JP2003209073A - 半導体ウエハの加工方法 - Google Patents
半導体ウエハの加工方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 糊残りを発生させずにバラバラとなった保護
テープを確実に回路面から剥離できる半導体ウエハの加
工方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 本発明に係る半導体ウエハの加工方法
は、半導体ウエハの回路面側に保護テープを貼付し、該
半導体ウエハの裏面側にダイシングテープを貼付し、保
護テープとともに半導体ウエハをダイシングしてチップ
を形成した後、ダイシングされた保護テープ上に剥離テ
ープを貼付し、加熱によって保護テープを部分的に変形
させた後、剥離テープとともにダイシングされた保護テ
ープをチップより剥離することを特徴としている。
テープを確実に回路面から剥離できる半導体ウエハの加
工方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 本発明に係る半導体ウエハの加工方法
は、半導体ウエハの回路面側に保護テープを貼付し、該
半導体ウエハの裏面側にダイシングテープを貼付し、保
護テープとともに半導体ウエハをダイシングしてチップ
を形成した後、ダイシングされた保護テープ上に剥離テ
ープを貼付し、加熱によって保護テープを部分的に変形
させた後、剥離テープとともにダイシングされた保護テ
ープをチップより剥離することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの加工方
法に関係し、特に半導体ウエハの回路面を保護しながら
ダイシング加工を行う加工方法に関する。
法に関係し、特に半導体ウエハの回路面を保護しながら
ダイシング加工を行う加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造する際、ダイシング工
程においては回路が形成されている面は、通常は保護さ
れず、むき出しの状態でダイシングが行われている。し
かしながらＣＣＤのような光学センサの機能を発揮する
半導体装置では、安定した性能を得るために、回路面を
確実に保護できる保護用の粘着テープ（以下、保護テー
プ）が望まれている。しかし、単に保護テープを回路面
に貼付した状態でダイシング工程を行うと、保護用テー
プも一緒にダイシングされてしまう。ダイシング後に
は、保護テープを各チップの回路面から剥離するが、保
護テープも多数のチップ毎に分割されているため、その
剥離作業は繁雑になる。また、保護テープよりも広い剥
離用の粘着テープを用いて保護テープを剥離しようとす
ると、部分的に接着不足の箇所ができてしまうため、保
護テープのすべてをチップから確実には剥離できなかっ
た。
程においては回路が形成されている面は、通常は保護さ
れず、むき出しの状態でダイシングが行われている。し
かしながらＣＣＤのような光学センサの機能を発揮する
半導体装置では、安定した性能を得るために、回路面を
確実に保護できる保護用の粘着テープ（以下、保護テー
プ）が望まれている。しかし、単に保護テープを回路面
に貼付した状態でダイシング工程を行うと、保護用テー
プも一緒にダイシングされてしまう。ダイシング後に
は、保護テープを各チップの回路面から剥離するが、保
護テープも多数のチップ毎に分割されているため、その
剥離作業は繁雑になる。また、保護テープよりも広い剥
離用の粘着テープを用いて保護テープを剥離しようとす
ると、部分的に接着不足の箇所ができてしまうため、保
護テープのすべてをチップから確実には剥離できなかっ
た。
【０００３】これを解消するために、本出願人は特公平
５−７１６８において、熱収縮フィルムと放射線硬化性
粘着剤層からなる保護テープを用いたウエハ切断方法を
提案している。このウエハ切断方法は、ダイシング後に
粘着剤層を放射線硬化して粘着力を低下させた後、加熱
により熱収縮フィルムを収縮させることにより、保護テ
ープがウエハからめくれる形で剥離し、エアブローする
ことにより、ダイシングされてバラバラになった保護テ
ープを除去することができる。
５−７１６８において、熱収縮フィルムと放射線硬化性
粘着剤層からなる保護テープを用いたウエハ切断方法を
提案している。このウエハ切断方法は、ダイシング後に
粘着剤層を放射線硬化して粘着力を低下させた後、加熱
により熱収縮フィルムを収縮させることにより、保護テ
ープがウエハからめくれる形で剥離し、エアブローする
ことにより、ダイシングされてバラバラになった保護テ
ープを除去することができる。
【０００４】
【発明の解決しようとする課題】しかしながら、前記の
