JP2019186470A - 回路付基板加工体及び回路付基板加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記仮接着材層は熱硬化性シロキサン重合体層(A)からなり、
前記支持体に積層された前記重合体層(A)が、硬化後において、前記支持体から界面剥離させる際の剥離力が、25mm幅試験片の5mm/秒での180°剥離試験において10〜500mN/25mmであり、かつ、
前記回路付基板に積層された前記重合体層(A)が、硬化後において、前記回路付基板から界面剥離させる際の剥離力が、25mm幅試験片の5mm/秒での180°剥離試験において50〜1000mN/25mmであることを特徴とする回路付基板加工体を提供する。
(a)前記回路付基板加工体を準備する工程と、
(b)前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)を熱硬化させる工程と、
(c)前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
(e)前記回路付基板加工体から前記支持体を分離する工程と、
(f)前記支持体が分離された前記回路付基板加工体から前記重合体層(A)の硬化膜を分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板加工方法を提供する。
(a)前記回路付基板加工体を準備する工程と、
(b)前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)を熱硬化させる工程と、
(c)前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
(g)前記回路付基板加工体から、前記支持体と前記重合体層(A)を一体で分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板加工方法を提供する。
(a−1)前記支持体上に前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)の未硬化組成物層を積層する工程と、
(a−2)前記重合体層(A)の未硬化組成物層を介して前記支持体と前記回路付基板を貼り合わせる工程と、
を含むことが好ましい。
(a−3)前記回路付基板上に前記重合体層(A)の未硬化組成物層を積層する工程と、
(a−4)前記重合体層(A)の未硬化組成物層を介して前記回路付基板と前記支持体を貼り合わせる工程と、
を含むことが好ましい。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、硬化後において特定のピール剥離力を有する熱硬化性シロキサン重合体層(A)からなる単層系の熱硬化性仮接着層を使用した回路付基板加工体とすることで、貫通電極構造やバンプ接続構造を有する薄型回路付基板を、簡単に製造することが可能な回路付基板加工体及び回路付基板加工方法を見出した。
−熱硬化性シロキサン重合体層(A)−
本発明の回路付基板加工体の構成要素である熱硬化性シロキサン重合体層(A)は、硬化後において(即ち、重合体層(A)を支持体上に積層させた状態で硬化させた後において)、支持体から界面剥離させる際の剥離力が、25mm幅試験片を5mm/秒で引き上げて剥がす180°剥離試験において10〜500mN/25mmであり、好ましくは30〜500mN/25mmであり、より好ましくは50〜200mN/25mmであるようなピール剥離力を有する。本発明における熱硬化性シロキサン重合体層(A)は、熱硬化後において、支持体から界面剥離させる際の剥離力が10mN以上であるため、回路付基板の裏面加工工程中等に剥離することが無く、500mN以下であるため、容易に重合体層(A)の硬化膜を支持体から剥離することができる。
(A−1)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(A−2)1分子中に2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(Si−H基)を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、ただし(A−1)成分中のアルケニル基に対する(A−2)成分中のSi−H基のモル比が0.3から10となる量、
(A−3)白金系触媒、
を含んだものが挙げられる。
(A−1)成分
(A−1)成分は、1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンであり、例えば、1分子中に2個以上のアルケニル基を含有する直鎖状又は分岐状のジオルガノポリシロキサン、又はSiO4/2単位で表されるシロキサン単位(Q単位)を持つレジン構造のオルガノポリシロキサンである。特に、1分子中に0.6mol%(アルケニル基モル数/Siモル数)〜9mol%のアルケニル基を含有するジオルガノポリシロキサン、又はレジン構造のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
R7 (3−a)XaSiO−(R7XSiO)m−(R7 2SiO)n−SiR7 (3−a)Xa (1)
R7 2(HO)SiO−(R7XSiO)p+2−(R7 2SiO)q−SiR7 2(OH) (2)
(SiO4/2)b(R7 3SiO1/2)c(R7 (3−e)XeSiO1/2)d (3)
(式中、R7は夫々独立して脂肪族不飽和結合を有さない1価炭化水素基、Xは夫々独立してアルケニル基含有1価有機基、aは0〜3の整数、m、nは、2a+mが1分子中にアルケニル基含有量が0.6mol%〜9mol%となる数である。p、qは、p+2が1分子中にアルケニル基含有量が0.6mol%〜9mol%となる数である。eは夫々独立な1〜3の整数で、b、c、dが、(c+d)/bが0.3〜3.0、d/(b+c+d)が0.01〜0.6となるような数である。)
(A−2)成分は架橋剤であり、1分子中にケイ素原子に結合した水素原子(Si−H基)を少なくとも2個、好ましくは3個以上有するオルガノハイドロジエンポリシロキサンである。直鎖状、分岐状、又は環状のものを使用できる。
(A−3)成分は白金系触媒(即ち、白金族金属触媒)であり、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とアルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン化合物との反応物、塩化白金酸とビニル基含有シロキサンとの反応物などが挙げられる。
(A−4)成分は有機溶剤である。重合体層(A)は、その熱硬化前組成物溶液をスピンコート、ロールコータなどの方法によって支持体上に形成する。スピンコートなどの方法によって支持体上に重合体層(A)を形成する場合には、樹脂を溶液としてコートすることが好ましい。このとき使用される有機溶剤としては、(A−1)〜(A−3)及び(A−5)成分を溶解可能な溶剤であれば特に制限はないが、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、イソオクタン、ノナン、デカン、p−メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネンなどの炭化水素系溶剤又はシリコーン系溶剤が好適に使用される。溶剤の含有量は、樹脂100質量部に対して10〜900質量部、好ましくは25〜400質量部、更に好ましくは40〜300質量部である。
(A−5)成分は反応制御剤であり、シリコーン仮接着材組成物を調合ないし基材に塗工する際に、加熱硬化前に処理液が増粘やゲル化を起こさないようにするために必要に応じて任意に添加するものである。
ノール、3−メチル−3−トリメチルシロキシ−1−ブチン、3−メチル−3−トリメチ
ルシロキシ−1−ペンチン、3,5−ジメチル−3−トリメチルシロキシ−1−ヘキシン
、1−エチニル−1−トリメチルシロキシシクロヘキサン、ビス(2,2−ジメチル−3
−ブチノキシ)ジメチルシラン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テト
ラビニルシクロテトラシロキサン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ジビニルジ
シロキサンなどが挙げられ、好ましいのは1−エチニルシクロヘキサノール、及び3−メ
チル−1−ブチン−3−オールである。
本発明に用いられる仮接着剤には、上記各成分以外に任意成分を添加することができる。例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリジメチルジフェニルシロキサンなどの非反応性のポリオルガノシロキサン;フェノール系、キノン系、アミン系、リン系、ホスファイト系、イオウ系、チオエーテル系などの酸化防止剤;トリアゾール系、ベンゾフェノン系などの光安定剤;リン酸エステル系、ハロゲン系、リン系、アンチモン系などの難燃剤;カチオン活性剤、アニオン活性剤、非イオン系活性剤などの帯電防止剤;塗工の際の粘度を下げるための溶剤として、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、ヘキサン、オクタン、イソパラフィンなどの脂肪族系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸イソブチルなどのエステル系溶剤、ジイソプロピルエーテル、1,4−ジオキサンなどのエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶剤などが使用される。
本発明の回路付基板加工方法は、本発明の回路付基板加工体を用いて、半導体回路等を有する回路付基板の加工を行う方法であり、即ち、回路付基板と支持体との接着層として、上記熱硬化性シロキサン重合体層(A)の単層からなる仮接着材層を用いることを特徴とする。本発明の回路付基板加工方法により得られる薄型化された回路付基板の厚さは、典型的には5〜300μm、より典型的には10〜100μmである。
(a)本発明の回路付基板加工体を準備する工程と、
(b)前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)を熱硬化させる工程と、
(c)前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
(e)前記回路付基板加工体から前記支持体を分離する工程と、
(f)前記支持体が分離された前記回路付基板加工体から前記重合体層(A)の硬化膜を分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むか、または、
(a)本発明の回路付基板加工体を準備する工程と、
(b)前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)を熱硬化させる工程と、
(c)前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
(g)前記回路付基板加工体から、前記支持体と前記重合体層(A)を一体で分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、を含む方法である。
工程(a)は、本発明の回路付基板加工体を準備する工程である。この工程は、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有する回路付基板の前記回路形成面を、熱硬化性シロキサン重合体層(A)からなる仮接着材層を介して、支持体に接合することにより、本発明の回路付基板加工体を製造し、準備する工程であり、
