JP2004006630A - 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウエハの厚みを１５０μｍ以下まで薄層化した場合であっても、ウエハの反りを防止し、ウエハを破損することなしに容易に剥離することができる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、下記要件Ａと、要件Ｂ及びＣの少なくとも１要件を備えた層を少なくとも１層含むことを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。要件Ａ：１８〜５０℃の全温度域における貯蔵弾性率が１×１０^９〜１×１０^１０Ｐａである高弾性率特性（Ａ）。要件Ｂ：５０〜９０℃の少なくとも一部の温度域における貯蔵弾性率が１×１０^８Ｐａ以下である高弾性率特性（Ｂ）。要件Ｃ：２３℃、９０％ＲＨにおいて４時間経過後の吸水による寸法変化率が０．０５〜０．５％である吸水膨張性高弾性率特性（Ｃ）。
【選択図】　なし。

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、及び該半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面加工方法に関する。詳しくは、シリコン、ガリウム−砒素等の半導体ウエハの集積集積回路が形成された側の面に粘着フィルムを貼着して該ウエハの他の面を加工する際に用いる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、及び該半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面加工方法に関する。更に詳しくは、薄層化した半導体チップの製造工程、特に、裏面加工工程、粘着フィルム剥離工程、搬送操作中等において、半導体ウエハの破損防止、生産性向上のために好適である半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの裏面加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＩＣカード、携帯通信機器等の普及、或いは電子機器の小型化、薄層化の要求が高まって来たことに伴い、半導体チップのさらなる薄層化が望まれている。従来、半導体チップの厚みは３００μｍ程度であったが、用途によっては１５０μｍ以下に薄層化されることが要求されるようになってきた。
【０００３】
半導体チップは、集積回路が形成された半導体ウエハの表面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する工程、半導体ウエハの裏面加工により薄層化する工程、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程を経た後、半導体ウエハをダイシング加工することにより製造されるのが一般的である。特に、厚みが１５０μｍ以下に薄層化された半導体チップを製造する際の裏面加工は、先ず、従来行われている研削加工によって２００〜１５０μｍ程度まで薄層化し、次いで、研磨加工、化学エッチング加工等によりさらに薄層化することもある。最近では研磨加工、化学エッチング等の加工なしに、研削加工のみによって半導体ウエハを２５μｍまで薄層化する技術も開発されている。
【０００４】
しかし、薄層化した半導体ウエハは、剛性の低下により、半導体ウエハの反り変形が著しく大きくなる場合があり、製造上問題となっている。通常、半導体チップを薄層化する工程では、半導体ウエハは、ロボットにより専用のケースから一枚ごと取り出し、加工機械内のチャックテーブルと称される治具に固定した後、裏面加工が施される。裏面加工後のウエハは、再びロボットにより、専用のケースに収納、または、次の工程へ搬送される。この際、ウエハの反りが大きいと、ウエハが破損したり、ロボットによる搬送ができないこと等により工程が停止することがある。また、半導体ウエハ表面保護粘着フィルムの剥離工程では、剥がし機械内のチャックテーブルにウエハを固定する際、無理な平坦化によってウエハの破損が発生する等、重大な問題が生じることがある。
【０００５】
薄層化された半導体ウエハは反りが発生しやすい。ウエハの反りは、ウエハの表面に貼着されている半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの残留応力と、ウエハ表面に付設されている集積回路保護膜の残留応力により発生するといわれている。半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの残留応力は、半導体ウエハの表面に粘着フィルムを貼着する際、該粘着フィルムにかかる張力により発生する。一般的に、伸びやすい軟質の基材フィルムを用いた半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムは、残留応力が大きく、半導体ウエハの反りが発生し易い。
【０００６】
一方、回路保護膜の残留応力は、ポリイミド系保護膜において顕著である。特に、ポリイミド系保護膜が厚い場合には、半導体ウエハを薄層化したとき、該ポリイミド系保護膜の残留応力によってウエハの反りが大きくなり、ウエハが破損したり、ロボットによる搬送ができないこと等が起こり、工程が停止する等の重大な支障が生じる。
【０００７】
このような薄層化後のウエハの反りを低減させる手段として、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハ表面に貼着した際の残留応力を低減することに着目した試みが種々検討されている。例えば、特開２０００−１５０４３２号公報には、応力緩和率が高い基材フィルムを用いた半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、特開２０００−２１２５２４公報には、高い引張り弾性率を持つ基材フィルムを用いた半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムがそれぞれ開示されている。
【０００８】
特開２０００−１５０４３２号公報に記載された応力緩和率が高い基材フィルムを用いた半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムは、それを半導体ウエハ表面に貼着する際の残留応力を低減する効果はあるものの、回路保護膜の残留応力による半導体ウエハの反りを防止できない欠点がある。また、特開２０００−２１２５２４公報に記載された高い引張り弾性率を持つ基材フィルムを用いた半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムは、半導体ウエハの反りを矯正する効果はあるが、半導体ウエハ表面からの剥離が困難であることがある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題に鑑み、半導体ウエハの裏面研削加工においてウエハの厚みを１５０μｍ以下まで薄層化した場合であっても、半導体ウエハの回路保護膜の残留応力による半導体ウエハの反りを矯正、防止し、ウエハを破損することなしに容易に剥離することができる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハの裏面加工方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、半導体ウエハの反り低減に関して検討を重ねた結果、粘着フィルムの基材フィルムとして、（Ａ）室温近傍の温度から５０℃の全温度域においては高い剛性を維持する特性、（Ｂ）５０℃以上に加熱することにより剛性が低下する特性、（Ｃ）２３℃、相対湿度（ＲＨ）９０％において４時間経過後の吸水による寸法変化率が０．０５〜０．５％である特性に着目し、これらの（Ａ）及び（Ｂ）の２特性、（Ａ）及び（Ｃ）の２特性、又は、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の３特性を有する基材フィルムを用いることにより、上記課題が解決できることを見出し、本発明に到った。
【００１１】
すなわち、本発明は、基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、下記要件Ａと、要件ＢまたはＣの少なくとも１要件を備えたことを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。に関する。
要件Ａ：５０℃におけるフィルム剛軟度の値が、０．０８〜１．５０Ｎの範囲である高剛性特性（Ａ）。
要件Ｂ：９０℃におけるフィルム剛軟度の値が、５０℃の温度域におけるフィルム剛軟度の３分の１以下である特性（Ｂ）。
要件Ｃ：２３℃、９０％ＲＨにおいて４時間経過後の吸水による寸法変化率が０．０５〜０．５％である吸水膨張性高弾性率特性（Ｃ）。
更に、基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、下記要件Ａ‘と、要件Ｂ’またはＣの少なくとも１要件を備えた層を少なくとも１層含むことを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。に関する。
要件Ａ‘：１８〜５０℃の全温度域における貯蔵弾性率が１×１０^９〜１×１０^{１ ０}Ｐａである高弾性率特性（Ａ‘）。
要件Ｂ‘：５０〜９０℃の少なくとも一部の温度域における貯蔵弾性率が１×１０^８Ｐａ以下である高弾性率特性（Ｂ‘）。
要件Ｃ：２３℃、９０％ＲＨにおいて４時間経過後の吸水による寸法変化率が０．０５〜０．５％である吸水膨張性高弾性率特性（Ｃ）。
【００１２】
本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの特徴は、基材フィルムが、前記要件Ａ及びＢ、Ａ及びＣ、又は、Ａ、Ｂ及びＣを備えていることにある。
本発明の他の発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの特徴は、基材フィルムが、下記要件Ａ‘と、要件Ｂ’またはＣの少なくとも１要件を備えた層を少なくとも１層含むことである。
本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムは、要件Ａ‘と、要件Ｂ’またはＣの少なくとも１要件を備えた層が、１８〜５０℃の温度域における貯蔵弾性率の最低値（Ｅ‘ｍｉｎ）に対する最高値（Ｅ‘ｍａｘ）の比（Ｅ‘ｍａｘ／Ｅ‘ｍｉｎ）が１．０〜１．１であることが好ましい態様である。
また、前記半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、基材フィルムが低弾性率樹脂層を少なくとも１層含む前記半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムは好ましい態様である。
【００１３】
本発明の他の発明は、前記半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウエハの裏面加工方法であって、半導体ウエハの集積回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムをその粘着剤層を介して貼着し、半導体ウエハの厚みが１５０μｍ以下になるまで裏面加工し、次いで、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを５０〜９０℃に加熱して剥離する半導体ウエハの裏面加工方法である。
【００１４】
本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いることにより、半導体ウエハの裏面研削加工において、集積回路が保護膜によって保護されたウエハが、厚みが１５０μｍ以下になるまで薄層化された場合であっても、半導体ウエハの集積回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する際の基材フィルムの伸びを抑制することとができ、半導体ウエハの回路保護膜の残留応力によるウエハの反りを矯正、防止することができる。また、半導体ウエハの集積回路非形成面を研削する際に注水される冷却水、粘着フィルム表面の洗浄水等により、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルムが適度に膨張し、半導体ウエハの反りを矯正、防止することができ、ウエハの破損を防止できる。また、半導体ウエハの集積回路形成面から本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際、加温することにより基材フィルムが低弾性率化し、ウエハを破損することなしに容易に剥離することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムは、基材フィルムの片面に粘着剤層が形成されたものである。本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムは、通常、室温近傍の温度、即ち、１８〜３０℃程度の室内において、半導体ウエハの集積回路形成面（以下、表面という）に粘着剤層を介して貼着した後、半導体ウエハの集積回路非形成面（以下、裏面という）に加工を施し、次いで、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを加熱して剥離する半導体ウエハの裏面加工工程に用いられるものである。
【００１６】
先ず、本発明の半導体ウエハ表面表面保護用粘着フィルム（以下、粘着フィルムという）について説明する。本発明の粘着フィルムは、基材フィルムを作成した後、その片面に粘着剤層を形成することにより製造される。通常、粘着剤層の表面に剥離フィルムが貼着される。粘着剤層を形成する方法として、剥離フィルムの片面に、粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、得られた粘着剤層を基材フィルムの片面に転写する方法、基材フィルムの片面に粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成する方法が挙げられる。前者の方法による場合は、使用する際に剥離フィルムを剥離する。後者の方法による場合は、環境に起因する汚染等から保護するために粘着剤層の表面に剥離フィルムを貼着することが好ましい。
【００１７】
基材フィルム又は剥離フィルムのいずれの片面に粘着剤塗布液を塗布するかは、基材フィルム及び剥離フィルムの耐熱性、半導体ウエハ表面の非汚染性を考慮して決める。例えば、剥離フィルムの耐熱性が基材フィルムのそれより優れている場合は、剥離フィルムの表面に粘着剤層を設けた後、基材フィルム側へ転写する。耐熱性が同等または基材フィルムの方が優れている場合は、基材フィルムの表面に粘着剤層を設け、粘着剤層の表面に剥離フィルムを貼着する。
【００１８】
しかし、粘着フィルムは、剥離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤層の表面を介して半導体ウエハ表面に貼着されることを考慮し、粘着剤層による半導体ウエハ表面の汚染防止を図るためには、基材フィルムの耐熱性にかかわらず、耐熱性の良好な剥離フィルムを使用し、その表面に粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成する方法が好ましい。
【００１９】
本発明に係わる粘着フィルムに用いる基材フィルムの特徴は、下記要件Ａと、要件ＢまたはＣの少なくとも１要件を備えていることにある。具体的には、要件Ａ及びＢの２要件、要件Ａ及びＣの２要件、又は、要件Ａ、Ｂ及びＣの３要件を備えた基材フィルムを用いることにある。
５０℃において、更に好ましくは１８〜５０℃の全温度域において、フィルム剛軟度の値が、０．０８〜１．５０Ｎの範囲、更に好ましくは０．１〜１．０Ｎの範囲である高剛性特性（Ａ）（以下、要件Ａという）。
９０℃において、更に好ましくは５０〜９０℃の少なくとも一部の温度域において、フィルム剛軟度の値が、５０℃におけるフィルム剛軟度の３分の１以下、更に好ましくは１８〜５０℃の温度域におけるフィルム剛軟度の最大値の３分の１以下、更に好ましくは５分の１以下である特性（Ｂ）（以下、要件Ｂという）。２３℃、９０％ＲＨにおいて４時間経過後の吸水による寸法変化率が０．０５〜０．５％、好ましくは０．１〜０．５％である吸水膨張性高弾性率特性（Ｃ）（以下、要件Ｃという）。
また、本発明の他の発明に係わる粘着フィルムに用いる基材フィルムの特徴は、基材フィルムの少なくとも一層が下記要件Ａ‘と、要件Ｂ’または要件Ｃの少なくとも１要件を備えていることにある。
具体的には、要件Ａ‘及びＢ‘の２要件、要件Ａ‘及びＣの２要件、又は、要件Ａ‘、Ｂ‘及びＣ‘の３要件を備えた層を少なくとも１層含む基材フィルムを用いることにある。
１８〜５０℃の全温度域における貯蔵弾性率が１×１０^９〜１×１０^１０Ｐａ、更に好ましくは１×１０^９Ｐａ〜７×１０^９Ｐａの範囲である高弾性率特性（Ａ‘）（以下、要件Ａ‘という）
５０〜９０℃の少なくとも一部の温度域における貯蔵弾性率が１×１０^８Ｐａ以下、更に好ましくは５×１０^７Ｐａ以下である高弾性率特性（Ｂ‘）（以下、要件Ｂ‘という）
上記要件Ｂ‘は、５０℃を超える温度から９０℃の少なくとも一部の温度域における貯蔵弾性率が１×１０^８Ｐａ以下、更に好ましくは１×１０^７Ｐａ以下であることが好ましい。
更には、要件Ａと、要件Ｂまたは要件Ｃの少なくとも１要件を備えた基材フィルムの少なくとも一層が要件Ａ‘と要件Ｂ’または要件Ｃを備えていることが好ましい。
【００２０】
粘着フィルムの基材フィルムが、前記要件Ａ及びＢの２要件を備えることにより、その剛性により、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハ表面に貼着する際の基材フィルムの伸びを抑制し、半導体ウエハがその表面に形成されている回路保護膜の残留応力により生じるウエハの反りを矯正し、ウェハの破損を防止する効果を奏する。また、粘着フィルムをウェハ表面から剥離する際、５０〜９０℃程度に加温することにより基材フィルムの剛性を低下させることができ、ウエハを破損することなしに粘着フィルムを容易に剥離することが可能となるのである。
【００２１】
１８〜５０℃の全温度域におけるフィルム剛軟度の値が、１．５０Ｎの範囲を越えると、その過大な剛性により、粘着フィルムを半導体ウエハ表面に貼着することが難しくなる場合がある。また、１８〜５０℃の全温度域における剛軟度が、０．０８Ｎ未満であると半導体ウエハの回路保護膜の反りの矯正効果が少なくなる場合がある。
また、粘着フィルムの基材フィルムの少なくとも１層が、前記要件Ａ‘及びＢ’の２要件を備えることにより、その剛性により、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハ表面に貼着する際の基材フィルムの伸びを抑制し、半導体ウエハがその表面に形成されている回路保護膜の残留応力により生じるウエハの反りを矯正し、ウェハの破損を防止する効果を奏する。また、粘着フィルムをウェハ表面から剥離する際、５０〜９０℃程度に加温することにより基材フィルムの剛性を低下させることができ、ウエハを破損することなしに粘着フィルムを容易に剥離することが可能となるのである。
また、基材フィルムの少なくとも一層が、１８〜５０℃の全温度域において、高弾性率樹脂層の貯蔵弾性率が、１×１０^１０Ｐａを超えると、その過大な剛性により、粘着フィルムを半導体ウエハ表面に貼着することが難しくなる場合がある。また、１８〜５０℃の全温度域における貯蔵弾性率が１×１０^９Ｐａ未満であると、半導体ウエハの回路保護膜の反りの矯正効果が少なくなる場合がある。上記要件Ｂ‘の高弾性率樹脂層の５０〜９０℃の少なくとも一部の温度域における貯蔵弾性率の下限は、好ましくは１×１０^５Ｐａ程度である。
【００２２】
粘着フィルムの基材フィルムが、前記要件Ａ及びＣの２要件を備えることにより、その剛性により、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハ表面に貼着する際の基材フィルムの伸びを抑制し、半導体ウエハがその表面に形成されている回路保護膜の残留応力により生じるウエハの反りを矯正し、ウェハの破損を防止する効果を奏する。
【００２３】
また、ウエハ裏面を研削加工する際に、粘着テープ表面を洗浄する時に使用される水、又はウエハの冷却用として注水される冷却水（以下、研削水という）を基材フィルムが吸水することにより、基材フィルムが膨張し、その膨張によって発生する力により、ウエハの反りを矯正することが可能となる。この場合、薄い基材フィルムでも大きなウエハの反り矯正効果が得られる。１８〜５０℃の全温度域において、剛軟度が、１．５Ｎを超えると、その過大な剛性により、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハ表面に貼着することが難しくなる場合がある。
【００２４】
また、１８〜５０℃の全温度域における剛軟度が０．０８Ｎ未満であると、半導体ウエハの回路保護膜の反りの矯正効果が少なくなる場合がある。２３℃、９０％ＲＨ（相対湿度）の環境下、４時間経過後の吸水による寸法変化率が０．０５％未満である場合、膨張によるウェハの反りの矯正効果が小さくなる。寸法変化率が０．５％を超える場合、粘着フィルムを作製した後、時間が経過すると共に空気中の水分を吸収し、粘着フィルムが変形することがある。
また、　粘着フィルムの基材フィルムの少なくとも一層が、前記要件Ａ’及びＣの２要件を備えることにより、その剛性により、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハ表面に貼着する際の基材フィルムの伸びを抑制し、半導体ウエハがその表面に形成されている回路保護膜の残留応力により生じるウエハの反りを矯正し、ウェハの破損を防止する効果を奏する。要件Ｃを備えることにより、ウエハ裏面を研削加工する際に、粘着テープ表面を洗浄する時に使用される水、又はウエハの冷却用として注水される冷却水（以下、研削水という）を吸水することにより、基材フィルムが膨張し、その膨張によって発生する力により、ウエハの反りを矯正することが可能となる。この場合、薄い基材フィルムでも大きなウエハの反り矯正効果が得られる。
【００２５】
粘着フィルムの基材フィルムが、前記要件Ａ、Ｂ及びＣの３要件を備えることにより、要件Ａ及びＢ、並びに、Ａ及びＣを備えることにより奏される効果の全てが相乗的に奏される。従がって、本願発明の解決課題を考慮するとき、前記要件Ａ、Ｂ及びＣの３要件を備えることが好ましい。
粘着フィルムの基材フィルムの少なくとも１層が、前記要件Ａ‘、Ｂ‘及びＣの３要件を備えることにより、要件Ａ’及びＢ‘、並びに、Ａ’及びＣを備えることにより奏される効果の全てが相乗的に奏される。従がって、本願発明の解決課題を考慮するとき、粘着フィルムの基材フィルムの少なくとも１層が、前記要件Ａ’、Ｂ‘及びＣの３要件を備えることが好ましい。
【００２６】
本発明に係わる粘着フィルムに用いる基材フィルムは、上記要件Ａ‘及びＢ‘、要件Ａ‘及びＣ、又は、要件Ａ‘、Ｂ‘及びＣを備えた樹脂層により全層を形成してもよいし、又、少なくとも１層を上記要件を備えた樹脂層で形成し、他の樹脂層を上記特性を有するもの以外の樹脂層で形成しても良い。即ち、上記特性を有する樹脂層と他の樹脂層との積層体でもよい。他の樹脂層と積層する場合、他樹脂の吸水特性等を考慮しその構成を設計することが好ましい。例えば、吸水性の少ない樹脂と要件Ｃを備えた樹脂を積層する場合は、要件Ｃを備えた樹脂層を最外層にすることが好ましい。
【００２７】
本発明に係わる粘着フィルムに用いる基材フィルムの要件Ａ’と、要件Ｂ’またはＣの少なくとも１要件を備えた層は、上記要件Ａ‘に加え、１８〜５０℃の温度域における貯蔵弾性率の最低値（Ｅ‘ｍｉｎ）に対する最高値（Ｅ‘ｍａｘ）の比（Ｅ‘ｍａｘ／Ｅ‘ｍｉｎ）が１．０〜１．１である要件を備えることが好ましい。該貯蔵弾性率の最低値（Ｅ‘ｍｉｎ）に対する最高値（Ｅ‘ｍａｘ）の比（Ｅ‘ｍａｘ／Ｅ‘ｍｉｎ）が、上記範囲を超えて大きくなる場合、半導体ウエハの裏面加工中に、その研削熱により基材フィルムが収縮変形を起こすなどにより、裏面加工後の半導体ウエハの反りが増大することがある。また、高弾性率樹脂層の厚みが厚い場合、高弾性率樹脂層が、５０〜９０℃の全域における貯蔵弾性率が１×１０^８Ｐａを超えると、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離することが困難となる。
【００２８】
また、粘着フィルムを半導体ウエハ表面に貼着する際の基材フィルムの伸びを抑制すること、及び半導体ウエハがその表面に形成されている回路保護膜の残留応力により生じるウエハの反りを矯正、防止する効果等を考慮すると、上記特性を有する樹脂層の厚みは、３０〜３００μｍ、更に好ましくは３０〜２００μｍμｍであることが好ましい。上記特性を有する樹脂層は、１層でも良いし複数層でもよい。複数層とする場合は、上記特性を有する各層を比較的薄くして合計厚みを３０〜３００μｍとすればよい。
【００２９】
上記要件（Ａ‘）及び（Ｂ‘）の特性を有する樹脂としては、例えば、ニトリル系樹脂、環状ポリオレフィン樹脂（三井化学（株）製、商品名：アペル）、非結晶性ポリエチレンテレフタレート（三菱樹脂（株）製、商品名：ＰＥＴ−Ｇ）等の樹脂が挙げられる。以下、上記要件（Ａ‘）及び（Ｂ‘）の特性を有する樹脂として好ましく用いられるニトリル系樹脂について説明する。該ニトリル系樹脂は、ゴム状重合体の存在下、不飽和ニトリル、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、及び必要に応じてこれらと共重合可能な他の単量体からなる単量体混合物をグラフト共重合することにより製造される。ニトリル系樹脂の製造に用いるゴム状重合体は、共役ジエン単位のみを含む重合体、または共役ジエン単位及び共役ジエンと共重合性の単量体、例えば、不飽和ニトリル、芳香族ビニル化合物、不飽和カルボン酸エステル等の単量体単位を含む共重合体である。
【００３０】
共役ジエンとしては、１，３−ブタジエンの他、イソプレン、クロロプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、２，３−ジエチル−１，３−ブタジエン等が例示される。入手の容易さや重合性が良い等の観点から、１，３−ブタジエン、イソプレンが好ましい。不飽和ニトリルとしては、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル等が挙げられ、好ましくはアクリロニトリル、メタクリロニトリルである。又、芳香族ビニル化合物としては、スチレン、α−メチルスチレンである。不飽和カルボン酸エステルとしては、炭素数が１〜４のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステル又はメタクリル酸アルキルエステルを挙げることができる。好ましくは、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルである。
【００３１】
具体的には、ゴム状重合体としては、１，３−ブタジエン重合体、１，３−ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、１，３−ブタジエン−アクリロニトリル及びメタクリロニトリル共重合体、１，３−ブタジエン−アクリロニトリル及びスチレン共重合体、１，３−ブタジエン−スチレン共重合体が好ましく挙げられる。より好ましくは１，３−ブタジエン重合体、１，３−ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、１，３−ブタジエン−スチレン共重合体である。
【００３２】
これらのゴム状重合体に含まれる共役ジエン単位の割合は、得られるニトリル系樹脂の耐衝撃性に影響する。かかる点を考慮すると、共役ジエン単位を５０重量％以上含むことが好ましい。さらに好ましくは、６０重量％以上である。また、ニトリル系樹脂中に占めるゴム状重合体の割合は、樹脂の成形加工性等に影響を及ぼす。ゴム状重合体の量が、３重量％未満である場合、耐衝撃性が低下し、また、３０重量％を超える場合、成形加工性が低下する。かかる点を考慮すると、ニトリル系樹脂全体に占めるゴム状重合体の量は、３〜３０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは、５〜２０重量％である。ゴム状重合体は、公知の方法によって製造できるが、乳化重合法が好適である。また、重合温度には特に制限はないが、重合速度、生産性等を考慮すると、３０〜７０℃の温度範囲が好ましい。
【００３３】
上記ゴム状重合体の存在下で実施するグラフト共重合用の単量体として、不飽和ニトリル、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、及び必要に応じてこれらと共重合可能な他の単量体が用いられる。グラフト共重合用単量体として用いる不飽和ニトリルとしては、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル等が挙げられる。好ましくはアクリロニトリル、メタクリロニトリルである。ニトリル系樹脂の特性は、マトリックス成分に含まれる不飽和ニトリル単位の組成に影響される。すなわち、不飽和ニトリル単位の割合が６５重量％未満である場合、耐薬品性が低下する他、剛性にも影響を及ぼす。また、８０重量％を超える場合、成形加工性が低下すると共に成形時に黄色に変色して色調等が低下する。かかる点を考慮すると、マトリックス成分中に６５〜８０重量％の不飽和ニトリル単位を含むことが好ましい。さらに好ましくは、７０〜８０重量％である。
【００３４】
グラフト共重合用単量体として用いる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル等が挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、アルキル基の種類により、得られるニトリル系樹脂の特性が変化する。得られるニトリル系樹脂の物性を高位に安定せしめるためには、それらのうち、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルが好ましい。
【００３５】
上記不飽和ニトリル及び（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体としては、芳香族ビニル化合物、ビニルエーテル、ビニルエステル、α−オレフィン等が挙げられる。芳香族ビニル化合物としては、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ビニルキシレン等、ビニルエステルとしては、酢酸ビニル、プロピオンビニル、酪酸ビニル等、ビニルエーテルとしては、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、メチルイソプロペニルエーテル、エチルイソプロペニルエーテル等、α−オレフィンとしては、イソブテン、２−メチル−１−ブテン、２−メチル−１−ペンテン、２−メチル−１−ヘキセン、２−メチル−１−ヘプテン、２−メチル−１−オクテン、２−エチル−１−ブテン、２−プロピル−１−ブテン等が挙げられる。それらのうち、スチレンが好ましい。
【００３６】
マトリックス成分中の（メタ）アクリル酸アルキルエステル単位及び必要に応じて用いるこれらと共重合可能な単量体単位の組成は、ニトリル系樹脂の物性に影響を及ぼす。具体的には、マトリックス成分中に占める（メタ）アクリル酸アルキルエステル単位とこれらと共重合可能な単量体単位の合計の割合が２０重量％未満である場合には、成形加工性が低下する。また、３５重量％を超える場合には、貯蔵弾性率が低下する。かかる点を考慮すると、マトリックス成分中に、（メタ）アクリル酸アルキルエステル単位とこれらと共重合可能な単量体単位の合計２０〜３５重量％を含むことが好ましい。さらに好ましくは、２０〜３０重量％である。
【００３７】
不飽和ニトリル及び（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体単位は、マトリックス成分中に最大含有量２０重量％程度まで含んで良い。２０重量％以下であれば、得られるニトリル系樹脂の特性にさほど影響を及ぼさず、目的に応じて使用可能である。
上記ニトリル系樹脂の重合方法は、乳化重合、溶液重合、懸濁重合、塊状重合、またはこれらの組合せ等公知の重合方法が適用できる。しかし、重合熱の除去の容易さ、重合後の後処理の容易さ、有機溶媒の回収・再生等の付帯設備の簡易化等を考慮すると乳化重合が好ましく適用される。乳化重合法の場合は、重合体生成物はラテックス状で得られるので、従来公知の方法、例えば、電解質または溶媒による凝集法、または凍結法等により凝固、分離し、水洗の後、乾燥して樹脂を得る方法が挙げられる。
【００３８】
グラフト共重合時に用いる界面活性剤は、脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩、アルキルリン酸塩、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル塩、ポリオキシエチレンアルキルアリル硫酸エステル塩、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステルから選ばれた少なくとも１種のアニオン系界面活性剤が挙げられる。得られた樹脂中に残存する界面活性剤は、重合体の凝固、分離、水洗の処理程度に反映し、本発明のニトリル系樹脂組成物において帯電防止性を発現するには、ニトリル系樹脂中に０．０５〜２重量％含有することが好ましい。
【００３９】
グラフト共重合の温度には特に制限はなく、０〜１００℃の任意の温度において実施できる。重合速度、転化率、生産性等を考慮すると、３０〜７０℃の温度範囲が好ましい。また、可塑剤、安定剤、潤滑剤、染料及び顔料、充填剤等を、必要に応じて重合後に添加することも可能である。
上記要件（Ａ‘）及び（Ｃ）の特性を有する樹脂としては、例えば、上記ニトリル系樹脂、環状ポリオレフィン、非結晶性ポリエチレンテレフタレート等の非晶性ポリエステル、ＰＥＳが挙げられる。前記要件Ｃ（吸水膨張性高弾性率特性（Ｃ））を備えた樹脂層は、吸水することで剛性が若干低下する。例えば、ウエハ裏面を研削する際の研削水などに接触した場合、吸水して若干柔らかくなる。そのため、ウエハの裏面研削が終了した後、粘着フィルムを剥離する際の剥離性が良好となる。
【００４０】
非結晶性ポリエステルとしては、非結晶性ポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられる。市販品としては、三菱樹脂（株）製、商品名：ディアフィクス等が挙げられる。
また、上記要件（Ａ‘）、（Ｂ‘）及び（Ｃ‘）の３特性を有する樹脂としては、前記ニトリル系樹脂、環状ポリオレフィン、非結晶性ポリエステル等が挙げられる。
基材フィルムの総厚みは５０〜３００μｍであることが好ましい。より好ましくは５０〜２００μｍである。総厚みが５０μｍ未満であると半導体ウエハの反りの低減効果が少なくなると共に、ウェハ裏面の研削中のウェハの保護性能が低下する場合がある。また、３００μｍを超えると、裏面研削後のウエハが集積回路面を上にして凸状に大きく反ること、粘着フィルムの剥離が困難となること等が発生することがある。また、粘着フィルムを半導体ウエハ表面に貼着する際、貼り付け作業性が低下する等の問題が発生することがある。
【００４１】
本発明に係わる粘着フィルムに用いる基材フィルムは、上記特性を有する樹脂層に、裏面加工時の振動吸収、半導体ウエハ表面の段差吸収等を目的として低弾性率樹脂層を積層することができる。低弾性率樹脂層を形成する樹脂について例示すると、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アルキルアクリレート共重合体（アルキル基の炭素数１〜４）等が挙げられる。これらの内、エチレン−酢酸ビニル共重合体が好ましい。更に好ましくは、酢酸ビニル単位の含有量が５〜５０重量％程度のエチレン−酢酸ビニル共重合体である。
低弾性率フィルム層の厚みは３０〜２５０μｍであることが好ましい。より好ましくは３０〜１５０μｍである。厚みが３０μｍ未満であるとウエハ表面の段差を充分に吸収できない場合がある。また、２５０μｍを超えるとウエハの裏面加工後の半導体ウエハの厚みが大きくばらつき、半導体ウエハの品質に悪影響を及ぼす場合がある。
【００４２】
基材フィルムの代表的な製造方法として、Ｔダイ押出法、インフレーション法、カレンダー法等が挙げられる。上記特性を有する高弾性率樹脂層を少なくとも１層含む多層フィルムを製造する場合は、エチレン−酢酸ビニル共重合体等の低弾性率樹脂を押出機で押出成形しながら、予め用意しておいた上記高弾性率フィルムとラミネートする方法が挙げられる。これら多層フィルムの層間における接着力を高めるために、両者の間に新たに接着層を設けてもよいし、コロナ放電処理または化学処理等を施しても良い。粘着剤層を設ける面にはコロナ放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。低弾性率樹脂層を積層する場合は、低弾性率樹脂層側に粘着剤層を形成することが好ましい。
【００４３】
本発明に係わる粘着フィルムに用いる粘着剤層は、半導体ウエハ表面に対し極めて低汚染性であることが好ましい。粘着フィルムを剥離した後、ウエハ表面に汚染が多い場合は洗浄する必要があるが、薄層化したウエハにおいては、洗浄工程において破損する頻度が高くなる。
本発明において、粘着剤層は、通常、架橋剤と反応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー１００重量部、及び、１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．１〜３０重量部を含む。このような粘着剤としては、例えば、放射線硬化型、熱硬化型、加熱発泡型等の粘着力スイッチング機能を有する粘着剤、スイッチング機能を有しない通常の粘着剤等が挙げられる。
【００４４】
スイッチング機能を有しない通常の粘着剤としては、天然ゴム系、合成ゴム系、シリコーンゴム系、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル等のアクリル系粘着剤等が挙げられる。これらの粘着剤の中でも、粘着剤物性の制御、再現性等を考慮するとアクリル系の粘着剤が好ましい。
粘着剤がアクリル系である場合、粘着剤ポリマーを構成する主モノマーは、アクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルを含むものが好ましい。アクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルの例としては、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で使用しても、又、２種以上を混合して使用してもよい。主モノマーの使用量は、粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、６０〜９９重量％の範囲で含まれていることが好ましい。かかる組成のモノマー混合物を用いることにより、ほぼ同組成のアクリル酸アルキルエステル単位、メタクリル酸アルキルエステル単位、又はこれらの混合単位を含むポリマーが得られる。
【００４５】
粘着剤ポリマーは、架橋剤と反応し得る官能基を有していることが好ましい。架橋剤と反応し得る官能基としては、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基等が挙げられる。粘着剤ポリマー中にこれらの架橋剤と反応しうる官能基を導入する方法としては、粘着剤ポリマーを重合する際にこれらの官能基を有するコモノマーを共重合させる方法が一般に用いられる。
【００４６】
例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。これらのコモノマーの内の１種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、又２種以上を共重合させてもよい。上記の架橋剤と反応しうる官能基を有するコモノマーの使用量（共重合量）は、粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、１〜４０重量％の範囲内で含まれていることが好ましい。かかる組成のモノマー混合物を用いることにより、ほぼ同組成のコモノマー単位を含むポリマーが得られる。
【００４７】
本発明において、上記粘着剤ポリマーを構成する主モノマー単位及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマー単位の他に、界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有しており、万一粘着剤層に起因する汚染がウエハ表面に生じたとしても、水洗により容易に除去することが可能となる。
【００４８】
このような重合性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハク酸ジエステル系のもの〔花王（株）製；商品名：ラテムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。
【００４９】
さらに必要に応じて、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、イソシアネートエチルアクリレート、イソシアネートエチルメタクリレート、２−（１−アジリジニル）エチルアクリレート、２−（１−アジリジニル）エチルメタクリレート等の自己架橋性の官能基を持ったモノマー、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性二重結合を持ったモノマー、ジビニルベンゼン、アクリル酸ビニル、メタクリル酸ビニル、アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル等の多官能性のモノマー等を共重合してもよい。
【００５０】
粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響及び半導体ウエハ表面へのイオンの影響、等を等慮すれば、ラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物、等が挙げられる。
【００５１】
粘着剤ポリマーの重合法としては、乳化重合法、懸濁重合法、溶液重合法等が挙げられる。これらの中では乳化重合法が好ましい。粘着剤ポリマーを乳化重合法により重合する場合には、これらのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物がさらに好ましい。４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が特に好ましい。
【００５２】
本発明に用いる１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤は、粘着剤ポリマーが有する官能基と反応させて、架橋密度、粘着力及び凝集力を調整する為に用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系架橋剤、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネート等のイソシアネート系架橋剤等が挙げられる。これらの架橋剤は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５３】
また、粘着剤が水系（エマルションを含む）である場合には、イソシアネート系架橋剤は水との副反応による失活速度が速い為、粘着剤ポリマーとの架橋反応が十分に進行しない場合がある。従って、この場合には上記の架橋剤の中でアジリジン系もしくはエポキシ系の架橋剤を用いることが好ましい。
本発明における１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤の含有量は、粘着剤ポリマー１００重量部に対し架橋剤０．１〜３０重量部、特に好ましくは０．５〜２５重量部である。架橋剤の含有量が少ないと、粘着剤層の凝集力が不十分となり、ウエハ表面に汚染を生じることがある。多過ぎると、粘着剤層とウエハ表面との密着力が弱くなり、研削加工中に水や研削屑が浸入し、ウエハを破損したり、研削屑によるウエハ表面の汚染が生じることがある。
【００５４】
本発明における粘着剤層を構成する粘着剤には、上記の架橋剤と反応しうる官能基を有する粘着剤ポリマー、一分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤の他に、粘着特性を調整する為に、ロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を適宜含有してもよい。又、粘着剤ポリマーがエマルション液である場合は、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等の増膜助剤を本発明の目的に影響しない程度に適宜含有してよい。
また、粘着剤中に放射性硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分、放射線重合開始剤を加えることにより、粘着剤層を放射線硬化型の粘着剤とすることもできる。この放射線硬化型の粘着剤を用いた場合、半導体ウエハ表面から粘着フィルムを剥離する前に紫外線等の放射線を照射することで、該粘着剤を硬化させ、粘着力を低減することができる。
【００５５】
粘着剤層の厚みは、半導体ウエハ表面の汚染性、粘着力等に影響を及ぼす。粘着剤層の厚みが薄くなると、ウエハ表面に残留することがある。粘着剤層の厚みが厚すぎると粘着力が高くなり、剥離の際の作業性が低下することがある。かかる観点から、粘着剤層の厚みは１〜１００μｍであることが好ましい。
【００５６】
本発明において、基材フィルムの片表面に粘着剤層を形成する際には、上記粘着剤を溶液又はエマルション液（以下、これらを総称して粘着剤塗布液と称する）として、ロールコーター、コンマコーター、ダイコーター、メイヤーバーコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター等の公知の方法に従って塗布、乾燥して粘着剤層を形成する方法を用いることができる。この際、塗布した粘着剤層を環境に起因する汚染等から保護する為に、塗布した粘着剤層の表面に剥離フィルムを貼着することが好ましい。あるいは、剥離フィルムの片表面に、上記の公知の方法に従って粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、ドライラミネート法等の慣用の方法を用いて粘着剤層を基材フィルムに転写させる方法（以下、転写法という）をとってもよい。
【００５７】
粘着剤を乾燥する際の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜３００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。さらに好ましくは、８０〜２００℃の温度範囲において１５秒〜５分間乾燥する。本発明においては、架橋剤と粘着剤ポリマーとの架橋反応を十分に促進させる為に、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後に、粘着フィルムを４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。
粘着フィルムの粘着力は、ウエハ裏面の研削加工、薬液処理時等におけるウエハの保護性と、ウエハから剥離する際の作業性との双方に影響する。ウエハ裏面の研削加工、薬液処理時等におけるウエハの保護性（研削水、研削屑及び薬液等の浸入防止）を考慮すれば、ＪＩＳ　Ｚ−０２３７に規定される方法に準拠して、被着体としてＳＵＳ３０４−ＢＡ板を用い、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０度の条件下で測定した粘着力が、１０〜７００ｇ／２５ｍｍであることが好ましい。より好ましくは１０〜５００ｇ／２５ｍｍである。
本発明に係わる粘着フィルムの製造方法は上記の通りであるが、半導体ウエハ表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィルム、粘着剤等、全ての原料及び資材の製造環境、粘着剤塗布液の調整、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持されていることが好ましい。
【００５８】
次に、本発明に係わる半導体ウエハの裏面加工方法について説明する。本発明の半導体ウエハの裏面加工方法は、半導体ウエハの裏面を研削加工、化学エッチング加工、またはこれらの操作を共に実施する際に、上記粘着フィルムを用いることに特徴がある。その詳細は、通常、温度が１８〜３０℃に管理された室温近傍の温度において上記粘着フィルムの粘着剤層から剥離フィルムを剥離し、粘着剤層の表面を露出させ、粘着剤層を介して、半導体ウエハの表面に貼着する。次いで、研削機のチャックテーブル等に粘着フィルムの基材フィルム層を介して半導体ウエハを固定し、半導体ウエハの裏面に対し、研削加工、化学エッチング加工等を実施する。本発明においては、研削加工、化学エッチング加工等の何れかを単独で行ってもよいし、両方を行ってもよい。両方を行う場合、その順番はいずれでもよいが、通常、研削加工の後、化学エッチング加工等を行う。
【００５９】
研削加工、化学エッチング加工等が終了した後、該粘着フィルムを剥離する。いずれの裏面加工方法においても、必要に応じて、粘着フィルムを剥離した後の半導体ウエハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の処理を施してもよい。この様な一連の工程中の、半導体ウエハ裏面の研削加工、化学エッチング等の操作によって、半導体ウエハは研削前の厚みが、通常、５００〜１０００μｍであるのに対して、本発明の方法を適用することにより、１５０μｍ以下になるまで、破損等のトラブルを生じることなしに薄層化することができる。半導体チップの種類等に応じ、１００μｍ以下まで、時には５０μｍ程度まで薄層化することができる。裏面の研削加工後のウエハの厚みと化学エッチング後のウエハの厚みは、半導体ウエハの種類、目標最終厚み等により適宜決められる。裏面を研削する前の半導体ウエハの厚みは、半導体ウエハの口径、種類等により適宜決められ、裏面研削後のウエハ厚みは、得られる集積回路の種類、用途等により適宜決められる。
【００６０】
粘着フィルムを半導体ウエハに貼着する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般的には、ロール状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置によって行われる。この様な自動貼り機として、例えば、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、日東精機（株）製、型式：ＤＲ８５００ＩＩ）、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＬシリーズ等が挙げられる。
半導体ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用される。ウエハ裏面を研削する際には、半導体ウエハと砥石に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する研削機としては、例えば、（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ−８４１、同ＤＦＧ−８５０、同ＤＦＧ−８６０、（株）岡本工作機械製作所製、形式：ＳＶＧ−５０２ＭＫＩＩ）等が挙げられる。
【００６１】
化学エッチング加工は、薬液処理、ＣＭＰと称される裏面研磨とケミカルエッチングを同時に行う方式、プラズマによるエッチング等がある。例えば、薬液処理は弗化水素酸や硝酸、硫酸、酢酸等の単独もしくは混合物等の酸性水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性水溶液等からなる群から選ばれたエッチング液を用いる。薬液処理の方式の中には、ウエハごと薬液に浸漬する方式（ディッピング法）、ウエハ裏面を回転させながら裏面に選択的に薬液を接触させる方式（スピンエッチング法）等がある。
【００６２】
ウエハ裏面の研削加工、薬液処理等が終了した後、粘着フィルムはウエハ表面から剥離される。粘着フィルムをウエハ表面から剥離する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般的には、自動剥がし機と称される装置により行われる。自動剥がし機では、薄く加工されたウエハが真空チャックテーブルに固定され、粘着フィルムが剥離される。粘着フィルムを剥離する際には、チャックテーブルを通して粘着フィルムを加熱することが重要である。加熱温度は、５０〜９０℃の温度範囲において、使用する樹脂に応じて好適な温度を選択することができる。また、粘着フィルムの剥離は、ダイシングテープ等に固定された状態で行ってもよい。
自動剥がし機としては、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、同ＡＴＲＭ−２１００、日東精機（株）製、型式：ＨＲ−８５００ＩＩ）、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＰシリーズ等がある。
【００６３】
本発明に係わる粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハの裏面加工方法が適用できる半導体ウエハとして、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム、等のウエハが挙げられる。本発明の粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハの裏面加工方法が好ましく適用できる半導体ウエハは、集積回路がポリイミド系保護膜によって保護されているものである。本発明を適用することにより、ポリイミド系保護膜の厚みが１〜２０μｍ程度であっても、保護膜により生じるウエハの反りが矯正、防止できる。
【００６４】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例において、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持された環境において粘着剤塗布液の調製及び塗布、半導体シリコンウエハの裏面研削、並びに半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの剥離等を実施した。本発明はこれら実施例に限定されるものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の方法で測定した。
【００６５】
１．各種特性の測定方法
１−１．粘着力測定（ｇ／２５ｍｍ）
下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ　Ｚ−０２３７に準じて測定する。
２３℃において、実施例又は比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ　Ｇ−４３０５規定、縦：２０ｃｍ、横：５ｃｍ）の表面に貼着し、１時間放置する。放置後、試料の一端を挟持し、剥離角度：１８０度、剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離し、剥離する際の応力を測定してｇ／２５ｍｍに換算する。
１−２．剛軟度測定（Ｎ）
縦、横各２０ｃｍに基材フィルムを切りだし試験片とする。スリット溝に試験片は８ｍｍ押しこまれるときの抵抗値（Ｎ）をロードセルにて測定し、この値を剛軟度とする。本測定には、ハンドロメーター（型式：ＨＯＭ−２、株式会社　大栄科学精器製作所製）を用いた。５０℃、９０℃の環境下に装置を設置して測定を実施した。
【００６６】
１−３．貯蔵弾性率（Ｐａ）
フィルム状シートを、機械方向３０ｍｍ、機械方向と直交する方向１０ｍｍの短冊状にサンプリングする。このサンプルを、動的粘弾性測定装置｛レオメトリックス社製、形式；ＲＳＡ−ＩＩ、フィルム引っ張り試験用アタッチメントを使用｝を用いて、周波数１ＨＺにて、１０〜１００℃の温度範囲で貯蔵弾性率を測定する。具体的には、上記アタッチメントを介して動的粘弾性測定装置にセットし、１０℃から１００℃まで３℃／分の昇温速度で昇温しながら貯蔵弾性率を測定する。
【００６７】
１−４．基材フィルムの吸水寸法変化率（％）
フィルム状シートに直径約１ｍｍのピンホールを約３００ｍｍ間隔で開ける。このサンプルのピンホールの間隔を２次元寸法変形測定装置［（株）ミツトヨ製、形式：ＣＲＹＳＴＡＬ＊μ、Ｖ−６０６］を用いて測定する。このときのピンホールの間隔をＬ０とする。その後、２３℃、９０％ＲＨのオーブン内にピンホールの間隔測定後のサンプルを静置する。４時間後に該サンプルをオーブンから取り出し、ピンホールの間隔を測定する。このときのピンホールの間隔をＬとする。以下の式に基づいて吸水寸法変化率（％）を算出する。試料１０枚について測定し、その平均値で示す。
寸法変化率（％）＝１００×（Ｌ−Ｌ０）／Ｌ０
【００６８】
１−５．半導体ウエハの反り（ｍｍ）
表面がポリイミドで保護（コーティング）されている半導体シリコンウエハ〔直径：約２００ｍｍ（８インチ）〕をポリイミド保護面を上にして平板上に置き、ウエハ裏面と平板との最大距離を測定する。試料１０枚について測定し、その平均値で示す。
【００６９】
２．ニトリル系樹脂の調製例１
２−１．ゴム状重合体の調製
下記成分を含む混合物をステンレス製重合反応器に装入して、窒素雰囲気下において、撹拌下、４５℃で２０時間重合を行い、転化率９０％で重合を終了した。未反応の単量体を減圧ストリッピングにより除き、固形分濃度約３０重量％のゴム状重合体を得た。また、該重合体より固形分を回収し、乾燥後、元素分析により該重合体中の１，３−ブタジエン及びアクリロニトリル単位の含有量を求めたところ、１，３−ブタジエン単位が７１重量％、アクリロニトリル単位が２９重量％であった。＜ゴム状重合体の調製成分：アクリロニトリル３０重量部、１，３−ブタジエン７０重量部、脂肪酸石ケン２．４重量部、アゾビスイソブチロニトリル０．３重量部、ｔ−ドデシルメルカプタン０．５重量部、水２００重量部＞。
【００７０】
２−２．グラフト重合体の調製
ステンレス製重合反応器に下記組成の原料（初期添加分）を仕込み、撹拌下、窒素雰囲気下において、５８℃に昇温し、そのまま３０分間撹拌後、重合開始剤として過硫酸カリウム０．０８重量部を含む水溶液を添加して重合を開始した。＜グラフト重合体の調製原料（初期添加分）：アクリロニトリル１５重量部、アクリル酸エチル５重量部、上記（２−１）のゴム状重合体（固形分）１０．５重量部、ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム０．４０７重量部、ポリビニルピロリドン０．１０３重量部、ヘキサメタリン酸ナトリウム０．０３５重量部、水１５０重量部＞。
次いで、重合開始から起算して２５分経過後、リン酸を添加してｐＨを３±０．３に調節し、３０分経過後、下記の組成の原料（後添加分）を６．５時間かけて連続的に添加しながら、５８℃で重合を継続した。＜後添加分原料：アクリロニトリル６０重量部、アクリル酸エチル２０重量部、ペンタエリスリトールテトラキス（β−メルカプトプロピオネート）１．６重量部、ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム１．６２７重量部、ポリビニルピロリドン０．４１３重量部、ヘキサメタリン酸ナトリウム０．１４１重量部、水８５重量部＞。
この添加の間、重合開始時から５時間まではリン酸も連続的に添加して、７時間まで重合系のｐＨを３±０．３に保って重合を行った。重合開始から８時間経過後、冷却し、重合終了とした。総転化率は９２．７重量％であった。得られた樹脂を、硫酸アルミニウム（濃度４５重量％）を加えて凝固させ、次いで水洗、乾燥して粉末状のニトリル系樹脂を得た。
【００７１】
３．基材フィルムの製造例
３−１．基材フィルムの製造例１
インフレーション法にて、前項２で得られたニトリル系樹脂をフィルム状に成形し、厚さ７０μｍのニトリル系樹脂フィルムを得た。得られたニトリル系樹脂フィルムに厚さ５０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井・デュポンポリケミカル（株）製、銘柄：エバフレックスＰ−１９０５（ＥＶ４６０）フィルムを積層した。この際、粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側はコロナ放電処理を施し、全体の厚みが１２０μｍである基材フィルム１を作製した。厚さ７０μｍのニトリル系樹脂フィルムの貯蔵弾性率の温度分散（ａ）を〔図１〕に示す。厚さ７０μｍのニトリル系樹脂フィルムの吸水寸法変化率は０．２５％であった。基材フィルム１の５０℃、９０℃における剛軟度は、それぞれ０．８２Ｎ、０．１２であった。
【００７２】
３−２．基材フィルムの製造例２
インフレーション法にて、前項２で得られたニトリル系樹脂をフィルム状に成形し、厚さ７０μｍのニトリル系樹脂フィルムを得た。粘着剤層を形成する側には、コロナ放電処理を施し基材フィルム２とした。得られた厚さ７０μｍのニトリル系樹脂フィルムの貯蔵弾性率の温度分散は、製造例１と同じ値（ａ）を示す。基材フィルム２の吸水寸法変化率は０．２５％であった。基材フィルム１の５０℃、９０℃における剛軟度は、それぞれ０．３０Ｎ、０．０８Ｎであった。
【００７３】
３−３．基材フィルムの製造例３
Ｔダイ押出法にて、前項２で得られたニトリル系樹脂をフィルム状に成形し、厚さ１７５μｍのニトリル系樹脂フィルムを得た。粘着剤層を形成する側には、コロナ放電処理を施し、基材フィルム３とした。得られた基材フィルム３の貯蔵弾性率の温度分散（ｂ）を〔図１〕に示す。基材フィルム３の吸水寸法変化率は０．１８％であった。基材フィルム１の５０℃、９０℃における剛軟度は、それぞれ０．５４Ｎ、０．１４Ｎであった。
【００７４】
３−４．基材フィルムの製造例４
Ｔダイ押出法にて、環状ポリオレフィン樹脂（三井化学（株）製、商品名：アペル）をフィルム状に成形し、厚さ７０μｍの環状ポリオレフィン樹脂フィルムを得た。粘着剤層を形成する側には、コロナ放電処理を施し、基材フィルム４とした。得られた基材フィルム４の貯蔵弾性率の温度分散（ｃ）を〔図１〕に示す。基材フィルム４の吸水寸法変化率は０．１０％であった。基材フィルム１の５０℃、９０℃における剛軟度は、それぞれ０．３４Ｎ、０．１０Ｎであった。
【００７５】
３−５．基材フィルムの製造例５
厚さ１００μｍの非結晶性ポリエチレンテレフタレート〔三菱樹脂（株）製、商品名：ディアフィクス〕の粘着剤層形成面にコロナ放電処理を施し基材フィルム５とした。得られた基材フィルム５の貯蔵弾性率の温度分散（ｄ）を〔図１〕に示す。基材フィルム５の吸水寸法変化率は、０．１０％であった。基材フィルム１の５０℃、９０℃における剛軟度は、それぞれ０．５１Ｎ、０．０６Ｎであった。
【００７６】
３−６．基材フィルムの比較製造例１
厚さ７０μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを製膜し、粘着剤層を形成する側には、コロナ放電処理を施し、基材フィルム６とした。基材フィルム６の貯蔵弾性率の温度分散（ｅ）を〔図１〕に示す。基材フィルム７の吸水寸法変化率は０．０２％であった。基材フィルム１の５０℃、９０℃における剛軟度は、それぞれ０．５４Ｎ、０．４４Ｎであった。
【００７７】
３−７．基材フィルムの比較製造例２
厚さ１７５μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを製膜し、粘着剤層を形成する側には、コロナ放電処理を施し基材フィルム７とした。基材フィルム７の貯蔵弾性率の温度分散（ｆ）を〔図１〕に示す。基材フィルム７の吸水寸法変化率は０．０２％であった。基材フィルム１の５０℃、９０℃における剛軟度は、それぞれ０．８０Ｎ、０．７４Ｎであった。
【００７８】
３−８．基材フィルムの比較製造例３
厚さ７０μｍの２軸延伸ポリプロピレンフィルムを製膜し、粘着剤層を形成する側には、コロナ放電処理を施し基材フィルム８とした。基材フィルム８の貯蔵弾性率の温度分散（ｇ）を〔図１〕に示す。基材フィルム８の吸水寸法変化率は０．０２％であった。基材フィルム１の５０℃、９０℃における剛軟度は、それぞれ０．４０Ｎ、０．３７Ｎであった。
【００７９】
３−９．基材フィルムの比較製造例４
厚さ１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井・デュポンポリケミカル（株）製、銘柄：エバフレックスＰ−１９０５（ＥＶ４６０）フィルムをＴダイ押出により製膜した。粘着剤層を形成する側には、コロナ放電処理を施し基材フィルム９とした。基材フィルム９の貯蔵弾性率の温度分散（ｈ）を〔図１〕に示す。基材フィルム９の吸水寸法変化率は−０．０２％であった。基材フィルム１の５０℃おける剛軟度は、０．５４Ｎであった。９０℃における値は、測定できなかった。
【００８０】
４．粘着剤層を構成する粘着剤塗布液の調製例１
重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤として４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．５重量部、アクリル酸ブチル５２．２５重量部、メタクリル酸メチル２５重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル１５重量部、メタクリル酸６重量部、アクリルアミド１重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイドの付加モル数の平均値；約２０）の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製：商品名：アクアロンＨＳ−２０〕０．７５重量部を添加し、攪拌下で７０℃において９時間乳化重合を実施し、アクリル樹脂系水エマルジョンを得た。これを１４重量％アンモニア水で中和し、固形分４０重量％を含有する粘着剤ポリマーエマルジョン（粘着剤主剤）を得た。得られた粘着剤主剤エマルジョン１００重量部（粘着剤ポリマー濃度：４０重量％）を採取し、さらに１４重量％アンモニア水を加えてｐＨ９．３に調整した。次いで、アジリジン系架橋剤〔日本触媒化学工業（株）製、商品名：ケミタイトＰＺ−３３〕２．５重量部、及びジエチレングリコールモノブチルエーテル５重量部を添加して粘着剤層を構成する粘着剤塗布液を得た。
【００８１】
５．粘着フィルムの製造例１〜５、同比較製造例１〜４
粘着フィルムの製造例１〜５は、基材フィルムの製造例１〜５で得られた基材フィルム１〜５を用い、粘着フィルムの比較製造例１〜４は、基材フィルムの比較製造例１〜４で得られた基材フィルム６〜９を用いた。片表面にシリコーン処理（離型処理）が施された厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（剥離フィルム）の離型処理が施された側の面に、前項４で得られた粘着剤塗布液をコンマコーターにより塗布し、１２０℃で４分間乾燥し、厚み１０μｍの粘着剤層を形成した。得られた粘着剤層に、前項３−１〜３−９で得られた基材フィルム１〜９のコロナ放電処理が施された側の面をそれぞれドライラミネーターにより貼り合わせて押圧して、粘着剤層を基材フィルム１〜９のそれぞれのコロナ放電処理が施された側の面に転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１〜１０を得た。基材フィルム１〜９を用いて作製された粘着フィルム１〜９をそれぞれ半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１〜９とした。得られた半導体ウエハ表面保護フィルム１〜９の粘着力は、順番に８０ｇ／２５ｍｍ、７５ｇ／２５ｍｍ、９０ｇ／２５ｍｍ、７５ｇ／２５ｍｍ、９０ｇ／２５ｍｍ、７５ｇ／２５ｍｍ、９０ｇ／２５ｍｍ、８０ｇ／２５ｍｍ、８５ｇ／２５ｍｍであった。
【００８２】
６．半導体ウエハの裏面加工方法の実施例
６−１．半導体ウエハの裏面加工方法の実施例１
厚み１０μｍのポリイミドで保護されている半導体シリコンウエハ［直径：２００ｍｍ（８インチ）、厚み：７２５μｍ］の表面に半導体ウエハ表面保護フィルム１を粘着剤層を介して貼着し、研削装置｛（株）ディスコ製、形式；ＤＦＧ―８６０｝を用いて、水をかけて冷却しながら半導体シリコンウエハの裏面を厚みが５０μｍになるまで研削加工した。１０枚の半導体シリコンウエハについて同様にして裏面加工を行った。裏面研削加工中に、半導体ウエハが脱落、割れるなどのトラブルは発生しなかった。裏面加工が終了した後、半導体シリコンウエハの反りを半導体ウエハ表面保護フィルム１が貼着された状態で上記方法により測定した。その結果、ウエハの反り量の平均値は１．５ｍｍであった。その後、表面保護用テープ剥がし機｛日東精機（株）製、ＨＲ−８５００ＩＩ；使用剥がしテープ：三井化学（株）製、イクロスＲＭ｝を用い、チャックテーブルを通して８０℃に加熱した状態で、半導体ウエハ表面保護フィルム１を剥離した。剥離の際、ウエハの破損は認められなかった。さらに、半導体ウエハ表面保護フィルム１を剥離した後のウエハ反り量を上記方法により測定した。その結果、ウエハ反り量の平均値は２５ｍｍであった。得られた結果を表１に示す。
【００８３】
６−２．半導体ウエハの裏面加工方法の実施例２〜５、同比較例１〜４
半導体ウエハの裏面加工方法の実施例２〜５では、半導体ウエハ表面保護フィルム２〜５、同比較例１〜４では半導体ウエハ表面保護フィルム６〜９をそれぞれ用いた以外、実施例１と同様の方法を実施した。
その結果、実施例２〜５では、ウェハ裏面の研削加工中に、半導体ウエハが脱落、割れるなどのトラブルは発生しなかった。また、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの剥離性には何ら問題はなかった。ウエハ研削後の反り量の平均値は、順に１．８ｍｍ、０．５ｍｍ、１．７ｍｍ、１．０ｍｍであり、問題なかった。
比較例１〜３ではウェハ裏面の研削加工中に、半導体ウエハが脱落、割れるなどのトラブルは発生しなかったが、比較例４ではウエハ裏面の研削加工中に５枚のウエハが破損した。また、半導体ウエハ表面保護フィルムの剥離性については、比較例１では、７枚のウェハが端部に欠けが発生した。比較例２では、粘着フィルムの基材フィルムが剛性が高く、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムが剥離できなかった。比較例３では、３枚のウエハが端部に欠けが発生した。比較例４では破損しなかったに関して粘着フィルムの剥離を行ったところ、剥離性に問題なかった。ウエハ研削後の反り量の平均値は、順に１．９ｍｍ、０．５ｍｍ、５ｍｍ、２６ｍｍであった。
得られた結果を表１〜２に示す。
【００８４】
【表１】

【００８５】
【表２】

【００８６】
＜表１〜２の記載の説明＞
ＥＶＡ：エチレン−酢酸ビニル共重合体、非結晶性ＰＥＴ：非結晶性ポリエチレンテレフタレート、ＰＥＴ：２軸延伸ポリエチレンテレフタレート、ＯＰＰ：２軸延伸ポリプロピレン、最大／最小の比：１８〜５０℃の温度域における貯蔵弾性率の最低値（Ｅ‘ｍｉｎ）に対する最高値（Ｅ‘ｍａｘ）の比（Ｅ‘ｍａｘ／Ｅ‘ｍｉｎ）。
【００８７】
【発明の効果】
本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いることにより、半導体ウエハの裏面研削加工において、集積回路が保護膜によって保護されたウエハが、厚みが１５０μｍ以下になるまで薄層化された場合であっても、半導体ウエハの集積回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する際の基材フィルムの伸びを抑制することとができ、半導体ウエハの回路保護膜の残留応力によるウエハの反りを矯正、防止することができる。また、半導体ウエハの集積回路非形成面を研削する際に注水される冷却水、粘着フィルム表面の洗浄水等により、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルムが適度に膨張し、半導体ウエハの反りを矯正、防止することができ、ウエハの破損を防止できる。また、半導体ウエハの集積回路形成面から本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際、加温することにより基材フィルムが低弾性率化し、ウエハを破損することなしに容易に剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】各種基材フィルムの貯蔵弾性率の温度分散を示す
【符号の説明】
（ａ）：厚み７０μｍのニトリル系樹脂フィルム
（ｂ）：厚み１７５μｍのニトリル系樹脂フィルム
（ｃ）：厚み７０μｍの環状ポリオレフィンフィルム
（ｄ）：厚み１００μｍの非結晶性ポリエチレンテレフタレートフィルム
（ｅ）：厚み７０μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
（ｆ）：厚み１７５μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
（ｇ）：厚み７０μｍの２軸延伸ポリプロピレンフィルム
（ｈ）：厚み１２０μｍのエチレン−酢酸ビニルフィルム

Claims (9)

1. 基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、下記要件Ａと、要件ＢまたはＣの少なくとも１要件を備えたことを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。
   要件Ａ：５０℃におけるフィルム剛軟度の値が、０．０８〜１．５０Ｎの範囲である高剛性特性（Ａ）。
   要件Ｂ：９０℃のフィルム剛軟度の値が、５０℃におけるフィルム剛軟度の３分の１以下である特性（Ｂ）。
   要件Ｃ：２３℃、９０％ＲＨにおいて４時間経過後の吸水による寸法変化率が０．０５〜０．５％である吸水膨張性高弾性率特性（Ｃ）。
2. 基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、下記要件Ａ‘と、要件Ｂ’またはＣの少なくとも１要件を備えた層を少なくとも１層含むことを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。
   要件Ａ‘：１８〜５０℃の全温度域における貯蔵弾性率が１×１０^９〜１×１０^{１ ０}Ｐａである高弾性率特性（Ａ‘）。
   要件Ｂ‘：５０〜９０℃の少なくとも一部の温度域における貯蔵弾性率が１×１０^８Ｐａ以下である高弾性率特性（Ｂ‘）。
   要件Ｃ：２３℃、９０％ＲＨにおいて４時間経過後の吸水による寸法変化率が０．０５〜０．５％である吸水膨張性高弾性率特性（Ｃ）。
3. 前記要件Ａ‘と、要件Ｂ’またはＣの少なくとも１要件を備えた層が、１８〜５０℃の温度域における貯蔵弾性率の最低値（Ｅ‘ｍｉｎ）に対する最高値（Ｅ‘ｍａｘ）の比（Ｅ‘ｍａｘ／Ｅ‘ｍｉｎ）が１．０〜１．１であることを特徴とする請求項２記載の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。
4. 前記要件Ａ‘と、要件Ｂ’またはＣの少なくとも１要件を備えた層の厚みが３０〜３００μｍであることを特徴とする請求項２記載の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。
5. 基材フィルムが、低弾性率樹脂層を少なくとも１層含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。
6. 低弾性率樹脂層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体層であることを特徴とする請求項５記載の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。
7. 低弾性率樹脂層の厚みが３０〜２５０μｍであることを特徴とする請求項５記載の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。
8. 基材フィルムの総厚みが５０〜３００μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。
9. 半導体ウエハの集積回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムをその粘着剤層を介して貼着し、半導体ウエハの厚みが１５０μｍ以下になるまで裏面加工し、次いで、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを５０〜９０℃に加熱して剥離する半導体ウエハの裏面加工方法であって、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムとして、請求項１または２項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いることを特徴とする半導体ウエハの裏面加工方法。

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