KR102504087B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102504087B1
KR102504087B1 KR1020200186120A KR20200186120A KR102504087B1 KR 102504087 B1 KR102504087 B1 KR 102504087B1 KR 1020200186120 A KR1020200186120 A KR 1020200186120A KR 20200186120 A KR20200186120 A KR 20200186120A KR 102504087 B1 KR102504087 B1 KR 102504087B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical solution
substrate
speed
bowl
supply module
Prior art date
Application number
KR1020200186120A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220094677A (ko
Inventor
김희환
최문식
김재열
신철용
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020200186120A priority Critical patent/KR102504087B1/ko
Priority to JP2021136981A priority patent/JP7201756B2/ja
Priority to CN202111103630.8A priority patent/CN114695176A/zh
Priority to US17/526,220 priority patent/US20220205093A1/en
Publication of KR20220094677A publication Critical patent/KR20220094677A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102504087B1 publication Critical patent/KR102504087B1/ko
Priority to US18/474,493 priority patent/US20240011158A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/004—Nozzle assemblies; Air knives; Air distributors; Blow boxes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

약액을 절감하기 위한 기판 처리 장치 및 방법이 제공된다. 상기 기판 처리 장치는 기판이 안착되고, 회전 가능한 지지 모듈; 상기 지지 모듈의 주위를 둘러싸고, 제1 보울과, 상기 제1 보울보다 내측에 배치된 제2 보울을 포함하는 하우징; 상기 기판에 제1 약액을 토출하는 제1 약액 공급모듈; 및 상기 기판에 상기 제1 약액과 다른 제2 약액을 토출하는 제2 약액 공급모듈을 포함하고, 상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈은 제1 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하고, 상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제1 속도와 같거나 작은 제2 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 제1 유량으로 공급하고, 상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 작은 제3 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 공급하지 않거나, 상기 제1 유량보다 작은 제2 유량으로 공급하는 것을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method for processing substrate}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 장치 또는 디스플레이 장치를 제조할 때에는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착 등 다양한 공정이 실시된다. 여기서, 식각 공정은 기판 상에 형성된 막질을 제거하는 공정이고, 세정 공정은 기판 표면에 잔류하는 오염 물질을 제거하는 공정이다. 식각/세정 공정은 공정 진행 방식에 따라 습식 방식과 건식 방식으로 분류되며, 습식 방식은 배치 타입의 방식과 스핀 타입의 방식으로 분류된다.
스핀 타입의 방식은 한 장의 기판을 처리할 수 있는 지지 모듈에 기판을 고정한 후, 기판을 회전시키면서 노즐을 통해 기판에 약액을 공급하여 원심력에 의해 약액이 기판 전면에 퍼지게 한다.
그런데, 식각/세정 공정 중에 기판을 회전시키면서 약액을 계속 공급하기 때문에, 식각량 또는 세정량에 비해서 과도한 약액이 사용된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 약액을 절감하기 위한 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판이 안착되고, 회전 가능한 지지 모듈; 상기 지지 모듈의 주위를 둘러싸고, 제1 보울과, 상기 제1 보울보다 내측에 배치된 제2 보울을 포함하는 하우징; 상기 기판에 제1 약액을 토출하는 제1 약액 공급모듈; 및 상기 기판에 상기 제1 약액과 다른 제2 약액을 토출하는 제2 약액 공급모듈을 포함하고, 상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈은 제1 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하고, 상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제1 속도와 같거나 작은 제2 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 제1 유량으로 공급하고, 상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 작은 제3 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 공급하지 않거나, 상기 제1 유량보다 작은 제2 유량으로 공급하는 것을 포함한다.
상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급한 후에, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 큰 제4 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 제3 유량으로 공급하는 것을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 유량은 상기 제1 유량보다 클 수 있다.
상기 제2 약액 공급모듈이 제2 약액을 상기 제3 유량으로 공급하는 동안, 상기 하우징은 상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되는 위치로 이동하도록 하는 것을 더 포함한다.
상기 제2 약액 공급모듈이 제2 약액을 상기 제3 유량으로 공급한 후에, 상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치한 상태에서, 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 제1 유량으로 공급하는 것은 제1 시간 동안 진행되고, 상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급하는 것은, 상기 제1 시간보다 긴 제2 시간 동안 진행될 수 있다.
상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급한 후에, 상기 제1 시간보다 길고 상기 제2 시간보다 짧은 제3 시간 동안, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 큰 제4 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 제3 유량으로 공급하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치한 상태에서 상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급한 후에, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 큰 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 상기 제1 약액을 공급하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치한 상태에서, 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도보다 작은 제5 속도로 회전하면서 건조 모듈은 상기 기판 상에 건조액을 공급하고, 이어서 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도보다 큰 제6 속도로 회전하면서 상기 건조 모듈은 상기 기판 상에 건조가스를 공급하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 약액 공급모듈이 제1 약액을 공급하는 것과 상기 제2 약액 공급모듈이 제2 약액을 제1 유량으로 공급하는 것 사이에, 상기 제1 약액 공급모듈이 제1 약액을 공급하면서, 상기 하우징은 상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되는 위치로 이동하도록 하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치할 때 상기 기판의 에지 부근에서의 풍속은 제1 풍속이고, 상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치할 때 상기 기판의 에지 부근에서의 풍속은 제2 풍속이고, 상기 제2 풍속은 상기 제1 풍속보다 작을 수 있다.
상기 제1 약액은 린스액이고, 상기 제2 약액은 식각액일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면은, 기판이 안착되고, 회전 가능한 지지 모듈; 상기 지지 모듈의 주위를 둘러싸고, 제1 보울과, 상기 제1 보울보다 내측에 배치된 제2 보울을 포함하는 하우징; 및 상기 기판에 제1 약액을 토출하는 제1 약액 공급모듈을 포함하고, 상기 기판에 상기 제1 약액과 다른 제2 약액을 토출하는 제2 약액 공급모듈을 포함하고, 상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈은 제1 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하고, 상기 하우징은 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 이동하면서, 상기 지지 모듈은 상기 제1 속도보다 작은 제2 속도로 회전하고, 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하고, 상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 제1 유량으로 공급하고, 상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 작은 제3 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액의 공급을 중단하고, 상기 하우징은 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 이동하면서, 상기 지지 모듈은 상기 제1 속도보다 큰 제4 속도로 회전하고, 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 상기 제1 유량보다 큰 제2 유량으로 공급하고, 상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈은 상기 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 상기 제1 약액을 공급하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 제1 유량으로 공급하는 것은 제1 시간 동안 진행되고, 상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액의 공급을 중단하는 것은, 상기 제1 시간보다 긴 제2 시간 동안 진행되고, 상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 제2 유량으로 공급하는 것은, 상기 제1 시간 보다 길고 상기 제2 시간 보다 짧은 제3 시간 동안 진행될 수 있다.
