CN101116182B - 半导体晶片表面保护薄片及使用其的半导体晶片保护方法 - Google Patents

半导体晶片表面保护薄片及使用其的半导体晶片保护方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种即使在半导体晶片电路形成面上有非常大的凹凸，也能够防止半导体晶片破损的半导体晶片表面保护薄片。本发明的半导体晶片表面保护用薄片的特征在于，至少含有一层具有G’(60)/G’(25)＜0.1关系的树脂层(A)，其中，G’(60)是60℃的储存弹性模量，G’(25)是25℃的储存弹性模量。本发明还提供使用该保护薄片的半导体晶片的保护方法。

Description

半导体晶片表面保护薄片及使用其的半导体晶片保护方法
技术领域
本发明涉及半导体晶片表面保护用薄片以及使用该保护用薄片的半导体晶片的保护方法。更详细地涉及磨削半导体晶片的电路未形成面及对磨削后的电路未形成面进行加工处理时可有效防止半导体晶片破损、且能够提高生产率的半导体晶片表面保护用薄片以及使用该保护用薄片的半导体晶片的保护方法。
背景技术
加工半导体晶片的工序是由经过对半导体晶片的电路形成面(以下，为半导体晶片表面)粘贴半导体晶片表面保护薄片的工序、加工半导体晶片的电路未形成面(以下，为半导体晶片背面)的工序、剥离半导体晶片表面保护薄片的工序、将半导体晶片分割切断成芯片的切割工序、将分割的半导体芯片接合到引线框的芯片接合(die bonding)工序后，再进行将半导体芯片为了从外部保护而用树脂密封的铸模工序等来构成。作为以往的半导体晶片表面保护薄片，主流为在树脂膜的单表面涂布粘着剂层的粘着膜，它被用在上述半导体晶片的制造加工流程中。此时，作为半导体晶片保护用粘着膜的主要特性，可以例举出，粘贴粘着膜后，机械磨削半导体晶片背面时可吸收研磨应力(防止半导体晶片破损)、剥离粘着膜时剥离力最适(防止磨削的半导体晶片破损)、可抑制粘着膜剥离后向半导体晶片表面转印物质等。这种半导体晶片表面保护用粘着膜在日本特开昭61-10242、日本特开昭61-043677、日本特开昭62-271451等中已被公开。
而且，在半导体晶片表面有聚酰亚胺膜、铝电极和用于切割的划线等，所以，其表面形状具有富于起伏的凹凸形状。如果不能用粘着膜充分吸收这些凹凸的话，就会产生由于磨削时的研磨应力等使半导体晶片破损等问题。作为对于这种半导体晶片表面的凹凸形状提高了密合性的粘着膜，提出过涂布紫外线固化型粘着剂的方案。这种紫外线固化型粘着膜是起到功能胶带的作用，它具有如下特点：在粘贴时、磨削时等，粘着剂的交联密度小，弹性模量可被抑制得非常低，所以对半导体晶片表面表现高密合性；而在剥离时，由于照射紫外线而促进了固化反应，增加了交联密度，结果弹性模量增高，容易剥离粘着膜。但是，因为是在密合于凹凸的情况下被固化的，所以常被指出在半导体晶片表面残有粘着剂的树脂的问题。
另一方面，随着近年的高密度安装技术的开发，半导体晶片的制造加工也有了很大变迁。首先，作为高密度安装的芯片设计，为了实现器件的高功能、小型化，而研究了芯片的层叠安装。此时，利用磨削的硅厚度加工是以100μm以下为目标，研究的芯片层叠数为从2层到10层。而且，通过高密度安装设计，对于在以前即使厚也没有问题的部分也研究将其变薄。具体来讲，是作为球状模型(pattern)电极为了连接芯片和电路基板而附设的附设了焊料凸块的半导体晶片。在此之前，附设了焊料凸块的半导体晶片即使进行磨削加工也没有必要薄到400～600μm的程度。
可是，最近，对于附设了焊料凸块的半导体晶片，也在研究通过磨削工序将硅部分加工为400μm以下的工序。此时，常被指出如下问题：通过磨削工序达到400μm以下的半导体晶片强度低，如果经过将焊料凸块附设在此上的工序的话，由于附设焊料凸块时的负荷，半导体晶片就会破损。这样，在磨削半导体晶片前的强度强的阶段附设焊料凸块的工序就一直是主流。
但是此时，如果不是充分吸收焊料凸块的半导体晶片表面保护用粘着膜的话，会由于对焊料凸块的密合不良而在焊料凸块的周边产生空隙，磨削时在半导体晶片面内产生应力分布，成为半导体破损的原因。关于焊料凸块是球状还是类似梯形的形状，是因器件和厂家的设计而异，但会成为20～200μm这样的，不是以前的半导体晶片的表面形状的凹凸，而是有非常大的高低差(段差)的凹凸配列在模型上的形状。而且，在最近，因为研究将安装尺寸更小化的技术，正在普及晶片级封装这种技术。这是在半导体晶片的工艺(前工序)结束后，进行金属制膜，再配线、形成金属柱，以晶片状态密封树脂，然后附设焊料凸块的工序。在这个包装中，成为以往的25％左右的尺寸，所以启示着可能成为未来的安装技术的核心。
