JP6361566B2 - 樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
(A)下記組成式(1)で表される構成単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000であるシリコーン樹脂、
(B)下記一般式(7)で示されるフェノール化合物、
(式中、Yは、炭素原子又は炭素数2〜20の4価の炭化水素基であり、R13〜R16はそれぞれ独立に炭素数1〜8の1価炭化水素基又は水素原子を示す。)
(C)フィラー。
また、本発明の半導体装置及びその製造方法であれば、歩留まりよく高品質な半導体装置を提供することができる。
本発明の樹脂組成物は、
(A)シリコーン樹脂、
(B)特定構造を有するフェノール化合物、
(C)フィラー
を含有する。
[(A)シリコーン樹脂]
本発明において、(A)成分のシリコーン樹脂はフィルム形成能を与えるものとして機能する。
また、得られた樹脂フィルムをウエハモールド材として用いた場合、ウエハへの密着性、低反り性、良好なモールド性を与える。
[式中、R1〜R4はそれぞれ独立に炭素数1〜8の1価炭化水素基を示す。但し、R3とR4は同時にメチル基であることはなく、mとnはそれぞれ独立に0〜300の整数、R5〜R8は同一でも異なっていてもよい炭素数1〜10の2価炭化水素基を示す。また、a、bは共に正数で、a+b=1である。Xは下記一般式(2)で示される2価の有機基である。
本発明のシリコーン樹脂は、下記一般式(3)、下記一般式(4)、下記一般式(5)及び下記一般式(6)で表される化合物から選択される化合物を用いて金属触媒存在下、付加重合することにより製造することができる。
(B)成分は、下記一般式(7)で示されるフェノール化合物である。
(C)成分は、本発明の樹脂組成物に、ウエハ保護性を与え、更に、耐熱性、耐湿性、強度等を向上させ、信頼性を上げることができる。フィラーとしては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ(溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ)、結晶シリカ粉末等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩又は亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。これらのフィラーは1種単独で混合しても、2種以上を併せて混合してもよい。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末が好ましい。前記シリカ粉末としては、例えば、ヒュームドシリカ、沈降性シリカ等の補強性シリカ;石英等の結晶性シリカが挙げられる。具体的には、日本アエロジル社製のAerosil R972、R974、R976;(株)アドマテックス製のSE−2050、SC−2050、SE−1050、SO−E1、SO−C1、SO−E2、SO−C2、SO−E3、SO−C3、SO−E5、SO−C5;信越化学工業(株)製のMusil120A、Musil130A等が例示される。
また、本発明の樹脂組成物には、ウエハへの密着性、保護性を向上させる目的でエポキシ樹脂を添加することもできる。エポキシ樹脂はシリコーン樹脂(A)と共にフェノール化合物(B)と架橋反応するため、樹脂のウエハへの密着性、保護性、信頼性がより向上する。
エポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、又はそれらに水素添化したもの、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル系エポキシ樹脂、ヘキサヒドロフタル酸グリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステル等のグリシジルエステル系エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン等のグリシジルアミン系エポキシ樹脂等が挙げられ、好ましくは、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。これらの市販品としては、例えば、商品名で、jER1001(三菱化学製)、エピクロン830S(DIC製)、jER517(三菱化学製)、EOCN103S(日本化薬製)等が挙げられる。
エポキシ樹脂の配合量は、配合する場合、(A)成分100質量部に対して1〜50質量部、好ましくは2〜30質量部であるのがよい。
また、本発明の樹脂組成物は、更にエポキシ樹脂硬化促進剤を含有することができる。エポキシ樹脂硬化促進剤を含有することにより、硬化反応を適切かつ均一に進めることができる。エポキシ樹脂硬化促進剤の配合量は、(A)成分100質量部に対して0.1〜10質量部、好ましくは0.2〜5質量部であるのがよい。
