或寡聚物成分等之光聚合性化合物至不使特性惡化之程度。該光聚合性化合物之摻合量，通常相對於基底聚合物100重量份而言係30重量份以下之範圍內、較佳為0~10重量份之範圍內。
藉由紫外線等來硬化時，放射線硬化型黏著劑中較佳為含有光聚合起始劑。
上述之丙烯酸系聚合物中，尤特別以含有以CH2=CHCOOR(式中，R為碳數4~18之烷基)表示之丙烯酸酯、含羥基之單體、與分子內具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物而構成之丙烯酸系聚合物A為佳。
丙烯酸烷基酯之烷基的碳數未達4時，可能有極性高，剝離力變得過大，使拾取性降低的情況。另一方面，丙烯酸烷基酯之烷基碳數超過18時，黏著劑層之玻璃轉移溫度變得過高，於常溫之接著特性降低，其結果，於切割或擴展時，可能有產生接著劑層4及金屬層3之剝離的情況。
上述丙烯酸系聚合物A，亦可依需要含有其他單體成分所對應之單位。
丙烯酸系聚合物A中，可使用具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物。亦即，丙烯酸聚合物，較佳為具有對於前述丙烯酸酯或含羥基之單體等之單體組成物所成的聚合物，使含有雙鍵之異氰酸酯化合物進行加成反應而得的構成。因此，丙烯酸系聚合物，較佳為於其分子構造內，具有自由基反應性碳-碳雙鍵。藉此，可成為藉由活性能量線(紫外線等)之照射而硬化的活性能量線硬化型黏著劑層(紫外線硬化型黏著劑層等)，且可降低金屬層3與黏著劑層之剝離力。
含有雙鍵之異氰酸酯化合物，可列舉例如甲基丙烯醯基異氰酸酯、丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、2-丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、m-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。含有雙鍵之異氰酸酯化合物可單獨或組合2種以上使用。
又，於活性能量線硬化型黏著劑，為了調整活性能量線照射前之黏著力、或活性能量線照射後之黏著力，亦可適當使用外部交聯劑。作為外部交聯方法之具體的手段，可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等之所謂的交聯劑來進行反應的方法。使用外部交聯劑時，其使用量，係依與欲交聯之基底聚合物的平衡、進而依作為黏著劑之使用用途而適當決定。外部交聯劑之使用量，一般而言，相對於前述 基底聚合物100重量份而言，係20重量份以下(較佳為0.1重量份~10重量份)。進一步地，亦可依需要，於前述成分以外，對活性能量線硬化型黏著劑摻合以往公知之各種增黏劑、老化防止劑、發泡劑等之添加劑。
黏著劑層之厚度並無特殊限制，可適當決定，一般而言為5~200μm左右。又，黏著劑層可由單層構成亦可由複數層構成。
<金屬層3>
構成金屬層3之金屬並無特殊限定，例如，選自由不鏽鋼、鋁、鐵、鈦、錫、鎳及銅所成之群的至少1種，就散熱性、電子裝置封裝8之翹曲防止的觀點而言較佳。此等之中，就熱傳導性高，可得到散熱效果的觀點而言，特佳為含有銅。又，就電子裝置封裝8之翹曲防止的觀點而言，特佳為含有鋁。
金屬層3之厚度，可考慮散熱性、電子裝置封裝8之翹曲防止性、及加工性等，來適當決定，通常為2~200μm之範圍。金屬層3為200μm以下時，捲繞加工容易，為50μm以下時，就可有助於半導體封裝之薄型化的觀點而言較佳。另一方面，由散熱性之觀點，最低亦以2μm以上為必要。
如此之金屬層3，可使用金屬箔，金屬箔可為電解箔亦可為壓延箔。
<接著劑層4>
接著劑層4，為將接著劑預先薄膜化者。
接著劑層4，至少係由熱硬化性樹脂形成，較佳為至少由熱硬化性樹脂與熱可塑性樹脂形成。
熱可塑性樹脂，可列舉例如天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱可塑性聚醯亞胺樹脂、6-耐綸或6,6-耐綸等之聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸樹脂、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT(聚對苯二甲酸丁二酯)等之飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或氟樹脂等。熱可塑性樹脂可單獨或合併使用2種以上。此等熱可塑性樹脂當中，就離子性雜質少，應力緩和性優良的觀點，且就丙烯酸樹脂兼具可撓性與強度而為高韌性的觀點而言，苯氧樹脂由於在各個觀點可容易確保半導體元件之信賴性，故為特佳。
丙烯酸樹脂，並無特殊限定，可列舉以具有碳數30以下(較佳為碳數1~12、更佳為碳數6~10、特佳為碳數8或9)之直鏈或分支之烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸之酯的1種或2種以上作為成分之聚合物等。亦即，本發明中，丙烯酸樹脂係為亦包含甲基丙烯酸樹脂之廣義的意義。前述烷基可列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、t-丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸 基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