方法においては粘着剤が加熱され軟化しているため、め
くれた後の保護テープがチップ表面に付着している部分
と、剥離した部分との境界線において微小な糊残りが発
生しやすくなっている。この境界線はチップの中央部と
なるため、高精度の光学センサのような半導体装置の保
護には、前記の方法は不充分である場合があった。
方法においては粘着剤が加熱され軟化しているため、め
くれた後の保護テープがチップ表面に付着している部分
と、剥離した部分との境界線において微小な糊残りが発
生しやすくなっている。この境界線はチップの中央部と
なるため、高精度の光学センサのような半導体装置の保
護には、前記の方法は不充分である場合があった。
【０００５】本発明の目的は、前記のような問題点を鑑
み、糊残りを発生させずにバラバラとなった保護テープ
を確実に回路面から剥離できる半導体ウエハの加工方法
を提供することにある。
み、糊残りを発生させずにバラバラとなった保護テープ
を確実に回路面から剥離できる半導体ウエハの加工方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウエ
ハの加工方法は、半導体ウエハの回路面側に保護テープ
を貼付し、該半導体ウエハの裏面側にダイシングテープ
を貼付し、保護テープとともに半導体ウエハをダイシン
グしてチップを形成した後、ダイシングされた保護テー
プ上に剥離テープを貼付し、加熱によって保護テープを
部分的に変形させた後、剥離テープとともにダイシング
された保護テープをチップより剥離することを特徴とし
ている。
ハの加工方法は、半導体ウエハの回路面側に保護テープ
を貼付し、該半導体ウエハの裏面側にダイシングテープ
を貼付し、保護テープとともに半導体ウエハをダイシン
グしてチップを形成した後、ダイシングされた保護テー
プ上に剥離テープを貼付し、加熱によって保護テープを
部分的に変形させた後、剥離テープとともにダイシング
された保護テープをチップより剥離することを特徴とし
ている。
【０００７】このような本発明においては、前記半導体
ウエハの裏面側にダイシングテープを貼付する前に、該
半導体ウエハの裏面側を所定の厚さに研磨又はエッチン
グすることが好ましい。また、本発明における好ましい
態様として、保護テープが熱収縮性フィルムを基材とす
る粘着テープよりなり、保護テープを変形させる際の加
熱条件が、該基材の熱収縮率が３％〜５０％となる条件
である態様があげられる。
ウエハの裏面側にダイシングテープを貼付する前に、該
半導体ウエハの裏面側を所定の厚さに研磨又はエッチン
グすることが好ましい。また、本発明における好ましい
態様として、保護テープが熱収縮性フィルムを基材とす
る粘着テープよりなり、保護テープを変形させる際の加
熱条件が、該基材の熱収縮率が３％〜５０％となる条件
である態様があげられる。
【０００８】また、本発明における他の好ましい態様と
して、保護テープが熱可塑性フィルムを基材とする粘着
テープよりなり、保護テープを変形させる際の加熱条件
が、該基材の融点−２０℃以上且つ融点＋４０℃以下と
なる条件である態様があげられる。このような本発明に
係る半導体ウエハの加工方法によれば、糊残りを発生さ
せずに、バラバラとなった保護テープを確実にチップ裏
面から剥離できる。
して、保護テープが熱可塑性フィルムを基材とする粘着
テープよりなり、保護テープを変形させる際の加熱条件
が、該基材の融点−２０℃以上且つ融点＋４０℃以下と
なる条件である態様があげられる。このような本発明に
係る半導体ウエハの加工方法によれば、糊残りを発生さ
せずに、バラバラとなった保護テープを確実にチップ裏
面から剥離できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体ウエハ
の加工方法について、具体的に説明する。本発明に係る
半導体ウエハの加工方法では、まず図１に示すように、
半導体ウエハ１０の回路面側に保護テープ１１を貼付
し、回路面の保護を行う。半導体ウエハ１０に保護テー
プ１１を貼付した後、研磨又はエッチングにより裏面側
を所定の厚さとする加工を行ったもよい。また既に研磨
又はエッチングによる裏面側の加工を施した半導体ウエ
ハを用いてもよい。
の加工方法について、具体的に説明する。本発明に係る
半導体ウエハの加工方法では、まず図１に示すように、
半導体ウエハ１０の回路面側に保護テープ１１を貼付
し、回路面の保護を行う。半導体ウエハ１０に保護テー
プ１１を貼付した後、研磨又はエッチングにより裏面側
を所定の厚さとする加工を行ったもよい。また既に研磨
又はエッチングによる裏面側の加工を施した半導体ウエ
ハを用いてもよい。
【００１０】保護テープ１１は、図１に示すように、基