在这个晶片级封装中，包含着由磨削来加工硅部分的加工工序，为了得到和以往的焊料凸块技术同样薄的硅部分，在附设焊料凸块后，磨削硅部分的工序顺序是合理的。在晶片级封装技术中，焊料凸块高度在高的情况下为200μm、甚至为500μm，所以希望提出对于具有更大的凹凸高低差的半导体晶片加工适合的半导体晶片表面保护薄片以及使用该保护薄片的半导体晶片的保护方法。另外，由于半导体晶片表面的划线的深度或深或浅、或被设计到半导体晶片的周边部分，而且，聚酰亚胺膜的厚度、铝垫形状的变更、在液晶驱动用半导体晶片中附设20～50μm的金凸块等因素，半导体晶片表面形状变得更加复杂，所以希望提出适合于这些的半导体晶片表面保护薄片以及使用该保护薄片的半导体晶片的保护方法。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的是提供半导体晶片表面保护薄片以及使用该保护薄片的半导体晶片的保护方法，用来在半导体晶片表面具有像焊料凸块那样非常大的高低差的凹凸形状的晶片的加工过程中，即使磨削时硅部的厚度变薄，也能防止半导体晶片的破损。
本发明人等经过潜心研究后，发现含有具有G’(60)/G’(25)＜0.1关系的树脂层(A)的半导体晶片表面保护用薄片，可以解决上述问题，从而完成本发明，其中，G’(25)是25℃时的储存弹性模量，G’(60)是60℃时的储存弹性模量。
即，第一个发明的特征是半导体晶片表面保护用薄片，其特征为，含有至少一层具有G’(60)/G’(25)＜0.1关系的树脂层(A)，其中，G’(25)是25℃时的储存弹性模量，G’(60)是60℃时的储存弹性模量。
从控制树脂层(A)加温时的弹性模量的角度考虑，优选所述树脂层(A)的密度为800～890kg/m3 。从维持高分子链间的凝集力的角度考虑，优选所述的树脂层(A)含有烯烃系共聚物。
第二个发明的特征是半导体晶片的保护方法，其特征为，包括：在半导体晶片表面上，将上述半导体晶片表面保护薄片在40～70℃的温度范围内，0.3～0.5MPa的压力范围内一边加压一边粘贴该保护膜的第一工序；磨削半导体晶片背面的第二工序；以及加工磨削后的半导体晶片背面的第三工序。
本发明中的控制了树脂的弹性膜量并且根据情况控制了密度的半导体晶片表面保护用薄片，在具有非常高的凹凸的半导体晶片的一系列保护工序中，成为有用的构件，能够防止半导体晶片的破损和污染等。
而且，在磨削表面凹凸形状非常大的半导体晶片的工序中，通过本发明的方法，可以有效防止上述一系列的工序中的半导体晶片的破损等。
具体实施方式
以下，对本发明进行详细的说明。
本发明的半导体晶片表面保护用薄片至少含有一层具有G’(60)/G’(25)＜0.1关系的树脂层(A)，其中，G’(25)是25℃时的储存弹性模量，G’(60)是60℃时的储存弹性模量。储存弹性模量在这个范围内的话，可以得到对晶片表面凹凸的高密合性的效果。更加优选的是G’(60)/G’(25)＜0.08，特别优选的是G’(60)/G’(25)＜0.05。
G’(60)储存弹性模量优选0.05×106～1.0×106Pa，更优选0.075×106～0.5×106Pa。G’(25)储存弹性模量优选4.0×106～7.0×106Pa，更优选4.5×106～6.5×106Pa。通过设计具有这种弹性模量范围的树脂，在粘贴薄片时，通过加温调节树脂层的弹性模量，显示出宾汉流体的性能，能够提高对晶片表面凹凸的密合性。而且，粘贴薄片后，可以保持树脂层的形状，维持加工中的密合性。
树脂层(A)的密度优选800～890kg/m3，更优选830～890kg/m3，特别优选850～890kg/m3。
通过使密度在上述范围内，能够控制在粘贴时的加温过程中树脂层(A)的弹性模量，而且，在从半导体晶片剥离该薄片时，可以得到控制树脂层凝集力(降低对半导体晶片表面的树脂残留)的效果。
本发明的薄片，是将通过挤出成型等已知成形法对形成树脂层(A)的树脂进行制膜的物质和基材膜，利用例如挤出层压法、干式层压法等层压法，在基材膜的单表面上层叠树脂层(A)来制造的。
在本发明薄片的材料设计上，最受关注的是加温时树脂层(A)的弹性模量变位。一般情况下，半导体晶片表面保护薄片的粘贴装置的设定温度被限定在60℃左右，在本薄片的设计中，试验了室温(25℃)下的储存弹性模量G’(25)与60℃下的储存弹性模量G’(60)的弹性模量比G’(60)/G’(25)的最佳化。结果发现，对于具有250μm凹凸的晶片表面，弹性模量比G’(60)/G’(25)不到0.1时，在40～70℃的温度范围、0.3～0.5MPa的压力范围下粘贴使用的话，在常温下对晶片可以有非常高的密合性。这被认为由于加温·加压效果引起树脂层(A)变形，能够充分密合于晶片表面的凹凸。形成显示所述特性的树脂层(A)的树脂，优选含有烯烃系共聚物作为主要成分，例如有三井化学制造的TAFMER(注册商标)的乙烯·α-烯烃共聚物。烯烃系共聚物具有难以使会成为半导体晶片的电路劣化因子的腐蚀性离子和金属离子等混入的性质，并且是对环境负荷低的材料，所以适于本发明的半导体晶片表面保护用薄片。而且，本发明的形成树脂层(A)的烯烃系共聚物，从发挥对于具有大高低差的凹凸形状的附设了焊料凸块的半导体晶片的密合性与低污染性方面考虑，优选为以从碳原子数2～12的α-烯烃中选择的至少2种α-烯烃作为主要单元成分的α-烯烃共聚物。在本发明中，乙烯被看作是α-烯烃的1种。
