KR102080352B1 - 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름 - Google Patents

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슈헤이 무라타
겐지 오니시
유타 기무라
유이치로 야나기
고이치 이노우에
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 세퍼레이터로부터의 다이싱·다이 본드 필름의 박리가 용이한 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름을 제공하는 것이다.
본 발명은 세퍼레이터와, 평면에서 보았을 때의 외주부에 있어서 외측으로 볼록한 연장편을 갖는 다이 본드 필름과, 다이싱 필름이 이 순서로 적층된 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름에 관한 것이다.

Description

세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름{DICING DIE-BONDING FILM EQUIPPED WITH SEPARATOR}
본 발명은 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 다이싱 필름 위에 열경화성 다이 본드 필름이 적층된 다이싱·다이 본드 필름이 이용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이 다이싱·다이 본드 필름을 이용한 반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 우선 다이싱·다이 본드 필름에 반도체 웨이퍼가 접합되어 고정되고, 그 상태에서 다이싱이 행해진다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼는 소정의 크기로 개편화되고, 반도체 칩이 된다. 이어서, 다이싱·다이 본드 필름에 고정된 반도체 칩을 다이싱 필름으로부터 박리하기 위해서 반도체 칩의 픽업이 행해진다. 그 후, 다이 본드 필름과 함께 픽업한 반도체 칩을, 다이 본드 필름을 개재하여 기판 등의 피착체에 고정시킨다.
전술한 바와 같은 다이싱·다이 본드 필름에서는 반도체 웨이퍼의 크기에 맞춰 원형 등으로 각각 펀칭된 다이싱 필름 및 다이 본드 필름이 적층되어 있다. 다이싱·다이 본드 필름은 긴 세퍼레이터 위에 다이 본드 필름을 접합측으로 하여 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 반도체 웨이퍼와의 접합시에는 웨이퍼 마운트 장치 등을 이용하여 세퍼레이터로부터 다이싱·다이 본드 필름이 박리되고, 그 후 반도체 웨이퍼에 부착된다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2008-218571호 공보
세퍼레이터에는 일반적으로 다이싱·다이 본드 필름의 박리성을 높이기 위해서 이형제 등에 의한 이형 처리가 실시되고 있다. 그러나, 다이싱·다이 본드 필름의 세퍼레이터로부터의 박리시에 세퍼레이터와 다이 본드 필름의 사이에서의 박리가 잘 진행되지 않고, 다이 본드 필름은 세퍼레이터 위에 남은 채로 다이싱 필름만이 박리되는 경우가 있다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 세퍼레이터로부터의 다이싱·다이 본드 필름의 박리가 용이한 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원 발명자 등은 상기 문제점을 해결하기 위해서 검토한 결과, 하기 구성을 채택함으로써 상기 문제점을 해결 가능하다는 것을 알아내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 세퍼레이터와, 평면에서 보았을 때의 외주부에 있어서 외측으로 볼록한 연장편을 갖는 다이 본드 필름과, 다이싱 필름이 이 순서로 적층된 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름이다.
당해 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름(이하, 「세퍼레이터를 구비한 필름」이라고도 함)에서는, 다이 본드 필름이, 평면에서 보았을 때의 외주부에 있어서 외측으로 볼록한 연장편(이하, 간단히 「연장편」이라고도 함)을 갖기 때문에, 연장편이 형성되어 있는 측으로부터 박리할 때에, 이 연장편이 박리의 기점이 되고, 그 결과 세퍼레이터로부터의 다이싱·다이 본드 필름의 박리를 용이하게 행할 수 있다. 한편, 다이 본드 필름이 연장편을 갖지 않는 경우에는, 다이 본드 필름의 박리의 기점이 되는 영역이 보다 직선에 가까운 상태가 되고, 박리 초기에 다이 본드 필름이 세퍼레이터로부터 받는 응력(다이 본드 필름을 세퍼레이터측으로 끌어당기려고 하는 응력. 이하, 「끌어당김 응력」이라고도 함)이 커져서 종래와 같은 박리의 문제가 발생하는 경우가 있다.
당해 세퍼레이터를 구비한 필름에서는, 상기 연장편은 테이퍼 형상의 선단부를 갖는 것이 바람직하다. 이에 의해, 연장편의 선단부와 세퍼레이터의 접촉 면적이 작아져서 세퍼레이터로부터의 끌어당김 응력을 저감시킬 수 있고, 다이싱·다이 본드 필름을 보다 용이하게 박리할 수 있다.
당해 세퍼레이터를 구비한 필름에서는, 상기 연장편은 V자 형상의 선단부를 갖는 것이 바람직하다. 연장편의 선단부를 V자 형상으로 함으로써, 연장편의 기계적 강도를 유지하면서 세퍼레이터로부터의 끌어당김 응력을 저감 가능하게 됨과 함께, 선단부를 직선으로 형성된 간이한 구조로 할 수 있기 때문에 연장편의 형성이 용이해진다.
당해 세퍼레이터를 구비한 필름에서는, 상기 V자 형상의 선단부의 내각은 30° 이상 90° 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 세퍼레이터로부터의 끌어당김 응력의 더 이상의 저감이 가능해지고, 세퍼레이터로부터의 다이싱·다이 본드 필름의 박리를 보다 양호하게 행할 수 있다.
당해 세퍼레이터를 구비한 필름에서는, 상기 연장편의 연장 방향에 수직인 방향에 있어서의 상기 연장편의 근원부의 최소 직경 거리는, 상기 연장편의 근원부와 선단부 사이의 중간부의 최대 직경 거리보다 작은 것이 바람직하다. 이와 같이 연장편의 근원부를 좁힌 형상으로 함으로써, 가령 박리시에 연장편의 선단부(및 중간부)가 세퍼레이터측에 잔존하여도 박리가 근원부를 초과하여 진행되었을 때에 박리의 응력(연장편의 선단부부터 중간부가 세퍼레이터로부터 받는 끌어당김 응력과, 근원부를 초과한 영역(즉, 다이 본드 필름의 연장편 이외의 영역. 이하, 이 영역을 다이 본드 필름의 「베이스부」라고도 함)이 끌어올려지도록 하는 응력의 합)이 근원부에 집중하여 근원부가 절단된다. 그 결과, 연장편의 절단 개소 부근에 있어서 베이스부의 새로운 박리의 기점을 형성할 수 있고, 박리 결함의 발생을 가능한 한 억제할 수 있다.
