WO2022181636A1 - 半導体装置を製造する方法、仮固定用フィルム材を製造する方法、及び、仮固定用フィルム材 - Google Patents

半導体装置を製造する方法、仮固定用フィルム材を製造する方法、及び、仮固定用フィルム材 Download PDF

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笑 宮澤
恭之 大山
哲也 榎本
崇司 川守
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昭和電工マテリアルズ株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to a method of manufacturing a semiconductor device, a method of manufacturing a film material for temporary fixing, and a film material for temporary fixing.
  • a semiconductor device may be manufactured by a method in which a semiconductor member is processed while it is temporarily fixed to a supporting member, and then the semiconductor member is separated from the supporting member.
  • Patent Document 1 discloses a method of temporarily fixing a semiconductor member to a supporting member via a temporary fixing material layer having a temporary fixing resin layer, and separating the semiconductor member from the supporting member by light irradiation after processing. ing.
  • the present disclosure provides a method for manufacturing a semiconductor device by a method including separating the semiconductor member from the temporary fixing resin layer by light irradiation, and a method capable of suppressing the generation of resin residue on the semiconductor member due to the separation.
  • a temporary fixing film material that can be used in the method is provided.
  • One aspect of the present disclosure includes a support substrate having a support surface and a back surface on the opposite side, a light absorption layer, and a temporary fixing resin layer having a first main surface and a second main surface on the opposite side, forming a temporary fixing laminated body in which the light absorption layer and the temporary fixing resin layer are laminated in this order from the support surface side; and temporarily fixing a semiconductor member on the temporary fixing resin layer. and separating the semiconductor member from the temporary fixing resin layer in this order.
  • the semiconductor member separates the temporary fixing resin layer from the light absorption layer by irradiating the temporary fixing laminate with light from the back surface side, and the temporary fixing resin layer is separated from the semiconductor. and peeling from the member in this order.
  • the temporary fixing resin layer is a layer containing a curable resin composition containing a curable resin and an elastomer.
  • the semiconductor member is used for temporary fixing by a method including, in this order, placing the semiconductor member on the second main surface of the temporary fixing resin layer and curing the temporary fixing resin layer. Temporarily fixed on the resin layer. When the ratio of the abundance of the curable resin to the abundance of the elastomer is A1 on the first principal surface and A2 on the second principal surface, A2 is smaller than A1.
  • the temporary fixing laminate has the temporary fixing resin layer, a first release film, and a second release film, and the first release film is the first main component of the temporary fixing resin layer.
  • the first release film, the temporary fixing resin layer, and the second release film are in contact with the surface and the second release film is in contact with the second main surface of the temporary fixing resin layer. are laminated in this order, and the first release film is peeled off from the temporary fixing film material to expose the first main part of the temporary fixing resin layer Laminating the temporary fixing film material on the light absorbing layer provided on the support surface with the surface facing the light absorbing layer, and the second peeling from the temporary fixing film material It may be formed by a method including peeling the film to expose the second main surface of the temporary fixing resin layer.
  • the temporary fixing laminate includes a first curable resin layer, a light absorbing layer, and a second curable resin layer in this order, and the second curable resin layer is attached to the light absorbing layer.
  • Preparing a film material for temporary fixing which is the resin layer for temporary fixing arranged in a direction in which the first main surface is in contact; Laminating on the support surface in a direction in which the resin layer contacts.
  • a resin varnish containing a solvent is applied onto a first release film to form a film of the resin varnish, and then the solvent is removed from the film to remove the first Forming a temporary fixing resin layer having a first main surface in contact with the release film and a second main surface on the opposite side on the first release film;
  • a method for manufacturing a film material for temporary fixing which includes bonding the second release film to two main surfaces.
  • the release force of the surface of the first release film that contacts the resin layer for temporary fixing is smaller than the release force of the surface of the second release film that contacts the resin layer for temporary fixing.
  • Yet another aspect of the present disclosure is a temporary fixing resin layer having a first main surface and a second main surface on the opposite side, a first peeling film, and a second peeling film.
  • the first release film is in contact with the first main surface of the temporary fixing resin layer
  • the second release film is in contact with the second main surface of the temporary fixing resin layer.
  • One release film, the temporary fixing resin layer, and the second release film are laminated in this order.
  • the release force of the surface of the first release film that contacts the resin layer for temporary fixing is smaller than the release force of the surface of the second release film that contacts the resin layer for temporary fixing.
  • A2 is smaller than A1.
  • a temporary fixing film material comprising a first curable resin layer, a light absorbing layer, and a second curable resin layer in this order.
  • the second curable resin layer has a first major surface in contact with the light absorbing layer and a second major surface on the opposite side.
  • the second curable resin layer is a layer containing a curable resin composition containing a curable resin and an elastomer. When the ratio of the abundance of the curable resin to the abundance of the elastomer is A1 on the first principal surface and A2 on the second principal surface, A2 is smaller than A1.
  • the present invention is not limited to the following examples.
  • FIGS. 1, 2 and 3 are process diagrams showing an example of a method of manufacturing a semiconductor device.
  • the method shown in FIGS. 1-3 comprises a support substrate 21 having a support surface 21S1 and an opposite back surface 21S2, a light absorbing layer 22 and a first major surface 10S1 and an opposite second major surface 10S2.
  • a temporary fixing laminate 15 including a temporary fixing resin layer 10 and having a light absorbing layer 22 and a temporary fixing resin layer 10 laminated in this order on a support surface 21S1;
  • Temporarily fixing the semiconductor member 3 on the resin layer 10 and separating the semiconductor member 3 from the temporary fixing resin layer 10 are included in this order.
  • the temporary fixing laminate 15 is obtained by using the temporary fixing film material 1 having the temporary fixing resin layer 10, the first release film 11, and the second release film 12 shown in (a) of FIG. may be formed.
  • the first release film 11 and the second release film 12 respectively have a release surface 11S and a release surface 12S.
  • the peeling force of the peeling surface 11S with respect to the temporary fixing resin layer 10 may be smaller than the peeling force of the peeling surface 12S with respect to the temporary fixing resin layer 10 .
  • the release surface 11S of the first release film 11 is in contact with the first main surface 10S1 of the temporary fixing resin layer 10, and the release surface 12S of the second release film 12 is the temporary fixing resin.
  • a first release film 11, a temporary fixing resin layer 10, and a second release film 12 are laminated in this order so as to contact the second main surface 10S2 of the layer 10. As shown in FIG.
  • the temporary fixing laminate 15 is obtained, for example, by preparing the temporary fixing film material 1, peeling the first release film 11 from the temporary fixing film material 1 as shown in FIG. Subsequently, as shown in FIG. 1(c), the temporary fixing film material 1 is placed on the supporting surface 21S1 such that the exposed first main surface 10S1 of the temporary fixing resin layer 10 is in contact with the light absorbing layer 22. Lamination on the light absorption layer 22 provided in , and peeling the second release film 12 from the temporary fixing film material 1 as shown in (d) of FIG. and exposing the second main surface 10S2.
  • the support substrate 21 may be, for example, an inorganic glass substrate or a transparent resin substrate.
  • the thickness of the support substrate 21 may be, for example, 0.1 to 2.0 mm.
  • the support member 2 having the support substrate 21 and the light absorption layer 22 is prepared.
  • An example of the light absorption layer 22 is a conductor layer containing a conductor that absorbs light and generates heat.
  • Examples of conductors that constitute the conductor layer as the light absorption layer 22 include metals, metal oxides, and conductive carbon materials.
  • the metal can be a single metal such as chromium, copper, titanium, silver, platinum, and gold, or an alloy such as nickel-chromium, stainless steel, and copper-zinc.
  • metal oxides include indium tin oxide (ITO), zinc oxide, and niobium oxide. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the conductor may be chromium, titanium, or a conductive carbon material.
  • the light absorption layer 22 may be a metal layer consisting of a single layer or multiple layers.
  • the light absorption layer 22 may be a metal layer composed of a copper layer and a titanium layer.
  • the metal layer as the light absorption layer 22 may be a layer formed by physical vapor deposition (PVD) such as vacuum deposition and sputtering, chemical vapor deposition (CVD) such as plasma chemical vapor deposition, or electrolytic plating. Alternatively, it may be a plated layer formed by electroless plating.
  • the light absorbing layer 22 may be metal foil. According to physical vapor deposition, even if the support substrate 21 has a large area, it is possible to efficiently form a metal layer as the light absorption layer 22 covering the surface of the support substrate 21 .
  • the light absorbing layer 22 may include thallium (Ta), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium (Ti), tungsten (W), chromium (Cr), At least one metal selected from the group consisting of copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag) and gold (Au) may be included.
  • the light absorption layer 22 may be composed of two layers, a first layer and a second layer, and may be laminated in order of the first layer and the second layer from the support substrate 21 side.
  • first layer has a high light absorption property
  • second layer has a high coefficient of thermal expansion and a high elastic modulus, particularly good releasability can be easily obtained.
  • the first layer is thallium (Ta), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium (Ti), tungsten (W) and at least one metal selected from the group consisting of chromium (Cr) and the second layer may contain at least one metal selected from the group consisting of copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag) and gold (Au).
  • the first layer may contain at least one metal selected from the group consisting of titanium (Ti), tungsten (W) and chromium (Cr), and the second layer is made of copper (Cu) and aluminum (Al) It may contain at least one metal selected from the group consisting of:
  • the light absorption layer is a layer containing conductive particles that absorb light to generate heat and a binder resin in which the conductive particles are dispersed.
  • the conductive particles may be particles containing the conductors described above.
  • the light absorption layer 22 can be a layer containing conductive particles and a curable resin composition as a binder resin.
  • the content of the conductive particles in the light absorbing layer is from 0.5 to 0.5 with respect to the total amount of components other than the conductive particles in the light absorbing layer, that is, 100 parts by mass of the binder resin (or curable resin composition). It may be 90 parts by mass.
  • the content of the conductive particles other than the conductive carbon particles made of the conductive carbon material may be 10 parts by mass or more, 20 parts by mass or more, or 30 parts by mass or more.
  • the transmittance can be reduced by adding a smaller amount, so the content is 0.5 parts by mass or more, 1 part by mass or more, 5 parts by mass or more, or 10 parts by mass or more. may be
  • the light absorbing layer containing conductive particles and a binder resin can be formed, for example, by applying a varnish containing conductive particles, a binder resin and an organic solvent onto a support member or onto a curable resin layer, and removing the organic solvent from the coating film. and removing.
  • a prefabricated light absorption layer 22 may be laminated on the support substrate 21 .
  • the thickness of the light absorption layer 22 may be 1 to 5000 nm, 10 to 3000 nm, or 50 to 300 nm from the viewpoint of easy peelability. When the thickness of the light absorption layer 22 is 50 to 300 nm, the light absorption layer 22 tends to have a sufficiently low transmittance. When the light absorption layer 22 is a metal layer consisting of a single layer or multiple layers, the thickness of the light absorption layer 22 (or metal layer) is 75 nm or more, 90 nm or more, or 100 nm or more from the viewpoint of good peelability. It may be less than or equal to 1000 nm.
  • the thickness of the light absorption layer 22 is 100 nm or more, 125 nm or more, 150 nm or more, or 200 nm or more from the viewpoint of good peelability. may be 1000 nm or less. Even if the light absorption layer 22 is a metal layer containing a metal with relatively low light absorption (such as Cu or Ni) or a metal layer containing a metal with a relatively low coefficient of thermal expansion (such as Ti), its thickness is When it is large, there is a tendency that better releasability is likely to be obtained.
  • the semiconductor member 3 is temporarily fixed on the temporary fixing resin layer 10 as shown in (e) of FIG.
  • the semiconductor member 3 has a body portion 31 and connection terminals 32 provided on the outer surface of the body portion 31 . A part or all of the connection terminals 32 may be embedded in the temporary fixing resin layer 10 .
  • the semiconductor member 3 may be a semiconductor wafer or a semiconductor chip component obtained by dividing a semiconductor wafer.
  • the semiconductor member 3 may have a rewiring layer provided on the main body portion 31 , and the semiconductor member 3 may be temporarily fixed in such a direction that the rewiring layer is positioned on the temporary fixing resin layer 10 side. Two or more semiconductor members may be temporarily fixed on one temporary fixing laminated body, or other passive components may be temporarily fixed together with the semiconductor member.
  • the temporary fixing resin layer 10 may be a layer (curable resin layer) containing a curable resin composition. By thermosetting or photocuring the resin layer 10 , the semiconductor member 3 is temporarily fixed to the cured temporary fixing resin layer 10 .
  • Thermal curing conditions may be, for example, 300° C. or less or 100 to 200° C. for 1 to 180 minutes or 1 to 60 minutes.
  • the temporarily fixed semiconductor member 3 may be processed.
  • FIG. 2(f) shows an example of processing including thinning of the body portion 31 of the semiconductor member.
  • the processing of the semiconductor member is not limited to this, and for example, thinning of the semiconductor member (main body), division of the semiconductor member (dicing), formation of through electrodes, etching treatment, plating reflow treatment, sputtering treatment, or any of these Can include combinations.
  • the main body portion 31 of the semiconductor member 3 is thinned by grinding the surface of the main body portion 31 opposite to the temporary fixing resin layer 10 using a grinder or the like.
  • the thickness of the thinned body portion 31 may be, for example, 100 ⁇ m or less.
  • a sealing layer 4 for sealing the semiconductor member 3 is formed on the temporary fixing resin layer 10 , thereby forming a sealing structure having the semiconductor member 3 and the sealing layer 4 .
  • a body 50 may be formed.
  • the sealing layer 4 is usually formed after the semiconductor member 3 is processed.
  • the sealing layer 4 can be formed using a sealing material that is commonly used for manufacturing semiconductor devices.
  • the sealing layer 4 may be formed from a thermosetting resin composition.
  • the thermosetting resin composition used to form the sealing layer 4 includes, for example, epoxy resins such as cresol novolak epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, biphenyl diepoxy resin, and naphthol novolac epoxy resin.
  • the encapsulating layer 4 and the thermosetting resin composition for forming the same may contain additives such as fillers and/or flame retardants.
  • the sealing layer 4 is formed using, for example, a solid material, a liquid material, a fine particle material, or a sealing film.
  • a compression sealing machine, a vacuum laminator, or the like is used.
  • sealing by heat melting under conditions of 40 to 180 ° C. (or 60 to 150 ° C.), 0.1 to 10 MPa (or 0.5 to 8 MPa), and 0.5 to 10 minutes
  • the sealing layer 4 can be formed by covering the semiconductor member 3 with a film.