(a−1)前記支持体上に前記重合体層(A)の未硬化組成物層を積層する工程と、
(a−2)前記重合体層(A)の未硬化組成物層を介して前記支持体と前記回路付基板を貼り合わせる工程と、
を含むか、又は
(a−3)前記回路付基板上に前記重合体層(A)の未硬化組成物層を積層する工程と、
(a−4)前記重合体層(A)の未硬化組成物層を介して前記回路付基板と前記支持体を貼り合わせる工程と、
を含む。
工程(b)は、前記重合体層(A)を熱硬化させる工程である。回路付基板加工体(ウエハ加工体、積層体基板)が形成された後、120〜250℃、好ましくは140〜200℃で10分〜4時間、好ましくは30分〜2時間加熱することによって、前記重合体層(A)の硬化を行う。
工程(c)は、支持体と接合した回路付基板の裏面(回路非形成面)を研削又は研磨する工程、即ち、工程(a)にて準備した回路付基板加工体の回路付基板裏面側を研削又は研磨して、該回路付基板の厚みを薄くしていく工程である。回路付基板裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、回路付基板と砥石(ダイヤモンド等)に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。回路付基板裏面を研削加工する装置としては、例えば(株)ディスコ製DAG−810(商品名)等が挙げられる。また、回路付基板裏面側をCMP研磨してもよい。
工程(d)は、回路非形成面を研削した回路付基板加工体、即ち、裏面研削又は裏面研磨によって薄型化された回路付基板加工体の裏面(回路非形成面)に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、TSV形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。またこれ以外に、ダイシング等の方法により裏面研削され薄型化したウエハをチップサイズに切断することもできる。
工程(e)は、工程(d)で加工を施した回路付基板加工体から支持体を分離する工程、即ち、薄型化した回路付基板に様々な加工を施した後、回路付基板加工体から支持体を剥離する工程である。この剥離工程は、一般に室温から60℃程度の比較的低温の条件で実施され、回路付基板加工体の回路付基板又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された回路付基板の研削面に保護フィルムを貼り、回路付基板と重合体層(A)と保護フィルムを一体にピール方式で回路付基板加工体から剥離する方法等が挙げられる。
(e−1)加工を施した回路付基板の加工面にダイシングテープを接着する工程
(e−2)ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程
(e−3)吸着面の温度が10℃から100℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記回路付基板からピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施した回路付基板から容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
工程(f)は、支持体が分離された回路付基板加工体から、重合体層(A)の硬化膜を分離し回路付基板のみを取り出す工程である。工程(e)で前記支持体を剥離した後、加工を施した回路付基板から前記重合体層(A)の硬化膜をテープピールにより剥離することが好ましい。
工程(g)は、工程(d)で加工を施した回路付基板加工体から支持体及び前記重合体層(A)を一体に分離して回路付基板のみを取り出す工程、即ち、薄型化した回路付基板に様々な加工を施した後、回路付基板加工体から薄型化した回路付基板のみを分離する工程である。この工程は、一般に室温から60℃程度の比較的低温の条件で実施され、回路付基板加工体の回路付基板又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された回路付基板の研削面に保護フィルムを貼り、回路付基板と保護フィルムをピール方式で回路付基板加工体から剥離する方法等が挙げられる。
(g−1)加工を施した回路付基板の加工面にダイシングテープを接着する工程
(g−2)ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程
(g−3)吸着面の温度が10℃から100℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記回路付基板からピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施した回路付基板から容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
2.5モル%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が3万のポリジメチルシロキサン100質量部およびトルエン200質量部からなる溶液に、下記式(M−1)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを40質量部、エチニルシクロヘキサノールを0.7質量部添加し混合した。さらに白金触媒CAT−PL−5(信越化学工業(株)製)を0.2質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液(A1)を得た。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Si−H基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、1.1となった。
