JP2016072612A - ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 - Google Patents
ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に積層された、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)からなる第二仮接着層との2層構造を有する、複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工体を提供する。
前記ウエハの表面に剥離可能に積層可能な、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体に剥離可能に積層可能な熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)からなる第二仮接着層との少なくとも2層構造を有する、複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材を提供する。
(b)前記重合体層(B)を熱硬化させる工程と、
(c)前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)を一体で剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法を提供する。
(b)前記重合体層(B)を熱硬化させる工程と、
(c)前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)を一体で剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法を提供する。
(A)の熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層からなる膜厚100nm未満の熱可塑性仮接着層と、
(B)の熱硬化性シロキサン変性重合体層からなる熱硬化性仮接着層
との2層系を有する仮接着材層を、ウエハと支持体の接合にウエハ側から(A)、(B)の順で形成した構造として使用することで、貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、簡単に製造する方法を見出した。
[仮接着材層]
−第一仮接着層(A)/熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層−
第一仮接着層は、熱可塑性のオルガノポリシロキサン重合体から構成される。熱可塑性のオルガノポリシロキサン重合体としては、例えば、R11R12SiO2/2で表されるシロキサン単位(D単位)を99.000〜99.999モル%、好ましくは99.500〜99.999モル%、R13R14R15SiO1/2で表されるシロキサン単位(M単位)を1.000〜0.001モル%、好ましくは0.500〜0.001モル%、R16SiO3/2で表されるシロキサン単位(T単位)を0.000〜0.500モル%、好ましくは0.000〜0.100モル%含有し、かつ重量平均分子量が200,000〜1,000,000、好ましくは400,000〜900,000で、更には分子量740以下の低分子量成分が0.5質量%以下である非反応性オルガノポリシロキサンが挙げられる。
本発明のウエハ加工体及びウエハ加工用仮接着材の構成要素である熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)は、熱硬化性シロキサン変性重合体層であれば特に限定されないが、下記一般式(1)あるいは(3)で示される熱硬化性シロキサン変性重合体を主成分とする熱硬化性組成物の層が好ましい。なお、重合体層(B)には、下記一般式(1)で示される重合体と、下記一般式(3)で示される重合体を併用することができる。その場合の割合(重合比)は、好ましくは(1):(3)=0.1:99.9〜99.9:0.1、より好ましくは(1):(3)=1:99〜99:1である。
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000、好ましくは10,000〜100,000のシロキサン結合含有重合体(フェノール基含有オルガノシロキサン結合含有高分子化合物)。
下記一般式(3)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体(エポキシ基含有シリコーン高分子化合物)。
本発明のウエハ加工用仮接着材には、上記各成分以外に任意成分を添加することができる。例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリジメチルジフェニルシロキサンなどの非反応性のポリオルガノシロキサン;フェノール系、キノン系、アミン系、リン系、ホスファイト系、イオウ系、チオエーテル系などの酸化防止剤;トリアゾール系、ベンゾフェノン系などの光安定剤;リン酸エステル系、ハロゲン系、リン系、アンチモン系などの難燃剤;カチオン活性剤、アニオン活性剤、非イオン系活性剤などの帯電防止剤;塗工の際の粘度を下げるための溶剤として、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、ヘキサン、オクタン、イソパラフィンなどの脂肪族系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸イソブチルなどのエステル系溶剤、ジイソプロピルエーテル、1,4−ジオキサンなどのエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶剤などが使用される。
本発明の薄型ウエハの製造方法は、半導体回路等を有するウエハと支持体との接着層として、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)と、熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)の2層からなる複合仮接着材層を用いることを特徴とする。本発明の製造方法により得られる薄型ウエハの厚さは、典型的には5〜300μm、より典型的には10〜100μmである。
工程(a)は、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、上記本発明のウエハ加工体に用いられる熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)と、熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)とからなる複合仮接着材層を介して、支持体に接合する際に、前記重合体層(B)の形成された支持体と、前記重合体層(A)の形成された回路付きウエハとを真空下で貼り合わせる工程、または、前記回路形成面上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)が形成され、該重合体層(A)上に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が形成された回路付きウエハと、支持体とを真空下で貼り合わせる工程である。
