JP2007109927A - 表面保護フィルム剥離方法および表面保護フィルム剥離装置 - Google Patents

表面保護フィルム剥離方法および表面保護フィルム剥離装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007109927A
JP2007109927A JP2005299855A JP2005299855A JP2007109927A JP 2007109927 A JP2007109927 A JP 2007109927A JP 2005299855 A JP2005299855 A JP 2005299855A JP 2005299855 A JP2005299855 A JP 2005299855A JP 2007109927 A JP2007109927 A JP 2007109927A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
protective film
peeling
surface protective
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005299855A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Kanazawa
雅喜 金澤
Minoru Ametani
稔 雨谷
Daisuke Akita
大介 秋田
Motoi Nezu
基 根津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2005299855A priority Critical patent/JP2007109927A/ja
Priority to SG200606929-8A priority patent/SG131859A1/en
Priority to US11/544,189 priority patent/US7521384B2/en
Priority to KR1020060099997A priority patent/KR100845986B1/ko
Priority to EP06122246A priority patent/EP1777734A3/en
Priority to TW095137821A priority patent/TWI309870B/zh
Publication of JP2007109927A publication Critical patent/JP2007109927A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C63/00—Lining or sheathing, i.e. applying preformed layers or sheathings of plastics; Apparatus therefor
    • B29C63/0004—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C63/0013—Removing old coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H01L2221/6839—Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H01L2221/68395—Separation by peeling using peeling wheel
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/976—Temporary protective layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/977—Thinning or removal of substrate

Abstract

【課題】剥離開始箇所の適切な形成およびウェーハの破損を防止する表面保護フィルム剥離方法および表面保護フィルム剥離装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ１の表面全体に加熱ブロック１２を近接し、加熱ブロック１２によって表面保護フィルム３全体を加熱し、それにより、半導体ウェーハ１と表面保護フィルム３の間にある気泡を膨張させ、半導体ウェーハ１と表面保護フィルム３の密着力を弱めた後、半導体ウェーハ１から表面保護フィルム３を剥離する。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体ウェーハの表面に貼付けられたフィルム、特に極薄の半導体ウェーハ表面に貼られた表面保護フィルムを剥離するのに使用されるフィルム剥離方法およびこの方法を実施するためのフィルム剥離装置に関する。
半導体製造工程の前半における半導体ウェーハ周辺部の割れ、欠けや、前記製造工程による発塵防止のために、該ウェーハの周辺は面取りがなされている。通常、前記半導体ウェーハに対する面取りは半導体ウェーハ製造過程で行われ、面取りがなされた鏡面加工された研磨済みの半導体ウェーハが半導体製造工程の前工程の原料として供給される。
半導体ウェーハの面取りは砥石等を用いて半導体ウェーハの上下両エッジ部を研削してテーパ部を形成し、研磨加工により行われる。このように面取り加工が施された半導体ウェーハを用い、該ウェーハ表面に回路素子が形成される。半導体製造分野においては半導体ウェーハが年々大型化する傾向にあり、また、実装密度を高めるために半導体ウェーハの薄葉化が進んでいる。半導体ウェーハを薄葉化するために半導体ウェーハの裏面を研削するバックグラインド（裏面研削）が行われている。このバックグラインドにより半導体ウェーハの厚さは近年１００μｍ以下になり、さらに、５０μｍ以下を目指し研究開発が進んでいる。なお、バックグラインド前には、回路素子を保護する表面保護フィルムがウェーハの表面に貼付けられる。
