JP2021153183A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】加工工程中は半導体パッケージに対する半導体保護用粘着テープの接着性が高く、半導体パッケージのピックアップ時には半導体パッケージを損傷することなく半導体保護用粘着テープを容易に剥離できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、回路面に基材２ｂと粘着剤層２ａとを有する半導体保護用粘着テープ２が貼付された半導体パッケージ４の背面及び側面に、金属膜５を形成する工程と、金属膜が形成された半導体パッケージを、加熱する工程と、金属膜が形成された半導体パッケージを、ピックアップニードル６によって、半導体保護用粘着テープからピックアップする工程とを有し、半導体保護用粘着テープにおける基材のＭＤ方向及びＴＤ方向のうち最大の加熱収縮率が、２〜２０％となるように加熱工程の温度条件を調節する。【選択図】図５

Description

本発明は、加工工程中は半導体パッケージに対する半導体保護用粘着テープの接着性が高く、半導体パッケージのピックアップ時には半導体パッケージを損傷することなく半導体保護用粘着テープを容易に剥離できる半導体装置の製造方法に関する。

半導体等の電子部品の加工時においては、電子部品の取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために、粘着剤組成物を介して電子部品を支持板に固定したり、粘着テープを電子部品に貼付したりして保護することが行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、粘着剤組成物を介して厚膜ウエハを支持板に接着することが行われる。

また、広面積の半導体パッケージをダイシングして多数の個片化された半導体パッケージを得る場合にも、粘着テープを半導体パッケージに貼付することが行われる。このような工程では、粘着テープが貼付された半導体パッケージを、更にダイシングテープと呼ばれる仮固定テープ上に仮固定し、仮固定テープ上で粘着テープごと半導体パッケージをダイシングする。

このように電子部品に用いる粘着剤組成物や粘着テープには、加工工程中に電子部品を強固に固定できるだけの高い接着性とともに、工程終了後には電子部品を損傷することなく剥離できることが求められる（以下、「高接着易剥離」ともいう。）。
高接着易剥離の実現手段として、例えば特許文献１には、ポリマーの側鎖又は主鎖に放射線重合性官能基を有する多官能性モノマー又はオリゴマーが結合された粘着剤を用いた粘着シートが開示されている。放射線重合性官能基を有することにより紫外線照射によりポリマーが硬化することを利用して、剥離時に紫外線を照射することにより粘着力が低下して、糊残りなく剥離することができる。

特開平５−３２９４６号公報

一方、携帯電話等の通信機器は、高周波化が進んでおり、高周波によるノイズが半導体パッケージの誤作動を引き起こすという問題が生じている。特に、近年の通信機器は、小型化によるデバイス密度の増加やデバイスの低電圧化が進んでいるため、半導体パッケージは高周波によるノイズの影響を受けやすくなっている。
この問題に対し、例えば、ダイシング後の個片化された半導体パッケージの背面及び側面をスパッタリング等によって金属の膜で覆い、高周波を遮断することが行われている（電磁波シールド処理）。このような金属膜形成時にも、回路面（前面）の保護及び汚染防止のため、粘着テープを半導体パッケージの回路面に貼付することが行われる。即ち、回路面に粘着テープが貼付された半導体パッケージを、更に仮固定テープ上に仮固定し、仮固定テープ上で半導体パッケージの背面及び側面に金属膜を形成する。金属膜形成後は、ニードルピックアップ等によって、背面及び側面に金属膜が形成された半導体パッケージを仮固定テープ及び粘着テープから剥離する。

金属膜形成時に用いられる粘着テープとしても、接着性と剥離性とを両立するため、特許文献１のような光硬化型の粘着剤層を有する粘着テープが提案されている。また、粘着テープを半導体パッケージのダイシングから金属膜形成まで一貫して用いることも検討されている。粘着テープを半導体パッケージの回路面（前面）に貼付したままダイシングから金属膜形成までを行うことにより、製造工程の効率化が期待される。

しかしながら、粘着テープを用いて金属膜形成を行った場合、金属膜形成後の半導体パッケージのピックアップ時に歩留まりが低下したり、ピックアップ条件によってはピックアップニードルにより半導体パッケージが損傷したりすることがある。特に、半導体パッケージの回路面に例えば高さ１５０〜２００μｍ程度の高い電極が設けられている場合には、このようなピックアップ時の不具合が生じやすくなる。
本発明は、加工工程中は半導体パッケージに対する半導体保護用粘着テープの接着性が高く、半導体パッケージのピックアップ時には半導体パッケージを損傷することなく半導体保護用粘着テープを容易に剥離できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、基材と、上記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層とを有する半導体保護用粘着テープを用いる、半導体パッケージの背面及び側面に金属膜を形成する半導体装置の製造方法であって、回路面に上記半導体保護用粘着テープが貼付された半導体パッケージを準備する工程（１）と、回路面に上記半導体保護用粘着テープが貼付された半導体パッケージの背面及び側面に、温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件下にて金属膜を形成する工程（２）と、回路面に上記半導体保護用粘着テープが貼付され、かつ、背面及び側面に金属膜が形成された半導体パッケージを、温度Ｔ_２、時間ｔ_２の条件で加熱する工程（３）と、背面及び側面に金属膜が形成された半導体パッケージを上記半導体保護用粘着テープから剥がし、ピックアップする工程（４）とを有し、上記温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件及び上記温度Ｔ_２、時間ｔ_２の条件で加熱後、上記半導体保護用粘着テープにおける上記基材のＭＤ方向及びＴＤ方向のうち最大の加熱収縮率が２〜２０％となるように温度条件を調節する半導体装置の製造方法である。
以下に本発明を詳述する。

