TWI401302B - 切割背膠一體型黏著片 - Google Patents

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TWI401302B
TWI401302B TW97136358A TW97136358A TWI401302B TW I401302 B TWI401302 B TW I401302B TW 97136358 A TW97136358 A TW 97136358A TW 97136358 A TW97136358 A TW 97136358A TW I401302 B TWI401302 B TW I401302B
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Teiichi Inada
Michio Mashino
Michio Uruno
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Description

切割背膠一體型黏著片
本發明是關於適用於半導體元件與半導體元件裝載用支承部件接合的黏著片，與切割背膠一體型的黏著片，以及半導體裝置的製造方法。
歷來，半導體元件與半導體元件裝載用支承部件的接合，主要是用銀膠。但是，隨著近年來半導體元件的小型化，高性能化，對所用的支承部件也開始要求小型化，精細化。由於用銀膠接合，在導線接合時不方便，會造成突出或半導體元件的歪斜，難以控制黏著片的膜厚，以及黏著片產生空隙等原因，無法很好地滿足上述的要求。因此，為了滿足上述要求，近年來開始使用片狀的黏著劑。
這種黏著片的使用方式有單片黏貼方式或晶片背面黏貼方式。在用前者的單片黏貼方式的黏著片製造半導體裝置時，將捲筒狀的黏著片切割或拉裂成單片後，將該單片黏貼在支承部件上，再將切割成單個的半導體元件黏接在上述貼有黏著片的支承部件上，製成具有半導體元件的支承部件，然後，根據需要，經過導線接合過程，封裝過程等製成半導體裝置。但是，為了使用上述的單片黏貼方式的黏著片，必須有將黏著片切開，黏接到支承部件上的專用組裝設備，因此與使用銀膠的方法相比，存在著生產成本高的問題。
另一方面，在用後者的晶片背面黏貼方式的黏著片製 造半導體裝置時，首先將黏著片黏貼在半導體晶片的背面，再在黏著片的另一面貼上切割背膠；然後用切割方法將上述晶片切割成單個的半導體元件；將單個化的具有黏著片的半導體元件拾取(pick up)出來，黏接到支承部件上；然後經過加熱、硬化，導線接合等過程，製成半導體裝置。這種晶片背面黏貼方式的黏著片，在將單片化的具有黏著片的半導體元件黏接到支承部件上時，不需要黏著片的單片化裝置，習知的銀膠用組裝設備不加改造便可使用，或者只要附加熱盤等裝置，進行部分改造便可使用。因此，在使用黏著片的組裝方法中，作為一種能將生產成本控制得比較低的方法而引人注目。
但是，因為在使用晶片背面黏貼方式的黏著片的方法中，在上述切割步驟之前，必須經過黏著片與切割背膠的黏貼等2次黏貼步驟，所以需要將過程簡化。因此，有人提出了在切割背膠上附帶有黏著片，將其黏貼在晶片上的方法。(例如，日本專利早期公開之2002-226796號公報，日本專利早期公開之2002-158276號公報，日本專利早期公開之2-32181號公報)
另外，使用晶片背面黏貼方式的黏著片的方法，在晶片切割時，必須同時也將黏著片切斷，但是在使用鑽石切割刀的一般切割方法中，要同時切斷晶片與黏著片就必須將切割速度放慢，這會導致成本上升。
