TW201113348A - Film for semiconductor device - Google Patents

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201113348 35857pif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及將用於固著片狀工件（半導體晶片等）和 電極構件的膠黏劑在切割前附著在工件（半導體晶圓等） 的狀態下供給工件的切割的半導體裝置用薄膜。另外，本 發明涉及使用所述半導體裝置用薄膜製造的半導體裝置。 【先前技術】 形成有電路圖案的半導體晶圓，在根據需要經由背面 研磨調節厚度後，切割為半導體晶片（切割工序）。然後， 利用膠黏劑將所述半導體晶片固著到引線框等被黏物上 (晶片黏貼工序）後，移送到接合工序。所述晶片黏貼工 序中，將膠黏劑塗佈到引線框或半導體晶片上進行。但是， 该方法中膠黏劑層難以均勻化’另外膠黏劑的塗佈需要特 殊裝置和長時間。因此，提出了在序情黏保持半 導體晶圓、並且也提供安裝工序所需的晶片固著用膠黏劑 層的切割/晶片接合薄膜（例如，參考日本特開昭6〇 57642 所述公報中記載的切割/晶片接合薄膜 積層有黏合劑層和膠黏劑層，並 方式設置，，麵 =基材進=㈣將半物晶片與雜 其逐個回收翻由__相 ; 這種切割/晶片接合薄^ ，_上 者在施加有負荷的狀態下長期保:Γί時;=置; 4 201113348 35857pif 果’導致膠黏劑層的流動性或對半導體晶圓的保持力下 降、切割後的剝雜下降。因此，切割/晶片接合薄膜多數 在-30〜-1 o°c的冷;東或者_5〜urc的冷藏狀態下保存的㈣ 進行輸送，由此可以實現薄膜特性的長期保存。 但是’現有的切割/晶片接合薄膜，由於製造工序上的 制約，是經由在分職立製作切·則^片接合薄膜後 將兩者黏貼來製造。因此，在各薄膜製作工序中從防止 鬆弛或卷繞滑移（winding deviation)、位置偏移、空隙（氣 泡）等產生的觀點考慮，在利用親運送時，在對各薄膜施 加拉伸張力的㈣進行其製作。結果，製作的切割/晶片接 合薄膜上殘留有殘留應力，由此，存在下述問題：在前述 狀^下輸送或長時間保存後，在齡劑層與膠黏劑 :的界面處產生兩者的剝離。另外，由於切割/ 在例如在膠黏劑層上設置的覆蓋薄膜產生 印到覆蓋薄膜上的問題。還存在膠黏劑層的-部分轉 【發日獻1:日本特開昭_642號公報 用的在於提供—種半導體裝置用薄膜及使 農置H㈣得_半導體裝置，所述半導體 臈，即柄刀°'賴上依次積層有膠黏薄膜和覆蓋薄 止各薄狀態下輪送或者長時間保存後，也可以防 4膜間的界面剝離或薄 覆蓋薄膜的轉印。 膜翹起現象W轉黏薄膜向 201113348 35857pif ^本發明人為了解決所述現有問題，對半導體裴置用薄 膜以及使用該薄膜得到的半導體裝置進行了研究。結果發 現，經由採用下述構成可以實現所述目的，從而完成了本 發明。 θ即，本發明的半導體裝置用薄膜，為了解決所述問 題」其在切簡膜上依次積層有膠黏薄膜和覆蓋薄膜，盆 特徵在於，在溫度23±rc、剝離速度3〇〇mm/分鐘的條& 下的丁型_試驗巾’所述雜賴與所述覆蓋薄膜之間 =剝離力Fj 0.025〜〇.〇75N/l〇〇mm的範圍内，所述夥黏 薄，與所述切_膜之__力&在。Q8〜_/ι〇〇麵 的範圍内，並且所述F1與所述F2滿足Fi<F2的關係。 半導體裝置用薄膜，從防止鬆弛或捲繞滑移、位置偏 移三空隙（氣泡）等產生的觀點考慮，在對切割薄膜、膠 黏薄膜、覆蓋薄膜施加拉伸張力的同時進行製造。結果， 半，體裝H賴，在構成該半導體裝置用薄朗任意一 個薄膜上存在殘留應變的狀態下進行製造。該拉伸殘留應 變，例如在-30〜_1(rc的冷凍或者_5〜1(rc的低溫狀態下輸& 或長時間保存時，在各薄膜中引起收縮。另外，由於各薄 膜的物性不同，因此收縮的程度也不同。例如，切割薄膜 在各薄膜中收縮程度最大，覆蓋薄膜的收縮程度最結 果，在切割薄膜與膠黏薄膜之間產生界面剝離，或者引起 覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。 本申請發明採用如下構成：使膠黏薄膜與覆蓋薄膜之 間的剝離力巧在0.025〜0.075N/l〇〇mm的範圍内，使膠黏 6 201113348 35857pif 薄膜與切割薄膜之間的剝離力？2在0.08〜l〇N/10〇mm的範 圍内，並且滿足F]<F2的關係。如前所述，由於各薄膜中 切割薄膜的收縮最大，因此經由使膠黏薄膜與切割薄膜間 的剝離力F2大於膠黏薄膜與覆蓋薄膜間的剝離力f!，可以 抑製收縮率最大的切割薄膜的收縮，從而防止切割薄膜盘 膠黏薄膜間的界面剝離或覆蓋薄膜的薄膜翹起現象。另 外’也可以防止膠點薄膜的一部分或全部轉印到覆蓋薄膜 h 〇 月1J述構成中 从s 立 坩迷切割薄膜、膠黏薄膜或覆蓋薄膜中 留應ί，，，薄膜可以存在拉伸殘留應變。所述“拉伸殘 TD)) 〇(t~Se dlreCtl〇n * 合物L卜璃:薄膜中的膠_ 組合物的玻璃轉移溫度在上的^經由使膠黏劑 (B-Stage)狀態下膠黏薄 ^上，可以抑製B階 操作性。另外，可以防止切’可以保持良好的 使黏合劑附著到半導妙曰 ' 溥膜的一部分熔融而 片的良好拾取性。另一_^曰上=結果，可以保持半導體晶 以下，可以防止膠黏薄二轉移溫度為5叱 持與半導體晶圓的良好膠黏性。J降： 201113348 35857pif 矸，膠」 移溫度。，，、的補娜溫度是指_化前的玻_ 另外’前述構成中，優選 固化前的坑下的拉伸彈性楔*^^縣熱^型，韵 止切割時黏合劑層的以上’可以防 晶片上。另-方面，W純而使黏合劑附著到半導體 以下，可轉伸難·模量為細崎a 有紫夕麵㈣㈣财，祕材上積層 後的23Ϊ下的拉“^1在戶^黏合劑層的紫外線固化 ,φ,彈丨生模里在1〜17〇MPa的範圍内。經由 =膜_=為―上，可，: 另方面，經由使拉伸彈性模量為170MPa以 下，可以防止切割時發生晶片飛散。 另外本發明的半導體裝置，經由使用前述的半導 裝置用薄膜來製造。 ^根據本發明的半導體裝置用薄膜，經由使膠黏薄膜與 覆蓋薄膜之間的剝離力巧在〇〇25〜〇〇75N/1〇〇mm的範圍 内’使膠黏薄膜與切割薄膜之間的剝離力f2在 0.08〜lON/lOOmm的範圍内，並且滿足Fl<F2的關係，即使 在-30〜-10°C的冷凍或者_5〜1〇ΐ的低溫狀態下輸送或長時 間保存後’也可以防止由於拉伸殘留應變引起的各薄膜間 的界面剝離或薄膜翹起現象、以及膠黏薄膜向覆蓋薄臈的 轉印。結果’例如經由防止切割薄膜與膠黏薄膜間的界面 8 201113348 35857pif 剥離’可以防止半導體晶圓的切割時半導體晶片產生曰片 飛散或者產生碎片。另外，經由防止覆蓋薄膜的薄膜^起 現象’可贿止將半導體晶1]安裝到膠轉膜上時，膠黏 薄膜與半導體晶圓之間產生空隙（氣泡）或折皺。即，根 據本發明，能夠提供可以提高成品率來製造半導體f置的 半導體裝置用薄膜。 1 【實施方式】 以下，對本實施方式的半導體裝置用薄膜進行說明。 如圖1所示，本實施方式的半導體裝置用薄膜1〇，且 =切割/晶片接合賴1上積層有覆蓋物2的結^ 述切割/晶片接合薄膜丨，具有在__ u 3薄膜i2的結構’並且切割薄膜u具有在基“:積 合劑層Μ的結構。另外，晶片接合_ 12相當於 本發明的膠黏薄膜。 本發明的膠黏薄膜，可以作為晶片接合薄膜晶 里半導體背面用薄膜使用。倒裝晶片型半髀北^ 片，=淡晶片而得到的半導體元件(例如，半導體晶 積的半導體裝置用薄膜，具有在切割薄膜上依次 片2所得到的是帶有切割片的膠黏薄膜。膠黏薄^: :ΐ;薄膜時，帶有切割片的膠黏薄膜相當於切割/二 201113348 35857pif 所述晶片接合薄膜12與所述覆蓋薄膜2間的剝離力 Fi小於晶片接合薄膜12與切割薄膜11間的剝離力R。半 導體裝置用薄膜10 ’在其製造過程中，從防止鬆弛、捲繞 滑移、位置偏移、空隙（氣泡）等產生的觀點考慮，經由 在對切割薄膜11、晶片接合薄膜12及覆蓋薄膜2施加拉 伸張力的同時進行積層來製造。