당해 세퍼레이터를 구비한 필름에서는, 상기 근원부의 최소 직경 거리가 1mm 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해 박리가 근원부를 초과하여 진행되었을 때의 근원부의 절단을 촉진시킬 수 있고, 베이스부로부터의 새로운 박리를 용이하게 촉진시킬 수 있다.
당해 세퍼레이터를 구비한 필름에서는, 상기 세퍼레이터는 긴 세퍼레이터이어도 된다. 긴 세퍼레이터 위에 다이싱·다이 본드 필름을 소정 간격으로 복수 배치함으로써, 연속적인 작업이 가능해져서 반도체 장치의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
당해 세퍼레이터를 구비한 필름에서는, 상기 연장편은 상기 긴 세퍼레이터의 길이 방향을 따라 배치되어 있는 것이 바람직하다. 조출되어 있는 긴 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름으로부터 다이싱·다이 본드 필름을 연속적으로 박리할 때에, 연장편이 긴 세퍼레이터의 길이 방향을 따라 배치되어 있으면, 박리 방향이 긴 세퍼레이터의 길이 방향과 평행해지기 때문에 연속적 박리를 효율적으로 행할 수 있다.
당해 세퍼레이터를 구비한 필름에 있어서, 상기 다이 본드 필름에는, 평면에서 보았을 때의 상기 다이 본드 필름의 외주의 일부에 있어서, 상기 외주 상의 상기 연장편의 2점의 연장 기점을 사이에 두는 상기 외주 상의 2점을 연장 기점으로 하고, 또한 상기 연장편의 2점의 연장 기점을 연장 선단점으로 하는 테이퍼 형상의 연장부가 형성되어 있고, 상기 연장편의 2점의 연장 기점과 상기 연장부의 2점의 연장 기점을 각각 연결하는 2 선분은, 상기 연장편의 2점의 연장 기점 중 어느 한쪽 및 상기 연장부의 2점의 연장 기점의 3점을 지나는 원호보다 내측에 위치하는 것이 바람직하다. 상기 형태에서는, 말하자면, 다이 본드 필름의 외주 형상 자체를 테이퍼 형상으로 한 상대적으로 큰 연장부와, 이 연장부의 선단 부분에 연결하는 상대적으로 작은 연장편의 2단 구성으로 되어 있다. 이와 같은 구성을 채택함으로써, 다이싱·다이 본드 필름의 세퍼레이터로부터의 박리시에 가령 연장편에 있어서의 박리가 진행되지 않더라도 박리가 연장편의 근원부(또는 연장 기점)를 초과하였을 때에는, 테이퍼 형상으로 함으로써 세퍼레이터로부터의 끌어당김 응력을 저감시킨 연장부에 있어서 박리를 유기시킬 수 있고, 예기치 않는 박리 결함의 발생을 가능한 한 억제할 수 있다.
당해 세퍼레이터를 구비한 필름에서는, 상기 연장부의 연장 기점과 연장 선단점(즉, 연장편의 연장 기점)을 연결하는 상기 2 선분이 직선인 것이 바람직하다. 이에 의해, 연장부의 형성이 용이해짐과 함께 세퍼레이터로부터의 끌어당김 응력을 효율적으로 저감시킬 수 있다.
당해 세퍼레이터를 구비한 필름에서는, 상기 2 선분이 이루는 각도는 120° 이상 175° 이하인 것이 바람직하다. 이 구성에 의해, 세퍼레이터로부터의 끌어당김 응력의 효율적인 저감을 가능하게 하면서 다이 본드 필름에 있어서의 반도체 웨이퍼를 부착하기 위한 유효 면적을 충분히 확보할 수 있다.
상기 다이싱 필름은 기재와 상기 기재 위에 적층된 점착제층을 갖고, 상기 다이싱 필름의 상기 점착제층 위에 상기 다이 본드 필름이 적층되어 있어도 된다.
도 1a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름을 도시한 단면 모식도이다.
도 1b는 도 1a에 도시한 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름의 다이 본드 필름을 도시한 투시 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름을 이용하는 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정을 도시한 단면 모식도이다.
도 4는 도 1a에 도시한 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름에 있어서의 다이 본드 필름을 개재하여 반도체 칩을 실장한 예를 도시한 단면 모식도이다.
도 5a는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 일부를 도시한 확대 평면도이다.
도 5b는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름의 다이 본드 필름을 도시한 투시 평면도이다.
도 6a는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6b는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6c는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6d는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6e는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6f는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6g는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6h는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6i는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6j는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6k는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6l은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 6m은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
<제1 실시 형태>
[세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름]
본 발명의 일 실시 형태인 제1 실시 형태에 따른 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름에 대하여 이하에 설명한다. 도 1a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름을 도시한 단면 모식도이고, 도 1b는 그 투시 평면도이다. 도 2는 도 1b에 도시한 다이 본드 필름의 연장편을 도시한 일부 확대 평면도이다.
도 1a 및 1b에 도시한 바와 같이 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름(10)은, 긴 세퍼레이터(14) 위에 평면에서 보았을 때 원형상인 다이 본드 필름(3) 및 다이싱 필름(11)이 이 순서로 적층된 구성을 갖는다. 이들 다이 본드 필름(3) 및 다이싱 필름(11)에 의해 다이싱·다이 본드 필름(12)이 구성되어 있다. 또한, 도 1b에서는 설명의 편의상 다이싱 필름(11)은 도시하지 않고, 긴 세퍼레이터(14)와 그 위에 적층된 다이 본드 필름(3)만을 도시하였다. 다이싱 필름(11)은 기재(1) 위에 점착제층(2)을 적층하여 구성되어 있고, 점착제층(2)에 다이싱 필름(11)보다도 직경이 작은 다이 본드 필름(3)이 적층되어 있다. 다이싱 필름(11)은 점착제층(2) 및 다이 본드 필름(3)이 대향하도록 세퍼레이터(14)에 적층되어 있다. 또한, 다이싱 필름(11)의 다이 본드 필름(3)의 외주를 초과한 부분은, 도 1a에 도시한 바와 같이 세퍼레이터(14)와 접하지 않아도, 접해도 좋다.