  • the thickness of the sealing film may be 50-2000 ⁇ m, 70-1500 ⁇ m, or 100-1000 ⁇ m.
  • the encapsulation structure 50 may be divided into a plurality of portions including the semiconductor member 3 .
  • the temporary fixing resin layer 10 is separated from the light absorption layer 22 by irradiating the temporary fixing laminate 15 with light h ⁇ from the back surface 21S2 side. and peeling the temporary fixing resin layer 10 from the semiconductor member 3 (or the sealing structure 50) in this order. 10.
  • the light absorption layer 22 When irradiated with light h ⁇ , the light absorption layer 22 absorbs the light and instantaneously generates heat.
  • the generated heat may cause, for example, melting of the temporary fixing resin layer 10, thermal stress between the temporary fixing laminate 15 and the light absorbing layer 22, and scattering of the light absorbing layer 22. Mainly due to one or more of these phenomena, the light absorption layer 22 can be easily separated from the temporary fixing resin layer 10 .
  • the light h ⁇ may be, for example, laser light or incoherent light.
  • Incoherent light is light that is not coherent, and is an electromagnetic wave that does not generate interference fringes, has low coherence, and has low directivity. Incoherent light tends to attenuate as the optical path length increases.
  • Laser light is generally coherent light, whereas light such as sunlight and fluorescent light is incoherent light.
  • Incoherent light can also be said to be light other than laser light. Since the irradiation area of incoherent light is generally primarily wider than that of coherent light (that is, laser light), the number of times of irradiation can be reduced.
  • a process comprising, for example, a single irradiation may cause the separation of the plurality of semiconductor members 3 . From these points of view, incoherent light may be adopted.
  • the incoherent light may contain infrared rays.
  • the incoherent light may be pulsed light.
  • the incoherent light source is not particularly limited, but may be a xenon lamp.
  • a xenon lamp is a lamp that utilizes light emission by applying and discharging an arc tube in which xenon gas is sealed.
  • the irradiation conditions of the xenon lamp include applied voltage, pulse width, irradiation time, irradiation distance (distance between the light source and the temporary fixing resin layer), irradiation energy, and the like. These can be arbitrarily set according to the number of times of irradiation or the like. From the viewpoint of reducing damage to the semiconductor member 3, the irradiation conditions may be set such that the semiconductor member 3 (or the sealing structure 50) can be separated by a process including one irradiation.
  • the temporary fixing resin layer 10 After the irradiation with the light h ⁇ , the temporary fixing resin layer 10 is peeled off from the semiconductor member 3 (or the sealing structure 50). In order to separate the temporary fixing resin layer 10 from the semiconductor member 3 (or the sealing structure 50), stress is applied to the temporary fixing resin layer 10 or the semiconductor member 3 (or the sealing structure 50). good too.
  • a resin residue that is part of the temporary fixing resin layer 10 may remain on the semiconductor member 3 separated from the temporary fixing resin layer 10 .
  • the temporary fixing resin layer 10 may be a layer containing a curable resin composition containing a curable resin and an elastomer.
  • A1 is the ratio of the amount of curable resin to the amount of elastomer present on the first main surface 10S1 (hereinafter sometimes simply referred to as the “ratio of curable resin”), and the second When the ratio of the amount of curable resin to the amount of elastomer on main surface 10S2 is A2, A2 is smaller than A1. Since elastomers have low polarity compared to curable resins that have reactive functional groups for curing, surfaces with a small proportion of curable resins have relatively low polarity. A surface with a lower polarity usually has a weaker adhesion to the semiconductor member.
  • the temporary fixing resin layer 10 in such a direction that the second main surface 10S2, which is a surface having a low curable resin ratio and relatively low polarity, is in contact with the semiconductor member 3, the curable resin content is reduced. Compared to the case where the first main surface 10S1, which is a surface having a large ratio and relatively high polarity, is in contact with the semiconductor member 3, generation of resin residue can be reduced.
  • the first main surface 10S1 having a relatively high curable resin ratio is in contact with the light absorption layer 22, the light absorption layer 22 and the temporary fixing resin layer 10 are efficiently bonded together by a small amount of light irradiation. can be separated from
  • A2/ A1 is less than 1.0.
  • A2/A1 may be 0.9 or less, 0.8 or less, or 0.7 or less, 0.1 or more, 0.2 or more, 0.3 or more, 0.4 or more, or 0.5 or more may be
  • the value of A2/A1 can be obtained, for example, by measuring the infrared absorption spectra of the first main surface 10S1 and the second main surface 10S2 by a total reflection measurement method, and obtaining the absorption peak derived from the elastomer in the infrared absorption spectra.
  • A2/A1 (P2/P1 on the first main surface)/(P2/P1 on the second main surface) and calculating A2/A1 by
  • the value of the ratio P2/P1 is a value reflecting the ratio of the abundance of the curable resin to the abundance of the elastomer on each principal surface.
  • A2/ A1 is calculated by the above formula, and it can be confirmed from the value that A2 is smaller than A1.
  • the curable resin is an epoxy resin
  • the area of the absorption peak at 880-955 cm ⁇ 1 derived from epoxy groups can be used to determine P2/P1.
  • the temporary fixing resin layer 10 formed of a curable resin composition can be cured by heat or light.
  • the temporary fixing resin layer 10 before curing has adhesiveness to the extent that the semiconductor member 3 can be attached by pressure bonding or the like.
  • the cured temporary fixing resin layer 10 holds the semiconductor member 3 for as long as necessary, such as while the semiconductor member 3 is being processed.
  • the thickness of the temporary fixing resin layer 10 may be, for example, 50 ⁇ m or less, 40 ⁇ m or less, or 30 ⁇ m or less and 0.1 ⁇ m or more, or 50 ⁇ m or less, 40 ⁇ m or less, or 30 ⁇ m or less and 1 ⁇ m or more. may be
  • the cured temporary fixing resin layer 10 may have a storage modulus of 5 to 500 MPa at 25°C.
  • the storage elastic modulus of the cured temporary fixing resin layer 10 at 25° C. is 5 MPa or more, the support substrate 21 tends to easily hold the semiconductor member 3 without bending, and resin residue tends to be further reduced.
  • the storage elastic modulus of the cured temporary fixing resin layer 10 at 25° C. is 500 MPa or less, the positional displacement of the semiconductor member 3 tends to be reduced.
  • the storage elastic modulus of the cured temporary fixing resin layer 10 at 25° C. may be 5.5 MPa or more, 6 MPa or more, or 6.3 MPa or more and 500 MPa or less, or 5.5 MPa or more and 6 MPa.
  • the storage elastic modulus of the cured temporary fixing resin layer 10 means a value determined by viscoelasticity measurement under the conditions of a heating rate of 5° C./min, a frequency of 1 Hz, and a tensile mode.
  • the storage elastic modulus of the cured temporary fixing resin layer 10 at 25° C. can be adjusted by, for example, increasing the content of the curable resin described below, applying an elastomer having a high Tg, or adding an insulating filler to the curable resin composition. It can be increased by a method such as adding.
  • the elastomer is a styrene-based elastomer and the styrene content is high, the storage elastic modulus of the temporary fixing resin layer 10 at 25° C. tends to increase.
  • the storage modulus of the cured temporary fixing resin layer 10 at 250° C. may be 0.70 MPa or more, 0.80 MPa or more, 0.85 MPa or more, or 0.90 MPa or more and 5.00 MPa or less. 70 MPa or more, 0.80 MPa or more, 0.85 MPa or more, or 0.90 MPa or more and 4.00 MPa or less, It may be 3.50 MPa or less, 0.70 MPa or more, 0.80 MPa or more, 0.85 MPa or more, or 0.90 MPa or more and 3.30 MPa or less, or 0.70 MPa or more and 0.80 MPa or more , 0.85 MPa or more, or 0.90 MPa or more and 3.00 MPa or less.
  • the glass transition temperature (Tg) of the elastomer contained in the temporary fixing resin layer 10 may be 50°C or lower. From the viewpoint of good releasability of the temporary fixing resin layer 10, the Tg of the elastomer may be ⁇ 100° C. or higher, or ⁇ 50° C. or higher.
  • the Tg of an elastomer is the midpoint glass transition temperature value obtained by differential scanning calorimetry (DSC). Specifically, the Tg of the elastomer is the midpoint glass transition temperature calculated by the method in accordance with JIS K 7121 by measuring the change in the amount of heat under the conditions of a heating rate of 10°C/min and a measurement temperature of -80 to 80°C. is.
  • elastomers examples include styrene elastomers, ester elastomers, rigid vinyl chloride elastomers, urethane elastomers, amide elastomers, acrylic elastomers, olefin elastomers, and silicone elastomers.
  • the elastomer may be a styrenic elastomer, an olefinic elastomer, an acrylic elastomer, a silicone elastomer, or combinations thereof.
  • the elastomer may have functional groups (eg, carboxyl groups) that react with the curable resin.
  • An elastomer having a functional group that reacts with a curable resin can improve the heat resistance of the temporary fixing resin layer.
  • the elastomer may be a hydrocarbon resin having a backbone composed of hydrocarbons.
  • the curable resin composition contains a hydrocarbon resin as an elastomer, the semiconductor member 3 can be easily attached to the temporary fixing resin layer 10 at a low temperature.
  • elastomers that are hydrocarbon resins are styrenic elastomers containing styrene as monomer units and olefinic elastomers containing olefins as monomer units.
  • the styrenic elastomer may be a copolymer containing olefin and styrene as monomer units.
  • SEPS ethylene-propylene-styrene block copolymer
  • These elastomers may have carboxyl groups. A carboxyl group is introduced, for example, by modification using maleic anhydride or the like.
  • the elastomer may be a st
  • olefinic elastomers examples include ethylene/propylene copolymer, ethylene/1-butene copolymer, ethylene/propylene/1-butene copolymer, ethylene/1-hexene copolymer, and ethylene/1-octene copolymer.
  • Polymer ethylene/norbornene copolymer, propylene/1-butene copolymer, ethylene/propylene/non-conjugated diene copolymer, ethylene/1-butene/non-conjugated diene copolymer, ethylene/propylene/1-butene •
  • Non-conjugated diene copolymers polyisoprene, and polybutadiene.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the elastomer may be 10,000 to 5,000,000 or 100,000 to 2,000,000.
  • the weight average molecular weight is 10,000 or more, the heat resistance of the temporary fixing resin layer 10 tends to be easily ensured.
  • the weight-average molecular weight is 5,000,000 or less, it tends to be easy to suppress deterioration of the flow and adhesion of the temporary fixing resin layer 10 .
  • the weight average molecular weight here is a polystyrene conversion value using a standard polystyrene calibration curve by gel permeation chromatography (GPC).
  • the content of the elastomer is 40 parts by mass or more, 50 parts by mass or more, or 60 parts by mass or more and 90 parts by mass or less with respect to the total mass of 100 parts by mass of the curable resin composition constituting the temporary fixing resin layer 10.
  • the content of the elastomer is within these numerical ranges, it tends to be easy to form a thin and flat temporary fixing resin layer 10 .
  • the temporary fixing resin layer 10 tends to have good sticking properties at low temperatures and an appropriate storage elastic modulus after curing.
  • the "total mass of the curable resin composition” means the total mass of the components excluding the solvent described below.
  • a curable resin is a component that cures a curable resin composition by a curing reaction, and is a compound that has a reactive functional group for curing.
  • the curing reaction can be reaction of the curable resin with a curing agent, self-polymerization of the curable resin, or a combination thereof.
  • curable resins include phenolic resins, epoxy resins, silicone resins, urea resins, melamine resins, alkyd resins, unsaturated polyester resins, polyurethane resins, diallylphthalate resins, bismaleimide resins, and cyanate resins. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the curable resin may include phenolic resin, epoxy resin, silicone resin, or a combination thereof, as they are superior in heat resistance, workability, and reliability.
  • An epoxy resin is a compound having one or more epoxy groups.
  • the epoxy resin may have two or more epoxy groups.
  • Examples of epoxy resins having two or more epoxy groups include bisphenol A type epoxy resins, novolak type epoxy resins (phenol novolac type epoxy resins, etc.), glycidylamine type epoxy resins, heterocyclic-containing epoxy resins, and alicyclic epoxies. resin.
  • the curable resin composition may contain a curing agent for thermosetting the curable resin.
  • the total content of the curable resin and its curing agent is 10 parts by mass or more, 15 parts by mass or more, or 20 parts by mass or more and 60 parts by mass or less with respect to the total mass of 100 parts by mass of the curable resin composition. 10 parts by mass or more, 15 parts by mass or more, or 20 parts by mass or more and 50 parts by mass or less, or 10 parts by mass or more, 15 parts by mass or more, or 20 parts by mass or more and 40 parts by mass or less may
  • a thin and flat temporary fixing resin layer tends to be easily formed, and the heat resistance of the cured temporary fixing resin layer 10 increases. tend to be better.
  • the curable resin composition may contain a curing agent for the epoxy resin.
  • Curing agents for epoxy resins are not particularly limited. novolak resin, bisphenol A novolak resin, cresol novolak resin, phenol aralkyl resin, etc.).
  • the curable resin composition may further contain a curing accelerator that accelerates the curing reaction of the curable resin such as epoxy resin.
  • curing accelerators include imidazole compounds, dicyandiamide, dicarboxylic acid dihydrazide, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate, and 1,8-diazabicyclo[5, 4,0]undecene-7-tetraphenylborate. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the content of the curing accelerator may be 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the curable resin and curing agent. When the content of the curing accelerator is within this range, the curability of the temporary fixing resin layer and the heat resistance after curing tend to be more excellent.
  • the curable resin may be a polymerizable monomer having a polymerizable unsaturated group, in which case the curable resin composition may further contain a polymerization initiator.
  • a polymerizable monomer is a compound having a polymerizable unsaturated group such as an ethylenically unsaturated group.
  • the polymerizable monomer may be monofunctional, difunctional, or trifunctional or higher. From the viewpoint of obtaining sufficient curability, a difunctional or higher polymerizable monomer may be used.
  • Examples of polymerizable monomers include (meth)acrylates, vinylidene halides, vinyl ethers, vinyl esters, vinylpyridines, vinylamides, and vinyl arylates.
  • the polymerizable monomer may be (meth)acrylate or (meth)acrylic acid.
  • the (meth)acrylate may be a monofunctional (meth)acrylate, a bifunctional (meth)acrylate, a trifunctional or higher polyfunctional (meth)acrylate, or a combination thereof.