材１とその上に形成された粘着剤層２とからなり、粘着
剤層２をウエハ表面に貼着し、回路面の保護を行う。基
材１としては、加熱により変形しうる樹脂フィルムが用
いられ、好ましくは熱収縮性フィルムまたは熱可塑性フ
ィルムが用いられる。熱収縮性フィルムとしては、たと
えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペン
テン等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエステ
ル等からなる延伸フィルムが好ましく用いられる。ま
た、熱収縮性フィルムは、上記のようなフィルムの単層
品であってもよく、またこれらの積層品であってもよ
い。積層フィルムの場合は、収縮率の異なるフィルムを
組み合わせることが好ましく、たとえば上層を高収縮性
フィルムとし、下層を低収縮性フィルムとすることが好
ましい。
材１とその上に形成された粘着剤層２とからなり、粘着
剤層２をウエハ表面に貼着し、回路面の保護を行う。基
材１としては、加熱により変形しうる樹脂フィルムが用
いられ、好ましくは熱収縮性フィルムまたは熱可塑性フ
ィルムが用いられる。熱収縮性フィルムとしては、たと
えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペン
テン等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエステ
ル等からなる延伸フィルムが好ましく用いられる。ま
た、熱収縮性フィルムは、上記のようなフィルムの単層
品であってもよく、またこれらの積層品であってもよ
い。積層フィルムの場合は、収縮率の異なるフィルムを
組み合わせることが好ましく、たとえば上層を高収縮性
フィルムとし、下層を低収縮性フィルムとすることが好
ましい。
【００１１】熱収縮性フィルムとしては、後述する変形
工程の加熱条件下での熱収縮率が３％〜５０％、さらに
好ましくは４〜４０％、特に好ましくは５〜３０％であ
るものが好適に選択される。すなわち、保護テープの変
形を、１００℃で行う場合には、該熱収縮性フィルムと
しては、１００℃における熱収縮率が、３％〜５０％と
なるものが選択される。
工程の加熱条件下での熱収縮率が３％〜５０％、さらに
好ましくは４〜４０％、特に好ましくは５〜３０％であ
るものが好適に選択される。すなわち、保護テープの変
形を、１００℃で行う場合には、該熱収縮性フィルムと
しては、１００℃における熱収縮率が、３％〜５０％と
なるものが選択される。
【００１２】ここで、熱収縮率は、該フィルム単独を所
定温度において、１分間保持した後に、収縮前の寸法と
収縮後の寸法とから、下記の数式に基づき算出する。
定温度において、１分間保持した後に、収縮前の寸法と
収縮後の寸法とから、下記の数式に基づき算出する。
【００１３】
【数１】
【００１４】すなわち、変形工程の加熱条件とは、前記
熱収縮性フィルムの熱収縮率が、３％〜５０％となるよ
うに設定されるものである。熱可塑性フィルムとして
は、たとえば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメ
チルペンテン等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポ
リエステル等からなる未延伸フィルムが好ましく用いら
れる。
熱収縮性フィルムの熱収縮率が、３％〜５０％となるよ
うに設定されるものである。熱可塑性フィルムとして
は、たとえば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメ
チルペンテン等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポ
リエステル等からなる未延伸フィルムが好ましく用いら
れる。
【００１５】熱可塑性フィルムは、後述する変形工程の
加熱条件下での加熱温度が、該熱可塑性フィルムの融点
−２０℃以上且つ融点＋４０℃以下、好ましくは融点−
１５℃以上且つ融点＋３５℃以下、特に好ましくは融点
−１０℃以上且つ融点＋３０℃以下となるように選択さ
れる。これらの熱収縮性フィルムまたは熱可塑性フィル
ムからなる基材１の厚さは特に限定はされないが、好ま
しくは５〜２００μｍ、特に好ましくは１０〜１５０μ
ｍである。
加熱条件下での加熱温度が、該熱可塑性フィルムの融点
−２０℃以上且つ融点＋４０℃以下、好ましくは融点−
１５℃以上且つ融点＋３５℃以下、特に好ましくは融点
−１０℃以上且つ融点＋３０℃以下となるように選択さ
れる。これらの熱収縮性フィルムまたは熱可塑性フィル
ムからなる基材１の厚さは特に限定はされないが、好ま
しくは５〜２００μｍ、特に好ましくは１０〜１５０μ