2.5モル%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が3万のポリジメチルシロキサン50質量部およびトルエン100質量部からなる溶液に、SiO4/2単位(Q単位)50モル%、(CH3)3SiO1/2単位(M単位)48モル%及び(CH2=CH)3SiO1/2単位(Vi単位)2モル%からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン50質量部及びトルエン100質量部からなる溶液と、上記オルガノハイドロジェンポリシロキサン(M−1)を40質量部、エチニルシクロヘキサノールを0.7質量部添加し混合した。さらに白金触媒CAT−PL−5を0.2質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、硬化した際Q単位を含む熱硬化性シリコーン重合体溶液(A2)を得た。Q単位はSi−NMRで測定した。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Si−H基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、1.0となった。
2.5モル%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が3万のポリジメチルシロキサン50質量部およびトルエン100質量部からなる溶液に、0.1モル%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が10万のポリジメチルシロキサン50質量部及びトルエン100質量部からなる溶液と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(M−1)を20質量部、エチニルシクロヘキサノールを0.7質量部添加し混合した。さらに白金触媒CAT−PL−5を0.2質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液(A3)を得た。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Si−H基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、1.0となった。
2.5モル%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が3万のポリジメチルシロキサン25質量部およびトルエン50質量部からなる溶液に、0.1モル%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が10万のポリジメチルシロキサン25質量部及びトルエン50質量部からなる溶液と、SiO4/2単位(Q単位)50モル%、(CH3)3SiO1/2単位(M単位)48モル%及び(CH2=CH)3SiO1/2単位(Vi単位)2モル%からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン50質量部及びトルエン100質量部からなる溶液と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(M−1)を35質量部、エチニルシクロヘキサノールを0.7質量部添加し混合した。さらに白金触媒CAT−PL−5を0.2質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、硬化した際Q単位を含む熱硬化性シリコーン重合体溶液(A4)を得た。Q単位はSi−NMRで測定した。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Si−H基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、1.1となった。
0.1モル%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が10万のポリジメチルシロキサン20質量部及びトルエン50質量部からなる溶液に、SiO4/2単位(Q単位)50モル%、(CH3)3SiO1/2単位(M単位)48モル%及び(CH2=CH)3SiO1/2単位(Vi単位)2モル%からなるレジン構造のビニルメチルシロキサン80質量部及びトルエン160質量部からなる溶液と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(M−1)を35質量部、エチニルシクロヘキサノールを0.7質量部添加し混合した。さらに白金触媒CAT−PL−5を0.2質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液(A5)を得た。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Si−H基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、0.9となった。
0.1モル%のビニル基を分子側鎖に有し、数平均分子量(Mn)が10万のポリジメチルシロキサン100質量部及びトルエン200質量部からなる溶液に、(M−2)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンを0.5質量部、エチニルシクロヘキサノール0.7質量部を添加し混合した。さらに白金触媒CAT−PL―5(信越化学工業(株)製)を0.5質量部添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液(A6)を得た。なお、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Si−H基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、2.9となった。
