WO2006088074A1 - 半導体ウェハ表面保護シート及び該保護シートを用いる半導体ウェハの保護方法 - Google Patents

半導体ウェハ表面保護シート及び該保護シートを用いる半導体ウェハの保護方法 Download PDF

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layer
protecting
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Yoshihisa Saimoto
Toshiya Urakawa
Akemi Nakajima
Ikuo Akai
Shin Aihara
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Mitsui Chemicals, Inc.
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor wafer surface protecting sheet and a semiconductor wafer protecting method using the protecting sheet. More specifically, the semiconductor wafer surface protection sheet that is useful for preventing damage to the semiconductor wafer in the grinding of the non-circuit-formed surface of the semiconductor wafer and the processing for the non-circuit-formed surface after grinding, and capable of improving productivity, and the protection
  • the present invention relates to a method for protecting a semiconductor wafer using an industrial sheet.
  • a process for processing a semiconductor wafer includes a process for attaching a semiconductor wafer surface protection sheet to a circuit forming surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a semiconductor wafer surface), a circuit non-forming surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a semiconductor wafer back surface).
  • semiconductor wafer surface protection sheet peeling process semiconductor wafer dicing process for dividing and cutting the semiconductor wafer into chips, and die bonding process for bonding the divided semiconductor chip to the lead frame, the semiconductor chip is externally protected. For this reason, it is constituted by a molding process for sealing with a resin.
  • an adhesive film in which an adhesive layer is applied on one surface of a resin film is mainly used, and has been used in the above-mentioned semiconductor wafer manufacturing process flow.
  • the main characteristics of the adhesive film for semiconductor wafer protection in this case are the absorption of polishing stress (preventing damage to the semiconductor wafer) when mechanically grinding the backside of the semiconductor wafer after application of the adhesive film, For example, optimum peeling force (prevents breakage of ground semiconductor wafers) and suppresses transfer to the semiconductor wafer surface after peeling of the adhesive film.
  • Such adhesive films for protecting the surface of a semiconductor wafer are disclosed in JP-A 61-10242, JP-A 61-043677, JP-A 62-271451, and the like.
  • solder bumps have a spherical or similar shape to a trapezoidal force, depending on the device and manufacturer's design. The unevenness having a very high step is not aligned with the unevenness of the surface shape, and the shape is arranged on the pattern. Recently, a technology called a wafer level package has become widespread due to a technical study to reduce the mounting size.
  • This knockout is about 25% of the conventional size, suggesting the possibility of becoming the center of future mounting technology.
  • This wafer level package also includes a processing step of finishing the silicon part by grinding.
  • the solder part is attached and then the silicon part is ground.
  • the process order is reasonable.
  • the height of the solder bump is high, both 250 (m and 500 (m, also known as m), optimal semiconductor wafer surface protection for processing semiconductor wafers with higher uneven steps.
  • Proposal of a sheet and a method for protecting a semiconductor wafer using the protective sheet is also desired.
  • the scribe line on the surface of the semiconductor wafer becomes deeper, thinner, or designed around the periphery of the semiconductor wafer.
  • the thickness of the polyimide film, the shape of the aluminum pad, and the semiconductor wafer surface for liquid crystal drivers have become more complex, such as the addition of 20-50 (m gold bumps). Therefore, it is desired to propose a semiconductor wafer surface protection sheet suitable for them and a semiconductor wafer protection method using the protection sheet.
  • an object of the present invention is to reduce the thickness of the silicon part during grinding in processing of a wafer having a very large stepped uneven shape such as a solder bump on the semiconductor wafer surface.
  • Another object of the present invention is to propose a semiconductor wafer surface protection sheet capable of preventing damage to the semiconductor wafer and a semiconductor wafer protection method using the protection sheet.
  • the present inventors have found that the storage elastic modulus G '(25) at 25 ° C and the storage elastic modulus G' (60) at 60 ° C are G '(60) / G' (25)
  • the present invention has been completed by finding that a semiconductor wafer surface protecting sheet comprising a resin layer (A) having a relationship of ⁇ 0.1 can solve the above-mentioned problems.
  • the feature of the first invention is that the storage elastic modulus G '(25) at 25 ° C is 60 ° C.
  • the storage elastic modulus G ′ (60) includes at least one resin layer (A) having a relationship of G ′ (60) / G ′ (25) ⁇ 0.1. It is a sheet.
  • the density of the resin layer (A) is in the range of 800 to 890 kg / m 3, which is a preferable aspect in that the elastic modulus of the resin layer (A) during heating can be controlled. It is preferable that the resin layer (A) contains an olefin-based copolymer from the viewpoint of maintaining cohesion between polymer chains.
  • a feature of the second invention is that the semiconductor wafer surface protective sheet is pressed on the surface of the semiconductor wafer in a temperature range of 40 to 70 ° C in a pressure range of 0.3 to 0.5 MPa.
  • a method for protecting a semiconductor wafer comprising: a first step of attaching the protective sheet; a second step of grinding the back surface of the semiconductor wafer; and a third step of processing the back surface of the semiconductor wafer after grinding. .
  • the semiconductor wafer surface protecting sheet in which the elastic modulus and, in some cases, the density of the resin of the present invention are controlled becomes a useful member in a series of protecting steps of a semiconductor wafer having very high unevenness. It is possible to prevent wafer breakage and contamination.
  • the semiconductor wafer can be prevented from being damaged in the series of steps even in the grinding step of the semiconductor wafer having a very large surface irregularity shape.
  • the semiconductor wafer surface protecting sheet of the present invention has a storage elastic modulus G '(25) at 25 ° C and a storage elastic modulus G' (60) at 60 ° C as G '(60) / G' ( 25) At least one resin layer (A) having a relationship of ⁇ 0.1.
  • G ′ (60) / G ′ (25) ⁇ 0.08, and particularly preferably G, (60) / G ′ (25) is 0.05.
  • the storage elastic modulus of G '(60) is preferably 0.05 X 10 6 to 1. OX 10 6 Pa, more preferably 0.075 X 10 6 to 0.5 X 10 6 Pa. .
  • G of index 'storage ⁇ (25)' is 4. a 0 X 10 6 ⁇ 7.0 X 1 0, more preferably 6 Pa is preferred instrument 4. 5 X 10 6 ⁇ 6. 5 X 10 6 Pa.
  • the density of the resin layer (A) is preferably 800 to 890 kgZm 3 , more preferably 830 to 890 kg, particularly preferably 850 to 890 kg / m 3 .
  • the sheet of the present invention is obtained by forming a resin film that forms the resin layer (A) by a known molding method such as extrusion molding and a base film, for example, an extrusion laminating method or a dry laminating method. It can be produced by laminating the resin layer (A) on one surface of the base film by a laminating method such as.
  • the elastic modulus displacement of the resin layer (A) during heating is limited to about 60 ° C. Therefore, in this sheet design, the storage elastic modulus G '(25) at room temperature (25 ° C) is We tried to optimize the elastic modulus ratio G '(60) / G, (25) with the storage elastic modulus G' (60) at 60 ° C. As a result, for a wafer surface with 250 (m) unevenness, the elastic modulus ratio G ′ (60) / G ′ (25) is less than 0.1 in the temperature range of 40 to 70 ° C.
  • the resin forming the resin layer (A) exhibiting the above-mentioned characteristics contains an olefin copolymer as a main component.
  • an olefin copolymer such as TAFMER (registered trademark) manufactured by Yi Gakki Co., Ltd.
  • the olefin copolymer may contain corrosive ions or metal ions that can cause circuit degradation of semiconductor wafers.
  • the olefin copolymer used in the present invention for forming the resin layer (A) is mainly composed of at least two ⁇ -olefins selected from a-olefin binders having 2 to 12 carbon atoms.
  • the ⁇ -olefin copolymer used as a component is suitable for semiconductor wafers with solder bumps with large unevenness. It is preferable at the point which expresses the adhesiveness to perform and low-contamination property.
  • ethylene is regarded as a kind of ⁇ -olefin.
  • Examples of ⁇ -olefins having 2 to 12 carbon atoms include ethylene, propylene, 1-butene, 1 pentene, 3-methyl-1-butene, 1-hexene, 4-methyl-1 pentene, 3-methyl 1-pentene. 1-heptene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene and the like.
  • Examples of combinations that are excellent in sticking suitability include ethylene 'propylene copolymer, ethylene 1-butene copolymer, propylene 1-butene' alpha-olefin terpolymer having 5 to 12 carbon atoms, ethylene 'propylene' carbon Examples thereof include terpolymers of ⁇ -olefin having 4 to 12 atoms, and ternary copolymers of propylene ⁇ 1-butene ′ and ⁇ -olefin having 5 to 12 carbon atoms. Further, the above olefin-based copolymers can be used alone or in combination of two or more.
  • the resin layer ( ⁇ ) preferably contains the olefin-based copolymer as a main component.
  • the content thereof is usually about 60 to L00% by weight, preferably 70 to L00 weight. %.
  • the resin used to form the coconut resin layer ( ⁇ ) in addition to the olefin copolymer, thermoplastic elastomers, ethylene and ⁇ -olefin co-oligomers, synthesis Components such as a resin can also be contained.
  • the softening temperature can be adjusted with respect to the bonding temperature of 40 to 70 ° C., and the adhesiveness at the use environment temperature can be adjusted.
  • thermoplastic elastomer examples include a polystyrene-based elastomer, a polyolefin-based elastomer, a polyurethane-based elastomer, a polyester-based elastomer, and the like. Of these, polystyrene elastomers and polyolefin elastomers are preferred in order to improve flexibility and adhesiveness while keeping the moisture content and ion content low.
  • polystyrene elastomers examples include ', styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-ethylene' butylene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (SEPS). ), Other styrene / gen-based block copolymers or hydrogenated products thereof.
  • SIS styrene-isoprene-styrene block copolymer
  • SEBS styrene-ethylene' butylene-styrene block copolymer
  • SEPS styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer
  • Other styrene / gen-based block copolymers or hydrogenated products thereof Specific examples of this SIS are as follows: Product Name: JSR SIS (registered trademark) from JSR
  • polyolefin-based elastomer examples include a block copolymer of a polyolefin block that forms a crystalline high polymer such as polypropylene as a hard portion and a monomer copolymer block that exhibits an amorphous property as a soft portion.
  • a block copolymer of a polyolefin block that forms a crystalline high polymer such as polypropylene as a hard portion
  • monomer copolymer block that exhibits an amorphous property as a soft portion.
  • olefin (crystalline) ⁇ ethylene 'butylene' olefin (crystalline) block copolymer, polypropylene 'polyethylene oxide' polypropylene block copolymer, polypropylene 'polyolefin (amorphous) ⁇ polypropylene block copolymer A coalescence etc. can be illustrated.
  • Co-oligomers of ethylene and ⁇ -olefin are usually liquid at room temperature.
  • examples of a-olefin include propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-octadecene, 4-methyl- 1 Pentene, etc., having 3 to 20 carbon atoms (X-olefin is mentioned.
  • ⁇ -olefin having 3 to 14 carbon atoms is preferable.
  • Specific examples are trade names: Lucant (registered) (Trademark), high wax (registered trademark), and exelex (registered trademark).
  • the resin forming the resin layer (A) used in the present invention is not limited to this type of resin as long as it does not impair the properties such as easy adhesion to a semiconductor wafer, easy peeling, and non-contamination.
  • Various additives that are generally blended may be contained. Examples of such additives include various ultraviolet absorbers, antioxidants, heat stabilizers, lubricants, softeners, and tackifiers.
  • the resin layer (A) has two or more layers
  • a combination of the resin layer (A) having an elastic modulus and thickness that does not impair the absorbability of solder bumps and the like is preferable. Further, it is necessary to control the interlayer tack so that no interfacial separation occurs between the resin layers (A) when the sheet is peeled off.
  • the thickness of the resin layer (A) for absorbing (adhering) the height difference provided on the surface of the semiconductor wafer greatly depends on the steps such as solder bumps attached on the surface of the semiconductor wafer. For example, if the step is 100 (m, the thickness of the resin layer (A) is 100 (m or more, 200 (m if the step is 200 (m or more).
  • the adhesiveness to a semiconductor wafer having a high step is also greatly affected by the shape and arrangement of solder bumps attached to the surface of the semiconductor wafer. It is necessary to design the thickness of the resin layer (A) suitable for semiconductor wafers.
  • the base film for forming the resin layer (A) can be selectively used depending on the semiconductor wafer production process, such as a polyolefin layer, a polyester layer, or a laminate of a polyolefin layer and a polyester layer.
  • a polyolefin layer such as a polyolefin layer, a polyester layer, or a laminate of a polyolefin layer and a polyester layer.
  • the thinner the silicon portion the greater the semiconductor crystallinity, the shrinkage of the polyimide film, the stress of bump attachment, etc.
  • the warpage of the wafer is also a concern, and the amount of warpage of the semiconductor wafer can be reduced by balancing the thickness and rigidity of the polyester and polyolefin.
  • Examples of the base film include polyethylene, ethylene 'butyl acetate copolymer, ethylene' alkyl acrylate copolymer (the alkyl group has 1 to 4 carbon atoms), ethylene 'ao-refin copolymer Polymers, propylene'OC-olefin copolymers, polyolefins such as polypropylene, and polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferred.
  • the configuration of the protective sheet is as follows: 1) Polyolefin layer Z resin layer (A), 2) Polyester layer Z resin layer (A), 3) Polyester layer Z polyolefin layer Z resin layer (A), 4) Polyolefin layer Z polyester layer Z resin layer (A) 4 patterns.
  • the sheet thickness of 1) to 4) is preferably 1,000 (m or less, more preferably 700 (m or less).
  • the thickness of the polyester layer is 5 to: LOO (m, more preferably 20 to: LOO (m. Further, the thickness of the polyolefin layer is 10 to 400 (m, more preferably 30 to 30 0 (m.
  • the most suitable sheet structure for the etching process using a chemical solution or the like in the second step or the third step or a heat-resistant process is a polyester film having chemical resistance and heat resistance. Laminated to the outer layer, the sheet configurations of 2) and 3) are preferred.
  • One example of the method for producing a semiconductor wafer using the semiconductor wafer surface protective sheet according to the present invention is to first add the semiconductor wafer surface protective sheet, preferably via the resin layer (A).
  • An etching process for removing the metal and a second process for performing a polishing process are sequentially performed, followed by a third process for performing metal sputtering, a plating process, and other heating processes. There are no particular restrictions on the subsequent processes.
  • a process for peeling the semiconductor wafer surface protection sheet, a dicing process for dividing and cutting the semiconductor wafer, a mold process for sealing the semiconductor chip with a resin for external protection, etc. A method for manufacturing a semiconductor wafer in which the steps are sequentially performed.
  • the conditions such as a pressure range of 0.3 to 0.5 MPa in a temperature range of 40 to 70 ° C are preferable. This is because the storage elastic modulus G '(25) at 25 ° C and the storage elastic modulus G' (60) at 60 ° C have the relationship G '(60) / G' (25) ⁇ 0.1. This is a condition that maximizes the characteristics of the oil layer (A). If the temperature is 40 ° C or lower, the step absorption ability does not appear until the elastic modulus of the resin layer (A) is high, and defects such as voids that cause cracks in the semiconductor wafer may occur.
  • the elastic modulus of the resin layer (A) becomes too low, and there is concern about the protrusion of the resin layer (A) and uneven sheet thickness.
  • 0.3 MPa If it is below, the step cannot be absorbed sufficiently, and conversely, if it exceeds 0.5 MPa, there is a concern about the protrusion of the resin layer (A), unevenness of the sheet thickness, and the like. Therefore, depending on the thickness of the resin layer (A), the step shape and arrangement on the semiconductor wafer on the side where the sheet is applied, the temperature range of 40 to 70 ° C, the pressure range of 0.3 to 0.5 MPa It is preferable to select the optimal combination as appropriate. For example, heating and pressurizing conditions such as 45 ° C / 0.335 MPa and 50 ° C / 0.4 MPa are mentioned.
  • Examples of the method for removing and grinding the crushed layer in the second step include a wet etching method using a mixed acid or the like, a plasma etching method, and a polishing method. Force that can be achieved only by mechanical grinding with a turret in the second process. When thinning a semiconductor wafer or maintaining the strength of the chip, if the etching is performed, polishing is performed on the backside of the wafer by polishing. It is preferably combined with the step of removing the layer.
  • the semiconductor wafer is transferred to a process for processing the back surface of the semiconductor wafer (third process).
  • a process for processing the back surface of the semiconductor wafer without heating the protective film, metal is sputtered on the backside of the semiconductor wafer, or a process under heating is performed in which the backside of the semiconductor wafer is treated by dipping in a plating solution. May be.
  • the semiconductor wafer surface protective sheet is peeled off.
  • the surface of the semiconductor wafer is subjected to treatment such as water washing and plasma washing.
  • the thickness of the semiconductor wafer before processing is appropriately determined depending on the diameter and type of the semiconductor wafer, and the thickness of the semiconductor wafer after processing of the semiconductor wafer back surface is appropriately determined depending on the size of the chip to be obtained, the type of circuit, and the like. It is decided.
  • the operation of attaching the semiconductor wafer surface protective sheet to the surface of the semiconductor wafer may be performed manually, it is generally referred to as an automatic attaching machine with a roll-shaped semiconductor wafer surface protective sheet attached. It is done by the device.
  • an automatic pasting machine examples include Takatori Co., Ltd., model: ATM-1000B, ATM-1100, TEAM-100, Nitto Seiki Co., Ltd., model: 8500 series.
  • a mechanical back surface grinding method for a semiconductor wafer a known grinding method such as a through feed method or an in feed method is employed. In either method, grinding is usually performed while cooling water by supplying water to the semiconductor wafer and the turret.
  • a viscoelasticity measurement sample with a radius of about 8mm and a thickness of 1mm is prepared with the resin forming the resin layer (A).
  • a dynamic viscoelasticity measuring device (Rheometrics Co., Ltd .: Model: RMS-800)
  • 25 ° C force is 90 ° C (temperature at which the elastic modulus of the resin layer cannot be measured).
  • the measurement frequency is 1 Hz and the distortion is 0.1 to 3%.
  • the elastic modulus G at 25 ° C, (25) is 5.15 X 10 6 Pa
  • the elastic modulus G at 60 ° C, (60) is 1.4 X 10
  • An ethylene 'a-olefin copolymer (TAFME® (registered trademark) manufactured by Mitsui Chemicals) having 5 Pa, G, (60) / G' (25) 0.027, and a density of 810 kgZm 3 was used.
  • Polyester layer (Teleflex made by Teijin DuPont, thickness 50 (m) and polyolefin layer different from rosin layer (A) (Mitsui Dupont Polychemical EVA, thickness 120 (m))
  • the above-mentioned ethylene ' ⁇ -olefin copolymer was formed into a film with a thickness of 350 (m, and a semiconductor wafer surface protective sheet was produced. Thereafter, under heating and pressurization conditions of 60 ° C and 0.4 MPa, It was attached to a semiconductor wafer with a solder ball with a radius of 250 (m via a resin layer (A) and ground to a silicon part thickness of 300 (m.
  • the protective sheet was peeled off at 25 ° C and the optical microscope was Use for semiconductor wafer cracks and cracks Checked for poor appearance. The results are shown in Table 1.
  • Table 1 the adhesion to the bumps is good when there are no voids around the bumps when pasting.
  • the in-wafer TTV (Total Thickness Variation) after grinding was 20 (m or less as “good”, and more than that as “bad”.
  • TAFMER ethylene' a-olefin copolymer manufactured by Mitsui Chemicals
  • TAFMER ethylene ′ a-olefin copolymer manufactured by Mitsui Chemicals
  • Polyester layer (Teleflex made by Teijin DuPont, thickness 50 (m) and polyolefin layer (A) different from polyolefin layer (Mitsui Dupont Polychemical EVA, thickness 120 (m)) on the polyolefin layer side surface of the laminated base film
  • the above-mentioned ethylene 'a -olefin copolymer was formed into a film with a thickness of 350 (m, and a semiconductor wafer surface protective sheet was prepared. Thereafter, under a heating and pressing condition of 40 ° C and 0.5 MPa, 250 (Attached to a semiconductor wafer with a solder ball having a radius of m via a resin layer (A) and ground to a silicon part thickness of 300 (m. Using a light microscope, the protective sheet was peeled off at 25 ° C. The appearance defects such as cracks and cracks were checked, and the results are shown in Table 1. 2-4.Example 4
  • TAFMER ethylene ′ a-olefin copolymer manufactured by Mitsui Chemicals
  • Polyester layer Teijin DuPont Teflex, thickness 50 (m) and plastic Polyolefin layer different from the resin layer (Mitsui DuPont Polychemical EVA, thickness 120 (m))
  • the ethylene' ⁇ -olefin copolymer was formed into a film with a thickness of m to prepare a semiconductor wafer surface protective sheet. After that, under a heating and pressing condition of 70 ° C and 0.3 MPa, 250 (m Affixed to a semiconductor wafer with a solder ball having a radius through a resin layer (A) and ground to a silicon part thickness of 300 m.
  • the protective sheet was peeled off at 25 ° C, and cracks and Appearance defects such as cracks were checked, and the results are shown in Table 1.
  • TAFMER registered trademark
  • Polyester layer Teflon made by Teijin DuPont, thickness 50 (m) and polyolefin layer (A) different from polyolefin layer (A) Polyolefin layer (Mitsui Dupont Polychemical EVA, thickness 120 (m))
  • the above-mentioned ethylene 'a -olefin copolymer was formed into a film with a thickness of 350 (m, and a semiconductor wafer surface protective sheet was prepared. Thereafter, under a heating and pressing condition of 60 ° C and 0.4 MPa, 250 (Attached to a semiconductor wafer with a solder ball having a radius of m via a resin layer (A) and ground to a silicon part thickness of 300 (m. Using a light microscope, the protective sheet was peeled off at 25 ° C. The appearance defects such as cracks and cracks were checked, and the results are shown in Table 1.
  • the elastic modulus G, (25) at 25 ° C is 5.
  • the elastic modulus G '(60) at 60 ° C is 0.22 X 10 6 Pa
  • G, (60) / G '(25) 0.044, density 790kgZm 3 ethylene' ⁇ -olefin copolymer (Mitsui Chemicals TAFMER Registered trademark)).
  • Polyester layer (Teleflex made by Teijin DuPont, thickness 50 (m) and polyolefin having a composition different from that of the above resin (Mitsui Dupont Polychemical EVA, thickness 120 (m))
  • the above-mentioned ethylene ' ⁇ -olefin copolymer was formed into a film having a thickness of 350 (m, and a semiconductor wafer surface protective sheet was prepared. Thereafter, under a heating and pressing condition of 60 ° C and 0.4 MPa, 250 (A solder ball with a radius of m was attached to the attached semiconductor wafer via the resin layer (A) and polished to a silicon part thickness of 300 (m.
  • the protective sheet was peeled off at 25 ° C and an optical microscope was used. The appearance defects such as cracks and cracks were checked, and the results are shown in Table 1.
  • the elastic modulus G, (25) at 25 ° C is 6.15 X 10 6 Pa
  • the elastic modulus G '(60) at 60 ° C is 0.43 X 10 6 Pa
  • G, (60) / G ′ (25) 0.070
  • an ethylene ′ a-olefin copolymer (TAFMER (registered trademark) manufactured by Mitsui Chemicals) with a density of 900 kgZm 3 was used.
  • Polyester layer (Teleflex made by Teijin DuPont, thickness 50 (m) and polyolefin layer having a composition different from that of the above-mentioned resin (Mitsui Dupont Polychemical EVA, thickness 120 (m)) on the polyolefin layer side surface of the laminated base film (The above-mentioned ethylene' ⁇ -olefin copolymer was formed into a film with a thickness of m to prepare a semiconductor wafer surface protective sheet. After that, under a heating and pressurizing condition of 60 ° C, 0.4 MPa, 250 (Affixed to a semiconductor wafer with a solder ball having a radius of m via a resin layer (A) and ground to a silicon part thickness of 300 (m. The protective sheet was peeled off, and cracks and The appearance defects such as cracks were checked, and the results are shown in Table 1.
  • the elastic modulus G at 25 ° C, (25) is 5.15 X 10 6 Pa
  • the elastic modulus G at 60 ° C, (60) is 1.4 X 10
  • Polyester layer Teflex manufactured by Teijin DuPont, 350 (m) thickness of the ethylene. ⁇ -olefin copolymer was formed on the surface of 50 (m) to prepare a semiconductor wafer surface protective sheet.
  • the elastic modulus G at 25 ° C, (25) is 4. 30 X 10 7 Pa
  • the elastic modulus G at 60 ° C, (60) is 1. 18 X 10 7 Pa.
  • G, (60) / G '(25) 0.27
  • Polyolefins with a density of 880 kg / m 3 made by Mitsui DuPont Polychemicals, ethylene-bula cetate (hereinafter referred to as EVA) were used.
  • Polyester layer Teflon made by Teijin DuPont, thickness of 50 (m) was coated with the above-mentioned polyolefin at 350 (m thickness) to prepare a semiconductor wafer surface protective sheet.
  • the elastic modulus G, (25) at 25 ° C is 5. 35 X 10 6 Pa, and the elastic modulus G, (60) at 60 ° C is 0.19 X 10
  • TAFMER ethylene 'a-olefin copolymer manufactured by Mitsui Chemicals
  • Polyester layer Teijin DuPont Teflex, thickness 50 (m) Polyolefin having a composition different from that of the resin having a plasticity (EV made by Mitsui DuPont Polychemical, thickness 120 (m), the surface of the polyolefin layer on the surface of the polyolefin layer 350 (m with the thickness of ethylene.
  • a copolymer wafer was formed to prepare a semiconductor wafer surface protection sheet, and then a semiconductor wafer with a solder ball having a radius of 250 (m) at 30 ° C and 0.5 MPa heating and pressurizing conditions. It was pasted through the resin layer (A) and ground to a silicon part thickness of 300 (m).
  • the protective sheet was peeled off at 25 ° C and checked for appearance defects such as cracks and cracks using an optical microscope. The results are shown in Table 2.
  • the elastic modulus G, (25) at 25 ° C is 5. 35 X 10 6 Pa, and the elastic modulus G, (60) at 60 ° C is 0.19 X 10
  • TAFMER ethylene 'a-olefin copolymer manufactured by Mitsui Chemicals
  • Polyolefin layer (polyolefin layer side surface of laminated base film with polyester layer (Teijin DuPont Teflex, thickness 50 (m) and polyolefin resin (A), and Mitsui DuPont Polychemical EVA, thickness 120 (m))
  • the above-mentioned ethylene • ⁇ -olefin copolymer was formed into a film of 350 (m thickness) to prepare a semiconductor wafer surface protective sheet. After that, under a heating and pressing condition of 80 ° C. and 0.2 MPa, 250 (Attached to a semiconductor wafer with a solder ball having a radius of m through a plastic resin layer and ground to a silicon part thickness of 300 (m. Using a light microscope, the protective sheet was peeled off at 25 ° C. The appearance defects such as cracks and cracks were checked, and the results are shown in Table 2.
  • the elastic modulus G at 25 ° C, (25) is 4. 30 X 10 7 Pa
  • the elastic modulus G at 60 ° C, (60) is 1. 18 X 10 7 Pa.
  • G, (60) / G '(25) 0.27
  • a polyolefin layer (EV made by Mitsui DuPont Polychemical) with a density of 880 kg / m 3 was used.
  • Polyester layer Teijin DuPont Teflon, thickness 50 (m) and polyolefin layer different from the above-described plastic resin layer (Mitsui DuPont Polychemical EVA, thickness 120 (m))
  • a surface of the semiconductor wafer surface protective sheet was prepared by forming the above-described plastic resin with a thickness of 350 (m) on the surface. After that, under a heating caloric pressure condition of 60 ° C and 0.4 MPa, 250 (m Resin layer (A) on semiconductor wafer with solder balls The protective sheet was peeled off at 25 ° C and checked for appearance defects such as cracks and cracks using an optical microscope. The results are shown in Table 2. Describe.
  • the elastic modulus G at 25 ° C, (25) is 4. 30 X 10 7 Pa
  • the elastic modulus G at 60 ° C, (60) is 1. 18 X 10 7 Pa.
  • G, (60) / G '(25) 0.27
  • a polyolefin layer (EV made by Mitsui DuPont Polychemical) with a density of 880 kg / m 3 was used.
  • Polyester layer Teflex manufactured by Teijin DuPont Co., Ltd.
  • the above EVA film was formed to a thickness of 350 (m) on a thickness of 50 (m) to prepare a semiconductor wafer surface protective sheet.
  • the present invention can be used for manufacturing and processing of a semiconductor wafer suitable for high-density mounting.

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Abstract

　半導体ウェハの回路形成面に非常大きな凹凸を有している場合であっても、半導体ウェハの破損を防止し得る半導体ウェハ表面保護シート及び該保護シートを用いた半導体ウェハの保護方法を提供する。 　２５°Cにおける貯蔵弾性率Ｇ’（２５）、６０°Cにおける貯蔵弾性率Ｇ’（６０）が、Ｇ’（６０）／Ｇ’（２５）＜０．１の関係を有する樹脂層(Ａ)を少なくとも一層含むことを特徴とする半導体ウェハ表面保護用シートと該シートを用いた半導体ウェハ保護方法である。

Description

明 細 書
半導体ウェハ表面保護シート及び該保護シートを用いる半導体ウェハの 保護方法
技術分野
[0001] 本発明は、半導体ウェハ表面保護用シート及び該保護用シートを用いた半導体ゥ ェハの保護方法に関する。更に詳しくは、半導体ウェハの回路非形成面の研削及び 研削後の回路非形成面に対する加工処理における半導体ゥ ハの破損防止に有用 で、生産性向上を図り得る半導体ウェハ表面保護用シート及び該保護用シートを用 いる半導体ウェハの保護方法に関する。
背景技術
[0002] 半導体ゥ ハを加工する工程は、半導体ウェハの回路形成面（以下、半導体ウェハ 表面）に半導体ウェハ表面保護シートを貼り付ける工程、半導体ウェハの回路非形成 面 (以下、半導体ウェハ裏面)を加工する工程、半導体ウェハ表面保護シートを剥離 する工程、半導体ウェハをチップに分割切断するダイシング工程、分割された半導体 チップをリードフレームへ接合するダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外 部保護のために榭脂で封止するモールド工程、等により構成されている。従来の半 導体ウェハ表面保護シートとしては、榭脂フィルムの片表面に粘着剤層を塗布した粘 着フィルムが主流であり、上記半導体ウェハの製造加工フローにて使用されてきた。 この場合の主たる半導体ウェハ保護用粘着フィルムの特性としては、粘着フィルム貼 り付け後、半導体ウェハ裏面を機械的に研削する際の研磨応力の吸収 (半導体ゥ ハ破損防止)、粘着フィルム剥離時の最適な剥離力 (研削した半導体ウェハの破損 防止）、粘着フィルム剥離後の、半導体ウェハ表面への転写物の抑制などが挙げら れる。このような半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムとしては特開昭 61— 10242、 特開昭 61— 043677、特開昭 62— 271451などに開示されている。
[0003] また、半導体ウェハ表面には、ポリイミド膜、アルミニウム電極やダイシングするため のスクライブラインなどがあり、その表面形状は起伏に富んだ凹凸形状を有している。 これらの凹凸を、粘着フィルムで十分に吸収しないと、研削時の研磨応力などにより 半導体ウェハが破損するなどの問題が生じる。このような半導体ウェハ表面の凹凸形 状に対して、密着性を向上した粘着フィルムとして、紫外線硬化型の粘着剤を塗布し たタイプが提案されている。この紫外線硬化型粘着フィルムは、貼り付け時、研削時 などは、粘着剤の架橋密度が小さく非常に弾性率が低く抑制でき、半導体ウェハ表 面に対して高密着性を発現し、剥離時には紫外線の照射により、硬化反応が促進さ れ、架橋密度が増加する結果、弾性率が高くなり、粘着フィルムを容易に剥離できる 機能テープとして位置付けられる。しかし、凹凸に密着したまま硬化させるため、半導 体ウェハ表面に粘着剤の榭脂が残ると 、つた問題点が指摘されて 、る。
[0004] 一方、近年の高密度実装技術の開発により、半導体ウェハの製造加工も大きく変 遷しょうとしている。先ず、高密度実装のチップデザインとしてデバイスの高機能、小 型化を実現させるために、チップの積層実装が検討されている。この場合は、研削に よるシリコン厚み仕上げは、 100(m以下がターゲットとされ、チップ積層数は、 2層か ら 10数層が検討されている。また、高密度実装デザインにより、従来まで厚いままで 何の問題もな力つた部分も薄くすることが検討されている。具体的には、球状パター ン型電極としてチップと回路基板を接続するために付設されている半田バンプ付設 の半導体ウェハである。従来までは、半田バンプ付設の半導体ウェハは、研削加工 を入れても、 400〜600(m程度とそれ程薄くする必要はな力つた。
[0005] し力しながら、最近、半田バンプ付設の半導体ウェハも、研削工程によりシリコン部 を 400(m以下に仕上げる工程が検討されている。この場合、研削工程により 400(m 以下に仕上げられた半導体ウェハは強度が低下しており、これに半田バンプを付設 する工程を経ると、半田バンプ付設時の負荷により半導体ウェハが破損するといつた 問題が指摘されている。その結果、半導体ウェハを研削する前の強度が強い段階で 、半田バンプを付設する工程が主流になりつつある。
[0006] し力しこの場合、半田バンプを十分吸収する半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム でないと、半田バンプへの密着不良により発生した半田バンプ近辺の空隙が生じ、 研削時に半導体ウェハ面内に応力分布が生じ、半導体ウェハの破損の原因になるこ と力 Sある。半田バンプは、球状であったり、台形に類似の形状であったりとデバイスや メーカーのデザインにより異なる力 20〜200(mといった、従来の半導体ウェハの表 面形状の凹凸ではなぐ非常に高い段差を有する凹凸がパターン上に配列された形 状となる。また、最近では、実装サイズをより小さくしょうとする技術検討から、ウェハレ ベルパッケージという技術が普及しつつある。これは、半導体ウェハのプロセス（前ェ 程)終了後、メタル製膜を行い、再配線、メタルポストを形成し、ウェハの状態で榭脂 を封止し、その後半田バンプを付設する工程である。このノ ッケージでは、従来の 25 %程度のサイズとなるため、将来的な実装技術の中心となる可能性が示唆される。
[0007] このウェハレベルパッケージにおいても、研削によりシリコン部を仕上げる加工工程 は含まれるが、従来の半田バンプ技術同様シリコン部を薄く仕上げるには、半田バン プを付設した後、シリコン部を研削するといつた工程順が合理的とされている。ウェハ レベルパッケージ技術においては、半田バンプの高さは、高い場合には、 250(mとも 、 500(mとも言われており、より高い凹凸段差を有する半導体ウェハ加工に対する最 適な半導体ウェハ表面保護シート及び該保護シートを用いた半導体ウェハ保護方法 の提案が望まれている。その他にも、半導体ウェハ表面のスクライブラインの深さが深 くなつたり、細くなつたり、半導体ウェハの周辺部までデザインされたり、また、ポリイミ ド膜の厚さ、アルミパッドの形状の変更や、液晶ドライバー用半導体ウェハでは、 20 〜50(mの金バンプの付設など、半導体ウェハ表面形状はより複雑になってきており 、それらに適した半導体ウェハ表面保護シート及び該保護シートを用いた半導体ゥェ ハ保護方法の提案が望まれて ヽる。
発明の開示
[0008] 本発明の目的は、上記問題に鑑み、半導体ウェハ表面に半田バンプのような非常 に大きな段差の凹凸形状を有するウェハの加工において、研削時のシリコン部の厚 み仕上げが薄くなつても、半導体ウェハの破損を防止し得る半導体ゥ ハ表面保護 シート及び該保護シートを用いる半導体ウェハ保護方法を提案することにある。
[0009] 本発明者らは鋭意検討した結果、 25°Cにおける貯蔵弾性率 G' (25)、 60°Cにおけ る貯蔵弾性率 G' (60)が、 G' (60) /G' (25) < 0. 1の関係を有する榭脂層 (A)を 含む半導体ウェハ表面保護用シートが、前記課題を解決できることを見出し、本発明 を完成した。
[0010] すなわち、第一の発明の特徴は、 25°Cにおける貯蔵弾性率 G' (25)、 60°Cにおけ る貯蔵弾性率 G' (60)が、 G' (60) /G' (25) < 0. 1の関係を有する榭脂層 (A)を 少なくとも一層含むことを特徴とする半導体ウェハ表面保護用シートである。
[0011] 前記榭脂層（A)の密度が 800〜890kg/m3であることは榭脂層（A)の加温におけ る弾性率を制御できる点で好ましい態様である。前記榭脂層 (A)が、ォレフィン系共 重合体を含むことは高分子鎖間の凝集力を維持する点で好ましい態様である。
[0012] 第二の発明の特徴は、半導体ウェハ表面に、上記半導体ウェハ表面保護シートを 4 0〜70°Cの温度領域にて、 0. 3〜0. 5MPaの圧力領域で加圧しながら、該保護シ ートを貼り付ける第一工程、半導体ウェハ裏面を研削する第二工程、及び、研削後の 半導体ウェハ裏面を加工する第三工程を含むことを特徴とする半導体ウェハの保護 方法である。
[0013] 本発明の榭脂の弾性率と、そして、場合により密度とを制御した半導体ウェハ表面 保護用シートは、非常に高い凹凸を有する半導体ウェハの一連の保護工程において 有用な部材となり、半導体ウェハの破損、汚染などを防止することができる。
[0014] また、本発明の方法によれば、表面凹凸形状が非常に大きな半導体ウェハの研削 工程においても、上記一連の工程における半導体ウェハの破損などを防止できる効 果を奏する。
発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下、本発明について詳細に説明する。
[0016] 本発明の半導体ウェハ表面保護用シートは、 25°Cにおける貯蔵弾性率 G' (25)、 60°Cにおける貯蔵弾性率 G' (60)が、 G' (60) /G' (25) < 0. 1の関係を有する榭 脂層 (A)を少なくとも一層有する。貯蔵弾性率がこの範囲にあることによりウェハ表面 凹凸に対する高密着性の効果が得られる。より好ましくは G' (60) /G' (25) < 0. 0 8であり、特に好ましくは G， (60) /G' (25)く 0. 05である。
[0017] G' (60)の貯蔵弾性率は、 0. 05 X 106〜1. O X 106Paが好ましぐより好ましくは 0 . 075 X 106〜0. 5 X 106Paである。 G ' (25)の貯蔵弹'性率は、 4. 0 X 106〜7.0 X 1 06Paが好ましぐより好ましくは 4. 5 X 106〜6. 5 X 106Paである。このような弾性率 領域を有するように榭脂設計することにより、シート貼り付け時には、加温により榭脂 層の弾性率を制御してビンガム流体的な挙動を示し、ウェハ表面凹凸への密着性を 向上できる。また、シート貼り付け後には榭脂層の形状が保持され、加工中の密着性 が維持できる。
[0018] 榭脂層（A)の密度は、 800〜890kgZm3が好ましく、より好ましくは 830〜890kg 特に好ましくは 850〜890kg/m3である。
密度が上記の範囲にあることにより、榭脂層（A)の貼り付け時の加温における弾性率 を制御でき、また、半導体ウェハから該シートを剥離する際に榭脂層の凝集力制御（ 半導体ウェハ表面への榭脂残り低減)効果が得られる。
[0019] 本発明のシートは、榭脂層 (A)を形成する榭脂を押出成形などの公知の成形法に より製膜したものと基材フィルムを、例えば、押出ラミネート法、ドライラミネート法など のラミネート法により、基材フィルムの片表面に榭脂層 (A)を積層することにより製造 することができる。
[0020] 本発明のシートを材料設計する上で、最も着目したのは加温時の榭脂層 (A)の弾 性率変位である。一般的に半導体ウェハ表面保護シートの貼り付け装置の設定温度 は 60°C程度が限界とされているため、本シート設計においては、室温（25°C)おける 貯蔵弾性率 G' (25)と 60°Cにおける貯蔵弾性率 G' (60)との弾性率比 G' (60) /G ，（25)の最適化を試みた。その結果、 250(mの凹凸を有するウェハ表面に対しては 、弾性率比 G' (60) /G' (25)が、 0. 1未満の場合、 40〜70°Cの温度領域にて、 0. 3〜0.5MPaの圧力領域で貼り合わせて使用すれば、常温でウェハに対して非常に 高い密着性が得られることを見出した。それは、加温'加圧効果による榭脂層 Aの変 形がウェハ表面の凹凸に十分追従できるためと考えられる。前記の特性を示す榭脂 層 (A)を形成する榭脂はォレフイン系共重合体を主成分として含むことがより好まぐ 三井ィ匕学製 TAFMER (登録商標）のようなエチレン' aーォレフイン共重合体が例 示できる。ォレフィン系共重合体は、半導体ウェハの回路劣化因子になりうる腐食性 イオンや金属イオンなどが混入し難 ヽ性質を持ち、環境への負荷が低!ヽ材料である ことから、本発明の半導体ウェハ表面保護用シートに適する。尚、本発明の榭脂層（ A)を形成するォレフイン系共重合体は、炭素原子数 2〜12の a—ォレフインカ 選 ばれる少なくとも 2種の α—ォレフインを主な単位成分とする α—ォレフイン共重合体 であることが、大きな段差の凹凸形状を有する半田バンプ付設の半導体ウェハに対 する密着性と低汚染性を発現する点で好ましい。なお、本発明では、エチレンは α ーォレフインの 1種と見なす。
炭素原子数 2〜12の α—ォレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、 1ーブ テン、 1 ペンテン、 3—メチルー 1ーブテン、 1一へキセン、 4ーメチルー 1 ペンテ ン、 3—メチル 1—ペンテン、 1—ヘプテン、 1—オタテン、 1—デセン、 1—ドデセン 等が挙げられる。貼り付け適性に優れる組合せとしては、エチレン 'プロピレン共重合 体、エチレン · 1ーブテン共重合体、プロピレン · 1ーブテン'炭素原子数 5〜12の α ーォレフインの三元共重合体、エチレン 'プロピレン '炭素原子数 4〜 12の α—ォレ フィンの三元共重合体、プロピレン · 1ーブテン'炭素原子数 5〜12の α—ォレフイン の 3成分共重合体等が挙げられる。また、上記のォレフィン系共重合体は単独でも、 2種以上を組み合わせて用いることもできる。
榭脂層 (Α)は、前記ォレフィン系共重合体を主成分として含有することが好ましぐそ の含有量は、通常、 60〜： L00重量％程度であり、好ましくは、 70〜： L00重量％程度 である。
榭脂層 (Α)を形成する榭脂には、本発明の目的を損なわない範囲で、ォレフィン系 共重合体以外に、副成分として熱可塑性エラストマ一、エチレン及び α—ォレフィン のコオリゴマー、合成樹脂などの成分を含有させることもできる。これら成分により、例 えば 40〜70°Cの貼り付け温度に対する軟化温度の調整、および使用環境温度に おける粘着適性を調整することができる。熱可塑性エラストマ一としては、例えば、ポ リスチレン系エラストマ一、ポリオレフイン系エラストマ一、ポリウレタン系エラストマ一、 ポリエステル系エラストマ一などが挙げられる。なかでも、水分含有率、イオン含有率 を低く保ったまま柔軟性や粘着性を改良するには、ポリスチレン系エラストマ一およ びポリオレフイン系エラストマ一が好ましい。ポリスチレン系エラストマ一としては、例え ば'、スチレン一イソプレン一スチレンブロック共重合体（SIS)、スチレン一エチレン 'ブ チレン スチレンブロック共重合体（SEBS)、スチレン エチレン ·プロピレンースチ レンブロック共重合体（SEPS)、他のスチレン.ジェン系ブロック共重合体またはその 水素添加物などが挙げられる。この SISの具体例としては、 JSR株式会社から商品名 ： JSR SIS (登録商標）として、またはシェルィ匕学株式会社から商品名：クレイトン D ( 登録商標）として市販されているものなどが挙げられる。また、 SEPSの具体例として は、株式会社クラレから商品名：セプトン (登録商標）として市販されているものなどが 挙げられる。
ポリオレフイン系エラストマ一としては、硬質部となるポリプロピレン等の結晶性の高 ヽ ポリマーを形成するポリオレフインブロックと、軟質部となる非晶性を示すモノマー共 重合体ブロックとのブロック共重合体が挙げられ、具体的には、ォレフィン (結晶性） · エチレン'ブチレン'ォレフイン（結晶性）ブロック共重合体、ポリプロピレン'ポリエチレ ンォキシド 'ポリプロピレンブロック共重合体、ポリプロピレン 'ポリオレフイン (非晶性） · ポリプロピレンブロック共重合体等を例示することができる。具体例としては、 JSR株 式会社から商品名： DYNARON (登録商標）として市販されて ヽるものが挙げられる エチレン及び α—ォレフインとのコオリゴマーは、通常、常温で液体状のものである。 a—ォレフインとしては、例えば、プロピレン、 1—ブテン、 1—ペンテン、 1—へキセン 、 1—オタテン、 1—デセン、 1—ドデセン、 1—テトラデセン、 1—へキサデセン、 1— ォクタデセン、 4ーメチルー 1 ペンテン等の炭素数 3〜20の (Xーォレフインが挙げ られる。これらの中でも、炭素数 3〜14の α ォレフィンが好ましい。具体例としては 、三井ィ匕学株式会社から商品名：ルーカント (登録商標）、ハイワックス (登録商標）、 ェクセレックス (登録商標）として市販されて ヽるものが挙げられる。
また、合成樹脂としては、非ハロゲンで主成分のォレフィン系共重合体とのァロイ化 が容易なものが好ましぐ具体例としては、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエ チレン、炭素数 3〜20の aーォレフイン単独重合体、酢酸ビュル榭脂などが挙げら れる。
また、本発明で使用する榭脂層 (A)を形成する榭脂には、半導体ウェハに対する易 貼り付け性、易剥離性、非汚染性などの特性を損なわない範囲でこの種の榭脂に一 般的に配合される各種添加剤を含有していてもよい。このような添加剤としては、例え ば、各種の紫外線吸収剤、酸化防止剤、耐熱安定剤、滑剤、柔軟剤、粘着性付与剤 等が挙げられる。榭脂層（A)に用いる好ましい添加剤としては、半導体ウェハに悪影 響を与えないように、その種類を選定し、配合量も最小限にすることが好ましい。 榭脂層 (A)が 2層以上になる場合、半田バンプなどの吸収性を損なわない弾性率、 厚みの榭脂層 (A)の組み合わせが好ましい。また、該シート剥離時に、榭脂層 (A) 間で界面剥離しな 、ような、層間タックを制御する必要がある。
半導体ゥ ハ表面に付設された高 、段差を吸収 (密着)するための榭脂層 (A)の厚 みは、半導体ウェハ表面に付設された半田バンプなどの段差に大きく依存する。例 えば、 100(mの段差であれば、その榭脂層（A)の厚みは、 100(m以上、 200(mの 段差であれば、 200(m以上のように、半導体ウェハ表面に付設された段差以上であ ることが好ましい。ただし、高い段差を有する半導体ウェハへの密着性に関しては、 半導体ウェハ表面に付設された半田バンプなどの段差だけでなぐその形状や配置 による影響も大きぐ半導体ウェハに適した榭脂層 (A)の厚み設計が適宜必要である
[0022] 榭脂層 (A)を形成する基材フィルムは、ポリオレフイン層、ポリエステル層或いはポリ ォレフィン層とポリエステル層の積層など、半導体ウェハの製造工程により使い分ける ことができる。例えば、ポリエステルとポリオレフインの積層タイプの場合、半導体ゥェ ハの研削加工において、シリコン部の厚みが薄くなればなるほど、半導体ウェハ自身 の結晶化度やポリイミド膜の収縮、バンプ付設の応力などにより半導体ウェハが反る t 、つた問題点も懸念され、ポリエステルとポリオレフインの厚みと剛性のバランスを 取って、半導体ウェハの反り量を低減することもできる。
[0023] 基材フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン '酢酸ビュル共重合体、エチレン'ァ ルキルアタリレート共重合体（アルキル基の炭素数は 1〜4である）、エチレン' aーォ レフイン共重合体、プロピレン' OCーォレフイン共重合体、ポリプロピレンなどのポリオ レフイン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステルが 好ましい。
[0024] 基材フィルムの構成、その厚みに関しては、半導体ウェハ製造プロセスに依存する ところが大きぐ半導体ウェハ保護方法を鑑みた基材フィルムの設計が必要となる。 例えば、該保護シートの構成としては、 1)ポリオレフイン層 Z榭脂層（A)、 2)ポリエス テル層 Z榭脂層（A)、 3)ポリエステル層 Zポリオレフイン層 Z榭脂層（A)、 4)ポリオ レフイン層 Zポリエステル層 Z榭脂層（A)の 4パターンが挙げられる。第二工程での 半導体ウェハ裏面研削プロセスの研削装置への導入を考えた場合、 1)〜4)のシー ト厚みは、 l,000(m以下となることが好ましぐより好ましくは、 700(m以下である。該 シートを用いた半導体ウェハの保護方法に関して、榭脂層 (A)の密着性を損なわな い、該シートの貼り付け、剥離を含めた半導体ウェハ製造プロセスの作業性を考慮す ると、ポリエステル層の厚みは、 5〜： LOO(mであり、より好ましくは 20〜： LOO(mである。 また、ポリオレフイン層の厚みに関しては、 10〜400(mであり、より好ましくは 30〜30 0(mである。
[0025] 第二工程、第三工程で、薬液などを用いたエッチングプロセス、或 、は、耐熱プロ セスを経る場合の最適なシート構成は、耐薬品性、耐熱性があるポリエステルフィル ムが最外層に積層されて 、る 2)、 3)のシート構成が好ま 、。
[0026] 本発明に係わる半導体ウェハ表面保護シートを用いた半導体ウェハの製造方法の 一例は、先ず、前記の半導体ゥ ハ表面保護用シートを、好ましくは榭脂層 (A)を介 して加温加圧しながら半導体ウェハ表面に貼り付けする第一工程、及び半導体ゥ ハ裏面を研削し、引き続き、該表面保護フィルムを剥離することなしに半導体ウェハ の裏面に対して、研削により生じた破砕層を除去するエッチングプロセス、ポリツシン グプロセスを行なう第二工程を順次実施し、続、てメタルスパッタ及びメツキ処理やそ の他の加熱処理をする第三工程を実施する。以降の工程には特に制限はないが、 例えば、半導体ウェハ表面保護用シートを剥離する工程、半導体ウェハを分割切断 するダイシング工程、半導体チップを外部保護のために榭脂で封止するモールドエ 程等を順次実施する半導体ウェハの製造方法が挙げられる。
[0027] 第一工程の貼り付けにおいては、高い段差を有する半導体ウェハ表面への榭脂層
(A)の密着性を考慮して、 40〜70°Cの温度領域にて、 0. 3〜0. 5MPaの圧力領域 といった条件が好ましい。これは、 25°Cにおける貯蔵弾性率 G' (25)、 60°Cにおける 貯蔵弾性率 G' (60)が、 G' (60) /G' (25) < 0. 1の関係を有する榭脂層 (A)の特 性を最大限に活かす条件となる。 40°C以下であると、榭脂層 (A)の弾性率が高いま まで、段差吸収能力が発現せず、空隙など半導体ウェハ割れの原因となる不良が生 じる場合がある。また、 70°C以上となると、榭脂層 (A)の弾性率が低くなり過ぎ、榭脂 層（A)のはみ出しや、シート厚みムラ等が懸念される。加圧については、 0. 3MPa 以下であると、段差を十分吸収することができず、また、逆に 0. 5MPa以上になると、 榭脂層 (A)のはみ出しや、シート厚みムラ等が懸念される。従って、榭脂層 (A)の厚 み、該シートを貼り付ける側の半導体ウェハ上の段差形状、配置などにより、 40〜70 °Cの温度領域、 0. 3〜0. 5MPaの圧力領域の最適な組み合わせを適宜選択するこ とが好ましい。例えば、 45°C/0. 35MPa、 50°C/0. 4MPaといった加温加圧条件 などが挙げられる。
[0028] 第二工程での破砕層を除去研削する方法としては、混酸などを用いたウエットエツ チング方法、プラズマエッチング方法及びポリッシング方法などが挙げられる。第二 工程の主に砲石による機械的な研削のみでも可能である力 半導体ウェハをより薄 層化する場合或いはチップの強度を維持した 、場合には、エッチングゃポリツシング によりウェハ裏面に生じた破砕層を除去する工程と組み合わせることが好ましい。
[0029] 次いで、半導体ウェハの裏面を加工する工程に搬送される（第三工程)。この第三 工程の加工では、保護フィルムを剥離することなしに、半導体ウェハの裏面にメタル をスパッタする、或いは、メツキ液に浸漬して半導体ウェハ裏面をメツキ処理する加温 下での工程が実施される場合がある。その後、半導体ウェハ表面保護シートは剥離 される。また、必要に応じて保護シートを剥離した後に、半導体ウェハ表面に対して、 水洗、プラズマ洗浄等の処理が施される。
[0030] 半導体ウェハの加工前の厚みは、半導体ウェハの直径、種類等により適宜決めら れ、半導体ウェハ裏面加工後の半導体ウェハの厚みは、得られるチップのサイズ、回 路の種類等により適宜決められる。
[0031] 半導体ウェハ表面保護シートを半導体ウェハの表面に貼り付ける操作は、人手によ り行われる場合もあるが、一般に、ロール状の半導体ウェハ表面保護シートを取り付 けた自動貼り機と称される装置によって行われる。このような自動貼り機として、例え ばタカトリ（株）製、形式: ATM— 1000B、同 ATM— 1100、同 TEAM— 100、日東 精機 (株)製、形式: 8500シリーズ等が挙げられる。
[0032] 半導体ウェハの機械的な裏面研削方式としては、スルーフィード方式、インフィード 方式等の公知の研削方式が採用される。通常、いずれの方法においても、半導体ゥ ェハと砲石に水を供給して冷却しながら研削が行われる。 実施例
以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明する。本発明はこれら実 施例に限定されるものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の方法で測 し 7こ。
1.各種特性の測定方法
1 - 1. 貯蔵弾性率 G'の測定方法
榭脂層 (A)を形成する榭脂で半径 8mm程度、厚さ lmmの粘弾性測定用サンプル を作製する。動的粘弾性測定装置 (レオメトリックス社製：形式： RMS - 800)を用 、 て、 25°C力も 90°C (榭脂層の弾性率測定が不可となる温度）における貯蔵弾性率 G 'を測定する。測定周波数は 1Hzとし、歪みは 0. 1〜3%とする。
1 2.密度 (kg/m3)
ASTM D 1505に準拠する。
1 - 3.半導体ウェハの破損 (枚数）
250(mの半径を有する半田ボールを付設した半導体ウエノ、 5枚に対して、シリコン 部の厚み 300(mまで裏面研削を実施し、その後光学顕微鏡でクラック、割れなどの エラーチェックを行った。
2.実施例
2- 1.実施例 1
榭脂層（A)の榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 5. 15 X 106Pa、 60 °Cにおける弾性率 G，（60)が、 1. 4 X 105Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 027、 密度が 810kgZm3であるエチレン' a—ォレフイン共重合体（三井化学製 TAFME R (登録商標））を用いた。ポリエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m) と榭脂層（A)と異なるポリオレフイン層（三井デュポンポリケミカル製 EVA、厚み 120( m)との積層基材フィルムのポリオレフイン層側表面に 350(mの厚みで前記のェチレ ン' α -ォレフィン共重合体を製膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成した。その 後、 60°C、 0. 4MPaの加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボール付設 の半導体ウェハに榭脂層（A)を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚みまで研削し た。保護シートを 25°Cで剥離し光学顕微鏡を用いて、半導体ウェハのクラックや割れ などの外観不良をチヱックした。その結果を、表 1に記載する。表 1において、バンプ への密着性は、貼り付け時にバンプ周辺に空隙が無い場合を良とする。研削性は、 研削後のウェハ内 TTV(Total Thickness Variation)が 20(m以下を「良」とし、そ れ以上を「悪」とした。
2- 2.実施例 2
榭脂層（A)の榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 5. 50 X 106Pa、 60°C における弾性率 G，（60)が、 0. 18 X 106Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 033、 密度が 880kgZm3のエチレン' a—ォレフイン共重合体（三井化学製 TAFMER (登 録商標））を用いた。ポリエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50 μ m)と榭 脂層（A)と異なるポリオレフイン層（三井デュポンポリケミカル製 EVA、厚み 120 m )との積層基材フィルムのポリオレフイン層側表面に 350(mの厚みで前記のエチレン • α -ォレフィン共重合体を製膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成した。その後 、 60°C、 0. 4MPaの加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボール付設の 半導体ウェハに榭脂層（A)を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚みまで研削した 。 25°Cで保護シートを剥離し光学顕微鏡を用いて、クラックや割れなどの外観不良を チェックした。その結果を、表 1に記載する。
2- 3.実施例 3
榭脂層（A)の榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 5. 45 X 106Pa、 60°C における弾性率 G，（60)が、 0. 16 X 106Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 029、 密度が 860kgZm3のエチレン' a—ォレフイン共重合体（三井化学製 TAFMER (登 録商標））を用いた。ポリエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m)と榭脂 層（A)と異なるポリオレフイン層（三井デュポンポリケミカル製 EVA、厚み 120(m)と の積層基材フィルムのポリオレフイン層側表面に 350(mの厚みで前記のエチレン' a -ォレフイン共重合体を製膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成した。その後、 4 0°C、 0. 5MPaの加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボール付設の半 導体ウェハに榭脂層（A)を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚みまで研削した。 25°Cで保護シートを剥離し光学顕微鏡を用いて、クラックや割れなどの外観不良を チェックした。その結果を、表 1に記載する。 2-4.実施例 4
榭脂層（A)の榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 5. 45 X 106Pa、 60°C における弾性率 G，（60)が、 0. 16 X 106Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 029、 密度が 860kgZm3のエチレン' a—ォレフイン共重合体（三井化学製 TAFMER (登 録商標））を用いた。ポリエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m)と塑性 榭脂層と異なるポリオレフイン層（三井デュポンポリケミカル製 EVA、厚み 120(m)と の積層基材フィルムのポリオレフイン層側表面に 350 μ mの厚みで前記のエチレン' α -ォレフィン共重合体を製膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成した。その後、 70°C、 0. 3MPaの加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボール付設の 半導体ウェハに榭脂層（A)を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚みまで研削した 。 25°Cで保護シートを剥離し光学顕微鏡を用いて、クラックや割れなどの外観不良を チェックした。その結果を、表 1に記載する。
2- 5.実施例 5
榭脂層（A)の榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 5. 35 X 106Pa、 60°C における弾性率 G，（60)が、 0. 53 X 106Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 099、 密度が 890kgZm3のエチレン' a—ォレフイン共重合体（三井化学製 TAFMER (登 録商標））を用いた。ポリエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m)と榭脂 層（A)と異なるポリオレフイン層（三井デュポンポリケミカル製 EVA、厚み 120(m)と の積層基材フィルムのポリオレフイン層側表面に 350(mの厚みで前記のエチレン' a -ォレフイン共重合体を製膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成した。その後、 6 0°C、 0. 4MPaの加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボール付設の半 導体ウェハに榭脂層（A)を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚みまで研削した。 25°Cで保護シートを剥離し光学顕微鏡を用いて、クラックや割れなどの外観不良を チェックした。その結果を、表 1に記載する。
2- 6.実施例 6
榭脂層（A)の榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 5. 05 X 106Pa、 60°C における弾性率 G' (60)が、 0. 22 X 106Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 044、 密度が 790kgZm3のエチレン' α—ォレフイン共重合体（三井化学製 TAFMER (登 録商標））を用いた。ポリエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m)と前記 の組成を有する榭脂と異なるポリオレフイン (三井デュポンポリケミカル製 EVA、厚み 120(m)との積層基材フィルムのポリオレフイン層側表面に 350(mの厚みで前記のェ チレン' α -ォレフィン共重合体を製膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成した。 その後、 60°C、 0. 4MPaの加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボール 付設の半導体ウェハに榭脂層 (A)を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚みまで研 削した。 25°Cで保護シートを剥離し光学顕微鏡を用いて、クラックや割れなどの外観 不良をチェックした。その結果を、表 1に記載する。
2- 7.実施例 7
榭脂層（A)の榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 6. 15 X 106Pa、 60°C における弾性率 G' (60)が、 0. 43 X 106Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 070、 密度が 900kgZm3のエチレン' a—ォレフイン共重合体（三井化学製 TAFMER (登 録商標））を用いた。ポリエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m)と前記 榭脂と組成の異なるポリオレフイン層（三井デュポンポリケミカル製 EVA、厚み 120( m)との積層基材フィルムのポリオレフイン層側表面に 350(mの厚みで前記のェチレ ン' α -ォレフィン共重合体を製膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成した。その 後、 60°C、 0. 4MPaの加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボール付設 の半導体ウェハに榭脂層（A)を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚みまで研削し た。保護シートを剥離し光学顕微鏡を用いて、クラックや割れなどの外観不良をチェ ックした。その結果を、表 1に記載する。
2—8.実施例 8
榭脂層（A)の榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 5. 15 X 106Pa、 60 °Cにおける弾性率 G，（60)が、 1. 4 X 105Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 027、 密度が 810kgZm3であるエチレン' a—ォレフイン共重合体（三井化学製 TAFME R (登録商標））を用いた。ポリエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m) の表面に 350(mの厚みで前記のエチレン. α -ォレフィン共重合体を製膜し、半導体 ウェハ表面保護シートを作成した。その後、 60°C、 0. 4MPaの加温加圧条件にて、 2 50(mの半径を有する半田ボール付設の半導体ウェハに榭脂層 (A)を介して貼り付 け、 300(mのシリコン部厚みまで研削した。保護シートを 25°Cで剥離し光学顕微鏡 を用いて、半導体ウェハのクラックや割れなどの外観不良をチェックした。その結果を 、表 1に記載する。
3 - 1.比較例 1
塑性を有する榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 4. 30 X 107Pa、 60°C における弾性率 G，（60)が、 1. 18 X 107Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 27、密 度が 880kg/m3のポリオレフイン（三井デュポンポリケミカル製、エチレン ·ビュルァ セテート（以下 EVAと 、う） )を用いた。ポリエステル層（帝人デュポン製テフレックス、 厚み 50(m)に 350(mの厚みで前記の EVAを製膜し、半導体ウェハ表面保護シート を作成した。その後、 60°C、 0. 4MPaの加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する 半田ボール付設の半導体ゥヱハに塑性を有する榭脂層を介して貼り付け、 300(mの シリコン部厚みまで研削した。 25°Cで保護シートを剥離し光学顕微鏡を用いて、クラ ックゃ割れなどの外観不良をチェックした。その結果を、表 2に記載する。
3 - 2.比較例 2
塑性を有する榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 4. 40 X 107Pa、 60°C における弾性率 G' (60)力 0. 48 X 107Paであり、 G，（60) /G，（25) =0. 11、密 度が 840kg/m3のポリオレフイン（三井デュポンポリケミカル製 EVA)を用いた。ポリ エステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m)に前記のポリオレフインを 350( mの厚みで製膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成した。その後、 60°C、 0. 4M Paの加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボール付設の半導体ウェハに 塑性を有する榭脂層を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚みまで研削した。 25°C で保護シートを剥離し光学顕微鏡を用いて、クラックや割れなどの外観不良をチエツ クした。その結果を、表 2に記載する。
3 - 3.比較例 3
榭脂層（A)の榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 5. 35 X 106Pa、 60°C における弾性率 G，（60)が、 0. 19 X 106Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 036、 密度が 850kgZm3のエチレン' a—ォレフイン共重合体（三井化学製 TAFMER (登 録商標））を用いた。ポリエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m)と前記 の塑性を有する榭脂と組成の異なるポリオレフイン (三井デュポンポリケミカル製 EVA 、厚み 120(m)との積層基材フィルムのポリオレフイン層側表面に 350(mの厚みで前 記のエチレン.ひ-ォレフィン共重合体を製膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成 した。その後、 30°C、 0. 5MPaの加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボ ール付設の半導体ウェハに榭脂層（A)を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚み まで研削した。 25°Cで保護シートを剥離し光学顕微鏡を用いて、クラックや割れなど の外観不良をチェックした。その結果を、表 2に記載する。
3 -4.比較例 4
榭脂層（A)の榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 5. 35 X 106Pa、 60°C における弾性率 G，（60)が、 0. 19 X 106Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 036、 密度が 850kgZm3のエチレン' a—ォレフイン共重合体（三井化学製 TAFMER (登 録商標））を用いた。ポリエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m)と前記 の榭脂層（A)と異なるポリオレフイン (三井デュポンポリケミカル製 EVA、厚み 120(m )との積層基材フィルムのポリオレフイン層側表面に 350(mの厚みで前記のエチレン • α -ォレフィン共重合体を製膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成した。その後 、 80°C、 0. 2MPaの加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボール付設の 半導体ウェハに塑性を有する榭脂層を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚みまで 研削した。 25°Cで保護シートを剥離し光学顕微鏡を用いて、クラックや割れなどの外 観不良をチェックした。その結果を、表 2に記載する。
3 - 5.比較例 5
塑性を有する榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 4. 30 X 107Pa、 60°C における弾性率 G，（60)が、 1. 18 X 107Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 27、密 度が 880kg/m3のポリオレフイン層（三井デュポンポリケミカル製 EVA)を用いた。ポ リエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m)と前記塑性を有する榭脂と異 なるポリオレフイン層（三井デュポンポリケミカル製 EVA、厚み 120(m)との積層基材 フィルムのポリオレフイン層側表面に 350(mの厚みで前記の塑性を有する榭脂を製 膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成した。その後、 60°C、 0. 4MPaの加温カロ 圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボール付設の半導体ゥ ハに榭脂層（A) を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚みまで研削した。 25°Cで保護シートを剥離 し光学顕微鏡を用いて、クラックや割れなどの外観不良をチェックした。その結果を、 表 2に記載する。
3-6.比較例 6
塑性を有する榭脂として、 25°Cにおける弾性率 G，（25)が、 4. 30 X 107Pa、 60°C における弾性率 G，（60)が、 1. 18 X 107Paであり、 G， (60) /G' (25) =0. 27、密 度が 880kg/m3のポリオレフイン層（三井デュポンポリケミカル製 EVA)を用いた。ポ リエステル層（帝人デュポン製テフレックス、厚み 50(m)に 350(mの厚みで前記の E VAを製膜し、半導体ウェハ表面保護シートを作成した。その後、 30°C、 0. 2MPaの 加温加圧条件にて、 250(mの半径を有する半田ボール付設の半導体ウェハに塑性 を有する榭脂層を介して貼り付け、 300(mのシリコン部厚みまで研削した。 25°Cで保 護シートを剥離し光学顕微鏡を用いて、クラックや割れなどの外観不良をチェックした 。その結果を、表 2に記載する。
産業上の利用の可能性
[0034] 本発明は、高密度実装に適した半導体ウェハの製造加工に利用できる。
[0035] [表 1]
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Claims

請求の範囲
[1] 25°Cにおける貯蔵弾性率 G' (25)、 60°Cにおける貯蔵弾性率 G' (60)が、 G' (60) ZG' (25) <0. 1の関係を有する榭脂層 (A)を少なくとも一層含むことを特徴とする 半導体ウェハ表面保護用シート。
[2] 榭脂層（A)の密度が 800〜890kgZm3である請求項 1に記載の半導体ウェハ表面 保護用シート。
[3] 前記榭脂層 (A)が、ォレフィン系共重合体を含むことを特徴とする請求項 1記載の半 導体ウェハ表面保護用シート。
[4] 前記ォレフィン系共重合体が、炭素原子数 2〜 12の (-ォレフインカ 選ばれる少なく とも 2種の (-ォレフインを主な単位成分とする (-ォレフイン共重合体であることを特徴と する請求項 3記載の半導体ウェハ表面保護用シート。
[5] 前記榭脂層 (A)が、異なる榭脂からなる 2層以上の積層体であることを特徴とする請 求項 1記載の半導体ウェハ表面保護用シート。
[6] 前記榭脂層 (A)の厚みが、半導体ウェハ表面に付設された段差以上であることを特 徴とする請求項 1記載の半導体ゥ ハ表面保護用シート。
[7] 前記半導体ウェハ表面保護用シートが、榭脂層 (A)を形成する榭脂を製膜したもの と基材フィルムを積層したものであることを特徴とする請求項 1記載の半導体ウェハ表 面保護用シート。
[8] 前記半導体ウェハ表面保護用シートが、基材フィルムの片表面に榭脂層 (A)をラミネ ート法により積層したものであることを特徴とする請求項 7記載の半導体ウェハ表面保 護用シート。
[9] 前記基材フィルム力 ポリオレフイン層、ポリエステル層、ポリオレフイン層とポリエステ ル層の積層から選ばれたものであることを特徴とする請求項 7記載の半導体ウェハ表 面保護用シート。
[10] 前記半導体ウェハ表面保護用シートの構成が、 1)ポリオレフイン層/樹脂層 (A)、 2) ポリエステル層/樹脂層（A)、 3)ポリエステル層/ポリオレフイン層/樹脂層（A)、 4)ポ リオレフイン層/ポリエステル層/樹脂層（A)力も選ばれたものであることを特徴とする 請求項 1記載の半導体ウェハ表面保護用シート。
[11] 半導体ウェハの保護方法であって、半導体ウェハ回路形成面に、請求項 1に記載の 半導体ウェハ表面保護用シートを 40〜70°Cの温度領域にて、 0. 3〜0. 5MPaの圧 力領域で加圧しながら貼り付ける第一工程、半導体ウェハの回路非形成面を研削す る第二工程、及び、研削後の半導体ウェハの回路非形成面を加工する第三工程を 含むことを特徴とする半導体ウェハの保護方法。
[12] 第二工程が、砥石による機械的研削工程、ウエットエッチング工程、プラズマエツチン グ工程及びポリッシング工程カゝら選ばれる少なくとも一工程を含むことを特徴とする請 求項 11記載の半導体ウェハの保護方法。
[13] 第三工程が、メタルスパッタリング工程、メツキ処理工程及び加熱処理する工程から 選ばれる少なくとも一工程を含むことを特徴とする請求項 11記載の半導体ウェハの 保護方法。
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