도시하지 않았으나, 본 실시 형태의 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름(10)에서는, 복수의 다이싱·다이 본드 필름(12)이 긴 세퍼레이터(14) 위에 소정 간격으로 배치되어 있다. 이에 의해, 세퍼레이터(14)로부터의 다이싱·다이 본드 필름(12)의 박리, 및 그에 이어지는 반도체 웨이퍼와의 접합을 연속적으로 행할 수 있으므로 반도체 장치의 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 연속적인 조출을 가능하게 하는 관점에서, 긴 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름(10)은 롤형상으로 권회된 권회체이어도 된다. 또한, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름은, 긴 세퍼레이터 위에 복수의 다이 본드 필름이 소정 간격으로 배치되고, 이들 복수의 다이 본드 필름을 덮도록 긴 다이싱 필름이 적층된 형태이어도 된다.
(세퍼레이터)
긴 세퍼레이터(14)는 실용에 제공할 때까지 다이 본드 필름(3)을 보호하는 보호재로서의 기능 등을 갖고 있다. 또한, 긴 세퍼레이터(14)는 또한 점착제층(2)에 다이 본드 필름(3)을 전사할 때의 지지 기재로서 이용할 수도 있다. 긴 세퍼레이터(14)는 다이 본드 필름(3) 위에 워크를 부착할 때에 박리된다. 긴 세퍼레이터(14)의 재질로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등을 들 수 있다. 또한, 세퍼레이터는 본 실시 형태와 같이 긴 형상물이어도 되고, 다이싱 필름(11)과 마찬가지로 평면에서 보았을 때에 대략 원형이고 동일 정도의 크기를 갖는 형상이어도 된다.
긴 세퍼레이터(14)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 25 내지 100㎛가 바람직하고, 25 내지 75㎛가 보다 바람직하고, 35 내지 60㎛가 더욱 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 보호재로서의 강도를 유지할 수 있음과 함께 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름(10)의 권회체를 용이하게 제작할 수 있다.
(다이 본드 필름)
도 1b에 도시한 바와 같이 다이 본드 필름(3)은 평면에서 보았을 때의 외주부에 있어서 외측으로 볼록한 연장편(3a)을 갖는다. 또한, 다이싱 필름(11)은 이 연장편(3a)을 포함한 다이 본드 필름 전체를 덮도록 적층되어 있다. 또한, 다이 본드 필름(3)은 도 1b에 도시한 바와 같이 연장편(3a)을 1개 갖고 있어도 되고, 2개 이상 복수개 갖고 있어도 된다.
(연장편)
도 2에 도시한 바와 같이 연장편(3a)은 외주 상의 2점의 연장 기점((Ea, Ea))으로부터 연장 방향(Z)을 따라 외측으로 볼록하게 연장되도록 형성되어 있다. 연장 기점(Ea, Ea)은 다이 본드 필름(3)의 베이스 부분의 외주로부터 외측을 향하여 연장을 개시하는 점이다. 다이 본드 필름(3)에 있어서의 연장 기점(Ea, Ea)을 사이에 두고 연장편(3a)과 반대측 부분이 다이 본드 필름(3)의 베이스부가 된다. 연장편(3a)은 평면에서 보았을 때 대략 마름모형이며, 예각의 선단부의 일부가 연장 기점(Ea, Ea)을 지나는 선분으로 절취된 것 같은 형상을 갖고, 구체적으로는 연장 방향(Z)을 따라 다이 본드 필름의 원형의 외주로부터의 상승 부분을 포함하는 근원 부분으로부터, 연장 방향(Z)에 수직인 방향으로 볼록해진 중간부를 거쳐 V자 형상으로 테이퍼화된 선단부에 이르는 형상을 갖는다. 연장편(3a)의 선단부를 V자 형상으로 함으로써, 연장편(3a)의 기계적 강도를 유지하면서 세퍼레이터(14)로부터의 끌어당김 응력을 저감할 수 있다. 또한, 선단부를 직선으로 형성된 간이한 구조로 할 수 있기 때문에 연장편을 용이하게 형성할 수 있다.
상기 V자 형상의 선단부의 내각(α)은 특별히 한정되지는 않지만, 세퍼레이터(14)로부터의 다이싱·다이 본드 필름(12)의 박리의 용이성의 관점에서, 그 상한은 90° 이하가 바람직하고, 75° 이하가 보다 바람직하다. 또한, 상기 내각(α)의 하한은 30° 이상이 바람직하고, 45° 이상이 보다 바람직하다.
연장편(3a)의 연장 방향(Z)에 수직인 방향에 있어서의 상기 연장편의 근원부의 최소 직경 거리(dmin)(즉, 본 실시 형태의 연장 기점(Ea, Ea) 간의 거리)는 연장편(3a)의 근원부와 선단부 사이의 중간부의 최대 직경 거리(dmax)(즉, 본 실시 형태의 둔각의 선단부의 정점 간의 거리)보다 작은 것이 바람직하다. 연장편(3a)의 근원부를 중간부와 비교하여 좁힌 형상으로 함으로써, 가령 박리시에 연장편(3a)의 선단부(및 중간부)가 세퍼레이터(14)측에 잔존하여도 박리가 근원부를 초과하여 진행되었을 때에 박리의 응력이 근원부에 집중하여 근원부의 절단을 촉진할 수 있다. 그 결과, 연장편(3a)의 절단 개소 부근에 있어서 다이 본드 필름(3)의 새로운 박리의 기점을 형성할 수 있고, 박리 문제의 발생을 가능한 한 억제할 수 있다.
근원부의 최소 직경 거리(dmin)는 박리시의 근원부에 있어서의 절단 촉진의 관점에서 1mm 이하가 바람직하다. 최소 직경 거리(dmin)의 하한은 근원부의 기계적 강도의 관점에서 0.5mm 이상이 바람직하다.
근원부의 최소 직경 거리(dmin)의 중간부의 최대 직경 거리(dmax)에 대한 비(dmin/dmax)는 연장편의 기계적 강도의 확보와 근원부의 박리시의 절단 촉진의 밸런스의 관점에서 0.7 이하가 바람직하고, 0.5 이하가 보다 바람직하다.
연장편(3a)의 베이스부로부터의 연장량(h)은 연장편(3a)이 다이싱·다이 본드 필름(12)의 박리 기점으로서 작용할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 1 내지 10mm가 바람직하고, 3 내지 5mm가 보다 바람직하다. 또한, 연장량(h)은 연장 기점(Ea, Ea)을 지나는 직선과 연장편(3a)의 최선단점을 지나는 연장 방향(Z)에 수직인 직선의 사이의 거리로서 구해진다. 연장 기점(Ea, Ea)을 지나는 직선이 연장 방향(Z)에 수직이 아닌 경우, 연장 기점(Ea, Ea)을 직선으로 연결한 선분의 이등분점과 연장편(3a)의 선단점을 지나는 연장 방향(Z)에 수직인 직선의 사이의 거리로서 구한다.
