TWI309870B - Method and apparatus for peeling surface protective film - Google Patents

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TWI309870B
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Masaki Kanazawa
Minoru Ametani
Daisuke Akita
Motoi Nezu
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Description

1309870 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種剝離一附著在一半導體晶圓之表面上 的薄膜之方法’或者更具體而言，係關於一種用以剝離一 附著在一極薄半導體晶圓之表面上的表面保護膜之膜剝離 方法及一種用以實現該方法之膜剝離裝置。 【先前技術】 在半導體製程的前半段中，該半導體晶圓之周緣會被削 角以避免在半導體製程期間發生裂痕、切痕或灰塵。正常 而言，該半導體晶圓係在該半導體晶圓製程期間被削角。 經削角及研磨而具有一鏡面光滑表面之帛導體晶圓係做為 材料而被供應至該半導體製程的前半段。 在削角該半導體晶圓時，該半導體晶圓之上方及下方邊 緣係利用一研磨石或類似物來研磨成一錐角且予以拋光。 電路7L件被形成在以此方式削角之該帛n曰曰圓的表面 上。在半導體製造領域中的趨勢係朝向較大型的半導體晶 圓發展。在另一方面，為了增加安裝密度，該等半導體晶 圓之厚度已持續被縮減。用於研磨該半導體晶圓之背面的 背面研磨處理會被執行以減少該半導體晶圓之厚度。該背 面研磨處理目則可將該等半導體晶圓之厚度縮減至⑽微 米或以下。再者，目前的研發係著重在提供50微米或以下 之厚度。在該背面研磨處理之前，一用以保護該電路元件 之表面保護膜係被附著至該晶圓之正面。 "亥月面研磨處理係一種極度縮減該半導體晶圓之厚度的 115194.doc 1309870 處理，且因此，在背面研磨作業期間，該晶圓之周緣部分 很容易被弄破或割傷。詳言之，厚度不超過1〇〇微米之半 導體晶圓會導致該半導體晶圓具有較低的機械強度而因此 會發生裂損或割傷。 在該背面研磨處理之後需要將被附著用以保護形成在該 半導體晶圓正面上的電路元件之表面保護膜予以剝離。在 習知技術中，一剝離膠帶係藉由一施用滾輪而被附著於該 φ I導體晶圓之整個表面保護膜上’且在將該剝離膠帶附著 及黏著於該表面保護膜之後，與該表面保護膜結合在一起 的剝離膠帶會被捲離而藉此剝離該表面保護膜。 然而，在該背面研磨處理後的極薄的半導體晶圓在機械 強度上會大幅度降低，因此，當將該剝離膠帶附著在該表 面保護膜上時，便會存在著該半導體晶圓可能會破損的問 題。此外’該半導體晶圓亦可能在該剝離程序期間破損。 為了解決這些問題，曰本未實審專利公開第2〇〇4_ φ 165570號揭示一種方法，其中該半導體晶圓之方向被調整 成使該剝離膠帶之方向不會與被形成在該半導體晶圓上之 分割凹溝重合。再者’曰本未實審專利公開第2004_ 128 147號揭示一種剝離裝置’其中該剝離作業係從該半導 體晶圓之一邊角開始進行。 在該背面研磨處理之後，該半導體晶圓之厚度會大幅度 縮減’且因此受到該背面研磨處理之該半導體晶圓之背面 係被附著在該分割膠帶上，然後該分割膠帶被固定在一略 大於該半導體晶圓之框架上。因此，便有助於該半導體晶 115194.doc 1309870 圓的處理。 之後’該半導體晶圓係與該框架一起被供應至該剝離裝 置。在該剝離裝置中，該剝離膠帶藉由一剝離構件而被附 著在該表面保護膜上，然後該剝離構件便沿著該半導體晶 圓之該表面移動而使得該表面保護膜被剝離。 如在曰本未實審專利案第2004-165570所揭示的，該半 導體晶圓之厚度被大幅度地縮減且該半導體晶圓之邊緣被 φ 形成為一削角部分。被壓抵於經由該分割膠帶而安裝在一 框架上之半導體晶圓之邊緣的該剝離構件可能會從該削角 井刀處滑脫。在此一狀況中，該剝離構件之剝離膠帶以及 s亥分割膠帶可能會彼此黏結在一起，且因此造成無法適當 地形成一剝離起始點。再者，若附著至該分割膠帶的剝離 構件被強力地分開，則一較大的力量會被施加在該晶圓之 邊緣上而可能造成該晶圓破損。 本發明係有鑑於上述狀況而發展出來，且本發明之一目 • 的係要提供一種膜剝離方法及一種用以實現該方法之膜剝 離裝置•中该表面保護膜之一剝離起始點可以容易地形 成以防止該半導體晶圓之前緣端裂損或割傷，否則該裂損 或割傷係有可能在開始剝離該表面保護膜時發生。 【發明内容】 為了達成上述的目的，依照本發明之一第一態樣，其係 提供一種表面保護膜剝離方法，其用以剝離一附著在一半 導體晶圓之-表面上的表面保護膜，該方法包含以下步 驟：設置-加熱塊鄰近於該半導體晶圓之整個表面；藉由 115194.doc 1309870 該加熱塊來加熱整個表面㈣膜，藉此膨脹存在於該半導 體晶圓及該表面保護膜之間的空氣氣泡及/或存在於x該表 面保護膜之黏膠中的空氣氣泡，I因此減弱在該半導體晶 圓及該表面保護膜之間的黏著性；且然後將該表面保護膜 從該半導體晶圓上剝離。
該加熱塊被設置成㈣於該半導體晶圓之該表面且予以 加熱。存在於該半導體晶圓及該表面保護臈之間的空氣氣 泡及/或存在於該表面保護膜之壓感式黏膠中的空氣氣泡 在該半導體晶®的整個表面上被膨脹或鼓脹，藉此減弱在 該半導體晶圓與該表面保護膜之間的黏著性，之後從該半 導體 體晶 晶圓剝離該表面保護膜。以此方式，便可避免該半導 圓之裂損或割傷，且在此同_，可以容易地以一較低 的剝離力來剝離該表面保護膜。 依“、、本發明之一第二態樣，其係提供一種表面保護膜剝 離方法用以剝離一附著在一半導體晶圓之一表面上的 表面保護膜’該方法包含以下步驟：設置一加熱塊鄰近於 該半導體晶圓之外周緣部分的附近的至少一部分；加熱對 應於該加熱塊之該表面保護膜的外周緣部分的附近，藉此 膨脹存在㈣半導體晶圓及該纟面保護膜t間的空氣氣泡 及/或存在於該表面保護膜之黏膠中的空氣氣泡，且因此 減弱在該半導體晶圓及該表面保護膜之間的黏著性；及從 藉由該加熱塊所加熱之該半導體晶圓之外周緣部分的附近 來剝離該表面保護膜。 在該第二態樣中，該加熱塊被設置成鄰近於一包括該半 115194.doc 1309870 導體晶圓之外周緣部分的附近之至少一部分的第一部分且 予以加熱，藉此膨脹或鼓脹存在於該半導體晶圓及該表面 保護膜之間的空氣氣泡及/或存在於該表面保護臈之壓感 式黏膠中的空氣氣泡，因此便可以在該半導體晶圓與該表 面保護膜之間形成黏著性被減弱之一剝離起始點。因此， 當從該半導體晶圓剝離該表面保護膜時，便可以避免該半 導體晶圓之裂損或割傷。
依照本發明之一第三態樣，其係提供一種表面保護膜剝 離方法，其用以剝離一附著在一半導體晶圓之一表面上的 表面保護膜，該方法包含以下步驟：施饋一剝離膠帶在該 半導體晶圓之該表面上；藉由一具有一加熱機構建置於其 中之剝離桿而經由該剝離膠帶來加熱該半導體晶圓之誃表 面保護膜’藉此膨脹存在於該半導體晶圓及該表面保; 蔓膜 之間的空氣氣泡及/或存在於該表面保護臈之黏膠中的空 氣氣泡’ 1因此減弱在該㈣體晶圓1該表面保護臈之： :黏著性；及利用該剝離桿而將該表面保護膜與該剝離膠 τ一起從該半導體晶圓上剝離。 在該第三態樣中’該加熱機構被建置在該刻離桿中，該 表面保護膜係經由該剝離膠帶而藉由該加熱機構所加熱， 於該半導體晶圓及該表面保護膜之間的空氣氣泡及/ 或存在於該表面保護膜之壓感式黏膠中的 =:，藉此減弱在該剝離桿下方之該半導心與該 表面保護膜之間的黏著性，之後從 表面你1描 交攸°茨牛導體晶圓來剝離該 表面保《。以此方式’便可防止半導體晶圓裂損或被割 Ϊ I5I94.doc 1309870 傷。 依照本發明之1四態樣，其係提供—種—種表面保護 膜剝離裝置，其用以剝離—附著在—半導體晶圓之一表面 上的表面保護膜，該裝置包含：—覆蓋該半導體晶圓之整 個表面的加熱塊中該整個表面保護膜係藉由被設置成 鄰近於該何體晶圓之整個表面㈣加熱塊所加熱；藉此 膨脹存在於該半導體晶圓及該表面保護膜之間的空氣氣泡 及/或存在於該表面保護膜之黏膠中的空氣氣泡，且因此 減弱在邊半導體晶圓及該表面保護膜之間的黏著性，之 從該半導體晶圓剝離該表面保護膜。 在此第四態樣中，其可以產生相同於第一態樣的功效。 依照本發明之-第五態樣，其係提供—種表面保護膜剝 離裝置’其用以__附著在—半導體晶圓之—表面 表面保護膜，該裝置自合.一埯坌分、丄 ' 扳置匕3.覆盍该+導體晶圓之外周 糊附近之至少一部分的加熱塊；#中該整個表面保護 膜係精由被設置成鄰近於該半導體晶圓之外周緣部分 近的該加熱塊所加熱；藉此膨脹存在於該半導體晶兮 表面保護膜之間的空氣氣泡及/或存在於該表面保護膜二 壓感式黏膠中的空氣氣泡且因此減弱在該半導體 表面保護膜之間的黏著性，之後從該半導體晶圓：二： 部分的附近來剝離該表面保護膜。 深 在該第五態樣中’其係可以產生相同於該第二 效。 冷 依照本發明之-第六態樣，其係提 禋表面保護 115194.doc • 11 · 1309870 臈剝離裝置’其用以剝離一附著在 上的表面保㈣，該裝置包含：―施一 _ 施饋構件，其用以施饋 剝離膠帶在該半導體晶圓之該表 ¥ ^ 韌離桿；及一 離桿中的加熱機構；《中該剝離膠帶被施饋在 ::導體晶圓之該表面上，該半導體晶圓之該表面保護膜 係經由藉㈣施饋構件所施饋㈣離膠帶而藉由該加熱機 構所加熱；藉此膨脹存在於該半導體晶圓及該表面保護膜 之間的空氣氣泡及/或存在於該表面保護膜之壓感式黏膠 中的空氣氣泡，且因此減弱在該半導體晶圓及該表面保護 膜之間的黏著性’之後利用剝離桿將該表面保護膜與該剝 離膠帶一起從該半導體晶圓上剝離。 在該第六態樣中，其係可以產生相㈣該第三態樣的功 效0 上述的各個態樣係可以產生藉由剝離構件而容易地形成 一剝離起始點的相同功效。再者，在該第一態樣中，在該 修半導體晶圓之整個表面上，在該半導體晶圓與該表面保護 膜之間的黏著性係被減弱，且因此該表面保護膜能以一極 低的力量來予以剝離。 本發明之這些及其他的目的、特徵、及優點將可以從以 下由圖式所展示之示例性實施例的詳細說明而獲得更深入 之瞭解。 【實施方式】 在以下說明的圖式中’相同的組成構件係以相同的元件 標號予以標示。