JP2005116790A - 半導体素子製造用工程フィルム、及びダイシング・ダイボンド一体型テープ - Google Patents

半導体素子製造用工程フィルム、及びダイシング・ダイボンド一体型テープ Download PDF

Info

Publication number
JP2005116790A
JP2005116790A JP2003349392A JP2003349392A JP2005116790A JP 2005116790 A JP2005116790 A JP 2005116790A JP 2003349392 A JP2003349392 A JP 2003349392A JP 2003349392 A JP2003349392 A JP 2003349392A JP 2005116790 A JP2005116790 A JP 2005116790A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dicing
film
die
manufacturing
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003349392A
Other languages
English (en)
Inventor
Michio Masuno
道夫 増野
Michio Uruno
道生 宇留野
Takayuki Matsuzaki
隆行 松崎
Teiichi Inada
禎一 稲田
Maiko Kaneda
麻衣子 金田
Keisuke Okubo
恵介 大久保
Suzushi Furuya
涼士 古谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2003349392A priority Critical patent/JP2005116790A/ja
Publication of JP2005116790A publication Critical patent/JP2005116790A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743Apparatus for manufacturing layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L2224/743Apparatus for manufacturing layer connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

【課題】ダイシングテープ、及びダイシング・ダイボンド一体型テープと半導体ウェハとの貼り付け工程において、剥離シートからの剥離が容易な半導体素子製造用工程フィルムを提供する。
【解決手段】少なくとも基材フィルムと粘着性を有する有機物層3とを有する半導体素子製造用工程フィルムであって、上記有機物層3は加工される半導体ウェハより大きな面積にあらかじめプリカットされており、そのプリカット形状において、剥離シート4からの剥離起点部が突起状の形状10を有する。
【選択図】図2

Description

本発明は、半導体ウェハを半導体素子に切断(ダイシング)する工程に使用する半導体素子製造用工程フィルム、及びダイシング・ダイボンド一体型テープに関する。
シリコン単結晶などから作られる半導体ウェハは、大径の円形状に製造され、その半導体ウェハを切断分離(ダイシング工程)し小片の半導体素子を作製する。その後、この半導体素子は個々にピックアップされ、ダイボンド、ワイヤボンディング、モールド工程などを経て、半導体パッケージとして製造される。
また、ウェハレベルCSP(チップサイズ半導体装置)タイプのパッケージに代表される最近の半導体パッケージでは、円形状の半導体ウェハの状態で半導体パッケージング工程を全て完了してから、その半導体ウェハを切断分離(ダイシング)し小片の半導体パッケージを製造している。
このような半導体ウェハのダイシング工程は、半導体ウェハとダイシング用リングフレームを、粘着性を有したダイシングテープ上に貼り付けて行われる。このダイシングテープは、リングフレームの糊しろ部までの径を有する円形に切断されて使用されている(例えば、特許文献1参照)。また、このようなダイシングテープの中には、半導体ウェハをダイシングした後のダイボンド工程で必要となるフィルム状のダイボンド材を、ダイシングテープと剥離シートの間に有した層構造を有するものもあり、これらは一般にダイシング・ダイボンド一体型テープと呼ばれている。この場合ダイボンド材は、半導体ウェハの糊しろ部までの径を有する円形に切断されて使用されている。さらにこのほかにも、ダイシングテープとダイボンドフィルムの両方の特性を一つの層に持たせたダイシング・ダイボンド一体型フィルムも提案されている(例えば特許文献2参照)。
本発明においては、上記に例示したような少なくともダイシング工程に使用される材料を一括して半導体素子製造用工程フィルムと呼ぶこととする。
ダイシングテープ、及びダイシング・ダイボンド一体型テープのいずれの形態にせよ、上記のようにダイシングテープを円形に切断し使用しており、このように予め不要な箇所を切断し除去することを、プリカット方式と呼ぶ。
このようにプリカットされた半導体素子製造用工程フィルムは、例えばダイシング・ダイボンド一体型テープの場合、図1に示すような方法で半導体ウェハに貼り付けられる。すなわち、円形状にプリカットされたダイシングテープ3とダイボンド材2を長尺の剥離シート4上に形成したダイシング・ダイボンド一体型テープ1が巻き出され、分離板5により剥離シート4と剥離されたダイシングテープ3とダイボンド材2は、押し付けローラー7とヒートプレート6により、リングフレーム9と半導体ウェハ8に貼り付けられる。このようにしてダイシング・ダイボンド一体型テープを貼り付けられたリングフレームと半導体ウェハは、ダイシング工程へと移っていく。
上記のように円形状にプリカットされた半導体素子製造用工程を用いた場合、分離板5によるダイシングテープ3と剥離シート4とを上手く剥離できないという不具合があった。これは剥離端部が円形であるがゆえに、ダイシングテープ3と剥離シート4とを剥離しようとする外力が一点に集中しにくく、また剥離端部におけるダイシングテープ3と剥離シート4の間の接着力が強い(又は剥離端部以外の部分と接着力に差がない)ためであると考えられる。
実用新案第3021645号公報 特開平2−32181号公報
しかしながら、前者の問題を解決するためにダイシングテープ3と剥離シート4とを剥離しようとする外力をさらに強くすると、かえって半導体素子製造用工程フィルムが伸びたり損傷を与えてしまったりする可能性がある。
また、後者の問題を解決するために両者の接着力を低下させることもできない。なぜなら、半導体ウェハのダイシング工程に使用されるダイシングテープでは、半導体ウェハとの接着力が非常に重要なためである。すなわち、半導体素子製造用工程フィルムには、ダイシング時の際は半導体素子のチップ飛びやチップ欠けが無いように半導体ウェハとの強い接着力が求められ、接着力が充分でない場合、ダイシング中にブレードの回転力によるチップ飛びが発生したり、充分固着されていない半導体素子がブレードと接触してチップ欠けを生じたりする原因となる。
一方、半導体素子製造用工程に用いられる剥離シートは、その接着力が非常に弱い場合、プリカット時の衝撃によって、プリカット界面部においてダイシングテープやダイボンド材と容易に剥離を生じてしまい、気泡を巻き込んでしまうことがある。これらは、ダイシングテープやダイシング・ダイボンド一体型テープと半導体ウェハとの貼り付け工程において、ダイシングテープ、又はダイボンド材と半導体ウェハの間に気泡を生じ、ダイシングする際に、チッピング、チップの割れや欠けを生じる原因となる。
本発明は、このような背景に鑑み、剥離シートからの剥離が容易な半導体素子製造用工程フィルムを提供することを目的とする。
本発明は、ダイシングテープ、及びダイシング・ダイボンド一体型テープ等に代表される半導体素子製造用工程フィルムにおいて、剥離起点を所定の形状にすることにより、剥離シートを容易に剥離できる半導体素子製造用工程フィルムを提供するものである。
すなわち、本発明は以下の発明に関する。
(1) 少なくとも基材フィルムと粘着性を有する有機物層とを有する半導体素子製造用工程フィルムであって、上記有機物層は加工される半導体ウェハより大きな面積にあらかじめプリカットされており、そのプリカット形状において、剥離起点部が突起状の形状を有することを特徴とする半導体素子製造用工程フィルム。
(2) 上記プリカット形状は円形部分の外周に突起部分を有する形状であって、円形部分の直径をC(cm)とし、上記突起部分の先端部幅方向長さをA(cm)、底辺部幅方向長さをB(cm)としたとき、A≦B<Cの関係が満たされている前記(1)記載の半導体素子製造用工程フィルム。
(3) 0<B/C≦0.5の関係が満たされている前記(2)記載の半導体素子製造用工程フィルム。
(4) 前記突起状の形状が、長方形、円形の一部又は三角形である前記(1)記載の半導体素子製造用工程フィルム。
(5) 基材フィルムと粘着性を有する有機物層との間に、ダイボンド用の接着剤層が挟まれてなる前記(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体素子製造用工程フィルム。