연장편(3a)의 중간부의 베이스부로부터의 연장량(hmid)은 특별히 한정되지는 않지만, 0.5 내지 10mm가 바람직하고, 0.5 내지 5mm가 보다 바람직하다. 또한, 중간부의 연장량(hmid)은 연장 기점(Ea, Ea)을 지나는 직선과 연장편(3a)의 중간부의 최대 직경 거리(dmax)를 부여하는 2점을 지나는 직선의 사이의 거리로서 구해진다. 연장 기점(Ea, Ea)을 지나는 직선 또는 연장편(3a)의 중간부의 최대 직경 거리(dmax)를 부여하는 2점을 지나는 직선이 연장 방향(Z)에 수직이 아닌 경우, 연장 기점(Ea, Ea)을 직선으로 연결한 선분의 이등분점과 연장편(3a)의 중간부의 최대 직경 거리(dmax)를 부여하는 2점을 직선으로 연결한 선분의 이등분점의 사이의 거리로서 구한다.
도 1b에 도시한 바와 같이 연장편(3a)은 긴 세퍼레이터(14)의 길이 방향(X)을 따라 배치되어 있는 것이 바람직하다. 조출되어 있는 긴 세퍼레이터를 구비한 필름(10)으로부터 다이싱·다이 본드 필름(12)을 연속적으로 박리할 때, 연장편(3a)이 긴 세퍼레이터(14)의 길이 방향(X)을 따라 배치되어 있으면, 박리 방향이 긴 세퍼레이터(14)의 길이 방향(X)과 평행해지기 때문에 연속적 박리를 효율적으로 행할 수 있다.
또한, 연장편이 긴 세퍼레이터(14)의 길이 방향(X)을 따라 배치되어 있는 경우, 긴 세퍼레이터(14)의 길이 방향(X)을 따른 다이 본드 필름(3)의 양단부(도 1b에 있어서 도시된 다이 본드 필름(3)의 연장편(3a)이 형성된 좌단과, 이와는 반대측의 연장편이 형성되어 있지 않은 우단)에 연장편이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 특히 권회체로 한 긴 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름(10)의 조출 방향에 관계없이 다이싱·다이 본드 필름(12)의 연속적인 박리가 가능해진다.
(다이 본드 필름의 구성 재료 등)
다이 본드 필름(3)의 층 구조는 본 실시 형태와 같이 접착제층의 단층만을 포함하여 이루어지는 것이나, 코어 재료의 편면 또는 양면에 접착제층을 형성한 다층 구조의 것 등을 들 수 있다. 상기 코어 재료로서는 필름(예를 들면 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 실리콘 기판 또는 유리 기판 등을 들 수 있다.
다이 본드 필름(3)을 구성하는 접착제 조성물로서는 열가소성 수지와 열경화성 수지를 병용한 것을 들 수 있다.
상기 열경화성 수지로서는 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.
상기 에폭시 수지는 접착제 조성물로서 일반적으로 이용되는 것이면 특별히 한정은 없고, 예를 들면 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르소크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 이용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
상기 페놀 수지는 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들면 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 페놀비페닐 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은 예를 들면 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 바람직한 것은 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
상기 열가소성 수지로서는 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적어 내열성이 높고, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.
상기 아크릴 수지로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 에이코실기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 단량체로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 등과 같은 글리시딜기 함유 단량체, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체, 스티렌 단량체, 또는 아크릴로니트릴을 들 수 있다.
또한, 다이 본드 필름(3)에는 그 용도에 따라 필러를 적절히 배합할 수 있다. 필러의 배합은 도전성의 부여나 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 가능하게 한다. 상기 필러로서는 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있는데, 취급성의 향상, 열전도성의 향상, 용융 점도의 조정, 틱소트로피성 부여 등의 특성의 관점에서 무기 필러가 바람직하다. 상기 무기 필러로서는 특별히 제한은 없으며, 예를 들면 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 열전도성의 향상의 관점에서는 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카가 바람직하다. 또한, 상기 각 특성의 밸런스가 좋다는 관점에서는, 결정질 실리카 또는 비정질 실리카가 바람직하다. 또한, 도전성의 부여, 열전도성의 향상 등의 목적에서, 무기 필러로서 도전성 물질(도전 필러)을 이용하는 것으로 하여도 된다. 도전 필러로서는 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 도전성 합금 등을 구상, 침상, 플레이크상으로 한 금속분, 알루미나 등의 금속 산화물, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등을 들 수 있다. 상기 필러의 평균 입경은 0.1 내지 80㎛로 할 수 있다. 또한, 필러의 평균 입경은 광도식 입도 분포계(HORIBA제, 장치명; LA-910)에 의해 구한 값이다.
상기 필러 배합량은 열경화성 수지 성분 및 열가소성 수지 성분 및 필러의 합계 100중량부에 대하여 5중량부 이상인 것이 바람직하고, 10중량부 이상 95중량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 20중량부 이상 90 중량부 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 다이 본드 필름(3)에는 상기 필러 이외에 필요에 따라 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는 예를 들면 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는 예를 들면 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는 예를 들면 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는 예를 들면 히드로탈사이트류, 수산화 비스무트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다.
다이 본드 필름(3)의 두께(적층체의 경우에는 총 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 1 내지 200㎛의 범위로부터 선택할 수 있고, 바람직하게는 5 내지 100㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 80㎛이다.
(기재)
상기 기재(1)는 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하고, 다이싱 필름(11)의 강도 모체가 되는 것이다. 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.
또한, 기재(1)의 재료로서는 상기 수지의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은 비연신으로 이용하여도 되고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 이용하여도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 그 기재(1)를 열수축시킴으로써 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 접착 면적을 저하시켜 반도체 칩(반도체 소자)의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.
또한, 기재(1)의 표면은 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들면 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들면, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다. 상기 기재(1)는 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있으며, 필요에 따라 수종을 블렌드한 것을 이용할 수 있다.
기재(1)의 두께는 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있는데, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.