為有助於瞭解，這些圖式的比例係經過適 115194.doc • 12- 1309870 當的改變。 圖1係一截面顏固 ΛΛ., 圖，其中顯示經背面研磨處理後的習知 半導體晶圓。—分电丨聰她η ^ 一四 刀割膠帶2附著在一晶圓！之背面上。再 者’ 一表面保護膜3附著在該晶圓1的正面上，在該正面上 形成有電路元件（夫m 1 _ 不）。圖I所示之晶圓I係經過該背面 研磨處理至一定藉许 α ^ 一 又，且因此僅顯示該晶圓I之一端面8及 '邛分9，而未顯示其他的削角部分。 =中所示之晶圓Μ經過更進一步的背面研磨處理至 于為例如作為一半導體晶圓之ι〇〇微米。然後，截面形 Γ便從圖1所不之形狀改變成圖2所示之形狀。詳言之，在 ^中、，對應於該端面8之部分被研磨且因此本身:現為削 部分9之一刀刃部分5，如此一來將很容易造成 傷。 為了防止該半導體晶圓之裂損或切傷，-剝離膠帶4附 者在該表面保護膜3而使得該聽膠帶4在-適當壓力作用 下被壓在料導體晶圓之邊緣上，並且與該表面保護膜3 緊密接觸。針對該半導體晶圓其餘的大部分而言，該剝離 膠W4較佳地僅保持與該表面保護膜3相接觸而無壓力或者 完全地高出於該表面保護膜3。換言之’該表面保護模3能 以一弱小剝離力來予以適當地剝離。 圖-示意圖’其中顯示在該半導體晶圓上之剝離膠 帶利2 一剝離滾筒31而被捲起9〇。。在另一方面，圖讣係 示忍圖，其中顯示在該半導體晶圓上之剝離膠帶利用二 剝離杯11而破捲起180。。該表面保護膜3被剝離且同時保 115194.doc -13- 1309870 持不超過如圖3a所示之+ 0或如圖3b所示之大約18〇。的剝 離角度，這係藉由相對於士 i y 、 f於由千台15所固持之半導體晶圓的 運動來延遲該捲起操作w , 呆作以經由該分割膠帶2來吸附該晶圓i 之背面而達成。 然而’可使用的表面保護膜具有相當多的類型且在其特 性上亦有極大差異。該表面保護膜3包括—熱感式黏膠膜 及C感式黏膠膜。此外，該表面保護媒之基底材料以及 壓感式黏膠或熱感式黏膠係具有許多的差異。因此，若在 類型上被限定’則該剝離方法或用於剝離之剝離膠帶將無 法符合這些條件。 雖然未予以特別限制，’然而該表面保護膜3之基底材料 的厚度通$係7G至5GG微米或者較佳地為刚至⑽微米。 雖然未予以特別限制’然:而該表面保護膜3之黏膠層係需 要至少具有可以固定至作為被黏結目標的該半導體晶圓正 面4且之後可以被剝離的黏著性。因&，可以採用一種多 用途弱性黏膠或紫外線熟化黏膠。 在採用紫外線熟化黏膠的例子中，最好在剝離該表面保 護膜3之前將紫外線照射在該黏膠層上以降低或移除黏著 性。在此一例子中，其係需要紫外線照射設備。 然而，如上述，可用的表面保護膜3具有相當多種類 型，其特性在各種表面保護膜之間存在有許乡的差異。亦 存在一光感式黏膠膜、一熱感式黏膠膜及一壓感式黏膠 膜。再者，該表面保護膜3之基底材料及壓感式黏膠具有 許多的差異。對於這些方面的研發努力仍在進行中。 115194.doc -14- 1309870 /亥剥離膠帶4之基底材料的厚度並未予以特別限制 該剝離膠帶4藉由一熱封黏膠而被黏結至該表面保護媒3的 例子中，該剝離膠帶4之基底材料的厚度較佳 過 微米，或者具體言之為75至25。微米’以麵熱傳不輪超性伽 孩剥離膠帶4被黏結至該表面保護膜3之末端。在該等電 ^件被形成該半導體晶圓正面的例子中，_離膠帶被 U表面保護膜之前緣端’而該前緣端則係被附 形成有邊等電路元件之晶圓的周緣上。 ==構件並未有㈣㈣，只要其可以㈣表 膜3與该剝離膠帶4彼此牢固地黏結在一起即可。缺而為 二確=有足夠的黏結強度，該黏結構件可以為」熱封黏 膠帶Γ之好封黏膠係考量該表面保護膜3之材料以及該剝離 ^之材料來予以適當地選擇。在該表面保護 :膠帶4兩者皆由聚乙稀對苯二甲酸所形成的例子= 用丙稀酸熱封《來作為#結構件。 用於半導體日日日圓之任何表面保護膜以及任何各種剝離膠 :膜=係用以剝離該表面保護膜3。然而，在該表面保 。膜=彼此牢固地黏結在一起的半導體晶圓1與該表面 ::1來：以剝離的例子中，該晶圓可能會破損，因此 而要哥求一種有效的解決方案。 !:滿足此一情況’因而提出-種新的解決方案。 =面保護膜3被附著在該該半導體晶圓】之正面上 體晶an個工ί包5〇破形成在該表面保護膜3與該半導 日日之間。這些氣泡50傾向於形成在該等電路元件周 115194.doc 1309870
圍以及在該等電路元件之間的渠道或通道附近。再者 數個空氣氣泡50亦被散佈在該表面保護膜3之該黏膠層 中’例如’該壓感式黏膠層。這些氣泡5()的某些可以被看 到’而其餘的氣泡則無法被肉眼看到。
藉由加熱具有表面保護膜3附著於其上的該半導體晶圓^ 之該表面，被散佈在該表面保護臈3之黏膠中的空氣^空氣 氣泡50)及/或被包含在該等電路元件或位在該半導體= 正面上的渠道或通道周圍的空氣（空氣氣泡5〇)便會被加 熱。因此，該等空氣氣泡50之體積會增加，且該表二保護 膜3會從該半導體晶圓丨之正面升高。因此，在該半導體晶 圓與該表面保護膜之間的黏著性會被減弱。如此一來，便 有助於該表面保護膜3之剝離操作。換言之，該表面保護 臈3從該半導體晶圓1之正面升起的一部分可用以作為一剝 離起始點。 然而，隨著溫度降低，先前已膨脹或鼓脹的空氣會再次 收縮而縮減該等空氣氣泡的體積，因此通常會造成比之前 加熱時更難以剥離。基於此一緣故，有需要在介於該半導 體晶圓1與該表面保護膜3之間之黏膠的該等空氣氣泡5〇被 膨脹或鼓脹且在該半導體晶圓1與該表面保護膜3之間的黏 著性被減弱時來剝離該表面保護膜。 在顯示本發明之一實施例的圖4中，一加熱塊12被建置 在一剥離桿11中，該剝離桿延伸於垂直於該剝離膠帶4方 向之方向上。如圖4所示，該加熱塊12係被安裝成以該剝 離桿11為中心。換言之，該加熱塊12被安裝在該半導體晶 H5194.doc -16- 1309870 圓1之外周緣上的一個位置，該位置被定位在該剝離膠帶4 之區域中。該表面保護膜3係經由該剝離膠帶4而藉由該剝 離桿11之加熱塊12所加熱。因此，形成在該半導體晶圓i 與該表面保護膜3之間的空氣氣泡50及/或形成在該表面保 護臈之黏膠中的空氣氣泡50會被膨脹或鼓脹，且在該半導 體晶圓與表面保護膜之間的黏著性便因此被減弱。因此， 該表面保護膜3會從該該半導體晶圓1之正面部分地升高。 φ 在此同時，該剝離膠帶4會被向上拉起，藉此便可以容易 地剥離該表面保護膜3。 该剥離桿11及該加熱塊12可以係獨立的構件。圖5a係一 不忍圖，其中顯示在該加熱單元印壓該表面保護膜之熱壓 程序之後該剝離膠帶藉由該平台的向前移動而被黏結之方 式。圖5a(及圖5b)顯示該加熱單元1〇及包括剝離桿u的剝 離單7C呈前後配置。如圖5a所示，在藉由該加鮮元㈠或 類似物加熱該表面保護膜3之外周緣部分之一部分之後， _ ㈣離膠帶4便藉由該施加構件4〇而立即被附著在該表面 保護膜3。然後，該平台15向前移動以藉此將該表面保護 膜3與該剝離㈣4„_起剝離。