  • Examples of monofunctional (meth)acrylates include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, tert-butyl (meth)acrylate, butoxyethyl (meth)acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octylheptyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate 2-hydroxyethyl (meth) ) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-chloro-2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth)acrylate, ethoxypol
  • acrylate o-biphenyl (meth) acrylate, 1-naphthyl (meth) acrylate, 2-naphthyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, p-cumylphenoxyethyl (meth) acrylate, o-phenylphenoxyethyl (meth) acrylate, 1-naphthoxyethyl (meth) acrylate, 2-naphthoxyethyl (meth) acrylate, phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, 2-hydroxy- 3-phenoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-(o-phenylphenoxy)propyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-(1-naphthoxy)propyl (me)
  • bifunctional (meth)acrylates include ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth) acrylate, propylene glycol di(meth)acrylate, dipropylene glycol di(meth)acrylate, tripropylene glycol di(meth)acrylate, tetrapropylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, ethoxylated polypropylene glycol di(meth)acrylate (Meth) acrylate, 1,3-butanediol di(meth)acrylate, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, 3-methyl-1,5-pentanediol di( meth)acrylate, 1,6-hexan
  • tri- or higher polyfunctional (meth)acrylates examples include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated propoxylated Trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, ethoxylated pentaerythritol tri(meth)acrylate, propoxylated pentaerythritol tri(meth)acrylate, ethoxylated propoxylated pentaerythritol tri(meth)acrylate, penta Erythritol tetra(meth)acrylate, ethoxylated pentaerythritol tetra(meth)acrylate, propoxylated pentaerythritol tetra(meth)acrylate,
  • These (meth)acrylates may be used singly or in combination of two or more. These (meth)acrylates may be combined with other polymerizable monomers.
  • the content of the polymerizable monomer may be 10 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the curable resin composition constituting the temporary fixing resin layer 10 .
  • a polymerization initiator is a compound that initiates the polymerization reaction of a polymerizable monomer by heating or irradiation with ultraviolet light.
  • the polymerization initiator may be a thermal radical polymerization initiator, a photoradical polymerization initiator, or a combination thereof.
  • thermal radical polymerization initiators include diacyl peroxides such as octanoyl peroxide, lauroyl peroxide, stearyl peroxide, benzoyl peroxide; t-butyl peroxypivalate, t-hexyl peroxypivalate, 1, 1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 2,5-dimethyl-2,5-bis(2-ethylhexanoylperoxy)hexane, t-hexylperoxy-2-ethyl Hexanoate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxyisobutyrate, t-hexylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxy-3,5,5-trimethylhexanoate ate, t-butyl peroxylaurylate, t-butyl peroxy is
  • photoradical polymerization initiators include benzoin ketals such as 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane; ⁇ -hydroxyketones such as -1-one, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one; and bis(2,4,6 -trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide, bis(2,6-dimethoxybenzoyl)-2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide.
  • benzoin ketals such as 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one
  • 1-hydroxycyclohexylphenylketone 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane
  • ⁇ -hydroxyketones such as -1-one, 1-[
  • thermal and photoradical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the polymerization initiator may be 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of polymerizable monomers.
  • the curable resin composition constituting the temporary fixing resin layer 10 may further contain one or more other components selected from insulating fillers, sensitizers, antioxidants, and the like.
  • the insulating filler is added for the purpose of imparting low thermal expansion and low hygroscopicity to the curable resin composition.
  • insulating fillers include non-metallic inorganic fillers such as silica, alumina, boron nitride, titania, glass, and ceramics. You may use these insulating fillers individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the content of the insulating filler may be 5 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the curable resin composition constituting the temporary fixing resin layer 10 .
  • the content of the insulating filler is within this numerical range, the cured temporary fixing resin layer 10 tends to have excellent heat resistance and good releasability.
  • sensitizers examples include anthracene, phenanthrene, chrysene, benzopyrene, fluoranthene, rubrene, pyrene, xanthone, indanthrene, thioxanthen-9-one, 2-isopropyl-9H-thioxanthen-9-one, 4- isopropyl-9H-thioxanthen-9-one, and 1-chloro-4-propoxythioxanthone.
  • the content of the sensitizer may be 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the curable resin composition constituting the temporary fixing resin layer 10 .
  • antioxidants examples include quinone derivatives such as benzoquinone and hydroquinone, phenol derivatives such as 4-methoxyphenol and 4-t-butylcatechol, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl, 4- Aminoxyl derivatives such as hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl, and hindered amine derivatives such as tetramethylpiperidyl methacrylate.
  • the content of the antioxidant may be 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total weight of the curable resin composition forming the temporary fixing resin layer 10 .
  • FIG. 4 is a process drawing showing an example of a method of manufacturing the film material 1 for temporary fixing.
  • a resin varnish containing a solvent is applied onto the release surface 11S of the first release film 11 to form a film of the resin varnish, and then the solvent is removed from the film to obtain the first release film.
  • the curable resin on the first main surface 10S1 in contact with the first release film 11 to which the resin varnish is applied is usually
  • the ratio of the curable resin on the second main surface 10S2 in contact with the second release film 12 to be bonded to the formed temporary fixing resin layer 10 is smaller than the ratio.
  • the second main surface 10S2 on the second release film 12 side laminated as the protective film of the formed temporary fixing resin layer 10 as a surface for temporarily fixing the semiconductor member 3, Resin residue can be reduced. Since the protective film is usually peeled off first when the film material is used, an easily peelable film having a relatively lower peeling force than the base film to which the resin varnish is applied is used. However, the release force of the release surface 11S in contact with the temporary fixing resin layer 10 of the first release film 11 used as the base film is in contact with the temporary fixing resin layer 10 of the second release film 12 (protective film). By selecting the first release film 11 and the second release film 12 so as to be smaller than the release force of the release surface 12S, the temporary fixing film material 1 is first removed while leaving the second release film 12. The temporary fixing film material 1 can be easily applied in the above-described method including peeling the first peeling film 11 to the surface.
  • release films classified by the degree of releasability are available as commercial products.
  • a light release film may be used as the first release film 11
  • a heavy release film may be used as the second release film.
  • resin films such as polyethylene terephthalate are commercially available that have a release surface that has been subjected to release treatment so as to have various release forces.
  • the resin varnish used to form the temporary fixing resin layer 10 contains each component of the curable resin composition exemplified above and a solvent.
  • solvents include hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, mesitylene, pseudocumene, decahydronaphthalene, tetralin, normal pentane, normal hexane, normal heptane, cyclopentane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane and limonene; ethyl acetate; , butyl acetate, propyl acetate, isobutyl acetate and ethyl lactate; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone, cyclopentanone and cyclohexanone; propylene glycol
  • the boiling point of the solvent may be 210°C or lower.
  • the solvent may be a mixed solvent containing two or more solvents.
  • the temporary fixing resin layer 10 is formed from a resin varnish containing an epoxy resin and a styrene-based elastomer.
  • concentration of components other than the solvent in the resin varnish may be, for example, 10 to 40% by mass based on the mass of the resin varnish.
  • FIGS. 5 to 7 are process diagrams showing another example of the method of manufacturing a semiconductor device.
  • the method shown in FIGS. 5 to 7 mainly uses a temporary fixing film material 1B having a first curable resin layer 10A, a light absorbing layer 22 and a second curable resin layer 10B. It differs from the method of FIGS. 1-3 in that a body 15 is formed. Each step will be described below, focusing on points different from the method shown in FIGS.
  • the temporary fixing film material 1B shown in (a) of FIG. Prepare in order.
  • the second curable resin layer 10B is a layer used as a temporary fixing resin layer for temporarily fixing a semiconductor member.
  • the second curable resin layer 10B is formed from a curable resin composition similar to the curable resin composition forming the temporary fixing resin layer 10 constituting the temporary fixing film material 1 shown in FIG. can be layers.
  • 10 A of 1st curable resin layers can also be a layer formed from the curable resin composition similar to the curable resin composition which forms the resin layer 10 for temporary fixing.
  • the first curable resin layer 10A and the second curable resin layer 10B may be formed from the same curable resin composition.
  • the thickness of the first curable resin layer 10A may be, for example, 200 ⁇ m or less, and may be 0.1 to 150 ⁇ m or 1 to 100 ⁇ m.
  • the thickness of the second curable resin layer 10B may be, for example, 200 ⁇ m or less, and may be 1 to 150 ⁇ m or 10 to 100 ⁇ m.
  • the second curable resin layer 10B used as a temporary fixing resin layer has a first main surface 10S1 in contact with the light absorbing layer 22 and a second main surface 10S2 on the opposite side.
  • the curable resin ratio A2 in the second main surface 10S2 of the second curable resin layer 10B is smaller than the curable resin ratio A1 in the first main surface 10S1 of the second curable resin layer 10B.
  • A2/A1 may be less than 1.0, 0.9 or less, 0.8 or less, or 0.7 or less, 0.1 or more, 0.2 or more, 0.3 or more, 0.4 or more , or 0.5 or more.
  • the curable resin ratio A2′ on the main surface of the first curable resin layer 10A on the release film 13 side is the curable resin ratio A1 on the main surface on the light absorption layer 22 side of the first curable resin layer 10A.
  • ' can be smaller than
  • A2'/A1' the resin residue on the support substrate generated when the first curable resin layer 10A is peeled off from the support member 2 (support substrate) after the semiconductor member is separated is reduced. This is advantageous in that the support substrate can be reused easily.
  • A2'/A1' may be the same as or different from A2/A1.
  • the light absorption layer 22 that constitutes the temporary fixing film material 1B can be the same layer as the light absorption layer 22 that constitutes the temporary fixing film material 1 shown in FIG.
  • the light absorption layer 22 that constitutes the temporary fixing film material 1B may particularly be a metal foil.
  • the thickness of the metal foil used as the light absorption layer 22 is, for example, 100 ⁇ m or less, 80 ⁇ m or less, 60 ⁇ m or less, 50 ⁇ m or less, 40 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or less, or 20 ⁇ m or less from the viewpoint of promoting temperature rise by suppressing heat dissipation. It may be 1 ⁇ m or more.
  • the release films 13 and 14 are provided in contact with the first curable resin layer 10A and the second curable resin layer 10B, respectively.
  • the release film 13 on the first curable resin layer 10A side may be the same film as the first release film 11 .
  • the release film 14 on the second curable resin layer 10B side may be the same film as the second release film 12 .
  • the release force of the release surface 11S of the release film 13 in contact with the first curable resin layer 10A is greater than that of the release surface 14S of the release film 14 on the second curable resin layer 10B side in contact with the second curable resin layer 10B. It may be smaller than the peel force.
  • a first curable resin layer 10A and a second curable resin layer 10B are prepared and laminated on both sides of the light absorbing layer 22 (for example, metal foil). It can be manufactured by a method comprising: 10 A of 1st curable resin layers and the 2nd curable resin layer 10B can be manufactured by the method similar to the resin layer 10 for temporary fixing of the film material 1 for temporary fixing, for example.
  • the temporary fixing laminate 15 is exposed by peeling off the release film 13 on the side of the first curable resin layer 10A from the temporary fixing film material 1B. Laminating the temporary fixing film material 1B on the support surface 21S1 of the support member 2 (support substrate) in such a direction that the first curable resin layer 10A is in contact with the support surface 21S1, and then the second curable resin layer. and peeling off the release film 14 on the 10B side.
  • the semiconductor member 3 is temporarily fixed to the second main surface 10S2 exposed by peeling the release film 14, and the temporarily fixed semiconductor member 3 is processed.
  • a sealing layer 4 for sealing the semiconductor member 3 is formed on the second curable resin layer 10B (temporary fixing resin layer), whereby the semiconductor member 3 and An encapsulation structure 50 having an encapsulation layer 4 may be formed.
  • the temporary fixing layered product 15 is irradiated with light h ⁇ from the back surface 21S2 side, whereby the light absorbing layer 22 is removed from the second curable resin layer 10B ( by a method including separating the temporary fixing resin layer) and peeling the second curable resin layer 10B (temporary fixing resin layer) from the semiconductor member 3 (or the sealing structure 50) in this order.
  • the semiconductor member 3 (or the sealing structure 50) is separated from the second curable resin layer 10B (temporary fixing resin layer).
  • the present invention is not limited to the following examples.
  • Base film first release film
  • protective film second release film
  • release films to be used as base films or protective films were prepared.
  • ⁇ Purex A31B (trade name): light release type, polyethylene terephthalate (PET) film, Toyobo Film Solution Co., Ltd., thickness: 38 ⁇ m
  • Purex A70J (trade name): heavy release type, PET film, Toyobo Film Solution Co., Ltd., thickness: 38 ⁇ m
  • Temporary fixing film material (first release film/temporary fixing resin layer/second release film)
  • the resulting resin varnish was applied to the release surface of a substrate film (Purex A31B, easy release type) using a precision coating machine.
  • the solvent was removed from the coating film by heating at 90° C. for 5 minutes and then at 100° C. for 5 minutes to form a temporary fixing resin layer having a thickness of 80 ⁇ m.
  • a protective film (Purex A70J, heavy release type) was attached to the surface of the temporary fixing resin layer opposite to the base film so that the release surface was in contact with the temporary fixing resin layer.
  • a temporary fixing film material of Example 1 was obtained, which was composed of the base film (first release film), the temporary fixing resin layer, and the protective film (second release film).
  • Comparative example 1 Except for changing the base film (first release film) to which the resin varnish is applied to the heavy release type Purex A70J and changing the protective film (second release film) to the light release type Purex A31B.
  • a temporary fixing film material of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Examples.
  • A2/A1 (P2/P1 on the main surface on the base film side)/(P2/P1 on the main surface on the protective film side)
  • P2/P1 on the main surface of the temporary fixing resin layer on the base film side is the same between Example 1 and Comparative Example 1
  • P2/P1 on the main surface on the protective film side of the temporary fixing resin layer P1 is considered to be equivalent between Example 1 and Comparative Example 1.
  • the value of A1/A2 can also be obtained for the film material for temporary fixing of Comparative Example 1.
  • the value of A1/A2 was 0.60 in Example 1 and 1.7 in Comparative Example 1. That is, it was confirmed that A2 was smaller than A1 in Example 1, and that A2 was larger than A1 in Comparative Example 1.
  • a support member with a metal layer having a glass substrate and a metal layer (laminate of Ti layer (thickness: 50 nm)/copper layer (200 nm)) formed on the glass substrate by a sputtering method was prepared.
  • the substrate film was peeled off from the film material for temporary fixing of Example 1, and the film material for temporary fixing was laminated on the metal layer such that the exposed main surface of the resin layer for temporary fixing was in contact with the metal layer. Then, the protective film remaining on the temporary fixing resin layer was peeled off.
