JP2019201018A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 120
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 10
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 14
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 7
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 7
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 7
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 112
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006124 polyolefin elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920005606 polypropylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
1a 表面
1b 裏面
3 分割予定ライン
3a 切削痕
5 デバイス
7 フレーム
7a 開口
9 ポリオレフィン系シート
9a 切断痕
11 フレームユニット
2 チャックテーブル
2a 保持面
2b,36a 吸引源
2c,36b 切り替え部
4 ヒートローラー
6 カッター
8切削装置
10 切削ユニット
12 スピンドルハウジング
14 切削ブレード
16 切削水供給ノズル
18 ピックアップ装置
20 ドラム
22 フレーム保持ユニット
24 クランプ
26 フレーム支持台
28 ロッド
30 エアシリンダ
32 ベース
34 突き上げ機構
36 コレット
Claims (6)
- 複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハを収容する開口を有するフレームの該開口内にウェーハを位置付け、該ウェーハの裏面と該フレームの外周とにポリオレフィン系シートを配設するポリオレフィン系シート配設工程と、
該ポリオレフィン系シートを加熱し押圧して該ウェーハと該フレームとを該ポリオレフィン系シートを介して一体化する一体化工程と、
切削ブレードを回転可能に備えた切削装置を用いて該ウェーハを分割予定ラインに沿って切削して該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
該ポリオレフィン系シートから個々のデバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、
を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。 - 該一体化工程において、一体化を実施した後、該フレームの外周からはみ出したポリオレフィン系シートを除去することを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該ピックアップ工程において、該ポリオレフィン系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げ、該ポリオレフィン系シート側から該デバイスチップを突き上げることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかであることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該一体化工程において、該ポリオレフィン系シートが該ポリエチレンシートである場合に加熱温度は120℃〜140℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリプロピレンシートである場合に加熱温度は160℃〜180℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリスチレンシートである場合に加熱温度は220℃〜240℃であることを特徴とする請求項4記載のウェーハの加工方法。
- 該ウェーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成されることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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JP2019201018A true JP2019201018A (ja) | 2019-11-21 |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
CN113199390A (zh) * | 2020-01-16 | 2021-08-03 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6181652A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-25 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | ダイシングフイルム |
JPH0621219A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005191297A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Jsr Corp | ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法 |
JP2007165636A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2012054582A (ja) * | 2006-06-23 | 2012-03-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム |
JP2012119670A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-06-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体ウェハの分割方法及び分割装置 |
WO2016151911A1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | リンテック株式会社 | 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2016207786A (ja) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造装置及び製造方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6181652A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-25 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | ダイシングフイルム |
JPH0621219A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005191297A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Jsr Corp | ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法 |
JP2007165636A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2012054582A (ja) * | 2006-06-23 | 2012-03-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着フィルム |
JP2012119670A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-06-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体ウェハの分割方法及び分割装置 |
WO2016151911A1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | リンテック株式会社 | 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2016207786A (ja) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造装置及び製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113199390A (zh) * | 2020-01-16 | 2021-08-03 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
CN113199390B (zh) * | 2020-01-16 | 2024-03-12 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
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