(6) 少なくとも基材フィルムと、粘接着性を有する有機物層とを有するダイボンドダイシング一体型フィルムであって、上記有機物層は加工される半導体ウェハより大きな面積にあらかじめプリカットされており、そのプリカット形状において、剥離起点部が突起状の形状を有することを特徴とするダイシング・ダイボンド一体型フィルム。
(7) 上記プリカット形状は円形部分の外周に突起部分を有する形状であって、円形部分の直径をC(cm)とし、上記突起部分の先端部幅方向長さをA(cm)、底辺部幅方向長さをB(cm)としたとき、A≦B<Cの関係が満たされている前記(6)記載のダイシング・ダイボンド一体型フィルム。
(8) 0<B/C≦0.5の関係が満たされている前記(7)記載のダイシング・ダイボンド一体型フィルム。
(9) 前記突起状の形状が、長方形、円形の一部又は三角形である前記(6)記載のダイシング・ダイボンド一体型フィルム。
(10) 基材フィルムと粘着性を有する有機物層との間に、ダイボンド用の接着剤層が挟まれてなる前記(6)〜(9)のいずれかに記載のダイシング・ダイボンド一体型フィルム。
本発明のダイシングテープ、及びダイシング・ダイボンド一体型テープは、ダイシングテープ、及びダイシング・ダイボンド一体型テープと半導体ウェハとの貼り付け工程において、ダイボンドテープと剥離シート間の剥離が容易にできる、ダイシングテープ、及びダイシング・ダイボンド一体型テープを提供できる。
図2、3はそれぞれ、本発明の半導体素子製造用工程フィルムの実施形態例の上面図と断面図である。
図2は通常ダイシングテープと呼ばれる半導体素子製造用工程フィルムである。図2において剥離シート4上に粘着剤層3を有し、この粘着剤層3は剥離端点に突起状の形状10を有している。粘着剤層3は粘着剤としての性質と接着剤としての性質を具備するもの(以下このような層を粘接着剤層と呼ぶ)であってもよく、この場合、一枚のシートでダイシングシートとしてもダイボンドフィルムとしても使用することが可能な半導体素子製造用工程フィルムとなる(以下、このような半導体素子製造用工程フィルムを2層一体型テープとよぶことがある)。
図3は別のタイプの半導体素子製造用工程フィルムであり、剥離シート4上に接着剤層2が設けられこの上に更に粘着剤層3が設けられている。これも一枚のシートで一枚のシートでダイシングシートとしてもダイボンドフィルムとしても使用することが可能なものである(以下、このような半導体素子製造用工程フィルムを3層一体型テープとよぶことがある)。
〔形状〕
本発明のダイシングテープ、及びダイシング・ダイボンド一体型テープの様態としては、ダイシングテープのプリカット形状に突起状の形状を有し、この突起状の形状において、その先端部幅方向長さをA、底辺部幅方向長さをB、プリカット円形部において、その直径をCとした時に、A≦B<Cが満たされていることにより剥離が容易にでき、さらにB/C=0.5、A/B=0.5の関係であるときさらに容易に剥離でき、さらにさらにB/C=0.25、A/B=0の関係であるとき最も容易に剥離できる。
本発明のダイシングテープ、及びダイシング・ダイボンド一体型テープの様態としては、突起状の形状が長方形であることが好ましく、円形であることがさらに好ましく、三角形であることが最も好ましい。
本発明の半導体素子製造用工程フィルムは、上記のようにダイシングシート、2層一体型シート、3層一体型シート等の形態をとり得るものであり、さらに必要に応じてカバーフィルム等を設けても良い。以下、それぞれのタイプの半導体素子製造用工程フィルムについてより詳細に説明する。
〔ダイシングシート〕
本発明の半導体素子製造用工程フィルムをダイシングシートとして使用する場合、大きく分けて光硬化タイプと圧着タイプとに分けられるが特に制限はない。しかし接着力が任意に制御しやすい点で光硬化タイプが好ましい。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。
(実施例1)
厚さ80μmのUV型ダイシングテープと、厚さ50μmのポリエステル製剥離シート(帝人デュポンフィルム株式会社製のピューレックスA635)を貼り合わせたものを、金型を用い表1に示す所定の形状にプリカットしたものを準備する。次に、歯角10°の鋭角くさびを用い、送引速度1.0m/min、剥離シート折れ曲がり角度60°の状態で、ダイシングテープと剥離シートが剥離するかどうかを観察する。
(実施例2)
厚さ80μmのUV型ダイシングテープ、既に円形にプリカットされた厚さ50μmのダイボンド材(日立化成工業社製のFHD1-50)と、厚さ50μmのポリエステル製剥離シート(帝人デュポンフィルム株式会社製のピューレックスA635)を貼り合わせたものを、金型を用い表1に示す所定の形状にプリカットしたものを準備する。次に、歯角10°の鋭角くさびを用い、送引速度1.0m/min、剥離シート折れ曲がり角度60°の状態で、ダイシングテープと剥離シートが剥離するかどうかを観察する。
(比較例1)
プリカット形状が従来の円形状である以外は実施例1と同様に行った。
(比較例2)
プリカット形状が従来の円形状である以外は実施例2と同様に行った。
上記のようにして得られたダイシングテープ、及びダイシング・ダイボンド一体型テープにおいて、ダイシングテープと剥離シートが剥離したものを○、剥離しなかったものを×、とした。その結果をそれぞれ表1、2に示す。
Figure 2005116790
Figure 2005116790
表1、2より実施例1,2はダイシングテープと剥離シートの剥離が良好であることが分かった。これに対し、比較例1、2ではダイシングテープと剥離シートが上手く剥離できないことが分かった。
本発明によるダイシング・ダイボンド一体型テープの半導体ウェハ貼り付け工程図である。 本発明のダイシングテープの上面図と断面図である。 本発明のダイシング・ダイボンド一体型テープの上面図と断面図である。
符号の説明
1 ダイシング・ダイボンド一体型テープ
2 ダイボンド材
3 ダイシングテープ(図2、図3では粘着剤層)
4 剥離シート
5 分離板
6 ヒートプレート
7 押しつけローラー
8 半導体ウェハ
9 リングフレーム
10 突起状の形状