バックグラインドは半導体ウェーハを極薄化するための工程であるので、バックグラインド時には、上記ウェーハの周辺部において割れ欠けが発生し易くなる。特に、半導体ウェーハの厚さが１００μｍ以下になると半導体ウェーハの機械強度は低下し、割れ、欠けが生じやすくなる。
半導体ウェーハ表面に形成された回路素子を保護するために貼られた表面保護フィルムはバックグラインド後に剥離する必要がある。従来技術においては貼付ローラにより剥離テープを半導体ウェーハの表面保護フィルム上の全体に亙って貼付け、次いで剥離テープを表面保護フィルムに貼付け接合し、表面保護フィルムが剥離テープに連接した状態で剥離テープを巻取ることにより表面保護フィルムを剥離していた。
しかしながら、バックグラインド後における極薄の半導体ウェーハは機械的強度が大幅に低下しているので、剥離テープを表面保護フィルムに貼り付ける際に半導体ウェーハが破損するという問題があった。さらに、剥離途中で半導体ウェーハが破損する場合もあった。
このような問題を解決するために、特許文献１においては剥離テープの方向と半導体ウェーハに形成されたダイシング溝とが一致しないように半導体ウェーハの向きを調整している。また、特許文献２においては、半導体ウェーハの角部から剥離を開始するようにした剥離装置が開示されている。
特開２００４−１６５５７０号公報 特開２００４−１２８１４７号公報
ところで、バックグラインド後における半導体ウェーハの厚みはかなり小さくなるので、バックグラインド後に半導体ウェーハの裏面をダイシングテープに貼付け、このダイシングテープを半導体ウェーハよりも一回り大きいフレームに固定し、それにより、半導体ウェーハの取り扱いを容易にすることが行われている。
その後、半導体ウェーハはフレームと一緒に剥離装置に供給される。剥離装置においては、剥離部材によって剥離テープを表面保護フィルムに貼付け、次いで、剥離部材を半導体ウェーハの表面に沿って移動させることにより、表面保護フィルムが剥離される。
しかしながら、特許文献１に記載されるように半導体ウェーハの厚みがかなり小さいことに加えて半導体ウェーハの縁部は面取部として形成されているので、ダイシングテープを介してフレームに取付けられた半導体ウェーハの縁部に剥離部材を押圧するときには、剥離部材が面取部から滑落する場合がある、このような場合においては、剥離部材の剥離テープとダイシングテープとが貼付き、その結果、剥離開始箇所を適切に形成することができない場合がある。また、ダイシングテープに貼付いた剥離部材を強引に引離すと、半導体ウェーハ縁部に大きな力が掛かって半導体ウェーハが破損する。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、特に表面保護フィルムの剥離開始時に起こる半導体ウェーハ先端部の割れ、欠けを防ぐために表面保護フィルムの剥離開始箇所を容易に形成することのできるフィルム剥離方法およびこの方法を実施するためのフィルム剥離装置を提供することを目的とする。
前述した目的を達成するために１番目の発明によれば、半導体ウェーハの表面に貼付けられた表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離方法において、半導体ウェーハの表面全体に加熱ブロックを近接し、該加熱ブロックによって表面保護フィルム全体を加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、半導体ウェーハから表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離方法が提供される。
半導体ウェーハの表面に加熱ブロックを近接し、加熱ブロックを加熱し、半導体ウェーハ全面にわたり、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、半導体ウェーハより表面保護フィルムを剥離することにより、半導体ウェーハの割れ、欠けが生じなくなるとともに弱い剥離力で、容易に表面保護フィルムを剥離できるようになる。
２番目の発明によれば、半導体ウェーハの表面に貼付けられた表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離方法において、半導体ウェーハの外周部近傍の少なくとも一部分に加熱ブロックを近接し、該加熱ブロックに対応する表面保護フィルムの外周部近傍を加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、該加熱ブロックで加熱された半導体ウェーハの外周部近傍から表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離方法が提供される。
２番目の発明によれば、半導体ウェーハの外周部近傍の少なくとも一部分を含む第一部分に加熱ブロックを近接し、加熱ブロックを加熱し、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させることにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた剥離開始箇所を容易に形成することができ、半導体ウェーハより表面フィルムを剥離するとき、半導体ウェーハの割れ、欠けが生じなくなる。
３番目の発明によれば、半導体ウェーハの表面に貼付けられた表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離方法において、半導体ウェーハの表面に剥離テープを繰り出し、加熱機構が組み込まれたピーリングバーによって剥離テープを介して表面保護フィルムを加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、前記ピーリングバーを用いて半導体ウェーハから表面保護フィルムを剥離テープと共に剥離する表面保護フィルム剥離方法が提供される。
３番目の発明によれば、ピーリングバーに加熱機構を組み込み、剥離テープを介して表面保護フィルムを加熱し、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、ピーリングバー下方の半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、半導体ウェーハより表面保護フィルムを剥離することにより、半導体ウェーハの割れ、欠けが生じなくなる。
４番目の発明によれば、半導体ウェーハ表面に貼られている表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離装置において、該半導体ウェーハ表面全体を被覆する加熱ブロックを具備し、半導体ウェーハの表面全体に近接された加熱ブロックによって表面保護フィルム全体を加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、半導体ウェーハから表面保護フィルムを剥離するようにした表面保護フィルム剥離装置が提供される。
４番目の発明によれば、１番目の発明と同様な効果が得られる。
５番目の発明によれば、半導体ウェーハ表面に貼られている表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離装置において、半導体ウェーハの外周部近傍の少なくとも一部分を被覆する加熱ブロックを具備し、半導体ウェーハの前記外周部近傍に近接された加熱ブロックによって表面保護フィルム全体を加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、半導体ウェーハの外周部近傍から表面保護フィルムを剥離するようにした表面保護フィルム剥離装置が提供される。
５番目の発明によれば、２番目の発明と同様な効果が得られる。
６番目の発明によれば、半導体ウェーハ表面に貼られている表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離装置において、半導体ウェーハの表面に剥離テープを繰り出す繰出手段と、ピーリングバーと、該ピーリングバーに組み込まれた加熱機構とを具備し、半導体ウェーハの表面に剥離テープを繰り出し、繰出手段により繰り出された剥離テープを介して加熱機構によって表面保護フィルムを加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、前記ピーリングバーを用いて半導体ウェーハから表面保護フィルムを剥離テープと共に剥離する表面保護フィルム剥離装置が提供される。
６番目の発明によれば、３番目の発明と同様な効果が得られる。
各発明によれば、剥離手段によって剥離開始箇所を容易に形成することができるという共通の効果を奏しうる。さらに、１番目の発明によれば、半導体ウェーハ表面全面で半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱められるので、表面保護フィルムの剥離が極めて弱い力で剥離が可能となる。
以下の図面において同一の部材には同一の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図１においてはバックグラインド後の従来の半導体ウェーハ断面形状が示されている。ウェーハ１の裏面にはダイシングテープ２が貼付けられている。また、図示しない回路素子が形成されているウェーハ１の表面には、表面保護フィルム３が貼付けられている。図１に示されるウェーハ１は或る程度バックグラインドされているので、ウェーハ１の一方の面取部９と端面８のみが示されており、他方の面取部は図示されていない。
図１に示されるウェーハ１がさらにバックグラインドされ、例えば半導体ウェーハ厚１００μｍになると、その断面形状は図１に示される状態から図２に示される状態になる。つまり、図２においては、端面８が研削されたために、面取部９からなるナイフエッジ部分５が現れ、その結果、割れ、欠けが起こりやすくなる。
半導体ウェーハの割れ、欠けを防止するため、表面保護フィルム３上に剥離テープ４を貼るときに、半導体ウェーハの縁部においては剥離テープ４を適度な力で押さえて、剥離テープ４を表面保護フィルム３に密着させる。半導体ウェーハの残りの大部分においては剥離テープ４を表面保護フィルム３に接触させるのみで加圧を行わないようにするか、又は剥離テープ４を表面保護フィルム３から完全に浮かせる事が望ましい。弱い剥離力で表面保護フィルム３の剥離を行うことが望まれる。
図３（ａ）は、剥離ロール３１を使用した、半導体ウェーハに対して９０度の巻き上げを示す図である。また、図３（ｂ）は、ピーリングバー１１を使用した、半導体ウェーハに対して１８０度の巻き上げを示す図である。剥離に際しては、ダイシングテープ２を介してウェーハ１の裏面側を吸着するテーブル１５及び半導体ウェーハの移動に対して巻き上げを遅らせる事により、図３（ａ）の如く90度以上、又、図３（ｂ）の如く 180度に近い剥離角度を維持しながら剥離を行う。
しかしながら 表面保護フィルムの種類は非常に多く、それぞれの特性も大きく異なる。表面保護フィルム３などについては、感熱性粘着フィルムおよび感圧性粘着フィルムが存在する。さらに、表面保護フィルム３の基材や粘着剤のバリエーションも多い。従って、剥離の方法や剥離に使用する剥離テープも限定のものでは対応できなくなってきた。
表面保護フィルム３の基材の厚みは特に限定はされないが、一般的には、７０〜５００μｍ、好ましくは１００〜３００μｍ程度が適切である。表面保護フィルム３の粘着剤層は、被着体である半導体ウェーハ４の表面を固定できる程度の粘着力を有し、その後剥離できる性質を有するものであれば、特に限定されない。したがって、汎用の弱粘着剤であってもよく、また紫外線硬化型粘着剤であってもよい。
紫外線硬化型粘着剤を用いた場合には、表面保護フィルム３の剥離に先立ち、粘着剤層に紫外線を照射し、粘着力を低下または消失させておくことが好ましい。この場合には、紫外線照射装置の設備が必要となる。
前記のように、表面保護フィルム３の種類は非常に多く、それぞれの特性も大きく異なり、感光性粘着フィルム、感熱性粘着フィルム、感圧性粘着フィルムなどが存在し、また表面保護フィルム３の基材や粘着剤のバリエーションも多い。これらについては、現在も種々研究、開発されている。
剥離用テープ４の基材の厚みは特に限定はされない。剥離用テープ４をヒートシール性接着剤により表面保護フィルム３に接着する場合には、熱の伝導性を確保するため、剥離用テープ４の基材の厚みは３００μｍ以下であることが好ましく、特に７５〜２５０μｍが好ましい。
剥離用テープ４は、上記表面保護フィルム３の端部に接着される。半導体ウェーハ表面に回路素子を有する場合には、該ウェーハの周縁部の回路素子が形成されていない部分に粘着されている表面保護フィルム３の先端上に剥離テープは接着される。
接着手段は、表面保護フィルム３と剥離用テープ４とを強固に接着できるものであれば特に限定はされないが、十分な接着強度を確保するため、ヒートシール性接着剤によることが好ましい。ヒートシール性接着剤は、表面保護フィルム３の材質と剥離用接着テープ４の材質とを考慮して適宜に選択される。たとえば、表面保護フィルム３と剥離用テープ４とがともにポリエチレンテレフタレートからなる場合には、アクリル系ヒートシール性接着剤を用いるのが好ましい。
これら種々の半導体ウェーハ用表面保護フィルム３と該表面保護フィルム３を剥離する種々の剥離テープ４との組み合わせで表面保護フィルム３を剥離しているが、半導体ウェーハ１と表面保護フィルム３の密着が強い状態で該表面保護フィルム３を剥離する際、ウェーハを破損する場合があり、有効な解決策が見当たらなかった。
以上の状況に対処するため、新たな解決手段を提案する。
表面保護フィルム３を半導体ウェーハ１の表面に貼付けたときには、表面保護フィルム３と半導体ウェーハ１との間に多数の気泡５０が形成される。これら気泡５０は特に回路素子周りおよびストリート周辺で発生しやすい。さらに、表面保護フィルム３の粘着剤の層にも多数の気泡５０が分散されている。これら気泡５０は、目視可能な気泡に加えて、肉眼で確認できない気泡も含む。
表面保護フィルム３が貼付けられた半導体ウェーハ１の表面を加熱することにより、表面保護フィルム３の粘着剤の内部に分散されている空気（気泡５０）、および／または半導体ウェーハの表面の回路素子周りやストリート周辺などに封じ込められた空気（気泡５０）が加熱される。これにより、これら気泡５０の体積が増大するので、表面保護フィルム３が半導体ウェーハ１の表面から浮き上がるようになり、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力が弱くなる。これにより、表面保護フィルム３の剥離が容易になる。言い換えれば、半導体ウェーハ１の表面から浮き上がった表面保護フィルム３の一部を剥離開始箇所として使用できる。
しかしながら、その温度が低下したときには、膨張した空気が再度収縮し、時には気泡の体積が縮小するので、加熱の前以上に剥離が困難になる事がある。このため、半導体ウェーハ１と表面保護フィルム３の間にある粘着材の気泡５０を膨張させて半導体ウェーハと表面保護フィルムの間の密着力が弱くなっている間に表面保護フィルムを剥離しなければならない。
本発明の一実施例の図４では剥離テープ４の方向に対して垂直に伸びるピーリングバー１１自体に加熱ブロック１２が組み込まれている。図示されるように、加熱ブロック１２はピーリングバー１１の中心付近に組み込まれている。言い換えれば、加熱ブロック１２は剥離テープ４の領域における半導体ウェーハ１の外周部に位置するように組み込まれる。ピーリングバー１１の加熱ブロック１２によって、剥離テープ４を介して表面保護フィルム３を加熱する。これにより、半導体ウェーハ１と表面保護フィルム３との間に形成された気泡５０および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡５０が膨張し、半導体ウェーハと表面保護フィルムとの間の密着力が弱くなる。それゆえ、表面保護フィルム３が半導体ウェーハ１の表面から部分的に浮き上がるようになる。同時に剥離テープ４を引き上げる事により表面保護フィルム３を容易に剥離できる。
また、ピーリングバー１１と加熱ブロック１２とは別部材であってもよい。図５（ａ）は、加熱スタンプ後、テーブル前進により剥離テープ接着を示す図である。図５（ａ）（及び図５（ｂ））には加熱部１０とピーリングバー１１を含んだ剥離部とが前後に配置されている。図５（ａ）の如く、加熱スタンプ１０等で表面保護フィルム３の外周部の一部を加熱した後、繰出手段４０により直ちに剥離テープ４を表面保護フィルム３に貼りつけ、テーブル１５を前進させつつ、表面保護フィルム３を剥離テープ４と共に剥離する事も可能である。この場合は、剥離テープが直接的に加熱されないので、剥離テープ４の耐熱性を気にする事無く、汎用の粘着テープの使用も可能となる。
なお、加熱部１０と剥離部との配置を逆にして、テーブル１５を後退させることにより表面保護フィルム３を剥離テープ４と共に剥離してもよい。
図５（ｂ）は他の実施形態を示す図５（ａ）と同様の図である。図５（ｂ）に示される加熱部１０は半導体ウェーハ１の表面全体を被覆するのに十分に大きい。このような加熱部１０によって半導体ウェーハ１上の表面保護フィルム３全体を加熱するようにしてもよく、この場合にも同様に剥離開始箇所を形成できる。
加熱部１０および加熱ブロック１２などによる加熱の温度は、表面保護フィルム３を加熱して内部の気泡５０を膨張させる温度（約70℃）から表面保護フィルム自体が溶融する温度（約250℃）までの範囲で選択し、さらに、選択された温度に応じた加熱時間を設定する。また、温度条件はテープの材質により選定されうる。
実際の評価には１５０〜１８０℃で空気層の膨張が短時間のうちに見られ、表面保護フィルム３の少なくとも一部が半導体ウェーハ１の表面から浮き上がり、この部分を剥離開始箇所として、表面保護フィルム３を容易に剥離する事が可能であった。
表面保護フィルムの剥離方法及び表面保護フィルム剥離装置の実施例は上記実施例に限定されず、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある粘着材の気泡５０を膨張させることにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力が弱められた状態で表面保護フィルム３を剥離するようにしてもよい。
上記実施例では、表面保護フィルムを剥離するときは剥離テープを介して剥離していたが、加熱後に表面保護フィルムの密着力が弱められた状態になれば、必ずしも剥離テープ４を使用する必要はない。この場合には、密着力が弱められた半導体ウェーハの外周部の少なくとも一部分を吸着又はピックアップ等により半導体ウェーハ１から浮かせ、その後、爪等により、その浮いた部分をクランプし、機械的に剥離するようにしてもよい。このような剥離方法も本発明の範囲に含まれるものとする。
従来の一般的なバックグラインド後の表面保護フィルムの剥離状態を示す側断面図である。 半導体ウェーハ厚が１００μｍ以下の表面保護フィルムの剥離状態を示す側断面図である。 （ａ）剥離ロールを使用した、半導体ウェーハに対して９０度の巻き上げを示す図である。（ｂ）ピーリングバーを使用した、半導体ウェーハに対して１８０度の巻き上げを示す図である。 （ａ）ピーリングバー自体に加熱機構を組み込みんだ正面図である。（ｂ）ピーリングバー自体に加熱機構を組み込みんだ側面図である。 （ａ）加熱スタンプ後、テーブル前進で剥離テープ接着を示す図である。（ｂ）他の実施形態を示す図５（ａ）と同様の図である。
符号の説明
１ 半導体ウェーハ
２ ダイシングテープ
３ 表面保護フィルム
４ 剥離テープ
５ ナイフエッジ部分
１０ 加熱スタンプ
１１ ピーリングバー
１２ 加熱ブロック
１５ テーブル
４０ 繰出手段
５０ 気泡

Claims (6)

  1. 半導体ウェーハの表面に貼付けられた表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離方法において、
    半導体ウェーハの表面全体に加熱ブロックを近接し、
    該加熱ブロックによって表面保護フィルム全体を加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、
    半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、半導体ウェーハから表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離方法。
  2. 半導体ウェーハの表面に貼付けられた表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離方法において、
    半導体ウェーハの外周部近傍の少なくとも一部分に加熱ブロックを近接し、
    該加熱ブロックに対応する表面保護フィルムの外周部近傍を加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、
    半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、該加熱ブロックで加熱された半導体ウェーハの外周部近傍から表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離方法。
  3. 半導体ウェーハの表面に貼付けられた表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離方法において、
    半導体ウェーハの表面に剥離テープを繰り出し、
    加熱機構が組み込まれたピーリングバーによって剥離テープを介して半導体ウェーハの表面保護フィルムを加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、
    半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、前記ピーリングバーを用いて半導体ウェーハから表面保護フィルムを剥離テープと共に剥離する表面保護フィルム剥離方法。
  4. 半導体ウェーハ表面に貼られている表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離装置において、
    該半導体ウェーハ表面全体を被覆する加熱ブロックを具備し、
    半導体ウェーハの表面全体に近接された加熱ブロックによって表面保護フィルム全体を加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、半導体ウェーハから表面保護フィルムを剥離するようにした表面保護フィルム剥離装置。
  5. 半導体ウェーハ表面に貼られている表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離装置において、
    半導体ウェーハの外周部近傍の少なくとも一部分を被覆する加熱ブロックを具備し、
    半導体ウェーハの前記外周部近傍に近接された加熱ブロックによって表面保護フィルム全体を加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、半導体ウェーハの外周部近傍から表面保護フィルムを剥離するようにした表面保護フィルム剥離装置。
  6. 半導体ウェーハ表面に貼られている表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離装置において、
    半導体ウェーハの表面に剥離テープを繰り出す繰出手段と、
    ピーリングバーと、
    該ピーリングバーに組み込まれた加熱機構とを具備し、
    半導体ウェーハの表面に剥離テープを繰り出し、
    繰出手段により繰り出された剥離テープを介して加熱機構によって半導体ウェーハの表面保護フィルムを加熱し、それにより、半導体ウェーハと表面保護フィルムの間にある気泡および／または表面保護フィルムの粘着剤内の気泡を膨張させ、半導体ウェーハと表面保護フィルムの密着力を弱めた後、前記ピーリングバーを用いて半導体ウェーハから表面保護フィルムを剥離テープと共に剥離する表面保護フィルム剥離装置。
JP2005299855A 2005-10-14 2005-10-14 表面保護フィルム剥離方法および表面保護フィルム剥離装置 Pending JP2007109927A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005299855A JP2007109927A (ja) 2005-10-14 2005-10-14 表面保護フィルム剥離方法および表面保護フィルム剥離装置
SG200606929-8A SG131859A1 (en) 2005-10-14 2006-10-04 Method and apparatus for peeling surface protective film
US11/544,189 US7521384B2 (en) 2005-10-14 2006-10-05 Method and apparatus for peeling surface protective film
KR1020060099997A KR100845986B1 (ko) 2005-10-14 2006-10-13 표면 보호 필름 박리 방법 및 장치
EP06122246A EP1777734A3 (en) 2005-10-14 2006-10-13 Method and apparatus for peeling a surface protective film
TW095137821A TWI309870B (en) 2005-10-14 2006-10-13 Method and apparatus for peeling surface protective film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005299855A JP2007109927A (ja) 2005-10-14 2005-10-14 表面保護フィルム剥離方法および表面保護フィルム剥離装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007109927A true JP2007109927A (ja) 2007-04-26

Family

ID=37691792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005299855A Pending JP2007109927A (ja) 2005-10-14 2005-10-14 表面保護フィルム剥離方法および表面保護フィルム剥離装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7521384B2 (ja)
EP (1) EP1777734A3 (ja)
JP (1) JP2007109927A (ja)
KR (1) KR100845986B1 (ja)
SG (1) SG131859A1 (ja)
TW (1) TWI309870B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224375A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Unitika Ltd 半導体製造工程用フィルム
JP2010067782A (ja) * 2008-09-10 2010-03-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd 表面保護フィルム剥離装置
JP2010219265A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Lintec Corp シート剥離装置及び剥離方法
JP2013118406A (ja) * 2013-03-06 2013-06-13 Lintec Corp シート剥離装置及び剥離方法並びにシート剥離用プレート部材
JP2020136383A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 三菱電機株式会社 半導体ウエハ基板の保護テープ剥離装置及び剥離方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101310974B (zh) * 2007-05-21 2010-08-25 北京京东方光电科技有限公司 剥膜设备和剥膜方法
KR100888920B1 (ko) * 2007-08-31 2009-03-16 에스티에스반도체통신 주식회사 반도체 다이 적층용 접착테이프 이송 및 절단 장치
CN102013371B (zh) * 2009-09-04 2012-11-21 清华大学 一种冷阴极的表面处理方法
SG179182A1 (en) * 2009-09-15 2012-04-27 Ers Electronic Gmbh Pinch roll, device, and method for removing a film from a disc-shaped workpiece
TWI407485B (zh) * 2009-09-22 2013-09-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 一種冷陰極的表面處理方法
DE102011018342A1 (de) * 2011-04-20 2012-10-25 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer bereichsweise beschichteten Trägerstruktur
KR101186122B1 (ko) 2012-05-31 2012-09-27 주식회사 베셀 보호필름 가박리 장치
JP5778116B2 (ja) * 2012-11-05 2015-09-16 日東電工株式会社 粘着シート貼付け方法および粘着シート貼付け装置
KR101722172B1 (ko) * 2014-12-05 2017-03-31 삼성중공업 주식회사 필름 제거 장치
JP6580408B2 (ja) * 2015-07-30 2019-09-25 株式会社ディスコ 剥離方法および剥離装置
JP2017163009A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
US10145941B2 (en) 2016-07-26 2018-12-04 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. LIDAR sensor attached to an actuator
JP7432345B2 (ja) 2019-12-03 2024-02-16 株式会社東京精密 シート剥離装置
CN111439615A (zh) * 2020-03-11 2020-07-24 青岛海尔电冰箱有限公司 一种智能料卷
CN115380368A (zh) * 2020-05-25 2022-11-22 恩基恩株式会社 半导体芯片分层装置及其控制方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003297786A (ja) * 2002-04-03 2003-10-17 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2005005672A (ja) * 2003-05-16 2005-01-06 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体素子の製造方法および発泡剥離装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2157193B (en) * 1984-04-10 1987-08-19 Nitto Electric Ind Co Process for peeling protective film off a thin article
DE4127724A1 (de) * 1991-08-22 1993-02-25 Hoechst Ag Vorrichtung zum trennen und abziehen einer auf einem traegermaterial auflaminierten folie
JP3156419B2 (ja) * 1993-02-15 2001-04-16 松下電器産業株式会社 異方性導電フィルム保護用セパレータの剥離方法
JP3438369B2 (ja) 1995-01-17 2003-08-18 ソニー株式会社 部材の製造方法
US5891298A (en) * 1995-08-31 1999-04-06 Nitto Denko Corporation Method and apparatus for peeling protective adhesive tape from semiconductor wafer
US6149758A (en) * 1997-06-20 2000-11-21 Lintec Corporation Sheet removing apparatus and method
WO1999026282A1 (fr) 1997-11-18 1999-05-27 Mitsui Chemicals, Incorporated Procede de fabrication pour plaquette en semiconducteur
US6159827A (en) * 1998-04-13 2000-12-12 Mitsui Chemicals, Inc. Preparation process of semiconductor wafer
JP2000038556A (ja) 1998-07-22 2000-02-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法
JP4275254B2 (ja) 1999-06-17 2009-06-10 リンテック株式会社 両面粘着シートに固定された物品の剥離方法および剥離装置
JP4166920B2 (ja) * 2000-02-24 2008-10-15 リンテック株式会社 シート剥離装置および方法
JP4502547B2 (ja) * 2000-08-07 2010-07-14 日東電工株式会社 半導体ウエハの保護テープ除去方法およびその装置
JP3853247B2 (ja) 2002-04-16 2006-12-06 日東電工株式会社 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
JP2004128147A (ja) 2002-10-01 2004-04-22 Nitto Denko Corp 半導体ウエハからの保護テープ除去方法およびその装置
JP2004165570A (ja) 2002-11-15 2004-06-10 Nitto Denko Corp 半導体ウエハからの保護テープ除去方法およびその装置
JP4592270B2 (ja) 2003-10-06 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP2006316078A (ja) 2003-10-17 2006-11-24 Lintec Corp 接着テープの剥離方法及び剥離装置
JP2005150453A (ja) 2003-11-17 2005-06-09 Taiyo Yuden Co Ltd 薄型半導体ウェハーの剥離方法及びその装置並びに薄型半導体ウェハーの製造方法
KR100696287B1 (ko) 2004-01-28 2007-03-19 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 보호방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003297786A (ja) * 2002-04-03 2003-10-17 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2005005672A (ja) * 2003-05-16 2005-01-06 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体素子の製造方法および発泡剥離装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224375A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Unitika Ltd 半導体製造工程用フィルム
JP2010067782A (ja) * 2008-09-10 2010-03-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd 表面保護フィルム剥離装置
JP2010219265A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Lintec Corp シート剥離装置及び剥離方法
JP2013118406A (ja) * 2013-03-06 2013-06-13 Lintec Corp シート剥離装置及び剥離方法並びにシート剥離用プレート部材
JP2020136383A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 三菱電機株式会社 半導体ウエハ基板の保護テープ剥離装置及び剥離方法
JP7129929B2 (ja) 2019-02-15 2022-09-02 三菱電機株式会社 半導体ウエハ基板の保護テープ剥離装置及び剥離方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI309870B (en) 2009-05-11
SG131859A1 (en) 2007-05-28
KR100845986B1 (ko) 2008-07-11
US7521384B2 (en) 2009-04-21
KR20070041403A (ko) 2007-04-18
TW200721294A (en) 2007-06-01
US20070087475A1 (en) 2007-04-19
EP1777734A2 (en) 2007-04-25
EP1777734A3 (en) 2007-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007109927A (ja) 表面保護フィルム剥離方法および表面保護フィルム剥離装置
JP2005123382A5 (ja)
JP2007073813A (ja) 基板の薄板化方法及び回路素子の製造方法
JP2008060255A (ja) 半導体ウエーハの加工方法
JP2008300521A (ja) 半導体ウェーハおよびその加工方法
JP2004349649A (ja) ウエハーの薄加工方法
JP2010283097A (ja) 両面接着シート
JP5522773B2 (ja) 半導体ウエハの保持方法、チップ体の製造方法、およびスペーサ
JP2005019435A (ja) ウェハ研磨方法
JP2005303158A (ja) デバイスの形成方法
JP4563257B2 (ja) 粘着シート及び電子部品製造方法
JPS624341A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010129623A (ja) ウエーハの加工方法
JP3325646B2 (ja) 半導体ウエハの裏面研削方法および保護テープ貼付機
JP2006241332A (ja) 粘着剤および粘着テープ
JP2014135337A (ja) 半導体ウエハ加工用シートおよびその製造方法
JP2004319829A (ja) 半導体チップの製造方法
JP2005116948A (ja) 半導体ウエハの加工方法およびそれに用いる両面粘着シート
JP2009054679A (ja) ウェハ加工用シート
JP2005260154A (ja) チップ製造方法
TWI827701B (zh) 晶圓加工方法
JP2007095908A (ja) ウェハ加工方法
JP4342340B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6132502B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP4091772B2 (ja) 粘着フィルム剥離用テープ及びそれを用いる粘着フィルム剥離方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080717

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100420

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100810