  • a semiconductor chip having bumps as connection terminals is placed on the exposed main surface of the temporary fixing resin layer (main surface on the side of the protective film), and the temporary fixing resin layer is thermally cured in this state, thereby removing the semiconductor chip. Temporarily fixing was performed so that the bumps were embedded in the temporary fixing resin layer.
  • a sealing layer for sealing the semiconductor chip is formed using a sealing agent, thereby forming a sealing structure composed of the semiconductor chip and the sealing layer on the main surface of the temporary fixing resin layer on the protective film side. formed above.
  • the protective film is peeled off from the temporary fixing film material of Comparative Example 1, and the temporary fixing film material is applied in the same manner as described above in the direction in which the exposed main surface of the temporary fixing resin layer (main surface on the protective film side) is in contact with the metal layer. was laminated on the metal layer of the support member with a metal layer. Then, the base film remaining on the temporary fixing resin layer was peeled off. A semiconductor chip having bumps as connection terminals is placed on the exposed main surface of the temporary fixing resin layer (main surface on the base film side), and the temporary fixing resin layer is heat-cured in that state to form a semiconductor. The chip was temporarily fixed such that the bumps were embedded in the temporary fixing resin layer. A sealing layer that seals the semiconductor chip is formed using a sealing agent, thereby forming a sealing structure composed of the semiconductor chip and the sealing layer on the base film side of the temporary fixing resin layer. formed on the surface.
  • a xenon lamp (PulseForge (registered trademark) 1300, manufactured by NovaCentrix) was used to irradiate light with a light intensity of 4.2 J/cm 2 (pulse length of 300 ⁇ s) from the glass substrate side.
  • the support member was naturally peeled from the resin layer for temporary fixing without stress by light irradiation with a light intensity of 4.2 J/cm 2 .
  • the temporary fixing resin layer was not peeled off from the support member by light irradiation with a light intensity of 4.2 J/cm 2 , and the light intensity was changed to 4.6 J/cm 2 (pulse length of 300 ⁇ s).
  • the support member did not separate from the temporary fixing resin layer.
  • the amount of light was changed to 5.1 J/cm 2 (pulse length of 330 ⁇ s)
  • the support member was separated from the temporary fixing resin layer of the temporary fixing film of the comparative example.
  • Example 1 in which the ratio A2/A1 of the ratio of the curable resin is small, in other words, the ratio of the curable resin on the main surface in contact with the semiconductor chip is relatively small, a small amount of light It was confirmed that the resin layer for temporary fixing was peeled off from the supporting member well by irradiation, and that the generation of residues remaining on the surface of the sealing structure was suppressed when the resin layer for temporary fixing was peeled off from the sealing structure. was done.
  • Temporary fixing film material release film/first curable resin layer/copper foil/second curable resin layer/release film
  • a copper foil (CF-T4CX-HD (trade name): Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd., thickness: 18 ⁇ m) was prepared.
  • the base film (first release film) is peeled off from the temporary fixing film material of Example 1, and the temporary fixing film material is placed on the non-glossy surface of the copper foil in the direction in which the exposed temporary fixing resin layer contacts the copper foil.
  • a film material for temporary fixing which is a laminate having the main surface in contact with the copper foil, was obtained.
  • Comparative example 2 In the same manner as in Example 2 except that the temporary fixing film material of Comparative Example 1 was used instead of the temporary fixing film material of Example 1, a first curable resin layer (temporary fixing resin layer), It has a copper foil (light absorption layer) and a second curable resin layer (temporary fixing resin layer), and the main surface of the second curable resin layer (temporary fixing resin layer) on the protective film side is copper foil A film material for temporary fixing, which is a laminate in contact with, was obtained.
  • the temporary fixing film material of Example 2 or Comparative Example 2 was laminated on a glass substrate as a support member so that the first curable resin layer was in contact with the glass substrate. Then, the release film remaining on the second curable resin layer (temporary fixing resin layer) was peeled off. A semiconductor chip having bumps as connection terminals is placed on the exposed main surface of the first curable resin layer (temporary fixing resin layer), and the first and second curable resin layers are thermally cured in that state. By doing so, the semiconductor chip was temporarily fixed so that the bumps were embedded in the second curable resin layer. A sealing layer for sealing the semiconductor chip is formed using a sealing agent, thereby forming a sealing structure composed of the semiconductor chip and the sealing layer on the main surface of the second curable resin layer. formed.
  • a xenon lamp (PulseForge (registered trademark) 1300, manufactured by NovaCentrix) was used to irradiate light with a light intensity of 10.3 J/cm 2 (pulse length of 1200 ⁇ s) from the glass substrate side.
  • the second curable resin layer was peeled off from the copper foil by light irradiation with a light intensity of 10.3 J/cm 2 .
  • the amount of light was changed to 10.5 J/cm 2 (pulse length of 1500 ⁇ s)
  • the second curable resin layer was spontaneously peeled off from the copper foil without requiring stress.
  • the second curable resin layer was not peeled off from the copper foil by light irradiation with a light intensity of 10.3 J/cm 2 .
  • the amount of light was changed to 10.5 J/cm 2 (pulse length of 1500 ⁇ s)
  • the second curable resin layer was peeled off naturally from the copper foil without stress.
  • SYMBOLS 1, 1B Film material for temporary fixing, 2... Supporting member, 3... Semiconductor member, 4... Sealing layer, 10... Resin layer for temporary fixing, 10A... First curable resin layer, 10B... Second curing 10S1 First main surface 10S2 Second main surface 11 First release film 11S, 12S Release surface 12 Second release film 15 Laminate for temporary fixing , 21... support substrate, 21S1... support surface, 21S2... back surface, 22... light absorption layer, 50... sealing structure.

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Abstract

支持基板と光吸収層と第一の主面及び第二の主面を有する仮固定用樹脂層とを備える仮固定用積層体を形成することと、仮固定用樹脂層上に半導体部材を仮固定することと、半導体部材を仮固定用樹脂層から分離することとを含む、半導体装置を製造する方法が開示される。仮固定用樹脂層が、硬化性樹脂及びエラストマを含有する硬化性樹脂組成物を含む層である。エラストマの存在量に対する硬化性樹脂の存在量の比が、第一の主面においてＡ１で、第二の主面においてＡ２であるとき、Ａ２がＡ１よりも小さい。

Description

半導体装置を製造する方法、仮固定用フィルム材を製造する方法、及び、仮固定用フィルム材
　本開示は、半導体装置を製造する方法、仮固定用フィルム材を製造する方法、及び、仮固定用フィルム材に関する。
　半導体装置が、支持部材に仮固定された状態で半導体部材が加工され、その後で半導体部材が支持部材から分離される方法によって製造されることがある。例えば、特許文献１は、半導体部材を、仮固定用樹脂層を有する仮固定材層を介して支持部材に仮固定し、加工処理後に光照射により半導体部材を支持部材から分離する方法を開示している。
国際公開第２０２０／１１１１９３号
　しかし、支持部材から分離された半導体部材上に、仮固定材層の樹脂の一部が残ることにより、不要な樹脂残渣が生じることがある。
　そこで、本開示は、半導体部材を仮固定用樹脂層から光照射によって分離することを含む方法によって半導体装置を製造する場合において、分離に伴う半導体部材上の樹脂残渣の発生を抑制できる方法、及びその方法に用いることのできる仮固定用フィルム材を提供する。
　本開示の一側面は、支持面及びその反対側の裏面を有する支持基板と光吸収層と第一の主面及びその反対側の第二の主面を有する仮固定用樹脂層とを備え、前記支持面側から前記光吸収層及び前記仮固定用樹脂層がこの順で積層されている、仮固定用積層体を形成することと、前記仮固定用樹脂層上に半導体部材を仮固定することと、前記半導体部材を前記仮固定用樹脂層から分離することとをこの順に含む、半導体装置を製造する方法を提供する。