상기 지지 모듈은 상기 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 상기 제1 약액을 공급한 후에, 상기 제1 보울은 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도보다 작은 제5 속도로 회전하면서 건조 모듈은 상기 기판 상에 건조액을 공급하고, 이어서 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도보다 큰 제6 속도로 회전하면서 상기 건조 모듈은 상기 기판 상에 건조가스를 공급하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 면은, 기판이 안착되고 회전 가능한 지지 모듈과, 상기 지지 모듈의 주위를 둘러싸고, 제1 보울과, 상기 제1 보울보다 내측에 배치된 제2 보울을 포함하는 하우징과, 상기 기판에 제1 약액을 토출하는 제1 약액 공급모듈과, 상기 기판에 상기 제1 약액과 다른 제2 약액을 토출하는 제2 약액 공급모듈을 포함하는 기판 처리 장치가 제공되고, 상기 제1 보울은 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈은 제1 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하고, 상기 제2 보울은 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제1 속도와 같거나 작은 제2 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 제1 유량으로 공급하고, 상기 제2 보울은 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 작은 제3 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 공급하지 않거나, 상기 제1 유량보다 작은 제2 유량으로 공급하는 것을 포함한다.
상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급한 후에, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 큰 제4 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 상기 제1 유량보다 큰 제3 유량으로 공급하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 약액 공급모듈이 제2 약액을 상기 제3 유량으로 공급하는 동안, 상기 하우징은 상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되는 위치로 이동하도록 하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 약액 공급모듈이 제2 약액을 상기 제3 유량으로 공급한 후에, 상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치한 상태에서, 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제1 보울은 상기 기판에 대응되도록 위치한 상태에서 상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급한 후에, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 큰 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 상기 제1 약액을 공급하는 것을 더 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6은 도 4 및 도 5의 기판 처리 장치의 구동 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 4 및 도 5의 기판 처리 장치의 구동 방법의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9는 도 8의 기판 처리 장치의 구동 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 8의 기판 처리 장치의 구동 방법의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
우선 도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 하우징(200), 지지 모듈(340), 승강 모듈(360), 제1 약액 공급모듈(380)을 포함한다.
하우징(200)은 공정이 수행되는 처리공간을 제공하고, 그 상측 중앙부는 개방된다. 하우징(200)은 다수의 보울(bowl)(220, 240, 260)을 포함한다. 일 예에 의하면, 하우징(200)은 내부 보울(또는, 제3 보울 또는 3단 보울)(220), 중간 보울(또는, 제2 보울 또는 2단 보울)(240), 그리고 외부 보울(또는, 제1 보울 또는 1단 보울)(260)을 가진다. 내부 보울(220), 중간 보울(240), 그리고 외부 보울(260)은 공정에 사용된 약액 중 서로 상이한 약액을 분리 회수할 수 있다. 내부 보울(220)은 지지 모듈(340)를 감싸는 중공의 원통 형상으로 제공되고, 중간 보울(240)은 내부 보울(220)을 감싸는 중공의 원통 형상으로 제공되며, 외부 보울(260)은 중간 보울(240)을 감싸는 중공의 원통 형상으로 제공된다. 즉, 외부 보울(260) 내측에 중간 보울(240)이 배치되고, 중간 보울(240) 내측에 내부 보울(220)이 배치될 수 있다. 내부 보울(220)의 내측공간, 내부 보울(220)과 중간 보울(240)의 사이공간, 그리고 중간 보울(240)과 외부 보울(260)의 사이 공간은 각각 내부 보울(220), 중간 보울(240), 그리고 외부 보울(260)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 내부 보울(220), 중간 보울(240), 그리고 외부 보울(260) 각각에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(225, 245, 265)이 연결된다. 각각의 회수라인(225, 245, 265)은 내부 보울(220), 중간 보울(240), 그리고 외부 보울(260) 각각을 통해 유입된 약액을 배출한다. 배출된 약액은 외부의 약액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
이어서, 내부 보울(220), 중간 보울(240), 그리고 외부 보울(260)의 형상에 대해 보다 상세히 설명한다.
내부 보울(220)은 외벽(222), 바닥벽(224), 내벽(226), 그리고 안내벽(228)을 가진다. 외벽(222), 바닥벽(224), 내벽(226), 그리고 안내벽(228) 각각은 링 형상을 가진다. 외벽(222)은 지지 모듈(340)로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사진 경사벽(222a)과 이의 하단으로부터 아래 방향으로 수직하게 연장되는 수직벽(222b)을 가진다. 바닥벽(224)은 수직벽(222b)의 하단으로부터 지지 모듈(340)를 향하는 방향으로 수평하게 연장된다. 바닥벽(224)의 끝단은 경사벽(222a)의 상단과 동일한 위치까지 연장된다. 내벽(226)은 바닥벽(224)의 안쪽 끝단으로부터 위 방향으로 수직하게 연장된다. 내벽(226)은 그 상단이 경사벽(222a)의 상단과 일정거리 이격되도록 하는 위치까지 연장된다. 내벽(226)과 경사벽(222a) 사이의 상하 방향으로 이격된 공간은 상술한 내부 보울(220)의 유입구(227)로서 기능한다.
내벽(226)에는 링을 이루는 배치로 다수의 개구들(223)이 형성된다. 각각의 개구들(223)은 슬릿 형상으로 제공된다. 개구(223)는 내부 보울(220)으로 유입된 가스들이 지지 모듈(340) 내 아래 공간을 통해 외부로 배출되도록 하는 배기구로서 기능한다.
