JP4678240B2

JP4678240B2 - 半導体素子の製造方法

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Publication number: JP4678240B2
Application number: JP2005156241A
Authority: JP
Inventors: 倫久岡山
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2005-05-27
Filing date: 2005-05-27
Publication date: 2011-04-27
Anticipated expiration: 2025-05-27
Also published as: JP2006332464A

Description

本発明は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）等のマイクロデバイスの微細薄膜構造、例えば微細櫛歯型薄膜構造を有する半導体素子、特に力学量センサ素子の製造に好適な半導体素子の製造方法に関するものである。

近年、自動車分野等で周囲情報を認識するためのデバイスとして、ＭＥＭＳ等のマイクロデバイスが重要になっており、そのため、シリコン基板上にセンサ部を有した微細薄膜構造が開発されている。
ところで、半導体ウエーハから半導体素子を製造する方法として、半導体ウエーハ表面（回路形成面側の全面）に成膜・エッチング等を行う工程を経て、その半導体ウエーハから半導体チップを個片化（ダイシング）し、ピックアップする工程を有する方法がある。
従来、このような製造方法にあって、半導体ウエーハ表面がエッチング液により化学的に損傷したり、搬送時やダイシング時において物理的に損傷することを防ぐために、半導体ウエーハの表面に保護テープを貼り付ける方策が採られている。

ここで、保護テープとして強い粘着力を有する感圧型の保護テープを用いると、ダイシング時の半導体ウエーハ面及び保護テープ面相互間からのエッチング液等の浸透による半導体ウエーハ表面への影響を防ぐことができるが、保護テープ剥離の容易性との両立が難しい。
そこで保護テープとして、ＵＶ（Ultraviolet rays：紫外線）の照射前は強い粘着力を示し、照射後は粘着剤が硬化して粘着力が弱まり又はなくなり、したがってその剥離が容易になるというＵＶテープを用いる技術（例えば、特許文献１，２参照）の適用が考えられる。

特開２００４−１１９７１８号公報（図４）特開平５−６２９５０号公報（図４）

しかしながら、上掲特許文献１，２に開示された従来技術では、ＵＶテープを半導体ウエーハの回路形成面の全面（特許文献１では回路形成面を含むウエーハ表面の全域、特許文献２ではウエーハ周辺部を除く回路形成面の全域）にそのまま貼り付けるので、これをＭＥＭＳ等の微細薄膜構造をもつ半導体素子に適用しようとすると、次のような問題が生じた。
すなわち、ダイシング前の半導体ウエーハ上には、その周辺部を除く部分に多数の半導体チップが形成されているが、このような半導体チップにおいて、センサ部分が基板から浮いた状態であったり、櫛歯型構造といった構造を有するＭＥＭＳ等の微細薄膜構造では、隣り合う薄膜に微小な隙間を有している。これらの隙間にダイシング時の切削水が浸入するとその衝撃で上記薄膜が破壊したり、水の表面張力で隣接する他の薄膜や基板面に上記薄膜が張り付くという問題が生じるため、粘着力を強くする必要があった。
このような状態において、ＵＶテープを半導体ウエーハの回路形成面の全面にそのまま貼り付けると、薄型チップの微細薄膜構造部分がＵＶテープの粘着剤中にめり込む。微細薄膜構造部分がめり込んだ粘着剤は、ＵＶテープ剥離時に行われるＵＶ照射によって硬化するが、その際、薄型チップの微細薄膜構造部分をクランプ状態（つかみ込んだ、あるいは挟み込んだ状態）で硬化することがある。特に、可動の櫛歯薄膜パターンを有するＭＥＭＳデバイスの微細櫛歯型薄膜構造においては、その可動の櫛歯薄膜パターン部分がＵＶテープの粘着剤中にめり込み（櫛歯薄膜パターン部分とこれに近接する部分との間にＵＶテープの粘着剤が回り込み）、粘着剤が櫛歯薄膜パターン部分をクランプした状態で硬化することが少なくない。
このため、クランプされた櫛歯薄膜パターン等の微細薄膜構造部分が、ダイシング後のＵＶテープ剥離時にＵＶテープと共に剥離され、素子破壊に至らしめることがあった。