　前記半導体部材が、前記仮固定用積層体に対して前記裏面側から光を照射することによって前記光吸収層から前記仮固定用樹脂層を分離することと、前記仮固定用樹脂層を前記半導体部材から剥離することとをこの順に含む方法によって、前記仮固定用樹脂層から分離される。前記仮固定用樹脂層は、硬化性樹脂及びエラストマを含有する硬化性樹脂組成物を含む層である。前記半導体部材は、前記仮固定用樹脂層の前記第二の主面上に前記半導体部材を配置することと、前記仮固定用樹脂層を硬化させることとをこの順に含む方法によって前記仮固定用樹脂層上に仮固定される。前記エラストマの存在量に対する前記硬化性樹脂の存在量の比が、前記第一の主面においてＡ１で、前記第二の主面においてＡ２であるとき、Ａ２がＡ１よりも小さい。
　前記仮固定用積層体は、前記仮固定用樹脂層、第一の剥離フィルム、及び第二の剥離フィルムを有し、前記第一の剥離フィルムが前記仮固定用樹脂層の前記第一の主面に接し、前記第二の剥離フィルムが前記仮固定用樹脂層の前記第二の主面に接する向きで、前記第一の剥離フィルム、前記仮固定用樹脂層、及び前記第二の剥離フィルムがこの順に積層されている、仮固定用フィルム材を準備することと、前記仮固定用フィルム材から前記第一の剥離フィルムを剥離し、前記仮固定用樹脂層の露出した前記第一の主面が前記光吸収層に接する向きで、前記仮固定用フィルム材を、前記支持面上に設けられた前記光吸収層上に積層することと、前記仮固定用フィルム材から前記第二の剥離フィルムを剥離し、前記仮固定用樹脂層の前記第二の主面を露出させることとを含む方法によって形成されてもよい。
　前記仮固定用積層体が、第一の硬化性樹脂層、前記光吸収層、及び第二の硬化性樹脂層をこの順に備え、前記第二の硬化性樹脂層が、前記光吸収層に前記第一の主面が接する向きで配置された前記仮固定用樹脂層である、仮固定用フィルム材を準備することと、前記仮固定用フィルム材を、前記支持面に前記第一の硬化性樹脂層が接する向きで、前記支持面上に積層することと、を含む方法によって形成されてもよい。
　本開示の別の一側面は、第一の剥離フィルム上に溶剤を含む樹脂ワニスを塗布して前記樹脂ワニスの膜を形成し、続いて前記膜から前記溶剤を除去することにより、前記第一の剥離フィルムに接する第一の主面及びその反対側の第二の主面を有する仮固定用樹脂層を前記第一の剥離フィルム上に形成することと、前記仮固定用樹脂層の前記第二の主面に前記第二の剥離フィルムを貼り合わせることとを含む、仮固定用フィルム材を製造する方法を提供する。前記第一の剥離フィルムの前記仮固定用樹脂層に接する面の剥離力が、前記第二の剥離フィルムの前記仮固定用樹脂層に接する面の剥離力よりも小さい。前記エラストマの存在量に対する前記硬化性樹脂の存在量の比が、前記第一の主面においてＡ１で、前記第二の主面においてＡ２であるとき、Ａ２がＡ１よりも小さい。
　本開示の更に別の一側面は、第一の主面及びその反対側の第二の主面を有する仮固定用樹脂層、第一の剥離フィルム、及び第二の剥離フィルムを有する仮固定用フィルム材を提供する。前記第一の剥離フィルムが前記仮固定用樹脂層の前記第一の主面に接し、前記第二の剥離フィルムが前記仮固定用樹脂層の前記第二の主面に接する向きで、前記第一の剥離フィルム、前記仮固定用樹脂層、及び前記第二の剥離フィルムがこの順に積層されている。前記第一の剥離フィルムの前記仮固定用樹脂層に接する面の剥離力が、前記第二の剥離フィルムの前記仮固定用樹脂層に接する面の剥離力よりも小さい。前記エラストマの存在量に対する前記硬化性樹脂の存在量の比が、前記第一の主面においてＡ１で、前記第二の主面においてＡ２であるとき、Ａ２がＡ１よりも小さい。
　本開示の更に別の一側面は、第一の硬化性樹脂層、光吸収層、及び第二の硬化性樹脂層をこの順に備える仮固定用フィルム材を提供する。前記第二の硬化性樹脂層が、前記光吸収層に接する第一の主面及びその反対側の第二の主面を有する。前記二の硬化性樹脂層が、硬化性樹脂及びエラストマを含有する硬化性樹脂組成物を含む層である。前記エラストマの存在量に対する前記硬化性樹脂の存在量の比が、前記第一の主面においてＡ１で、前記第二の主面においてＡ２であるとき、Ａ２がＡ１よりも小さい。
　半導体部材を仮固定用樹脂層から光照射によって分離することを含む方法によって半導体装置を製造する場合において、分離に伴う半導体部材上の樹脂残渣の発生を抑制することができる。
半導体装置を製造する方法の一例を示す工程図である。 半導体装置を製造する方法の一例を示す工程図である。 半導体装置を製造する方法の一例を示す工程図である。 仮固定用フィルム材を製造する方法の一例を示す工程図である。 半導体装置を製造する方法の一例を示す工程図である。 半導体装置を製造する方法の一例を示す工程図である。 半導体装置を製造する方法の一例を示す工程図である。
　本発明は以下の例に限定されるものではない。
　図１、図２及び図３は、半導体装置を製造する方法の一例を示す工程図である。図１～３に示される方法は、支持面２１Ｓ１及びその反対側の裏面２１Ｓ２を有する支持基板２１と光吸収層２２と第一の主面１０Ｓ１及びその反対側の第二の主面１０Ｓ２を有する仮固定用樹脂層１０とを備え、支持面２１Ｓ１上に光吸収層２２及び仮固定用樹脂層１０がこの順で積層されている、仮固定用積層体１５を形成することと、仮固定用樹脂層１０上に半導体部材３を仮固定することと、半導体部材３を仮固定用樹脂層１０から分離することとをこの順に含む。
　仮固定用積層体１５は、図１の（ａ）に示される、仮固定用樹脂層１０、第一の剥離フィルム１１、及び第二の剥離フィルム１２を有する仮固定用フィルム材１を用いて形成されてもよい。第一の剥離フィルム１１及び第二の剥離フィルム１２は、それぞれ、剥離面１１Ｓ及び剥離面１２Ｓを有している。剥離面１１Ｓの仮固定用樹脂層１０に対する剥離力が、剥離面１２Ｓの仮固定用樹脂層１０に対する剥離力よりも小さくてもよい。仮固定用フィルム材１において、第一の剥離フィルム１１の剥離面１１Ｓが仮固定用樹脂層１０の第一の主面１０Ｓ１に接し、第二の剥離フィルム１２の剥離面１２Ｓが仮固定用樹脂層１０の第二の主面１０Ｓ２に接する向きで、第一の剥離フィルム１１、仮固定用樹脂層１０及び第二の剥離フィルム１２がこの順に積層されている。
　仮固定用積層体１５は、例えば、仮固定用フィルム材１を準備することと、図１の（ｂ）に示されるように仮固定用フィルム材１から第一の剥離フィルム１１を剥離し、続いて図１の（ｃ）に示されるように仮固定用樹脂層１０の露出した第一の主面１０Ｓ１が光吸収層２２に接する向きで、仮固定用フィルム材１を、支持面２１Ｓ１上に設けられた光吸収層２２上に積層することと、図１の（ｄ）に示されるように仮固定用フィルム材１から第二の剥離フィルム１２を剥離し、仮固定用樹脂層１０の第二の主面１０Ｓ２を露出させることとを含む方法によって形成される。
　支持基板２１は、例えば、無機ガラス基板、又は透明樹脂基板であってもよい。支持基板２１の厚みは、例えば、０．１～２．０ｍｍであってよい。
　支持基板２１の支持面２１Ｓ１上に光吸収層２２を形成することにより、支持基板２１及び光吸収層２２を有する支持部材２が準備される。
　光吸収層２２の一例は、光を吸収して熱を発生する導電体を含む導電体層である。光吸収層２２としての導電体層を構成する導電体の例としては、金属、金属酸化物、及び導電性カーボン材料が挙げられる。金属は、クロム、銅、チタン、銀、白金、及び金等の単体金属であってもよいし、ニッケル－クロム、ステンレス鋼、及び銅－亜鉛等の合金であってもよい。金属酸化物の例としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、及び酸化ニオブが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。導電体は、クロム、チタン、又は導電性カーボン材料であってよい。
　光吸収層２２は、単層又は複数の層からなる金属層であってもよい。例えば、光吸収層２２が銅層及びチタン層からなる金属層であってもよい。光吸収層２２としての金属層は、真空蒸着及びスパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）、プラズマ化学蒸着等の化学気相成長（ＣＶＤ）によって形成された層であってもよいし、電解めっき又は無電解めっきによって形成されためっき層であってもよい。光吸収層２２が金属箔であってもよい。物理気相成長によれば、支持基板２１が大きな面積を有していても、支持基板２１の表面を覆う光吸収層２２としての金属層を効率的に形成することができる。
　光吸収層２２が単層の金属層である場合、光吸収層２２が、タリウム（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）及び金（Ａｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含んでいてもよい。
　光吸収層２２が、第一層及び第二層の２層から構成され、支持基板２１側から第一層及び第二層の順に積層されていてもよい。この場合、例えば、第一層が高い光吸収性を有し、第二層が高い熱膨張係数及び高い弾性率を有していると、特に良好な剥離性が得られ易い。この観点から、例えば、第一層がタリウム（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及びクロム（Ｃｒ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含んでいてもよく、第二層が銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）及び金（Ａｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含んでいてもよい。第一層がチタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及びクロム（Ｃｒ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含んでいてもよく、第二層が銅（Ｃｕ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含んでいてもよい。
　光吸収層の他の例は、光を吸収して熱を発生する導電性粒子と、導電性粒子が分散したバインダー樹脂とを含有する層である。導電性粒子は、上述の導電体を含む粒子であってもよい。例えば、光吸収層２２は、導電性粒子と、バインダー樹脂としての硬化性樹脂組成物とを含む層であることができる。光吸収層における導電性粒子の含有量は、光吸収層の導電性粒子以外の成分の総量、すなわち、バインダー樹脂（又は硬化性樹脂組成物）の質量１００質量部に対して、０．５～９０質量部であってよい。透過率の観点から、導電性カーボン材料からなる導電性カーボン粒子以外の導電性粒子の含有量は、１０質量部以上、２０質量部以上、又は３０質量部以上であってもよい。導電性粒子が導電性カーボン粒子である場合、より少量の添加で透過率が低減できるため、その含有量が０．５質量部以上、１質量部以上、５質量部以上、又は１０質量部以上であってもよい。
　導電性粒子及びバインダー樹脂を含む光吸収層は、例えば、導電性粒子、バインダー樹脂及び有機溶剤を含有するワニスを支持部材上又は硬化性樹脂層上に塗布することと、塗膜から有機溶剤を除去することとを含む方法によって形成することができる。予め作製された光吸収層２２を支持基板２１上に積層してもよい。
　光吸収層２２の厚みは、軽剥離性の観点から、１～５０００ｎｍ、１０～３０００ｎｍ又は５０～３００ｎｍであってもよい。光吸収層２２の厚みが５０～３００ｎｍであると、光吸収層２２が十分に低い透過率を有し易い。光吸収層２２が単層又は複数の層からなる金属層である場合、光吸収層２２（又は金属層）の厚みは、良好な剥離性の観点から、７５ｎｍ以上、９０ｎｍ以上、又は１００ｎｍ以上であってもよく、１０００ｎｍ以下であってもよい。特に光吸収層２２が単層の金属層である場合、光吸収層２２（又は金属層）の厚みは、良好な剥離性の観点から、１００ｎｍ以上、１２５ｎｍ以上、１５０ｎｍ以上又は２００ｎｍ以上であってもよく、１０００ｎｍ以下であってもよい。光吸収層２２が光吸収性が比較的低い金属（例えばＣｕ、Ｎｉ）を含む金属層、又は、熱膨張係数が比較的低い金属（例えばＴｉ）を含む金属層であっても、その厚みが大きいと、より良好な剥離性が得られ易い傾向がある。
　仮固定用積層体１５が形成された後、図２の（ｅ）に示されるように、仮固定用樹脂層１０上に半導体部材３が仮固定される。半導体部材３は、本体部３１、及び本体部３１の外表面上に設けられた接続端子３２を有する。接続端子３２の一部又は全部が仮固定用樹脂層１０に埋め込まれてもよい。半導体部材３は、半導体ウェハ、又は半導体ウェハを分割して得られた半導体チップ部品であってよい。半導体部材３が、本体部３１上に設けられた再配線層を有し、再配線層が仮固定用樹脂層１０側に位置する向きで、半導体部材３が仮固定されてもよい。１つの仮固定用積層体上に、２以上の半導体部材が仮固定されてもよいし、半導体部材とともに他の受動部品等が仮固定されてもよい。
　仮固定用樹脂層１０が硬化性樹脂組成物を含む層（硬化性樹脂層）であってもよく、その場合、仮固定用樹脂層１０上に半導体部材３が配置された後、仮固定用樹脂層１０を熱硬化又は光硬化させることにより、半導体部材３が、硬化した仮固定用樹脂層１０に対して仮固定される。熱硬化の条件は、例えば、３００℃以下又は１００～２００℃で、１～１８０分間又は１～６０分間であってよい。
　仮固定された半導体部材３が、加工されてもよい。図２の（ｆ）は、半導体部材の本体部３１の薄化を含む加工の例を示す。半導体部材の加工は、これに限定されず、例えば、半導体部材（本体部）の薄化、半導体部材の分割（ダイシング）、貫通電極の形成、エッチング処理、めっきリフロー処理、スパッタリング処理、又はこれらの組み合わせを含むことができる。
　半導体部材３の本体部３１の薄化は、グラインダー等を用いて、本体部３１の仮固定用樹脂層１０とは反対側の面を研削することによって行われる。薄化された本体部３１の厚みは、例えば、１００μｍ以下であってよい。
　図３の（ｇ）に示されるように、半導体部材３を封止する封止層４を仮固定用樹脂層１０上に形成し、それにより半導体部材３及び封止層４を有する封止構造体５０を形成してもよい。仮固定された半導体部材３が加工される場合、通常、半導体部材３の加工の後、封止層４が形成される。
　封止層４は、半導体装置の製造のために通常用いられる封止材を用いて形成することができる。例えば、封止層４を熱硬化性樹脂組成物によって形成してもよい。封止層４を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物は、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、及びナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を含む。封止層４、及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物が、フィラー、及び／又は難燃剤等の添加剤を含んでもよい。
　封止層４は、例えば、固形材、液状材、細粒材、又は封止フィルムを用いて形成される。封止フィルムを用いる場合、コンプレッション封止成形機、真空ラミネート装置等が用いられる。例えば、これら装置を用いて、４０～１８０℃（又は６０～１５０℃）、０．１～１０ＭＰａ（又は０．５～８ＭＰａ）、かつ０．５～１０分間の条件で熱溶融させた封止フィルムで半導体部材３を被覆することにより、封止層４を形成することができる。封止フィルムの厚みは、５０～２０００μｍ、７０～１５００μｍ、又は１００～１０００μｍであってよい。封止層４を形成した後、封止構造体５０を、半導体部材３を含む複数の部分に分割してもよい。
　図３の（ｈ）及び（ｉ）に示されるように、仮固定用積層体１５に対して裏面２１Ｓ２側から光ｈνを照射することによって光吸収層２２から仮固定用樹脂層１０を分離することと、仮固定用樹脂層１０を半導体部材３（又は封止構造体５０）から剥離することとをこの順に含む方法によって、半導体部材３（又は封止構造体５０）が仮固定用樹脂層１０から分離される。
　光ｈνの照射によって、光吸収層２２が光を吸収して熱を瞬間的に発生する。発生した熱によって、例えば、仮固定用樹脂層１０の溶融、仮固定用積層体１５と光吸収層２２との間に生じる熱応力、及び光吸収層２２の飛散が生じ得る。これらの現象のうち１つ又は２つ以上が主な原因となって、光吸収層２２が仮固定用樹脂層１０から容易に分離し得る。
　光ｈνは、例えばレーザー光であってもよいし、インコヒーレント光であってもよい。インコヒーレント光は、コヒーレントでない光であり、干渉縞が発生しない、可干渉性が低い、指向性が低いといった性質を有する電磁波である。インコヒーレント光は、光路長が長くなるほど、減衰する傾向を有する。レーザー光は、一般にコヒーレント光であるのに対して、太陽光、蛍光灯の光等の光は、インコヒーレント光である。インコヒーレント光は、レーザー光を除く光ということもできる。インコヒーレント光の照射面積は、一般にコヒーレント光（すなわち、レーザー光）よりも圧倒的に広いため、照射回数を少なくすることが可能である。例えば１回の照射を含む工程により、複数の半導体部材３の分離を生じさせ得る。これらの観点からインコヒーレント光を採用してもよい。