碳原子数2～12的α-烯烃，可以例举出乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯等。作为粘贴适应性优良的组合，可以例举出乙烯·丙烯共聚体、乙烯·1-丁烯共聚体、丙烯·1-丁烯·碳原子数5～12的α-烯烃的三元共聚物，乙烯·丙烯·碳原子数4～12的α-烯烃的三元共聚物、丙烯·1-丁烯·碳原子数5～12的α-烯烃的3种成分共聚物等。而且，上述的烯烃系共聚物可以单独使用或组合2种以上使用。
树脂层(A)优选含有所述烯烃系共聚物作为主要成分，它的含有量通常为60～100重量％左右，优选70～100重量％左右。
形成树脂层(A)的树脂中，在无损于本发明目的的范围内，除了烯烃系共聚物，还可以含有热塑性弹性体、乙烯及α-烯烃的共低聚物、合成树脂等成分作为副成分。通过这些成分，可以调整对例如40～70℃的粘贴温度的软化温度，以及在使用环境温度下的粘着适应性。热塑性弹性体可以例举出聚苯乙烯系弹性体、聚烯烃系弹性体、聚氨酯系弹性体、聚酯系弹性体等。其中，为了在保持低的水分含有率和离子含有率的条件下改良柔软性或粘着性，优选聚苯乙烯系弹性体和聚烯烃系弹性体。聚苯乙烯系弹性体可以例举出苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯·丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-乙烯·丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)、其他的苯乙烯·二烯系嵌段共聚物或其加氢物等。此SIS的具体例子可以举出市场上销售的JSR株式会社的商品名为JSR SIS(注册商标)，或壳牌化学公司的商品名为Kraton D(注册商标)的产品等。另外，SEPS的具体例子可以举出市场上销售的可乐丽株式会社的商品名为SEPTON(注册商标)的产品等。
聚烯烃系弹性体可以例举出，会成为硬质部的形成聚丙烯等结晶性高的聚合物的聚烯烃嵌段和会成为软质部的显示非晶性的单体共聚物嵌段的嵌段共聚物，具体可例示出烯烃(结晶性)·乙烯·丁烯·烯烃(结晶性)嵌段共聚物、聚丙烯·聚环氧乙烷·聚丙烯嵌段共聚物、聚丙烯·聚烯烃(非晶性)·聚丙烯嵌段共聚物等。具体例子可以举出市场上销售的JSR株式会社的商品名为DYNARON(注册商标)的产品。
乙烯及α-烯烃的共低聚物通常在常温下是液态状物质。作为α-烯烃，可以例举出丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、4-甲基-1-戊烯等碳原子数3～20的α-烯烃。其中，优选碳原子数3～14的α-烯烃。具体例子可以举出市场上销售的三井化学株式会社的商品名为Lucant(注册商标)、HIWAX(注册商标)、Excerex(注册商标)的产品。
另外，作为合成树脂，优选为非卤素并且易于和主要成分烯烃系共聚物形成合金的物质，具体可以例举出低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、碳原子数为3～20的α-烯烃单独聚合物、醋酸乙烯酯树脂等。
而且，本发明中使用的形成树脂层(A)的树脂，在不损害对半导体晶片的易粘贴性、易剥离性、非污染性等特性的范围内，可以含有通常配合于此种树脂中的各种添加剂。这样的添加剂，可以例举出各种紫外线吸收剂、氧化防止剂、耐热安定剂、滑剂、柔软剂、粘着性付与剂等。作为用于树脂层(A)的理想添加剂，为了不对半导体晶片带来不良影响，优选适当选择其种类，并且配合量也限定在最小值。
树脂层(A)为2层以上时，优选不损害焊料凸块等的吸收性的弹性模量、厚度的树脂层(A)的组合物。而且，在剥离该薄片时，需要控制无法在树脂层(A)间进行界面剥离的层间粘附。
附设在半导体晶片表面的用于吸收(密合)大的高低差的树脂层(A)的厚度，很大程度上与附设在半导体晶片表面的焊料凸块等的高低差有关。例如，100μm的高低差的话，相应的树脂层(A)的厚度优选在100μm以上，200μm的高低差的话，优选在200μm以上等等，优选在附设于半导体晶片表面的高低差以上。不过，关于对具有大的高低差的半导体晶片的密合性，不只是附设于半导体晶片表面的焊料凸块等的高低差，连其形状和配置也有很大影响，所以需要设计合适的适于半导体晶片的树脂层(A)的厚度。
