JP2008177425A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008177425A JP2008177425A JP2007010565A JP2007010565A JP2008177425A JP 2008177425 A JP2008177425 A JP 2008177425A JP 2007010565 A JP2007010565 A JP 2007010565A JP 2007010565 A JP2007010565 A JP 2007010565A JP 2008177425 A JP2008177425 A JP 2008177425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- conductor film
- main surface
- rotation speed
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】素子を形成した半導体ウェハ1の主面に、素子と電気的に接続するように堆積した第1導体膜14および第2導体膜15に所望のパターンを形成する工程であり、まず、半導体ウェハ1を第1の回転速度で回転させた状態で、半導体ウェハ1の主面に対して薬液17を供給することにより、第2導体膜15に対してウェットエッチング処理を施す(工程100)。エッチング終了後、薬液17が半導体ウェハ1の主面に残るように、回転速度を第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度に変更し、その状態で半導体ウェハに純水19を撒水することにより、純水19が半導体ウェハ1の主面に残されるようにした状態で薬液17を洗浄する(工程101)。続いて、第1導体膜14に対してドライエッチングを施す(工程102)。
【選択図】図5
Description
本発明の実施の形態1では、半導体ウェハ上に、例えばトレンチゲート構造のnチャネル型パワーMISFET(以下、パワートランジスタ)を形成し、それぞれに導通する配線パターンを形成する工程を例示する。これには図1〜図5を用いて説明する。
本実施の形態2では、上記実施の形態1において図5を用いて説明した、半導体ウェハ1に純水19を撒水して薬液17を洗浄する工程を2段階に分ける工程を説明する。これは、後に明らかにするように、上記実施の形態1に加えて新たな効果をもたらす。
1a n型半導体層
1b n型半導体層
2 p型半導体領域
3 分離部
4 p型半導体領域
5 n型半導体領域
6 溝
7 絶縁膜
8 導体膜
8G ゲート電極
8L 引き出し部
9 キャップ絶縁膜
10 絶縁膜
11 溝
12 p型半導体領域
13 コンタクトホール
14 第1導体膜(チタンタングステン)
15 第2導体膜(アルミニウムを主成分とする導体膜)
16 フォトレジスト膜(保護膜)
17 薬液
18 薬液カップ(第1処理室)
19 純水
20 ノズル
21 水洗カップ(第2処理室)
22a〜22d メカニカルハンド
A 活性領域
L 周辺領域
Qn nチャネル型パワートランジスタ(パワートランジスタ)
Claims (5)
- (a)半導体ウェハの主面に素子を形成する工程と、
(b)前記半導体ウェハの主面に、前記素子と電気的に接続される第1導体膜および第2導体膜を順に堆積する工程と、
(c)前記第2導体膜上に保護膜を形成する工程と、
(d)前記(c)工程後、前記半導体ウェハを第1の回転速度で回転させた状態で、前記半導体ウェハの主面に薬液を供給することにより、前記保護膜をエッチングマスクとして前記第2導体膜に対してウェットエッチング処理を施し、前記第2導体膜による所望のパターンを形成する工程と、
(e)前記(d)工程後、前記薬液が前記半導体ウェハの主面に残されるように、前記半導体ウェハの回転速度を前記第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度に変更する工程と、
(f)前記(e)工程後、前記半導体ウェハを前記第2の回転速度で回転させた状態で、前記半導体ウェハの主面に純水を撒水することにより、前記純水が前記半導体ウェハの主面に残されるようにした状態で、前記薬液を洗浄する工程と、
(g)前記(f)工程後、前記第1導体膜に対してドライエッチング処理を施す工程とを有し、
前記(d)工程から(f)工程までを同一の第1処理室で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体ウェハの主面に素子を形成する工程と、
(b)前記半導体ウェハの主面に、前記素子と電気的に接続される第1導体膜および第2導体膜を順に堆積する工程と、
(c)前記第2導体膜上に保護膜を形成する工程と、
(d)前記(c)工程後、前記半導体ウェハを第1の回転速度で回転させた状態で、前記半導体ウェハの主面に薬液を供給することにより、前記保護膜をエッチングマスクとして前記第2導体膜に対してウェットエッチング処理を施し、前記第2導体膜による所望のパターンを形成する工程と、
(e)前記(d)工程後、前記薬液が前記半導体ウェハの主面に残されるように、前記半導体ウェハの回転速度を前記第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度に変更する工程と、
(f)前記(e)工程後、前記半導体ウェハを前記第2の回転速度で回転させた状態で、前記半導体ウェハの主面に純水を撒水することにより、前記純水が前記半導体ウェハの主面に残されるようにした状態で、前記薬液を洗浄する工程と、
(g)前記(f)工程後、前記半導体ウェハを、前記第1の回転速度よりも遅い第3の回転速度で回転させた状態で、前記半導体ウェハの主面に純水を撒水することにより、前記純水が前記半導体ウェハの主面に残されるようにした状態で、前記薬液を洗浄する工程と、
(h)前記(g)工程後、前記第1導体膜に対してドライエッチング処理を施す工程とを有し、
前記(d)工程から前記(f)工程までを同一の第1処理室で行い、前記(g)工程をこれとは別の第2処理室で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2記載の半導体装置の製造方法において、前記第2の回転速度は、毎分10回転以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1,2または3記載の半導体装置の製造方法において、前記純水による洗浄方式がスプレー洗浄方式であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記素子は、パワートランジスタであり、
前記第1導体膜は、チタンタングステンであり、
前記第2導体膜は、アルミニウムを主成分とする導体膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007010565A JP2008177425A (ja) | 2007-01-19 | 2007-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007010565A JP2008177425A (ja) | 2007-01-19 | 2007-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008177425A true JP2008177425A (ja) | 2008-07-31 |
Family
ID=39704215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007010565A Pending JP2008177425A (ja) | 2007-01-19 | 2007-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008177425A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022104785A (ja) * | 2020-12-29 | 2022-07-11 | セメス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60225478A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Nec Corp | 化合物半導体装置の製造方法 |
