TW201446342A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Takemitsu Miura
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Abstract

於本發明之基板處理裝置中，設置有對基板之上表面供給相較於基板為高溫之藥液之上部噴嘴、及於中心軸與基板之外周緣之間，對基板之下表面供給相較於基板為高溫之加熱液之加熱液供給噴嘴。藉此，可抑制或防止基板之溫度及被供給至基板之上表面之藥液之溫度為隨著自基板之中央部而朝向外周部而產生降低。又，能夠將藉由加熱液所進行之對基板之下表面之蝕刻處理，與上表面之蝕刻處理以呈並行之方式加以進行。加熱液供給噴嘴係在供給噴嘴中而位在於基板乾燥時將加熱氣體加以噴出之加熱氣體供給噴嘴之內側。藉此，可將被利用於基板之下表面之加熱的構造加以簡化及小型化。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種處理基板之技術。
根據習知，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，使用基板處理裝置對基板實施各種處理。例如，於日本專利特開2004-158588號公報(文獻1)中揭示有一種藉由去除液而將附著於基板之有機物去除之基板處理裝置。於該基板處理裝置中，藉由真空吸盤(vacuum chuck)吸附基板之背面而保持該基板。而且，於對基板之表面供給去除液之前，自背面側液噴嘴對基板之背面供給經溫度調整過之純水，藉此，使基板之溫度接近於去除液之溫度。或者，自背面側氣體噴嘴對基板之背面供給經溫度調整過之氮氣，藉此，使基板之溫度接近於去除液之溫度。藉此，可提昇於基板之表面上流動之去除液之溫度之均勻性，從而使有機物之去除處理之面內均勻性提昇。
另一方面，於日本專利特開平10-57877號公報(文獻2)之基板處理裝置中，設置有與基板之背面之中心部分對向之套管。套管具有供給氮氣之內管、及供給純水之外管。於該基板處理裝置中，對基板之表面供給顯影液時，對背面供給純水而形成液膜，藉此，可防止顯影液附著於背面。又，使基板高速旋轉而使其 乾燥時，對背面之中心部分供給氮氣，藉此，中心部分之液體移動至離心力發揮作用之位置。
然而，於文獻1之基板處理裝置中，無法對基板之下表面中被真空吸盤吸附之部位供給純水或氮氣。因此，基板溫度之面內均勻性之提昇存在極限。又，於對基板之下表面供給藥液而進行處理之情形時，若對下表面供給經溫度調整過之氮氣，則有供給至下表面之藥液因氮氣而飛散之虞。
本發明適合於處理基板之基板處理裝置，其目的在於：一方面抑制基板之外周部之溫度降低，一方面對基板之下表面進行液處理。又，亦目的在於在基板乾燥時加熱基板。
本發明之一基板處理裝置係具備有：基板支撐部，其對呈水平狀態之基板之外緣部進行支撐；基板旋轉機構，其使上述基板支撐部與上述基板一起以朝著上下方向之中心軸為中心而進行旋轉；處理液供給噴嘴，其對上述基板之上表面，供給相較於上述基板為高溫之處理液；及至少1個之供給噴嘴，其在上述中心軸與上述基板之外周緣之間，且朝向上述基板之下表面；上述至少1個之供給噴嘴的各供給噴嘴係具備有：加熱液供給噴嘴，其對上述基板之上述下表面，供給相較於上述基板為高溫之加熱液；及加熱氣體供給噴嘴，其朝向上述基板之上述下表面，噴出相較於上述基板為高溫之加熱氣體，並且與上述加熱液供給噴嘴共同擁有以直接之方式與上述加熱液及上述加熱氣體產生接觸之間隔壁。藉此，可一方面抑制基板之外周部之溫度降低，一方面對基板之下表面進行液處理。又，亦可於基板乾燥時加熱基板。
於本發明之一較佳之實施形態中，上述各供給噴嘴係為上述加熱氣體供給噴嘴將上述加熱液供給噴嘴之周圍加以包圍之套管。
於本發明之其他較佳之實施形態中，上述至少1個之供給噴嘴係為複數個供給噴嘴，且上述複數個供給噴嘴中之2個以上之供給噴嘴係位在以上述中心軸為中心之同一圓周上。
於本發明之其他較佳之實施形態中，上述至少1個之供給噴嘴係為複數個供給噴嘴，且上述複數個供給噴嘴中之一供給噴嘴與上述中心軸之間之徑向之距離係不同於其他之一供給噴嘴與上述中心軸之間之徑向之距離。
於本發明之其他較佳之實施形態中，上述處理液與上述加熱液係為相同之液體，上述基板處理裝置係更進一步具備有液體加熱部，該液體加熱部係對被供給至上述處理液供給噴嘴及上述各供給噴嘴之上述加熱液供給噴嘴之上述液體進行加熱。
更佳為，於上述各供給噴嘴中，上述加熱液供給噴嘴內之上述加熱液係藉由上述加熱氣體供給噴嘴內之上述加熱氣體而經由上述間隔壁被加熱，藉此相較於上述處理液成為高溫。
於本發明之其他較佳之實施形態中，於上述各供給噴嘴中，上述加熱液供給噴嘴內之上述加熱液係藉由上述加熱氣體供給噴嘴內之上述加熱氣體而經由上述間隔壁被加熱。
於本發明之其他較佳之實施形態中，上述基板支撐部係為以上述中心軸為中心之環狀，上述基板處理裝置係更進一步具備有下表面對向部，該下表面對向部係於上述基板支撐部之內側，具有與上述基板之上述下表面呈對向之對向面，上述對向面係為隨 著遠離自上述中心軸而自上述基板產生遠離之傾斜面。
於本發明之其他較佳之實施形態中，上述至少1個之供給噴嘴係相對於上述中心軸呈傾斜。
於本發明之其他較佳之實施形態中，上述處理液供給噴嘴係以與上述基板之上述上表面之中央部呈對向之方式被固定。
於本發明之其他較佳之實施形態中，更進一步具備有形成被密閉之內部空間的密閉空間形成部，該內部空間係被加以進行藉由上述處理液之對上述基板之處理。
本發明之另一基板處理裝置係具備有：基板支撐部，其對呈水平狀態之基板之外緣部進行支撐；基板旋轉機構，其使上述基板支撐部與上述基板一起以朝著上下方向之中心軸為中心而進行旋轉；處理液供給噴嘴，其對上述基板之上表面，供給相較於上述基板為高溫之處理液；至少1個之加熱液供給噴嘴，其於上述中心軸與上述基板之外周緣之間，對上述基板之下表面，供給相較於上述基板為高溫之加熱液；及至少1個之加熱氣體供給噴嘴，其於上述中心軸與上述基板之上述外周緣之間，朝向上述基板之上述下表面，噴出相較於上述基板為高溫之加熱氣體。藉此，可一方面抑制基板之外周部之溫度降低，一方面對基板之下表面進行液處理。又，亦可於基板乾燥時加熱基板。
於本發明之一較佳之實施形態中，更進一步具備有控制部，該控制部係對上述基板旋轉機構、自上述處理液供給噴嘴之上述處理液之供給、自上述至少1個之加熱液供給噴嘴之上述加熱液之供給、及自上述至少1個之加熱氣體供給噴嘴之上述加熱氣體之供給，進行控制，藉由上述控制部所進行之控制，藉此一方面使 上述基板進行旋轉，一方面對上述基板之上述上表面供給上述處理液，並且對上述基板之上述下表面供給上述加熱液，而於停止上述處理液及上述加熱液之供給之後，一方面使上述基板進行旋轉，一方面朝向上述基板之上述下表面噴出上述加熱氣體而使上述基板進行乾燥。
於本發明之其他較佳之實施形態中，更進一步具備有控制部，該控制部係對上述基板旋轉機構、自上述處理液供給噴嘴之上述處理液之供給、自上述至少1個之加熱液供給噴嘴之上述加熱液之供給、及自上述至少1個之加熱氣體供給噴嘴之上述加熱氣體之供給，進行控制，藉由上述控制部所進行之控制，藉此一方面使上述基板進行旋轉，一方面對上述基板之上述上表面供給上述處理液，且以與上述處理液之供給呈並行之方式對上述基板之上述下表面供給上述加熱液，並且對上述基板之下方之空間供給上述加熱氣體。
本發明亦適合於處理基板之基板處理方法。本發明之一基板處理方法係具備有：a)步驟，其一方面使呈水平狀態之基板以朝著上下方向之中心軸為中心進行旋轉，一方面對上述基板之上表面供給相較於上述基板為高溫之處理液；b)步驟，其以與上述a)步驟呈並行之方式，自至少1個之加熱液供給噴嘴，於上述中心軸與上述基板之外周緣之間，對上述基板之下表面供給相較於上述基板為高溫之加熱液；c)步驟，其於停止上述處理液及上述加熱液之供給之後，一方面使上述基板進行旋轉，一方面自至少1個之加熱氣體供給噴嘴，於上述中心軸與上述基板之上述外周緣之間，朝向上述基板之上述下表面噴出相較於上述基板為高溫之加熱氣體而 使上述基板產生乾燥。
本發明之另一基板處理方法係具備有：a)步驟，其一方面使呈水平狀態之基板以朝著上下方向之中心軸為中心進行旋轉，一方面對上述基板之上表面供給相較於上述基板為高溫之處理液；b)步驟，其以與上述a)步驟呈並行之方式，自至少1個之加熱液供給噴嘴，於上述中心軸與上述基板之外周緣之間，對上述基板之下表面供給相較於上述基板為高溫之加熱液；c)步驟，其以與上述b)步驟呈並行之方式，自至少1個之加熱氣體供給噴嘴，對上述基板之下方之空間，供給相較於上述基板為高溫之加熱氣體。
上述目的及其他目的、特徵、樣態及優點可參照隨附圖式，由以下進行之本發明之詳細說明清楚解釋。
1、1a‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
12‧‧‧腔室
14‧‧‧基板保持部
15‧‧‧基板旋轉機構
16‧‧‧受液部
17‧‧‧外殼
18‧‧‧氣液供給部
19‧‧‧氣液排出部
81‧‧‧環狀開口
91‧‧‧(基板之)上表面
92‧‧‧(基板之)下表面
95‧‧‧實線
96‧‧‧實線
97‧‧‧實線
98‧‧‧實線
100‧‧‧擴大密閉空間
120‧‧‧腔室空間
121‧‧‧腔室本體
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
131‧‧‧腔室開關機構
141‧‧‧基板支撐部
142‧‧‧基板壓緊部
151‧‧‧定子部
152‧‧‧轉子部
160‧‧‧側方空間
161‧‧‧護罩部
162‧‧‧護罩部移動機構
163‧‧‧護罩對向部
165‧‧‧受液凹部
180、180c‧‧‧供給噴嘴
180a‧‧‧加熱氣體供給噴嘴
180b‧‧‧加熱液供給噴嘴
181‧‧‧上部噴嘴
182‧‧‧下部噴嘴
183‧‧‧藥液供給部
184‧‧‧純水供給部
185‧‧‧IPA供給部
186‧‧‧惰性氣體供給部
187‧‧‧加熱氣體供給部
188‧‧‧液體加熱部
191‧‧‧第1排出路
192‧‧‧第2排出路
193、197‧‧‧氣液分離部
194‧‧‧外側排氣部
195‧‧‧藥液回收部
196、199‧‧‧排液部
198‧‧‧內側排氣部
210‧‧‧腔室底部
211‧‧‧下表面對向部
211a‧‧‧對向面
212‧‧‧內側壁部
213‧‧‧環狀底部
214‧‧‧腔室側壁部
215‧‧‧外側壁部
216‧‧‧底座部
217‧‧‧下部環狀空間
222‧‧‧板保持部
223、238‧‧‧筒部
224‧‧‧凸緣部
231、232‧‧‧唇形密封件
237‧‧‧被保持部
239‧‧‧凸緣部
241‧‧‧第1卡合部
242‧‧‧第2卡合部
411‧‧‧第1接觸部
413‧‧‧支撐部底座
421‧‧‧第2接觸部
611‧‧‧側壁部
612‧‧‧上表面部
617‧‧‧波紋管
801‧‧‧內周壁
802‧‧‧外周壁
803‧‧‧間隔壁
804‧‧‧供給配管
805‧‧‧歧管
806‧‧‧加熱液配管
807‧‧‧加熱液歧管
808‧‧‧加熱氣體配管
809‧‧‧加熱氣體歧管
1801、1804‧‧‧安裝位置
1802‧‧‧噴出口
1805‧‧‧吐出口
J1、J2‧‧‧中心軸
S11~S16、S121‧‧‧步驟
圖1係第1實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖2係供給噴嘴之橫剖面圖。
圖3係供給噴嘴之縱剖面圖。
圖4係表示氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖5係下表面對向部之俯視圖。
圖6係下表面對向部之剖面圖。
圖7係表示基板處理裝置中之處理之流程之圖。
圖8及圖9係基板處理裝置之剖面圖。
圖10及圖11係表示藥液處理時之基板之溫度分佈之圖。
圖12係表示基板處理裝置中之處理之流程之一部分之圖。
圖13係表示藥液處理時之基板之溫度分佈之圖。
圖14及圖15係表示供給噴嘴之配置之另一例之俯視圖。
圖16係第2實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖17係表示氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖18係下表面對向部之俯視圖。
圖19係下表面對向部之剖面圖。
圖20及圖21係基板處理裝置之剖面圖。
圖22及圖23係表示藥液處理時之基板之溫度分佈之圖。
圖24係表示供給噴嘴之另一例之橫剖面圖。
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之剖面圖。基板處理裝置1係對大致圓板狀之半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)供給處理液，將基板9逐片地進行處理的單片式裝置。於圖1中，省略對基板處理裝置1之一部分構成之剖面賦予平行斜線(於其他剖面圖中亦情況相同)。
基板處理裝置1具備腔室12、頂板123、腔室開關機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、受液部16及外殼17。外殼17覆蓋腔室12之上方及側方。
腔室12具備腔室本體121與腔室蓋部122。腔室12係以朝向上下方向之中心軸J1為中心之大致圓筒狀。腔室本體121具備腔室底部210與腔室側壁部214。腔室底部210具備大致圓板狀之中央部211、自中央部211之外緣部朝向下方擴展之大致圓筒狀之內側壁部212、自內側壁部212之下端朝向徑向外側擴展之大致圓環板狀之環狀底部213、自環狀底部213之外緣部朝向上方擴展之大致圓筒狀之外側壁部215、及自外側壁部215之上端部朝向 徑向外側擴展之大致圓環板狀之底座部216。
腔室側壁部214係以中心軸J1為中心之環狀。腔室側壁部214係自底座部216之內緣部朝向上方突出。形成腔室側壁部214之構件係如下所述地兼作受液部16之一部分。於以下之說明中，將由腔室側壁部214、外側壁部215、環狀底部213、內側壁部212、及中央部211之外緣部包圍之空間稱為下部環狀空間217。
於基板9由基板保持部14之基板支撐部141(下述)支撐之情形時，基板9之下表面92與腔室底部210之中央部211之上表面對向。於以下之說明中，將腔室底部210之中央部211稱為「下表面對向部211」，將中央部211之上表面211a稱為「對向面211a」。關於下表面對向部211之詳細情況將於下文進行敍述。
腔室蓋部122係與中心軸J1垂直之大致圓板狀，且包含腔室12之上部。腔室蓋部122係將腔室本體121之上部開口阻塞。圖1係表示腔室蓋部122自腔室本體121相隔之狀態。當腔室蓋部122將腔室本體121之上部開口阻塞時，腔室蓋部122之外緣部與腔室側壁部214之上部相接。
腔室開關機構131係使腔室12之活動部即腔室蓋部122相對於腔室12之其他部位即腔室本體121上下方向地相對移動。腔室開關機構131係使腔室蓋部122升降之蓋部升降機構。當腔室蓋部122因腔室開關機構131而上下方向地移動時，頂板123亦與腔室蓋部122一同地上下方向地移動。腔室蓋部122與腔室本體121相接而將上部開口阻塞，進而，朝向腔室本體121按壓腔室蓋部122，藉此，於腔室12內形成被密閉之腔室空間120(參照圖7)。換言之，因腔室本體121之上部開口由腔室蓋部122阻塞而腔 室空間120被密閉。
基板保持部14係配置於腔室空間120內，且以水平狀態保持基板9。即，基板9係以形成有微細圖案之一主面91(以下，稱為「上表面91」)與中心軸J1垂直地朝向上側之狀態由基板保持部14保持。基板保持部14具備：上述基板支撐部141，其自下側支撐基板9之外緣部(即包含外周緣之外周緣附近之部位)；及基板壓緊部142，其自上側將由基板支撐部141支撐之基板9之外緣部壓緊。基板支撐部141係以中心軸J1為中心之大致圓環狀。基板支撐部141具備以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之支撐部底座413、及固定於支撐部底座413之上表面之複數個第1接觸部411。基板壓緊部142具備固定於頂板123之下表面之複數個第2接觸部421。複數個第2接觸部421之圓周方向之位置實際上不同於複數個第1接觸部411之圓周方向之位置。
頂板123係與中心軸J1垂直之大致圓板狀。頂板123係配置於腔室蓋部122之下方且基板支撐部141之上方。頂板123係於中央具有開口。若基板9由基板支撐部141支撐，則基板9之上表面91與垂直於中心軸J1之頂板123之下表面對向。頂板123之直徑大於基板9之直徑，且頂板123之外周緣相較基板9之外周緣遍及整周地位於徑向外側。
於圖1所示之狀態下，頂板123係以垂吊之方式由腔室蓋部122支撐。腔室蓋部122係於中央部具備大致環狀之板保持部222。板保持部222具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部223、及以中心軸J1為中心之大致圓板狀之凸緣部224。凸緣部224係自筒部223之下端朝向徑向內側擴展。
頂板123具備環狀之被保持部237。被保持部237具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部238、及以中心軸J1為中心之大致圓板狀之凸緣部239。筒部238係自頂板123之上表面朝向上方擴展。凸緣部239係自筒部238之上端朝向徑向外側擴展。筒部238位於板保持部222之筒部223之徑向內側。凸緣部239位於板保持部222之凸緣部224之上方，且於上下方向上與凸緣部224對向。藉由被保持部237之凸緣部239之下表面與板保持部222之凸緣部224之上表面相接，而將頂板123以自腔室蓋部122垂吊之方式安裝於腔室蓋部122。
於頂板123之外緣部之下表面，使複數個第1卡合部241沿圓周方向排列，且於支撐部底座413之上表面，使複數個第2卡合部242沿圓周方向排列。實際上，第1卡合部241及第2卡合部242係配置於圓周方向上與基板支撐部141之複數個第1接觸部411、及基板壓緊部142之複數個第2接觸部421不同之位置。該等卡合部較佳為設置3組以上，於本實施形態中設置有4組。於第1卡合部241之下部設置有朝向上方凹陷之凹部。第2卡合部242係自支撐部底座413朝向上方突出。
基板旋轉機構15係所謂之中空馬達。基板旋轉機構15具備以中心軸J1為中心之環狀之定子部151、及環狀之轉子部152。轉子部152包含大致圓環狀之永久磁鐵。永久磁鐵之表面係利用PTFE(Polytetrafluoroethene，聚四氟乙烯)樹脂模塑而成。轉子部152於腔室12內係配置於下部環狀空間217內。於轉子部152之上部經由連接構件安裝有基板支撐部141之支撐部底座413。支撐部底座413係配置於轉子部152之上方。
定子部151於腔室12外係配置於轉子部152之周圍即徑向外側。於本實施形態中，定子部151係固定於腔室底部210之外側壁部215及底座部216，且位於受液部16之下方。定子部151包含於以中心軸J1為中心之圓周方向上排列之複數個線圈。
藉由對定子部151供給電流，而於定子部151與轉子部152之間產生以中心軸J1為中心之旋轉力。藉此，轉子部152以中心軸J1為中心以水平狀態進行旋轉。因作用於定子部151與轉子部152之間之磁力，轉子部152於腔室12內浮動而既不直接亦不間接地接觸於腔室12，使基板9與基板支撐部141一同地以中心軸J1為中心以浮動狀態進行旋轉。
受液部16具備護罩部161、護罩部移動機構162及護罩對向部163。護罩部161係以中心軸J1為中心之環狀，且遍及整周地位於腔室12之徑向外側。護罩部移動機構162使護罩部161上下方向地移動。護罩部移動機構162係配置於護罩部161之徑向外側。護罩部移動機構162係配置於在圓周方向上與上述腔室開關機構131不同之位置。護罩對向部163係位於護罩部161之下方，且於上下方向上與護罩部161對向。護罩對向部163係形成腔室側壁部214之構件之一部分。護罩對向部163具有位於腔室側壁部214之徑向外側之環狀之受液凹部165。
護罩部161具備側壁部611、上表面部612、及波紋管617。側壁部611係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。上表面部612係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之上端部朝向徑向內側及徑向外側擴展。側壁部611之下部位於護罩對向部163之受液凹部165內。
波紋管617係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且可上下方向地伸縮。波紋管617係於側壁部611之徑向外側，遍及整周地設置於側壁部611之周圍。波紋管617係由不使氣體及液體通過之材料形成。波紋管617之上端部係遍及整周地連接於上表面部612之外緣部之下表面。換言之，波紋管617之上端部係經由上表面部612而間接地連接於側壁部611。波紋管617與上表面部612之連接部被密封，而可防止氣體及液體通過。波紋管617之下端部係經由護罩對向部163而間接地連接於腔室本體121。於波紋管617之下端部與護罩對向部163之連接部，亦可防止氣體及液體通過。
於腔室蓋部122之中央安裝有上部噴嘴181。上部噴嘴181係與基板9之上表面91之中央部對向地固定於腔室蓋部122。上部噴嘴181可插入至頂板123之中央之開口。上部噴嘴181於中央具有液體吐出口，係對基板9之上表面91供給處理液之處理液供給噴嘴。上部噴嘴181係於液體吐出口之周圍亦具有噴出氣體之噴出口。於腔室底部210之下表面對向部211之中央安裝有下部噴嘴182。下部噴嘴182係於中央具有液體吐出口，且與基板9之下表面92之中央部對向。於下表面對向部211進而設置有朝向基板9之下表面92之複數個供給噴嘴180。
圖2係供給噴嘴180之與中心軸J2垂直之橫剖面圖。圖3係包含中心軸J2之供給噴嘴180之縱剖面圖。其他供給噴嘴180之構造亦與圖2及圖3所示之供給噴嘴180之構造相同。如圖2及圖3所示，供給噴嘴180具備加熱氣體供給噴嘴180a與加熱液供給噴嘴180b。各供給噴嘴180係加熱氣體供給噴嘴180a遍及整周地包圍加熱液供給噴嘴180b之周圍之套管。
各供給噴嘴180具備大致圓筒狀之內周壁801、及遍及整周地包圍內周壁801之周圍之大致圓筒狀之外周壁802。如圖2所示，內周壁801及外周壁802之橫剖面係大致同心圓狀。作為內周壁801之前端之加熱液供給噴嘴180b之吐出口1805、及內周壁801之吐出口1805附近之部位相較作為外周壁802之前端之加熱氣體供給噴嘴180a之噴出口1802突出。較佳為內周壁801由熱導率相對較高之材料形成，且以熱導率變高之方式變薄。外周壁802係由熱導率相對較低之材料形成，且以熱導率變低之方式變厚。關於供給噴嘴180之配置等將於下文進行敍述。
圖4係表示基板處理裝置1所具備之氣液供給部18及氣液排出部19的方塊圖。氣液供給部18不僅具備上述供給噴嘴180、上部噴嘴181及下部噴嘴182，而且具備藥液供給部183、純水供給部184、IPA(isopropyl alcohol，異丙醇)供給部185、惰性氣體供給部186、加熱氣體供給部187、及液體加熱部188。
藥液供給部183連接於液體加熱部188，液體加熱部188係經由閥連接於上部噴嘴181及複數個供給噴嘴180之加熱液供給噴嘴180b。自藥液供給部183供給至液體加熱部188之藥液係由液體加熱部188加熱。經加熱之藥液係供給至上部噴嘴181及複數個加熱液供給噴嘴180b。對上部噴嘴181之經加熱之藥液之供給開始及停止與對加熱液供給噴嘴180b之經加熱之藥液(以下，亦稱為「加熱液」)之供給開始及停止可由控制部10個別地控制。
純水供給部184及IPA供給部185係分別經由閥連接於上部噴嘴181。下部噴嘴182係經由閥連接於純水供給部184。上部噴嘴181係經由閥亦連接於惰性氣體供給部186。上部噴嘴181 係對腔室12之內部供給氣體之氣體供給部之一部分。複數個加熱氣體供給噴嘴180a係經由閥連接於加熱氣體供給部187。
連接於受液部16之受液凹部165之第1排出路191係連接於氣液分離部193。氣液分離部193係分別經由閥連接於外側排氣部194、藥液回收部195及排液部196。連接於腔室12之腔室底部210之第2排出路192係連接於氣液分離部197。氣液分離部197係分別經由閥連接於內側排氣部198及排液部199。氣液供給部18及氣液排出部19之各構成係由控制部10進行控制。腔室開關機構131、基板旋轉機構15及護罩部移動機構162(參照圖1)亦由控制部10進行控制。
自藥液供給部183經由上部噴嘴181及複數個加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之藥液係利用化學反應而處理基板之處理液，例如，係氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。純水供給部184係經由上部噴嘴181或下部噴嘴182對基板9供給純水(DIW，deionized water，去離子水)。IPA供給部185係經由上部噴嘴181將異丙醇(IPA)供給至基板9上。於基板處理裝置1中，亦可設置供給上述處理液(上述藥液、純水及IPA)以外之處理液之處理液供給部。
惰性氣體供給部186係經由上部噴嘴181對腔室12內供給惰性氣體。加熱氣體供給部187係經由複數個加熱氣體供給噴嘴180a對基板9之下表面92供給經加熱之氣體(例如高溫之惰性氣體)。於本實施形態中，惰性氣體供給部186及加熱氣體供給部187中利用之氣體係氮氣(N2)，但亦可為氮氣以外之氣體。再者，於加熱氣體供給部187中利用經加熱之惰性氣體之情形時，基板處 理裝置1中之防爆對策可簡化或者不需要該防爆對策。
於圖2及圖3所示之各供給噴嘴180中，自藥液供給部183及液體加熱部188供給至加熱液供給噴嘴180b之經加熱之藥液(以下，稱為「加熱液」)係直接接觸於內周壁801。又，自加熱氣體供給部187供給至加熱氣體供給噴嘴180a之經加熱之氣體(以下，稱為「加熱氣體」)係直接接觸於內周壁801及外周壁802。供給噴嘴180之內周壁801係直接接觸於加熱液及加熱氣體並且於供給噴嘴180內防止加熱液與加熱氣體混合的間隔壁，且由加熱氣體供給噴嘴180a與加熱液供給噴嘴180b所共有。
圖5係表示腔室底部210之下表面對向部211中之複數個供給噴嘴180之配置的俯視圖。於圖5中，未圖示供給噴嘴180整體，而以標註符號1801之實線之圓圈表示下表面對向部211中之各供給噴嘴180之安裝位置(於圖14及圖15中亦同樣)。如圖5所示，於下表面對向部211設置有6個供給噴嘴180。6個供給噴嘴180係於以中心軸J1為中心之同一圓周上等角度間隔(60°間隔)地配置。例如，於半徑約為150mm(毫米)之基板9之處理中使用之基板處理裝置1中，各供給噴嘴180之吐出口1805之中心與中心軸J1之間之徑向之距離約為90mm。
圖6係將下表面對向部211附近放大而表示之剖面圖。如圖6所示，於基板9由基板支撐部141支撐之情形時，下表面對向部211之對向面211a係於基板支撐部141之徑向內側與基板9之下表面92對向。對向面211a係隨著與中心軸J1相距之距離增大而位於下方(即自基板9遠離)之傾斜面，且遍及基板9之下表面92之大致整體地擴展。對向面211a與基板9之下表面92之 間之距離係於下部噴嘴182附近成為最小，例如為5mm。又，該距離係於基板9之外緣部成為最大，例如為30mm。
各供給噴嘴180係自對向面211a突出。各供給噴嘴180之加熱液供給噴嘴180b係經由形成於下表面對向部211之內部之加熱液配管806及加熱液歧管807而連接於液體加熱部188(參照圖4)。加熱液歧管807係以中心軸J1為中心之大致環狀。藉由複數個加熱液配管806而複數個加熱液供給噴嘴180b與加熱液歧管807分別連接。
各供給噴嘴180之加熱氣體供給噴嘴180a係經由形成於下表面對向部211內之加熱氣體配管808及加熱氣體歧管809而連接於加熱氣體供給部187。加熱氣體歧管809係以中心軸J1為中心之大致環狀，且覆蓋加熱液歧管807之外表面。藉由複數個加熱氣體配管808而複數個加熱氣體供給噴嘴180a與加熱氣體歧管809分別連接。各加熱氣體配管808係遍及整周地包圍加熱液配管806之周圍。若將連接於1個供給噴嘴180之加熱液配管806與加熱氣體配管808總稱為供給配管804，且將加熱液歧管807與加熱氣體歧管809總稱為歧管805，則複數個供給配管804係將歧管805與複數個供給噴嘴180分別連接之套管。
各加熱氣體供給噴嘴180a之噴出口1802、及各加熱液供給噴嘴180b之吐出口1805係於相較對向面211a更靠上方接近於基板9之下表面92。各供給噴嘴180係以其中心軸J2大體上沿著安裝位置1801上之對向面211a之法線之方式固定於下表面對向部211。即，各供給噴嘴180相對於中心軸J1傾斜。因此，各加熱氣體供給噴嘴180a係以噴出口1802相較安裝位置1801略微位 於徑向外側之方式相對於中心軸J1傾斜。又，各加熱液供給噴嘴180b亦以吐出口1805相較安裝位置1801略微位於徑向外側之方式相對於中心軸J1傾斜。
圖7係表示基板處理裝置1中之基板9之處理之流程之圖。於基板處理裝置1中，於如圖1所示腔室蓋部122自腔室本體121相隔而位於上方且護罩部161自腔室蓋部122相隔而位於下方的狀態下，基板9被外部之搬送機構搬入至腔室12內，且受到基板支撐部141自下側支撐(步驟S11)。以下，將圖1所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「打開狀態」。腔室蓋部122與腔室側壁部214之間之開口係以中心軸J1為中心之環狀，以下，稱為「環狀開口81」。於基板處理裝置1中，藉由腔室蓋部122自腔室本體121相隔，而於基板9之周圍(即徑向外側)形成環狀開口81。於步驟S11中，基板9係經由環狀開口81被搬入。
若基板9被搬入，則護罩部161自圖1所示之位置上升至圖8所示之位置，且遍及整周地位於環狀開口81之徑向外側。於以下之說明中，將圖8所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「第1密閉狀態」。又，將圖8所示之護罩部161之位置稱為「受液位置」，將圖1所示之護罩部161之位置稱為「退避位置」。護罩部移動機構162使護罩部161於環狀開口81之徑向外側之受液位置與相較受液位置更靠下方之退避位置之間上下方向地移動。
於位於受液位置之護罩部161中，側壁部611於徑向上與環狀開口81對向。又，上表面部612之內緣部之上表面遍及整周地與腔室蓋部122之外緣部下端之唇形密封件232相接。於腔室蓋部122與護罩部161之上表面部612之間形成防止氣體及液體 通過之密封部。藉此，形成由腔室本體121、腔室蓋部122、護罩部161及護罩對向部163包圍之被密閉之內部空間(以下，稱為「擴大密閉空間100」)。
擴大密閉空間100係藉由腔室蓋部122與腔室本體121之間之腔室空間120和由護罩部161與護罩對向部163包圍之側方空間160經由環狀開口81連通而形成的1個空間。腔室蓋部122、腔室本體121、護罩部161及護罩對向部163係形成擴大密閉空間100之密閉空間形成部。
於第1密閉狀態下，基板壓緊部142之複數個第2接觸部421接觸於基板9之外緣部。於頂板123之下表面及基板支撐部141之支撐部底座413上設置有於上下方向上對向之數對磁鐵(省略圖示)。以下，亦將各對磁鐵稱為「磁鐵對」。於基板處理裝置1中，複數個磁鐵對於圓周方向上以等角度間隔配置於與第1接觸部411、第2接觸部421、第1卡合部241及第2卡合部242不同之位置。於基板壓緊部142接觸於基板9之狀態下，因作用於磁鐵對之間之磁力(引力)，向下之力作用於頂板123。藉此，基板壓緊部142將基板9朝向基板支撐部141按壓。
於基板處理裝置1中，基板壓緊部142藉由頂板123之自重及磁鐵對之磁力而將基板9朝向基板支撐部141按壓，藉此，可利用基板壓緊部142與基板支撐部141自上下夾持地牢固保持基板9。
於第1密閉狀態下，被保持部237之凸緣部239隔開至板保持部222之凸緣部224之上方，而板保持部222與被保持部237未接觸。換言之，板保持部222對頂板123之保持被解除。因 此，頂板123自腔室蓋部122獨立地藉由基板旋轉機構15而與基板保持部14及由基板保持部14保持之基板9一同地進行旋轉。
又，於第1密閉狀態下，第2卡合部242嵌入至第1卡合部241之下部之凹部。藉此，頂板123係於以中心軸J1為中心之圓周方向上與基板支撐部141之支撐部底座413卡合。換言之，第1卡合部241及第2卡合部242係限制頂板123相對於基板支撐部141之旋轉方向上之相對位置(即，將圓周方向上之相對位置固定)之位置限制構件。當腔室蓋部122下降時，以第1卡合部241與第2卡合部242嵌合之方式，藉由基板旋轉機構15來控制支撐部底座413之旋轉位置。
繼而，藉由基板旋轉機構15而以固定之轉數(相對較低之轉數，以下，稱為「恆定轉數」)使基板9開始旋轉。進而，開始自惰性氣體供給部186(參照圖4)對擴大密閉空間100供給惰性氣體(此處為氮氣)，並且開始利用外側排氣部194排出擴大密閉空間100內之氣體。藉此，經過既定時間後，擴大密閉空間100成為填充有惰性氣體之惰性氣體填充狀態(即，氧濃度低之低氧環境)。再者，對擴大密閉空間100之惰性氣體供給及擴大密閉空間100內之氣體排出亦可自圖1所示之打開狀態進行。
繼而，藉由控制部10進行之控制，開始自複數個供給噴嘴180之加熱液供給噴嘴180b朝向旋轉之基板9之下表面92供給已加熱至高於基板9之溫度之藥液即加熱液。來自各加熱液供給噴嘴180b之加熱液係於中心軸J1與基板9之外周緣(邊緣)之間連續地供給至基板9之下表面92。供給至下表面92之加熱液因基板9之旋轉而朝向基板9之外周部擴散。藉此，開始對基板9之下 表面92之藥液處理，並且開始基板9之加熱。加熱液之溫度係配合藥液之種類或對基板9之處理等而適當決定，例如為約50~80℃。又，自複數個加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之下表面92之加熱液之合計流量例如為每分鐘約2~3公升。
若基板9加熱至既定之溫度，則藉由控制部10進行之控制，開始自上部噴嘴181朝向旋轉之基板9之上表面91之中央部供給已加熱至高於基板9之溫度之藥液。對基板9之上表面91之藥液吐出僅於基板9之中央部進行，於中央部以外之部位不進行。來自上部噴嘴181之藥液係連續地供給至旋轉之基板9之上表面91。上表面91上之藥液因基板9之旋轉而朝向基板9之外周部擴散，從而由藥液將上表面91整體被覆。
來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液之供給係於來自上部噴嘴181之藥液之供給過程中亦持續。藉此，於擴大密閉空間100內，一方面將基板9大致加熱至所需之溫度，一方面進行自上部噴嘴181供給之藥液對基板9之上表面91之蝕刻處理、及自加熱液供給噴嘴180b供給之加熱液對基板9之下表面92之蝕刻處理(步驟S12)。自上部噴嘴181供給至基板9之上表面91之藥液之流量例如為每分鐘約0.5~1公升。由於頂板123之下表面接近於基板9之上表面91，故而對基板9之蝕刻係於頂板123之下表面與基板9之上表面91之間之極窄之空間內進行。
於擴大密閉空間100內，自旋轉之基板9之上表面91飛散之藥液經由環狀開口81而由護罩部161接受，並被導向受液凹部165。被導至受液凹部165之藥液係經由圖4所示之第1排出路191流入至氣液分離部193。於藥液回收部195中，自氣液分 離部193將藥液回收，且經由過濾器等自藥液中將雜質等去除之後，重新進行利用。
若自來自上部噴嘴181之藥液之供給開始起經過既定時間(例如60~120秒鐘)，則使來自上部噴嘴181之藥液之供給、及來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液之供給停止。於加熱液供給噴嘴180b中，因回吸(suck back)而加熱液自吐出口1805回流至加熱液供給噴嘴180b之內部。藉此，可抑制或防止加熱液自吐出口1805滴下而流入至加熱氣體供給噴嘴180a內。繼而，藉由基板旋轉機構15，而於既定時間(例如1~3秒鐘)內使基板9之轉數高於恆定轉數，從而自基板9將藥液去除。
繼而，腔室蓋部122與護罩部161同步地朝向下方移動。繼而，如圖9所示，腔室蓋部122之外緣部下端之唇形密封件231與腔室側壁部214之上部相接，藉此，將環狀開口81封閉，而將腔室空間120以與側方空間160隔絕之狀態密閉。護罩部161係與圖1同樣地位於退避位置。以下，將圖9所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「第2密閉狀態」。於第2密閉狀態下，基板9與腔室12之內壁直接對向，從而於該等之間不存在其他受液部。
於第2密閉狀態下，亦與第1密閉狀態同樣地，基板壓緊部142將基板9朝向基板支撐部141按壓，藉此，基板9由基板壓緊部142與基板支撐部141自上下夾持地牢固保持。又，板保持部222對頂板123之保持被解除，而頂板123自腔室蓋部122獨立地與基板保持部14及基板9一同地進行旋轉。
若腔室空間120被密閉，則停止外側排氣部194(參照圖4)進行之氣體之排出，並且開始內側排氣部198進行之腔室空間 120內之氣體之排出。繼而，藉由純水供給部184開始對基板9供給作為淋洗液或清洗液之純水(步驟S13)。
來自純水供給部184之純水係自上部噴嘴181及下部噴嘴182吐出，連續地供給至基板9之上表面91及下表面92之中央部。純水係因基板9之旋轉而朝向上表面91及下表面92之外周部擴散，自基板9之外周緣朝向外側飛散。自基板9飛散之純水係由腔室12之內壁(即，腔室蓋部122及腔室側壁部214之內壁)接受，且經由圖2所示之第2排出路192、氣液分離部197及排液部199而廢棄(於下述基板9之乾燥處理中亦同樣)。藉此，實質上，腔室12內之清洗亦與基板9之上表面91及下表面92之淋洗處理及清洗處理一同地進行。
若自純水之供給開始起經過既定時間，則停止自純水供給部184供給純水。繼而，藉由控制部10進行之控制，開始自複數個供給噴嘴180之加熱氣體供給噴嘴180a朝向基板9之下表面92噴出已加熱至高於基板9之溫度之惰性氣體(即加熱氣體)。來自各加熱氣體供給噴嘴180a之加熱氣體係於中心軸J1與基板9之外周緣(邊緣)之間朝向基板9之下表面92連續地噴出。自加熱氣體供給噴嘴180a噴射至基板9之下表面92之加熱氣體擴散至基板9之下方之空間。藉此，將基板9加熱。加熱氣體之溫度例如為約160~200℃。又，自複數個加熱氣體供給噴嘴180a供給之加熱氣體之合計流量例如為每分鐘約150~200公升。於供給噴嘴180中，即便於加熱液附著而殘留於加熱液供給噴嘴180b之吐出口1805附近之情形時，因自加熱氣體供給噴嘴180a噴出加熱氣體，故而亦將該加熱液吹飛而去除。
繼而，自上部噴嘴181將IPA供給至基板9之上表面91上，從而於上表面91上將純水置換成IPA(步驟S14)。若自IPA之供給開始起經過既定時間，則停止自IPA供給部185供給IPA。其後，於繼續自加熱氣體供給噴嘴180a噴出加熱氣體之狀態下，使基板9之轉數充分地高於恆定轉數。藉此，將IPA自基板9上去除，進行基板9之乾燥處理(步驟S15)。若自基板9之乾燥開始起經過既定時間，則基板9之旋轉停止。基板9之乾燥處理亦可於腔室空間120藉由內側排氣部198減壓而低於大氣壓之減壓環境中進行。
其後，腔室蓋部122與頂板123上升，從而如圖1所示，腔室12成為打開狀態。於步驟S15中，由於頂板123與基板支撐部141一同地旋轉，故而液體幾乎未殘留於頂板123之下表面，從而於腔室蓋部122上升時液體不會自頂板123落下至基板9上。基板9係藉由外部之搬送機構而自腔室12搬出(步驟S16)。
如以上說明所述，於基板處理裝置1中，設置有對基板9之上表面91供給溫度高於基板9之藥液的上部噴嘴181、及於中心軸J1與基板9之外周緣之間對基板9之下表面92供給溫度高於基板9之加熱液的加熱液供給噴嘴180b。藉此，可抑制或防止基板9之溫度及供給至基板9之上表面91之藥液之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而降低。其結果，可提昇基板9及基板9上之藥液之溫度均勻性，從而可提昇基板9之上表面91上之蝕刻處理之面內均勻性。又，可與上表面91之蝕刻處理並行地進行加熱液對基板9之下表面之蝕刻處理。
如此，於基板處理裝置1中，可提昇基板9及基板9 上之藥液之溫度均勻性。因此，基板處理裝置1之構造尤其適於供給至基板9之上表面91之藥液之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而相對容易降低的基板處理裝置、例如對基板9之上表面91吐出藥液之上部噴嘴181與上表面91之中央部對向地被固定的基板處理裝置。於上部噴嘴181與基板9之上表面91之中央部對向地被固定的基板處理裝置中，供給至上表面91上之藥液於基板9上移動直至自外緣飛散之距離較長，因此，可效率良好地將供給至上表面91上之藥液用於蝕刻處理。
於基板處理裝置1中，又，設置有於中心軸J1與基板9之外周緣之間朝向基板9之下表面92供給溫度高於基板9之加熱氣體的加熱氣體供給噴嘴180a。藉此，於基板9乾燥時，可不對基板9供給液體而加熱基板9，從而可使基板9上之IPA之揮發性增大。其結果，可使基板9迅速地乾燥，並且可抑制或防止基板9乾燥時之基板9之上表面91上之微細圖案之損傷。
於基板處理裝置1中，進而，加熱氣體供給噴嘴180a與加熱液供給噴嘴180b係1個供給噴嘴180。藉此，可將在基板9之藥液處理時及乾燥時被用於基板9之下表面92之加熱之構造簡化及小型化。其結果，可有效地利用基板9與腔室底部210之間之空間(即基板9之下方之空間)。
於基板處理裝置1中，複數個加熱液供給噴嘴180b中2個以上之加熱液供給噴嘴180b位於以中心軸J1為中心之同一圓周上。藉此，可縮短基板9之該圓之上方之各部位通過加熱液供給噴嘴180b之上方被供給加熱液後至下一次移動至加熱液供給噴嘴180b之上方之間的時間。藉此，可抑制基板9之各部位於加熱 液供給噴嘴180b間移動時之溫度降低(即旋轉過程中之溫度降低)。其結果，進行基板9之藥液處理時，可進一步提昇圓周方向上之基板9及基板9上之藥液之溫度均勻性，從而可進一步提昇基板9上之蝕刻處理之面內均勻性。
如上所述，自上部噴嘴181供給至基板9之上表面91之藥液與自加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之下表面92之加熱液係自1個藥液供給部183供給之相同之液體。該液體(藥液)係於供給至上部噴嘴181及加熱液供給噴嘴180b之前，由1個液體加熱部188加熱。藉此，可簡化基板處理裝置1之構造，並且可使基板處理裝置1小型化。
於基板處理裝置1中，複數個加熱氣體供給噴嘴180a中2個以上之加熱氣體供給噴嘴180a係位於以中心軸J1為中心之同一圓周上。藉此，可縮短基板9之該圓之上方之各部位通過加熱氣體供給噴嘴180a之上方被供給加熱氣體後至下一次移動至加熱氣體供給噴嘴180a之上方之間的時間。藉此，可抑制基板9之各部位於加熱氣體供給噴嘴180a間移動時之溫度降低(即，旋轉過程中之溫度降低)。其結果，進行基板9之乾燥處理時，可進一步提昇圓周方向上之基板9之溫度均勻性，從而可使基板9更迅速地乾燥。又，可進一步抑制或防止基板9乾燥時之基板9之上表面91上之微細圖案之損傷。
於基板處理裝置1中，供給噴嘴180自下表面對向部211之對向面211a突出。藉此，可抑制自下部噴嘴182供給至基板9之下表面92之純水等處理液自噴出口1802流入至加熱氣體供給噴嘴180a內的情況、及自吐出口1805流入至加熱液供給噴嘴180b 內的情況。又，藉由供給噴嘴180相對於中心軸J1傾斜，可進一步抑制純水等處理液流入至加熱氣體供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b。
如上所述，下表面對向部211之對向面211a係隨著自中心軸J1遠離而自基板9遠離之傾斜面。藉此，可易於將供給至基板9之下表面92之藥液或純水等處理液朝向對向面211a之徑向外側導引。其結果，可防止該處理液滯留於對向面211a上。
圖10係表示於基板處理裝置1中一方面對基板9之下表面92供給加熱液一方面進行的基板處理裝置1中之藥液處理時(步驟S12)之基板9之溫度分佈的圖。於圖10中，表示半徑約為150mm之基板9之溫度分佈。又，圖10之橫軸表示各測定位置距中心軸J1之徑向之距離，縱軸表示各測定位置上之基板9之溫度。於圖11及圖13中亦情況相同。圖10中標註符號95之實線表示基板處理裝置1中之藥液處理時之基板9之溫度，黑圓點之標記表示第1比較例之基板處理裝置中之藥液處理時之基板之溫度。於第1比較例之基板處理裝置中，未設置加熱液供給噴嘴，雖然自上部噴嘴對基板之上表面供給溫度高於基板之藥液，但不對基板之下表面進行加熱液之供給。由實線95表示之基板9之溫度係根據將加熱氣體供給噴嘴180a與加熱液供給噴嘴180b分別配置於下表面對向部211之基板處理裝置中的實驗結果利用模擬推斷所得者(圖11及圖13中之實線96~98中亦同樣)。如圖10所示，基板處理裝置1與第1比較例之基板處理裝置相比，可抑制基板9之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而降低。
於基板處理裝置1中，於對基板9之上表面91之藥 液處理時不進行基板9之下表面92之藥液處理的情形時，亦可代替來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液之供給，而與來自上部噴嘴181之藥液之供給並行地，自加熱氣體供給噴嘴180a對基板9之下表面92供給加熱氣體。圖11係表示代替加熱液而將加熱氣體供給至基板9之下表面92之情形時之藥液處理時(步驟S12)之基板9之溫度分佈的圖。圖11中標註符號96之實線表示基板處理裝置1中之藥液處理時之基板9之溫度，黑圓點之標記表示上述第1比較例之基板處理裝置中之藥液處理時之基板之溫度。如圖11所示，於藥液處理時對基板9之下表面92供給加熱氣體之情形時，與第1比較例之基板處理裝置相比，亦可抑制基板9之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而降低。
然而，於設想於被開放之處理空間對基板進行處理之基板處理裝置(以下，稱為「第2比較例之基板處理裝置」)的情形時，第2比較例之基板處理裝置進行於藥液對基板之處理時將該處理空間內之氣體以大流量排出的處理，以防止包含藥液成分之氣體擴散至外部。又，亦進行產生降流之處理，以防止微粒附著於基板。因此，於基板之周圍產生自上方朝向下方之氣流，由於該氣流，基板之溫度容易降低。基板之溫度降低係於基板之外緣部變得顯著，從而基板之溫度分佈之均勻性下降。其結果，藥液對基板之處理均勻性下降。亦考慮藉由將已加熱至固定溫度之藥液以大流量供給至基板而抑制基板之溫度分佈之均勻性降低，但會導致藥液之消耗量增大。
與此相對，基板處理裝置1可藉由作為密閉空間形成部之腔室12、護罩部161及護罩對向部163，而形成較第2比較例 之基板處理裝置中之處理空間小之密閉空間即擴大密閉空間100。藉此，可抑制來自基板9之熱之擴散。
於形成擴大密閉空間100之基板處理裝置1中，既不會產生包含藥液成分之氣體擴散至外部之情況，用以防止顆粒附著於基板之降流之必要性亦較低，因此，可將流入至擴大密閉空間100之氣體、及自擴大密閉空間100流出之氣體之流量設定得較低。因此，可進一步減少基板9之溫度降低。其結果，可一方面將來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液之流量設定得相對較低，一方面提昇基板之溫度分佈之均勻性。又，亦無需將已加熱至固定溫度之藥液以大流量供給至基板9之上表面91(即，可減少藥液之消耗量)，因此，亦可減少基板處理裝置1之COO(cost of ownership，持有成本)。
於基板處理裝置1中，於上述藥液處理時，亦可代替步驟S12而進行圖12所示之步驟S121。於步驟S121中，藉由控制部10進行之控制，與步驟S12同樣地，自上部噴嘴181對旋轉之基板9之上表面91供給經加熱之藥液，且與該藥液之供給並行地，自加熱液供給噴嘴180b對基板9之下表面92供給加熱液。於步驟S121中，進而，與來自上部噴嘴181之藥液之供給、及來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液之供給並行地，自加熱氣體供給噴嘴180a對基板9之下方之空間供給加熱氣體。
自加熱氣體供給噴嘴180a對基板9之下方之空間之加熱氣體之供給與上述基板9之乾燥處理(步驟S15)中之來自加熱氣體供給噴嘴180a之加熱氣體之噴出相比，進行得較慢。因此，可防止自加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之下表面92之加熱液因來自加熱氣體供給噴嘴180a之加熱氣體而自下表面92上被彈飛 或者於下表面92上移動之加熱液之流動被來自加熱氣體供給噴嘴180a之加熱氣體打亂。
於步驟S121中，於供給至基板9之下方之空間之高溫之加熱氣體環境中，來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液被供給至基板9之下表面92，且於下表面92上朝向外周部移動。因此，可抑制在對基板9供給時及於基板9上移動時加熱液之溫度降低。
如上所述，於各供給噴嘴180中，設置有如圖2及圖3所示由加熱氣體供給噴嘴180a與加熱液供給噴嘴180b共有之間隔壁即內周壁801，加熱氣體之溫度(約160~200℃)高於加熱液之溫度(約50~80℃)。因此，在加熱液供給噴嘴180b內流動之加熱液介隔內周壁801被在加熱氣體供給噴嘴180a內流動之加熱氣體加熱。藉此，可抑制自液體加熱部188送出之加熱液之溫度在被供給至基板9之下表面92之前之期間降低。
為藉由加熱氣體介隔內周壁801效率良好地將加熱液加熱，內周壁801中直接接觸於加熱液及加熱氣體供給噴嘴180a內之加熱氣體之部分之長度方向之長度(即，與供給噴嘴180之中心軸J2平行之方向之長度，且與長度方向上之外周壁802之長度相等)較佳為50mm以上。又，由於供給噴嘴180係加熱氣體供給噴嘴180a遍及整周地包圍加熱液供給噴嘴180b之周圍之套管，故而可藉由加熱氣體介隔內周壁801效率更佳地將加熱液加熱，並且亦可提昇加熱液供給噴嘴180b內之加熱液之溫度均勻性。
如上所述，於作為套管之供給噴嘴180中，加熱液供給噴嘴180b配置於加熱氣體供給噴嘴180a之內側。藉此，可抑制自加熱液供給噴嘴180b吐出之加熱液之流動被自加熱氣體供給噴 嘴180a吐出之加熱氣體打亂。又，加熱液供給噴嘴180b之吐出口1805及內周壁801之吐出口1805附近之部位相較加熱氣體供給噴嘴180a之噴出口1802突出。因此，可進一步抑制自加熱液供給噴嘴180b吐出之加熱液之流動被自加熱氣體供給噴嘴180a吐出之加熱氣體打亂。
於下表面對向部211中，各加熱液配管806之周圍遍及整周地由加熱氣體配管808包圍，加熱液配管806成為直接接觸於加熱液及加熱氣體配管808內之加熱氣體的間隔壁。因此，於加熱液配管806內流動之加熱液介隔加熱液配管806由在加熱氣體配管808內流動之加熱氣體加熱。藉此，可進一步抑制自液體加熱部188送出之加熱液之溫度在被供給至基板9之下表面92之前之期間降低。為藉由加熱氣體效率良好地將加熱液配管806內之加熱液加熱，較佳為加熱液配管806中至少自對向面211a朝向液體加熱部188約20~30cm(厘米)之部位直接接觸於加熱液及加熱氣體配管808內之加熱氣體。
進而，於下表面對向部211設置有連接有複數個加熱液配管806之加熱液歧管807，加熱液歧管807之外表面由加熱氣體歧管809覆蓋。因此，加熱液歧管807之側壁直接接觸於加熱液歧管807內之加熱液及加熱氣體歧管809內之加熱氣體。因此，加熱液歧管807內之加熱液介隔加熱液歧管807之側壁被加熱氣體加熱。藉此，可進一步抑制自液體加熱部188送出之加熱液之溫度在被供給至基板9之下表面92之前之期間降低。為藉由加熱氣體效率良好地將加熱液歧管807內之加熱液加熱，較佳為加熱液歧管807之側壁之大致整體直接接觸於加熱氣體。再者，就藉由加熱氣 體將加熱液歧管807內之加熱液加熱之觀點而言，只要加熱液歧管807之側壁之至少一部分直接接觸於加熱氣體即可。
又，來自液體加熱部188之加熱液暫時積存於加熱液歧管807，而自加熱液歧管807對複數個加熱液供給噴嘴180b供給加熱液，藉此，可提昇自複數個加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之下表面92之加熱液之溫度均勻性。
如上所述，自上部噴嘴181供給至基板9之上表面91之藥液與自加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之下表面92之加熱液係相同之液體。於基板處理裝置1中，不僅可藉由利用1個液體加熱部188加熱該液體而簡化裝置構造，而且可藉由利用加熱氣體將加熱液歧管807、加熱液配管806及加熱液供給噴嘴180b內之加熱液加熱，而使自加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之下表面92之加熱液之溫度高於自上部噴嘴181供給至基板9之上表面91之藥液之溫度。其結果，可進一步抑制或防止基板9之溫度及供給至基板9之上表面91之藥液之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而降低。其結果，可提昇基板9及基板9上之藥液之溫度均勻性，從而可提昇基板9之上表面91上之蝕刻處理之面內均勻性。
圖13係表示於基板處理裝置1中一方面對基板9之下表面92供給加熱液並且對下表面92之下方之空間供給加熱氣體一方面進行的藥液處理時(步驟S121)之基板9之溫度分佈的圖。圖13中標註符號97、98之實線表示基板處理裝置1中之藥液處理時之基板9之溫度之推斷上限值及推斷下限值，黑圓點之標記表示上述第1比較例之基板處理裝置中之藥液處理時之基板之溫度。如圖13所示，基板處理裝置1與第1比較例之基板處理裝置相比，可抑 制基板9之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而降低。
圖14及圖15係表示基板處理裝置1之下表面對向部211中之供給噴嘴180之配置之其他例的俯視圖。於圖14及圖15所示之例中，亦於下表面對向部211在安裝位置1801設置有6個供給噴嘴180。若將距中心軸J1之徑向之距離相等之2個供給噴嘴180稱為「噴嘴對」，則於圖14所示之例中，於下表面對向部211設置有3對供給噴嘴180之噴嘴對。各噴嘴對之2個供給噴嘴180係於以中心軸J1為中心之同一圓周上配置於隔著中心軸J1相互對向之位置。換言之，各噴嘴對之2個供給噴嘴180係於以中心軸J1為中心之圓周方向上以180°間隔配置。6個供給噴嘴180係於圓周方向上等角度間隔(60°間隔)地配置。
於圖15所示之例中，2個供給噴嘴180係於以中心軸J1為中心之同一圓周上配置於隔著中心軸J1相互對向之位置。其他4個供給噴嘴180係於相較上述2個供給噴嘴180更靠徑向外側配置於以中心軸J1為中心之同一圓周上。該4個供給噴嘴180係於圓周方向上等角度間隔(90°間隔)地配置。
於圖14及圖15所示之例中，設置有與中心軸J1之間之徑向之距離不同之複數個供給噴嘴180(即加熱氣體供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b)。換言之，複數個供給噴嘴180中一供給噴嘴180與中心軸J1之間之徑向之距離不同於其他之一供給噴嘴180與中心軸J1之間之徑向之距離。因此，藉由基板9之下表面92由來自各供給噴嘴180之加熱液供給噴嘴180b之加熱液加熱，可進一步抑制或防止供給至基板9之上表面91之藥液之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而降低。又，於基板9之下表面 92由來自各供給噴嘴180之加熱氣體供給噴嘴180a之加熱氣體加熱之情形時，亦同樣地，可進一步抑制或防止供給至基板9之上表面91之藥液之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而降低。於任一情形時，均可進一步提昇徑向上之基板9及基板9上之藥液之溫度均勻性，從而可進一步提昇基板9之上表面91上之蝕刻處理之面內均勻性。
圖16係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置1a之剖面圖。基板處理裝置1a係對大致圓板狀之半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)供給處理液，將基板9逐片地進行處理的單片式裝置。於圖16所示之基板處理裝置1a中，設置於下表面對向部211之噴嘴之構造或配置不同於圖1所示之基板處理裝置1。基板處理裝置1a之其他構成係與基板處理裝置1大致同樣，於以下之說明中，對相對應之構成標註相同符號。於圖16中，省略對基板處理裝置1a之一部分構成之剖面賦予平行斜線(於其他剖面圖中亦情況相同)。
於腔室底部210之下表面對向部211之中央安裝有下部噴嘴182。下部噴嘴182係於中央具有液體吐出口，且與基板9之下表面92之中央部對向。於下表面對向部211進而設置有複數個加熱氣體供給噴嘴180a及複數個加熱液供給噴嘴180b。關於加熱氣體供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b之配置將於下文進行敍述。
圖17係表示基板處理裝置1a所具備之氣液供給部18及氣液排出部19之方塊圖。氣液供給部18不僅具備上述加熱氣體供給噴嘴180a、加熱液供給噴嘴180b、上部噴嘴181及下部噴嘴 182，而且具備藥液供給部183、純水供給部184、IPA供給部185、惰性氣體供給部186、加熱氣體供給部187及液體加熱部188。於圖17中，為便於圖示，將加熱氣體供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b之數量描繪得較實際少。
藥液供給部183連接於液體加熱部188，液體加熱部188係經由閥連接於上部噴嘴181及複數個加熱液供給噴嘴180b。自藥液供給部183供給至液體加熱部188之藥液係由液體加熱部188加熱。經加熱之藥液係供給至上部噴嘴181及複數個加熱液供給噴嘴180b。對上部噴嘴181之藥液之供給開始及停止與對加熱液供給噴嘴180b之藥液之供給開始及停止可由控制部10個別地控制。
純水供給部184及IPA供給部185係分別經由閥連接於上部噴嘴181。下部噴嘴182係經由閥連接於純水供給部184。上部噴嘴181係經由閥亦連接於惰性氣體供給部186。上部噴嘴181係對腔室12之內部供給氣體之氣體供給部之一部分。複數個加熱氣體供給噴嘴180a係經由閥連接於加熱氣體供給部187。
連接於受液部16之受液凹部165之第1排出路191係連接於氣液分離部193。氣液分離部193係分別經由閥連接於外側排氣部194、藥液回收部195及排液部196。連接於腔室12之腔室底部210之第2排出路192係連接於氣液分離部197。氣液分離部197係分別經由閥連接於內側排氣部198及排液部199。氣液供給部18及氣液排出部19之各構成係由控制部10進行控制。腔室開關機構131、基板旋轉機構15及護罩部移動機構162(參照圖16)亦由控制部10進行控制。
自藥液供給部183經由上部噴嘴181及複數個加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之藥液係利用化學反應處理基板之處理液，例如，係氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。純水供給部184係經由上部噴嘴181或下部噴嘴182對基板9供給純水(DIW：deionized water)。IPA供給部185係經由上部噴嘴181將異丙醇(IPA)供給至基板9上。於基板處理裝置1a中，亦可設置供給上述處理液(上述藥液、純水及IPA)以外之處理液之處理液供給部。
惰性氣體供給部186係經由上部噴嘴181對腔室12內供給惰性氣體。加熱氣體供給部187係經由複數個加熱氣體供給噴嘴180a對基板9之下表面92供給經加熱之氣體(例如高溫之惰性氣體)。於本實施形態中，惰性氣體供給部186及加熱氣體供給部187中利用之氣體係氮氣(N2)，但亦可為氮氣以外之氣體。再者，於加熱氣體供給部187中利用經加熱之惰性氣體之情形時，基板處理裝置1a中之防爆對策可簡化或者不需要該防爆對策。
圖18係表示腔室底部210之下表面對向部211中之複數個加熱氣體供給噴嘴180a及複數個加熱液供給噴嘴180b之配置的俯視圖。於圖18中，未圖示加熱氣體供給噴嘴180a整體，而以標註符號1801之實線之圓圈表示下表面對向部211中之各加熱氣體供給噴嘴180a之安裝位置。又，未圖示加熱液供給噴嘴180b整體，而以標註符號1804之實線之圓圈表示各加熱液供給噴嘴180b之安裝位置。
如圖18所示，於下表面對向部211設置有6個加熱氣體供給噴嘴180a。若將距中心軸J1之徑向之距離相等之2個加熱氣體供給噴嘴180a稱為「噴嘴對」，則於下表面對向部211設置 有3對加熱氣體供給噴嘴180a之噴嘴對。各噴嘴對之2個加熱氣體供給噴嘴180a係於以中心軸J1為中心之同一圓周上配置於隔著中心軸J1相互對向之位置。換言之，各噴嘴對之2個加熱氣體供給噴嘴180a係於以中心軸J1為中心之圓周方向上以180°間隔配置。6個加熱氣體供給噴嘴180a係於圓周方向上等角度間隔(60°間隔)地配置。於圖16中，將6個加熱氣體供給噴嘴180a描繪於同一剖面上(於圖19、圖20及圖21中亦同樣)。
又，於下表面對向部211亦設置有6個加熱液供給噴嘴180b。2個加熱液供給噴嘴180b係於以中心軸J1為中心之同一圓周上配置於隔著中心軸J1相互對向之位置。其他4個加熱液供給噴嘴180b係於相較上述2個加熱液供給噴嘴180b更靠徑向外側配置於以中心軸J1為中心之同一圓周上。該4個加熱液供給噴嘴180b係於圓周方向上等角度間隔(90°間隔)地配置。
例如，於半徑約為150mm(毫米)之基板9之處理中使用之基板處理裝置1a中，距離中心軸J1最近之噴嘴對之各加熱氣體供給噴嘴180a之噴出口之中心與中心軸J1之間之徑向之距離(以下，稱為「噴出口-中心軸間距離」)約為65mm。距離中心軸J1第2個近之噴嘴對之各加熱氣體供給噴嘴180a之噴出口-中心軸間距離約為95mm。距離中心軸J1最遠之噴嘴對之各加熱氣體供給噴嘴180a之噴出口-中心軸間距離約為145mm。又，距中心軸J1較近之2個加熱液供給噴嘴180b之吐出口之中心與中心軸J1之間之徑向之距離(以下，稱為「吐出口-中心軸間距離」)分別為約60mm。距中心軸J1較遠之4個加熱液供給噴嘴180b之吐出口-中心軸距離分別為約120mm。
圖19係將下表面對向部211附近放大而表示之剖面圖。如圖19所示，於基板9由基板支撐部141支撐之情形時，下表面對向部211之對向面211a係於基板支撐部141之徑向內側與基板9之下表面92對向。對向面211a係隨著與中心軸J1相距之距離增大而位於下方(即自基板9遠離)之傾斜面，且遍及基板9之下表面92之大致整體地擴展。對向面211a與基板9之下表面92之間之距離係於下部噴嘴182附近成為最小，例如為5mm。又，該距離係於基板9之外緣部成為最大，例如為30mm。
各加熱氣體供給噴嘴180a及各加熱液供給噴嘴180b係自對向面211a突出。各加熱氣體供給噴嘴180a係經由形成於下表面對向部211之內部之加熱氣體配管(省略圖示)而連接於加熱氣體供給部187(參照圖17)。各加熱液供給噴嘴180b係經由形成於下表面對向部211之內部之加熱液配管(省略圖示)而連接於液體加熱部188。
各加熱氣體供給噴嘴180a之噴出口1802及各加熱液供給噴嘴180b之吐出口1805係於相較對向面211a更靠上方接近於基板9之下表面92。各加熱氣體供給噴嘴180a係以其中心軸大體上沿著安裝位置1801上之對向面211a之法線之方式固定於下表面對向部211。各加熱液供給噴嘴180b亦同樣地以其中心軸大體上沿著安裝位置1804上之對向面211a之法線之方式固定於下表面對向部211。因此，各加熱氣體供給噴嘴180a係以噴出口1802相較安裝位置1801略微位於徑向外側之方式相對於中心軸J1傾斜。又，各加熱液供給噴嘴180b係以吐出口1805相較安裝位置1804略微位於徑向外側之方式相對於中心軸J1傾斜。
基板處理裝置1a中之基板9之處理之流程係與圖7所示之流程大致相同。於基板處理裝置1a中，於如圖16所示腔室蓋部122自腔室本體121分開而位於上方且護罩部161自腔室蓋部122分開而位於下方的狀態下，基板9被外部之搬送機構搬入至腔室12內，且受到基板支撐部141自下側支撐(步驟S11)。以下，將圖16所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「打開狀態」。腔室蓋部122與腔室側壁部214之間之開口係以中心軸J1為中心之環狀，以下，稱為「環狀開口81」。於基板處理裝置1a中，藉由腔室蓋部122自腔室本體121相隔，而於基板9之周圍(即徑向外側)形成環狀開口81。於步驟S11中，基板9係經由環狀開口81被搬入。
若基板9被搬入，則護罩部161自圖16所示之位置上升至圖20所示之位置，且遍及整周地位於環狀開口81之徑向外側。於以下之說明中，將圖20所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「第1密閉狀態」。又，將圖20所示之護罩部161之位置稱為「受液位置」，將圖16所示之護罩部161之位置稱為「退避位置」。護罩部移動機構162使護罩部161於環狀開口81之徑向外側之受液位置與相較受液位置更靠下方之退避位置之間上下方向地移動。
於位於受液位置之護罩部161中，側壁部611於徑向上與環狀開口81對向。又，上表面部612之內緣部之上表面遍及整周地與腔室蓋部122之外緣部下端之唇形密封件232相接。於腔室蓋部122與護罩部161之上表面部612之間形成有防止氣體及液體通過之密封部。藉此，形成由腔室本體121、腔室蓋部122、護罩部161及護罩對向部163包圍之被密閉之內部空間(以下，稱為「擴大密閉空間100」)。
擴大密閉空間100係藉由腔室蓋部122與腔室本體121之間之腔室空間120和由護罩部161與護罩對向部163包圍之側方空間160經由環狀開口81連通而形成的1個空間。腔室蓋部122、腔室本體121、護罩部161及護罩對向部163係形成擴大密閉空間100之密閉空間形成部。
於第1密閉狀態下，基板壓緊部142之複數個第2接觸部421接觸於基板9之外緣部。於頂板123之下表面及基板支撐部141之支撐部底座413上設置有於上下方向上對向之數對磁鐵(省略圖示)。以下，亦將各對磁鐵稱為「磁鐵對」。於基板處理裝置1a中，複數個磁鐵對於圓周方向上以等角度間隔配置於與第1接觸部411、第2接觸部421、第1卡合部241及第2卡合部242不同之位置。於基板壓緊部142接觸於基板9之狀態下，因作用於磁鐵對之間之磁力(引力)，向下之力作用於頂板123。藉此，基板壓緊部142將基板9朝向基板支撐部141按壓。
於基板處理裝置1a中，基板壓緊部142藉由頂板123之自重及磁鐵對之磁力而將基板9朝向基板支撐部141按壓，藉此，可利用基板壓緊部142與基板支撐部141自上下夾持地牢固保持基板9。
於第1密閉狀態下，被保持部237之凸緣部239隔開至板保持部222之凸緣部224之上方，而板保持部222與被保持部237未接觸。換言之，板保持部222對頂板123之保持被解除。因此，頂板123係自腔室蓋部122獨立地藉由基板旋轉機構15而與基板保持部14及由基板保持部14保持之基板9一同地進行旋轉。
又，於第1密閉狀態下，第2卡合部242嵌入至第1 卡合部241之下部之凹部。藉此，頂板123係於以中心軸J1為中心之圓周方向上與基板支撐部141之支撐部底座413卡合。換言之，第1卡合部241及第2卡合部242係限制頂板123相對於基板支撐部141之旋轉方向上之相對位置(即，將圓周方向上之相對位置固定)的位置限制構件。當腔室蓋部122下降時，以第1卡合部241與第2卡合部242嵌合之方式，藉由基板旋轉機構15來控制支撐部底座413之旋轉位置。
繼而，藉由基板旋轉機構15而以固定之轉數(相對較低之轉數，以下，稱為「恆定轉數」)使基板9開始旋轉。進而，開始自惰性氣體供給部186(參照圖17)對擴大密閉空間100供給惰性氣體(此處為氮氣)，並且開始利用外側排氣部194排出擴大密閉空間100內之氣體。藉此，經過既定時間後，擴大密閉空間100成為填充有惰性氣體之惰性氣體填充狀態(即，氧濃度低之低氧環境)。再者，對擴大密閉空間100之惰性氣體供給及擴大密閉空間100內之氣體排出亦可自圖16所示之打開狀態進行。
繼而，藉由控制部10進行之控制，開始自複數個加熱液供給噴嘴180b朝向旋轉之基板9之下表面92供給已加熱至高於基板9之溫度之藥液(即加熱液)。來自各加熱液供給噴嘴180b之加熱液係於中心軸J1與基板9之外周緣(邊緣)之間連續地供給至基板9之下表面92。供給至下表面92之加熱液因基板9之旋轉而朝向基板9之外周部擴散。藉此，開始對基板9之下表面92之藥液處理，並且開始基板9之加熱。加熱液之溫度係配合藥液之種類或對基板9之處理等而適當決定，例如為約50~80℃。又，自複數個加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之下表面92之加熱液之合計 流量例如為每分鐘約2~3公升。
若基板9加熱至既定之溫度，則藉由控制部10進行之控制，開始自上部噴嘴181朝向旋轉之基板9之上表面91之中央部供給已加熱至高於基板9之溫度之藥液。對基板9之上表面91之藥液吐出僅於基板9之中央部進行，於中央部以外之部位不進行。來自上部噴嘴181之藥液係連續地供給至旋轉之基板9之上表面91。上表面91上之藥液因基板9之旋轉而朝向基板9之外周部擴散，從而由藥液將上表面91整體被覆。
來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液之供給於來自上部噴嘴181之藥液之供給過程中亦繼續。藉此，於擴大密閉空間100內，一方面將基板9大致加熱至所需之溫度，一方面進行自上部噴嘴181供給之藥液對基板9之上表面91之蝕刻處理、及自加熱液供給噴嘴180b供給之加熱液對基板9之下表面92之蝕刻處理(步驟S12)。自上部噴嘴181供給至基板9之上表面91之藥液之流量例如為每分鐘約0.5~1公升。由於頂板123之下表面接近於基板9之上表面91，故而對基板9之蝕刻係於頂板123之下表面與基板9之上表面91之間之極窄之空間內進行。
於擴大密閉空間100內，自旋轉之基板9之上表面91飛散之藥液經由環狀開口81而由護罩部161接受，並被導向受液凹部165。被導至受液凹部165之藥液係經由圖17所示之第1排出路191流入至氣液分離部193。於藥液回收部195中，自氣液分離部193將藥液回收，且經由過濾器等自藥液中將雜質等去除之後，重新進行利用。
若自來自上部噴嘴181之藥液之供給開始起經過既 定時間(例如60~120秒鐘)，則使來自上部噴嘴181之藥液之供給、及來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液之供給停止。繼而，藉由基板旋轉機構15，於既定時間(例如1~3秒鐘)內使基板9之轉數高於恆定轉數，從而自基板9將藥液去除。
繼而，腔室蓋部122及護罩部161同步地朝向下方移動。繼而，如圖21所示，腔室蓋部122之外緣部下端之唇形密封件231與腔室側壁部214之上部相接，藉此，將環狀開口81封閉，而將腔室空間120以與側方空間160隔絕之狀態密閉。護罩部161係與圖16同樣地位於退避位置。以下，將圖21所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「第2密閉狀態」。於第2密閉狀態下，基板9與腔室12之內壁直接對向，從而於該等之間不存在其他受液部。
於第2密閉狀態下，亦與第1密閉狀態同樣地，基板壓緊部142朝向基板支撐部141按壓基板9，藉此，基板9由基板壓緊部142與基板支撐部141自上下夾持地牢固保持。又，板保持部222對頂板123之保持被解除，而頂板123自腔室蓋部122獨立地與基板保持部14及基板9一同地進行旋轉。
若腔室空間120被密閉，則停止外側排氣部194(參照圖17)進行之氣體之排出，並且開始內側排氣部198進行之腔室空間120內之氣體之排出。繼而，藉由純水供給部184開始對基板9供給作為淋洗液或清洗液之純水(步驟S13)。
來自純水供給部184之純水係自上部噴嘴181及下部噴嘴182吐出，連續地供給至基板9之上表面91及下表面92之中央部。純水係因基板9之旋轉而朝向上表面91及下表面92之外周 部擴散，自基板9之外周緣朝向外側飛散。自基板9飛散之純水係由腔室12之內壁(即，腔室蓋部122及腔室側壁部214之內壁)接受，且經由圖17所示之第2排出路192、氣液分離部197及排液部199而廢棄(於下述基板9之乾燥處理中亦同樣)。藉此，實質上，腔室12內之清洗亦與基板9之上表面91及下表面92之淋洗處理及清洗處理一同地進行。
若自純水之供給開始起經過既定時間，則停止自純水供給部184供給純水。繼而，藉由控制部10進行之控制，開始自複數個加熱氣體供給噴嘴180a朝向基板9之下表面92噴出已加熱至高於基板9之溫度之惰性氣體(即加熱氣體)。來自各加熱氣體供給噴嘴180a之加熱氣體係於中心軸J1與基板9之外周緣(邊緣)之間朝向基板9之下表面92連續地噴出。自加熱氣體供給噴嘴180a噴射至基板9之下表面92之加熱氣體擴散至基板9之下方之空間。藉此，將基板9加熱。加熱氣體之溫度例如為約160~200℃。又，自複數個加熱氣體供給噴嘴180a供給之加熱氣體之合計流量例如為每分鐘約150~200公升。
繼而，自上部噴嘴181將IPA供給至基板9之上表面91上，從而於上表面91上將純水置換成IPA(步驟S14)。若自IPA之供給開始起經過既定時間，則停止自IPA供給部185供給IPA。其後，於繼續自加熱氣體供給噴嘴180a噴出加熱氣體之狀態下，使基板9之轉數充分地高於恆定轉數。藉此，將IPA自基板9上去除，進行基板9之乾燥處理(步驟S15)。若自基板9之乾燥開始起經過既定時間，則基板9之旋轉停止。基板9之乾燥處理亦可於腔室空間120藉由內側排氣部198減壓而低於大氣壓之減壓環境中進 行。
其後，腔室蓋部122與頂板123上升，而如圖16所示，腔室12成為打開狀態。於步驟S15中，由於頂板123與基板支撐部141一同地進行旋轉，故而液體幾乎未殘留於頂板123之下表面，從而於腔室蓋部122上升時液體不會自頂板123落下至基板9上。基板9係藉由外部之搬送機構而自腔室12搬出(步驟S16)。
如以上說明所述，於基板處理裝置1a中，設置有對基板9之上表面91供給溫度高於基板9之藥液之上部噴嘴181、及於中心軸J1與基板9之外周緣之間對基板9之下表面92供給溫度高於基板9之加熱液之加熱液供給噴嘴180b。藉此，可抑制或防止基板9之溫度及供給至基板9之上表面91之藥液之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而降低。其結果，可提昇基板9及基板9上之藥液之溫度均勻性，從而可提昇基板9之上表面91上之蝕刻處理之面內均勻性。又，可與上表面91之蝕刻處理並行地進行加熱液對基板9之下表面之蝕刻處理。
如此，於基板處理裝置1a中，可提昇基板9及基板9上之藥液之溫度均勻性。因此，基板處理裝置1a之構造尤其適於供給至基板9之上表面91之藥液之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而相對容易降低的基板處理裝置、例如對基板9之上表面91吐出藥液之上部噴嘴181與上表面91之中央部對向地被固定的基板處理裝置。於上部噴嘴181與基板9之上表面91之中央部對向地被固定的基板處理裝置中，供給至上表面91上之藥液於基板9上移動直至自外緣飛散之距離較長，因此，可效率良好地將供給至上表面91上之藥液用於蝕刻處理。
