TW201421602A - 半導體裝置用薄膜的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半導體裝置用薄膜及使用該半導體裝置用薄膜而得到的半導體裝置，所述半導體裝置用薄膜即使在低溫狀態下輸送或長時間保存後，也可以防止各薄膜間的界面剝離或薄膜翹起現象、以及膠黏薄膜向覆蓋薄膜的轉印。一種半導體裝置用薄膜，其在切割薄膜上依次積層有膠黏薄膜和覆蓋薄膜，其中，在溫度23±2℃、剝離速度300mm/分鐘的條件下的T型剝離試驗中，所述膠黏薄膜與所述覆蓋薄膜之間的剝離力F1在0.025~0.075N/100mm的範圍內，所述膠黏薄膜與所述切割薄膜之間的剝離力F2在0.08~10N/100mm的範圍內，並且所述F1與所述F2滿足F1＜F2的關係。

Description

半導體裝置用薄膜的製造方法
本發明涉及將用於固著片狀工件(半導體晶片等)和電極構件的膠黏劑在切割前附著在工件(半導體晶圓等)的狀態下供給工件的切割的半導體裝置用薄膜。另外，本發明涉及使用所述半導體裝置用薄膜製造的半導體裝置。
形成有電路圖案的半導體晶圓，在根據需要經由背面研磨調節厚度後，切割為半導體晶片(切割工序)。然後，利用膠黏劑將所述半導體晶片固著到引線框等被黏物上(晶片黏貼工序)後，移送到接合工序。所述晶片黏貼工序中，將膠黏劑塗佈到引線框或半導體晶片上進行。但是，該方法中膠黏劑層難以均勻化，另外膠黏劑的塗佈需要特殊裝置和長時間。因此，提出了在切割工序中膠黏保持半導體晶圓、並且也提供安裝工序所需的晶片固著用膠黏劑層的切割/晶片接合薄膜(例如，參考日本特開昭60-57642號公報)。
所述公報中記載的切割/晶片接合薄膜，在基材上依次積層有黏合劑層和膠黏劑層，並且該膠黏劑層以可剝離的方式設置。即，在 膠黏劑層的保持下將半導體晶圓切割後，對基材進行拉伸而將半導體晶片與膠黏劑層一起剝離，將其逐個回收後經由該膠黏劑層固著到引線框等被黏物上。
這種切割/晶片接合薄膜，在高溫高濕的環境下放置或者在施加有負荷的狀態下長期保存時，有時產生固化。結果，導致膠黏劑層的流動性或對半導體晶圓的保持力下降、切割後的剝離性下降。因此，切割/晶片接合薄膜多數在-30~-10℃的冷凍或者-5~10℃的冷藏狀態下保存的同時進行輸送，由此可以實現薄膜特性的長期保存。
但是，現有的切割/晶片接合薄膜，由於製造工序上的制約，是經由在分別獨立製作切割薄膜和晶片接合薄膜後將兩者黏貼來製造。因此，在各薄膜製作工序中，從防止鬆弛或卷繞滑移(winding deviation)、位置偏移、空隙(氣泡)等產生的觀點考慮，在利用輥運送時，在對各薄膜施加拉伸張力的同時進行其製作。結果，製作的切割/晶片接合薄膜上殘留有殘留應力，由此，存在下述問題：在前述的低溫狀態下輸送或長時間保存後，在黏合劑層與膠黏劑層的界面處產生兩者的剝離。另外，由於切割/晶片接合薄膜的收縮，還存在例如在膠黏劑層上設置的覆蓋薄膜產生薄膜翹起現象的問題。另外，還存在膠黏劑層的一部分轉印到覆蓋薄膜上的問題。
專利文獻1：日本特開昭60-57642號公報
本發明的目的在於提供一種半導體裝置用薄膜及使用該半 導體裝置用薄膜而得到的半導體裝置，所述半導體裝置用薄膜在切割薄膜上依次積層有膠黏薄膜和覆蓋薄膜，即使在低溫狀態下輸送或者長時間保存後，也可以防止各薄膜間的界面剝離或薄膜翹起現象、以及膠黏薄膜向覆蓋薄膜的轉印。
本發明人為了解決所述現有問題，對半導體裝置用薄膜以及使用該薄膜得到的半導體裝置進行了研究。結果發現，經由採用下述構成可以實現所述目的，從而完成了本發明。
即，本發明的半導體裝置用薄膜，為了解決所述問題，其在切割薄膜上依次積層有膠黏薄膜和覆蓋薄膜，其特徵在於，在溫度23±2℃、剝離速度300mm/分鐘的條件下的T型剝離試驗中，所述膠黏薄膜與所述覆蓋薄膜之間的剝離力F1在0.025~0.075N/100mm的範圍內，所述膠黏薄膜與所述切割薄膜之間的剝離力F2在0.08~10N/100mm的範圍內，並且所述F1與所述F2滿足F1<F2的關係。
半導體裝置用薄膜，從防止鬆弛或捲繞滑移、位置偏移、空隙(氣泡)等產生的觀點考慮，在對切割薄膜、膠黏薄膜、覆蓋薄膜施加拉伸張力的同時進行製造。結果，半導體裝置用薄膜，在構成該半導體裝置用薄膜的任意一個薄膜上存在殘留應變的狀態下進行製造。該拉伸殘留應變，例如在-30~-10℃的冷凍或者-5~10℃的低溫狀態下輸送或長時間保存時，在各薄膜中引起收縮。另外，由於各薄膜的物性不同，因此收縮的程度也不同。例如，切割薄膜在各薄膜中收縮程度最大，覆蓋薄膜的收縮程度最小。結果，在切割薄膜與膠黏薄膜 之間產生界面剝離，或者引起覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。
本申請發明採用如下構成：使膠黏薄膜與覆蓋薄膜之間的剝離力F1在0.025~0.075N/100mm的範圍內，使膠黏薄膜與切割薄膜之間的剝離力F2在0.08~10N/100mm的範圍內，並且滿足F1<F2的關係。如前所述，由於各薄膜中切割薄膜的收縮最大，因此經由使膠黏薄膜與切割薄膜間的剝離力F2大於膠黏薄膜與覆蓋薄膜間的剝離力F1，可以抑製收縮率最大的切割薄膜的收縮，從而防止切割薄膜與膠黏薄膜間的界面剝離或覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。另外，也可以防止膠黏薄膜的一部分或全部轉印到覆蓋薄膜上。
前述構成中，所述切割薄膜、膠黏薄膜或覆蓋薄膜中的至少任意一個薄膜可以存在拉伸殘留應變。所述“拉伸殘留應變”，是指對切割薄膜、膠黏薄膜或覆蓋薄膜沿其長度方向(即薄膜的機械方向(machine direction，MD))或寬度方向(與長度方向正交的橫方向(transverse direction，TD))施加拉伸張力而殘留的應變。
另外，前述構成中，優選所述膠黏薄膜中的膠黏劑組合物的玻璃轉移溫度在-20~50℃的範圍內。經由使膠黏劑組合物的玻璃轉移溫度在-20℃以上，可以抑製B階(B-Stage)狀態下膠黏薄膜的黏性增大，可以保持良好的操作性。另外，可以防止切割時切割薄膜的一部分熔融而使黏合劑附著到半導體晶片上。結果，可以保持半導體晶片的良好拾取性。另一方面，經由使玻璃轉移溫度為50℃以下，可以防止膠黏薄膜的流動性下降。另外，也可以保持與半導體晶圓的良好膠黏性。另外，膠黏薄膜為熱固型時，膠黏劑組合物的玻璃轉移溫度是 指熱固化前的玻璃轉移溫度。
另外，前述構成中，優選所述膠黏薄膜為熱固型，熱固化前的23℃下的拉伸彈性模量在50~2000MPa的範圍內。經由使所述拉伸儲能彈性模量為50MPa以上，可以防止切割時黏合劑層的一部分熔融而使黏合劑附著到半導體晶片上。另一方面，經由使拉伸儲能彈性模量為2000MPa以下，可以保持與半導體晶圓或襯底的良好膠黏性。
前述構成中，優選在所述切割薄膜中，在基材上積層有紫外線固化型的黏合劑層，所述黏合劑層的紫外線固化後的23℃下的拉伸彈性模量在1~170MPa的範圍內。經由使切割薄膜的拉伸彈性模量為1MPa以上，可以保持良好的拾取性。另一方面，經由使拉伸彈性模量為170MPa以下，可以防止切割時發生晶片飛散。
另外，本發明的半導體裝置，經由使用前述的半導體裝置用薄膜來製造。
根據本發明的半導體裝置用薄膜，經由使膠黏薄膜與覆蓋薄膜之間的剝離力F1在0.025~0.075N/100mm的範圍內，使膠黏薄膜與切割薄膜之間的剝離力F2在0.08~10N/100mm的範圍內，並且滿足F1<F2的關係，即使在-30~-10℃的冷凍或者-5~10℃的低溫狀態下輸送或長時間保存後，也可以防止由於拉伸殘留應變引起的各薄膜間的界面剝離或薄膜翹起現象、以及膠黏薄膜向覆蓋薄膜的轉印。結果，例如經由防止切割薄膜與膠黏薄膜間的界面剝離，可以防止半導體晶圓的切割時半導體晶片產生晶片飛散或者產生碎片。另外，經由防止覆蓋薄膜的薄膜翹起現象，可以防止將半導體晶圓安裝到膠黏薄膜上 時，膠黏薄膜與半導體晶圓之間產生空隙(氣泡)或折皺。即，根據本發明，能夠提供可以提高成品率來製造半導體裝置的半導體裝置用薄膜。
1‧‧‧切割/晶片接合薄膜
2‧‧‧覆蓋薄膜
10‧‧‧半導體裝置用薄膜
11‧‧‧切割薄膜