Claims (10)

  1. 少なくとも基材フィルムと粘着性を有する有機物層とを有する半導体素子製造用工程フィルムであって、上記有機物層は加工される半導体ウェハより大きな面積にあらかじめプリカットされており、そのプリカット形状において、剥離起点部が突起状の形状を有することを特徴とする半導体素子製造用工程フィルム。
  2. 上記プリカット形状は円形部分の外周に突起部分を有する形状であって、円形部分の直径をC(cm)とし、上記突起部分の先端部幅方向長さをA(cm)、底辺部幅方向長さをB(cm)としたとき、A≦B<Cの関係が満たされている請求項1記載の半導体素子製造用工程フィルム。
  3. 0<B/C≦0.5の関係が満たされている請求項2記載の半導体素子製造用工程フィルム。
  4. 前記突起状の形状が、長方形、円形の一部又は三角形である請求項1記載の半導体素子製造用工程フィルム。
  5. 基材フィルムと粘着性を有する有機物層との間に、ダイボンド用の接着剤層が挟まれてなる請求項1〜4のいずれかに記載の半導体素子製造用工程フィルム。
  6. 少なくとも基材フィルムと、粘接着性を有する有機物層とを有するダイボンドダイシング一体型フィルムであって、上記有機物層は加工される半導体ウェハより大きな面積にあらかじめプリカットされており、そのプリカット形状において、剥離起点部が突起状の形状を有することを特徴とするダイシング・ダイボンド一体型フィルム。
  7. 上記プリカット形状は円形部分の外周に突起部分を有する形状であって、円形部分の直径をC(cm)とし、上記突起部分の先端部幅方向長さをA(cm)、底辺部幅方向長さをB(cm)としたとき、A≦B<Cの関係が満たされている請求項6記載のダイシング・ダイボンド一体型フィルム。
  8. 0<B/C≦0.5の関係が満たされている請求項7記載のダイシング・ダイボンド一体型フィルム。
  9. 前記突起状の形状が、長方形、円形の一部又は三角形である請求項6記載のダイシング・ダイボンド一体型フィルム。
  10. 基材フィルムと粘着性を有する有機物層との間に、ダイボンド用の接着剤層が挟まれてなる請求項6〜9のいずれかに記載のダイシング・ダイボンド一体型フィルム。
JP2003349392A 2003-10-08 2003-10-08 半導体素子製造用工程フィルム、及びダイシング・ダイボンド一体型テープ Pending JP2005116790A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003349392A JP2005116790A (ja) 2003-10-08 2003-10-08 半導体素子製造用工程フィルム、及びダイシング・ダイボンド一体型テープ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003349392A JP2005116790A (ja) 2003-10-08 2003-10-08 半導体素子製造用工程フィルム、及びダイシング・ダイボンド一体型テープ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005116790A true JP2005116790A (ja) 2005-04-28

Family

ID=34541270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003349392A Pending JP2005116790A (ja) 2003-10-08 2003-10-08 半導体素子製造用工程フィルム、及びダイシング・ダイボンド一体型テープ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005116790A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011099473A1 (ja) * 2010-02-12 2011-08-18 積水化学工業株式会社 ダイシング-ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP2011199307A (ja) * 2011-06-06 2011-10-06 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2012039023A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
CN102373016A (zh) * 2010-08-11 2012-03-14 古河电气工业株式会社 晶圆加工用胶带
JP2012191061A (ja) * 2011-03-11 2012-10-04 Sekisui Chem Co Ltd ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
WO2013100477A1 (ko) * 2011-12-27 2013-07-04 제일모직주식회사 다이싱 다이본딩 필름 및 다이싱 다이본딩 필름에 홈을 형성하는 방법
JP2013145784A (ja) * 2012-01-13 2013-07-25 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂貼付け方法
KR20140055966A (ko) * 2012-10-31 2014-05-09 닛토덴코 가부시키가이샤 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4902812B2 (ja) * 2010-02-12 2012-03-21 積水化学工業株式会社 粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
TWI498955B (zh) * 2010-02-12 2015-09-01 Sekisui Chemical Co Ltd A method for manufacturing a semiconductor wafer with a spin - die tape and an adhesive layer
CN102844843A (zh) * 2010-02-12 2012-12-26 积水化学工业株式会社 切片及芯片键合带以及带粘接剂层的半导体芯片的制造方法
WO2011099473A1 (ja) * 2010-02-12 2011-08-18 積水化学工業株式会社 ダイシング-ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
CN102373016A (zh) * 2010-08-11 2012-03-14 古河电气工业株式会社 晶圆加工用胶带
JP2012039023A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
KR101820964B1 (ko) * 2010-08-11 2018-01-22 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 웨이퍼 가공용 테이프
JP2012191061A (ja) * 2011-03-11 2012-10-04 Sekisui Chem Co Ltd ダイシング−ダイボンディングテープ及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP2011199307A (ja) * 2011-06-06 2011-10-06 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
WO2013100477A1 (ko) * 2011-12-27 2013-07-04 제일모직주식회사 다이싱 다이본딩 필름 및 다이싱 다이본딩 필름에 홈을 형성하는 방법
CN104024359A (zh) * 2011-12-27 2014-09-03 第一毛织株式会社 切割芯片接合膜和用于在该切割芯片接合膜上形成切口的方法
CN104024359B (zh) * 2011-12-27 2015-11-25 第一毛织株式会社 切割芯片接合膜和用于在该切割芯片接合膜上形成切口的方法
JP2013145784A (ja) * 2012-01-13 2013-07-25 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂貼付け方法
KR20140055966A (ko) * 2012-10-31 2014-05-09 닛토덴코 가부시키가이샤 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름
KR102080352B1 (ko) 2012-10-31 2020-04-07 닛토덴코 가부시키가이샤 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5979207B2 (ja) 半導体チップの製造方法及び半導体ウェハの切断方法
JP5196838B2 (ja) 接着剤付きチップの製造方法
KR101382781B1 (ko) 접착 시트의 제조 방법 및 접착 시트
JP2005162818A (ja) ダイシングダイボンドシート
KR101464903B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프, 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
TW200415754A (en) Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
JP5590100B2 (ja) 半導体装置製造用積層シート
US8647966B2 (en) Method and apparatus for dicing die attach film on a semiconductor wafer
JP4505798B2 (ja) 粘接着シート
JP2005116790A (ja) 半導体素子製造用工程フィルム、及びダイシング・ダイボンド一体型テープ
JP2004079743A (ja) 半導体基板の表面保護用の粘着テープ及びその剥離方法
JP4999111B2 (ja) ウエハ加工用テープ
JP5473283B2 (ja) 半導体加工用粘着シートおよび半導体加工用テープ
JP2007036074A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5323331B2 (ja) ウェハ加工用シート
JP4785080B2 (ja) ウエハ加工用テープ
JP4418764B2 (ja) 樹脂封止型半導体パッケージの製造方法
JP2017139409A (ja) ダイボンドダイシングシート
JP2010108987A (ja) ダイボンドダイシングシート
JP2009170470A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2014022513A (ja) ウェハ加工用テープ
JP2002110890A (ja) 半導体装置の製造方法及びそれに用いるリードフレーム積層物
JP3079736U (ja) 封止用粘着テープ
JP2011198797A (ja) ダイボンドダイシングシート及び半導体チップの製造方法
JP2011096799A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060912

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090617

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090702

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100107