ｍである。
【００１６】粘着剤層２は、汎用の粘着剤からなるもの
であってもよく、またいわゆるエネルギー線硬化型粘着
剤からなるものであってもよい。汎用粘着剤としては、
アクリル系、ポリエステル系、天然ゴム系等従来公知の
粘着剤が特に制限されることなく用いられる。これらの
内でも、アクリル系粘着剤が好ましく、特にアクリル酸
エステルを主たる構成単位とするアクリル系粘着剤が好
ましい。
であってもよく、またいわゆるエネルギー線硬化型粘着
剤からなるものであってもよい。汎用粘着剤としては、
アクリル系、ポリエステル系、天然ゴム系等従来公知の
粘着剤が特に制限されることなく用いられる。これらの
内でも、アクリル系粘着剤が好ましく、特にアクリル酸
エステルを主たる構成単位とするアクリル系粘着剤が好
ましい。
【００１７】また、エネルギー線硬化型粘着剤として
は、たとえば特開昭６０−１９６，９５６号公報、特開
昭６０−２２３，１３９号公報、特開平５−３２９４６
号公報、特開平８−２７２３９号公報等に記載のものが
特に制限されることなく用いられる。粘着剤層２の厚さ
は特に限定はされないが、好ましくは３〜１００μｍ、
特に好ましくは５〜５０μｍである。
は、たとえば特開昭６０−１９６，９５６号公報、特開
昭６０−２２３，１３９号公報、特開平５−３２９４６
号公報、特開平８−２７２３９号公報等に記載のものが
特に制限されることなく用いられる。粘着剤層２の厚さ
は特に限定はされないが、好ましくは３〜１００μｍ、
特に好ましくは５〜５０μｍである。
【００１８】本発明では、上記保護テープ１１を、ウエ
ハ回路面に貼着し、回路面の保護した後、半導体ウエハ
１０の裏面側にダイシングテープ１２を貼付してウエハ
１０を固定し、保護テープ１１とともに半導体ウエハ１
０をダイシングしてチップ１３を形成する（図２参
照）。チップ１３の回路面側には、ダイシングされて小
さくなった保護テープ１１がなお貼付されている。
ハ回路面に貼着し、回路面の保護した後、半導体ウエハ
１０の裏面側にダイシングテープ１２を貼付してウエハ
１０を固定し、保護テープ１１とともに半導体ウエハ１
０をダイシングしてチップ１３を形成する（図２参
照）。チップ１３の回路面側には、ダイシングされて小
さくなった保護テープ１１がなお貼付されている。
【００１９】ダイシングテープ１２としては、汎用のダ
イシングテープが特に制限されることなく用いられる。
しかし、後述する変形工程の加熱温度が高温である場合
には、ダイシングテープの基材としては、ポリエチレン
テレフタレート等の耐熱性に優れた樹脂フィルムを用い
ることが好ましい。このようなダイシングにより、ダイ
シングテープ１１上には、回路面側に保護テープ１１が
貼付されているチップ１３が整列固着されている状態に
なる。
イシングテープが特に制限されることなく用いられる。
しかし、後述する変形工程の加熱温度が高温である場合
には、ダイシングテープの基材としては、ポリエチレン
テレフタレート等の耐熱性に優れた樹脂フィルムを用い
ることが好ましい。このようなダイシングにより、ダイ
シングテープ１１上には、回路面側に保護テープ１１が
貼付されているチップ１３が整列固着されている状態に
なる。
【００２０】次いで、本発明では、チップ１３の回路面
から保護テープ１１を剥離する。保護テープ１１の剥離
に際しては、まず、ダイシングされた保護テープ１１上
に剥離テープ１４を貼付する（図３参照）。なお、保護
テープ１１の粘着剤層２をエネルギー線硬化型粘着剤で
形成した場合には、剥離テープ１４は、基材、粘着剤層
ともにエネルギー線透過性のものを用いる。この場合、
剥離テープ１４の貼付後、剥離テープ側からエネルギー
線を照射し、粘着剤層２の粘着力を低減しておくことが
好ましい。また、剥離テープ１４の貼付前にエネルギー
線を照射してもよいが、この場合には、剥離テープ１４
はエネルギー線透過性はなくてもよい。
から保護テープ１１を剥離する。保護テープ１１の剥離
に際しては、まず、ダイシングされた保護テープ１１上
に剥離テープ１４を貼付する（図３参照）。なお、保護
テープ１１の粘着剤層２をエネルギー線硬化型粘着剤で
形成した場合には、剥離テープ１４は、基材、粘着剤層
ともにエネルギー線透過性のものを用いる。この場合、
剥離テープ１４の貼付後、剥離テープ側からエネルギー
線を照射し、粘着剤層２の粘着力を低減しておくことが
好ましい。また、剥離テープ１４の貼付前にエネルギー
線を照射してもよいが、この場合には、剥離テープ１４
はエネルギー線透過性はなくてもよい。
【００２１】剥離テープ１４としては、ウエハと略同形
状の粘着テープが用いられ、好ましくは強粘着テープが
用いられる。このような剥離テープとしては、汎用の粘