안내벽(228)은 내벽(226)의 상단으로부터 지지 모듈(40)로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사진 경사벽(228a)과 이의 하단으로부터 아래로 상하 방향으로 수직하게 연장되는 수직벽(228b)을 가진다. 수직벽(228b)의 하단은 바닥벽(224)으로부터 일정거리 이격되게 위치된다. 안내벽(228)은 유입구(227)를 통해 유입된 약액이 외벽(222), 바닥벽(224), 내벽(226)으로 둘러싸인 공간(229)으로 원활하게 흐를 수 있도록 안내한다.
중간 보울(240)은 외벽(242), 바닥벽(244), 내벽(246), 그리고 돌출벽(248)을 가진다. 중간 보울(240)의 외벽(242), 바닥벽(244), 그리고 내벽(246)은 내부 보울(220)의 외벽(222), 바닥벽(224), 그리고 내벽(226)과 대체로 유사한 형상을 가지나, 중간 보울(240)이 내부 보울(220)을 감싸도록 내부 보울(220)에 비해 큰 크기를 갖는다. 중간 보울(240)의 외벽(242)의 경사벽(242a)의 상단과 내부 보울(220)의 외벽(222)의 경사벽(222a)의 상단은 상하 방향으로 일정 거리 이격되게 위치되며, 이격된 공간은 중간 보울(240)의 유입구(247)로서 기능한다. 돌출벽(248)은 바닥벽(244)의 끝단으로부터 아래 방향으로 수직하게 연장된다. 중간 보울(240)의 내벽(246)의 상단은 내부 보울(220)의 바닥벽(224)의 끝단과 접촉된다. 중간 보울(240)의 내벽(246)에는 가스의 배출을 위한 슬릿 형상의 배기구들(243)이 링을 이루는 배열로 제공된다.
외부 보울(260)은 외벽(262), 바닥벽(264), 그리고 돌출벽(270)을 가진다. 외부 보울(260)의 외벽(262)은 중간 보울(240)의 외벽(242)과 유사한 형상을 가지나, 외부 보울(260)이 중간 보울(240)을 감싸도록 중간 보울(240)에 비해 큰 크기를 갖는다. 외부 보울(260)의 경사벽(262a)은 수직벽(262b)의 상단으로부터 내측방향을 따라 상향경사지도록 연장된다. 경사벽(262a)은 중앙이 개방된 하우징의 상벽으로 제공된다. 외부 보울(260)의 경사벽(262a)에는 배출홀(263a)이 형성된다. 배출홀(263a)은 수직벽과 인접하게 위치된다. 배출홀(263a)은 다수 개로 제공된다. 각각의 배출홀(263a)은 경사벽(262a)의 원주방향을 따라 형성될 수 있다. 다수의 배출홀들(263a)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 돌출벽(270)은 수직벽(262b)의 상단으로부터 위로 돌출되게 제공된다. 돌출벽(270)은 수직벽(262b)과 동일한 지름을 가지는 환형의 링 형상으로 제공된다. 돌출벽(270)과 경사벽(262a)은 서로 조합되어 액 저장 공간(270a)을 형성한다. 액 저장공간(270a)은 배출홀(263a)을 통해 외부 보울(220)의 내부공간과 통하도록 제공된다. 외부 보울(260)의 경사벽(262a)의 상단과 중간 보울(240)의 경사벽(242b)의 상단은 상하 방향으로 일정 거리 이격되게 위치되며, 이격된 공간은 외부 보울(260)의 유입구(267)로서 기능한다. 바닥벽(264)은 대체로 원판 형상을 가지며, 중앙에 지지축(회전축)(348)이 삽입되는 개구가 형성된다. 외부 보울(260)은 하우징(200) 전체의 외벽으로서 기능한다.
지지 모듈(340)는 하우징(200)의 처리공간에서 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 모듈(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(또는 회전축)(348)을 포함한다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.
지지핀(344)은 다수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 다수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지 모듈(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 모듈(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강 모듈(360)은 하우징(200)을 상하 방향으로 직선 이동시킬 수 있다. 하우징(200)이 상하로 이동됨에 따라 지지 모듈(340)에 대한 하우징(200)의 상대 높이가 변경된다.
이러한 승강 모듈(360)은 브라켓(362), 이동 축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(200)의 외벽(262)에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 모듈(340)에 놓이거나, 지지 모듈(340)로부터 들어 올릴 때 지지 모듈(340)가 하우징(200)의 상부로 돌출되도록 하우징(200)은 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 보울(220, 240, 260)으로 유입될 수 있도록 하우징(200)의 높이가 조절한다. 상술한 바와 반대로, 승강 모듈(360)은 지지 모듈(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
제1 약액 공급모듈(380)은 기판(W)에 제1 약액을 공급한다. 제1 약액 공급모듈(380)은 제1 노즐(384), 노즐 지지대(382), 제1 약액 저장부(388) 등을 포함한다. 제1 노즐(384)은 제1 대기 위치에서 대기하다가, 제1 공급 위치로 이동하여 제1 약액을 기판(W) 상에 토출할 수 있다. 여기서, 제1 약액은 에천트(etchant)일 수 있고, 예를 들어, DHF(Dilute HF) 일 수 있다. 제1 약액의 종류는 타겟 물질에 따라 달라질 수 있다.
이하에서 도 2를 참고하여, 도 1의 기판 처리 장치의 구동 방법을 설명한다. 도 2(a)는 기판 처리 공정 중에 지지 모듈(340)의 회전 속도를 설명하기 위한 도면이고, 도 2(b)는 기판 처리 공정 중에 제1 약액 공급모듈(380)이 토출하는 제1 약액의 유량을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참고하면, 기간(0~t1)에서, 지지 모듈(340)이 제1 속도(RPM1)로 회전하여 기판(W)을 회전시킨다. 제1 속도(RPM1)는 예를 들어 약 100~500 RPM일 수 있다. 또한, 지지 모듈(340)이 기판(W)을 회전시키는 동안 제1 약액 공급모듈(380)은 제1 약액(에천트)을 제1 유량(MF1)으로 공급한다. 기간(0~t1) 동안 제1 약액에 의해, 기판(W) 상에 액막이 형성된다. 예를 들어, 기간(0~t1)은 10초 이하(예를 들어, 약 3~10초) 일 수 있다.
이어서, 기간(t1~t2)에서, 지지 모듈(340)은 회전속도를 낮추어서 제2 속도(RPM2)로 회전한다. 제2 속도(RPM2)는 예를 들어, 0~50RPM 일 수 있다. 특히, 제2 속도(RPM2)로 회전하는 동안에는, 제1 약액을 공급하지 않을 수 있다(도 2(b)의 a1 참고). 또는, 제1 약액을 공급하더라도 제1 유량(MF1)에 비해서 상당히 작은 제2 유량(MF2)으로 제1 약액이 공급될 수 있다(도 2(b)의 a2 참고). 기간(t1~t2)에는, 기간(0~t1) 동안 형성된 액막이 유지되고, 이 액막에 의해서 기판(W)의 식각이 진행된다. 기간(t1~t2)은 기간(0~t1)에 비해서 긴 시간일 수 있다. 예를 들어, 기간(t1~t2)은 식각대상 물질의 종류, 형상, 위치 등에 따라서 달라질 수 있으나, 예를 들어 약 1분~5분일 수 있다.
여기서, 기간(t1~t2)동안, 제1 약액을 공급하지 않거나 제1 유량(MF1)보다 작은 제2 유량(MF2)으로 공급하기 때문에, 제1 약액의 소모량을 현저히 줄일 수 있다.
이어서, 기간(t2~t3)에서, 지지 모듈(340)은 회전속도를 높여서 제1 속도(RPM1)보다 높은 제3 속도(RPM3)로 회전한다. 제3 속도(RPM3)는 약 1000~1400 RPM일 수 있고, 예를 들어 1300RPM 일 수 있다. 또한, 제1 약액은 제1 유량(MF1)보다 큰 제3 유량(MF3)으로 공급할 수 있다. 기간(t2~t3)은 기간(t1~t2)에 비해서 짧은 시간일 수 있고, 기간(0~t1)와 동일하거나 긴 시간일 수 있다. 기간(t2~t3)은 예를 들어, 10~30초일 수 있다.
구체적으로, 기간(t1~t2)에서는 제1 약액을 공급하지 않거나 작은 유량(MF2)으로 공급하며 지지 모듈(340)의 회전속도도 작다. 따라서, 기간(0~t1) 동안 형성된 액막이 수축될 수 있고(shrink), 기판(W)의 일부 영역에서의 액막 두께는 기준 두께 이하로 줄어들 수도 있다. 이와 같이 기판(W)의 일부 영역에서라도 액막이 마르게 되면, 그 영역에서는 결함이 발생될 가능성이 높다. 따라서, 기간(t1~t2)에 바로 이어진 기간(t2~t3)에서, 지지 모듈(340)을 제3 속도(RPM3)으로 빠르게 회전하면서 제1 약액을 제3 유량(MF3)으로 공급하여, 액막을 빠르게 재생성함으로써 기판(W)이 마르는 것을 방지할 수 있다. 기간(t2~t3)은 기간(t1~t2)에 비해서 상대적으로 짧은 시간이므로, 기간(t2~t3)에서 소모되는 약액의 양은 많지 않다.
뿐만 아니라, 기간(t1~t2)에서 액막의 두께가 기준 두께 이하로 줄어들지 않는다면, 기간(t2~t3)의 과정(즉, 지지 모듈(340)을 제3 속도(RPM3)으로 회전하면서 제1 약액을 제3 유량(MF3)으로 공급)은 생략되어도 무방하다.
한편, 기간(t1~t2)은, 내부 보울(제3 보울)(도 1의 220)이 기판(W)에 대응되도록 위치한 상태에서 진행된다. 나아가, 전술한 전체 기간(0~t3)은, 내부 보울(220)이 기판(W)에 대응되도록 위치한 상태에서 진행될 수 있다.
본 명세서에서 "보울A가 기판(W)에 대응되는 위치에 있다"는 의미는, 기판(W)의 주면(main surface)에 의해서 형성된 가상 평면이 보울A의 유입구에 도달하는 상태를 의미한다. 도 1에 도시된 것과 같이, 기판(W)의 주면을 연장한 가상 평면이 유입구(227)에 도달하면, 내부 보울(220)이 기판(W)에 대응되도록 위치한 것으로 이해될 수 있다. 도시된 것과 달리, 기판(W)의 주면을 연장한 가상 평면이 유입구(267)에 도달한다면, 외부 보울(260)이 기판(W)에 대응되도록 위치한 것으로 이해될 수 있다.
따라서, 외부 보울(260)이 기판(W)에 대응되도록 위치하면, 기판(W)은 하우징(200)의 개방된 상측 중앙부에 가깝게 배치된다. 반면, 내부 보울(220)이 기판(W)에 대응되도록 위치하면, 기판(W)은 하우징(200)의 개방된 상측 중앙부에서 멀게 배치된다.
여기서 도 3을 참고하면, 내부 보울(220)이 기판(W)에 대응되는 위치에 있으면, 개구율이 높아지고 환기율이 좋아지며 배기되는 공기의 양이 많아진다. 도시된 것과 같이, 다수의 보울(220, 240, 260)의 유입구(227, 247, 267)를 통해서 공기가 흐를 수 있기 때문이다. 따라서, 하우징(200) 내부의 풍속이 낮아지고, 기판(W)의 에지 부근(영역 A)도 온화한 상태(mild condition)이 된다. 즉, 기판(W)의 에지 부근(영역 A)에서의 풍속은 상대적으로 낮다.
반면, 도시된 것과 다르게, 외부 보울(260)이 기판(W)에 대응되는 위치에 있다면, 주로 외부 보울(260)의 유입구(267)를 통해서 공기가 흐르게 되기 때문에, 기판의 에지 부근에서의 풍속은 상대적으로 높게 된다.
기간(t1~t2)에서는, 약액을 공급하지 않거나 작은 유량(MF2)으로 공급하며 지지 모듈(340)의 회전속도도 작다. 기간(t1~t2)에서 외부 보울(260)이 기판(W)에 대응되도록 위치한다면, 기판(W)의 에지 부근에서의 풍속이 상대적으로 높기 때문에, 기판(W) 상에 형성된 액막의 두께를 유지하기 어렵다.
반면, 본 발명의 일 실시예에서와 같이, 기간(t1~t2)에서 내부 보울(220)이 기판(W)에 대응되도록 위치한다면, 기판(W)의 에지 부근에서의 풍속이 상대적으로 낮기 때문에, 기판(W) 상에 형성된 액막의 두께를 유지하기 용이하다. 따라서, 기간(t1~t2)에서 약액을 공급하지 않더라도, 액막이 적정 수준으로 유지될 수 있고, 이에 따라 식각율(Etch Rate)을 목표 수준으로 유지할 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도들이다. 도 6은 도 4 및 도 5의 기판 처리 장치의 구동 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이다. 이하에서 설명의 편의상, 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 것은 생략한다.
우선, 도 4 및 도 5를 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(2)는, 하우징(200), 지지 모듈(340), 승강 모듈(360), 제1 약액 공급모듈(380), 제2 약액 공급모듈(390)을 포함한다.
제2 약액 공급모듈(390)은 기판(W)에 제2 약액을 공급한다. 제2 약액 공급모듈(390)은 제2 노즐(394a, 394b), 제2 약액 저장부(398) 등을 포함한다. 여기서, 제2 약액은 린스액일 수 있고, 예를 들어, DIW(DeIonized Water) 일 수 있다. 제2 약액의 종류는 타겟 물질에 따라 달라질 수 있다.
제2 노즐(394a, 394b)은 다수개로 구성될 수 있고, 일부 노즐(394a)은 기판(W)의 센터영역에 제2 약액을 토출하고, 다른 노즐(394b)은 기판(W)의 에지영역에 제2 약액을 토출할 수 있다. 다수의 제2 노즐(394a, 394b)은 동시에 제2 약액을 토출할 수도 있고, 설계에 따라서는 일부 노즐(예를 들어, 394b)이 먼저 토출하고 다른 노즐(예를 들어, 394a)가 나중에 토출할 수도 있다.
제2 노즐(394a, 394b)은 이동형으로써, 제2 대기 위치에서 대기하다가, 제2 공급 위치로 이동하여 제2 약액을 기판(W) 상에 토출할 수 있다. 또는, 도시된 것과 달리, 제2 노즐(394a, 394b)은 고정형으로써, 챔버의 특정 위치에 설치되어 이동하지 않을 수도 있다.
여기서, 제1 약액 공급모듈(380)이 기판(W)에 제1 약액을 토출할 때의 하우징(200)의 위치(높이)와, 제2 약액 공급모듈(390)이 기판(W)에 제2 약액을 토출할 때의 하우징(200)의 위치(높이)는 서로 다를 수 있다.
구체적으로 설명하면, 도 4에 도시된 것과 같이, 제2 약액 공급모듈(390)의 제2 노즐(394a, 394b)은 제2 공급 위치로 이동하여, 제2 약액을 토출한다. 제1 약액 공급모듈(380)의 제1 노즐(384)은 제1 대기 위치에서 대기한다. 여기서 제2 약액 공급모듈(390)이 기판(W)에 제2 약액을 토출할 때에, 외부 보울(260)이 기판(W)에 대응되도록 위치할 수 있다. 즉, 기판(W)의 주면을 연장한 가상 평면이 유입구(267)에 도달한다.
도 5에 도시된 것과 같이, 제1 약액 공급모듈(380)의 제1 노즐(384)은 제1 공급 위치로 이동하여, 제1 약액을 토출한다. 제2 약액 공급모듈(390)의 제2 노즐(394a, 394b)은 제2 대기 위치로 이동하여 대기한다. 여기서 제1 약액 공급모듈(380)이 기판(W)에 제1 약액을 토출할 때에는, 내부 보울(220)이 기판(W)에 대응되도록 위치할 수 있다. 즉, 기판(W)의 주면을 연장한 가상 평면이 유입구(227)에 도달한다.
도 6을 참고하면, 선(先) 세정 단계(S10), 식각 단계(S20) 및 후(後) 세정 단계(S30) 순서로 진행된다. 식각 단계(S20)는 도 2를 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일하다.
기간(0~ta)에서, 지지 모듈(340)이 제1 속도(RPM1)로 회전하여 기판(W)을 회전시킨다. 제1 속도(RPM1)는 예를 들어 약 100~500 RPM일 수 있다. 또한, 지지 모듈(340)이 기판(W)을 회전시키는 동안 제2 약액 공급모듈(390)은 제2 약액(린스액)을 공급한다. 기간(0~ta) 동안 제1 약액에 의해 기판(W)이 세정된다.
여기서, 제2 약액 공급모듈(390)이 기판(W)에 제2 약액을 토출할 때에는, 외부 보울(즉, 제1 보울)(260)이 기판(W)에 대응되도록 위치할 수 있다.
기간(ta~tb)에서, 지지 모듈(340)이 제1 속도(RPM1)로 회전하고, 제2 약액 공급모듈(390)은 제2 약액을 공급한다.
제2 약액 공급모듈(390)이 제2 약액을 공급하는 동안, 승강 모듈(360)은 하우징(200)을 상 방향으로 이동시킨다. 제2 약액 공급모듈(390)이 제2 약액을 공급하는 동안, 제1 약액 공급모듈(380)의 제1 노즐(384)은 제1 대기위치에서 제1 공급위치로 이동한다. 기간(ta~tb)의 종료시점(즉, 시간 tb)에서는, 내부 보울(즉, 제3 보울)(220)이 기판(W)에 대응되고, 제1 노즐(384)이 제1 공급위치에 도달한다.
기간(tb~t1)에서, 지지 모듈(340)이 제1 속도(RPM1)로 회전하여 기판(W)을 회전시키고, 제1 약액 공급모듈(380)은 제1 약액(에천트)을 제1 유량(MF1)으로 공급한다. 기간(tb~t1) 동안 제1 약액에 의해 기판(W) 상에 액막이 형성된다.
제1 약액 공급모듈(380)이 제1 약액을 공급하는 동안, 제2 노즐(394a, 394b)은 제2 공급위치에서 제2 대기 위치로 이동할 수 있다.
기간(t1~t2)에서, 지지 모듈(340)은 회전속도를 낮추어서 제2 속도(RPM2)로 회전한다. 제2 속도(RPM2)로 회전하는 시간 동안에는, 제1 약액을 공급하지 않을 수 있다. 또는, 제1 약액을 공급하더라도 제1 유량(MF1)에 비해서 상당히 작은 제2 유량(MF2)으로 제1 약액이 공급될 수 있다. 기간(t1~t2)에는, 기간(0~t1) 동안 형성된 액막이 유지되고, 이 액막에 의해서 기판(W)의 식각이 진행된다.
기간(t2~t3)에서, 지지 모듈(340)은 회전속도를 높여서 제1 속도(RPM1)보다 높은 제3 속도(RPM3)로 회전한다. 제1 약액은 제1 유량(MF1)보다 큰 제3 유량(MF3)으로 공급할 수 있다.
제1 약액 공급모듈(380)이 제1 약액을 공급하는 동안, 승강 모듈(360)은 하우징(200)을 하 방향으로 이동시킨다. 제1 약액 공급모듈(380)은 제1 약액을 공급하는 동안, 제2 약액 공급모듈(390)의 제2 노즐(394a, 394b)은 제2 대기위치에서 제2 공급위치로 이동한다. 기간(t2~t3)의 종료시점(즉, 시간t3)에서는, 외부 보울(즉, 제1 보울)(260)이 기판(W)에 대응되고, 제2 노즐(394a, 394b)이 제2 공급위치에 도달한다.
기간(t3~t4)에서, 지지 모듈(340)이 제3 속도(RPM3)로 회전하여 기판(W)을 회전시킨다. 또한, 지지 모듈(340)이 기판(W)을 회전시키는 동안 제2 약액 공급모듈(390)은 제2 약액(린스액)을 공급한다. 기간(t3~t4) 동안 제2 약액에 의해 기판(W)이 세정된다. 도시된 것과 달리, 기간(t3~t4) 동안의 지지 모듈(340)의 회전 속도는 기간(t2~t3)에서의 회전속도보다 클 수도 있다.
도 7은 도 4 및 도 5의 기판 처리 장치의 구동 방법의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다. 이하에서 설명의 편의상, 도 4 내지 도 6을 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 것은 생략한다.
도 7을 참고하면, 선(先) 세정 단계(S10), 식각 단계(S20) 및 후(後) 세정 단계(S30) 순서로 진행된다.
선(先) 세정 단계(S10)의 기간(ta~tb)에서, 지지 모듈(340)이 제1 속도(RPM1)보다 속도를 낮추어 제4 속도(RPM1)로 회전하여 기판(W)을 회전시킨다. 제4 속도(RPM1)은 약 100~300RPM일 수 있다.
이어서, 식각 단계(S20)의 기간(tb~t1)에서도, 지지 모듈(340)은 제4 속도(RPM1)로 회전하여 기판(W)을 회전시킨다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도들이다. 도 9는 도 8의 기판 처리 장치의 구동 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이다. 이하에서 설명의 편의상, 도 1 내지 도 7을 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 것은 생략한다.
우선 도 8을 참고하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(3)는, 하우징(200), 지지 모듈(340), 승강 모듈(360), 제1 약액 공급모듈(380), 제2 약액 공급모듈(390), 건조 모듈(370)을 포함한다.
건조 모듈(370)은 기판(W)을 건조하기 위한 것이다. 건조 모듈(370)은 제3 노즐(372a), 제4 노즐(372b), 건조액 저장부(378a), 건조가스 저장부(378b) 등을 포함한다. 건조액 및 건조가스는 린스액의 종류에 따라 달라질 수 있다. 린스액이 DIW인 경우, 예를 들어, 건조액은 IPA(isopropyl alcohol)이고, 건조가스는 질소 가스일 수 있다.
도면에서는 제3 노즐(372a)과 제4 노즐(372b)이 서로 분리된 형태로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 하나의 바디에 제3 노즐(372a) 및 제4 노즐(372b)이 형성될 수도 있다.
제4 노즐(372b)은 움직이지 않는 상태에서, 예를 들어, 기판(W)의 센터영역에서 움직이지 않는 상태에서 건조가스를 기판(W) 상에 분사할 수 있다. 또는, 제4 노즐(372b)이 이동하면서, 예를 들어, 기판(W)의 센터영역에서 에지영역 방향으로 이동하면서(즉, 스캔 아웃(scan out)), 건조가스를 기판(W) 상에 분사할 수 있다.
또는, 제3 노즐(372a)이 이동하면서, 기판(W) 상에 건조액을 분사하고, 제4 노즐(372b)이 제3 노즐(372a)을 따라가면서, 기판(W) 상에 건조가스를 분사할 수도 있다.
여기서 도 9를 참고하면, 선(先) 세정 단계(S10), 식각 단계(S20) 및 후(後) 세정 단계(S30), 건조 단계(S40, S50) 순서로 진행된다. 건조 단계(S40)은 건조액에 의한 건조가 이뤄지고, 건조 단계(S50)은 건조가스에 의한 건조가 이뤄진다.
식각 단계(S20)는 도 2를 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일하고, 선 세정 단계(S10), 및 후 세정 단계(S30)는 도 6을 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일하다. 따라서, 이하에서 S10, S20, S30 단계에 대한 설명은 생략한다.
기간(t4~t5)에서, 지지 모듈(340)이 제3 속도(RPM3)로 회전하여 기판(W)을 회전시킨다. 제3 속도(RPM3)는 예를 들어 약 1000~1400 RPM일 수 있고, 예를 들어, 1300RPM 일 수 있다. 또한, 지지 모듈(340)이 기판(W)을 회전시키는 동안 건조 모듈(370)은 제3 노즐(372a)을 통해서 건조액을 공급한다. 즉, 기간(t4~t5)에서, 건조액으로 린스액의 표면을 치환하는 표면 치환 공정이 진행된다.
여기서, 건조 모듈(370)이 기판(W)에 건조액을 토출할 때에는, 외부 보울(즉, 제1 보울)(260)이 기판(W)에 대응되도록 위치할 수 있다.
기간(t5~t6)에서, 지지 모듈(340)은 회전속도를 낮추어서 제1 속도(RPM1)로 회전하고, 이에 따라 기판(W)은 회전된다. 건조 모듈(370)은 제3 노즐(372a)을 통해서 건조액을 계속 공급할 수도 있다. 또는 건조액 공급을 중지할 수도 있다. 낮은 회전속도(RPM1)로 회전함으로써, 건조액과 제2 약액(즉, 린스액)이 잘 혼합될 수 있다. 즉, 기간(t5~t6)에서, 린스액이 건조액에 분산되도록 하는 교반 공정이 진행된다.
기간(t6~t7)에서, 지지 모듈(340)은 회전속도를 높여서 제5 속도(RPM5)로 회전하고, 이에 따라 기판(W)은 회전된다. 건조 모듈(370)은 제4 노즐(372b)을 통해서 건조가스를 공급한다. 건조가스를 공급하여, 기간(t5~t6) 동안 교반된 액체를 제거할 수 있다.
도 10은 도 8의 기판 처리 장치의 구동 방법의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다. 이하에서 설명의 편의상, 도 8 및 도 9를 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 것은 생략한다.
도 10을 참고하면, 선(先) 세정 단계(S10), 식각 단계(S20) 및 후(後) 세정 단계(S30), 건조 단계(S40, S50) 순서로 진행된다.
후(後) 세정 단계(S30)의 기간(t3~t3a)에서, 지지 모듈(340)이 제3 속도(RPM3)로 회전하여 기판(W)을 회전시킨다. 또한, 지지 모듈(340)이 기판(W)을 회전시키는 동안 제2 약액 공급모듈(390)은 제2 약액(린스액)을 공급한다.
이어서, 기간(t3a~t4)에서, 지지 모듈(340)은 회전 속도를 낮추어 제1 속도(RPM1)로 회전하고, 이에 따라 기판(W)은 회전된다. 또한, 지지 모듈(340)이 기판(W)을 회전시키는 동안 제2 약액 공급모듈(390)은 제2 약액(린스액)을 계속 공급한다.
이어서, 기간(t4~t6)에서, 지지 모듈(340)이 제3 속도(RPM3)로 회전하여 기판(W)을 회전시킨다. 또한, 지지 모듈(340)이 기판(W)을 회전시키는 동안 건조 모듈(370)은 제3 노즐(372a)을 통해서 건조액을 공급한다.
이어서, 기간(t6~t7)에서, 지지 모듈(340)은 회전속도를 높여서 제5 속도(RPM5)로 회전하고, 이에 따라 기판(W)은 회전된다. 건조 모듈(370)은 제4 노즐(372b)을 통해서 건조가스를 공급한다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
200: 하우징
220: 내부 보울(제3 보울 또는 3단 보울)
240: 중간 보울(제2 보울 또는 2단 보울)
220: 외부 보울(제1 보울 또는 1단 보울)
340: 지지 모듈
360: 승강 모듈
370: 건조 모듈
380: 제1 약액 공급모듈
390: 제2 약액 공급모듈

Claims (20)

  1. 기판이 안착되고, 회전 가능한 지지 모듈;
    상기 지지 모듈의 주위를 둘러싸고, 제1 보울과, 상기 제1 보울보다 내측에 배치된 제2 보울을 포함하는 하우징;
    상기 기판에 제1 약액을 토출하는 제1 약액 공급모듈; 및
    상기 기판에 상기 제1 약액과 다른 제2 약액을 토출하는 제2 약액 공급모듈을 포함하고,
    상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈은 제1 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하고,
    상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제1 속도와 같거나 작은 제2 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 제1 유량으로 공급하고,
    상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 작은 제3 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 공급하지 않거나, 상기 제1 유량보다 작은 제2 유량으로 공급하는 것을 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급한 후에, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 큰 제4 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 제3 유량으로 공급하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제3 유량은 상기 제1 유량보다 큰, 기판 처리 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제2 약액 공급모듈이 제2 약액을 상기 제3 유량으로 공급하는 동안, 상기 하우징은 상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되는 위치로 이동하도록 하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제2 약액 공급모듈이 제2 약액을 상기 제3 유량으로 공급한 후에,
    상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치한 상태에서, 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하는 것을 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 제1 유량으로 공급하는 것은 제1 시간 동안 진행되고,
    상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급하는 것은, 상기 제1 시간보다 긴 제2 시간 동안 진행되는, 기판 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급한 후에, 상기 제1 시간보다 길고 상기 제2 시간보다 짧은 제3 시간 동안, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 큰 제4 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 제3 유량으로 공급하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치한 상태에서 상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급한 후에, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 큰 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 상기 제1 약액을 공급하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치한 상태에서, 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도보다 작은 제5 속도로 회전하면서 건조 모듈은 상기 기판 상에 건조액을 공급하고, 이어서 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도보다 큰 제6 속도로 회전하면서 상기 건조 모듈은 상기 기판 상에 건조가스를 공급하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 약액 공급모듈이 제1 약액을 공급하는 것과 상기 제2 약액 공급모듈이 제2 약액을 제1 유량으로 공급하는 것 사이에,
    상기 제1 약액 공급모듈이 제1 약액을 공급하면서, 상기 하우징은 상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되는 위치로 이동하도록 하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치할 때 상기 기판의 에지 부근에서의 풍속은 제1 풍속이고,
    상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치할 때 상기 기판의 에지 부근에서의 풍속은 제2 풍속이고,
    상기 제2 풍속은 상기 제1 풍속보다 작은, 기판 처리 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 약액은 린스액이고, 상기 제2 약액은 식각액인, 기판 처리 장치.