　インコヒーレント光は、赤外線を含んでいてもよい。インコヒーレント光は、パルス光であってもよい。インコヒーレント光の光源は、特に制限されないが、キセノンランプであってよい。キセノンランプは、キセノンガスを封入した発光管での印加・放電による発光を利用したランプである。
　キセノンランプの照射条件は、印加電圧、パルス幅、照射時間、照射距離（光源と仮固定用樹脂層との距離）、及び照射エネルギー等を含む。照射回数等に応じてこれらを任意に設定することができる。半導体部材３のダメージを低減する観点から、１回の照射を含む工程によって半導体部材３（又は封止構造体５０）を分離できる照射条件を設定してもよい。
　光ｈνの照射の後、半導体部材３（又は封止構造体５０）から仮固定用樹脂層１０が剥離される。半導体部材３（又は封止構造体５０）から仮固定用樹脂層１０を剥離するために、仮固定用樹脂層１０、又は半導体部材３（又は封止構造体５０）に対して応力を加えてもよい。
　仮固定用樹脂層１０から分離した半導体部材３上に、仮固定用樹脂層１０の一部である樹脂残渣が残ることがある。仮固定用樹脂層１０が、硬化性樹脂及びエラストマを含有する硬化性樹脂組成物を含む層であってもよく、その場合、仮固定用樹脂層１０の第一の主面１０Ｓ１及び第二の主面１０Ｓ２におけるエラストマの存在量と硬化性樹脂の存在量との比に基づいて半導体部材３と接する面を選択することにより、樹脂残渣の発生を抑制することができる。具体的には、第一の主面１０Ｓ１における、エラストマの存在量に対する硬化性樹脂の存在量の比（以下、単に「硬化性樹脂の比率」ということがある。）がＡ１で、第二の主面１０Ｓ２における、エラストマの存在量に対する硬化性樹脂の存在量の比がＡ２であるとき、Ａ２がＡ１よりも小さい。エラストマは、硬化のための反応性官能基を有する硬化性樹脂と比較して、低い極性を有することから、硬化性樹脂の比率が小さい表面は、相対的に低い極性を有する。より低い極性を有する表面は、通常、半導体部材に対してより弱い接着力を有する。したがって、硬化性樹脂の比率が小さく、相対的に低い極性を有する表面である第二の主面１０Ｓ２が半導体部材３に接する向きで仮固定用樹脂層１０を配置することにより、硬化性樹脂の比率が大きく、相対的に高い極性を有する表面である第一の主面１０Ｓ１が半導体部材３に接する場合と比較して、樹脂残渣の発生を低減することができる。加えて、硬化性樹脂の比率が相対的に高い第一の主面１０Ｓ１が光吸収層２２に接していると、少ない光量の光照射によって効率的に光吸収層２２と仮固定用樹脂層１０とを分離することができる。
　仮固定用樹脂層１０の第二の主面１０Ｓ２における硬化性樹脂の比率Ａ２が、仮固定用樹脂層１０の第一の主面１０Ｓ１における硬化性樹脂の比率Ａ１よりも小さいことから、Ａ２／Ａ１は１．０未満である。Ａ２／Ａ１は０．９以下、０．８以下、又は０．７以下であってもよく、０．１以上、０．２以上、０．３以上、０．４以上、又は０．５以上であってもよい。
　Ａ２／Ａ１の値は、例えば、第一の主面１０Ｓ１及び第二の主面１０Ｓ２の赤外吸収スペクトルを全反射測定法によって測定することと、赤外吸収スペクトルにおける、エラストマに由来する吸収ピークの面積Ｐ１と硬化性樹脂に由来する吸収ピークの面積Ｐ２との比Ｐ２／Ｐ１を求めることと、第一の主面におけるＰ２／Ｐ１及び第二の主面におけるＰ２／Ｐ１から下記式：
Ａ２／Ａ１＝（第一の主面におけるＰ２／Ｐ１）／（第二の主面におけるＰ２／Ｐ１）
によってＡ２／Ａ１を算出することとを含む方法によって、求めることができる。比Ｐ２／Ｐ１の値は、各主面における、エラストマの存在量に対する硬化性樹脂の存在量の比を反映した値である。したがって、第一の主面における硬化性樹脂の比率がＡ１で、第二の主面における硬化性樹脂の比率がＡ２であるとき、Ａ１及びＡ２のそれぞれの値を求めることに代えて、Ａ２／Ａ１を上記式によって算出し、その値から、Ａ２がＡ１よりも小さいことを確認することができる。例えば硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合、エポキシ基に由来する８８０～９５５ｃｍ－１の吸収ピークの面積を、Ｐ２／Ｐ１を求めるために用いることができる。
　硬化性樹脂組成物によって形成された仮固定用樹脂層１０は、熱又は光によって硬化することができる。硬化前の仮固定用樹脂層１０は、半導体部材３を圧着等によって貼り付けることが可能な程度の接着性を有する。硬化した仮固定用樹脂層１０は、半導体部材３が加工される間など、必要な間、半導体部材３を保持する。
　仮固定用樹脂層１０の厚みは、応力緩和の観点から、例えば、５０μｍ以下、４０μｍ以下、又は３０μｍ以下で０．１μｍ以上であってもよく、５０μｍ以下、４０μｍ以下、又は３０μｍ以下で１μｍ以上であってもよい。
　硬化した仮固定用樹脂層１０の２５℃における貯蔵弾性率が、５～５００ＭＰａであってもよい。硬化した仮固定用樹脂層１０の２５℃における貯蔵弾性率が５ＭＰａ以上であると、支持基板２１が撓むことなく半導体部材３を保持し易く、また、樹脂残渣が更に減少する傾向がある。硬化した仮固定用樹脂層１０の２５℃における貯蔵弾性率が５００ＭＰａ以下であると、半導体部材３の位置ずれを小さくできる傾向にある。同様の観点から、硬化した仮固定用樹脂層１０の２５℃における貯蔵弾性率は、５．５ＭＰａ以上、６ＭＰａ以上、又は６．３ＭＰａ以上で５００ＭＰａ以下であってもよく、５．５ＭＰａ以上、６ＭＰａ以上、又は６．３ＭＰａ以上で４８０ＭＰａ以下であってもよく、５．５ＭＰａ以上、６ＭＰａ以上、又は６．３ＭＰａ以上で４５０ＭＰａ以下であってもよく、５．５ＭＰａ以上、６ＭＰａ以上、又は６．３ＭＰａ以上で４２０ＭＰａ以下であってもよく、５．５ＭＰａ以上、６ＭＰａ以上、又は６．３ＭＰａ以上で４００ＭＰａ以下であってもよい。本明細書において、硬化した仮固定用樹脂層１０の貯蔵弾性率は、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚ、引張モードの条件で測定される粘弾性測定によって求められる値を意味する。
　硬化した仮固定用樹脂層１０の２５℃における貯蔵弾性率は、例えば、後述の硬化性樹脂の含有量を大きくする、高いＴｇを有するエラストマを適用する、絶縁性フィラーを硬化性樹脂組成物に添加するといった方法によって、増加させることができる。エラストマがスチレン系エラストマである場合、そのスチレン含有量が大きいと、仮固定用樹脂層１０の２５℃における貯蔵弾性率が増加する傾向がある。
　硬化した仮固定用樹脂層１０の２５０℃における貯蔵弾性率が、０．７０ＭＰａ以上、０．８０ＭＰａ以上、０．８５ＭＰａ以上、又は０．９０ＭＰａ以上で５．００ＭＰａ以下であってもよく、０．７０ＭＰａ以上、０．８０ＭＰａ以上、０．８５ＭＰａ以上、又は０．９０ＭＰａ以上で４．００ＭＰａ以下であってもよく、０．７０ＭＰａ以上、０．８０ＭＰａ以上、０．８５ＭＰａ以上、又は０．９０ＭＰａ以上で３．５０ＭＰａ以下であってもよく、０．７０ＭＰａ以上、０．８０ＭＰａ以上、０．８５ＭＰａ以上、又は０．９０ＭＰａ以上で３．３０ＭＰａ以下であってもよく、０．７０ＭＰａ以上、０．８０ＭＰａ以上、０．８５ＭＰａ以上、又は０．９０ＭＰａ以上で３．００ＭＰａ以下であってもよい。
　仮固定用樹脂層１０の低温貼付性の観点から、仮固定用樹脂層１０に含まれるエラストマのガラス転移温度（Ｔｇ）は、５０℃以下であってもよい。仮固定用樹脂層１０の良好な剥離性の観点から、エラストマのＴｇが－１００℃以上、又は－５０℃以上であってもよい。
　エラストマのＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度値である。エラストマのＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度：－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。
　エラストマの例としては、スチレン系エラストマ、エステル系エラストマ、硬質塩化ビニル系エラストマ、ウレタン系エラストマ、アミド系エラストマ、アクリル系エラストマ、オレフィン系エラストマ、及びシリコーン系エラストマが挙げられる。エラストマが、スチレン系エラストマ、オレフィン系エラストマ、アクリル系エラストマ、シリコーン系エラストマ、又はこれらからの組み合わせであってもよい。エラストマは、硬化性樹脂と反応する官能基（例えばカルボキシル基）を有していてもよい。硬化性樹脂と反応する官能基を有するエラストマは、仮固定用樹脂層の耐熱性を向上させ得る。
　エラストマは、炭化水素で構成される主鎖を有する炭化水素樹脂であってもよい。硬化性樹脂組成物がエラストマとして炭化水素樹脂を含んでいると、半導体部材３を仮固定用樹脂層１０に低温で貼り付け易い。炭化水素樹脂であるエラストマの例は、スチレンをモノマー単位として含むスチレン系エラストマ、及びオレフィンをモノマー単位として含むオレフィン系エラストマである。
　スチレン系エラストマは、オレフィン及びスチレンをモノマー単位として含む共重合体であってもよい。エチレン・スチレン共重合体、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、及びこれらの水素添加物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。これらのエラストマは、カルボキシル基を有していてもよい。カルボキシル基は、例えば、無水マレイン酸等を用いた変性によって導入される。エラストマは、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）であってもよい。
　オレフィン系エラストマの例としては、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１－ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・１－ブテン共重合体、エチレン・１－ヘキセン共重合体、エチレン・１－オクテン共重合体、エチレン・ノルボルネン共重合体、プロピレン・１－ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・非共役ジエン共重合体、エチレン・１－ブテン・非共役ジエン共重合体、エチレン・プロピレン・１－ブテン・非共役ジエン共重合体、ポリイソプレン、及びポリブタジエンが挙げられる。
　エラストマの重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万～５００万又は１０万～２００万であってよい。重量平均分子量が１万以上であると、仮固定用樹脂層１０の耐熱性を確保し易くなる傾向にある。重量平均分子量が５００万以下であると、仮固定用樹脂層１０のフローの低下及び貼付性の低下を抑制し易い傾向にある。ここでの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
　エラストマの含有量は、仮固定用樹脂層１０を構成する硬化性樹脂組成物の全質量１００質量部に対して、４０質量部以上、５０質量部以上又は６０質量部以上で９０質量部以下であってもよく、４０質量部以上、５０質量部以上又は６０質量部以上で８５質量部以下であってもよく、４０質量部以上、５０質量部以上又は６０質量部以上で８０量部以下であってもよい。エラストマの含有量がこれら数値範囲内にあると、薄く平坦な仮固定用樹脂層１０を形成し易い傾向にある。また、仮固定用樹脂層１０が、低温での良好な貼付性と、硬化後の適切な貯蔵弾性率を有し易い傾向がある。ここで、「硬化性樹脂組成物の全質量」は、後述の溶剤を除く成分の合計質量を意味する。
　硬化性樹脂は、硬化反応により硬化性樹脂組成物を硬化させる成分であり、硬化のための反応性官能基を有する化合物である。硬化反応は、硬化性樹脂と硬化剤との反応、硬化性樹脂の自己重合、又はこれらの組み合わせであることができる。硬化性樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビスマレイミド樹脂、及びシアネート樹脂が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化性樹脂は、耐熱性、作業性、及び信頼性により優れることから、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はこれらの組み合わせを含んでいてもよい。
　エポキシ樹脂は、１以上のエポキシ基を有する化合物である。エポキシ樹脂は、２以上のエポキシ基を有していてもよい。２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂（フェノールノボラック型エポキシ樹脂等）、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、及び脂環式エポキシ樹脂が挙げられる。
　硬化性樹脂組成物が硬化性樹脂の熱硬化のための硬化剤を含んでいてもよい。硬化性樹脂及びその硬化剤の合計の含有量は、硬化性樹脂組成物の全質量１００質量部に対して、１０質量部以上、１５質量部以上又は２０質量部以上で６０質量部以下であってもよく、１０質量部以上、１５質量部以上又は２０質量部以上で５０質量部以下であってもよく、１０質量部以上、１５質量部以上又は２０質量部以上で４０質量部以下であってもよい。硬化性樹脂及びその硬化剤の合計の含有量がこれら範囲内にあると、薄く平坦な仮固定用樹脂層を容易に形成できる傾向、及び、硬化した仮固定用樹脂層１０の耐熱性がより優れる傾向がある。
　硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂の硬化剤を含んでいてもよい。エポキシ樹脂の硬化剤は、特に制限されないが、その例としては、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノール（ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等）、及びフェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等）が挙げられる。
　硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂等の硬化性樹脂の硬化反応を促進する硬化促進剤を更に含んでいてもよい。硬化促進剤の例としては、イミダゾール化合物、ジシアンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、及び１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレートが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　硬化促進剤の含有量は、硬化性樹脂及び硬化剤の合計量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。硬化促進剤の含有量がこの範囲内であると、仮固定用樹脂層の硬化性と硬化後の耐熱性がより優れる傾向にある。
　硬化性樹脂が重合性不飽和基を有する重合性モノマーであってもよく、その場合、硬化性樹脂組成物が重合開始剤を更に含んでいてもよい。
　重合性モノマーは、エチレン性不飽和基等の重合性不飽和基を有する化合物である。重合性モノマーは、１官能、２官能、又は３官能以上のいずれであってもよいが、充分な硬化性を得る観点から、２官能以上の重合性モノマーを用いてもよい。重合性モノマーの例としては、（メタ）アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルエステル、ビニルピリジン、ビニルアミド、及びアリール化ビニルが挙げられる。重合性モノマーが、（メタ）アクリレート又は（メタ）アクリル酸であってもよい。（メタ）アクリレートは、単官能（メタ）アクリレート、２官能（メタ）アクリレート、３官能以上の多官能（メタ）アクリレート、又はこれらの組み合わせであってもよい。
　単官能（メタ）アクリレートの例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、及びモノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；並びに、ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ－ビフェニル（メタ）アクリレート、１－ナフチル（メタ）アクリレート、２－ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ－クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（ｏ－フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（１－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、及び２－ヒドロキシ－３－（２－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレートが挙げられる。