另一方面，對於晶片的切割方法，近年來有人提出了不將晶片完全切斷，而是用可折裂的槽的加工方式，或用 雷射光射照射預定的切割線上的晶片內部，形成變質領域的方式，對晶片進行能容易切斷的加工，然後再用施加外力等方法予以切斷，前者被稱為半切割，後者叫做暗切割(例如，日本專利早期公開之2002-192370號公報，日本專利早期公開之2003-338467號公報)。這些方法，特別是在晶片的厚度較薄的情況下，有減少切片不良的效果，由於不需要切口(kerf)寬度，因此可以預期有提高成品率的效果。
為了用上述的半切割或暗切割進行上述的晶片背面黏貼方式的半導體裝置製造過程，必須將黏著片與晶片同時切斷，但是在用一般的黏著片的情況下，要與晶片同時切斷是困難的。另外，如黏著片使用斷裂性良好的非伸縮性黏著片時，可以使晶片與黏著片的切斷面大致一致，同時切斷，但是非伸縮性的黏著片的流動性低，因此很難在100℃以下的低溫下黏貼在晶片上，而且黏著片本身很脆，可能會產生龜裂，降低黏接的可靠性。
如上所述，在用晶片背面黏貼方式的黏著片的方法中，還沒有找到高效率的切斷晶片與黏著片的辦法。因此，在製造半導體裝置時的切割過程中，需要有一種能在上述晶片進行了可切斷處理後，可以與晶片同時被切斷的黏著片。另外，在製造半導體裝置的半導體元件與支承部件的黏接過程中，還需要有一種可靠性優良的黏著片。
本發明的目的是提供一種能在低溫下黏貼在晶片上， 具有能在室溫下進行處理的柔韌程度，而且能在通常的切斷條件下與晶片同時切斷的黏著片。
本發明人等發現，如將25℃時處於B階狀態的黏著片的斷裂強度與延伸率限定在特定的數值範圍內，便可以獲得能在室溫下與晶片同時切斷的黏著片。
還有，本發明人等發現，為了維持黏著片在室溫下的可撓性，並能在室溫下切斷晶片的同時切斷黏著片，黏著片的彈性模數必須具有特定的頻率相關性。這裏所謂的頻率相關性是指在動態黏彈性模數測定時，彈性模數因加至試樣中的畸變頻率而不同的現象。
具體地說，本發明以下面〈1〉~〈15〉所述的事項為其特徵。
〈1〉一種至少含有高分子量成分的黏著片，其中處於B階狀態的上述黏著片，在25℃的溫度下，斷裂強度為0.1 MPa以上、10 MPa以下，且延伸率為1%以上、40%以下。
〈2〉一種至少含有高分子量成分的黏著片，其中處於B階狀態的上述黏著片，在25℃的溫度下，10Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為1~3000 MPa，在25℃的溫度下，900 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為4000~20000 MPa。
〈3〉一種至少含有高分子量成分的黏著片，其中處於B階狀態的上述黏著片，在25℃的溫度下，10Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為1~3000 MPa，在-20℃的溫 度下，10 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為4000~20000 MPa。
〈4〉如上述〈2〉或〈3〉所述之至少含有高分子量成分的黏著片，其中處於B階狀態的上述黏著片，在60℃的溫度下，10 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為0.1~20 MPa。
〈5〉如上述〈2〉~〈4〉中任何一項所述之至少含有高分子量成分的黏著片，其中處於B階狀態的上述黏著片，在25℃的溫度下，斷裂強度為0.1 MPa以上、10 MPa以下，且延伸率為1%以上、40%以下。