工程(b)は、前記重合体層(B)を熱硬化させる工程である。上記ウエハ加工体(積層体基板)が形成された後、120〜220℃、好ましくは150〜200℃で10分〜4時間、好ましくは30分〜2時間加熱することによって、前記重合体層(B)の硬化を行う。
工程(c)は、支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、即ち、工程(a)にて貼り合わせて得られたウエハ加工体のウエハ裏面側を研削又は研磨して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程である。ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石(ダイヤモンド等)に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する装置としては、例えば(株)ディスコ製DAG−810(商品名)等が挙げられる。また、ウエハ裏面側をCMP研磨してもよい。
工程(d)は、回路非形成面を研削したウエハ加工体、即ち、裏面研削によって薄型化されたウエハ加工体の回路非形成面に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、ウエハ表面処理、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、ウエハ表面処理のためのCVD、レーザーアニール、電極等の形成のための金属スパッタリング、蒸着、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、表面保護用の有機膜形成、TSV形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。このようなプロセスは、400℃程度までの高温領域で広い範囲に加工体として耐性を有する必要があり、特に300℃以上の温度でも強度、寿命のある加工体であることがよい。
工程(e)は、工程(d)で加工を施したウエハから支持体及びこの支持体に積層された前記重合体層(B)を一体に剥離する工程、即ち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ウエハ加工体から、支持体及び重合体層(B)を一体で剥離する工程である。この剥離工程は、一般に室温から60℃程度の比較的低温の条件で実施され、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式でウエハ加工体から剥離する方法等が挙げられる。
(f)加工を施したウエハの加工面(裏面)にダイシングテープを接着する工程と、
(g)ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程と、
(h)吸着面の温度が10℃から100℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記ウエハからピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
4つ口フラスコにオクタメチルシクロテトラシロキサン1,000g(3.38モル)及びヘキサメチルジシロキサン0.24g(0.0015モル)を仕込み、温度を110℃に保った。次いで、これに10質量%テトラブチルホスホニウムハイドロオキサイドシリコネート4gを加え、4時間かけて重合した後、160℃で2時間、後処理を行って、ジメチルポリシロキサンを得た。
このジメチルポリシロキサンを29Si−NMR法でD単位とM単位の割合を調べたところ、D単位99.978%、M単位0.022%で、おおよそ重合度9,000の下記構造のジメチルポリシロキサンと同定された。
4つ口フラスコにオクタメチルシクロテトラシロキサン1,000g(3.38モル)及びトリス(トリメチルシロキシ)メチルシラン0.93g(0.003モル)を仕込み、温度を110℃に保った。次いで、これに10質量%テトラブチルホスホニウムハイドロオキサイドシリコネート4gを加え、4時間かけて重合した後、160℃で2時間、後処理を行って、ジメチルポリシロキサンを得た。
このジメチルポリシロキサンを29Si−NMR法でD単位、M単位、T単位のそれぞれの割合を調べたところ、D単位99.911%、M単位0.067%、T単位0.022%であり、下記構造の分岐状ジメチルポリシロキサンと同定された。
樹脂合成例2で得られた重合体(a2)1gをイソドデカン99gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液(A−3)を得た。
樹脂合成例2で得られた重合体(a2)2.5gをイソドデカン97.5gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液(A−4)を得た。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコ内に9,9’−ビス(3−アリル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(M−1)43.1g、平均構造式(M−3)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン29.5g、トルエン135g、塩化白金酸0.04gを仕込み、80℃に昇温した。その後、1,4−ビス(ジメチルシリル)ベンゼン(M−5)17.5gを1時間掛けてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、85℃まで上昇した。滴下終了後、更に80℃で2時間熟成した後、トルエンを留去すると共に、シクロヘキサノンを80g添加して、樹脂固形分濃度50質量%のシクロヘキサノンを溶剤とする樹脂溶液を得た。この溶液の樹脂分の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量45,000であった。更に、この樹脂溶液50gに、架橋剤としてエポキシ架橋剤であるEOCN−1020(日本化薬(株)製)を7.5g、硬化触媒として、和光純薬工業(株)製、BSDM(ビス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン)を0.2g、さらに、酸化防止剤として、テトラキス[メチレン−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシハイドロシンナメート)]メタン(商品名:アデカスタブ AO−60)を0.1g添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液(B−1)を得た。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内にエポキシ化合物(M−2)84.1gをトルエン600gに溶解後、化合物(M−3)294.6g、化合物(M−4)25.5gを加え、60℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65〜67℃に昇温するのを確認後、更に、90℃まで加温し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン(MIBK)600gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)270gを添加して、固形分濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量28,000であった。更にこの樹脂溶液100gに4官能フェノール化合物であるTEP−TPA(旭有機材工業製)を9g、テトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製、リカシッドHH−A)0.2gを添加して、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液(B−2)を得た。
表面に高さ10μm、直径40μmの銅ポストが全面に形成された直径200mmシリコンウエハ(厚さ:725μm)に上記(A−1)〜(A−4)のいずれかの樹脂溶液をスピンコート後、ホットプレートにて、180℃で5分間加熱することにより、(A)層に対応する材料を、ウエハバンプ形成面に成膜した。一方、直径200mm(厚さ:500μm)のガラス板を支持体とし、この支持体に(B)層に相当する重合体溶液を、ガラス支持体上に、やはりスピンコートした。さらにその後、150℃で3分間、ホットプレート上で加熱し、表1中の膜厚を有する(B)層を形成した。このようにしてこの熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)を有するシリコンウエハ及び、(B)層を有するガラス板とをそれぞれ、樹脂面が合わされるように、真空貼り合わせ装置内で表1に示す条件にて貼り合わせ、積層体を作製した(圧着条件)。表1に、この積層体(ウエハ加工体)における(A)層及び(B)層の膜厚を示した。なお、膜厚は、(A)層:大日本スクリーン製造社製 VM−1210、(B)層:フィルメトリクス社製 F50−EXRによって、測定を行った。
200mmのウエハ接合は、EVG社のウエハ接合装置EVG520ISを用いて行った。接合温度は表1に記載の値、接合時のチャンバー内圧力は10−3mbar以下、荷重は5kNで実施した。接合後、一旦、180℃で1時間オーブンを用いて基板を加熱し、(B)層の硬化を実施したのち、室温まで冷却し、その後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
グラインダー(DISCO製、DAG810)でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚50μmまでグラインドした後、光学顕微鏡(100倍)にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
シリコンウエハを裏面研削した後の積層体を窒素雰囲気下の200℃オーブンに2時間入れた後、320℃のホットプレート上で10分加熱した後の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、ボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等の外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
支持体の剥離性は、以下の方法で評価した。まず、耐熱性試験終了後の50μmまで薄型化したウエハの加工面(回路非形成面)側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラスの1点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。50μmのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
上記テープピール剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された200mmウエハ(耐熱性試験条件に晒されたもの)を、接着層を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてイソノナンを3分間噴霧したのち、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコール(IPA)を噴霧にてリンスを行った。その後、外観を観察して残存する接着材樹脂の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。
支持体としてシリコンウエハ上に上記実施例及び比較例で作製したのと同じ条件で重合体層(A)を形成し、その上に重合体層(B)を形成し、重合体層(B)の硬化を実施した後、150mm長×25mm幅のポリイミドテープを5本貼り付け、テープが張られていない部分の(B)層を除去した。島津製作所社のAUTOGRAPH(AG−1)を用いてテープの一端から180°剥離で120mm剥がし、そのときにかかる力の平均(120mmストローク×5回)を、その仮接着層のピール剥離力とした。
2…仮接着材層、
(A)…熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(第一仮接着層)、
(B)…熱硬化性シロキサン変性重合体層(第二仮接着層)、
3…支持体。
Claims (14)
- 支持体上に仮接着材層が形成され、かつ仮接着材層上に、表面に回路面を有し裏面を加工すべきウエハが積層されてなるウエハ加工体であって、
前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に積層された、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)からなる第二仮接着層との2層構造を有する、複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工体。 - 前記第一仮接着層の膜厚が1〜80nmであることを特徴とする請求項1に記載のウエハ加工体。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)が、R11R12SiO2/2で表されるシロキサン単位(D単位)を99.000〜99.999モル%、R13R14R15SiO1/2で表されるシロキサン単位(M単位)を1.000〜0.001モル%、R16SiO3/2で表されるシロキサン単位(T単位)を0.000〜0.500モル%含有し(但し、R11、R12、R13、R14、R15、R16はそれぞれ非置換又は置換の1価炭化水素基を示す。)、かつ重量平均分子量が200,000〜1,000,000で、更には分子量740以下の低分子量成分が0.5質量%以下である非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウエハ加工体。
