JP2000508837A

JP2000508837A - 半導体ウェハの保持及び保護装置並びに方法

Info

Publication number: JP2000508837A
Application number: JP10531492A
Authority: JP
Inventors: マツーニ、ヨーゼフ
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1997-01-28
Filing date: 1998-01-28
Publication date: 2000-07-11
Also published as: EP0904598A1; TW348157B; WO1998033205A1; CN1216157A; KR20000064544A; DE19703059A1

Abstract

(57)【要約】この発明によれば、物体の保持及び保護装置は、ベースと、このベースに配置され外側領域と内側領域とを画定する壁部と、この外側領域への少なくとも１つの導入部と、この内側領域への少なくとも１つの導入部と、外側領域に（導入部を介して）周囲圧に対して過圧を作るための手段とを備える。この発明による装置により、いわゆる「ベルヌーイ効果」により保持することのできないような小さな周囲圧（＜30トル）の場合でも適用できる保持構成が提供される。特に真空プロセス中にシリコン円板の裏面が接触される必要のない保持構造が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】半導体ウェハの保持及び保護装置並びに方法この発明は、物体、特に半導体ウェハの保持装置並びに方法に関する。半導体デバイス或いは半導体集積製品の製造プロセスの経過において半導体ウェハは何度も繰り返して成膜プロセスに曝され、その都度ウェハはその両面に成膜される。ウェハの裏面における種々多数の膜構造は望ましくなく、また他のプロセスの妨害にもなることがあるので、全製造プロセスの経過において裏面エッチング工程が実施される。これは、通常、前面の全面にわたって塗料を塗布し、しかる後ウェハ裏面の該当する膜をＣＤＥ法（化学液体エッチング、マイクロ波プラズマ或いは高周波プラズマ）により湿式或いは乾式に除去することによって行われる。その後ウェハの前面の塗料は除去されねばならない。しかしながら、ウェハ円板に塗料を塗布する工程と、それを除去する工程との付加的な２つの工程はウェハの処理時間を著しく上げるだけでなく、さらに少なからぬ化学薬剤の消費を伴う。その他に、この付加的工程は塗料の塗布ライン、塗料除去容器並びに酸素ストリッパのような付加的な設備容量を必要とする。円板裏面上の膜を除去するために、さらに、いわゆる「スピン・エッチング」を使用することができる。この方法は、前面の保護なしで行えるが、湿式ベースで行われる。この方法においては、大部分既に構造を備えたウェハ円板が回転する空気クッションの上でその構造化した上面を下にして急速にその軸を中心に回転され、一方円板裏面には上から湿性のエッチング化学溶液が流される。円板を急速に回転する結果、化学薬剤は円板裏面の縁部を越えて外側に投げ出され、構造化されたウェハ前面が侵されることはない。しかしながら、この方法は特に窒化膜を除去する場合、化学薬剤や水の使用量が大きく、また処理量も少なく、従ってコスト高となる。また湿性のエッチング化学溶液は窒化物と酸化物との間の選択性がないので、この「スピンエッチング法」は、加えて、大きいウェハサイズ（８”ウェハ）における特定のプロセスには適していない。このような欠点にも係わらず、多くの場合、裏面エッチングは今日まで上述の方法の１つにより行われている。従来の方法の上記の欠点を回避する１つの可能性は、ドイツ特許出願公開第１９５０２７７７号公報に記載された、円板前面に塗料が塗布されてない場合の、プラズマ利用の半導体円板の裏面エッチング方法であり、この方法は円板の前面に塗料を塗布せずかつウェットエッチングの上述の欠点なしに裏面エッチングを可能としている。