又，用以形成丙烯酸樹脂之其他單體(烷基之碳數為30以下之丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外之單體)，並無特殊限定，可列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、依康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等之含羧基之單體；馬來酸酐或依康酸酐等之酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等之含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之含磺酸基之單體；或2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之含磷酸基之單體等。再者，(甲基)丙烯酸係指丙烯酸及/或甲基丙烯酸，本發明之(甲基)均為相同之意義。
又，熱硬化性樹脂除了可列舉環氧樹脂、酚樹脂以外，可列舉胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。熱硬化性樹脂可單獨或合併使用2種以上。作為熱硬化性樹脂，特別以會腐蝕半導體元件之離子性雜質等含量少的環氧樹脂為適宜。又，作為環氧樹脂之硬化劑，可適合使用 酚樹脂。
環氧樹脂並無特殊限定，例如可使用雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、參羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯酚基乙烷型環氧樹脂等之二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂；或乙內醯脲型環氧樹脂、參縮水甘油基三聚異氰酸酯型環氧樹脂或縮水甘油胺型環氧樹脂等之環氧樹脂。
作為環氧樹脂，於例示當中，特佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、參羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯酚基乙烷型環氧樹脂。其係因此等環氧樹脂富有與作為硬化劑之酚樹脂的反應性，耐熱性等優良之故。
進一步地，酚樹脂為作為環氧樹脂之硬化劑而作用者，可列舉例如酚酚醛清漆樹脂、酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、tert-丁基酚酚醛清漆樹脂、壬基酚酚醛清漆樹脂等之酚醛清漆型酚樹脂；可溶酚醛型酚樹脂、聚對氧苯乙烯等之聚氧苯乙烯等。酚樹脂可單獨或合併使用2種以上。此等酚樹脂當中，特佳為酚酚醛清漆樹脂、酚芳烷基樹脂。其係因可提高半導體裝置之連接信賴性之故。
環氧樹脂與酚樹脂之摻合比例，例如，以環氧樹脂成分中之環氧基每1當量而言，酚樹脂中之羥基成 為0.5當量~2.0當量的方式摻合為適宜。更適宜者為0.8當量~1.2當量。亦即，係因為兩者之摻合比例在前述範圍之外時，未進行充分的硬化反應，環氧樹脂硬化物之特性容易劣化之故。
又，亦可使用環氧樹脂與酚樹脂之熱硬化促進觸媒。熱硬化促進觸媒並無特殊限制，可由公知之熱硬化促進觸媒當中適當選擇來使用。熱硬化促進觸媒可單獨或組合2種以上來使用。作為熱硬化促進觸媒，例如可使用胺系硬化促進劑、磷系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、硼系硬化促進劑、磷-硼系硬化促進劑等。
作為環氧樹脂之硬化劑，如上所述，較佳為使用酚樹脂，但亦可使用咪唑類、胺類、酸酐類等之公知之硬化劑。
接著劑層4，對電子裝置等之被黏著體9具有接著性(密著性)是重要的。因而，為了將接著劑層4預先交聯至某種程度，亦可預先添加會與聚合物之分子鏈末端之官能基等反應的多官能性化合物作為交聯劑。藉此，可提昇於高溫下之接著特性，實現耐熱性的改善。
交聯劑並無特殊限制，可使用公知之交聯劑。具體而言，除了可列舉例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑以外，尚可列舉尿素系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬鉗合系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、噁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。作為交 聯劑，異氰酸酯系交聯劑或環氧系交聯劑較適宜。又，前述交聯劑可單獨或組合2種以上使用。
再者，本發明中，亦可藉由電子束或紫外線等之照射，來取代使用交聯劑或與交聯劑同時使用，以實施交聯處理。
接著劑層4中，可依需要適當摻合其他添加劑。其他添加劑可列舉例如填充劑(填料)、難燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑，此外可列舉增量劑、老化防止劑、抗氧化劑、界面活性劑等。
作為填充劑，係無機填充劑、有機填充劑均可，無機填充劑較適宜。藉由無機填充劑等之填充劑的摻合，可於接著劑層4實現熱傳導性之提高、彈性率之調節等。無機填充劑可列舉例如二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽、氮化鋁等之陶瓷類；鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、銲錫等之金屬、或合金類、其他碳等所成之各種無機粉末等。填充劑可單獨或合併使用2種以上。作為填充劑，其中尤以二氧化矽或氧化鋁為適宜；作為二氧化矽特別以熔融二氧化矽為適宜。再者，無機填充劑之平均粒徑較佳為0.001μm~80μm之範圍內。無機填充劑之平均粒徑，例如可藉由雷射繞射型粒度分布測定裝置測定。
填充劑(特別是無機填充劑)之摻合量，相對於有機樹脂成分而言，較佳為98重量%以下(0重量%~98重量%)，特別是二氧化矽的情況時適宜為0重量 %~70重量%、熱傳導或導電等之功能性無機填充劑的情況時適宜為10重量%~98重量%。