12‧‧‧晶片接合薄膜
13‧‧‧基材
14‧‧‧黏合劑層
21‧‧‧第一隔片
22‧‧‧基材隔片
23‧‧‧第二隔片
圖1是表示本發明的一個實施方式的半導體裝置用薄膜的示意剖面圖。
圖2(a)至圖2(c)是用於說明所述半導體裝置用薄膜的製造過程的示意圖。
以下，對本實施方式的半導體裝置用薄膜進行說明。
如圖1所示，本實施方式的半導體裝置用薄膜10，具有在切割/晶片接合薄膜1上積層有覆蓋薄膜2的結構。所述切割/晶片接合薄膜1，具有在切割薄膜11上積層有晶片接合薄膜12的結構，並且切割薄膜11具有在基材13上積層有黏合劑層14的結構。另外，晶片接合薄膜12相當於本發明的膠黏薄膜。
本發明的膠黏薄膜，可以作為晶片接合薄膜或倒裝晶片型半導體背面用薄膜使用。倒裝晶片型半導體背面用薄膜用於形成在被黏物(例如，引線框或電路板等各種襯底)上連接有倒裝晶片而得到的半導體元件(例如，半導體晶片)的背面。
本發明的半導體裝置用薄膜，具有在切割薄膜上依次積層有膠黏薄膜和覆蓋薄膜的構成。在切割薄膜上積層膠黏薄膜所得到的是帶有切割片的膠黏薄膜。膠黏薄膜為晶片接合薄膜時，帶有切割片的膠黏薄膜相當於切割/晶片接合薄膜。
所述晶片接合薄膜12與所述覆蓋薄膜2間的剝離力F1小於晶片接合薄膜12與切割薄膜11間的剝離力F2。半導體裝置用薄膜10，在其製造過程中，從防止鬆弛、捲繞滑移、位置偏移、空隙(氣泡)等產生的觀點考慮，經由在對切割薄膜11、晶片接合薄膜12及覆蓋薄膜2施加拉伸張力的同時進行積層來製造。因此，各薄膜存在拉伸殘留應變。該拉伸殘留應變，例如在-30~-10℃的冷凍或者-5~10℃的低溫狀態下輸送或者長時間保存時，在各薄膜中分別引起收縮。例如，切割薄膜的收縮程度最大，覆蓋薄膜的收縮程度最小。在此，本實施方式的半導體裝置用薄膜，經由使所述剝離力F1和F2滿足F1<F2的關係，可以防止各薄膜中的收縮差異所引起的薄膜間的界面剝離或覆蓋薄膜2的薄膜翹起現象。另外，也可以防止晶片接合薄膜12的一部分或者全部轉印到覆蓋薄膜2上。
所述晶片接合薄膜12與所述覆蓋薄膜2之間的剝離力F1優選在0.025~0.075N/100mm的範圍內，更優選在0.03~0.06N/100mm的範圍內，特別優選在0.035~0.05N/100mm的範圍內。剝離力F1低於0.025N/100mm時，例如，在-30~-10℃的冷凍或者-5~10℃的低溫狀態下輸送或者長時間保存時，晶片接合薄膜12和覆蓋薄膜2分別以不同的收縮率收縮，由此有時會產生覆蓋薄膜2的薄膜翹起現象。另外， 在半導體裝置用薄膜10等的運送中，有時會產生折皺、捲繞滑移或異物的混入。另外，在半導體晶圓的安裝時，有時在晶片接合薄膜12與半導體晶圓之間產生空隙(氣泡)。另一方面，剝離力F1大於0.075N/100mm時，晶片接合薄膜12與覆蓋薄膜2的密合性過強，因此在覆蓋薄膜2的剝離或收縮時，構成晶片接合薄膜12的膠黏劑(詳細情況如後所述)有時會轉印到覆蓋薄膜的一部分或整個面上。另外，所述剝離力F1的值，在晶片接合薄膜12為熱固型時，是指熱固化前的晶片接合薄膜12與覆蓋薄膜2之間的剝離力。
另外，所述晶片接合薄膜12與切割薄膜11之間的剝離力F2優選在0.08~10N/100mm的範圍內，更優選在0.1~6N/100mm的範圍內，特別優選在0.15~0.4N/100mm的範圍內。剝離力F2低於0.08N/100mm時，例如，在-30~-10℃的冷凍或者-5~10℃的低溫狀態下輸送或者長時間保存時，切割薄膜11和晶片接合薄膜12分別以不同的收縮率收縮，由此有時會在切割薄膜11與晶片接合薄膜12間產生界面剝離。另外，在半導體裝置用薄膜10等的運送中，有時產生折皺、捲繞滑移、異物的混入或空隙。另外，在切割半導體晶圓時，有時產生晶片飛散或碎片。另一方面，剝離力F2大於10N/100mm時，在半導體晶片的拾取時，晶片接合薄膜12與黏合劑層14之間難以剝離，有時引起半導體晶片的拾取不良。另外，有時構成黏合劑層14的黏合劑(詳細情況如後所述)在帶膠黏劑的半導體晶片上產生膠糊附著。另外，所述剝離力F2的數值範圍，也包括切割薄膜11中的黏合劑層為紫外線固化型、並且預先經由紫外線照射進行了一定程度的固化的 情況。另外，經由紫外線照射進行的黏合劑層的固化，可以在與晶片接合薄膜12黏貼前進行，也可以在黏貼後進行。
所述剝離力F1和F2的值，是在溫度23±2℃、剝離速度300mm/分鐘、夾盤間距100mm的條件下進行的T型剝離試驗(JIS K6854-3)的測定值。另外，作為拉伸試驗機，使用商品名“Autograph AGS-H”(株式會社島津製作所製)的拉伸試驗機。
所述切割薄膜11中的所述基材13，不僅是切割薄膜11的強度母體，而且是半導體裝置用薄膜10的強度母體。作為所述基材13，可以列舉例如：低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、丙烯無規共聚物、丙烯嵌段共聚物、丙烯均聚物、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚矽氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，黏合劑層14為紫外線固化型時，基材13優選採用上述例示的基材中具有具有紫外線透過性的基材。
另外，作為基材13的材料，可以列舉所述樹脂的交聯物等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸而使用，也可以根據需要進行單軸或雙軸拉伸處理後使用。利用經拉伸處理等而具有熱收縮性的樹脂 片，切割後經由使其基材13熱收縮而減小黏合劑層14與晶片接合薄膜12的膠黏面積，可以容易地回收半導體晶片。
為了提高與鄰接層的密合性和保持性等，基材13的表面可以進行慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離射線處理等化學或物理處理、底塗劑(例如，後述的黏合物質)的塗佈處理。
所述基材13可以適當選擇使用同種或異種材料，根據需要也可以將多種材料混合使用。另外，為了使基材13具有防靜電性能，可以在所述基材13上設置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度約30Å~約500Å的導電物質的蒸鍍層。基材13可以是單層也或者兩種以上的多層。
基材13的厚度沒有特別限制，可以適當設定，例如為約5μm~約200μm。只要具有能夠耐受晶片接合薄膜12因所述熱收縮而產生的張力的厚度，則沒有特別限制。
作為黏合劑層14的形成中使用的黏合劑，沒有特別限制，可以使用例如丙烯酸類黏合劑、橡膠類黏合劑等一般的壓敏黏合劑。作為所述壓敏黏合劑，從半導體晶片或玻璃等避忌污染的電子部件的超純水或醇等有機溶劑的清潔洗滌性等方面考慮，優選以丙烯酸類聚合物為基礎聚合物的丙烯酸類黏合劑。
作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉例如：使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異 辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數1~30、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷酯(例如，環戊酯、環己酯等)的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發明的“(甲基)”全部具有同樣的含義。
所述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力和耐熱性等，根據需要可以含有與能夠與所述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷酯共聚的其它單體成分對應的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺；丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量優選為全部單體成分的40重量%以下。
另外，所述丙烯酸類聚合物為了進行交聯根據需要也可以含有多官能單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能單體，可以 列舉例如：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體也可以使用一種或者兩種以上。多官能單體的使用量從黏合特性等觀點考慮優選為全部單體成分的30重量%以下。
所述丙烯酸類聚合物可以經由將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合而得到。聚合可以經由溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等的任意方式進行。從防止污染潔淨的被黏物等觀點考慮，優選低分子量物質的含量小。從該觀點考慮，丙烯酸類聚合物的重均分子量優選為約30萬以上、更優選約40萬至約300萬。
另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物等的重均分子量，所述黏合劑中也可以適當使用外部交聯劑。作為外部交聯方法的具體手段，可以列舉：添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺型交聯劑等所謂的交聯劑進行反應的方法。使用外部交聯劑的情況下，其使用量經由與欲交聯的基礎聚合物的平衡以及作為黏合劑的使用用途進行適當確定。一般相對於所述基礎聚合物100重量份優選配合約5重量份以下，更優選配合0.1~5重量份。另外，黏合劑中根據需要除所述成分之外還可以使用現有公知的各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。
黏合劑層14可以經由紫外線固化型黏合劑來形成。紫外線固化型黏合劑可以經由紫外線的照射使交聯度增大從而容易地使其黏合力下降，經由僅對黏合劑層14的與半導體晶圓黏貼部分對應的部分照射紫外線，可以設置與其它部分的黏合力差。
使所述黏合劑層14進行紫外線固化後，切割薄膜11的23℃下的拉伸彈性模量優選在1~170MPa的範圍內，更優選在5~100MPa的範圍內。經由使所述拉伸彈性模量為1MPa以上，可以保持良好的拾取性。另一方面，經由使拉伸彈性模量為170MPa以下，可以防止切割時產生晶片飛散。另外，所述紫外線照射優選例如以30~1000mJ/cm2的紫外線照射累積光量進行。經由將紫外線照射累積光量設定為30mJ/cm2以上，可以使黏合劑層14充分固化，可以防止與晶片接合薄膜12的過度密合。結果，在半導體晶片的拾取時，可以顯示良好的拾取性。另外，可以防止拾取後黏合劑層14的黏合劑附著(所謂的膠糊殘留)在晶片接合薄膜12上。另一方面，經由將紫外線照射累積光量設定為1000mJ/cm2以下，可以防止黏合劑層14的黏合力的極度下降，由此可以防止與晶片接合薄膜12間產生剝離而產生所安裝的半導體晶圓的脫落。另外，半導體晶圓的切割時，可以防止所形成的半導體晶片產生晶片飛散。
所述拉伸彈性模量的值經由以下方法測定。即，從切割薄膜11切出長10.0mm、寬2mm、截面積0.1~0.5mm2的試樣。在測定溫度23℃、夾盤間距50mm、拉伸速度50mm/分鐘的條件下對該試樣進行MD方向的拉伸試驗，測定該試樣伸長所引起的變化量(mm)。由此， 在所得S-S(應變-強度(strain-strength))曲線中，在初始上升部分作切線，用該切線上相當於100%伸長率時的拉伸強度除以切割薄膜11的截面積，將所得值作為拉伸彈性模量。
在此，晶片接合薄膜12可以為構成：與半導體晶圓的俯視圖中的形狀相符，僅在其黏貼部分形成。此時，經由按照晶片接合薄膜12的形狀使紫外線固化型黏合劑層14固化，可以容易地降低與半導體晶圓黏貼部分對應的部分的黏合力。由於晶片接合薄膜12黏貼在黏合力下降的所述部分，因此黏合劑層14的所述部分與晶片接合薄膜12的界面具有在拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的黏合力。
如前所述，所述黏合劑層14的由未固化的紫外線固化型黏合劑形成的所述部分與晶片接合薄膜12黏合，能夠確保切割時的保持力。這樣，紫外線固化型黏合劑，能夠以良好的膠黏/剝離平衡支撐用於將片狀半導體晶圓(半導體晶片等)固著到襯底等被黏物上的晶片接合薄膜12。僅在半導體晶圓黏貼部分積層有晶片接合薄膜12的情況下，在未積層晶片接合薄膜12的區域內固定貼片環(wafer ring)。
紫外線固化型黏合劑可以沒有特別限制地使用具有碳碳雙鍵等紫外線固化性官能團、並且顯示黏合性的黏合劑。作為紫外線固化型黏合劑，例如，可以例示在所述丙烯酸類黏合劑、橡膠類黏合劑等一般的壓敏黏合劑中配合有紫外線固化性單體成分或低聚物成分的添加型紫外線固化型黏合劑。
作為配合的紫外線固化性單體成分，可以列舉例如：氨基甲 酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性的低聚物成分可以列舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100至約30000的範圍內是適當的。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的配合量可以根據所述黏合劑層的種類適當確定能夠使黏合劑層的黏合力下降的量。一般而言，相對於構成黏合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約5重量份至約500重量份、優選約40重量份至約150重量份。
另外，作為紫外線固化型黏合劑，除前面說明過的添加型的紫外線固化型黏合劑以外，還可以列舉：使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型的紫外線固化型黏合劑。內在型的紫外線固化型黏合劑不需要含有或者多數不含有作為低分子成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會隨時間推移在黏合劑中移動，可以形成層結構穩定的黏合劑層，因而優選。
所述具有碳碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳碳雙鍵並且具有黏合性的基礎聚合物。作為這樣的基礎聚合物，優選以丙烯酸類聚合物為基本骨架的基礎聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示的丙烯酸類聚合物。
在所述丙烯酸類聚合物中引入碳碳雙鍵的方法沒有特別限 制，可以採用各種方法，從分子設計方面而言在聚合物側鏈中引入碳碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉：預先將具有官能團的單體與丙烯酸類聚合物共聚後，使具有能夠與該官能團反應的官能團及碳碳雙鍵的化合物在保持碳碳雙鍵的紫外線固化性的情況下與所得共聚物進行縮合或加成反應的方法。
作為這些官能團的組合例，可以列舉：羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能團的組合中，從容易跟蹤反應的觀點考慮，優選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，根據這些官能團的組合，如果是生成所述具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，則官能團可以在丙烯酸類聚合物和所述化合物的任意一個上，在所述優選組合的情況下，優選丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基。此時，作為具有碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如：甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚類化合物等共聚而得到的丙烯酸類聚合物。