ドイツ特許出願公開第１９５０２７７７号公報に記載されたこの方法によれば円板の前面の保護は、従来のように、この面に塗料を塗布することによるのではなく、中性ガスにより行われる。円板の前面を真空中において反応性ガスに対する密封は、その場合、円板縁部５３の近くに微細な、一定に設定可能な間隙（ギャップ）５２を備えた遮断装置５０を介して行われ、この間隙は円板の前面５５に触れることなしに間接的なストッパ５８で設定される（図６参照）。この間隙５２を介して、遮断装置５０と円板の前面との間の空間に導入される中性ガスが僅かな過圧をもって外に向かって反応室に流入し、その際円板の前面への反応ガス侵入を阻止する。円板は、この場合、エッチング中少なくとも３つの尖頭部の上に載置されている。このドイツ特許出願公開第１９５０２７７７号公報による方法は、しかしながら、エッチングガスがシリコン円板が載置されている位置５６に直接には達することができないので、この載置位置における円板裏面の除去される膜が、その他の位置におけるのと同一の速度では除去されないという欠点を持っている。この載置位置においてそれにも係わらずエッチングされる膜を除去するためには、より長時間のオーバーエッチング（＞５０％）が必要である。これは、除去される膜の下にあるストッパ層が充分厚く（例えば、６”ウェハにおいて５０ｎｍ）であり、エッチングガスの選択性が充分である限り、なんら問題がない。通常、酸化シリコンからなるストッパ層はしかし８ｎｍの厚さであるので、エッチングガスの選択性がよい場合ても、載置点における部分の膜を除去するために、充分に長時間のオーバーエッチングすることはできない。さらに、ドイツ特許出願公開第１９５０２７７７号公報に記載された方法においては、シリコン円板がその上面における過圧により湾曲し、それにより幾つかの縁部位置において間隙が広がり、エッチングガスがこの間隙を通して円板の上面に侵入するという問題がある。さらにまた、ドイツ特許出願公開第１９５０２７７７号公報に記載された発明の異なる実施例によれば、シリコン円板はその側面側の縁部において支持され、シリコン円板の上面に加わる過圧がシリコン円板をずらせるということがある。これによりまた反応性エッチングガスが円板の前面に侵入することがある。それ故、このような従来の技術の欠点を回避する保持方法が必要とされる。特に、いわゆる「ベルヌーイ効果」による保持が不可能であるような小さな周囲圧の場合（＞３０トル）でも使用することのできる保持方法が必要とされる。特に、真空プロセスに中シリコン円板の裏面が接触されてはならない保持方法が必要とされる。この課題は、請求の範囲の請求項１による装置により、並びに請求項１４及び１５による方法により解決される。この発明のその他の有利な実施態様、構成例及び利点はそれ以外の請求項、明細書の記載及び添付の図面により明らかにされる。この発明によれば、ベースと、このベースに配置され外側領域と内側領域とを画定する壁部と、この外側領域への少なくとも１つの導入部と、内側領域への少なくとも１つの導入部と、外側領域に（前記導入部を介して）周囲圧に対して過圧を作るための手段とを備えた物体の保持及び保護装置が提供される。同様に、この発明によれば、物体の表面の外側領域にわたって保護ガスにより周囲圧に対して過圧を、物体の表面の内側領域にわたって周囲圧に対して低圧を作り、その際保護ガスの一部が物体の表面の縁部にわたって供給される物体の保持及び保護方法が提供される。物体がその側縁部で保持されるときには、物体の表面の内側領域にわたって低圧を作る必要はない。この場合には物体の表面の内側領域は物体の表面の外側領域よりも僅かな過圧もしくは周囲圧を受けることになる。しかしまた、この場合にも、物体の表面の内側領域にわたって低圧を設定することができることは当然である。装置の外部範囲において物体の表面の外側領域に作られる過圧はこの表面を侵食性のガスから保護すると共に、装置の内部範囲において物体の表面の内側領域に作られた低圧並びに側部の保持装置が物体を装置に保持する。