CN111295738B - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其是使用膨胀性的粘合片(A)的半导体装置的制造方法，所述粘合片(A)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、且任意层中包含膨胀性粒子，该方法依次具有下述工序(1)～(3)。工序(1)：将被加工物粘贴于粘合片(A)的粘合剂层(X1)之后，将该被加工物进行切割，在粘合剂层(X1)上得到经过了单片化的多个芯片的工序；工序(2)：使用具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)的粘合片(B)，将粘合片(B)的粘合剂层(X2)粘贴于所述多个芯片的与和粘合剂层(X1)相接触的面相反侧的面的工序；工序(3)：使所述膨胀性粒子膨胀，将粘贴于粘合片(B)的所述多个芯片与粘合片(A)分离的工序。

Description

半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法。
背景技术
近年来，正在进行电子设备的小型化、轻质化及高功能化，与此相伴，电子设备中搭载的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。
半导体芯片有时安装于与其尺寸接近的封装中。这样的封装有时也称为CSP(芯片级封装，Chip Scale Package)。作为CSP，可以列举：以晶片尺寸处理至封装最终工序而完成的WLP(晶圆级封装，Wafer Level Package)、以大于晶片尺寸的面板尺寸处理至封装最终工序而完成的PLP(面板级封装，Panel Level Package)等。
WLP及PLP可被分类为扇入(Fan-In)型和扇出(Fan-Out)型。在扇出型的WLP(以下，也称为“FOWLP”)及PLP(以下，也称为“FOPLP”)中，用密封材料包覆半导体芯片，使其成为比芯片尺寸大的区域，形成半导体芯片密封体，不仅在半导体芯片的电路面，而且在密封材料的表面区域也形成再布线层及外部电极。
例如，专利文献1中记载了一种半导体封装的制造方法，该方法包括：将由半导体晶片单片化而成的多个半导体芯片的电路形成面保留，使用模构件包围其周围而形成扩张晶片，使再布线图案在半导体芯片外的区域延展而形成半导体封装。在专利文献1记载的制造方法中，半导体晶片是以被粘贴于切割用晶片安装胶带(Mount tape)(以下，也称为“切割胶带(Expanding tape)”)的状态实施被单片化的切割工序。该切割工序中得到的多个半导体芯片被转印至扩展用的晶片安装胶带(以下，也称为“伸缩胶带”)，对该伸缩胶带进行延展而使多个半导体芯片彼此的距离扩大，实施扩张工序。
切割胶带是在半导体装置的制造工序中、将以半导体晶片为代表的被加工物进行单片化时使用的，要求其在切割中具有一定的粘合力以便抑制被加工物的剥离、位置偏移等，另一方面，要求在切割后容易将单片化后的芯片分离的分离性。
作为提高了切割后的分离性的切割胶带，在专利文献2中公开了一种切割胶带，其具有基材和粘合层，作为粘合层的材料，使用了通过紫外线照射而固化、从而降低粘合力的材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2010/058646号
专利文献2：日本特开2016-167510号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，专利文献2所记载的切割胶带在紫外线照射后芯片与粘合层在整个粘接面上发生了粘接，因此残留一定程度的粘接力。因此，在将切割而得到的芯片供于接下来的工序时，有时要一个个地将芯片进行拾取する等，工序变得繁杂。
另外，在扇出型封装的制造工序中，如专利文献1所记载的制造方法那样，有时要使切割而得到的半导体芯片转移至伸缩胶带上。
对于上述转移而言，想到将半导体芯片从切割胶带直接转印至伸缩胶带的方法、以及将半导体芯片从切割胶带转印至其它粘合片，再由其它粘合片转印至伸缩胶带的方法，但任何一种的情况下，从生产性的观点出发，都希望将多个半导体芯片一次性地转印。
但是，如专利文献2所记载的切割胶带那样，如果在紫外线照射后也残留一定程度的粘接力，则在将切割胶带与半导体芯片分离时，需要一定的外力，因此需要用来进行分离的复杂的装置。
另外，在进行分离时会对半导体芯片产生负荷，因此存在半导体芯片容易发生位置偏移、芯片缺损这样的问题。
本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该制造方法可以容易地将切割被加工物而得到的多个芯片转印至其它粘合片，并且可以有效地抑制进行上述转印时的芯片缺损的发生。
解决课题的方法
本发明人等发现，通过下述制造方法可以解决上述课题，所述制造方法是使用膨胀性的粘合片的半导体装置的制造方法，所述粘合片具有基材及粘合剂层、且任意层中包含膨胀性粒子，该方法具有特定的工序(1)～(3)。
即，本发明涉及下述[1]～[11]。
[1]一种半导体装置的制造方法，其是使用膨胀性的粘合片(A)的半导体装置的制造方法，所述粘合片(A)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、且任意层中包含膨胀性粒子，
该方法依次具有下述工序(1)～(3)，
工序(1)：将被加工物粘贴于粘合片(A)的粘合剂层(X1)之后，将该被加工物进行切割，在粘合剂层(X1)上得到经过了单片化的多个芯片的工序；
工序(2)：使用具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)的粘合片(B)，将粘合片(B)的粘合剂层(X2)粘贴于所述多个芯片的与和粘合剂层(X1)相接触的面相反侧的面的工序；
工序(3)：使所述膨胀性粒子膨胀，将粘贴于粘合片(B)的所述多个芯片与粘合片(A)分离的工序。
[2]上述[1]所述的半导体装置的制造方法，其中，粘合片(B)是扩张用的粘合片，在工序(3)之后，进一步具有下述工序(4A)，
工序(4A)：将粘合片(B)拉伸而扩大粘贴于粘合片(B)的所述多个芯片彼此间的间隔的工序。
[3]上述[1]所述的半导体装置的制造方法，其中，使用具有基材(Y3)及粘合剂层(X3)的扩张用的粘合片(C)，进一步进行下述工序(4B-1)～(4B-3)，
工序(4B-1)：将粘合片(C)的粘合剂层(X3)粘贴于粘合片(B)上的多个芯片的与粘合剂层(X2)相接触的面相反侧的面的工序；
工序(4B-2)：将粘合片(B)从粘贴于粘合片(C)的多个芯片分离的工序；
工序(4B-3)：将粘合片(C)拉伸而扩大粘贴于粘合片(C)的所述多个芯片彼此间的间隔的工序。
[4]上述[2]或[3]所述的半导体装置的制造方法，其中，在23℃下于MD方向及CD方向测定的所述扩张用的粘合片的断裂伸长率为100％以上。
[5]上述[1]～[4]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述膨胀性粒子是膨胀起始温度(t)为60～270℃的热膨胀性粒子，所述工序(3)是通过对所述粘合片(A)加热而将粘贴于粘合片(B)的所述多个芯片与粘合片(A)分离的工序。
[6]上述[1]～[5]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，工序(1)包含在将所述被加工物进行切割之后对粘合片(A)进行拉伸的处理。
[7]上述[1]～[6]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述膨胀性粒子膨胀之前，在23℃下的粘合片(A)的粘合剂层(X1)的粘合力为0.1～10.0N/25mm。
[8]上述[1]～[7]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，粘合片(A)所具有的基材(Y1)的表面的探针粘性值小于50mN/5mmφ。
[9]上述[1]～[8]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，粘合片(A)所具有的基材(Y1)是包含所述膨胀性粒子的膨胀性基材(Y1-1)。
[10]上述[1]～[9]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述被加工物是半导体晶片。
[11]上述[10]所述的半导体装置的制造方法，其是扇出型半导体装置的制造方法。
发明的效果
根据本发明，可以提供一种半导体装置的制造方法，该制造方法可以容易地将切割被加工物而得到的多个芯片转印至其它粘合片，并且可以有效地抑制转印时的芯片缺损的发生。
附图说明
[图1]是示出本实施方式的制造方法中使用的粘合片(A)的构成的一例的、(a)粘合片a1、(b)粘合片b1的剖面图。
[图2]是说明本实施方式涉及的制造方法的一例的剖面图。
[图3]是接着图2而说明本实施方式涉及的制造方法的一例的剖面图。
[图4]是接着图3而说明本实施方式涉及的制造方法的一例的剖面图。
[图5]是接着图4而说明本实施方式涉及的制造方法的一例的剖面图。
[图6]是接着图5而说明本实施方式涉及的制造方法的一例的剖面图。
[图7]是接着图6而说明本实施方式涉及的制造方法的一例的剖面图。
[图8]是接着图7而说明本实施方式涉及的制造方法的一例的剖面图。
[图9]是接着图8而说明本实施方式涉及的制造方法的一例的剖面图。
[图10]是接着图9而说明本实施方式涉及的制造方法的一例的剖面图。
[图11]是说明实施例中使用的双向拉伸扩张装置的俯视图。
符号说明
1a 粘合片(A)
1b 粘合片(A)
40 密封材料
41 固化密封材料
45 半导体芯片CP的周边部
50 固化密封体
50a 面
61 第1绝缘层
62 第2绝缘层
70 再布线
70A 外部电极垫
80 外部端子电极
100 半导体装置
200 扩张装置
210 保持手段
CP 半导体芯片
W1 电路面
W2 电路
W3 内部端子电极
具体实施方式
本说明书中，“有效成分”是指作为对象的组合物中所含的成分中除了稀释溶剂以外的成分。
另外，重均分子量(Mw)是利用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的标准聚苯乙烯换算的值，具体是指基于实施例中记载的方法测得的值。
在本说明书中，例如“(甲基)丙烯酸”表示的是丙烯酸及甲基丙烯酸两者的含义，其它类似用语也同样。
此外，关于优选的数值范围(例如含量等的范围)，逐级地记载的下限值及上限值可以分别独立地进行组合。例如，“优选为10～90，更优选为30～60”这样的记载也可以将“优选的下限值(10)”与“更优选的上限值(60)”组合而得到“10～60”。
在本说明书中，“芯片的转印”是指以下操作：将粘贴于一个粘合片上的芯片的露出的面粘贴在另一粘合片上之后，将上述一个粘合片从芯片分离，从而使芯片由一个粘合片转移至另一个粘合片。
本实施方式涉及的半导体装置的制造方法是使用膨胀性的粘合片(A)的半导体装置的制造方法，所述粘合片(A)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、且任意层中包含膨胀性粒子，
该方法依次具有下述工序(1)～(3)，
工序(1)：将被加工物粘贴于粘合片(A)的粘合剂层(X1)之后，将该被加工物进行切割，在粘合剂层(X1)上得到经过了单片化的多个芯片的工序；
工序(2)：使用具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)的粘合片(B)，将粘合片(B)的粘合剂层(X2)粘贴于所述多个芯片的与和粘合剂层(X1)相接触的面相反侧的面的工序；
工序(3)：使所述膨胀性粒子膨胀，将粘贴于粘合片(B)的所述多个芯片与粘合片(A)分离的工序。
作为本实施方式中使用的被加工物，可以举出例如半导体晶片、LED(LightEmitting Diode)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、陶瓷器件、半导体封装、具有多个器件的半导体装置等在制造工序被进行切割加工的材料。
另外，本说明书中，所谓“芯片”是指将上述被加工物进行了单片化而得到的。
以下，首先对本实施方式的制造方法中使用的粘合片(A)进行说明，然后，对于包括工序(1)～(3)在内的各制造工序进行说明。
[粘合片(A)]
粘合片(A)是具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)、且任意层中包含膨胀性粒子的膨胀性的粘合片。
粘合片(A)在使膨胀性粒子膨胀之前，可以通过粘合剂层(X1)的粘合表面将被加工物牢固地固定，因此，在被加工物的切割工序中，可以抑制被加工物的位置偏移、操作性良好地实施切割。