　２官能（メタ）アクリレートの例としては、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、３－メチル－１，５－ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、２－ブチル－２－エチル－１，３－プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０－デカンジオールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、及びエトキシ化２－メチル－１，３－プロパンジオールジ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；並びに、エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、及びエトキシ化プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレートが挙げられる。
　３官能以上の多官能（メタ）アクリレートの例としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、及びジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；並びに、フェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、及びクレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等の芳香族エポキシ（メタ）アクリレートが挙げられる。
　これらの（メタ）アクリレートは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの（メタ）アクリレートをその他の重合性モノマーと組み合わせてもよい。
　重合性モノマーの含有量は、仮固定用樹脂層１０を構成する硬化性樹脂組成物の質量１００質量部に対して、１０～６０質量部であってよい。
　重合開始剤は、加熱又は紫外光等の照射によって重合性モノマーの重合反応を開始させる化合物である。例えば、重合性モノマーがエチレン性不飽和基を有する化合物である場合、重合開始剤は熱ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合開始剤又はこれらの組み合わせであってよい。
　熱ラジカル重合開始剤の例としては、オクタノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ステアリルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド；ｔ－ブチルパーオキシピバレート、ｔ－ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（２－エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ－ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシラウリレート、ｔ－ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ－ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルパーオキシアセテート等のパーオキシエステル；並びに、２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、２，２’－アゾビス（４－メトキシ－２’－ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物が挙げられる。
　光ラジカル重合開始剤の例としては、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のベンゾインケタール；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン等のα－ヒドロキシケトン；並びに、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシドが挙げられる。
　これらの熱及び光ラジカル重合開始剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　重合開始剤の含有量は、重合性モノマーの総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。
　仮固定用樹脂層１０を構成する硬化性樹脂組成物は、絶縁性フィラー、増感剤、及び酸化防止剤等から選ばれる１種以上のその他の成分を更に含んでいてもよい。
　絶縁性フィラーは、硬化性樹脂組成物に低熱膨張性、低吸湿性を付与する目的で添加される。絶縁性フィラーの例としては、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、セラミック等の非金属無機フィラーが挙げられる。これらの絶縁性フィラーは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　絶縁性フィラーの含有量は、仮固定用樹脂層１０を構成する硬化性樹脂組成物の全質量１００質量部に対して、５～２０質量部であってよい。絶縁性フィラーの含有量がこの数値範囲内にあると、硬化した仮固定用樹脂層１０が優れた耐熱性及び良好な剥離性を有する傾向がある。
　増感剤の例としては、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンゾピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン－９－オン、２－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、４－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、及び１－クロロ－４‐プロポキシチオキサントンが挙げられる。増感剤の含有量は、仮固定用樹脂層１０を構成する硬化性樹脂組成物の全質量１００質量部に対して、０．０１～１０質量部であってもよい。
　酸化防止剤の例としては、ベンゾキノン、ハイドロキノン等のキノン誘導体、４－メトキシフェノール、４－ｔ－ブチルカテコール等のフェノール誘導体、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル、４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル等のアミノキシル誘導体、並びに、テトラメチルピペリジルメタクリレート等のヒンダードアミン誘導体が挙げられる。酸化防止剤の含有量は、仮固定用樹脂層１０を構成する硬化性樹脂組成物の全質量１００質量部に対して、０．１～１０質量部であってもよい。
　図４は、仮固定用フィルム材１を製造する方法の一例を示す工程図である。図４に示される方法は、第一の剥離フィルム１１の剥離面１１Ｓ上に溶剤を含む樹脂ワニスを塗布して樹脂ワニスの膜を形成し、続いて膜から溶剤を除去することにより、第一の剥離フィルム１１に接する第一の主面１０Ｓ１及びその反対側の第二の主面１０Ｓ２を有する仮固定用樹脂層１０を第一の剥離フィルム１１上に形成することと、仮固定用樹脂層１０の第二の主面１０Ｓ２に第二の剥離フィルム１２を貼り合わせることとを含む。
　このような樹脂ワニスの塗布を含む方法によって仮固定用樹脂層１０が形成される場合、通常、樹脂ワニスが塗布された第一の剥離フィルム１１に接する第一の主面１０Ｓ１における硬化性樹脂の比率よりも、形成された仮固定用樹脂層１０に貼り合わせられる第二の剥離フィルム１２に接する第二の主面１０Ｓ２における硬化性樹脂の比率のほうが小さい。
　したがって、形成された仮固定用樹脂層１０の保護フィルムとして積層される第二の剥離フィルム１２側の第二の主面１０Ｓ２を、半導体部材３を仮固定するための表面として利用することによって、樹脂残渣を低減することができる。通常、保護フィルムはフィルム材の使用時に最初に剥離されるため、樹脂ワニスが塗布される基材フィルムよりも相対的に剥離力の小さい、易剥離性のフィルムが用いられる。しかし、基材フィルムとして用いられる第一の剥離フィルム１１の仮固定用樹脂層１０に接する剥離面１１Ｓの剥離力が、第二の剥離フィルム１２（保護フィルム）の仮固定用樹脂層１０に接する剥離面１２Ｓの剥離力よりも小さくなるように、第一の剥離フィルム１１及び第二の剥離フィルム１２を選択することにより、仮固定用フィルム材１から、第二の剥離フィルム１２を残しながら最初に第一の剥離フィルム１１を剥離することを含む上述の方法において仮固定用フィルム材１を容易に適用することができる。
　一般に、剥離フィルムは剥離性の程度によって分類されたものが市販品として利用できる。例えば、第一の剥離フィルム１１として軽剥離性の剥離フィルムを用い、第二の剥離フィルムとして重剥離性の剥離フィルムを用いてもよい。例えば、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムであって、種々の剥離力を有するように離型処理された剥離面を有するものが商業的に利用可能である。
　仮固定用樹脂層１０を形成するために用いられる樹脂ワニスは、以上例示された硬化性樹脂組成物の各成分と溶剤とを含む。溶剤の例としては、トルエン、キシレン、メシチレン、プソイドクメン、デカヒドロナフタレン、テトラリン、ノルマルペンタン、ノルマルヘキサン、ノルマルヘプタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン及びリモネン等の炭化水素系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸イソブチル及び乳酸エチル等のエステル系溶剤；アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン及びシクロヘキサノン等のケトン系溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル及びエチレングリコールモノプロピルエーテル等のグリコールエーテル系溶剤；メタノール、エタノール、ノルマルプロパノール、イソプロピルアルコール、ノルマルブチルアルコール及びイソブチルアルコール等のアルコール系溶剤；１，３－ジオキソラン、１，４－ジオキサン、ジエチルエーテル及びテトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤；Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ,Ｎ－ジメチルホルムアミド及びＮ,Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤；Ｎ,Ｎ－ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤；並びに、アセトニトリル及びイソブチロニトリル等のニトリル系溶剤が挙げられる。
　溶剤の沸点が２１０℃以下であってもよい。溶剤は、２種以上の溶剤を含む混合溶剤であってもよい。沸点の異なる２種以上の溶剤を含む樹脂ワニスから溶剤を除去することによって、仮固定用樹脂層の厚み方向における硬化性樹脂の比率の偏りが生じ、その結果Ａ２がＡ１よりも小さい仮固定用樹脂層１０が形成され易い傾向がある。例えば、１種以上の炭化水素系溶剤と１種以上のケトン系溶剤との組み合わせ、及び、１種以上のエステル系溶剤と１種以上のケトン系溶剤との組み合わせは、Ａ２がＡ１よりも小さい仮固定用樹脂層１０を与え易い。この傾向は、例えば仮固定用樹脂層１０がエポキシ樹脂及びスチレン系エラストマを含む樹脂ワニスから形成される場合に特に顕著である。樹脂ワニスにおける、溶剤以外の成分の濃度は、樹脂ワニスの質量を基準として例えば１０～４０質量％であってもよい。
　図５、図６及び図７は、半導体装置を製造する方法の別の一例を示す工程図である。図５～７に示される方法は、主に、第一の硬化性樹脂層１０Ａ、光吸収層２２及び第二の硬化性樹脂層１０Ｂを有する仮固定用フィルム材１Ｂを用いて仮固定用積層体１５が形成される点が図１～３の方法と異なる。以下、図１～３の方法と異なる点を中心にして、各工程について説明する。
　図５の（a）に示される仮固定用フィルム材１Ｂは、剥離フィルム１３、第一の硬化性樹脂層１０Ａ、光吸収層２２、第二の硬化性樹脂層１０Ｂ、及び剥離フィルム１４をこの順に備える。
　第二の硬化性樹脂層１０Ｂは、半導体部材を仮固定するための仮固定用樹脂層として用いられる層である。第二の硬化性樹脂層１０Ｂは、図１に示される仮固定用フィルム材１を構成する仮固定用樹脂層１０を形成する硬化性樹脂組成物と同様の硬化性樹脂組成物から形成された層であることができる。第一の硬化性樹脂層１０Ａも、仮固定用樹脂層１０を形成する硬化性樹脂組成物と同様の硬化性樹脂組成物から形成された層であることができる。第一の硬化性樹脂層１０Ａ及び第二の硬化性樹脂層１０Ｂが、同じ硬化性樹脂組成物から形成されていてもよい。
　第一の硬化性樹脂層１０Ａの厚みは、光透過性の観点から、例えば、２００μｍ以下であってよく、０．１～１５０μｍ又は１～１００μｍであってもよい。第二の硬化性樹脂層１０Ｂの厚みは、応力緩和の観点から、例えば、２００μｍ以下であってよく、１～１５０μｍ又は１０～１００μｍであってもよい。
　仮固定用樹脂層として用いられる第二の硬化性樹脂層１０Ｂは、光吸収層２２に接する第一の主面１０Ｓ１及びその反対側の第二の主面１０Ｓ２を有する。第二の硬化性樹脂層１０Ｂの第二の主面１０Ｓ２における硬化性樹脂の比率Ａ２は、第二の硬化性樹脂層１０Ｂの第一の主面１０Ｓ１における硬化性樹脂の比率Ａ１よりも小さい。Ａ２／Ａ１は、１．０未満、０．９以下、０．８以下、又は０．７以下であってもよく、０．１以上、０．２以上、０．３以上、０．４以上、又は０．５以上であってもよい。
　第一の硬化性樹脂層１０Ａの剥離フィルム１３側の主面における硬化性樹脂の比率Ａ２’が、第一の硬化性樹脂層１０Ａの光吸収層２２側の主面における硬化性樹脂の比率Ａ１’よりも小さくてもよい。Ａ２’がＡ１’よりも小さいと、半導体部材が分離された後で、支持部材２（支持基板）から第一の硬化性樹脂層１０Ａを剥離したときに発生する支持基板上の樹脂残渣を低減することができ、支持基板の再利用が容易になるという点で有利である。Ａ２’／Ａ１’が、Ａ２／Ａ１と同じでも異なってもよい。
　仮固定用フィルム材１Ｂを構成する光吸収層２２は、図１に示される仮固定用フィルム材１を構成する光吸収層２２と同様の層であることができる。仮固定用フィルム材１Ｂを構成する光吸収層２２は、特に金属箔であってもよい。光吸収層２２として用いられる金属箔の厚みは、放熱抑制による温度上昇の促進等の観点から、例えば、１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下、４０μｍ以下、３０μｍ以下、又は２０μｍ以下であってもよく、１μｍ以上であってもよい。
　剥離フィルム１３及び１４は、それぞれ、第一の硬化性樹脂層１０Ａ及び第二の硬化性樹脂層１０Ｂと接して設けられている。第一の硬化性樹脂層１０Ａ側の剥離フィルム１３は、第一の剥離フィルム１１と同様のフィルムであってもよい。第二の硬化性樹脂層１０Ｂ側の剥離フィルム１４は、第二の剥離フィルム１２と同様のフィルムであってもよい。剥離フィルム１３の第一の硬化性樹脂層１０Ａに接する剥離面１１Ｓの剥離力が、第二の硬化性樹脂層１０Ｂ側の剥離フィルム１４の第二の硬化性樹脂層１０Ｂに接する剥離面１４Ｓの剥離力よりも小さくてもよい。
　仮固定用フィルム材１Ｂは、例えば、第一の硬化性樹脂層１０Ａ、及び第二の硬化性樹脂層１０Ｂを準備することと、これらを光吸収層２２（例えば金属箔）の両面にそれぞれ積層することとを含む方法によって、製造することができる。第一の硬化性樹脂層１０Ａ及び第二の硬化性樹脂層１０Ｂは、例えば、仮固定用フィルム材１の仮固定用樹脂層１０と同様の方法で製造することができる。
　仮固定用積層体１５は、図５の（ｂ）～（ｄ）に示されるように、仮固定用フィルム材１Ｂから第一の硬化性樹脂層１０Ａ側の剥離フィルム１３を剥離し、露出した第一の硬化性樹脂層１０Ａが支持部材２（支持基板）の支持面２１Ｓ１に接する向きで、仮固定用フィルム材１Ｂを支持面２１Ｓ１上に積層することと、次いで第二の硬化性樹脂層１０Ｂ側の剥離フィルム１４を剥離することとを含む方法によって形成される。
　図６に示されるように、剥離フィルム１４の剥離によって露出した第二の主面１０Ｓ２に半導体部材３が仮固定され、仮固定された半導体部材３が加工される。
　図７の（ｇ）に示されるように、半導体部材３を封止する封止層４を第二の硬化性樹脂層１０Ｂ（仮固定用樹脂層）上に形成し、それにより半導体部材３及び封止層４を有する封止構造体５０を形成してもよい。図７の（ｈ）及び（ｉ）に示されるように、仮固定用積層体１５に対して裏面２１Ｓ２側から光ｈνを照射することによって光吸収層２２から第二の硬化性樹脂層１０Ｂ（仮固定用樹脂層）を分離することと、第二の硬化性樹脂層１０Ｂ（仮固定用樹脂層）を半導体部材３（又は封止構造体５０）から剥離することとをこの順に含む方法によって、半導体部材３（又は封止構造体５０）が第二の硬化性樹脂層１０Ｂ（仮固定用樹脂層）から分離される。
　本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
検討１
１－１．基材フィルム（第一の剥離フィルム）及び保護フィルム（第二の剥離フィルム）
　基材フィルム又は保護フィルムとして用いられる以下の剥離フィルムを準備した。