これにより、真空プロセス（＜３０トル）中に半導体ウェハの裏面は最早触れられる必要はなく、従ってエッチングプロセスの際長時間のオーバーエッチングが最早必要でなく、これにより非常に高い要求を持つプロセス、例えば非常に薄いストッパ層の場合のプロセスも実現できる。しかし、同時に半導体ウェハの既に構造化された前面も侵食性のエッチングガスから保護されている。半導体ウェハの前面に塗料を塗布することは最早必要がなく、これにより従来のプロセスにおけるような、例えば半導体ウェハの前面の保護塗料の塗布、酸素プラズマによる塗料除去やウェットケミカル清浄のような幾つかのプロセス工程が回避される。これにより処理量が上がり、また必要な化学薬剤及びコストの著しい節約になる。さらに、いわゆる「スピンエッチング」において必要なような半導体ウェハの面倒な回転も省略される。半導体ウェハの表面の内側領域にわたる低圧は、半導体ウェハの内側領域全体にわたり支持するように作用する。これにより半導体ウェハの機械的荷重が明らかに減少し、これにより半導体ウェハの湾曲が回避される。物体を側方で保持する際にも物体の表面の内側領域に加わる圧力荷重が小さいことによって半導体ウェハの機械的荷重は明らかに減少する。さらに、内側領域に（導入部を介して）周囲圧に対して低圧を作る付加的な手段を設けるのがよい。また、ベースは平らなカバープレートとして形成するのがよく、同様にベースが円板状に形成されているのがよい。この発明の有利な構成によればベースと壁部とは単一部材から、好ましくは、アルミニウムから形成される。保護される前面を確実に密封するために、装置の外側領域が装置の内側領域を完全に包囲するのが有利である。同様に、外側の壁部の末端にスペーサ、好ましくは点状スペーサ、特にサファイアの球が全周にわたって均一に分配されて（例えば、６個）設けられるのが好適である。このスペーサによって半導体ウェハの前面の敏感な部分が保持装置と平面的に接触することが回避されるだけでなく、半導体ウェハの装置に対する側方の動きが摩擦力により阻止される。さらに、外側の壁部に突起部が設けられ、これがエッチング室の内部におけるウェハ移送機構の間接的ストッパとして役立つようにするのも好ましい。保持される物体が全く接触することなく保持されねばならないときには、外側領域が複数の区画に分割され、これらの区画がそれぞれ過圧を作るための導入部を備えるようにするのが有利である。この各区画はこの場合物体を間隔を持って保持するので、これにより物体が傾くことが回避される。自動的にかつ自己調整的に設定される間隔は設定された保護ガス流及び（圧力差を介して設定可能な）上に向かう力によってのみ影響を受ける。さらに、外側領域に過圧を作るための手段がガス溜を備え、これが特に外側領域への導入部と直接接続されているのが好ましい。さらに、これらの導入部は、この装置の使用中、１つの導入部に沿った圧力低下が外側領域の過圧と周囲圧との間の圧力差よりも大きくなるように、設計されるのがよい。これにより、１つの区画と周囲との間の圧力差に大きな相対的変動があってもガス溜とこの区画との間の小さな相対圧力差にしかならない。しかし、その場合、この圧力差に比例するガス流も一定にとどまり、即ちガス溜は任意の多数の区画に対して一定なガス流を持つ源として作用する。１つの導入部に沿う圧力低下は外側領域の過圧と周囲の圧力との間の圧力差より２倍以上、特に１０倍以上大きいのがよい。物体の装置に対する側方の動きを阻止するために、外側の壁部或いは突起部に側部スペーサが設けられるとよい。さらに、保護ガスとしては、好ましくは、窒素、酸素、希ガス或いはこれらの混合ガスが使用される。エッチングに使用されるプロセスガスも、それが活性化されないときには、使用することもできる。この発明を添付図面を参照してさらに詳しく説明する。図面において、図１はこの発明による装置の一実施例の概略断面図を、図２はこの発明による装置の異なる実施例の概略断面図を、図３はこの発明による装置の異なる実施例の概略平面図を、図４は同様にこの発明による装置の異なる実施例の概略平面図を、図５ａ乃至５ｃはシリコン円板がこの発明による装置により保持される工程の概略説明図を、そして図６は従来の技術による裏面エッチングの方法の概略説明図を示す。図１はこの発明による装置１０の一実施例の概略断面図を示す。この発明による装置１０は円板状のカバープレート（ベース）１１を備え、このベースから２つのリング状の壁部１２及び１３が突き出ている。これらの壁部１２及び１３はリング状の外側領域１４と円形の内側領域１５を画定している。その場合、内側の壁部１３は外側の壁部１２に比較して約２倍の厚さに形成されている。カバープレート１１には２つの開口（導入部）１６及び１７（図４参照）が設けられている。この開口１６はカバープレート１１の上側からリング状の外側領域１４に、開口１７はカバープレート１１の上側から円形の内側領域１５に延びている。壁部１２の外側には突起部１８が設けられ、間接的なストッパとして作用している。カバープレート１１に平行して壁部１２及び１３の末端にシリコン円板２０が配置されている。これにより外側の壁部１２と、シリコン円板２０の前面との間には外側の間隙２１が、そして内側の壁部１３と、シリコン円板２０の前面との間には内側の間隙２３が形成される。その場合、内側の間隙２３は外側の間隙２１の約２倍の大きさである。エッチングプロセス中にシリコン円板２０が装置に対して相対的に動くことを阻止し、規定された間隙２１を設定するために、外側の壁部１２の末端に、周囲に均等に配分された６個のサファイアの球（図示せず）が設けられ、これらは外側の間隙２１に達し、シリコン円板２０の表面と点状に接触している。さらに、図１はシリコン円板２０をこの発明による装置１０に導入する移送機構３０を示している。エッチングプロセス中にプラズマによって活性化されたエッチングガスの反応性粒子が下からシリコン円板２０の裏面に到達する。これらは次いでエッチング産物と共にエッチング室の壁（図示せず）の開口を通して吸い取られる。シリコン円板２０の前面にエッチングガスが到達することを阻止するために、シリコン円板２０の前面はエッチング性のない中性ガスによって保護される。この中性ガスとして、例えば窒素、酸素、アルゴン、しかしまた活性化されないエッチングガス自体、例えばＣＦ₄或いはＮＦ₃を使用することができる。外側の間隙２１を反応性ガスから密封するために、丁度この間隙２１の近くに保護ガスの必要な過圧を与えることで充分である。シリコン円板２０の前面全体にわたって過圧を与える必要はない。従って、保護ガスはただ開口１６を通して装置１０のリング状の外側領域１４に供給され、そこに過圧が作られる。保護ガスの導入システム４４（図４参照）は、それ故、この発明の実施例においては、外側領域１４に導入部１６を介して、周囲圧に対して過圧を発生させるための手段を形成する。内側の壁部１３はこの外側領域１４をシリコン円板２０の上の内側領域１５から分離しているので、ここにはずっと低い圧力が設定される。これは保護ガスをカバープレート１１の開口１７を通して吸い取ることによって行われる。保護ガスを吸い取るために使用される真空ポンプ４５（図４参照）は、それ故、内側領域１５に導入部１７を介して、周囲圧に対して低圧を発生させるための手段を形成する。内側の壁部１３はシリコン円板２０からやや大きい距離を持っているので、シリコン円板２０が内側の壁部１３に接触することは排除されている。しかしながら、内側の壁部１３は外側の壁部１２より広幅であるので、保護ガスが吸引された内側領域１５に漏出するのが制限されている。外側の壁部が２ｍｍの幅であるとき、内側の壁部１３は約３ｍｍの間隔で配置され、０．１ｍｍ後退し、４ｍｍの幅である。外側の壁部１２における外側の間隙２１が０．１ｍｍに設定されている場合、内側の壁部１３は０．２ｍｍの内側の間隙２２を持ち、両間隙を通してほぼ同じ量の保護ガスが流れることになる。密封のために必要な過圧は、小さいリング面で、外側領域１４の下側のシリコン円板２０の前面に、シリコン円板２０の全体の面積に比べた比に相当する小さい力を発生する。上述の形状関係においてかつ２トルの過圧ｐ₂が外側領域にあると、これは下に向かって凡そ１００ｇの荷重となる。これになお約５４ｇの円板重量が加わる。装置１０の内側領域１５が真空にされていることを前提とすれば、エッチング室における４００ｍトルの動作圧ｐ₁で充分この力は補償できる。８００ｍトルのエッチング室における通常の動作圧は、約１５０ｇのシリコン円板２０を押し上げることになろう。しかしながら、内側領域１５の吸引を制御することによりその中の圧力ｐ₃を動作圧ｐ₁に関係して外で設定して、シリコン円板２０が全体として最早全く荷重を受けないようにすることも可能である。これは、シリコン円板２０の厚み、従って機械的安定性を将来益々直径が大きくなる際に最早その割合で大きくすることができない傾向があるだけに益々重要である。図１に示されたこの発明の実施例においてはシリコン円板に対するその他の保持機構が設けられていないので、内側領域１５における圧力ｐ₃を、シリコン円板に上に向かう正味の力が生ずるように設定することが必要である。外側の間隙２１のサファイア球はシリコン円板２０を、その場合、規定の間隔、例えば０．１ｍｍに保持する。上に向かう正味の力が僅かな場合に外側の間隙２１におけるサファイアの球を断念するときには、シリコン円板は１つの位置において外側の壁部１２に接触するが、しかし、これに対して比較的大きい外側の間隙２１が設定される。その場合、そこには保護ガスの主要部分が漏出し、即ちシリコン円板２０が僅かに傾いて接するかバタつく。これは、外側領域１４を複数の同じ大きさの（例えば、６個の）区画に分け、各々に別々に同じ流量の保護ガスが流れるようにすることによって回避することができる。これにより、各区画はそれ自体間隔をおいて保持され、円板は最早傾いたり、１つの面に当たるようなことがない。自動的にかつ自己調整的に設定される間隔は、その場合、設定された保護ガス流及び（可設定の）上に向かう正味の力によって影響を受ける。円板はこの場合完全に無接触であるので、益々特別な側部の制限がない場合には、円板は側方に浮動することになる。図２はこの発明による装置の異なる実施例の概略断面図を示す。図２において、既に図１で示された部分は図１で使用された符号と同じ符号で示されている。図１で示されたこの発明の実施例に追加して、図２の実施例においてはスペーサ２５が突起部１８に設けられている。さらにこの実施例では外側の間隙におけるサファイアの球が省略される。同時にこの装置の外側領域１４が周方向に６つの部屋（図示せず）に分割され、この６つの部屋の各々がカバープレート１１にそれぞれ固有の開口１６（図４参照）を備えている。これらの部屋により装置１０の全周にわたって殆ど同じ過圧を、シリコン円板２０が全く自由に浮動して、この装置１０に対して相対的に動く場合ですら、作ることができる。装置１０に対してシリコン円板２０の過大な側方の動きを回避するために、この側方の動きを制限するスペーサ２５が設けられている。図３はこの発明による装置の異なる実施例の概略断面図を示す。図２に示された装置のように、この装置においても外側領域１４は複数の区画（部屋、図示せず）に分けられ、それぞれが独自の導入部４２を備えている。物体２０がスペーサ（例えば、サファイア球）もしくは直接的なホルダ３１（図４参照）なしに全周にわたって一定の間隔にとどまるためには、外側領域１４の全ての区画にはほぼ同じ圧力が加わるかもしくはほぼ同一の安定したガス流が間隙２１を通して物体の縁部にわたって導かれねばならない。これは、例えば図２に示されたこの発明の実施例において記載されたように、全ての区画が導入部１６を備え、これを介して同一の一定ガス流が導入されることにより行われる。このガス流はこの場合各区画に対して互いに無関係に、例えばガス制御システムにより一定に保持される。しかしながら、これは個々にはかなりのコストアップをもたらす。例えば、６個或いはそれ以上の区画の場合このコストは既にプラズマエッチングもしくは蒸着システムのガス制御のコストを越える。図３に示されたこの発明の実施例はこの制御の問題を簡単にかつスマートな方法で解決する。このために装置１０の中空室にガス溜４０が設置され、これに導入部４１を介して保護ガスが供給され、しかも周囲に対して一定の過圧が保たれる。このガス溜４０からは導入部４２（例えば、孔、導管。