CN113199390A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片的加工方法，能够防止搬送路径和装置等的污染。晶片的加工方法对在由分割预定线划分的正面的多个区域中分别形成有器件的晶片的背面进行磨削或研磨，该晶片的加工方法具有如下的工序：框架单元形成工序，将晶片定位于具有能够收纳晶片的大小的开口的框架的开口，将热压接片热压接于晶片的正面和框架上，从而形成晶片和框架借助热压接片而一体化的框架单元；保持工序，利用加工装置的卡盘工作台对框架单元进行保持；加工工序，利用加工装置的加工单元对晶片的背面进行磨削或研磨；以及清洗工序，从卡盘工作台搬出框架单元并对加工完毕的晶片进行清洗。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及在对在由分割预定线划分的正面的多个区域中分别形成有器件的晶片进行加工时使用的晶片的加工方法。
背景技术
在组装于移动电话或个人计算机等电子设备的器件芯片的制造工序中，例如在由硅等半导体或蓝宝石等绝缘体构成的晶片的正面上设定多条分割预定线(间隔道)。另外，在由分割预定线划分的正面的各区域中形成IC(Integrated Circuit：集成电路)或LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等器件。
对于在正面的各区域中形成有器件的晶片，例如在通过磨削或研磨等方法将背面侧加工至期望的厚度之后，使用切削装置或激光加工装置等按照分割预定线进行分割。由此，能够得到分别具有上述那样的器件的多个器件芯片。
但是，当通过磨削或研磨等方法对晶片进行加工时，晶片变薄而强度降低。因此，不容易在不使通过磨削或研磨等方法加工后的晶片破损的情况下以单体进行搬送。因此，提出了在对晶片进行加工之前使用粘接带使晶片与环状的框架一体化的方法(例如，参照专利文献1、2)。
专利文献1：日本特开平10-284449号公报
专利文献2：日本特开平11-40520号公报
但是，当通过磨削或研磨等方法对使用粘接带而与环状的框架一体化后的晶片进行加工时，加工时从晶片产生的屑(加工屑)会附着于在晶片与框架之间露出的粘接带的粘接层。例如，如果在对晶片进行搬送时该屑从粘接带脱落，则搬送路径和装置等被污染。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供能够防止搬送路径和装置等的污染的晶片的加工方法。
根据本发明的一个方面，提供一种晶片的加工方法，对在由分割预定线划分的正面的多个区域中分别形成有器件的晶片的背面进行磨削或研磨，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：框架单元形成工序，将晶片定位于具有能够收纳晶片的大小的开口的框架的该开口中，将热压接片热压接于该晶片的该正面和该框架上，从而形成该晶片和该框架借助该热压接片而一体化的框架单元；保持工序，利用加工装置的卡盘工作台对该框架单元进行保持；加工工序，利用该加工装置的加工单元对该晶片的该背面进行磨削或研磨；以及清洗工序，从该卡盘工作台搬出该框架单元并对加工完毕的该晶片进行清洗。
在本发明的一个方面中，优选的是，在该框架单元形成工序中，在将维持该热压接片的平坦性的平坦化部件配置在该晶片与该框架之间的状态下，将该热压接片热压接于该晶片和该框架上。
另外，在本发明的一个方面中，也可以为，在该加工工序中，使用包含磨粒的研磨垫对该晶片的该背面进行干式研磨。
另外，在本发明的一个方面中，该热压接片例如是聚烯烃系片。优选的是，该聚烯烃系片是聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片。
在该聚烯烃系片是该聚乙烯片的情况下，可以在该框架单元形成工序中以120℃～140℃的温度对该聚乙烯片进行热压接。在该聚烯烃系片是该聚丙烯片的情况下，可以在该框架单元形成工序中以160℃～180℃的温度对该聚丙烯片进行热压接。而且，在该聚烯烃系片是该聚苯乙烯片的情况下，可以在该框架单元形成工序中以220℃～240℃的温度对该聚苯乙烯片进行热压接。
另外，在本发明的一个方面中，该热压接片例如是聚酯系片。优选的是，该聚酯系片是聚对苯二甲酸乙二醇酯片或聚萘二甲酸乙二醇酯片。
在该聚酯系片是该聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下，可以在该框架单元形成工序中以250℃～270℃的温度对该聚对苯二甲酸乙二醇酯片进行热压接。而且，在该聚酯系片是该聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下，可以在该框架单元形成工序中以160℃～180℃的温度对该聚萘二甲酸乙二醇酯片进行热压接。
根据本发明的一个方面的晶片的加工方法，在使晶片和框架一体化时，使用不具有粘接层的热压接片来代替具有粘接层的粘接带，因此不会像使用粘接带的情况那样使粘接层在晶片与框架之间露出。由此，即使在加工时从晶片产生的屑在晶片与框架之间堆积于热压接片，也能够通过之后的清洗简单地将屑从热压接片去除。
因此，即使在清洗后搬送晶片，屑也不会从热压接片脱落而污染搬送路径和装置等。这样，根据本发明的一个方面的晶片的加工方法，能够防止搬送路径和装置等的污染。
附图说明
图1是示意性地示出晶片的立体图。
图2是示出晶片等向卡盘工作台载置的情形的立体图。
图3是示出热压接片等向卡盘工作台载置的情形的立体图。
图4是示出使用热风枪将热压接片热压接于晶片和框架上的情形的立体图。
图5是示出使用加热辊将热压接片热压接于晶片和框架上的情形的立体图。
图6的(A)是示意性地示出将热压接片切断的情形的立体图，图6的(B)是示意性地示出完成后的框架单元的立体图。
图7的(A)是示出框架单元向卡盘工作台载置的情形的立体图，图7的(B)是示出框架单元被卡盘工作台保持的情形的立体图。
图8是示出对晶片的背面侧进行加工的情形的立体图。
图9是示出对晶片进行清洗的情形的立体图。
图10的(A)是示出在晶片上形成改质层的情形的立体图，图10的(B)是示出在晶片上形成改质层的情形的剖视图。
图11是示出将框架单元向扩展装置搬入的情形的立体图。
标号说明
1：晶片；1a：正面；1b：背面；3：分割预定线；3a：改质层；5：器件；7：框架；7a：开口；9：热压接片；9a：切断痕；11：平坦化部件(平坦性维持部件)；13：框架单元；2：卡盘工作台；2a：框体；2b：保持板；2c：保持面；2d：阀；2e：吸引源；4：热风枪；4a：热风；6：加热辊；10：刀具；12：卡盘工作台；12a：框体；12b：保持板；12c：外周部；12d：中央部；12e：保持面；12f：吸引口；12g：阀；12h：吸引源；14：加工单元；16：主轴；18：安装座；20：研磨工具；20a：基台；20b：研磨垫；22：旋转工作台；24：喷嘴；26：激光加工单元；26a：激光束；26b：加工头；26c：聚光点；28：扩展装置；30：鼓；32：框架保持单元；34：支承工作台；36：夹具；38：升降机构；40：基台；42：缸筒；44：活塞杆；46：顶起机构。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1是示意性地示出通过本实施方式的晶片的加工方法进行加工的晶片1的立体图。晶片1例如使用硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)等半导体、或者蓝宝石(Al2O3)、钠玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃(SiO2)等绝缘体形成为圆盘状。
晶片1的正面1a被相互交叉的多条分割预定线(间隔道)3划分为多个区域。另外，在晶片1的正面1a的由分割预定线3划分的各区域中形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)或LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等器件5。通过沿着分割预定线3对该晶片1进行分割，能够得到分别包含器件5的多个器件芯片。
在本实施方式中，首先，利用热压接片将晶片1与环状的框架一体化而形成框架单元(框架单元形成工序)。为此，首先，利用卡盘工作台对晶片1等进行保持。图2是示出晶片1等向卡盘工作台2载置的情形的立体图。如图2所示，卡盘工作台2例如包含：圆柱状的框体2a，其由不锈钢等金属形成；以及圆盘状的保持板2b，其配置于框体2a的上表面的凹部中。
保持板2b例如使用陶瓷等材料形成为多孔质状，该保持板2b的上表面成为对晶片1等进行保持的保持面2c。保持板2b的下表面侧经由形成于框体2a的内部的排气路(未图示)和与排气路连接的阀2d等而与真空泵等吸引源2e连接。通过打开阀2d来连接保持板2b和吸引源2e，使吸引源2e所产生的负压作用于保持面2c，能够利用该保持面2c对晶片1等进行吸引。
具体而言，首先，将晶片1和框架7载置于卡盘工作台2的保持面2c上。框架7例如使用铝等金属形成，其外径比保持面2c小。另外，在框架7的中央部设置有直径比晶片1大的开口7a。即，框架7形成为环状。按照将晶片1定位于该框架7的开口7a内的方式将晶片1和框架7配置于卡盘工作台2的保持面2c，并将晶片1收纳在开口7a内。
另外，在将晶片1和框架7载置于卡盘工作台2的保持面2c上时，使阀2d处于关闭状态，以使吸引源2e所产生的负压不作用于保持面2c。另外，在本实施方式中，以正面1a朝向上方且背面1b朝向下方的方式将晶片1载置于保持面2c。
在将晶片1和框架7载置于卡盘工作台2的保持面2c上之后，将热压接片载置于卡盘工作台2的保持面2c，使该热压接片与晶片1的正面1a和框架7的上表面接触。图3是示出热压接片9等向卡盘工作台2载置的情形的立体图。
如图3所示，热压接片9由具有柔软性的树脂等形成为具有比卡盘工作台2的保持面2c大的外径的薄膜状，具有大致平坦的正面和背面。热压接片9代表性的是聚烯烃系片或聚酯系片，不包含具有粘接力的粘接层(糊层)。
聚烯烃系片是由以烯烃为单体合成的聚合物形成的片材，例如对于可见光是透明或半透明的。这样的聚烯烃系片具有聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片等。但是，能够用作热压接片9的聚烯烃系片没有特别的限制。例如，聚烯烃系片也可以是不透明的。
聚酯系片是由以二羧酸(具有两个羧基的化合物)和二醇(具有两个羟基的化合物)为单体合成的聚合物形成的片材，例如对于可见光是透明或半透明的。这样的聚酯系片具有聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片等。但是，能够用作热压接片9的聚酯系片没有特别的限制。例如，聚酯系片也可以是不透明的。
由于上述聚烯烃系片和聚酯系片在室温下不表现粘接性，因此无法将它们在室温下粘贴于晶片1或框架7。另一方面，聚烯烃系片和聚酯系片表现出热塑性，因此例如在施加压力而使它们与晶片1和框架7紧贴的状态下，当将聚烯烃系片或聚酯系片加热至熔点附近的温度时，它们局部熔融而粘接于晶片1和框架7(热压接)。
因此，通过该热压接，能够使晶片1、框架7以及热压接片9一体化而形成框架单元。另外，在本实施方式中，在将上述那样的热压接片9载置于卡盘工作台2的保持面2c之前，在晶片1与框架7之间配置平坦化部件(平坦性维持部件)11。即，使平坦化部件11介于卡盘工作台2与热压接片9之间。
平坦化部件11例如是以防粘纸为代表的薄膜状的部件或利用聚四氟乙烯等氟系树脂覆盖了正面的板状的部件等，具有大致平坦的正面和背面。通过使这样的平坦化部件11介于卡盘工作台2与热压接片9之间，在热压接时，多孔质状的保持面2c的凹凸不会映在热压接片9上。即，容易维持热压接片9的平坦性。
其结果为，在加工时产生的屑不容易固着于热压接片9，因此即使屑堆积在热压接片9上，也能够通过之后的清洗简单地从热压接片9去除屑。另外，本实施方式的平坦化部件11形成为俯视时与晶片1和框架7之间的间隙对应的环状，但平坦化部件11的形状可以在能够适当地维持热压接片9的平坦性的范围内任意变更。
在将热压接片9和平坦化部件11载置于卡盘工作台2的保持面2c上之后，将热压接片9热压接于晶片1的正面1a和框架7上。图4是示出使用热风枪4将热压接片9热压接于晶片1和框架7的情形的立体图。另外，在图4中，用虚线示出配置于热压接片9的下方的晶片1等的构造。
在对热压接片9进行热压接时，首先，将阀2d切换为打开的状态，使由吸引源2e产生的负压作用于保持面2c。于是，热压接片9被大气压朝向保持面2c按压，与晶片1和框架7紧贴。但是，由于在晶片1与框架7之间配置有平坦化部件11，因此在晶片1与框架7之间的区域中，热压接片9不与保持面2c紧贴。
在该状态下，对热压接片9进行加热。如图4所示，在卡盘工作台2的上方配置有用于加热热压接片9的热风枪4。热风枪4在内部具有电热线等加热机构和风扇等送风机构，对空气进行加热并朝向下方喷射。在通过大气压使热压接片9与晶片1和框架7紧贴的状态下，从热风枪4向下方的热压接片9提供热风4a，当将热压接片9加热至规定的温度时，热压接片9被热压接于晶片1和框架7上。
另外，也可以在热压接片9的热压接中使用与热风枪4不同的装置。图5是示出使用加热辊6将热压接片9热压接于晶片1和框架7的情形的立体图。另外，在图5中，也用虚线示出配置于热压接片9的下方的晶片1等的构造。
在使用加热辊6对热压接片9进行热压接时，首先，也将阀2d切换为打开的状态，使由吸引源2e产生的负压作用于保持面2c。于是，热压接片9被大气压朝向保持面2c按压，与晶片1和框架7紧贴。
在该状态下，对热压接片9进行加热。如图5所示，在卡盘工作台2的上方配置有用于加热热压接片9的圆柱状(圆筒状)的加热辊6。加热辊6在内部具有热源，绕与保持面2c大致平行的旋转轴进行旋转。
例如，在对加热辊6进行了加热的状态下，使该加热辊6与卡盘工作台2上的热压接片9的一端紧贴。然后，使卡盘工作台2和加热辊6沿与加热辊6的旋转轴垂直的方向相对地移动。更具体而言，使卡盘工作台2和加热辊6相对地移动，以使加热辊6沿着直线状的路径移动，该路径通过晶片1的一端和隔着晶片1的中心部而位于与该一端相反的一侧的晶片1的另一端。
由此，在与热压接片9紧贴的状态下，加热辊6在热压接片9上滚动，热压接片9被热压接于晶片1和框架7上。另外，当一边从加热辊6对热压接片9施加向下的压力一边使卡盘工作台2和加热辊6相对地移动时，能够以比大气压大的压力将热压接片9热压接于晶片1和框架7。另外，加热辊6的表面也可以被以聚四氟乙烯为代表的氟系树脂等覆盖。
当然，也可以使用与热风枪4和加热辊6不同的装置来对热压接片9进行热压接。例如，也可以对具有大致平坦的下表面的熨斗那样的部件进行加热并使其与热压接片9紧贴。另外，也可以使用放射被热压接片9吸收的波长的光的光源来对热压接片9进行加热。作为这样的光源，代表性的有红外线灯。
另外，在进行上述那样的热压接时，优选将热压接片9加热至熔点以下的温度。这是因为，当将热压接片9加热至超过熔点的温度时，存在热压接片9溶解而无法维持片的形状的情况。另外，在热压接时，优选将热压接片9加热至软化点以上的温度。这是因为，在热压接片9的温度未达到软化点的情况下，有时无法适当地实施热压接。即，优选将热压接片9加热至软化点以上且熔点以下的温度。
但是，热压接片9有时不具有明确的软化点。在这种情况下，优选将热压接片9加热至比熔点低20℃的温度以上且熔点以下的温度。通过将热压接片9加热至这样的温度，实现适当的热压接。
具体而言，在热压接片9是聚乙烯片的情况下，可以在120℃～140℃的温度下对热压接片9进行热压接。另外，在热压接片9是聚丙烯片的情况下，可以在160℃～180℃的温度下对热压接片9进行热压接。而且，在热压接片9是聚苯乙烯片的情况下，可以在220℃～240℃的温度下对热压接片9进行热压接。
另外，在热压接片9是聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下，可以在250℃～270℃的温度下对热压接片9进行热压接。另外，在热压接片9是聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下，可以在160℃～180℃的温度下对热压接片9进行热压接。
另外，上述热压接时的温度是热压接片9的温度，不是对热压接片9进行热压接时使用的装置(热风枪4、加热辊6等)所设定的温度。在用于对热压接片9进行热压接时的装置中能够设定超过热压接片9的熔点的温度。
当将热压接片9热压接于晶片1和框架7时，例如将阀2d切换成关闭的状态，切断由吸引源2e产生的负压。然后，沿着框架7切断热压接片9，将从热压接片9的框架7向外侧探出的部分去除。图6的(A)是示意性地示出将热压接片9切断的情形的立体图。另外，热压接片9的切断也可以在打开阀2d的状态下进行。
在热压接片9的切断中例如使用图6的(A)所示的圆环状的刀具10。在刀具10的中央的开口中例如插入有具有与卡盘工作台2的保持面2c大致平行的轴心的旋转轴，刀具10通过该旋转轴而被支承为能够旋转的状态。
在将热压接片9切断时，首先，将刀具10定位于框架7的上方。此时，将刀具10的旋转轴的轴心定位于例如通过卡盘工作台2的保持面2c的中心并与该保持面2c平行的直线的上方。接着，使刀具10下降，将刀具10按压于热压接片9。然后，在该状态下使刀具10沿着框架7移动。由此，在热压接片9上形成将热压接片9切断的切断痕9a。
另外，在将热压接片9切断时，也可以对刀具10施加超声波振动(超声波带的频率的振动)。另外，在将热压接片9切断时，也可以对该热压接片9进行冷却而固化。这样，能够更容易地将热压接片9切断。
通过使刀具10移动而形成围绕开口7a的切断痕9a，热压接片9以切断痕9a为界被分离为从框架7探出的外侧的部分和内侧的部分。然后，通过将热压接片9的外侧的部分去除，完成晶片1和框架7借助热压接片9而一体化的框架单元13。
图6的(B)是示意性地示出完成后的框架单元13的立体图。另外，在将热压接片9的外侧的部分去除时，也可以对该应去除的热压接片9的外侧的部分进行加热。另外，也可以在应去除的热压接片9的外侧的部分施加超声波振动。这样，能够更容易地将热压接片9的外侧的部分去除。
在形成框架单元13之后，利用在晶片1的加工中使用的加工装置的卡盘工作台对框架单元13进行保持，以便能够适当地加工晶片1的背面1b(保持工序)。图7的(A)是示出框架单元13向卡盘工作台12载置的情形的立体图。
如图7的(A)所示，加工装置所具有的卡盘工作台12例如包含由不锈钢等金属形成的圆柱状的框体12a和配置于框体12a的上部的圆盘状的保持板12b。框体12a具有上表面大致平坦的外周部12c和在比外周部12c靠内侧的位置向上方突出的圆锥台状的中央部12d，在中央部12d的上端部配置有保持板12b。
保持板12b例如使用陶瓷等材料形成为多孔质状，该保持板12b的上表面成为对框架单元13的晶片1的部分进行保持的保持面12e。另一方面，在框体12a的外周部12c的上表面设置有多个吸引口12f，框架单元13的框架7的部分被该外周部12c保持。
保持板12b的下表面侧和多个吸引口12f经由形成于框体12a的内部的排气路(未图示)和与排气路连接的阀12g等而与真空泵等吸引源12h连接。通过打开阀12g而将保持板12b和吸引口12f与吸引源12h连接，使吸引源12h产生的负压作用于保持面12e和吸引口12f，能够吸引框架单元13。
另外，在卡盘工作台12的下部连结有电动机等旋转驱动源(未图示)。该卡盘工作台12例如绕与上述保持面12e大致垂直的旋转轴进行旋转。
在利用卡盘工作台12对框架单元13进行保持时，首先，按照将晶片1定位于保持板12b的上方并将框架7定位于外周部12c的上方的方式将框架单元13载置在卡盘工作台12上。此时，使阀12g成为关闭的状态，使吸引源12h产生的负压不作用于保持面12e和吸引口12f。另外，在本实施方式中，按照背面1b朝向上方且正面1a朝向下方的方式将框架单元13载置于卡盘工作台12。
在将框架单元13载置于卡盘工作台12上之后，将阀12g切换为打开的状态，使吸引源12h产生的负压作用于保持面12e和吸引口12f。由此，框架单元13通过作用于保持面12e和吸引口12f的负压而被保持于卡盘工作台12。
图7的(B)是示出框架单元13被卡盘工作台12保持的情形的立体图。如上所述，卡盘工作台12的中央部12d比外周部12c向上方突出，因此晶片1被定位于比框架7靠上方的位置。由此，能够防止对晶片1进行加工时的工具与框架7的干涉。
在利用卡盘工作台12对框架单元13进行保持之后，利用加工装置的加工单元对晶片1的背面1b侧进行加工(加工工序)。更具体而言，使用安装有包含磨粒的研磨垫的加工单元，对晶片1的背面1b进行干式研磨。图8是示出对晶片1的背面1b侧进行加工的情形的立体图。
如图8所示，在卡盘工作台12的上方配置有加工单元(研磨单元)14。加工单元14例如具有主轴16，该主轴16具有与卡盘工作台12的保持面12e大致垂直的轴心。主轴16被升降机构(未图示)支承，沿上下方向移动。另外，在主轴16的上端侧连结有电动机等旋转驱动源(未图示)。
在主轴16的下端部固定有圆盘状的安装座18。在安装座18的下表面安装有构成为与安装座18大致相同大小的圆盘状的研磨工具20。研磨工具20包含：圆盘状的基台20a，其由金属或树脂等材料形成，与安装座18连接；以及圆盘状的研磨垫20b，其粘接在基台20a的下表面上。研磨垫20b例如是通过在聚氨酯等树脂中混合金刚石或二氧化硅等磨粒而形成的。但是，研磨垫20b的材质等没有限制。
在对晶片1的背面1b进行研磨时，一边使卡盘工作台12和主轴16相互进行旋转，一边例如使主轴16以任意的速度下降而使研磨垫20b的下表面与晶片1的背面1b接触。由此，研磨垫20b以与主轴16的下降的速度对应的压力而被按压于晶片1，对晶片1的背面1b进行研磨。另外，在本实施方式中，由于对晶片1进行干式研磨，因此不需要向晶片1的背面1b提供浆料(研磨液)等。
在晶片1的加工完成之后，从上述卡盘工作台12搬出框架单元13来对加工完成的晶片1进行清洗(清洗工序)。即，在将阀12g切换为关闭的状态而使吸引源12h产生的负压不作用于保持面12e和吸引口12f的基础上，从卡盘工作台12搬出框架单元13。
图9是示出对晶片1进行清洗的情形的立体图。在将框架单元13从卡盘工作台12搬出之后，如图9所示，例如以背面1b向上方露出的方式利用与卡盘工作台12类似的构造的旋转工作台22对晶片1进行保持。然后，从配置于旋转工作台22的上方的清洗用的喷嘴24朝向下方的晶片1喷射清洗用的流体。
作为清洗用的流体，例如能够使用将水等液体和空气等气体混合而成的混合流体(二流体)。当然，也可以从喷嘴24仅喷射水等液体来对晶片1进行清洗。另外，在从喷嘴24喷射流体时，如图9所示，优选使旋转工作台22进行旋转。另外，例如也可以一边使喷嘴24沿晶片1的径向摆动一边喷射流体。
在本实施方式的晶片的加工方法中，在使晶片1和框架7一体化时，由于使用不具有粘接层的热压接片9来代替具有粘接层的粘接带，因此不会像使用具有粘接层的粘接带的情况那样使粘接层在晶片1与框架7之间露出。因此，即使在对晶片1进行加工时产生的屑(加工屑)在晶片1与框架7之间堆积在热压接片9上，也能够通过该清洗简单地将屑从热压接片9去除。
另外，在本实施方式的晶片的加工方法中，在将热压接片9热压接于晶片1和框架7上时，使平坦化部件11介于卡盘工作台2与热压接片9之间，因此卡盘工作台2的多孔质状的保持面2c的凹凸不会映在热压接片9上。即，维持热压接片9的平坦性，在加工时产生的屑不容易固着于热压接片9，因此即使屑堆积在热压接片9上，也能够通过该清洗简单地将屑从热压接片9去除。
在清洗了晶片1之后，能够对晶片1等进一步进行任意的处理。在本实施方式中，在沿着分割预定线3对晶片1的内部进行改质而形成了作为分割起点的改质层的基础上，沿着该改质层对晶片1进行分割(分割工序)。图10的(A)是示出在晶片1上形成有改质层3a的情形的立体图，图10的(B)是示出在晶片1上形成有改质层3a的情形的剖视图。
如图10的(A)和图10的(B)所示，在晶片1上形成改质层3a时，例如使用具有对晶片1进行保持的卡盘工作台(未图示)和配置于卡盘工作台的上方的激光加工单元26的激光加工装置。
卡盘工作台与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，能够绕与上表面大致垂直的旋转轴进行旋转。另外，卡盘工作台被移动机构(未图示)支承，能够沿与上表面大致平行且彼此大致垂直的加工进给方向和分度进给方向移动。
激光加工单元26例如具有：激光振荡器(未图示)，其产生透过晶片1的波长的激光束26a；以及加工头26b，其将由激光振荡器产生的激光束26a向下方照射并聚光于任意的高度的位置。按照在卡盘工作台所保持的晶片1的内部聚光的方式从激光加工单元26向晶片1照射激光束26a，由此能够对该晶片1的内部进行改质而形成改质层3a。
当在晶片1上形成改质层3a时，例如利用卡盘工作台对框架单元13进行保持，以使晶片1的背面1b向上方露出。接着，使卡盘工作台进行旋转，使任意的分割预定线3与加工进给方向平行。另外，使卡盘工作台沿加工进给方向和分度进给方向移动，以将加工头26b定位于该分割预定线3的延长线的上方。
然后，调整加工头26b，以便将激光束26a的聚光点26c定位于比晶片1的正面1a高且比晶片1的背面1b低的位置。在该状态下，一边从激光加工单元26照射激光束26a，一边使卡盘工作台沿加工进给方向移动(加工进给)。由此，沿着对象的分割预定线3向晶片1的内部照射激光束26a，能够在晶片1的内部形成改质层3a。另外，在图10的(A)中，用虚线示出改质层3a。
在向晶片1照射激光束26a时所应用的条件例如如下所述。但是，与激光束26a的照射相关的条件并不限定于此，能够根据晶片1的材质等而任意变更。
波长：1064nm
重复频率：50kHz
平均输出：1W
加工进给的速度：200mm/秒
在沿着对象的分割预定线3在晶片1的内部形成改质层3a之后，使卡盘工作台沿分度进给方向移动，沿着另一分割预定线3同样地照射激光束26a。重复进行这样的步骤，例如在沿着相同方向的所有分割预定线3上形成改质层3a之后，使卡盘工作台进行旋转，在沿着其他方向的分割预定线3上以同样的步骤形成改质层3a。重复进行上述那样的步骤，直至沿着所有分割预定线3形成改质层3a。
在本实施方式的晶片的加工方法中，使用不具有粘接层的热压接片9来形成框架单元13，对晶片1进行加工时产生的屑通过清洗而被适当地去除。因此，即使向在晶片1与框架7之间露出的热压接片9照射激光束26a，附着于热压接片9的屑也不会蒸发而污染加工头26b和晶片1等。
另外，在本实施方式的晶片的加工方法中，由于使用不具有粘接层的热压接片9，因此不会像使用具有粘接层的粘接带的情况那样使粘接层由于透过晶片1的激光束26a(漏光)而熔融且固着于晶片1的正面1a侧。因此，能够良好地保持将晶片1分割而得到的器件芯片的品质。
在晶片1上形成了改质层3a之后，例如利用扩展装置使热压接片9沿径向扩展来对晶片1进行分割。图11是示出将框架单元13向扩展装置28搬入的情形的立体图。扩展装置28具有圆筒状的鼓30和以围绕鼓30的方式配置的框架保持单元32。
框架保持单元32包含具有比鼓30的外径大的圆形的开口的支承工作台34。在该支承工作台34的上表面载置有框架单元13的框架7的部分。另外，在支承工作台34的外周部设置有用于对框架7进行固定的多个夹具36。
支承工作台34被用于使框架保持单元32升降的升降机构38支承。升降机构38例如是气缸，该气缸具有：缸筒42，其固定于下方的基台40；以及活塞杆44，其下方的一部分插入于缸筒42。在活塞杆44的上端部固定有支承工作台34，升降机构38通过使活塞杆44上下移动而使框架保持单元32升降。
在支承工作台34的开口内配置有鼓30。该鼓30的下部固定于基台40。鼓30的内径比晶片1的直径大，鼓30的外径比框架7的内径和支承工作台34的开口的直径小。在鼓30的内侧的区域设置有顶起机构46，该顶起机构46能够从下方顶起框架保持单元32所保持的框架单元13的热压接片9。
在对热压接片9进行扩展时，首先，如图11所示，在使支承工作台34的上表面的高度与鼓30的上端的高度一致而将框架单元13的框架7的部分载置于支承工作台34的上表面之后，利用夹具36对该框架7进行固定。由此，鼓30的上端在晶片1与框架7之间与热压接片9的下表面接触。
接着，通过升降机构38使框架保持单元32下降，使支承工作台34的上表面移动到比鼓30的上端靠下方的位置。其结果为，鼓30相对于支承工作台34上升，热压接片9被鼓30上推而呈放射状扩展。当热压接片9扩展时，在晶片1上作用有在径向上朝外的力。由此，晶片1以改质层3a为起点而被分割成多个器件芯片。
在将晶片1分割之后，只要分别拾取所形成的多个器件芯片即可。例如，将顶起机构46定位于作为拾取对象的器件芯片的下方，一边利用顶起机构46顶起器件芯片，一边利用配置于上方的筒夹(未图示)等拾取该器件芯片。
如上所述，根据本实施方式的晶片的加工方法，在使晶片1和框架7一体化时，使用不具有粘接层的热压接片9来代替具有粘接层的粘接带，因此不会像使用粘接带的情况那样使粘接层在晶片1与框架7之间露出。
由此，即使在加工时从晶片1产生的屑在晶片1与框架7之间堆积在热压接片9上，也能够通过之后的清洗简单地将屑从热压接片9去除。因此，即使在清洗后搬送晶片1，晶片1的搬送路径和在下一个处理中使用的装置等也不会被从热压接片9脱落的屑污染。这样，根据本实施方式的晶片的加工方法，能够防止搬送路径和装置等的污染。
另外，本发明并不限定于上述实施方式的记载，能够进行各种变更来实施。例如，在上述实施方式中，对晶片1的背面1b进行干式研磨，但也可以对晶片1的背面1b进行磨削或者进行湿式研磨。在这些情况下，也能够通过清洗简单地将堆积于热压接片9的屑去除。
另外，在上述实施方式中，在晶片1的内部形成改质层3a之前，对晶片1进行干式研磨，但也可以在晶片1的内部形成改质层3a之后对晶片1进行磨削或研磨。另外，也可以代替作为对晶片1进行分割时的起点的改质层3a，使用使磨粒分散在粘结剂中而成的切削刀具来形成沿着分割预定线3的槽等。
除此之外，上述实施方式和变形例的构造、方法等能够在不脱离本发明的目的的范围内进行变更来实施。

Claims (9)

1.一种晶片的加工方法，对在由分割预定线划分的正面的多个区域中分别形成有器件的晶片的背面进行磨削或研磨，其中，
该晶片的加工方法具有如下的工序：
框架单元形成工序，将晶片定位于具有能够收纳晶片的大小的开口的框架的该开口中，将热压接片热压接于该晶片的该正面和该框架上，从而形成该晶片和该框架借助该热压接片而一体化的框架单元；
保持工序，利用加工装置的卡盘工作台对该框架单元进行保持；
加工工序，利用该加工装置的加工单元对该晶片的该背面进行磨削或研磨；以及
清洗工序，从该卡盘工作台搬出该框架单元并对加工完毕的该晶片进行清洗。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该框架单元形成工序中，在将维持该热压接片的平坦性的平坦化部件配置在该晶片与该框架之间的状态下，将该热压接片热压接于该晶片和该框架上。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
在该加工工序中，使用包含磨粒的研磨垫对该晶片的该背面进行干式研磨。
4.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
该热压接片是聚烯烃系片。
5.根据权利要求4所述的晶片的加工方法，其中，
该聚烯烃系片是聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片。
6.根据权利要求5所述的晶片的加工方法，其中，
在该聚烯烃系片是该聚乙烯片的情况下，在该框架单元形成工序中以120℃～140℃的温度对该聚乙烯片进行热压接，在该聚烯烃系片是该聚丙烯片的情况下，在该框架单元形成工序中以160℃～180℃的温度对该聚丙烯片进行热压接，在该聚烯烃系片是该聚苯乙烯片的情况下，在该框架单元形成工序中以220℃～240℃的温度对该聚苯乙烯片进行热压接。
7.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
该热压接片是聚酯系片。
8.根据权利要求7所述的晶片的加工方法，其中，
该聚酯系片是聚对苯二甲酸乙二醇酯片或聚萘二甲酸乙二醇酯片。
9.根据权利要求8所述的晶片的加工方法，其中，
在该聚酯系片是该聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下，在该框架单元形成工序中以250℃～270℃的温度对该聚对苯二甲酸乙二醇酯片进行热压接，在该聚酯系片是该聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下，在该框架单元形成工序中以160℃～180℃的温度对该聚萘二甲酸乙二醇酯片进行热压接。
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