另一方面，将粘合片(A)与切割被加工物而得到的芯片进行分离时，通过使膨胀性粒子膨胀而在粘合剂层(X1)的粘合表面形成凹凸，由此使粘合剂层(X1)的粘合表面与芯片的接触面积减少，与以往的紫外线固化型的切割胶带相比，可以减小粘接力。其结果，切割而得到的多个芯片可以无需复杂的制造装置而容易地一次性地转印至其它粘合片，并且，还可以抑制此时的芯片的位置偏移及芯片缺损的发生。
另外，在将粘合片(A)与芯片进行分离时，通过局部地对粘合片(A)进行加热，还可以不必将切割所得到的所有芯片、而是将所得到的芯片中的一部分芯片选择性地分离。具体来说，可以举出将切割而得到的多个芯片分割为多个单元，并将每一个该单元转印至其它粘合片上的方式。
图1(a)及(b)是粘合片(A)的一个方式的粘合片1a、粘合片1b的示意剖面图。
在本发明的一个方式中，优选如粘合片1a、1b那样、基材(Y1)为包含膨胀性粒子的膨胀性基材(Y1-1)。
图1(a)所示的粘合片1a在基材(Y1-1)的一面具有粘合剂层(X1)。粘合片1a是将被加工物粘贴于粘合剂层(X1)上、再将该被加工物切割而得到多个芯片后进行分离而得到的。在将粘合片1a与芯片进行分离时，通过使基材(Y1-1)中的膨胀性粒子膨胀，使粘合剂层(X1)的与芯片相接的表面产生凹凸，从而可以容易地进行在粘合剂层(X1)与芯片的界面的分离。
图1(b)所示的粘合片1b在基材(Y1-1)的一面具有粘合剂层(X1)、在另一面具有非膨胀性基材(Y1’)。粘合片1b与粘合片1a同样地被使用，但在使基材(Y1-1)中的膨胀性粒子膨胀的情况下，通过存在非膨胀性基材(Y1’)，可以抑制基材(Y1-1)的非膨胀性基材(Y1’)侧的表面中的凹凸的产生，由此可以更有效地形成粘合剂层(X1)侧的表面中的凹凸。
粘合片(A)的构成并不限定于图1(a)及(b)所示的构成，例如也可以是在基材(Y1)(图1中的(Y1-1))和粘合剂层(X1)之间具有其它层的构成。其中，从制成能够以微小的力而分离的粘合片的观点出发，优选具有基材(Y1)和粘合剂层(X1)直接层叠而成的构成。另外，还可以是在基材(Y1)的与粘合剂层(X1)相反侧的面上具有其它粘合剂层的构成。
粘合片(A)也可以在粘合剂层(X1)上具有剥离材料。在将粘合片(A)用于本实施方式的制造方法时，剥离材料被适宜地剥离除去。
粘合片(A)的形状可以采取片状、带状、标签状等所有的形状。
(膨胀性粒子)
粘合片(A)在基材(Y1)及粘合剂层(X1)的任意层中包含膨胀性粒子。
膨胀性粒子只要是能够在外部刺激下其自身膨胀而在粘合剂层(X1)的粘合表面形成凹凸，从而使其与被粘附物的粘接力降低的粒子，则没有特别限定。
作为膨胀性粒子，可举出例如通过加热而膨胀的热膨胀性粒子、通过照射能量线而膨胀的能量线膨胀性粒子等，但从通用性及操作性的观点出发，优选为热膨胀性粒子。
热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)优选为60～270℃、更优选为70～260℃、进一步优选为80～250℃。
需要说明的是，在本说明书中，热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)是指按照以下的方法测得的值。
[热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)的测定方法]
在直径6.0mm(内径5.65mm)、深度4.8mm的铝杯中加入作为测定对象的热膨胀性粒子0.5mg，从其上方放上铝盖(直径5.6mm、厚度0.1mm)，从而制作试料。
使用动态粘弹性测定装置，在从铝盖上部通过压头对该试料施加了0.01N的力的状态下，测定试料的高度。然后，在通过压头施加了0.01N的力的状态下、以10℃/min的升温速度从20℃加热至300℃，测定压头在垂直方向的位移量，将向正向的位移起始温度设定为膨胀起始温度(t)。
作为热膨胀性粒子，优选微胶囊化发泡剂，其由外壳、和内包于该外壳且被加热至给定温度时发生气化的内包成分构成，所述外壳由热塑性树脂构成。
作为构成微胶囊化发泡剂的外壳的热塑性树脂，可以列举例如：偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、聚砜等。
作为内包于外壳的内包成分，可以列举例如：丙烷、丁烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、异丁烷、异戊烷、异己烷、异庚烷、异辛烷、异壬烷、异癸烷、环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环辛烷、新戊烷、十二碳烷、异十二碳烷、环十三碳烷、己基环己烷、十三碳烷、十四碳烷、十五碳烷、十六碳烷、十七碳烷、十八碳烷、十九碳烷、异十三碳烷、4-甲基十二碳烷、异十四碳烷、异十五碳烷、异十六碳烷、2,2,4,4,6,8,8-七甲基壬烷、异十七碳烷、异十八碳烷、异十九碳烷、2,6,10,14-四甲基十五碳烷、环十三碳烷、庚基环己烷、正辛基环己烷、环十五碳烷、壬基环己烷、癸基环己烷、十五烷基环己烷、十六烷基环己烷、十七烷基环己烷、十八烷基环己烷等。这些内包成分可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)可以通过适宜选择内包成分的种类来调整。
加热至热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)以上的温度时的体积最大膨胀率优选为1.5～100倍、更优选为2～80倍、进一步优选为2.5～60倍、更进一步优选为3～40倍。
膨胀前的膨胀性粒子在23℃下的平均粒径优选为3～100μm、更优选为4～70μm、进一步优选为6～60μm、更进一步优选为10～50μm。
需要说明的是，膨胀性粒子的膨胀前的平均粒径是指体积中位粒径(D50)，是使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如Malvern公司制、产品名“Master Sizer 3000”)测得的、在膨胀前的膨胀性粒子的粒子分布中从膨胀前的膨胀性粒子的粒径小者开始计算而得到的累积体积频率相当于50％的粒径。
作为膨胀前的膨胀性粒子在23℃下的90％粒径(D90)，优选为10～150μm、更优选为20～100μm、进一步优选为25～90μm、更进一步优选为30～80μm。
需要说明的是，膨胀前的膨胀性粒子的90％粒径(D90)是指，使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如Malvern公司制、产品名“Master Sizer 3000”)测得的、在膨胀前的膨胀性粒子的粒子分布中从膨胀前的膨胀性粒子的粒径小者开始计算而得到的累积体积频率相当于90％的粒径。
相对于含有膨胀性粒子的层的有效成分的总量(100质量％)，膨胀性粒子的含量优选为1～40质量％、更优选为5～35质量％、进一步优选为10～30质量％、更进一步优选为15～25质量％。
(基材(Y1))
粘合片(A)所具有的基材(Y1)是非粘合性的基材。
在本发明中，是否是非粘合性的基材的判断如下进行：对于作为对象的基材的表面，基于JIS Z0237:1991基准测定了探针粘性值，如果测得的探针粘性值小于则将该基材判断为“非粘合性的基材”。
在此，本实施方式中使用的基材(Y1)的表面的探针粘性值通常小于50mN/5mmφ，优选小于30mN/5mmφ、更优选小于10mN/5mmφ、进一步优选小于5mN/5mmφ。
需要说明的是，在本说明书中，基材(Y1)表面的探针粘性值的具体测定方法采用实施例中记载的方法。
基材(Y1)的厚度优选为10～1000μm、更优选为20～500μm、进一步优选为25～400μm、更进一步优选为30～300μm。
需要说明的是，在本说明书中，基材(Y1)的厚度是指按照实施例中记载的方法测得的值。
基材(Y1)可以由树脂组合物(y1)形成。以下，对于作为基材(Y1)的形成材料的树脂组合物(y1)所包含的各成分进行说明。
〔树脂〕
作为树脂组合物(y1)所含的树脂，只要是使基材(Y1)成为非粘合性的树脂就没有特别限定，可以为非粘合性树脂，也可以为粘合性树脂。也就是说，即使树脂组合物(y1)所含的树脂为粘合性树脂，只要在由树脂组合物(y1)形成基材(Y1)的过程中，该粘合性树脂与聚合性化合物发生聚合反应，得到的树脂成为非粘合性树脂，从而使包含该树脂的基材(Y1)成为非粘合性即可。
树脂组合物(y1)所含的上述树脂的重均分子量(Mw)优选为1,000～100万、更优选为1,000～70万、进一步优选为1,000～50万。
该树脂为具有2种以上的结构单元的共聚物的情况下，该共聚物的形态没有特别限定，可以为嵌段共聚物、无规共聚物、接枝共聚物中的任意形态。
相对于树脂组合物(y1)的有效成分的总量(100质量％)，上述树脂的含量优选为50～99质量％、更优选为60～95质量％、进一步优选为65～90质量％、更进一步优选为70～85质量％。
树脂组合物(y1)所含的上述树脂优选包含选自丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂中的一种以上。作为丙烯酸氨基甲酸酯类树脂，优选氨基甲酸酯预聚物(UP)和包含(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物聚合而成的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)。需要说明的是，这些树脂特别是在树脂组合物(y1)含有膨胀性粒子的情况下从其膨胀性的观点出发是合适的。
〔丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)〕
作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)主链的氨基甲酸酯预聚物(UP)，可以列举多元醇与多异氰酸酯的反应物。
需要说明的是，氨基甲酸酯预聚物(UP)优选进一步实施使用了扩链剂的扩链反应而得到。
作为成为氨基甲酸酯预聚物(UP)的原料的多元醇，可以列举例如：亚烷基型多元醇、醚型多元醇、酯型多元醇、酯酰胺型多元醇、酯/醚型多元醇、碳酸酯型多元醇等。
这些多元醇可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
作为本实施方式中使用的多元醇，优选为二醇，更优选为酯型二醇、亚烷基型二醇及碳酸酯型二醇，进一步优选为酯型二醇、碳酸酯型二醇。
作为酯型二醇，可以列举例如：从1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等链烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等亚烷基二醇等二醇类中选择的一种或2种以上与选自邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、萘二甲酸、4,4-二苯基二甲酸、二苯甲烷-4,4'-二甲酸、琥珀酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、氯桥酸、马来酸、富马酸、衣康酸、1,3-环己烷二甲酸、1,4-环己烷二甲酸、六氢邻苯二甲酸、六氢间苯二甲酸、六氢对苯二甲酸、甲基六氢邻苯二甲酸等二羧酸及它们的酸酐中的一种或2种以上形成的缩聚物。
具体地，可以列举：聚己二酸乙二醇酯二醇、聚己二酸丁二醇酯二醇、聚己二酸己二醇酯二醇、聚间苯二甲酸六亚甲基二醇酯二醇、聚己二酸新戊二醇酯二醇、聚己二酸乙二醇丙二醇酯二醇、聚己二酸乙二醇丁二醇酯二醇、聚己二酸丁二醇六亚甲基二醇酯二醇、聚己二酸二乙二醇酯二醇、聚己二酸(聚四亚甲基醚)二醇酯二醇、聚(己二酸3-甲基戊二醇酯)二醇、聚壬二酸乙二醇酯二醇、聚癸二酸乙二醇酯二醇、聚壬二酸丁二醇酯二醇、聚癸二酸丁二醇酯二醇及聚对苯二甲酸新戊二醇酯二醇等。
作为亚烷基型二醇，可以列举例如：1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、1,6-己二醇等链烷二醇；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇等亚烷基二醇；聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等聚亚烷基二醇；聚四亚甲基二醇等聚氧亚烷基二醇；等等。
作为碳酸酯型二醇，可以列举例如：碳酸1,4-丁二醇酯二醇、碳酸1,5-戊二醇酯二醇、碳酸1,6-己二醇酯二醇、碳酸1,2-丙二醇酯二醇、碳酸1,3-丙二醇酯二醇、碳酸2,2-二甲基丙二醇酯二醇、碳酸1,7-庚二醇酯二醇、碳酸1,8-辛二醇酯二醇、碳酸1,4-环己烷二醇酯二醇等。
