CN1216157A - 用于保持和保护半导体晶片的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

发明提供了一种用于保持和保护半导体晶片的设备,该设备具有一个基板、设在该基板上有用以限定一个靠外的范围和一个靠内的范围的一些壁,设有至少一个通往靠外的范围的输送通道、至少一个通往靠内的范围的输送通道,和设有用于相对于环境压力在靠外的范围内经通道建立超压的装置。发明的设备提供了一种在环境压力小(< 30乇)的情况下,也可得以采用的保持可能性,在环境压力小(< 30乇)的情况下,经过所谓的“伯努利效应”保持是不可能的。发明特别是提供了一种保持可能性,通过这种保持,硅片的背面在抽真空过程中无须再被接触。

Description

用于保持和保护半导体晶片的设备和方法
发明涉及一种用于保持物体，特别是半导体晶片的设备及方法。
在制作半导体器件或集成的半导体产品的工艺中，半导体晶片总是一再地被纳入淀积过程，在淀积过程中，晶片的两侧被镀敷。因为在晶体片的背面上建立多个不同的敷层是不希望的并且可导致其它过程受到破坏，所以在整个生产过程中须对晶片的背面进行刻蚀步骤。其通常的做法是：晶片的正面全面地敷以光刻胶并且随后在CDE过程(化学顺流蚀刻过程，微波等离子或RF等离子体)中，晶片背面上的相应的敷层用湿法或干法去除。随后，晶片表面上的光刻胶层还必须被除去。
而两个附加步骤，即对晶片敷以光刻胶和从晶片上去除光刻胶导致流程时间延长并导致化学品消耗大为增多。此外，这两个附加步骤还需要增加设备，如光刻胶涂敷专用线、光刻胶层去除槽或O2-剥离器。
此外，为了去除晶片背面上的敷层，还存在使用所谓的“旋转蚀刻器”的可能性，该“旋转蚀刻器”可在不保护正面的情况下，去除晶片背面上的敷层，但须在湿化学的基础上工作。在该方法中，大部分已建立结构的晶片以其建立结构的表面朝下放置在一个旋转的气垫上快速地绕其轴旋转，同时，一种湿化学的刻蚀液从上方流到晶片的背面上。晶片快速旋转的结果使化学药品经由晶片背面的边向外甩出，并据此不会腐蚀晶片的建立了结构的表面。
但特别是在去除氮化物层的情况下，这意味着化学药品和水的消耗量显著增多，处理效率有所降低，并从而导致成本增加。此外，由于在氮化物和氧化物之间对湿化学的蚀刻液没有选择性，所以，对大直经的晶片(8”的晶片)而言，“旋转蚀刻”法不适于某些过程。
虽然有这些缺点，但在绝大多数情况下，背面蚀刻迄今仍按上述方法之一进行。
在德国公开说明书19502777A1中描述的、用于在晶片表面没敷光刻胶的情况下对半导体晶片背面进行等离子体辅助蚀刻的方法可避免传统方法的所述缺点，该方法可在表面不敷光刻胶层和没有湿式蚀刻的上述缺点的情况下对背面进行蚀刻。
按照在德国公开说明书19502777A1中描述的方法，对晶片表面的保护不再象以往那样在晶片表面上涂敷光刻胶来完成，而是借助一种中性气体来完成。其中，在真空中为了防止腐蚀性的过程气体腐蚀晶片的表面，对晶片表面的密封是通过一个具有位于晶片内部53附近的、可确定地建立的、细小的间隙52的遮挡板50(见图6)实现的，间隙52在与晶片表面55不接触的情况下经由一个间接的止挡58被调整。进入遮挡板50和晶片表面之间的空间中的中性气体通过该间隙52，以稍许的超压向外流入反应空间并防止活性气体侵至晶片表面。在蚀刻过程中，晶片座落在至少三个顶尖上。
然而，德国公开说明书19502777A1所描述的方法的缺点在于，在晶片背面上，支承部位56所在的待去除的敷层不能象其它部位的待去除的敷层那样以相同的速度被去除，因为蚀刻气体不能直接到达晶片的支承部位。而为了去除支承部位所在的敷层，需要进行时间较长的过蚀(＞50％)。只要位于待去除层以下的中止层足够厚(譬如在6″的晶片中为50纳米)并且蚀刻气体的选择性是足够的，这就不成问题。