又，難燃劑可列舉例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。難燃劑可單獨或合併使用2種以上。矽烷偶合劑可列舉例如β-(3、4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。矽烷偶合劑可單獨或合併使用2種以上。離子捕捉劑可列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。離子捕捉劑可單獨或合併使用2種以上。
接著劑層4，由接著性與信賴性之觀點而言，特佳為含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)丙烯酸樹脂或苯氧樹脂、及(D)經表面處理之無機填充材。
藉由使用(A)環氧樹脂，可得到高的接著性、耐水性、耐熱性。環氧樹脂可使用上述公知之環氧樹脂。(B)硬化劑可使用上述公知之硬化劑。
(C)丙烯酸樹脂係兼具可撓性與強度而為高韌性。較佳之丙烯酸樹脂，為Tg(玻璃轉移溫度)為-50℃~50℃，且使具有環氧基、縮水甘油基、醇性羥基、酚性羥基或羧基作為交聯性官能基之單體聚合而得的含有交聯性官能基之(甲基)丙烯酸共聚物。進一步地，若含有丙烯腈等而顯示橡膠特性時，可得更高韌性。
又，關於(C)苯氧樹脂，苯氧樹脂係分子鏈長，與環氧樹脂構造類似，於高交聯密度之組成物中作為可撓性 材料而作用，會賦予高韌性，因此雖為高強度但可得到強韌的組成物。較佳之苯氧樹脂，為主骨架為雙酚A型者，其他可列舉雙酚F型苯氧樹脂、雙酚A/F混合型苯氧樹脂或溴化苯氧樹脂等市售之苯氧樹脂作為較佳者。
(D)經表面處理之無機填充材，可列舉經偶合劑表面處理之無機填充劑。無機填充材，可使用上述公知之無機填充劑，例如二氧化矽、氧化鋁。藉由經偶合劑表面處理，無機填充劑之分散性成為良好。因此，可得到流動性優良的接著劑層4，故可提高與金屬層3之接著力。又，可使無機填充劑成為高填充，因此可降低吸水率，提高耐濕性。
例如以矽烷偶合劑所進行之無機填充材之表面處理，係藉由公知方法，使無機填充材分散於矽烷偶合劑溶液中，藉以使無機填充劑之表面所存在的羥基與矽烷偶合劑之烷氧基等之水解基被水解而得的矽醇基反應，於無機填充劑之表面生成Si-O-Si鍵結來進行。
接著劑層4之厚度並無特殊限制，通常由操作性之觀點而言，較佳為3μm以上、更佳為5μm以上，為了有助於半導體封裝之薄型化，較佳為100μm以下、更佳為50μm以下。接著劑層4可由單層構成亦可由複數層構成。
又，接著劑層4，於B階(未硬化狀態或半硬化狀態)下，較佳為與金屬層3之剝離力(23℃、剝離角度180度、線速300mm/分)為0.3N以上。剝離力未達 0.3N時，單片化(切割)時，係有於接著劑層4與金屬層3之間產生剝離之虞。
接著劑層4之吸水率，較佳為1.5vol%以下。吸水率之測定方法如下所述。亦即，以50×50mm大小之接著劑層4(薄膜狀接著劑)為樣品，將樣品於真空乾燥機中，120℃、3小時乾燥，於乾燥器中放冷後，測定乾燥質量，作為M1。將樣品於室溫下浸漬於蒸餾水24小時後取出，將樣品表面以濾紙擦拭，迅速秤量，作為M2。吸水率係由下式(1)算出。
吸水率(vol%)=[(M2-M1)/(M1/d)]×100 (1) 此處，d為薄膜之密度。
吸水率超過1.5vol%時，係有因吸水之水分而於焊接回焊時產生封裝龜裂之虞。
接著劑層4之飽和吸濕率，較佳為1.0vol%以下。飽和吸濕率之測定方法如下所述。亦即，以直徑100mm之圓形的接著劑層4(薄膜狀接著劑)為樣品，將樣品於真空乾燥機中，120℃、3小時乾燥，於乾燥器中放冷後，測定乾燥質量，作為M1。將樣品於85℃、85%RH之恆溫恆濕槽中吸濕168小時後取出，迅速秤量，作為M2。飽和吸濕率係由下式(2)算出。
飽和吸濕率(vol%)=[(M2-M1)/(M1/d)]×100 (2) 此處，d為薄膜之密度。
飽和吸濕率超過1.0vol%時，係有因回焊時之吸濕而使蒸氣壓之值變高，無法得到良好的回焊特性之虞。
接著劑層4之殘存揮發成分，較佳為3.0wt%以下。殘存揮發成分之測定方法係如下所述。亦即，係以50×50mm大小之接著劑層4(薄膜狀接著劑)為樣品，測定樣品之初期質量，作為M1，將樣品於熱風循環恆溫槽中，200℃、2小時加熱後，秤量並作為M2。殘存揮發成分係由下式(3)算出。
殘存揮發成分(wt%)=[(M2-M1)/M1]×100 (3)
殘存揮發成分超過3.0wt%時，係有因封裝時之加熱而使溶劑揮發，於接著劑層4之內部產生孔隙，產生封裝龜裂之虞。
金屬層3之線膨脹係數相對於接著劑層4之線膨脹係數的比(金屬層3之線膨脹係數/接著劑層4之線膨脹係數)，較佳為0.2以上。該比未達0.2時，金屬層3與接著劑層4之間變得容易產生剝離，而有於封裝時產生封裝龜裂，使信賴性降低之虞。
本實施形態之電子裝置封裝用膠帶1，基材膠帶2與金屬層3之黏著力P1為0.01~0.5N/25mm、基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2為0.01~0.5N/25mm、基材 膠帶2與金屬層3之黏著力P1及基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2的比P1/P2為0.1~10。
黏著力係根據JIS Z0237，於23℃、50%RH之環境下，將切割為寬25mm×長300mm之尺寸的基材膠帶2貼合於被黏著體，使用萬能型拉伸試驗機以剝離角度180°、剝離速度300mm/min測定。被黏著體，於測定黏著力P1時，為金屬層3、接著劑層4、及黏著膠帶5之層合體的金屬層3表面，於測定黏著力P2時，為黏著膠帶5之黏著劑層表面。
基材膠帶2與金屬層3之黏著力P1若為0.01N/25mm以上，則於電子裝置封裝用膠帶1之製造過程中，金屬層3充分被保持於基材膠帶2，可良好地進行預切加工等。黏著力P1若為0.5N/25mm以下，於電子裝置封裝用膠帶1之製造過程中，將金屬層3及接著劑層4切斷為特定形狀後，可將該特定形狀之周邊的不要部分自基材膠帶2容易地剝離而去除(參照圖3(D))。又，黏著力P1太高時，使用電子裝置封裝用膠帶1時，欲剝離基材膠帶2時，於剝離方向施加過強的力，於金屬層3及接著劑層4之層合體會產生皺褶。黏著力P1若為0.5N/25mm以下，使用電子裝置封裝用膠帶1時，可將金屬層3自基材膠帶2良好地剝離。