作为氨基甲酸酯预聚物(UP)的原料的多异氰酸酯，可以列举芳香族多异氰酸酯、脂肪族多异氰酸酯、脂环族多异氰酸酯等。
这些多异氰酸酯可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
另外，这些多异氰酸酯也可以是三羟甲基丙烷加合型改性物、与水反应而得到的双缩脲型改性物、含有三聚异氰酸酯环的三聚异氰酸酯型改性物。
这些当中，作为本发明的一个方式中使用的多异氰酸酯，优选二异氰酸酯，更优选选自4,4’-二苯甲烷二异氰酸酯(MDI)、2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-TDI)、2,6-甲苯二异氰酸酯(2,6-TDI)、六亚甲基二异氰酸酯(HMDI)、及脂环族二异氰酸酯中的一种以上。
作为脂环族二异氰酸酯，可以列举例如：3-异氰酸酯基甲基-3,5,5-三甲基环己基异氰酸酯(异佛尔酮二异氰酸酯、IPDI)、1,3-环戊烷二异氰酸酯、1,3-环己烷二异氰酸酯、1,4-环己烷二异氰酸酯、甲基-2,4-环己烷二异氰酸酯、甲基-2,6-环己烷二异氰酸酯等，优选异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)。
在本实施方式中，作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)主链的氨基甲酸酯预聚物(UP)，为二醇与二异氰酸酯的反应物，优选为两末端具有烯属不饱和基团的直链氨基甲酸酯预聚物。
作为在该直链氨基甲酸酯预聚物的两末端导入烯属不饱和基团的方法，可以列举：使直链氨基甲酸酯预聚物的末端的NCO基与(甲基)丙烯酸羟基烷基酯反应的方法，所述直链氨基甲酸酯预聚物是二醇与二异氰酸酯化合物反应而形成的。
作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，可以列举例如：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。
作为形成丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)的支链的乙烯基化合物，至少包含(甲基)丙烯酸酯。
作为(甲基)丙烯酸酯，优选为选自(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯中的1种以上，更优选组合使用(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯。
在组合使用(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的情况下，相对于(甲基)丙烯酸烷基酯100质量份，作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的配合比例，优选为0.1～100质量份，更优选为0.5～30质量份，进一步优选为1.0～20质量份，更进一步优选为1.5～10质量份。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基的碳原子数，优选为1～24，更优选为1～12，进一步优选为1～8，更进一步优选为1～3。
作为(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，可以列举与为了在上述的直链氨基甲酸酯预聚物的两末端导入烯属不饱和基团而使用的(甲基)丙烯酸羟基烷基酯相同的那些。
作为除(甲基)丙烯酸酯以外的乙烯基化合物，可以列举例如：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等芳香烃类乙烯基化合物；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚类；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、(甲基)丙烯酸、马来酸、富马酸、衣康酸、(甲基)丙烯酰胺等含有极性基团的单体；等等。
这些乙烯基化合物可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
作为乙烯基化合物中的(甲基)丙烯酸酯的含量，相对于该乙烯基化合物的总量(100质量％)，优选为40～100质量％，更优选为65～100质量％，进一步优选为80～100质量％，更进一步优选为90～100质量％。
作为乙烯基化合物中的(甲基)丙烯酸烷基酯及(甲基)丙烯酸羟基烷基酯的总含量，相对于该乙烯基化合物的总量(100质量％)优选为40～100质量％，更优选为65～100质量％，进一步优选为80～100质量％，更进一步优选为90～100质量％。
本实施方式中使用的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)可以通过将氨基甲酸酯预聚物(UP)与包含(甲基)丙烯酸酯的乙烯基化合物混合、并使两者聚合而得到。
在该聚合中，优选进一步加入自由基引发剂进行。
在本实施方式所使用的丙烯酸氨基甲酸酯类树脂(U1)中，作为来自氨基甲酸酯预聚物(UP)的结构单元(u11)与来自乙烯基化合物的结构单元(u12)的含量比〔(u11)/(u12)〕，以质量比计优选为10/90～80/20，更优选为20/80～70/30，进一步优选为30/70～60/40，更进一步优选为35/65～55/45。
〔烯烃类树脂〕
作为树脂组合物(y1)中包含的树脂，适宜的烯烃类树脂是至少具有来自烯烃单体的结构单元的聚合物。
作为上述烯烃单体，优选为碳原子数2～8的α-烯烃，具体可以列举：乙烯、丙烯、丁烯、异丁烯、1-己烯等。
其中，优选为乙烯及丙烯。
作为具体的烯烃类树脂，可以列举例如：超低密度聚乙烯(VLDPE、密度：880kg/m3以上且低于910kg/m3)、低密度聚乙烯(LDPE、密度：910kg/m3以上且低于915kg/m3)、中密度聚乙烯(MDPE、密度：915kg/m3以上且低于942kg/m3)、高密度聚乙烯(HDPE、密度：942kg/m3以上)、直链状低密度聚乙烯等聚乙烯树脂；聚丙烯树脂(PP)；聚丁烯树脂(PB)；乙烯-丙烯共聚物；烯烃类弹性体(TPO)；聚(4-甲基-1-戊烯)(PMP)；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)；乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)；乙烯-丙烯-(5-亚乙基-2-降冰片烯)等烯烃类三元共聚物；等等。
在本实施方式中，烯烃类树脂可以是进一步实施了选自酸改性、羟基改性及丙烯酰基改性中的一种以上改性而得到的改性烯烃类树脂。
例如，作为对烯烃类树脂实施酸改性而得到的酸改性烯烃类树脂，可以列举在上述的未改性的烯烃类树脂上接枝聚合不饱和羧酸或其酸酐而成的改性聚合物。
作为上述的不饱和羧酸或其酸酐，可以列举例如：马来酸、富马酸、衣康酸、柠康酸、戊烯二酸、四氢邻苯二甲酸、乌头酸、(甲基)丙烯酸、马来酸酐、衣康酸酐、戊烯二酸酐、柠康酸酐、乌头酸酐、降冰片烯二酸酐、四氢邻苯二甲酸酐等。
需要说明的是，不饱和羧酸或其酸酐可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
作为对烯烃类树脂实施丙烯酰基改性而得到的丙烯酰基改性烯烃类树脂，可以列举在作为主链的上述的未改性烯烃类树脂上接枝聚合(甲基)丙烯酸烷基酯作为侧链而成的改性聚合物。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基的碳原子数，优选为1～20，更优选为1～16，进一步优选为1～12。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可以列举与后文叙述的能够选择作为单体(a1’)的化合物同样的那些。
作为对烯烃类树脂实施羟基改性而成的羟基改性烯烃类树脂，可以列举在作为主链的上述的未改性烯烃类树脂接枝聚合含羟基化合物而成的改性聚合物。
作为上述的含羟基化合物，可以列举例如：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯类；乙烯醇、烯丙醇等不饱和醇类等。
〔丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂〕
在本实施方式中，在不损害本发明效果的范围内，树脂组合物(y1)可以含有丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂。
作为这样的树脂，可以列举例如：聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇等乙烯基类树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯类树脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纤维素；聚碳酸酯；不属于丙烯酸氨基甲酸酯类树脂的聚氨酯；聚砜；聚醚醚酮；聚醚砜；聚苯硫醚；聚醚酰亚胺、聚酰亚胺等聚酰亚胺类树脂；聚酰胺类树脂；丙烯酸树脂；氟树脂等。
作为除丙烯酸氨基甲酸酯类树脂及烯烃类树脂以外的树脂的含有比例，相对于树脂组合物(y1)中包含的树脂的总量100质量份，优选小于30质量份，更优选小于20质量份，进一步优选小于10质量份，更进一步优选小于5质量份，再进一步优选小于1质量份。
树脂组合物(y1)优选包含膨胀性粒子。
对于粘合片(A)而言，由于膨胀性粒子并不是包含于粘合剂层、而是包含于弹性模量高的基材(Y1)中，因此，载置以半导体晶片为代表的被加工物的粘合剂层(X1)的厚度的调整、粘合力、粘弹性系数等的控制等、设计的自由度提高。由此，可以抑制得到的芯片的位置偏移及芯片缺损的产生。进而，在使用粘合片(A)的情况下，芯片被载置于粘合剂层(X1)的粘合表面，因此，包含膨胀性粒子的基材(Y1)与芯片不会直接接触。由此，可以抑制来自于膨胀性粒子的残渣及变形明显的粘合剂层的一部分附着于芯片、以及形成在粘合剂层的凹凸形状被转印到芯片上，从而能够以保持洁净性的状态将芯片供于接下来的工序。
膨胀性粒子的优选含量如上所述。
树脂组合物(y1)还可以在不损害本发明效果的范围内根据需要含有基材用添加剂。
作为基材用添加剂，可以列举例如：紫外线吸收剂、光稳定剂、抗氧剂、抗静电剂、爽滑剂、防粘连剂、着色剂等。这些基材用添加剂可以分别单独使用，也可以组合使用2种以上。
在含有这些基材用添加剂的情况下，相对于树脂组合物(y1)中的上述树脂100质量份，各基材用添加剂的含量优选为0.0001～20质量份，更优选为0.001～10质量份。
〔无溶剂型树脂组合物(y1’)〕
作为本实施方式中使用的树脂组合物(y1)的一个方式，可以列举无溶剂型树脂组合物(y1’)，所述无溶剂型树脂组合物(y1’)配合重均分子量(Mw)为50000以下的具有烯属不饱和基团的低聚物、能量线聚合性单体、以及上述的膨胀性粒子而成、且未配合溶剂。
在无溶剂型树脂组合物(y1’)中，虽然未配合溶剂，但能量线聚合性单体有助于提高上述低聚物的塑性。
通过对由无溶剂型树脂组合物(y1’)形成的涂膜照射能量线，可以得到基材(Y1)。
对于无溶剂型树脂组合物(y1’)中配合的膨胀性粒子的种类、形状、配合量(含量)，如上所述。
无溶剂型树脂组合物(y1’)中包含的上述低聚物的重均分子量(Mw)为50000以下，优选为1000～50000，更优选为2000～40000，进一步优选为3000～35000，更进一步优选为4000～30000。
作为上述低聚物，只要是上述的树脂组合物(y1)中包含的树脂中重均分子量(Mw)为50000以下的具有烯属不饱和基团的低聚物即可，优选为上述的氨基甲酸酯预聚物(UP)。
需要说明的是，作为该低聚物，也可以使用具有烯属不饱和基团的改性烯烃类树脂等。
相对于无溶剂型树脂组合物(y1’)的总量(100质量％)，无溶剂型树脂组合物(y1’)中上述低聚物及能量线聚合性单体的总含量优选为50～99质量％，更优选为60～95质量％，进一步优选为65～90质量％，更进一步优选为70～85质量％。
作为能量线聚合性单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、双环戊烯基氧基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯、丙烯酸三环癸酯等脂环式聚合性化合物；丙烯酸苯基羟丙酯、丙烯酸苄酯、苯酚环氧乙烷改性丙烯酸酯等芳香族聚合性化合物；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸吗啉酯、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺等杂环式聚合性化合物等。
这些能量线聚合性单体可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
无溶剂型树脂组合物(y1’)中，上述低聚物与上述能量线聚合性单体的含量比(上述低聚物/能量线聚合性单体)以质量比计优选为20/80～90/10，更优选为30/70～85/15，进一步优选为35/65～80/20。
在本实施方式中，优选无溶剂型树脂组合物(y1’)进一步配合光聚合引发剂而成。
通过含有光聚合引发剂，也可以利用照射较低能量的能量线而充分进行固化反应。
作为光聚合引发剂，可以列举例如：1-羟基环己基苯基甲酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻丙基醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、双乙酰、8-氯蒽醌等。
这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
相对于上述低聚物及能量线聚合性单体的总量(100质量份)，光聚合引发剂的配合量优选为0.01～5质量份，更优选为0.01～4质量份，进一步优选为0.02～3质量份。
从提高基材(Y1)与待层叠的其它层之间的层间密合性的观点出发，可以对基材(Y1)的表面是使基于氧化法、凹凸化法等的表面处理、底涂处理、易粘接处理。作为氧化法，可以列举例如电晕放电处理、等离子体放电处理、铬酸处理(湿法)、热风处理、臭氧、紫外线照射处理等，作为凹凸化法，可以列举例如，喷砂法、溶剂处理法等。
〔基材(Y1)的储能模量〕
基材(Y1)在23℃下的储能模量E’(23)优选为1.0×106Pa以上、更优选为5.0×106～5.0×1012Pa、进一步优选为1.0×107～1.0×1012Pa、更进一步优选为5.0×107～1.0×1011Pa、再进一步优选为1.0×108～1.0×1010Pa。如果基材(Y1)的储能模量E’(23)为上述范围内，则可以抑制切割中的被加工物的位置偏移及转印芯片时的位置偏移的发生。
需要说明的是，在本说明书中，给定温度下的基材(Y1)的储能模量E’是指按照实施例中记载的方法测得的值。
基材(Y1)为膨胀性基材(Y1-1)、且包含热膨胀性粒子作为膨胀性粒子的情况下，膨胀性基材(Y1-1)在上述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下的储能模量E’(t)优选为1.0×107Pa以下。由此，在使热膨胀性粒子膨胀的温度下，膨胀性基材(Y1-1)容易跟随热膨胀性粒子的体积膨胀而发生变形，易于在粘合剂层(X1)的粘合表面形成凹凸。由此，可以利用小的外力从芯片上分离。
从上述观点出发，膨胀性基材(Y1-1)的储能模量E’(t)更优选为9.0×106Pa以下、进一步优选为8.0×106Pa以下、更进一步优选为6.0×106Pa以下、再进一步优选为4.0×106Pa以下。另外，从抑制膨胀后的热膨胀性粒子的流动、提高形成于粘合剂层(X1)的粘合表面的凹凸的形状保持性、进一步提高分离性的观点出发，膨胀性基材(Y1-1)的储能模量E’(t)优选为1.0×103Pa以上、更优选为1.0×104Pa以上、进一步优选为1.0×105Pa以上。
(非膨胀性基材(Y1’))
粘合片(A)可以在膨胀性基材(Y1-1)的一面具有粘合剂层(X1)、在另一面具有非膨胀性基材(Y1’)。
本说明书中的“非膨胀性基材”定义如下：在粘合片(A)中所含的膨胀性粒子发生膨胀的条件下进行处理时，由下式计算出的体积变化率小于5体积％的基材。
体积变化率(％)＝(处理后的上述层的体积-处理前的上述层的体积)/处理前的上述层的体积×100
由上式计算出的非膨胀性基材(Y1’)的体积变化率(％)优选小于2体积％、更优选小于1体积％、进一步优选小于0.1体积％、更进一步优选小于0.01体积％。
对于膨胀性粒子发生膨胀的条件而言，在膨胀性粒子为热膨胀性粒子的情况下，是在膨胀起始温度(t)下实施3分钟的加热处理的条件。
非膨胀性基材(Y1’)也可以含有膨胀性粒子，但其含量越少越好，相对于非膨胀性基材(Y1’)的总质量(100质量％)通常小于3质量％、优选小于1质量％、更优选小于0.1质量％、进一步优选小于0.01质量％、更进一步优选小于0.001质量％、最优选不含膨胀性粒子。
作为非膨胀性基材(Y1’)的形成材料，可以列举例如纸材、树脂、金属等。
作为纸材，可以列举例如：薄页纸、中级纸、全化浆纸、浸渍纸、涂布纸、铜版纸、羊皮纸、玻璃纸等。
作为树脂，可以列举例如：聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃树脂；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚乙烯醇、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物等乙烯基类树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯类树脂；聚苯乙烯；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物；三乙酸纤维素；聚碳酸酯；聚氨酯、丙烯酸改性聚氨酯等氨基甲酸酯树脂；聚甲基戊烯；聚砜；聚醚醚酮；聚醚砜；聚苯硫醚；聚醚酰亚胺、聚酰亚胺等聚酰亚胺类树脂；聚酰胺类树脂；丙烯酸类树脂；氟树脂等。
作为金属，可以列举例如：铝、锡、铬、钛等。
这些形成材料可以由一种构成，也可以将2种以上组合使用。
作为组合使用了2种以上形成材料的非膨胀性基材(Y1’)，可以列举用聚乙烯等热塑性树脂将纸材层压而得到的材料、在包含树脂的树脂膜或片的表面形成了金属膜而得到的材料等。
需要说明的是，作为金属层的形成方法，可以列举例如：通过真空蒸镀、溅射、离子镀等的PVD法来蒸镀上述金属的方法；或者，使用通常的粘合剂粘贴由上述金属形成的金属箔的方法等。
粘合片(A)具有非膨胀性基材(Y1’)的情况下，使膨胀性粒子膨胀之前的膨胀性基材(Y1-1)与非膨胀性基材(Y1’)的厚度比〔(Y1-1)/(Y1’)〕优选为0.02～200、更优选为0.03～150、进一步优选为0.05～100。
从提高非膨胀性基材(Y1’)与待层叠的其它层之间的层间密合性的观点出发，在非膨胀性基材(Y1’)包含树脂的情况下，与上述的基材(Y1)同样地，也可以对非膨胀性基材(Y1’)的表面实施基于氧化法、凹凸化法等的表面处理、底涂处理、易粘接处理。
非膨胀性基材(Y1’)包含树脂的情况下，也可以在含有该树脂的同时，还含有能够在树脂组合物(y1)中含有的上述的基材用添加剂。
(粘合剂层(X1))
粘合剂层(X1)是具有粘合性的层。粘合剂层(X1)含有粘合性树脂，并且根据需要还可以含有交联剂、增粘剂、聚合性化合物、聚合引发剂等粘合剂用添加剂。
对于粘合剂层(X1)的粘合表面的粘合力而言，在膨胀性粒子发生膨胀之前的23℃下优选为0.1～10.0N/25mm、更优选为0.2～8.0N/25mm、进一步优选为0.4～6.0N/25mm、更进一步优选为0.5～4.0N/25mm。如果上述粘合力为0.1N/25mm以上，则能够充分地固定被加工物，从而能够抑制切割中的被加工物的位置偏移的发生。另一方面，如果该粘合力为10.0N/25mm以下，则在与芯片分离时，能够以微小的力容易地进行分离。
需要说明的是，上述的粘合力是按照实施例中记载的方法测得的值。
粘合剂层(X1)在23℃下的剪切模量G’(23)优选为1.0×104～1.0×108Pa、更优选为5.0×104～5.0×107Pa、进一步优选为1.0×105～1.0×107Pa。如果粘合剂层(X1)的剪切模量G’(23)为1.0×104Pa以上，则在与芯片分离时可以防止芯片的位置偏移。另一方面，如果粘合剂层(X1)的剪切模量G’(23)为1.0×108Pa以下，则基于发生了膨胀的膨胀性粒子而容易在粘合表面形成凹凸，从而能够以微小的力容易地分离。
粘合片(A)为具有多个粘合剂层的粘合片的情况下，优选粘贴芯片的粘合剂层的剪切模量G’(23)为上述范围内，且优选与基材(Y1)相比粘贴芯片一侧的所有粘合剂层的剪切模量G’(23)为上述范围内。
需要说明的是，在本说明书中，粘合剂层(X1)的剪切模量G’(23)是指按照实施例所记载的方法测得的值。
从表现出优异的粘合力的观点、以及容易通过膨胀性基材中的膨胀性粒子因加热处理带来的膨胀而在形成的粘合剂层的表面形成凹凸的观点出发，粘合剂层(X1)的厚度优选为1～60μm、更优选为2～50μm、进一步优选为3～40μm、更进一步优选为5～30μm。
从防止芯片的位置偏移的观点出发，基材(Y1)的厚度与粘合剂层(X1)的厚度之比(基材(Y1)/粘合剂层(X1))在23℃下优选为0.2以上、更优选为0.5以上、进一步优选为1.0以上、更进一步优选为5.0以上，另外，从制成在分离时能够以微小的力容易地分离的粘合片的观点出发，优选为1000以下、更优选为200以下、进一步优选为60以下、更进一步优选为30以下。
粘合剂层(X1)的厚度是指按照实施例所记载的方法测得的值。
粘合剂层(X1)可以由包含粘合性树脂的粘合剂组合物(x1)来形成。以下，对于粘合剂组合物(x1)所包含的各成分进行说明。
〔粘合性树脂〕
对于作为粘合剂层(X1)的形成材料的粘合性树脂而言，优选为单独的该树脂具有粘合性、且重均分子量(Mw)为1万以上的聚合物。从提高粘合力的观点出发，粘合性树脂的重均分子量(Mw)更优选为1万～200万、进一步优选为2万～150万、更进一步优选为3万～100万。
作为粘合性树脂，可以列举例如：丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、聚异丁烯类树脂等橡胶类树脂、聚酯类树脂、烯烃类树脂、有机硅类树脂、聚乙烯基醚类树脂等。
这些粘合性树脂可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
另外，在这些粘合性树脂为具有2种以上结构单元的共聚物的情况下，该共聚物形态没有特别限定，可以是嵌段共聚物、无规共聚物及接枝共聚物中的任一种。
粘合性树脂也可以是在上述的粘合性树脂的侧链导入有聚合性官能团的能量线固化型粘合性树脂。
作为该聚合性官能团，可以列举(甲基)丙烯酰基、乙烯基等。
另外，作为能量线，可以列举：紫外线、电子束等，优选为紫外线。
相对于粘合剂组合物(x1)的有效成分的总量(100质量％)，粘合性树脂的含量优选为30～99.99质量％、更优选为40～99.95质量％、进一步优选为50～99.90质量％、更进一步优选为55～99.80质量％、再进一步优选为60～99.50质量％。
需要说明的是，在本说明书的以下记载中，“各成分相对于粘合剂组合物的有效成分的总量的含量”与“由该粘合剂组合物形成的粘合剂层中的各成分的含量”含义相同。
对于粘合性树脂而言，从表现出优异的粘合力、并且在进行分离时容易在粘合表面形成因膨胀性粒子的膨胀而带来的凹凸从而制成分离性得到了提高的粘合片的观点出发，优选包含丙烯酸类树脂。
作为粘合性树脂中的丙烯酸类树脂的含有比例，相对于粘合剂组合物(x1)中包含的粘合性树脂的总量(100质量％)，优选为30～100质量％、更优选为50～100质量％、进一步优选为70～100质量％、更进一步优选为85～100质量％。
〔丙烯酸类树脂〕
作为可以用作粘合性树脂的丙烯酸类树脂，可以列举例如：包含来源于具有直链或支链烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的聚合物、包含来源于具有环状结构的(甲基)丙烯酸酯的结构单元的聚合物等，更优选为丙烯酸类共聚物(A1)，所述丙烯酸类共聚物(A1)具有来源于(甲基)丙烯酸烷基酯(a1’)(以下，也称为“单体(a1’)”)的结构单元(a1)及来源于含官能团单体(a2’)(以下，也称为“单体(a2’)”)的结构单元(a2)。
作为单体(a1’)所具有的烷基的碳原子数，从提高粘合特性的观点考虑，优选为1～24，更优选为1～12，进一步优选为2～10，更进一步优选为4～8。
需要说明的是，单体(a1’)所具有的烷基可以是直链烷基，也可以是支链烷基。
作为单体(a1’)，可以列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。
这些单体(a1’)可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
作为单体(a1’)，优选为(甲基)丙烯酸丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
相对于丙烯酸类共聚物(A1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a1)的含量优选为50～99.9质量％，更优选为60～99.0质量％，进一步优选为70～97.0质量％，更进一步优选为80～95.0质量％。
作为单体(a2’)所具有的官能团，可以列举例如：羟基、羧基、氨基、环氧基等。
即，作为单体(a2’)，可以列举例如：含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。
这些单体(a2’)可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
其中，作为单体(a2’)，优选为含羟基单体及含羧基单体。
作为含羟基单体，可以列举例如与上述的含有羟基的化合物相同的那些。
作为含羧基单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和单羧酸；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸及其酸酐、琥珀酸2-(丙烯酰氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯等。
相对于丙烯酸类共聚物(A1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a2)的含量优选为0.1～40质量％，更优选为0.5～35质量％，进一步优选为1.0～30质量％，更进一步优选为3.0～25质量％。
丙烯酸类共聚物(A1)可以进一步具有来源于除单体(a1’)及(a2’)以外的其它单体(a3’)的结构单元(a3)。
需要说明的是，在丙烯酸类共聚物(A1)中，相对于丙烯酸类共聚物(A1)的全部结构单元(100质量％)，结构单元(a1)及(a2)的含量优选为70～100质量％，更优选为80～100质量％，进一步优选为90～100质量％，更进一步优选为95～100质量％。
作为单体(a3’)，可以列举例如：乙烯、丙烯、异丁烯等烯烃类；氯乙烯、偏二氯乙烯等卤代烯烃类；丁二烯、异戊二烯、氯丁二烯等二烯类单体类；(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、酰亚胺(甲基)丙烯酸酯等具有环状结构的(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰基吗啉、N-乙烯基吡咯烷酮等。
丙烯酸类共聚物(A1)可以是在侧链导入了聚合性官能团的能量线固化型丙烯酸类共聚物。作为该聚合性官能团及该能量线，如上所述。需要说明的是，聚合性官能团可以通过使具有上述的结构单元(a1)及(a2)的丙烯酸类共聚物与如下化合物进行反应而导入，所述化合物具有能够与该丙烯酸类共聚物的结构单元(a2)所具有的官能团键合的取代基和聚合性官能团。
作为上述化合物，可以列举例如：(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。
丙烯酸类树脂的重均分子量(Mw)优选为10万～150万、更优选为20万～130万、进一步优选为35万～120万、更进一步优选为50万～110万。
〔交联剂〕
粘合剂组合物(x1)包含上述丙烯酸类共聚物(A1)那样的含有官能团的粘合性树脂的情况下，优选进一步含有交联剂。
该交联剂是与具有官能团的粘合性树脂反应、并以该官能团作为交联起点使粘合性树脂彼此交联的物质。
作为交联剂，可以列举例如：异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮丙啶类交联剂、金属螯合物类交联剂等。
这些交联剂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
在这些交联剂当中，从提高凝聚力使粘合力增强的观点、以及容易获得等的观点考虑，优选为异氰酸酯类交联剂。
交联剂的含量可以通过粘合性树脂所具有的官能团的数量而适当调整，相对于具有官能团的粘合性树脂100质量份，优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～7质量份，进一步优选为0.05～5质量份。
〔增粘剂〕
从进一步提高粘合力的观点考虑，粘合剂组合物(x1)优选还含有增粘剂。
在本说明书中，“增粘剂”是指辅助性提高上述粘合性树脂的粘合力的成分，是重均分子量(Mw)低于1万的低聚物，与上述的粘合性树脂相区别。
增粘剂的重均分子量(Mw)优选为400～10000，更优选为500～8000，进一步优选为800～5000。
作为增粘剂，可以列举例如：松香类树脂、萜烯类树脂、苯乙烯类树脂、将石脑油热裂解所产生的戊烯、异戊二烯、间戊二烯(ピペリン)、1,3-戊二烯等C5馏分共聚而得到的C5系石油树脂、将石脑油热裂解所产生的茚、乙烯基甲苯等C9馏分共聚而得到的C9系石油树脂、以及将它们氢化而成的氢化树脂等。
增粘剂的软化点优选为60～170℃，更优选为65～160℃，进一步优选为70～150℃。
需要说明的是，在本说明书中，增粘剂的“软化点”是指按照JIS K 2531测得的值。
增粘剂可以单独使用，也可以组合使用软化点、结构等不同的2种以上。在使用2种以上的多种增粘剂的情况下，优选这些多种增粘剂的软化点的加权平均在上述范围。
相对于粘合剂组合物(x1)的有效成分总量(100质量％)，增粘剂的含量优选为0.01～65质量％，更优选为0.05～55质量％，进一步优选为0.1～50质量％，更进一步优选为0.5～45质量％，更进一步优选为1.0～40质量％。
〔光聚合引发剂〕
在本实施方式中，在粘合剂组合物(x1)包含能量线固化型粘合性树脂作为粘合性树脂的情况下，优选进一步含有光聚合引发剂。
通过制成含有能量线固化型粘合性树脂及光聚合引发剂的粘合剂组合物，即使通过照射较低能量的能量线，也能够充分进行固化反应，可以将粘合力调整至希望的范围。
需要说明的是，作为光聚合引发剂，可以举出与上述无溶剂型树脂组合物(y1)中配合的引发剂相同的那些。
相对于能量线固化型的粘合性树脂100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～10质量份，更优选为0.03～5质量份，进一步优选为0.05～2质量份。
〔粘合剂用添加剂〕
在本实施方式中，在不损害本发明效果的范围内，作为粘合剂层(X1)的形成材料的粘合剂组合物(x1)除了上述的添加剂以外，还可以含有通常的粘合剂中使用的粘合剂用添加剂。
作为这样的粘合剂用添加剂，可以列举例如：抗氧剂、软化剂(增塑剂)、防锈剂、颜料、染料、反应抑制剂、反应促进剂(催化剂)、紫外线吸收剂等。
需要说明的是，这些粘合剂用添加剂可以分别单独使用，也可以组合使用2种以上。
在含有这些粘合剂用添加剂的情况下，相对于粘合性树脂100质量份，各粘合剂用添加剂的含量优选为0.0001～20质量份，更优选为0.001～10质量份。
粘合剂层(X1)可以含有膨胀性粒子。其含量相对于粘合性树脂100质量份优选为5质量份以下、更优选为2质量份以下、最优选不含膨胀性粒子。
(剥离材料)
作为可任意使用的剥离材料，可以使用实施了双面剥离处理的剥离片、实施了单面剥离处理的剥离片等，可以举出在剥离材料用基材上涂布有剥离剂的剥离片等。
作为剥离材料用基材，可以列举例如：全化浆纸、玻璃纸、牛皮纸等纸类；聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等聚酯树脂膜、聚丙烯树脂、聚乙烯树脂等烯烃树脂膜等塑料膜；等等。
作为剥离剂，可以列举例如：有机硅类树脂、烯烃类树脂、异戊二烯类树脂、丁二烯类树脂等橡胶类弹性体、长链烷基类树脂、醇酸类树脂、氟树脂等。
剥离材料的厚度没有特别限制，优选为10～200μm，更优选为25～170μm，进一步优选为35～80μm。
＜粘合片(A)的制造方法＞
作为粘合片(A)的制造方法，没有特别限制，可以列举例如具有下述工序(Ia)及(Ib)的制造方法(I)。
工序(Ia)：在剥离材料的剥离处理面上涂布作为基材(Y1)的形成材料的树脂组合物(y1)，形成涂膜，对该涂膜进行干燥或UV固化，从而形成基材(Y1)的工序。
工序(Ib)：在所形成的基材(Y1)的表面上涂布作为粘合剂层(X1)的形成材料的粘合剂组合物(x1)，形成涂膜，对该涂膜进行干燥，从而形成粘合剂层(X1)的工序。
作为粘合片(A)的另一制造方法，可以列举例如具有下述工序(IIa)～(IIc)的制造方法(II)。
工序(IIa)：在剥离材料的剥离处理面上涂布作为基材(Y1)的形成材料的树脂组合物(y1)，形成涂膜，对该涂膜进行干燥或UV固化，从而形成基材(Y1)的工序。
工序(IIb)：在剥离材料的剥离处理面上涂布作为粘合剂层(X1)的形成材料的粘合剂组合物(x1)，形成涂膜，对该涂膜进行干燥，从而形成粘合剂层的工序。
工序(IIc)：使工序(IIa)中形成的基材(Y1)的表面与工序(IIb)中形成的粘合剂层(X1)的表面贴合的工序。
在上述制造方法(I)及(II)中，树脂组合物(y1)及粘合剂组合物(x1)可以配合稀释溶剂而制成溶液的形态。
作为涂布方法，可以列举例如：旋涂法、喷涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模涂法、凹版涂布法等。
需要说明的是，制造方法(I)及制造方法(II)中的干燥或UV照射优选适当选择膨胀性粒子不发生膨胀的条件来实施。例如，在将含有热膨胀性粒子的树脂组合物(y1)干燥而形成基材(Y1)的情况下，优选在干燥温度低于热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)的条件下进行。
另外，粘合片(A)具有膨胀性基材(Y1-1)和非膨胀性基材(Y1’)的情况下，在上述工序(Ia)及(IIa)中，树脂组合物(y1)只要涂布在预先形成的非膨胀性基材(Y1’)上即可。非膨胀性基材(Y1’)例如可以使用作为非膨胀性基材(Y1’)的形成材料的树脂组合物、按照与上述工序(Ia)及(IIa)同样的操作而形成。
[本实施方式的半导体装置的制造方法]
接下来，对本实施方式的半导体装置的制造方法的各工序进行说明。
本实施方式的半导体装置的制造方法依次具有下述工序(1)～(3)。
工序(1)：将被加工物粘贴于粘合片(A)的粘合剂层(X1)之后，将该被加工物进行切割，在粘合剂层(X1)上得到经过了单片化的多个芯片的工序。
工序(2)：使用具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)的粘合片(B)，将粘合片(B)的粘合剂层(X2)粘贴于所述多个芯片的与和粘合剂层(X1)相接触的面相反侧的面的工序。
工序(3)：使所述膨胀性粒子膨胀，将粘贴于粘合片(B)的所述多个芯片与粘合片(A)分离的工序。
以下，参照附图对于使用半导体晶片作为被加工物的例子进行说明。
＜工序(1)＞
图2(a)及(b)示出的是用于说明工序(1)的剖面图，在工序(1)中，将半导体晶片W粘贴于粘合片(A)的粘合剂层(X1)，然后切割半导体晶片W，从而在粘合剂层(X1)上得到经过了单片化的多个半导体芯片CP。
半导体晶片W例如可以是硅晶片，也可以是镓、砷等的化合物半导体晶片。
半导体晶片W在其电路面W1上具有电路W2。作为形成电路W2的方法，可以举出例如蚀刻法、倒置法等。需要说明的是，在本说明书中，有时将与电路面W1相反侧的面称为“芯片背面”。
半导体晶片W预先磨削为给定的厚度，使芯片背面露出，粘贴于粘合片(A)。作为对半导体晶片W进行磨削的方法，可以列举例如使用磨床等的公知方法。
出于保持半导体晶片W的目的，可以在粘合片(A)上粘贴环形框。该情况下，将环形框及半导体晶片W载置于粘合片(A)的粘合剂层(X1)上，轻轻地按压它们而固定。
接下来，被保持于粘合片(A)上的半导体晶片W通过切割而被单片化，形成多个半导体芯片CP。切割例如可以使用切片机(dicing saw)、激光、等离子体切割、隐形切割等切断方式。切割时的切断深度可以考虑半导体晶片的厚度来适宜设定，例如，可以设为距粘合剂层(X1)的上表面为2μm以内的深度。
需要说明的是，为了将本工序与后面所述的另一切割工序加以区别，有时将本工序称为“第一切割工序”。
对于工序(1)而言，为了扩大所得到的多个半导体芯片CP彼此的间隔，也可以在对半导体晶片W进行了切割之后包含对粘合片(A)进行拉伸的处理。
＜工序(2)＞
图3示出的是对于使用具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)的粘合片(B)、在多个半导体芯片CP的与和粘合剂层(X1)相接的面相反侧的面上粘贴粘合片(B)的粘合剂层(X2)的工序(2)进行说明的剖面图。
粘合片(B)的形态根据其后的工序适宜决定即可。例如，作为第一切割工序接下来的工序，实施扩大多个半导体芯片CP的间隔的扩张工序的情况下，可以使用扩张用的粘合片(以下，也称为“伸缩胶带”)作为粘合片(B)。另一方面，考虑后面的工序的操作性等而在第一切割工序和扩张工序之间实施使多个半导体芯片CP的表面背面(即，电路面W1和芯片背面)翻转的翻转工序的情况下，也可以使用翻转用的粘合片(以下，也称为“翻转用粘合片”)。
图3示出的是使用翻转用粘合片作为粘合片(B)的例子。
接着，对于作为翻转用粘合片及伸缩胶带的优选的粘合片(B)的形态进行说明。
(翻转用粘合片)
翻转用粘合片具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，其是为了以下目的而使用的：在由粘合片(A)转印多个半导体芯片CP之后，将该多个半导体芯片CP进一步转印至另外的粘合片上，由此，使半导体芯片CP的与粘合剂层相接触的面翻转。
翻转用粘合片只要是能够实现上述目的的粘合片即可，没有特别限制，但由于必须要能够与半导体芯片粘贴及分离，因此，粘合片(A)等包含膨胀性粒子的粘合片、如后面所述的伸缩胶带那样、具有具备再剥离性且由非能量线固化性粘合剂构成的粘合剂层的粘合片、具有由能量线固化性粘合剂构成的粘合剂层的粘合片等是适宜的。
翻转用粘合片的基材(Y2)可以使用作为粘合片(A)的基材(Y1)的形成材料而列举的那些来形成。另外，作为翻转用粘合片的粘合剂层(X2)，可以使用作为粘合剂层(X1)或后文所述的伸缩胶带的粘合剂层(X2)的形成材料所列举的那些来形成。
使用粘合片(A)作为粘合片(B)的情况下，工序(1)中使用的粘合片(A)的形态与本工序中使用的粘合片(A)的形态可以相同也可以不同。
翻转用粘合片的基材(Y2)的厚度优选为10～1000μm、更优选为20～500μm、进一步优选为25～400μm、更进一步优选为30～300μm。
翻转用粘合片的粘合剂层(X2)的厚度优选为1～60μm、更优选为2～50μm、进一步优选为3～40μm、更进一步优选为5～30μm。
(伸缩胶带)
接下来对于作为伸缩胶带所优选的粘合片(B)进行说明。
伸缩胶带具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)，其是为了以下目的而使用的：由将多个半导体芯片CP由粘合片(A)转印至粘合剂层(X2)上之后，对粘合片(B)进行拉伸而扩大该多个半导体芯片CP彼此的间隔。
作为伸缩胶带的基材(Y2)的材质，可以举出例如：聚氯乙烯树脂、聚酯树脂(聚对苯二甲酸乙二醇酯等)、丙烯酸类树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、及聚苯乙烯树脂等。
伸缩胶带的基材(Y2)优选含有热塑性弹性体、橡胶类材料等，更优选含有热塑性弹性体。
作为热塑性弹性体，可以列举：氨基甲酸酯类弹性体、烯烃类弹性体、氯乙烯类弹性体、聚酯类弹性体、苯乙烯类弹性体、丙烯酸类弹性体、酰胺类弹性体等。
伸缩胶带的基材(Y2)可以是将多层由上述材料形成的膜层叠而成的，也可以是将由上述材料形成的膜与其它膜进行层叠而成的。
伸缩胶带的基材(Y2)也可以在以上述的树脂类材料为主材料的膜内含有颜料、染料、阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、爽滑剂、填料等各种添加剂。
伸缩胶带的粘合剂层(X2)可以由非能量线固化性粘合剂构成，也可以由能量线固化性粘合剂构成。
作为非能量线固化性粘合剂，优选具有所期望的粘合力及再剥离性者，可以列举例如：丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、有机硅类粘合剂、氨基甲酸酯类粘合剂、聚酯类粘合剂、聚乙烯基醚类粘合剂等。这些当中，从对粘合片(B)进行拉伸时有效地抑制半导体芯片等的脱落的观点出发，优选丙烯酸类粘合剂。
对于能量线固化性粘合剂而言，由于通过能量线照射而固化，粘合力降低，因此，在使半导体芯片和粘合片(B)分离时，可以通过能量线照射而容易地分离。
作为构成伸缩胶带的粘合剂层(X2)的能量线固化性粘合剂，可以列举例如含有选自(a)具有能量线固化性的聚合物、以及(b)具有至少一个以上能量线固化性基团的单体和/或低聚物中的一种以上的粘合剂。
作为(a)具有能量线固化性的聚合物，优选在侧链导入了不饱和基团等具有能量线固化性的官能团(能量线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物。作为该丙烯酸酯(共)聚合物，可以列举例如：使烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯与分子内具有聚合性的双键和羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的单体共聚后，进一步使具有键合于该官能团上的官能团的含不饱和基团的化合物反应而得到的物质。
作为(b)具有至少一个以上能量线固化性基团的单体和/或低聚物，可以列举多元醇与(甲基)丙烯酸形成的酯，具体可以列举：(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等单官能丙烯酸酯类、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯类、聚酯低聚物(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯低聚物(甲基)丙烯酸酯等。
在能量线固化性粘合剂中，除了上述成分以外，还可以适宜配合光聚合引发剂、交联剂等。
伸缩胶带的基材(Y2)的厚度没有特别限定，优选为20～250μm、更优选为40～200μm。
伸缩胶带的粘合剂层(X2)的厚度没有特别限定，优选为3～50μm、更优选为5～40μm。
在MD方向及CD方向测定的伸缩胶带在23℃下的断裂伸长率优选分别为100％以上。通过使断裂伸长率为上述范围，能够大幅拉伸。因此，能够适用于扇出型封装的制造这样的需要使半导体芯片彼此充分间隔的用途。
需要说明的是，粘合片(B)的粘合剂层(X2)由能量线固化性粘合剂构成的情况下，优选粘合片(A)所含有的膨胀性粒子为热膨胀性粒子。
＜工序(3)＞
图4示出的是对于使上述膨胀性粒子膨胀而将半导体芯片CP与粘合片(A)分离的工序(3)进行说明的剖面图。
在本工序中，根据膨胀性粒子的种类，通过热、能量线等使其膨胀，从而在粘合剂层(X1)的粘合表面(X1a)形成凹凸，由此，使粘合表面(X1a)和多个半导体芯片CP之间的粘合力降低，从而可以使粘合片(A)与多个半导体芯片CP分离。
使膨胀性粒子膨胀的方法可以根据膨胀性粒子的种类进行适宜选择，在膨胀性粒子为热膨胀性粒子的情况下，加热至膨胀起始温度(t)以上的温度即可。这里，作为“膨胀起始温度(t)以上的温度”，优选为“膨胀起始温度(t)+10℃”以上且“膨胀起始温度(t)+60℃”以下、更优选为“膨胀起始温度(t)+15℃”以上且“膨胀起始温度(t)+40℃”以下。具体来说，可以根据其热膨胀性粒子的种类例如加热至70～330℃的范围使其膨胀。
膨胀性粒子的膨胀优选在将基材(Y1)的与粘合剂层(X1)相反侧的面(Y1a)固定了的状态下实施。通过使面(Y1a)被固定，可物理性地抑制在面(Y1a)侧的凹凸的产生，从而可以在粘合剂层(X1)的粘合表面(X1a)侧有效地形成凹凸。上述固定可以采用任意的方法，可以列举例如：将上述的非膨胀性基材(Y1’)设置于基材(Y1)的面(Y1a)侧的方法；使用具有多个抽吸孔的抽吸台作为固定夹具来将基材(Y1)的面(Y1a)固定的方法；隔着任意的粘合剂层、双面粘合片等将硬质支撑体粘贴于基材(Y1)的面(Y1a)的方法等。
上述抽吸台具有真空泵等减压机构，通过该减压机构从多个抽吸孔来吸引对象物，由此将对象物固定于抽吸面。
上述硬质支撑体的材质可以考虑机械强度、耐热性等来适宜决定，可以列举例如：SUS等金属材料；玻璃、硅晶片等非金属无机材料；环氧、ABS、丙烯酸类、工程塑料、超级工程塑料、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等树脂材料；玻璃环氧树脂等复合材料等，这些当中，优选SUS、玻璃、及硅晶片等。作为工程塑料，可以列举：尼龙、聚碳酸酯(PC)、及聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。作为超级工程塑料，可以列举：聚苯硫醚(PPS)、聚醚砜(PES)、及聚醚醚酮(PEEK)等。
＜扩张工序＞
接下来，实施扩大上述得到的多个半导体芯片CP彼此的间隔的扩张工序。
扩张工序可以根据粘合片(B)的形态，在工序(3)之后实施下述工序(4A)或工序(4B-1)～(4B-3)(以下，也称为“工序(4B)”)来进行。
工序(4A)：粘合片(B)为扩张用的粘合片，对前述扩张用粘合片进行拉伸来扩大粘贴于粘合片(B)上的前述多个半导体芯片彼此的间隔的工序。
工序(4B-1)：将作为伸缩胶带的粘合片(C)的粘合剂层(X3)粘贴于粘合片(B)上的多个半导体芯片的与粘合剂层(X2)相接触的面相反侧的面上的工序。
工序(4B-2)：将粘合片(B)从粘贴在粘合片(C)上的多个半导体芯片CP上分离的工序。
工序(4B-3)：对前述扩张用粘合片进行拉伸来扩大粘贴于粘合片(C)上的前述多个半导体芯片彼此的间隔的工序。
工序(4A)是工序(2)中使用的粘合片(B)为伸缩胶带的情况，该情况下，可以对粘合片(B)进行拉伸来扩大多个半导体芯片CP彼此的间隔。
工序(4B)是粘合片(B)为翻转用粘合片的情况，将多个半导体芯片CP从作为翻转用粘合片的粘合片(B)转印至作为扩张用的粘合片的粘合片(C)上之后，进行扩张的工序。
在本实施方式中，对工序(4B)进行说明。
图5(a)及(b)示出的是工序(4B-1)及其后的工序(4B-2)的剖面图，所述工序(4B-1)中，将作为伸缩胶带的粘合片(C)的粘合剂层(X3)粘贴于作为翻转用粘合片的粘合片(B)上的多个半导体芯片CP的与粘合剂层(X2)相接触的面相反侧的面上，在所述工序(4B-2)中，将粘合片(B)从多个半导体芯片CP上分离。
将粘合片(B)从多个半导体芯片CP上分离的方法可以根据粘合片(B)的种类适宜选择，粘合片(B)的粘合剂层(X2)由非能量线固化性粘合剂构成的情况下，可以在给定的条件进行再剥离，粘合剂层(X2)由能量线固化性粘合剂构成的情况下，可以通过能量线照射来固化，使粘合力降低后进行分离。
伸缩胶带的优选的形态如前面所述。
图6(a)及(b)示出的是对于将粘合片(C)进行拉伸来扩大粘贴于扩张用粘合片(C)上的多个半导体芯片CP彼此的间隔的工序(4B-3)进行说明的剖面图。
经过上述的工序，如图6(a)所示那样，多个半导体芯片CP被载置于粘合片(C)的粘合剂层(X3)上。
接下来，如图6(b)所示那样，对粘合片(C)进行拉伸，将多个半导体芯片CP彼此的间隔扩大至距离D。
作为对粘合片(C)进行拉伸的方法，可以列举：安放环状或圆状的扩展器对粘合片(C)进行拉伸的方法、使用把持构件等抓住粘合片(C)的外周部来进行拉伸的方法等。
扩张后的多个半导体芯片CP间的距离D可以根据所期望的半导体装置的形态适宜决定，但优选为50～6000μm。
＜工序(5)～(8)＞
本实施方式涉及的半导体装置的制造方法还可以使用具有基材(Y4)及粘合剂层(X4)的粘合片(D)进一步实施下述工序(5)～(8)。
工序(5)：将利用扩张工序扩大了间隔的多个半导体芯片CP转印至粘合片(D)的粘合剂层(X4)的工序。
工序(6)：用密封材料对前述多个半导体芯片CP、以及粘合剂层(X4)的粘合表面中前述多个半导体芯片CP的周边部进行包覆，使该密封材料固化，从而得到前述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序。
工序(7)：将粘合片(D)从前述固化密封体上分离的工序。
工序(8)：在分离了粘合片(D)后的固化密封体上形成再布线层的工序。
其中，作为粘合片(D)，可以使用作为伸缩胶带的粘合片(C)，该情况下，无需实施工序(5)。该情况下，以下说明的粘合片(D)是指粘合片(C)。
以下，对于工序(5)～(8)依次进行说明。
〔工序(5)〕
工序(5)是将利用扩张工序扩大了间隔的多个半导体芯片CP转印至粘合片(D)的粘合剂层(X4)的工序。
图7(a)及(b)示出的是在将粘合片(D)的粘合剂层(X4)粘贴于扩张用粘合片(C)上的多个半导体芯片CP的与粘合剂层(X3)相接触的面相反侧的面上之后，将粘合片(C)从多个半导体芯片CP上分离的工序的剖面图。