但如果通常由氧化硅构成的中止层的厚度只为8nm，则为了去除支承点所在的敷层，即便在蚀刻气体具有好的选择性的情况下也不再能进行时间足够长的过蚀。此外，在德国公开说明书19502777A1描述的方法中还出现以下问题，即硅片通过作用在其表面上的超压会发生挠曲，据此，在某些边部导致间隙扩大，蚀刻气体会通过扩大了的间隙进到晶片表面上。
此外，按照德国公开说明书19502777A1中描述的发明的另一实施形式，硅片是以其侧边支承的，作用到硅片表面上的超压导致硅片中心错位。这也可导致腐蚀性气体进到硅片表面上。
因此需要一种能避免现有技术的用的保持装置，特别是需要一种在环境压力小(＜30乇)时，也可得以采用的保持装置，在环境压力小(＜30乇)时，经过所谓的“伯努利效应”是不可能保持的，特别是需要一种保持装置，其中，在抽真空过程中，硅片的背面不须再被接触。
解决该任务的技术方案在于独立权利要求1所述的设备及独立权利要求14和15所述的方法。在从属权利要求、说明书和附图中描述了本发明的其它优选的实施形式。
发明提供了一种用于保持和保护物体的设备，该设备具有一个基板、设在该基板上的有用以限定一个靠外的范围和一个靠内的范围的若干个壁，具有至少一个通往靠外的范围的输送通道，至少一个通往靠内的范围的输送通道和用于相对于环境压力在靠外的范围内(经由输送通道)建立超压的装置。
发明也提供了一种用于保持和保护物体的方法，在该方法中，相对于环境压力，用保护气体在物体表面的靠外的范围之上建立超压并在物体表面的靠内的范围之上建立负压，其中，保护气体的一部分沿物体表面的边缘通过。
如果物体的侧边被保持，则无需在物体表面的靠内的范围之上建立负压。在该情况下，对物体表面的靠内的范围可加以比物体表面的靠外的范围所加的超压小的超压或加以环境压力。在该情况下，当然也可在物体表面的靠内范围之上建立负压。
在设备的靠外的范围内在物体表面的靠外的范围之上建立的超压保护物体的表面，使其不受腐蚀性气体的腐蚀，而在设备的靠内的范围内，在物体表面的靠内的范围之上建立的负压或侧保持装置把物体保持在设备上，据此，在抽真空(＜30乇)的过程中，半导体晶片的背面不再必须被接触，在蚀刻过程中也不再有必要进行长的过蚀，据此，可实现高要求的工艺，如在中止层极薄情况下的工艺。同时可保护半导体晶片的可能已建立结构的正面免受腐蚀性的蚀刻气体腐蚀。
在半导体晶片的正面上涂敷光刻胶是不再必要的了，据此，可省去传统工艺中的几个工艺步骤，如涂敷保护用光刻胶，用O2-等离子体去除光刻胶和通过湿化学法对半导体晶片的表面进行再净化。这导致产量的提高并导致所需化学药品和费用的大量节约。
此外，省去了如在采用“旋转蚀刻器”时所必需的、对半导体晶片的费力旋转。
半导体晶片表面的靠内的范围之上的负压所起的作用相当于沿整个靠内的范围支承半导体晶片。据此，大大减少了半导体晶片的机械负荷并从而避免了半导体晶片的挠曲。在侧方保持半导体晶片的情况下，减少半导体晶片表面的靠内的范围上的压力负荷也导致半导体晶片的机械负荷的显著的减少。
优选地附加设有用于在靠内的范围中(经由输送通道)建立相对于环境压力的负压的装置。
基板优选地为平的盖板结构。基板为片形结构也是优选的。
按照发明的一个优选的实施形式，基板和各壁最好是铝制的一体结构。
为了可靠地密封待保护的表面，设备的靠外的范围完全包围设备的靠内的范围是优选的。
在靠外的壁的远端上沿圆周均匀分布地设有定距器，尤其是点式定距器，特别是兰宝石球(譬如6个)也是优选的。通过这些定距器，不仅可防止半导体晶体正面的敏感的段与保持设备发生面接触，而且通过摩擦力还可防止半导体晶片相对于保持设备的侧向移动。
此外，在靠外的壁上优选地设有突出部，这些突出部可用作对蚀刻室内的晶片输送机构的间接止挡。
如果待保持的半导体晶片应完全不接触地被保持，则靠外的范围分成多个分别具有一个用于建立超压的输送通道的多个扇形室是有利的。这可防止半导体晶片偏倾，因为每个扇形室本身都使半导体晶片保持距离。自动地和自调的距离只尚受建立了的保护气体流量和(可经过压差建立的)向上的净力的影响。
此外，用于建立靠外的范围内的超压的装置，具有一个有利地与通往靠外的范围的输送通道直接相连的蓄气罐是有利的。
此外，输送通道的尺寸规格的选择准则在于，在采用保持设备时，沿输送通道的压降有利地大于靠外的范围内的超压和环境压力之间的压差。其结果是：一个扇形室和环境之间的压差的甚至于大的、相对的波动也只导致蓄气罐和该扇形室之间的小的、相对的压差。据此，与该压差成比例的气体流量也保持恒定，这就是说，蓄气罐所起的作用就象一个为任意多的扇形室供应恒定的气体流量的气源。沿输送通道的压降有利地大于靠外的范围内的超压和环境压力之间的压差的两倍以上，特别是10倍以上。
为了防止半导体晶片相对于保持设备向侧方移动，在靠外的壁上或在突出部上设有侧边定距器是有利的。
此外，氮气、氧气、惰性气体或这些气体的混合物被用作保护气体是有利的。蚀刻用的、未被激励的用于蚀刻的工艺气体也可被用作保护气体。
下面借助附图详细说明本发明，附图所示为：
图1发明的设备的一个实施形式的示意的断面视图，
图2发明的设备的另一实施形式的示意的断面视图，
图3发明的设备的另一实施形式的示意的俯视图，
图4发明的设备的又一实施形式的示意的俯视图，
图5a至5c用发明的设备保持硅片的过程的示意图，
图6用于按现有技术蚀刻背面的方法的示意图。
图1示出了发明的设备10的一个实施形式的示意的断面视图。发明的设备10具有一个圆盘形的盖板11(基板)，两个环形的壁12和13从该盖板11出发。壁12和13限定一个环形的，靠外的范围14和一个圆形的、靠内的范围15。其中，靠内的壁13的厚度为靠外的壁12的厚度的两倍。在盖板11中具有两个开口(输送通道)16和17(见图4)。其中，开口16从盖板11的表面向环形的、靠外的范围14伸展并且开口17从盖板11的表面向圆形的、靠内的范围15伸展。在壁12的外侧具有突出部18，这些突出部18用作间接的止挡。
硅片20是在壁12和13的远端平行于盖板11设置的。据此，在靠外的壁12和硅片20的表面之间形成一个靠外的间隙21并在靠内的壁13和硅片20的表面之间形成一个靠内的间隙23。其中，靠内的间隙23的高度为靠外的间隙21的高度的两倍。为了防止硅片20在蚀刻过程中相对于保持设备运动并建立确定的间隙21，在靠外的壁12的远端设置6个在圆周上均匀分布的兰宝石球(未示出)，这6个兰宝石球伸入靠外的间隙21内并点式接触硅片20的表面。
此外，图1还示出了一个运输机构30，硅片20通过该运输机构可被输往发明的设备10。
在蚀刻过程期间，蚀刻气体的通过等离子体被激发的、反应的粒子自下而上到达硅片20的背面。这些粒子随后与蚀刻产物一起通过一个蚀刻室壁中的开口(未示出)被抽出。为了防止蚀刻气体到达硅片表面，硅片表面通过一种不腐蚀的中性气体被保护。譬如可采用氮气、氧气、氩气并且还可采用未被激励的蚀刻气体本身，如CF4或NF3。
为了密封靠外的间隙21，防止反应气体进入该间隙21，在该间隙21的附近有必要的保护气体超压就够了，没必要对硅片的整个表面加超压。因此，保护气体只通过开口16进入设备10的环形的、靠外的范围14内并在那里建立超压。据此，保护气体的进气系统44(见图4)在发明的该实施形式中，构成用于经由输送通道16在靠外的范围14内建立相对于蚀刻室中的环境压力的超压的装置。
靠内的壁13在硅片20之上把靠外的范围14与靠内的范围15分开，据此，可在靠内的范围15中建立一个低得多的压力。在靠内的范围15中建立该低压是通过经由盖板11中的开口17抽出保护气体实现的。据此，用于抽出保护气体的真空泵45(见图4)构成用于经由输送通道17在靠内的范围15内建立相对于环境压力的负压的装置。
因为靠内的壁13与硅片20的距离稍大些，所以硅片不可能被靠内的壁13接触。而因为靠内的壁13的宽度大于靠外的壁12的宽度，所以保护气体向被抽了真空的、靠内的范围15的流动是受限制的。如果靠外的壁的宽度是2毫米，则靠内的壁13为4毫米宽、后移0.1毫米，其与靠外的壁的间距为约3毫米。如果在靠外的壁12上调整的、靠外的间隙21为0.1毫米，则靠内的壁13就会有0.2毫米的、靠内的间隙22，并且就会有约同样多的保护气体流过这两个间隙。
密封所需的超压，在靠外的范围14以下的硅片20的表面上的小的环形面处，则生成一个与硅片20的整个面成比例地相应小的力。在给定的几何比例下和靠外的范围中的超压p2为2乇的情况下，这造成约100克的向下负荷。还要再加上约54克的晶片重量。蚀刻室中的400毫乇的工作压力p1就会足以抵消该力，前提是：设备10的靠内的范围15被抽真空。蚀刻室中的一般为800毫乇的工作压力会把重约150克的硅片向上顶。也可通过对靠内的范围15进行可调地抽真空，根据外部的工作压力p1如此地建立靠内的范围15中的压力p3，使硅片20总之不再承受任何负荷。这一点会变得更为重要，因为存在这样的倾向，即将来在硅片半径变大的情况下不再让硅片的厚度和从而让机械稳定性成比例地随之加大。因为在图1所示的发明的实施形式中为硅片没有设置其它的保持装置，所以有必要如此地建立靠内的范围15中的压力p3，即对硅片产生一个向上的净力。靠外的间隙21中的兰宝石球使硅片20在此保持确定的间距，譬如0.1毫米的间距。
如果在有少许的向上的净力的情况下放弃靠外的间隙21中的兰宝石球，则硅片在一侧接触靠外的壁12，而在另一侧将建立一个更大的、靠外的间隙21。保护气体的主量将在那里逸出，就是说，硅片20将稍许倾斜地贴靠或颤动。人们可防止这种情况的发生，措施在于，把靠外的范围14分成多个同样大的(譬如6个)扇形室，其中，每个扇形室本身单独地得到同样大的保护气体流量。这可使每个扇形室本身保持间距，硅片不再倾斜，也不再在一侧向上贴靠。自动地和自调地建立的间距只尚受调整了的保护气体流量和(可调的)向上的净力的影响。由于硅片现在是完全不接触的，所以硅片在不存在通常总有的那种侧限定装置的情况下当然将向侧方运动。
因此，图2示出了发明的设备的另一实施形式的示意的断面视图。在图2中，已经在图1中示出的构件均用图1使用的标号表示。在该实施形式中，相对在图1所示的发明的实施形式，在突出部18上设有定距器25。此外，在该实施形式中还放弃了靠外的间隙中的兰宝石球。同时设备的靠外的范围14沿圆周方向分成6个室(未示出)，其中，每个室在盖板11中有一个自己的开口16(见图4)。虽然硅片20现在完全自由浮动地相对于设备10运动，通过这些室，仍可沿设备10的整个圆周几乎建立相同的超压。为了避免硅片20的相对于设备10的过大的侧移，设有定距器25，用以限定该侧移。
图3示出了发明的设备的另一实施形式的示意的断面视图。与图2所示的设备一样，在图3所示的设备中，靠外的范围14也分成多个扇形室(未示出)，其中，每个扇形室具有一个自己的输送通道42。
为了使硅片20在没有定距器(譬如兰宝石球)和直接的保持器31(见图4)帮助的情况下也能沿整个圆周保持恒定的间距，在靠外的范围14的所有扇形室中必须存在一个基本上相同的压力并且基本上相同的、稳定的气体流量经由硅片的边通过间隙21。如在图2所示的发明的实施形式中所描述的那样，实现上述要求的措施在于所有的扇形室具有一个输送通道16，相同的、恒定的气体流量经由输送通道16被引入。其中，为了每个扇形室，气体流量可譬如借助一个气体调节系统相互无关地被保持恒定。可是，这在个别情况下可导致很多的花费；在有6个或更多的扇形室的情况下，该费用已超过一个等离子体蚀刻系统的或淀积系统的气体调节装置的费用。
