TWI821278B - 黏著性膜及電子裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的黏著性膜（100）是用於加工電子零件的黏著性膜，其依序包括基材層（10）、凹凸吸收性樹脂層（20）、及黏著性樹脂層（30），且凹凸吸收性樹脂層（20）包含熱塑性樹脂，藉由示差掃描熱量計（DSC）測定的凹凸吸收性樹脂層（20）的熔點（Tm）處於10℃以上且50℃以下的範圍內，所述電子零件具有電路形成面，所述黏著性膜用於對所述電子零件的與該電路形成面為相反側的面進行研磨，以使所述電子零件的厚度成為250 μm以下。

Description

黏著性膜及電子裝置的製造方法
本發明是有關於一種黏著性膜及電子裝置的製造方法。
於電子裝置的製造步驟中，於研磨電子零件的步驟中，為了將電子零件固定、或防止電子零件的損傷，而於電子零件的電路形成面上貼附黏著性膜。
於此種黏著性膜中，通常使用在基材膜上積層有黏著性樹脂層的膜。
另一方面，關於電路形成面的凹凸大的電子零件，為了對黏著性膜賦予凹凸吸收性，研究了一種於基材膜與黏著性樹脂層之間設置有凹凸吸收性樹脂層的黏著性膜。
作為與此種具有凹凸吸收性的黏著性膜有關的技術，例如可列舉專利文獻1(日本專利特開2014-11273號公報)及專利文獻2(日本專利特開2010-258426號公報)中記載者。
專利文獻1中記載有一種半導體晶圓加工用黏著膠帶，其特徵在於：於高彈性基材膜的單側的面上具有至少一層以上的低彈性係數層，且於該低彈性係數層上具有放射線硬化型黏著劑 層，該高彈性基材膜的楊氏模量為5.0×108Pa~1.1×1010Pa，該低彈性係數層的25℃下的儲存彈性係數G'(25℃)為2.5×105Pa~4.0×105Pa，60℃下的儲存彈性係數G'(60℃)為0.2×105Pa~1.5×105Pa，其比G'(60℃)/G'(25℃)為0.5以下，該低彈性係數層的25℃下的損失正切tanδ(25℃)為0.08~0.15，其與60℃下的損失正切tanδ(60℃)之比tanδ(60℃)/tanδ(25℃)為4.0以上，且該放射線硬化型黏著劑層的厚度為5μm~100μm，該低彈性係數層與該放射線硬化型黏著劑層的厚度之比、放射線硬化型黏著劑層厚度/低彈性係數層厚度為1/2以下。
於專利文獻2中記載有一種半導體晶圓保護用黏著片的貼合方法，其為使依序將基材、至少一層以上的中間層、及黏著劑層積層而成的半導體晶圓保護用黏著片貼合於半導體晶圓的表面的方法，且特徵在於：該黏著片與半導體晶圓的貼合溫度為50℃~100℃，與黏著劑層接觸之側的中間層的貼合溫度下的損失正切(tanδ)為0.5以上。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2014-11273號公報
專利文獻2：日本專利特開2010-258426號公報
近年來，伴隨行動電話等數位．行動機器中使用的系統 級封裝(System in Package，SiP)等的普及，對實現例如厚度100μm以下的半導體晶圓等電子零件的薄精研磨技術的要求提高。
根據本發明者等人的研究而明確到，存在進行了薄研磨的電子零件發生翹曲的情況。若電子零件存在翹曲，則擔心於搬運步驟中產生不良狀況、或電子零件發生破裂。
本發明是鑒於所述情況而成，提供一種能夠抑制研磨後的電子零件的翹曲的電子零件加工用的黏著性膜。
本發明者等人為了達成所述課題而反覆進行了努力研究。結果發現：於依序包括基材層、凹凸吸收性樹脂層、及黏著性樹脂層的黏著性膜中，藉由使用熔點(Tm)處於特定範圍的凹凸吸收性樹脂層，可抑制研磨後的電子零件的翹曲，從而完成了本發明。
根據本發明，提供以下所示的黏著性膜。
[1]一種黏著性膜，其用於加工電子零件，所述黏著性膜依序包括基材層、凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層，且所述凹凸吸收性樹脂層包含熱塑性樹脂，藉由示差掃描熱量計(differential scanning calorimeter，DSC)測定的所述凹凸吸收性樹脂層的熔點(Tm)處於10℃以上且50℃以下的範圍內，所述電子零件具有電路形成面，所述黏著性膜用於對所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面進行研磨，以使所述電 子零件的厚度成為250μm以下。
[2]如所述[1]所述的黏著性膜，其中，藉由動態黏彈性測定裝置(扭轉模式)測定的70℃下的所述凹凸吸收性樹脂層的儲存彈性係數G'為1.0×104Pa以上且1.0×106Pa以下。
[3]如所述[1]或[2]所述的黏著性膜，其中，於150℃下進行30分鐘熱處理時的所述基材層的熱收縮率為0.05%以上且1.2%以下。
[4]如所述[1]至[3]中任一項所述的黏著性膜，其中，所述熱塑性樹脂包含乙烯．α-烯烴共聚物。
[5]如所述[4]所述的黏著性膜，其中，所述熱塑性樹脂更包含乙烯．極性單體共聚物。
[6]如所述[5]所述的黏著性膜，其中，所述乙烯．極性單體共聚物包含乙烯．乙酸乙烯酯共聚物。
[7]如所述[5]或[6]所述的黏著性膜，其中，當將所述凹凸吸收性樹脂層所包含的所述乙烯．α-烯烴共聚物及所述乙烯．極性單體共聚物的合計量設為100質量份時，所述凹凸吸收性樹脂層中的所述乙烯．極性單體共聚物的含量為10質量份以上且70質量份以下。
[8]如所述[1]至[7]中任一項所述的黏著性膜，其中，所述電子零件於所述電路形成面上具有凸塊電極。
[9]一種電子裝置的製造方法，其至少包括： 準備步驟，準備結構體，所述結構體包括：具有電路形成面的電子零件、以及貼合於所述電子零件的所述電路形成面側且如所述[1]至[8]中任一項所述的黏著性膜；以及研磨步驟，對所述電子零件的與所述電路形成面側為相反側的面進行研磨。
[10]如所述[9]所述的電子裝置的製造方法，其中，於所述研磨步驟中，對所述電子零件的與所述電路形成面側為相反側的面進行研磨，直至所述電子零件的厚度成為250μm以下為止。
根據本發明，可提供一種能夠抑制研磨後的電子零件的翹曲的電子零件加工用的黏著性膜。
10:基材層
20:凹凸吸收性樹脂層
30:黏著性樹脂層
100:黏著性膜
200:凸塊晶圓
250:焊料凸塊
D:凸塊吸收直徑
所述目的及其他目的、特徵以及優點藉由以下所述的適當的實施形態、以及其中隨附的以下圖式而進一步明確。
圖1是示意性表示本發明的實施形態的黏著性膜的結構的一例的剖面圖。
圖2是用以說明凸塊吸收直徑的示意圖。
以下，對於本發明的實施形態，使用圖式進行說明。再者，於所有圖式中，對同樣的構成要素標註共通的符號，且適當 地省略說明。另外，圖為概略圖，與實際的尺寸比率不一致。再者，數值範圍的「A~B」若無特別說明，則表示A以上且B以下。另外，本實施形態中，所謂「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸及甲基丙烯酸的兩者。
1.黏著性膜
圖1是示意性表示本發明的實施形態的黏著性膜100的結構的一例的剖面圖。
如圖1所示，本實施形態的黏著性膜100是用於加工電子零件的黏著性膜，其依序包括基材層10、凹凸吸收性樹脂層20、及黏著性樹脂層30，凹凸吸收性樹脂層20包含熱塑性樹脂，藉由示差掃描熱量計(DSC)測定的凹凸吸收性樹脂層20的熔點(Tm)處於10℃以上且50℃以下的範圍內，所述電子零件具有電路形成面，所述黏著性膜100用於對所述電子零件的與該電路形成面為相反側的面進行研磨，以使所述電子零件的厚度成為250μm以下。
如上所述，關於電路形成面的凹凸大的電子零件，為了對黏著性膜賦予凹凸吸收性，研究了一種於基材膜與黏著性樹脂層之間設置有凹凸吸收性樹脂層的黏著性膜。
此處，近年來，伴隨行動電話等數位．行動機器中使用的SiP(System in Package)等的普及，對實現例如厚度100μm以下的半導體晶圓等電子零件的薄精研磨技術的要求提高。
但是，根據本發明者等人的研究而明確到，存在進行了薄研磨的電子零件發生翹曲的情況。若電子零件存在翹曲，則擔心於 搬運步驟中產生不良狀況、或電子零件發生破裂。
本發明者等人為了達成所述課題而反覆進行了努力研究。結果首次發現：於依序包括基材層、凹凸吸收性樹脂層、及黏著性樹脂層的黏著性膜中，藉由使用熔點(Tm)處於10℃以上且50℃以下的範圍的凹凸吸收性樹脂層，可抑制研磨後的電子零件的翹曲。
即，根據本實施形態，藉由在基材層10與黏著性樹脂層30之間設置藉由示差掃描熱量計(DSC)測定的融點(Tm)為10℃以上且50℃以下的凹凸吸收性樹脂層20，可獲得能夠抑制研磨後的電子零件的翹曲的電子零件加工用的黏著性膜100。
藉由使用本實施形態的黏著性膜100而能夠抑制研磨後的電子零件的翹曲的理由並不明確，但考慮為以下理由。
首先，根據本發明者等人的研究而發現：於研磨電子零件的步驟中，電子零件發生磨損，藉此電子零件及黏著性膜的溫度上升，結果因電子零件的熱膨脹與黏著性膜的熱膨脹之差而電子零件中產生應力，結果電子零件發生翹曲。本發明者等人基於所述見解，進一步反覆進行了研究。結果認為：藉由設置利用示差掃描熱量計(DSC)測定的熔點(Tm)處於10℃以上且50℃以下的範圍的凹凸吸收性樹脂層20，可緩和由電子零件的熱膨脹與黏著性膜的熱膨脹之差所致的對電子零件的應力，結果可有效地抑制研磨後的電子零件的翹曲。
於本實施形態的黏著性膜100中，就更進一步有效地抑 制研磨後的電子零件的翹曲的觀點而言，藉由動態黏彈性測定裝置(扭轉模式)測定的70℃下的凹凸吸收性樹脂層20的儲存彈性係數G'較佳為1.0×104Pa以上、更佳為5.0×104Pa以上、進而佳為1.0×105Pa以上，而且較佳為1.0×106Pa以下、更佳為5.0×105Pa以下、進而佳為2.0×105Pa以下。
70℃下的凹凸吸收性樹脂層20的儲存彈性係數G'例如可藉由控制構成凹凸吸收性樹脂層20的各成分的種類或調配比例而控制於所述範圍內。
就機械特性與操作性的平衡而言，本實施形態的黏著性膜100整體的厚度較佳為25μm以上且1000μm以下，更佳為100μm以上且800μm以下，進而佳為150μm以上且600μm以下。
本實施形態的黏著性膜100亦可於無損本發明的效果的範圍內，於各層之間設置黏接層或抗靜電層(未圖示)等其他層。藉由黏接層可提高各層之間的黏接性。另外，藉由抗靜電層可提高黏著性膜100的抗靜電性。
本實施形態的黏著性膜100於電子裝置的製造步驟中，用於保護電子零件的表面、或將電子零件固定，更具體而言，於作為電子裝置的製造步驟之一的研磨電子零件的步驟(亦稱為背面研磨步驟)中，適合用作為了保護電子零件的電路形成面(即包含電路圖案的電路面)而使用的背面研磨膠帶。具體而言，被用於如下步驟：將黏著性膜100貼附於電子零件的電路形成面來進行保護，並對與該電路形成面為相反側的面進行研磨。於電路 形成面上具有凸塊電極的情況下，可適宜地應用具備凹凸吸收性樹脂層20的本實施形態的黏著性膜100。
再者，本實施形態的黏著性膜100亦可用於研磨步驟以外的加工。例如，可用作所謂的切割膠帶(dicing tape)，所述切割膠帶用以對半導體晶圓或環氧模製晶圓(epoxy molding wafer)進行切割而獲得多個經單片化的半導體晶片或封裝(package)。
另外，於將電子零件薄薄地研磨至厚度成為250μm以下為止的情況下，電子零件容易發生翹曲，因此本實施形態的黏著性膜100尤其適宜用於對電子零件薄薄地進行研磨，以使電子零件的厚度成為250μm以下。
繼而，對構成本實施形態的黏著性膜100的各層進行說明。
<基材層>
基材層10是出於使黏著性膜100的操作性或機械特性、耐熱性等特性更良好的目的而設置的層。
基材層10若具有可耐受對電子零件進行加工時所施加的外力的機械強度，則並無特別限定，例如可列舉樹脂膜。
作為構成基材層10的樹脂，例如可列舉選自以下化合物中的一種或兩種以上：聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(1-丁烯)等聚烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；尼龍-6、尼龍-66、聚己二醯間苯二甲胺等聚醯胺；聚丙烯酸酯；聚甲基丙烯酸酯；聚氯乙烯；聚醯亞胺； 聚醚醯亞胺；聚醯胺醯亞胺；乙烯．乙酸乙烯酯共聚物；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；離子聚合物；聚碸；聚醚碸；聚醚醚酮；聚苯硫醚；聚苯醚；聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體等彈性體等。
該些中，就使機械物性及透明性良好的觀點而言，較佳為選自聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醯胺、聚醯亞胺、乙烯．乙酸乙烯酯共聚物、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體、及聚對苯二甲酸丁二酯中的一種或兩種以上，更佳為選自聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯中的一種或兩種以上。
就更進一步抑制研磨後的電子零件的翹曲的觀點而言，於150℃下進行30分鐘熱處理時的基材層10的熱收縮率較佳為0.05%以上且1.2%以下，更佳為0.05%以上且1.0%以下，特佳為0.1%以上且0.6%以下。若基材層10的熱收縮率為所述上限值以下，則即便於加熱下將黏著性膜100貼附於電子零件的情況下、或者於研磨時黏著性膜100的溫度上升了的情況下，亦可抑制基材層10的尺寸變化，結果，對電子零件施加的應力減少，從而可更進一步抑制電子零件的翹曲。另外，若熱收縮率為所述下限值以上，則生產性良好，可進行製造，就成本與性能比(cost performance)的觀點而言較佳。
此處，當將熱處理前的基材層10的流動方向(縱向(machine direction，MD)方向)的長度設為L0，將於150℃下進行30分鐘 熱處理之後冷卻至室溫(23℃)後的基材層10的MD方向的長度設為L1時，可藉由100×(L0-L1)/L0來算出基材層10的熱收縮率。
基材層10可為單層，亦可為兩種以上的層。
另外，為了形成基材層10而使用的樹脂膜的形態可為延伸膜，亦可為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜，但就提高基材層10的機械強度的觀點而言，較佳為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜。就抑制研磨後的電子零件的翹曲的觀點而言，較佳為預先對基材層10進行退火處理。為了改良與其他層的黏接性，亦可對基材層10進行表面處理。具體而言，亦可進行電暈處理、電漿處理、下塗(under coat)處理、底塗(primer coat)處理等。
就獲得良好的膜特性的觀點而言，基材層10的厚度較佳為25μm以上且100μm以下。
<凹凸吸收性樹脂層>
本實施形態的黏著性膜100於基材層10與黏著性樹脂層30之間具備凹凸吸收性樹脂層20。
凹凸吸收性樹脂層20是出於使黏著性膜100的對於電路形成面的追隨性良好，且使電路形成面與黏著性膜100的密接性良好的目的而設置的層。
凹凸吸收性樹脂層20包含熱塑性樹脂，且藉由示差掃描熱量計(DSC)測定的熔點(Tm)為10℃以上且50℃以下，較佳為15℃以上且40℃以下，進而佳為15℃以上且35℃以下。藉由示差掃描熱量計(DSC)測定的凹凸吸收性樹脂層20的熔解熱較 佳為10J/g以上且100J/g以下，更佳為15J/g以上且80J/g以下，進而佳為20J/g以上且60J/g以下。
若包含兩種成分以上的熱塑性樹脂，則有時亦觀測到兩個以上的熔點，但只要至少一個熔點(Tm)處於所述範圍即可。較佳為該兩個以上的熔點均為10℃以上且50℃以下。
關於熔點及熔解熱，於利用以下所示的測定條件進行了DSC測定時的第2次加熱時的曲線圖(graph)中，將賦予吸熱峰的峰頂的溫度設為熔點，將吸熱峰的面積設為熔解熱。
<測定條件>
第1次加熱：自30℃以10℃/min升溫至230℃，於230℃下保持5分鐘
冷卻：自230℃以10℃/min降溫至-100℃，於-100℃下保持5分鐘
第2次加熱：再次以10℃/min升溫至230℃
凹凸吸收性樹脂層20較佳為包含乙烯．α-烯烴共聚物(A)，更佳為包含乙烯．α-烯烴共聚物(A)及乙烯．極性單體共聚物(B)。藉此，能夠更進一步有效地抑制研磨後的電子零件的翹曲。
於本實施形態的黏著性膜100中，當將凹凸吸收性樹脂層20所包含的乙烯．α-烯烴共聚物(A)及乙烯．極性單體共聚物(B)的合計量設為100質量份時，凹凸吸收性樹脂層20中的乙烯．極性單體共聚物(B)的含量較佳為10質量份以上，更佳為15質量 份以上。另外，自更有效地抑制研磨後的電子零件的翹曲的觀點而言，凹凸吸收性樹脂層20中的乙烯．極性單體共聚物(B)的含量較佳為70質量份以下，更佳為60質量份以下，進而佳為50質量份以下，進而更佳為40質量份以下，特佳為30質量份以下。
(乙烯．α-烯烴共聚物(A))
本實施形態的乙烯．α-烯烴共聚物(A)為例如藉由將乙烯與碳數3~20的α-烯烴共聚合而獲得的共聚物。
作為α-烯烴，例如可單獨使用一種碳數3~20的α-烯烴、或者將兩種以上的碳數3~20的α-烯烴組合來使用。其中較佳為碳數為10以下的α-烯烴，特佳為碳數為3~8的α-烯烴。作為此種α-烯烴的具體例，可列舉：丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、3-甲基-1-丁烯、3,3-二甲基-1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯等。其中，就獲取容易性而言，較佳為1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯及1-辛烯。乙烯．α-烯烴共聚物(A)可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物，就柔軟性的觀點而言，較佳為無規共聚物。
此處，作為乙烯．α-烯烴共聚物(A)，例如可列舉：三井化學公司製造的塔夫瑪(TAFMER)(商標註冊)、陶氏(DOW)公司製造的英佳吉(ENGAGE)(商標註冊)、艾克森美孚(Exxon Mobil)公司製造的愛克賽特(EXACT)(商標註冊)、日本聚乙烯(Japan Polyethylene)公司製造的科奈爾(KERNEL)(商標註冊)等。
依據美國材料與試驗協會(American Society for Testing and Materials，ASTM)D1505測定的乙烯．α-烯烴共聚物(A)的密度較佳為850kg/m3~900kg/m3、更佳為850kg/m3~880kg/m3、進而佳為850kg/m3~870kg/m3。
若密度為所述下限值以上，則可避免阻塞(blocking)等處理故障(handling trouble)。另外，若密度為所述上限值以下，則可獲得凹凸吸收性優異的凹凸吸收性樹脂層20。
依據ASTM D1238，於190℃、2.16kg負荷的條件下測定的乙烯．α-烯烴共聚物(A)的熔體流動速率(melt flow rate，MFR)較佳為0.1g/10min~50g/10min，更佳為0.2g/10min~30g/10min，進而佳為0.5g/10min~20g/10min，特佳為1.0g/10min~10g/10min。
若MFR為所述下限值以上，則乙烯．α-烯烴共聚物(A)的流動性提高，可使凹凸吸收性樹脂層20的加工性更良好。
另外，若MFR為所述上限值以下，則可獲得厚度更加均勻的凹凸吸收性樹脂層20。
(乙烯．極性單體共聚物(B))
作為本實施形態的乙烯．極性單體共聚物(B)，例如可列舉選自如下化合物中的一種或兩種以上：乙烯．(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯．(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯．(甲基)丙烯酸丙酯共聚物、乙烯．(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、乙烯．(甲基)丙烯酸己酯共聚物、乙烯．(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯共聚物、乙烯．(甲基)丙烯酸-2- 羥基丙酯共聚物、乙烯．(甲基)丙烯酸縮水甘油酯共聚物、乙烯．馬來酸二甲酯共聚物、乙烯．馬來酸二乙酯共聚物、乙烯．富馬酸二甲酯共聚物、乙烯．富馬酸二乙酯共聚物等乙烯．不飽和羧酸酯共聚物；乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯．馬來酸共聚物、乙烯．富馬酸共聚物、乙烯．巴豆酸共聚物等乙烯．不飽和羧酸共聚物以及該些的鹽；乙烯．乙酸乙烯酯共聚物、乙烯．丙酸乙烯酯共聚物、乙烯．丁酸乙烯酯共聚物、乙烯．硬脂酸乙烯酯共聚物等乙烯．乙烯酯共聚物；乙烯．苯乙烯共聚物等。
該些中，作為所述乙烯．極性單體共聚物(B)，就其獲取容易性與性能的平衡而言，較佳為包含選自乙烯．乙烯酯共聚物及乙烯．不飽和羧酸酯共聚物中的一種或兩種以上，特佳為包含乙烯．乙酸乙烯酯共聚物。
所述乙烯．乙酸乙烯酯共聚物為乙烯與乙酸乙烯酯的共聚物，例如為無規共聚物。
所述乙烯．乙酸乙烯酯共聚物中的源於乙酸乙烯酯的構成單元的含有比例較佳為5質量%以上且50質量%以下，更佳為10質量%以上且45質量%以下，進而佳為15質量%以上且40質量%以下。若乙酸乙烯酯的含量處於該範圍，則黏著性膜100的柔軟性、耐熱性、透明性、機械性質的平衡更加優異。另外，當將凹凸吸收性樹脂層20成膜時，成膜性亦變良好。
乙酸乙烯酯含量可依據日本工業標準(Japanese Industrial Standards，JIS)K7192：1999進行測定。
另外，乙烯．乙酸乙烯酯共聚物較佳為僅包含乙烯及乙酸乙烯酯的二元共聚物，但除乙烯及乙酸乙烯酯以外，亦可包含選自例如甲酸乙烯酯、甘醇酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯等乙烯酯系單量體；丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸(ethacrylic acid)、或該些的鹽或者烷基酯等丙烯酸系單量體等中的一種或兩種以上作為共聚合成分。於包含除所述乙烯及乙酸乙烯酯以外的共聚合成分的情況下，較佳為將乙烯．乙酸乙烯酯共聚物中的除所述乙烯及乙酸乙烯酯以外的共聚合成分的量設為0.5質量%以上且5質量%以下。
依據JIS K7210：1999，於190℃、2.16kg負荷的條件下測定的乙烯．極性單體共聚物(B)的熔體流動速率(MFR)較佳為0.1g/10min~50g/10min，更佳為0.2g/10min~45g/10min，進而佳為0.5g/10min~40g/10min。
若MFR為所述下限值以上，則乙烯．極性單體共聚物(B)的流動性提高，可使凹凸吸收性樹脂層20的成形加工性更良好。
另外，若MFR為所述上限值以下，則分子量變高，不易發生朝冷卻輥(chill roll)等的輥面的附著，從而可獲得厚度更加均勻的凹凸吸收性樹脂層20。
凹凸吸收性樹脂層20例如可藉由將各成分乾摻合(dry blending)或熔融混煉後進行擠出成形而獲得。另外，視需要可添加抗氧化劑。
凹凸吸收性樹脂層20的厚度只要為可填埋電子零件的 電路形成面的凹凸的厚度，則無特別限制，例如較佳為10μm以上且800μm以下，更佳為50μm以上且600μm以下，進而佳為100μm以上且500μm以下。
<黏著性樹脂層>
本實施形態的黏著性膜100具備黏著性樹脂層30。
黏著性樹脂層30為設置於凹凸吸收性樹脂層20的其中一面側的層，是當將黏著性膜100貼附於電子零件的電路形成面時，與電子零件的電路形成面接觸而黏著的層。
構成黏著性樹脂層30的黏著劑可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑、苯乙烯系黏著劑等。該些中，就可容易地調整黏接力的方面等而言，較佳為將(甲基)丙烯酸系樹脂作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸系黏著劑。
另外，作為構成黏著性樹脂層30的黏著劑，較佳為使用藉由放射線而使黏著力下降的放射線交聯型黏著劑。
由放射線交聯型黏著劑構成的黏著性樹脂層30由於藉由放射線的照射而交聯，黏著力顯著減小，因此容易將電子零件自黏著性膜100剝離。作為放射線，可列舉：紫外線、電子束、紅外線等。
放射線交聯型黏著劑較佳為紫外線交聯型黏著劑。
(甲基)丙烯酸系黏著劑中所含的(甲基)丙烯酸系樹脂例如可列舉：(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合 物與共聚單體的共聚物等。(甲基)丙烯酸酯化合物例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。該些(甲基)丙烯酸酯化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
另外，構成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚單體例如可列舉：乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯醯胺、羥甲基(甲基)丙烯醯胺、馬來酸酐等。該些共聚單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
放射線交聯型的(甲基)丙烯酸系黏著劑可例示如下的黏著劑，其包含分子中具有聚合性碳-碳雙鍵的(甲基)丙烯酸系樹脂、分子內具有2個以上的聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物、及光起始劑，且所述黏著劑視需要藉由交聯劑而使所述(甲基)丙烯酸系樹脂進行交聯而獲得。
分子中具有聚合性碳-碳雙鍵的(甲基)丙烯酸系樹脂具體而言是以如下方式獲得。首先，使具有乙烯性雙鍵的單體與具有官能基(P)的共聚合性單體進行共聚合。繼而，使該共聚物中所含的官能基(P)和具有可與該官能基(P)產生加成反應、縮合反應等的官能基(Q)的單體，以殘留該單體中的雙鍵的狀態進行反應，於共聚物分子中導入聚合性碳-碳雙鍵。
作為所述具有乙烯性雙鍵的單體，例如自(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯 酸乙酯等丙烯酸烷基酯及甲基丙烯酸烷基酯單體、乙酸乙烯酯之類的乙烯酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、苯乙烯等具有乙烯性雙鍵的單體中，使用一種或兩種以上。
所述具有官能基(P)的共聚合性單體可列舉：(甲基)丙烯酸、馬來酸、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯等。該些可為一種，亦可將兩種以上組合使用。
所述具有乙烯性雙鍵的單體與具有官能基(P)的共聚合性單體的比例較佳為，所述具有乙烯性雙鍵的單體為70質量%~99質量%，具有官能基(P)的共聚合性單體為1質量%~30質量%。進而佳為，所述具有乙烯性雙鍵的單體為80質量%~95質量%，具有官能基(P)的共聚合性單體為5質量%~20質量%。
所述具有官能基(Q)的單體例如可列舉與所述具有官能基(P)的共聚合性單體相同的單體。
於具有乙烯性雙鍵的單體與具有官能基(P)的共聚合性單體的共聚物中，導入聚合性碳-碳雙鍵時進行反應的官能基(P)與官能基(Q)的組合理想為羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等容易產生加成反應的組合。另外，並不限於加成反應，只要為羧酸基與羥基的縮合反應等可容易地導入聚合性碳-碳雙鍵的反應，則可使用任意的反應。
作為分子中具有2個以上的聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物，例如可列舉：三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙 烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。該些可使用一種或兩種以上。相對於所述(甲基)丙烯酸系樹脂100質量份，分子中具有2個以上的聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物的添加量較佳為0.1質量份~20質量份，更佳為5質量份~18質量份。
光起始劑例如可列舉：安息香、異丙基安息香醚、異丁基安息香醚、二苯甲酮、米其勒酮(Michler's ketone)、氯硫雜蒽酮、十二烷基硫雜蒽酮、二甲基硫雜蒽酮、二乙基硫雜蒽酮、苯乙酮二乙基縮酮、苄基二甲基縮酮、1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等。該些可使用一種或兩種以上。相對於所述(甲基)丙烯酸系樹脂100質量份，光起始劑的添加量較佳為0.1質量份~15質量份，更佳為5質量份~10質量份。
所述紫外線硬化型黏著劑中亦可添加交聯劑。交聯劑例如可列舉：山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二丙三醇聚縮水甘油醚等環氧系化合物，四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、N,N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)等氮丙啶系化合物，四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、聚異氰酸酯等異氰酸酯系化合物等。所述紫外線硬化型黏著劑可為溶劑類型、乳膠類型、熱熔類型等的任一種。
交聯劑的含量通常較佳為交聯劑中的官能基數不會多於(甲基)丙烯酸系樹脂中的官能基數的程度的範圍。但是，於交聯反應中新產生官能基的情況、或交聯反應緩慢的情況等，視需要亦可過量地含有。
就提高黏著性樹脂層30的耐熱性或與密合力的平衡的觀點而言，相對於(甲基)丙烯酸系樹脂100質量份，(甲基)丙烯酸系黏著劑中的交聯劑的含量較佳為0.1質量份以上且15質量份以下。
黏著性樹脂層30例如可藉由在凹凸吸收性樹脂層20上塗佈黏著劑塗佈液而形成。
作為塗佈黏著劑塗佈液的方法，例如可採用輥塗佈機法、反向輥塗佈機法、凹版輥法、棒塗法、缺角輪塗佈機法、模塗佈機法等現有公知的塗佈方法。所塗佈的黏著劑的乾燥條件並無特別限制，通常較佳為於80℃~200℃的溫度範圍內乾燥10秒~10分鐘。進而佳為於80℃~170℃下乾燥15秒~5分鐘。為了充分促進交聯劑與(甲基)丙烯酸系樹脂的交聯反應，亦可於黏著劑塗佈液的乾燥結束後，於40℃~80℃下加熱5小時~300小時左右。
於本實施形態的黏著性膜100中，黏著性樹脂層30的厚度並無特別限制，例如較佳為1μm以上且100μm以下，更佳為3μm以上且80μm以下，進而佳為5μm以上且60μm以下。
繼而，對本實施形態的黏著性膜100的製造方法的一例進行說明。
首先，於基材層10的其中一面上，利用擠出層壓法來形成凹 凸吸收性樹脂層20。繼而，於凹凸吸收性樹脂層20上塗佈黏著劑塗佈液並使其乾燥，藉此可形成黏著性樹脂層30，從而獲得黏著性膜100。
另外，基材層10與凹凸吸收性樹脂層20可藉由共擠出成形而形成，亦可將膜狀的基材層10與膜狀的凹凸吸收性樹脂層20進行層壓(積層)而形成。
2.電子裝置的製造方法
本實施形態的電子裝置的製造方法至少包括以下兩個步驟。
(A)準備步驟，準備結構體，所述結構體包括：具有電路形成面的電子零件、以及貼合於所述電子零件的所述電路形成面側的黏著性膜100；(B)研磨步驟，對所述電子零件的與所述電路形成面側為相反側的面進行研磨。
而且，作為黏著性膜100，使用本實施形態的黏著性膜100。本實施形態的電子裝置的製造方法的特徵在於：當對電子零件的背面進行研磨時，使用本實施形態的黏著性膜100作為所謂的背面研磨膠帶。
以下，對本實施形態的電子裝置的製造方法的各步驟進行說明。
(步驟(A))
首先，準備如下的結構體，所述結構體包括：具有電路形成面的電子零件；及貼合於電子零件的電路形成面側的黏著性膜 100。
此種結構體例如可藉由將脫模膜自黏著性膜100的黏著性樹脂層30剝離，使黏著性樹脂層30的表面露出，並於該黏著性樹脂層30上貼附電子零件的電路形成面來製作。
此處，於黏著性膜100上貼附電子零件的電路形成面時的條件並無特別限定，例如，溫度可設為30℃~80℃，壓力可設為0.05MPa~0.5MPa，貼附速度可設為0.5mm/s~20mm/s。
步驟(A)較佳為進而包括藉由將黏著性膜100加溫並貼附於電子零件的電路形成面上來製作結構體的步驟(A2)。藉此，可長時間地使黏著性樹脂層30與電子零件的黏接狀態良好。加溫溫度並無特別限定，例如為60℃~80℃。
將黏著性膜100貼附於電子零件上的操作亦有利用人手來進行的情況，但通常可利用安裝有卷狀黏著膜的被稱為自動黏貼機的裝置來進行。
貼附於黏著性膜100上的電子零件並無特別限定，較佳為具有電路形成面的電子零件。例如可列舉半導體晶圓、環氧模製晶圓、模製面板、模製陣列封裝(molding array package)、半導體基板等，較佳為半導體晶圓及環氧模製晶圓。
另外，半導體晶圓例如可列舉矽晶圓、藍寶石晶圓、鍺晶圓、鍺-砷晶圓、鎵-磷晶圓、鎵-砷-鋁晶圓、鎵-砷晶圓、鉭酸鋰晶圓等，但適宜地使用矽晶圓。環氧模製晶圓可列舉藉由作為扇出(fan-out)型晶圓級封裝(Wafer Level Packaging，WLP)的製作 方法之一的嵌入式晶圓級球柵陣列(Embedded Wafer Level Ball Grid Array，eWLB)製程而製作的晶圓。
具有電路形成面的半導體晶圓及環氧模製晶圓並無特別限定，例如使用表面形成有配線、電容器、二極體或電晶體等電路者。另外，亦可對電路形成面進行電漿處理。
電子零件的電路形成面例如藉由具有電極而成為凹凸面。
另外，電極例如為將電子裝置安裝於安裝面時，相對於安裝面上所形成的電極而接合，並形成電子裝置與安裝面(印刷基板等的安裝面)之間的電性連接者。
電極例如可列舉：球狀凸塊(ball bump)、印刷凸塊、螺柱凸塊(stud bump)、鍍覆凸塊、柱形凸塊(pillar bump)等凸塊電極。即，電極通常為凸電極。該些凸塊電極可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
凸塊電極的高度及直徑並無特別限定，分別較佳為10μm~400μm，更佳為50μm~300μm。此時的凸塊間距亦無特別限定，較佳為20μm~600μm，更佳為100μm~500μm。
另外，構成凸塊電極的金屬種並無特別限定，例如可列舉：焊料、銀、金、銅、錫、鉛、鉍及該些的合金等，但黏著性膜100適宜地用於凸塊電極為焊料凸塊的情形。該些金屬種可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
(步驟(B))
繼而，對所述電子零件的與所述電路形成面側為相反側的面(以下亦稱為背面)進行研磨(亦稱為背面研磨)。
此處，所謂進行研磨，是指於不會使電子零件破裂、或破損的情況下，進行薄化加工至既定的厚度為止。
例如，於研磨機的夾盤工作台(chuck table)等上固定所述結構體，對電子零件的背面(電路非形成面)進行研磨。
於此種背面研磨操作中，將電子零件研磨至厚度成為250μm以下為止。視需要，有時亦磨削至薄於100μm。研磨前的電子零件的厚度是根據電子零件的直徑、種類等來適當決定，研磨後的電子零件的厚度是根據所獲得的晶片的尺寸、電路的種類等來適當決定。
此處，於將電子零件薄薄地研磨至厚度成為250μm以下為止的情況下，電子零件容易發生翹曲，但若使用本實施形態的黏著性膜100，則能夠抑制該電子零件的翹曲。
因而，於本實施形態的電子裝置的製造方法中，於研磨步驟(B)中，能夠一面抑制電子零件的翹曲，一面對電子零件的與電路形成面側為相反側的面進行研磨，直至電子零件的厚度成為250μm以下、較佳為200μm以下、更佳為150μm以下、進而佳為100μm以下為止。
本實施形態的電子零件的厚度不包括電極等凹凸的高度。即，本實施形態的電子零件的厚度是指晶圓或基板的厚度。
背面研磨方式並無特別限定，可採用公知的研磨方式。 各種研磨可一面將水供給至電子零件與研磨石上而冷卻一面進行。視需要可於研磨步驟的最後進行作為不使用研磨水的研磨方式的乾式拋光(dry polishing)步驟。背面研磨結束後，視需要進行化學蝕刻。化學蝕刻是利用以下等方法來進行：於選自由包含氫氟酸、硝酸、硫酸、乙酸等單獨或者混合液的酸性水溶液，氫氧化鉀水溶液、氫氧化鈉水溶液等鹼性水溶液所組成的群組中的蝕刻液中，以黏貼有黏著性膜100的狀態浸漬電子零件。該蝕刻是出於電子零件背面所產生的應變的去除、電子零件的進一步薄層化、氧化膜等的去除、將電極形成於背面時的預處理等的目的而進行。蝕刻液是根據所述目的來適當選擇。
(步驟(C))
於本實施形態的電子裝置的製造方法中，於研磨步驟或化學蝕刻結束後，亦可進行將黏著性膜100自電子零件表面剝離的剝離步驟(C)。該一系列的操作亦有利用人手來進行的情況，通常可利用被稱為自動剝離機的裝置來進行。
剝離了黏著性膜100之後的電子零件的表面視需要亦可進行清洗。清洗方法可列舉：水清洗、溶劑清洗等濕式清洗；電漿清洗等乾式清洗等。於濕式清洗的情況下，亦可併用超音波清洗。該些清洗方法可根據電子零件表面的污染狀況來適當選擇。
(其他步驟)
進行了步驟(A)~步驟(C)之後，亦可進而進行：將電子零件切割而單片化，從而獲得半導體晶片的步驟；或將所獲得的 半導體晶片安裝於電路基板上的步驟等。該些步驟可基於公知的資訊來進行。
以上，對本發明的較佳實施形態進行了敘述，但該些為本發明的例示，亦可採用所述以外的多種構成。
[實施例]
以下，藉由實施例及比較例來對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於此。
與黏著性膜的製作有關的詳情如以下所述。
<凹凸吸收性樹脂層形成用的樹脂>
樹脂1：乙烯．丙烯共聚物(三井化學公司製造，商品名：塔夫瑪(TAFMER)P0275，密度：861kg/m3，熔體流動速率(190℃)：2.9g/10min)
樹脂2：乙烯．乙酸乙烯酯共聚物(三井杜邦聚合化學(DuPont-Mitsui Polychemicals)公司製造，商品名：艾瓦弗萊斯(EVAFLEX)EV170，乙酸乙烯酯含量：33質量%，密度：960kg/m3，熔體流動速率(190℃)：1g/10min)
樹脂3：乙烯．乙酸乙烯酯共聚物(三井杜邦聚合化學(DuPont-Mitsui Polychemicals)公司製造，商品名：艾瓦弗萊斯(EVAFLEX)EV150，乙酸乙烯酯含量：33質量%，密度：960kg/m3，熔體流動速率(190℃)：30g/10min)
<黏著劑聚合物(丙烯酸系樹脂)>
將丙烯酸乙酯49質量份、丙烯酸-2-乙基己酯20質量份、丙 烯酸甲酯21質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯10質量份、以及作為聚合起始劑的過氧化苯甲醯0.5質量份混合。將所獲得的混合物一面攪拌一面於80℃下花5小時滴加於加入有甲苯65質量份及乙酸乙酯50質量份的氮置換的燒瓶中，進而攪拌5小時而使其反應。反應結束後，將所獲得的溶液冷卻，於冷卻了的溶液中加入二甲苯25質量份、丙烯酸5質量份、以及十四烷基二甲基苄基氯化銨0.5質量份，一面吹入空氣一面於85℃下進行32小時反應，從而獲得黏著劑聚合物溶液。
<黏著性樹脂層用的黏著劑塗佈液>
相對於黏著劑聚合物(固體成分)100質量份，添加作為光起始劑的苄基二甲基縮酮(巴斯夫(BASF)公司製造，商品名：豔佳固(Irgacure)651)7質量份、異氰酸酯系交聯劑(三井化學公司製造，商品名：歐萊斯特(Olester)P49-75S)1質量份、二季戊四醇六丙烯酸酯(東亞合成公司製造，商品名：亞羅尼斯(Aronix)M-400)12質量份，從而獲得黏著性樹脂層用的黏著劑塗佈液。
[實施例1]
將成為凹凸吸收性樹脂層的塔夫瑪(TAFMER)P0275(80質量份)及艾瓦弗萊斯(EVAFLEX)EV170(20質量份)乾摻合。繼而，於成為基材層的聚對苯二甲酸乙二酯膜(50μm)上，使用單軸擠出機將所述凹凸吸收性樹脂的乾摻合物以厚度成為350μm的方式擠出層壓，從而獲得基材層與凹凸吸收性樹脂層的積層膜。
繼而，將黏著性樹脂層用的黏著劑塗佈液塗佈於經矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜(38μm)上，繼而使其乾燥，形成厚度40μm的黏著性樹脂層。繼而，將所獲得的黏著性樹脂層貼合於所述積層膜的凹凸吸收性樹脂層側，藉此獲得黏著性膜。對所獲得的黏著性膜進行以下的各評價。將所得的結果示於表1中。
<評價>
(1)基材層的熱收縮率
依據JIS C2151，於150℃下對基材層進行30分鐘熱處理，藉由100×(L0-L1)/L0而算出基材層的熱收縮率。此處，將熱處理前的基材層10的MD方向的長度設為L0，將於150℃下進行30分鐘熱處理之後冷卻至室溫的基材層10的MD方向的長度設為L1。
(2)凹凸吸收性樹脂層的70℃下的儲存彈性係數G'
將凹凸吸收性樹脂層以厚度成為2mm的方式重疊，並於如下的條件下進行壓製成形。將所獲得的壓製片(press sheet)裁切為ψ 25mm的圓形，並設為試驗片。
<壓製條件>
加熱溫度：200℃、預熱時間：2分鐘
正式加壓負荷：15MPa、正式加壓時間：2分鐘
冷卻溫度：20℃、冷卻時間：3分鐘
繼而，使用動態黏彈性測定裝置(TA儀器(TA Instruments) 公司製造，製品名：ARES-G2)，將所獲得的試驗片夾持於直徑25mm的平行板，測定於升溫速度5℃/min、溫度範圍40℃~150℃、角頻率6.3弧度/秒(rad/s)、扭轉模式的條件下的動態黏彈性的溫度依賴性。
根據所獲得的曲線圖，分別求出70℃下的凹凸吸收性樹脂層的儲存彈性係數G'。
(3)凹凸吸收性樹脂層的熔點(Tm)及熔解熱
凹凸吸收性樹脂層的熔點(Tm)及熔解熱是依據示差掃描型熱量測定法(differential scanning calorimetry，DSC)並藉由示差掃描型熱量計(SII公司製造，製品名：X-DSC7000)進行測定。將試樣約10mg放入至鋁盤(aluminum pan)中，自30℃以10℃/min升溫至230℃後(第1次加熱)保持5分鐘。繼而，以10℃/min冷卻至-100℃，保持5分鐘後，再次以10℃/min升溫至230℃(第2次加熱)。於橫軸表示溫度、縱軸表示DSC時的第2次加熱時的曲線圖中，根據吸熱峰求出熔點(Tm)及熔解熱。熔點是根據賦予吸熱峰的峰頂的溫度而求出，熔解熱是根據吸熱峰的面積而求出。
(4)凸塊吸收直徑評價
圖2是用以說明凸塊吸收直徑的示意圖。使用背面研磨用保護膠帶貼附裝置(日東精機公司製造，DR3000II)將黏著性膜100貼附於8英寸的凸塊晶圓200(焊料凸塊250、凸塊高度：200μm、凸塊直徑：270μm、凸塊間距：400μm)上(工作台溫度：70℃、 層壓負荷：90%、層壓速度：2mm/s)。利用光學顯微鏡(奧林巴斯(Olympus)公司製造，MX61L)來觀察所獲得的貼附有黏著性膜的晶圓，自藉由圖像測量模式觀測到浮起的部位來測定黏著性膜的凸塊吸收直徑D。
凸塊吸收直徑D小者意味著周圍的浮起小，且凸塊吸收性優異。
(5)研磨後的半導體晶圓的翹曲量
使用背面研磨用保護膠帶貼附裝置(日東精機製造，DR3000II)將所述黏著性膜貼附於12英寸的鏡面矽晶圓上(工作台溫度：70℃、層壓負荷：90%、層壓速度：2mm/s)。對於所獲得的貼附有黏著性膜的晶圓，使用研磨/拋光裝置(迪思科(Disco)公司製造，DGP8760)將矽晶圓研磨至厚度50μm為止。將所獲得的研磨後的貼附有黏著性膜的晶圓以黏著性膜成為上側的方式放置於平坦的場所，測定翹起的距離。
[實施例2]
除了將成為凹凸吸收性樹脂層的塔夫瑪(TAFMER)P0275及艾瓦弗萊斯(EVAFLEX)EV170的調配設為表1所示的值以外，以與實施例1相同的方式製作黏著性膜。另外，與實施例1同樣地進行各評價。將所得的結果示於表1中。
[實施例3]
除了將成為凹凸吸收性樹脂層的塔夫瑪(TAFMER)P0275及艾瓦弗萊斯(EVAFLEX)EV170的調配設為表1所示的值以外， 以與實施例1相同的方式製作黏著性膜。另外，與實施例1同樣地進行各評價。將所得的結果示於表1中。
[比較例1]
除了使用艾瓦弗萊斯(EVAFLEX)EV150作為構成凹凸吸收性樹脂層的熱塑性樹脂以外，以與實施例1相同的方式製作黏著性膜。另外，除了以下所示的(2)凹凸吸收性樹脂層的70℃下的儲存彈性係數G'以外，與實施例1同樣地進行各評價。將所得的結果示於表1中。
(2)凹凸吸收性樹脂層的70℃下的儲存彈性係數G'
以厚度成為2mm的方式於如下的條件下對艾瓦弗萊斯(EVAFLEX)EV150的顆粒(pellet)進行壓製成形。將所獲得的壓製片裁切為ψ 25mm的圓形，並設為試驗片。
<壓製條件>
加熱溫度：180℃、預熱時間：2分鐘
正式加壓負荷：15MPa、正式加壓時間：2分鐘
冷卻溫度：20℃、冷卻時間：3分鐘
繼而，使用動態黏彈性測定裝置(TA儀器(TA Instruments)公司製造，製品名：ARES-G2)，將所獲得的試驗片夾持於直徑25mm的平行板，測定於升溫速度5℃/min、溫度範圍40℃~150℃、角頻率6.3rad/s、扭轉模式的條件下的動態黏彈性的溫度依賴性。
根據所獲得的曲線圖而求出70℃下的凹凸吸收性樹脂層的儲存彈性係數G'。
Figure 108113996-A0305-02-0035-1
此處，於使用實施例1~實施例3的黏著性膜的情況下，研磨後的半導體晶圓的翹曲量小，為良好的結果，其中，所述實施例1~實施例3的黏著性膜利用了藉由示差掃描熱量計(DSC)測定的熔點處於10℃以上且50℃以下的範圍的凹凸吸收性樹脂層。另外，實施例的黏著性膜的凸塊吸收直徑接近於凸塊晶圓的凸塊直徑270μm。即，實施例的黏著性膜的凹凸吸收性亦優異。
根據以上，可理解為：依序包括基材層、凹凸吸收性樹脂層、及黏著性樹脂層，且凹凸吸收性樹脂層的熔點(Tm)處於10℃以上且50℃以下的範圍的本實施形態的黏著性膜100能夠抑制研磨後的半導體晶圓的翹曲，並且凹凸吸收性亦優異。
相對於此，可理解為：關於凹凸吸收性樹脂層的熔點(Tm)超過50℃的比較例1的黏著性膜，研磨後的半導體晶圓的翹曲量 大，無法抑制研磨後的半導體晶圓的翹曲。另外，觀察到較晶圓的凸塊直徑大70μm的凸塊吸收直徑。即，可理解為：比較例的黏著性膜的凹凸吸收性較實施例的黏著性膜差。
本申請案主張以2018年4月24日提出申請的日本專利申請案特願2018-083419號為基礎的優先權，將其揭示全部併入本案中。
10‧‧‧基材層
20‧‧‧凹凸吸收性樹脂層
30‧‧‧黏著性樹脂層
100‧‧‧黏著性膜

Claims (9)

  1. 一種黏著性膜，其用於加工電子零件，所述黏著性膜依序包括基材層、凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層，且所述凹凸吸收性樹脂層包含熱塑性樹脂，藉由示差掃描熱量計(DSC)測定的所述凹凸吸收性樹脂層的熔點(Tm)處於10℃以上且50℃以下的範圍內，所述電子零件具有電路形成面，所述黏著性膜用於對所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面進行研磨，以使所述電子零件的厚度成為250μm以下，以及所述熱塑性樹脂包含乙烯．α-烯烴共聚物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的黏著性膜，其中，藉由動態黏彈性測定裝置(扭轉模式)測定的70℃下的所述凹凸吸收性樹脂層的儲存彈性係數G'為1.0×104Pa以上且1.0×106Pa以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的黏著性膜，其中，於150℃下進行30分鐘熱處理時的所述基材層的熱收縮率為0.05%以上且1.2%以下。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的黏著性膜，其中，所述熱塑性樹脂更包含乙烯．極性單體共聚物。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的黏著性膜，其中，所述乙烯．極性單體共聚物包含乙烯．乙酸乙烯酯共聚物。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的黏著性膜，其中， 當將所述凹凸吸收性樹脂層所包含的所述乙烯．α-烯烴共聚物及所述乙烯．極性單體共聚物的合計量設為100質量份時，所述凹凸吸收性樹脂層中的所述乙烯．極性單體共聚物的含量為10質量份以上且70質量份以下。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的黏著性膜，其中，所述電子零件於所述電路形成面上具有凸塊電極。
  8. 一種電子裝置的製造方法，其至少包括：準備步驟，準備結構體，所述結構體包括：具有電路形成面的電子零件、以及貼合於所述電子零件的所述電路形成面側且如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的黏著性膜；以及研磨步驟，對所述電子零件的與所述電路形成面側為相反側的面進行研磨。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的電子裝置的製造方法，其中，於所述研磨步驟中，對所述電子零件的與所述電路形成面側為相反側的面進行研磨，直至所述電子零件的厚度成為250μm以下為止。
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