−ピール剥離力試験−支持体
支持体として200mmシリコンウエハ(厚さ:725μm)上に、上記(A1)〜(A6)溶液をスピンコート後、ホットプレートにて、50℃で3分間加熱することにより、(A)層に対応する材料を表1に示す膜厚で形成し、窒素雰囲気下の200℃オーブンに2時間入れて重合体層(A)を硬化させた。その後重合体層(A)上に150mm長×25mm幅のポリイミドテープを5本貼り付け、テープが張られていない部分の(A)層を除去した。島津製作所社のAUTOGRAPH(AG−1)を用いてテープの一端から180°剥離で5mm/秒の速度で120mm剥がし、そのときにかかる力の平均(120mmストローク×5回)を、その仮接着層のピール剥離力とした。なお、剥離界面が重合体層(A)とシリコンウエハ表面間の場合を合格として測定結果を記載し、テープ糊面と重合体層(A)表面の間の場合は不合格として「×」で示した。以後の実験は、判定が「×」となった時点で評価を中止した。
表面に高さ10μm、直径40μmの銅ポストが全面に形成された200mm銅ポスト付シリコンウエハ(厚さ:725μm)上に、上記(A1)〜(A5)溶液をスピンコート後、ホットプレートにて50℃で3分間加熱することにより、(A)層に対応する材料を表1に示す膜厚で形成し、窒素雰囲気下の200℃オーブンに2時間入れて重合体層(A)を硬化させた。その後重合体層(A)上に150mm長×25mm幅のポリイミドテープを5本貼り付け、テープが張られていない部分の(A)層を除去した。島津製作所社のAUTOGRAPH(AG−1)を用いてテープの一端から180°剥離で5mm/秒の速度で120mm剥がし、そのときにかかる力の平均(120mmストローク×5回)を、その仮接着層のピール剥離力とした。なお、剥離界面が重合体層(A)と銅ポスト付シリコンウエハ表面間の場合を合格として測定結果を記載し、テープ糊面と重合体層(A)表面の間になるか、途中で重合体層(A)が切れる等で剥離界面が変わってしまった場合は不合格として「×」で示した。以後の実験は、判定が「×」となった時点で評価を中止した。
支持体としての200mmガラスウエハ(厚さ:700μm)上に上記(A1)〜(A5)溶液をスピンコート後、ホットプレートにて、50℃で3分間加熱することにより、(A)層に対応する材料を表1に示す膜厚で形成した。これに対し表面に高さ10μm、直径40μmの銅ポストが全面に形成された直径200mmシリコンウエハ(厚さ:725μm)を、銅ポスト面が重合体層(A)面に対向する様に、EVG社のウエハ接合装置EVG520ISを用いて真空中にて接合し、回路付基板加工体(積層体)を作製した。接合温度は50℃、接合時のチャンバー内圧力は10−3mbar以下、荷重は10kNで実施した。接合後、一旦、200℃で2時間オーブンを用いて接合済み基板を加熱し、(A)層の硬化を実施したのち、室温まで冷却し、その後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
接着性試験後の回路付基板加工体に対して、グラインダー(DISCO製、DAG810)でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚50μmまでグラインドした後、光学顕微鏡(100倍)にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
シリコンウエハを裏面研削した後の回路付基板加工体を260℃のホットプレート上で10分加熱した後の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、わずかなウエハのゆがみが見られるものの、ボイド発生や、ウエハ膨れ、あるいはウエハ破損等の異常がなかった場合を概ね良好と評価して「△」、ボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等の外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
支持体の剥離性は、以下の方法で評価した。まず、耐熱性試験終了後の50μmまで薄型化したウエハの加工面(回路非形成面)側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラスの1点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。50μmのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
テープピール剥離性試験は、以下の方法で行った。まず、支持体剥離性試験まで終えたウエハを、引き続きダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着版にセットした。その後、(株)寺岡製作所製ポリエステルフィルム粘着テープNo.648を表面に露出した重合体層(A)の硬化膜に貼り、テープピール剥離を行うことでウエハから重合体層(A)の硬化膜を剥離した。50μmのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
2…仮接着材層(熱硬化性シロキサン重合体層(A))
3…回路付基板、
10…回路付基板加工体。
Claims (10)
- 支持体上に仮接着材層が剥離可能に積層され、かつ、該仮接着材層が、表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板の表面に剥離可能に積層された、前記支持体、前記仮接着材層、前記回路付基板の順からなる回路付基板加工体であって、