又，於基板處理裝置1a中，設置有於中心軸J1與基板9之外周緣之間朝向基板9之下表面92供給溫度高於基板9之加熱氣體的加熱氣體供給噴嘴180a。藉此，於基板9乾燥時，可不對基板9供給液體而加熱基板9，從而可使基板9上之IPA之揮發性增大。其結果，可使基板9迅速地乾燥，並且可抑制或防止基板9乾燥時之基板9之上表面91上之微細圖案之損傷。
於基板處理裝置1a中，複數個加熱液供給噴嘴180b中2個以上之加熱液供給噴嘴180b位於以中心軸J1為中心之同一圓周上。藉此，可縮短基板9之該圓之上方之各部位通過加熱液供給噴嘴180b之上方被供給加熱液後至下一次移動至加熱液供給噴嘴180b之上方之間的時間。藉此，可抑制基板9之各部位於加熱液供給噴嘴180b間移動時之溫度降低(即旋轉過程中之溫度降低)。其結果，進行基板9之藥液處理時，可進一步提昇圓周方向上之基板9及基板9上之藥液之溫度均勻性，從而可進一步提昇基板9上之蝕刻處理之面內均勻性。
又，於基板處理裝置1a中，設置有與中心軸J1之間之徑向之距離不同之複數個加熱液供給噴嘴180b。換言之，複數個加熱液供給噴嘴180b中一加熱液供給噴嘴180b與中心軸J1之間之徑向之距離不同於其他之一加熱液供給噴嘴180b與中心軸J1之間之徑向之距離。藉此，可進一步抑制或防止供給至基板9之上表面91之藥液之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而降低。其結果，可進一步提昇徑向上之基板9及基板9上之藥液之溫度均勻性，從而可進一步提昇基板9之上表面91上之蝕刻處理之面內均勻性。
如上所述，自上部噴嘴181供給至基板9之上表面91之藥液與自加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之下表面92之加熱液係自1個藥液供給部183供給之相同之液體。該液體(藥液)係於被供給至上部噴嘴181及加熱液供給噴嘴180b之前，由1個液體加熱部188加熱。藉此，可簡化基板處理裝置1a之構造，並且可使基板處理裝置1a小型化。
於基板處理裝置1a中，複數個加熱氣體供給噴嘴180a中2個以上之加熱氣體供給噴嘴180a位於以中心軸J1為中心之同一圓周上。藉此，可縮短基板9之該圓之上方之各部位通過加熱氣體供給噴嘴180a之上方被供給加熱氣體後至下一次移動至加熱氣體供給噴嘴180a之上方之間的時間。藉此，可抑制基板9之各部位於加熱氣體供給噴嘴180a間移動時之溫度降低(即旋轉過程中之溫度降低)。其結果，進行基板9之乾燥處理時，可進一步提昇圓周方向上之基板9之溫度均勻性，從而可使基板9更迅速地乾燥。又，可進一步抑制或防止基板9乾燥時之基板9之上表面91上之微細圖案之損傷。
於基板處理裝置1a中，設置有與中心軸J1之間之徑向之距離不同之複數個加熱氣體供給噴嘴180a。換言之，複數個加熱氣體供給噴嘴180a中一加熱氣體供給噴嘴180a與中心軸J1之間之徑向之距離不同於其他之一加熱氣體供給噴嘴180a與中心軸J1之間之徑向之距離。藉此，可進一步提昇徑向上之基板9之溫度均勻性，從而可使基板9更迅速地乾燥。又，可進一步抑制或防止基板9乾燥時之基板9之上表面91上之微細圖案之損傷。
如上所述，加熱液供給噴嘴180b係自下表面對向部 211之對向面211a突出。藉此，可抑制自下部噴嘴182供給至基板9之下表面92之純水等處理液自吐出口1805流入至加熱液供給噴嘴180b內。又，藉由加熱液供給噴嘴180b相對於中心軸J1傾斜，可進一步抑制純水等處理液流入至加熱液供給噴嘴180b。
加熱氣體供給噴嘴180a亦自下表面對向部211之對向面211a突出。藉此，可抑制自加熱液供給噴嘴180b供給至下表面92之藥液或自下部噴嘴182供給至基板9之下表面92之純水自噴出口1802流入至加熱氣體供給噴嘴180a內。又，藉由加熱氣體供給噴嘴180a相對於中心軸J1傾斜，可進一步抑制藥液或純水等處理液流入至加熱氣體供給噴嘴180a。
如上所述，下表面對向部211之對向面211a係隨著自中心軸J1遠離而自基板9遠離之傾斜面。藉此，可易於將供給至基板9之下表面92之藥液或純水等處理液朝向對向面211a之徑向外側導引。其結果，可防止該處理液滯留於對向面211a上。
圖22係表示於基板處理裝置1a中一方面對基板9之下表面92供給加熱液一方面進行之藥液處理時(步驟S12)之基板9之溫度分佈的圖。於圖22中，表示半徑約為150mm之基板9之溫度分佈。圖22之橫軸表示各測定位置距中心軸J1之徑向之距離，縱軸表示各測定位置上之基板9之溫度(於圖23中亦情況相同)。圖22中之中空之四角之標記表示基板處理裝置1a中之藥液處理時之基板9之溫度，黑圓點之標記表示上述第1比較例之基板處理裝置中之藥液處理時之基板之溫度。於第1比較例之基板處理裝置中，未設置加熱液供給噴嘴，雖然自上部噴嘴對基板之上表面供給溫度高於基板之藥液，但不對基板之下表面進行加熱液之供給。如圖22 所示，基板處理裝置1a與第1比較例之基板處理裝置相比，可抑制基板9之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而降低。
於基板處理裝置1a中，於對基板9之上表面91之藥液處理時不進行基板9之下表面92之藥液處理的情形時，亦可代替來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液之供給，而與來自上部噴嘴181之藥液之供給並行地，自加熱氣體供給噴嘴180a對基板9之下表面92供給加熱氣體。圖23係表示代替加熱液而將加熱氣體供給至基板9之下表面92之情形時之藥液處理時(步驟S12)之基板9之溫度分佈的圖。圖23中之中空之三角之標記表示基板處理裝置1a中之藥液處理時之基板9之溫度，黑圓點之標記表示上述第1比較例之基板處理裝置中之藥液處理時之基板之溫度。如圖23所示，於藥液處理時對基板9之下表面92供給加熱氣體之情形時，與第1比較例之基板處理裝置相比，亦可抑制基板9之溫度隨著自基板9之中央部朝向外周部而降低。
然而，於設想於被開放之處理空間內處理基板之基板處理裝置(以下，稱為「第2比較例之基板處理裝置」)的情形時，第2比較例之基板處理裝置進行於藥液對基板之處理時將該處理空間內之氣體以大流量排出的處理，以防止包含藥液成分之氣體擴散至外部。又，亦進行產生降流之處理，以防止顆粒附著於基板。因此，於基板之周圍產生自上方朝向下方之氣流，由於該氣流，基板之溫度容易降低。基板之溫度降低係於基板之外緣部變得顯著，從而基板之溫度分佈之均勻性下降。其結果，藥液對基板之處理均勻性下降。亦考慮藉由將已加熱至固定溫度之藥液以大流量供給至基板而抑制基板之溫度分佈之均勻性下降，但導致藥液之消耗量增 大。
與此相對，基板處理裝置1a可藉由作為密閉空間形成部之腔室12、護罩部161及護罩對向部163，而形成較第2比較例之基板處理裝置中之處理空間小之密閉空間即擴大密閉空間100。藉此，可抑制來自基板9之熱之擴散。
於形成擴大密閉空間100之基板處理裝置1a中，既不會產生包含藥液成分之氣體擴散至外部之情況，用以防止顆粒附著於基板之降流之必要性亦較低，因此，可將流入至擴大密閉空間100之氣體及自擴大密閉空間100流出之氣體之流量設定得較低。因此，可進一步抑制基板9之溫度降低。其結果，可一方面將來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液之流量設定得相對較低，一方面提昇基板之溫度分佈之均勻性。又，亦無需將已加熱至固定溫度之藥液以大流量供給至基板9之上表面91(即，可減少藥液之消耗量)，因此，亦可減少基板處理裝置1a之COO(cost of ownership)。
於基板處理裝置1a中，於上述藥液處理時，亦可代替步驟S12而進行圖12所示之步驟S121。於步驟S121中，藉由控制部10進行之控制，與步驟S12同樣地，自上部噴嘴181對旋轉之基板9之上表面91供給經加熱之藥液，且與該藥液之供給並行地，自加熱液供給噴嘴180b對基板9之下表面92供給加熱液。於步驟S121中，進而，與來自上部噴嘴181之藥液之供給及來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液之供給並行地，自加熱氣體供給噴嘴180a對基板9之下方之空間供給加熱氣體。
自加熱氣體供給噴嘴180a對基板9之下方之空間之加熱氣體之供給與上述基板9之乾燥處理(步驟S15)中之來自加熱 氣體供給噴嘴180a之加熱氣體之噴出相比，進行得較慢。因此，可防止自加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之下表面92之加熱液因來自加熱氣體供給噴嘴180a之加熱氣體而自下表面92上彈飛或者於下表面92上移動之加熱液之流動由來自加熱氣體供給噴嘴180a之加熱氣體打亂。
於步驟S121中，於供給至基板9之下方之空間之高溫之加熱氣體環境中，來自加熱液供給噴嘴180b之加熱液被供給至基板9之下表面92，且於下表面92上朝向外周部移動。因此，可抑制在對基板9供給時及於基板9上移動時加熱液之溫度降低。
上述基板處理裝置1、1a可進行各種變更。
於圖1所示之基板處理裝置1中，例如，於下表面對向部211，加熱氣體配管808及加熱液配管806並非必須為套管，亦可相互相隔地設置。又，亦可不一定設置加熱液歧管807。
於圖1所示之基板處理裝置1中，供給噴嘴180並非必須為加熱液供給噴嘴180b位於加熱氣體供給噴嘴180a之內側之套管。供給噴嘴180之構造只要為加熱氣體供給噴嘴180a與加熱液供給噴嘴180b共有與加熱氣體及加熱液直接接觸之間隔壁而成為1個供給噴嘴180的構造，則可進行各種變更。例如，亦可如圖24所示，圓筒狀之供給噴嘴180c之內側由間隔壁803分割成2個。於供給噴嘴180c中，相較間隔壁803更靠右側之部位成為加熱氣體供給噴嘴180a，相較間隔壁803更靠左側之部位成為加熱液供給噴嘴180b。
於基板處理裝置1、1a中，亦可為，下部噴嘴182連接於液體加熱部188及藥液供給部183，於步驟S12、S121中對基 板9之下表面92供給加熱液時，亦對下表面92之中央部供給加熱液(即，已加熱至高於基板9之溫度之藥液)。換言之，與基板9之下表面92之中央部對向之下部噴嘴182亦可包含於複數個加熱液供給噴嘴180b中。
於基板處理裝置1、1a中，亦可代替液體加熱部188而設置將自藥液供給部183供給至上部噴嘴181之藥液加熱之第1液體加熱部、及獨立於第1液體加熱部將自藥液供給部183供給至加熱液供給噴嘴180b之藥液加熱的第2液體加熱部。藉此，可個別地控制供給至基板9之上表面91之藥液與供給至基板9之下表面92之加熱液之溫度。
上部噴嘴181並非必須與基板9之上表面91之中央部對向地被固定。上部噴嘴181只要可對至少上表面91之中央部供給處理液(即上述藥液、純水、IPA等)，則亦可為例如於基板9之上方一面於基板9之中央部與外緣部之間反覆往返移動一面供給處理液的構造。
自上部噴嘴181供給至基板9之上表面91之處理液與自加熱液供給噴嘴180b供給至基板9之下表面92之加熱液亦可為不同之液體。又，自上部噴嘴181供給至腔室12內之惰性氣體與自加熱氣體供給噴嘴180a供給之加熱氣體亦可為不同之氣體。例如，於基板9乾燥時，亦可自上部噴嘴181供給氮氣，且自加熱氣體供給噴嘴180a供給乾燥空氣。藉此，可減少涉及基板9之乾燥之運轉費用。
於圖1所示之基板處理裝置1中，腔室底部210之下表面對向部211之對向面211a亦可為與基板9之下表面92平行之 面。又，設置於下表面對向部211之供給噴嘴180之數量可為1個，亦可為2個以上。即，於基板處理裝置1中，設置至少1個供給噴嘴180。供給噴嘴180之徑向上之位置或設置於同一圓周上之噴嘴數係配合藥液處理時或乾燥時所要求之基板9之溫度等而適當變更。
於圖16所示之基板處理裝置1a中，腔室底部210之下表面對向部211之對向面211a亦可為與基板9之下表面92平行之面。又，設置於下表面對向部211之加熱氣體供給噴嘴180a之數量可為1個，亦可為2個以上。又，加熱液供給噴嘴180b之數量亦係可為1個，亦可為2個以上。即，於基板處理裝置1a中，設置至少1個加熱氣體供給噴嘴180a與至少1個加熱液供給噴嘴180b。加熱氣體供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b之徑向上之位置或設置於同一圓周上之噴嘴數係配合藥液處理時或乾燥時所要求之基板9之溫度等而適當變更。