JPH11288915A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
JPH11330041A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | エッチング液による基板処理装置 |
JP2002200586A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-16 | Ebara Corp | 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法 |
JP2002261064A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Sony Corp | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP2003318395A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005044900A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2005327936A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Canon Inc | 基板の洗浄方法及びその製造方法 |
JP2006190737A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2008047695A (ja) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのエッチング方法 |
-
2007
- 2007-01-19 JP JP2007010565A patent/JP2008177425A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60225478A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Nec Corp | 化合物半導体装置の製造方法 |
JPH11288915A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
JPH11330041A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | エッチング液による基板処理装置 |
JP2002200586A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-16 | Ebara Corp | 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法 |
JP2002261064A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Sony Corp | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP2003318395A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005044900A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2005327936A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Canon Inc | 基板の洗浄方法及びその製造方法 |
JP2006190737A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2008047695A (ja) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのエッチング方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022104785A (ja) * | 2020-12-29 | 2022-07-11 | セメス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7201756B2 (ja) | 2020-12-29 | 2023-01-10 | セメス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6118434B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3802507B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR101655617B1 (ko) | 게이트 스택을 갖는 반도체 디바이스의 구조물 및 형성 방법 | |
TW201905987A (zh) | 半導體裝置與其形成方法 | |
JP2008527692A (ja) | リセス型ソース/ドレイン領域をsoiウェハに含む半導体形成プロセス | |
JP5134774B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20130011996A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP2008072032A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6579801B1 (en) | Method for enhancing shallow trench top corner rounding using endpoint control of nitride layer etch process with appropriate etch front | |
JP2007123548A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008177425A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005236083A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20040058070A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
TWI752561B (zh) | 形成半導體結構的方法、形成絕緣層上半導體(soi)基底的方法以及半導體結構 | |
JP2009295649A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN104241129B (zh) | 金属栅极晶体管的形成方法 | |
JP4565847B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2004273894A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2009105353A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100934050B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 및 구조 | |
JP2006032648A (ja) | パターン形成方法を含む半導体装置の製造方法 | |
CN105742183B (zh) | 半导体结构的形成方法 | |
JP2013118316A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
EP2079099A1 (en) | Method and apparatus for preventing galvanic corrosion in semiconductor processing | |
CN105742229A (zh) | 半导体结构的形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100106 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130108 |