本発明者らは、基材と粘着剤層とを有する半導体保護用粘着テープを用いる、半導体パッケージの背面及び側面に金属膜を形成する半導体装置の製造方法において、金属膜形成後、半導体パッケージを半導体保護用粘着テープから剥がす前に、半導体保護用粘着テープを加熱する工程を行うことを検討した。更に、本発明者らは、金属膜形成時から半導体保護用粘着テープを加熱する工程までを経たとき、半導体保護用粘着テープにおける基材のＭＤ方向及びＴＤ方向のうち最大の加熱収縮率が特定範囲を満たすように温度条件を調節することを試みた。本発明者らは、このような温度条件の調節により、加工工程中の半導体保護用粘着テープの接着性を確保しながら、上記温度条件による熱履歴を経ることで基材に一定の収縮応力（残留ひずみ）が掛かった状態で半導体パッケージをピックアップすることができ、その結果、半導体保護用粘着テープの剥離性を著しく向上できることを見出した。これにより、本発明を完成させるに至った。

本発明の半導体装置の製造方法は、基材と、上記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層とを有する半導体保護用粘着テープを用いて、半導体パッケージの背面及び側面に金属膜を形成するものである。
図１〜５に、本発明の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す図を示す。以下、図１〜５を参照しながら、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。

本発明の半導体装置の製造方法では、まず、回路面に上記半導体保護用粘着テープが貼付された半導体パッケージを準備する工程（１）を行う。
上記工程（１）では、回路面に上記半導体保護用粘着テープが貼付された半導体パッケージを準備できれば特に限定されないが、ダイシング前の半導体パッケージの回路面に上記半導体保護用粘着テープを貼付した後、半導体パッケージを上記半導体保護用粘着テープごとダイシングすることが好ましい。これにより、上記半導体保護用粘着テープを半導体パッケージの回路面に貼付したままダイシングから金属膜形成までを行うことができ、製造工程を効率化することができる。
ただし、上記工程（１）はこのような工程に限定されず、例えば、ダイシング後の個片化された半導体パッケージの回路面に上記半導体保護用粘着テープを貼付してもよい。

上記工程（１）は、ダイシング前の半導体パッケージの回路面に上記半導体保護用粘着テープを貼付した後、半導体パッケージを上記半導体保護用粘着テープごとダイシングする場合、以下の工程（１ａ）、（１ｂ）及び（１ｃ）を含むことが好ましい。

即ち、上記工程（１）は、まず、図１に示すように、ダイシング前の半導体パッケージ４の回路面に半導体保護用粘着テープ２を貼付する工程（１ａ）を含むことが好ましい。図１は、本発明の半導体装置の製造方法における工程（１ａ）の一例を模式的に示す図である。図１において、半導体保護用粘着テープ２は、基材２ｂと、基材２ｂの一方の面に積層された粘着剤層２ａとを有している。
上記半導体保護用粘着テープを貼付する方法は特に限定されず、例えば、ラミネーターを用いる方法等が挙げられる。

上記半導体保護用粘着テープの上記粘着剤層が光硬化型粘着剤層である場合、上記工程（１）は、上記工程（１ａ）の後、半導体保護用粘着テープ２の粘着剤層２ａに光を照射する工程（１ｄ）を含むことが好ましい（図示しない）。
上記粘着剤層に光照射する方法としては、上記粘着剤層に紫外線照射する方法が好ましい。具体的には例えば、超高圧水銀紫外線照射器を用いて、３５０〜４１０ｎｍの紫外線を積算照射量が３００〜３０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように上記基材側から上記粘着剤層に照射する方法が挙げられる。このときの照射強度は特に限定されないが、２０〜１００ｍＷ／ｃｍ^２が好ましい。

上記工程（１）は、次いで、図２に示すように、ダイシング前の半導体パッケージ４を半導体保護用粘着テープ２ごとダイシングし、回路面に半導体保護用粘着テープ２が貼付された半導体パッケージ４（図中、符号１でも表す）を得る工程（１ｂ）を含むことが好ましい。図２は、本発明の半導体装置の製造方法における工程（１ｂ）の一例を模式的に示す図である。
上記ダイシングする方法は特に限定されず、例えば、上記半導体保護用粘着テープが貼付された半導体パッケージをダイシングテープ上に仮固定し、このダイシングテープをダイシングフレームに取り付け、ダイシング装置を用いて個片化を行った後、ダイシングテープを剥がす方法が挙げられる。ダイシング装置は特に限定されず、例えば、ＤＩＳＣＯ社製のＤＦＤ６３６１等を用いることができる。

上記工程（１）は、次いで、図３に示すように、回路面に半導体保護用粘着テープ２が貼付された半導体パッケージ４（図中、符号１でも表す）を、半導体保護用粘着テープ２側が接するようにして仮固定テープ３上に仮固定する工程（１ｃ）を含むことが好ましい。図３は、本発明の半導体装置の製造方法における工程（１ｃ）の一例を模式的に示す図である。

本発明の半導体装置の製造方法では、上記工程（１）の後、図４に示すように、回路面に半導体保護用粘着テープ２が貼付された半導体パッケージ４の背面及び側面に、温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件下にて金属膜５を形成する工程（２）を行う。図４は、本発明の半導体装置の製造方法における工程（２）の一例を模式的に示す図である。
上記金属膜を形成する方法は特に限定されず、例えば、スパッタリング等により、ステンレス、銅、アルミニウム、金、銀、亜鉛、ニッケル、白金、クロム、チタン、又は、これら金属の合金若しくは酸化物等からなる膜を形成する方法が挙げられる。

本発明の半導体装置の製造方法では、次いで、図４で得られたような、回路面に半導体保護用粘着テープ２が貼付され、かつ、背面及び側面に金属膜５が形成された半導体パッケージ４を、温度Ｔ_２、時間ｔ_２の条件で加熱する工程（３）を行う（図示しない）。
上記加熱する方法は特に限定されず、例えば、回路面に上記半導体保護用粘着テープが貼付され、かつ、背面及び側面に金属膜が形成された半導体パッケージを、上記仮固定テープごと加熱装置を用いて加熱する方法が挙げられる。加熱装置は特に限定されず、例えば、加熱オーブン、高温槽、赤外線ヒーター、ホットプレート等を用いることができる。