在此例中，該剝離膠帶並未 被直接加熱，且因此一多用途黏膠帶便可用以作為該剝離 膠帶而不需要考慮到該剝離膠帶4之熱阻抗。 附帶一提，在該加熱單元1〇及該剝離單元互換的例子 中x表面保°蒦膜3係#由將該平台15向後移動而可替換 地藉由該剝離膠帶4來予以剝離。 、 圖5b係一不意圖’其中顯示類似於圖&之另一實施例。 115194.doc •17- 1309870 在圖5b中所示的加熱單元ι〇係大致足以覆蓋該半導體晶圓 1的整個表面。在該半導體晶圓1上之整個表面保護膜3可 藉由該加熱單元1 〇來予以加熱’在此例中，該制離起始點 係以類似的方式被形成。 該加熱單元1〇及該加熱塊12之加熱溫度被選定在會使該 表面保護膜3中的空氣氣泡被膨脹或鼓脹之溫度（大約7〇〇c) 至會使該表面保護膜被熔化的溫度（大約25〇〇c)之間的範 圍内。此外，設定對應於所選定之溫度的加熱時間。再 者，該溫度條件亦可依照膠帶或薄膜之材料來予以選擇。 實際的評估顯示該空氣層係在一段很短的時間内在15〇 至18〇〇C的溫度下被膨脹或鼓脹，且該表面保護膜3之至少 一部分係從該該半導體晶圓正面丨升起。藉由以此部分作 為一剝離起始點，便可以很容易剝離該表面保護膜 實現本發明之用以剝離表面保護膜之方法及裝置並未侷 限於上述的實施例’但藉由膨脹或鼓服位在該半導體晶圓 與該表面保護膜之間之黏膠中的空氣氣泡50,便可藉由減 弱在該半導體晶圓與該表面保護膜之間的黏著性來剝離該 表面保護膜3。 、在上述的實施例中，該表面保護膜係經由該剝離膠帶而 被剝離。然而，一旦在加孰 &後该表面保護膜的黏著性被 減弱時，便不需要使用該 Λ 尤用忒剝離膠帶4。在此例中，在黏著 性被減弱之該半導體晶圓之該 — 卜周緣部分的至少一部分係 精由吸附或真空吸力而從該半 一 導體晶圓1上升尚’在此之 後，此咼起的部分便藉由爽 人狩構件之一卡鉤或類似物所决 115194.doc •18· 1309870 持而可以被機械式地剝離。此剝離方法亦包括在本發明的 範圍内。 雖然本發明已藉由其示例性實施例來予以圖示及說明， 然而熟習此項技術者應可瞭解，在不違背本發明之範圍的 情況下，仍可對該等實施例施以上述及其他各種不同的變 更、刪略及增添。 【圖式簡單說明】 • 圖1係一侧面截面視圖’其中顯示依照習知技術在背面 研磨處理後剝離該表面保護膜的一般方式。 圖2係一側面截面視圖，其中顯示將該表面保護膜從一 厚度不超過100微米之半導體晶圓上剝離的方式。 圖3a係-示意圖’其中顯示該半導體晶圓利用—剝離滾 筒而被捲起90。。 圖3b係-示意圖’其中顯示該半導體晶圓制_剥離桿 而被捲起180°。 • 圖4a係一前視圖，其中顯示具有-加熱機構被建置於其 中的剝離桿。 ' ' 圖4 b係 '一側視圖，其, 共〒顯不具有一加熱機構被建置於其 中的剝離桿。 ' 〃 圖5 a係示意圖，其中顯不在熱壓程序之後該剝離膠帶 藉由該平台的向前移動而被黏結之方式。 圖5b係類似於圖5a之依照另一實施例的示意圖。 【主要元件符號說明】 晶圓 H5194.doc -19· 1309870 2 分割膠帶 3 表面保護膜 4 剝離膠帶 5 刀刃部分 8 端面 9 削角部分 10 加熱單元 11 剝離桿 12 加熱塊 15 平台 31 剝離滚筒 40 施加構件 50 空氣氣泡 115194.doc -20-

Claims (1)