着テープが特に制限されることなく用いられるが、後述
する変形工程の加熱温度が高温である場合には、剥離テ
ープ１４の基材としては、ポリエチレンテレフタレート
等の耐熱性に優れた樹脂フィルムを用いることが好まし
い。
状の粘着テープが用いられ、好ましくは強粘着テープが
用いられる。このような剥離テープとしては、汎用の粘
着テープが特に制限されることなく用いられるが、後述
する変形工程の加熱温度が高温である場合には、剥離テ
ープ１４の基材としては、ポリエチレンテレフタレート
等の耐熱性に優れた樹脂フィルムを用いることが好まし
い。
【００２２】次に、剥離テープ１４が貼付された状態で
加熱し、保護テープ１１を変形させる。加熱は、たとえ
ばオーブンを用いることにより行われるが、これに限定
されず、保護テープ１１を変形しうる手段であればよ
い。加熱により、保護テープ１１の基材１が部分的に変
形し、剥離テープ１４と密着するようになる。
加熱し、保護テープ１１を変形させる。加熱は、たとえ
ばオーブンを用いることにより行われるが、これに限定
されず、保護テープ１１を変形しうる手段であればよ
い。加熱により、保護テープ１１の基材１が部分的に変
形し、剥離テープ１４と密着するようになる。
【００２３】基材１として熱収縮性フィルムを用いた場
合には、熱収縮率が３％〜５０％となる温度範囲で加熱
を行う。この結果、基材１が収縮変形し、保護テープ１
１と剥離テープ１４とが密着する。また、基材１として
熱可塑性フィルムを用いた場合には、該熱可塑性フィル
ムの融点−２０℃以上且つ融点＋４０℃以下の温度範囲
で加熱を行う。この結果、基材１が軟化あるいは溶融し
て変形し、保護テープ１１と剥離テープ１４とが密着す
る。
合には、熱収縮率が３％〜５０％となる温度範囲で加熱
を行う。この結果、基材１が収縮変形し、保護テープ１
１と剥離テープ１４とが密着する。また、基材１として
熱可塑性フィルムを用いた場合には、該熱可塑性フィル
ムの融点−２０℃以上且つ融点＋４０℃以下の温度範囲
で加熱を行う。この結果、基材１が軟化あるいは溶融し
て変形し、保護テープ１１と剥離テープ１４とが密着す
る。
【００２４】このように、保護テープ１１と剥離テープ
１４とが密着しているため、剥離テープ１４を剥離する
と、保護テープ１１もこれに同伴して剥離する（図
４）。この結果、多数に分割されたチップ上の保護テー
プ１１を一括して簡便に剥離できることとなり、作業効
率は大幅に向上し、また、チップ上への糊残りも無くな
るので、歩留も改善される。
１４とが密着しているため、剥離テープ１４を剥離する
と、保護テープ１１もこれに同伴して剥離する（図
４）。この結果、多数に分割されたチップ上の保護テー
プ１１を一括して簡便に剥離できることとなり、作業効
率は大幅に向上し、また、チップ上への糊残りも無くな
るので、歩留も改善される。
【００２５】剥離テープ１４を剥離する際には、剥離テ
ープ１４の基材側に、さらに強粘着テープあるいはヒー
トシールテープを固着して、これを起点として剥離して
もよく、また剥離テープ１４の端部に掴み部を設けてお
き、これを起点として機械的に剥離してもよい。この結
果、ダイシングテープ１２上には、回路面が露出したチ
ップ１３が整列している状態となる。その後、常法によ
り、チップのピックアップ、マウントを行うことで半導
体装置が得られる。
ープ１４の基材側に、さらに強粘着テープあるいはヒー
トシールテープを固着して、これを起点として剥離して
もよく、また剥離テープ１４の端部に掴み部を設けてお
き、これを起点として機械的に剥離してもよい。この結
果、ダイシングテープ１２上には、回路面が露出したチ
ップ１３が整列している状態となる。その後、常法によ
り、チップのピックアップ、マウントを行うことで半導
体装置が得られる。
【００２６】このような本発明により奏される作用効果
のメカニズムは、何ら限定されるものではないが、次の
ように考えられる。従来法（特公平５−７１６８）にお
ける加工方法においては、保護テープの加熱収縮による
めくれが止まった段階では、まだ粘着剤も加熱状態で流
動性があり、接着部分と剥離部分の境界線では加熱によ
り図５のような変形が起こる。このとき変形した粘着剤
の一部は、チップの表面に再付着するようになる。粘着
剤の変形部分は基材フィルムに対する密着力が低下して
いるため、冷却して保護テープを除去する力が加われ
ば、変形し再付着した部分の粘着剤が基材から脱落し、
これがチップへの糊残りの要因となると考えられる。
のメカニズムは、何ら限定されるものではないが、次の
ように考えられる。従来法（特公平５−７１６８）にお
ける加工方法においては、保護テープの加熱収縮による
めくれが止まった段階では、まだ粘着剤も加熱状態で流
動性があり、接着部分と剥離部分の境界線では加熱によ
り図５のような変形が起こる。このとき変形した粘着剤
の一部は、チップの表面に再付着するようになる。粘着
剤の変形部分は基材フィルムに対する密着力が低下して
いるため、冷却して保護テープを除去する力が加われ
ば、変形し再付着した部分の粘着剤が基材から脱落し、
これがチップへの糊残りの要因となると考えられる。
【００２７】これに対し、本発明の加工方法において
は、保護テープの粘着剤層をチップから剥離するまで熱
変形させない。加熱前に、保護テープ面上に剥離テープ
を貼付するため、加熱時には保護テープは、チップと剥
離シートに挟持された状態にある。このため、保護シー
トの熱変形は抑制され、基材の端部のみが部分的に変形
し、これによって剥離テープの粘着剤との密着が向上す
る。このため、場所によっては保護テープと剥離テープ
との密着が不足していた箇所（特に剥離の起点となる端
部）においても、充分な接着力が得られる。これによっ
て、剥離テープを引き剥がせば切断された保護テープの
全てが確実にチップ面より除去できるようになる。
は、保護テープの粘着剤層をチップから剥離するまで熱
変形させない。加熱前に、保護テープ面上に剥離テープ
を貼付するため、加熱時には保護テープは、チップと剥
離シートに挟持された状態にある。このため、保護シー
トの熱変形は抑制され、基材の端部のみが部分的に変形
し、これによって剥離テープの粘着剤との密着が向上す
る。このため、場所によっては保護テープと剥離テープ
との密着が不足していた箇所（特に剥離の起点となる端
部）においても、充分な接着力が得られる。これによっ
て、剥離テープを引き剥がせば切断された保護テープの
全てが確実にチップ面より除去できるようになる。
【００２８】また、保護テープは加熱によっても剥離す
ることがないため、粘着剤層はほとんど変形しない。こ
のため、粘着剤層と基材フィルムとの密着力は低下して
おらず、剥離を行ってもチップ面に糊残りが起こること
がないと考えられる。
ることがないため、粘着剤層はほとんど変形しない。こ
のため、粘着剤層と基材フィルムとの密着力は低下して
おらず、剥離を行ってもチップ面に糊残りが起こること
がないと考えられる。
【００２９】
【発明の効果】本発明に係る半導体ウエハの加工方法に
よれば、糊残りを発生させずに、バラバラとなった保護
テープを確実にチップ裏面から剥離できる。したがって
ＣＣＤに例示される光学センサのような半導体装置の製
造に好適な加工方法を提供できる。
よれば、糊残りを発生させずに、バラバラとなった保護
テープを確実にチップ裏面から剥離できる。したがって
ＣＣＤに例示される光学センサのような半導体装置の製
造に好適な加工方法を提供できる。
【００３０】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。
明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３１】
【実施例１】テープラミネータ（リンテック社製、Adwi
ll RAD-3500m/12）を用いて、１５０mm径のシリコンウ
エハの回路面に、基材として熱収縮フィルム（８０℃に
おける熱収縮率９％）及び紫外線硬化型の粘着剤層を使
用した保護テープ（リンテック社製、Adwill P-5780LS1
23E）を貼付し、シリコンウエハの裏面側を研磨装置
（ディスコ社製、ＤＦＧ−８４０）を用いて３５０μm
厚に加工した。次に、テープマウンタ（リンテック社
製、Adwill RAD-2500m/8）を用いて、ダイシングテープ
（リンテック社製、Adwill D-220）をシリコンウエハの
裏面（研磨面）側に貼付し、リングフレーム（ディスコ
社製、ＭＯＤＴＦ２−６−１）に固定した。さらに、
ダイシング装置（東京精密社製、AWD-4000B）を用い
て、保護テープごとシリコンウエハを１mm×１５mmのサ
イズにフルカットダイシングした。
ll RAD-3500m/12）を用いて、１５０mm径のシリコンウ
エハの回路面に、基材として熱収縮フィルム（８０℃に
おける熱収縮率９％）及び紫外線硬化型の粘着剤層を使
用した保護テープ（リンテック社製、Adwill P-5780LS1
23E）を貼付し、シリコンウエハの裏面側を研磨装置
（ディスコ社製、ＤＦＧ−８４０）を用いて３５０μm
厚に加工した。次に、テープマウンタ（リンテック社
製、Adwill RAD-2500m/8）を用いて、ダイシングテープ
（リンテック社製、Adwill D-220）をシリコンウエハの
裏面（研磨面）側に貼付し、リングフレーム（ディスコ
社製、ＭＯＤＴＦ２−６−１）に固定した。さらに、
ダイシング装置（東京精密社製、AWD-4000B）を用い
て、保護テープごとシリコンウエハを１mm×１５mmのサ
イズにフルカットダイシングした。
【００３２】続いて、紫外線照射装置（リンテック社
製、Adwill RAD-2000m/8）を用いて保護テープ側に紫外
線を照射し、保護テープの粘着力を低減化した。次に、
下記構成の剥離テープを、ダイシングされた保護テープ
面に貼付した。さらに、オーブンにリングフレームに固
定されたシリコンウエハを投入し、８０℃１分間の加熱
を行った。常温に冷却した後、剥離テープの背面に強粘
着力タイプの引剥し用のテープ（リンテック社製、Adwi
ll S-6、幅５０mm）を貼着し剥離テープと保護テープを
同時に引き剥がした。
製、Adwill RAD-2000m/8）を用いて保護テープ側に紫外
線を照射し、保護テープの粘着力を低減化した。次に、
下記構成の剥離テープを、ダイシングされた保護テープ
面に貼付した。さらに、オーブンにリングフレームに固
定されたシリコンウエハを投入し、８０℃１分間の加熱
を行った。常温に冷却した後、剥離テープの背面に強粘
着力タイプの引剥し用のテープ（リンテック社製、Adwi
ll S-6、幅５０mm）を貼着し剥離テープと保護テープを
同時に引き剥がした。
【００３３】保護テープの剥離性と剥離後のシリコンウ
エハ面の糊残りを１００倍の光学顕微鏡を用いて確認し
た。結果を表１に示す。 剥離テープの構成：５０μm厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルムの片面に、１０μm厚のアクリル系強粘
着剤（リンテック社製、PK）を塗布した粘着テープ（直
径１５０mmの略ウエハ形状）
エハ面の糊残りを１００倍の光学顕微鏡を用いて確認し
た。結果を表１に示す。 剥離テープの構成：５０μm厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルムの片面に、１０μm厚のアクリル系強粘
着剤（リンテック社製、PK）を塗布した粘着テープ（直
径１５０mmの略ウエハ形状）
【００３４】
【実施例２】融点が９８℃の熱可塑性フィルムを基材に
使用し、紫外線硬化型の粘着剤層を有するリンテック社
製、Adwill D-611を保護テープとして使用し、加熱条件
を１００℃１分間とした以外は、実施例１と同様にして
操作を行った。結果を表１に示す。
使用し、紫外線硬化型の粘着剤層を有するリンテック社
製、Adwill D-611を保護テープとして使用し、加熱条件
を１００℃１分間とした以外は、実施例１と同様にして
操作を行った。結果を表１に示す。
【００３５】
【比較例１】加熱を行わなかった以外は、実施例１と同
様にして操作を行った。結果を表１に示す。
様にして操作を行った。結果を表１に示す。
【００３６】
【比較例２】加熱を行わなかった以外は、実施例２と同
様にして操作を行った。結果を表１に示す。
様にして操作を行った。結果を表１に示す。
【００３７】
【比較例３】剥離テープを使用せず、保護テープを加熱
で熱収縮させエアブローで保護テープを除去した以外
は、実施例１と同様にして操作を行った。結果を表１に
示す。
で熱収縮させエアブローで保護テープを除去した以外
は、実施例１と同様にして操作を行った。結果を表１に
示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】（１）剥離テープと保護テープの界面で剥
離するチップが発生し、すべてのチップ上から保護テー
プを除去することが不可能。 （２）エアブローによりすべてのチップ上から収縮した
保護テープを除去することが可能。
離するチップが発生し、すべてのチップ上から保護テー
プを除去することが不可能。 （２）エアブローによりすべてのチップ上から収縮した
保護テープを除去することが可能。
【図１】本発明に係る半導体ウエハの加工方法の一工程
を示す。
を示す。
【図２】本発明に係る半導体ウエハの加工方法の一工程
を示す。
を示す。
【図３】本発明に係る半導体ウエハの加工方法の一工程
を示す。
を示す。
【図４】本発明に係る半導体ウエハの加工方法の一工程
を示す。
を示す。
【図５】従来法（特公平５−７１６８）における糊残り
の要因を示す。
の要因を示す。
１…基材
２…粘着剤層
１０…半導体ウエハ
１１…保護テープ
１２…ダイシングテープ
１３…チップ
１４…剥離テープ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 堀 米 克 彦
埼玉県さいたま市辻７−７−３ リンテッ
ク第二浦和寮401
Claims (4)
- 【請求項１】半導体ウエハの回路面側に保護テープを貼
付し、 該半導体ウエハの裏面側にダイシングテープを貼付し、 保護テープとともに半導体ウエハをダイシングしてチッ