本発明の半導体装置の製造方法では、更に、図５に示すように、背面及び側面に金属膜５が形成された半導体パッケージ４を半導体保護用粘着テープ２から剥がし、ピックアップする工程（４）を行う。これにより、背面及び側面に金属膜が形成された半導体パッケージを得ることができる。図５は、本発明の半導体装置の製造方法における工程（４）の一例を模式的に示す図である。
上記ピックアップする方法は特に限定されず、例えば、ピックアップニードルによって上記仮固定テープ側から半導体パッケージを突き上げることにより、半導体パッケージを上記仮固定テープ及び上記半導体保護用粘着テープから剥がす方法が挙げられる。ピックアップ装置は特に限定されず、例えば、キャノンマシナリー社製のＢｅｓｔｅｍＤ０２等のダイボンダー装置を用いることができる。
また、上記工程（４）は、上記工程（３）における加熱の後、背面及び側面に金属膜５が形成された半導体パッケージ４を冷却してから行ってもよく、そのような冷却を経ず上記工程（３）と連続して一連の工程として行ってもよい。

本発明の半導体装置の製造方法では、上記温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件及び上記温度Ｔ_２、時間ｔ_２の条件で加熱後、上記半導体保護用粘着テープにおける上記基材のＭＤ方向及びＴＤ方向のうち最大の加熱収縮率が２〜２０％となるように温度条件を調節する。
ＭＤ方向とは、基材の成形方向（ｍａｃｈｉｎｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）であり、ＴＤ方向とは、基材の成形方向に直交する方向（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）である。ＭＤ方向及びＴＤ方向のうち最大の加熱収縮率が上記範囲を満たすとは、ＭＤ方向の加熱収縮率及びＴＤ方向の加熱収縮率のうち、少なくとも大きいほうの加熱収縮率が上記範囲を満たしていればよいことを意味し、一方のみが上記範囲を満たしていてもよいし、両方が上記範囲を満たしていてもよい。

上記加熱収縮率が２％以上であれば、上記温度条件による熱履歴を経ることで上記基材に一定の収縮応力（残留ひずみ）が掛かった状態で半導体パッケージをピックアップすることができる。このため、上記半導体保護用粘着テープの剥離性が高く、半導体パッケージのピックアップを良好に行うことができる。本発明の半導体装置の製造方法においては、このように上記基材の加熱収縮率を調整することによって上記半導体保護用粘着テープの剥離性を向上させているため、上記粘着剤層の設計の幅が広がるという利点もある。上記加熱収縮率が２０％以下であれば、半導体パッケージのピックアップ時に、上記基材に掛かる収縮応力（残留ひずみ）が大きすぎるために半導体パッケージと上記半導体保護用粘着テープとの界面ではなく上記半導体保護用粘着テープと上記仮固定テープとの界面で剥離が生じてしまうことを抑制することができる。上記加熱収縮率の好ましい下限は３％、好ましい上限は１９％であり、より好ましい下限は４％、より好ましい上限は１８％である。

上記温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件及び上記温度Ｔ_２、時間ｔ_２の条件は、予め特定の温度条件で上記基材の加熱収縮率を測定する試験を行い、得られた結果に基づいて決定することができる。なお、上記基材の加熱収縮率は温度依存性が高いことから、加熱時間よりも加熱温度に大きく影響され、また、２種類の加熱温度（上記温度Ｔ_１及び上記温度Ｔ_２）がある場合は高いほうの加熱温度に大きく影響される。
なお、加熱収縮率は、例えば、次のようにして求めることができる。基材をＭＤ方向又はＴＤ方向が長さ方向となるようにそれぞれ２０ｍｍ×１５０ｍｍに切断した後、試験片の長さ方向の中央部に５０ｍｍ間隔の標線を付ける。試験片を特定の温度条件で加熱し、取り出し後、室温に３０分間放置してからノギスで標線間距離を測定し、下記式（１）から加熱収縮率を求めることができる（ＪＩＳ Ｚ １７１５：２００９）。加熱収縮率が負の値であるときは、加熱後に膨張したことを意味する。
Ｓ＝（Ｌ_１−Ｌ_２）×１００／Ｌ_１ （１）
ここに、Ｓ：加熱収縮率（％）、Ｌ_１：加熱前の標線間距離（ｍｍ）、Ｌ_２：加熱後の標線間距離（ｍｍ）

上記工程（２）において、上記温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件は、金属膜形成のために必要な例えばスパッタリング等の温度条件であれば特に限定されない。
上記温度Ｔ_１の好ましい下限は１００℃、好ましい上限は２００℃であり、より好ましい下限は１１０℃、より好ましい上限は１９０℃である。
上記時間ｔ_１の好ましい下限は１分、好ましい上限は１２０分であり、より好ましい下限は３分、より好ましい上限は９０分である。

上記工程（２）において上記温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件で加熱後、上記半導体保護用粘着テープにおける上記基材のＭＤ方向及びＴＤ方向のうち最大の加熱収縮率は特に限定されないが、好ましい下限は０．３％、好ましい上限は２．５％である。上記加熱収縮率のより好ましい下限は０．４％、より好ましい上限は２．３％であり、更に好ましい下限は０．５％、更に好ましい上限は２．０％である。上記加熱収縮率が上記範囲内であれば、上記工程（２）における上記半導体保護用粘着テープの意図せぬ剥離をより抑制することができる。なお、ここでいう加熱収縮率も、上述した式（１）から求めることができる。

上記工程（３）において、上記温度Ｔ_２、時間ｔ_２の条件は、上記温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件とあわせることで上記基材の加熱収縮率が上記範囲となるように調節できれば特に限定されず、上記基材の材料、厚み等に応じて決定することができる。上記工程（２）における上記半導体保護用粘着テープの意図せぬ剥離をより抑制し、かつ、上記工程（４）における半導体パッケージのピックアップをより良好に行う観点から、上記温度Ｔ_２は上記温度Ｔ_１よりも高いことが好ましい。
上記温度Ｔ_２の好ましい下限は１５０℃、好ましい上限は２３０℃であり、より好ましい下限は１６０℃、より好ましい上限は２２０℃である。
上記時間ｔ_２の好ましい下限は１秒、好ましい上限は３６００秒であり、より好ましい下限は３秒、より好ましい上限は２４００秒である。

本発明の半導体装置の製造方法において用いられる上記半導体保護用粘着テープは特に限定されず、基材と、上記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層とを有する半導体保護用粘着テープであればよい。
上記基材の材料は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、超高分子量ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。なかでも、上記加熱収縮率及び後述する２３℃における引張弾性率が所望の範囲を満たすためには、ポリエチレンテレフタレート、高密度ポリエチレンが好ましく、ポリエチレンテレフタレートがより好ましい。上記加熱収縮率は、上記基材の材料の選択、上記基材のアニール処理や延伸処理等によっても調整することができる。

上記基材の引張弾性率は特に限定されないが、２３℃における引張弾性率の好ましい下限が１ＧＰａ、好ましい上限が３ＧＰａである。
上記基材に掛かる収縮応力（残留ひずみ）は、上記基材の加熱収縮率だけでなく引張弾性率にも依存して決まる。上記２３℃における引張弾性率が１ＧＰａ以上であれば、上記基材に掛かる収縮応力（残留ひずみ）がより適切な範囲となり、半導体パッケージのピックアップをより良好に行うことができる。また、上記２３℃における引張弾性率が１ＧＰａ以上であれば、ダイシング時にダイシングブレードとの摩擦により上記基材が変形して上記半導体保護用粘着テープが剥がれることを抑制することもできる。上記２３℃における引張弾性率が３ＧＰａ以下であれば、上記基材にコシがありすぎて曲がりにくいためにピックアップ不良が生じることをより抑制することができ、半導体パッケージのピックアップをより良好に行うことができる。上記２３℃における引張弾性率のより好ましい下限は１．３ＧＰａ、より好ましい上限は２．８ＧＰａである。
なお、２３℃における引張弾性率は、例えば、引張試験装置（例えば、島津製作所社製のオートグラフＡＧＳ−Ｘ）を用いてＪＩＳ Ｋ ７１２７：１９９９に準拠して求めることができる。より具体的には、試験片を１０ｍｍ×１５０ｍｍに切り出し、つかみ具間５０ｍｍ、試験速度１ｍｍ／分で測定し、歪が０．０５％と０．２５％となる２点間の傾きから求めることができる。

上記基材の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が２５μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記基材の厚みが２５μｍ以上であれば、上記基材が薄すぎるためにピックアップニードルによって半導体パッケージが損傷することを抑制することができ、半導体パッケージのピックアップを良好に行うことができる。また、上記基材の厚みが２５μｍ以上であれば、上記半導体保護用粘着テープのダイシング時の接着性も高くなる。上記基材の厚みが２００μｍ以下であれば、上記基材にコシがありすぎて曲がりにくいためにピックアップ不良が生じることを抑制することができ、半導体パッケージのピックアップを良好に行うことができる。上記基材の厚みのより好ましい下限は３０μｍ、より好ましい上限は１９０μｍである。

上記粘着剤層は、非硬化型粘着剤層であってもよいが、熱硬化型、光硬化型等の硬化型粘着剤層であることが好ましく、光硬化型粘着剤層であることがより好ましい。上記光硬化型粘着剤層は、光照射により硬化することから、硬化に際して被着体を損傷しにくく、容易に硬化を行うことができる。

上記粘着剤層を構成する粘着剤は特に限定されず、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、スチレン・ジエンブロック共重合体系粘着剤等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れ、粘着力の調節が容易であることから、アクリル系粘着剤が好ましい。

上記アクリル系粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する粘着剤が挙げられる。
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）を予め合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）を反応させることにより得ることができる。

上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、例えば、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを共重合させることにより得ることができる。

上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は特に限定されないが、通常、２０万〜２００万程度である。
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィを用いて決定することができ、例えば、カラムとしてＨＳＰｇｅｌ ＨＲ ＭＢ−Ｍ ６．０×１５０ｍｍ、溶出液としてＴＨＦを用い、４０℃で測定し、ポリスチレン標準により決定することができる。

上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーが挙げられる。また、上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等も挙げられる。

上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。

上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを得るには、原料モノマーを、重合開始剤の存在下にてラジカル反応させればよい。上記原料モノマーをラジカル反応させる方法、即ち、重合方法としては、従来公知の方法が用いられ、例えば、溶液重合（沸点重合又は定温重合）、乳化重合、懸濁重合、塊状重合等が挙げられる。
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを得るためのラジカル反応に用いる重合開始剤は特に限定されず、例えば、有機過酸化物、アゾ化合物等が挙げられる。上記有機過酸化物として、例えば、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート等が挙げられる。上記アゾ化合物として、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル等が挙げられる。これらの重合開始剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて、上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合は、エポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられる。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がヒドロキシル基の場合は、イソシアネート基含有モノマーが用いられる。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がエポキシ基の場合は、カルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられる。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がアミノ基の場合は、エポキシ基含有モノマーが用いられる。

このように上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに上記官能基含有不飽和化合物を反応させることにより、上記重合性ポリマーを得ることができる。
上記重合性ポリマーとともに用いられる上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられる。このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物が挙げられる。また、ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等も挙げられる。これらの光重合開始剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記粘着剤層は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有していてもよい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、上記粘着剤層の熱硬化性又は光硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは特に限定されないが、重量平均分子量が１万以下であることが好ましい。光照射による上記粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされることから、上記多官能オリゴマー又はモノマーは、重量平均分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個であることが好ましい。

上記多官能オリゴマー又はモノマーとして、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、及び、これらのメタクリレート等が挙げられる。また、上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例えば、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、及び、これらのメタクリレート等も挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。無機フィラーを含有することにより、上記粘着剤層の凝集力が上がり、半導体保護用粘着テープを用いて半導体パッケージのピックアップをより良好に行うことができる。また、上記粘着剤層の凝集力が上がることにより、上記半導体保護用粘着テープのダイシング時の接着性も高くなる。

上記粘着剤層は、架橋剤を含有することが好ましい。架橋剤を含有することにより、上記粘着剤層の凝集力が上がり、半導体保護用粘着テープを用いて半導体パッケージのピックアップをより良好に行うことができる。また、上記粘着剤層の凝集力が上がることにより、上記半導体保護用粘着テープのダイシング時の接着性も高くなる。
上記架橋剤は特に限定されず、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。なかでも、より粘着力が高まることから、イソシアネート系架橋剤が好ましい。

上記架橋剤の含有量は、上記粘着剤層を構成する粘着剤１００重量部に対して０．０１重量部以上、２０重量部以下であることが好ましい。上記架橋剤の含有量が上記範囲内であることにより、上記粘着剤を適度に架橋して、粘着力を高めることができる。粘着力をより高める観点から、上記架橋剤の含有量のより好ましい下限は０．０５重量部、より好ましい上限は１５重量部であり、更に好ましい下限は０．１重量部、更に好ましい上限は１０重量部である。

上記粘着剤層は、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。これらの添加剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記粘着剤層の銅板に対する粘着力は特に限定されないが、上記粘着剤層が光硬化型粘着剤層である場合、光照射後の銅板に対する粘着力の好ましい下限が０．０４Ｎ／ｉｎｃｈ、好ましい上限が０．２０Ｎ／ｉｎｃｈである。上記銅板に対する粘着力が０．０４Ｎ／ｉｎｃｈ以上であれば、上記半導体保護用粘着テープのダイシング時の接着性がより高くなる。上記銅板に対する粘着力が０．２０Ｎ／ｉｎｃｈ以下であれば、上記半導体保護用粘着テープを用いて半導体パッケージのピックアップをより良好に行うことができる。上記銅板に対する粘着力のより好ましい下限は０．０５Ｎ／ｉｎｃｈ、より好ましい上限は０．１９Ｎ／ｉｎｃｈである。
なお、光照射後の銅板に対する粘着力は、例えば、粘着剤層を銅板に貼り合わせて光照射した後、オートグラフ（例えば、島津製作所社製）を用い、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向に粘着剤層を引き剥がし、剥離力を測定することにより求めることができる。銅板としては、例えば、Ｃ１１００Ｐ（ＪＩＳ Ｈ３１００）（厚み１ｍｍ）を用いることができる。

上記粘着剤層の貯蔵弾性率は特に限定されないが、上記粘着剤層が光硬化型粘着剤層である場合、光照射後の２３℃における貯蔵弾性率の好ましい下限が５ＭＰａ、好ましい上限が５０ＭＰａである。上記２３℃における貯蔵弾性率が５ＭＰａ以上であれば、上記粘着剤層が柔らかすぎて剥離しにくくなることを抑制することができ、半導体パッケージのピックアップをより良好に行うことができる。また、上記２３℃における貯蔵弾性率が５ＭＰａ以上であれば、ダイシング時に上記粘着剤層の切りくずが生じて半導体パッケージを汚染することを抑制することもできる。上記２３℃における貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以下であれば、上記粘着剤層の電極への食い込みが強すぎて剥離しにくくなることを抑制することができ、半導体パッケージのピックアップをより良好に行うことができる。上記２３℃における貯蔵弾性率のより好ましい下限は７ＭＰａ、より好ましい上限は４５ＭＰａである。
なお、光照射後の２３℃における貯蔵弾性率は、例えば、粘着剤層に光照射した後、動的粘弾性測定装置（例えば、アイティー計測制御社製のＤＶＡ−２２５）を用いて引張変形モード、１０Ｈｚにより求めることができる。

上記粘着剤層に光照射する方法としては、上記粘着剤層に紫外線照射する方法が好ましい。具体的には例えば、超高圧水銀紫外線照射器を用いて、３６５ｎｍの紫外線を積算照射量が３０００ｍＪ／ｃｍ^２となるように上記基材側から上記粘着剤層に照射する方法が挙げられる。このときの照射強度は特に限定されないが、２０〜１００ｍＷ／ｃｍ^２が好ましい。

上記粘着剤層のゲル分率は特に限定されないが、光照射前のゲル分率の好ましい下限が２０重量％、好ましい上限が８０重量％である。上記光照射前のゲル分率が上記範囲内であることにより、充分な粘着力で被着体に貼付でき、被着体を充分に固定できる。粘着力を良好にする観点から、上記粘着剤層のゲル分率のより好ましい下限は３０重量％、より好ましい上限は７０重量％である。

上記光照射後の銅板に対する粘着力、上記光照射後の２３℃における貯蔵弾性率、上記光照射前のゲル分率等を上記範囲に調整するためには、上記粘着剤層の種類、組成、物性等を調整すればよい。

上記粘着剤層の厚みは特に限定されず、厚い粘着剤層を用いてもよい。例えば高さ１５０〜２００μｍ程度の高い電極を確実に保護し、加工工程中の半導体保護用粘着テープの接着性を確保するためには、厚い粘着剤層を用いる必要がある。しかしながら、通常、粘着剤層が光硬化型粘着剤層である場合、厚く、かつ、高い電極に充分に追従した状態で硬化した粘着剤層は、硬化後であっても半導体パッケージから剥離しにくく、ピックアップ時の不具合が生じやすくなる。本発明の半導体装置の製造方法においては、上述のように上記基材の加熱収縮率を調整することによって上記半導体保護用粘着テープの剥離性を向上させているため、厚い粘着剤層を用いた場合であってもピックアップ時の不具合を抑制することができる。

上記粘着剤層の厚みの好ましい下限は１５０μｍ、好ましい上限は３００μｍである。上記粘着剤層の厚みが１５０μｍ以上であれば、上記粘着剤層が薄すぎるためにピックアップニードルによって半導体パッケージが損傷することを抑制することができ、半導体パッケージのピックアップを良好に行うことができる。また、上記粘着剤層の厚みが１５０μｍ以上であれば、上記粘着剤層による電極の埋め込み性が向上するため、高い電極であっても確実に保護することができ、上記半導体保護用粘着テープのダイシング時の接着性も高くなる。上記粘着剤層の厚みが３００μｍ以下であれば、上記粘着剤層が厚すぎて剥離しにくくなることを抑制することができ、半導体パッケージのピックアップをより良好に行うことができる。上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１６０μｍ、より好ましい上限は２７０μｍである。

上記半導体保護用粘着テープを製造する方法は特に限定されず、例えば、上記粘着剤層を構成する粘着剤の溶液を調製した後、該溶液を、予め必要に応じて延伸等の処理を施して得た上記基材の表面に塗布し、上記粘着剤層を形成する方法が挙げられる。

本発明の半導体装置の製造方法において用いられる上記仮固定テープは特に限定されず、半導体装置の製造方法、特に金属膜形成（電磁波シールド処理）時に通常用いられる仮固定用の粘着テープを用いることができる。
上記仮固定テープは、ＳＵＳ板に対する接着力の好ましい下限が６．０Ｎ／２５ｍｍ、好ましい上限が９．０Ｎ／２５ｍｍである。上記仮固定テープのＳＵＳ板に対する接着力が上記範囲内であることにより、半導体パッケージのピックアップ時に、半導体パッケージと上記半導体保護用粘着テープとの界面ではなく上記半導体保護用粘着テープと上記仮固定テープとの界面で剥離が生じてしまうことを抑制することができる。上記仮固定テープのＳＵＳ板に対する接着力のより好ましい下限は７．０Ｎ／２５ｍｍ、より好ましい上限は８．０Ｎ／２５ｍｍである。
なお、ＳＵＳ板に対する接着力は、例えば、オートグラフ（例えば、島津製作所社製）を用い、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向に仮固定テープを引き剥がし、剥離力を測定することにより求めることができる。ＳＵＳ板としては、例えば、表面仕上げＢＡ処理のＳＵＳ板を用いることができる。

上記仮固定テープは、基材と、上記基材の一方の面に積層されたシリコーン粘着剤層とを有することが好ましい。上記シリコーン粘着剤層を有することにより、上記仮固定テープの耐熱性が向上する。
上記シリコーン粘着剤層を構成するシリコーン化合物は特に限定されず、例えば、付加硬化型シリコーン、過酸化物硬化型シリコーン等が挙げられる。

上記シリコーン粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は５００μｍである。上記シリコーン粘着剤層の厚みが上記範囲内であることにより、充分な粘着力で被着体に貼付でき、被着体を充分に固定できる。粘着力を良好にする観点から、上記シリコーン粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は３００μｍであり、更に好ましい下限は１５μｍ、更に好ましい上限は２５０μｍであり、更により好ましい上限は２００μｍである。

上記仮固定テープの基材の材料は特に制限されないが、耐熱性の材料であることが好ましい。
上記仮固定テープの基材の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、超高分子量ポリエチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れることから、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましい。

上記仮固定テープの基材の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記仮固定テープの基材の厚みが上記範囲内であることにより、適度なコシがあって、取り扱い性に優れる仮固定テープとすることができる。上記仮固定テープの基材の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。

上記仮固定テープの市販品は特に限定されず、例えば、カプトン粘着テープ６５０Ｒ＃５０、６５０Ｓ＃５０（いずれもテラオカ社製）等が挙げられる。

本発明によれば、加工工程中は半導体パッケージに対する半導体保護用粘着テープの接着性が高く、半導体パッケージのピックアップ時には半導体パッケージを損傷することなく半導体保護用粘着テープを容易に剥離できる半導体装置の製造方法を提供することができる。

本発明の半導体装置の製造方法における工程（１ａ）の一例を模式的に示す図である。 本発明の半導体装置の製造方法における工程（１ｂ）の一例を模式的に示す図である。 本発明の半導体装置の製造方法における工程（１ｃ）の一例を模式的に示す図である。 本発明の半導体装置の製造方法における工程（２）の一例を模式的に示す図である。 本発明の半導体装置の製造方法における工程（４）の一例を模式的に示す図である。

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。

（使用した基材）
（ＰＥＴ−１）
市販の厚み１２５μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（ルミラーＳ１０＃１２５、東レ社製）を用いた。
基材をＭＤ方向又はＴＤ方向が長さ方向となるようにそれぞれ２０ｍｍ×１５０ｍｍに切断した後、試験片の長さ方向の中央部に５０ｍｍ間隔の標線を付けた。試験片を特定の温度条件（温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件のみ、或いは、温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件及び温度Ｔ_２、時間ｔ_２の条件）で加熱し、取り出し後、室温に３０分間放置してからノギスで標線間距離を測定し、上述した式（１）から加熱収縮率を求めた。
また、引張試験装置（島津製作所社製のオートグラフＡＧＳ−Ｘ）を用いてＪＩＳ Ｋ ７１２７：１９９９に準拠して２３℃における引張弾性率を求めた。より具体的には、試験片を１０ｍｍ×１５０ｍｍに切り出し、つかみ具間５０ｍｍ、試験速度１ｍｍ／分で測定し、歪が０．０５％と０．２５％となる２点間の傾きから２３℃における引張弾性率を求めた。

（ＰＥＴ−２）
厚み１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ルミラーＳ１０＃１２、東レ社製）を用いた。ＰＥＴ−１と同様にして基材の加熱収縮率及び２３℃における引張弾性率を求めた。

（ＰＥＴ−３）
厚み２５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ルミラーＳ１０＃２５０、東レ社製）を用いた。ＰＥＴ−１と同様にして基材の加熱収縮率及び２３℃における引張弾性率を求めた。

（ＰＥＴ−４）
厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ルミラーＳ１０＃２５、東レ社製）を用いた。ＰＥＴ−１と同様にして基材の加熱収縮率及び２３℃における引張弾性率を求めた。

（ＰＥＴ−５）
厚み１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ルミラーＳ１０＃１８８、東レ社製）を用いた。ＰＥＴ−１と同様にして基材の加熱収縮率及び２３℃における引張弾性率を求めた。

（ＰＥＴ−６）
厚み１２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ルミラーＳ１０＃１２５、東レ社製）を縦１軸延伸することにより、厚み１１８μｍの基材を得た。縦１軸延伸の条件は、延伸温度２１０℃、延伸倍率１．１２倍、延伸速度５０％／分、アニール温度２１０℃、アニール時間１５秒とした。ＰＥＴ−１と同様にして基材の加熱収縮率及び２３℃における引張弾性率を求めた。

（ＯＰＰ−１）
厚み３０μｍのポリプロピレン（ＯＰＰ）二軸延伸フィルム（パイレンフィルムＰ２１７１、東洋紡社製）を用いた。ＰＥＴ−１と同様にして基材の加熱収縮率及び２３℃における引張弾性率を求めた。

（重合性ポリマーの合成）
（重合性ポリマーＡの合成）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意した。この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート９３重量部、官能基含有モノマーとしてアクリル酸１重量部、メタクリル酸ヒドロキシエチル６重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させて重合性ポリマーＡを得た。

（粘着剤の調製）
（粘着剤Ａの調製）
重合性ポリマーＡの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、接着力調整剤４重量部、架橋剤０．３重量部及び光重合開始剤０．４重量部を混合し、粘着剤層を構成する粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。なお、配合に用いた化合物は以下のものを用いた。
接着力調整剤：ＥＢＥＣＲＹＬ３５０、ダイセルオルネクス社製
架橋剤：コロネートＬ、日本ウレタン工業社製
光重合開始剤：エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製

（粘着剤Ｂの調製）
接着力調整剤を０．５重量部、光重合開始剤を１．５重量部に変更したこと以外は粘着剤Ａと同様にして、粘着剤Ｂを得た。

（粘着剤Ｃの調製）
接着力調整剤を０．５重量部、光重合開始剤を０．３重量部に変更したこと以外は粘着剤Ａと同様にして、粘着剤Ｃを得た。

（粘着剤Ｄの調製）
接着力調整剤を０．５重量部、架橋剤を０．１重量部に変更したこと以外は粘着剤Ａと同様にして、粘着剤Ｄを得た。

（粘着剤Ｅの調製）
接着力調整剤を１２重量部、光重合開始剤を１．０重量部に変更したこと以外は粘着剤Ａと同様にして、粘着剤Ｅを得た。

（実施例１〜１５及び比較例１〜２）
（１）半導体保護用粘着テープの製造
粘着剤の酢酸エチル溶液を、基材上に乾燥皮膜の厚みが表１又は２に示す値となるようにドクターナイフで塗工し、常温で１０分間静置した。その後、予め１１０℃に加温しておいたオーブンを用いて１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させ、光硬化型粘着剤層を形成した。これにより、半導体保護用粘着テープを得た。得られた半導体保護用粘着テープの光硬化型粘着剤層側にセパレーターとして厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを貼り合わせ、使用時まで光硬化型粘着剤層を保護した。

（２）対銅板粘着力の測定
銅板（Ｃ１１００Ｐ（ＪＩＳ Ｈ３１００）、厚み１ｍｍ）の表面をエタノールで洗浄し、充分に乾燥させた。予め幅２５ｍｍ、長さ１０ｃｍにカットした半導体保護用粘着テープの光硬化型粘着剤層側を、２ｋｇローラーを１往復させて銅板に貼付した。
超高圧水銀紫外線照射器（照射強度が２０ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて３６５ｎｍの紫外線を基材側から光硬化型粘着剤層に３０秒間照射し、光硬化型粘着剤層を硬化させた。
オートグラフ（島津製作所社製）を用い、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向に光硬化型粘着剤層を引き剥がし、剥離力を測定することにより、光硬化型粘着剤層の光照射後の銅板に対する粘着力を求めた。

（３）２３℃における貯蔵弾性率の測定
上記（１）と同様にして、基材の代わりにセパレーター上に粘着剤の酢酸エチル溶液を塗工し、光硬化型粘着剤層を形成した。もう一方の面にもセパレーターを貼り合わせ、使用時まで光硬化型粘着剤層を保護した。
上記（２）と同様にして、超高圧水銀紫外線照射器を用いて３６５ｎｍの紫外線を一方のセパレーター側から光硬化型粘着剤層に照射し、光硬化型粘着剤層を硬化させた。
動的粘弾性測定装置（アイティー計測制御社製のＤＶＡ−２２５）を用いて引張変形モード、１０Ｈｚにより、光硬化型粘着剤層の光照射後の２３℃における貯蔵弾性率を求めた。

（４）半導体装置の製造
（４−１）ダイシング（工程（１ａ）〜工程（１ｂ））
回路面に高さ１７０μｍの電極が設けられたテスト用チップ（ＴＥＧ）（ＷＬＰ ＴＥＧ、０．３ｍｍ Ｐｉｔｃｈ ＢＧＡ、ウォルツ社製）の回路面に半導体保護用粘着テープを貼り付けた。超高圧水銀紫外線照射器を用いて３６５ｎｍの紫外線を積算照射量が１５００ｍＪ／ｃｍ^２となるように基材側から光硬化型粘着剤層に照射し、光硬化型粘着剤層を硬化させた。
半導体保護用粘着テープが貼付されたＴＥＧを、ＴＥＧ側が接するようにしてダイシングテープ（デンカ社製、エレグリップＵＰＨ−１５１０Ｍ４）上に仮固定し、ダイシングフレームに取り付けた。半導体保護用粘着テープが貼付されたＴＥＧを、ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製、ＤＦＤ６３６１）を用いて７ｍｍ角に個片化（チップ化）した。

（４−２）金属膜形成（工程（１ｃ）〜工程（２））
上記（４−１）の操作の後、超高圧水銀紫外線照射器（照射強度が５０ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて、３６５ｎｍの紫外線をＴＥＧが積層されていない側からダイシングテープに１０秒間照射し、ダイシングテープを硬化させた。その後、ダイシングテープを剥がした。
得られた個片化されたＴＥＧを、半導体保護用粘着テープ側が接するようにして仮固定テープ（テラオカ社製、カプトン粘着テープ６５０Ｒ＃５０）上に仮固定し、再びダイシングフレームに取り付けた。個片化されたＴＥＧをダイシングフレームごとスパッタリング装置（ＳＲＶ４３２０、神港精機社製）に取り付け、表１又は２に示す温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件下にてスパッタリングを行うことにより、個片化されたＴＥＧの背面及び側面にＳＵＳ０．５μｍ／Ｃｕ２．５μｍからなる金属膜を形成した。スパッタリングの条件は、静止方式、０．７Ｐａ、スパッタ時間３０分とした。

（４−３）ピックアップ（工程（３）〜工程（４））
上記（４−２）の操作の後、個片化されたＴＥＧをダイシングフレームごとスパッタリング装置から取り出した。オーブンを用いて、個片化されたＴＥＧをダイシングフレームごと表１又は２に示す温度Ｔ_２、時間ｔ_２の条件で加熱した。なお、温度Ｔ_２、時間ｔ_２の条件は、予め特定の温度条件で半導体保護用粘着テープの基材の加熱収縮率を測定する試験を行い、得られた結果に基づいて決定した。
ダイボンダー装置（キャノンマシナリー社製、ＢｅｓｔｅｍＤ０２）を用いて個片化されたＴＥＧのピックアップを行った。ピックアップ条件としては、以下の条件１及び２を採用した。
（条件１）
加熱なし、突き上げ高さ＝０．３０ｍｍ、速度＝０．１ｍｍ／ｓ、ウェイト時間＝０．５秒
（条件２）
加熱なし、突き上げ高さ＝０．６０ｍｍ、速度＝０．３ｍｍ／ｓ、ウェイト時間＝０．１秒

＜評価＞
実施例及び比較例における半導体装置の製造について、以下の方法により評価を行った。結果を表１又は２に示した。

（１）ダイシング時の剥がれ評価
上記（４−１）の操作において半導体保護用粘着テープが貼付されたＴＥＧを個片化（チップ化）した後、個片化されたＴＥＧと半導体保護用粘着テープとの界面を顕微鏡で観察した。半導体保護用粘着テープが剥がれた面積が、半導体保護用粘着テープ全体の面積の１％未満であった場合を〇、１％以上、２％未満であった場合を△、２％以上であった場合を×とした。

（２）金属膜形成時の回り込み評価
上記（４−２）の操作において個片化されたＴＥＧの背面及び側面に金属膜を形成した後、ＴＥＧの回路面への金属の回り込みを顕微鏡で観察した。回り込んだ金属により汚染された面積が、ＴＥＧ全体の面積の１％未満であった場合を〇、１％以上、２％未満であった場合を△、２％以上であった場合を×とした。

（３）ピックアップ評価
上記（４−３）の操作において個片化されたＴＥＧのピックアップを行ったとき、ピックアップ時の歩留まりが９９％以上であった場合を〇、９８％以上、９９％未満であった場合を△、９８％未満であった場合を×とした。また、ピックアップ後のＴＥＧに傷がなかった場合を〇、傷があった場合を×とした。

本発明によれば、加工工程中は半導体パッケージに対する半導体保護用粘着テープの接着性が高く、半導体パッケージのピックアップ時には半導体パッケージを損傷することなく半導体保護用粘着テープを容易に剥離できる半導体装置の製造方法を提供することができる。

１ 回路面に半導体保護用粘着テープが貼付された半導体パッケージ
２ 半導体保護用粘着テープ
２ａ 粘着剤層
２ｂ 基材
３ 仮固定テープ
４ 半導体パッケージ
５ 金属膜
６ ピックアップニードル

Claims (8)

1. 基材と、前記基材の少なくとも一方の面に積層された粘着剤層とを有する半導体保護用粘着テープを用いる、半導体パッケージの背面及び側面に金属膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
   回路面に前記半導体保護用粘着テープが貼付された半導体パッケージを準備する工程（１）と、
   回路面に前記半導体保護用粘着テープが貼付された半導体パッケージの背面及び側面に、温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件下にて金属膜を形成する工程（２）と、
   回路面に前記半導体保護用粘着テープが貼付され、かつ、背面及び側面に金属膜が形成された半導体パッケージを、温度Ｔ_２、時間ｔ_２の条件で加熱する工程（３）と、
   背面及び側面に金属膜が形成された半導体パッケージを前記半導体保護用粘着テープから剥がし、ピックアップする工程（４）とを有し、
   前記温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件及び前記温度Ｔ_２、時間ｔ_２の条件で加熱後、前記半導体保護用粘着テープにおける前記基材のＭＤ方向及びＴＤ方向のうち最大の加熱収縮率が２〜２０％となるように温度条件を調節する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記工程（３）において、前記時間ｔ_２が１〜３６００秒であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記工程（２）において前記温度Ｔ_１、時間ｔ_１の条件で加熱後、前記半導体保護用粘着テープにおける前記基材のＭＤ方向及びＴＤ方向のうち最大の加熱収縮率が０．３％以上、２．５％以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記半導体保護用粘着テープは、前記基材の２３℃における引張弾性率が１〜３ＧＰａであることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記工程（１）は、
   ダイシング前の半導体パッケージの回路面に前記半導体保護用粘着テープを貼付する工程（１ａ）と、
   前記ダイシング前の半導体パッケージを前記半導体保護用粘着テープごとダイシングし、回路面に前記半導体保護用粘着テープが貼付された半導体パッケージを得る工程（１ｂ）と、
   回路面に前記半導体保護用粘着テープが貼付された半導体パッケージを、前記半導体保護用粘着テープ側が接するようにして仮固定テープ上に仮固定する工程（１ｃ）とを含む
   ことを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記半導体保護用粘着テープは、前記粘着剤層が光硬化型粘着剤層であり、前記基材の厚みが２５〜２００μｍ、前記粘着剤層の厚みが１５０〜３００μｍであり、
   前記工程（１）は、前記工程（１ａ）の後、前記半導体保護用粘着テープの前記粘着剤層に光を照射する工程（１ｄ）を含む
   ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記半導体保護用粘着テープは、前記粘着剤層の光照射後の銅板に対する粘着力が０．０４〜０．２０Ｎ／ｉｎｃｈであることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記半導体保護用粘着テープは、前記粘着剤層の光照射後の２３℃における貯蔵弾性率が５〜５０ＭＰａであることを特徴とする請求項６又は７記載の半導体装置の製造方法。

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