基材膜，可以根据半导体晶片的制造工序，选择使用聚烯烃层、聚酯层或聚烯烃层与聚酯层的层叠层等。例如，在聚酯和聚烯烃的层叠层类型的时候，在半导体晶片的磨削加工中，硅部的厚度越薄，越有可能产生由半导体自身的结晶度和聚酰亚胺膜的收缩、附设凸块的应力等引起的半导体晶片翘曲的问题，所以也可以通过取得聚酯和聚烯烃的厚度和刚性的平衡，来降低半导体晶片的翘曲量。
作为基材膜，优选聚乙烯、乙烯·醋酸乙烯酯共聚物、乙烯·烷基丙烯酸酯共聚物(烷基的碳原子数为1～4)、乙烯·α-烯烃共聚物、丙烯·α-烯烃共聚物、聚丙烯等聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯。
关于基材的构成和其厚度很大程度上依赖于半导体晶片的制造工艺，有必要根据半导体晶片的保护方法设计基材膜。作为该保护薄片的构成优选1)聚烯烃层/树脂层(A)、2)聚酯层/树脂层(A)、3)聚酯层/聚烯烃层/树脂层(A)、4)聚烯烃层/聚酯层/树脂层(A)这4种模型。在考虑向第二工序中的半导体晶片背面磨削工艺的磨削装置导入时，1)～4)的薄片厚度，优选1000μm以下，更优选700μm以下。关于使用该薄片的半导体晶片的保护方法，如果考虑不损害树脂层(A)密合性，以及包括该薄片的粘贴、剥离的半导体晶片的制造工艺的作业性的话，聚酯层的厚度优选5～100μm，更优选20～100μm。另外，关于聚烯烃层的厚度，优选10～400μm，更优选30～300μm。
在第二工序，第三工序中，作为经过使用药液等的蚀刻工艺或者耐热工艺时的最佳的薄片构成，优选为具有耐药性、耐热性的聚酯膜层叠于最外层的2)，3)的薄片构成。
作为使用本发明中的半导体晶片表面保护薄片的半导体晶片的制造方法的一个例子，首先实施将所述的半导体晶片表面保护用薄片，最好是隔着树脂层(A)一边加温加压一边粘贴在半导体晶片表面的第一工序；然后实施磨削半导体晶片的背面，紧接着在不剥离该表面保护膜的条件下对半导体晶片的背面进行除去由磨削产生的破碎层的蚀刻工艺、抛光工艺的第二工序；然后实施进行金属溅射以及镀敷处理和其他的加热处理的第三工序。随后的工序并无特别限制，例如可以例举出依次实施剥离半导体晶片表面保护用薄片的工序，分割切断半导体晶片的切割工序，为了从外部保护而用树脂密封半导体芯片的铸模工序这样的半导体晶片的制造方法。
在第一工序的粘贴中，考虑到树脂层(A)对具有大高低差的半导体晶片表面的密合性，优选条件为40～70℃的温度范围，0.3～0.5MPa的压力范围。这是最大限度地发挥出具有G’(60)/G’(25)＜0.1关系的树脂层(A)的特性的条件，其中，G’(25)是25℃时的储存弹性模量，G’(60)是60℃时的储存弹性模量。在40℃以下时，树脂层(A)的弹性模量高，无法发挥出高低差吸收能力，从而产生空隙等会成为造成半导体晶片破裂的原因的不良情况。而当在70℃以上时，树脂层(A)的弹性模量过低，会容易造成树脂层(A)的溢出，薄片厚度的不均匀等。加压中，压力在0.3MPa以下时，不能充分吸收高低差，而当压力在0.5MPa以上时，会容易造成树脂层(A)的溢出，薄片厚度的不均匀等。因此，根据树脂层(A)的厚度、粘贴该薄片一侧的半导体晶片上的高低差形状、配置等，优选在40～70℃的温度范围、0.3～0.5MPa的压力范围内出最合适的组合。例如，可以例举出45℃/0.35MPa、50℃/0.4MPa的加温加压条件等。
第二工序中的除去磨削破碎层的方法，可以例举出使用混酸等的湿式蚀刻法、等离子蚀刻法和抛光法等。第二工序中可以只进行主要利用磨石的机械磨削，但是如果想使半导体晶片更加薄层化或想维持芯片的强度的话，则优选与通过蚀刻或抛光除去产生于晶片背面的破碎层的工序组合使用。
接下来，是加工半导体晶片背面的工序(第三工序)。在此第三工序的加工中，有时实施在加温条件下，在不剥离保护膜的条件下对半导体晶片的背面溅射金属，或者浸渍在镀液中镀敷半导体晶片背面的工序。然后，剥离半导体晶片表面保护薄片。而且根据需要，在剥离保护薄片后，对半导体晶片表面，可进行水洗，等离子清洗等处理。
半导体晶片加工前的厚度，根据半导体晶片的直径、种类等进行适当的决定，半导体晶片背面加工后的半导体晶片的厚度根据得到的芯片的尺寸、电路的种类等进行适当的决定。
将半导体晶片表面保护薄片粘贴在半导体晶片的表面的操作，有时通过人工来进行，通常，可以由被称作自动粘贴机的装置来进行，此自动粘贴机安装了卷状的半导体晶片保护薄片。这种自动粘贴机，可以例举出日本TAKATORI公司制造的ATM-1000B、ATM-1100、TEAM-100等型号，日东精机(株)制造的8500系列等。
半导体晶片的机械背面磨削方式，可以采用贯穿进磨方式、横向进磨方式等已知的磨削方式。通常，无论采用何种方法，都是对半导体晶片和磨石供水，边冷却边进行磨削。
实施例
下面，通过实施例，对本发明进行更详细的说明。本发明并不限于如下实施例。并且，实施例中所出示的各种特性值由如下方法测定。
1.各种特性的测定方法
1-1储存弹性模量G’的测定方法
用形成树脂层(A)的树脂制作半径8mm左右、厚度1mm的用于测定粘弹性的样品。使用动态粘弹性测定装置(Rheometrics公司制造：形式：RMS-800)，测定从25℃到90℃(不能测定树脂层弹性模量的温度)的储存弹性模量G’。测定频率为1Hz，变形(歪み)为0.1～3％。
1-2密度(kg/m3)
依照ASTM D 1505测定。
1-3半导体晶片的破损(片数)
对5片附设了半径250μm焊球的半导体晶片，实施背面磨削至硅部厚度300μm，然后在光学显微镜下进行裂纹、破裂等差错检验。
2.实施例
2-1实施例1
使用G’(60)/G’(25)＝0.027、密度为810kg/m3的乙烯·α-烯烃共聚物(三井化学制造的TAFMER(注册商标))作为树脂层(A)的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是5.15×106Pa，60℃的弹性模量G’(60)是1.4×105Pa。在层叠基材膜的聚烯烃类层一侧的表面，用所述的乙烯·α-烯烃系共聚物来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片，其中，层叠基材膜由聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)和不同于树脂层(A)的聚烯烃层(三井杜邦聚化学(Du Pont-Mitsui Polychemicals)公司制造EVA，厚度120μm)构成。然后，在60℃、0.4MPa的加温加压条件下，对附设有半径250μm的焊球的半导体晶片，经由树脂层(A)来粘贴，磨削至硅部厚度成为300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜，检查半导体晶片的裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表1中。在表1中，对凸块的密合性是以粘贴时凸块周边没有产生空隙为良。磨削性以磨削后的晶片内TTV(Total Thickness Variation)在20μm以下为“良”，其以上为“差”。
2-2实施例2
使用G’(60)/G’(25)＝0.033、密度为880kg/m3的乙烯·α-烯烃共聚物(三井化学制造TAFMER(注册商标))作为树脂层(A)的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是5.50×106Pa，60℃的弹性模量G’(60)是0.18×106Pa。在层叠基材膜的聚烯烃层一侧的表面，用所述的乙烯·α-烯烃共聚物来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片，其中，层叠基材膜由聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)和异于树脂层(A)的聚烯烃层(三井杜邦聚化学公司制造EVA，厚度120μm)构成。然后，在60℃、0.4MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由树脂层(A)来粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表1中。
2-3实施例3
使用G’(60)/G’(25)＝0.029、密度为860kg/m3的乙烯·α-烯烃共聚物(三井化学制造TAFMER(注册商标))作为树脂层(A)的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是5.45×106Pa，60℃的弹性模量G’(60)是0.16×106Pa。在层叠基材膜的聚烯烃层一侧的表面，用所述的乙烯·α-烯烃共聚物来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片，其中，层叠基材膜由聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)和异于树脂层(A)的聚烯烃层(三井杜邦聚化学公司制造EVA，厚度120μm)构成。然后，在40℃、0.5MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由树脂层(A)粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表1中。
2-4实施例4
使用G’(60)/G’(25)＝0.029、密度为860kg/m3的乙烯·α-烯烃共聚物(三井化学制造TAFMER(注册商标))作为树脂层(A)的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是5.45×106Pa，60℃的弹性模量G’(60)是0.16×106Pa。在层叠基材膜的聚烯烃层一侧的表面，用所述的乙烯·α-烯烃共聚物来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片，其中，层叠基材膜由聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)和异于塑性树脂层的聚烯烃层(三井杜邦聚化学公司制造EVA，厚度120μm)构成。然后，在70℃、0.3MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由树脂层(A)粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表1中。
2-5实施例5
使用G’(60)/G’(25)＝0.099、密度为890kg/m3的乙烯·α-烯烃共聚物(三井化学制造TAFMER(注册商标))作为树脂层(A)的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是5.35×106Pa，60℃的弹性模量G’(60)是0.53×106Pa。在层叠基材膜的聚烯烃层一侧的表面，用所述的乙烯·α-烯烃共聚物来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片，其中，层叠基材膜由聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)和异于树脂层(A)的聚烯烃层(三井杜邦聚化学公司制造EVA，厚度120μm)构成。然后，在60℃、0.4MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由树脂层(A)粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表1中。
2-6实施例6
使用G’(60)/G’(25)＝0.044、密度为790kg/m3的乙烯·α-烯烃共聚物(三井化学制造TAFMER(注册商标))作为树脂层(A)的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是5.05×106Pa，60℃的弹性模量G’(60)是0.22×106Pa。在层叠基材膜的聚烯烃层一侧的表面，用所述的乙烯·α-烯烃共聚物来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片，其中，层叠基材膜由聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)和异于具有前述组成的树脂的聚烯烃层(三井杜邦聚化学公司制造EVA，厚度120μm)构成。然后，在60℃、0.4MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由树脂层(A)粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表1中。
2-7实施例7
使用G’(60)/G’(25)＝0.070、密度为900kg/m3的乙烯·α-烯烃共聚物(三井化学制造TAFMER(注册商标))作为树脂层(A)的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是6.15×106Pa，60℃的弹性模量G’(60)是0.43×106Pa。在层叠基材膜的聚烯烃层一侧的表面，用所述的乙烯·α-烯烃共聚物来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片，其中，层叠基材膜由聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)和异于所述树脂组成的聚烯烃层(三井杜邦聚化学公司制造EVA，厚度120μm)构成。然后，在60℃、0.4MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由树脂层(A)粘贴，磨削至硅部厚度300μm。剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表1中。
2-8实施例8