  13. 기판이 안착되고, 회전 가능한 지지 모듈;
    상기 지지 모듈의 주위를 둘러싸고, 제1 보울과, 상기 제1 보울보다 내측에 배치된 제2 보울을 포함하는 하우징; 및
    상기 기판에 제1 약액을 토출하는 제1 약액 공급모듈을 포함하고,
    상기 기판에 상기 제1 약액과 다른 제2 약액을 토출하는 제2 약액 공급모듈을 포함하고,
    상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈은 제1 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하고,
    상기 하우징은 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 이동하면서, 상기 지지 모듈은 상기 제1 속도보다 작은 제2 속도로 회전하고, 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하고,
    상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 제1 유량으로 공급하고,
    상기 제2 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 작은 제3 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액의 공급을 중단하고,
    상기 하우징은 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 이동하면서, 상기 지지 모듈은 상기 제1 속도보다 큰 제4 속도로 회전하고, 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 상기 제1 유량보다 큰 제2 유량으로 공급하고,
    상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈은 상기 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 상기 제1 약액을 공급하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 제1 유량으로 공급하는 것은 제1 시간 동안 진행되고,
    상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액의 공급을 중단하는 것은, 상기 제1 시간보다 긴 제2 시간 동안 진행되고,
    상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 제2 유량으로 공급하는 것은, 상기 제1 시간 보다 길고 상기 제2 시간 보다 짧은 제3 시간 동안 진행되는, 기판 처리 장치.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 지지 모듈은 상기 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 상기 제1 약액을 공급한 후에,
    상기 제1 보울은 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도보다 작은 제5 속도로 회전하면서 건조 모듈은 상기 기판 상에 건조액을 공급하고, 이어서 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도보다 큰 제6 속도로 회전하면서 상기 건조 모듈은 상기 기판 상에 건조가스를 공급하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  16. 기판이 안착되고 회전 가능한 지지 모듈과, 상기 지지 모듈의 주위를 둘러싸고, 제1 보울과, 상기 제1 보울보다 내측에 배치된 제2 보울을 포함하는 하우징과, 상기 기판에 제1 약액을 토출하는 제1 약액 공급모듈과, 상기 기판에 상기 제1 약액과 다른 제2 약액을 토출하는 제2 약액 공급모듈을 포함하는 기판 처리 장치가 제공되고,
    상기 제1 보울은 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈은 제1 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하고,
    상기 제2 보울은 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제1 속도와 같거나 작은 제2 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 제1 유량으로 공급하고,
    상기 제2 보울은 상기 기판에 대응되도록 위치하고, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 작은 제3 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 공급하지 않거나, 상기 제1 유량보다 작은 제2 유량으로 공급하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급한 후에, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 큰 제4 속도로 회전하면서 상기 제2 약액 공급모듈은 상기 제2 약액을 상기 제1 유량보다 큰 제3 유량으로 공급하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 제2 약액 공급모듈이 제2 약액을 상기 제3 유량으로 공급하는 동안, 상기 하우징은 상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되는 위치로 이동하도록 하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 제2 약액 공급모듈이 제2 약액을 상기 제3 유량으로 공급한 후에,
    상기 제1 보울이 상기 기판에 대응되도록 위치한 상태에서, 상기 지지 모듈이 상기 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 제1 약액을 공급하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  20. 제 16항에 있어서,
    상기 제1 보울은 상기 기판에 대응되도록 위치한 상태에서 상기 제2 약액 공급모듈이 상기 제2 약액을 공급하지 않거나 제2 유량으로 공급한 후에, 상기 지지 모듈이 상기 제2 속도보다 큰 제4 속도로 회전하면서 상기 제1 약액 공급모듈은 상기 제1 약액을 공급하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
KR1020200186120A 2020-12-29 2020-12-29 기판 처리 장치 및 방법 KR102504087B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200186120A KR102504087B1 (ko) 2020-12-29 2020-12-29 기판 처리 장치 및 방법
JP2021136981A JP7201756B2 (ja) 2020-12-29 2021-08-25 基板処理装置および基板処理方法
CN202111103630.8A CN114695176A (zh) 2020-12-29 2021-09-18 基板处理装置及方法
US17/526,220 US20220205093A1 (en) 2020-12-29 2021-11-15 Apparatus and method for processing substrate
US18/474,493 US20240011158A1 (en) 2020-12-29 2023-09-26 Apparatus and method for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200186120A KR102504087B1 (ko) 2020-12-29 2020-12-29 기판 처리 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220094677A KR20220094677A (ko) 2022-07-06
KR102504087B1 true KR102504087B1 (ko) 2023-02-24

Family

ID=82116917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200186120A KR102504087B1 (ko) 2020-12-29 2020-12-29 기판 처리 장치 및 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20220205093A1 (ko)
JP (1) JP7201756B2 (ko)
KR (1) KR102504087B1 (ko)
CN (1) CN114695176A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009212407A (ja) 2008-03-06 2009-09-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6863741B2 (en) * 2000-07-24 2005-03-08 Tokyo Electron Limited Cleaning processing method and cleaning processing apparatus
JP2002261064A (ja) 2001-02-28 2002-09-13 Sony Corp 基板洗浄方法および基板洗浄装置
US7584760B2 (en) * 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP4457046B2 (ja) 2005-06-21 2010-04-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008177425A (ja) 2007-01-19 2008-07-31 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5538102B2 (ja) 2010-07-07 2014-07-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP5375871B2 (ja) 2011-04-18 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、コンピュータプログラムを格納した記憶媒体
JP5844681B2 (ja) * 2011-07-06 2016-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
KR20160147163A (ko) * 2015-06-12 2016-12-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 세정 방법
KR102042789B1 (ko) * 2017-11-30 2019-11-08 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US11043403B2 (en) 2018-04-06 2021-06-22 Semes Co., Ltd. Substrate support unit and substrate processing apparatus having the same including reflective member configured to reflect light toward substrate
KR102078157B1 (ko) 2018-04-16 2020-02-17 세메스 주식회사 기판 가열 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR20200078791A (ko) * 2018-12-21 2020-07-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법
KR20200083790A (ko) * 2018-12-28 2020-07-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009212407A (ja) 2008-03-06 2009-09-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7201756B2 (ja) 2023-01-10
KR20220094677A (ko) 2022-07-06
US20220205093A1 (en) 2022-06-30
JP2022104785A (ja) 2022-07-11
US20240011158A1 (en) 2024-01-11
CN114695176A (zh) 2022-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9431276B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4870837B2 (ja) 基板乾燥装置及びその方法
US9956594B2 (en) Substrate processing method
US7964042B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101280768B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5954862B2 (ja) 基板処理装置
JP2009054985A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20080017222A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20040226655A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2017135284A (ja) 基板処理方法
JP2009212407A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI617367B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP5016525B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20110116471A (ko) 기판 세정 방법
US10593569B2 (en) Substrate processing method
JP2009224692A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102504087B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP4940119B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2004319990A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR20210043665A (ko) 기판 처리 장치, 처리액 및 기판 처리 방법
JP5297056B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7249880B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR102583458B1 (ko) 기판 처리액 회수 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
JP2017175041A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2019160890A (ja) 基板処理装置、基板液処理方法およびノズル

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant