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  1. 半導体ウエハの裏面研削を行う際に用いる表面保護用シートであって、
    基材シートの片面に、貼付する半導体ウエハの外径よりも小径の粘着剤層が形成されていない開口部と、その外周に形成された粘着剤層が形成されている部分とが設けられている表面保護用シート。
  2. 基材シート及び粘着剤層が貼付される半導体ウエハと略同径にカットされており、前記粘着剤層が形成されている部分が略同心円に形成されていることを特徴とする請求項1記載の表面保護用シート。
  3. 該粘着剤剤層が、芯材フィルムの両面に粘着剤層を設けてなる両面粘着シートである請求項1記載の表面保護用シート。
  4. 前記両面粘着シートの芯材フィルムがポリエチレンテレフタレートである請求項3に記載の表面保護シート。
  5. 前記両面粘着シートの基材シートに面する粘着剤層が強粘着性を示す粘着剤からなり、反対面の粘着剤層がエネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化型粘着剤からなる請求項3に記載の表面保護シート。
  6. 回路面上にバンプが形成された半導体ウエハを、
    バンプの形成されている部分に対応する粘着剤層が形成されていない開口部を有し、バンプの形成されていないウエハの外周部分に粘着剤形成部となる粘着剤層が形成され、さらに該粘着剤層上に粘着剤層の開口部を塞ぐように基材シートが積層された状態とする表面保護形態とし、
    基材シート側を固定台に戴置し、半導体ウエハの裏面側を研削することを特徴とする半導体ウエハの研削方法。
  7. 該粘着剤剤層が、芯材フィルムの両面に粘着剤層を設けてなる両面粘着シートである請求項6記載の半導体ウエハの研削方法。
  8. 前記両面粘着シートの芯材フィルムがポリエチレンテレフタレートである請求項7に記
    載の半導体ウエハの研削方法。
  9. 前記両面粘着シートの基材シートに面する粘着剤層が強粘着性を示す粘着剤からなり、反対面の粘着剤層がエネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化型粘着剤からなる請求項7に記載の半導体ウエハの研削方法。
  10. 前記粘着剤層が、その両面に軽剥離タイプおよび重剥離タイプの剥離フィルムが積層され、かつ粘着剤層および軽剥離タイプの剥離フィルムが開口部を形成するように打ち抜かれ、重剥離タイプの剥離フィルム上に保持された状態で供給され、
    軽剥離タイプの剥離フィルムを剥離しつつ、露出した粘着剤層を基材フィルムに貼付し、
    重剥離タイプの剥離フィルムを剥離した後、露出した粘着剤層にウエハの外周部分を貼付し、前記表面保護状態とする請求項6に記載の半導体ウエハの研削方法。
  11. 請求項1または2の表面保護シートを半導体ウエハの回路面に貼着することにより請求項の表面保護形態とすることを特徴とする、請求項に記載の半導体ウエハの研削方法。
  12. 回路面上にバンプが形成された半導体ウエハに、
    バンプが形成されている部分に対応する開口部と、バンプが形成されていないウエハの外周部分に対応する粘着剤形成部を有する粘着剤層を、当該半導体ウエハの外周部分に合わせて貼着し、
    さらに該粘着剤層上に粘着剤層の開口部を塞ぐように基材シートを積層貼付することにより請求項の表面保護形態とすることを特徴とする、請求項に記載の半導体ウエハの研削方法。
  13. 回路面上に形成されたバンプの高さが50μm以上であり、最も外に配置されているバンプの位置がウエハの外周から2〜10mmであることを特徴とする請求項に記載の半導体ウエハの研削方法。
  14. 粘着剤層の厚み(At)とバンプの高さ(Bt)の差(Bt−At)が−5〜50μmであることを特徴とする請求項に記載の半導体ウエハの研削方法。
  15. 前記粘着剤層が、その両面に軽剥離タイプおよび重剥離タイプの剥離フィルムが積層され、かつ粘着剤層および軽剥離タイプの剥離フィルムが開口部を形成するように打ち抜かれ、重剥離タイプの剥離フィルム上に保持された状態で供給される工程をさらに含む請求項12に記載の半導体ウエハの研削方法。
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