CN108885980B - 电子器件封装用带 - Google Patents

电子器件封装用带 Download PDF

Info

Publication number
CN108885980B
CN108885980B CN201680083855.2A CN201680083855A CN108885980B CN 108885980 B CN108885980 B CN 108885980B CN 201680083855 A CN201680083855 A CN 201680083855A CN 108885980 B CN108885980 B CN 108885980B
Authority
CN
China
Prior art keywords
tape
metal layer
adhesive layer
electronic device
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680083855.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108885980A (zh
Inventor
青山真沙美
杉山二朗
石黑邦彦
佐野透
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Publication of CN108885980A publication Critical patent/CN108885980A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108885980B publication Critical patent/CN108885980B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4827—Materials
    • H01L23/4828—Conductive organic material or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种电子器件封装用带，其能抑制在从粘合带拾取带粘接剂层的金属层时因拾取装置的顶针的顶起使金属层变形而产生顶针的痕迹，能抑制在粘接剂层与被粘物之间产生空隙。本发明的电子器件封装用带(1)具有：粘合带(5)，其具有基材膜(51)和粘合剂层(52)；以及被设置为层叠于粘合剂层(52)的与基材膜(51)相反的一侧的粘接剂层(4)和金属层(3)所构成的层叠体，金属层(3)的拉伸强度为350MPa以上。

Description

电子器件封装用带
技术领域
本发明涉及一种电子器件封装用带，尤其涉及具有金属层的电子器件封装用带。
背景技术
近年来，移动电话、笔记本电脑等电子设备被要求进一步薄型化和小型化。为此，为了将搭载于电子设备的半导体封装体等电子器件封装体薄型化和小型化，使电子器件和电路基板的电极数增加，并且使间距也变窄。这样的电子器件封装体例如包括倒装片(FC；Flip Chip)安装封装体。
在倒装片安装封装体中，由于如上所述使电极的数量增加或窄间距化，因此发热量的增加成问题。为此，作为倒装片安装封装体的散热结构，提出在电子器件的背面介由粘接剂层来设置金属层的方案(例如参照专利文献1)。
另外，在倒装片安装封装体中，有时电子器件的线膨胀率与电路基板的线膨胀率大不相同。在此情况下，在电子器件封装体的制造过程中，中间制品被加热和冷却时，电子器件与电路基板之间膨胀量和收缩量会产生差异。因该差异而使电子器件封装体发生翘曲。作为抑制此种翘曲的结构，也提出在电子器件的背面介由粘接剂层来设置金属层的方案(例如参照专利文献2)。
进而，在倒装片安装封装体中，还提出在电子器件的背面介由粘接剂层来设置金属层、并使用该金属层作为激光掩模用保护层的方案(例如参照专利文献3)。
另外，近年来，有时在半导体芯片上进一步层叠相同尺寸的其他半导体芯片来进行三维安装。在此，为了能够在半导体芯片上层叠相同尺寸的其他半导体芯片，需要在两者之间预先层叠间隔件。这是由于：在半导体芯片的电极焊盘部分上还会层叠其他半导体芯片。作为上述的间隔件，提出使用带粘接剂层的金属层的方案(例如参照专利文献4)。在专利文献4中记载了间隔件通过以下工序来设置，即，将在至少一面具有包含粘接剂层的金属层的间隔件用粘接片以粘接剂层作为贴合面贴合于切割片的工序；将间隔件用粘接片进行切割而形成具备粘接剂层的芯片状的间隔件的工序；利用顶针(pin)顶起间隔件，并利用在将半导体芯片与粘接剂层一起从切割片剥离时所使用的拾取装置，将所顶起的间隔件与粘接剂层一起从切割片剥离的工序；以及介由粘接剂层将间隔件固定于被粘物的工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-235022号公报
专利文献2：日本专利第5487847号公报
专利文献3：日本专利第5419226号公报
专利文献4：日本专利第4954569号公报
发明内容
(发明要解决的课题)
如上所述，带粘接剂层的金属层对于各种电子器件封装体有用，如专利文献4所公开的那样，只要能使用已有的装置进行拾取并固定于被粘物，则较为便利。
然而，由于金属具有容易发生源于金属键的塑性变形的特性，因此若为了拾取而用顶针进行上推，则存在顶针的痕迹残留的风险。另外，由于层叠于金属层的粘接剂层是未固化状态或半固化状态，因此较为柔软。故而，若在金属层中产生顶针的痕迹，则导致粘接剂层也将成为追随该痕迹的状态。若在该状态下将粘接剂层贴合于被粘物，则有如下问题：存在产生空隙而成为封装裂纹的主因的风险。
为此，本发明的目的在于提供一种电子器件封装用带，其能够抑制在从粘合带拾取带粘接剂层的金属层时因拾取装置的顶针的顶起使金属层变形而产生顶针的痕迹，能够抑制在粘接剂层与被粘物之间产生空隙。
(用于解决课题的技术方案)
为了解决以上的课题，本发明涉及的电子器件封装用带具有：
粘合带，其具有基材膜和粘合剂层；和
粘接剂层与金属层所构成的层叠体，其被设置为层叠于上述粘合剂层的与上述基材膜相反的一侧，
上述金属层的拉伸强度为350MPa以上。
上述电子器件封装用带优选使上述金属层含有铜或铝。
上述电子器件封装用带优选使上述金属层的铜的含量为99.95％以下。
上述电子器件封装用带优选使上记金属层为铜合金箔或铝合金箔。
上述电子器件封装用带优选由合金构成，所述合金包含铜以及选自镍、铬、锆、锌、锡、钛、硅、铁、锰、镁、磷和钴构成的组中的1种或2种以上。
另外，上述电子器件封装用带优选由合金构成，所述合金包含铝以及选自镍、铬、锆、锌、锡、镁、铜、锰、钛、硅、铁和钴构成的组中的1种或2种以上。
另外，上述电子器件封装用带优选使上述金属层由不锈钢构成。
另外，上述电子器件封装用带优选使上述金属层的热传导率为5W/(m·K)以上。
另外，上述电子器件封装用带优选使上记粘接剂层含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)丙烯酸类树脂或苯氧基树脂、以及(D)经表面处理后的无机填充材料。
另外，电子器件封装用带优选使上述粘合剂层含有丙烯酸系聚合物，所述丙烯酸系聚合物构成为包含CH2＝CHCOOR(式中，R为碳数4～18的烷基)所示的丙烯酸酯、含羟基的单体和在分子内具有自由基反应性碳－碳双键的异氰酸酯化合物。
(发明效果)
根据本发明，能抑制在从粘合带拾取带粘接剂层的金属层时因拾取装置的顶针的顶起使金属层变形而产生顶针的痕迹，能抑制在粘接剂层与被粘物之间产生空隙。
附图说明
图1为示意性地表示本发明的实施方式涉及的电子器件封装用带的结构的剖视图。
图2中，(a)为示意性地表示本发明的实施方式涉及的电子器件封装用带的结构的俯视图，(b)为其剖视图。
图3为示意性地表示本发明的实施方式涉及的电子器件封装用带的结构的立体图。
图4为示意性地表示本发明的实施方式涉及的电子器件封装用带的制造方法的说明图，(A)为表示金属层的贴合工序的纵向剖视图，(B)为表示粘接剂层的贴合工序的纵向剖视图，(C)为表示预切割工序的横向剖视图，(D)为表示不需要部分的去除工序的立体图。
图5为示意性地表示本发明的实施方式涉及的电子器件封装用带的制造方法的说明图，(A)为表示粘合带的贴合工序的横向剖视图，(B)为表示预切割工序的横向剖视图，(C)为表示不需要部分的去除工序的横向剖视图。