・ピューレックスＡ３１Ｂ（商品名）：軽剥離タイプ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、東洋紡フイルムソリューション株式会社、厚み：３８μｍ
・ピューレックスＡ７０Ｊ（商品名）：重剥離タイプ、ＰＥＴフィルム、東洋紡フイルムソリューション株式会社、厚み：３８μｍ
１－２．樹脂ワニス
　無水マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（商品名：ＦＧ１９２４ＧＴ、クレイトンポリマージャパン株式会社、スチレン含有量１３質量％）３５質量部、無水マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（商品名：ＦＧ１９０１ＧＴ、クレイトンポリマージャパン株式会社、スチレン含有量３０質量％）３５質量部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（商品名：ＨＰ７２００Ｈ、ＤＩＣ株式会社）１５質量部、ナフタレン型エポキシ樹脂（商品名：ＨＰ４７１０、ＤＩＣ株式会社）１５質量部、フェノール系酸化防止剤（商品名：ＡＯ－６０、株式会社ＡＤＥＫＡ）０．８質量部、及び１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール（商品名：２ＰＺ－ＣＮ、四国化成工業株式会社）０．５質量部と、溶媒としてトルエン及びシクロヘキサノンとを含む樹脂ワニスを調製した。トルエンとシクロヘキサノンとの質量比は１．０：１．０であった。
１－３．仮固定用フィルム材（第一の剥離フィルム／仮固定用樹脂層／第二の剥離フィルム）
実施例１
　得られた樹脂ワニスを、精密塗工機を用いて、基材フィルム（ピューレックスＡ３１Ｂ、軽剥離タイプ）の剥離面に塗布した。塗膜から、９０℃で５分間、及びそれに続く１００℃で５分間の加熱によって溶剤を除去し、厚みが８０μｍの仮固定用樹脂層を形成した。仮固定用樹脂層の基材フィルムとは反対側の面に、保護フィルム（ピューレックスＡ７０Ｊ、重剥離タイプ）を、仮固定用樹脂層にその剥離面が接する向きで貼り合わせた。これにより、基材フィルム（第一の剥離フィルム）、仮固定樹脂層、及び保護フィルム（第二の剥離フィルム）から構成される、実施例１の仮固定用フィルム材を得た。
比較例１
　樹脂ワニスが塗布される基材フィルム（第一の剥離フィルム）を重剥離タイプのピューレックスＡ７０Ｊに変更し、保護フィルム（第二の剥離フィルム）を軽剥離タイプのピューレックスＡ３１Ｂに変更したこと以外は実施例と同様の方法によって、比較例１の仮固定用フィルム材を得た。
１－４．評価
赤外吸収スペクトル
　実施例１の仮固定用フィルム材から基材フィルム（第一の剥離フィルム）及び保護フィルム（第二の剥離フィルム）を剥離し、露出した仮固定用樹脂層のそれぞれの表面（基材フィルム側又は保護フィルム側の主面）の赤外吸収スペクトルを、全反射測定法によって測定した。それぞれの赤外吸収スペクトルにおいて、エラストマ（無水マレイン酸変性スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体）に由来する６８０～７１０ｃｍ－１の吸収ピークの面積Ｐ１、及びエポキシ樹脂に由来する８８０～９５５ｃｍ－１の吸収ピークの面積Ｐ２を求め、両者の比Ｐ２／Ｐ１を算出した。得られたＰ２／Ｐ１の値を用いて、以下の式によってＡ２／Ａ１を算出した。
Ａ２／Ａ１＝（基材フィルム側の主面におけるＰ２／Ｐ１）／（保護フィルム側の主面におけるＰ２／Ｐ１）
　ここで、仮固定用樹脂層の基材フィルム側の主面におけるＰ２／Ｐ１は、実施例１と比較例１とで同等であり、仮固定用樹脂層の保護フィルム側の主面におけるＰ２／Ｐ１は、実施例１と比較例１とで同等であると考えられる。したがって、実施例１の仮固定用フィルム材を用いて求められたＰ１／Ｐ２の値を用いて、比較例１の仮固定用フィルム材についても、Ａ１／Ａ２の値を求めることができる。
　Ａ１／Ａ２の値は、実施例１において０．６０で、比較例１において１．７であった。すなわち、実施例１ではＡ２がＡ１よりも小さく、比較例１ではＡ２がＡ１よりも大きいことが確認された。
光照射による剥離試験
　ガラス基板、及びガラス基板上にスパッタ法によって形成された金属層（Ｔｉ層（厚み５０ｎｍ）／銅層（２００ｎｍ）の積層体）を有する金属層付支持部材を準備した。実施例１の仮固定用フィルム材から基材フィルムを剥がし、仮固定用樹脂層の露出した主面が金属層に接する向きで、仮固定用フィルム材を金属層上に積層した。次いで、仮固定用樹脂層上に残っていた保護フィルムを剥がした。仮固定樹脂層の露出した主面（保護フィルム側の主面）上に、接続端子としてのバンプを有する半導体チップを載せ、その状態で仮固定用樹脂層を熱硬化することにより、半導体チップをバンプが仮固定用樹脂層に埋め込まれるように仮固定した。半導体チップを封止する封止層を、封止剤を用いて形成し、それにより半導体チップ及び封止層から構成される封止構造体を、仮固定用樹脂層の保護フィルム側の主面上に形成した。
　比較例１の仮固定用フィルム材から保護フィルムを剥がし、仮固定用樹脂層の露出した主面（保護フィルム側の主面）が金属層に接する向きで、仮固定用フィルム材を上記と同様の金属層付支持部材の金属層上に積層した。次いで、仮固定用樹脂層上に残っていた基材フィルムを剥がした。仮固定用樹脂層の露出した主面（基材フィルム側の主面）上に、接続端子としてのバンプを有する半導体チップを載せ、その状態で仮固定用樹脂層を熱硬化することにより、半導体チップをバンプが仮固定用樹脂層に埋め込まれるように仮固定した。半導体チップを封止する封止層を、封止剤を用いて形成し、それにより半導体チップ及び封止層から構成される封止構造体を、仮固定用樹脂層の基材フィルム側の主面上に形成した。
　ガラス基板側から光量４．２Ｊ／ｃｍ２（パルス長３００μｓ）の光をキセノンランプ（PulseForge（商標登録）1300、NovaCentrix社製）で照射した。実施例１の仮固定用フィルムの場合、光量４．２Ｊ／ｃｍ２の光照射によって仮固定用樹脂層から支持部材が応力を必要とせず自然に剥離した。比較例１の仮固定用フィルムの場合、光量４．２Ｊ／ｃｍ２の光照射によって仮固定用樹脂層が支持部材から剥離せず、光量を４．６Ｊ／ｃｍ２（パルス長３００μｓ）に変更しても仮固定用樹脂層から支持部材が剥離しなかった。光量を５．１Ｊ／ｃｍ２（パルス長３３０μｓ）に変更すると、比較例の仮固定用フィルムの仮固定用樹脂層から支持部材が剥離した。ただし、剥離のためにやや応力を加える必要があった。
仮固定樹脂層剥離後の残渣
　光照射による剥離の後、封止構造体上に残った仮固定用樹脂層に引張応力を加えてこれを引き剥がした。その後、露出した半導体チップの表面を観察し、仮固定用樹脂層の残渣の有無を確認した。実施例１の場合、残渣は認められなかった。比較例１の場合、残渣が多く認められた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示されるように、硬化性樹脂の比率の比率Ａ２／Ａ１が小さい、言い換えると半導体チップに接する主面における硬化性樹脂の比率が相対的に小さい実施例１の場合、小さい光量の光照射によって仮固定用樹脂層が支持部材から良好に剥離し、しかも封止構造体から仮固定用樹脂層を剥離したときに封止構造体表面上に残る残渣の発生が抑制されることが確認された。
検討２
２－１．仮固定用フィルム材（剥離フィルム／第一の硬化性樹脂層／銅箔／第二の硬化性樹脂層／剥離フィルム）
　銅箔（ＣＦ－Ｔ４ＣＸ－ＨＤ（商品名）：福田金属箔粉工業株式会社、厚み：１８μｍ）を準備した。実施例１の仮固定用フィルム材から基材フィルム（第一の剥離フィルム）を剥がし、露出した仮固定用樹脂層が銅箔に接する向きで、仮固定用フィルム材を銅箔の非光沢面上及び光沢面上にロールラミネーター（１００℃、０．２ＭＰａ、０．５ｍ/ｍｉｎ）で積層して、銅箔と、銅箔の非光沢面側に配置された第一の硬化性樹脂層と、銅箔の光沢面側に配置された第二の硬化性樹脂層（仮固定用樹脂層）とを有し、第二の硬化性樹脂層（仮固定用樹脂層）の基材フィルム側の主面が銅箔に接している積層体である仮固定用フィルム材を得た。
比較例２
　実施例１の仮固定用フィルム材に代えて比較例１の仮固定用フィルム材を用いたこと以外は実施例２と同様にして、第一の硬化性樹脂層（仮固定用樹脂層）、銅箔（光吸収層）及び第二の硬化性樹脂層（仮固定用樹脂層）を有し、第二の硬化性樹脂層（仮固定用樹脂層）の保護フィルム側の主面が銅箔に接している積層体である仮固定用フィルム材を得た。
光照射による剥離試験
　実施例２又は比較例２の仮固定用フィルム材を、第一の硬化性樹脂層がガラス基板に接するように、支持部材としてのガラス基板上に積層した。次いで、第二の硬化性樹脂層（仮固定用樹脂層）上に残っていた剥離フィルムを剥がした。第一の硬化性樹脂層（仮固定用樹脂層）の露出した主面上に、接続端子としてのバンプを有する半導体チップを載せ、その状態で第一及び第二の硬化性樹脂層を熱硬化することにより、半導体チップをバンプが第二の硬化性樹脂層に埋め込まれるように仮固定した。半導体チップを封止する封止層を、封止剤を用いて形成し、それにより半導体チップ及び封止層から構成される封止構造体を、第二の硬化性樹脂層の主面上に形成した。
　ガラス基板側から光量１０．３Ｊ／ｃｍ２（パルス長１２００μｓ）の光をキセノンランプ（PulseForge（商標登録）1300、NovaCentrix社製）で照射した。実施例２の仮固定用フィルム材の場合、光量１０．３Ｊ／ｃｍ２の光照射によって第二の硬化性樹脂層が銅箔から剥離した。ただし、剥離のためにやや応力を加える必要があった。光量を１０．５Ｊ／ｃｍ２（パルス長１５００μｓ）に変更したところ、応力を必要とせず第二の硬化性樹脂層が銅箔から自然に剥離した。比較例２の仮固定用フィルム材の場合、光量１０．３Ｊ／ｃｍ２の光照射によって第二の硬化性樹脂層が銅箔から剥離しなかった。光量を１０．５Ｊ／ｃｍ２（パルス長１５００μｓ）に変更すると、第二の硬化性樹脂層が銅箔から応力を必要とせず自然に剥離した。
仮固定樹脂層剥離後の残渣
　光照射による剥離の後、封止構造体上に残った第二の硬化性樹脂層に引張応力を加えてこれを引き剥がした。その後、露出した半導体チップの表面を観察し、第二の硬化性樹脂層の残渣の有無を確認した。実施例２の場合、残渣は認められなかった。比較例２の場合、残渣が多く認められた。
　１，１Ｂ…仮固定用フィルム材、２…支持部材、３…半導体部材、４…封止層、１０…仮固定用樹脂層、１０Ａ…第一の硬化性樹脂層、１０Ｂ…第二の硬化性樹脂層、１０Ｓ１…第一の主面、１０Ｓ２…第二の主面、１１…第一の剥離フィルム、１１Ｓ，１２Ｓ…剥離面、１２…第二の剥離フィルム、１５…仮固定用積層体、２１…支持基板、２１Ｓ１…支持面、２１Ｓ２…裏面、２２…光吸収層、５０…封止構造体。

Claims (11)

  1. 　支持面及びその反対側の裏面を有する支持基板と光吸収層と第一の主面及びその反対側の第二の主面を有する仮固定用樹脂層とを備え、前記支持面側から前記光吸収層及び前記仮固定用樹脂層がこの順で積層されている、仮固定用積層体を形成することと、
    　前記仮固定用樹脂層上に半導体部材を仮固定することと、
    　前記半導体部材を前記仮固定用樹脂層から分離することと、
    をこの順に含み、
    　前記仮固定用積層体において、前記仮固定用樹脂層が、前記第一の主面が前記光吸収層に接する向きで配置されており、
    　前記半導体部材が、前記仮固定用樹脂層の前記第二の主面上に前記半導体部材を配置することと、前記仮固定用樹脂層を硬化させることとをこの順に含む方法によって前記仮固定用樹脂層上に仮固定され、
    　前記半導体部材が、前記仮固定用積層体に対して前記裏面側から光を照射することによって前記光吸収層から前記仮固定用樹脂層を分離することと、前記仮固定用樹脂層を前記半導体部材から剥離することとをこの順に含む方法によって、前記仮固定用樹脂層から分離され、
    　前記仮固定用樹脂層が、硬化性樹脂及びエラストマを含有する硬化性樹脂組成物を含む層であり、
    　前記エラストマの存在量に対する前記硬化性樹脂の存在量の比が、前記第一の主面においてＡ１で、前記第二の主面においてＡ２であるとき、Ａ２がＡ１よりも小さい、
    半導体装置を製造する方法。
  2. 　前記仮固定用積層体が、
    　前記仮固定用樹脂層、第一の剥離フィルム、及び第二の剥離フィルムを有し、前記第一の剥離フィルムが前記仮固定用樹脂層の前記第一の主面に接し、前記第二の剥離フィルムが前記仮固定用樹脂層の前記第二の主面に接する向きで、前記第一の剥離フィルム、前記仮固定用樹脂層、及び前記第二の剥離フィルムがこの順に積層されている、仮固定用フィルム材を準備することと、
    　前記仮固定用フィルム材から前記第一の剥離フィルムを剥離し、前記仮固定用樹脂層の露出した前記第一の主面が前記光吸収層に接する向きで、前記仮固定用フィルム材を、前記支持面上に設けられた前記光吸収層上に積層することと、
    　前記仮固定用フィルム材から前記第二の剥離フィルムを剥離し、前記仮固定用樹脂層の前記第二の主面を露出させることと、
    をこの順に含む方法によって形成される、
    請求項１に記載の方法。
  3. 　前記仮固定用積層体が、
    　第一の硬化性樹脂層、前記光吸収層、及び第二の硬化性樹脂層をこの順に備え、前記第二の硬化性樹脂層が、前記光吸収層に前記第一の主面が接する向きで配置された前記仮固定用樹脂層である、仮固定用フィルム材を準備することと、
    　前記仮固定用フィルム材を、前記支持面に前記第一の硬化性樹脂層が接する向きで、前記支持面上に積層することと、
    を含む方法によって形成される、
    請求項１に記載の方法。
  4. 　前記光吸収層が金属層である、請求項１～３のいずれか一項に記載の方法。
  5. 　当該方法が、前記仮固定用樹脂層上に仮固定された前記半導体部材を加工することを更に含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。
  6. 　当該方法が、前記半導体部材を封止する封止層を前記仮固定用樹脂層上に形成し、それにより前記半導体部材及び前記封止層を有する封止構造体を形成することを更に含み、
    　前記封止構造体が、前記仮固定用積層体に対して前記裏面側から光を照射することによって前記光吸収層から前記仮固定用樹脂層を分離することと、前記仮固定用樹脂層を前記封止構造体から剥離することとをこの順に含む方法によって、前記仮固定用樹脂層から分離される、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
  7. 　第一の剥離フィルム上に溶剤を含む樹脂ワニスを塗布して前記樹脂ワニスの膜を形成し、続いて前記膜から前記溶剤を除去することにより、前記第一の剥離フィルムに接する第一の主面及びその反対側の第二の主面を有する仮固定用樹脂層を前記第一の剥離フィルム上に形成することと、
    　前記仮固定用樹脂層の前記第二の主面に第二の剥離フィルムを貼り合わせることと、
    を備え、
    　前記第一の剥離フィルムの前記仮固定用樹脂層に接する面の剥離力が、前記第二の剥離フィルムの前記仮固定用樹脂層に接する面の剥離力よりも小さく、
    　前記仮固定用樹脂層が、硬化性樹脂及びエラストマを含有する硬化性樹脂組成物を含む層であり、
    　前記エラストマの存在量に対する前記硬化性樹脂の存在量の比が、前記第一の主面においてＡ１で、前記第二の主面においてＡ２であるとき、Ａ２がＡ１よりも小さい、
    仮固定用フィルム材を製造する方法。
  8. 　前記溶剤が、２種以上の溶剤を含む混合溶剤である、請求項７に記載の方法。
  9. 　第一の主面及びその反対側の第二の主面を有する仮固定用樹脂層、第一の剥離フィルム、及び第二の剥離フィルムを有し、
    　前記第一の剥離フィルムが前記仮固定用樹脂層の前記第一の主面に接し、前記第二の剥離フィルムが前記仮固定用樹脂層の前記第二の主面に接する向きで、前記第一の剥離フィルム、前記仮固定用樹脂層、及び前記第二の剥離フィルムがこの順に積層されており、
    　前記第一の剥離フィルムの前記仮固定用樹脂層に接する面の剥離力が、前記第二の剥離フィルムの前記仮固定用樹脂層に接する面の剥離力よりも小さく、
    　前記仮固定用樹脂層が、硬化性樹脂及びエラストマを含有する硬化性樹脂組成物を含む層であり、
    　前記エラストマの存在量に対する前記硬化性樹脂の存在量の比が、前記第一の主面においてＡ１で、前記第二の主面においてＡ２であるとき、Ａ２がＡ１よりも小さい、
    仮固定用フィルム材。
  10. 　第一の硬化性樹脂層、光吸収層、及び第二の硬化性樹脂層をこの順に備え、
    　前記第二の硬化性樹脂層が、前記光吸収層に接する第一の主面及びその反対側の第二の主面を有し、
    　前記第二の硬化性樹脂層が、硬化性樹脂及びエラストマを含有する硬化性樹脂組成物を含む層であり、
    　前記エラストマの存在量に対する前記硬化性樹脂の存在量の比が、前記第一の主面においてＡ１で、前記第二の主面においてＡ２であるとき、Ａ２がＡ１よりも小さい、
    仮固定用フィルム材。
  11. 　前記第一の硬化性樹脂層上に設けられた剥離フィルム、及び前記第二の硬化性樹脂層上に設けられた剥離フィルムを更に備える、請求項１０に記載の仮固定用フィルム材。
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