TW202402997A - 暫時固定帶及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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上田洸造
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Abstract

本發明提供一種暫時固定帶，其適宜用於具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法，能夠減少雷射對半導體裝置之損傷且能夠容易地剝離。又，本發明提供一種半導體裝置之製造方法，其具有雷射剝離步驟，能夠減少雷射對半導體裝置之損傷，且能夠容易地剝離暫時固定帶。 本發明之暫時固定帶至少具有基材、及積層於上述基材之一面之第1黏著劑層，且針對將上述暫時固定帶之上述第1黏著劑層側貼附於玻璃而成之積層體，自上述玻璃之背面照射過照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為360 nm以下之雷射後，於上述暫時固定帶之上述基材被固定之狀態下，在相對於上述玻璃之上述背面為垂直之方向施加40 N的力時，上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離。

Description

暫時固定帶及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種暫時固定帶及半導體裝置之製造方法。
於半導體裝置之加工過程中，為了便於處理半導體裝置，避免其破損，而進行如下操作：經由黏著劑組成物將半導體裝置固定於支持板（支持體），或者將黏著帶貼附於半導體裝置加以保護。例如，於將自高純度之單晶矽等切下之厚膜晶圓研削至規定厚度而製成薄膜晶圓之情形時，進行經由黏著劑組成物將厚膜晶圓接著於支持板（支持體）之操作。
如此，用於半導體裝置之黏著劑組成物或黏著帶等暫時固定材需要具有足夠高之接著性以便能夠於加工步驟中牢固地固定半導體裝置，並且需要於步驟結束後能夠剝離而不損壞半導體裝置（以下，亦稱為「高接著易剝離」）。作為實現高接著易剝離之手段，例如於專利文獻1中揭示有一種黏著片，該黏著片使用於聚合物之側鏈或主鏈鍵結有具有輻射聚合性官能基之多官能性單體或低聚物之黏著劑。藉由具有輻射聚合性官能基而可利用紫外線照射使聚合物硬化，由此，藉由於剝離時照射紫外線，而使黏著力下降，從而能夠無糊劑殘留地進行剝離。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平5-32946號公報
[發明所欲解決之課題]
近年來，作為步驟結束後自半導體裝置及/或支持體剝離暫時固定材之方法，對藉由照射雷射使暫時固定材分解蒸發而剝離之雷射剝離步驟進行了研究。然而，於雷射剝離步驟中，由於使用照射能量較高之雷射，故而不僅會損傷暫時固定材，而且亦可能損傷半導體裝置。進而，近年來，就降低成本之觀點而言，半導體裝置之形狀正從習知之圓形的晶圓狀形狀變為大面積之四邊形（面板尺寸），因此，於暫時固定材為液狀之情形時，無法採用旋轉塗佈法作為塗佈方法，暫時固定材之塗佈本身變得困難。於暫時固定材為液狀之情形時，最終藉由洗淨步驟自半導體裝置去除暫時固定材，因此，亦需要使洗淨設備與面板尺寸之半導體裝置對應。
本發明之目的在於提供一種暫時固定帶，其適宜用於具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法，能夠減少雷射對半導體裝置之損傷且能夠容易地剝離。又，本發明之目的在於提供一種半導體裝置之製造方法，其具有雷射剝離步驟，能夠減少雷射對半導體裝置之損傷，且能夠容易地剝離暫時固定帶。 [解決課題之技術手段]
本發明1係一種暫時固定帶，其至少具有基材、及積層於上述基材之一面之第1黏著劑層，且針對將上述暫時固定帶之上述第1黏著劑層側貼附於玻璃而成之積層體，自上述玻璃之背面照射過照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為360 nm以下之雷射後，於上述暫時固定帶之上述基材被固定之狀態下，在相對於上述玻璃之上述背面為垂直之方向施加40 N的力時，上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離。
本發明2係如本發明1之暫時固定帶，其之選自由波長355 nm之光線吸收率及波長308 nm之光線吸收率所組成之群中的至少1個光線吸收率為90%以上。
本發明3係如本發明1或2之暫時固定帶，其中，上述基材之選自由波長355 nm之光線吸收率及波長308 nm之光線吸收率所組成之群中的至少1個光線吸收率為90%以上。
本發明4係如本發明1、2或3之暫時固定帶，其霧度為80%以下。
本發明5係如本發明1、2、3或4之暫時固定帶，其中，上述基材之霧度為30%以下。
本發明6係如本發明1、2、3、4或5之暫時固定帶，其中，上述第1黏著劑層之選自由波長355 nm之光線吸收率及波長308 nm之光線吸收率所組成之群中的至少1個光線吸收率為50%以下。
本發明7係如本發明1、2、3、4、5或6之暫時固定帶，其中，上述第1黏著劑層不含紫外線吸收劑或包含相對於基底聚合物100重量份為未達5重量份之紫外線吸收劑。
本發明8係如本發明1、2、3、4、5、6或7之暫時固定帶，其進而具有積層於上述基材之另一面之第2黏著劑層。
本發明9係如本發明8之暫時固定帶，其中，上述第2黏著劑層為光硬化型黏著劑層。
本發明10係一種暫時固定帶，其至少具有基材、及積層於上述基材之一面之第1黏著劑層，且用於具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法，上述第1黏著劑層不含紫外線吸收劑或包含相對於基底聚合物100重量份為未達5重量份之紫外線吸收劑。
本發明11係一種半導體裝置之製造方法，其具有下述步驟：積層步驟（1），其係將具有基材、及分別積層於上述基材之兩面之第1黏著劑層與第2黏著劑層之暫時固定帶的上述第1黏著劑層側貼附於支持體，並將上述第2黏著劑層側貼附於半導體裝置，而製作加工用積層體；加工步驟（2），其係對上述加工用積層體中上述半導體裝置進行加工；雷射剝離步驟（3），其係自上述支持體之背面對上述加工用積層體照射雷射，於上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離；以及剝離步驟（4），其係自加工後之上述半導體裝置剝離上述第2黏著劑層及上述基材。
本發明12係如本發明11之半導體裝置之製造方法，其中，上述第2黏著劑層為光硬化型黏著劑層，進而於上述積層步驟（1）之後且上述加工步驟（2）之前具有使上述第2黏著劑層光硬化之光硬化步驟（5）。以下將對本發明進行詳細敍述。
本發明人等研究了使用具有黏著劑層之暫時固定帶作為可用於具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法的暫時固定材。若為此種片狀之暫時固定帶，則藉由適當調整其形狀，不僅能應對習知之圓形之晶圓狀形狀之半導體裝置，亦能應對大面積之四邊形（面板尺寸）之半導體裝置。進而，本發明人等研究了剝離形態，即，針對將暫時固定帶貼附於假定為支持體之玻璃而成之積層體，自玻璃之背面照射特定條件的雷射時之剝離形態。於此種情形時，若為習知之暫時固定帶，則通常會於玻璃與黏著劑層之界面發生剝離。或者，於進而將暫時固定帶之與玻璃相反之側貼附於半導體裝置之情形時，會於玻璃與黏著劑層之界面或黏著劑層與半導體裝置之界面發生剝離。對此，本發明人等發現，藉由將暫時固定帶構成為至少具有基材、及第1黏著劑層，且設計為如在照射雷射時於第1黏著劑層與基材之界面發生剝離而與習知的暫時固定帶完全不同，能夠減少對半導體裝置之損傷，且能夠容易地剝離暫時固定帶。藉此完成本發明。