長さ５０ｍｍ、断面積１ｍｍ²）が各区画に通じている。これらの導入部４２は、ガス流に意識的に高い抵抗で対抗するような配置に選ばれている。それにもかかわらず個々の区画に充分に高いガス流を得るために、ガス溜４０の圧力ｐ₄は相応に高く設定されねばならない。これにより、しかし、ガス溜と各個々の区画との圧力差ｐ₄−ｐ₂ が、間隔を保持するために（もっとはっきり言えば、前面の保護に）必要な、個々の区画と周囲との間の圧力差ｐ₂−ｐ₁に比較して大きくなる。即ち、しかし、区画と周囲（これはその場合設定される間隙２１に関係する）との間の圧力差の大きな相対的変動でさへガス溜と区画との間の小さな相対的圧力差ｐ₄−ｐ₂しかもたらさない。これにより、しかしまた、この圧力差に比例するガス流もまた一定にとどまる。即ち、ガス溜は任意の数の区画に対して一定のガス流を持つ源のように作用する。これにより、かつ内側領域１５と周囲との間の制御された一定の圧力差ｐ₁−ｐ₃により、自動調整され、周囲にわたって一定の、外側の壁部１２と物体２０との間の外側の間隙２１が設定される。圧力ｐ₁、ｐ₂、ｐ₃はガス溜４０の圧力ｐ₄に較べて低いから、導入部４２の形状が与えられている場合間隙２１の大きさは殆どガス溜４０の圧力ｐ₄により決められる。２００ｍｍのシリコン円板の裏面エッチングプロセスにおいて代表的には次の圧力値が生ずる。即ち、ｐ₁＝１トル、ｐ₂＝３トル、ｐ₃＝０．４トル、ｐ₄＝４０トルである。図４はこの発明による装置の異なる実施例の概略断面を示す。図４において、既に図１で示された部分は図１で使用された符号と同じ符号で示されている。図１で示されたこの発明の実施例に追加して、図４の実施例においてはばね３２を介して外側の壁部１２に結合される保持ピン３１が設けられている。この保持ピン３１は可動機構３５によりシリコン円板２０の縁部に接触している。エッチング工程中保持ピン３１はシリコン円板２０の縁部と係合し、それ故付加的な保持力をシリコン円板２０に与えている。それ故、装置１０の内側領域１５には圧力ｐ₃が設定されるが、この圧力だけではシリコン円板₂₀を支持するには充分でない。同様に保持ピン３１によってシリコン円板２０が外側の壁部１２に接触することが阻止される場合には、圧力ｐ₃は非常に低く選ばれてよい。それに応じて内側領域１５のこの圧力ｐ₃はシリコン円板２０の湾曲が阻止されるように設定される。図５ａ乃至５ｃは、シリコン円板２０がこの発明による装置１０により保持される工程を概略的に示す。シリコン円板２０はウェハ・ハンドリングシステム（図示せず）によってエッチング室に運ばれ、移送機構３０に置かれる。その場合、シリコン円板は少なくとも３つのピンで支持される（図５ａ参照）。移送機構３０はシリコン円板２０を装置１０の方向に、移送機構３０の一部が突起部１８に当たるまで持ち上げる（図５ｂ）。この動作中既に保護ガスが装置１０の外側領域１４に導入され、装置１０の内側領域１５から吸い取られる。移送機構３０が装置１０と当たっている状態にあれば、移動機構３５が保持ピン３１をシリコン円板２０の縁部と接触させる。これによりシリコン円板２０は装置１０に保持される（図５ｃ）。移送機構３０のピンはこの場合戻ることができるので、これによりシリコン円板２０の裏面は完全に露出される。従って図４に示す状態が生ずる。この発明による装置によれば、それ故、シリコン円板の前面に塗料を塗布しないでもその裏面をエッチングすることが可能となる。しかし円板裏面はエッチング中接触されていないので、長時間のオーバーエッチングは最早必要でない。これにより非常に高度の要求のあるプロセスでも、例えば非常に薄いストッパ層の場合においても実現可能である。勿論、この発明による装置は裏面エッチング以外の他のプロセスに対しても使用できる。例えば、この発明による装置は、円板の前面及び裏面に接触するのを避けようとする真空移送システムにおいても適用できる。図２或いは３に示された実施例はこれに対して好適である。これらの装置はこの場合可動部分を有していないからである。上述の動作圧ｐ₁の代わりにハンドリング範囲の周囲圧で代替することもできる。但し、この場合この周囲圧は少なくとも円板の重量を補償せねばならない、即ち、８”のウェハの場合１４０ｍトルよりも大きくなければならない。