这里，对于粘合片(D)而言，在其粘合表面(X4a)上进行多个半导体芯片CP的密封而得到固化密封体之后，从该固化密封体上被分离。因此，对于粘合片(D)，要求在利用密封材料进行密封期间不发生半导体芯片的位置偏移、且具有密封材料不会进入到半导体芯片与临时固定用片的粘接界面的程度的粘接性，还要求在密封后能够容易地去除的分离性。
粘合片(D)只要是能够实现上述目的的粘合片即可，没有特别限制，但由于必须要能够与半导体芯片粘贴及分离，因此，粘合片(A)等包含膨胀性粒子的粘合片、具有具备再剥离性且由非能量线固化性粘合剂构成的粘合剂层的粘合片、具有由能量线固化性粘合剂构成的粘合剂层的粘合片等是适宜的。
这些当中，特别是从兼备优异的粘接性和分离性的观点出发，优选使用粘合片(A)。
使用粘合片(A)作为粘合片(D)的情况下，工序(1)中使用的粘合片(A)的形态与本工序中使用的粘合片(A)的形态可以相同也可以不同。
在本工序中，将粘合片(C)与多个半导体芯片CP分离的方法与粘合片(B)的情况相同，可以根据粘合片(C)的形态来决定。
〔工序(6)〕
图8(a)～(c)示出的是对工序(6)进行说明的剖面图，所述工序(6)中，用密封材料40将多个半导体芯片CP、以及粘合剂层(X4)的粘合表面(X4a)中的多个半导体芯片CP的周边部45进行包覆(以下，也将该工序称为“包覆工序”)，使该密封材料40固化(以下，也将该工序称为“固化工序”)，从而得到多个半导体芯片CP被固化密封材料41密封而成的固化密封体50。
密封材料40具有保护多个半导体芯片CP及其所附带的元件不受外部环境影响的功能。作为密封材料40，没有特别限制，可以从以往作为半导体密封材料而使用的材料中适宜选择任意的材料来使用。
对于密封材料40而言，从机械强度、耐热性、绝缘性等观点出发，其是具有固化性的材料，可以列举例如：热固性树脂组合物、能量线固化性树脂组合物等。
作为密封材料40的热固性树脂组合物所含有的热固性树脂可以列举例如：环氧树脂、酚醛树脂、氰酸酯树脂等，从机械强度、耐热性、绝缘性、成型性等观点出发，优选环氧树脂。
上述热固性树脂组合物除了上述热固性树脂以外，也可以根据需要含有酚醛树脂类固化剂、胺类固化剂等固化剂、固化促进剂、二氧化硅等无机填充材料、弹性体等添加剂。
密封材料40在室温可以为固态，也可以为液态。另外，在室温下为固态的密封材料40的形态没有特别限定，例如可以为颗粒状、片状等。
在本实施方式中，优选使用片状的密封材料(以下，也称为“片状密封材料”)来实施包覆工序及固化工序。使用片状密封材料的方法中，通过以包覆多个半导体芯片CP及其周边部45的方式来载置片状密封材料，通过密封材料40将多个半导体芯片CP及其周边部45包覆。此时，为了不在多个半导体芯片CP彼此的间隙中产生未填充密封材料40的部分，优选通过真空层压法等一边适宜地进行减压一边进行加热及压合。
作为利用密封材料40包覆多个半导体芯片CP及其周边部45的方法，可以从目前应用于半导体密封工序的方法中适当选择任意的方法来使用，例如，可以应用辊层压法、真空压制法、真空层压法、旋涂法、模涂法、传递模塑法、压缩模制法等。
在这些方法中，通常为了提高密封材料40的填充性而在包覆时对密封材料40进行加热来赋予流动性。
在上述包覆工序中对热固性树脂组合物进行加热的温度根据密封材料40的种类、粘合片(D)的种类等而不同，例如为30～180℃、优选为50～170℃、更优选为70～150℃。另外，加热时间例如为5秒钟～60分钟、优选为10秒钟～45分钟、更优选为15秒钟～30分钟。
如图8(b)所示那样，密封材料40将多个半导体芯片CP的露出的整个面包覆，并且还填充于多个半导体芯片CP彼此的间隙。
接下来，如图8(c)所示，在进行了包覆工序之后，使密封材料40固化，得到多个半导体芯片CP被固化密封材料41密封而成的固化密封体50。
在上述固化工序中，使密封材料40固化的温度根据密封材料40的种类、粘合片(D)的种类等而不同，例如为80～240℃、优选为90～200℃、更优选为100～170℃。另外，加热时间为例如10～180分钟、优选为20～150分钟、更优选为30～120分钟。
通过工序(6)，得到分别间隔了给定距离的多个半导体芯片CP被埋入于固化密封材料41的固化密封体50。
〔工序(7)〕
接下来，如图8(d)所示那样，将粘合片(D)从固化密封体50上分离。
分离粘合片(D)的方法根据粘合片(D)的种类适宜选择即可。使用粘合片(A)作为粘合片(D)的情况下，可以通过使粘合片(A)所含的膨胀性粒子膨胀而与固化密封体50分离。使膨胀性粒子膨胀的条件如在粘合片(A)中所说明的那样。
需要说明的是，在本实施方式中，对于多个半导体芯片CP的电路面W1与粘合片(D)的粘合剂层(X4)相接的状态实施密封工序的例子进行了说明，但也可以以电路面W1露出的状态(即，芯片背面与粘合剂层(X4)相接的状态)来实施密封工序。该情况下，多个半导体芯片CP的电路面W1被密封树脂包覆，但也可以在使密封树脂固化后，适宜地使用磨床等对固化密封材料进行磨削，再度使电路面W1露出。
〔工序(8)〕
图9(a)～(c)示出的是对于将粘合片(A)分离后的固化密封体50上形成再布线层的工序(8)进行说明的剖面图。
图9(b)示出的是对于在半导体芯片CP的电路面W1及固化密封体50的面50a形成第1绝缘层61的工序进行说明的剖面图。
在电路面W1及面50a上形成包含绝缘性树脂的第1绝缘层61，使半导体芯片CP的电路W2或电路W2的内部端子电极W3露出。作为绝缘性树脂，可以列举：聚酰亚胺树脂、聚苯并唑树脂、有机硅树脂等。内部端子电极W3的材质只要是导电性材料即可，没有限定，可以列举：金、银、铜、铝等金属、包含这些金属的合金等。
图9(c)示出的是对于形成与固化密封体50中密封的半导体芯片CP电连接的再布线70的工序进行说明的剖面图。
在本实施方式中，在形成第1绝缘层61之后，形成再布线70。再布线70的材质只要是导电性材料即可，没有限定，可以列举：金、银、铜、铝等金属、包含这些金属的合金等。再布线70可以通过金属面腐蚀法、半添加法等公知的方法来形成。
图10(a)示出的是对于形成包覆再布线70的第2绝缘层62的工序进行说明的剖面图。
再布线70具有外部端子电极用的外部电极焊盘70A。在第2绝缘层62设置开口等使外部端子电极用的外部电极焊盘70A露出。在本实施方式中，外部电极焊盘70A露出至固化密封体50的半导体芯片CP的区域(与电路面W1对应的区域)内及区域外(与固化密封体50上的面50a对应的区域)。另外，再布线70以外部电极焊盘70A配置成阵列状的方式形成于固化密封体50的面50a。在本实施方式中，由于具有使外部电极焊盘70A露出至固化密封体50的半导体芯片CP的区域以外的结构，因此能够得到FOWLP或FOPLP。
(与外部端子电极的连接工序)
接下来，可以根据需要使外部端子电极80与外部电极焊盘70连接。
图10(b)示出的是对于使外部端子电极80与外部电极焊盘70A连接的工序进行说明的剖面图。
将焊料球等外部端子电极80载置于从第2绝缘层62露出的外部电极焊盘70A，通过焊接等将外部端子电极80与外部电极焊盘70A进行电连接。焊料球的材质没有特别限定，可以举出含铅焊料、无铅焊料等。
(第二切割工序)
图10(c)示出的是对于使与外部端子电极80连接的固化密封体50单片化的第二切割工序进行说明的剖面图。
在本工序中，以半导体芯片CP单元对固化密封体50进行单片化。使固化密封体50单片化的方法没有特别限定，可以利用切片机(dicing saw)等切断装置等来实施。
通过将固化密封体50单片化，可以制造半导体芯片CP单元的半导体装置100。如上所述，将外部端子电极80与扇出至半导体芯片CP的区域以外的外部电极焊盘70A连接而成的半导体装置100可以制造为FOWLP、FOPLP等。
(安装工序)
在本实施方式中，优选还包括将单片化后的半导体装置100安装于印刷布线基板等的工序。
实施例
对于本发明，通过以下的实施例具体地进行说明，但本发明并不限定于以下的实施例。需要说明的是，以下的制造例及实施例中的物性值是通过以下的方法测得的值。
＜重均分子量(Mw)＞
使用凝胶渗透色谱装置(东曹株式会社制造，制品名“HLC-8020”)在下述条件下进行测定，使用了换算为标准聚苯乙烯的测定值。
(测定条件)
·色谱柱：将“TSK guard column HXL-L”“TSK gel G2500HXL”“TSK gelG2000HXL”“TSK gel G1000HXL”(均为东曹株式会社制造)依次连接而成的色谱柱
·柱温：40℃
·洗脱溶剂：四氢呋喃
·流速：1.0mL/分
＜各层的厚度的测定＞
使用Teclock公司制造的恒压测厚仪(型号：“PG-02J”，按照标准：JIS K6783、Z1702、Z1709)进行了测定。
＜热膨胀性粒子的平均粒径(D50)、90％粒径(D90)＞
使用激光衍射式粒度分布测定装置(例如，Malvern公司制造，制品名“Mastersizer 3000”)测定了23℃下膨胀前的热膨胀性粒子的粒子分布。
然后，将相当于从粒子分布中粒径小者起计算的累积体积频率为50％及90％的粒径分别作为“热膨胀性粒子的平均粒径(D50)”及“热膨胀性粒子的90％粒径(D90)”。
＜膨胀性基材的储能模量E’＞
在测定对象为非粘合性的膨胀性基材的情况下，将该膨胀性基材制成纵5mm×横30mm×厚度200μm的大小，将去除了剥离材料的基材作为试验样品。
使用动态粘弹性测定装置(TA Instruments公司制造，制品名“DMAQ800”)在试验起始温度0℃、试验结束温度300℃、升温速度3℃/分、振动频率1Hz、振幅20μm的条件下，测定了给定温度下该试验样品的储能模量E’。
＜粘合剂层的剪切模量G’＞
在测定对象为具有粘合性的粘合剂层的情况下，将该粘合剂层制成直径8mm×厚度3mm，将去除了剥离材料的粘合剂层作为试验样品。
使用粘弹性测定装置(Anton Paar公司制造，装置名“MCR300”)在试验起始温度0℃、试验结束温度300℃、升温速度3℃/分、振动频率1Hz的条件下，通过扭转剪切法测定了给定温度下试验样品的剪切模量G’。然后，基于测得的剪切模量G’的值，根据近似式“E’＝3G’”计算出储能模量E’的值。
＜探针粘性值＞
将作为测定对象的膨胀性基材或粘合剂层裁切成边长10mm的正方形，然后在23℃、50％RH(相对湿度)的环境下静置24小时，去除了轻剥离膜后作为试验样品。
对于上述试验样品，在23℃、50％RH(相对湿度)的环境下使用粘性试验仪(日本特殊测器株式会社制造，制品名“NTS-4800”)，按照JIS Z0237:1991测定了去除轻剥离膜而露出的上述试验样品表面的探针粘性值。
具体而言，在1秒钟、接触负荷0.98N/cm2的条件下使直径5mm的不锈钢制探针接触试验样品的表面后，测定了以10mm/秒的速度使该探针离开试验样品的表面所需要的力。然后，将该测得的值作为该试验样品的探针粘性值。
以下的制造例的各层的形成中使用的粘合性树脂、添加剂、热膨胀性粒子、以及剥离材料的详细情况如下所述。
＜粘合性树脂＞
·丙烯酸类共聚物(i)：包含Mw为60万的丙烯酸类共聚物的溶液，所述丙烯酸类共聚物具有来源于由丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)/丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)＝80.0/20.0(质量比)构成的原料单体的结构单元。稀释溶剂：乙酸乙酯，固体成分浓度：40质量％。
＜添加剂＞
·异氰酸酯交联剂(i)：东曹株式会社制造，制品名“Coronate L”，固体成分浓度：75质量％。
·光聚合引发剂(i)：BASF公司制造，制品名“Irgacure 184”，1-羟基环己基苯基酮。
＜热膨胀性粒子＞
·热膨胀性粒子(i)：Kureha公司制造，制品名“S2640”，膨胀起始温度(t)＝208℃，平均粒径(D50)＝24μm，90％粒径(D90)＝49μm。
＜剥离材料＞
·重剥离膜：琳得科株式会社制造，制品名“SP-PET382150”，在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的一面设置有由有机硅类剥离剂形成的剥离剂层，厚度：38μm。
·轻剥离膜：琳得科株式会社制造，制品名“SP-PET381031”，在PET膜的一面设置有由有机硅类剥离剂形成的剥离剂层，厚度：38μm。
制造例1
(粘合剂层(X1)的形成)
在作为粘合性树脂的上述丙烯酸类共聚物(i)的溶液的固体成分100质量份中配合上述异氰酸酯类交联剂(i)5.0质量份(固体成分比)，用甲苯稀释，搅拌均匀，制备了固体成分浓度(有效成分浓度)25质量％的粘合剂组合物(x1)。
然后，将制备的粘合剂组合物(x1)涂布在上述重剥离膜的剥离剂层的表面上，形成涂膜，在100℃下将该涂膜干燥60秒钟，形成了厚度10μm的粘合剂层(X-1)。需要说明的是，粘合剂层(X-1)在23℃下的剪切模量G’(23)为2.5×105Pa。
制造例2
(膨胀性基材(Y1-1)的形成)
使酯型二醇与异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)反应得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与丙烯酸2-羟基乙酯反应，得到了重均分子量(Mw)5000的2官能的丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物。
然后，在上述合成的丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物40质量％(固体成分比)中配合作为能量线聚合性单体的丙烯酸异冰片酯(IBXA)40质量％(固体成分比)及丙烯酸苯基羟丙酯(HPPA)20质量％(固体成分比)，相对于丙烯酸氨基甲酸酯类低聚物及能量线聚合性单体的总量100质量份，进一步配合光聚合引发剂(i)2.0质量份(固体成分比)、以及作为添加剂的酞菁类颜料0.2质量份(固体成分比)，制备了能量线固化性组合物。将上述热膨胀性粒子(i)配合于该能量线固化性组合物，制备了不含有溶剂的无溶剂型的树脂组合物(y1)。需要说明的是，相对于组合物(y1)的总量(100质量％)，热膨胀性粒子(i)的含量为20质量％。
接下来，将制备的树脂组合物(y1)涂布在上述轻剥离膜的剥离剂层的表面上，形成了涂膜。然后，使用紫外线照射装置(Eye Graphics公司制造，制品名“ECS-401GX”)及高压水银灯(Eye Graphics公司制造，制品名“H04-L41”)在照度160mW/cm2、光量500mJ/cm2的条件下照射紫外线，使该涂膜固化，形成了厚度50μm的膨胀性基材(Y1-1)。需要说明的是，紫外线照射时的上述照度及光量是使用照度/光量计(EIT公司制造，制品名“UV PowerPuck II”)测得的值。
需要说明的是，上述得到的膨胀性基材(Y1-1)在23℃下的储能模量E’为5.0×108Pa、在100℃下的储能模量E’为4.0×106Pa、在208℃下的储能模量E’为4.0×106Pa。另外，膨胀性基材(Y1-1)的探针粘性值为
制造例3
(粘合片(A)的制作)
将制造例1中形成的粘合剂层(X1)和制造例2中形成的膨胀性基材(Y1-1)的表面彼此进行了贴合。由此，制作了依次层叠有轻剥离膜/膨胀性基材(Y1-1)/粘合剂层(X1)/重剥离膜的粘合片(A)。
制造例4
(粘合片(B)(伸缩胶带)的制作)
使丙烯酸类共聚物与相对于该丙烯酸2-羟基乙酯为80摩尔％的甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(MOI)进行反应，得到了能量线固化型聚合物，所述丙烯酸类共聚物是使丙烯酸丁酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝85/15(质量比)反应而得到的。该能量线固化型聚合物的重均分子量(Mw)为60万。将所得到的能量线固化型聚合物100质量份、作为光聚合引发剂的1-羟基环己基苯基酮(BASF公司制造，制品名“Irgacure 184”)3质量份、以及作为交联剂的甲苯二异氰酸酯类交联剂(东曹株式会社制造，制品名“Coronate L”)0.45质量份在溶剂中进行混合，得到了粘合性组合物。
接下来，对于在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的一面形成有机硅类剥离剂层而成的剥离膜(琳得科株式会社制造，制品名“SP-PET3811”)的剥离剂层的表面涂布上述粘合性组合物，通过加热使其干燥，在剥离膜上形成了厚度10μm的粘合剂层(X2)。然后，使作为基材(Y2)的聚酯类聚氨酯弹性体片(Sheedom公司制造，制品名“Higress DUS202”、厚度50μm)的一面贴合于该粘合剂层的露出面，从而以在粘合剂层上粘贴有剥离膜的状态得到了粘合片(B)(伸缩胶带)。
[半导体装置的制造]
实施例1
使用上述得到的粘合片(A)及粘合片(B)，按照以下的方法制造了半导体装置。
＜工序(1)＞
将制造例3得到的粘合片(A)裁切成230mm×230mm的大小。
从裁切后的粘合片(A)上将重剥离膜和轻剥离膜剥离，在露出的粘合剂层(X1)的表面粘贴了环形框及半导体晶片(直径：150mm、厚度：350μm)。接下来，对于该半导体晶片，使用切割机(DISCO公司制、制品名“DFD-651”)、在以下的条件下对半导体晶片以全切进行了切割。由此，在粘合片(A)的粘合剂层(X1)上得到了经过了单片化的多个半导体芯片(1800个)。
·切割刀：DISCO公司制、制品名“NBC-ZH2050 27HECC”
·转速：30,000rpm
·高度：0.06mm
·60mm/秒
·芯片尺寸：3mm×3mm
＜工序(2)＞
接下来，将制造例4中得到的粘合片(B)裁切成210mm×210mm的大小。此时，按照裁切后的片的各边与粘合片(B)的基材(Y2)的MD方向平行或垂直的方式进行了裁切。接着，从粘合片(B)上将剥离片进行剥离，将粘合片(B)的粘合剂层(X2)粘贴于前述多个半导体芯片的与粘合剂层(X1)相接触的面相反侧的面上。此时，半导体芯片的一组按照位于粘合片(B)的中央部的方式进行了转印。另外，按照对半导体晶片进行单片化时的切割线与粘合片(B)的各边平行或垂直的方式进行了转印。
＜工序(3)＞
接下来，设置为在粘合片(A)所具有的膨胀性基材(Y1-1)的与粘合剂层(X)相反侧的面上压接热板的状态，将粘合片(A)在热膨胀性粒子的膨胀起始温度(208℃)以上的240℃下加热3分钟，使热膨胀性粒子膨胀，将粘贴在粘合片(B)上的前述多个半导体芯片与粘合片(A)进行了分离。需要说明的是，将粘合片(A)分离时，不使粘合片(A)弯曲而保持平面状的状态下一次性地同时从多个半导体芯片上进行了分离。
＜扩张工序＞
接下来，将粘贴有多个半导体芯片的粘合片(B)设置于能够进行双向拉伸的扩张装置。扩张装置如图11所示那样，具有互相正交的X轴方向(将正的方向设为+X轴方向、将负的方向设为-X轴方向)和Y轴方向(将正的方向设为+Y轴方向、将负的方向设为-Y轴方向)，并且具有用于在各方向(即+X轴方向、-X轴方向、+Y轴方向、-Y轴方向)进行拉伸的保持机构。将粘合片(B)的MD方向与X轴或Y轴方向对合地设置于扩张装置，利用上述保持机构把持粘合片(B)的各边，以下述的条件对粘合片(B)进行拉伸，扩大了粘贴于粘合片(B)的粘合剂层(X2)上的多个半导体芯片彼此的间隔。
·保持机构的个数：每一边5个
·拉伸速度：5mm/秒
·拉伸距离：各边分别拉伸了60mm。
比较例1
＜工序(1)＞
在具有基材及粘合剂层的切割胶带(琳得科株式会社制、商品名“D-820”)(以下，也称为“比较用切割胶带”)的粘合剂层的表面粘贴了环形框及半导体晶片(直径：150mm、厚度：350μm)。然后，与实施例1的工序(1)同样地，得到了经过单片化的多个半导体芯片。
＜工序(2)＞
与实施例1同样地进行。
＜工序(3)＞
从比较用切割胶带的基材侧的面以照度230mW/cm2、光量190mJ/cm2照射紫外线，使粘合剂层固化，将粘贴于粘合片(B)上的前述多个半导体芯片与比较用切割胶带分离。需要说明的是，将比较用切割胶带分离时，不使比较用切割胶带弯曲而保持平面状的状态下一次性地同时从多个半导体芯片上进行了分离。
＜扩张工序＞
与实施例1同样地进行。
[芯片缺损的有无评价]
用显微镜对上述得到的扩张后的多个半导体芯片的外观进行观察，确认半导体芯片的芯片缺损的有无，按照以下的基准进行了评价。
·A：存在芯片缺损。
·F：不存在芯片缺损。
[粘合片的粘合力的测定]
(粘合片(A)の加热前後の粘合力测定)
将所制作的粘合片(A)的轻剥离膜除去，接着，除去粘合片(A)的重剥离膜，将露出的粘合剂层(X1)的粘合表面粘贴于作为被粘附物的不锈钢板(SUS304 360号抛光)，在23℃、50％RH(相对湿度)的环境下静置了24小时，作为试验样品。
使用上述的试验样品，在23℃、50％RH(相对湿度)的环境下，基于JIS Z0237:2000通过180°剥离法以拉伸速度300mm/分测定了23℃下的粘合力。
另外，在加热板上将上述试验样品以热膨胀性粒子的膨胀起始温度(208℃)以上的240℃加热3分钟，在标准环境(23℃、50％RH(相对湿度))中静置了60分钟，然后，在与上述相同的条件下也测定了在膨胀起始温度以上的加热后的粘合力。
(比较用切割胶带的紫外线照射前后的粘合力测定)
将比较用比较用切割胶带(琳得科株式会社制造，商品名“D-820”)的粘合表面粘贴于作为被粘附物的不锈钢板(SUS304 360号抛光)，在23℃、50％RH(相对湿度)的环境下静置了24小时，作为试验样品，在与粘合片(A)同样的条件下测定了紫外线照射前在23℃下的粘合力。
接下来，从比较用切割胶带的基材侧，以照度230mW/cm2、光量190mJ/cm2照射了紫外线，然后，在与上述相同的条件下测定了紫外线照射后在23℃下的粘合力。
[表1]
实施例1 比较例1
芯片缺损的评价 A F
膨胀前或紫外线照射前的粘合力(N/25mm) 0.7 4.3
膨胀后或紫外线照射后的粘合力(N/25mm) 无法测定(*) 0.8
(*)：由于无法将试验样品粘贴于被粘附物(SUS板)，因此无法测定粘合力
由表1的结果可知，本实施方式的制造方法中使用的粘合片(A)与以往的紫外线照射型的粘合片相比，膨胀后的粘合力小，由此，可以容易地将切割半导体晶片而得到的多个芯片转印到另外的粘合片上，并且，可以有效地抑制转印时的芯片缺损的发生。

Claims (10)

1.一种半导体装置的制造方法，其是使用膨胀性的粘合片A的半导体装置的制造方法，所述粘合片A具有基材Y1及粘合剂层X1，
基材Y1是包含膨胀性粒子的膨胀性基材Y1-1，
基材Y1在23℃下的储能模量E’(23)为1.0×106～5.0×1012Pa，
该方法依次具有下述工序(1)～(3)，
工序(1)：将被加工物粘贴于粘合片A的粘合剂层X1之后，将该被加工物进行切割，在粘合剂层X1上得到经过了单片化的多个芯片的工序；
工序(2)：使用具有基材Y2及粘合剂层X2的粘合片B，将粘合片B的粘合剂层X2粘贴于所述多个芯片的与和粘合剂层X1相接触的面相反侧的面的工序；
工序(3)：使所述膨胀性粒子膨胀，将粘贴于粘合片B的所述多个芯片与粘合片A分离的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，粘合片B是扩张用的粘合片，在工序(3)之后，还具有下述工序(4A)，
工序(4A)：将粘合片B拉伸而扩大粘贴于粘合片B的所述多个芯片彼此间的间隔的工序。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，使用具有基材Y3及粘合剂层X3的扩张用的粘合片C，还进行下述工序(4B-1)～(4B-3)，
工序(4B-1)：将粘合片C的粘合剂层X3粘贴于粘合片B上的多个芯片的与粘合剂层X2相接触的面相反侧的面的工序；
工序(4B-2)：将粘合片B从粘贴于粘合片C的多个芯片分离的工序；
工序(4B-3)：将粘合片C拉伸而扩大粘贴于粘合片C的所述多个芯片彼此间的间隔的工序。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其中，在23℃下于MD方向及CD方向测定的所述扩张用的粘合片的断裂伸长率为100％以上。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述膨胀性粒子是膨胀起始温度(t)为60～270℃的热膨胀性粒子，所述工序(3)是通过对所述粘合片A加热而将粘贴于粘合片B的所述多个芯片与粘合片A分离的工序。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，工序(1)包含在将所述被加工物进行切割之后对粘合片A进行拉伸的处理。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述膨胀性粒子膨胀之前，在23℃下的粘合片A的粘合剂层X1的粘合力为0.1～10.0N/25mm。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，粘合片A所具有的基材Y1的表面的探针粘性值小于50mN/5mmφ。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述被加工物是半导体晶片。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其是扇出型半导体装置的制造方法。
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