图6为示意性地说明本发明的实施方式涉及的电子器件封装用带的使用方法的剖视图。
图7为示意性地说明本发明的实施方式涉及的电子器件封装用带的使用方法的剖视图。
图8为示意性地表示使用了本发明的实施方式涉及的电子器件封装用带的电子器件封装的结构的剖视图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行详细地说明。
图1为表示本发明的实施方式涉及的电子器件封装用带1的剖视图。该电子器件封装用带1具有包括基材膜51和设置于基材膜51上的粘合剂层52而构成的粘合带5，在粘合剂层52上设有粘接剂层4与金属层3所构成的层叠体。在本实施方式中，在粘合剂层52上设置有粘接剂层4和层叠地设置于粘接剂层4的金属层3。粘接剂层4与金属层3所构成的层叠体包括隔着底漆层而间接层叠的形态，该底漆层用于使金属层3与粘接剂层4的密合性良好。
本发明的电子器件封装用带1优选如图2和图3所示那样将粘合带5切割成与环框架R(参照图7)对应的形状，并且将金属层3和粘接剂层4也与之对应地切割成给定形状(预切割加工)，在本实施方式中进行预切割加工。
本发明的电子器件封装用带1优选为如图2和图3所示那样将形成有多个对金属层3、粘接剂层4、被切割成与环框架R对应的形状的粘合带5(标签部5a)进行层叠而成的层叠体的长条的基材带2卷绕成卷状的形态，虽然在本实施方式中卷绕成卷状，但是也可以为将设置于基材带2的层叠体一个一个地切割后的形态。
在被预切割加工而卷绕成卷状的情况下，如图2和图3所示，电子器件封装用带1具有基材带2，在基材带2上设置有：具有给定的平面形状的金属层3、在与金属层3的基材带2侧相反的一侧与金属层3叠层地设置且具有给定的平面形状的粘接剂层4、和覆盖粘接剂层4且在粘接剂层4的周围以与基材带2接触的方式设置的具有给定的平面形状的标签部5a和包围该标签部5a的外侧的周边部5b的粘合带5。
标签部5a具有与切割用的环框架R对应的形状。与切割用的环框架R的形状对应的形状优选为与环框架R的内侧大致相同的形状且比环框架R内侧的尺寸大的相似形。另外，不一定为圆形，但优选接近于圆形的形状，进一步优选为圆形。周边部5b包含完全包围标签部5a的外侧的形态和图示那样的未完全包围的形态。此外，也可以不设置周边部5b。
粘接剂层4具有给定的平面形状，该平面形状为在粘合带5的标签部5a的周边部贴合环框架R、且比标签部5a小以便能够用拾取装置的顶抵构件顶起(参照图7的(C))的形状。粘接剂层4优选为与标签部5a大致相同的形状且比标签部5a的尺寸小的相似形。粘接剂层4可以不一定为圆形，但优选与圆形接近的形状，进一步优选为圆形。
金属层3与粘接剂层4呈同样的形状，在金属层3上层叠有粘接剂层4。在此所说的层叠只要层叠主要部分即可，金属层3和粘接剂层4不一定需要为相同大小，但是从制造的便利性出发，优选为大致相同的形状。以下，对各构成要素进行说明。
＜基材带2＞
基材带2也可以由公知的隔膜构成，但也可以直接使用用于电子器件封装用带的预切割加工的基材带。在直接使用用于电子器件封装用带的预切割加工的基材带的情况下，基材带2需要在预切割加工时使金属层3保持粘着，因此例如可以优选使用具有树脂膜和设置于树脂膜的单面的基材带用粘合剂层的带。
构成基材带2的树脂膜的原材料可以使用公知的材料，但如果进行例示，则可列举聚酯(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、聚烯烃(PP、PE)系、共聚物(EVA、EEA、EBA)系、以及将这些材料一部分置换而进一步提高了粘接性或机械强度的膜。另外，可以为这些膜的叠层体。从耐热性、平滑性和获得容易程度的方面出发，优选从聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯和聚乙烯中进行选择。
构成基材带2的树脂膜的厚度并无特别限定，可以适当地设定，但优选为10～150μm。
作为基材带用粘合剂层中使用的树脂，可以使用用于粘合剂的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸类树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等，但优选以丙烯酸系聚合物为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂。
作为丙烯酸系聚合物，可列举例如将(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳数1～30、特别是碳数4～18的直链状或支链状的烷基酯等)和(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如环戊酯、环己酯等)的1种或2种以上用作单体成分的丙烯酸系聚合物等。此外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，与本发明的(甲基)具有完全相同的含义。
丙烯酸系聚合物以凝集力、耐热性等的改性为目的，根据需要可以含有上述(甲基)丙烯酸烷基酯或同能与环烷基酯共聚的其他单体成分对应的单元。作为这种单体成分，可列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸－2－羟乙酯、(甲基)丙烯酸－2－羟丙酯、(甲基)丙烯酸－4－羟丁酯、(甲基)丙烯酸－6－羟己酯、(甲基)丙烯酸－8－羟辛酯、(甲基)丙烯酸－10－羟癸酯、(甲基)丙烯酸－12－羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4－羟基甲基环己基)甲酯等含羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2－(甲基)丙烯酰胺基－2－甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2－羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些能共聚的单体成分可以使用1种或2种以上。这些能共聚的单体的使用量优选为总单体成分的40重量％以下。
进而，为了进行交联，丙烯酸系聚合物也可以根据需要含有多官能性单体等作为共聚用单体成分。作为这样的多官能性单体，可列举例如：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或2种以上。就多官能性单体的使用量而言，从粘合特性等方面出发，优选为总单体成分的30重量％以下。
丙烯酸系聚合物的制备可以在例如1种或2种以上的成分单体的混合物中应用溶液聚合方式或乳液聚合方式、本体聚合方式或悬浮聚合方式等适当的方式来进行。基材带用粘合剂层优选抑制了低分子量物质的含有的组成，从上述的方面出发，优选以重均分子量为30万以上、特别40万～300万的丙烯酸系聚合物为主成分，因此，粘合剂也可以设为基于内部交联方式或外部交联方式等的适当的交联型。
另外，为了控制基材带用粘合剂层的交联密度并提高与粘合带5的剥离性，可以采用例如使用多官能异氰酸酯系化合物、多官能环氧系化合物、三聚氰胺系化合物、金属盐系化合物、金属螯合物系化合物、氨基树脂系化合物或过氧化物等适当的外部交联剂进行交联处理的方式，或将具有2个以上的碳-碳双键的低分子化合物进行混合而通过能量射线的照射等进行交联处理的方式等适当的方式。在使用外部交联剂的情况下，其使用量根据与待交联的基础聚合物的平衡、进而根据作为粘合剂的使用用途而适当确定。一般而言，相对于上述基础聚合物100重量份，优选配合20重量份左右以下，进一步优选配合0.1重量份～20重量份。
基材带用粘合剂层的厚度能够没有特别限制地适当确定，一般而言为5～200μm左右。另外，基材带用粘合剂层可以由单层构成，也可以由多层构成。
＜粘合带5＞
作为粘合带5，并无特别限制，可以使用现有的粘合带。作为粘合带5，例如可以优选使用在基材膜51上设有粘合剂层52的粘合带。
作为基材膜51，只要是现有公知的基材膜，则可以没有特别限制地使用，但在使用放射线固化性的材料作为后述的粘合剂层52的情况下，优选使用具有放射线透过性的基材膜。
例如，作为其材料，可列举：聚乙烯、聚丙烯、乙烯－丙烯共聚物、聚丁烯－1、聚－4－甲基戊烯－1、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸乙酯共聚物、乙烯－丙烯酸甲酯共聚物、乙烯－丙烯酸共聚物、离聚物等α－烯烃的均聚物或共聚物或者它们的混合物、聚氨酯、苯乙烯－乙烯－丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺－多元醇共聚物等热塑性弹性体、以及它们的混合物。另外，基材膜可以为选自这些组中的2种以上的材料混合成的基材膜，这些基材膜可以进行单层或多层化。
基材膜51的厚度并无特别限定，可以适当地设定，但优选为50～200μm。
为了提高基材膜51和粘合剂层52的密合性，可以对基材膜51的表面实施铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化放射线处理等化学性或物理性表面处理。
另外，在本实施方式中，在基材膜51上直接地设置粘合剂层52，但也可以隔着用于提高密合性的底漆层或用于提高切割时的切削性的锚固层、应力松弛层、防静电层等而间接地设置。
作为粘合带5的粘合剂层52中使用的树脂，并无特别限定，可以使用用于粘合剂的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸类树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等，但优选以丙烯酸系聚合物为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂。
作为丙烯酸系聚合物，可列举例如将(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳数1～30、特别是碳数4～18的直链状或支链状的烷基酯等)和(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如环戊酯、环己酯等)的1种或2种以上用作单体成分的丙烯酸系聚合物等。此外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，具有与本发明的(甲基)完全相同的含义。
丙烯酸系聚合物以凝集力、耐热性等的改性为目的，可以根据需要含有同能与上述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其他单体成分对应的单元。作为这样的单体成分，可列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸－2－羟乙酯、(甲基)丙烯酸－2－羟丙酯、(甲基)丙烯酸－4－羟丁酯、(甲基)丙烯酸－6－羟己酯、(甲基)丙烯酸－8－羟辛酯、(甲基)丙烯酸－10－羟癸酯、(甲基)丙烯酸－12－羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4－羟基甲基环己基)甲酯等含羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2－(甲基)丙烯酰胺基－2－甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2－羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些能共聚的单体成分可以使用1种或2种以上。这些能共聚的单体的使用量优选为总单体成分的40重量％以下。
进而，为了进行交联，丙烯酸系聚合物也可以根据需要含有多官能性单体等作为共聚用单体成分。作为这样的多官能性单体，可列举例如：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用1种或2种以上。从粘合特性等方面出发，多官能性单体的使用量优选为总单体成分的30重量％以下。
丙烯酸系聚合物的制备可以在例如1种或2种以上的成分单体的混合物中应用溶液聚合方式或乳液聚合方式、本体聚合方式或悬浮聚合方式等适当的方式来进行。关于粘合剂层，从防止晶圆的污染等观点出发，优选考虑对低分子量物质的含有进行抑制的组成，从上述的方面出发，优选以重均分子量为30万以上、特别是40万～300万的丙烯酸系聚合物为主成分，因此，粘合剂也可以设为基于内部交联方式或外部交联方式等的适当的交联型。
另外，为了控制粘合剂层52的交联密度并提高拾取性，可以采用例如使用多官能异氰酸酯系化合物、多官能环氧系化合物、三聚氰胺系化合物、金属盐系化合物、金属螯合物系化合物、氨基树脂系化合物、或过氧化物等适当的外部交联剂进行交联处理的方式，或将具有2个以上的碳-碳双键的低分子化合物进行混合而通过能量射线的照射等进行交联处理的方式等适当的方式。在使用外部交联剂的情况下，其使用量根据与待交联的基础聚合物的平衡、进而根据作为粘合剂的使用用途而适当确定。一般而言，相对于上述基础聚合物100重量份，优选配合20重量份左右以下，进一步优选配合0.1重量份～20重量份。此外，在粘合剂中，从防劣化等观点出发，也可以根据需要使用除上述成分之外的各种粘合赋予剂、抗老化剂等添加剂。
作为构成粘合剂层52的粘合剂，优选放射线固化型粘合剂。作为放射线固化型粘合剂，可例示在前述的粘合剂中配合有放射线固化性的单体成分或放射线固化性的低聚物成分的添加型的放射线固化型粘合剂。
作为配合的放射线固化性的单体成分，可列举例如：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4－丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。这些单体成分可以使用1种或并用2种以上。
另外，放射线固化性的低聚物成分可列举聚氨酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，但其分子量为100～30000左右的范围的物质是适当的。放射线固化性的单体成分或低聚物成分的配合量可以根据上述粘合剂层的种类适当地确定能够降低粘合剂层的粘合力的量。一般而言，相对于构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物100重量份，例如为5重量份～500重量份，优选为70重量份～150重量份左右。
另外，作为放射线固化型粘合剂，除上述添加型的放射线固化型粘合剂之外，也可列举使用在聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳-碳双键的物质作为基础聚合物的内在型的放射线固化型粘合剂。内在型的放射线固化型粘合剂无需含有作为低分子成分的低聚物成分等，或因不大量含有而使低聚物成分等不会经时地在粘合剂中移动，可以形成稳定的层结构的粘合剂层，因此优选。
具有碳-碳双键的基础聚合物无特别限制，能使用具有碳-碳双键、且具有粘合性的物质。作为这样的基础聚合物，优选以丙烯酸系聚合物为基本骨架的聚合物。作为丙烯酸系聚合物的基本骨架，可列举上述例示的丙烯酸系聚合物。
在丙烯酸系聚合物中引入碳－碳双键的引入法并无特别限制，可以采用各种各样的方法，但是在聚合物侧链引入碳－碳双键的方法在分子设计上较为容易。可列举出例如以下方法：预先在丙烯酸系聚合物上共聚具有官能团的单体后，将具有可与该官能团反应的官能团和碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的放射线固化性的状态下进行缩合或加成反应。
作为这些官能团的组合的实例，可列举：羧酸基和环氧基、羧酸基和氮丙啶基、羟基和异氰酸酯基等。在这些官能团的组合中，从反应追踪的容易程度出发，优选羟基和异氰酸酯基的组合。另外，只要是利用这些官能团的组合生成上述具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物的组合，则官能团可以为丙烯酸系聚合物和上述化合物的任一侧，但上述的优选的组合中，优选丙烯酸系聚合物具有羟基、上述化合物具有异氰酸酯基的情况。该情况下，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，可列举例如：甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸系聚合物，可使用将上述例示的含羟基的单体或2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚等醚系化合物等进行共聚而形成的物质。