基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2若為0.01N/25mm以上，於電子裝置封裝用膠帶1之製造過程中，黏著膠帶5充分被保持於基材膠帶2，可良好地進行 預切加工等。又，使用電子裝置封裝用膠帶1時，係將基材膠帶2慢慢地自黏著膠帶5之一端部剝離，藉由基材膠帶2之剝離，一邊控制施加於電子裝置封裝用膠帶1之張力，一邊隨時將黏著膠帶5貼合於環狀框架R，但黏著力P2太低時，剝離基材膠帶2之前，黏著膠帶5可能自基材膠帶2剝離，使空氣進入。空氣進入黏著膠帶5與基材膠帶2之間時，變得無法控制藉著基材膠帶2之剝離而對電子裝置封裝用膠帶1施加的張力，因此隨時將黏著膠帶5貼合於環狀框架R時，皺褶會出現在黏著膠帶5或層合於其上之接著劑層4、金屬層3。黏著力P2若為0.01N/25mm以上，則可抑制剝離基材膠帶2之前，黏著膠帶5自基材膠帶2剝離而使空氣進入，可將黏著膠帶5良好地貼合於環狀框架。再者，剝離基材膠帶2之前黏著膠帶5自基材膠帶2剝離而使空氣進入的要因，可列舉例如下述者。將長形之電子裝置封裝用膠帶1，自捲繞為輥狀之捲繞體，依次捲出經預切之黏著膠帶5、接著劑層4及金屬層3之層合體，藉由配置於往載置有環狀框架R之貼合台搬送的路徑之搬送輔助輥，黏著膠帶5被拉超過基材膠帶2，此時，剝離力P2太低時，黏著膠帶5之端部會由基材膠帶2浮起而剝離，使空氣進入。
黏著力P2若為0.5N/25mm以下，於電子裝置封裝用膠帶1之製造過程中，將黏著膠帶5切斷為特定形狀後，可將該特定形狀之周邊的不要部分自基材膠帶2容易地剝離而去除(圖3(D)參照)。又，黏著力P2太高 時，使用電子裝置封裝用膠帶1時，欲剝離基材膠帶2時，於剝離方向施加過強的力，於金屬層3及接著劑層4之層合體會產生皺褶。黏著力P2若為0.5N/25mm以下，使用電子裝置封裝用膠帶1時，可將黏著膠帶5自基材膠帶2良好地剝離。
基材膠帶2與金屬層3之黏著力P1及基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2的差距過大時，使用電子裝置封裝用膠帶1時，剝離基材膠帶2，而欲將金屬層3、接著劑層4及標籤部5a之層合體的標籤部5a周緣部貼合於環狀框架R時，將基材膠帶2僅自黏著膠帶5之部分剝離所需的力與自金屬層3之面積大的部分剝離所需的力之差距變大，於剝離需要較大之力的部分，層合體被往基材膠帶2側拉伸，於能夠以較小之力剝離的部分，係由往基材膠帶2側拉伸之力釋放，因此於層合體產生皺褶，無法良好地貼合於環狀框架R。P1/P2若為0.1~10，則可在不於電子裝置封裝用膠帶1產生皺褶的情況下，良好地貼合於環狀框架R。
欲使黏著力P1、P2及P1/P2成為上述範圍，可調整基材膠帶2或黏著膠帶5之黏彈性或厚度、或調整金屬層3之表面粗度。調整金屬層3之表面粗度的情況時，可對金屬層3之與基材膠帶2鄰接之側的面進行矽烷偶合劑處理、電漿處理、臭氧水處理、紫外線臭氧處理、離子束處理等之表面處理。又，使用電解箔作為金屬層3時，亦可於製箔時調整接觸於電解液之消光面的表面粗 度。
接著說明本實施形態之電子裝置封裝用膠帶1之製造方法。首先，準備長形之金屬層3。金屬層3只要使用市售之金屬箔即可。接著，如圖3(A)所示，將金屬層3使用貼合輥r等貼合於長形之基材膠帶2的黏著面。
另外形成長形薄膜狀之接著劑層4。接著劑層4可利用配製樹脂組成物而形成為薄膜狀之層的慣用方法來形成。具體而言，可列舉例如於適當之分隔件(剝離紙等)上塗佈前述樹脂組成物並乾燥(熱硬化為必要時的情況等，係依需要實施加熱處理而乾燥)，來形成接著劑層4之方法等。前述樹脂組成物可為溶液亦可為分散液。
接著，如圖3(B)所示，於貼合於基材膠帶2之金屬層3上，使用貼合輥r等貼合自分隔件剝離的接著劑層4。
再者，上述係於基材膠帶2貼合金屬層3後，於金屬層3上貼合接著劑層4，但亦可於貼合金屬層3與接著劑層4後，將金屬層3側之面貼合於基材膠帶2。
接著，如圖3(C)所示，使用壓切刀等，將接著劑層4及金屬層3預切為特定形狀(此處為圓形形狀)，如圖3(D)所示，將周邊之不要部分6自基材膠帶2剝離而去除。此時，基材膠帶2與金屬層3之黏著力P1為0.01N/25mm以上且0.5N/25mm以下，因此金屬層3 被充分地黏著固定於基材膠帶2，而且可將不要部分6容易地自基材膠帶2剝離，因此可良好地進行預切加工。再者，預切不限於上述，亦可使用外緣為圓形形狀之格子狀的壓切齒，將接著劑層4及金屬層3預先單片化為對應於半導體晶片C之大小等之特定大小。
再者，於基材膠帶2上形成特定形狀之金屬層3及接著劑層4的方法，不限定於上述者，可將長形之金屬層3貼合於長形之基材膠帶2，衝壓為特定形狀，將不要部分6去除後，將形成為特定形狀之接著劑層4貼合於特定形狀之金屬層3上，亦可將預先各自形成為特定形狀之金屬層3與接著劑層4貼合於基材膠帶2，但由製造步驟之簡便性而言，較佳為藉由上述圖3(A)~(D)所示之步驟製造。
又，另外製作黏著膠帶5。基材薄膜可藉由以往公知之製膜方法製膜。該製膜方法可例示例如壓延製膜法、於有機溶劑中之澆鑄法、於密閉系統之吹脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾疊合法等。接著，於基材薄膜上塗佈黏著劑層組成物並乾燥(依需要加熱交聯)而形成黏著劑層。塗佈方式可列舉輥塗覆、網版塗覆、凹版塗覆等。再者，可將黏著劑層組成物直接塗佈於基材薄膜，於基材薄膜上形成黏著劑層，又，亦可將黏著劑層組成物塗佈於表面進行過剝離處理之剝離紙等而形成黏著劑層後，將該黏著劑層轉印於基材薄膜。藉此，製作於基材薄膜上形成有黏著劑層之黏著膠帶5。