プを形成した後、 ダイシングされた保護テープ上に剥離テープを貼付し、 加熱によって保護テープを部分的に変形させた後、剥離
テープとともにダイシングされた保護テープをチップよ
り剥離することを特徴とする半導体ウエハの加工方法。 - 【請求項２】前記半導体ウエハの裏面側にダイシングテ
ープを貼付する前に、該半導体ウエハの裏面側を所定の
厚さに研磨又はエッチングすることを特徴とする請求項
１記載の半導体ウエハの加工方法。 - 【請求項３】保護テープが熱収縮性フィルムを基材とす
る粘着テープよりなり、 保護テープを変形させる際の加熱条件が、該基材の熱収
縮率が３％〜５０％となる条件であることを特徴とする
請求項１又は２記載の半導体ウエハの加工方法。 - 【請求項４】保護テープが熱可塑性フィルムを基材とす
る粘着テープよりなり、 保護テープを変形させる際の加熱条件が、該基材の融点
−２０℃以上且つ融点＋４０℃以下となる条件であるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の半導体ウエハの加
工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002008910A JP3753421B2 (ja) | 2002-01-17 | 2002-01-17 | 半導体ウエハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002008910A JP3753421B2 (ja) | 2002-01-17 | 2002-01-17 | 半導体ウエハの加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209073A true JP2003209073A (ja) | 2003-07-25 |
| JP3753421B2 JP3753421B2 (ja) | 2006-03-08 |
Family
ID=27647047
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002008910A Expired - Lifetime JP3753421B2 (ja) | 2002-01-17 | 2002-01-17 | 半導体ウエハの加工方法 |
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| JP (1) | JP3753421B2 (ja) |
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| JP2005236032A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Lintec Corp | 保護シートおよび半導体ウエハの加工方法 |
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| US7566640B2 (en) | 2003-12-15 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film integrated circuit device, noncontact thin film integrated circuit device and method for manufacturing the same, and idtag and coin including the noncontact thin film integrated circuit device |
| WO2009139126A1 (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | 日東電工株式会社 | 粘着シート、その粘着シートを使用した被着体の加工方法、及び粘着シート剥離装置 |
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| WO2019092935A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 古河電気工業株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
-
2002
- 2002-01-17 JP JP2002008910A patent/JP3753421B2/ja not_active Expired - Lifetime
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