〈6〉如上述〈1〉~〈5〉中任何一項所述之黏著片，其中上述高分子量成分的玻璃轉化溫度為-30℃~50℃，重量平均分子量為5萬～100萬。
〈7〉如上述〈6〉所述之黏著片，其中玻璃化轉變溫度為-30℃~50℃，重量平均分子量為5萬～100萬的上述高分子量成分含量為黏著片總重量除去填料重量後的50重量%以下。
〈8〉如上述〈7〉所述之黏著片，更包括熱硬化性成分。
〈9〉如上述〈7〉或〈8〉的任何一項所述之黏著片，更包括5~70重量%的填料。
〈10〉如上述〈1〉~〈9〉中任何一項所述之黏著片，其中殘留的揮發成分為0.01~3重量%。
〈11〉如上述〈1〉~〈10〉中任何一項所述之黏著片， 其中膜厚為1~250μm。
〈12〉一種與切割背膠一體型的黏著片，其係利用上述〈1〉~〈11〉中任何一項所述之黏著片與切割背膠層壓而成。
〈13〉一種半導體裝置的製造方法，包括：I)將上述〈1〉~〈11〉中任何一項所述之黏著片，黏貼在半導體晶片上；II)對上述半導體晶片進行可切斷處理步驟；III)將切割背膠黏貼在上述黏著片上，其中上述這些步驟的順序為I-II-III，II-I-III或I-III-II。且此方法更包括進行：IV)將上述半導體晶片與上述黏著片切斷，以得到多個單片的具有黏著片的半導體晶片；以及V)將上述具有黏著片的半導體晶片黏接在裝載半導體晶片用的支承部件上。
〈14〉一種半導體裝置的製造方法，包括：I')將上述〈12〉所述之與切割背膠一體型的黏著片黏貼在半導體晶片上；II)對上述半導體晶片進行可切斷處理步驟，其中上述這些步驟的順序為I'-II或II-I'。且此方法更包括進行：IV)將上述半導體晶片與上述與切割背膠一體型的黏著片切斷，以得到多個單片的具有黏著片的半導體晶片的步驟；以及V)將上述具有黏著片的半導體晶片黏接在裝載半導體晶片用的支承部件上。
〈15〉如上述〈13〉或〈14〉所述之半導體裝置的製造方法，其中使上述半導體晶片成為可切斷的方法為半切割或暗切割。
本申請案於此主張同樣的申請人先前提出的日本專利 申請，即2003-161656號(申請日2003年6月6日)以及2003-402748號(申請日2003年12月2日)的優先權，以便參照這些申請的發明說明。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
本發明的黏著片是一種至少含有高分子量成分的黏著片，其特徵在於處於B階狀態的上述黏著片，在25℃的溫度下，斷裂強度為0.1 MPa以上、10 MPa以下，且延伸率為1%以上、40%以下。
斷裂強度不足0.1 Mpa時，黏著片較脆，較不易處理。另外，在超過10 Mpa的情況下，在切斷晶片時就不可能同時將黏著片切斷，因此上述這些條件都是不適當的。同樣地，延伸率不足1%時，黏著片較脆，較不易處理。另外，在超過40%的情況下，在切斷晶片時就不可能同時將黏著片切斷，因此上述這些條件都是不適當的。從晶片被切斷時能確實地將黏著片也切斷這一點以及有充分的強度能方便地進行處理這一點來看，斷裂強度最好為1~8 MPa，延伸率最好為5~35%，更好的是斷裂強度為3~7 MPa，延伸率最好為10~30%。
處於B階狀態的上述黏著片在25℃的溫度下的斷裂強度與延伸率，是用寬10mm，卡盤(chuck)間距離20 mm，厚5~250μm的試樣，用拉伸試驗機以0.5 m/min的拉伸速 度，對其應力、畸變曲線進行測定，然後用下式求出。
斷裂強度(Pa)=最大強度(N)/試樣的截面積(m2 )