之後，如圖4(A)所示，於基材膠帶2上所設置之特定形狀的金屬層3及接著劑層4之接著劑層4側的面上，以黏著膠帶5之黏著劑層側的面接觸的方式疊合黏著膠帶5。此時，基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2為0.01N/25mm以上，因此黏著膠帶5被充分地黏著固定於基材膠帶2，可良好地進行疊合。
接著，如圖4(B)所示，將黏著膠帶5使用壓切刀等預切為特定形狀，如圖4(C)所示，藉由將周邊之不要部分7由基材膠帶2剝離而去除，製作電子裝置封裝用膠帶1。此時，黏著力P2為0.5N/25mm以下，因此可容易地將不要部分7由基材膠帶2剝離而去除。
<使用方法>
一邊參照圖5~圖7一邊說明使用本實施形態之電子裝置封裝用膠帶1來製造電子裝置封裝8之方法。再者，本實施形態中，作為電子裝置封裝8，係以覆晶連接於被黏著體9上之半導體晶片C為例來說明。
〔半導體晶圓W之裝配步驟〕
首先，準備與本發明之電子裝置封裝用膠帶1之黏著膠帶5同樣的另外之切割膠帶D，於該切割膠帶D上之中央部，如圖5(A)表示，貼附半導體晶圓W，將其黏著保持並固定(半導體晶圓W之裝配步驟)，而且於切割膠帶D之周緣部貼合環狀框架R。此時，切割膠帶D係 貼附於半導體晶圓W之背面。半導體晶圓W之背面，意指與電路面相反側之面(亦稱為非電路面、非電極形成面等)。貼附方法並無特殊限定，較佳為加熱壓接之方法。壓接通常係藉由壓接輥等之按壓手段一邊按壓來進行。
〔半導體晶圓W之切割步驟〕
接著，如圖5(B)表示，進行半導體晶圓W之切割。藉此，將半導體晶圓W切斷為特定尺寸進行單片化(小片化)，以製造半導體晶片C。切割例如係由半導體晶圓W之電路面側起遵照一般方法進行。又，本步驟中，例如可採用進行切入至切割膠帶D為止之稱為全切(fullcut)的切斷方式等。本步驟所用之切割裝置並無特殊限定，可使用以往公知者。再者，進行切割膠帶D之擴展時，該擴展可使用以往公知之擴展裝置進行。
〔半導體晶片C之拾取步驟〕
如圖5(C)表示，進行半導體晶片C之拾取，將半導體晶片C由切割膠帶D剝離。拾取之方法並無特殊限定，可採用以往公知之各種方法。例如，將貼合有半導體晶片C及環狀框架R之切割膠帶D，以基材薄膜側朝下，載置於拾取裝置之載台S上，於經固定環狀框架R之狀態下，使中空圓柱形狀之頂起構件T上昇，擴張切割膠帶D。可列舉於此狀態下，將個別的半導體晶片C藉由針N由切割膠帶D之基材薄膜側頂起，且將頂起之半導體晶片 C以拾取裝置拾取之方法等。
〔覆晶連接步驟〕
所拾取之半導體晶片C，如圖5(D)表示，係藉由覆晶接合方式(覆晶構裝方式)固定於基板等之被黏著體9。具體而言，係遵照一般方法，將半導體晶片C，以半導體晶片C之電路面(亦稱為表面、電路圖型形成面、電極形成面等)與被黏著體9對向之形態，固定於被黏著體9。例如，首先使助焊劑附著於形成於半導體晶片C之電路面側的作為連接部之凸塊10。接著，使半導體晶片C之凸塊10接觸於被黏合於被黏著體9之連接墊的接合用之導電材11(銲錫等)，一邊按壓一邊使凸塊10及導電材11熔融，藉此可確保半導體晶片C與被黏著體9之電性導通，使半導體晶片C固定於被黏著體9(覆晶接合步驟)。此時，半導體晶片C與被黏著體9之間係形成有空隙，其空隙間距離，一般而言為30μm~300μm左右。殘存於半導體晶片C與被黏著體9之對向面或間隙中的助焊劑係被洗淨去除。
作為被黏著體9，可使用引線框架或電路基板(配線電路基板等)等之各種基板。如此之基板的材質並無特殊限定，可列舉陶瓷基板、或塑膠基板。塑膠基板可列舉例如環氧樹脂基板、雙馬來醯亞胺三嗪基板、聚醯亞胺基板等。又，藉由以其他半導體晶片為被黏著體9，且將上述半導體晶片C予以覆晶連接，亦可成為晶片堆疊構 造(chip on chip)。
接著，如圖6(A)所示，將本實施形態之電子裝置封裝用膠帶1之基材膠帶2剝離，使金屬層3及黏著膠帶5之黏著劑層露出，將黏著劑層之周緣部固定於環狀框架R。此時，基材膠帶2與金屬層3之黏著力P1為0.5N/25mm以下，基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2為0.01N/25mm以上且0.5N/25mm以下，且基材膠帶2與金屬層3之黏著力P1及基材膠帶2與黏著膠帶5之黏著力P2的比P1/P2為0.1~10，因此可將基材膠帶2良好地剝離，於金屬層3、接著劑層4及黏著膠帶5之層合體上不會出現皺褶的情況下，良好地貼合於環狀框架R。
接著，如圖6(B)所示，將金屬層3及接著劑層4切斷為對應於半導體晶片C之大小而單片化。切斷可藉由與上述半導體晶圓W之切割步驟相同之步驟進行。再者，有進行將金屬層3及接著劑層4預先單片化之預切加工的情況時，不進行本步驟。
接著，如圖6(C)所示，將經單片化之金屬層3及接著劑層4進行拾取，由黏著膠帶5剝離。拾取可藉由與上述半導體晶片C之拾取步驟相同之步驟進行。
接著，將經拾取之金屬層3及接著劑層4之接著劑層4側，如圖7所示，貼合於經覆晶連接之半導體晶片C的背面。之後，於附有金屬層3之半導體晶片C的周邊及半導體晶片C與被黏著體9之間隙中填充密封材(密封樹脂等)進行密封。密封係遵照一般方法進行。此 時，因為於半導體晶片C之背面設置有金屬層3，故於覆晶接合步驟中因半導體晶片C與被黏著體9之熱膨脹率差所產生的翹曲，會被半導體晶片C與金屬層3之熱膨脹率差所抵消。又，因為於半導體晶片C之背面設置有金屬層3，故作為電子裝置使用時之發熱係藉由金屬層3散熱。
再者，上述係說明了將金屬層3隔著接著劑層4直接設置於半導體晶片C之背面，金屬層3亦與半導體晶片C一起密封之封裝構造，但亦可於密封半導體晶片C後，將金屬層3隔著接著劑層4設置於於密封體之上側面。電子裝置封裝8，由於在密封時亦會產生翹曲，故藉由於密封體之上側面設置金屬層3，可抵消密封時之翹曲。
再者，上述係以於被黏著體9上覆晶連接之半導體晶片C，作為電子裝置封裝8為例來說明，但不限定於此，例如，於半導體晶片上層合有相同尺寸之其他半導體晶片的電子裝置封裝構造中，為了使用本發明之電子裝置封裝用膠帶1之金屬層3作為兩晶片間之間隔件，亦可隔著接著劑層4於下側之半導體晶片上設置金屬層3。
<實施例>
接著，為了使本發明之效果更加明確，係詳細地說明實施例及比較例，但本發明不限定於此等實施例。
(1)黏著膠帶之製作
作為基材薄膜，係製作以下者。
(基材薄膜a-1)
將藉由自由基聚合法所合成之乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸乙酯(質量比8：1：1)3元共聚物之鋅離子聚合物a(密度0.96g/cm3、鋅離子含量4質量%、氯含量未達1質量%、維卡(Vicat)軟化點56℃、熔點86℃)之樹脂珠於140℃熔融，使用擠出機成形為厚度100μm之長形薄膜狀，藉以製作基材薄膜a-1。
(基材薄膜a-2)
將日本Polychem公司製Novatec PP FW4B(聚丙烯)(密度：0.90g/cm3、維卡軟化點96℃、熔點：140℃)之樹脂珠於180℃熔融，使用擠出機成形為厚度100μm之長形薄膜狀，藉以製作基材薄膜a-2。
(黏著劑層組成物b-1)
作為具有官能基之丙烯酸系共聚物(A1)，係配製由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸2-羥基乙酯及甲基丙烯酸所成，且丙烯酸2-乙基己酯之比率為55莫耳%、質量平均分子量75萬之共聚物。接著，以碘價成為25的方式，添加甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯，配製玻璃轉移溫度-50℃、羥基價10gKOH/g、酸價5mgKOH/g之丙烯酸系共聚物(a1)。
將相對於丙烯酸系共聚物(a1)100質量份而言，添加作為聚異氰酸酯之CORONATE L(東曹股份有限公司製、商品名)3質量份，且添加作為光聚合起始劑之Esacure KIP 150(Lamberti公司製、商品名)3質量份的混合物，溶解於乙酸乙酯，攪拌而得到黏著劑層組成物b-1。
(黏著劑層組成物b-2)
作為具有官能基之丙烯酸系共聚物(A2)，係配製由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸2-羥基乙酯及甲基丙烯酸所成，且丙烯酸2-乙基己酯之比率為70莫耳%、質量平均分子量75萬之共聚物。接著，以碘價成為20的方式，添加甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯，配製玻璃轉移溫度-50℃、羥基價15gKOH/g、酸價5mgKOH/g之丙烯酸系共聚物(a2)。
將相對於丙烯酸系共聚物(a2)100質量份而言，添加作為聚異氰酸酯之CORONATE L(日東曹股份有限公司製、商品名)3質量份，且添加作為光聚合起始劑之Esacure KIP 150(Lamberti公司製、商品名)5質量份的混合物，溶解於乙酸乙酯，攪拌而得到黏著劑層組成物b-2。
<黏著膠帶(1)>
將所配製之黏著劑層組成物b-1，於經脫模處 理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成的剝離襯墊上，以乾燥後之厚度成為10μm的方式進行塗覆，於110℃乾燥3分鐘後，與上述基材薄膜a-1貼合，製作於基材薄膜上形成有黏著劑層之黏著膠帶(1)。
<黏著膠帶(2)>
將所配製之黏著劑層組成物b-2，於經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成的剝離襯墊上，以乾燥後之厚度成為10μm的方式進行塗覆，於110℃乾燥3分鐘後，與上述基材薄膜a-1貼合，製作於基材薄膜上形成有黏著劑層之黏著膠帶(2)。
<黏著膠帶(3)>
將所配製之黏著劑層組成物b-2，於經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成的剝離襯墊上，以乾燥後之厚度成為10μm的方式進行塗覆，於110℃乾燥3分鐘後，與上述基材薄膜a-2貼合，製作於基材薄膜上形成有黏著劑層之黏著膠帶(3)。
(2)接著劑層之製作
(接著劑層組成物c-1)
於由環氧樹脂「1002」(三菱化學股份有限公司製、商品名、固形雙酚A型環氧樹脂、環氧當量600)50質量 份、環氧樹脂「806」(三菱化學股份有限公司製、商品名、雙酚F型環氧樹脂、環氧當量160、比重1.20)100質量份、硬化劑「Dyhard(註冊商標)100SF」(Evonik Degussa公司製、商品名、二氰二胺)5質量份、二氧化矽填料「SO-C2」(Admafine(股)製商品名、平均粒徑0.5μm)150質量份、及二氧化矽填料「Aerosil R972」(日本Aerosil股份有限公司製、商品名、一次粒徑之平均粒徑0.016μm)5質量份所成的組成物中添加MEK，攪拌混合，成為均勻組成物。
於其中添加苯氧樹脂「PKHH」(INCHEM製、商品名、質量平均分子量52,000、玻璃轉移溫度92℃)100質量份、作為偶合劑之「KBM-802」(信越聚矽氧股份有限公司製、商品名、巰基丙基三甲氧基矽烷)0.4質量份、以及作為硬化促進劑之「Curezol 2PHZ-PW」(四國化成工業股份有限公司製、商品名、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、分解溫度230℃)0.5質量份，攪拌混合至成為均勻。進一步將其以100網目之濾器過濾，並真空脫泡，藉以得到接著劑層組成物c-1之塗漆。
<接著劑層(1)>
於經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成的分隔件上，將接著劑層組成物c-1，以乾燥後之厚度成為5μm的方式進行塗覆，於110℃乾燥5分鐘，製作於分隔件上形成有接著劑層(1)之接著薄膜。
(3)金屬層
作為金屬層，係準備以下者。
<金屬層(1)>
TQ-M4-VSP(商品名、三井金屬礦業股份有限公司製、厚度12μm、表面粗度Rz0.6μm)
<金屬層(2)>