内在型的放射线固化型粘合剂可以单独使用上述具有碳-碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸系聚合物)，但也可以以不使特性变差的程度配合上述放射线固化性的单体成分或低聚物成分等光聚合性化合物。该光聚合性化合物的配合量相对于基础聚合物100重量份通常为30重量份以下的范围内，优选为0～10重量份的范围内。
在放射线固化型粘合剂中，优选在利用紫外线等使其固化的情况下含有光聚合引发剂。
在上述的丙烯酸系聚合物中，特别优选含有CH2＝CHCOOR(式中，R为碳数为4～18的烷基。)所示的丙烯酸酯、含羟基的单体和在分子内具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物而构成的丙烯酸系聚合物A。
若丙烯酸烷基酯的烷基的碳数小于4，则有时极性高且剥离力过大而拾取性降低。另一方面，若丙烯酸烷基酯的烷基的碳数超过18，则粘合剂层52的玻璃化转变温度过高，常温下的粘接特性降低，其结果为有时在切割或扩展时发生金属层3的剥离。
上述丙烯酸系聚合物A根据需要可以含有与其他单体成分对应的单元。
在丙烯酸系聚合物A中，使用具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物。即，丙烯酸聚合物优选具有使含双键的异氰酸酯化合物与基于上述丙烯酸酯或含羟基的单体等单体组合物的聚合物发生加成反应后的构成。因此，丙烯酸系聚合物优选在其分子结构内具有自由基反应性碳-碳双键。由此，能设为通过活性能量射线(紫外线等)的照射而固化的活性能量射线固化型粘合剂层(紫外线固化型粘合剂层等)，能使金属层3和粘合剂层的剥离力降低。
作为含双键的异氰酸酯化合物，可列举例如：甲基丙烯酰基异氰酸酯、丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。含双键的异氰酸酯化合物可以单独使用或组合使用2种以上。
另外，在活性能量射线固化型粘合剂中，为了调整活性能量射线照射前的粘合力、或活性能量射线照射后的粘合力，也可以适当地使用外部交联剂。作为外部交联方法的具体的方法，可列举添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交联剂等所谓的交联剂使其反应的方法。在使用外部交联剂的情况下，其使用量根据与应交联的基础聚合物的平衡以及根据作为粘合剂的使用用途来适当确定。一般而言，外部交联剂的使用量相对于上述基础聚合物100重量份为20重量份以下(优选为0.1重量份～10重量份)。进而，在活性能量射线固化型粘合剂中，除上述成分以外，可以根据需要进一步配合以往公知的各种增粘剂、抗老化剂、发泡剂等添加剂。
粘合剂层52的厚度无特别限制，能适当确定，一般而言，为5～200μm左右。另外，粘合剂层52可以由单层构成，也可以由多层构成。
＜金属层3＞
作为构成金属层3的金属，只要金属层3的拉伸强度为350MPa以上，就无特别限定，例如，从散热性、防止电子器件封装体8翘曲的方面出发，优选包含选自不锈钢、铝、铁、钛、锡、镍和铜构成的组中的至少1种。其中，从使导热性高且得到散热效果的观点出发，特别优选包含铜。另外，从防止电子器件封装体8翘曲的观点出发，特别优选包含铝。
金属层3优选由包含铜以及选自镍、铬、锆、锌、锡、钛、硅、铁、锰、镁、磷和钴构成的组中的1种或2种以上在内的合金构成。在金属层3由铜合金构成的情况下，铜的含有率优选为99.95％以下。另外，金属层3也可以由包含铝以及选自镍、铬、锆、锌、锡、镁、铜、锰、钛、硅、铁和钴构成的组中的1种或2种以上在内的合金构成。进而，金属层3还可以优选由不锈钢构成。不锈钢以铁为主成分并含有铬。不锈钢中，铁的含量为50％以上，铬的含量为10.5％以上，进一步优选为11％以上。通过使金属层3由这样的铜合金、铝合金或不锈钢构成，能提高拉伸强度。
若金属层3的拉伸强度为350MPa以上，则能抑制如下状况：在从粘合带拾取带粘接剂层的金属层时，因拾取装置的顶针的顶起而导致金属层变形从而产生顶针的痕迹。金属层3的拉伸强度一般无上限，但从薄膜加工性的观点出发，优选为1000MPa以下。金属层3的拉伸强度是遵照JIS Z 2241在25℃下测定的值。
金属层3优选热传导率为5W/(m·K)以上。若热传导率为5W/(m·K)以上，则散热性比密封材优异。若为85W/(m·K)以上，则散热性比晶圆还优异，因此更加优选。
金属层3的厚度为5μm以上且小于200μm。通过设为5μm以上，从而可以抑制因拾取装置的顶针的顶起使金属层变形而产生顶针的痕迹。另外，如果是小于200μm，则卷绕加工容易。
作为这样的金属层3，能够使用金属箔。
＜粘接剂层4＞
粘接剂层4是将粘接剂预先膜化的粘接剂层。
粘接剂层4至少由热固化性树脂来形成，优选至少由热固化性树脂和热塑性树脂来形成。
作为热塑性树脂，可列举例如天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸共聚物、乙烯－丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6－尼龙或6,6－尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或者氟树脂等。热塑性树脂可以单独使用或并用2种以上。在这些热塑性树脂中，在离子性杂质少且应力松弛性优异的方面，丙烯酸类树脂可以容易地确保半导体元件的可靠性，故特别优选，在兼顾挠性和强度且为高韧性的方面，苯氧基树脂可以容易地确保半导体元件的可靠性，故特别优选。
作为丙烯酸类树脂，并无特别限定，可列举以具有碳数30以下(优选碳数1～18)的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的1种或2种以上为成分的聚合物等。即，在本发明中，丙烯酸类树脂为还包含甲基丙烯酸类树脂的广义的含义。作为上述烷基，可列举例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2－乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
另外，作为用于形成丙烯酸类树脂的其他单体(除烷基的碳数为30以下的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体)，并无特别限定，可列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等各种含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体；(甲基)丙烯酸－2－羟乙酯、(甲基)丙烯酸－2－羟丙酯、(甲基)丙烯酸－4－羟丁酯、(甲基)丙烯酸－6－羟己酯、(甲基)丙烯酸－8－羟辛酯、(甲基)丙烯酸－10－羟癸酯、(甲基)丙烯酸－12－羟基月桂酯或丙烯酸(4－羟基甲基环己基)甲酯等各种含羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2－(甲基)丙烯酰胺基－2－甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基单体；或者2－羟乙基丙烯酰基磷酸酯等各种含磷酸基单体等。此外，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本发明的(甲基)全部为同样的含义。
另外，作为热固化性树脂，除环氧树脂、酚醛树脂以外，还可列举氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。热固化性树脂可以单独使用或并用2种以上。作为热固化性树脂，尤其合适的是较少含有使半导体元件腐蚀的离子性杂质等的环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，可以适合使用酚醛树脂。
作为环氧树脂，并无特别限定，可以使用例如：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚novolak型环氧树脂、邻甲酚novolak型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷型环氧树脂等二官能环氧树脂或多官能环氧树脂；或者乙内酰脲型环氧树脂、异氰脲酸三缩水甘油酯型环氧树脂或缩水甘油胺环氧树脂等环氧树脂。
作为环氧树脂，特别优选例示中的novolak型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷型环氧树脂。这是由于：这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，且耐热性等优异。
进而，酚醛树脂是作为环氧树脂的固化剂发挥作用的酚醛树脂，可列举例如：苯酚novolak树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚novolak树脂、叔丁基苯酚novolak树脂、壬基苯酚novolak树脂等novolak型树脂；resol型酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。酚醛树脂可以单独使用或并用2种以上。在这些酚醛树脂中，特别优选苯酚novolak树脂、苯酚芳烷基树脂。这是由于可以提高半导体装置的连接可靠性。
关于环氧树脂与酚醛树脂的配合比例，例如适合的是以使酚醛树脂中的羟基相对于环氧树脂成分中的每1当量环氧基成为0.5当量～2.0当量的方式来配合。更适合的是0.8当量～1.2当量。即，这是由于：若两者的配合比例在上述范围之外，则无法进行充分的固化反应，使环氧树脂固化物的特性容易劣化。
另外，也可以使用环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂。作为热固化促进催化剂，并无特别限制，可以从公知的热固化促进催化剂中适当选择使用。热固化促进催化剂可以单独使用或组合使用2种以上。作为热固化促进催化剂，可以使用例如胺系固化促进剂、磷系固化促进剂、咪唑系固化促进剂、硼系固化促进剂、磷－硼系固化促进剂等。
作为环氧树脂的固化剂，优选如上所述使用酚醛树脂，但是也能使用咪唑类、胺类、酸酐类等公知的固化剂。
粘接剂层4对电子器件等的被粘物9具有粘接性(密合性)这一点较为重要。为此，为了使粘接剂层4预先以一定程度交联，也可以添加与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能性化合物作为交联剂。由此使在高温下的粘接特性提高，可以实现耐热性的改善。
作为交联剂，并无特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，可列举例如异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、以及尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二酰亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等。作为交联剂，适合的是异氰酸酯系交联剂或环氧系交联剂。另外，上述交联剂可以单独使用或组合使用2种以上。
此外，在本发明中，也可以代替使用交联剂或在使用交联剂的同时利用电子射线或紫外线等的照射来实施交联处理。
在粘接剂层4中可以根据需要适当配合其他的添加剂。作为其他的添加剂，可列举例如填充剂(填料)、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕获剂、以及增量剂、抗老化剂、抗氧化剂、表面活性剂等。
作为填充剂，可以为无机填充剂、有机填充剂中的任一种，但较适合的是无机填充剂。通过配合无机填充剂等填充剂，从而可以对粘接剂层4实现导热性的提高、弹性模量的调节等。作为无机填充剂，可列举例如：二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化铝、氮化硅等陶瓷类；铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊料等金属或合金类；以及包含碳等的各种无机粉末等。填充剂可以单独使用或并用2种以上。作为填充剂，尤其适合的是二氧化硅或氧化铝，作为二氧化硅，特别适合的是熔融二氧化硅。此外，无机填充剂的平均粒径优选为0.001μm～80μm的范围内。无机填充剂的平均粒径例如可以利用激光衍射型粒度分布测定装置来测定。
填充剂(尤其是无机填充剂)的配合量相对于有机树脂成分优选为98重量％以下(0重量％～98重量％)，尤其在二氧化硅的情况下，适合的是0重量％～70重量％，在热传导或导电等的功能性无机填充剂的情况下，适合的是10重量％～98重量％。
另外，作为阻燃剂，可列举例如三氧化二锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。阻燃剂可以单独使用或并用2种以上。作为硅烷偶联剂，可列举例如β－(3,4－环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ－环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ－环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。硅烷偶联剂可以单独使用或并用2种以上。作为离子捕获剂，可列举例如水滑石类、氢氧化铋等。离子捕获剂可以单独使用或并用2种以上。
从粘接性和可靠性的观点出发，粘接剂层4特别优选含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)丙烯酸类树脂或苯氧基树脂、和(D)经表面处理后的无机填充材料。
通过使用(A)环氧树脂，从而得到高的粘接性、耐水性、耐热性。作为环氧树脂，可以使用上述公知的环氧树脂。(B)固化剂可以使用上述公知的固化剂。
(C)丙烯酸类树脂兼顾挠性和强度且为高韧性。优选的丙烯酸类树脂是Tg(玻璃化转变温度)为－50℃～50℃且将具有环氧基、缩水甘油基、醇性羟基、酚性羟基或羧基作为交联性官能团的单体聚合而得的含交联性官能团(甲基)丙烯酸共聚物。若进一步含有丙烯腈等而显示橡胶特性，则得到更高韧性。
另外，关于苯氧基树脂，苯氧基树脂的分子链长且与环氧树脂结构相似，在高交联密度的组合物中作为挠性材料发挥作用，并且赋予高韧性，因此得到高强度且坚韧的组合物。优选的苯氧基树脂是主骨架为双酚A型的苯氧基树脂，此外，还可列举双酚F型苯氧基树脂、双酚A/F混合型苯氧基树脂、溴化苯氧基树脂等市售的苯氧基树脂作为优选的苯氧基树脂。
作为(D)经表面处理后的无机填充材料，可列举用偶联剂表面处理后的无机填充剂。作为无机填充材料，可以使用上述公知的无机填充剂，但优选为二氧化硅、氧化铝。通过用偶联剂进行表面处理，从而使无机填充剂的分散性变得良好。因此，流动性优异，从而可以提高与金属层3的粘接力。另外，由于可以使无机填充剂进行高填充，因此可以降低吸水率，使耐湿性提高。
例如利用硅烷偶联剂对无机填充材料的表面处理通过以下方式来进行，即，利用公知的方法，使无机填充材料分散到硅烷偶联剂溶液中，由此使在无机填充剂的表面存在的羟基与硅烷偶联剂的烷氧基等水解基团水解得到的硅醇基反应，而在无机填充剂的表面生成Si－O－Si键。
粘接剂层4的厚度并无特别限制，从一般操作性的观点出发，优选为3μm以上，更优选为5μm以上，为了有助于半导体封装的薄型化，优选为150μm以下，更优选为100μm以下。粘接剂层4可以由单层构成，也可以由多层构成。
另外，粘接剂层4在B阶(未固化状态或半固化状态)下与金属层3的剥离力(23℃、剥离角度为180度、线速度为300mm/分钟)优选为0.3N以上。若剥离力小于0.3N，则在进行单片化(切割)时，存在粘接剂层4与金属层3之间发生剥离的风险。
粘接剂层4的吸水率优选为1.5vol％以下。吸水率的测定方法如下所示。即，以50×50mm的尺寸的粘接剂层4(膜状粘接剂)作为样品，使样品在真空干燥机中以120℃干燥3小时，使之在干燥器中自然冷却后，测定干燥质量，作为M1。将样品在室温下于蒸馏水中浸渍24小时后，将其取出，用滤纸擦拭样品表面，快速地称重，作为M2。吸水率按照下式(1)来计算。
吸水率(vol％)＝[(M2－M1)/(M1/d)]×100  (1)
在此，d为膜的密度。
若吸水率超过1.5vol％，则存在因所吸取的水分而在焊接回流时产生封装裂纹的风险。
粘接剂层4的饱和吸湿率优选为1.0vol％以下。饱和吸湿率的测定方法如下所示。即，以直径100mm的圆形的粘接剂层4(膜状粘接剂)作为样品，使样品在真空干燥机中以120℃干燥3小时，使之在干燥器中自然冷却后，测定干燥质量，作为M1。将样品在85℃、85％RH的恒温恒湿槽中吸湿168小时后，将其取出，快速称重，作为M2。饱和吸湿率按照下式(2)来计算。
饱和吸湿率(vol％)＝[(M2－M1)/(M1/d)]×100  (2)
在此，d为膜的密度。
若饱和吸湿率超过1.0vol％，则因回流时的吸湿而使蒸气压的值变高，存在无法得到良好的回流特性的风险。
粘接剂层4的残留挥发成分优选为3.0wt％以下。残留挥发成分的测定方法如下所示。即，以50×50mm的尺寸的粘接剂层4(膜状粘接剂)作为样品，测定样品的初始质量，作为M1，将样品在热风循环恒温槽中以200℃加热2小时后，进行称重，作为M2。残留挥发成分按照下式(3)来计算。
残留挥发分(wt％)＝[(M2－M1)/M1]×100  (3)
若残留挥发成分超过3.0wt％，则存在以下风险：因封装时的加热而使溶媒挥发，在粘接剂层4的内部产生空隙，从而产生封装裂纹。
金属层3的线膨胀系数相对于粘接剂层4的线膨胀系数的比率(金属层3的线膨胀系数/粘接剂层4的线膨胀系数)优选为0.2以上。若该比率小于0.2，则存在如下风险：金属层3与粘接剂层4之间容易发生剥离，封装时会产生封装裂纹，可靠性下降。
接着，对本实施方式涉及的电子器件封装用带1的制造方法进行说明。首先，准备长条的金属层3。作为金属层3，只要使用市售的金属箔即可。接着，如图4的(A)所示，在长条的基材带2的粘合面上使用贴合辊r等贴合金属层3。
另行形成长条膜状的粘接剂层4。就粘接剂层4而言，可以制备树脂组合物，利用形成于膜状的层的惯用的方法来形成。具体而言，可列举例如在适当的隔膜(剥离纸等)上涂布上述树脂组合物并进行干燥(在需要热固化的情况等下，根据需要实施加热处理并进行干燥)，形成粘接剂层4的方法等。上述树脂组合物可以为溶液，也可以为分散液。
接着，如图4的(B)所示，在贴合于基材带2的金属层3上使用贴合辊r等贴合从隔膜上剥离的粘接剂层4。
此外，上述中，在基材带2上贴合了金属层3之后，在金属层3上贴合粘接剂层4，但是也可以在贴合金属层3和粘接剂层4之后将金属层3侧的面贴合于基材带2。
接着，如图4的(C)所示，使用铡切刀等将粘接剂层4和金属层3预切割成给定形状(在此为圆形形状)，如图4的(D)所示，将边缘的不需要部分6从基材带2剥离去除。此时，也可以使用外缘为圆形形状且格子状的铡切刀将粘接剂层4和金属层3预先单片化为与半导体芯片C对应的尺寸等给定尺寸。
此外，作为在基材带2上形成给定形状的金属层3及粘接剂层4的方法，并不限定于上述，既可以将长条的金属层3贴合于长条的基材带2，冲切成给定形状而去除不需要部分6之后，在给定形状的金属层3上贴合以给定形状形成的粘接剂层4，也可以将预先分别以给定形状形成的金属层3和粘接剂层4贴合于基材带2，从制造工序的简便性出发，优选利用上述的图4的(A)～(D)所示的工序来制造。
另外，另行制作粘合带5。基材膜可以通过现有公知的制膜方法进行制膜。作为该制膜方法，可以例示例如压延机制膜法、有机溶媒中的铸造法、密闭体系中的吹胀挤压法、T型模挤压法、共挤压法、干层压法等。接着，在基材膜上涂布粘合剂组合物并使其干燥(根据需要使其加热交联)而形成粘合剂层。作为涂布方式，可列举辊涂、丝网涂敷、凹版涂敷等。此外，可以将粘合剂组合物直接涂布于基材膜，在基材膜上形成粘合剂层，另外，也可以将粘合剂组合物涂布于在表面进行了剥离处理的剥离纸而形成粘合剂层之后，使该粘合剂层转印于基材膜。由此，制作在基材膜上形成有粘合剂层的粘合带5。
之后，如图5的(A)所示，在设置于基材带2上的给定形状的金属层3和粘接剂层4的粘接剂层4侧的面上以粘合带5的粘合剂层52侧的面相接的方式层压粘合带5。
接着，如图5的(B)所示，使用铡切刀将粘合带5预切割成给定形状，如图5的(C)所示，通过将周边的不需要部分7从基材带2剥离而去除，从而制作电子器件封装用带1。此外，之后，可以剥离用于预切割加工的基材带2，将公知的隔膜与粘合带5的粘合剂层52贴合。
＜使用方法＞
接着，参照图6～图8对使用本实施方式的电子器件封装用带1制造电子器件封装体8的方法进行说明。此外，在本实施方式中，作为电子器件封装体8，以倒装连接于被粘物9上的半导体芯片C为例进行说明。
[半导体晶圆W的安装工序]
首先，准备与本发明的电子器件封装用带1的粘合带5同样的分体的切割带D，在该切割带D上的中央部如图6的(A)所示地贴合半导体晶圆W，使其保持粘着并固定(半导体晶圆W的安装工序)，同时在切割带D的周边部贴合环框架R。此时，切割带D贴合于半导体晶圆W的背面。半导体晶圆W的背面是指与电路面相反侧的面(也称作非电路面、非电极形成面等)。贴合方法并无特别限定，但优选基于加热压接的方法。通常边利用压接辊等挤压单元进行挤压边进行压接。
[半导体晶圆W的切割工序]
接着，如图6的(B)所示，进行半导体晶圆W的切割。由此，将半导体晶圆W切成给定的尺寸而单片化(小片化)，制造半导体芯片C。切割例如从半导体晶圆W的电路面侧按照常规方法进行。另外，在本工序中，例如可以采用将切入至粘合带5的称作全切的切割方式等。作为本工序中使用的切割装置，并无特别限定，可以使用现有公知的切割装置。此外，在进行粘合带D的扩展的情况下，该扩展可以使用现有公知的扩展装置来进行。
[半导体芯片C的拾取工序]
如图6的(C)所示，进行半导体芯片C的拾取，使半导体芯片C从切割带D剥离。作为拾取的方法，并无特别限定，可以采用现有公知的各种方法。例如，将贴合有半导体芯片C和环框架R的切割带D使基材膜侧朝下地载置于拾取装置的台S上，在固定有环框架R的状态下使中空圆柱形状的顶抵构件T上升，将切割带D扩张。在该状态下，可列举将每个半导体芯片C从切割带D的基材膜侧利用针N顶起，将被顶起的半导体芯片C利用拾取装置拾取的方法等。
[倒装片连接工序]
拾取的半导体芯片C如图6的(D)所示利用倒装片接合方式(倒装片安装方式)使其固定于基板等被粘物9。具体而言，使半导体芯片C以半导体芯片C的电路面(也称为表面、电路图案形成面、电极形成面等)与被粘物9对置的形态按照常规方法固定于被粘物9。例如，首先，使助焊剂附着于在半导体芯片C的电路面侧形成的作为连接部的凸块10。接着，一边使半导体芯片C的凸块10与附着于被粘物9的连接焊盘的接合用的导电材料11(焊料等)接触并挤压，一边使凸块10和导电材料11熔融，由此可以确保半导体芯片C和被粘物9的电导通，使半导体芯片C固定于被粘物9(倒装芯片焊接工序)。此时，在半导体芯片C与被粘物9之间形成有空隙，其空隙间距离一般而言为30μm～300μm左右。将残存于半导体芯片C和被粘物9的对置面或间隙的助焊剂进行清洗去除。
作为被粘物9，可以使用引线框、电路基板(布线电路基板等)等各种基板。作为这样的基板的材质，并无特别限定，可列举陶瓷基板、塑料基板。作为塑料基板，可列举例如环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板、聚酰亚胺基板等。另外，通过以其他半导体芯片作为被粘物9，并且将上述半导体芯片C进行倒装连接，从而也可以制成片上芯片(Chip on Chip)结构。
接着，如图7的(A)所示，将本实施方式涉及的电子器件封装用带1的基材带2剥离而使金属层3和粘合带5的粘合剂层52露出，将粘合剂层52的周边部固定于环框架R。
接着，如图7的(B)所示，将金属层3和粘接剂层4切割成与半导体芯片C对应的大小而单片化。切割可以利用与上述的半导体晶圆W的切割工序同样的工序来进行。此外，在进行将金属层3和粘接剂层4预先单片化的预切割加工的情况下，不进行本工序。
接着，如图7的(C)所示，将单片化后的金属层3和粘接剂层4拾取而使其从粘合带5剥离。拾取可以利用与上述的半导体芯片C的拾取工序同样的工序来进行。
接着，将所拾取的金属层3和粘接剂层4的粘接剂层4侧如图8所示那样贴合于倒装连接的半导体芯片C的背面。之后，使密封材(密封树脂等)填充于带金属层3的半导体芯片C的边缘以及半导体芯片C与被粘物9的间隙中进行密封。密封按照常规方法来进行。此时，由于在半导体芯片C的背面设有金属层3，因此在倒装片接合工序中由半导体芯片C与被粘物9的热膨胀率差产生的翘曲被半导体芯片C与金属层3的热膨胀率差相抵消。另外，由于在半导体芯片C的背面设有金属层3，因此作为电子器件的使用时的发热通过金属层3被散热。
此外，在上述中，对将金属层3经由粘接剂层4直接设置于半导体芯片C的背面、且金属层3也与半导体芯片C一起密封的封装结构进行了说明，也可以将半导体芯片C密封后在密封体的上表面经由粘接剂层4设置金属层3。电子器件封装体8在密封时也发生翘曲，因此通过在密封体的上表面设置金属层3，从而可以抵消密封时的翘曲。
此外，在上述中，作为电子器件封装体8，以倒装连接于被粘物9上的半导体芯片C为例进行了说明，但是并不限定于此，例如，也可以在半导体芯片上层叠有相同尺寸的其他半导体芯片的电子器件封装结构中使用本发明的电子器件封装用带1的金属层3作为两芯片间的间隔件，从而经由粘接剂层4在下侧的半导体芯片上设置金属层3。
另外，在本实施方式中，虽然按照粘合剂层52、粘接剂层4、金属层3的顺序进行了设置，但是也可以按照粘合剂层52、金属层3、粘接剂层4的顺序进行设置。在此情况下，还能在粘接剂层4上粘合半导体晶圆，将半导体晶圆及金属层3及粘接剂层4进行切割，并将它们一起拾取。但也可以与上述同样，将半导体晶圆及金属层3及粘接剂层4各自单独切割后进行拾取，在对半导体芯片进行倒装片连接后，在半导体芯片上通过粘接剂层4来粘接金属层3，在此情况下，由于金属层3的拉伸强度为350MPa以上，因此能不产生顶针的痕迹而将金属层3和粘接剂层4从粘合带5拾取。
＜实施例＞
接着，为了进一步明确本发明效果，而对实施例和比较例进行详细地说明，但是，本发明并不限定于这些实施例。
(1)粘合带的制作
＜粘合剂组合物(1)＞
作为具有官能团的丙烯酸系共聚物(A1)，制备包含丙烯酸丁酯、丙烯酸2－乙基己酯、丙烯酸2－羟乙酯和丙烯酸且丙烯酸2－乙基己酯的比率为50摩尔％、质均分子量为65万、玻璃化转变温度为－60℃、羟值为25mgKOH/g、酸值为6mgKOH/g的丙烯酸系共聚物(a－1)。
使相对于上述丙烯酸系共聚物(a－1)100质量份加入有作为多异氰酸酯的Coronate L(东曹株式会社制)8质量份的混合物溶解于乙酸乙酯并搅拌，制备出粘合剂组合物(1)。
作为基材膜，制作以下的基材膜。
＜基材膜(1)＞
将乙烯－甲基丙烯酸共聚物的树脂颗粒在200℃下熔融，使用挤出机成形为厚度150μm的长条膜状，制作成基材膜(1)。乙烯－甲基丙烯酸共聚物使用DuPont-MitsuiPolychemicals株式会社制的NUCREL NO35C(商品名)。
＜粘合带(1)＞
在由经脱模处理后的聚乙烯－对苯二甲酸酯膜构成的剥离衬垫以使干燥后的厚度达到10μm的方式涂敷上述粘合剂组合物(1)，使其在110℃干燥3分钟，制成粘合剂层后，与上述基材膜(1)贴合，制作成粘合带(1)。
(2)粘接剂层的制作
＜粘接剂层(1)＞
使双酚A型苯氧基树脂(新日铁住金化学株式会社制、商品名“YP－50S”、Mw6万、Tg84℃)28质量份和固体双酚A型环氧树脂(新日铁住金化学株式会社制、商品名“YD－011”、Mw1000、环氧当量450)55质量份、液体双酚A型环氧树脂(新日铁住金化学株式会社、商品名“YD－128”、Mw400、环氧当量190)49质量份、作为固化剂的咪唑(四国化成工业株式会社制、商品名“2PHZ－PW”)9质量份、二氧化硅填料(株式会社Admatechs制、商品名“SO－C2”、平均粒径0.5μm)74质量份溶解或分散于甲乙酮中，制备成粘接剂组合物溶液。在经硅酮脱模处理的厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜所构成的脱模处理膜(剥离衬垫)上涂敷该粘接剂组合物溶液后，以130℃干燥了5分钟。由此，制作了厚度为20μm的粘接剂层(1)。
作为金属层，准备了以下的金属层。
＜金属层(1)＞
压延铜箔(株式会社UACJ制、韧性铜箔(tough pitch copper foil)、厚度18μm、拉伸强度450MPa、391W/m·K)
＜金属层(2)＞
C18040(株式会社UACJ制、铜合金箔、厚度18μm、拉伸强度658MPa、322W/m·K)
＜金属层(3)＞
样品A(铝合金箔、厚度20μm、拉伸强度356MPa、110W/m·K)
＜金属层(4)＞
SUS304(新日铁住金材料株式会社(NIPPON STEEL&SUMIKIN MATERIALS CO.,LTD)制、不锈钢箔、厚度20μm、拉伸强度1225MPa、16.3W/m·K)
＜金属层(5)＞
F0－WS(古河电气工业株式会社制、铜箔、厚度18μm、拉伸强度310MPa、378W/m·K)
＜金属层(6)＞
1085(株式会社UACJ制、铝箔、厚度20μm、拉伸强度180MPa、221W/m·K)
＜样品A＞
将含有0.27质量％的Si、0.31质量％的Fe、0.02质量％的Cu、1.1质量％的Mn、0.51质量％的Mg、0.01质量％的Ti以及残余部由Al构成的铝合金通过熔解、半连续铸造法进行造块而得到的铸块以480℃的温度均质化处理5h后，在450～260℃的温度范围进行热间压延，从而得到厚度为3mm的热间压延板。在将热间压延板冷间压延至厚度0.5mm后，实施使用急速加热炉以400℃的温度保持1分钟、并以20℃/s的冷却速度进行冷却的中间热处理，在中间热处理以后，重复冷间压延而制成20μm的铝合金箔。
(5)电子器件封装用带的制作
＜实施例1＞
将上述的形成在剥离衬垫上的粘接剂层(1)和金属层(1)在贴合角度120°、压力0.2MPa、速度10mm/s的条件下贴合而制作成单面粘接膜。以能够将粘合带(1)贴合于环框架的方式将单面粘接膜预切割成比粘合带(1)小的圆形形状。将上述单面粘接膜的剥离了脱模处理膜而露出的粘接剂层(1)侧和上述粘合带(1)的粘合剂层以在单面粘接膜的周围露出粘合剂层的方式贴合，制作成如图1所示的实施例1涉及的电子器件封装用带。
＜实施例2～4、比较例1～2＞
除了将粘合带、粘接剂组合物、金属层的组合设为表1记载的组合以外，利用与实施例1同样的方法，制作了实施例2～4、比较例1～2的电子器件封装用带。
对实施例1～4和比较例1～2涉及的电子器件封装用带进行了以下的评价。其结果如表1所示。
(顶针痕迹抑制)
将上记实施例和比较例的各样品的电子器件封装用带的金属层和粘接剂层以能制成5mm×5mm的大小的单片样品的方式进行了切割。之后，从基材膜侧利用空气冷却式高压汞灯(80W/cm、照射距离10cm)对粘合剂层照射200mJ/cm2的紫外线。对100个电子器件封装用带中央部的单片样品，使用CANON MACHINERY株式会社制的芯片拾取装置(商品名“CAP－300II”)，进行拾取试验，确认了在金属层上有无顶针痕迹。在所拾取的金属层中，将以目视未观察到顶针的痕迹的样品设为成功样品，算出顶针痕迹的抑制成功率。在该计算结果中，将成功率为90％以上的样品设为合格品并评价为○、将成功率小于90％的样品设为不合格品并评价为×。评价结果如表1所示。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 比较例1 比较例2
粘合带 (1) (1) (1) (1) (1) (1)
粘接剂层 (1) (1) (1) (1) (1) (1)
金属层 (1) (2) (3) (4) (5) (6)
拉伸强度[Mpa] 450 658 356 1225 310 180
热传导率[W/mK] 391 322 110 16.3 378 221
顶针痕迹抑制 ○ ○ ○ ○ × ×
如表1所示，就实施例1～4涉及的电子器件封装用带而言，金属层的拉伸强度为356MPa以上，符合本发明技术方案规定的350MPa以上，因此在顶针痕迹抑制评价中呈现良好的结果。
与此相对，就比较例1～2涉及的电子器件封装用带而言，金属层的拉伸强度小于350MPa，因此在顶针痕迹抑制评价中呈现低劣的结果。
(标号说明)
1：电子器件封装用带
2：基材带
3：金属层
4：粘接剂层
5：粘合带
5a：标签部
5b：周边部

Claims (10)

1.一种电子器件封装用带，具有：
粘合带，其具有基材膜和粘合剂层；和
粘接剂层与金属层所构成的层叠体，其被设置为层叠于所述粘合剂层的与所述基材膜相反的一侧，
按照所述粘合剂层、所述金属层以及所述粘接剂层的顺序设置，
所述粘接剂层在B阶下，在23℃、剥离角度180度、线速度300mm/分钟下与所述金属层的剥离力为0.3N以上，
所述金属层的拉伸强度为350MPa以上。
2.根据权利要求1所述的电子器件封装用带，其特征在于，所述金属层含有铜或铝。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件封装用带，其特征在于，所述金属层的铜的含量为99.95％以下。
