JPH10340884A - ディスク状の物体の一方の面を処理する方法および装置 - Google Patents
ディスク状の物体の一方の面を処理する方法および装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ディスク状の物体の一方の面に対して作用す
る処理剤が、処理すべきでない物体の他方の面に作用す
ることがあり得ない、または制御されない仕方でそうな
ることがあり得ないことを保証する方法を提供する。 【解決手段】 ディスク状の物体の処理すべき面を処理
剤でフラッシュし、ディスク状の物体の処理すべきでな
い面を不活性剤でフラッシュする、ディスク状の物体を
処理する方法であって、ディスク状の物体の処理すべき
面上にガス状の処理剤を吹きかけ、処理すべきでない面
上にガス状の不活性剤を吹きかけ、ディスク状の物体の
周囲の端の領域にガス状の不活性剤を向け、ディスク状
の物体の周囲の端の領域において、ディスク状の物体の
処理すべきでない面に面しガス状の不活性剤で満たされ
た空間からノズル様の環状の間隙を通してガス状の不活
性剤を退出させることを特徴とする方法。
る処理剤が、処理すべきでない物体の他方の面に作用す
ることがあり得ない、または制御されない仕方でそうな
ることがあり得ないことを保証する方法を提供する。 【解決手段】 ディスク状の物体の処理すべき面を処理
剤でフラッシュし、ディスク状の物体の処理すべきでな
い面を不活性剤でフラッシュする、ディスク状の物体を
処理する方法であって、ディスク状の物体の処理すべき
面上にガス状の処理剤を吹きかけ、処理すべきでない面
上にガス状の不活性剤を吹きかけ、ディスク状の物体の
周囲の端の領域にガス状の不活性剤を向け、ディスク状
の物体の周囲の端の領域において、ディスク状の物体の
処理すべきでない面に面しガス状の不活性剤で満たされ
た空間からノズル様の環状の間隙を通してガス状の不活
性剤を退出させることを特徴とする方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスク状の物体
の一方の面を処理する方法および装置、例えば、両面に
存在する層、例えば酸化物層を一方の面においてのみ除
去すべきシリコンウェハーをドライエッチングする方法
および装置に関する。
の一方の面を処理する方法および装置、例えば、両面に
存在する層、例えば酸化物層を一方の面においてのみ除
去すべきシリコンウェハーをドライエッチングする方法
および装置に関する。
【０００２】さらに、本発明は、本発明の方法を実施す
ることができる装置に関する。
ることができる装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】ディスク状の物体上に存在する層、例え
ばシリコンウェハー上の酸化物層をエッチングによって
除去するために、液体のエッチング剤によってディスク
状の物体、特にシリコンウェハーを処理するウェットエ
ッチング装置が知られている。
ばシリコンウェハー上の酸化物層をエッチングによって
除去するために、液体のエッチング剤によってディスク
状の物体、特にシリコンウェハーを処理するウェットエ
ッチング装置が知られている。
【０００４】ガス状のエッチング剤によってウェハーを
エッチングする方法および装置も知られている（ドライ
エッチング）。例えば、窒素に溶解したフッ化水素（Ｈ
Ｆ蒸気）を用いてウェハーを処理することによって、シ
リコンウェハーの酸化物層が除去される。
エッチングする方法および装置も知られている（ドライ
エッチング）。例えば、窒素に溶解したフッ化水素（Ｈ
Ｆ蒸気）を用いてウェハーを処理することによって、シ
リコンウェハーの酸化物層が除去される。
【０００５】DE35 22 465Aによって、液体のエッチング
剤によってその裏面上で処理されるシリコンウェハー
を、エッチングによって侵される前に脱イオン水を用い
てフラッシュすることで保護することが知られている。
DE35 22 465Aによって環状の間隙（ｒｉｎｇ ｇａｐ）
についても説明されているが、この環状の間隙はディス
ク状の要素の幾何学的な寸法および支持要素のウェハー
側の端によって決められている。この既知の装置におい
ては、ウェハーは支持要素上に別個に印加された負圧に
よって固定されている。
剤によってその裏面上で処理されるシリコンウェハー
を、エッチングによって侵される前に脱イオン水を用い
てフラッシュすることで保護することが知られている。
DE35 22 465Aによって環状の間隙（ｒｉｎｇ ｇａｐ）
についても説明されているが、この環状の間隙はディス
ク状の要素の幾何学的な寸法および支持要素のウェハー
側の端によって決められている。この既知の装置におい
ては、ウェハーは支持要素上に別個に印加された負圧に
よって固定されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ディ
スク状の物体の一方の面に対して作用する処理剤が、処
理すべきでない物体の他方の面に作用することがあり得
ない、または制御されない仕方でそうなることがあり得
ないことを保証する方法およびこの方法を実施するため
の装置を提供することである。
スク状の物体の一方の面に対して作用する処理剤が、処
理すべきでない物体の他方の面に作用することがあり得
ない、または制御されない仕方でそうなることがあり得
ないことを保証する方法およびこの方法を実施するため
の装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的は、ディスク状の物体の処理すべき面を処理剤でフラ
ッシュし、ディスク状の物体の処理すべきでない面を不
活性剤でフラッシュする、ディスク状の物体、特にシリ
コンウェハーを処理する方法であって、ディスク状の物
体の処理すべき面上にガス状の処理剤を吹きかけ、ディ
スク状の物体の処理すべきでない面上にガス状の不活性
剤を吹きかけ、ディスク状の物体の周囲の端の領域にガ
ス状の不活性剤を向け、ディスク状の物体の周囲の端の
領域において、ディスク状の物体の処理すべきでない面
に面しガス状の不活性剤で満たされた空間からノズル様
の環状の間隙を通してガス状の不活性剤を退出させ、ノ
ズル様の環状の間隙は、一方の側はディスク状の物体と
境界を接し他方の側はガス状の不活性剤で満たされた空
間の端と境界を接していることを特徴とする方法によっ
て達成される。
的は、ディスク状の物体の処理すべき面を処理剤でフラ
ッシュし、ディスク状の物体の処理すべきでない面を不
活性剤でフラッシュする、ディスク状の物体、特にシリ
コンウェハーを処理する方法であって、ディスク状の物
体の処理すべき面上にガス状の処理剤を吹きかけ、ディ
スク状の物体の処理すべきでない面上にガス状の不活性
剤を吹きかけ、ディスク状の物体の周囲の端の領域にガ
ス状の不活性剤を向け、ディスク状の物体の周囲の端の
領域において、ディスク状の物体の処理すべきでない面
に面しガス状の不活性剤で満たされた空間からノズル様
の環状の間隙を通してガス状の不活性剤を退出させ、ノ
ズル様の環状の間隙は、一方の側はディスク状の物体と
境界を接し他方の側はガス状の不活性剤で満たされた空
間の端と境界を接していることを特徴とする方法によっ
て達成される。
【０００８】さらに、本発明は、本発明に係る方法を実
施するために好ましく使用することが可能であり、ガス
状の処理剤、特にガス状のエッチング剤がバイプを介し
て導入されるとともにキャップの形状に設計されたハウ
ジング部および処理すべきディスク状の物体用の保持プ
レートからなるハウジングによって囲まれているプロセ
スチャンバーを有する本発明に係る方法を実施するため
の装置であって、ガス状の処理剤を供給するパイプがキ
ャップ状のハウジング部に至り、少なくとも１つのくぼ
みがディスク状の物体の支持領域のディスク状の物体用
の保持プレート内に配置され、このくぼみにガス状の不
活性剤、特にエッチングするべき層に対して不活性なガ
ス剤を供給するためのパイプが至り、保持プレート内の
くぼみは処理すべきディスク状の物体よりも小さく、ノ
ズル様の環状の間隙は、くぼみを囲う保持プレートの表
面の領域とディスク状の物体の周囲の端との間に配置さ
れていることを特徴とする装置に関する。
施するために好ましく使用することが可能であり、ガス
状の処理剤、特にガス状のエッチング剤がバイプを介し
て導入されるとともにキャップの形状に設計されたハウ
ジング部および処理すべきディスク状の物体用の保持プ
レートからなるハウジングによって囲まれているプロセ
スチャンバーを有する本発明に係る方法を実施するため
の装置であって、ガス状の処理剤を供給するパイプがキ
ャップ状のハウジング部に至り、少なくとも１つのくぼ
みがディスク状の物体の支持領域のディスク状の物体用
の保持プレート内に配置され、このくぼみにガス状の不
活性剤、特にエッチングするべき層に対して不活性なガ
ス剤を供給するためのパイプが至り、保持プレート内の
くぼみは処理すべきディスク状の物体よりも小さく、ノ
ズル様の環状の間隙は、くぼみを囲う保持プレートの表
面の領域とディスク状の物体の周囲の端との間に配置さ
れていることを特徴とする装置に関する。
【０００９】本発明に係る方法および本発明に係る装置
の好ましくかつ有利な構成が、従請求項の目的である。
の好ましくかつ有利な構成が、従請求項の目的である。
【００１０】本発明に係る方法においては、ディスク状
の物体、例えばシリコンウェハー、の処理すべきでない
表面にガス状の不活性剤を吹きかけるために、ガス状の
処理剤がディスク状の物体の処理すべきでない、例えば
端の領域を超えた表面に対して、制御されない仕方で作
用することが確実に防止される。
の物体、例えばシリコンウェハー、の処理すべきでない
表面にガス状の不活性剤を吹きかけるために、ガス状の
処理剤がディスク状の物体の処理すべきでない、例えば
端の領域を超えた表面に対して、制御されない仕方で作
用することが確実に防止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明に係る方法および本発明に
係る装置の他の詳細および特徴を、関連する図面を参照
して、以下の説明によって示す。
係る装置の他の詳細および特徴を、関連する図面を参照
して、以下の説明によって示す。
【００１２】以下の説明においては、シリコンウェハー
上の酸化物層を除去するエッチングについて言及してい
るが、本発明はこの例の用途に限られるものではない。
しかし、この使用は好ましいものではある。
上の酸化物層を除去するエッチングについて言及してい
るが、本発明はこの例の用途に限られるものではない。
しかし、この使用は好ましいものではある。
【００１３】図１に示す装置は、例えばベルの形状に設
計された、カバー壁２および側壁３を有する下方が開口
したハウジング１からなる。上部において、ハウジング
１は、ガス状の処理剤、例えばドライエッチング剤（例
えば窒素に溶解したフッ化水素）を、ハウジング１によ
って囲まれたプロセスチャンバー５に供給するための接
続４を有する。例えばシリコンウェハーである処理すべ
き物体８用の保持プレート７が、キャップ状（ｃａｐ−
ｓｈａｐｅｄ）のハウジング１の側壁３の自由縁（ｆｒ
ｅｅ−ｅｄｇｅ）６に、着脱可能に接続されている。
計された、カバー壁２および側壁３を有する下方が開口
したハウジング１からなる。上部において、ハウジング
１は、ガス状の処理剤、例えばドライエッチング剤（例
えば窒素に溶解したフッ化水素）を、ハウジング１によ
って囲まれたプロセスチャンバー５に供給するための接
続４を有する。例えばシリコンウェハーである処理すべ
き物体８用の保持プレート７が、キャップ状（ｃａｐ−
ｓｈａｐｅｄ）のハウジング１の側壁３の自由縁（ｆｒ
ｅｅ−ｅｄｇｅ）６に、着脱可能に接続されている。
【００１４】保持プレート７は、除去すべき層、例えば
シリコンウェハー上の除去すべき酸化物層に対してなん
らエッチング作用を持たない、すなわちこの点では不活
性であるガス剤を供給するためのパイプ１０が至ってい
るくぼみ（ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）を有している。例
えば、このガスは窒素であり得る。
シリコンウェハー上の除去すべき酸化物層に対してなん
らエッチング作用を持たない、すなわちこの点では不活
性であるガス剤を供給するためのパイプ１０が至ってい
るくぼみ（ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）を有している。例
えば、このガスは窒素であり得る。
【００１５】複数のディスク状の物体８を同時に処理す
る上で好適な本発明に係る装置の態様（図示せず）にお
いては、ここで説明したタイプの複数のくぼみ９が金属
板７に配置されている。ガス状の不活性剤をくぼみ９に
供給することができるパイプ１０が、それぞれのくぼみ
９に接続されている。
る上で好適な本発明に係る装置の態様（図示せず）にお
いては、ここで説明したタイプの複数のくぼみ９が金属
板７に配置されている。ガス状の不活性剤をくぼみ９に
供給することができるパイプ１０が、それぞれのくぼみ
９に接続されている。
【００１６】上方に突き出た複数の、好ましくは４つの
ピン１１が、保持プレート７内においてすべてくぼみ９
の周囲に配置されて、処理すべきディスク状の物体８が
保持プレート上に置かれている保持プレート７の領域を
囲んでいる。くぼみが設けられた領域９の外側で、かつ
ピン１１の外側に、かつ図1および図２に示された態様
において、ガス状のエッチング剤およびパイプ１０を通
して供給されるガス状の不活性剤を除去するために、複
数の吸込み口１２がくぼみ９の周囲に配置されている。
吸込み口１２は図2に示すように、例えば円弧状のスリ
ットの輪郭を有することができる。図1および図2に示し
た態様は、ディスク状の物体８の保持プレート７に面し
ている面１３を処理剤の作用から完全に保護すべきとき
に用いることが好ましい。
ピン１１が、保持プレート７内においてすべてくぼみ９
の周囲に配置されて、処理すべきディスク状の物体８が
保持プレート上に置かれている保持プレート７の領域を
囲んでいる。くぼみが設けられた領域９の外側で、かつ
ピン１１の外側に、かつ図1および図２に示された態様
において、ガス状のエッチング剤およびパイプ１０を通
して供給されるガス状の不活性剤を除去するために、複
数の吸込み口１２がくぼみ９の周囲に配置されている。
吸込み口１２は図2に示すように、例えば円弧状のスリ
ットの輪郭を有することができる。図1および図2に示し
た態様は、ディスク状の物体８の保持プレート７に面し
ている面１３を処理剤の作用から完全に保護すべきとき
に用いることが好ましい。
【００１７】図3および図４に示した本発明に係る装置
の態様は、ディスク状の物体８の保持プレート７に面し
ている面の端の領域を制御された仕方で処理剤の作用に
供すべきときに特別に用いる。例えば、図3および図４
に示した態様を用いるときには、下面１３の端の領域内
に限定される酸化物層を、エッチングによってシリコン
ウェハーから除去することが可能である。図３および図
４に示した態様は、ディスク状の物体８の端と部分的に
重なる保持プレート７の領域内に吸込み口１２が配置さ
れるという点で、図１および図２に示した態様と区別さ
れる。
の態様は、ディスク状の物体８の保持プレート７に面し
ている面の端の領域を制御された仕方で処理剤の作用に
供すべきときに特別に用いる。例えば、図3および図４
に示した態様を用いるときには、下面１３の端の領域内
に限定される酸化物層を、エッチングによってシリコン
ウェハーから除去することが可能である。図３および図
４に示した態様は、ディスク状の物体８の端と部分的に
重なる保持プレート７の領域内に吸込み口１２が配置さ
れるという点で、図１および図２に示した態様と区別さ
れる。
【００１８】本装置を使用するときには、例えば（Ｎ2
＋ＨＦ）（特に図１および２の態様を用いるとき）のよ
うな処理剤と例えば全く接触するべきでないまたは限定
された端の領域のみにおいて接触するべき、従ってエッ
チングされるべきでないまたは制御されない仕方でエッ
チングされるべきではない表面１３を有するシリコンウ
ェハーを例とするような処理すべき物体８を、上方に突
出しているピン１１の内側の保持プレート内に設けられ
たくぼみ９の領域内において、保持プレート７上に下向
きに設置する。
＋ＨＦ）（特に図１および２の態様を用いるとき）のよ
うな処理剤と例えば全く接触するべきでないまたは限定
された端の領域のみにおいて接触するべき、従ってエッ
チングされるべきでないまたは制御されない仕方でエッ
チングされるべきではない表面１３を有するシリコンウ
ェハーを例とするような処理すべき物体８を、上方に突
出しているピン１１の内側の保持プレート内に設けられ
たくぼみ９の領域内において、保持プレート７上に下向
きに設置する。
【００１９】ガス状の不活性剤、例えば窒素を保持プレ
ート７内のパイプ１０を通してくぼみ９内に吹きかける
と、環状の間隙１６が形成され保持プレート７の上方に
浮遊するディスク状の物体８の下面１３がガス状の不活
性剤によってフラッシュされるように、流れるガス剤に
よって物体８の端１４がくぼみ９の端１５、すなわち保
持プレート７の上面からいくらか上がる。ガス状のエッ
チング剤、例えば（Ｎ2 ＋ＨＦ）を、例えばシリコンウ
ェハー上に形成された酸化物層を除去するために保持プ
レート７と反対側を向く物体８の面２０をエッチングす
るように、キャップ状のハウジング１に接続されたパイ
プ４を介して導入する。
ート７内のパイプ１０を通してくぼみ９内に吹きかける
と、環状の間隙１６が形成され保持プレート７の上方に
浮遊するディスク状の物体８の下面１３がガス状の不活
性剤によってフラッシュされるように、流れるガス剤に
よって物体８の端１４がくぼみ９の端１５、すなわち保
持プレート７の上面からいくらか上がる。ガス状のエッ
チング剤、例えば（Ｎ2 ＋ＨＦ）を、例えばシリコンウ
ェハー上に形成された酸化物層を除去するために保持プ
レート７と反対側を向く物体８の面２０をエッチングす
るように、キャップ状のハウジング１に接続されたパイ
プ４を介して導入する。
【００２０】保持プレート７からわずかに上がった物体
８と保持プレート7の上面２１との間のノズル様（ｎｏ
ｚｚｌｅ−ｌｉｋｅ）の環状の間隙１６を通して、ガス
状の不活性剤が流れ出るために、ガス状のエッチング剤
が（特に図１および２の態様を用いるときに）物体８の
下面１３に達することが全くないか、またはガス状のエ
ッチング剤が保持プレート７の方を向くディスク状の物
体８の面１３の注意深く限定された端の領域内のみで作
用することが保証され、従って、エッチングは限定され
た仕方でそこで行われる。
８と保持プレート7の上面２１との間のノズル様（ｎｏ
ｚｚｌｅ−ｌｉｋｅ）の環状の間隙１６を通して、ガス
状の不活性剤が流れ出るために、ガス状のエッチング剤
が（特に図１および２の態様を用いるときに）物体８の
下面１３に達することが全くないか、またはガス状のエ
ッチング剤が保持プレート７の方を向くディスク状の物
体８の面１３の注意深く限定された端の領域内のみで作
用することが保証され、従って、エッチングは限定され
た仕方でそこで行われる。
【００２１】上方は物体８の端１４と境界を接し下方は
保持プレート７内のくぼみ９の端１５と境界を接してい
るノズル様の環状の間隙１６の領域において、不活性ガ
スが環状の間隙１６を通して流れ出るときにベルヌーイ
の効果が始まる。従って、例えディスク上の物体８が保
持プレートの上方に浮遊していても、不活性ガスによっ
てディスク状の物体８が保持プレート７から吹き飛ばさ
れることが、難なく防がれる。
保持プレート７内のくぼみ９の端１５と境界を接してい
るノズル様の環状の間隙１６の領域において、不活性ガ
スが環状の間隙１６を通して流れ出るときにベルヌーイ
の効果が始まる。従って、例えディスク上の物体８が保
持プレートの上方に浮遊していても、不活性ガスによっ
てディスク状の物体８が保持プレート７から吹き飛ばさ
れることが、難なく防がれる。
【００２２】物体８の上面をエッチングするガス状のエ
ッチング剤、および物体８の下面をフラッシュするガス
状の不活性剤の両方が、保持プレート７内のくぼみ９の
周囲に配置された吸込み口１２を介してプロセスチャン
バー５から排出される。
ッチング剤、および物体８の下面をフラッシュするガス
状の不活性剤の両方が、保持プレート７内のくぼみ９の
周囲に配置された吸込み口１２を介してプロセスチャン
バー５から排出される。
【００２３】エッチング工程が完了するとすぐに、プロ
セスチャンバー５を不活性なガス剤、例えば純粋窒素に
よってフラッシュし、次に保持プレート７をキャップ状
のハウジング１から取り除き、そして、例えば、処理す
べき物体８を配置する別の保持プレート７をキャップ状
のハウジング１に対して所定の位置に配置し、そこで別
のエッチング工程を行うことができる。
セスチャンバー５を不活性なガス剤、例えば純粋窒素に
よってフラッシュし、次に保持プレート７をキャップ状
のハウジング１から取り除き、そして、例えば、処理す
べき物体８を配置する別の保持プレート７をキャップ状
のハウジング１に対して所定の位置に配置し、そこで別
のエッチング工程を行うことができる。
【００２４】以上、まとめると、本発明の好適な態様を
以下のように記載することができる。
以下のように記載することができる。
【００２５】ドライエッチング工程においてシリコンウ
ェハー８の一方の面をエッチングするための、キャップ
状のハウジング１、およびハウジング１に取付けられた
エッチングすべきシリコンウェハー8用の保持プレート
７からなる装置が提供される。キャップ状のハウジング
１およびこれに取付けられた保持プレート７がプロセス
チャンバー５を囲んでおり、この中にエッチング作用を
及ぼすガス剤、例えば窒素およびフッ化水素の混合物を
導入することができる。保持プレート７にはくぼみ９が
あり、この周囲にシリコンウェハー８用の保持ピン１１
および吸込み口１２がプロセスチャンバー５からガスを
除去するために配置されている。処理すべきシリコンウ
ェハー８を、そのエッチングすべき面２０を上にして保
持プレート７上に配置し、そしてエッチングによって除
去すべき層に対して不活性であるガス剤を、保持プレー
ト７内のくぼみ９内に導入する。その結果、ガス状の不
活性剤が保持プレート７とシリコンウェハー８の間を流
れ出る環状の間隙１６が形成されるように、シリコンウ
ェハー８が保持プレート７内のくぼみ９の端１５から上
がる。プロセスチャンバー５内に吹き込まれるエッチン
グ剤は、保持プレート７と反対側を向くシリコンウェハ
ー８の表面２０をフラッシュするとともに、保持プレー
ト７を向くシリコンウェハー８の面１３に達することが
できないかまたは制御されない仕方でそうなることはあ
り得ない。その理由は、サブエッチングがやはりシリコ
ンウェハー８の端の領域において防止されるかまたは限
定された端の領域のみにおいて行われるように、不活性
ガスがシリコンウェハー８と保持プレート７の間の環状
の間隙１６を通して出て来るからである。
ェハー８の一方の面をエッチングするための、キャップ
状のハウジング１、およびハウジング１に取付けられた
エッチングすべきシリコンウェハー8用の保持プレート
７からなる装置が提供される。キャップ状のハウジング
１およびこれに取付けられた保持プレート７がプロセス
チャンバー５を囲んでおり、この中にエッチング作用を
及ぼすガス剤、例えば窒素およびフッ化水素の混合物を
導入することができる。保持プレート７にはくぼみ９が
あり、この周囲にシリコンウェハー８用の保持ピン１１
および吸込み口１２がプロセスチャンバー５からガスを
除去するために配置されている。処理すべきシリコンウ
ェハー８を、そのエッチングすべき面２０を上にして保
持プレート７上に配置し、そしてエッチングによって除
去すべき層に対して不活性であるガス剤を、保持プレー
ト７内のくぼみ９内に導入する。その結果、ガス状の不
活性剤が保持プレート７とシリコンウェハー８の間を流
れ出る環状の間隙１６が形成されるように、シリコンウ
ェハー８が保持プレート７内のくぼみ９の端１５から上
がる。プロセスチャンバー５内に吹き込まれるエッチン
グ剤は、保持プレート７と反対側を向くシリコンウェハ
ー８の表面２０をフラッシュするとともに、保持プレー
ト７を向くシリコンウェハー８の面１３に達することが
できないかまたは制御されない仕方でそうなることはあ
り得ない。その理由は、サブエッチングがやはりシリコ
ンウェハー８の端の領域において防止されるかまたは限
定された端の領域のみにおいて行われるように、不活性
ガスがシリコンウェハー８と保持プレート７の間の環状
の間隙１６を通して出て来るからである。
【図１】本発明に係る方法を実施する上で好適な装置を
示す軸方向の概略断面図。
示す軸方向の概略断面図。
【図２】本発明に係るディスク状の物体が保持されたプ
レートを示す上面図。
レートを示す上面図。
【図３】本発明に係る他の態様を示す図。
【図４】本発明に係る他の態様を示す図。
１…ハウジング ２…カバー壁 ３…側壁 ４…パイプ ５…プロセスチャンバー ６…自由縁 ７…保持プレート ８…ディスク状の物体 ９…くぼみ １０…パイプ １１…ピン １２…吸込み口 １３…物体の面 １４…物体の面 １５…くぼみの端 １６…環状の間隙 ２１…保持プレートの面
Claims (9)
- 【請求項１】 ディスク状の物体の処理すべき面を処理
剤でフラッシュし、ディスク状の物体の処理すべきでな
い面を不活性剤でフラッシュする、ディスク状の物体、
特にシリコンウェハーを処理する方法であって、 ディスク状の物体の処理すべき面上にガス状の処理剤を
吹きかけ、ディスク状の物体の処理すべきでない面上に
ガス状の不活性剤を吹きかけ、 ディスク状の物体の周囲の端の領域にガス状の不活性剤
を向け、 ディスク状の物体の周囲の端の領域において、ディスク
状の物体の処理すべきでない面に面しガス状の不活性剤
で満たされた空間からノズル様の環状の間隙を通してガ
ス状の不活性剤を退出させ、 ノズル様の環状の間隙は、一方の側はディスク状の物体
と境界を接し他方の側はガス状の不活性剤で満たされた
空間の端と境界を接していることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 エッチングによってディスク状の物体か
ら層を除去するためにガス状のエッチング剤をディスク
状の物体の一方の面に吹きかけ、エッチングによって除
去すべき層に対して不活性であるガス剤をディスク状の
物体の処理すべきでない面上に吹きかけることを特徴と
する請求項1記載の方法。 - 【請求項３】 窒素に溶解したフッ化水素を用いたエッ
チングによって、当該技術分野において知られているよ
うに、酸化物層をシリコンウェハーの表面から除去し、
かつシリコンウェハーの他の表面を窒素によってフラッ
シュすることを特徴とする請求項2記載の方法。 - 【請求項４】 ガス状の処理剤、特にガス状のエッチン
グ剤がバイプを介して導入されるとともにキャップの形
状に設計されたハウジング部および処理すべきディスク
状の物体用の保持プレートからなるハウジングによって
囲まれているプロセスチャンバーを有する請求項１ない
し３のいずれか1項記載の方法を実施するための装置で
あって、 ガス状の処理剤を供給するパイプがキャップ状のハウジ
ング部に至り、 少なくとも１つのくぼみがディスク状の物体の支持領域
のディスク状の物体用の保持プレート内に配置され、こ
のくぼみにガス状の不活性剤、特にエッチングするべき
層に対して不活性なガス剤を供給するためのパイプが至
り、 保持プレート内のくぼみは処理すべきディスク状の物体
よりも小さく、 ノズル様の環状の間隙は、くぼみを囲う保持プレートの
表面の領域とディスク状の物体の周囲の端との間に配置
されていることを特徴とする装置。 - 【請求項５】 キャップ状のハウジング部がその自由縁
によってディスク状の物体用の保持プレートに取付け可
能であることを特徴とする請求項4記載の装置。 - 【請求項６】 保持プレート内のくぼみの周囲にディス
ク状の物体の横方向の支持のためにピンが配置されてい
ることを特徴とする請求項４または５記載の装置。 - 【請求項７】 プロセスチャンバー内に導入されたガス
剤を除去するための開口が、保持プレート内のくぼみの
周囲の保持プレート内に配置されていることを特徴とす
る請求項４ないし６のいずれか1項記載の装置。 - 【請求項８】 開口がピンの外側に配置されていること
を特徴とする請求項７記載の装置。 - 【請求項９】 開口がピンの内側に配置されていること
を特徴とする請求項7記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW87103313A TW396448B (en) | 1998-03-26 | 1998-03-06 | Process and device for one-sided treatment of disk-shaped objects |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT527/97 | 1997-03-26 | ||
| AT0052797A AT405655B (de) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | Verfahren und vorrichtung zum einseitigen bearbeiten scheibenförmiger gegenstände |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340884A true JPH10340884A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=3492990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10079963A Pending JPH10340884A (ja) | 1997-03-26 | 1998-03-26 | ディスク状の物体の一方の面を処理する方法および装置 |
Country Status (6)
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|---|---|
| US (1) | US6149759A (ja) |
| EP (1) | EP0871207B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10340884A (ja) |
| KR (1) | KR19980080628A (ja) |
| AT (2) | AT405655B (ja) |
| DE (1) | DE59801367D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674735B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2007-01-25 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판세정장치 및 기판세정방법 |
| US7628864B2 (en) | 2004-04-28 | 2009-12-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus and method |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001027357A1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-19 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for executing plural processes on a microelectronic workpiece at a single processing station |
| US20050205111A1 (en) * | 1999-10-12 | 2005-09-22 | Ritzdorf Thomas L | Method and apparatus for processing a microfeature workpiece with multiple fluid streams |
| DE10122845C2 (de) * | 2001-05-11 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen einem scheibenförmigen Gegenstand und einem Trägerwafer |
| US6689418B2 (en) | 2001-08-03 | 2004-02-10 | Applied Materials Inc. | Apparatus for wafer rinse and clean and edge etching |
| US6743722B2 (en) | 2002-01-29 | 2004-06-01 | Strasbaugh | Method of spin etching wafers with an alkali solution |
| US6908567B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-06-21 | Applied Materials Israel, Ltd. | Contaminant removal by laser-accelerated fluid |
| US20070110895A1 (en) * | 2005-03-08 | 2007-05-17 | Jason Rye | Single side workpiece processing |
| US8082932B2 (en) * | 2004-03-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Single side workpiece processing |
| US7938942B2 (en) * | 2004-03-12 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Single side workpiece processing |
| US20060040111A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Dolechek Kert L | Process chamber and system for thinning a semiconductor workpiece |
| US20060046499A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Dolechek Kert L | Apparatus for use in thinning a semiconductor workpiece |
| US7288489B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-10-30 | Semitool, Inc. | Process for thinning a semiconductor workpiece |
| US7354649B2 (en) | 2004-08-20 | 2008-04-08 | Semitool, Inc. | Semiconductor workpiece |
| US7193295B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-03-20 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for thinning a semiconductor workpiece |
| US8544483B2 (en) * | 2005-04-01 | 2013-10-01 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US8795769B2 (en) * | 2005-08-02 | 2014-08-05 | New Way Machine Components, Inc. | Method and a device for depositing a film of material or otherwise processing or inspecting, a substrate as it passes through a vacuum environment guided by a plurality of opposing and balanced air bearing lands and sealed by differentially pumped groves and sealing lands in a non-contact manner |
| US8104488B2 (en) * | 2006-02-22 | 2012-01-31 | Applied Materials, Inc. | Single side workpiece processing |
| WO2008008154A2 (en) | 2006-07-07 | 2008-01-17 | Fsi International, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| WO2009020524A1 (en) | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
| US7972969B2 (en) * | 2008-03-06 | 2011-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for thinning a substrate |
| KR101690047B1 (ko) | 2008-05-09 | 2016-12-27 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 장치 및 방법 |
| KR101102710B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2012-01-05 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 언로딩 시스템 및 이를 포함하는 웨이퍼 양면 가공장치 |
| JP7400461B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2023-12-19 | 株式会社レゾナック | サセプタ |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4165252A (en) * | 1976-08-30 | 1979-08-21 | Burroughs Corporation | Method for chemically treating a single side of a workpiece |