使用G’(60)/G’(25)＝0.027、密度为810kg/m3的乙烯·α-烯烃共聚物(三井化学制造TAFMER(注册商标))作为树脂层(A)的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是5.15×106Pa，60℃的弹性模量G’(60)是1.4×105Pa。在聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)的表面，用所述的乙烯·α-烯烃共聚物来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片。然后，在60℃、0.4MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由树脂层(A)粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查半导体晶片的裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表1中。
3-1比较例1
使用G’(60)/G’(25)＝0.27、密度为880kg/m3的聚烯烃(三井杜邦聚化学公司制造，乙烯·醋酸乙烯酯(以下称为EVA))作为具有塑性的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是4.30×107Pa，60℃的弹性模量G’(60)是1.18×107Pa。在聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)上，用所述的EVA来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片。然后，在60℃、0.4MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由具有塑性的树脂层粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表2中。
3-2比较例2
使用G’(60)/G’(25)＝0.11、密度为840kg/m3的聚烯烃(三井杜邦聚化学公司制造EVA)作为具有塑性的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是4.40×107Pa，60℃的弹性模量G’(60)是0.48×107Pa。在聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)上，用所述的聚烯烃来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片。然后，在60℃、0.4MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由具有塑性的树脂层粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表2中。
3-3比较例3
使用G’(60)/G’(25)＝0.036、密度为850kg/m3的乙烯·α-烯烃共聚物(三井化学制造TAFMER(注册商标))作为树脂层(A)的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是5.35×106Pa，60℃的弹性模量G’(60)是0.19×106Pa。在层叠基材膜的聚烯烃层一侧的表面，用所述的乙烯·α-烯烃共聚物来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片，其中，层叠基材膜由聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)和异于所述的具有塑性的树脂组成的聚烯烃层(三井杜邦聚化学公司制造EVA，厚度120μm)构成。然后，在30℃、0.5MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由树脂层(A)粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表2中。
3-4比较例4
使用G’(60)/G’(25)＝0.036、密度为850kg/m3的乙烯·α-烯烃共聚物(三井化学制造TAFMER(注册商标))作为树脂层(A)的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是5.35×106Pa，60℃的弹性模量G’(60)是0.19×106Pa。在层叠基材膜的聚烯烃层一侧的表面，用所述的乙烯·α-烯烃共聚物来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片，其中，层叠基材膜由聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)和异于所述的树脂层(A)的聚烯烃层(三井杜邦聚化学公司制造EVA，厚度120μm)构成。然后，在80℃、0.2MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由具有塑性的树脂层粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表2中。