1309870 十、申請專利範圍： 1· -種表面保護膜剝離方法’其用以剝離一附著在一半導 體晶圓之-表面上的表面保護膜，該方法包含 驟： 設置一加熱塊鄰近於該半導體晶圓之整個表面； 藉由該加熱塊來加熱整個表面保護膜，藉此膨服存在 於§亥半導體晶圓及該表面保護 ^ 硬犋之間的空氣氣泡及/或存 在於該表面保護膜之黏膠中的 ，. J工軋氣泡，且因此減弱在 該半導體晶圓及該表面保護膜之間的黏著性；及 將該表面保護膜從該半導體晶圓上剝離。 2. -種表面保護膜剝離方法，其用以剝離—附著在一半導 體晶圓之一表面上的表面保護膜，該方法包含以下步 驟： 圓之外周緣部分的附 設置一加熱塊鄰近於該半導體晶 近的至少一部分； 面保護膜的外周緣部分的 體晶圓及該表面保護膜之 面保護膜之黏膠中的空氣 日曰圓及該表面保護膜之間
加熱對應於該加熱塊之該表 附近’藉此膨脹存在於該半導 間的空氣氣泡及/或存在於該表 氣泡’且因此減弱在該半導體 的黏著性；及 從藉由該加熱塊所加熱之該半導 卞等體晶囫之外周緣部分 的附近來剝離該表面保護膜。 3. -種表面保護膜剝離方法，其“剝離—附著在一半導 體晶圓t一表面上的表面保_，該彳法包含以下步 115194.doc 1309870 施饋—剥離膠帶在該半導體晶圓之該表面上； 藉由—具有一加熱機構建置於其中之剝離桿而經由該 剝離膠帶來加熱該半導體晶圓之該表面保護膜，藉此膨 脹存在於該半導體晶圓及該表面保護膜之間的空氣氣泡 及/或存在於該表面保護膜之黏膠中的空氣氣泡，且因此 減弱在該半導體晶圓及該表面保護膜之間的黏著性；及 • β用該剝離桿而將該表面保護膜與該剝離膠帶一起從 該半導體晶圓上剝離。 4· 一，表面保護膜剝離裝置，其用以剝離—附著在—半導 體阳圓之一表面上的表面保護膜，該裝置包含： 覆蓋该半導體晶圓之整個表面的加熱塊； 其中4整個表面保護膜係藉由被設置成鄰近於該半導 體曰:圓之整個表面的該加熱塊所加熱；藉此膨脹存在於 "亥半導體晶圓及該表面保護膜之間的线氣泡及/或存在 鲁 」°亥表面保6蒦膜之黏膠中的空氣氣泡，纟因此減弱在該 半導體圓及該表面保護膜之間的黏著性，之後從該半 導體晶圓剝離該表面保護膜。 5· 一^表面保護膜剝離裝置，其用以剝離一附著在一半導 體a曰圓之一表面上的表面保護膜，該裝置包含： 覆蓋S亥半導體晶圓之外周緣部分的附近之至少一部 分的加熱塊； 其中6亥整個表面保護膜係藉由被設置成鄰近於該半導 體日曰圓之外周緣部分的附近的該加熱塊所加熱；藉此膨 115194.doc 1309870 脹存在於該半導體晶圓及該表面保護膜之間的空氣氣泡 及/或存在於該表面保護膜之黏膠中的空氣氣泡，且因此 減弱在該半導體晶圓及該表面保護膜之間㈣著性，之 後從該半導體晶圓之外周緣部分的附近來義該表面保 護膜。
-種表面保護膜剝離裝置，其用以剝離一附著在一半導 體晶圓之-表面上的表面保護膜，該裝置包含： 施饋構件’其用以施饋—剝離膠帶在該半導體晶圓 之該表面上； 一剝離桿；及 -建置在該剝離桿中的加熱機構； ^其中該剝離膠帶被施饋在該半導體晶圓之該表面上， 2導體日a圓之4表面保護膜係經由藉由該施饋構件所 施饋的剝離膠帶而藉ώ ._ ^ L μ加熱機構所加熱；藉此膨脹存 ..^ 〃 μ表面保遵膜之間的空氣氣泡及/或 存在於該表面保護膜之 、霉膠中的氣、泡，且因此減弱在該 半導體晶圓及該表面保崎时 …… 面保瘦膜之間的黏著性，之後利用剝 離杯將该表面保護膜與 上剝離。 /釗離膠帶一起從該半導體晶圓 115194.doc
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