於基板處理裝置1、1a中，亦可設置對腔室空間120供給氣體而加壓之加壓部。腔室空間120之加壓係於腔室12被密閉之第2密閉狀態下進行，從而腔室空間120成為高於大氣壓之加壓環境。再者，惰性氣體供給部186或加熱氣體供給部187亦可兼作加壓部。
腔室開關機構131並非必須使腔室蓋部122上下方向地移動，亦可於腔室蓋部122被固定之狀態下使腔室本體121上下方向地移動。腔室12並不一定限定於大致圓筒狀，可為各種形狀。
基板旋轉機構15之定子部151及轉子部152之形狀及構造可進行各種變更。轉子部152並非必須以浮動狀態進行旋 轉，亦可於腔室12內設置機械地支撐轉子部152之導件等構造，使轉子部152沿著該導件進行旋轉。基板旋轉機構15並非必須為中空馬達，亦可將軸旋轉型之馬達用作基板旋轉機構。
於基板處理裝置1中，亦可藉由護罩部161之上表面部612以外之部位(例如側壁部611)與腔室蓋部122相接，而形成擴大密閉空間100。護罩部161之形狀可適當地進行變更。
於基板處理裝置1、1a中，上部噴嘴181、下部噴嘴182、供給噴嘴180、加熱氣體供給噴嘴180a及加熱液供給噴嘴180b之形狀並不限定於突出之形狀。只要係具有吐出處理液或加熱液之吐出口或噴出惰性氣體或加熱氣體之噴出口之部位，均包含於本實施形態之噴嘴之概念中。
基板處理裝置1、1a可藉由自藥液供給部183供給之藥液，進行上述蝕刻處理以外之利用化學反應之各種處理例如基板上之氧化膜之去除或利用顯影液之顯影等。
關於基板處理裝置1、1a，除用於半導體基板以外，亦可用於液晶顯示裝置、電漿顯示器、FED(field emission display，場發射顯示器)等顯示裝置中所使用之玻璃基板之處理。或者，基板處理裝置1亦可用於光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等之處理。
上述實施形態及各變形例中之構成只要不相互矛盾，便可適當地進行組合。
詳細地描述說明了發明，但已敍述之說明為例示性，而並非限定性。因此，可謂只要不脫離本發明之範圍便可實現數種變形或樣態。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
14‧‧‧基板保持部
15‧‧‧基板旋轉機構
81‧‧‧環狀開口
91‧‧‧(基板之)上表面
92‧‧‧(基板之)下表面
100‧‧‧擴大密閉空間
120‧‧‧腔室空間
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
141‧‧‧基板支撐部
142‧‧‧基板壓緊部
160‧‧‧側方空間
161‧‧‧護罩部
162‧‧‧護罩部移動機構
163‧‧‧護罩對向部
165‧‧‧受液凹部
180‧‧‧供給噴嘴
180b‧‧‧加熱液供給噴嘴
181‧‧‧上部噴嘴
222‧‧‧板保持部
224‧‧‧凸緣部
232‧‧‧唇形密封件
237‧‧‧被保持部
239‧‧‧凸緣部
241‧‧‧第1卡合部
242‧‧‧第2卡合部
413‧‧‧支撐部底座
421‧‧‧第2接觸部
611‧‧‧側壁部
612‧‧‧上表面部
J1‧‧‧中心軸

Claims (25)

  1. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：基板支撐部，其對呈水平狀態之基板之外緣部進行支撐；基板旋轉機構，其使上述基板支撐部與上述基板一起以朝著上下方向之中心軸為中心而進行旋轉；處理液供給噴嘴，其對上述基板之上表面，供給相較於上述基板為高溫之處理液；及至少1個之供給噴嘴，其在上述中心軸與上述基板之外周緣之間，且朝向上述基板之下表面；上述至少1個之供給噴嘴的各供給噴嘴係具備有：加熱液供給噴嘴，其對上述基板之上述下表面，供給相較於上述基板為高溫之加熱液；及加熱氣體供給噴嘴，其朝向上述基板之上述下表面，噴出相較於上述基板為高溫之加熱氣體，並且與上述加熱液供給噴嘴共同擁有以直接之方式與上述加熱液及上述加熱氣體產生接觸之間隔壁。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述各供給噴嘴係為上述加熱氣體供給噴嘴將上述加熱液供給噴嘴之周圍加以包圍之套管。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述至少1個之供給噴嘴係為複數個供給噴嘴，且上述複數個供給噴嘴中之2個以上之供給噴嘴係位在以上述中心軸為中心之同一圓周上。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述至少1個之供給噴嘴係為複數個供給噴嘴，且 上述複數個供給噴嘴中之一供給噴嘴與上述中心軸之間之徑向之距離係不同於其他之一供給噴嘴與上述中心軸之間之徑向之距離。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，上述處理液與上述加熱液係為相同之液體，上述基板處理裝置係更進一步具備有液體加熱部，該液體加熱部係對被供給至上述處理液供給噴嘴及上述各供給噴嘴之上述加熱液供給噴嘴之上述液體進行加熱。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，於上述各供給噴嘴中，上述加熱液供給噴嘴內之上述加熱液係藉由由上述加熱氣體供給噴嘴內之上述加熱氣體而經由上述間隔壁被加熱，藉此相較於上述處理液成為高溫。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，於上述各供給噴嘴中，上述加熱液供給噴嘴內之上述加熱液係藉由上述加熱氣體供給噴嘴內之上述加熱氣體而經由上述間隔壁被加熱。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，上述基板支撐部係為以上述中心軸為中心之環狀，上述基板處理裝置係更進一步具備有下表面對向部，該下表面對向部係於上述基板支撐部之內側，具有與上述基板之上述下表面呈對向之對向面，上述對向面係為隨著遠離自上述中心軸而自上述基板產生遠離之傾斜面。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，上述至少1個之供給噴嘴係相對於上述中心軸呈傾斜。
  10. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給噴嘴係以與上述基板之上述上表面之中央部呈對向之方式被固定。
  11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有形成被密閉之內部空間的密閉空間形成部，該內部空間係被加以進行藉由上述處理液之對上述基板之處理。
  12. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：基板支撐部，其對呈水平狀態之基板之外緣部進行支撐；基板旋轉機構，其使上述基板支撐部與上述基板一起以朝著上下方向之中心軸為中心而進行旋轉；處理液供給噴嘴，其對上述基板之上表面，供給相較於上述基板為高溫之處理液；至少1個之加熱液供給噴嘴，其於上述中心軸與上述基板之外周緣之間，對上述基板之下表面，供給相較於上述基板為高溫之加熱液；及至少1個之加熱氣體供給噴嘴，其於上述中心軸與上述基板之上述外周緣之間，朝向上述基板之上述下表面，噴出相較於上述基板為高溫之加熱氣體。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述至少1個之加熱液供給噴嘴係為複數個加熱液供給噴嘴，上述複數個加熱液供給噴嘴中之2個以上之加熱液供給噴嘴係位在以上述中心軸為中心之同一圓周上。
  14. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述至少1個之加熱液供給噴嘴係為複數個加熱液供給噴嘴， 上述複數個加熱液供給噴嘴中之一加熱液供給噴嘴與上述中心軸之間之徑向之距離係不同於其他之一加熱液供給噴嘴與上述中心軸之間之徑向之距離。
  15. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述至少1個之加熱氣體供給噴嘴係為複數個加熱氣體供給噴嘴，上述複數個加熱氣體供給噴嘴中之2個以上之加熱氣體供給噴嘴係位在以上述中心軸為中心之同一圓周上。
  16. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述至少1個之加熱氣體供給噴嘴係為複數個加熱氣體供給噴嘴，上述複數個加熱氣體供給噴嘴中之一加熱氣體供給噴嘴與上述中心軸之間之徑向之距離係不同於其他之一加熱氣體供給噴嘴與上述中心軸之間之徑向之距離。
  17. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述處理液與上述加熱液係為相同之液體，上述基板處理裝置係更進一步具備有液體加熱部，該液體加熱部被對被供給至上述處理液供給噴嘴及上述至少1個加熱液供給噴嘴之上述液體進行加熱。
  18. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述基板支撐部係為以上述中心軸為中心之環狀，上述基板處理裝置係更進一步具備有下表面對向部，該下表面對向部係於上述基板支撐部之內側，具有與上述基板之上述下表面呈對向之對向面，上述對向面係為隨著自上述中心軸產生遠離而自上述基板產生遠離之傾斜面。
  19. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述至少1個之加熱氣體供給噴嘴係相對於上述中心軸呈傾斜。
  20. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給噴嘴係以與上述基板之上述上表面之中央部呈對向之方式被固定。
  21. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有形成被密閉之內部空間的密閉空間形成部，該內部空間係被加以進行藉由上述處理液之對上述基板之處理。
  22. 如申請專利範圍第12至21項中任一項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有控制部，該控制部係對上述基板旋轉機構、自上述處理液供給噴嘴之上述處理液之供給、自上述至少1個之加熱液供給噴嘴之上述加熱液之供給、及自上述至少1個之加熱氣體供給噴嘴之上述加熱氣體之供給，進行控制，藉由上述控制部所進行之控制，藉此一方面使上述基板進行旋轉，一方面對上述基板之上述上表面供給上述處理液，並且對上述基板之上述下表面供給上述加熱液，而於停止上述處理液及上述加熱液之供給之後，一方面使上述基板進行旋轉，一方面朝向上述基板之上述下表面噴出上述加熱氣體而使上述基板進行乾燥。
  23. 如申請專利範圍第12至21項中任一項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有控制部，該控制部係對上述基板旋轉機構、自上述處理液供給噴嘴之上述處理液之供給、自上述至少1個之加熱液供給噴嘴之上述加熱液之供給、及自上述至少1個之加熱氣體供給噴嘴之上述加熱氣體之供給，進行控制，藉由上述控制部所進行之控制，藉此一方面使上述基板進行旋轉， 一方面對上述基板之上述上表面供給上述處理液，且以與上述處理液之供給呈並行之方式對上述基板之上述下表面供給上述加熱液，並且對上述基板之下方之空間供給上述加熱氣體。
  24. 一種基板處理方法，其為對基板進行處理者，其具備有：a)步驟，其一方面使呈水平狀態之基板以朝著上下方向之中心軸為中心進行旋轉，一方面對上述基板之上表面供給相較於上述基板為高溫之處理液；b)步驟，其以與上述a)步驟呈並行之方式，自至少1個之加熱液供給噴嘴，於上述中心軸與上述基板之外周緣之間，對上述基板之下表面供給相較於上述基板為高溫之加熱液；及c)步驟，其於停止上述處理液及上述加熱液之供給之後，一方面使上述基板進行旋轉，一方面自至少1個之加熱氣體供給噴嘴，於上述中心軸與上述基板之上述外周緣之間，朝向上述基板之上述下表面噴出相較於上述基板為高溫之加熱氣體而使上述基板產生乾燥。
  25. 一種基板處理方法，其為對基板進行處理者，其具備有：a)步驟，其一方面使呈水平狀態之基板以朝著上下方向之中心軸為中心進行旋轉，一方面對上述基板之上表面供給相較於上述基板為高溫之處理液；b)步驟，其以與上述a)步驟呈並行之方式，自至少1個之加熱液供給噴嘴，於上述中心軸與上述基板之外周緣之間，對上述基板之下表面供給相較於上述基板為高溫之加熱液；及c)步驟，其以與上述b)步驟並行之方式，自至少1個之加熱氣體供給噴嘴，對上述基板之下方之空間，供給相較於上述基板為高溫之加熱氣體。
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