因此’各薄膜存在拉伸殘 留應變。該拉伸殘留應變’例如在-30〜-i〇°c的冷康或者 -5〜10°C的低溫狀態下輸送或者長時間保存時，在各薄膜 分別引起收縮。例如，切割薄膜的收縮程度最大，覆蓋， 膜的收縮程度最小。在此’本實施方式的半導體穿置:, 膜’經由使所述剝離力Fjn Fa滿足FfF2的關係，可r薄 止各薄膜中的收縮差異所引起的薄膜間的界面剝離或_ — 薄膜2的薄膜麵起現象。另外，也可以防止晶片接合= 12的一部分或者全部轉印到覆蓋薄膜2上。 '、 所遂曰曰月接合溥膜12與所述覆蓋薄膜2之間 力Fi優選在0.025〜0.075N/l〇〇mm的範圍内，更轚 〇.03^0.06N/100mm的範圍内，特別優 0.035〜0.05N/100mm的範圍内。剥離力f =在 α025Ν/10°腿時，例如，在孤听的冷*或者:5=! 的低溫狀悲下輸达或者長時間保存時，晶片接合 覆蓋薄膜2分別以不同的收縮率收縮，由此 產= 蓋薄膜2 __起現象。另 f生覆 等的運送中，㈣會產生折/捲祺10 另外，在半導體晶圓的安裝時，有時在晶片接合薄膜=與 201113348 35857pif 半導體晶圓之間產生空隙（氣泡）。另一方面，剝離力h 大於0.075N/l〇〇mm時，晶片接合薄膜12與覆蓋薄膜2的 密合性過強，因此在覆蓋薄膜2的剝離或收縮時，構成曰 片接合薄膜12的膠黏劑（詳細情況如後所述）有時會轉印 到覆蓋薄膜的一部分或整個面上。另外，所述剝離力& = 值，在晶片接合薄膜12為熱固型時，是指熱固化前的晶片 接合薄膜12與覆蓋薄膜2之間的剝離力。 阳 另外，所述晶片接合薄膜12與切割薄膜u之間的剝 離力F2優選在0.08〜10N/100mm的範圍内，更優選在 0.1〜6N/100mm的範圍内，特別優選在〇.15〜〇 4N/1〇〇mm的 範圍内。剝離力F2低於〇,〇8N/100mm時，例如，在_3〇〜_1(rc 的冷凍或者-5〜10。(：的低溫狀態下輸送或者長時間保存 時，切割薄膜11和晶片接合薄膜12分別以不同的收縮率 收縮，由此有時會在切割薄膜n與晶片接合薄臈12間產 生界面剝離。另外，在半導體裝置用薄膜1〇等的運送中， 有時產生折皺、捲繞滑移、異物的混入或空隙。另外， 切割半導體晶圓時，有時產生晶片飛散或碎片。另—方面， 剝離力F2大於10N/100mm時，在半導體晶片的拾取時，’ 晶片接合薄膜12與黏合劑層14之間難以剝離，有時引起 半導體晶片的拾取不良。另外，有時構成黏合劑層Μ的黏 合劑（詳細情況如後所述）在帶膠黏劑的半導 · 生膠糊附著。另外，所述剝離力&的數值範圍，2包括士 割薄膜11 +的黏合劑層為紫外線固化型、並且預先經= 外線照射進行了一定程度的固化的情況。另外，經由紫外 201113348 35857pif 的黏合劑層的固化，可以在與晶片接合薄膜Η 黏貼則進仃，也可以在黏貼後進行。 所述剝離力F# F2的值，是在溫度23进 度300mm/分鐘、夾盤間距100m ; ==咖85«)的_。另外，作為拉^^ =商σσ名“AutGgraph AGS_H”（株式會社島津 $ 的拉伸試驗機。 下厅10 2切割薄膜卩中的所述基材13，不僅是切割薄膜 =強度母體，而且是半導體裝置㈣膜1G㈣度母體。、 作^斤述基材13，可以列舉例如：低密度聚乙烯、線=聚 乙稀、中密度聚乙烯、高密度紅烯、超低密度聚二 丙烯無規共聚物、丙稀嵌段共聚物、丙烯均聚物、聚 聚曱基戊烯等聚烯烴、乙烯醋酸乙烯畔聚物、離聚 脂、士稀-(甲基)丙稀酸共聚物、乙烯_(甲基)丙稀酸 t父替）共聚物、乙婦-丁婦共聚物、乙歸己稀共聚物，、 I虱酯、聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等 聚醋、聚碳酸自旨、«亞胺、聚晴_、聚騎亞胺、曰聚 醯胺、全芳香族聚酿胺、聚苯翻、芳族聚酿胺（紙）、玻 璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氣乙稀、聚偏二氣乙婦、纖維 素類樹脂、聚矽氧烷樹脂、金屬（箔）、紙等。另外，黏人 劑層14為紫外線固化型時，基材13優選採用上述例示: 基材中具有具有紫外線透過性的基材。 另外，作為基材13的材料，可以列舉所述樹脂的交 聯物等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸而使用，也可以 12 201113348 35857pif 根f需要進行單轴或雙軸拉伸處理後使用。湘經拉伸處 理等而具有熱_性的樹脂片’切割後經由使其基材13熱 收縮=減小黏合劑層14與晶片接合薄膜12的膠黏面積，、 可以容易地回收半導體晶片。 為了提南與鄰接層的密合性和保持性等，基材13的 表面"T以進行’丨貝用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、 火釦暴路、南壓電擊暴露、電離射線處理等化學或物理處 理、底塗劑（例如，後述的黏合物質）的塗佈處理。 所述基材13可以適當選擇使用同種或異種材料，根 據需要也可以將多種材料混合使用。另外，為了使基材Η 具有防靜電性能’可以在所述基材13上設置包含金屬、合 金、匕們的氧化物等的厚度約3〇A〜約500入的導電物質的 蒸鍍層。基材13可以是單層也或者兩種以上的多層。、 基材13的厚度沒有特別限制，可以適當設定曰，例如 為約5μιη〜約200μΐη。只要具有能夠耐受晶片接合薄膜12 因所述熱收縮而產生的張力的厚度，則沒有特別限制。 作為黏合劑14的形成中使用的黏合劑，沒有特別 限制’可以使用例如丙烯酸類黏合劑、橡膠類黏合劑等一 般的壓敏黏合劑。作為所述壓敏黏合劑，從半導體^片 玻璃等避忌污染的電子部件的超純水鱗等有機溶劑的清 潔洗滌性等㈣考慮’優駭丙騎類聚合物為基礎聚合 物的丙烯酸類黏合劑。 σ 作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉例如：使用（曱 基）丙稀酸烧基醋（例如，曱酿、乙酯、丙酯、異丙醋、 13 201113348 35857pif 丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、已酯、 庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、 十一炫•酯、十二烧酯、十三烧酯、十四炫酯、十六烧醋、 十八院目旨、二十烧i旨等燒基的碳原子數1〜30、特別是碳原 子數4〜18的直鏈或支鏈烷基酯等）及（曱基）丙烯酸環烧 酯（例如’環戊酯、環己酯等）的一種或兩種以上作為單 體成分的丙烯酸類聚合物等。另外，（曱基）丙烯酸醋是指 丙烯酸酯和/或曱基丙烯酸酯，本發明的“（曱基），，全部具 有同樣的含義。 所述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力和耐熱性等， 根據需要可以含有與能夠與所述（曱基）丙烯酸烷基酯或 极院酯共聚的其它單體成分對應的單元。作為這樣的單體 成分，可以列舉例如：丙烯酸 '曱基丙烯酸、（曱基）丙烯 酸羧乙酯、（甲基）丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬 酸、巴豆酸等含叛基單體；馬來酸酐、衣康酸針等酸酐單 體；（曱基）丙烯酸-2-羥基乙酯、（曱基）丙烯酸羥基丙 酯、（曱基）丙烯酸-4-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸各羥基己 醋、（曱基）丙烯酸冬經基辛醋、（曱基）丙烯酸_1〇_經基 癸醋、（曱基）丙烯酸·12•減十二如旨、（曱基）丙稀酸 (4-經基？基環己基）甲料含減單體；苯乙烯猶、歸 丙續酸、2·(曱基）丙烯醯胺基_2_甲基内確酸、（甲基）丙 烯醯胺基丙續酸、（甲基）丙烯酸續丙_、（甲基）丙稀酿 氧基萘續酸等含績酸基單體；丙烯_酸_2_祕乙酯等含 填酸基單體，·丙烯_，·㈣料。這些可共聚單體成分 201113348 35857pif 可以使用一種或兩種以 > 為全部單體成分的4G重4%^可/、聚單體的使用量優選 可以含有卜多官斤聚合物為了進行交聯根據需要也 多以早體’可以列舉例 刀作為、樣的 (聚）乙二醇二（曱美、“知一（甲基）丙烯酸酯、 丙稀酸醋、新戊二醇土_ (甲^8日、f 丙二醇二（曱基） 基）丙烯酸醋、三”(基甲丙^一丙;^、季戊四醇二（甲 基曱二二=，:聚醋(甲基)丙齡^ 用-種或者兩種以上。能單體也可以使 觀點考慮優選為全部單;二早==合特性等 上二^由將單一單體或兩種以 本體聚合:懸:：==防: 被黏物等觀點考慮’優選低分子量物質的含量 觀點考慮，㈣酸麟合物的重均分子量優選為 、’’、，上、更，選約40萬至約300萬。 的重S子作為基礎聚合物的丙稀酸類聚合物等 、卞所述黏合劑中也可以適當使用外部交聯 劑。作為外部交聯方法的錢手段，可以列舉：添加多里 氰酸酯化合物、環氧化合物 、氮丙唆化合物、三聚氰胺型 父聯劑等所謂的交聯劑進行反應的方法 。使用外部交聯劑 15 201113348 35857pif 的情況下，其使用量經由與欲交聯的基礎聚合物的平衡以 及作為黏合劑的使用用途進行適當確定。一般相對於戶斤述 基礎聚合物100重量份優選配合約5重量份以下更優選 配合0.1〜5重量份。另外’黏合劑巾根據需要除所述成分 之外還可以使用現有公知的各種增㈣、抗老化劑等添加 劑。 黏合劑層14可以經由紫外線固化型黏合劑來形成。 i外，固化型黏合劑可以經由紫外線的照射使交聯度增大 1ί地使其黏合力下降’經由僅對黏合劑層14的與半 ^ 黏貼。卩分對應的部分照射紫外線，可以設置與其 它部分的黏合力差。 、

的劑層14進行紫外線固化後，切割薄膜U 二Hr 模量魏在1〜17〇MPa的範圍内，更 優k在5〜l〇〇MPa的範圍 / IMPa以上，可崎❹:、^使所雜伸彈性模量為 伸彈性模量為拾m方面，經由使把 •% s以下’可以防止切割時產生晶片硌

30^1〇〇〇mjW 定為30mJ/Cm2以上，可订°經由將紫外線照射累積光量彀 止與晶片接合使黏合劑層14充分固化，可以 的拾取時，可以顯示h過度密合。結果，在半導體晶片 後黏合劑層14的黏合^的拾，°另/卜’可以防止拾取 合薄膜12上。另一方衝、耆（所謂的膠糊殘留）在晶片接 為lOOOmJ/cm2以下，I，經由將紫外線照射累積光量設定 J以防止黏合劑層14的黏合力的杻 201113348 35857pif 度下降’由此可以防止與晶片接合薄膜

生所，半導體晶圓的脫落。另外，半導體晶圓 時，可以防止所形成的半導體晶片產生晶片飛散。。J —所述拉伸彈性模量的值經由以下方法測定。即 割薄膜11切出長10.0mm、寬2mm、截面積ai〜Q5i^2 的試樣。在測定溫度抑、夾盤間距5Qmm、拉伸 50職/分鐘的條件下對該試樣進行md方向的拉伸試=度 測疋賴樣伸長所引起的變化量（m m )。由此，在 (應變-強度（Strain-Strength))曲線中，在初始上升 作切線，用該切線上相當於⑽％伸長率時的拉伸強度二 切割薄膜11的截面積，將所得值作為拉伸雜模量=、 在此，晶片接合薄獏12可以為構成：與半 的俯視圖中的形狀相符，僅在其㈣部分形成。此時曰= 由按照晶片接合薄膜12的形狀使紫外線固化型黏合劑層 14固化’可以容易地降低與半導體晶圓黏貼部分對應的部 分的點合力。由於晶片接合薄膜12黏貼在黏合力下降的 述部分’因此黏合_ 14的所述部分與晶片接合薄膜η 的界面具有在拾取時容易_雜質。另n照 兔外線的部分具有充分的黏合力。 如前所述，所述黏合劑層14的由未固化的紫外線固 化型黏合劑形成的所述部分與晶#接合薄膜12黏合，能夠 確保切割_保持力。這樣，紫外線固化雜合劑，能夠 以良好的膠黏/剝離平衡支撐用於將片狀半導體晶 體晶片等）HI著到襯底等被黏物上的晶片接合薄膜12。僅 17 201113348 35857pif 在半導體晶圓黏貼部分積層有晶片接合薄膜12的情況 下，在未積層晶片接合薄膜12的區域内固定貼片環（wafer ring ) ° 紫外線固化型黏合劑可以沒有特別限制地使用具有 碳碳雙鍵等紫外線固化性官能團、並且顯示黏合性的^合 劑。作為紫外線固化型黏合劑，例如，可以例示在所述丙 烯酸類黏合劑、橡膠類黏合劑等一般的壓敏黏合劑中配合 有务外線固化性單體成分或低聚物成分的添加型紫外線固 化型黏合劑。 作為配合的紫外線固化性單體成分，可以列舉例如： 氨基曱酸酯低聚物、氨基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯、三羥 曱基丙烧二（甲基）丙烤酸酯、四經甲基甲烧四（曱基） 丙烯酸酯、季戊四醇三（曱基）丙烯酸酯、季戊四醇四（曱 基）丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五（甲基）丙烯酸酯、 一季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、1，4-丁二醇二（甲基）丙 稀酸醋等。另外，紫外線Hj化性的低聚物成分可以列舉氨 基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類 等各種低聚物’其分子量在約100至約30000的範圍内是 適當的。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的配合量可 以根據所述黏合劑層的種類適當確定能夠使黏合劑層的黏 合力下降的量。一般而言，相對於構成黏合劑的丙烯酸類 聚合物等基礎聚合物1〇〇重量份，例如為約5重量份至約 500重量份、優選約4〇重量份至約15〇重量份。 另外’作為紫外線固化型黏合劑，除前面說明過的添 201113348 35857pif 加型的紫外線固化型黏合劑以外，還可以列舉：使用在嗲 合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳碳雙鍵的聚合物作 為基礎聚合物的内在型的紫外線固化型黏合劑。内在型的 紫外線固化型黏合劑不需要含有或者多數不含有作為低分 子成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會隨時間推 移在黏合劑中移動，可以形成層結構穩定的黏合劑層，因 而優選。 所述具有碳碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制 地使用具有碳碳雙鍵並且具有黏合性的基礎聚合物。作為 這樣的基礎聚合物，優選以丙烯酸類聚合物為基本骨架的 基礎聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架’可以列舉 前面例示的丙稀酸類聚合物。 在所述丙烯酸類聚合物中引入碳碳雙鍵的方法沒有 特別限制，可以採用各種方法，從分子設計方面而言在聚 合物側鏈中引入碳碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉： 預先將具有官能團的單體與丙烯酸類聚合物共聚後’使具 有能夠與該官能團反應的官能團及碳碳雙鍵的化合物在保 持碳碳雙鍵的紫外線固化性的情況下與所得共聚物進行縮 合或加成反應的方法。 作為這些官能團的組合例，可以列舉：羧基與環氧 基、鲮基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能團 的組合中，從容易跟蹤反應的觀點考慮’優選經基與異氰 酸酯基的組合。另外，根據這些官能團的組合，如果是生 成所述具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合’則官能團 19 201113348 35857pif 酸類聚合物和所述化合物的任意一個上，在所 述化合二：情ίΤ，優選丙烯酸類聚合物具有羥基、所 氰酸i化1物異ί酸賴基。此時’作為具有碳碳雙鍵的異 曱美丙嫌^ 1以列舉例如：曱基丙烯酿異氰酸醋、2· 显:J，乙基異氣酸醋、間異丙歸基·α，α_二甲基¥基 等。另外’作為丙烯酸類聚合物，可以使用將前 她基相或2_錄乙基乙烯獅、4_祕丁基 到的二烯酸;=早乙烯細等_化合物等共聚而得 所述内在型的^、外線固化型黏合劑，可以單獨使用所 ，具有碳碳雙賴基礎聚合物（_是丙烯贿聚合物）， 可以在不損害特性的範圍内配合所述紫外線固化性的單 體成分或絲物成分。紫外線固化性的絲物成分等通常 相對於基礎聚合物1G0重量份在約3G重量份的範圍内優 選0〜10重量份的範圍。 •在經由紫外線等固化時，所述紫外線固化型黏合劑中 έ有光聚合引發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如： =(2-羥基乙氧基）苯基_ ( 2_羥基_2丙基）酮、以羥基_α，α，_ 一甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、丨_羥基環己基苯基 酮等α-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2,2，_二甲氧基_2_苯 基苯乙酮、2,2’-二乙氧基苯乙酮、2_甲基_1-[4•(甲硫基)苯 基]-2-嗎啉代丙烷_ι_酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、 笨偶姻異丙越、菌香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯苯 醯二甲基縮酮等縮酮類化合物；2_萘磺醯氣等芳香族磺醯 20 201113348 35857pif 氯類化合物；苯基el，2_丙二酮_2_(〇_乙氧基羰基）肟等光 活性肟類化合物；二笨甲酮、苯甲醯基苯曱酸、3,3，-二甲 基-4-甲氧基二苯曱酮等二苯曱酮類化合物；噻噸酮、孓氣 °塞°镇酮、2-曱基噻噸酮、2,4_二曱基噻噸酮、異丙基噻噸酮、 2’4 一氟β塞n頓酮、2,4-二乙基β塞n頓g同、2,4-二異两基塞<»頓_ 等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基 鱗酸S旨等。光聚合引發劑的配合量相對於構成黏合劑的丙 稀酸類聚合物等基礎聚合物1〇〇重量份例如為約〇 〇5重量 份至約20重量份。 _所述紫外線固化型的黏合劑層14中，根據需要可以 含有經紫外線照射會著色的化合物。經由在黏合劑層14中 含有經紫外線照射會著色的化合物，可以僅使紫外線照射 後的部分著色。由此，經由目視立即可以判斷黏合劑層14 是否照射過紫外線，可以容易地識別半導體晶圓黏貼部 分’從而容易進行半導體晶圓的黏貼。另外，經由光傳感 器等檢測半導體元件時，其檢測精度提高，在半導體元件 的拾取時不會產生誤操作。 經紫外線照射會著色的化合物，是在紫外線照射前為 無色或淺色，經紫外線照射後變為有色的化合物。作為所 述化合物的優選具體例，可以列舉無色（leuco)染料。作 為無色染料，可以優選使用慣用的三苯基甲烷類、熒烷類、 吩噻嗪類、金胺類、螺吡喃類等。具體而言，可以列舉： 3-[队(對曱苯氨基)]·7-苯胺基熒烷、3-[N-(對曱苯基)-N-曱 基氰基]-7-苯胺基癸炫、3-[N-(對曱苯基)-N-乙基氨基]-7- η··： 21 201113348 35857pif 苯胺基熒烷、3-二乙氨基-6·•曱基-7-苯胺基熒烷、結晶紫内 酯、4,4’，4’’-三(二曱氨基)三苯基曱醇、4,4’，4’’-三(二曱氨基） 三苯基曱烷等。 作為優選與這些無色染料一起使用的顯色劑，可以列 舉一直以來使用的酚醛樹脂的預聚物、芳香族羧酸衍生 物、活性白土等電子受體，另外，在使色調變化的情況下 也可以組合使用各種發色劑。 這樣的經紫外線照射會著色的化合物，可以先溶解於 有機溶劑等中後再添加到紫外線固化型膠黏劑中，或者也 可以製成微粉末狀後添加到該膠黏劑中。該化合物的使用 比例在黏合劑層14中優選為1〇重量％以下，更優選 0.01〜10重量％，進一步優選〇.5〜5重量％。該化合物的比 例超過10重量％時，照射到黏合劑層14上的紫外線被該 化合物過度地吸收，因此黏合劑層14的與半導體晶圓黏貼 部分對應的部分的固化不充分，有時黏合力不能充分下 降。另一方面，為了充分地著色，優選將該化合物的比例 設定為0.01重量％以上。 另外，經由紫外線固化型黏合劑形成黏合劑層14時 可以使用將基材13的至少單面的、與半導體晶圓黏貼部 對應的部分以外的部分的全部或者—部分進行遮光的 材’在其上形成紫外線固化型黏合劑層Μ後進行紫外線 射，使與半導體晶_貼部分對應的部分固化，從而可 形成黏合力下降的所述部分。作為遮捕料，可以經由 刷或祕等在支撐相±製賴_錢掩模的遮光 22 201113348 35857pif 造方法’可以高效地製造本發明的半導體裝 由某產生晴礙時，優選經 ίΐ方用隔片將所述黏合歸14的表面覆 |、’ 5钱氣氛圍巾進行t*外線照射的方法等。 黏口 4|層14的厚度沒有特別限制，從兼具防止 和晶片接合薄膜的固定保持的功能等方:考 =，至約5°_。優選—、更』 所述曰曰片接合薄膜u是具有勝黏功能的層，作

構成材料’可以組合使賴塑性樹脂與熱樹脂，也ς 以單獨使用熱塑性樹脂。 tJ 晶片接合薄膜12中的膠黏劑組合物的玻璃轉移 優選在_2G〜5Gt的範圍内’更優選在_1G〜贼的範圍内二 玻璃轉移溫度為_20°(：以上時，可以防止B階狀態下的晶 接合薄膜12的雜增大而導致其性下降。另外，半 體晶圓的切割時，可以防止由於與切割刀具的摩擦而產生 熱炫融的膠黏_著在半導體晶片上從而引缺取不良。 另一方面，經由將玻璃轉移溫度設定為5(rc以下，可以防 止流動性或與半導體合性下降。在此，所述破璃 轉移溫度’是使用黏彈性測定裝置（Rhe〇metric公司製， 型號：RSA-II)，在-50¾〜25〇t的溫度範圍内，在頻率 0.01Hz、應變0.025%、升溫速度1(rc/分鐘的條件下測定 23 201113348 35857pif 時的TaM (G”（損耗彈性 示極大值的溫度。 /G (儲4性模量））顯 模量的拉伸儲能彈性 f f ^ ° 可以防止在半導體晶圓的_時由於與㈣刀 f=勝黏劑附著在半導體晶片上從而；；=: 二：二由將拉伸儲能彈性模量設定為2_廳 =下’ TU使4接合薄職絲的半導 合的襯底等的密合性良好。 圓4日曰片接 …所述拉伸儲能彈性模量的值，是經由以下測定方法測 疋的值。g卩，在喊模處理後⑽離襯墊上 合物的溶液並乾燥，形成厚度卿m的晶片接合薄膜ΐ 將遠晶片接合_ 12在15叱的烘箱巾放置丨小時後 用黏彈性測定裝置（Rhe峨trie公㈣，㈣：雛叫， =晶片接合薄膜12的固化後的·。c下的拉伸儲能彈性 模量。更具體而言’準備長3〇 〇mmx寬5 〇mmx厚〇乂麵 的試樣，將測定試樣設置在薄膜拉伸測定用夾具上，在 50C〜250°C的溫度範圍内，在頻率〇 〇1Hz、應變〇 〇25%、 升溫速度10°C/分鐘的條件下進行測定。 作為所述熱塑性樹脂，可以列舉：天然橡膠、丁基橡 膠、異戊二烯橡膠、氣丁橡膠、乙烯_醋酸乙烯酯共聚物、 乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹 脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、尼龍6或尼龍 24 201113348 35857pif 令酿私树脂、本氧基樹脂、丙婦酸類樹脂、PET或 =BT，飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或者含氟樹脂 等。、這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使 =。=些熱塑性樹脂中，特別優選離子性雜質少、耐熱性 南此夠確保半導體元件的可靠性的丙稀酸類樹脂。 作為所述丙烯酸類樹脂，沒有特別限制，可以列舉以 一種或兩種以上具有碳原子數30以下、特別是碳原子數 4 18的直鏈或支鏈烧基的丙烯酸酯或曱基丙燁酸酯為成分 的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如：甲基、乙基、 丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊^、 己基、庚基、ί衣己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬其 異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、 十四烧基、硬脂基、十八烧基或者十二燒基等。 另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒有特別限 制，可以列舉例如：丙烯酸、曱基丙烯酸、丙烯酸綾乙酯: 丙細酸叛戊Sa、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含竣 基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；（曱基）丙稀酸 -2-羥基乙酯、（曱基）丙烯酸-2-羥基丙酯、（甲基）丙缚酸 -4-羥基丁酯、（曱基）丙烯酸-6-羥基己酯、（甲基）丙稀酸 -8-羥基辛酯、（曱基）丙烯酸-10-羥基癸酯、（甲基）丙締 酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥曱基環己基）曱醋等含經 基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基）丙烯酿胺基 -2-曱基丙增酸、（甲基）丙稀蕴胺基丙績酸、（曱基）丙缚 酸確丙酯或（曱基）丙烯趨氧基萘確酸等含續酸基單體. 25 201113348 35857pif 或者丙烯醯麟酸_2_經基乙酯等含碟酸基單體等。 作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚醛樹脂、 W脂、環氧樹脂、聚氨酷樹脂、聚矽^ ^月曰或熱_聚醯亞胺樹脂等。這些樹脂可以 ^ 子用二寺別優選會使半導體晶片腐钱‘ 固化=二:環氧樹脂。另外’作為環她的 : 斤述環氧樹脂，只要是作為膠黏劑組合物通 制’可以使用例如:雙齡八型、雙盼F型、 、溴化雙酚A型、氫化雙酚人型、雙酚af 組合使用。這些環氧樹脂中，特別優 聯苯型環氧樹脂、三經苯基甲燒 f祕娜或四苯·乙财環氧樹脂。這是因為：這些 與作為111化劑的祕樹脂的反應性好，並且财孰 性等優良。 ” 另外所述紛酸樹脂作為所述環氧樹脂的固化劑起作 : $騎料輯脂、苯料⑨基樹脂、 甲漆树月曰、叔丁基苯酴祕清漆樹脂、壬基苯酚 :酪：Π曰等酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛樹脂型酚樹 月曰、㈣經基苯乙婦等聚經基苯乙烯等。這些祕樹脂可 26 201113348 35857pif 以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中特別 優選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以 提高半導體裝置的連接可靠性。 所述環氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如以相對於 所述環氧樹脂成分中的環氧基1當量、酚醛樹脂中的羥基 為〇·5〜2.0當量的比例進行配合是適當的。更優選2 當量。即，這是因為：兩者的配合比例如果在所述範圍以 外’則固化反應不能充分進行，環氧樹脂固化物的特性容 易變差。 另外，本實施方式中，特別優選使用含有環氧樹脂、 齡醛樹脂及丙烯酸類樹脂的晶片接合薄膜12。這些樹脂的 離子性雜質少、耐熱性高’因此可以確保半導體晶片的可 靠性。此時的配比是’相對於丙烯酸類樹脂100重量份， 環氣樹脂與酚醛樹脂的混合量為10〜20〇重量份。 為了使本實施方式的晶片接合薄膜12預先進行某種 程度的交聯，在製作時可以添加與聚合物的分子鏈末端的 官能團等反應的多官能化合物作為交聯劑。由此，可以提 高高溫下的膠黏特性，改善财熱性。 作為所述交聯劑’可以使用現有公知的交聯劑。特別 是更優選甲苯二異氰酸酯、二苯基曱烧二異氰酸酯、對苯 二異氰酸酯、丨，5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加 成產物等多異氰酸酯化合物。交聯劑的添加量相對於所述 聚合物100重量份通常優選設定為0·05〜7重量份。交聯劑 的量超過7重量份時’膠黏力下降’因此不優選。另一方 27 201113348 35857pif 面’低於0.05重量份時，凝聚力不足，因此不優選 根據需要可以與這樣的多異氰酸s旨化合 ’ 脂等其它多以化合物。 氧樹 另外，晶片接合薄膜12中根據其用途可以 ^機填充劑。無魏充_配合可叫 熱性:調節彈性模量等。作為所述無機填充劑，可^歹^ i如:ί乳，、黏土、石膏、碳酸詞、硫酸鋇、氧二 鎳i 石厌化石夕、氮化石夕等陶究類、紹、銅、銀、金、 =的各種無機粉末。這些無機填充齊 == 熔融二氧化石夕。另外，益播殖 氧化石夕特別疋 〇·1〜80μιη的範圍内。.....”月，的平均粒徑優選在 份優的配合量，相對於有機成分觸重量 重量份，更優選奴―f 其它添加劑。作為其它添加劑，可以要了讀虽配合 烷偶聯劑或離子捕獲劑等。作為 ^例如阻燃劑、矽 如:三氧化録、五氧化 以單獨使用或者兩種以上組合、=° &些物質可 劑，可以列舉例如：ρ_(3,4_環氧m、為所述石夕烧偶聯 烧、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基 =己基广基三曱氧基石夕 基二乙氧基魏等。這此化Γ叫氧丙氧基丙基甲 上組合使用。作為所述軒獨使用或者兩種以 ，可以列舉例如：水滑 28 201113348 35857pif 石類、氫氧化鉍等。這些物質可以 組合使用。 獨使用或者兩種以上 晶片接合薄膜的厚度沒有特 約 5μιη 至約 100μπι， 優選二例如可以為 可以對半導财置用_1G_ 可以防止其膠黏時及剝離時等產生 7電此力。由此， 體晶圓等的帶電而破壞電路。防靜的半導 在基材U、黏合劑層14或晶 电月匕力的賦予可以經由 劑或導電性物質的方法、在基材13°上專膜12中添加防靜電 合物或金屬膜料導電層㈣包含^遷移絡 式，優選不易產生可能使半導體仃。作為這些方 式。作為為霄現賦予導_、提二：子：方 導電性物質（導電填料），可 ;f生專目的而配合的 導電性合金等球形、針形、片^、紹、金、銅、鎳、 氧化物、非a屋里、 狀金屬粉末、氧化鋁等金屬 考声，優選^述曰、片接°但是，從能夠不漏電的觀點 今愿队所4曰曰片接合薄膜12不具有導電性。 所述晶j接合_12由覆蓋薄膜2保護。覆 具有在供給實際應用之前作聽護^接 2 ' 護材，功能。覆蓋薄膜2在向_/晶片接合_的= 接合，12上黏貼半導體晶圓時剝 片 可以使用料苯H:_(pET)、聚乙稀、 也可以仙由錢_劑、長舰基n 剝離劑進行/表面塗佈的塑料薄膜或紙等。 # 覆蓋薄膜2的厚度沒有特別限制，例如優選在 29 201113348 35857pif 〇·01〜2mm的範圍内，更優選在0.01〜1mm的範圍内。 以下’對本實施方式的半導體裝置用薄膜10的製造 方法進行說明。 本實施方式的半導體裝置用薄膜10的製造方法，包 括：在基材13上形成黏合劑層14從而製作切割薄臈1丨的 工序丄在基材隔片22上形成晶片接合薄膜12的工序，將 切，薄膜11和晶片接合薄膜12在對其中至少任意一個薄 膜施加拉伸張力的狀態下、以晶片接合薄膜12為黏貼面與 黏合劑層14進行積層的工序，經由將晶片接合薄媒12上 的基材隔片22剝離而製作切割/晶片接合薄膜〗的工序， 和f切割/晶片接合薄膜1和所述覆蓋薄膜2在對其中至少 任思一個薄膜施加拉伸張力的狀態下以所述晶片 12作為黏貼面進行黏貼的工和 ㈣ 所述切割薄膜U的製作工序，例如如下所述進行。 先，可以經由現有公知的製膜方法形成基材13。作為該 膜方法，可以例神:壓延製膜法、有機溶劑、 法1、閉體系中的吹塑擠出法、Τ型模頭擠出法、此= 法、乾式積層法等。 /、擠出 然後，在基材13上塗佈黏合劑組合物溶液形 J，在預定條件下將該塗膜乾燥(根據需要進行=

丄)’形成黏合_ 14。塗佈方法沒有特別限制可= 牛列如·輥塗、絲網塗佈、凹版塗佈等。另外 U ^根據塗_厚度或材料等適當設定。具體而言，例^牛 在乾燥溫度80〜15(rc、乾燥時間〇.5〜5分鐘的範^内如進 201113348 35857pif 行 科，可以在第一隔片21上塗佈勒 塗膜後，在前述乾燥條件下使塗 【σ 5 7成 之後，將齡_ 14和第—㈣軸齡劑層14。 上。由此，製作黏合劑層^第二：起黏卿 膜η (參考圖2 (a))。製作的切㈣:片21 :護的切割薄 為捲筒狀陳條職。此日#、卜相具有捲繞 弛、卷繞滑移、位置偏移i二使在m膜11不產生鬆 向上施加拉伸張力的同時進行d,度方向或寬度方 语六，七77金丨《时U - 唇''凡但疋，經由施加拉伸 “狀：外\ ^留有拉伸殘留應變的狀態下捲繞為 =二:膜Η的卷取時，有時由於施加所述 拉伸張力而使切割薄膜U被拉伸 於進行拉伸操作。雜伸但疋卷取的目的並不在 黏合劑層i4包含紫外線固化 行過紫外線固化的情況下，以下述方法形 ；^塗佈紫外_化型的黏合舰合物㈣成塗膜後t在 『疋條件下使該塗膜乾燥(根據需要 =t二為塗佈方法、塗佈條件及乾燥二= =同樣地進行。另外’可以在第—隔片21上塗佈紫外線 2型黏合雜合物㈣職，在前述乾雜件下使 =乾無’形^合劑層。之後，將黏合劑層轉印到基材 。進而’在預定條件下對黏合劑層照射紫外線。紫外 2照射條件沒有特別限制，通常累積光量優選在 5〇〜8〇—的範㈣’更優選在剛〜鄕mW的範圍 °經由將累積光量調節到所述數值範圍内，可以將晶片 31 201113348 接合薄膜12與切割薄膜u間的剝離力&控製到 0.08〜10Ν/100_的範圍内。紫外線的照射不足3〇mj/cm2 時，黏合劑層14的固化不充分’有時與晶片接合薄膜i2 的剝離力變得過大。結果，與晶片接合薄膜的密合性增大， 導致拾取性下降。另外，拾取後，有時在晶片接合薄膜上 產生膠糊殘留。另-方©，累積光量超過誦邊m2時， 有時與晶片接合薄膜12的剝離力變得過小。結果，黏合劑 層14與晶片接合薄膜12間有時產生界面剝離。結果，在 半導體晶圓的切割時，有時產生晶片飛散。另外，有時對 基材13造成熱損傷。另外’黏合_ 14的固化過度進行 導致拉伸彈性模量過大，擴張性下降。另外，紫外線的昭 射也可以在後述的與晶片接合_ 12的黏貼工序後進 行。此時’優選從基材13 -側進行紫外線照射。 所述晶片接合薄膜U的製作工序如下所述進行。即，

物笙师到矛二隔月23上形成塗膜後，

3上$成塗膜後，在前述乾燥條件下使 接合薄獏12 °之後，將晶片接合薄膜 起黏貼到基材隔片22上。由此，製成 32 201113348 35857pif 在基材隔片22上依次積層有晶片接合薄膜12 23的積層薄膜（參考圖2⑻）。所製作的‘ 12，可以具有捲繞為捲筒狀的長條形態。此 、 片，合薄膜U不產生鬆弛、卷繞滑移、位置偏移等了 = 在其長度方向或寬度方向上施加拉伸張力的同時進—耒 繞。但是，經由施加拉伸張力，晶片接合_ 12 : 拉伸殘留應變的狀態下捲繞為捲筒狀。另外，晶片接合薄 膜12的卷取時，有時由於施加所述拉伸張力而使晶 薄膜12被拉伸’但是卷取的目的並不在於進行拉;操作口。 然後，進行切割薄膜u與晶片接合薄臈12的黏貼， 製作切割/晶片接合薄膜1。即，從切割薄膜u上將第一严 片21剝離，並且從晶片接合薄膜12上將第二隔片: 離’以晶片接合薄膜12與黏合劑層14為黏貼面的將 兩者黏貼（參考圖2 (c))。此時，在對切割薄膜u和晶片 接合薄膜12中的至少任意—㈣膜的邊緣部施加拉 力的同時進行壓接。另外，切割薄膜11和晶片接合薄膜 12刀別為捲繞成捲疴狀的長條形態時，優選在儘量不在县 度方向對_薄膜11及晶片接合薄膜12施加拉伸張 情況下進行運送。這是因為可以抑製這些賴的拉伸 應變。但是，從防止切割薄膜U及晶片接合薄膜12 鬆弛、捲繞滑移、位置偏移、空隙（氣泡）等的觀點考廣， 也可以在10〜25N❸範圍内施加拉伸張力。如果在該& 内，則即使切割薄膜11和晶片接合薄膜π中殘留有 殘留應變，也可以防止切割薄膜11與晶片接合薄膜12 33 201113348 35857pif 產生界面剝離。 另外，切割薄膜11與晶片接合薄膜U的黏貼，例如 可以經由壓接雜。糾，制溫度沒有__，通常 優選30〜80°C ’更優選30〜6〇°C ’特別優選3〇〜5(rc。另外， 線壓沒有特別限制，通常優選（U〜2〇kgf/cm，更優選 1〜lOkgf/cm。經由在將積層溫度和/或線壓分別調節到所述 數值範圍内的情況下將切割薄膜Η與_·合物的玻 璃轉移溫度在_20〜50°C範圍内的晶片接合薄膜12黏貼，可 以將晶片接合薄膜12與切割薄膜剝離力？2控 〇.08〜^)N/l〇〇mm的範圍内。在此，例如，經由在所述範圍 内升高積層溫度，可以增大㈣!_ u與晶片接合 12間的剝離力F2。另外，經由在所述範圍也 可以增大剝離力F2。 ^ ^ 然後，將晶片接合薄膜12上的基材隔片22剝離由 4付到在基材丨3上依:欠積層有齡料 膜二的切割/晶片接合薄膜卜接著，在該切割 接合薄膜12上’黏貼覆蓋薄膜2。在此; 姓+*,/13建每疋因為僅有基材13作為支撐體保 易二二薄膜形狀及積層結構，因此處於容 ⑽伸的狀可以控製拉伸殘留 拉伸張力。 34 201113348 35857pif =拉伸殘留應變’也可以防止產生切割薄膜u與晶片 ί膜1^間的界面剝離或覆蓋薄膜2的薄_起現象。 19 /二蓋細2在切割/晶片接合賴1的晶片接合薄獏 ^黏貼，優選經由壓接進行。由此，製作本實施方式 置用_ 1()。此時’積層溫度沒有特別限制， 匕吊優、3〇〜80。(：，更優選3〇〜6旳，特別優選3 。 ^〇，^〇kgf/cm,^ 述錄溫^或線壓分別調節到所 以將晶片接合薄膜12盘覆蓋^ f二f 12黏貼’可

〇-〇^0.〇75N/l〇〇mm F^tf，J 範圍内升m 在此’例如，經由在所迷 蓋薄膜二二片接合薄膜1與復 壓’也可以增大剝離”，。另 線 ΐΓ=4_施加拉伸張二=ί :覆蓋薄膜2產生鬆弛、捲繞滑==移但;：防 '包）等的觀點考慮，也可以在1〇〜25 工味（氣 張力。如果在範圍内，則即使覆=内施加拉伸 產生薄膜翹起現象。 m片接合賴！上 2卜曰另薄膜11的黏合劑層14上點貼的第一隔只 明片接合薄膜12的基材隔片L以及該晶片接g 35 201113348 35857pif 膜12上黏貼的第二隔片23，、、夺右 有公知的經剝離處理後㈣膜/。第—隔^ ’可以使用現 23分別具有作為保護材料的功能。另外^/口第二隔片 有作為將晶片接合薄膜12轉印到切隔片22具 14上時的基材的功妒。^ 膜11的黏合劑層 制，可以採賊有八成這些各_的材料沒有特別限 剝離劑等剝離劑進行表二 實施例 f ^下二具體地舉例說明本發明的優選實施例。但是， ΐ貫喊的材料4配合量等只要沒有制限定的奇 載’則t發明的範圍不限於此。另外，“份 < (實施例1) 里1刀 <切割薄膜的製作> ^有^凝管、氮氣導人管、溫度計和獅裝置的反 應“中，加人88.8份丙稀酸_2•乙基己 “A”）、U.2份丙·2_減乙醋（以下稱為“h=為 0.2份過氧化苯甲· 65份甲苯，在氮氣氣流中在机下 進灯6小時聚合處理，得到重均分子量為μ萬的丙稀酸類 聚合物A。2EHA和HEA的莫耳比為1〇〇莫耳:2〇莫耳。 重均分子量的測定如後所述。 、 在該丙稀酸類聚合物A中加人12份2_甲基丙稀酿氧 乙基異氰_旨（町麟“MOI”）（相麟HEA為8〇莫耳 36 201113348 %) ’在空氣氣流令在5(rc進行48小時加成反應處理，得 到丙烯酸類聚合物A，。 然后’在100份丙烯酸類聚合物A，中加入8份異氰酸 酯類交聯劑（商品名“coronate L，，，曰本聚氨酯株式會社 製造）和5份光聚合引发劑（商品名“Irgacure 65Γ，汽巴 精化公司製造），製作黏合劑溶液。 將上述製備的黏合劑溶液塗佈於PET剝離襯墊（第一 隔片）的經聚矽氧烷處理後的表面上’在120。(：加熱交聯2 分鐘，形成厚度ΙΟμπι的黏合劑層。然後，在所得黏合劑 層的表面黏貼厚度1〇〇μιη的聚烯烴薄膜（基材 > 之後， 在5〇。(：保存24小時。 、進而，將所述PET剝離襯墊剝離，僅對黏合劑層的與 半導體晶圓黏貼部分（直徑2GGmm的圓形）相心都w古

々忒刿疋黏合劑層的拉伸彈性模量，赶 ，拉伸彈性模量為 2〇Mpa = <紫外線照射條件> 紫外線（UV)照射裝置：高壓汞燈 紫外線照射累積光量：50〇mj/cm2 輪出：120W 照射強度：200mW/cm2 〈晶片接合薄膜的製作> 將以丙烯酸乙S旨甲基旨為主成分的㈣酸 37 201113348 35857pif 賴聚合物（根上工業株式會社製，Pa贿〇n W197CM， Tg : 18°C) 1GG份、異級g旨類交聯劑（日本聚氨酿株式 會社製造，商品名：C_ate HX) 2份、環氧樹脂（JER 株式會社製，Epicoat 1004) 5〇份、_樹脂（三井化學株 式會社製，MkeXXLC_3L) 10份和作為無機填充劑的球形 一氧化石夕（ADMATECHS株式會社製，商品名j〇 25r， 平均粒怪0.5哗）30份溶解於曱乙酮中，製備濃度18 〇重 量％的膠黏劑組合物溶液。 將為膠黏劑組合物溶液經由縫模塗佈機塗佈到經剥 離處理的㈣。（基材隔片）上形成塗層，對該塗層直接嘴 射2刀雀里15〇C、l〇m/秒的熱風使其乾燥。由此，在經制 離處理的薄膜上製作厚度25叫的^接合薄膜。另外， 作為經剝祕理_膜，使用在聚對笨二曱酸乙二醇醋薄 膜（厚度5θμπι)上進行聚碎氧烧脫模處理而得到的薄膜。 <切割/晶片接合薄膜的製作〉 然後’將上述切割薄膜和晶片接合薄膜以黏合劑射 晶片接合㈣為黏貼_方式進行獅。㈣使用夾輥， 黏，條件是積層溫度Τι為机、線壓為3kgf/cm。進而 =曰曰片接合薄臈上的基材隔片剝離而製作切割/晶片接名 f膜。將所得的_心接合薄膜絲為浦狀，此㈣ 卷取張力設定為不拉伸的程度，具體為UN。 <半導體|置用薄膜的製作〉 貝占由片接合薄膜，在所述晶片接合薄膜上暴 聚對本一甲酸乙二醇酯薄膜(厚度38μιη)構成的覆· 38 201113348 35857pif 薄膜。此時，為了防止產生位置偏移、空隙（氣泡）等， 使用張力調節輥（dancer roller)對切割/晶片接合薄膜和覆 蓋薄膜分别在MD方向施加17N的拉伸張力的同時進行黏 貼。另外，黏貼使用夾輥，在積層溫度丁2為5〇。(：、線壓為 3kgf/cm的條件下進行。由此，製作本實施例的半導體裴置 用薄膜。 (實施例2) <切割薄膜的製作> 本實施例的切割薄膜，使用與前述實施例i同樣的切 割薄膜。 <晶片接合薄膜的製作> 將以丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸 酉旨類聚合物（根上工業株式會社製，？&1^(^0]1*-197〇丁层： 18°C ) 100份、異氰酸酯類交聯劑（曰本聚氨酯株式會社 製造，商品名：Coronate HX) 4份、環氧樹脂（jer株式 會社製，Epicoat 1004) 30份、紛酸樹脂（三井化學株式會 社製，MirexXLC-3L) 15份和作為無機填充劑的球形二氧 化石夕（ADMATECHS株式會社製，商品名：s〇_25R，平均 粒怪0·5μιη) 60份溶解於曱乙酮中，得到濃度18 〇重量0/〇 的膠黏劑組合物溶液。 將該膠黏劑組合物溶液經由縫模塗佈機塗佈到經剝 離處理的薄膜（基材隔片）上形成塗層，對該塗層直接嘴 =2分鐘15GC、lGm/秒的熱風使其乾操。由此，在經剝 處理的薄膜上製作厚度25μιη的晶片接合薄膜。另外， 39 201113348 35857pif 經剝離處理的薄膜’使用在聚對笨二甲萨 ^ 度50μπ〇上進行聚矽氧烷剝離處理而二到薄膜(厚 〈切割/晶片接合薄膜的製作> 、4 、。 然後，將上述切割薄膜和晶片接合 晶片接合薄膜為黏貼_方式進行黏I此日^=劑層和 f生位置偏移、空隙(氣泡)等，使用張力調節::二 缚膜，晶片接合薄膜分别在MD方向施加iw == 的同時進行黏貼。另外，叙目上你 甲張力 Μ T A ^ 线，黏貼條件是積層 狐度L為50 C、線壓為3kgf/cm。進而，將晶片接合薄膜 上的基材Μ娜而製作_/晶片接合薄膜。將所得的切 割/晶片接合薄料取為捲筒狀’此時的卷取張力設定為不 拉伸的程度，具體為13Ν。 <半導體裝置用薄膜的製作> 對上述切割/晶片接合薄膜，在所述晶片接合薄膜上黏 貼由聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜（厚度38μιη)構成的覆蓋 薄膜。此時，為了防止產生位置偏移、空隙（氣泡）等， 使用張力調節輥對切割/晶片接合薄膜和覆蓋薄膜分别在 MD方向施加17Ν的拉伸張力的同時進行黏貼。另外，黏 貼使用夾輥’在積層溫度Τ2為5(TC、線壓為3kgf/cm的條 件下進行。由此，製作本實施例的半導體裝置用薄膜。 (比較例1) <切割薄膜的製作> 本比較例的切割薄膜，使用與前述實施例1同樣的切 201113348 35857pif 割薄膜。 〈晶片接合薄膜〉 本比較例的晶片接合薄膜，使用與前述實施例 的晶片接合薄膜。 <切割/晶片接合薄膜的製作> 本比較例中，料將切割薄膜與晶片接合薄膜黏 的積層溫度T# Τ2變更為2代以外，與前述實施例i同 樣操作’製作本比較例的切割/晶片接合薄膜。 <半導體裝置用薄膜的製作> ' 本比較例的半導體裳置用薄膜，經由與前述實施例i 同樣地對所述切割/晶片接合薄膜黏貼由聚對苯二甲酸乙 二醇酯薄膜構成的覆蓋薄膜來製作。 (比較例2) <切割薄膜的製作> 本比較例的切割薄膜，使用與前述實施例1同樣的切 割薄膜。 <晶片接合薄膜> 本比較例U接合薄膜，使用與前述實施例i同樣 的晶片接合薄膜。 <切割/晶片接合薄臈的製作> 本比較例中，除了將切割薄膜與晶片接合薄膜黏貼時 的積層溫度1和T2變更為35ΐ以外，與前述實施例1同 樣操作，製作本比較例的切割/晶片接合/薄膜。 <半導體裝置用薄膜的製作> 201113348 35857pif 本比較例的半導體裝置用薄膜，經由與前述實施例^ 同樣地對所述切割/晶片接合薄膜黏貼由聚對笨二甲酸乙 二醇酯薄膜構成的覆蓋薄膜來製作。 文 (比較例3 ) <切割薄膜的製作> 本實施例的切割薄膜，使用與前述實施例丨同樣 割薄膜。 ’、刀 <晶片接合薄膜的製作> 將以丙烯酸丁酯為主成分的聚合物（根上工業株式會 社製，商品名：ParacronAS-3000，Tg : -36。(：）1〇〇 份、異 氰酸酯類交聯劑（曰本聚氨酯株式會社製造，商品名了 Coronate HX) 2份、環氧樹脂（JER株式會社製， 1004) 60份、酚醛樹脂（三井化學株式會社 XLC-3L) 10份和作為無機填充劑的球形二氧化矽 (ADMATECHS株式會社製，商品名：s〇_25R，平均粒怪 0.5μιη) 15份溶解於曱乙_中，製備濃度18 〇重量％的膠 黏劑組合物溶液。 將該膠黏劑組合物溶液經由縫模塗佈機塗佈到經剝 離處理的薄膜（基材隔片）上形成塗層，對該塗層直接喷 射2分鐘15(TC、l〇m/秒的熱風使其乾燥。由/在經剝 離處理的薄膜上製作厚度2一的晶片接合薄膜。另外， 經剝離處理的薄膜’使用在聚對苯二甲酸乙二醇g旨薄膜（厚 度50μπ〇上進行聚矽氧烷剝離處理而得到的薄膜。 <切割/晶片接合薄膜的製作> 42 201113348 35857pif 本比較例中，與前述實施例1同樣地進行切割薄膜與 晶片接合薄膜的黏貼，製作本比較例的切割/晶片接合薄 膜。 <半導體裝置用薄膜的製作> 本比較例的半導體裝置用薄膜，與前述實施例1同樣 地對所述切割/晶片接合薄膜進行由聚對苯二甲酸乙二醇 酯薄膜構成的覆蓋薄膜的黏貼，製作本比較例的半導體裝 置用薄膜。 (剝離力的測定） 各實施例及比較例所得到的半導體裝置用薄膜中晶 片接合薄膜與覆蓋薄膜之間的剥離力、以及切割薄膜與晶 片接合薄膜之間的剝離力的測定，在溫度23±2c»c、相對濕 度55±5%Rh、剝離速度300mm/分鐘的條件下，經由τ型 剝離試驗（HS Κ6854-3)進行。另外，作為拉伸試驗機， 使用商品名“Autograph AGS-Η”（株式會社島津製作所製） 的拉伸試驗機。 (黏合劑層的拉伸彈性模量） 從各實施例和比較例中的切割薄膜切出長1〇 〇mm、 寬2mm、截面積0.1〜0.5mm2的試樣。在測定溫度幻它、 夾盤間距50mm、拉伸速度50mm/分鐘的條件下^該試樣 ，行MD方向的拉伸試驗，败該試樣伸長所引起的變化 量（mm)。由此，在所得S_S (應變_強度）曲線中，在初 始上升部分作切線，用該切線上相當於i 〇 〇 %伸長率時的 伸強度除以各切割薄膜的截面積，將所得值作為拉伸彈性 43 201113348 35857pif 模量。 (熱固化前的晶>1接合薄膜的拉伸彈性模量） 對於各實施例和比較例中的晶片接合薄膜使用黏彈 性測定裝置（Rheometric公司製，型號：Rs Α π )，測定加 下的拉伸彈性模量。更具體而言，準備長咖⑽寬5mmx 厚O.lrrnn的試樣，賴定試樣設置在_拉㈣定用夹具 上，在-40〜25(TC的溫度範圍内，在頻率〇〇mz、應變 0.025%、升溫速度1(TC/分鐘的條件下進行測定。 (界面剝離及薄膜赵起的有無） 各實施例及比較例所得到的丰藤妒奘罟用磕眩中壤 膜翹起的確認，如下進行。即，將各半導&裝置用薄膜在 咖度-30±2 C的冷庫中放置12〇小時。進而，在溫度 23±2°C、相對溫度55±5%Rh的環境下放置24小時。然後， 確認半導體裝置用薄膜中各薄膜間有無界面剝離及薄膜翹 起。評價標準是，經由目視未觀察到界面剝離或薄膜翹起 時評價為〇，觀察到時評價為X。 (空隙的有無） 各實施例及比較例所得到的半導體裝置用薄膜中有 無空隙，如下進行確認。即，從各半導體裝置用薄膜上分 別將覆蓋薄膜剝離’在晶片接合薄膜上進行半導體晶圓的 女裝。半導體晶圓使用尺寸為8英寸、厚度75μπι的半導 體晶圓。半導體晶圓的安裝條件如下所述。 <黏貼條件> 黏貼裝置：ACC株式會社製，商品名：RM-300 44 201113348 35857pif 黏貼速度：500mm/秒 黏貼壓力：0.2MPa

黏貼溫度：50°C 接著，經由顯微鏡確認切割/晶月拉人^ 圓的黏貼面上有無空隙（氣泡）。結果如與半導體晶 (切割及拾取的評價） 、1所示。

從料導體裳置用薄膜上分別將覆蓋薄膜剝離 片接合祕上進彳了半導體晶κ的安裝。半導體晶 I 寸為8英：、厚度75,的半導體晶圓。半導體 裝條件與如述同樣。 然後’根據下列條件進行半導體晶圓的切割，形成3〇 個半導體晶片。對此時有無碎片或晶片飛散進行計數。結 果如下表1所示。進而，將半導體晶片與晶片接合薄膜一 起拾取。對30個半導體晶片（長5mmx寬5mm)進行拾取， 計數無破損而成功拾取半導體晶片的情況，計算成功率。 結果如下表1所示。拾取條件如下所述。 <切割條件> 切割方法：單切割 切割裝置：DISCO DFD-6361 (商品名’株式會社 DISCO 製） 切割速度：50mm/秒 切割刀片：2050-HECC 切割刀片轉速：45000rpm 切割帶切入深度：20μπι 45 201113348 35857pif 晶圓晶片尺寸：5mmx5mm <拾取條件> 拾取装置：CPS-100 (NES Machinery 公司製） 針根數：9根 上推量：300μιη 上推速度：10mm/秒 下拉量：3mm (晶片接合薄膜的玻璃轉移溫度Tg的測定） 対於貫施例1、2以及比較例3中的晶片接合薄膜 使用黏彈性測定裝置（Rheometric公司製，型號：rsa j 測定玻璃轉移溫度（Tg)。更具體而言，在_5〇t〜25(rc 溫度範圍内’在頻率0 01Hz、應變〇 025%、升溫速声 分鐘的條件下進行測定，將TanS (G”（損耗二二( J儲能彈性模量顯示極大值時的溫度作為二' 實施？ 1的晶片接合薄膜的Tg為39。。，實施例曰 =薄膜的Tg為4n：，比較例3的晶片接合_的^曰 (結果） 如下表1可以看出，實施例丨和2的半 薄膜與晶片接合薄膜間的界面_ 到晶片接合薄膜上時，也不產生空隙或折圓. 體晶圓的切割時，也不產生半導體晶片的晶 ’ ’ 拾取性良好。與此相對，比較例丨的半導縣置=⑷ 46 201113348 35857pif 雖然拾取成功率為100%，但是在_薄膜與晶片接合薄膜 之間產生界面剝離，還確認到覆蓋薄膜的薄膜趣起現象。、 並且，在半導體晶圓的安裝時，產生空隙或折皺。另外， =較例2的半導體裝置用薄膜，產生切割薄膜與晶片接合 薄膜之間的界面剝離或覆蓋薄膜的薄膜麵起，另外，在半 導體晶圓的切割時產生晶片飛散或碎片。另外，比較例3 的半導體裝置用薄膜，由於切割薄膜與晶片接合薄膜之間 的密合性高’因此拾取困難，確認到半導體晶片的破裂或 缺損。 表1 實施例 1 實施例 2 比較例 1 比較例 2 比較例 3 剝離力 Fi(N/l〇〇mm) 0.072 0.068 0.023 0.074 0.069 剝離力 F2(N/100mm) 0.47 0.082 0.047 0.069 0.73 積層溫度Kt) 50 50 25 35 50 積層溫度T2(°c) 50 50 25 35 50 界面剝離及薄膜旭起 的有無 〇 〇 X X 〇 空隙的有無 無 無 有 有 無 晶片飛散的有無 無 無 有 有 無 拾取成功率(％) 100 100 100 60 20 另外，表1中的剝離力Fi表示切割/晶片接合薄膜與 覆蓋薄膜之間的剝離力，剝離力F"2表示切割薄膜與晶片接 合薄膜之間的剝離力。另外，積層溫度Τι表示切割薄膜與 47 201113348 5^yjpit 晶片接合薄膜黏貼時的溫度，積層溫度τ2表示切割/晶片接 合薄膜與覆蓋薄膜黏貼時的溫度。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的一個實施方式的半導體裝置用薄 膜的示意剖面圖。 圖2(a)至圖2(c)是用於說明所述半導體裝置用薄膜的 製造過程的不意圖。 【主要元件符號說明】 1 :切割/晶片接合薄膜 2 :覆蓋薄膜 10 :半導體裝置用薄膜 11 :切割薄膜 12 :晶片接合薄膜 Π :基材 14 :黏合劑層 21 :第一隔片 22 .基材隔片 23 :第二隔片 48

Claims (1)

1. 201113348 七 申請專利範圍 1. 一種半導體裝置用薄膜，其在切割薄膜上依 有膠黏薄膜和覆蓋薄膜，其中， 谓θ 在溫度23±2°C、剝離速度3〇〇mm/分鐘的條件下的τ 型剝離試驗巾’所述職薄膜與所述覆蓋薄膜之間的剝離 力Fi在0.025〜0.〇75N/l〇〇mm的範圍内，所述膠黏薄膜與 所述切割薄膜之間的剝離力&在〇 〇8〜1〇N/1〇〇mm的範圍 内，並且所述Fi與所述&滿足所述Fi<所述匕的關係。 2·如申請專利範圍第丨項所述之半導體裝置用薄膜， 其中’所述切㈣膜、膠黏薄膜或覆蓋薄膜中的至少任意 一個存在拉伸殘留應變。 —3.如申請專利範圍第丨項或第2項所述之半導體裝置 用薄膜’其中’所述_薄膜中的膠測組合物的玻璃轉 移溫度在-20〜50°C的範圍内。 4·如申租專利範圍第1項至第3項中任一項所述之半 ^體裝置用薄膜，其中’所述膠黏薄膜為難型，熱固化 則的23°C下的拉伸彈性模量在5Q〜2_Mpa的範圍内。 5. 如中請專利範圍第i項至第4項中任—項所述之半 導體裝置㈣膜’其巾’所述切割薄财，在基材上積層 ，紫外線IU化型的黏合劑層，所述黏合劑層的紫外線固化 々的23CT的拉伸彈性模量在丨⑷麵^的範圍内。 6. 一種半導體I置’其使用如巾請專利範®第1項至 第5項中任—項所述之半導體裝置用薄膜來製造。 49