所述內在型的紫外線固化型黏合劑，可以單獨使用所述具有碳碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的範圍內配合所述紫外線固化性的單體成分或低聚物成分。紫外線固化性的低聚物成分等通常相對於基礎聚合物100重量份在約30重量份的範圍內，優選0~10重量份的範圍。
在經由紫外線等固化時，所述紫外線固化型黏合劑中含有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如：4-(2-羥基乙氧基)苯基-(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2,2’-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2’-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯苯醯二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯類化合物；1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合引發劑的配合量相對於構成黏合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份例如為約0.05重量份至約20重量份。
所述紫外線固化型的黏合劑層14中，根據需要可以含有經紫外線照射會著色的化合物。經由在黏合劑層14中含有經紫外線照射會著色的化合物，可以僅使紫外線照射後的部分著色。由此，經由目視立即可以判斷黏合劑層14是否照射過紫外線，可以容易地識別半導體晶圓黏貼部分，從而容易進行半導體晶圓的黏貼。另外，經由光傳感器等檢測半導體元件時，其檢測精度提高，在半導體元件的拾取時不會產生誤操作。
經紫外線照射會著色的化合物，是在紫外線照射前為無色或淺色，經紫外線照射後變為有色的化合物。作為所述化合物的優選具體例，可以列舉無色(leuco)染料。作為無色染料，可以優選使用慣用的三苯基甲烷類、熒烷類、吩噻嗪類、金胺類、螺吡喃類等。具體而言，可以列舉：3-[N-(對甲苯氨基)]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-甲基氨基]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-乙基氨基]-7-苯胺基熒烷、3-二乙氨基-6-甲基-7-苯胺基熒烷、結晶紫內酯、4,4’,4”-三(二甲氨基)三苯基甲醇、4,4’,4”-三(二甲氨基)三苯基甲烷等。
作為優選與這些無色染料一起使用的顯色劑，可以列舉一直以來使用的酚醛樹脂的預聚物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等電子受體，另外，在使色調變化的情況下也可以組合使用各種發色劑。
這樣的經紫外線照射會著色的化合物，可以先溶解於有機溶劑等中後再添加到紫外線固化型膠黏劑中，或者也可以製成微粉末狀後添加到該膠黏劑中。該化合物的使用比例在黏合劑層14中優選為10重量%以下，更優選0.01~10重量%，進一步優選0.5~5重量%。該化合物的比例超過10重量%時，照射到黏合劑層14上的紫外線被該化合物過度地吸收，因此黏合劑層14的與半導體晶圓黏貼部分對應的部分的固化不充分，有時黏合力不能充分下降。另一方面，為了充分地著色，優選將該化合物的比例設定為0.01重量%以上。
另外，經由紫外線固化型黏合劑形成黏合劑層14時，可以使用將基材13的至少單面的、與半導體晶圓黏貼部分對應的部分以外的部分的全部或者一部分進行遮光的基材，在其上形成紫外線固化型 黏合劑層14後進行紫外線照射，使與半導體晶圓黏貼部分對應的部分固化，從而可以形成黏合力下降的所述部分。作為遮光材料，可以經由印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上製作能夠形成光掩模的遮光材料。經由該製造方法，可以高效地製造本發明的半導體裝置用薄膜10。
另外，照射紫外線時因氧而產生固化障礙時，優選經由某種方法從紫外線固化型黏合劑層14的表面隔絕氧(空氣)。可以列舉例如：用隔片將所述黏合劑層14的表面覆蓋的方法或者在氮氣氛圍中進行紫外線照射的方法等。
黏合劑層14的厚度沒有特別限制，從兼具防止晶片切割面的缺損和晶片接合薄膜的固定保持的功能等方面考慮，優選為約1μm至約50μm。優選2μm~30μm、更優選5μm~25μm。
所述晶片接合薄膜12是具有膠黏功能的層，作為其構成材料，可以組合使用熱塑性樹脂與熱固性樹脂，也可以單獨使用熱塑性樹脂。
晶片接合薄膜12中的膠黏劑組合物的玻璃轉移溫度優選在-20~50℃的範圍內，更優選在-10~40℃的範圍內。玻璃轉移溫度為-20℃以上時，可以防止B階狀態下的晶片接合薄膜12的黏性增大而導致其操作性下降。另外，半導體晶圓的切割時，可以防止由於與切割刀具的摩擦而產生熱熔融的膠黏劑附著在半導體晶片上從而引起拾取不良。另一方面，經由將玻璃轉移溫度設定為50℃以下，可以防止流動性或與半導體晶圓的密合性下降。在此，所述玻璃轉移溫度，是使用黏彈性測定裝置(Rheometric公司製，型號：RSA-II)，在-50℃~250℃ 的溫度範圍內，在頻率0.01Hz、應變0.025%、升溫速度10℃/分鐘的條件下測定時的Tanδ(G”(損耗彈性模量)/G’(儲能彈性模量))顯示極大值的溫度。
晶片接合薄膜12的固化前的23℃下的拉伸儲能彈性模量優選在50~2000MPa的範圍內，更優選在60~1000MPa的範圍內。經由將拉伸儲能彈性模量設定為50MPa以上，可以防止在半導體晶圓的切割時由於與切割刀具的摩擦而產生熱熔融的膠黏劑附著在半導體晶片上從而引起拾取不良。另一方面，經由將拉伸儲能彈性模量設定為2000MPa以下，可以使晶片接合薄膜與安裝的半導體晶圓或晶片接合的襯底等的密合性良好。
所述拉伸儲能彈性模量的值，是經由以下測定方法測定的值。即，在經脫模處理後的剝離襯墊上塗佈膠黏劑組合物的溶液並乾燥，形成厚度100μm的晶片接合薄膜12。將該晶片接合薄膜12在150℃的烘箱中放置1小時後，使用黏彈性測定裝置(Rheometric公司製，型號：RSA-II)，測定晶片接合薄膜12的固化後的200℃下的拉伸儲能彈性模量。更具體而言，準備長30.0mm×寬5.0mm×厚0.1mm的試樣，將測定試樣設置在薄膜拉伸測定用夾具上，在50℃~250℃的溫度範圍內，在頻率0.01Hz、應變0.025%、升溫速度10℃/分鐘的條件下進行測定。
作為所述熱塑性樹脂，可以列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞 胺樹脂、尼龍6或尼龍6,6等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優選離子性雜質少、耐熱性高、能夠確保半導體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。
作為所述丙烯酸類樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數30以下、特別是碳原子數4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。
另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒有特別限制，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體等。
作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚矽氧烷樹脂或熱固性聚醯亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。特別優選會使半導體晶片腐蝕的離子性雜質等的含量少的環氧樹脂。另外，作為環氧樹脂的固化劑，優選酚醛樹脂。
所述環氧樹脂，只要是作為膠黏劑組合物通常使用的則沒有特別限制，可以使用例如：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四苯酚基乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些環氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環氧樹脂中，特別優選酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂或四苯酚基乙烷型環氧樹脂。這是因為：這些環氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性好，並且耐熱性等優良。
另外，所述酚醛樹脂作為所述環氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛樹脂型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚醛樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中特別優選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以提高半導體裝置的連接可靠性。
所述環氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如以相對於所述環氧樹脂成分中的環氧基1當量、酚醛樹脂中的羥基為0.5~2.0當量的比例進行配合是適當的。更優選0.8~1.2當量。即，這是因為：兩者的配合比例如果在所述範圍以外，則固化反應不能充分進行，環氧樹脂固化物的特性容易變差。
另外，本實施方式中，特別優選使用含有環氧樹脂、酚醛樹脂及丙烯酸類樹脂的晶片接合薄膜12。這些樹脂的離子性雜質少、耐熱性高，因此可以確保半導體晶片的可靠性。此時的配比是，相對於丙烯酸類樹脂100重量份，環氧樹脂與酚醛樹脂的混合量為10~200重量份。
為了使本實施方式的晶片接合薄膜12預先進行某種程度的交聯，在製作時可以添加與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應的多官能化合物作為交聯劑。由此，可以提高高溫下的膠黏特性，改善耐熱性。
作為所述交聯劑，可以使用現有公知的交聯劑。特別是更優選甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成產物等多異氰酸酯化合物。交聯劑的添加量相對於所述聚合物100重量份通常優選設定為0.05~7重量份。交聯劑的量超過7重量份時，膠黏力下降，因此不優選。另一方面，低於0.05重量份時，凝聚力不足，因此不優選。另外，根據需要可以與這樣的多異氰酸酯化合物一起含有環氧樹脂等其它多官能化合物。
另外，晶片接合薄膜12中根據其用途可以適當配合無機填充劑。無機填充劑的配合可以賦予導電性、提高導熱性、調節彈性模量等。作為所述無機填充劑，可以列舉例如：由二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類、鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料等金屬或合金類、以及碳等構成的各種無機粉末。這些無機填充劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。其中，優選使用二氧化矽，特別是熔融二氧化矽。另外，無機填充劑的平均粒徑優選在0.1~80μm的範圍內。
所述無機填充劑的配合量，相對於有機成分100重量份優選設定為0~80重量份，更優選設定為0~70重量份。
另外，晶片接合薄膜12中，根據需要可以適當配合其它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉例如阻燃劑、矽烷偶聯劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述矽烷偶聯劑，可以列舉例如：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如：水滑石類、氫氧化鉍等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
晶片接合薄膜12的厚度沒有特別限制，例如可以為約5μm至約100μm，優選約5μm至約50μm。
可以對半導體裝置用薄膜10賦予防靜電能力。由此，可以 防止其膠黏時及剝離時等產生靜電或由此引起的半導體晶圓等的帶電而破壞電路。防靜電能力的賦予可以經由在基材13、黏合劑層14或晶片接合薄膜12中添加防靜電劑或導電性物質的方法、在基材13上設置包含電荷遷移絡合物或金屬膜等的導電層等適當方式進行。作為這些方式，優選不易產生可能使半導體晶圓變質的雜質離子的方式。作為為實現賦予導電性、提高導熱性等目的而配合的導電性物質(導電填料)，可以列舉：銀、鋁、金、銅、鎳、導電性合金等球形、針形、片狀金屬粉末、氧化鋁等金屬氧化物、非晶炭黑、石墨等。但是，從能夠不漏電的觀點考慮，優選所述晶片接合薄膜12不具有導電性。
所述晶片接合薄膜12由覆蓋薄膜2保護。覆蓋薄膜2具有在供給實際應用之前作為保護晶片接合薄膜12的保護材料的功能。覆蓋薄膜2在向切割/晶片接合薄膜的晶片接合薄膜12上黏貼半導體晶圓時剝離。作為覆蓋薄膜2，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，也可以使用由含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行了表面塗佈的塑料薄膜或紙等。
覆蓋薄膜2的厚度沒有特別限制，例如優選在0.01~2mm的範圍內，更優選在0.01~1mm的範圍內。
以下，對本實施方式的半導體裝置用薄膜10的製造方法進行說明。
本實施方式的半導體裝置用薄膜10的製造方法，包括：在基材13上形成黏合劑層14從而製作切割薄膜11的工序，在基材隔片22上形成晶片接合薄膜12的工序，將切割薄膜11和晶片接合薄膜12在 對其中至少任意一個薄膜施加拉伸張力的狀態下、以晶片接合薄膜12為黏貼面與黏合劑層14進行積層的工序，經由將晶片接合薄膜12上的基材隔片22剝離而製作切割/晶片接合薄膜1的工序，和將切割/晶片接合薄膜1和所述覆蓋薄膜2在對其中至少任意一個薄膜施加拉伸張力的狀態下以所述晶片接合薄膜12作為黏貼面進行黏貼的工序。
所述切割薄膜11的製作工序，例如如下所述進行。首先，可以經由現有公知的製膜方法形成基材13。作為該製膜方法，可以例示例如：壓延製膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系中的吹塑擠出法、T型模頭擠出法、共擠出法、乾式積層法等。
然後，在基材13上塗佈黏合劑組合物溶液形成塗膜後，在預定條件下將該塗膜乾燥(根據需要進行加熱交聯)，形成黏合劑層14。塗佈方法沒有特別限制，可以列舉例如：輥塗、絲網塗佈、凹版塗佈等。另外，乾燥條件可以根據塗膜的厚度或材料等適當設定。具體而言，例如，在乾燥溫度80~150℃、乾燥時間0.5~5分鐘的範圍內進行。另外，可以在第一隔片21上塗佈黏合劑組合物而形成塗膜後，在前述乾燥條件下使塗膜乾燥，形成黏合劑層14。之後，將黏合劑層14和第一隔片21一起黏貼到基材13上。由此，製作黏合劑層14由第一隔片21保護的切割薄膜11(參考圖2(a))。製作的切割薄膜11，可以具有捲繞為捲筒狀的長條形態。此時，為了使切割薄膜11不產生鬆弛、卷繞滑移、位置偏移等，優選在其長度方向或寬度方向上施加拉伸張力的同時進行卷繞。但是，經由施加拉伸張力，切割薄膜11在殘留有拉伸殘留應變的狀態下捲繞為捲筒狀。另外，切割薄膜11的卷 取時，有時由於施加所述拉伸張力而使切割薄膜11被拉伸，但是卷取的目的並不在於進行拉伸操作。
黏合劑層14包含紫外線固化型黏合劑、並且預先進行過紫外線固化的情況下，以下述方法形成。即，在基材13上塗佈紫外線固化型的黏合劑組合物而形成塗膜後，在預定條件下使該塗膜乾燥(根據需要進行加熱交聯)，形成黏合劑層。作為塗佈方法、塗佈條件及乾燥條件，可以與前述同樣地進行。另外，可以在第一隔片21上塗佈紫外線固化型黏合劑組合物而形成塗膜後，在前述乾燥條件下使塗膜乾燥，形成黏合劑層。之後，將黏合劑層轉印到基材13上。進而，在預定條件下對黏合劑層照射紫外線。紫外線的照射條件沒有特別限制，通常累積光量優選在50~800mJ/cm2的範圍內，更優選在100~500mJ/cm2的範圍內。經由將累積光量調節到所述數值範圍內，可以將晶片接合薄膜12與切割薄膜11間的剝離力F2控製到0.08~10N/100mm的範圍內。紫外線的照射不足30mJ/cm2時，黏合劑層14的固化不充分，有時與晶片接合薄膜12的剝離力變得過大。結果，與晶片接合薄膜的密合性增大，導致拾取性下降。另外，拾取後，有時在晶片接合薄膜上產生膠糊殘留。另一方面，累積光量超過1000mJ/cm2時，有時與晶片接合薄膜12的剝離力變得過小。結果，黏合劑層14與晶片接合薄膜12間有時產生界面剝離。結果，在半導體晶圓的切割時，有時產生晶片飛散。另外，有時對基材13造成熱損傷。另外，黏合劑層14的固化過度進行導致拉伸彈性模量過大，擴張性下降。另外，紫外線的照射也可以在後述的與晶片接合薄膜12的黏貼工 序後進行。此時，優選從基材13一側進行紫外線照射。
所述晶片接合薄膜12的製作工序如下所述進行。即，將用於形成晶片接合薄膜12的膠黏劑組合物溶液以達到預定厚度的方式塗佈在基材隔片22上，形成塗膜。之後，在預定條件下使塗膜乾燥，形成晶片接合薄膜12。塗佈方法沒有特別限制，可以列舉例如：輥塗、絲網塗佈、凹版塗佈等。另外，乾燥條件可以根據塗膜的厚度或材料等適當設定。具體而言，例如，可以在乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1~5分鐘的範圍內進行。另外，可以將黏合劑組合物塗佈到第二隔片23上形成塗膜後，在前述乾燥條件下使塗膜乾燥而形成晶片接合薄膜12。之後，將晶片接合薄膜12與第二隔片23一起黏貼到基材隔片22上。由此，製成在基材隔片22上依次積層有晶片接合薄膜12和第二隔片23的積層薄膜(參考圖2(b))。所製作的晶片接合薄膜12，可以具有捲繞為捲筒狀的長條形態。此時，為了使晶片接合薄膜12不產生鬆弛、卷繞滑移、位置偏移等，優選在其長度方向或寬度方向上施加拉伸張力的同時進行卷繞。但是，經由施加拉伸張力，晶片接合薄膜12在殘留有拉伸殘留應變的狀態下捲繞為捲筒狀。另外，晶片接合薄膜12的卷取時，有時由於施加所述拉伸張力而使晶片接合薄膜12被拉伸，但是卷取的目的並不在於進行拉伸操作。
然後，進行切割薄膜11與晶片接合薄膜12的黏貼，製作切割/晶片接合薄膜1。即，從切割薄膜11上將第一隔片21剝離，並且從晶片接合薄膜12上將第二隔片23剝離，以晶片接合薄膜12與黏合劑層14為黏貼面的方式將兩者黏貼(參考圖2(c))。此時，在對切割 薄膜11和晶片接合薄膜12中的至少任意一個薄膜的邊緣部施加拉伸張力的同時進行壓接。另外，切割薄膜11和晶片接合薄膜12分別為捲繞成捲筒狀的長條形態時，優選在儘量不在長度方向對切割薄膜11及晶片接合薄膜12施加拉伸張力的情況下進行運送。這是因為可以抑製這些薄膜的拉伸殘留應變。但是，從防止切割薄膜11及晶片接合薄膜12產生鬆弛、捲繞滑移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，也可以在10~25N的範圍內施加拉伸張力。如果在該範圍內，則即使切割薄膜11和晶片接合薄膜12中殘留有拉伸殘留應變，也可以防止切割薄膜11與晶片接合薄膜12間產生界面剝離。
另外，切割薄膜11與晶片接合薄膜12的黏貼，例如可以經由壓接進行。此時，積層溫度沒有特別限制，通常優選30~80℃，更優選30~60℃，特別優選30~50℃。另外，線壓沒有特別限制，通常優選0.1~20kgf/cm，更優選1~10kgf/cm。經由在將積層溫度和/或線壓分別調節到所述數值範圍內的情況下將切割薄膜11與膠黏劑組合物的玻璃轉移溫度在-20~50℃範圍內的晶片接合薄膜12黏貼，可以將晶片接合薄膜12與切割薄膜11間的剝離力F2控製到0.08~10N/100mm的範圍內。在此，例如，經由在所述範圍內升高積層溫度，可以增大切割薄膜11與晶片接合薄膜12間的剝離力F2。另外，經由在所述範圍內增大線壓，也可以增大剝離力F2。
然後，將晶片接合薄膜12上的基材隔片22剝離，由此得到在基材13上依次積層有黏合劑層14和晶片接合薄膜12的切割/晶片接合薄膜1。接著，在該切割/晶片接合薄膜1的晶片接合薄膜12上， 黏貼覆蓋薄膜2。在此，優選儘量不在長度方向上對切割/晶片接合薄膜1施加拉伸張力的情況下進行運送。這是因為僅有基材13作為支撐體保持切割/晶片接合薄膜的薄膜形狀及積層結構，因此處於容易拉伸的狀態，可以控製拉伸殘留應變。但是，從防止切割/晶片接合薄膜1產生鬆弛、捲繞滑移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，也可以在10~25N的範圍內施加拉伸張力。如果在範圍內，則即使切割/晶片接合薄膜1中殘留有拉伸殘留應變，也可以防止產生切割薄膜11與晶片接合薄膜12間的界面剝離或覆蓋薄膜2的薄膜翹起現象。
覆蓋薄膜2在切割/晶片接合薄膜1的晶片接合薄膜12上的黏貼，優選經由壓接進行。由此，製作本實施方式的半導體裝置用薄膜10。此時，積層溫度沒有特別限制，通常優選30~80℃，更優選30~60℃，特別優選30~50℃。另外，線壓沒有特別限制，通常優選0.1~20kgf/cm，更優選1~10kgf/cm。經由在將積層溫度和/或線壓分別調節到所述數值範圍內的情況下將覆蓋薄膜2與膠黏劑組合物的玻璃轉移溫度在-20~50℃範圍內的晶片接合薄膜12黏貼，可以將晶片接合薄膜12與覆蓋薄膜2間的剝離力F1控製到0.025~0.075N/100mm的範圍內。在此，例如，經由在所述範圍內升高積層溫度，可以增大切割/晶片接合薄膜1與覆蓋薄膜2間的剝離力F1。另外，經由在所述範圍內增大線壓，也可以增大剝離力F1。另外，優選儘量不在長度方向上對所述覆蓋薄膜2施加拉伸張力的情況下進行運送。這是因為可以抑製覆蓋薄膜2的拉伸殘留應變。但是，從防止覆蓋薄膜2產生鬆弛、捲繞滑移、位置偏移、空隙(氣泡)等的觀點考慮，也可以在10~25N 的範圍內施加拉伸張力。如果在範圍內，則即使覆蓋薄膜2中殘留有拉伸殘留應變，也可以防止覆蓋薄膜2在切割/晶片接合薄膜1上產生薄膜翹起現象。
另外，切割薄膜11的黏合劑層14上黏貼的第一隔片21、晶片接合薄膜12的基材隔片22、以及該晶片接合薄膜12上黏貼的第二隔片23，沒有特別限制，可以使用現有公知的經剝離處理後的薄膜。第一隔片21和第二隔片23分別具有作為保護材料的功能。另外，基材隔片22具有作為將晶片接合薄膜12轉印到切割薄膜11的黏合劑層14上時的基材的功能。構成這些各薄膜的材料沒有特別限制，可以採用現有公知的材料。具體而言，可以列舉例如：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯或經由含氟剝離劑、長鏈烷基類剝離劑等剝離劑進行表面塗佈後的塑料薄膜或紙等。
實施例
以下，具體地舉例說明本發明的優選實施例。但是，該實施例中記載的材料或配合量等只要沒有特別限定的記載，則本發明的範圍不限於此。另外，“份”表示“重量份”。
(實施例1)
<切割薄膜的製作>
在具有冷凝管、氮氣導入管、溫度計和攪拌裝置的反應容器中，加入88.8份丙烯酸-2-乙基己酯(以下稱為“2EHA”)、11.2份丙烯酸-2-羥基乙酯(以下稱為“HEA”)、0.2份過氧化苯甲醯和65份甲苯，在氮氣氣流中在61℃下進行6小時聚合處理，得到重均分子量為85萬的 丙烯酸類聚合物A。2EHA和HEA的莫耳比為100莫耳：20莫耳。重均分子量的測定如後所述。
在該丙烯酸類聚合物A中加入12份2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(以下稱為“MOI”)(相對於HEA為80莫耳%)，在空氣氣流中在50℃進行48小時加成反應處理，得到丙烯酸類聚合物A’。
然后，在100份丙烯酸類聚合物A’中加入8份異氰酸酯類交聯劑(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯株式會社製造)和5份光聚合引发劑(商品名“Irgacure 651”，汽巴精化公司製造)，製作黏合劑溶液。
將上述製備的黏合劑溶液塗佈於PET剝離襯墊(第一隔片)的經聚矽氧烷處理後的表面上，在120℃加熱交聯2分鐘，形成厚度10μm的黏合劑層。然後，在所得黏合劑層的表面黏貼厚度100μm的聚烯烴薄膜(基材)。之後，在50℃保存24小時。
進而，將所述PET剝離襯墊剝離，僅對黏合劑層的與半導體晶圓黏貼部分(直徑200mm的圓形)相當的部分(直徑200mm的圓形)直接照射紫外線。由此，製作本实施方式的切割薄膜。另外，照射條件如下所述。另外，經由後述的方法測定黏合劑層的拉伸彈性模量，拉伸彈性模量為20MPa。
<紫外線照射條件>
紫外線(UV)照射裝置：高壓汞燈
紫外線照射累積光量：500mJ/cm2
輸出：120W
照射強度：200mW/cm2
<晶片接合薄膜的製作>
將以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工業株式會社製，Paracron W-197CM，Tg：18℃)100份、異氰酸酯類交聯劑(日本聚氨酯株式會社製造，商品名：Coronate HX)2份、環氧樹脂(JER株式會社製，Epicoat 1004)50份、酚醛樹脂(三井化學株式會社製，Mirex XLC-3L)10份和作為無機填充劑的球形二氧化矽(ADMATECHS株式會社製，商品名：SO-25R，平均粒径0.5μm)30份溶解於甲乙酮中，製備濃度18.0重量%的膠黏劑組合物溶液。
將該膠黏劑組合物溶液經由縫模塗佈機塗佈到經剝離處理的薄膜(基材隔片)上形成塗層，對該塗層直接噴射2分鐘150℃、10m/秒的熱風使其乾燥。由此，在經剝離處理的薄膜上製作厚度25μm的晶片接合薄膜。另外，作為經剝離處理的薄膜，使用在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度50μm)上進行聚矽氧烷脫模處理而得到的薄膜。
<切割/晶片接合薄膜的製作>
然後，將上述切割薄膜和晶片接合薄膜以黏合劑層和晶片接合薄膜為黏貼面的方式進行黏貼。黏貼使用夾輥，黏貼條件是積層溫度T1為50℃、線壓為3kgf/cm。進而，將晶片接合薄膜上的基材隔片剝離而製作切割/晶片接合薄膜。將所得的切割/晶片接合薄膜卷取為捲筒狀，此時的卷取張力設定為不拉伸的程度，具體為13N。
<半導體裝置用薄膜的製作>
對上述切割/晶片接合薄膜，在所述晶片接合薄膜上黏貼由聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度38μm)構成的覆蓋薄膜。此時，為了防止 產生位置偏移、空隙(氣泡)等，使用張力調節輥(dancer roller)對切割/晶片接合薄膜和覆蓋薄膜分别在MD方向施加17N的拉伸張力的同時進行黏貼。另外，黏貼使用夾輥，在積層溫度T2為50℃、線壓為3kgf/cm的條件下進行。由此，製作本實施例的半導體裝置用薄膜。
(實施例2)
<切割薄膜的製作>
本實施例的切割薄膜，使用與前述實施例1同樣的切割薄膜。
<晶片接合薄膜的製作>
將以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工業株式會社製，Paracron W-197C，Tg：18℃)100份、異氰酸酯類交聯劑(日本聚氨酯株式會社製造，商品名：Coronate HX)4份、環氧樹脂(JER株式會社製，Epicoat 1004)30份、酚醛樹脂(三井化學株式會社製，Mirex XLC-3L)15份和作為無機填充劑的球形二氧化矽(ADMATECHS株式會社製，商品名：SO-25R，平均粒径0.5μm)60份溶解於甲乙酮中，得到濃度18.0重量%的膠黏劑組合物溶液。
將該膠黏劑組合物溶液經由縫模塗佈機塗佈到經剝離處理的薄膜(基材隔片)上形成塗層，對該塗層直接噴射2分鐘150℃、10m/秒的熱風使其乾燥。由此，在經剝離處理的薄膜上製作厚度25μm的晶片接合薄膜。另外，經剝離處理的薄膜，使用在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度50μm)上進行聚矽氧烷剝離處理而得到的薄膜。
<切割/晶片接合薄膜的製作>
然後，將上述切割薄膜和晶片接合薄膜以黏合劑層和晶片接合薄 膜為黏貼面的方式進行黏貼。此時，為了防止產生位置偏移、空隙(氣泡)等，使用張力調節輥對切割薄膜和晶片接合薄膜分别在MD方向施加17N的拉伸張力的同時進行黏貼。另外，黏貼使用夾輥，黏貼條件是積層溫度T1為50℃、線壓為3kgf/cm。進而，將晶片接合薄膜上的基材隔片剝離而製作切割/晶片接合薄膜。將所得的切割/晶片接合薄膜卷取為捲筒狀，此時的卷取張力設定為不拉伸的程度，具體為13N。
<半導體裝置用薄膜的製作>
對上述切割/晶片接合薄膜，在所述晶片接合薄膜上黏貼由聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度38μm)構成的覆蓋薄膜。此時，為了防止產生位置偏移、空隙(氣泡)等，使用張力調節輥對切割/晶片接合薄膜和覆蓋薄膜分别在MD方向施加17N的拉伸張力的同時進行黏貼。另外，黏貼使用夾輥，在積層溫度T2為50℃、線壓為3kgf/cm的條件下進行。由此，製作本實施例的半導體裝置用薄膜。
(比較例1)
<切割薄膜的製作>
本比較例的切割薄膜，使用與前述實施例1同樣的切割薄膜。
<晶片接合薄膜>
本比較例的晶片接合薄膜，使用與前述實施例1同樣的晶片接合薄膜。
<切割/晶片接合薄膜的製作>
本比較例中，除了將切割薄膜與晶片接合薄膜黏貼時的積層溫度T1和T2變更為25℃以外，與前述實施例1同樣操作，製作本比較例的 切割/晶片接合薄膜。
<半導體裝置用薄膜的製作>
本比較例的半導體裝置用薄膜，經由與前述實施例1同樣地對所述切割/晶片接合薄膜黏貼由聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的覆蓋薄膜來製作。
(比較例2)
<切割薄膜的製作>
本比較例的切割薄膜，使用與前述實施例1同樣的切割薄膜。
<晶片接合薄膜>
本比較例的晶片接合薄膜，使用與前述實施例1同樣的晶片接合薄膜。
<切割/晶片接合薄膜的製作>
本比較例中，除了將切割薄膜與晶片接合薄膜黏貼時的積層溫度T1和T2變更為35℃以外，與前述實施例1同樣操作，製作本比較例的切割/晶片接合薄膜。
<半導體裝置用薄膜的製作>
本比較例的半導體裝置用薄膜，經由與前述實施例1同樣地對所述切割/晶片接合薄膜黏貼由聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的覆蓋薄膜來製作。
(比較例3)
<切割薄膜的製作>
本實施例的切割薄膜，使用與前述實施例1同樣的切割薄膜。
<晶片接合薄膜的製作>
將以丙烯酸丁酯為主成分的聚合物(根上工業株式會社製，商品名：Paracron AS-3000，Tg：-36℃)100份、異氰酸酯類交聯劑(日本聚氨酯株式會社製造，商品名：Coronate HX)2份、環氧樹脂(JER株式會社製，Epicoat 1004)60份、酚醛樹脂(三井化學株式會社製，Mirex XLC-3L)10份和作為無機填充劑的球形二氧化矽(ADMATECHS株式會社製，商品名：SO-25R，平均粒径0.5μm)15份溶解於甲乙酮中，製備濃度18.0重量%的膠黏劑組合物溶液。
將該膠黏劑組合物溶液經由縫模塗佈機塗佈到經剝離處理的薄膜(基材隔片)上形成塗層，對該塗層直接噴射2分鐘150℃、10m/秒的熱風使其乾燥。由此，在經剝離處理的薄膜上製作厚度25μm的晶片接合薄膜。另外，經剝離處理的薄膜，使用在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度50μm)上進行聚矽氧烷剝離處理而得到的薄膜。
<切割/晶片接合薄膜的製作>