Claims

【特許請求の範囲】１．ベース（１１）と、このベース（１１）に配置され外側領域（１４）と内側領域（１５）とを画定する壁部（１２、１３）と、この外側領域（１４）への少なくとも１つの導入部（１６、４２）と、この内側領域（１５）への少なくとも１つの導入部（１７）と、外側領域（１４）に周囲圧に対して過圧を作るための手段（４４）とが設けられていることを特徴とする物体の保持及び保護装置。２．内側領域（１５）に周囲圧に対して低圧を作るための手段（４５）が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の装置。３．ベース（１１）がカバープレートとして形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。４．ベース（１１）が円板状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の装置。５．ベース（１１）と壁部（１２、１３）とが単一部材から形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の装置。６．外側領域（１４）が内側領域（１５）を完全に包囲していることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の装置。７．外側の壁部（１２）の末端にスペーサ、特にサファイア球が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の装置。８．外側の壁部（１２）に突起部（１８）が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の装置。９．外側領域（１４）が複数の区画に分割され、そのそれぞれが導入部（４２）を備えていることを特徴とする請求項１乃至８の１つに記載の装置。１０．外側領域（１４）に過圧を作るための手段（４４）がガス溜（４０）を備え、このガス溜が特に外側領域（１４）への導入部（４２）と直接接続していることを特徴とする請求項９に記載の装置。１１．導入部（４２）が、この導入部（４２）に沿った圧力低下が外側領域（１４）の過圧と周囲圧との間の圧力差より大きいように設計されていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の装置。１２．外側の壁部（１２）或いは突起部（１８）に側方のスペーサ（２５）が設けられていることを特徴とする請求項１乃至１１の１つに記載の装置。１３．外側の壁部（１２）に物体を付加的に保持するための保持体（３１）が設けられていることを特徴とする請求項１乃至１２の１つに記載の装置。１４．物体の表面の外側領域にわたって保護ガスにより周囲圧に対して過圧が、物体の表面の内側領域にわたって周囲圧に対して低圧が作られ、その際この保護ガスの一部が物体の表面の縁部にわたって供給されることを特徴とする物体、特に半導体ウェハの保持及び保護方法。１５．物体がその側方の縁部で保持され、物体の表面の外側領域にわたって保護ガスにより周囲圧に対して過圧が作られ、その際この保護ガスの一部が物体の表面の縁部にわたって供給され、物体の表面の内側領域にわたって物体の表面の外側領域にわたるより低い圧力が作られることを特徴とする物体、特に半導体ウェハの保持及び保護方法。１６．保護ガスとして窒素、酸素、希ガス或いはこれらの混合ガスが使用されることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の方法。１７．物体の表面の外側領域がスペーサ、特にサファイア球と特に点状に接触していることを特徴とする請求項１４乃至１６の１つに記載の方法。１８．物体が請求項１乃至１３の１つに記載の装置により或いは請求項１４乃至１７の１つに記載の方法により保持されることを特徴とする物体の少なくとも１つの表面のエッチング方法。