CN1138299C - 切割用胶带及切割半导体晶片的方法 - Google Patents

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Abstract

一种包含基体片材和在该基体片材的一个表面上形成的压敏粘合剂层的切割用胶带，其中基体片材包括直接与压敏粘合剂层相接触的上层，与上层邻接的中层以及与中层邻接的下层，并且上层的抗延伸性(A)、中层的抗延伸性(B)和下层的抗延伸性(C)满足式(I)B＜A≤C(I)。抗延伸性是弹性模量与层厚度的乘积。本发明切割用胶带能均匀和充分地扩大晶片切割缝而不受压敏粘合剂弹性模量的影响，且切割缝极少会出现破裂现象。

Description

切割用胶带及切割半导体晶片的方法
技术领域
本发明涉及一种切割用胶带以及一种采用切割用胶带的切割半导体晶片的方法。
背景技术
对于制造半导体芯片的连续步骤来说，在切割步骤中，先将半导体晶片固定在切割用胶带上，然后将半导体晶片切割成单个芯片。切割步骤后是扩缝、拾起及装配步骤。
在扩缝步骤中，切割用胶带被扩展，从而也扩大了在切割步骤中形成的切割缝即切缝的宽度，因此增大了芯片间的间距。在扩缝步骤中增大芯片间距的目的是增加芯片的可辨认性，从而可防止在拾起阶段拾起芯片时发生芯片与相邻芯片接触而造成损伤。
现今，在扩缝步骤中，是采用扩缝设备来拉伸切割用胶带的。对于这种扩缝设备来说，用来拉伸的拉伸量和扭矩通常是设定在某一恒定值的。因此每当所处理的切割用胶带的类型或者粘附在切割用胶带上的半导体晶片的尺寸发生改变时，通过改变拉伸量或扭矩来调整扩缝设备是极麻烦的。
在上述条件下，当设置在扩缝设备上被拉伸的切割用胶带基体材料具有高延伸性时，拉伸应力不会被传递到粘附半导体晶片的面上，因此就会使芯片间距增大程度达不到要求。相反，当被拉伸的切割用胶带基体材料具有很低的延伸性时，由扩缝设备施加的拉伸扭矩就会变得不足，因而芯片间距会发生不均匀地增大，或者可能造成切割用胶带发生破裂。
日本专利公开公报No.8-124881公开了以压敏粘合剂层为表面层，以低延伸性的片材为中间层以及以高延伸性片材为底层的三层结构切割用胶带。然而，当按常规方式使用这种三层切割用胶带时，在沿粘附有半导体晶片的中心部分的周围区域不会形成切割缝，但该周围区域也是与已形成切割线的中心部分一起被拉伸的，因此，由扩缝设备施加的拉伸扭矩就会变得不足，或者在某些情况下，切割用胶带可能会发生破损。
作为涂布在切割用胶带表面的压敏粘合剂，不仅可采用通用压敏粘合剂，而且也可采用紫外光(UV)固化的压敏粘合剂。通用压敏粘合剂的弹性模量为104-106牛顿/米2，而紫外光固化压敏粘合剂经紫外光辐射后的弹性模量可提高到107-109牛顿/米2。当压敏粘合剂具有高弹性模量时，在拾起步骤，芯片被推针向上推起时，粘合剂会发生少许变形因而能缩短拾起过程，因此芯片背表面污染就会减少。然而，为增大芯片间距，要求扩缝设备有高的扭矩。当压敏粘合剂的弹性模量较低时，在扩缝步骤中施加于切割用胶带的应力由于压敏粘合剂的变形而变松弛，于是就不能充分地将应力传递给切割缝，因而不能得到足够的芯片间距。
发明内容
因此，本发明的目的是纠正先有技术的缺点，并提供一种能均匀和充分地使切割缝扩大又不会受压敏粘合剂弹性模量影响的，而且切割缝极少破裂的切割用胶带。
本发明的另一目的是提供一种采用切割用胶带的切割半导体晶片的方法。
通过下面的说明，本发明的其它目的和优点会是显而易见的。
根据本发明，提供了一种包含基体片材和在该基体片材的一个表面上形成的压敏粘合剂层的切割用胶带，其中基体片材包括直接与压敏粘合剂层接触的上层，与上层相邻接的中层以及与中层邻接的下层，并且上层的抗延伸性(A)、中层抗延伸性(B)和下层抗延伸性(C)满足(I)：
   B＜A≤C            (I)抗延伸性是弹性模量与层厚度的乘积。
优选的是，上层抗延伸性(A)，中层抗延伸性(B)和下层抗延伸性(C)满足(I)：
   B＜A≤C            (I)同时满足(II)及(III)：
    0.4≤A/C≤1       (II)，及
    B/C≤0.5          (III)
在本发明的一个优选实施方案中，上层包含两层或两层以上的次层，上层的总抗延伸性(A)是由构成上层的每一次层的层厚度与弹性模量乘积之总和。
在本发明的另一个优选实施方案中，下层包含两层或两层以上的次层，下层的总抗延伸性(C)是构成下层的每一次层的层厚度与弹性模量乘积之总和。
此外，根据本发明，还提供一种将半导体晶片切割成单个芯片的方法，该方法包括：
(a)将半导体晶片粘附在切割用胶带的基体片材一个表面上形成的压敏粘合剂层上，其中基体片材包括直接与压敏粘合剂层接触的上层，与上层邻接的中层以及与中层邻接的下层，并且上层抗延伸性(A)、中层抗延伸性(B)和下层抗延伸性(C)满足方程(I)：
    B＜A≤C           (I)抗延伸性是弹性模量与层厚度的乘积；接着，
(b)按这样一种方式用切割刀片切割半导体晶片：使得上层从上表面至下表面完全被割透，中层只从其上表面部分切割至层内某一位置，而下层未被切割。
本文所用术语“弹性模量”是指在拉伸变形过程中，应力(T)与应变(ε)之间的关系符合下述比例式时的比例常数(E)：
              T＝Eε术语“弹性模量”是一常数，也称为杨氏模量。弹性模量可采用拉伸试验机通过拉伸试验进行测定，并可从得到的拉伸强度和延伸率曲线算得。本文中公开的弹性模量的实际值是采用TENSILON/UTM-4-100型(Orientec Corporation)拉伸试验机测定的。
本文所用的术语“抗延伸性”是指由构成一层片材的“弹性模量”与构成该层片材的“厚度”相乘所得的值。例如，上层的抗延伸性是由上层的弹性模量与该上层的厚度相乘所得的值。当上层或下层是由两层或两层以上的次层构成时，构成上层或下层的各次层的抗延伸性之总和相当于整个上层或下层的抗延伸性。
附图说明
图1是说明本发明切割用胶带的剖视图。
图2是说明半导体晶片已粘附在图1所示的本发明切割用胶带上后形成切割缝的状态的剖视图。
具体实施方式
本发明的切割用胶带优选以这样一种方式使用：使得上层从上表面至下表面完全被割透，中层只从其上表面部分切割至层内某一位置，而下层未被切割。
下文将参照附图对本发明的切割用胶带作详细的说明。
图1以图解说明根据本发明切割用胶带的一个基本实施方案的剖视图。
如图1所示的切割用胶带1是由基体片材2和涂布在基体片材2表面上的压敏粘合剂层3构成。该基体片材2是由上层21、中层22及下层23所构成的。作为一个整体来看，切割用胶带1具有四层结构，其中，是按压敏粘合剂层3、上层21、中层22和下层23的顺序层合的。
根据本发明切割用胶带的基体片材2中，至少上层21或下层23中一层可以由两层或两层以上的次层，优选2-5层次层所构成。例如，如图1中实线和虚线所示，该基体片材2可以由包含第一上次层21a和第二上次层21b的上层21，中层22及包含第一下次层23a和第二下次层23b的下层23所构成。至少上层21及下层23中一层优选由两层或两层以上的次层所构成，因此，切割用胶带的厚度和/或抗延伸性是易于控制的。
当采用如图1所示的切割用胶带时，将半导体晶片4粘附在压敏粘合剂层3上。然后，如图2所示，用一切片刀片(未画出)将半导体晶片4切成单个芯片，并形成切割缝。如图2所示的切割过程中，半导体晶片4是从其上表面至下表面而被完全切透的。压敏粘合剂层3和上层21也是从它们的上表面至下表面而被完全切透的。排列在上层21下面的中层22只从其上表面被切至层内某一位置，而切割缝5未达到排列在中层22下面的下层23。
当上层21是由两层或两层以上的次层构成时，所有次层都是从它们的上表面至下表面而被完全切透的。当下层23是由两层或两层以上的次层构成时，在所有次层中都不形成切割缝。
如上所述，上层21的抗延伸性(A)、中层22的抗延伸性(B)和下层23的抗延伸性(C)满足式(I)：
        B＜A≤C           (I)
优选的是，上层21的抗延伸性(A)、中层22的抗延伸性(B)和下层23的抗延伸性(C)满足式(I)：
        B＜A≤C           (I)并同时满足式(II)和(II I)：
        0.4≤A/C≤1       (II)，及
        B/A≤0.5          (III)
在本发明的切割用胶带中，上层21的抗延伸性(A)大于中层22的抗延伸性(B)。如上层21的抗延伸性不是比中层22的抗延伸性(B)大的话，则上层21容易变形，因而会抑制向中层22传递作用力。此外，如果上层21的抗延伸性(A)大于下层23抗延伸性(C)的话，切割用胶带在经扩缝步骤时会由于受到作用其上的应力而容易发生破裂。
当上层21的抗延伸性(A)与下层23的抗延伸性(C)的比率(A/C)为0.4或高于0.4时，这种不形成切割缝的下层强度就更为适宜，因此采用扩缝设备进行实际扩缝时，切割缝5就会更容易扩大。当比率(A/C)是1.0或小于1.0时，则能有效地避免形成切割缝5的区域发生破裂。
当中层22的抗延伸性(B)与下层23的抗延伸性(C)的比率(B/C)为0.5或小于0.5，则在采用扩缝设备进行实际扩缝时，切割缝5会更均匀地扩大。
构成本发明切割用胶带基体片材2的各层材料不受特别的限制，只要它们的抗延伸性能满足上述式(I)，并进一步任选地满足上述式(II)和(III)。具有优良耐水性和耐热性的材料都是适用的，而合成树脂薄膜特别适用。
用作基体片材2中各层的材料可以是由诸如低密度聚乙烯(LDPE)、线形低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-丙烯共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、聚酰胺、离聚物或苯乙烯-丁二烯橡胶或其氢化或改性产物制的薄膜。当上层21和/或下层23是由两层或两层以上的次层构成时，这些次层可分别由任何材料制造，只要上层21的抗延伸性与下层23的抗延伸性满足上述要求。
在本发明的切割用胶带中，基体片材2的总厚度不受限制，只要能实施如上所述的切割方法。而且，上层21、中层22和下层23中每层厚度也是不受限制的，只要在实施如上述切割方法中21、22、23各层的厚度能满足：上层21从上表面至下表面被完全切透，中层22只从其上表面部分切至中层内某一位置，而下层23未被切割。
通常，在切割用胶带中形成的切缝深度(图2中“5h”)为约10微米至约40微米。因此，本发明的切割用胶带的总厚度优选为20-500微米，更优选为50-250微米。当切割用胶带的总厚度为20微米或20微米以上时，各层的厚度是容易控制的。当切割用胶带的总厚度为500微米或低于500微米时，该切割用胶带的制造和处理会变得更容易。中层22的厚度优选为5微米或5微米以上，更优选为10微米或10微米以上，以保证切刀尖或切割端中止在中层22的之中位置，而不会达到下层23。
压敏粘合剂层3可以由各种已知的常规压敏粘合剂形成。例如，可采用基于橡胶、丙烯酸酯、聚硅氧烷或聚乙烯基醚的压敏粘合剂。也可采用辐射(包括紫外光)固化性的或热膨胀粘合剂。此外，还可采用切片步骤及模片键合步骤用的压敏粘合剂。压敏粘合剂层3的厚度可以为3-100微米，优选为10-50微米。
可用各种不同方法制造本发明切割用胶带1。例如，可采用辊式刮涂机、凹槽辊涂布机、口模式涂布机或逆向涂布机等已知设备将压敏粘合剂组合物涂布在剥离衬上。在干燥后形成压敏粘合剂层，接着将压敏粘合剂层层合在已单独制备好的基体片材2上，然后除去剥离衬的方法来制造本发明的切割用胶带1。在半导体晶片4粘附到切割用胶带1之前，剥离衬是不必除去的。基体片材2可用例如共挤塑方法来制造。
实施例
现在将通过下列实施例对本发明作进一步的说明，但并不意味着本发明受这些实施例的限制。
实施例1
本实施例涉及本发明切割用胶带1的制造。在切割用胶带1中，压敏粘合剂层3是层合在由上层21、中层22和下层23构成的基体片材2的上层21上面的。
用于形成压敏粘合剂层3的压敏粘合剂是由125(重量)份多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯，1(重量)份多官能异氰酸酯化合物和5(重量)份光聚合引发剂与100(重量)份重均分子量为500000、由丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羟乙基酯(50(重量)份/45(重量)份/5(重量)份)制备的共聚物相共混而制成的丙烯酸酯基、UV可固化的压敏粘合剂。
采用乙烯甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸含量为9％)薄膜作为上层21。而且，采用乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(醋酸乙烯酯含量为22％)薄膜为中层22，乙烯-甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸含量为9％)薄膜为下层。表1列出了各层薄膜、各层的弹性模量及各层的厚度。
制造本发明切割用胶带1的步骤如下：将如上所述的薄膜组合物经三层共挤出机共挤塑成形为三层基体片材2。采用辊筒刮涂机将用甲苯稀释过的丙烯酸酯基UV可固化的压敏粘合机涂布在剥离衬上，然后于100℃干燥1分钟，在剥离衬上形成压敏粘合剂层。将该压敏粘合剂层层合在基体片材2的上层21的上面，然后除去剥离衬而得到切割用胶带1.表3列出了制得的切割用胶带1中各层的抗延伸性数据。制得的切割用胶带1按后面所述的评价实施例1和评价实施例2中的切割方法测定在扩缝步骤中形成的切割缝宽度。得到的结果列于表5和表6中。
实施例2
本实施例涉及本发明切割用胶带1的制造，其中压敏粘合剂层3是层合在基体片材2的上层21上面的。基体片材2是由包括两层次层的上层、中层22及下层23，并按此顺序层合而形成的。采用实施例1中UV可固化压敏粘合剂形成压敏粘合剂层3。表1列出了各层薄膜、弹性模量及层厚度。
制造本发明切割用胶带1的步骤，除薄膜组合物是经四层共挤出机共挤塑成形为四层基体片材2外，其余重复实施例1所述步骤。表3列出了制得的切割用胶带1中各层的抗延伸性。制得的切割用胶带1按后面所述的评价实施例1中的切割方法测定在扩缝步骤中形成的切割缝的宽度。得到的结果列于表5中。
实施例3
本实施例涉及本发明切割用胶带1的制造，其中压敏粘合剂层3是层合在基体片材2的上层21上面的。基体片材2是由上层21、中层22及包括两层次层的下层23构成的。这些层是按此顺序层合的。采用实施例1中UV可固化压敏粘合剂形成压敏粘合剂层3。表1列出了各层薄膜、弹性模量及层厚度。
制造本发明切割用胶带1的步骤，除薄膜组合物是经四层共挤出机共挤塑成形为四层基体片材2外，其余重复实施例1所述步骤。表3列出了制得的切割用胶带1中各层的抗延伸性。制得的切割用胶带1按后面所述的评价实施例1中的切割方法测定在扩缝步骤中形成的切割缝宽度。得到的结果列于表5中。
实施例4
本实施例涉及本发明切割用胶带1的制造，压敏粘合剂层3是层合在基体片材2的上层21上面的。该基体片材2是由上层21、中层22及下层23构成的。这些层是按此顺序层合的。
形成压敏粘合剂层3的压敏粘合剂是通过将0.9(重量)份多官能异氰酸酯化合物、0.9(重量)份光聚合引发剂和100(重量)份已由100(重量)份、重均分子量为600000、由丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羟乙基酯(85(重量)份/5(重量)份/10(重量)份)制的共聚物与8(重量)份甲基丙烯酰基氧乙基异氰酸酯反应制成的产物，相共混制成的丙烯酸酯基UV可固化压敏粘合剂。
表1列出了各层薄膜、弹性模量和层厚度。
表3列出了制得的切割用胶带1中各层的抗延展性数据。制得的切割用胶带1按后面所述的评价实施例1中的切割方法测定在扩缝步骤中形成的切割缝宽度。得到的结果列于表5中。
实施例5
本实施例中，通过重复实施例3所述步骤制造与实施例3制得的切割用胶带有同样结构的本发明切割用胶带1，只是用于形成压敏粘合剂层3的压敏粘合剂是由2(重量)份多官能异氰酸酯化合物和100(重量)份重均分子量为500000、由丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羟乙基酯(75(重量)份/20(重量)份/5(重量)份)制备的共聚物相共混而成的丙烯酸酯基压敏粘合剂。
表1列出了各层的弹性模量和层的厚度。表3列出了各层的抗延伸性数据。制得的切割用胶带1按后面所述的评价实施例1中的切割方法测定在扩缝步骤中形成的切割缝宽度。得到的结果列于表5中。
对照实施例1
在本对照实施例中，对照切割用胶带是通过重复实施例1所述步骤制造的，只是基体片材仅由乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物薄膜(甲基丙烯酸酯含量为9％)制的。
表2列出了各层的弹性模量和层的厚度。表4列出了制得的切割用胶带基体片材的抗延伸性。制得的切割用胶带1按后面所述的评价实施例1中的切割方法测定在扩缝步骤中形成的切割缝宽度。得到的结果列于表5中。
对照实施例2
在本对照实施例中，对照切割用胶带是通过重复对照实施例1所述步骤制造，只是以实施例4中UV可固化的压敏粘合剂作为粘合剂。表2列出了各层的弹性模量及层的厚度。表4列出了制得的切割胶带基体片材的抗延伸性。制得的切割用胶带1按后面所述的评价实施例1和评价实施例2中的切割方法测定在扩缝步骤中形成的切割缝宽度。得到的结果列于表5和表6中。
在下表1中，实施例1至4的弹性模量是经紫外光辐照后测得的。
                                                          表1
实施例        项目 压敏粘合剂层                                                  基体片材
                   上层        中层                 下层
      第一上次层     第二上次层   第一下次层      第二下次层
  1 组成弹性模量(N/m2)厚度(μm) 丙烯酸酯基UV可固化9.0×10810            乙烯甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸含量＝9％)1.4×10830  乙烯醋酸乙烯酯共聚物(醋酸乙烯酯含量＝22％)3.2×10730         乙烯甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸含量＝(9)1.4×10840
  2 组成弹性模量(N/m2)厚度(μm) 丙烯酸酯基UV可固化9.0×10810  乙烯甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸含量＝9％)1.4×10812 聚丙烯与氢化的苯乙烯-丁二烯橡胶的共混物1.8×1088   氢化的苯乙烯-丁二烯橡胶2.8×10730         乙烯甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸含量＝9％)1.4×10850
  3 组成弹性模量(N/m2)厚度(μm) 丙烯酸酯基UV可固化9.0×10810            乙烯甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸含量＝9％)1.4×10820   氢化的苯乙烯-丁二烯橡胶2.8×10730  乙烯甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸含量＝9％)1.4×10810   软聚氯乙烯1.0×10840
  4 组成弹性模量(N/m2)厚度(μm) 丙烯酸酯基UV可固化1.2×10710            乙烯甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸含量＝9％)1.4×10830  乙烯甲基丙烯酸甲酯共聚物(甲基丙烯酸甲酯含量＝5％)1.0×10825         乙烯甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸含量＝9％)1.4×10840
  5 组成弹性模量(N/m2)厚度(μm) 丙烯酸酯基8.0×10510            乙烯甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸含量＝9％)1.4×10820   氢化的苯乙烯-丁二烯橡胶2.8×10730  乙烯甲基丙烯酸共聚物(甲基丙烯酸量＝9％1.4×10810   软聚氯乙烯10×10840
                                表2
 压敏粘合剂层     基体片材
  对照实施例1   弹性模量(N/m2)厚度(μm)    9.0×10810     1.4×108100
  对照实施例2   弹性模量(N/m2)厚度(μm)    1.2×10710     1.4×108100
    对照实施例1和2的弹性模量是经紫外光辐照后测得的。
                                表3
                抗延伸性(N/m)
 上层(A)  中层(B)  下层(C)     A/C     B/C
实施例1  4.2×103  9.6×102  5.6×103     0.75     0.17
实施例2  3.1×103  8.4×102  7.0×103     0.45     0.12
实施例3  2.8×103  8.4×102  5.4×103     0.52     0.16
实施例4  4.2×103  2.5×103  5.6×103     0.625     0.45
实施例5  2.8×103  8.4×102  5.4×103     0.52     0.16
                表4
    抗延伸性(N/m)基体片材
    对照实施例1     14×103
    对照实施例2     14×103
评价实施例1：切割缝宽度的测定(1)
按下述步骤测定切割缝的宽度
将半导体晶片(直径＝6英寸)分别粘附在由实施例1-5制造的五个切割用胶带上或由对照实施例1和2制造的两个切割用胶带上。用刀片(宽度为30微米)将半导体晶片切成单个芯片(10毫米×10毫米)。实施切割时要使切割深度“5h”完全穿过上层21，但中止在中间层22的居中位置。具体地说，该切割缝的切割深度“5h”，对实施例1和4制造的切割用胶带为50微米，对实施例2、3和5制造的切割用胶带为40微米，在对照实施例1和2制造的切割用胶带为40微米。其后，将实施例1和4及对照实施例1和2制造的切割用胶带用紫外光辐照以降低压敏粘合剂层的粘合强度。然后，采用Bonder-CPS-100(Nichiden Machinery，Ltd.)实施扩缝步骤，以使切割用胶带的周围边缘从切割框架向下被拉伸12毫米拉伸量。
扩缝处理后，测定半导体晶片的四周区域和中心区域的各不同位置的切割缝宽度。对两正交方向的每一点进行测量。在下文中，一个方向称为“X方向”，而另一与其交叉成直角的方向称为“Y方向”。测定结果列于表5中。表5中切割缝宽度的单位为微米。扩缝前，X和Y方向的切割缝宽度都与所用切割刀片的宽度相同，即30微米。
表5数据清楚地证明了，对照实施例1制得的对照切割用胶带中切割缝的增大程度不够，对照实施例2制得的对照切割用胶带中切割缝的增大不均匀，而本发明切割用胶带中，形成了均匀和足够大的芯片间距，且不受压敏粘合剂弹性模量的影响。
                      表5
                 切缝宽度
 切割用胶带     半导体晶片的周围区域方向     半导体晶片的中心区域方向
    X     Y     X     Y
  实施例1     300     350     310     350
  实施例2     420     350     370     330
  实施例3     530     550     550     600
  实施例4     220     250     200     300
  实施例5     320     400     350     420
对照实施例1     80     90     80     90
对照实施例2     130     110     180     650
 (单位＝μm)
 评价实施例2：切割缝宽度的测量(2)
重复评价实施例1所述过程来评价实施例1和对照实施例1制造的切割用胶带，只是采用Bonder-HS-1010(HUGLE ELECTRONICS INC.)，扩展量为30毫米。结果列于表6中。本实施例中所用的粘合剂往往会使芯片获得的间距宽度比评价实施例1中所用的粘合剂使芯片获得的间距宽度更窄。因此，对于对照实施例1制得的对照切割用胶带来说，芯片间距的增大程度不够，而对于实施例1制得的本发明切割用胶带来说，形成了足够大的芯片间距。
                      表6
               切缝宽度
 切割用胶带     半导体晶片的周围区域方向     半导体晶片的中心区域方向
    X     Y     X     Y
  实施例1     170     210     180     200
对照实施例1     40     30     40     30
如上所述，本发明切割用胶带能均匀和充分地扩大晶片切割缝，而不受压敏粘合剂弹性模量的影响，并在切缝处极少发生破裂现象。
虽然参考具体实施方案已对本发明作了说明，但对于技术熟练人员来说不难的各种变更和变化也被认为是属于本发明的原理、精神和范围的。

Claims (10)

1.一种切割用胶带，该胶带包含基体片材和在所述基体片材的一个表面上形成的压敏粘合胶层，其中所述基体片材包括直接与所述压敏粘合剂层接触的上层，与所述上层相邻接的中层以及与所述中层邻接的下层；并且所述上层的抗延伸性(A)、所述中层的抗延伸性(B)和所述下层的抗延伸性(C)满足式(I)：
            B＜A≤C                 (I)所述抗延伸性是弹性模量与层厚度的乘积。
2.根据权利要求1的切割用胶带，其中所述上层的所述抗延伸性(A)、所述中层的所述抗延伸性(B)及所述下层的所述抗延伸性(C)还满足式(II)和(III)
    0.4≤A/C≤1                   (II)，和
    B/C≤0.5
3.根据权利要求1或2的切割用胶带，其中所述下层包含两层或两层以上的次层，所述下层的总抗延伸性(C)是由构成所述下层的每一次层的厚度与弹性模量乘积的总和。
4.根据权利要求1或2的切割用胶带，其中所述上层包含两层或两层以上的次层，所述上层的总抗延伸性(A)是由构成所述上层的每一次层的厚度与弹性模量乘积的总和。
5.根据权利要求4的切割用胶带，其中所述下层包含两层或两层以上的次层，所述下层的总抗延伸性(C)是由构成所述下层的每一次层的厚度与弹性模量乘积的总和。
6.一种将半导体晶片切割成单个芯片的方法，该方法包括：
a)将所述半导体晶片粘附在切割用胶带的基体片材一个表面上形成的压敏粘合剂层上，其中所述基体片材包括直接与所述压敏粘合剂层接触的上层，与所述上层邻接的中层以及与所述中层邻接的下层，并且所述上层的抗延伸性(A)，所述中层的抗延伸性(B)和所述下层的抗延伸性(C)满足(I)：
            B＜A≤C                           (I)所述的抗延伸性是弹性模量与层厚度的乘积，然后
b)按这样一种方式用刀片切割半导体晶片：使得所述上层从上表面至下表面完全被割透，所述中层只从其上表面部分切割至层内某一位置，而所述下层未被切割。
7.根据权利要求6的方法，其中所述上层的所述抗延伸性(A)，所述中层的抗延伸性(B)和所述下层的抗延伸性(C)还满足式(II)和(III)：
    0.4≤A/C≤1                    (II)，和
    B/C≤0.5                       (III)
8.根据权利要求6或7的方法，其中所述下层包含两层或两层以上的次层，所述下层的总抗延伸性(C)是由构成所述下层的每一次层的厚度与弹性模量乘积的总和。
9.根据权利要求6或7的方法，其中所述上层包含两层或两层以上的次层，所述上层的总抗延伸性(A)是由构成所述上层的每一次层的厚度与弹性模量乘积的总和。
10.根据权利要求9的方法，其中所述下层包含两层或两层以上的次层，所述下层的总抗延伸性(C)是由构成所述下层的每一次层的厚度与弹性模量乘积的总和。
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