| DE3027934A1 (de) * | 1980-07-23 | 1982-02-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur einseitigen aetzung von halbleiterscheiben |
| IT1213183B (it) * | 1984-06-27 | 1989-12-14 | Ates Componenti Elettron | Dispositivo per la protezione di una superficie, durante il trattamento chimico dell'opposta superficie, di elementi lenticolari in genere e di fette di silicio in particolare. |
| DE354669T1 (de) * | 1988-07-20 | 1990-11-08 | Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd., Sakai, Osaka, Jp | Einrichtung und verfahren zum trockenaetzen und generator zum erzeugen von wasserfreier, verduennter fluss-saeure, die dafuer benoetigt wird. |
| US5133284A (en) * | 1990-07-16 | 1992-07-28 | National Semiconductor Corp. | Gas-based backside protection during substrate processing |
| EP0611274B1 (de) * | 1993-02-08 | 1998-12-02 | SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG | Träger für scheibenförmige Gegenstände |
| JP4108119B2 (ja) * | 1994-02-23 | 2008-06-25 | アプライド マテリアルズ， インコーポレイテッド | 改良型化学気相堆積チャンバ |
| JP3234091B2 (ja) * | 1994-03-10 | 2001-12-04 | 株式会社日立製作所 | 表面処理装置 |
| US5580421A (en) * | 1994-06-14 | 1996-12-03 | Fsi International | Apparatus for surface conditioning |
| DE4432210A1 (de) * | 1994-09-09 | 1996-03-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Rückseitenätzung einer mit Siliziumdioxid beschichteten Halbleiterscheibe mit Fluorwasserstoffgas |
-
1997
- 1997-03-26 AT AT0052797A patent/AT405655B/de not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-03-03 AT AT98890055T patent/ATE205332T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-03-03 EP EP98890055A patent/EP0871207B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-03 DE DE59801367T patent/DE59801367D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-11 US US09/038,288 patent/US6149759A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-25 KR KR1019980010234A patent/KR19980080628A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-03-26 JP JP10079963A patent/JPH10340884A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674735B1 (ko) * | 2004-04-28 | 2007-01-25 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판세정장치 및 기판세정방법 |
| US7628864B2 (en) | 2004-04-28 | 2009-12-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0871207A1 (de) | 1998-10-14 |
| ATA52797A (de) | 1999-02-15 |
| ATE205332T1 (de) | 2001-09-15 |
| DE59801367D1 (de) | 2001-10-11 |
| AT405655B (de) | 1999-10-25 |
| KR19980080628A (ko) | 1998-11-25 |
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