JP6429824B2 - 電子デバイスパッケージ用テープ - Google Patents
電子デバイスパッケージ用テープ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6429824B2 JP6429824B2 JP2016072251A JP2016072251A JP6429824B2 JP 6429824 B2 JP6429824 B2 JP 6429824B2 JP 2016072251 A JP2016072251 A JP 2016072251A JP 2016072251 A JP2016072251 A JP 2016072251A JP 6429824 B2 JP6429824 B2 JP 6429824B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- adhesive layer
- tape
- electronic device
- meth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4827—Materials
- H01L23/4828—Conductive organic material or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Dicing (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Packages (AREA)
Description
基材テープ2は、公知のセパレータで構成することもできるが、電子デバイスパッケージ用テープのプリカット加工に使用する基材テープをそのまま使用することもできる。電子デバイスパッケージ用テープのプリカット加工に使用する基材テープをそのまま使用する場合、基材テープ2はプリカット加工時に金属層3を粘着保持する必要があるため、例えば、樹脂フィルムと樹脂フィルムの片面に設けられた基材テープ用粘着剤層とを有するテープを好適に使用することができる。
粘着テープ5としては、特に制限はなく、従来の粘着テープを使用することができる。粘着テープ5として、例えば、基材フィルム51に粘着剤層52を設けたものを好適に使用できる。
金属層3を構成する金属としては、金属層3の引張強度が350MPa以上であれば特に限定されず、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム、鉄、チタン、スズ、ニッケル及び銅からなる群より選択される少なくとも1種を含むことが放熱性、電子デバイスパッケージ8の反り防止の点から好ましい。これらの中でも、熱伝導性が高く放熱の効果が得られる観点から、銅を含むことが特に好ましい。また、電子デバイスパッケージ8の反り防止の観点からは、アルミニウムを含むことが特に好ましい。
接着剤層4は、接着剤を予めフィルム化したものである。
また、フェノキシ樹脂は、フェノキシ樹脂は分子鎖が長くエポキシ樹脂と構造が似ており、高架橋密度の組成物中で可とう性材料として作用し、高靭性を付与するので高強度でありながらタフネスな組成物が得られる。好ましいフェノキシ樹脂は、主骨格がビスフェノールA型のものであるが、その他にビスフェノールF型フェノキシ樹脂、ビスフェノールA/F混合型フェノキシ樹脂や臭素化フェノキシ樹脂等市販のフェノキシ樹脂が好ましいものとして挙げられる。
吸水率(vol%)=[(M2−M1)/(M1/d)]×100 (1)
ここで、dはフィルムの密度である。
吸水率が1.5vol%を超えると、吸水した水分によりはんだリフロー時にパッケージクラックを生じるおそれがある。
飽和吸湿率(vol%)=[(M2−M1)/(M1/d)]×100 (2)
ここで、dはフィルムの密度である。
飽和吸湿率が1.0vol%を超えると、リフロー時の吸湿により蒸気圧の値が高くなり、良好なリフロー特性が得られないおそれがある。
残存揮発分(wt%)=[(M2−M1)/M1]×100 (3)
残存揮発分が3.0wt%を超えると、パッケージングの際の加熱により溶媒が揮発し、接着剤層4の内部にボイドが発生して、パッケージクラックが発生するおそれがある。
次に、本実施形態の電子デバイスパッケージ用テープ1を使用して電子デバイスパッケージ8を製造する方法について、図6〜図8を参照しながら説明する。なお、本実施形態においては、電子デバイスパッケージ8として、被着体9上にフリップチップ接続された半導体チップCを例にして説明する。
先ず、本発明の電子デバイスパッケージ用テープ1の粘着テープ5と同様の別体のダイシングテープDを用意し、該ダイシングテープD上の中央部に、図6(A)で示されるように、半導体ウエハWを貼着して、これを粘着保持させ固定する(半導体ウエハWのマウント工程)とともに、ダイシングテープDの周縁部にリングフレームRを貼合する。このとき、ダイシングテープDは、半導体ウエハWの裏面に貼着される。半導体ウエハWの裏面とは、回路面とは反対側の面(非回路面、非電極形成面などとも称される)を意味する。貼着方法は特に限定されないが、加熱圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。
次に、図6(B)で示されるように、半導体ウエハWのダイシングを行う。これにより、半導体ウエハWを所定のサイズに切断して個片化(小片化)し、半導体チップCを製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハWの回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、粘着テープ5まで切り込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。なお、ダイシングテープDのエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。
図6(C)で示されるように、半導体チップCのピックアップを行って、半導体チップCをダイシングテープDより剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、半導体チップCおよびリングフレームRが貼り合わされたダイシングテープDを、基材フィルム側を下にして、ピックアップ装置のステージS上に載置し、リングフレームRを固定した状態で、中空円柱形状の突き上げ部材Tを上昇させ、ダイシングテープDを拡張する。この状態で、個々の半導体チップCをダイシングテープDの基材フィルム側からピンNによって突き上げ、突き上げられた半導体チップCをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
ピックアップした半導体チップCは、図6(D)で示されるように、基板等の被着体9に、フリップチップボンディング方式(フリップチップ実装方式)により固定させる。具体的には、半導体チップCを、半導体チップCの回路面(表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される)が被着体9と対向する形態で、被着体9に常法に従い固定させる。例えば、まず半導体チップCの回路面側に形成されている接続部としてのバンプ10にフラックスを付着させる。次いで、半導体チップCのバンプ10を被着体9の接続パッドに被着された接合用の導電材11(半田など)に接触させて押圧しながらバンプ10及び導電材11を溶融させることにより、半導体チップCと被着体9との電気的導通を確保し、半導体チップCを被着体9に固定させることができる(フリップチップボンディング工程)。このとき、半導体チップCと被着体9との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に30μm〜300μm程度である。半導体チップCと被着体9との対向面や間隙に残存するフラックスは洗浄除去する。
次に、本発明の効果をさらに明確にするために、実施例および比較例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
<粘着剤組成物(1)>
官能基を有するアクリル系共重合体(A1)として、ブチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートおよびアクリル酸からなり、2−エチルヘキシルアクリレートの比率が50モル%であり、質量平均分子量65万、ガラス転移温度−60℃、水酸基価25mgKOH/g、酸価6mgKOH/gのアクリル系共重合体(a−1)を調製した。
<基材フィルム(1)>
エチレン−メタクリル酸共重合体の樹脂ビーズを200℃で溶融し、押出機を用いて厚さ150μmの長尺フィルム状に成形して基材フィルム(1)を作製した。エチレン−メタクリル酸共重合体は、三井デュポンポリケミカル株式会社製のニュクレルNO35C(商品名)を使用した。
<粘着テープ(1)>
<接着剤層(1)>
ビスフェノールA型フェノキシ樹脂(新日鉄住金化学株式会社製、商品名「YP−50S」、Mw6万、Tg84℃)28質量部と、固形ビスフェノールA型エポキシ樹脂(新日鉄住金化学株式会社製、商品名「YD−011」、Mw1000、エポキシ当量450)55質量部、液体ビスフェノールA型エポキシ樹脂(新日鉄住金化学株式会社、商品名「YD−128」、Mw400、エポキシ当量190)49質量部、硬化剤としてのイミダゾール(四国化成工業株式会社製、商品名「2PHZ−PW」)9質量部、シリカフィラー(株式会社アドマテックス製、商品名「SO−C2」、平均粒径0.5μm)74質量部とをメチルエチルケトンに溶解または分散させ、接着剤組成物溶液を調製した。この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム(剥離ライナー)上に塗布した後、130℃で5分間乾燥させた。これにより、厚さ20μmの接着剤層(1)を作製した。
<金属層(1)>
圧延銅箔(株式会社UACJ製、タフピッチ銅箔、厚さ18μm、引張強度450MPa、391W/m・K)
<金属層(2)>
C18040(株式会社UACJ製、銅合金箔、厚さ18μm、引張強度658MPa、322W/m・K)
<金属層(3)>
サンプルA(アルミニウム合金箔、厚さ20μm、引張強度356MPa、110W/m・K)
<金属層(4)>
SUS304(新日鉄住金マテリアルズ株式会社製、ステンレス箔、厚さ20μm、引張強度1225MPa、16.3W/m・K)
<金属層(5)>
F0−WS(古河電気工業株式会社製、銅箔、厚さ18μm、引張強度310MPa、378W/m・K)
<金属層(6)>
1085(株式会社UACJ製、アルミニウム箔、厚さ20μm、引張強度180MPa、221W/m・K)
Siを0.27質量%、Feを0.31質量%、Cuを0.02質量%、Mnを1.1質量%、Mgを0.51質量%、Tiを0.01質量%含有し、残部がAlからなるアルミニウム合金を溶解、半連続鋳造法により造塊し、得られた鋳塊を480℃の温度で5h均質化処理した後、450〜260℃の温度範囲で熱間圧延を行い、厚さ3mmの熱間圧延板を得た。熱間圧延板を厚さ0.5mmまで冷間圧延した後、急速加熱炉を用いて400℃の温度で1分間保持し、20℃/sの冷却速度で冷却する中間熱処理を実施し、中間熱処理以後は、冷間圧延を繰り返して20μmのアルミニウム合金箔とした。
<実施例1>
上述の剥離ライナー上に形成された接着剤層(1)と金属層(1)とを貼り合わせ角度120°、圧力0.2MPa、速度10mm/sの条件で貼り合わせ片面接着フィルムを作製した。粘着テープ(1)をリングフレームに貼合できるように円形形状に、片面接着フィルムを粘着テープ(1)より小さい円形形状にプリカットした。前記片面接着フィルムの離型処理フィルムを剥離して露出させた接着剤層(1)側と前記粘着テープ(1)の粘着剤層とを、片面接着フィルムの周囲に粘着剤層が露出するように貼り合わせ、図1に示すような実施例1に係る電子デバイスパッケージ用テープを作製した。
粘着テープ、接着剤組成物、金属層の組合せを表1に記載の組合せにした以外は、実施例1と同様の手法により、実施例2〜4、比較例1〜2の電子デバイスパッケージ用テープを作製した。
上記実施例及び比較例の各サンプルの電子デバイスパッケージ用テープの金属層および接着剤層を、5mm×5mmの大きさの個片サンプルができるようダイシングした。その後、基材フィルム側から粘着剤層に空冷式高圧水銀灯(80W/cm、照射距離10cm)により紫外線を200mJ/cm2照射した。電子デバイスパッケージ用テープ中央部の個片サンプル100個について、キャノンマシナリー株式会社製のダイスピッカー装置(商品名「CAP−300II」)を用いてピックアップ試験を行い、金属層に対するピン痕の有無を確認した。ピックアップされた金属層において、目視にてピンの痕が見られないものを成功サンプルとし、ピン痕の抑制成功率を算出した。その算出結果において成功率が90%以上のものを良品として○、90%未満のものを不良品として×で評価した。評価結果を表1に示す。
2:基材テープ
3:金属層
4:接着剤層
5:粘着テープ
5a:ラベル部
5b:周辺部
Claims (10)
- 基材フィルムと粘着剤層とを有する粘着テープと、
前記粘着剤層の前記基材フィルムと反対側に積層して設けられた接着剤層と金属層との積層体とを有し、
前記粘着剤層、前記金属層および前記接着剤層はこの順に設けられており、
前記接着剤層はBステージにおいて、23℃、剥離角度180度、線速300mm/分における前記金属層との剥離力が0.3N以上であり、
前記金属層は、引張強度が350MPa以上であることを特徴とする電子デバイスパッケージ用テープ。 - 前記金属層は、銅またはアルミニウムを含有することを特徴とする請求項1に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