F0-WS(商品名、古河電氣工業股份有限公司製、銅箔、厚度12μm、表面粗度Rz1.3μm)
<金屬層(3)>
GTS-MP(商品名、古河電氣工業股份有限公司製、銅箔、厚度35μm、表面粗度Rz11.0μm)
(4)基材膠帶之製作
作為樹脂薄膜，係製作以下者。
(樹脂薄膜d-1)
將使苯乙烯-氫化異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)(Kuraray股份有限公司製、商品名「Septon KF-2104」)與均聚丙烯(PP)(宇部興產股份有限公司製、商品名「J-105G」)以40：60所示摻合比混合而得的樹脂珠於200℃熔融，使用擠出機成形為厚度90μm之長形薄膜狀，藉以製作樹脂薄膜d-1。
(樹脂薄膜d-2)
將聚對苯二甲酸乙二酯(PET)(東洋紡股份有限公司製、商品名「Cosmoshine(註冊商標)A4100」)之樹脂珠於260℃熔融，使用擠出機成形為厚度50μm之長形薄膜狀，藉以製作樹脂薄膜d-2。
(基材膠帶用黏著劑層組成物e-1)
作為具有官能基之丙烯酸系共聚物(A3)，係配製由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸2-羥基乙酯及甲基丙烯酸所成，且丙烯酸2-乙基己酯之比率為70莫耳%、質量平均分子量50萬、玻璃轉移溫度-50℃、羥基價30gKOH/g、酸價5mgKOH/g之丙烯酸系共聚物(a3)。
相對於丙烯酸系共聚物(a3)100質量份而言，添加聚異氰酸酯系化合物(商品名「CORONATE L」、東曹股份有限公司製)8質量份，溶解於乙酸乙酯，攪拌而得到基材膠帶用黏著劑層組成物e-1。
(基材膠帶用黏著劑層組成物e-2)
作為具有官能基之丙烯酸系共聚物(A4)，係配製由丙烯酸月桂酯、丙烯酸2-羥基乙酯及甲基丙烯酸所成，且丙烯酸月桂酯之比率為80莫耳%、質量平均分子量50萬、玻璃轉移溫度10℃、羥基價40gKOH/g、酸價5mgKOH/g之丙烯酸系共聚物(a4)。
相對於丙烯酸系共聚物(a4)100質量份而言，添加 聚異氰酸酯系化合物(商品名「CORONATE L」、東曹股份有限公司製)10質量份，溶解於乙酸乙酯，攪拌而得到基材膠帶用黏著劑層組成物e-2。
<基材膠帶(1)>
將所配製之基材膠帶用黏著劑層組成物e-1，於經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成的剝離襯墊上，以乾燥後之厚度成為10μm的方式進行塗覆，於110℃乾燥3分鐘後，與上述樹脂薄膜d-1貼合，製作於樹脂薄膜上形成有基材膠帶用黏著劑層之基材膠帶(1)。
<基材膠帶(2)>
將所配製之基材膠帶用黏著劑層組成物e-2，於經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成的剝離襯墊上，以乾燥後之厚度成為10μm的方式進行塗覆，於110℃乾燥3分鐘後，與上述樹脂薄膜d-1貼合，製作於樹脂薄膜上形成有基材膠帶用黏著劑層之基材膠帶(2)。
<基材膠帶(3)>
將所配製之基材膠帶用黏著劑層組成物e-2，於經脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成的剝離襯墊上，以乾燥後之厚度成為10μm的方式進行塗覆，於110℃乾燥3分鐘後，與上述樹脂薄膜d-2貼合，製作於樹脂薄膜上形成有基材膠帶用黏著劑層之基材膠帶(3)。
(5)電子裝置封裝用膠帶之製作
<實施例1>
將如以上方式所得之金屬層(1)與附有分隔件之接著劑層(1)的接著劑層(1)側，以貼合角度120°、壓力0.2MPa、速度10mm/s之條件貼合後，將基材膠帶(1)以貼合角度120°、壓力0.2MPa、速度10mm/s之條件貼合於金屬層上(貼合步驟)。接著，將分隔件自接著劑層剝離，使用壓切刀，將接著劑層及金屬層以自接著劑層之表面起到達基材膠帶的方式預切為直徑320mm之圓形形狀，將周邊之不要部分自基材膠帶剝離而去除(1次預切步驟)。
之後，將黏著膠帶(1)以黏著劑層側之面進行接觸的方式疊合於設置於基材膠帶上之金屬層及接著劑層的接著劑層側之面(黏著膠帶疊合步驟)。接著，將黏著膠帶(1)以與金屬層及接著劑層成為同心圓狀的方式預切為直徑370mm之圓形形狀，將周邊之不要部分自基材膠帶剝離而去除(2次預切步驟)，捲繞100枚之金屬層、接著劑層及黏著膠帶的層合體，製作如圖1、2所示的實施例1之電子裝置封裝用膠帶之輥體。
<實施例2~17、比較例1~10>
除了使黏著膠帶、接著劑層組成物、金屬層、基材膠帶之組合成為如表1、2記載之組合外，係藉由與實施例 1相同之手法，製作實施例2~17、比較例1~10之電子裝置封裝用膠帶之輥體。
對於實施例1~17及比較例1~10之電子裝置封裝用膠帶進行以下之測定及評估。其結果示於表1、2。
黏著力係根據JIS Z0237，由如下順序測定。
(基材膠帶與金屬層之黏著力P1)
由各實施例及比較例之基材薄片採取3點寬25mm×長300mm之試驗片，將該等貼附於各實施例及比較例之金屬層、接著劑層、及黏著膠帶的層合體之金屬層表面後，將2kg橡膠輥以3次來回來進行壓接，放置1小時，作為樣品。測定值係使用於其容量之15~85%範圍內之符合JIS B 7721的拉伸試驗機來測定黏著力。測定係使用180°撕裂法進行，此時之拉伸速度設為300mm/min。測定溫度為23℃、測定濕度為50%。3點之平均值示於表1、2。
(基材膠帶與黏著膠帶之黏著力P2)
由各實施例及比較例之基材薄片採取3點寬25mm×長300mm之試驗片，將該等貼附於各實施例及比較例之黏著膠帶的黏著劑層表面後，將2kg橡膠輥以3次來回來進行壓接，放置1小時，作為樣品。測定值係使用於其容 量之15~85%範圍內之符合JIS B 7721的拉伸試驗機來測定黏著力。測定係以180°撕裂法進行，此時之拉伸速度設為300mm/min。測定溫度為23℃、測定濕度為50%。3點之平均值示於表1、2。
(預切加工性)
於各實施例及比較例之電子裝置封裝用膠帶之製作過程中，以目視觀察金屬層之對基材膠帶的層合狀態。將金屬層並無由基材膠帶全面剝離或部分剝離而捲起，可於基材膠帶上特定位置形成圓形之金屬層、接著劑層、及黏著膠帶的層合體者作為優良品，評估為◎，將部分剝離之最大寬度未達0.5mm者作為良品，評估為○，將0.5mm以上且未達1mm者作為容許品，評估為△，將1mm以上者作為不良品，評估為×。又，將金屬層及接著劑層衝壓為圓形形狀後，將周邊之不要部分自基材膠帶剝離時，及/或將黏著膠帶衝壓為圓形形狀後，將周邊之不要部分自基材膠帶剝離時，無法以預切裝置自動剝離者，亦作為不良品，評估為×。
(環狀框架貼合性)
對於良好地形成金屬層、接著劑層、及黏著膠帶之層合體的實施例及比較例之電子裝置封裝用膠帶，使用貼合裝置(Disco股份有限公司製：DFM2700)，將50枚層合體自基材膠帶剝離，試行對環狀框架之貼合。將50枚層 合體全部無出現皺褶，可貼合於環狀框架者，作為優良品，評估為◎，將雖產生若干皺褶，但於之後之切割製程及晶粒接合(die bonding)製程中，起因於皺褶之不良率為全體的未達5%者作為良品，評估為○，於切割製程及晶粒接合製程中，起因於皺褶之不良率為5%以上且未達10%者作為容許品，評估為△，於切割製程及晶粒接合製程中，起因於皺褶之不良率為10%以上者作為不良品，評估為×。
如表1所示，實施例1~17之電子裝置封裝用膠帶，基材膠帶與金屬層之黏著力P1為0.01~0.3N/25mm，其係請求項規定之0.01~0.5N/25mm，基材膠帶與黏著膠帶之黏著力P2為請求項規定之0.01~0.5N/25mm，且基材膠帶與金屬層之黏著力P1與基材膠帶與黏著膠帶之黏著力P2的比P1/P2為0.1~8，其係請求項規定之0.1~10，因此預切加工性、環狀框架貼合性均為良好之結果。
相對於此，如表2所示，比較例1之電子裝置封裝用膠帶，基材膠帶與金屬層之黏著力P1為超過0.5N/25mm，基材膠帶與黏著膠帶之黏著力P2為超過0.5N/25mm，因此將金屬層及接著劑層衝壓為圓形形狀後，以及將黏著膠帶衝壓為圓形形狀後，難以將周邊之不要部分自基材膠帶剝離，為預切加工性不良的結果。又，貼合於環狀框架時，於基材膠帶之剝離方向施加過強的力，於金屬層及接著劑層之層合體產生皺褶，環狀框架貼合性亦為不良的結果。
比較例2、3之電子裝置封裝用膠帶，基材膠帶與黏著膠帶之黏著力P2為超過0.5N/25mm，因此將黏著膠帶衝壓為圓形形狀後，難以將周邊之不要部分自基材膠帶剝離，為預切加工性不良的結果。且環狀框架貼合性亦為不良的結果。
比較例4之電子裝置封裝用膠帶，基材膠帶與金屬層之黏著力P1為未達0.01N/25mm，因此於預切加 工時產生金屬層之剝離，為預切加工性不良的結果，基材膠帶與金屬層之黏著力P1及基材膠帶與黏著膠帶之黏著力P2的比P1/P2未達0.1，因此環狀框架貼合性亦為不良的結果。
比較例5、7之電子裝置封裝用膠帶，基材膠帶與金屬層之黏著力P1為超過0.5N/25mm，因此為預切加工性不良的結果。
比較例6之電子裝置封裝用膠帶，基材膠帶與金屬層之黏著力P1為未達0.01N/25mm，因此為預切加工性不良的結果。
比較例9之電子裝置封裝用膠帶，基材膠帶與黏著膠帶之黏著力P2為未達0.01N/25mm，因此空氣進入黏著膠帶與基材膠帶之間，於環狀框架貼合時，因基材膠帶之剝離，變得無法控制對電子裝置封裝用膠帶所施加的張力，產生皺褶，成為環狀框架貼合性不良的結果。
比較例8之電子裝置封裝用膠帶，基材膠帶與黏著膠帶之黏著力P2為未達0.01N/25mm，基材膠帶與金屬層之黏著力P1及基材膠帶與黏著膠帶之黏著力P2的比P1/P2為超過10，因此為環狀框架貼合性不良的結果。
比較例10之電子裝置封裝用膠帶，基材膠帶與金屬層之黏著力P1為未達0.01N/25mm，因此為預切加工性不良的結果。又，基材膠帶與黏著膠帶之黏著力P2為未達0.01N/25mm，因此為環狀框架貼合性不良的結果。

Claims (6)

  1. 一種電子裝置封裝用膠帶，其特徵為具有：具有黏著面之基材膠帶、設置於前述基材膠帶之前述黏著面上，且具有特定平面形狀之金屬層、於前述金屬層之與前述基材膠帶側相反側與前述金屬層層合而設置，且具有特定平面形狀之接著劑層、與具有基材薄膜與黏著劑層之黏著膠帶，且前述黏著膠帶，具有被覆前述接著劑層，且以於前述接著劑層之周圍接觸於前述基材膠帶的方式設置之特定平面形狀的標籤部，前述基材膠帶與前述金屬層之黏著力P1為0.01~0.5N/25mm，前述基材膠帶與前述黏著膠帶之黏著力P2為0.01~0.5N/25mm，前述基材膠帶與前述金屬層之黏著力P1及前述基材膠帶與前述黏著膠帶之黏著力P2的比P1/P2，為0.1~10。
  2. 如請求項1之電子裝置封裝用膠帶，其中前述金屬層含有銅或鋁。
  3. 如請求項1或請求項2之電子裝置封裝用膠帶，其中前述基材膠帶，具有樹脂薄膜與設置於前述樹脂薄膜之單面的基材膠帶用黏著劑層。
  4. 如請求項3之電子裝置封裝用膠帶，其中前述基材膠帶用黏著劑層，含有包含CH2=CHCOOR(式中，R為碳數4~18之烷基)表示之丙烯酸酯、含羥基之單體、 與異氰酸酯化合物所構成的丙烯酸系聚合物。
  5. 如請求項1或請求項2之電子裝置封裝用膠帶，其中前述接著劑層含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)丙烯酸樹脂或苯氧樹脂、及(D)經表面處理之無機填充材。
  6. 如請求項1或請求項2之電子裝置封裝用膠帶，其中前述黏著劑層，含有包含CH2=CHCOOR(式中，R為碳數4~18之烷基)表示之丙烯酸酯、含羥基之單體、與分子內具有自由基反應性碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物所構成的丙烯酸系聚合物。
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