- 前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の層であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のウエハ加工体。
- 前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が、下記一般式(3)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤として1分子中に平均して2個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の層であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のウエハ加工体。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が積層された状態で、前記重合体層(A)と前記重合体層(B)を剥離する際の、熱硬化後におけるピール剥離力が、25mm幅の試験片の180°ピール剥離力で1gf以上50gf以下であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のウエハ加工体。
- (a)表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のウエハ加工体に用いられる前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)と、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)とからなる複合仮接着材層を介して支持体に接合する際に、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)の形成された支持体と、前記重合体層(A)の形成された回路付きウエハとを真空下で貼り合わせる工程と、
(b)前記重合体層(B)を熱硬化させる工程と、
(c)前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)を一体で剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。 - (a)表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のウエハ加工体に用いられる前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)と、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)とからなる複合仮接着材層を介して支持体に接合する際に、前記回路形成面上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)が形成され、該重合体層(A)上に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が形成された回路付きウエハと、前記支持体とを真空下で貼り合わせる工程と、
(b)前記重合体層(B)を熱硬化させる工程と、
(c)前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)を一体で剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。 - 表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、
前記ウエハの表面に剥離可能に積層可能な、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体に剥離可能に積層可能な熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)からなる第二仮接着層との2層構造を有する、複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。 - 前記第一仮接着層の膜厚が1〜80nmであることを特徴とする請求項9に記載のウエハ加工用仮接着材。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)が、R11R12SiO2/2で表されるシロキサン単位(D単位)を99.000〜99.999モル%、R13R14R15SiO1/2で表されるシロキサン単位(M単位)を1.000〜0.001モル%、R16SiO3/2で表されるシロキサン単位(T単位)を0.000〜0.500モル%含有し(但し、R11、R12、R13、R14、R15、R16はそれぞれ非置換又は置換の1価炭化水素基を示す。)、かつ重量平均分子量が200,000〜1,000,000で、更には分子量740以下の低分子量成分が0.5質量%以下である非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載のウエハ加工用仮接着材。
- 前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の層であることを特徴とする請求項9から請求項11のいずれか1項に記載のウエハ加工用仮接着材。
- 前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が、下記一般式(3)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤として1分子中に平均して2個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の層であることを特徴とする請求項9から請求項12のいずれか1項に記載のウエハ加工用仮接着材。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が積層された状態で、前記重合体層(A)と前記重合体層(B)を剥離する際の、熱硬化後におけるピール剥離力が、25mm幅の試験片の180°ピール剥離力で1gf以上50gf以下であることを特徴とする請求項9から請求項13のいずれか1項に記載のウエハ加工用仮接着材。
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