3-5比较例5
使用G’(60)/G’(25)＝0.27、密度为880kg/m3的聚烯烃层(三井杜邦聚化学公司制造EVA)作为具有塑性的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是4.30×107Pa，60℃的弹性模量G’(60)是1.18×107Mpa。在层叠基材膜的聚烯烃层一侧的表面，用所述的具有塑性的树脂来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片，其中，层叠基材膜由聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)和异于所述的具有塑性的树脂的聚烯烃层(三井杜邦聚化学公司制造EVA，厚度120μm)构成。然后，在60℃、0.4MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由树脂层(A)粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表2中。
3-6比较例6
使用G’(60)/G’(25)＝0.27、密度为880kg/m3的聚烯烃层(三井杜邦聚化学公司制造EVA)作为具有塑性的树脂，其中，25℃的弹性模量G’(25)是4.30×107Pa，60℃的弹性模量G’(60)是1.18×107Pa。在聚酯层(帝人杜邦制造TEFLEX，厚度50μm)上，用所述的EVA来制成350μm厚的膜，从而完成半导体晶片表面保护薄片。然后，在30℃、0.2MPa的加温加压条件下，对附设了半径250μm的焊球的半导体晶片，经由具有塑性的树脂层粘贴，磨削至硅部厚度300μm。25℃下剥离保护薄片，用光学显微镜检查裂纹、破裂等外观不良。其结果记载于表2中。
工业上的应用性
本发明可用于适合高密度安装的半导体晶片的制造加工中。
表1
Figure B2006800041467D00151
表2

Claims (12)

1.一种半导体晶片表面保护用薄片，其特征在于，含有至少一层具有G’(60)/G’(25)＜0.1关系的树脂层A和基材膜，其中，G’(60)是60℃的储存弹性模量，G’(25)是25℃的储存弹性模量。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用薄片，其特征在于，树脂层A的密度为800～890kg/m3。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用薄片，其特征在于，所述树脂层A含有烯烃系共聚物。
4.根据权利要求3所述的半导体晶片表面保护用薄片，其特征在于，所述烯烃系共聚物是以从碳原子数2～12的α-烯烃中选出的至少2种α-烯烃作为主要单元成分的α-烯烃共聚物。
5.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用薄片，其特征在于，所述基材膜是含有不同树脂的2层以上的层叠体。
6.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用薄片，其特征在于，所述树脂层A的厚度，在附设于半导体晶片表面的高低差以上。
7.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用薄片，其特征在于，所述半导体晶片表面保护用薄片，是层叠了由形成树脂层A的树脂制成的膜和基材膜的薄片。
8.根据权利要求7所述的半导体晶片表面保护用薄片，其特征在于，所述半导体晶片表面保护用薄片，是通过层压法在基材膜的单面表面上层叠了树脂层A的薄片。
9.根据权利要求7所述的半导体晶片表面保护用薄片，其特征在于，所述基材膜，是从聚烯烃层、聚酯层、聚烯烃层和聚酯层的层叠层中选出的膜。
10.一种半导体晶片的保护方法，其特征在于，包含：将权利要求1所述的半导体晶片表面保护用薄片，在40～70℃的温度范围、0.3～0.5MPa的压力范围内，一边加压一边粘贴在半导体晶片电路形成面上的第一工序；磨削半导体晶片的电路未形成面的第二工序；以及加工磨削后的半导体晶片的电路未形成面的第三工序。
11.根据权利要求10所述的半导体晶片的保护方法，其特征在于，第二工序包含从利用磨石的机械磨削工序、湿式蚀刻工序、等离子蚀刻工序及抛光工序中选出的至少一种工序。
12.根据权利要求10所述的半导体晶片的保护方法，其特征在于，第三工序包含从金属溅射工序、镀敷处理工序及加热处理工序中选出的至少一种工序。
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