前記仮接着材層は熱硬化性シロキサン重合体層(A)からなり、
前記支持体に積層された前記重合体層(A)が、硬化後において、前記支持体から界面剥離させる際の剥離力が、25mm幅試験片の5mm/秒での180°剥離試験において10〜500mN/25mmであり、かつ、
前記回路付基板に積層された前記重合体層(A)が、硬化後において、前記回路付基板から界面剥離させる際の剥離力が、25mm幅試験片の5mm/秒での180°剥離試験において50〜1000mN/25mmであることを特徴とする回路付基板加工体。 - 前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)が、
(A−1)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(A−2)1分子中に2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(Si−H基)を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び
(A−3)白金系触媒、
を含有し、前記(A−1)成分中のアルケニル基に対する前記(A−2)成分中のSi−H基のモル比が0.3から10となる量を含有する組成物の硬化物であることを特徴とする請求項1に記載の回路付基板加工体。 - 前記(A−1)1分子中に2個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンが、SiO4/2で表されるシロキサン単位(Q単位)を含むことを特徴とする請求項2に記載の回路付基板加工体。
- 前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)が、前記(A−1)成分、前記(A−2)成分、前記(A−3)成分に加え、(A−4)有機溶剤、(A−5)反応制御剤のいずれか一方、又はその両方を含有する組成物の硬化物であることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の回路付基板加工体。
- 前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)の硬化物が、R1R2R3SiO1/2で表されるシロキサン単位(M単位)を0.001〜60.000モル%、R4R5SiO2/2で表されるシロキサン単位(D単位)を10.000〜99.999モル%、R6SiO3/2で表されるシロキサン単位(T単位)を0.000〜0.005モル%、SiO4/2で表されるシロキサン単位(Q単位)を0.000〜60.000モル%含有する(但し、R1〜R6はそれぞれ非置換又は置換の1価炭化水素基を示す。)ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の回路付基板加工体。
- 前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)の硬化物が、25℃における貯蔵弾性率が1×106〜1×109Paであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の回路付基板加工体。
- (a)請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の回路付基板加工体を準備する工程と、
(b)前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)を熱硬化させる工程と、
(c)前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
(e)前記回路付基板加工体から前記支持体を分離する工程と、
(f)前記支持体が分離された前記回路付基板加工体から前記重合体層(A)の硬化膜を分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板加工方法。 - (a)請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の回路付基板加工体を準備する工程と、
(b)前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)を熱硬化させる工程と、
(c)前記回路付基板の裏面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記回路付基板の裏面に加工を施す工程と、
(g)前記回路付基板加工体から、前記支持体と前記重合体層(A)を一体で分離し前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板加工方法。 - 前記工程(a)で回路付基板加工体を準備する工程として、
(a−1)前記支持体上に前記熱硬化性シロキサン重合体層(A)の未硬化組成物層を積層する工程と、
(a−2)前記重合体層(A)の未硬化組成物層を介して前記支持体と前記回路付基板を貼り合わせる工程と、
を含むことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の回路付基板加工方法。 - 前記工程(a)で回路付基板加工体を準備する工程として、
(a−3)前記回路付基板上に前記重合体層(A)の未硬化組成物層を積層する工程と、
(a−4)前記重合体層(A)の未硬化組成物層を介して前記回路付基板と前記支持体を貼り合わせる工程と、
を含むことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の回路付基板加工方法。
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