エポキシ樹脂硬化促進剤は、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、及びこれらの化合物のエチルイソシアネート化合物、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7(DBU)、1,5−ジアザビシクロ(4.3.0)ノネン−5(DBN)、DBUの有機酸塩、DBUのフェノール樹脂塩、DBU誘導体のテトラフェニルボレート塩等のDBU系化合物、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリス(p−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(p−メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(p−エトキシフェニル)ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボレート、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート等のトリオルガノホスフィン類、四級ホスホニウム塩、トリエチレンアンモニウム・トリフェニルボレート等の第三級アミン、及びそのテトラフェニルホウ素酸塩等が挙げられる。上記エポキシ樹脂硬化促進剤は、1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
本発明の組成物は難燃性の向上を目的として、難燃剤を含んでもよい。難燃剤としては、リン系難燃剤が挙げられ、ハロゲン原子を含有せずに難燃性を付与するものであるが、その例としてはホスファゼン化合物、リン酸エステル化合物、リン酸エステルアミド化合物等が挙げられる。ホスファゼン化合物やリン酸エステルアミド化合物は、分子内にリン原子と窒素原子を含有しているため、特に高い難燃性が得られる。難燃剤の配合量は、(A)成分100質量部に対して5〜30質量部が好ましい。
本発明の樹脂組成物はシランカップリング剤を含んでもよい。シランカップリング剤を含むことにより、樹脂組成物の被接着体への密着性を更に高めることができる。シランカップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。シランカップリング剤の含有量は、特に限定されないが、本発明の接着剤組成物の総質量の0.01質量%以上5質量%以下とすることが好ましい。
溶剤は樹脂組成物の分散液を調製するための溶剤として以下に説明する有機溶剤を使用することができる。この有機溶剤としては、N,N−ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、N,N−ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、N−メチル−2−ピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられ、好ましくはメチルエチルケトン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。これらの有機溶剤は、1種類を単独で用いても、2種類以上を併用してもよい。その使用量は、樹脂組成物の固形分濃度が50〜80質量%になるようにすることが好ましい。
本発明の樹脂組成物はフィルム状に形成されることが好ましい。このような樹脂フィルムであれば、特に、大口径、薄膜ウエハに対して良好なモールド性を有するものとなり、ウエハを一括してモールドする際に、樹脂を流し込む必要がない。そのため、従来のトランスファー成形で生じうるワイヤ変形、ウエハ表面への充填不良や、圧縮成形法で生じうる成形範囲の制御の難しさ、液状封止樹脂の流動性と物性の問題は根本的に解消することができる。
予め本発明の(A)シリコーン樹脂、(B)特定構造を有するフェノール化合物、(C)フィラー、必要に応じて、その他の任意成分、及び有機溶剤を混合して液状に調整した樹脂組成物溶液を作製し、該樹脂組成物溶液をリバースロールコータ、コンマコータ等を用いて、所望の厚さになるように保護層(保護フィルム、剥離フィルム)に塗布する。前記樹脂組成物溶液が塗布された保護層をインラインドライヤに通し、80〜160℃で2〜20分間かけて有機溶剤を除去することにより乾燥させ、次いでロールラミネーターを用いて別の保護層と圧着し、積層することにより、本発明の樹脂フィルムを得ることができる。
なお、圧着条件としては、特に制限はないが、温度50〜100℃、線圧0.5〜5kgf/cm、速度0.1〜5m/minでラミネートすることが好ましい。
また、別の態様として、上記樹脂フィルム(保護層/樹脂組成物フィルム/保護層)を2つ以上用意し、それぞれの樹脂フィルムから保護層を剥離して、両樹脂フィルム同士を積層させることで、多層の樹脂フィルムから形成される複合フィルムを得ることもできる。積層の際は、30〜120℃で加温しながらフィルム同士を積層させることが好ましい。
前記保護層は、本発明の樹脂組成物からなる樹脂フィルムの形態を損なうことなく剥離できるものであれば特に限定されないが、ウエハ用の保護フィルム及び剥離フィルムとして活用するものであり、通常、ポリエチレン(PE)フィルム、ポリプロピレン(PP)フィルム、ポリメチルペンテン(TPX)フィルム、離型処理を施したポリエステルフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。また、剥離力は50〜300mN/minが好ましく、厚さは25〜150μm、好ましくは38〜125μmである。
本発明の樹脂フィルムにより一括してモールドされるウエハとしては、特に制限されないが、表面に半導体素子(チップ)が積載されたウエハであっても、表面に半導体素子が作製された半導体ウエハであってもよい。本発明の樹脂フィルムは、モールド前にはこのようなウエハ表面に対する充填性が良好であり、また、モールド後には低反り性を有し、このようなウエハの保護性に優れる。また、本発明の樹脂フィルムは特に制限されないが、直径8インチ以上、例えば、直径8インチ(200mm)、12インチ(300mm)又はそれ以上といった大口径のウエハや薄膜ウエハをモールドするのに好適に用いることができる。
また、薄型ウエハとしては、厚さ5〜300μmに薄型加工されたウエハに用いることが好ましい。
本発明の樹脂フィルムを用いたウエハのモールド方法については、特に限定されないが、例えば、樹脂フィルム上に貼られた一方の保護層を剥がし、(株)タカトリ製の真空ラミネーター(製品名:TEAM−300)を用いて、真空チャンバー内を真空度50〜1,000Pa、好ましくは50〜500Pa、例えば100Paに設定し、80〜200℃、好ましくは80〜130℃、例えば100℃で他方の保護層が貼られた樹脂フィルムを上記ウエハに一括して密着させ、常圧に戻した後、上記ウエハを室温まで冷却して上記真空ラミネーターから取り出し、他方の保護層を剥離することで行うことができる。
また、半導体チップが積層されたウエハに対しては、コンプレッションモールド装置や真空ダイヤフラムラミネーターと平坦化のための金属板プレスを備えた装置等を好適に使用することができる。例えば、コンプレッションモールド装置としては、アピックヤマダ(株)製の装置(製品名:MZ−824−01)を使用することができ、半導体チップが積層された300mmシリコンウエハをモールドする際は、100〜180℃、成型圧力100〜300kN、クランプタイム30〜90秒、成型時間5〜20分で成型が可能である。
また、真空ダイヤフラムラミネーターと平坦化のための金属板プレスを備えた装置としては、ニチゴー・モートン(株)製の装置(製品名:CVP−300)を使用することができ、ラミネーション温度100〜180℃、真空度50〜500Pa、圧力0.1〜0.9PMa、ラミネーション時間30〜300秒でラミネートした後、上下熱板温度100〜180℃、圧力0.1〜3.0MPa、加圧時間30〜300秒で樹脂成型面を平坦化することが可能である。
モールド後、120〜220℃で15〜180分間の条件で樹脂フィルムを加熱することにより、樹脂を硬化することができる。
更に、本発明では前記樹脂フィルムを加熱硬化した加熱硬化皮膜でモールドされた半導体ウエハを個片化した、加熱硬化皮膜を有する半導体装置を提供する。モールドされたウエハは、ダイシングテープなどの半導体加工用保護テープにモールド樹脂面、或いは、ウエハ面が接するように貼られ、ダイサーの吸着テーブル上に設置され、このモールドされたウエハは、ダイシングブレードを備えるダイシングソー(例えば、DISCO製、DFD6361)を使用して切断される。ダイシング時のスピンドル回転数及び切断速度は適宜選択すればよいが、通常、スピンドル回転数25,000〜45,000rpm、切断速度10〜50mm/secである。また、個片化されるサイズは半導体パッケージの設計によるが、概ね2mm×2mm〜30mm×30mm程度である。
本発明により、反りが少なく十分に保護されたウエハをダイシングブレード等を用いたダイシングにより個片化することで得られる半導体装置は、歩留まりのよい高品質な半導体装置となる。
また、本発明では両面に保護層を形成された樹脂フィルムの一方の保護層を樹脂フィルムから剥離し、表面に露出した樹脂フィルムを半導体ウエハに貼り付け、他方の保護層を樹脂フィルムから剥離して半導体ウエハをモールドする工程と、モールドされた半導体ウエハを個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法をも提供する。
合成例において、各重合体の重量平均分子量は、GPCカラム TSKgel Super HZM−H(東ソー社製)を用い、流量0.6ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコ内に、上記式(S−1)で示される化合物147g(0.35モル)及び上記式(S−2)で示される化合物27.9g(0.15モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5wt%)1.0gを投入し、上記式(S−3)で示される化合物77.8g(0.4モル)及び上記式(S−4)で示される化合物(x=40)276.7g(0.1モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加温し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物のGPCにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は45,000であった。これを樹脂(1)とし、実施例、比較例に供した。なお、樹脂(1)中に含まれるシロキサン量は58質量%である。なお、樹脂(1)における構成単位比は、仕込み量により、a=0.2、b=0.8である。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコ内に、上記式(S−1)で示される化合物210g(0.5モル)を加えた後、トルエン2,100gを加え、70℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5wt%)1.0gを投入し、上記式(S−3)で示される化合物77.8g(0.4モル)及び上記式(S−4)で示される化合物(x=100)361.9g(0.1モル)を2時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加温し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物のGPCにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は48,000であった。これを樹脂(2)とし、実施例に供した。なお、樹脂(2)中に含まれるシロキサン量は69質量%である。なお、樹脂(2)における構成単位比は、仕込み量により、a=0.2、b=0.8である。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコ内に、上記式(S−1)で示される化合物105g(0.25モル)及び上記式(S−2)で示される化合物46.5g(0.25モル)を加えた後、トルエン1,000gを加え、70℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5wt%)0.5gを投入し、上記式(S−3)で示される化合物77.8g(0.40モル)及び上記式(S−4)で示される化合物(x=8)70.6g(0.10モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加温し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物のGPCにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は35,000であった。これを樹脂(3)とし、実施例に供した。なお、樹脂(3)中に含まれるシロキサン量は39質量%である。なお、樹脂(3)における構成単位比は、仕込み量により、a=0.2、b=0.8である。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した3Lフラスコ内に、上記式(S−5)で示される化合物151g(0.35モル)及び上記式(S−2)で示される化合物27.9g(0.15モル)を加えた後、トルエン2,000gを加え、70℃に加温した。その後、塩化白金酸トルエン溶液(白金濃度0.5wt%)1.0gを投入し、上記式(S−3)で示される化合物77.8g(0.4モル)及び上記式(S−4)で示される化合物(x=40)276.7g(0.1モル)を1時間かけて滴下した(ヒドロシリル基の合計モル数/アルケニル基の合計モル数=1/1)。滴下終了後、100℃まで加温し6時間熟成した後、反応溶液からトルエンを減圧留去して得られた生成物のGPCにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は38,000であり、これを樹脂(4)とし、比較例に供した。なお、樹脂(4)中に含まれるシロキサン量は57質量%である。
<樹脂組成物の調製>
下記表1に記載した組成で、(A)上記合成例1〜3で合成したシリコーン樹脂(上記樹脂(1)〜(3))、(B)特定構造を有するフェノール化合物、(C)フィラー及び任意成分を配合した。更に固形成分濃度が65質量%となる量のシクロペンタノンを添加し、ボールミルを使用して撹拌し、混合及び溶解分散して、樹脂組成物の分散液を調製した。なお、表1中の配合量を示す数値の単位は「質量部」である。比較例1は本発明のシリコーン樹脂(A)とは異なるシリコーン樹脂(上記樹脂(4))を含む樹脂組成物である。比較例2は、本発明以外のフェノール化合物であるフェノールノボラック樹脂を含む樹脂組成物である。比較例3は(C)フィラーを含まない樹脂組成物である。
フィルムコーターとしてダイコーターを用い、上記E7304を剥離フィルム(1)として用いて、表1の実施例1に示す樹脂組成物を剥離フィルム上に塗布した。次いで、100℃に設定された熱風循環オーブン(長さ4m)を5分間で通過させることにより、膜厚100μmの樹脂フィルムを上記剥離フィルム(1)上に形成した。
次に樹脂フィルムの上から、ポリエチレンフィルム(厚さ100μm)をラミネートロールを用いて線圧力10N/cm,100℃で貼り合わせて、剥離フィルム(1)/樹脂フィルム/保護フィルムからなる積層フィルム(1)を作製した。
また、剥離フィルム(1)の代りに上記E7302を剥離フィルム(2)として用いる以外は上記と同様にして剥離フィルム(2)/樹脂フィルム/保護フィルムからなる積層フィルム(2)を作製した。
更に、得られた積層フィルム(1),(2)のそれぞれのポリエチレンフィルム(保護フィルム)を取り除き、樹脂フィルム同士を重ね合わせ、60℃に加温された熱ロールラミネーターに投入し、膜厚が200μmの樹脂フィルムを有する剥離フィルム(1)/樹脂フィルム/剥離フィルム(2)からなる複合フィルムを形成した。