延伸率(%)=(斷裂時的試樣長度(mm)-20)/20×100
為了提高斷裂強度，可以提高彈性模數，同時提高材料的韌性。具體地說，在透過添加各種填料提高彈性模數的同時，添加少量的橡膠等對改良材料的韌性很有效。要降低斷裂強度，可以增加寡聚物、單體的添加量，降低填料的延伸率。
為了提高延伸率，可以提高材料的可撓性與韌性，例如，增加寡聚物、單體的添加量，且此寡聚體、單體具有低玻璃轉化溫度(Tg)、分子量大的高分子量成分，且軟化點溫度不到30℃。為了降低延伸率，可以增加軟化點溫度高於30℃以上的寡聚物、單體的添加量，增加具有高玻璃轉化溫度(Tg)的高分子量成分的量，添加填料，如此對降低韌性是有效的。
本發明的黏著片是一種至少含有高分子量成分的黏著片，其特徵在於處於B階狀態的上述黏著片，在25℃的溫度下，10 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為1~3000 MPa，在25℃的溫度下，900 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為4000-20000 MPa。
從處理時黏著片不易產生龜裂這點來看，在25℃的溫度下，10 Hz的彈性模數最好為10-1500 MPa，更好的是100-1200 Mpa。該彈性模數如不滿1 Mpa，黏著片的延伸太大，則難以處理，如超過3000 Mpa，處理時黏著片會產 生龜裂，因此上述之條件並不合適。另外，在25℃的溫度下，900 Hz的彈性模數最好為5000~15000 Mpa。該彈性模數如不滿4000 Mpa，有難以切斷的傾向，如超過20000 Mpa，有處理時黏著片容易產生龜裂的傾向。
還有，本發明的黏著片是一種至少含有高分子量成分的黏著片，其特徵在於處於B階狀態的上述黏著片，在25℃的溫度下，10 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為1~3000 MPa，在-20℃的溫度下，10 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為4000~20000 MPa。
在-20℃的溫度下，10 Hz的彈性模數最好為5000~15000 Mpa。該彈性模數如不滿4000 Mpa，有難以切斷的傾向，如超過20000 Mpa，有處理時黏著片容易產生龜裂的傾向。
本發明的黏著片，只要在黏貼到晶片上之後，在切斷時在上述規定的各種特性值範圍內即可，在黏貼時可以不在此範圍內。這就是說，可以在黏著片黏貼到晶片上之後，經過一定的保存時間後，再進行熱處理、光硬化等放射線照射加工，使其在上述各種特性值範圍內，例如，用黏貼到半導體晶片上之前的狀態下斷裂強度與延伸率高的黏著片，可以在低溫下將黏著片黏貼到半導體晶片上，可以在黏貼之後再使其斷裂強度與延伸率在上述各種特性值範圍內。同樣地，如黏著片初期，在25℃的溫度下，10 Hz的彈性模數不到1 MPa，在黏貼到晶片上時，有很強的黏著性，容易在室溫下進行層壓，然後再使其斷裂強度與延 伸率在上述各種特性值範圍內，也是可以的。
在使用本發明的黏著片時，由於晶片的翹度小，在室溫下很容易進行處理，因此最好在40℃~100℃的溫度之間層壓至晶片上。因此，本發明的黏著片，最好是在處於B階狀態的上述黏著片，在60℃的溫度下，10 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為0.1~20 Mpa，更好的是0.1~10 Mpa，特別好的是0.1~5 Mpa。如不滿0.1 Mpa，黏貼後黏著片會從晶片上剝離，發生錯位，因此不好。