(점착제층)
점착제층(2)의 형성에 이용하는 점착제로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제를 이용할 수 있다. 상기 감압성 점착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 싫어하는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체로서는 예를 들면 (메트)아크릴산알킬에스테르(예를 들면 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르(예를 들면 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 이용한 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)란 모두 마찬가지의 의미이다.
상기 아크릴계 중합체는 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있을 수도 있다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체의 사용량은 전체 단량체 성분의 40중량% 이하가 바람직하다.
또한, 상기 아크릴계 중합체는 가교시키기 위해서 다관능성 단량체 등도 필요에 따라 공중합용 단량체 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다관능성 단량체로서 예를 들면 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 단량체도 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다. 다관능성 단량체의 사용량은 점착 특성 등의 점에서 전체 단량체 성분의 30중량% 이하가 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체는 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합에 붙임으로써 얻어진다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어느 방식으로 행할 수도 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점으로부터 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.
또한, 상기 점착제에는 베이스 중합체인 아크릴계 중합체 등의 수 평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절하게 채택할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 가교해야 할 베이스 중합체와의 밸런스에 따라, 나아가서는 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여 5중량부 정도 이하, 나아가서는 0.1 내지 5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는 필요에 따라 상기 성분 외에 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 이용하여도 된다.
점착제층(2)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다. 방사선 조사에 의해 방사선 경화형 점착제층(2)을 경화시킴으로써, 경화하여 점착력이 저하된 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 계면은 픽업시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다.
방사선 경화형 점착제는 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들면 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.
배합하는 방사선 경화성의 단량체 성분으로서는, 예를 들면 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러 가지 올리고머를 들 수 있으며, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위의 것이 적당하다. 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은 상기 점착제층의 종류에 따라 점착제층의 점착력을 저하시킬 수 있는 양을 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여 예를 들면 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.
또한, 방사선 경화형 점착제로서는 상기 설명한 첨가형 방사선 경화형 점착제 외에 베이스 중합체로서 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 이용한 내재형 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형 방사선 경화형 점착제는 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나 또는 대부분은 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 중을 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 중합체로서는 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서는 상기 예시한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.
상기 아크릴계 중합체에 대한 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않으며, 여러 가지 방법을 채택할 수 있는데, 탄소-탄소 이중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들면, 미리 아크릴계 중합체에 관능기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이들 관능기의 조합의 예로서는 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함 때문에 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 바람직하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 중합체를 생성하도록 하는 조합이면, 관능기는 아크릴계 중합체와 상기 화합물의 어느 측에 있어도 되지만, 상기한 바람직한 조합에서는 아크릴계 중합체가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 바람직하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체로서는 상기 예시의 히드록시기 함유 단량체나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 이용된다.
상기 내재형 방사선 경화형 점착제는 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 중합체)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성 올리고머 성분 등은 통상 베이스 중합체 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이고, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.
상기 방사선 경화형 점착제에는 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는 예를 들면 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로리드 등의 방향족 술포닐클로리드계 화합물; 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(0-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여 예를 들면 0.05 내지 20중량부 정도이다.
또한, 방사선 경화형 점착제로서는 예를 들면 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
또한, 방사선 조사시에 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는 방사선 경화형 점착제층(2)의 표면으로부터 어떠한 방법으로든 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 점착제층(2)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 방사선의 조사를 행하는 방법 등을 들 수 있다.
점착제층(2)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 접착층의 고정 유지의 양립성 등의 점으로부터는 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30㎛, 나아가서는 5 내지 25㎛가 바람직하다.
[세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름의 제조 방법]
본 실시 형태에 따른 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름(10)은 예를 들면 다음과 같이 하여 제작된다.
우선, 기재(1)는 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는 예를 들면 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다. 기재(1)를 착색하는 경우에는 상기 색재를 첨가한다.
이어서, 기재(1) 위에 점착제 조성물 용액을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜) 점착제층(2)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는 예를 들면 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 또한, 세퍼레이터 위에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건으로 도포막을 건조시켜 점착제층(2)을 형성하여도 된다. 그 후, 기재(1) 위에 점착제층(2)을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이에 의해, 다이싱 필름(11)이 제작된다.
다이 본드 필름(3)은 예를 들면 다음과 같이 하여 제작된다.
우선, 다이 본드 필름(3)의 형성 재료인 접착제 조성물 용액을 제작한다. 당해 접착제 조성물 용액에는 전술한 바와 같이 상기 접착제 조성물이나 필러, 기타 각종 첨가제 등이 배합되어 있다.
이어서, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 위에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건하에서 건조시켜 다이 본드 필름 전구체를 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는 예를 들면 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 또한, 세퍼레이터 위에 접착제 조성물 용액을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건으로 도포막을 건조시켜 다이 본드 필름 전구체를 형성하여도 된다. 그 후, 기재 세퍼레이터 위에 다이 본드 필름 전구체를 세퍼레이터와 함께 접합한다.
계속해서, 얻어진 다이 본드 필름 전구체를 소정의 평면에서 보았을 때의 형형상이 되도록 탈형 또는 커트하여 연장편을 갖는 다이 본드 필름(3)을 제작한다.
계속해서, 다이싱 필름(11) 및 다이 본드 필름(3)으로부터 각각 세퍼레이터를 박리하고, 다이 본드 필름(3)과 점착제층(2)이 접합면이 되도록 하여 양자를 접합한다. 접합은, 예를 들면 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 30 내지 50℃가 바람직하고, 35 내지 45℃가 보다 바람직하다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 0.1 내지 20kgf/cm가 바람직하고, 1 내지 10kgf/cm가 보다 바람직하다.
마지막으로 다이 본드 필름(3) 상의 기재 세퍼레이터를 박리하고, 세퍼레이터와 접합하여 본 실시 형태에 따른 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름(10)이 얻어진다. 본 실시 형태에서는 세퍼레이터로서 긴 세퍼레이터(14)를 사용하고, 복수의 다이싱·다이 본드 필름(12)를 소정 간격을 두고 세퍼레이터(14)에 접합한다. 이러한 긴 세퍼레이터를 구비한 필름(10)을 롤 형상으로 권취하여 권회체로서 이용할 수 있다.
[반도체 장치의 제조 방법]
이하에서는 도 1b, 도 3 및 도 4를 참조하면서 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름(10)을 이용한 경우를 예로 하여 설명한다. 도 3은 본 실시 형태에 따른 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름을 이용하는 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정을 도시한 단면 모식도이고, 도 4는 도 1a에 도시한 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름에 있어서의 다이 본드 필름을 개재하여 반도체 칩을 실장한 예를 도시한 단면 모식도이다.
도 1b에 도시한 바와 같이 세퍼레이터를 구비한 필름(10)은 조출 방향(Y)에서 연속적으로 조출되고 있다. 계속해서, 공지된 웨이퍼 마운트 장치에 의해 다이싱·다이 본드 필름(12)을 긴 세퍼레이터(14)로부터 박리하고, 도 3에 도시한 바와 같이 박리한 다이싱·다이 본드 필름(12)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착한다(부착 공정). 박리는 다이 본드 필름(3)의 연장편(3a)이 형성된 측으로부터 행한다. 이에 의해 연장편(3a)이 박리 기점이 되어 다이싱·다이 본드 필름(12)을 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 연장편(3a)을 긴 세퍼레이터(14)의 길이 방향(X)을 따라 형성함으로써, 박리 기점을 항상 조출 방향(Y)의 선단측에 위치시킬 수 있기 때문에 조출되어 온 다이싱·다이 본드 필름(12)의 박리를 긴 세퍼레이터(14) 상의 일정한 위치에서 개시할 수 있음과 함께 박리를 위한 복잡한 작업을 억제할 수 있다.
부착 공정은 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다. 마운트시의 부착 온도는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 20 내지 80℃의 범위 내인 것이 바람직하다.
이어서, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(4)를 소정의 크기로 절단하여 개편화하고, 반도체 칩(5)을 제조한다(도 4 참조). 다이싱은 예를 들면 반도체 웨이퍼(4)의 회로면측으로부터 통상법에 따라 행해진다. 또한, 본 공정에서는 예를 들면 다이 본드 필름(3)까지 도려내는 풀컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채택할 수 있다. 본 공정에서 이용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않으며, 종래 공지된 것을 이용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(4)는 다이싱·다이 본드 필름(12)에 의해 접착 고정되어 있기 때문에, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다.
다이싱·다이 본드 필름(12)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 박리하기 위해서 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다. 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 종래 공지된 다양한 방법을 채택할 수 있다. 예를 들면, 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱 필름(11)측으로부터 니들에 의해 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
여기서 픽업은 점착제층(2)이 자외선 경화형인 경우, 상기 점착제층(2)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 의해, 점착제층(2)의 다이 본드 필름(3)에 대한 점착력이 저하되어 반도체 칩(5)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩(5)을 손상시키지 않고 픽업이 가능해진다. 자외선 조사시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 적절히 필요에 따라 설정하면 된다. 또한, 자외선 조사에 사용하는 광원으로서는 고압 수은등, 마이크로파 여기형 램프, 케미컬 램프 등을 사용할 수 있다.
픽업한 반도체 칩(5)은 다이 본드 필름(3)을 개재하여 피착체(6)에 접착 고정한다(다이 본드). 피착체(6)으로서는 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체(6)는 예를 들면 용이하게 변형되도록 하는 변형형 피착체이어도 되고, 변형하기가 어려운 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)이어도 된다.
상기 기판으로서는 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는 Cu 리드 프레임, 42 Alloy 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등을 포함하여 이루어지는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니라, 반도체 소자를 마운트하고, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.
다이 본드 필름(3)이 열경화형인 경우, 가열 경화에 의해, 반도체 칩(5)을 피착체(6)에 접착 고정하고, 내열 강도를 향상시킨다. 가열 온도는 80 내지 200℃, 바람직하게는 100 내지 175℃, 보다 바람직하게는 100 내지 140℃에서 행할 수 있다. 또한, 가열 시간은 0.1 내지 24시간, 바람직하게는 0.1 내지 3시간, 보다 바람직하게는 0.2 내지 1시간으로 행할 수 있다. 또한, 다이 본드 필름(3)을 개재하여 반도체 칩(5)이 기판 등에 접착 고정된 것은 리플로우 공정에 제공할 수 있다.
열경화 후의 다이 본드 필름(3)의 전단 접착력은 피착체(6)에 대하여 0.2MPa 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10MPa이다. 다이 본드 필름(3)의 전단 접착력이 적어도 0.2MPa 이상이면 와이어 본딩 공정시에 당해 공정에 있어서의 초음파 진동이나 가열에 의해, 다이 본드 필름(3)과 반도체 칩(5) 또는 피착체(6)의 접착면에서 전단 변형을 일으키는 경우가 적다. 즉, 와이어 본딩시의 초음파 진동에 의해 반도체 소자가 움직이는 경우가 적고, 이에 의해 와이어 본딩의 성공률이 저하되는 것을 방지한다.
또한, 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 다이 본드 필름(3)의 가열 처리에 의한 열경화 공정을 거치지 않고 와이어 본딩을 행하고, 또한 반도체 칩(5)을 밀봉 수지로 밀봉하여 당해 밀봉 수지를 후 경화하여도 된다. 이 경우, 다이 본드 필름(3)의 가고착시의 전단 접착력은 피착체(6)에 대하여 0.2MPa 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10MPa이다. 다이 본드 필름(3)의 가고착시에 있어서의 전단 접착력이 적어도 0.2MPa 이상이면, 가열 공정을 거치지 않고 와이어 본딩 공정을 행하여도 당해 공정에 있어서의 초음파 진동이나 가열에 의해 다이 본드 필름(3)과 반도체 칩(5) 또는 피착체(6)의 접착면에서 전단 변형을 일으키는 경우가 적다. 즉, 와이어 본딩시의 초음파 진동에 의해 반도체 소자가 움직이는 경우가 적고, 이에 의해 와이어 본딩의 성공률이 저하되는 것을 방지한다.
상기한 와이어 본딩은 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시 생략)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 공정이다. 상기 본딩 와이어(7)로서는 예를 들면 금선, 알루미늄선 또는 구리선 등이 이용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는 80 내지 250℃, 바람직하게는 80 내지 220℃의 범위 내에서 행해진다. 또한, 그 가열 시간은 수초 내지 수분간 행해진다. 결선은 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행해진다. 본 공정은 다이 본드 필름(3)의 열경화를 행하지 않고 실행하여도 된다.
상기 밀봉 공정은 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 밀봉하는 공정이다. 본 공정은 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(5)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위해서 행해진다. 본 공정은 밀봉용 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지(8)로서는 예를 들면 에폭시계 수지를 사용한다. 수지 밀봉시의 가열 온도는 통상 175℃에서 60 내지 90초간 행해지는데, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 165 내지 185℃에서 수분간 큐어할 수 있다. 이에 의해, 밀봉 수지를 경화시킴과 함께 다이 본드 필름(3)을 개재하여 반도체 칩(5)과 피착체(6)를 고착시킨다. 즉, 본 발명에 있어서는 후술하는 후 경화 공정이 행해지지 않는 경우에 있어서도, 본 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)에 의한 고착이 가능하고, 제조 공정수의 감소 및 반도체 장치의 제조 기간의 단축에 기여할 수 있다.
상기 후 경화 공정에 있어서는 상기 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지(8)를 완전히 경화시킨다. 밀봉 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)이 완전히 열경화하지 않은 경우이더라도, 본 공정에 있어서 밀봉 수지(8)와 함께 다이본드 필름(3)의 완전한 열경화가 가능해진다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는 밀봉 수지의 종류에 따라 상이한데, 예를 들면 165 내지 185℃의 범위 내이고, 가열 시간은 0.5 내지 8시간 정도이다.
<제2 실시 형태>
제1 실시 형태에 따른 다이 본드 필름은 외주로부터 외측으로 연장되는 연장편을 갖는다. 제2 실시 형태에 따른 다이 본드 필름은 다이 본드 필름의 베이스부의 일 영역으로서 테이퍼 형상으로 된 연장부를 갖고 있으며, 그 선단부에 제1 실시 형태에서 설명한 연장편이 연결되어 있다. 이하, 상기 형태에 대하여 설명한다.
도 5a에 도시한 바와 같이 본 실시 형태의 세퍼레이터를 구비한 필름에 있어서 다이 본드 필름(23)에는 평면에서 보았을 때의 다이 본드 필름(23)의 외주의 일부에 있어서, 상기 외주 상의 상기 연장편(3a)의 2점의 연장 기점(Ea, Ea)을 사이에 두는 상기 외주 상의 2점을 연장 기점(EA, EA)으로 하고, 또한 연장편(3a)의 2점의 연장 기점(Ea, Ea)을 연장 선단점으로 하는 테이퍼 형상의 연장부(3A)가 형성되어 있다. 연장편(3a)의 2점의 연장 기점(Ea, Ea)과 연장부(3A)의 2점의 연장 기점(EA, EA)을 각각 연결하는 2 선분(LA, LA)은 연장편(3a)의 2점의 연장 기점(Ea, Ea) 중 어느 한쪽 및 연장부(3A)의 2점의 연장 기점(EA, EA)의 3점을 지나는 원호(CA, CA)보다 내측에 위치한다. 따라서, 다이 본드 필름(23)은 상대적으로 큰 테이퍼 형상의 연장부(3A)와, 이 연장부(3A)의 선단 부분에 연결하는 상대적으로 작은 연장편(3a)을 갖는다. 이에 의해, 다이싱·다이 본드 필름의 세퍼레이터로부터의 박리시에, 가령 연장편(3a)에 있어서의 박리가 진행하지 않아도 박리가 연장편(3a)의 근원부(또는 연장 기점(Ea, Ea))를 초과하였을 때에는 테이퍼 형상으로 함으로써 세퍼레이터로부터의 끌어당김 응력을 저감시킨 연장부(3A)에 있어서 박리를 유도할 수 있고, 예기치 않는 박리 결함의 발생을 가능한 한 억제할 수 있다.
연장부(3A)의 연장 기점(EA, EA)과 연장 선단점(즉, 연장편의 연장 기점(Ea, Ea))을 연결하는 상기 2 선분(LA, LA)은 상기 원호(CA, CA)보다 내측(다이 본드 필름의 무게 중심측)에 위치하고 있으면 직선, 곡선 또는 이들의 조합 중 어느 것이어도 된다. 2 선분(LA, LA)이 곡선인 경우, 원호(CA, CA)보다 내측에 위치하는 한, 다이 본드 필름의 무게 중심에 대하여 외측으로 볼록한 곡선이어도 내측에 볼록한 곡선이어도 된다. 그 중에서도 2 선분(LA, LA)은 직선인 것이 바람직하다. 이에 의해, 연장부(3A)의 형성이 용이해짐과 함께 세퍼레이터로부터의 끌어당김 응력을 효율적으로 저감시킬 수 있다.
2 선분(LA, LA)이 직선인 경우, 이들이 이루는 각도(β)는 120° 이상 175° 이하인 것이 바람직하고, 130° 이상 160° 이하인 것이 보다 바람직하다. 연장부(3A)의 선단부의 내각(β)을 상기 범위로 함으로써, 세퍼레이터로부터의 끌어당김 응력의 효율적인 저감을 가능하게 하면서 다이 본드 필름(23)에 있어서의 반도체 웨이퍼(4)(도 3 참조)를 부착하기 위한 유효 면적을 충분히 확보할 수 있다.
도 5b에 도시한 바와 같이 연장편(3a) 및 연장부(3A)는 제1 실시 형태와 마찬가지의 이유에 의해, 긴 세퍼레이터(14)의 길이 방향(X)을 따라 배치되어 있는 것이 바람직하다. 특히, 도 5b에 도시한 바와 같이 긴 세퍼레이터(14)의 길이 방향(X)을 따른 다이 본드 필름(23)의 양단부에 연장편(3a, 3a') 및 연장부(3A, 3A')가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
<다른 실시 형태>
본 발명의 다른 실시 형태에 따른 연장편의 변형예를 도 6a 내지 6m에 도시한다. 다이 본드 필름이 도 6a 내지 6m에 도시한 연장편(33a 내지 33m)을 가짐으로써, 세퍼레이터로부터의 다이싱·다이 본드 필름의 박리를 용이하게 행할 수 있다. 제1 실시 형태에 있어서의 연장편의 구조적 특징은 연장편(33a 내지 33m)에 대해서도 마찬가지로 적용할 수 있다.
<실시예>
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은 특별히 한정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 요지를 이들에만 한정하는 취지의 것은 아니다. 또한, 이하에 있어서 부란 중량부를 의미한다.
[실시예 1]
(다이 본드 필름의 제작)
하기 (a) 내지 (d)를 메틸에틸케톤에 용해 또는 분산시키고, 농도 25중량%의 접착제 조성물 용액을 얻었다. 또한, 하기 (a) 내지 (d)의 부수는 고형분의 부수를 가리킨다.
(a) 에폭시 수지(닛폰가야쿠(주)제, EPPN-501HY) 11부
(b) 페놀 수지(메이와가세이(주)제, MEH7851M) 14부
(c) 아크릴 고무(나가세켐텍스제, SG-P3) 100부
(d) 구상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-E2 67부
이 접착제 조성물 용액을 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하여 이루어지는 이형 처리 필름(세퍼레이터) 위에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해 두께 25㎛의 다이 본드 필름 전구체를 제작하였다.
제작한 다이 본드 필름 전구체를, 베이스부를 직경 330mm의 원형으로 함과 함께, 도 2에 도시한 형상의 연장편을 갖도록 펀칭하고, 전체적으로 도 1b의 평면에서 보았을 때의 형상을 갖는 본 실시예에 관한 다이 본드 필름을 제작하였다. 연장편의 형상의 상세는 표 1과 같다.
(세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름의 제작)
이어서, 연장편을 갖는 다이 본드 필름을 다이싱 필름(닛토덴코사제, 상품명 「DU-2187G」)에 전사하였다. 전사는 다이싱 필름의 점착제층과 다이 본드 필름이 대향하도록 행하였다. 이 적층체를 다이싱 필름의 직경이 370mm가 되도록 원형으로 펀칭함으로써, 본 실시예의 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름을 얻었다.
[실시예 2]
실시예 1과 마찬가지로 제작한 다이 본드 필름 전구체를, 베이스부를 직경 330mm의 원형으로 함과 함께, 도 5a에 도시한 형상의 연장편 및 연장부를 갖도록 펀칭하고, 전체적으로 도 5b의 평면에서 보았을 때의 형상을 갖는 다이 본드 필름을 제작한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름을 제작하였다. 또한, 연장편의 형상은 실시예 1과 마찬가지로 하였다. 연장편의 형상의 상세는 표 1과 같다.
[실시예 3]
연장편의 형상을 도 6m에 도시한 형상으로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름을 제작하였다. 연장편의 형상의 상세는 표 1과 같다.
[실시예 4]
연장편의 형상을 도 6c에 도시한 형상으로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름을 제작하였다. 연장편의 형상의 상세는 표 1과 같다.
[비교예 1]
다이 본드 필름에 연장편을 형성하지 않고, 평면에서 보았을 때의 형상을 직경 330mm의 원형으로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름을 제작하였다. 연장편의 형상의 상세는 표 1과 같다.
<세퍼레이터의 박리성의 평가>
웨이퍼 마운터(닛토세이끼사제, 상품명 「MA3000Ⅱ」)를 이용하여 실시예 및 비교예의 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름으로부터 세퍼레이터를 박리하였다. 또한, 실시예 1 내지 4에서는 연장편이 형성되어 있는 측으로부터 박리를 행하였다. 다이싱 필름으로부터 다이 본드 필름이 박리된 경우(다이 본드 필름이 세퍼레이터에 잔존한 경우)에, 다이싱 필름의 박리된 부분이 다이 본드 필름에 있어서의 12인치 웨이퍼의 부착 예정 영역에 도달한 것을 불량으로서 평가함과 함께, 샘플수를 50으로 하여 불량률{(불량수/전체 샘플수)×100(%)}을 구하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112013081332094-pat00001
<결과>
표 1의 결과로부터 다이 본드 필름의 외주부에 외측으로 볼록한 연장편을 형성함으로써, 세퍼레이터로부터의 다이싱·다이 본드 필름의 박리를 용이하게 행할 수 있음을 알 수 있다.
1 : 기재
2 : 점착제층
3 : 다이 본드 필름
3a, 33a 내지 33l : 연장편
3A : 연장부
4 : 반도체 웨이퍼
5 : 반도체 칩
6 : 피착체
7 : 본딩 와이어
8 : 밀봉 수지
10 : 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름
11 : 다이싱 필름
12 : 다이싱·다이 본드 필름
14 : 세퍼레이터

Claims (12)

  1. 세퍼레이터와,
    평면에서 보았을 때의 외주부에 있어서 외측으로 볼록한 연장편을 갖는 다이 본드 필름과,
    다이싱 필름
    이 이 순서로 적층된, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름이며,
    상기 연장편의 연장 방향에 수직인 방향에 있어서의 상기 연장편의 근원부의 최소 직경 거리가 상기 연장편의 근원부와 선단부 사이의 중간부의 최대 직경 거리보다 작은, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연장편이 테이퍼 형상의 선단부를 갖는, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름.
  3. 제2항에 있어서, 상기 연장편이 V자 형상의 선단부를 갖는, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름.
  4. 제3항에 있어서, 상기 V자 형상의 선단부의 내각이 30° 이상 90° 이하인, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 근원부의 최소 직경 거리가 1mm 이하인, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름.
  7. 제1항에 있어서, 상기 세퍼레이터가 긴 세퍼레이터인, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름.
  8. 제7항에 있어서, 상기 연장편이 상기 긴 세퍼레이터의 길이 방향을 따라 배치되는, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름.
  9. 제1항 내지 제4항 및 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다이 본드 필름에는, 평면에서 보았을 때의 상기 다이 본드 필름의 외주의 일부에 있어서, 상기 외주 상의 상기 연장편의 2점의 연장 기점을 사이에 두는 상기 외주 상의 2점을 연장 기점으로 하고, 또한 상기 연장편의 2점의 연장 기점을 연장 선단점으로 하는 테이퍼 형상의 연장부가 형성되어 있고, 상기 연장편의 2점의 연장 기점과 상기 연장부의 2점의 연장 기점을 각각 연결하는 2 선분은, 상기 연장편의 2점의 연장 기점 중 어느 한쪽 및 상기 연장부의 2점의 연장 기점의 3점을 지나는 원호보다 내측에 위치하는, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름.
  10. 제9항에 있어서, 상기 2 선분이 직선인, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름.
  11. 제10항에 있어서, 상기 2 선분이 이루는 각도가 120° 이상 175° 이하인, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름.
  12. 제1항에 있어서, 상기 다이싱 필름이 기재와 상기 기재 위에 적층된 점착제층을 갖고, 상기 다이싱 필름의 상기 점착제층 위에 상기 다이 본드 필름이 적층되어 있는, 세퍼레이터를 구비한 다이싱·다이 본드 필름.
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