本發明之暫時固定帶至少具有基材、及積層於上述基材之一面之第1黏著劑層。再者，本發明之暫時固定帶在用於具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法的情形時，宜將上述第1黏著劑層側貼附於支持體，且宜將視需要而積層之如下所述之第2黏著劑層側貼附於半導體裝置。
關於本發明之暫時固定帶，針對將本發明之暫時固定帶之上述第1黏著劑層側貼附於玻璃而成之積層體，自上述玻璃之背面照射過照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為360 nm以下之雷射後，於上述暫時固定帶之上述基材被固定之狀態下，在相對於上述玻璃之上述背面為垂直之方向施加40 N的力時，上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離。
圖1中表示示意性地表示針對將本發明之暫時固定帶之第1黏著劑層側貼附於玻璃而成之積層體，自玻璃之背面照射特定條件之雷射之狀態的圖。又，圖2中表示示意性地表示自玻璃之背面照射特定條件之雷射後，在玻璃之垂直方向施加40 N之力之狀態的圖。進而，圖3中表示示意性地表示在玻璃之垂直方向施加40 N之力時，第1黏著劑層與基材之界面發生剝離之狀態之圖。於圖1～3中，本發明之暫時固定帶1具有基材2及第1黏著劑層3a。如圖1～3所示，關於本發明之暫時固定帶1，針對將本發明之暫時固定帶1之第1黏著劑層3a側貼附於直徑300 mm之玻璃4而成的積層體，自玻璃4之背面照射特定條件之雷射（圖1中之箭頭）後，將暫時固定帶1之基材2固定，在相對於玻璃4之背面為垂直之方向施加40 N之力（圖2中之箭頭）時，第1黏著劑層3a與基材2之界面（圖1及2中之A）發生剝離。再者，玻璃4之背面係玻璃4之與本發明之暫時固定帶1為相反側之面，相對於玻璃4之背面為垂直之方向係相對於玻璃4之背面為垂直的與本發明之暫時固定帶1為相反側之方向。於圖2及3中，在相對於玻璃4之背面為垂直之方向施加40 N之力時，將直徑5 cm之吸盤8以吸盤8之中心位於距玻璃4之端部3 cm之位置的方式貼附於玻璃4之背面，又，將基材2固定於真空吸附台7。
藉由在上述積層體中上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離，本發明之暫時固定帶於在具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法中將上述第1黏著劑層側貼附於支持體而使用的情形時，能夠於上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離。此時，上述基材殘留於半導體裝置側，因此，藉由通常之剝離等自半導體裝置剝離包含上述基材之暫時固定帶之殘留部分時，能夠容易地剝離該殘留部分。又，於使用習知之暫時固定材之雷射剝離步驟中，在暫時固定材與半導體裝置之界面或支持體與暫時固定材之界面發生剝離。於此情形時，亦可能出現以下情況：暫時固定材之殘渣粒子（particle residue）附著於半導體裝置，或者暫時固定材之殘渣粒子附著於支持體，該殘渣粒子懸浮或飛散而污染半導體裝置或製造設備。相對於此，於本發明之暫時固定帶中，上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離，藉此亦能夠防止暫時固定帶之殘渣粒子（particle residue）附著於半導體裝置，或者附著於支持體之殘渣粒子懸浮或飛散而污染半導體裝置。又，藉由在上述積層體中上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離，本發明之暫時固定帶於在具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法中將上述第1黏著劑層側貼附於支持體而使用的情形時，能夠在照射雷射時由上述基材充分吸收雷射。因此，能夠減少雷射對半導體裝置之損傷。
作為上述玻璃，例如可使用TEMPAX（註冊商標）、EAGLE XG（註冊商標）、石英、藍寶石玻璃、PYREX（註冊商標）等，適宜使用TEMPAX（註冊商標）（Mitorika公司製造、ϕ300 mm、厚度600 μm）。再者，上述玻璃根據所照射之雷射波長選擇最佳者，只要於任一玻璃中上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離即可。具體而言，較佳為選擇所照射之雷射波長之透光率為40%以上之玻璃。更佳為雷射波長之透光率為60%以上，進而較佳為雷射波長之透光率為80%以上。
作為將本發明之暫時固定帶之上述第1黏著劑層側貼附於上述玻璃而獲得積層體的方法，例如可列舉：輥式層壓、真空層壓、垂直加壓貼合等。更具體而言，例如適宜採用如下方法：使用真空貼合機裝置（Takatori公司製造之ATM-812M或其同等製品）於層壓速度30 mm/秒、層壓溫度40℃、層壓壓力0.2 MPa、真空度100 Pa等條件下單程地貼附一次，從而製作積層體。再者，確認上述積層體是否剝離時，本發明之暫時固定帶以覆蓋上述玻璃之整個面之方式貼附。此時，本發明之暫時固定帶之大小可與上述玻璃之大小相同，亦可大於上述玻璃。
對上述積層體照射之雷射係照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為360 nm以下之雷射，較佳為照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為193～360 nm之雷射，更佳為照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為300～360 nm之雷射，進而較佳為照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為355 nm之雷射、或照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為308 nm之雷射。即，關於本發明之暫時固定帶，只要能藉由照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為360 nm以下之雷射中之任一種波長或多種波長之雷射，於上述積層體中發生剝離即可。較佳為，只要能藉由照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為355 nm之雷射或照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為308 nm之雷射中之任一者或此兩者，於上述積層體中發生剝離即可。上述照射能量為2000 mJ/cm 2以下之任意值，且只要使上述積層體中發生剝離即可，並無特別限定，就以較少能量實現剝離之觀點而言，較佳為1800 mJ/cm 2以下。就於上述積層體中發生剝離之觀點而言，上述照射能量較佳為100 mJ/cm 2以上。
作為自上述玻璃之背面對上述積層體照射雷射之方法，例如可列舉使用雷射照射裝置（Quark Technology公司製造之QLA-355或其同等製品）之方法等。更具體而言，例如可於射束直徑100 μm、頻率50～80 kHz、掃描速度3.5 m/秒、間距（上下之射束直徑之中心間之距離）45 μm等條件下以Z字狀（向一方向掃描後，於端部下降相當於間距寬度之量，並向反方向重複掃描）掃描照射。
使上述積層體中發生剝離時對上述玻璃在垂直方向施加之力為40 N。再者，在垂直方向施加之力意指用於在上述積層體中使上述玻璃在垂直方向發生面剝離之力，可藉由如下方法施加。自上述玻璃之背面照射特定條件之雷射後，將上述積層體之與上述玻璃為相反側之面固定於真空吸附台。接下來，將直徑5 cm之吸盤以吸盤之中心位於距上述玻璃之端部3 cm之位置的方式貼附於上述玻璃之背面。其後，將吸盤放在電子萬能試驗機（AUTOGRAPH）（島津製作所公司製造之AGS-X或其同等製品）上，對上述玻璃沿垂直方向施加所設定之定荷重（40 N）。再者，距上述玻璃之端部3 cm係通過玻璃之中心之直線上距上述玻璃之端部3 cm的位置。
圖4中表示示意性地表示沿玻璃之垂直方向施加40 N之力時，所貼附之吸盤之位置之一例的俯視圖。如圖4所示，吸盤8之位置距玻璃4之端部3 cm係通過玻璃之中心之直線（圖4中之B）上距玻璃4之端部3 cm的位置。
於上述積層體中使上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離之方法並無特別限定，只要適當調整上述第1黏著劑層及上述基材之組成即可。其中，較佳方法為：藉由設計為上述第1黏著劑層易使特定條件之雷射穿透且上述基材易吸收特定條件之雷射，從而於照射特定條件之雷射時，使上述基材在與上述第1黏著劑層之界面分解蒸發。為此，更佳方法為：藉由調整上述第1黏著劑層中之組成或減少紫外線吸收劑之含量，來降低上述第1黏著劑層之特定波長之光線吸收率；藉由選擇上述基材之種類或向上述基材中添加紫外線吸收劑，來提高上述基材之特定波長之光線吸收率。該等方法可單獨使用，亦可併用2種以上。又，例如亦可列舉：藉由調整上述第1黏著劑層之組成而容易在與上述基材之界面發生剝離之方法；藉由提高上述基材之表面平滑性而容易在與上述第1黏著劑層之界面發生剝離之方法等。再者，一般而言，若上述基材之表面平滑性變高，則上述基材之霧度會下降。
上述基材之選自由波長355 nm之光線吸收率及波長308 nm之光線吸收率所組成之群中的至少1個光線吸收率較佳為90%以上。若上述光線吸收率為90%以上，則於上述積層體中上述第1黏著劑層與上述基材之界面易發生剝離，故而能夠進一步減少對半導體裝置之損傷，能夠更容易地剝離暫時固定帶。上述光線吸收率之更佳下限為95%，進而較佳下限為99%。上述光線吸收率之上限並無特別限定，越接近100%則越佳。再者，基材、第1黏著劑層及暫時固定帶之特定波長之光線吸收率可使用光譜輻射照度計（牛尾電機公司製造之USR-45或其同等製品）進行測定。例如，可藉由如下方法測定光線吸收率。將切割成約5 cm×5 cm之測定對象物貼附於光譜輻射照度計之受光部。其後，可於低速穩定光之光譜分佈模式（累計時間100 ms）之條件下測定波長範圍200～800 nm之光線吸收率，測定處於上述波長範圍內之特定波長之光線吸收率。
上述基材之表面平滑性較高為宜，為此，上述基材不宜對表面實施凹凸處理。藉由上述基材之表面平滑性較高，於上述積層體中上述第1黏著劑層與上述基材之界面易發生剝離，故而能夠進一步減少對半導體裝置之損傷，能夠更容易地剝離暫時固定帶。
上述基材之霧度並無特別限定，較佳上限為30%。若上述基材之霧度為30%以下，則上述基材之表面平滑性足夠高，於上述積層體中上述第1黏著劑層與上述基材之界面易發生剝離，故而能夠進一步減少對半導體裝置之損傷，能夠更容易地剝離暫時固定帶。上述基材之霧度之更佳上限為20%，進而較佳上限為10%。上述基材之霧度之下限並無特別限定，越接近0%則越佳。再者，基材及暫時固定帶之霧度可使用測霧計（村上色彩技術研究所公司製造之HM-150或其同等製品）於D65光源之條件下按照JIS K 7136進行測定。
上述基材並無特別限定，就光線吸收率及霧度易滿足上述範圍，耐熱性及強度亦優異之方面而言，例如可列舉由聚萘二甲酸乙二酯（PEN）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚醯亞胺（PI）、聚醯胺、聚醚、聚酮、聚醚醚酮等構成之基材。其中，就光線吸收率及霧度更容易滿足上述範圍，耐熱性及強度亦更優異之方面而言，較佳為聚萘二甲酸乙二酯（PEN）、聚醯亞胺、聚醚醚酮，更佳為聚醯亞胺、聚醚醚酮。
上述基材亦可進行電暈處理、電漿處理、塗佈處理、鍍覆處理、濺鍍處理等表面處理。其中，就光線吸收率及霧度易滿足上述範圍，耐熱性及強度亦優異之方面而言，較佳為鍍覆處理或濺鍍處理等形成金屬膜之表面處理。其中，為便於形成緻密之膜，較佳為能夠進一步減少雷射照射時對半導體裝置之損傷之濺鍍處理。又，就於上述積層體中易發生剝離之觀點而言，較佳為對第1黏著劑層側進行上述表面處理。
上述基材之厚度並無特別限定，較佳下限為12 μm，更佳下限為25 μm，進而較佳下限為50 μm，較佳上限為250 μm，更佳上限為125 μm。若上述基材之厚度處於上述範圍內，則上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離後，自半導體裝置剝離包含上述基材之暫時固定帶之殘留部分時，能夠更容易地剝離該殘留部分。又，亦能夠製成操作性優異之暫時固定帶。
上述第1黏著劑層之選自由波長355 nm之光線吸收率及波長308 nm之光線吸收率所組成之群中的至少1個光線吸收率較佳為50%以下。若上述光線吸收率為50%以下，則於上述積層體中上述第1黏著劑層與上述基材之界面易發生剝離，故而能夠進一步減少對半導體裝置之損傷，能夠更容易地剝離暫時固定帶。上述光線吸收率之更佳上限為40%，進而較佳上限為30%。上述光線吸收率之下限並無特別限定，越接近0%則越佳。
將上述第1黏著劑層之上述光線吸收率調整至上述範圍內之方法並無特別限定，可列舉調整上述第1黏著劑層之組成之方法等，其中，較佳為減少上述第1黏著劑層中之紫外線吸收劑之含量之方法。即，較佳為上述第1黏著劑層不含紫外線吸收劑，於包含紫外線吸收劑之情形時，其含量較少為宜。上述紫外線吸收劑並無特別限定，例如可列舉：苯并三唑系紫外線吸收劑、二苯甲酮系紫外線吸收劑、三系紫外線吸收劑、水楊酸酯系紫外線吸收劑、氰基丙烯酸酯系紫外線吸收劑等。
於上述第1黏著劑層包含上述紫外線吸收劑之情形時，其含量並無特別限定，較佳為相對於構成上述第1黏著劑層之基底聚合物100重量份為10重量份以下。若上述紫外線吸收劑之含量為10重量份以下，則於上述積層體中上述第1黏著劑層與上述基材之界面易發生剝離，故而能夠進一步減少對半導體裝置之損傷，能夠更容易地剝離暫時固定帶。上述紫外線吸收劑之含量更佳為未達5重量份，進而較佳為3重量份以下，進而更佳為實質上不包含。
構成上述第1黏著劑層之黏著劑並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺酯系黏著劑等。其中，就耐熱性優異之方面而言，較佳為丙烯酸系黏著劑或聚矽氧系黏著劑。
上述第1黏著劑層可為硬化型，亦可為非硬化型，就抑制上述第1黏著劑層過度接著之觀點而言，較佳為硬化型。作為此種硬化型黏著劑層，例如可列舉以聚合性聚合物為主成分且含有光聚合起始劑作為聚合起始劑之光硬化型黏著劑層。作為上述聚合性聚合物，例如可列舉：聚合性之(甲基)丙烯酸系聚合物、聚合性之胺酯丙烯酸酯系聚合物等。其中，較佳為聚合性之(甲基)丙烯酸系聚合物，更佳為分子內具有自由基聚合性之不飽和鍵之(甲基)丙烯酸烷基酯系之聚合性聚合物。上述分子內具有自由基聚合性之不飽和鍵之(甲基)丙烯酸烷基酯系之聚合性聚合物例如可藉由如下方式獲得：預先合成分子內具有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物，使其與分子內具有和上述官能基反應之官能基及自由基聚合性之不飽和鍵的化合物進行反應。再者，以下將「分子內具有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物」稱為「含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物」，將「分子內具有和上述官能基反應之官能基及自由基聚合性之不飽和鍵的化合物」稱為「含官能基不飽和化合物」。
上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物係藉由如下方式獲得：將烷基之碳數通常處於2～18之範圍內之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯作為主單體，利用常規方法使其與含官能基單體共聚，進而視需要與可與其等共聚之其他改質用單體共聚。上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量通常為20萬～200萬左右。再者，於本說明書中，重量平均分子量通常可藉由GPC法確定，例如可於40℃，使用THF作為溶離液，使用HSPgel HR MB-M6.0×150 mm（Waters公司製造）作為管柱，按照聚苯乙烯標準來確定。
作為上述含官能基單體，例如可列舉：含羧基單體、或含羥基單體、或含環氧基單體、或含異氰酸基單體、或含胺基單體等。作為上述含羧基單體，可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸等。作為上述含羥基單體，可列舉丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸羥基乙酯等。作為上述含環氧基單體，可列舉丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯等。作為上述含異氰酸基單體，可列舉丙烯酸異氰酸基乙酯、甲基丙烯酸異氰酸基乙酯等。作為上述含胺基單體，可列舉丙烯酸胺基乙酯、甲基丙烯酸胺基乙酯等。
作為上述可共聚之其他改質用單體，例如可列舉：乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等一般用於(甲基)丙烯酸系聚合物之各種單體。
作為上述含官能基不飽和化合物，可根據上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基，使用與上述含官能基單體相同者。例如，於上述含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為羧基之情形時，使用含環氧基單體或含異氰酸基單體。於該官能基為羥基之情形時，使用含異氰酸基單體。於該官能基為環氧基之情形時，使用含羧基單體或丙烯醯胺等含醯胺基單體。於該官能基為胺基之情形時，使用含環氧基單體。
上述光聚合起始劑並無特別限定，例如可列舉紫外線聚合起始劑等。上述紫外線聚合起始劑例如可列舉藉由照射波長為200～410 nm之紫外線而活化者。作為此種紫外線聚合起始劑，例如可列舉：苯乙酮衍生物化合物、或安息香醚系化合物、縮酮衍生物化合物、膦氧化物衍生物化合物、雙(η5-環戊二烯基)二茂鈦衍生物化合物、二苯甲酮、米其勒酮（Michler ketone）、氯9-氧硫𠮿（chlorothioxanthone）、十二烷基9-氧硫𠮿、二甲基9-氧硫𠮿、二乙基9-氧硫𠮿、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。作為上述苯乙酮衍生物化合物，可列舉甲氧基苯乙酮等。作為上述安息香醚系化合物，可列舉安息香丙醚、安息香異丁醚等。作為上述縮酮衍生物化合物，可列舉苯偶醯二甲基縮酮（benzil dimethyl ketal）、苯乙酮二乙基縮酮等。該等紫外線聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
於上述第1黏著劑層為光硬化型黏著劑層之情形時，上述第1黏著劑層較佳為含有自由基聚合性之多官能低聚物或單體。藉由上述第1黏著劑層含有自由基聚合性之多官能低聚物或單體，光硬化性提高。上述多官能低聚物或單體較佳為重量平均分子量為1萬以下，更佳為其重量平均分子量為5000以下且分子內之自由基聚合性之不飽和鍵之數量為2～20個，以使上述第1黏著劑層藉由光照射效率良好地進行三維網狀化。上述重量平均分子量例如可使用GPC測定法確定。
上述多官能低聚物或單體例如可列舉：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯或上述相同之甲基丙烯酸酯類等。除此以外，還可列舉：1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售之低聚酯丙烯酸酯（oligoester acrylate）、上述相同之甲基丙烯酸酯類等。該等多官能低聚物或單體可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述第1黏著劑層亦可含有交聯劑以提高凝集力。作為上述交聯劑，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑等。其中，就進一步提高上述第1黏著劑層之凝集力之方面而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑。
上述交聯劑於上述第1黏著劑層中含有0.1～20重量%為宜。藉由含有上述範圍內之上述交聯劑，能夠使上述第1黏著劑層適度交聯，維持較高之黏著力，並且進一步提高凝集力。就維持較高之黏著力，並且進一步提高凝集力之觀點而言，上述交聯劑之含量之更佳下限為0.5重量%，進而較佳下限為1.0重量%，更佳上限為15重量%，進而較佳上限為10重量%。
上述第1黏著劑層亦可含有聚矽氧化合物或氟化合物。藉由上述第1黏著劑層含有聚矽氧化合物或氟化合物，聚矽氧化合物或氟化合物滲出至上述第1黏著劑層與支持體之界面，故而能夠更容易地將上述第1黏著劑層與支持體無糊劑殘留地剝離。作為上述聚矽氧化合物或氟化合物，例如可列舉聚矽氧二丙烯酸酯、具有氟烷基之高分子（例如具有來源於含氟丙烯酸酯之構成單位之(甲基)丙烯酸系共聚物）等。
上述聚矽氧化合物或氟化合物較佳為具有可與上述聚合性聚合物交聯之官能基。藉由上述聚矽氧化合物或氟化合物具有可與上述聚合性聚合物交聯之官能基，能夠藉由交聯劑之使用或光照射使上述聚矽氧化合物或氟化合物與上述聚合性聚合物發生化學反應而與上述聚合性聚合物鍵結。藉此，因上述聚矽氧化合物或氟化合物附著於支持體而導致之污染得到抑制。作為可與上述聚合性聚合物交聯之官能基，根據上述聚合性聚合物中所含之官能基進行適當選擇，例如可列舉：羧基、自由基聚合性之不飽和鍵、羥基、醯胺基、異氰酸基、環氧基等。其中，較佳為自由基聚合性之不飽和鍵。上述聚矽氧化合物或氟化合物中之可與上述聚合性聚合物交聯之官能基之官能價例如為二價～六價，較佳為二價～四價，更佳為二價。
作為可與上述聚合性聚合物交聯之官能基，例如可列舉具有不飽和鍵之官能基，更具體而言，例如可列舉：乙烯基、(甲基)丙烯醯基、烯丙基、馬來醯亞胺基等。
上述第1黏著劑層中之上述聚矽氧化合物或氟化合物之含量之較佳下限為2重量%，更佳下限為5重量%，進而較佳下限為10重量%，較佳上限為40重量%，更佳上限為35重量%，進而較佳上限為30重量%。
上述第1黏著劑層亦可進而含有氣體產生劑、填料、光敏劑、塑化劑、樹脂、界面活性劑、蠟等公知之添加劑。該等添加劑可單獨使用，亦可將多種添加劑組合使用。
上述第1黏著劑層之凝膠分率並無特別限定，就抑制上述第1黏著劑層過度接著之觀點而言，較佳下限為90重量%，更佳下限為93重量%，進而較佳下限為95重量%，進而更佳下限為97重量%。再者，於上述第1黏著劑層為光硬化型黏著劑層之情形時，上述第1黏著劑層之凝膠分率係指光硬化後之凝膠分率。
上述第1黏著劑層之厚度並無特別限定，下限為5 μm且上限為200 μm較佳。若上述第1黏著劑層之厚度處於上述範圍內，則能夠以充分之黏著力接著支持體。就進一步提高黏著力之觀點而言，上述第1黏著劑層之厚度之更佳下限為10 μm，更佳上限為100 μm。
本發明之暫時固定帶較佳為進而具有積層於上述基材之另一面之第2黏著劑層。再者，如上所述，本發明之暫時固定帶在用於具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法的情形時，宜將上述第1黏著劑層側貼附於支持體，且宜將上述第2黏著劑層側貼附於半導體裝置。再者，於本發明之暫時固定帶具有上述第2黏著劑層之情形時，自上述玻璃之背面對上述積層體照射特定條件之雷射，使上述積層體中發生剝離並對剝離界面進行評價時，可將上述第2黏著劑層固定於真空吸附台。或者亦可將上述第2黏著劑層貼合於半導體裝置等被黏著體，將該被黏著體之另一面固定於真空吸附台。
上述第2黏著劑層並無特別限定，可使用具有與上述第1黏著劑層相同之組成、物性等之黏著劑層。上述第2黏著劑層與上述第1黏著劑層相同，可為硬化型，亦可為非硬化型，就抑制上述第2黏著劑層過度接著之觀點而言，較佳為如上所述之以聚合性聚合物為主成分且含有光聚合起始劑作為聚合起始劑之光硬化型黏著劑層。
上述第2黏著劑層之厚度並無特別限定，下限為5 μm且上限為200 μm較佳。若上述第2黏著劑層之厚度處於上述範圍內，則能夠以充分之黏著力接著半導體裝置。就進一步提高黏著力之觀點而言，上述第2黏著劑層之厚度之更佳下限為10 μm，更佳上限為100 μm。
本發明之暫時固定材亦可視需要進而具有錨定層等其他層。
本發明之暫時固定帶較佳為選自由波長355 nm之光線吸收率及波長308 nm之光線吸收率所組成之群中的至少1個光線吸收率為90%以上。若上述光線吸收率為90%以上，則上述基材及上述第1黏著劑層之光線吸收率易滿足上述範圍。藉此，於上述積層體中上述第1黏著劑層與上述基材之界面易發生剝離，故而能夠進一步減少對半導體裝置之損傷，能夠更容易地剝離暫時固定帶。上述光線吸收率之更佳下限為95%，進而較佳下限為99%。上述光線吸收率之上限並無特別限定，越接近100%則越佳。
本發明之暫時固定帶之霧度並無特別限定，較佳上限為80%。若本發明之暫時固定帶之霧度為80%以下，則上述基材之霧度易滿足上述範圍。藉此，上述基材之表面平滑性足夠高，於上述積層體中上述第1黏著劑層與上述基材之界面易發生剝離，故而能夠進一步減少對半導體裝置之損傷，能夠更容易地剝離暫時固定帶。本發明之暫時固定帶之霧度之更佳上限為20%，進而較佳上限為10%。本發明之暫時固定帶之霧度之下限並無特別限定，越接近0%則越佳。
製造本發明之暫時固定帶之方法並無特別限定，可使用以往公知之方法。例如可藉由如下方法進行製造：將構成上述第1黏著劑層之黏著劑溶液塗佈於已實施離型處理之膜上，使其乾燥而形成上述第1黏著劑層，並將其與上述基材貼合。又，於本發明之暫時固定帶進而具有上述第2黏著劑層之情形時，可藉由如下方法進行製造：使用構成上述第2黏著劑層之黏著劑溶液，利用與上述第1黏著劑層相同之方法形成上述第2黏著劑層，將上述第1黏著劑層及上述第2黏著劑層分別貼合於上述基材之兩面。
本發明之暫時固定帶之用途並無特別限定，較佳為用於具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法。於此種用途中，本發明之暫時固定帶能夠減少雷射對半導體裝置之損傷且能夠容易地剝離。
下述暫時固定帶亦為本發明之一，該暫時固定帶至少具有基材、及積層於上述基材之一面之第1黏著劑層，且用於具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法，上述第1黏著劑層不含紫外線吸收劑或包含相對於基底聚合物100重量份為未達5重量份之紫外線吸收劑。此種本發明之暫時固定帶於在具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法中將上述第1黏著劑層側貼附於支持體而使用的情形時，亦能夠減少雷射對半導體裝置之損傷且能夠容易地剝離。再者，於此種本發明之暫時固定帶中，亦可進一步積層第2黏著劑層，基材、第1黏著劑層、紫外線吸收劑、視需要積層之第2黏著劑層等之詳情如上所述。
如下所述之半導體裝置之製造方法亦為本發明之一。即，一種半導體裝置之製造方法，其具有下述步驟：積層步驟（1），其係將具有基材、及分別積層於上述基材之兩面之第1黏著劑層與第2黏著劑層之暫時固定帶的上述第1黏著劑層側貼附於支持體，並將上述第2黏著劑層側貼附於半導體裝置，而製作加工用積層體；加工步驟（2），其係對上述加工用積層體中上述半導體裝置進行加工；雷射剝離步驟（3），其係自上述支持體之背面對上述加工用積層體照射雷射，於上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離；以及剝離步驟（4），其係自加工後之上述半導體裝置剝離上述第2黏著劑層及上述基材。
於本發明之半導體裝置之製造方法中，首先進行積層步驟（1），該步驟係將具有基材、及分別積層於上述基材之兩面之第1黏著劑層與第2黏著劑層之暫時固定帶的上述第1黏著劑層側貼附於支持體，並將上述第2黏著劑層側貼附於半導體裝置，而製作加工用積層體。
圖5中表示示意性地表示本發明之半導體裝置之製造方法中之積層步驟（1）的圖。於圖5中，暫時固定帶1具有基材2、及第1黏著劑層3a與第2黏著劑層3b。如圖5所示，於積層步驟（1）中，將暫時固定帶1之第1黏著劑層3a側貼附於支持體5，將第2黏著劑層3b側貼附於半導體裝置6側。
於本發明之半導體裝置之製造方法中，繼而進行加工步驟（2），該步驟係對上述加工用積層體中上述半導體裝置進行加工（未圖示）。
上述半導體裝置之加工之種類並無特別限定，可為伴隨加熱處理之加工，具體而言，例如可列舉：研削、切割、藉由濺鍍等進行之金屬膜形成、樹脂層形成、焊接、裝置晶片積層步驟等。
於本發明之半導體裝置之製造方法中，繼而進行雷射剝離步驟（3），該步驟係自上述支持體之背面對上述加工用積層體照射雷射，於上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離。
圖6～7中表示示意性地表示本發明之半導體裝置之製造方法中之雷射剝離步驟（3）的圖。如圖6～7所示，於雷射剝離步驟（3）中，自支持體5之背面對加工用積層體照射雷射（圖6中之箭頭），於第1黏著劑層3a與基材2之界面（圖6中之A）發生剝離。
對上述加工用積層體照射之雷射較佳為照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為360 nm以下之雷射，更佳為照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為193～360 nm之雷射，進而較佳為照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為300～360 nm之雷射，尤佳為照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為355 nm之雷射、或照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為308 nm之雷射。上述照射能量為2000 mJ/cm 2以下之任意值，並無特別限定，就以較少能量實現剝離之觀點而言，較佳為1800 mJ/cm 2以下。就於上述加工用積層體中在上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離之觀點而言，上述照射能量較佳為100 mJ/cm 2以上。
自上述支持體之背面對上述加工用積層體照射雷射之方法並無特別限定，例如可列舉使用雷射照射裝置（Quark Technology公司製造之QLA-355或其同等製品）之方法等。更具體而言，例如可於射束直徑100 μm、頻率50～80 kHz、掃描速度3.5 m/秒、間距（上下之射束直徑之中心間之距離）45 μm等條件下以Z字狀（向一方向掃描後，於端部下降相當於間距寬度之量，並向反方向重複掃描）掃描照射。
於本發明之半導體裝置之製造方法中，繼而進行剝離步驟（4），該步驟係自加工後之上述半導體裝置剝離上述第2黏著劑層及上述基材。
圖8中表示示意性地表示本發明之半導體裝置之製造方法中之剝離步驟（4）的圖。如圖8所示，於剝離步驟（4）中，自加工後之半導體裝置6'剝離第2黏著劑層3b及基材2。
自加工後之上述半導體裝置剝離上述第2黏著劑層及上述基材之方法並無特別限定，可使用之通常之剝離等。再者，此時上述基材殘留於加工後之上述半導體裝置側，因此，上述第2黏著劑層及上述基材可藉由通常之剝離等容易地自加工後之上述半導體裝置剝離，無需利用其他膜等作襯底。
於本發明之半導體裝置之製造方法中，在上述第2黏著劑層為光硬化型黏著劑層之情形時，較佳為於上述積層步驟（1）之後且上述加工步驟（2）之前進行使上述第2黏著劑層光硬化之光硬化步驟（5）（未圖示）。
藉由進行上述光硬化步驟（5），能夠抑制上述第2黏著劑層過度接著，能夠於上述剝離步驟（4）中更容易地自加工後之上述半導體裝置剝離上述第2黏著劑層及上述基材。使上述第2黏著劑層光硬化之方法並無特別限定，例如可列舉以累計強度成為3000 mJ/cm 2之方式照射波長405 nm之紫外光之方法等。再者，於除了上述第2黏著劑層以外，上述第1黏著劑層亦為光硬化型黏著劑層之情形時，於上述光硬化步驟（5）中，除了使上述第2黏著劑層光硬化以外，亦可使上述第1黏著劑層光硬化。本發明之半導體裝置之製造方法中所使用之基材、第1黏著劑層、紫外線吸收劑、第2黏著劑層等之詳情如上文關於本發明之暫時固定帶之說明。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種暫時固定帶，其適宜用於具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法，能夠減少雷射對半導體裝置之損傷且能夠容易地剝離。又，根據本發明，可提供一種半導體裝置之製造方法，其具有雷射剝離步驟，能夠減少雷射對半導體裝置之損傷，且能夠容易地剝離暫時固定帶。
以下，列舉實施例對本發明之態樣更詳細地進行說明，但本發明不僅限定於該等實施例。
（UV硬化型黏著劑之製造）準備具備溫度計、攪拌機、冷凝管之反應器，向該反應器內加入作為(甲基)丙烯酸烷基酯之丙烯酸2-乙基己酯94重量份、作為含官能基單體之甲基丙烯酸羥基乙酯6重量份、月桂硫醇0.01重量份、及乙酸乙酯80重量份，之後將反應器加熱，開始回流。然後，向上述反應器內添加作為聚合起始劑之1,1-雙(第三己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，於回流下開始聚合。接下來，於聚合開始1小時後及2小時後，亦各添加0.01重量份之1,1-雙(第三己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷，進而，於聚合開始4小時後，添加0.05重量份之過氧化三甲基乙酸第三己酯（t-hexyl peroxypivalate），繼續進行聚合反應。然後，於聚合開始8小時後，獲得固形物成分55重量%、重量平均分子量60萬之含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液。相對於所獲得之含有含官能基(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，加入3.5重量份之作為含官能基不飽和化合物之甲基丙烯酸2-異氰酸乙酯，進行反應而獲得聚合性聚合物。其後，相對於所獲得之聚合性聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，混入1重量份之光聚合起始劑（Nihon SiberHegner公司製造之Esacure One），獲得UV硬化型黏著劑（UV硬化型）之乙酸乙酯溶液。
（實施例1）（1）暫時固定帶之製造：將所獲得之UV硬化型黏著劑之乙酸乙酯溶液以乾燥後黏著劑層之厚度成為20 μm的方式塗佈於厚度50 μm之已實施離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜之離型處理面上，之後以100℃乾燥10分鐘而形成UV硬化型黏著劑層。進行相同之操作，再形成1個UV硬化型黏著劑層。將上述中獲得之UV硬化型黏著劑層作為第1黏著劑層及第2黏著劑層分別貼合於作為基材之聚萘二甲酸乙二酯（PEN）之兩面，獲得暫時固定帶。再者，對基材之表面進行作為凹凸處理之噴砂處理（SDB）。
於表1中表示基材、第1黏著劑層、第2黏著劑層及暫時固定帶之各物性（霧度、各波長下之光線吸收率等）。再者，霧度係使用測霧計（村上色彩技術研究所公司製造之HM-150）於D65光源之條件下按照JIS K 7136進行測定。又，關於光線吸收率，將切割成約5 cm×5 cm之測定對象物貼附於光譜輻射照度計（牛尾電機公司製造之USR-45）之受光部，其後於低速穩定光之光譜分佈模式（累計時間100 ms）之條件下測定波長範圍200～800 nm之光線吸收率，測定處於上述波長範圍內之特定波長之光線吸收率。
（2）半導體裝置之製造：準備TEMPAX（註冊商標）（Mitorika公司製造、ϕ300 mm、厚度600 μm）作為玻璃支持體，準備虛設矽晶圓（ITES公司製造、ϕ300 mm、厚度725 μm）作為半導體裝置。將上述中獲得之暫時固定帶之第1黏著劑層側貼附於玻璃支持體，將第2黏著劑層側貼附於半導體裝置，而製作加工用積層體[積層步驟（1）]。將暫時固定帶之第1黏著劑層側貼附於玻璃支持體時，使用真空貼合機裝置（Takatori公司製造之ATM-812M），於層壓速度30 mm/秒、層壓溫度40℃、層壓壓力0.2 MPa、真空度100 Pa、單程一次之條件下進行貼附。將暫時固定帶之第2黏著劑層側貼附於半導體裝置時，使用真空貼合裝置（Takatori公司製造之GWSM-300M），於貼合溫度40℃、貼合壓力0.6 MPa、貼合時間360秒、真空度100 Pa之條件下進行貼合。
繼而，使用UV照射裝置（Takatori公司製造之QWSM-300R），自玻璃支持體側對加工用積層體以累計強度成為3000 mJ/cm 2之方式照射波長405 nm之紫外光，藉此使第1黏著劑層及第2黏著劑層光硬化[光硬化步驟（5）]。
繼而，使用真空程序烘箱（Vacuum Process Oven）（UNITEMP公司製造），對加工用積層體中半導體裝置進行於200℃、1小時之氮氣環境下加熱之加工[加工步驟（2）]。
進而，使用雷射照射裝置（Quark Technology公司製造之QLA-355），於射束直徑100 μm、頻率50～80 kHz、掃描速度3.5 m/秒、間距（上下之射束直徑之中心間之距離）45 μm之條件下，自玻璃支持體之背面以Z字狀對加工用積層體掃描照射雷射。此時，以成為表1所示之照射能量之方式照射波長355 nm之雷射或波長308 nm之雷射。其後，將半導體裝置側之面固定於真空吸附台，將直徑5 cm之吸盤以吸盤之中心位於距玻璃支持體之端部3 cm之位置的方式貼附於玻璃支持體之背面。其後，將吸盤放在電子萬能試驗機（島津製作所公司製造之AGS-X）上，對玻璃支持體沿垂直方向施加定荷重（40 N）時，於第1黏著劑層與基材之界面發生剝離[雷射剝離步驟（3）]。
藉由通常之剝離，自加工後之半導體裝置剝離第2黏著劑層及基材[剝離步驟（4）]。
（實施例2～13、比較例1～4）除了如表1～3所示變更基材、第1黏著劑層及第2黏著劑層以外，以與實施例1相同之方式進行暫時固定帶之製造及半導體裝置之製造。再者，下文表示所使用之基材之材料。又，於實施例8、10及11中，使用SK Dyne 2030U（綜研化學公司製造）作為非UV硬化型黏著劑A（非UV硬化型A），於實施例9及11中，使用SK Dyne 1604N（綜研化學公司製造）作為非UV硬化型黏著劑B（非UV硬化型B）。於比較例2中，使用Tinuvin 460（BASF Japan公司製造）作為紫外線吸收劑。
Teonex（東洋紡公司製造之聚萘二甲酸乙二酯（PEN））、EXPEEK（倉敷紡織公司製造之聚醚醚酮）、UPILEX（UBE公司製造之聚醯亞胺（PI））、Lumirror（東麗公司製造之聚對苯二甲酸乙二酯（PET））、G-Leaf（日本電氣硝子公司製造之玻璃膜）、IS-21-21（AICHI PLASTICS公司製造之聚乙烯（PE））
（實施例14～19）使用濺鍍裝置（LINTEC公司製造之QAM-4）於表2記載之基材上蒸鍍出金屬膜，製作帶有金屬膜之基材。於實施例14及17中，使用SUS（不鏽鋼）進行蒸鍍，於實施例15及18中，使用Al（鋁）進行蒸鍍，於實施例16及19中，使用Cu（銅）進行蒸鍍。金屬膜之厚度調整至約5 nm。將第1黏著劑層貼合於帶有金屬膜之基材之金屬膜側之面，將第2黏著劑層貼合於相反面，獲得暫時固定帶，除此以外，以與實施例1相同之方式進行暫時固定帶之製造及半導體裝置之製造。
＜評價＞對實施例及比較例中之半導體裝置之製造進行以下評價。將結果示於表1～3中。
（1）對半導體裝置之損傷評價：針對波長355 nm及波長308 nm之情形之各者，目視確認所獲得之加工後之半導體裝置中有無損傷。將未觀察到損傷之情形設為○，將觀察到損傷之情形設為×。
（2）剝離步驟（4）之評價針對波長308 nm之情形，求出藉由通常之剝離自加工後之半導體裝置剝離第2黏著劑層及基材時之剝離力。剝離力係於將第2黏著劑層及基材切割成25 mm寬度後，藉由利用電子萬能試驗機（島津製作所公司製造之AGS-X）進行180°剝離來求出。再者，於比較例1、3及4中，雷射剝離步驟（3）中在暫時固定帶與半導體裝置之界面發生了剝離，故而無法進行本評價。又，於比較例2中，雷射剝離步驟（3）中在玻璃支持體與暫時固定帶之界面發生了剝離，但於剝離步驟（4）中需要襯底以自半導體裝置剝離暫時固定帶，因此不進行本評價。
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13
暫時固定帶 基材 材料 PEN PEN EXPEEK EXPEEK PI PEN EXPEEK PEN PEN PEN PEN PET PET
凹凸處理（SDB） 有 無 有 無 無 無 無 無 無 無 無 無 無
表面處理 無 無 無 無 無 無 無 無 無 無 無 無 無
厚度（μm） 25 25 25 25 25 75 12 25 25 25 25 50 125
霧度（%） 93 7 76 2 7 22 1 7 7 7 7 4 11
355 nm光線吸收率（%） 100 100 99 99 100 100 99 100 100 100 100 18 35
308 nm光線吸收率（%） 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
第1黏著劑層（支持體側） 黏著劑種類 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 非UV硬化型A 非UV硬化型B UV硬化型 非UV硬化型A UV硬化型 UV硬化型
厚度（μm） 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20
光聚合起始劑（重量份） 1 1 1 1 1 1 1 - - 1 - 1 1
紫外線吸收劑（重量份） - - - - - - - - - - - - -
355 nm光線吸收率（%） 7 7 7 7 7 7 7 13 12 7 13 7 7
308 nm光線吸收率（%） 33 33 33 33 33 33 33 14 14 33 14 33 33
第2黏著劑層（半導體裝置側） 黏著劑種類 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 非UV硬化型A 非UV硬化型B UV硬化型 UV硬化型
厚度（μm） 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20
光聚合起始劑（重量份） 1 1 1 1 1 1 1 1 1 - - 1 1
紫外線吸收劑（重量份） - - - - - - - - - - - - -
355 nm光線吸收率（%） 7 7 7 7 7 7 7 7 7 13 12 7 7
308 nm光線吸收率（%） 33 33 33 33 33 33 33 33 33 14 14 33 33
暫時固定帶之霧度 73 7 40 3 7 23 3 9 8 9 8 7 14
雷射剝離步驟（3） 波長355 nm 照射能量（mJ/cm 2；1發） 500 250 500 250 250 250 250 250 250 250 250 2500 2500
於第1黏著劑層與基材之界面之剝離 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × （※1） × （※1）
波長308 nm 照射能量（mJ/cm 2；1發） 400 200 400 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200
於第1黏著劑層與基材之界面之剝離 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
評價 對半導體裝置之損傷 波長355 nm ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × ×
波長308 nm ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
剝離步驟（4） 剝離力（N/25 mm） 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.3 0.4 0.1 0.2
※1 於暫時固定帶與半導體裝置之界面之剝離
[表2]
   實施例14 實施例15 實施例16 實施例17 實施例18 實施例19
暫時固定帶 基材 材料 PEN PEN PEN EXPEEK EXPEEK EXPEEK
凹凸處理（SDB） 無 無 無 無 無 無
表面處理 SUS Al Cu SUS Al Cu
厚度（μm） 25 25 25 25 25 25
霧度（%） 2 2 2 5 5 5
355 nm光線吸收率（%） 100 100 100 100 100 100
308 nm光線吸收率（%） 100 100 100 100 100 100
第1黏著劑層（支持體側） 黏著劑種類 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型
厚度（μm） 20 20 20 20 20 20
光聚合起始劑（重量份） 1 1 1 1 1 1
紫外線吸收劑（重量份） - - - - - -
355 nm光線吸收率（%） 7 7 7 7 7 7
308 nm光線吸收率（%） 33 33 33 33 33 33
第2黏著劑層（半導體裝置側） 黏著劑種類 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型
厚度（μm） 20 20 20 20 20 20
光聚合起始劑（重量份） 1 1 1 1 1 1
紫外線吸收劑（重量份） - - - - - -
355 nm光線吸收率（%） 7 7 7 7 7 7
308 nm光線吸收率（%） 33 33 33 33 33 33
暫時固定帶之霧度 10 10 10 10 10 10
雷射剝離步驟（3） 波長355 nm 照射能量（mJ/cm 2；1發） 200 120 150 200 120 150
於第1黏著劑層與基材之界面之剝離 ○ ○ ○ ○ ○ ○
波長308 nm 照射能量（mJ/cm 2；1發） 150 100 120 150 100 120
於第1黏著劑層與基材之界面之剝離 ○ ○ ○ ○ ○ ○
評價 對半導體裝置之損傷 波長355 nm ○ ○ ○ ○ ○ ○
波長308 nm ○ ○ ○ ○ ○ ○
剝離步驟（4） 剝離力（N/25 mm） 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
[表3]
   比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
暫時固定帶 基材 材料 無 無 玻璃膜 PE
凹凸處理（SDB） - - 無 無
表面處理 無 無 無 無
厚度（μm） - - 50 25
霧度（%） - - 3 10
355 nm光線吸收率（%） - - 10 16
308 nm光線吸收率（%） - - 10 20
第1黏著劑層（支持體側） 黏著劑種類 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型 UV硬化型
厚度（μm） 20 20 20 20
光聚合起始劑（重量份） 1 1 1 1
紫外線吸收劑（重量份） - 20 - -
355 nm光線吸收率（%） 7 98 7 7
308 nm光線吸收率（%） 33 98 33 33
第2黏著劑層（半導體裝置側） 黏著劑種類 無 無 UV硬化型 UV硬化型
厚度（μm） - - 20 20
光聚合起始劑（重量份） - - 1 1
紫外線吸收劑（重量份） - -      
355 nm光線吸收率（%） - - 7 7
308 nm光線吸收率（%） - - 33 33
暫時固定帶之霧度 1 2 5 12
雷射剝離步驟（3） 波長355 nm 照射能量（mJ/cm 2；1發） 2500 500 2500 2500
於第1黏著劑層與基材之界面之剝離 × （※1） × （※2） × （※1） × （※1）
波長308 nm 照射能量（mJ/cm 2；1發） 2200 400 2200 2200
於第1黏著劑層與基材之界面之剝離 × （※1） × （※2） × （※1） × （※1）
評價 對半導體裝置之損傷 波長355 nm × ○ × ×
波長308 nm × ○ × ×
剝離步驟（4） 剝離力（N/25 mm） - - - -
※1 於暫時固定帶與半導體裝置之界面之剝離 ※2 於支持體與暫時固定帶之界面之剝離
[產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種暫時固定帶，其適宜用於具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法，能夠減少雷射對半導體裝置之損傷且能夠容易地剝離。又，根據本發明，可提供一種半導體裝置之製造方法，其具有雷射剝離步驟，能夠減少雷射對半導體裝置之損傷，且能夠容易地剝離暫時固定帶。
1:暫時固定帶 2:基材 3a:第1黏著劑層 3b:第2黏著劑層 4:玻璃 5:支持體 6:半導體裝置 6':半導體裝置（加工後） 7:真空吸附台 8:吸盤 A:第1黏著劑層與基材之界面 B:通過圓之中心之直線 B':與長邊平行且通過短邊之中央之直線
[圖1]係示意性地表示針對將本發明之暫時固定帶之第1黏著劑層側貼附於玻璃而成之積層體，自玻璃之背面照射特定條件之雷射之狀態的圖。 [圖2]係示意性地表示自玻璃之背面照射特定條件之雷射後，沿玻璃之垂直方向施加40 N之力之狀態的圖。 [圖3]係示意性地表示沿玻璃之垂直方向施加40 N之力時，第1黏著劑層與基材之界面發生剝離之狀態之圖。 [圖4]係示意性地表示沿玻璃之垂直方向施加40 N之力時，所貼附之吸盤之位置之一例的俯視圖。 [圖5]係示意性地表示本發明之半導體裝置之製造方法中之積層步驟（1）的圖。 [圖6]係示意性地表示本發明之半導體裝置之製造方法中之雷射剝離步驟（3）的圖。 [圖7]係示意性地表示本發明之半導體裝置之製造方法中之雷射剝離步驟（3）的圖。 [圖8]係示意性地表示本發明之半導體裝置之製造方法中之剝離步驟（4）的圖。
1:暫時固定帶
2:基材
3a:第1黏著劑層
4:玻璃
A:第1黏著劑層與基材之界面

Claims (12)

  1. 一種暫時固定帶，其至少具有基材、及積層於上述基材之一面之第1黏著劑層，且特徵在於：針對將上述暫時固定帶之上述第1黏著劑層側貼附於玻璃而成之積層體，自上述玻璃之背面照射過照射能量為2000 mJ/cm 2以下且波長為360 nm以下之雷射後，於上述暫時固定帶之上述基材被固定之狀態下，在相對於上述玻璃之上述背面為垂直之方向施加40 N的力時，上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離。
  2. 如請求項1之暫時固定帶，其之選自由波長355 nm之光線吸收率及波長308 nm之光線吸收率所組成之群中的至少1個光線吸收率為90%以上。
  3. 如請求項1或2之暫時固定帶，其中，上述基材之選自由波長355 nm之光線吸收率及波長308 nm之光線吸收率所組成之群中的至少1個光線吸收率為90%以上。
  4. 如請求項1或2之暫時固定帶，其霧度為80%以下。
  5. 如請求項1或2之暫時固定帶，其中，上述基材之霧度為30%以下。
  6. 如請求項1或2之暫時固定帶，其中，上述第1黏著劑層之選自由波長355 nm之光線吸收率及波長308 nm之光線吸收率所組成之群中的至少1個光線吸收率為50%以下。
  7. 如請求項1或2之暫時固定帶，其中，上述第1黏著劑層不含紫外線吸收劑或包含相對於基底聚合物100重量份為未達5重量份之紫外線吸收劑。
  8. 如請求項1或2之暫時固定帶，其進而具有積層於上述基材之另一面之第2黏著劑層。
  9. 如請求項8之暫時固定帶，其中，上述第2黏著劑層為光硬化型黏著劑層。
  10. 一種暫時固定帶，其至少具有基材、及積層於上述基材之一面之第1黏著劑層，且特徵在於：用於具有雷射剝離步驟之半導體裝置之製造方法，上述第1黏著劑層不含紫外線吸收劑或包含相對於基底聚合物100重量份為未達5重量份之紫外線吸收劑。
  11. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具有下述步驟：積層步驟（1），其係將具有基材、及分別積層於上述基材之兩面之第1黏著劑層與第2黏著劑層之暫時固定帶的上述第1黏著劑層側貼附於支持體，並將上述第2黏著劑層側貼附於半導體裝置，而製作加工用積層體；加工步驟（2），其係對上述加工用積層體中上述半導體裝置進行加工；雷射剝離步驟（3），其係自上述支持體之背面對上述加工用積層體照射雷射，於上述第1黏著劑層與上述基材之界面發生剝離；以及剝離步驟（4），其係自加工後之上述半導體裝置剝離上述第2黏著劑層及上述基材。
  12. 如請求項11之半導體裝置之製造方法，其中，上述第2黏著劑層為光硬化型黏著劑層，進而於上述積層步驟（1）之後且上述加工步驟（2）之前具有使上述第2黏著劑層光硬化之光硬化步驟（5）。
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