CN1606144A - 半导体加工用粘着片及半导体加工方法 - Google Patents

半导体加工用粘着片及半导体加工方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种半导体加工用粘着片，在基材薄膜(1)的至少一面上具有粘着剂层(2)，所述基材薄膜(1)含有密度在0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯。根据本发明的半导体加工用粘着片，即使在薄型化的半导体芯片中也具有优良拾取性能。

Description

半导体加工用粘着片及半导体加工方法
技术领域
本发明涉及半导体加工用粘着片以及使用该半导体加工用粘着片加工半导体的方法。另外，本发明还涉及通过该半导体加工方法得到的半导体芯片。
本发明的半导体加工用粘着片，在将半导体晶片等元件小片切割分离(切片)时，可以用作固定该半导体晶片等的被切割物的切片用的粘着片，以及用作一个一个地剥离(拾取“pick up”)被切片的该被切割物的半导体拾取用粘着片。通常由于从切片工序至拾取工序大多采用同一粘着片进行，所以半导体加工用粘着片作为包括了这些用途的半导体加工用粘着片特别有用。
而且本发明的半导体加工用粘着片，除了能够作为硅半导体加工用粘着片、化合物半导体加工用粘着片、半导体封装加工用粘着片等使用之外，还可以作为玻璃加工用粘着片使用。
背景技术
过去以硅、镓、砷等作为原材料的半导体晶片，在以大直径状态制成后，被切割成元件小片，进而被移到安装工序。此时，半导体晶片是在被粘附保持在粘着片的状态下实施切片工序、清洗工序、展开工序、拾取工序、和安装工序等各工序。作为所述粘着片，一般可以使用在由塑料薄膜构成的基材上形成了粘着剂层的粘着片。
在上述切片工序中通常采用的方法是，利用边旋转边移动的圆形刀具进行切割，此时为了保持半导体晶片而粘附半导体加工用粘着片，进而在其后的拾取工序中，使用所谓顶针的针从被粘贴的粘着片背面侧，一边将被切割的半导体芯片上顶10～1000μm，一边利用能够吸附半导体芯片侧表面的吸附夹具等夹具将半导体芯片进一步向上吸拉，从而将芯片从粘着片上吸引剥离。
上述拾取工序中的剥离机理大体如下。首先，通过用顶针将半导体芯片上顶10～1000μm，在半导体芯片的外周部分产生剥离。接着，借助于吸附夹具的吸提作用，一边利用基材的回弹性等一边进行外周部分的剥离，最终将半导体芯片与粘着片完全分离。在这种拾取工序中，为了降低半导体芯片与粘着片之间的粘着力，一般使用这种半导体加工用粘着片，即采用能够通过对粘着剂层照射紫外线等放射线而使粘着力降低的放射线固化型粘着剂的半导体加工用粘着片(参照特开平1-272130号公报)。
然而近年来，半导体元件具有变薄的趋势，对于薄型化的半导体元件而言，即使在采用了上述放射线固化型粘着剂的半导体加工用粘着片中，在用顶针将半导体芯片上顶时，即使半导体芯片与粘着剂层之间存在微弱粘着力，半导体芯片也会以追随基材的形状而产生变形(挠曲)。其结果，在半导体芯片的周边部分不发生剥离，因而出现不能进行拾取的问题。
发明内容
本发明是为解决上述已有技术中存在的问题而提出的，目的在于提供一种半导体加工用粘着片，该半导体加工用粘着片即使对于薄型化的半导体芯片也有具有优良的拾取性能。
另外，本发明目的还在于提供一种使用该半导体加工用粘着片的半导体加工方法。此外，本发明的目的也在于提供一种利用该半导体加工方法得到的半导体芯片。
本发明人等，为达成上述目的而进行了深入研究，结果发现以下所示的半导体加工用粘着片，从而完成了本发明。即本发明如下。
为了解决上述课题，本发明的半导体加工用粘着片，是在基材薄膜的至少一面上具有粘着剂层的半导体加工用粘着片，其特征在于，所述基材薄膜含有密度在0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯。
在上述构成中，所述基材薄膜中密度在0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯含量，优选在20重量％以上。
而且上述构成中，所述基材薄膜在23℃下的拉伸弹性模量优选在100MPa以下。
另外在上述构成中，所述低密度聚乙烯优选侧链支链得到控制的直链状低密度聚乙烯。
此外在上述构成中，所述低密度聚乙烯优选采用金属茂合物催化剂聚合而成。
另外在上述构成中，所述粘着剂层优选用放射线固化型粘着剂形成。
为了解决上述课题，本发明的半导体加工方法，其特征在于，具有使用上述记载的半导体加工用粘着片对半导体晶片进行切片的工序和/或拾取的工序。
而且在上述的方法中，所述半导体晶片的厚度优选在200μm以下。
此外为了解决上述课题，本发明的半导体芯片，其特征在于，采用上述记载的半导体加工方法而得到。
上述本发明的半导体加工用粘着片的基材薄膜，由于使用密度在0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯，因此具有柔软性，即使在作为半导体晶片使用厚度在200μm以下的薄晶片的情况下，拾取半导体芯片时的上顶时的膜变形性也优良。而且具有伴随基材薄膜的伸长其应力增大的特性，半导体芯片的剥离能够容易进行，具有优良的拾取性。
以下基于附图，说明使用已有半导体加工用粘着片和本发明的半导体加工用粘着片时的半导体芯片的剥离机制。图1～图3是表示拾取工序中顶针上顶时粘着片和半导体芯片的行为。
图2表示对于半导体芯片W厚度大、刚性高的晶片使用已有粘着片A’并通过顶针N对半导体芯片W进行上顶的状态。由于半导体芯片W刚性高，所以如果通过放射线固化等使粘着力充分降低，用顶针N将半导体晶片W上顶时，由于只有粘着片A’变形，所以半导体芯片W会产生剥离。
图3表示对于半导体芯片W薄并且刚性低的晶片使用已有粘着片A’并通过顶针N对半导体芯片W进行上顶的状态。由于半导体芯片W刚性低，所以即使通过放射线固化等使粘着力降低，在半导体芯片W与粘着片A’之间的粘着力也不会完全消失，在这种状态下，由于半导体芯片W追随粘着片A’而变形，所以半导体芯片W不会产生剥离而不能拾取。
图1表示即使在半导体芯片W薄并且刚性低的情况下，若采用本发明的粘着片A，也能拾取的情况。本发明的粘着片A，由于使用密度极低而柔软性优良的低密度聚乙烯作为基材薄膜，所以当用顶针N将半导体芯片W上顶时，粘着片A的变形大，半导体芯片W将追随顶针形状。也就是说，若通过放射线固化等使粘着力充分降低，则不能追随粘着片A的半导体芯片W借助回弹力而开始剥离，由此拾取成为可能。
另外，本发明的半导体加工用粘着片的基材薄膜，23℃下的初期弹性模量优选在100MPa以下。认为这是由于以下理由的缘故。如上所述，基材薄膜具有充分的柔软性，在基于顶针上顶时需要以某种程度追随顶针而局部变形。其柔软性的标准是100MPa。
另外，在基于顶针而上顶后，在夹具吸附下进行最终剥离，此时除了前面所述柔软性之外，相反基材薄膜还必须有适当的回弹性。而且认为由于这一系列动作在300毫秒(msec)左右的极短时间内进行，所以在高速变形下基材薄膜的粘弹性行为将会影响回弹性。
以下根据图4和图5，就使用上述初期弹性模量在100MPa以下的基材薄膜作为粘着片基材薄膜的情形进行说明。图4和图5是表示用粘着片A，A’并且在拾取工序中基于吸附夹具C使半导体芯片W产生的最终剥离状态的说明图。
图4是表示采用本发明的半导体加工用粘着片情况的说明图。基材薄膜使用密度0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯，而且上述初期弹性模量在100MPa以下。在图4中，随着吸附夹具C边吸附半导体芯片W边向上方上升，基于粘着片A的粘着剂层与半导体芯片W之间的粘着力，粘着片A也被向上方拉伸。此时基材薄膜的回弹作用充分，若该回弹力大于粘着片A的粘着剂层与半导体芯片W之间的粘着力，则在该回弹作用下，随着吸附夹具C向上方提起，粘着片A可自然地从半导体芯片W上剥离。
另一方面，图5是表示作为粘着片A’的基材薄膜是所述初期弹性模量在100MPa以下的极为柔软的、但没有采用密度0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯的粘着片时的说明图。这种基材薄膜例如可以举出使用以乙烯-醋酸乙烯酯共聚物作为材料的基材薄膜。在图5中，基于拾取初期顶针的上顶而产生剥离。但是，在以后的基于吸附夹具C的剥离阶段中，由于基材薄膜的回弹力不足，粘着片A’的粘着剂层与半导体芯片W之间的粘着力大于该回弹力，所以粘着片A’被拉伸而不能顺利地剥离。其结果，当基材薄膜产生较大拉伸后，由于半导体芯片W剥离，例如基于剥离后的粘着片A’的恢复振动等，会出现未剥离的周边芯片对其他芯片产生干扰的问题。
附图说明
图1是表示用顶针使本发明的半导体加工用粘着片上的半导体晶片芯片上顶状态的一例剖面图。
图2是表示用顶针使已有的半导体加工用粘着片上的半导体晶片芯片上顶状态一例的剖面图。
图3是表示用顶针使已有的半导体加工用粘着片上的半导体晶片芯片上顶状态的一例剖面图。
图4是表示用吸附夹具使本发明的半导体加工用粘着片上的半导体晶片芯片剥离状态的一例剖面图。
图5是表示用吸附夹具使已有的半导体加工用粘着片上的半导体晶片芯片剥离状态的一例剖面图。
图6是本发明的半导体加工用粘着片的剖面图。
图中：A、A’：半导体加工用粘着片，W：半导体芯片，N：顶针，C：吸附夹具，1：基材薄膜，2：粘着剂层，3：隔离层。
具体实施方式
以下参照图6对本发明的半导体加工用粘着片进行详细说明。图6是半导体加工用粘着片的剖面图。半导体加工用粘着片在基材薄膜1的一面上具有粘着剂层2。粘着剂层2只要在基材薄膜1的至少一面上具有就可以。在图6中，表示仅在基材薄膜1的一面上具有粘着剂层2的情况。半导体加工用粘着片，可以设为带状、卷曲状而使用。在粘着剂层2上设有隔离层3。其中在图3至图4中，半导体加工用粘着片A以半导体芯片W侧成为粘着剂层2的方式配置。
如上所述，在薄型化半导体芯片的拾取工序中，对于半导体加工用粘着片而言，必须具有初期容易被顶针引起变形剥离所需的柔软性，和接着容易在吸附夹具的作用下顺利剥离所需的回弹力。柔软性与回弹力是性能相反的两种特性。作为具有满足这种特性要求的柔软性的基材薄膜1，在本发明中使用在所谓顶针上顶的比较(与基于吸附夹具的剥离阶段相比)低速变形区域富含柔软性、且在所谓基于吸附夹具的剥离的高速变形区域下弹性优良的材料。
在基材薄膜1中，作为显示这种粘弹性特性的材料，可以使用具有密度在0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯的材料。低密度聚乙烯的密度优选在0.910g/cm3以下，更优选在0.905g/cm3以下。在低密度聚乙烯的密度超过0.915g/cm3的情况下，因缺乏柔软性而不理想。其中，低密度聚乙烯在薄膜中使用的情况下，通常使用的是密度超过0.915g/cm3的聚乙烯。
密度0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯，一般可以通过乙烯与α-烯烃共聚的方法得到。通过使α-烯烃共聚能够降低聚乙烯的结晶性，使其密度下降，而赋予柔软性。作为α-烯烃可以举出1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯等。对于α-烯烃的共聚比，只要能满足上述密度条件就无特别限制，但是低密度聚乙烯通常在60重量％以下，优选10～40重量％。
上述低密度聚乙烯，优选接近直链状的低密度聚乙烯。因此上述低密度聚乙烯优选通过控制侧链支链而形成的直链状低密度聚乙烯。更优选用金属茂合物催化剂制成的低密度直链状聚乙烯。在通常的低密度聚乙烯的情况下，当要使密度在0.915g/cm3以下的低密度时，往往分子量分布过宽。其结果，因流动性各异等原因容易使高分子侧分子之间产生凝聚，能够形成凝胶状的凝聚物，外观不好。通过使用金属茂合物催化剂，能使分子量保持得比较均一，进而通过制成直链状还能够防止分子之间结合造成的凝聚。用上述金属茂合物催化剂得到的直链状低密度聚乙烯，外观良好，但是直链状低密度聚乙烯并不仅限于用金属茂合物催化剂制备而得到的。
其中对于乙烯系共聚物而言，共聚单体主成分优选含有α-烯烃的烯烃单体。例如，在乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等的情况下，虽然能够获得柔软性，但是高速变形时的回弹力不足。认为这是由于像上述那样粘弹性特性与通常的乙烯的粘弹性特性相比有较大变化的缘故。
基材薄膜1也可以将密度0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯与其他可掺合树脂混合使用。由于树脂掺合物对于上述低密度聚乙烯的聚合物链具有使结晶降低的效果，因此使混合后的另一聚合物的结晶性降低，可以获得与上述同样的效果。在上述树脂掺合物中，密度0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯也可以不是主要成分，作为其混合比，密度0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯，如果在整个树脂掺合物中占20重量％以上，则能够获得上述效果。上述混合比优选在25重量％以上。作为能够与上述低密度聚乙烯掺合的树脂，不优选与低密度聚乙烯完全互溶并使其密度发生变化的例如高密度聚乙烯等各种聚乙烯。能够掺合的树脂，除上述以外并无特别限制，例如可以举出聚丙烯、苯乙烯系热塑性弹性体等。
基材薄膜1可以采用挤压法等常规方法制造。其厚度通常为10～300μm，优选30～200μm左右。基材薄膜1可以是单层薄膜或多层薄膜。但是最终的基材薄膜1，优选使其23℃下拉伸弹性模量在100MPa以下。多层薄膜可以用其他软质薄膜材料，利用共挤压法、干式层叠法等惯用的薄膜层叠法制造。另外，所得到的基材薄膜1，必要时还可以进行单向或双向拉伸处理。即使在实施拉伸处理的情况下，也优选基材薄膜1的弹性模量限于100MPa以下的范围。基材薄膜1的上述拉伸弹性模量，优选在80MPa以下，更优选60MPa以下。其中上述拉伸弹性模量通常在10MPa以上。
这样制膜得到的基材薄膜1，必要时还可以实施砑光处理、电晕放电处理、衬底层处理等惯用的物理或化学处理。
粘着剂层2可以使用通常公知或惯用的粘着剂。这种粘着剂虽然没有特别限制，但是例如可以使用橡胶系、丙烯酸系、硅酮系、聚乙烯基醚系等各种粘着剂。
上述粘着剂优选丙烯酸系粘着剂。作为丙烯酸系粘着剂的基础聚合物的丙烯酸系聚合物，通常可以使用(甲基)丙烯酸烷基酯的聚合物或与共聚性单体的共聚物。作为丙烯酸系聚合物的主要单体，优选其均聚物的玻璃化温度在20℃以下的(甲基)丙烯酸烷基酯。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯中的烷基，例如可以举出甲基、乙基、丁基、2-乙基己基、辛基、异壬基等。另外，作为上述共聚性单体，可以举出(甲基)丙烯酸的羟基烷基酯(例如羟基乙酯、羟基丁酯、羟基己酯等)、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸酐、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸-N-羟基甲基酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯、叔丁基氨基乙基甲基丙烯酸酯等)、醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。
而且作为粘着剂，也可以使用通过紫外线、电子射线等固化的放射线固化型粘着剂或加热发泡型粘着剂。此外，还可以使用切片与芯片焊接兼用型粘着剂。在本发明中，优选使用放射线固化型粘着剂，特别是紫外线固化型粘着剂。其中，在作为粘着剂使用放射线固化型粘着剂的情况下，在切片工序之前或之后，为了对粘着剂照射放射线，所述基材薄膜1优选能充分透过放射线的薄膜。
放射线固化型粘着剂，例如含有上述基础聚合物(丙烯酸系聚合物)和放射线固化成分。对放射线固化成分没有特别限制，可以使用分子中有碳-碳双键并且可通过自由基聚合而固化的单体、低聚物或聚合物。作为放射线固化成分，例如可以举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸与多元醇的酯化物；丙烯酸式酯低聚物；2-丙烯基-二-3-丁烯基三聚氰酸酯、2-羟基乙基双(2-丙烯酰基乙基)三聚异氰酸酯、三(2-甲基丙烯酰基乙基)三聚异氰酸酯等三聚氰酸酯或三聚异氰酸酯化合物等。
另外，作为放射线固化型粘着剂的基础聚合物(丙烯酸系聚合物)，也可以使用在聚合物侧链上含有碳-碳双键的放射线固化型聚合物。这种情况下，没有必要加入上述放射线固化成分。
用紫外线使放射线固化型粘着剂固化的情况下，需要光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可以举出苯甲酰基甲基醚、苯偶姻丙基醚、苯偶姻异丁基醚等苯偶姻烷基醚类；苄基、苯偶姻、二苯酮、α-羟基环己基苯基酮等芳香族酮类；苄基二甲基酮缩醇等芳香族酮缩醇类；聚乙烯基二苯酮；氯代噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮等噻吨酮类等。
在上述粘着剂中必要时也可以含有交联剂、粘着性赋予剂、填充剂、防老剂、着色剂等惯用的添加剂。作为交联剂，例如可以举出聚异氰酸酯化合物、蜜胺树脂、尿素树脂、氮杂环丙烷化合物、环氧树脂、无水化物、聚胺、含有羧基的聚合物等。
本发明的半导体加工用粘着片，例如可以采用在基材薄膜1的表面上涂布粘着剂并使其干燥(必要时使其加热交联)形成粘着剂层2，必要时在此粘着剂层2的表面上粘附隔离层3的方法制造。而且另外还可以采用在隔离层3上形成粘着剂层2后，将其粘附在基材薄膜1上的方法等。
粘着剂层2的厚度，可以根据粘着剂的种类、或者切片切入深度适当决定。具体讲，通常为1～200μm，优选3～50μm左右。
隔离层3是用于标签加工或用于使粘着剂层平滑而根据需要设置的。作为隔离层3的构成材料，可以举出纸张、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合合成树脂薄膜等。为了提高与粘着剂层2的剥离性，必要时也可以对隔离层3的表面实施硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。而且还根据提高刚性的目的，进行单向或双向拉伸处理以及与其他塑料薄膜等进行层叠。隔离层3的厚度，通常为10～200μm，优选25～100μm。
本发明的半导体加工用粘着片，可以用于对半导体晶片切片的工序、拾取工序中。切片的工序、拾取工序可以采用常规方法。本发明的半导体加工用粘着片，可以很好地用于半导体晶片的厚度薄型化至200μm以下的晶片上。在半导体晶片的厚度为100μm以下、进而为50μm以下时也可以使用本发明的半导体加工用粘接片。
实施例
以下根据实施例对本发明作更详细的说明。但是本发明不受这些实施例的限制。
实施例1
(基材薄膜的制作)
将三井化学株式会社制造的“商品名：EVOLUE SP-0540”供给T模挤压成形机(设定温度230℃)制膜，制成了厚度100μm的基材薄膜。EVOLUESP-0540是用金属茂合物催化剂聚合的直链状低密度聚乙烯，其密度为0.903g/cm3。
(粘着剂的调整)
将80重量份丙烯酸甲酯和20重量份丙烯酸-2-羟基乙酯，在80重量份甲苯和20重量份乙腈的混合溶剂中用常规方法共聚，得到了含有重均分子量为50万的丙烯酸系聚合物的溶液。然后相对于1摩尔份丙烯酸-2-羟基乙酯添加0.9重量份2-甲基丙烯酰氧基亚乙基异氰酸酯，在空气气氛中和50℃下搅拌12小时使之反应，得到了放射线固化型聚合物溶液。在100重量份这种聚合物溶液中，加入100重量份二季戊四醇六丙烯酸酯(商品名：“KAYARAD DPHA”，日本化药株式会社制造)、5重量份光聚合引发剂(商品名：“IRGACURE184”，Ciba Specialty Chemicals社制)、5重量份聚异氰酸酯化合物(商品名：“Coronate L”，日本聚氨酯株式会社制造)，制成了丙烯酸系紫外线固化型粘着剂溶液。
(粘着片的制作)
在上面得到的基材薄膜的电晕处理面上涂布上述制备的粘着剂溶液，在80℃下加热交联10分钟，形成了厚度20μm的紫外线固化型粘着剂层。然后将隔离层粘附在该粘着剂层面上，制成了紫外线固化型粘着片。
实施例2
除了在实施例1中使用了三菱化学株式会社制造的“KERNEL KF273”作为基材薄膜的材料以外，其余的按照实施例1制作了紫外线固化型粘着片。KERNEL KF273是用金属茂合物催化剂聚合而成的直链状低密度聚乙烯，其密度为0.913g/cm3。
实施例3
除了在实施例1中使用了用双轴混合挤压机将70重量份三菱化学株式会社制造的“ZELAS”及30重量份三菱化学株式会社制造的“KERNEL KF261”混合的物质作为基材薄膜的材料以外，其余的按照实施例1制作了紫外线固化型粘着片。ZELAS是58重量％丙烯与42重量％乙烯-丙烯橡胶的混合物，其密度为0.88g/cm3。KERNELKF261是用金属茂合物催化剂聚合而成的直链状低密度聚乙烯，其密度为0.898g/cm3。
对照例1
除了在实施例1中使用三井-杜邦polychemical公司制造的“EVAFLEXP-1205”作为基材薄膜的材料以外，其余的按照实施例1制作了紫外线固化型粘着片。EVAFLEX P-1205是乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，其密度为0.93g/cm3。
对照例2
除了在实施例1中使用三井化学株式会社制造的“ULTZEX 2022L”作为基材薄膜的材料以外，其余的按照实施例1制作了紫外线固化型粘着片。ULTZEX 2022L是用齐格勒催化剂聚合的支链状低密度聚乙烯，其密度为0.92g/cm3。
对照例3
除了在实施例1中使用三菱化学株式会社制造的“ZELAS”作为基材薄膜的材料以外，按照实施例1制作了紫外线固化型粘着片。
(评价试验)
采用下述方法评价了实施例和对照例得到的粘着片。结果示于表1之中。
(1)基材薄膜的拉伸弹性模量
按照JIS K6921-2测定了制成的基材薄膜的拉伸弹性模量。拉伸速度：200mm/min，卡盘间距：50mm，样品宽度10mm。
(2)拾取试验
将制成的粘着片安装在厚度50μm的6英寸晶片上，将其切片成7mm×7mm尺寸后，照射紫外线使粘着剂层的粘着力降低后，基于芯片焊接机进行拾取。
芯片焊接机：NEC Machinery-制造的CPS-100型
上顶针：350μmR15°×0.75mmΦ
上顶量：300μm
在上记条件下试验了约30个芯片的拾取，评价了哪个能够被拾取。
                                          表1
            基材薄膜             拾取结果
  材料密度(g/cm3)   拉伸弹性模量(MPa)   成功率(成功数/30) 备注
实施例1   0.903   60   30/30 -
实施例2   0.913   85   28/30 -
实施例3   0.898/0.88   95   26/30 -
对照例1   0.930   40   0/30 夹具吸附脱落
对照例2   0.920   120   0/30 芯片龟裂，夹具吸附脱落
对照例3   0.88   200   0/30 芯片龟裂，夹具吸附脱落
正如表1所示，可以看出实施例的粘着片即使是薄型芯片也能顺利地拾取。

Claims (9)

1.一种半导体加工用粘着片，在基材薄膜的至少一面上具有粘着剂层，其特征在于，所述基材薄膜含有密度在0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯。
2.按照权利要求1所述的半导体加工用粘着片，其特征在于，所述基材薄膜中密度在0.915g/cm3以下的低密度聚乙烯含量在20重量％以上。
3.按照权利要求1或2所述的半导体加工用粘着片，其特征在于，所述基材薄膜在23℃下的拉伸弹性模量在100MPa以下。
4.按照权利要求1～3中任一项所述的半导体加工用粘着片，其特征在于，所述低密度聚乙烯是侧链支链得到控制的直链状低密度聚乙烯。
5.按照权利要求1～4中任一项所述的半导体加工用粘着片，其特征在于，所述低密度聚乙烯是使用金属茂合物催化剂聚合而成的。
6.按照权利要求1～5中任一项所述的半导体加工用粘着片，其特征在于，所述粘着剂层是通过放射线固化型粘着剂形成的。
7.一种半导体加工方法，其特征在于，具有使用权利要求1～6中任一项所述的半导体加工用粘着片，对半导体晶片进行切片的工序和/或拾取工序。
8.按照权利要求7所述的半导体加工方法，其特征在于，所述半导体晶片的厚度在200μm以下。
9.一种半导体芯片，其特征在于，通过权利要求7或8所述半导体加工方法而得到。
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