本发明的在图3中所示的实施形式可简单地和完美地解决该调节问题。为此，在设备10的空腔中设有一个蓄气罐40，该蓄气罐40经由一个输送通道41如此地被供以保护气体，即恒定的、相对于环境压力的超压被保持。输送通道42(譬如孔、细管；其长度为50毫米，其截面积为1毫米2)，由蓄气罐40通往每个单独的扇形室。输送通道42的几何尺寸的选择准则在于，这些输送通道42特意地对气流施加很大的阻力。但为了使每个扇形室得到足够多的气流，在蓄气罐中必须建立相应高的压力p4。据此，与单个的扇形室和环境之间的为保持距离(或者为保护硅片表面)所需的压差p2-p1相比，蓄气罐和每个单个的扇形室之间的压差p4-p2变大，而这意味着，扇形室和环境之间的压差的甚至于大的、相对的波动(这取决于建立的间隙21)只导致蓄气罐和扇形室之间的小的、相对的压差p4-p2。据此，与该压差成比例的气体流量也保持恒定；就是说，蓄气罐所起的作用就象一个为任意多的扇形室供应恒定的气体流量的气源。据此并根据靠内的范围15和环境之间的调节了的、恒定的压差P1-P3，将建立靠外的壁12和硅片20之间的自调了的、沿圆周恒定的、靠外的间隙21。由于压力p1、p2和p3小于蓄气罐40中的压力p4，所以在输送通道42的几何尺寸已给定的情况下，间隙21的大小基本上只是通过蓄气罐40中的压力p4确定的。在对直径为200毫米的硅片的背面进行蚀刻的过程中，典型地产生如下压力值；p1=1乇、p2=3乇、p3=0.4乇、p4=40乇。
图4示出了发明的设备的另一实施形式的示意的断面视图。在图3中，已在图1中示出过的构件用在图1中所用的标号表示。相对于发明的在图1中所示的实施形式，在图2所示的实施形式中附加地设有保持销31，该保持销31通过弹簧32与靠外的壁12相连。保持销31通过一个运动机构35贴靠到硅片20的边上。在蚀刻过程中，保持销31与硅片20的边衔接并据此对硅片20施加一个附加保持力。据此，可在设备的靠内的范围15内建立压力p3，该压力p3独自不足以支承硅片20。如果压力p3被选得过小，则同样可通过保持销防止硅片20接触靠外的壁12。据此，靠内的范围15内的压力p3可如此地被建立，即硅片20的挠曲被防止。
图5a至5c示出了用发明的设备10固定硅片20的过程的示意图。
硅片20被一个晶片搬运系统(未示出)置于蚀刻室内并放到运输机构30上。届时，硅片被至少三个顶尖支承(图5a)。运输机构30现在朝装置10把硅片20抬高，直至运输机构30的一部分碰到突出部18为止(图5b)。在该过程中，保护气体已被通入设备10的靠外的范围14内，并且保护气体从设备10的靠内的范围15中被抽出。
如果运输机构30碰到设备10，则运动系统35使保持销31保持住硅片20的边，据此，硅片20已被设备10固定(图5c)。运输机构30的顶尖现在可被退回，据此，硅片的背面现已完全暴露。据此得出在图4中所示的状况。
因此，通过发明的设备，可在对硅片的表面不涂敷光刻胶的情况下对硅片的背面进行蚀刻。而由于硅片的背面在蚀刻过程中没被接触，所以无需进行长时间的过蚀。据此，要求很高的工艺，如其中止层极薄的工艺可被实现。
发明的设备当然也可用于背面蚀刻以外的其它工艺。发明的设备譬如也可用于真空运输系统，在这些真空运输系统中，必须避免接触硅片的正面和背面。在图2或图3中描述的实施例会很适于此用，因为所描述的设备在该情况下不会包括运动件。搬运范围内的环境压力会替代上述提及的工作压力p1，搬运范围内的环境压力必须抵消至少是硅片的重量，就是说，在晶片直径为8″的情况下，应大于140毫乇。

Claims (18)

1．用于保持和保护物体的设备(10)，其特征在于，设有一个基板(11)，设在该基板(11)上有用以限定一个靠外的范围(14)和一个靠内的范围(15)的若干个壁(12、13)，设有至少一个通往靠外的范围(14)的输送通道(16、42)、至少一个通往靠内的范围(15)的输送通道(17)和设有用于相对于环境压力在靠外的范围(14)内建立超压的装置(44)。
2．按照权利要求1所述的设备，其特征在于，设有用于在靠内的范围(15)内建立的压力低于环境压力的装置(45)。
3．按照权利要求1或2所述的设备，其特征在于，基板(11)为平的盖板结构。
4．按照权利要求1至3之一所述的设备，其特征在于，基板(11)为片形结构。
5．按照以上权利要求之一所述的设备，其特征在于，基板(11)和各个壁(12、13)为一体结构。
6．按照以上权利要求之一所述的设备，其特征在于，靠外的范围(14)完全包围靠内的范围(15)。
7．按照以上权利要求之一所述的设备，其特征在于，在靠外的壁(12)的远端设有定距器，特别是兰宝石球。
8．按照以上权利要求之一所述的设备，其特征在于，在靠外的壁(12)上具有突出部(18)。
9．按照以上权利要求之一所述的设备，其特征在于，靠外的范围(14)分成多个扇形室，这些扇形室分别具有一个输送通道(42)。
10．按照权利要求9所述的设备，其特征在于，用于在靠外的范围(14)内建立超压的装置(44)具有一个蓄气罐(40)，该蓄气罐有利地与通往靠外的范围(14)的输送通道(42)直接连接。
11．按照权利要求9或10所述的设备，其特征在于，输送通道(42)的尺寸规格的确定准则在于，沿输送通道(42)的压降大于靠外的范围(14)中的超压和环境压力之间的压差。
12．按照以上权利要求之一所述的设备，其特征在于，在各靠外的壁(12)上或在各突出部(18)上设有侧向定距器(25)。
13．按照以上权利要求之一所述的设备，其特征在于，在靠外的壁(12)上设有用于附加地保持物体的保持装置(31)。
14．用于保持和保护一个物体，特别是一个半导体晶片的方法，其特征在于，相对于环境压力，用保护气体在物体的表面的靠外的范围之上建立超压，并且相对于环境压力，在物体的表面的靠内的范围之上建立低于环境的压力，其中，保护气体的一部分沿物体的表面的边缘通过。
15．用于保持和保护一个物体，特别是一个半导体晶片的方法，其特征在于，物体的侧边被保持，相对于环境压力，用保护气体在物体的表面的靠外的范围之上建立超压，其中，保护气体的一部分沿物体的表面的边缘通过，并且在物体的表面的靠内的范围之上建立比物体的表面的靠外的范围之上建立的压力更小的压力。
16．按照权利要求14或15所述的方法，其特征在于，氮气、氧气、惰性气体或这些气体的混合气体被用作保护气体。
17．按照权利要求14至16之一所述的方法，其特征在于，物体的表面的靠外的范围与定距器，特别是兰宝石球保持点式接触。
18．用于蚀刻一个物体的至少一个表面的方法，其特征在于，该物体通过权利要求1至13之一所述的设备或按照权利要求14至17之一所述的方法被固定。
CN199898800069A 1997-01-28 1998-01-28 用于保持和保护半导体晶片的设备和方法 Pending CN1216157A (zh)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1323423C (zh) * 2002-01-23 2007-06-27 明基电通股份有限公司 晶片保护装置
CN101116182B (zh) * 2005-02-18 2010-10-06 三井化学株式会社 半导体晶片表面保护薄片及使用其的半导体晶片保护方法
US8196983B2 (en) 2007-04-24 2012-06-12 Tokyo Electron Limited Substrate attracting device and substrate transfer apparatus
CN103578926A (zh) * 2012-08-09 2014-02-12 三星电子株式会社 半导体缓冲结构、半导体器件和制造半导体器件的方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1089328A1 (en) 1999-09-29 2001-04-04 Infineon Technologies AG Method for manufacturing of a semiconductor device
JP5288191B2 (ja) * 2009-03-17 2013-09-11 大日本印刷株式会社 基板固定装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5895812A (ja) * 1981-12-01 1983-06-07 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 基板の収納容器及び収納容器の装着装置
DE3686781D1 (de) * 1985-05-04 1992-10-29 Seibu Giken Kk Vorrichtung zum halten und/oder foerdern einer platte mittels eines fluids ohne koerperliche beruehrung.
US5067762A (en) * 1985-06-18 1991-11-26 Hiroshi Akashi Non-contact conveying device
US5040484A (en) * 1987-05-04 1991-08-20 Varian Associates, Inc. Apparatus for retaining wafers
US5075256A (en) * 1989-08-25 1991-12-24 Applied Materials, Inc. Process for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer
DE9213054U1 (de) * 1992-09-28 1994-02-03 Siemens AG, 80333 München Transportbehälter für Halbleiterprodukte in Reinraum-Fertigungen
JP2934565B2 (ja) * 1993-05-21 1999-08-16 三菱電機株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
DE19502777A1 (de) * 1994-02-22 1995-08-24 Siemens Ag Verfahren zur plasmaunterstützten Rückseitenätzung einer Halbleiterscheibe bei belackungsfreier Scheibenvorderseite
US5494156A (en) * 1994-07-21 1996-02-27 Optima Precision Inc. Disc retainer for disc storage device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1323423C (zh) * 2002-01-23 2007-06-27 明基电通股份有限公司 晶片保护装置
CN101116182B (zh) * 2005-02-18 2010-10-06 三井化学株式会社 半导体晶片表面保护薄片及使用其的半导体晶片保护方法
US8196983B2 (en) 2007-04-24 2012-06-12 Tokyo Electron Limited Substrate attracting device and substrate transfer apparatus
CN101295661B (zh) * 2007-04-24 2012-07-25 东京毅力科创株式会社 基板吸附装置和基板搬送装置
CN103578926A (zh) * 2012-08-09 2014-02-12 三星电子株式会社 半导体缓冲结构、半导体器件和制造半导体器件的方法
CN103578926B (zh) * 2012-08-09 2018-01-02 三星电子株式会社 半导体缓冲结构、半导体器件和制造半导体器件的方法

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