- 前記金属層は、銅の含有量が99.95%以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
- 前記金属層が銅合金箔またはアルミニウム合金箔であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
- 前記金属層が、銅と、ニッケル、クロム、ジルコニウム、亜鉛、スズ、チタン、ケイ素、鉄、マンガン、マグネシウム、リンおよびコバルトからなる群から選択される1種または2種以上とを含む合金からなることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
- 前記金属層が、アルミニウムと、ニッケル、クロム、ジルコニウム、亜鉛、スズ、マグネシウム、銅、マンガン、チタン、ケイ素、鉄およびコバルトからなる群から選択される1種または2種以上とを含む合金からなることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
- 前記金属層が、ステンレス鋼からなることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
- 前記金属層は、熱伝導率が5W/( m・K)以上であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
- 前記接着剤層が、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)アクリル樹脂またはフェノキシ樹脂、および(D)表面処理された無機充填材を含有することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
- 前記粘着剤層が、CH2=CHCOOR(式中、Rは炭素数が4〜18のアルキル基である。)で表されるアクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーと、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とを含んで構成されるアクリル系ポリマーを含有することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の電子デバイスパッケージ用テープ。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016072251A JP6429824B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 電子デバイスパッケージ用テープ |
SG11201807407SA SG11201807407SA (en) | 2016-03-31 | 2016-11-25 | Tape for electronic device packaging |
PCT/JP2016/084926 WO2017168827A1 (ja) | 2016-03-31 | 2016-11-25 | 電子デバイスパッケージ用テープ |
MYPI2018702989A MY187765A (en) | 2016-03-31 | 2016-11-25 | Tape for electronic device packaging |
CN201680083855.2A CN108885980B (zh) | 2016-03-31 | 2016-11-25 | 电子器件封装用带 |
KR1020187027717A KR20180129789A (ko) | 2016-03-31 | 2016-11-25 | 전자 디바이스 패키지용 테이프 |
TW106108773A TWI624885B (zh) | 2016-03-31 | 2017-03-16 | Tape for electronic device packaging |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016072251A JP6429824B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 電子デバイスパッケージ用テープ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017183641A JP2017183641A (ja) | 2017-10-05 |
JP6429824B2 true JP6429824B2 (ja) | 2018-11-28 |
Family
ID=59963823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016072251A Active JP6429824B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 電子デバイスパッケージ用テープ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6429824B2 (ja) |
KR (1) | KR20180129789A (ja) |
CN (1) | CN108885980B (ja) |
MY (1) | MY187765A (ja) |
SG (1) | SG11201807407SA (ja) |
TW (1) | TWI624885B (ja) |
WO (1) | WO2017168827A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6440657B2 (ja) * | 2016-07-27 | 2018-12-19 | 古河電気工業株式会社 | 電子デバイス用テープ |
JP6535118B1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-06-26 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
SG11201906507PA (en) * | 2018-03-28 | 2019-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd | Tape for semiconductor processing |
KR20210138263A (ko) * | 2020-05-12 | 2021-11-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩 실장용 테이프 및 상기 테이프를 이용한 반도체 패키지 제조 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4954569B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2012-06-20 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4157898B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2008-10-01 | 株式会社神戸製鋼所 | プレス打ち抜き性に優れた電気電子部品用銅合金板 |
JP2008124141A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ダイシング・ダイボンド用接着フィルム |
JP2010120239A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 金属張積層体およびその製造方法 |
SG10201407993YA (en) * | 2009-11-30 | 2015-01-29 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Adhesive sheet and electronic component |
JP5762556B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2015-08-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ヒートシール、及び電子部品をパッケージングするためのカバーテープ |
JP6418756B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2018-11-07 | 善治 堀田 | アルミニウム合金導体の製造方法及びアルミニウム合金導体を用いた電線の製造方法 |
TWI586815B (zh) * | 2014-07-22 | 2017-06-11 | 新日鐵住金股份有限公司 | 蓄電裝置容器用鋼箔、蓄電裝置用容器及蓄電裝置、以及蓄電裝置容器用鋼箔之製造方法 |
-
2016
- 2016-03-31 JP JP2016072251A patent/JP6429824B2/ja active Active
- 2016-11-25 CN CN201680083855.2A patent/CN108885980B/zh active Active
- 2016-11-25 WO PCT/JP2016/084926 patent/WO2017168827A1/ja active Application Filing
- 2016-11-25 MY MYPI2018702989A patent/MY187765A/en unknown
- 2016-11-25 SG SG11201807407SA patent/SG11201807407SA/en unknown
- 2016-11-25 KR KR1020187027717A patent/KR20180129789A/ko not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-03-16 TW TW106108773A patent/TWI624885B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180129789A (ko) | 2018-12-05 |
MY187765A (en) | 2021-10-20 |
TW201737369A (zh) | 2017-10-16 |
SG11201807407SA (en) | 2018-09-27 |
JP2017183641A (ja) | 2017-10-05 |
CN108885980A (zh) | 2018-11-23 |
TWI624885B (zh) | 2018-05-21 |
WO2017168827A1 (ja) | 2017-10-05 |
CN108885980B (zh) | 2023-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6422462B2 (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ | |
JP6310492B2 (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ | |
JP6775005B2 (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ | |
JPWO2017168829A1 (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ | |
JP6852030B2 (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ | |
JP6429824B2 (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ | |
WO2017168824A1 (ja) | 電子デバイスパッケージ、電子デバイスパッケージの製造方法、および電子デバイスパッケージ用テープ | |
JP6935379B2 (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ | |
WO2017110202A1 (ja) | 半導体加工用テープ | |
JP6339619B2 (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ | |
JP6440657B2 (ja) | 電子デバイス用テープ | |
JP2021185610A (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ | |
JP6655576B2 (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ | |
JP2021072345A (ja) | 電子デバイスパッケージ用テープ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180330 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181019 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181030 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6429824 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |