TWI401738B - 微機電晶圓之切割方法 - Google Patents

Description

微機電晶圓之切割方法

本發明係關於一種晶圓切割方法，詳言之，係關於一種微機電晶圓之切割方法。

在一般習知微機電晶圓之切割方法中，係將晶圓貼附於一承載膜上，接著，再於晶圓之主動面貼附一層貼布，作為對晶圓之複數個微機電晶粒做一屏障，之後進行切割製程，以分離該等微機電晶粒。

然而，因為習知微機電晶圓之切割方法係利用貼布完全貼合晶圓之主動面，亦即，貼布係完全貼合該等微機電晶粒之感測區，因此，在切割分離該等微機電晶粒後，移除該貼布時易破壞該等微機電晶粒之感測區而造成該等微機電晶粒損壞。

因此，實有必要提供一種創新且具進步性的微機電晶圓之切割方法，以解決上述問題。

本發明提供一種微機電晶圓之切割方法，其包括以下步驟：(a)提供一晶圓，該晶圓具有一主動面、一背面、複數個微機電晶粒及複數個切割道，每一微機電晶粒具有一感測區，該等切割道位於該等微機電晶粒之間；(b)貼附一承載膜於該背面；(c)設置一保護膜於該主動面，該保護膜具有複數個凹口，該等凹口覆蓋該等感測區；(d)根據該等切割道切割該保護膜及該晶圓，以分離該等微機電晶粒；及(e)移除該保護膜。

在本發明之微機電晶圓切割方法中，係先設置具有複數個凹口之保護膜於該主動面，使得該等凹口覆蓋該等微機電晶粒之感測區，藉此，不僅可在切割製程中避免該等微機電晶粒之感測區受到污染及破壞，且可避免在移除該保護膜時對該等微機電晶粒之感測區造成傷害。

配合參考圖1至圖6，其顯示本發明微機電晶圓之切割方法之步驟示意圖。參考圖1，首先提供一晶圓1，該晶圓1具有一主動面11、一背面12、複數個微機電晶粒13及複數個切割道14。每一微機電晶粒13具有一感測區131，該等切割道14位於該等微機電晶粒13之間。該等切割道14係作為在切割分離該等微機電晶粒13時之參考基準。

在本實施例中，該等微機電晶粒13之感測區131係具有一振動薄膜。然而，在其他應用中，該等微機電晶粒13之感測區131係可為感光區域。

再參考圖1，貼附一承載膜2於該背面12，用以承載該晶圓1。配合參考圖2至圖4，設置一保護膜3於該主動面11，該保護膜3具有複數個凹口31，且該等凹口31覆蓋該等感測區131。其中，每一凹口31之開口係不小於相應之感測區131，較佳地，每一凹口31之開口係大於相應之感測區131(本實施例)。

另外，在設置該保護膜3於該主動面11之前，本發明之方法另包括一形成該保護膜3之步驟。形成該保護膜3之步驟包括以下步驟：提供一第一貼層32，該第一貼層32具有複數個透孔321(圖3)，該等透孔321係對應該等感測區131；及結合該第一貼層32於一第二貼層33之一表面，該等透孔321與該第二貼層33之表面形成該等凹口31(圖2)。該等透孔321可選擇以任何適當之方法製作，例如，該等透孔321可以衝壓製程或雷射穿孔製程形成。

配合參考圖4及圖5，根據該等切割道14切割該保護膜3及該晶圓1，以分離該等微機電晶粒13。其中，因為該等凹口31覆蓋該等感測區131，因此在切割製程中該等感測區131不會受到外界(例如，高壓水或矽渣)的污染及破壞，而造成該等微機電晶粒13損壞。

在本實施例中，本發明之方法係利用一切割刀4切割分離該等微機電晶粒13，在其他應用中，本發明之方法亦可選擇以任何適當之方法切割分離該等微機電晶粒13，例如，以雷射切割分離該等微機電晶粒13。

參考圖6，移除該保護膜3。其中，若該保護膜3係為紫外光(UV)固化層，移除該保護膜3包括以下步驟：以紫外光照射該保護膜3；及移除該保護膜3。若該保護膜3係為熱脫膜，移除該保護膜3包括以下步驟：加熱該保護膜3，使其捲邊變形；及移除該保護膜3。因為該保護膜3之該等凹口31覆蓋該等感測區131，而該保護膜3不直接貼附於該等感測區131，因此在切割分離該等微機電晶粒13後，移除該保護膜3時不會破壞該等感測區131而造成該等微機電晶粒13損壞。

在本發明之微機電晶圓切割方法中，係先設置具有複數個凹口31之保護膜3於該主動面11，使得該等凹口31覆蓋該等微機電晶粒13之感測區131，藉此，不僅可在切割製程中避免該等微機電晶粒13之感測區131受到污染及破壞，且可避免在移除該保護膜3時對該等微機電晶粒13之感測區131造成傷害。

上述實施例僅為說明本發明之原理及其功效，並非限制本發明。因此習於此技術之人士對上述實施例進行修改及變化仍不脫本發明之精神。本發明之權利範圍應如後述之申請專利範圍所列。

1．．．晶圓

2．．．承載膜

3．．．保護膜

4．．．切割刀

11．．．主動面

12．．．背面

13．．．微機電晶粒

14．．．切割道

31．．．凹口

32．．．第一貼層

33．．．第二貼層

131．．．感測區

321．．．透孔

圖1顯示本發明貼附一承載膜於晶圓之背面之示意圖；

圖2顯示本發明保護膜之示意圖；

圖3顯示本發明該保護膜之第一貼層之示意圖；

圖4顯示本發明設置該保護膜於該晶圓之主動面，且根據切割道切割該保護膜及該晶圓之示意圖；

圖5顯示本發明完成分離該晶圓之微機電晶粒之示意圖；及

圖6顯示本發明分離該等微機電晶粒後移除該保護膜之示意圖。

1．．．晶圓

2．．．承載膜

3．．．保護膜

4．．．切割刀

11．．．主動面

12．．．背面

13．．．微機電晶粒

14．．．切割道

31．．．凹口

32．．．第一貼層

33．．．第二貼層

131．．．感測區

Claims (10)

1. 一種微機電晶圓之切割方法，包括以下步驟：(a)提供一晶圓，該晶圓具有一主動面、一背面、複數個微機電晶粒及複數個切割道，每一微機電晶粒具有一感測區，該等切割道位於該等微機電晶粒之間；(b)貼附一承載膜於該背面；(c)設置一保護膜於該主動面，該保護膜具有複數個凹口，該等凹口覆蓋該等感測區；(d)根據該等切割道切割該保護膜及該晶圓，以分離該等微機電晶粒；及(e)移除該保護膜。
2. 如請求項1之方法，其中在步驟(c)中每一凹口之開口係不小於相應之感測區。
3. 如請求項2之方法，其中在步驟(c)之前另包括一形成該保護膜之步驟，包括以下步驟：(c1)提供一第一貼層，該第一貼層具有複數個透孔，該等透孔係對應該等感測區；及(c2)結合該第一貼層於一第二貼層之一表面，該等透孔與該第二貼層之表面形成該等凹口。
4. 如請求項3之方法，其中在步驟(c1)中該等透孔係以衝壓製程或雷射穿孔製程所形成。
5. 如請求項1之方法，其中在步驟(a)中，該等微機電晶粒之感測區係為感光區域。
6. 如請求項1之方法，其中在步驟(a)中，該等微機電晶粒之感測區具有一振動薄膜。
7. 如請求項1之方法，其中在步驟(d)中係以切割刀切割分離該等微機電晶粒。
8. 如請求項1之方法，其中在步驟(d)中係以雷射切割分離該等微機電晶粒。
9. 如請求項1之方法，其中該保護膜係為紫外光(UV)固化層，且步驟(e)包括以下步驟：(e1)以紫外光照射該保護膜；及(e2)移除該保護膜。
10. 如請求項1之方法，其中該保護膜係為熱脫膜，且步驟(e)包括以下步驟：(e1)加熱該保護膜，使其捲邊變形；及(e2)移除該保護膜。