4.根据权利要求1或2所述的电子器件封装用带，其特征在于，所述金属层是铜合金箔或铝合金箔。
5.根据权利要求1或2所述的电子器件封装用带，其特征在于，
所述金属层由合金构成，所述合金包含铜以及选自镍、铬、锆、锌、锡、钛、硅、铁、锰、镁、磷和钴构成的组中的1种或2种以上。
6.根据权利要求1或2所述的电子器件封装用带，其特征在于，
所述金属层由合金构成，所述合金包含铝以及选自镍、铬、锆、锌、锡、镁、铜、锰、钛、硅、铁和钴构成的组中的1种或2种以上。
7.根据权利要求1或2所述的电子器件封装用带，其特征在于，
所述金属层由不锈钢构成。
8.根据权利要求1或2所述的电子器件封装用带，其特征在于，
所述金属层的热传导率为5W/(m·K)以上。
9.根据权利要求1或2所述的电子器件封装用带，其特征在于，
所述粘接剂层含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)丙烯酸类树脂或苯氧基树脂、以及(D)经表面处理后的无机填充材料。
10.根据权利要求1或2所述的电子器件封装用带，其特征在于，
所述粘合剂层含有丙烯酸系聚合物，所述丙烯酸系聚合物构成为包含CH2＝CHCOOR所示的丙烯酸酯、含羟基的单体和在分子内具有自由基反应性碳－碳双键的异氰酸酯化合物，其中，在式CH2＝CHCOOR中，R为碳数4～18的烷基。
CN201680083855.2A 2016-03-31 2016-11-25 电子器件封装用带 Active CN108885980B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016072251A JP6429824B2 (ja) 2016-03-31 2016-03-31 電子デバイスパッケージ用テープ
JP2016-072251 2016-03-31
PCT/JP2016/084926 WO2017168827A1 (ja) 2016-03-31 2016-11-25 電子デバイスパッケージ用テープ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108885980A CN108885980A (zh) 2018-11-23
CN108885980B true CN108885980B (zh) 2023-04-07

Family

ID=59963823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680083855.2A Active CN108885980B (zh) 2016-03-31 2016-11-25 电子器件封装用带

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JP6429824B2 (zh)
KR (1) KR20180129789A (zh)
CN (1) CN108885980B (zh)
MY (1) MY187765A (zh)
SG (1) SG11201807407SA (zh)
TW (1) TWI624885B (zh)
WO (1) WO2017168827A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6440657B2 (ja) * 2016-07-27 2018-12-19 古河電気工業株式会社 電子デバイス用テープ
SG11201906507PA (en) * 2018-03-28 2019-11-28 Furukawa Electric Co Ltd Tape for semiconductor processing
JP6535118B1 (ja) * 2018-03-28 2019-06-26 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ
KR20210138263A (ko) * 2020-05-12 2021-11-19 삼성전자주식회사 반도체 칩 실장용 테이프 및 상기 테이프를 이용한 반도체 패키지 제조 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4954569B2 (ja) * 2006-02-16 2012-06-20 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP4157898B2 (ja) * 2006-10-02 2008-10-01 株式会社神戸製鋼所 プレス打ち抜き性に優れた電気電子部品用銅合金板
JP2008124141A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着フィルム
JP2010120239A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Nippon Steel Chem Co Ltd 金属張積層体およびその製造方法
WO2011065252A1 (ja) * 2009-11-30 2011-06-03 電気化学工業株式会社 粘着シート及び電子部品
JP5762556B2 (ja) * 2010-12-17 2015-08-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ヒートシール、及び電子部品をパッケージングするためのカバーテープ
JP6418756B2 (ja) * 2013-02-28 2018-11-07 善治 堀田 アルミニウム合金導体の製造方法及びアルミニウム合金導体を用いた電線の製造方法
JP5909606B1 (ja) * 2014-07-22 2016-04-26 新日鐵住金株式会社 蓄電デバイス容器用鋼箔、蓄電デバイス用容器及び蓄電デバイス、並びに蓄電デバイス容器用鋼箔の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
MY187765A (en) 2021-10-20
WO2017168827A1 (ja) 2017-10-05
TWI624885B (zh) 2018-05-21
JP2017183641A (ja) 2017-10-05
JP6429824B2 (ja) 2018-11-28
SG11201807407SA (en) 2018-09-27
TW201737369A (zh) 2017-10-16
CN108885980A (zh) 2018-11-23
KR20180129789A (ko) 2018-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108779375B (zh) 电子器件封装用带
CN109041575B (zh) 电子器件封装用带
CN107960133B (zh) 半导体加工用带
CN107004589B (zh) 切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法
JP6322026B2 (ja) ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
CN108076669B (zh) 电子器件封装用带
CN108885980B (zh) 电子器件封装用带
JP6852030B2 (ja) 電子デバイスパッケージ用テープ
CN107614641B (zh) 半导体加工用带
WO2017168824A1 (ja) 電子デバイスパッケージ、電子デバイスパッケージの製造方法、および電子デバイスパッケージ用テープ
JP5219302B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP6935379B2 (ja) 電子デバイスパッケージ用テープ
JP6655576B2 (ja) 電子デバイスパッケージ用テープ
KR102593593B1 (ko) 전자 디바이스 패키지용 테이프
JP2021185610A (ja) 電子デバイスパッケージ用テープ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant