KR20000017190A - 다이싱 테이프 및 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법 - Google Patents
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Abstract
기재시트와 그 일측 표면 상에 형성된 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프에 있어서, 상기 기재시트는 상기 점착제층과 접촉하는 상부층, 상기 상부층 아래에 형성된 중간층, 및 상기 중간층 아래에 형성된 하부층을 포함하고, 탄성율과 층두께의 곱으로 표현되는 항신장성에 관하여, 상기 상부층의 항신장성(A), 상기 중간층의 항신장성(B), 및 상기 하부층의 항신장성(C)은 B ＜ A ≤ C 의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프가 개시되어 있다. 본 발명의 다이싱 테이프는 익스팬드 공정에 있어서, 점착제의 탄성율에 영향을 받지 않고 각 칩의 간격을 균일하고 충분하게 넓힐 수 있고, 또한 다이싱 라인에서의 파단이 생기는 일이 없다.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼의 다이싱 테이프 및 상기 다이싱 테이프를 사용하는 다이싱 방법에 관한 것이다.
다이싱 테이프는 일련의 반도체 칩 제조공정에서의 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해 사용되는 테이프이고, 다이싱공정은 반도체 웨이퍼부터 개개의 칩으로 절단하는 공정이다. 상기 다이싱공정에 연속해서 익스팬드공정, 픽업공정 및 마운팅공정이 수행된다.
익스팬드공정에서는 다이싱 테이프를 연신하고, 다이싱공정에서 형성된 절단선(즉, 다이싱 라인)의 폭을 넓히는 것에 의해 칩 간격을 확장한다. 상기 익스팬드공정에서 칩 간격을 넓히는 목적은 칩의 인식성을 높이고, 또한 픽업 시에 인접하는 칩이 상호 접촉하는 것에 의해 야기되는 칩의 파손을 방지하기 위한 것이다.
현재, 익스팬드공정은 다이싱 테이프를 연신하기 위해 익스팬드장치가 사용된다. 이러한 익스팬드장치에서 연신량이나 연신시에 가해지는 토크가 일반적으로 일정 레벨에서 설정된다. 다이싱 테이프의 종류나 그 위에 점착되어 있는 반도체 웨이퍼의 사이즈에 따라 연신량이나 토크를 변화시켜 익스팬드장치를 조정하는 것은 매우 번잡한 조작이 된다.
이러한 이유 때문에, 익스팬드장치에서 연신된 다이싱 테이프 기재가 큰 연성을 가질 때, 연신응력은 반도체 웨이퍼 점착부까지 전달되지 않고, 따라서 충분한 칩 간격이 얻어지지 않는다. 반대로, 연신되는 다이싱 테이프 기재가 작은 연성을 가질 때, 익스팬드장치에 의해 연신되는 토크가 불충분하게 되고, 다시싱 테이프의 다이싱 라인의 간격이 불균일하게 넓어지거나, 또는 다이싱 테이프가 파단되어 버린다.
일본특허공개공보 8-124881호에는 최상부층인 점착제층, 작은 연성을 갖는 중간시트층, 및 높은 연성을 갖는 기층으로 된 3층 구조를 갖는 다이싱 테이프가 개시되어 있다. 그러나 이러한 3층 구조로 된 다이싱 테이프가 통상적인 방법으로 사용되는 경우에도 반도체 웨이퍼 점착부의 주연에는 다이싱 라인이 형성되지 않는 부분이 존재하고, 그 부분에도 다이싱 라인이 형성되어 있는 부분과 동시에 연신되므로, 익스팬드장치에 의해 가해진 연신 토크가 불충분하게 되거나, 또는 다이싱 테이프가 파단되어 버리는 경우가 있다.
다이싱 테이프의 표면에 도포되는 점착제로는, 통상의 점착제 뿐만 아니라 자외선(UV) 경화 점착제가 널리 채용되고 있다. 통상의 점착제의 경우는 탄성율이 104내지 106N/㎡이고, 반면에 자외선 경화 점착제의 탄성율은 자외선 조사후에 107내지 109N/㎡까지 상승한다. 점착제가 높은 탄성율을 가질 때에는 픽업공정에서 스러스팅 니들에 의해 상방으로 스러스트될 때 약간 변형되고, 픽업 공정이 짧아지고, 따라서 칩 이면의 오염이 감소된다. 그러나 익스팬드장치는 칩의 간격을 넓히기 위해 높은 토크를 갖는 것이 요구된다. 역으로, 점착제가 낮은 탄성율을 가질 때에는 익스팬드공정에서 다이싱 테이프에 가해진 응력이 점착제층의 변형에 의해 완화되므로, 상기 응력은 다이싱 라인에 충분히 전달되지 않고, 따라서 칩의 충분한 간격이 얻어지지 않는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래기술의 상기 문제점을 해결할 수 있고, 다이싱에서의 익스팬드공정에 있어서, 점착제의 탄성율에 의한 영향이 없이 다이싱 라인의 간격을 균일하고 충분하게 넓힐 수 있고, 또한 다이싱 라인에서 파단이 생기지 않는 다이싱 테이프를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 다이싱 테이프가 사용되는 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 다이싱 테이프를 도식적으로 나타내는 단면도이고,
도 2는 도 1에 나타내는 본 발명의 다이싱 테이프에 반도체 웨이퍼를 첩부하고, 또한 다이싱 라인을 형성한 상태를 도식적으로 나타내는 단면도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 다이싱 테이프
2 : 기재 시트
3 : 점착제층
4 : 반도체 웨이퍼
5 : 다이싱 라인
5h : 다이싱라인의 절단 깊이
21 : 상부층
21a : 제1 상부층
21b : 제2 상부층
22 : 중간층
23 : 하부층
23a : 제1 하부층
21b : 제2 하부층
다른 목적 및 이점은 다음 설명으로부터 분명해질 것이다.
본 발명에 따르면, 기재시트 및 상기 기재 시트의 일측 표면에 형성된 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프를 포함하고, 여기서 상기 기재 시트는 점착제층과 직접 접촉하는 상부층, 상부층 아래에 인접하는 중간층, 및 중간층 아래에 인접하는 하부층으로 되어 있고, 상부층의 항신장성(A), 중간층의 항신장성(B), 및 하부층의 항신장성(C)은 하기 수학식 1을 만족하고, 항신장성은 탄성율과 층두께의 곱으로 표현된다.
바람직하게는, 상부층의 항신장성(A), 중간층의 항신장성(B), 및 하부층의 항신장성(C)은 상기 수학식 1을 만족하고 또한 동시에 하기 수학식 2 및 수학식 3을 만족한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 상부층은 2층 이상의 층을 포함하고, 상부층 전체의 항신장성(A)은 상부층을 구성하는 각 층마다의 탄성율과 층두께의 곱의 합계이다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서, 하부층은 2층 이상의 층을 포함하고, 하부층 전체의 항신장성(C)은 하부층을 구성하는 각 층마다의 탄성율과 층두께의 곱의 합계이다.
또한, 본 발명에 따르면, 하기 (a), (b)를 포함하는 반도체 웨이퍼를 각각의 칩으로 다이싱하는 방법을 제공한다:
(a) 다이싱 테이프의 기재시트의 일측 표면에 형성된 점착제층에 반도체 웨이퍼를 점착하고, 여기서 상기 기재 시트는 점착제층과 직접 접촉하는 상부층, 상부층에 인접하는 중간층, 및 중간층에 인접하는 하부층을 포함하고, 상부층의 항신장성(A), 중간층의 항신장성(B), 및 하부층의 항신장성(C)은 상기 수학식 1을 만족하고, 상기 항신장성은 탄성율와 층두께의 곱으로 표현되고, 그 후에
(b) 상부층은 그 상면부터 하면까지 완전히 절단되고, 중간층은 그 상면부터 내부 중간지점까지 부분적으로 절단되고, 하부층은 절단되지 않는 방식으로 다이싱 블레이드로 반도체 웨이퍼를 다이싱한다.
본 명세서에서 사용된 용어 "탄성율"은 신장 변형에 있어서 응력(T)과 스트레인(ε) 사이에서 비례관계가 성립될 때, 비례관계 T = Eε 에서의 비례상수(E)를 의미한다. 상기 용어 "탄성율"는 또한 영률을 말하는 상수이다. 탄성율은 인장시험기로 인장시험을 행하고 얻어진 인장강도와 인장 차트로부터 계산하여 결정될 수 있다. 본 명세서에 기재된 탄성율의 구체적인 수치는 인장시험기 TENSILON/UTM-4-100(Orientec Corporation)을 사용하여 측정한 값으로부터 결정하였다.
또한, 용어 "항신장성"은 층을 형성하는 시트재료의 "탄성율"과 층을 형성하는 시트재료의 "두께"를 곱하여 얻어진 값을 의미한다. 예를 들면, 상부층의 항신장성은 상부층의 "탄성율"과 상부층의 "두께"를 곱하여 얻어진 값이다. 상부층 또는 하부층이 2층 이상의 층으로 형성되어 있을 때, 이들 상부층 또는 하부층을 구성하는 각 층들의 항신장성의 합은 각각의 상부층 또는 하부층 전체의 항신장성의 값이 된다.
[발명의 실시형태]
본 발명의 다이싱 테이프는 상부층이 그 상면부터 하면까지 완전히 절단되고, 중간층이 그 상면부터 내부 중간지점까지 부분적으로 절단되고, 하부층이 절단되지 않는 형태로 사용되는 것이 바람직하다.
이하, 첨부도면에 의거하여 본 발명의 다이싱 테이프를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 다이싱 테이프의 일실시형태를 도식적으로 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 다이싱 테이프(1)는 기재시트(2)와 상기 기재 시트(2)의 일측 표면에 도포된 점착제층(3)으로 구성되어 있다. 상기 기재 시트(2)는 상부층(21), 중간층(22), 및 하부층(23)으로 구성되어 있다. 전체적으로 다이싱 테이프(1)는 점착제층(3), 상부층(21), 중간층(22), 및 하부층(23)이 차례로 위에서 아래로 향하여 적층되어 있는 4층 구조로 되어 있다.
본 발명에 따른 다이싱 테이프의 기재시트(2)에 있어서, 상부층(21)과 하부층(23)의 적어도 하나는 2층 이상의 층, 바람직하게는 2층 내지 5층으로 구성된다. 예를 들면, 도 1에서 파선으로 나타낸 바와 같이, 기재시트(2)는 제1 상부층(21a)과 제2 상부층(21b)으로 구성된 상부층(21), 중간층(22), 및 제1 하부층(23a)과 제2 하부층(23b)으로 구성된 하부층(23)으로 이루어져 있다. 상부층(21)과 하부층(23)의 적어도 하나는 2층 이상으로 구성되는 것이 바람직하고, 따라서 다이싱 테이프의 두께 및/또는 항신장성이 용이하게 제어될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같은 다이싱 테이프(1)가 사용될 때, 반도체 웨이퍼(4)는 점착제층(3) 위에 점착된다. 계속해서 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(4)는 다이싱 블레이드(도시되지 않음)에 의해 각각의 칩으로 절단되고, 다이싱 라인(5)이 형성된다. 절단공정에서는 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(4)가 상면부터 배면 또는 하면까지 완전히 절단된다. 점착제층(3)과 상부층(21)도 또한 그들의 상면부터 배면 또는 하면까지 완전히 절단된다. 상부층(21) 아래에 배치된 중간층(22)은 그 상면부터 내부중간지점까지 일부가 절단되고, 다이싱 라인(5)은 중간층(22) 아래에 배치된 하부층(23)에 도달되지는 않는다.
상부층(21)이 2층 이상의 층들로 이루어져 있을 때, 그들 각 층도 각각 상면부터 하면까지 완전히 절단된다. 또 하부층(23)이 2층 이상의 층들로 이루어져 있을 때, 그들 각 층에는 각각 다이싱 라인(5)이 형성되지 않는다.
전술한 바와 같이, 상부층(21)의 항신장성(A), 중간층(22)의 항신장성(B), 및 하부층(23)의 항신장성(C)은 상기 수학식 1을 만족한다.
바람직하게는, 상부층(21)의 항신장성(A), 중간층(22)의 항신장성(B), 및 하부층(23)의 항신장성(C)은 상기 수학식 1을 만족하는 동시에 상기 수학식 2 및 수학식 3을 만족한다.
본 발명의 다이싱 테이프(1)에 있어서, 상부층(21)의 항신장성(A)은 중간층(22)의 항신장성(B)보다 크다. 상부층(21)의 항신장성(A)이 중간층(22)의 항신장성(B)보다 크지 않으면, 상부층(21)은 비교적 쉽게 변형되고, 따라서 중간층(22)으로의 힘의 전달이 저해되므로 바람직하지 않다. 또한 상부층(21)의 항신장성(A)이 하부층(23)의 항신장성(C)보다 클 때, 다이싱 테이프(1)는 익스팬드공정 중에 그에 가해진 응력으로 인하여 쉽게 파단되므로 바람직하지 않다.
하부층(23)의 항신장성에 대한 상부층(21)의 항신장성(A)의 비(A/C)가 0.4 이상일 때, 다이싱 라인이 형성되지 않는 층의 강도가 보다 적합하게 되고, 따라서 다이싱 라인(5)은 익스팬드장치를 사용하여 실제의 익스팬드공정에서 보다 쉽게 넓힐 수 있다. 상기 비(A/C)가 1.0 이하일 때, 다이싱 라인(5)이 형성된 부분에서의 파단이 효과적으로 방지될 수 있다.
하부층(23)의 항신장성(C)에 대한 중간층(22)의 항신장성(B)의 비(B/C)가 0.5 이하일 때, 다이싱 라인(5)은 익스팬드장치를 사용하여 실제의 익스팬드공정에서 보다 균일하게 확대될 수 있다.
본 발명의 다이싱 테이프에서 기재시트(2)를 구성하는 층의 재료는 상기 수학식 1을 만족하고, 또한 임의로 상기 수학식 2와 수학식 3을 만족하는 항신장성을 제공하는 한 특별히 제한되지는 않는다. 우수한 내수성 및 내열성을 갖는 재료가 적합하고, 합성수지 필름이 특히 적합하다.
기재시트(2)의 층 재료는 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 선형 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체, 에틸렌 (메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌 메틸 (메타)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌 에틸 (메타)아크릴레이트 공중합체, 폴리비닐 클로라이드, 비닐 클로라이드-비닐 아세테이트 공중합체, 에틸렌 비닐 클로라이드-비닐 아세테이트 공중합체, 폴리우레탄, 폴리아미드, 아이오노머, 또는 스틸렌-부타디엔 고무 또는 그 수첨가물 또는 변성물 등으로 이루어진 필름을 사용할 수 있다. 상부층(21) 및/또는 하부층(23)이 2층 이상으로 되어 있는 경우에는 상기 상부층(21)과 하부층(23)의 항신장성이 상기 조건을 만족하는 범위에서 각 층을 임의의 재료로 형성할 수 있다.
본 발명의 다이싱 테이프에 있어서, 기재시트(2)의 전체 두께는 전술한 바와 같은 다이싱공정을 실시할 수 있는 한 특히 한정되는 것은 아니다. 또한 상부층(21), 중간층(22) 및 하부층(23)의 각 층의 두께도 위에서 설명한 다이싱공정에 있어서 상기 상부층(21)은 그 상면에서 하면까지 완전히 절단될 수 있고, 상기 중간층(22)은 그 상면부터 내부중간지점까지 부분적으로 절단될 수 있고, 하부층(23)은 전혀 절단되지 않는 두께를 갖는 한 특히 한정되는 것은 아니다.
일반적으로, 다이싱 테이프에 형성된 다이싱 라인의 절단 깊이(도 2의 5h)는 약 10∼40㎛이다. 따라서, 본 발명의 다이싱테이프의 전체 두께는 20∼500㎛, 보다 바람직하게는 50∼250㎛이다. 다이싱 테이프의 전체 두께가 20㎛ 이상이면, 각 층의 두께를 용이하게 제어할 수 있다. 다이싱 테이프의 전체 두께가 500㎛ 이하이면, 다이싱 테이프의 제조 및 취급이 용이하게 된다. 다이싱 테이프의 절단 팁 또는 절단 선단이 상기 중간층(22) 내부에 확실하게 머무르고, 하부층(23)에 까지 도달하지 않도록 하기 위하여, 상기 중간층의 두께를 5㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 10㎛ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다.
점착제층(3)은 종래부터 알려진 여러가지 감압접착제를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 또는 폴리비닐에테르계 등의 점착제를 사용할 수 있다. 또 자외선으로 대표되는 방사선 경화형 또는 가열발포형 점착제도 사용할 수 있다. 게다가 다이싱 및 다이본딩 겸용 가능한 점착제도 사용할 수 있다. 점착제층(3)의 두께는 3∼100㎛, 바람직하게는 10∼50㎛이다.
본 발명의 다이싱 테이프(1)는 다양한 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들면, 릴리스 라이너 상에 점착제 배합물을 공지된 롤 나이프 코터, 그래뷰어 코터, 다이 코터, 또는 리버스 코터 등에 의해 도포한 후에 건조시켜 점착제층을 형성하고, 상기 점착제층을 별도로 미리 형성한 기재시트(2)에 적층시키고, 릴리스 라이너를 제거하여 본 발명의 다이싱 테이프(1)를 제조할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 이들은 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.
[실시예 1]
본 실시예에서는 본 발명의 다이싱 테이프(1)를 제조하였다. 상기 다이싱 테이프에 있어서, 1층의 상부층(21), 1층의 중간층(22) 및 1층의 하부층(23)으로 이루어진 기재시트(2)의 상부층(21) 위에 점착제층(3)을 적층하였다.
상기 점착제층(3)을 형성하기 위한 점착제는 부틸 아크릴레이트/메틸메타아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트(50 중량부/45 중량부/5 중량부)로 제조되고 평균분자량이 500,000인 공중합체 100 중량부에 다관능 우레탄 아크릴레이트 125 중량부, 다관능 이소시아네이트 화합물 1 중량부 및 광중합개시제 5 중량부를 블렌드하여 제조된 아크릴계 자외선 경화형 점착제를 사용하였다.
상기 상부층(21)으로는 에틸렌 메타아크릴산 공중합체 필름(메타아크릴산 함유율 = 9%)을 사용하였다. 또한 상기 중간층(22)으로는 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체 필름(비닐 아세테이트 함유율 = 22%)을 사용하고, 상기 하부층(23)으로는 에틸렌 메타아크릴산 공중합체 필름(메타아크릴산 함유율 = 9%)을 사용하였다. 이들 각 층의 필름, 탄성율 및 층두께는 표 1에 나타냈다.
본 발명의 다이싱 테이프(1)는 이하의 순서로 제조하였다.
상기 필름 조성물을 3층 공압출장치로 동시에 압출하여 3층의 기재시트(2)를 형성하였다. 톨루엔으로 희석한 상기 아크릴계 자외선 경화형 점착제를 릴리스 라이너 상에 롤 나이프 코터를 사용하여 도포하고, 100℃에서 1분간 건조하여 릴리스 라이너 상에 점착제층을 형성하였다. 상기 점착제층을 상기 기판시트(2)의 상부층(21) 위에 적층하고, 릴리스 라이너를 제거하여 상기 다이싱 테이프를 얻었다. 얻어진 다이싱 테이프(1)에서의 각 층의 항신장성을 표 3에 나타내었다. 또 얻어진 다이싱 테이프(1)를 후술하는 평가예 1 및 2에 나타낸 방법으로 다이싱한 후, 익스팬드공정에서 형성된 다이싱 라인의 간격을 측정하였다. 그 결과를 표 5 및 표 6에 나타냈다.
[실시예 2]
본 실시예에서는, 기재시트(2)의 상부층(21) 위에 점착제층(3)을 적층한 본 발명의 다이싱 테이프(1)를 제조하였다. 상기 기재시트(2)는 2층의 상부층(21), 1층의 중간층(22) 및 1층의 하부층(23)이 이 순서로 적층되어 이루어졌다. 상기 점착제층(3)을 형성하기 위한 점착제는 상기 실시예 1에서 사용된 자외선 경화형 점착제를 사용하였다. 상기 각 층들의 필름, 탄성율 및 층두께를 표 1에 나타냈다.
상기 필름 조성물을 4층 공압출장치로 동시에 압출하여 4층의 기재시트(2)를 형성한 것을 제외하고는 실시예 1에 기재된 순서에 따라 본 발명의 다이싱 테이프(1)를 제조하였다. 얻어진 다이싱 테이프(1)에서의 각 층의 항신장성을 표 3에 나타내었다. 또 얻어진 다이싱 테이프(1)를 후술하는 평가예 1에 나타낸 방법으로 다이싱한 후, 익스팬드공정에서 형성된 다이싱 라인의 간격을 측정하였다. 그 결과를 표 5에 나타냈다.
[실시예 3]
본 실시예에서는, 기재시트(2)의 상부층(21) 위에 점착제층(3)을 적층한 본 발명의 다이싱 테이프(1)를 제조하였다. 상기 기재시트(2)는 1층의 상부층(21), 1층의 중간층(22) 및 2층의 하부층(23)으로 이루어졌다. 이들 층들은 이 순서로 적층되었다. 상기 점착제층(3)을 형성하기 위한 점착제는 상기 실시예 1에서 사용된 자외선 경화형 점착제를 사용하였다. 상기 각 층들의 필름, 탄성율 및 층두께를 표 1에 나타냈다.
상기 필름 조성물을 4층 공압출장치로 동시에 압출하여 4층의 기재시트(2)를 형성한 것을 제외하고는 실시예 1에 기재된 순서에 따라 본 발명의 다이싱 테이프(1)를 제조하였다. 얻어진 다이싱 테이프(1)에서의 각 층들의 항신장성을 표 3에 나타내었다. 또 얻어진 다이싱 테이프(1)를 후술하는 평가예 1에 나타낸 방법으로 다이싱한 후, 익스팬드공정에서 형성된 다이싱 라인의 간격을 측정하였다. 그 결과를 표 5에 나타냈다.
[실시예 4]
본 실시예에서는, 기재시트(2)의 상부층(21) 위에 점착제층(3)을 적층한 본 발명의 다이싱 테이프(1)를 제조하였다. 상기 기재시트(2)는 1층의 상부층(21), 1층의 중간층(22) 및 2층의 하부층(23)으로 이루어졌다. 이들 층들은 이 순서로 적층되었다. 상기 점착제층(3)을 형성하기 위한 점착제는 부틸 아크릴레이트/메틸메타아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트(85 중량부/5 중량부/10 중량부)로 제조되고 평균분자량이 600,000인 공중합체 100 중량부와 메타아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 8 중량부를 반응시켜 제조된 생성물 100 중량부에 다관능 이소시아네이트 화합물 0.9 중량부 및 광중합개시제 0.9 중량부를 블렌드하여 제조된 아크릴계 자외선 경화형 점착제를 사용하였다.
상기 각 층들의 필름, 탄성율 및 층두께를 표 1에 나타냈다.
상기 필름 조성물을 3층 공압출장치로 동시에 압출하여 3층의 기재시트(2)를 형성한 것을 제외하고는 실시예 1에 기재된 순서에 따라 본 발명의 다이싱 테이프(1)를 제조하였다. 얻어진 다이싱 테이프(1)에서의 각 층들의 항신장성을 표 3에 나타내었다. 또 얻어진 다이싱 테이프(1)를 후술하는 평가예 1에 나타낸 방법으로 다이싱한 후, 익스팬드공정에서 형성된 다이싱 라인의 간격을 측정하였다. 그 결과를 표 5에 나타냈다.
[실시예 5]
점착제층(3)을 형성하기 위한 점착제가 부틸 아크릴레이트/메틸메타아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트(75 중량부/20 중량부/5 중량부)로 제조되고 평균분자량이 500,000인 공중합체 100 중량부 100 중량부에 다관능 이소시아네이트 화합물 2 중량부를 블렌드하여 제조된 아크릴계 점착제를 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 3에 기재된 순서에 따라 상기 실시예 3의 기재시트와 같은 구조를 갖는 다이싱 테이프(1)를 제조하였다.
상기 각 층들의 탄성율 및 층두께를 표 1, 그리고 항신장성을 표 3에 나타냈다. 또 얻어진 다이싱 테이프(1)를 후술하는 평가예 1에 나타낸 방법으로 다이싱한 후, 익스팬드공정에서 형성된 다이싱 라인의 간격을 측정하였다. 그 결과를 표 5에 나타냈다.
[비교예 1]
본 비교예에서는, 기재시트가 에틸렌-메타아크릴레이트 공중합체 필름(메타아크릴레이트 함유율 = 9%)만으로 된 것을 제외하고는 상기 실시예 1에서 제조된 다이싱 테이프와 같은 순서에 따라 비교용 다이싱 테이프를 제조하였다. 각 층들의 탄성율 및 층두께를 표 2에, 그리고 얻어진 다이싱 테이프의 기재시트의 항신장성을 표 4에 나타냈다. 또 얻어진 다이싱 테이프를 후술하는 평가예 1에 나타낸 방법으로 다이싱한 후, 익스팬드공정에서 형성된 다이싱 라인의 간격을 측정하였다. 그 결과를 표 5에 나타냈다.
[비교예 2]
점착제로서 실시예 4에서 사용된 자외선 경화형 점착제를 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 1에서 제조된 다이싱 테이프와 같은 순서에 따라 비교용 다이싱 테이프를 제조하였다. 각 층들의 탄성율 및 층두께를 표 2에, 그리고 얻어진 다이싱 테이프의 기재시트의 항신장성을 표 4에 나타냈다. 또 얻어진 다이싱 테이프를 후술하는 평가예 1 및 2에 나타낸 방법으로 다이싱한 후, 익스팬드공정에서 형성된 다이싱 라인의 간격을 측정하였다. 그 결과를 표 5에 나타냈다.
하기 표 1에서, 실시예 1-4의 점착제층의 탄성율은 자외선조사 후의 탄성율이다.
| 실시예 | 항목 | 점착제층 | 기재시트 | |||
| 상부층 | 중간층 | 하부층 | ||||
| 제1상부층 | 제2상부층 | 제1하부층 | 제2하부층 | |||
| 1 | 조성탄성율(N/㎡)두께(㎛) | 아크릴계자외선경화형9.0×10810 | 에틸렌메타아크릴산공중합체(메타아크릴산함유율=9%)1.4×10830 | 에틸렌초산비닐공중합체(초산비닐함유율=22%)3.2×10730 | 에틸렌메타아크릴산공중합체(메타아크릴산함유율=9%)1.4×10840 | |
| 2 | 조성탄성율(N/㎡)두께(㎛) | 아크릴계자외선경화형9.0×10810 | 에틸렌메타아크릴산공중합체(메타아크릴산함유율=9%)1.4×10812 | 폴리프로필렌과수소첨가스틸렌부타디엔고무의블렌드1.8×1088 | 수소첨가스틸렌부타디엔고무2.8×10730 | 에틸렌메타아크릴산공중합체(메타아크릴산함유율=9%)1.4×10850 |
| 3 | 조성탄성율(N/㎡)두께(㎛) | 아크릴계자외선경화형9.0×10810 | 에틸렌메타아크릴산공중합체(메타아크릴산함유율=9%)1.4×10820 | 수소첨가스틸렌부타디엔고무2.8×10730 | 에틸렌메타아크릴산공중합체(메타아크릴산함유율=9%)1.4×10810 | 연질폴리염화비닐1.0×10840 |
| 4 | 조성탄성율(N/㎡)두께(㎛) | 아크릴계자외선경화형1.2×10710 | 에틸렌메타아크릴산공중합체(메타아크릴산함유율=9%)1.4×10830 | 에틸렌메틸메타아크릴산공중합체(메틸메타아크릴산함유율=5%)1.0×10825 | 에틸렌메타아크릴산공중합체(메타아크릴산함유율=9%)1.4×10840 | |
| 5 | 조성탄성율(N/㎡)두께(㎛) | 아크릴계8.0×10510 | 에틸렌메타아크릴산공중합체(메타아크릴산함유율=9%)1.4×10820 | 수소첨가스틸렌부타디엔고무2.8×10730 | 에틸렌메타아크릴산공중합체(메타아크릴산함유율=9%)1.4×10810 | 연질폴리염화비닐1.0×10840 |
| 점착제층 | 기재시트 | ||
| 비교예 1 | 탄성율(N/m2)두께(㎛) | 9.0×10810 | 1.4×108100 |
| 비교예 2 | 탄성율(N/m2)두께(㎛) | 1.2×10710 | 1.4×108100 |
표 2에서 비교예 1-2의 점착제층의 탄성율은 자외선조사 후의 탄성율이다.
| 항신장성(N/m) | |||||
| 상부층(A) | 중간층(B) | 하부층(C) | A/C | B/C | |
| 실시예 1 | 4.2×103 | 9.6×102 | 5.6×103 | 0.75 | 0.17 |
| 실시예 2 | 3.1×103 | 8.4×102 | 7.0×103 | 0.45 | 0.12 |
| 실시예 3 | 2.8×103 | 8.4×102 | 5.4×103 | 0.52 | 0.16 |
| 실시예 4 | 4.2×103 | 2.5×103 | 5.6×103 | 0.625 | 0.45 |
| 실시예 5 | 2.8×103 | 8.4×102 | 5.4×103 | 0.52 | 0.16 |
| 항신장성(N/m)기재시트 | |
| 비교예 1 | 14×103 |
| 비교예 2 | 14×103 |
[평가예 1 : 다이싱라인 폭의 측정(1)]
이하의 순서에 따라 다이싱 라인의 폭을 측정하였다.
상기 실시예 1-5에서 제조된 5종류의 다이싱 테이프 및 비교예 1-2에서 제조된 2종류의 비교용 다이싱 테이프 위에 반도체 웨이퍼(직경 6인치)를 첩부하였다. 다음에, 폭이 30㎛인 다이싱 블레이드를 사용하여 10mm×10mm 크기의 칩을 얻기 위해 상기 반도체 웨이퍼를 절단하였다. 다이싱 블레이드에 의한 절단깊이(5h)는 상부층(21)을 완전히 절단하고, 중간층(22)의 중간까지 절단되도록 하였다. 특히, 다이싱 라인의 절단깊이(5h)가 실시예 1 및 4에서 제조된 다이싱 테이프의 경우에는 50㎛, 실시예 2, 3 및 5의 경우에는 40㎛가 되도록 하였다. 또한 비교예 1 및 2의 경우에는 40㎛가 되도록 하였다. 계속해서 실시예 1-4 및 비교예 1-2에서 제조된 다이싱 테이프에 대해서는 자외선을 조사하여 점착제층의 점착력을 저하시킨 후, 다이싱 테이프를 본더-CPS-100(니치덴 머시너리 리미티드 제)를 사용하여 익스팬드량으로서 다이싱 프레임부터 12mm 아래로 내려 익스팬드 조작을 실시하였다.
상기 익스팬드 조작을 실시한 다음에, 다이싱 라인 폭을 반도체 웨이퍼의 주변부와 중심부에서 각각 측정하였다. 또한 각 지점에서의 측정은 다이싱 라인이 직교하는 2방향에 대하여 실시하였다. 이하 일측 방향을 "x방향"이라 하고, 그것에 직교하는 방향을 "y방향"이라 한다. 결과를 표 5에 나타냈다. 표 5에서 다이싱 라인 폭의 단위는 "㎛"이다. 또한 익스팬드 조작 실시 전의 x방향 및 y방향의 다이싱라인의 폭은 다이싱 블레이드의 폭과 같은 30㎛이다.
표 5로부터 명확해진 바와 같이, 비교예 1에서 제조된 비교용 다이싱 테이프에서는 다이싱 라인이 충분히 넓어지지 않았고, 비교예 2에서 제조된 비교용 다이싱 테이프에서는 칩 간격의 넓어짐이 불균일하였고, 반면에 본 발명의 다이싱 테이프에서는 점착제의 탄성율에 영향을 받지 않고, 균일하고 충분한 칩 간격을 얻을 수 있다는 것이 확인되었다.
| 디이싱테이프 | 다이싱라인 폭 (단위 = ㎛) | |||
| 반도체웨이퍼의 주변부 | 반도체웨이퍼의 중심부 | |||
| x방향 | y방향 | x방향 | y방향 | |
| 실시예 1실시예 2실시예 3실시예 4실시예 5비교예 1비교예 2 | 30042053022032080130 | 35035055025040090110 | 31037055020035080180 | 35033060030042090650 |
[평가예 2 : 다이싱라인 폭의 측정(2)]
본더-HS-1010(휴글 일렉트로닉스 인코포레이티드 제)를 사용하여 익스팬드량을 30mm로 한 것을 제외하고는 상기 평가예 1에 기재된 순서에 따라서, 상기 실시예 1에서 제조된 본 발명의 다이싱 테이프 및 상기 비교예 1에서 제조된 비교용 다이싱 테이프에서의 익스팬드 평가를 실시하였다. 결과를 표 6에 나타냈다. 본 평가예에서 사용한 본더는 상기 평가예 1에서 사용한 본더에 비하여 칩 간격의 폭이 더 좁은 경향이 있으므로, 비교예 1에서 제조된 비교용 다이싱 테이프에서는 칩 간격이 충분히 넓어지지 않았다. 그러나 이 조건에서도 실시예 1에서 제조된 본 발명의 다이싱 테이프에서는 충분한 칩 간격이 얻어지는 것이 확인되었다.
| 디이싱테이프 | 다이싱라인 폭 (단위 = ㎛) | |||
| 반도체웨이퍼의 주변부 | 반도체웨이퍼의 중심부 | |||
| x방향 | y방향 | x방향 | y방향 | |
| 실시예 1비교예 1 | 17040 | 21030 | 18040 | 20030 |
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 다이싱 테이프는 익스팬드 공정에 있어서, 점착제의 탄성율에 영향을 받지 않고 각 칩의 간격을 균일하고 충분하게 넓힐 수 있고, 또한 다이싱 라인에서의 파단이 생기는 일이 없다.
비록 본 발명이 특정 실시형태에 대하여만 설명을 하였지만, 그 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백한 여러가지 변형이나 변화는 본 발명의 기술사상의 범위에 있는 것은 자명한 것이다.
Claims (8)
- 기재시트와 그 일측 표면 상에 형성된 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프에 있어서,상기 기재시트는 상기 점착제층과 접촉하는 상부층, 상기 상부층 아래에 형성된 중간층, 및 상기 중간층 아래에 형성된 하부층을 포함하고,탄성율과 층두께의 곱으로 표현되는 항신장성에 관하여, 상기 상부층의 항신장성(A), 상기 중간층의 항신장성(B), 및 상기 하부층의 항신장성(C)은B ＜ A ≤ C의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
- 제1항에 있어서,상기 상부층의 항신장성(A), 상기 중간층의 항신장성(B), 및 상기 하부층의 항신장성(C)은 추가로0.4 ≤ A/C ≤ 1, 및B/C ≤ 0.5을 만족하는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 상부층은 2층 이상의 층을 포함하고, 상기 상부층의 전체 항신장성(A)은 상기 상부층을 구성하는 각 층의 탄성율과 층두께의 곱의 합계인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하부층은 2층 이상의 층을 포함하고, 상기 하부층의 전체 항신장성(C)은 상기 하부층을 구성하는 각 층의 탄성율과 층두께의 곱의 합계인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
- 반도체 웨이퍼를 각각의 칩으로 다이싱하는 방법에 있어서,(a) 다이싱 테이프의 기재시트가 상기 기재시트의 일측 표면 상에 형성된 점착제층과 접촉하는 상부층, 상기 상부층 아래에 형성된 중간층, 및 상기 중간층 아래에 형성된 하부층을 포함하고, 그리고 탄성율과 층두께의 곱으로 표현되는 항신장성에 관하여, 상기 상부층의 항신장성(A), 상기 중간층의 항신장성(B), 및 상기 하부층의 항신장성(C)이B ＜ A ≤ C의 관계를 만족하는 상기 점착제층에 반도체 웨이퍼를 점착하고, 그 후에(b) 상기 상부층은 그 상면부터 하면까지 완전히 절단되고, 상기 중간층은 그 상면부터 내부중간지점까지 부분적으로 절단되고, 상기 하부층은 전혀 절단되지 않는 형태로 다이싱 블레이드에 의해 상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
- 제5항에 있어서,상기 상부층의 항신장성(A), 상기 중간층의 항신장성(B), 및 상기 하부층의 항신장성(C)은 추가로0.4 ≤ A/C ≤ 1, 및B/C ≤ 0.5을 만족하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
- 제5항 또는 제6항에 있어서,상기 상부층은 2층 이상의 층을 포함하고, 상기 상부층의 전체 항신장성(A)은 상기 상부층을 구성하는 각 층의 탄성율과 층두께의 곱의 합계인 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
- 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하부층은 2층 이상의 층을 포함하고, 상기 하부층의 전체 항신장성(C)은 상기 하부층을 구성하는 각 층의 탄성율과 층두께의 곱의 합계인 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
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