本発明は、上記従来技術の問題点を解消するためになされたもので、半導体ウエーハのダイシングを、半導体ウエーハに保護テープを貼り付けておき、この保護テープを貼り付けたまま行う方法を適用した場合に、ダイシング時の、半導体ウエーハ面及び保護テープ面相互間からの水浸入の防止と、ダイシング後の保護テープ剥離の容易性とを両立でき、かつ、保護テープの剥離時に半導体ウエーハに形成された半導体チップの、隣り合う薄膜間に微小空隙部を有する膜構造部分の剥離による素子の破壊を防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項１に記載の半導体素子の製造方法は、複数の半導体チップが形成された半導体ウエーハを保護する保護テープに、粘着力を有する第１領域及び、粘着力がないか前記第１領域よりも粘着力が弱いか又は前記粘着力を与える粘着剤が硬化した第２領域を形成する第１工程と、前記保護テープを前記半導体ウエーハに貼り合わせる第２工程と、前記半導体ウエーハの、前記保護テープを貼り合わせた面とは反対側の面にダイシングテープを貼り付ける第３工程と、前記保護テープを貼り合わせた状態で該保護テープ側から前記半導体ウエーハをダイシングして前記半導体チップ毎に個片化する第４工程と、前記半導体ウエーハをダイシングした後に前記保護テープの上面に剥離テープを貼り付ける第５工程と、前記保護テープを、該保護テープ上面に貼り付けた剥離テープごと剥離する第６工程とを備え、前記保護テープはＵＶテープからなり、該保護テープの第２領域は、前記半導体チップ毎に、周囲が前記第１領域で囲まれ少なくとも前記半導体チップの膜構造部分を含む領域に対応するように、前記第１領域中に紫外線を照射することにより形成されていることを特徴とする。
特許請求の範囲の請求項２に記載の発明は、上記請求項１に記載の発明において、前記半導体チップは力学量センサ素子を形成する力学量センサ素子チップであり、前記保護テープの第２領域は、前記力学量センサ素子チップ毎に、周囲が前記第１領域で囲まれ少なくとも前記力学量センサ素子チップの微細櫛歯型薄膜構造部分を含む領域に対応して形成されていることを特徴とする。

特許請求の範囲の請求項１に記載の発明は、複数の半導体チップが形成された半導体ウエーハのダイシング前において、その半導体ウエーハを保護する保護テープを、粘着力を有する第１領域及び、粘着力がないか第１領域よりも粘着力が弱いか又は保護テープに粘着力を与える粘着剤が硬化した第２領域を形成した状態で、半導体ウエーハに貼り合わしておき、保護テープの第２領域は、半導体チップ毎に、周囲が第１領域で囲まれ少なくとも半導体チップの膜構造部分を含む領域に対応して形成した。
これによれば、保護テープを半導体ウエーハに貼り合わせた際に、半導体チップの膜構造部分（隣り合う薄膜間に微小空隙部を有する膜構造部分を含む。）は、粘着力がないか第１領域よりも粘着力が弱いか又は粘着力を与える粘着剤が硬化した第２領域に当接する。したがって、上記膜構造部分が保護テープの粘着剤（粘着力を有する第１領域）中にめり込むことはなく、この部分が、ダイシング後の保護テープ剥離時に保護テープと共に剥離して素子破壊を生じさせることが防止される。
半導体ウエーハの周辺部及び各半導体チップ相互間部分は、粘着力を有する第１領域が形成されたままとなっているので、これらの部分においては、保護テープは半導体ウエーハに貼り付いている。したがって保護テープは、ダイシング時において半導体チップの損傷を防止する保護テープとしての機能を充分に果たす。一方、ダイシング後の保護テープ剥離時には、上記のように素子破壊を生じさせることなくその剥離が可能である。
つまりダイシング時の、半導体ウエーハ面及び保護テープ面相互間からの水浸入の防止と、ダイシング後の保護テープ剥離の容易性とを両立でき、かつ、保護テープの剥離時に半導体ウエーハに形成された半導体チップ部分の少なくとも膜構造部分を含む領域に対応する部分の剥離による素子の破壊も防止できる。
加えて、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明によれば、上記保護テープにＵＶテープを用い、第２領域をそのＵＶテープ（ＵＶテープからなる保護テープ。以下、本段落において同じ。）の第１領域中に紫外線を照射することにより形成することとしたので第２領域を容易に形成できる。テープ剥離も、テープ面への紫外線の照射によって第１，第２領域全体（テープ全面）の粘着剤を硬化させ得るので、極めて容易に行える。
また、半導体チップの膜構造部分（隣り合う薄膜間に微小空隙部を有する膜構造部分を含む。）がＵＶテープの粘着剤（粘着力を有する第１領域）中にめり込まないので、剥離のためにＵＶテープに紫外線を照射し、粘着剤を硬化させてもその粘着剤が上記膜構造部分をクランプ状態で硬化することがない。したがって、ダイシング後のＵＶテープ剥離時に上記膜構造部分がそのＵＶテープと共に剥離して素子破壊を生じさせることが防止される。
特許請求の範囲の請求項２に記載の発明によれば、半導体ウエーハのダイシング時及びダイシング後の保護テープ剥離時において極めて損傷しやすい力学量センサ素子チップの微細櫛歯型薄膜構造部分について、請求項１の発明を適用し、請求項１と同様の効果を発揮できる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。なお、各図間において、同一符号は同一又は相当部分を示す。
図１は、本発明に係る半導体素子の製造方法の一実施形態における工程途中の、具体的にはダイシング前の半導体ウエーハの拡大断面図である。
図示するように本発明方法では、ダイシング前において、複数の半導体チップが形成された半導体ウエーハ１を保護する保護テープ２は、粘着力を有する第１領域３及び、粘着力がないか上記第１領域３よりも粘着力が弱いか又は上記粘着力を与える粘着剤が硬化した第２領域４が形成された状態で、半導体ウエーハ１に貼り合わされている。ここで、上記保護テープ２の第２領域４は、半導体チップ毎に、周囲が上記第１領域３で囲まれ少なくとも上記半導体チップの、隣り合う薄膜間に微小空隙部を有する膜構造部分を含む領域、ここでは隣り合う薄膜間に微小空隙部を有する膜構造部分の領域５に対応して形成されている。なお、以下の説明において「膜構造部分」とは、隣り合う薄膜間に微小空隙部を有する膜構造部分を指す。「薄膜構造部分」における「膜構造部分」についても同様とする。
基板表面側から見た力学量センサ素子チップ（半導体チップ）の模式図及び同チップのセンサ部にある微細櫛歯型薄膜構造の拡大図を纏めて図４に示す。
この図において、１点鎖線４１で囲まれたほぼ正方形の領域は微細櫛歯型薄膜構造部分を複数有するセンサ部４２（上記領域５に相当する部分）を示し、この１点鎖線４１と点線４３で挟まれた領域は配線部４４を示す。点線４３と２点鎖線４５で挟まれた領域はアルミニウム領域４６を示す。最外周はダイシングラインとなる。
図中のセンサ部４２は上記第２領域４に相当し、アルミニウム領域４６は上記第１領域３に相当する。配線部４４は、本例では第２領域４が延出されている。
図示するように、第２領域４に相当するセンサ部４２は、櫛歯状に形成された複数の櫛歯型電極部５１を備えている。各電極部５１は、図示しない振動子と一体に設けられた可動電極５２と、基板上に固定された固定電極５３とを有している。可動電極５２と固定電極５３とは、常態で所定の隙間を空けて対向するように配置されている。

本実施形態では、複数の半導体チップが形成された半導体ウエーハ１は、複数の力学量センサ素子を形成する力学量センサ素子チップが形成されたＭＥＭＳウエーハ（ＭＥＭＳが適用された半導体ウエーハ）であり、保護テープ２はＵＶテープである。
ＵＶテープ２は、前述したようにＵＶ（紫外線）照射前は強い粘着力を示し、照射後は粘着剤が硬化して粘着力が弱まり又はなくなり、したがってその剥離が容易になるテープである。
本実施形態では、その強い粘着力を有する第１領域３中にＵＶ照射することによって粘着剤が硬化した（粘着力が弱まった又はなくなった）第２領域４を形成し、この第２領域４を形成した状態でＵＶテープ２をＭＥＭＳウエーハ１に貼り合わせている。
ＵＶテープ２の第２領域４は、力学量センサ素子チップ毎に、周囲が上記第１領域３で囲まれ少なくとも上記力学量センサ素子チップの微細櫛歯型薄膜構造部分を含む領域、ここでは微細櫛歯型薄膜構造部分の領域に若干の余裕をもたせた領域（以下、微細櫛歯型薄膜構造領域と称する。）５に対応して形成されている。

ＵＶテープ２を、第２領域４を形成せずに、つまり第１領域３のみ形成された状態でＭＥＭＳウエーハ１の回路形成面の全面にそのまま貼り付けると、ＭＥＭＳウエーハ１上の薄型チップの微細薄膜構造部分が、ここでは微細櫛歯型薄膜構造部分、特にその構造部分内の可動の櫛歯薄膜パターン部分が、ＵＶテープ２の粘着剤中にめり込んだ。
このため、櫛歯薄膜パターン部分周辺に回り込んだ上記粘着剤が、ＵＶテープ剥離時に行われるＵＶ照射によって上記櫛歯薄膜パターン部分をクランプした状態で硬化し、クランプされた櫛歯薄膜パターン部分が、ダイシング後のＵＶテープ剥離時にＵＶテープ２と共に剥離され、素子破壊を生じさせた。

本実施形態によれば、ＭＥＭＳウエーハ１の微細櫛歯型薄膜構造領域５に対応するＵＶテープ２面に、予めＵＶ照射することによって粘着剤を硬化させた（粘着力を弱めた又はなくした）第２領域４を形成した上で、そのＵＶテープ２をＭＥＭＳウエーハ１に貼り合わせ、図１に示す断面構造とした。
これによれば、ＵＶテープ２をＭＥＭＳウエーハ１に貼り合わせた際に、上記微細櫛歯型薄膜構造領域５内の微細櫛歯型薄膜構造部分（可動の櫛歯薄膜パターン部分を含む。）には、粘着剤を硬化した第２領域４が当接するので、ＵＶテープ２の粘着剤（強い粘着力を有する第１領域３）中にめり込むことはない。したがって、この微細櫛歯型薄膜構造部分が、ダイシング後のＵＶテープ剥離時にＵＶテープ２と共に剥離して素子破壊を生じさせることが防止される。
ＭＥＭＳウエーハ１の周辺部及びこのＭＥＭＳウエーハ１に形成された各力学量センサ素子チップ相互間部分は、強い粘着力を有する第１領域３が形成されたままとなっているので、これらの部分においては、ＵＶテープ２はＭＥＭＳウエーハ１に強固の貼り付いている。したがってＵＶテープ２は、ダイシング時において薄型チップをなす力学量センサ素子チップの損傷を防止する保護テープとしての機能を充分に果たす。一方、ダイシング後のＵＶテープ剥離時には、ＵＶテープ２の第１領域３に、実際にはテープ全面（第１，第２領域４）にＵＶ照射すれば、第１領域３を含めてテープ全面の粘着剤が硬化した状態となり、ＵＶテープ２は容易に剥離することができる。
すなわちダイシング時の、ＭＥＭＳウエーハ１面及びＵＶテープ２面相互間からの水浸入の防止と、ダイシング後のＵＶテープ剥離の容易性とを両立でき、かつ、ＵＶテープ２の剥離時にＭＥＭＳウエーハ１に形成された力学量センサ素子チップ部分の微細櫛歯型薄膜構造部分（半導体チップの膜構造部分）の剥離による素子の破壊も防止できる。
なお、図１中の一点鎖線はダイシング位置の一例を示している。

次に、本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法の全工程を図２に、図１及び図３を併用して説明する。
図２（Ａ）〜（Ｌ）に工程（Ａ）〜（Ｌ）を示す。
まず、工程（Ａ）において、多数の力学量センサ素子チップが形成されたＭＥＭＳウエーハ１を次工程（Ｂ）以降の工程に渡すか否かの受入検査を行う〔図２（Ａ）〕。
工程（Ｂ）ではテープマウント１１を組み立てる〔図２（Ｂ）〕。具体的には、ＭＥＭＳウエーハ１の表面（回路形成面側、ここでは力学量センサ素子チップの微細櫛歯型薄膜構造部分の露出面側の面）を保護するＵＶテープ２をリング状フレーム１２に貼り付ける。ＵＶテープ２は、本実施形態では透明のものが用いられる。

工程（Ｃ）では上記テープマウント（ＵＶテープ２とリング状フレーム１２との組立体）１１にステンシルマスク１３をセットする〔図２（Ｃ）〕。具体的には、ステンシルマスク１３をテープマウント１１に重ねた状態でクリップ１４を用いて固定する。
ステンシルマスク１３は、粘着剤が硬化した第２領域４（図１参照）を、上記ＵＶテープ２中の粘着力を有する第１領域３（同図参照）中に形成する（第１領域３に加えて第２領域４を形成する）ために用いられるＵＶ遮蔽マスクであり、ＵＶテープ２の非粘着面側に固定される。
ＵＶテープ２の上記第２領域４は、力学量センサ素子チップ毎に、微細櫛歯型薄膜構造領域５（図１参照）に対応して形成されるので、ステンシルマスク１３は、そのような位置関係をもってＵＶ透過孔とＵＶ遮蔽部が形成されている。
図３に、ステンシルマスク１３の一例を示す。図示ステンシルマスク１３の中央部分に集中して多数描かれた小さな四角形（ほぼ正方形）の各々が上記微細櫛歯型薄膜構造領域５（図１参照）に対応して形成されたＵＶ透過孔２１である。斜線が付された領域はおおよそＭＥＭＳウエーハ１が重ね合わされる領域（ウエーハ領域）である。ＵＶ遮蔽部２２は、このウエーハ領域内についてはＵＶ透過孔２１を除いた全ての部分、すなわち、ＭＥＭＳウエーハ１の周辺部及びこのウエーハ１に形成された各力学量センサ素子チップ相互間部分に対応する部分である。

工程（Ｄ）では、テープマウント１１（ＵＶテープ２）に対し、ステンシルマスク１３がセットされた側からＵＶを照射する〔図２（Ｄ）〕。これによれば、ＵＶテープ２の、ステンシルマスク１３のＵＶ透過孔２１を介してＵＶが投射された部分のみ、つまり、ＭＥＭＳウエーハ１に形成された力学量センサ素子チップの微細櫛歯型薄膜構造領域５の対応箇所のみ、粘着剤が硬化した第２領域４（図１参照）が形成される。第２領域４の形成位置を高精度に保つため、工程（Ｃ）におけるＵＶテープ２へのステンシルマスク１３の重ね合わせは隙間なく行われ、ステンシルマスク１３が除去されるまでの間、その隙間のない状態がクリップ１４で保持される。

工程（Ｅ）では、ＵＶ照射が済んだＵＶテープ２の粘着面に工程（Ａ）の検査で合格したＭＥＭＳウエーハ１を貼り付ける〔図２（Ｅ）〕。貼り付けは、ＭＥＭＳウエーハ１の力学量センサ素子チップの微細櫛歯型薄膜構造領域５（図１参照）がＵＶテープ２の第２領域（粘着剤が硬化した領域）９の中央部分に正しく向き合うように位置合わせされて行われる。本実施形態では、透明のＵＶテープ２を用いているので上記位置合わせは目視で可能である。
図１は、この工程（Ｅ）においてＵＶテープ２面に貼り付けられた（ＵＶテープ２を貼り合わせた）ＭＥＭＳウエーハ１部分の断面図に相当する。
すなわち、工程（Ｅ）の終了時において、ＭＥＭＳウエーハ１は、その周辺部及びこのＭＥＭＳウエーハ１に形成された各力学量センサ素子チップ相互間部分が強い粘着力を有する第１領域３（図１参照）のままとなっており、ＭＥＭＳウエーハ１の各力学量センサ素子チップの微細櫛歯型薄膜構造領域５のみが、粘着剤が硬化した第２領域４となっている。
このように、ＵＶテープ２をＭＥＭＳウエーハ１に貼り合わせた際に、そのウエーハ１に形成された各力学量センサ素子チップの微細櫛歯型薄膜構造部分（可動の櫛歯薄膜パターン部分を含む。）の領域５には、粘着剤を硬化した第２領域４が当接するので、ＵＶテープ２の粘着剤（強い粘着力を有する第１領域３）中にめり込むことはない。したがって、この領域５内の上記微細櫛歯型薄膜構造部分が、後工程によるダイシング後のＵＶテープ剥離時にＵＶテープ２と共に剥離して素子破壊を生じさせることが防止される。

工程（Ｆ）では、ＭＥＭＳウエーハ１が貼り付けられたテープマウント１１からステンシルマスク１３及びクリップ１４を除去する〔図２（Ｆ）〕。
工程（Ｇ）では、テープマウント１１に貼り付けられたＭＥＭＳウエーハ１の裏面側に、リング状フレーム１２裏面を含めてダイシングテープ１５を貼り付ける。
ダイシングテープ１５は、ＭＥＭＳウエーハ１の裏面に貼り付けられ、その粘着力によりダイシング、すなわちＭＥＭＳウエーハ１を所定のサイズに切断し、力学量センサ素子チップ毎に個片化する次工程（Ｈ）において、そのウエーハ１をリング状フレーム１２に固定する目的で使用される。
工程（Ｈ）では、ダイシングを行う。ダイシングはＭＥＭＳウエーハ１にＵＶテープ２が貼り付けられたまま、ＵＶテープ２側から行う〔図２（Ｈ）〕。
工程（Ｉ）では、ダイシングテープ１５が貼り付けられたテープマウント１１に対し、その表裏両面側からＵＶを照射する〔図２（Ｉ）〕。ＵＶ照射は、本実施形態では片面ずつ２回に分けて行っている。
これによれば、強い粘着力を有する第１領域３を含めてＵＶテープ２全面の粘着剤が硬化した状態となり、ＵＶテープ２は容易に剥離可能となる。
本実施形態では、ＵＶ照射により硬化する粘着剤が塗布されたダイシングテープ１５を用いているので、このダイシングテープ１５側からもＵＶ照射している。ダイシングテープ１５の粘着剤は、ＵＶ照射による粘着性の低下がＵＶテープ２の粘着剤に比べて小さくされている。

工程（Ｊ）では、ＵＶ照射を終えたＵＶテープ２上面に剥離テープ１６を貼り付ける〔図２（Ｊ）〕。ＵＶテープ２は、工程（Ｈ）におけるダイシングにより細断されていて全体の剥離がし難くなっている。そこで、ＵＶテープ２の全面を覆うように剥離テープ１６を貼り付け、細断されたＵＶテープ２全体を容易に剥離可能としている。
工程（Ｋ）では、ＵＶテープ２上面に貼り付けた剥離テープ１６ごと、ＵＶテープ２を剥離する〔図２（Ｋ）〕。このＵＶテープ２の剥離は、工程（Ｉ）で行ったＵＶ照射によってＵＶテープ２全面の粘着剤が硬化した状態となっているので容易に、特にＭＥＭＳウエーハ１に形成された力学量センサ素子チップ上の上記微細櫛歯型薄膜構造部分の剥離による素子の破壊もなく容易に行える。
工程（Ｌ）では、センサ用ブロー装置１７により、ダイシング後ブロー処理をして、ダイシングによるチッピング生成物やＭＥＭＳウエーハ１上に付着した異物を風圧で除去する〔図２（Ｌ）〕。
その後、ＭＥＭＳウエーハ１の検査工程を経てピックアップ工程に移行し、ウエーハから半導体チップ、ここでは力学量センサ素子チップをピックアップする。

なお、上述実施形態では、保護テープとしてＵＶテープを用いたがこれのみに限らない。粘着力を有する第１領域及び、粘着力がないか第１領域よりも粘着力が弱いか又は上記粘着力を与える粘着剤が硬化している第２領域、つまり半導体ウエーハに貼り合わせた際にそのウエーハに形成された半導体チップの、隣り合う薄膜間に微小空隙部を有する膜構造部分が粘着剤中にめり込むことのない領域を形成できるテープであればよい。
また、製造方法の対象となる半導体素子は力学量センサ素子のみに限られることはなく、微小空隙部を有する素子であれば同様に適用することができる。

本発明方法の一実施形態における工程途中の半導体ウエーハの拡大断面図である。同実施形態における全工程説明図である。図２中のステンシルマスクの一例を示す平面図である。基板表面側から見た力学量センサ素子チップ及びそのセンサ部にある櫛歯型薄膜構造を説明するための一部拡大平面図である。

符号の説明

１：ＭＥＭＳウエーハ（半導体ウエーハ）、２：ＵＶテープ（保護テープ）、３：第１領域、４：第２領域、５：微細櫛歯型薄膜構造領域（膜構造部分の領域）。

Claims

複数の半導体チップが形成された半導体ウエーハを保護する保護テープに、粘着力を有する第１領域及び、粘着力がないか前記第１領域よりも粘着力が弱いか又は前記粘着力を与える粘着剤が硬化した第２領域を形成する第１工程と、
前記保護テープを前記半導体ウエーハに貼り合わせる第２工程と、
前記半導体ウエーハの、前記保護テープを貼り合わせた面とは反対側の面にダイシングテープを貼り付ける第３工程と、
前記保護テープを貼り合わせた状態で該保護テープ側から前記半導体ウエーハをダイシングして前記半導体チップ毎に個片化する第４工程と、
前記半導体ウエーハをダイシングした後に前記保護テープの上面に剥離テープを貼り付ける第５工程と、
前記保護テープを、該保護テープ上面に貼り付けた剥離テープごと剥離する第６工程とを備え、
前記保護テープはＵＶテープからなり、該保護テープの第２領域は、前記半導体チップ毎に、周囲が前記第１領域で囲まれ少なくとも前記半導体チップの膜構造部分を含む領域に対応するように、前記第１領域中に紫外線を照射することにより形成されていることを特徴とする半導体素子の製造方法。
前記半導体チップは力学量センサ素子を形成する力学量センサ素子チップであり、前記保護テープの第２領域は、前記力学量センサ素子チップ毎に、周囲が前記第１領域で囲まれ少なくとも前記力学量センサ素子チップの微細櫛歯型薄膜構造部分を含む領域に対応して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。