なお、実施例6では、同様の方法で、膜厚が500μmの樹脂フィルムを作製した。
・シリカ(アドマテックス製、平均粒径5.0μm)
その他の成分
・EOCN−103S(商品名)(日本化薬(株)製エポキシ樹脂、エポキシ当量:209〜219)
・キュアゾール2P4MHZ(商品名)(四国化成工業(株)製、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール)
・P−4(4官能フェノールノボラック樹脂、OH当量:117)
剥離フィルム(2):E7302(商品名)(東洋紡績(株)製ポリエステル、厚さ75μm、剥離力90mN/50mm)
保護フィルム:ポリエチレンフィルム(厚さ100μm)
ウエハ厚み100μmの直径12インチ(300mm)シリコンウエハを用意した。実施例1〜6及び比較例1〜3の複合フィルムについて、剥離フィルム(2)を剥離し、真空ラミネーター((株)タカトリ製、製品名:TEAM−300M)を用いて、真空チャンバー内を真空度250Paに設定し、110℃で、樹脂フィルムを一括して上記シリコンウエハに貼り付けた。常圧に戻した後、上記シリコンウエハを25℃に冷却して上記真空ラミネーターから取り出し、残りの剥離フィルム(1)を剥離した。
得られた樹脂フィルム付ウエハは、イナートオーブンにて、180℃,2時間加熱することにより樹脂の硬化を行った。
樹脂フィルム硬化後のウエハ反り量をレーザー(東朋テクノロジー(株)製、FLX−3300−T)測定し、得られた値を表2に示す。
なお、反り量が大きく、本装置で測定できなかった場合は、定規(JIS 1級)を用いて測定した値を示した。
ウエハサポート性はウエハの端を支持した際のウエハのたわみ量を定規(JIS 1級)で測定し、20mm以内を良好とし、20mmを超えた場合を不良と判断した結果を表2に示す。
各樹脂フィルム(25μm)を真空フィルムラミネーター(温度:100℃、圧力:100Pa、TEAM−100、(株)タカトリ製)を用いて、直径6インチ半導体ウエハ(厚み625μm、信越化学工業(株)製)に貼り合わせた。次いで、ダイシングブレードを備えるダイシングソー(DAD685、DISCO社製)を使用して2mm×2mm角の大きさに切断した。別途用意した、15mm×15mm角のシリコンウエハ(ベース基板)上に、樹脂フィルムを介して150℃、50mNの荷重にて2mm×2mm角のチップ貼り合わせた。その後、180℃にて2時間加熱して樹脂フィルムを硬化させ、試験片を得た。試験片は各5個ずつ製造し、以下の接着力測定試験に供した。
硬化後の樹脂フィルム付ウエハをダイシングブレードを備えるダイシングソー(DAD685、DISCO社製、スピンドル回転数は40,000rpm、切断速度は20mm/sec)を使用して10mm×10mm角の試験片を得た。得られた試験片(各10片づつ)をヒートサイクル試験(−25℃で10分間保持、125℃で10分間保持を1,000サイクル繰り返す)に供し、ヒートサイクル試験後の樹脂フィルムのウエハからの剥離状態を超音波検査により確認した。全く剥離を生じなかったものを良好、1つでも剥離を生じたものを不良として判定した結果を表2に示す。
Claims (10)
- 下記(A)、(B)及び(C)成分を含有することを特徴とする半導体ウエハのモールド用樹脂組成物。
(A)下記組成式(1)で表される構成単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000であるシリコーン樹脂、
(B)下記一般式(7)で示されるフェノール化合物、
(C)フィラー 樹脂組成物の総質量に対し50質量%以上90質量%以下。 - 前記(C)成分の量が、樹脂組成物の総質量に対し63.29質量%以上90質量%以下である請求項1又は2記載の樹脂組成物。
- 前記(B)成分の量が、前記(A)成分100質量部に対して5〜50質量部である請求項1〜3のいずれか1項記載の樹脂組成物。
- 更に、エポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の樹脂組成物。
- 更に、エポキシ樹脂硬化促進剤を含有するものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の樹脂組成物。
- 前記フィラーがシリカであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載の樹脂組成物。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載の樹脂組成物をフィルム化して形成されたものであることを特徴とする樹脂フィルム。
- 請求項8記載の樹脂フィルムを半導体ウエハに貼り付け、該半導体ウエハをモールドする工程と、前記樹脂フィルムを加熱硬化する工程と、該モールドされた半導体ウエハを個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項8記載の樹脂フィルムを加熱硬化した加熱硬化皮膜でモールドされた半導体ウエハを個片化してなり、前記加熱硬化皮膜を有するものであることを特徴とする半導体装置。
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