本比較例中，與前述實施例1同樣地進行切割薄膜與晶片接合薄膜的黏貼，製作本比較例的切割/晶片接合薄膜。
<半導體裝置用薄膜的製作>
本比較例的半導體裝置用薄膜，與前述實施例1同樣地對所述切割/晶片接合薄膜進行由聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的覆蓋薄膜的黏貼，製作本比較例的半導體裝置用薄膜。
(剝離力的測定)
各實施例及比較例所得到的半導體裝置用薄膜中晶片接合薄膜 與覆蓋薄膜之間的剝離力、以及切割薄膜與晶片接合薄膜之間的剝離力的測定，在溫度23±2℃、相對濕度55±5%Rh、剝離速度300mm/分鐘的條件下，經由T型剝離試驗(JIS K6854-3)進行。另外，作為拉伸試驗機，使用商品名“Autograph AGS-H”(株式會社島津製作所製)的拉伸試驗機。
(黏合劑層的拉伸彈性模量)
從各實施例和比較例中的切割薄膜切出長10.0mm、寬2mm、截面積0.1~0.5mm2的試樣。在測定溫度23℃、夾盤間距50mm、拉伸速度50mm/分鐘的條件下對該試樣進行MD方向的拉伸試驗，測定該試樣伸長所引起的變化量(mm)。由此，在所得S-S(應變-強度)曲線中，在初始上升部分作切線，用該切線上相當於100%伸長率時的拉伸強度除以各切割薄膜的截面積，將所得值作為拉伸彈性模量。
(熱固化前的晶片接合薄膜的拉伸彈性模量)
對於各實施例和比較例中的晶片接合薄膜，使用黏彈性測定裝置(Rheometric公司製，型號：RSA-II)，測定23℃下的拉伸彈性模量。更具體而言，準備長30mm×寬5mm×厚0.1mm的試樣，將測定試樣設置在薄膜拉伸測定用夾具上，在-40~250℃的溫度範圍內，在頻率0.01Hz、應變0.025%、升溫速度10℃/分鐘的條件下進行測定。
(界面剝離及薄膜翹起的有無)
各實施例及比較例所得到的半導體裝置用薄膜中薄膜翹起的確認，如下進行。即，將各半導體裝置用薄膜在溫度-30±2℃的冷庫中放置120小時。進而，在溫度23±2℃、相對溫度55±5%Rh的環境下放 置24小時。然後，確認半導體裝置用薄膜中各薄膜間有無界面剝離及薄膜翹起。評價標準是，經由目視未觀察到界面剝離或薄膜翹起時評價為○，觀察到時評價為×。
(空隙的有無)
各實施例及比較例所得到的半導體裝置用薄膜中有無空隙，如下進行確認。即，從各半導體裝置用薄膜上分別將覆蓋薄膜剝離，在晶片接合薄膜上進行半導體晶圓的安裝。半導體晶圓使用尺寸為8英寸、厚度75μm的半導體晶圓。半導體晶圓的安裝條件如下所述。
<黏貼條件>
黏貼裝置：ACC株式會社製，商品名：RM-300
黏貼速度：500mm/秒
黏貼壓力：0.2MPa
黏貼溫度：50℃
接著，經由顯微鏡確認切割/晶片接合薄膜與半導體晶圓的黏貼面上有無空隙(氣泡)。結果如下表1所示。
(切割及拾取的評價)
從各半導體裝置用薄膜上分別將覆蓋薄膜剝離，在晶片接合薄膜上進行半導體晶圓的安裝。半導體晶圓使用尺寸為8英寸、厚度75μm的半導體晶圓。半導體晶圓的安裝條件與前述同樣。
然後，根據下列條件進行半導體晶圓的切割，形成30個半導體晶片。對此時有無碎片或晶片飛散進行計數。結果如下表1所示。進而，將半導體晶片與晶片接合薄膜一起拾取。對30個半導體晶片(長 5mm×寬5mm)進行拾取，計數無破損而成功拾取半導體晶片的情況，計算成功率。結果如下表1所示。拾取條件如下所述。
<切割條件>
切割方法：單切割
切割装置：DISCO DFD-6361(商品名，株式會社DISCO製)
切割速度：50mm/秒
切割刀片：2050-HECC
切割刀片轉速：45000rpm
切割帶切入深度：20μm
晶圓晶片尺寸：5mm×5mm
<拾取條件>
拾取装置：CPS-100(NES Machinery公司製)
針根數：9根
上推量：300μm
上推速度：10mm/秒
下拉量：3mm
(晶片接合薄膜的玻璃轉移溫度Tg的測定)
對於實施例1、2以及比較例3中的晶片接合薄膜，使用黏彈性測定裝置(Rheometric公司製，型號：RSA-II)測定玻璃轉移溫度(Tg)。更具體而言，在-50℃~250℃的溫度範圍內，在頻率0.01Hz、應變0.025%、升溫速度10℃/分鐘的條件下進行測定，將Tanδ(G”(損耗彈性模量)/G’(儲能彈性模量))顯示極大值時的溫度作為Tg。結果， 實施例1的晶片接合薄膜的Tg為39℃，實施例2的晶片接合薄膜的Tg為47℃，比較例3的晶片接合薄膜的Tg為-23℃。
(結果)
如下表1可以看出，實施例1和2的半導體裝置用薄膜，沒有切割薄膜與晶片接合薄膜間的界面剝離，也未確認到覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。另外，將半導體晶圓安裝到晶片接合薄膜上時，也不產生空隙或折皺。另外，半導體晶圓的切割時，也不產生半導體晶片的晶片飛散，並且拾取性良好。與此相對，比較例1的半導體裝置用薄膜，雖然拾取成功率為100%，但是在切割薄膜與晶片接合薄膜之間產生界面剝離，還確認到覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。並且，在半導體晶圓的安裝時，產生空隙或折皺。另外，比較例2的半導體裝置用薄膜，產生切割薄膜與晶片接合薄膜之間的界面剝離或覆蓋薄膜的薄膜翹起，另外，在半導體晶圓的切割時產生晶片飛散或碎片。另外，比較例3的半導體裝置用薄膜，由於切割薄膜與晶片接合薄膜之間的密合性高，因此拾取困難，確認到半導體晶片的破裂或缺損。
另外，表1中的剝離力F1表示切割/晶片接合薄膜與覆蓋薄膜之間的剝離力，剝離力F2表示切割薄膜與晶片接合薄膜之間的剝離力。另外，積層溫度T1表示切割薄膜與晶片接合薄膜黏貼時的溫度，積層溫度T2表示切割/晶片接合薄膜與覆蓋薄膜黏貼時的溫度。
1‧‧‧切割/晶片接合薄膜
2‧‧‧覆蓋薄膜
10‧‧‧半導體裝置用薄膜
11‧‧‧切割薄膜
12‧‧‧晶片接合薄膜
13‧‧‧基材
14‧‧‧黏合劑層

Claims (5)

  1. 一種半導體裝置用薄膜的製造方法，其在於基材上積層有黏合劑層的切割薄膜上依次積層有膠黏薄膜和覆蓋薄膜，在溫度23±2℃、剝離速度300mm/分鐘的條件下的T型剝離試驗中，所述膠黏薄膜與所述覆蓋薄膜之間的剝離力F1在0.025~0.075N/100mm的範圍內，所述膠黏薄膜與所述切割薄膜之間的剝離力F2在0.08~10N/100mm的範圍內，並且所述F1與所述F2滿足所述F1<所述F2的關係，所述膠黏薄膜中的膠黏劑組合物的玻璃轉移溫度在-20~50℃的範圍內，且所述半導體裝置用薄膜的製造方法包括：將所述切割薄膜和所述膠黏薄膜在對其中至少任意一個施加拉伸張力的狀態下、以所述膠黏薄膜作為黏貼面與所述黏合劑層進行積層，製作附有切割薄膜的膠黏薄膜的工序A；以及將所述附有切割薄膜的膠黏薄膜和所述覆蓋薄膜在對其中至少任意一個施加拉伸張力的狀態下以所述膠黏薄膜作為黏貼面進行黏貼的工序B，所述工序A在積層溫度30~80℃、線壓0.1~20kgf/cm的範圍內進行。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置用薄膜的製造方法，其中，所述膠黏薄膜為熱固型，熱固化前的23℃下的拉伸彈性模量在50~2000MPa的範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置用薄膜的製造方法，其中，所述切割薄膜中，在所述基材上積層有紫外線固化型的所 述黏合劑層，所述黏合劑層的紫外線固化後的23℃下的拉伸彈性模量在1~170MPa的範圍內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置用薄膜的製造方法，其中，所述工序B在積層溫度30~80℃、線壓0.1~20kgf/cm的範圍內進行。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之半導體裝置用薄膜的製造方法，其中，所述工序A的拉伸張力為10~25N，所述工序B的拉伸張力為10~25N。
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