還有，本發明的黏著片最好除了上述的各種特性外，還具有將半導體元件裝載在半導體元件裝載用的支承部件上的實際生產過程所要求的耐熱性與耐濕性。另外，本發明的黏著片，雖然只要能滿足上述的特性，其餘沒有什麼特別的限制，但是為使其具有適當的黏著強度，片狀時的處理比較容易，所以最好除高分子量成分外，還含熱硬化性成分與填料，除此之外，還可以含硬化促進劑、催化劑、添加劑、耦合(coupling)劑等。另外，由於黏著片中含的高分子量成分越多，填料越少，斷裂強度與延伸率就越高，因此這些成分對將斷裂強度與延伸率調節到本發明規定的數值範圍內非常重要。
下面，對構成本發明的黏著片的成分進行詳細說明。
本發明中的高分子量成分，只要是能滿足上述黏著片的特性的就可以，沒有特別的限制，但是最好是其玻璃轉化溫度(下稱Tg)為-30℃~50℃，重量平均分子量為5萬～100萬。如Tg超過50℃，黏著片的可撓性低，故並不合 適，如Tg不到-30℃，則因為黏著片的可撓性過高，晶片斷裂時黏著片難以斷裂，所以亦不合適。另外，重量平均分子量如不滿5萬，則黏著片的耐熱性低，所以並不合適，重量平均分子量如超過100萬，則黏著片的流動性低，所以亦不合適。
從晶片被切斷時黏著片的斷裂性與或耐熱性的觀點來看，Tg為-20℃~40℃，重量平均分子量為10萬～90萬的高分子量成分為佳，Tg為-10℃~50℃，重量平均分子量為5萬～100萬的高分子量成分為更好，Tg為-10℃~30℃，重量平均分子量為50萬～90萬的高分子量成分特別好。此外，重量平均分子量是用凝膠滲透光譜分析法(GPC)得到的、採用標準聚苯乙烯檢量線的聚苯乙烯換算值，使用日立製作所製造的L-6000，色譜柱用日立化成工業(有限公司)製造的蓋爾帕克(Gelpack)GL-R440,蓋爾帕克GL-R450以及蓋爾帕克GL-R400M(各10.7mmΦ×300mm)依此順序連結的管柱，洗提液用四氫呋喃，對用120 mg試樣溶解於5 ml四氫呋喃中構成的試樣，在1.75 ml/分的流速下，進行的測定。
高分子量成分，具體地說，可以舉出的有聚醯亞胺，聚苯乙烯，聚乙烯，聚酯，聚醯胺，丁二烯橡膠，丙烯酸橡膠，(甲基)丙烯酸樹脂，氨基甲酸樹脂，聚苯撐醚樹脂，聚醚醯亞胺樹脂，苯氧樹脂，改性聚苯撐醚樹脂、苯氧樹脂，聚碳酸酯及其混合物等。特別最好是含官能性單體的重量平均分子量10萬以上的高分子量成分，例如，含有丙 烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等官能性單體，且重量平均分子量10萬以上的含環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物等。含環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物可以使用例如，(甲基)丙烯酸共聚物，丙烯酸橡膠等，更好的是使用丙烯酸橡膠。丙烯酸橡膠以丙烯酸酯為主要成分，是以丁基丙烯酸酯與丙烯晴等的共聚物，乙基丙烯酸酯與丙烯晴等的共聚物為主構成的橡膠。
高分子量成分的含量最好是黏著片總重量除去填料重量後的50重量%以下，更好的是35重量%以下，特別好的是25重量%以上，30重量%以下。高分子量成分的添加量太多，黏著片的斷裂性有惡化的傾向，添加量太少則黏接時的流動性過大，有產生空隙的傾向。
上述的熱硬化性成分，有環氧樹脂，氰酸鹽樹脂，酚醛樹脂及其硬化劑等，但是從耐熱性好的觀點來看，最好用環氧樹脂。環氧樹脂只要能硬化，具有黏接作用即可，沒有特別的限制。可以使用雙酚A型環氧樹脂等二官能環氧樹脂，酚醛的嵌段型環氧樹脂或甲酚的嵌段型環氧樹脂等嵌段型環氧樹脂。另外，多官能環氧樹脂，含有複數環的環氧樹脂或酯環族環氧樹脂等一般公知的環氧樹脂也可以適用。
還有，為了降低處於B階狀態的黏著片的斷裂強度與延伸率，提高黏接劑的可處理性，提高熱傳導性，調整熔融黏度，賦予其觸變性(thixotropic)，本發明的黏著片應當摻入填料，最好與無機填料。
無機填料可以列舉出氫氧化鋁，氫氧化鎂，碳酸鈣，碳酸鎂，矽酸鈣，矽酸鎂，氧化鈣，氧化鎂，氧化鋁，氮化鋁，硼酸鋁，氮化硼，結晶二氧化矽，非晶二氧化矽，銻氧化物等。為了提高熱傳導性，最好用氧化鋁，氮化鋁，氮化硼，結晶二氧化矽，非晶二氧化矽等。為了調整熔融黏度，賦予其觸變性，最好用氫氧化鋁，氫氧化鎂，碳酸鈣，碳酸鎂，矽酸鈣，矽酸鎂，氧化鈣，氧化鎂，氧化鋁，結晶二氧化矽，非晶二氧化矽等。另外，為了提高耐濕性，最好用氮化鋁，二氧化矽氫氧化鋁，銻氧化物等。
上述的填料的用量最好是黏著片全部重量的5重量%以上，70重量%以下，更好的是35重量%以上，60重量%以下。添加量太多，容易產生黏著片的儲藏彈性模數上升，黏接性能降低，因空隙殘存而造成電器特性降低等問題，所以特別好的是50重量%以下。另外，填料的比重最好是1-10 g/cm3 。
此外，本發明的黏著片可以透過包含分子內有一個以上的不飽和雙鍵的丙烯酸單體及其光起始劑等，使其具有紫外線(UV)硬化性，在低溫下層壓後，可以透過紫外線照射降低延伸率，提高斷裂性。
在上述高分子量成分，如有需要，還可以在有機溶劑中混入熱硬化性成分，填料，以及其他成分，在混勻調製成清漆後，在基體薄膜上形成清漆層，加熱乾燥後除去基體，即可製成本發明的黏著片。
上述的混合、混勻可以適當地組合使用一般的攪拌 機，研磨攪拌機，三輥攪拌機，球磨機等分散機。上述的加熱乾燥條件，只要能將所用的溶劑充分揮發掉就可以，沒有特別的限制，但是，通常是加熱至60℃~200℃的溫度，加熱0.1~90分鐘。
上述的黏著片製造中，調製上述清漆所用的有機溶劑，只要能將材料均勻地溶解、混勻或分散就可以，沒有特別的限制，可以使用一般所知的有機溶劑。這類溶劑可以列舉出，例如二甲基甲醯胺，二甲基乙醯胺，N-甲基吡咯烷酮，丙酮，丁酮，環己酮等酮系溶劑，甲苯，二甲苯等。從乾燥速度快，價格便宜的角度來看，最好使用丁酮，環己酮等。
有機溶劑的用量只要是黏著片製造後的殘留揮發量為全部重量基準的0.01~3重量%就行，沒有特別的限制，但是從耐熱性的角度來看，最好是全部重量基準的0.01~2.0重量%，更好的是全部重量基準的0.01~1.5重量%。
另外，在可切斷的範圍內，本發明的黏著片可以由若干張重疊起來，製成多層的黏著片。還有，本發明的黏著片可以與例如熱塑性薄膜，黏接劑，熱硬化樹脂等構成的薄膜組合起來，在薄膜的兩面重疊上黏著片，或者形成多層的黏著片。另外，所謂的在可切斷的範圍內，是指多層的黏著片的斷裂強度以及延伸率、彈性模數在上述的數值範圍內。這類薄膜可以列舉出例如，聚醯亞胺，聚酯等熱塑性樹脂，環氧樹脂，矽樹脂，及其混合物等構成的薄膜。這類薄膜可以含各種填料。
本發明的黏著片的膜厚，沒有特別的限制，但是最好是為1~250 μm。如比1 μm薄，則應力緩衝效果與黏接性能有變差的傾向，如比250 μm厚，則不夠經濟，也不符合半導體裝置小型化的要求，有難以切斷的傾向。另外，從黏接性能好，而且能實現半導體裝置的薄型化的角度出發，最好為3~100 μm，更好的是5~55 μm。
本發明的與切割背膠一體型的黏著片，可以用本發明的黏著片層壓在公知的切割背膠上以製得。使用該與切割背膠一體型的黏著片，可以將晶片上的層壓步驟一次完成，提高生產效率。在切割背膠上層壓黏著片的方法，除了印刷外，還可以列舉出將預先製成的黏著片押壓在切割背膠上，熱軋層壓(hot roll laminating)等方法，但是從可以連續製造，效率高的角度來看，最好用熱軋層壓方法。
本發明所用的切割背膠，可以列舉出例如，聚四氟乙烯薄膜，聚對苯二甲酸乙酯薄膜，聚乙烯薄膜，聚丙烯薄膜，聚甲基戊烯薄膜，聚醯亞胺薄膜等塑膠薄膜。另外，也可以根據需要進行底漆塗覆，紫外線處理，電暈放電處理，研磨處理，蝕刻處理等表面處理。切割背膠必須有黏接性能，可以在切割背膠的一面設黏接劑層。這可以對黏接劑層的樹脂組合物，特別是對其液態成分的比例，高分子量成分的Tg進行調整，將所得的具有適當黏接強度的樹脂組合物進行塗覆、乾燥後形成。
另外，切割背膠的膜厚，沒有特別的限制，可以根據黏著片的膜厚，與切割背膠一體型的黏著片的用途，根據 發明所屬技術領域的人員的知識適當確定，但是從經濟性好，薄膜處理方便等方面考慮可以為60~150μm，最好是70~130μm。
另外，本發明的黏著片或與切割背膠一體型的黏著片必須具有在製造半導體裝置時，半導體元件不會在進行切割時飛散的黏接力，而且在以後拾取時又要能從切割背膠上剝離下來。例如，如黏著片或切割背膠的黏接性太高，槽端部的樹脂就會融結，而造成分離困難。所以，本發明的黏著片或切割背膠在處於B階狀態下的90∘剝離強度最好在150N/m以下，更好的是5~100N/m，還要好的是5~50N/m。剝離強度如超過150N/m，拾取時晶片容易被撕壞。剝離強度的測定，是在25℃的氣氛中，以90∘的角度，用50mm/分的拉伸速度將黏著片從切割背膠上剝離下來的結果。
為了使得上述90∘的剝離強度在150N/m以下，要適當地對黏著片的黏接強度進行調節。調節黏接強度的方法，可以利用黏著片的室溫下的流動性上升，黏接強度與剝離強度就有上升的傾向，而流動性降低，黏接強度與剝離強度就有降低的傾向這一性質。例如，要使流動性上升，可以採用增加可塑劑的含量，增加產生黏接性的材料的含量等方法。反過來，要降低流動性，則可以減少上述化合物的含量。上述的可塑劑可以列舉出，例如具單官能基的丙烯酸單體，具單官能基環氧樹脂，液態環氧樹脂，丙烯酸類樹脂，環氧樹脂系的所謂稀釋劑等。
上述本發明的黏著片或具有本發明的黏著片的與切割背膠一體型的黏著片可以用來製造半導體裝置。
具體地說，本發明的半導體裝置的製造方法，包括：I)將本發明的黏著片，黏貼在半導體晶片上；II)對上述半導體晶片進行可切斷處理步驟；III)將切割背膠黏貼在上述黏著片上，其中上述這些步驟的順序為I-II-III，II-I-III或I-III-II。且此方法還含IV)將上述半導體晶片與上述黏著片切斷，以得到多個單片的具有黏著片的半導體晶片；以及V)將上述具有黏著片的半導體晶片黏接在裝載半導體晶片用的支承部件上。
圖1繪示將本發明的黏著片1，黏貼在半導體晶片A上的一種實施例，圖2繪示對半導體晶片A的預定切割線4進行雷射光照射，在晶片內部形成變質領域(切割預定部)5，進行可切斷處理步驟的一種實施例，圖3繪示將由黏接劑層2a與基體層2b構成的切割背膠2黏貼在黏著片1上的一種實施例，圖4繪示透過拉伸切割背膠2，將半導體晶片A與黏著片1切斷的一種實施例，圖5繪示將具有黏著片的半導體晶片6黏接在裝載半導體晶片用的支承部件7上的一種實施例。
上述的半導體晶片，除了單晶矽外，還可以使用多晶矽，各種陶瓷，鎵砷等化合物半導體。
上述步驟I中將黏著片黏貼在半導體晶片上的溫度，即層壓溫度最好在0℃~170℃的範圍內，為了減少晶片的翹度，更好的是在20℃~130℃的範圍內，特別好的是在 20℃~60℃的範圍內。另外，在步驟II)後進行步驟I)的情況下，為了防止層壓過程中因應力或變形造成晶片破裂，最好以不會產生變形的條件支承晶片，進行層壓。
上述步驟II)中的對晶片進行可切斷處理的加工方法，可以列舉出不將晶片用切割刃等完全切斷，而是以可折裂的槽的加工方法，或用雷射光照射預定切割線上的晶片內部，形成變質領域的方法等，然後再用施加外力等，很容易地強晶片切斷的方法。晶片的雷射光加工方法可以使用日本專利早期公開之2002-192370號公報，日本專利早期公開之2003-338467號公報所述的方法。裝置可以使用，例如株式會社東京精密製造的雷射光切割機MAHOHDICING MACHINE。對半導體晶片照射的雷射光，可以從半導體晶片的表面，即形成電路的一面照射，另外，也可以從半導體晶片的背面，即沒有形成電路、黏貼了黏著片的那一面照射。如步驟II)在步驟I)或後面將要說明的步驟I')或步驟III)之後才進行的話，因為雷射光也可以從黏著片或切割背膠一側照射半導體晶片，所以黏著片或切割背膠最好能透過雷射光。另外，從方便對不能切割，即切斷部分的辨認的角度來看，黏著片最好與切割背膠的透明度與色調不同。
在本發明中，例如，在下述條件下，用上述的雷射光加工裝置，將聚光點對準矽晶片的內部，沿著預定切割線從矽晶片的表面進行雷射光照射，在矽晶片的內部形成變質領域。該變質領域可以沿著預定切割線將晶片切斷。變 質領域最好是透過多光子吸收，在半導體晶片內部局部加熱熔融而形成的熔融處理領域。
(雷射光加工條件)
(A)半導體基板：矽晶片(厚：350 μm，外徑6英寸)
(B)雷射光光源：半導體雷射器激發Nd:YAG雷射光
波長：1064 nm
雷射光光點截面積：3.14×10-8 cm2
振蕩形態：Q開關脈衝
反復頻率：100 kHz
脈衝寬度：30 ns
輸出：20 μJ/脈衝
雷射光質量：TEM00
偏光特性：直線偏光
(C)聚光用透鏡
倍率：50倍
NA:0.55
對聚光波長的透光率百分之60
(D)裝載半導體基板的裝載平臺的移動速度：100 mm/秒
在步驟III)中，可以用一般所知的方法將切割背膠黏貼在黏著片與半導體晶片黏接的面的反面。黏貼的溫度，即層壓的溫度最好在0℃~60℃的範圍內，更好的是在10℃~40℃的範圍內，還要好的是在15℃~30℃的範圍內。在步驟II)後進行步驟III)的情況下，為了防止層壓過程中 因應力或變形造成晶片破裂，最好按不會產生變形的條件支承晶片，進行層壓。
在本發明的半導體裝置的製造方法中，可以將步驟I)與步驟III)變化為步驟I')的將本發明的與切割背膠一體型的黏著片黏貼在半導體晶片上的步驟。
在這種情況下，本發明的半導體裝置的製造方法按照I'-II或II-I'的順序，含I')的將本發明的與切割背膠一體型的黏著片黏貼在半導體晶片上的步驟，以及II)使半導體晶片可切斷的步驟，還含IV)將半導體晶片與本發明的與切割背膠一體型的黏著片切斷，以得到多個單片的具有黏著片的半導體晶片的步驟，以及V)將具有黏著片的半導體晶片黏接在裝載半導體晶片用的支承部件上的步驟。
圖6繪示將本發明的與切割背膠一體型的黏著片3，黏貼在半導體晶片A上的步驟的一種實施例，圖7繪示用切割鋸23對半導體晶片A進行半切割，使其成為可切斷的步驟的一種實施例，圖8繪示對與切割背膠一體型的黏著片3施加外力，晶片A以及與切割背膠一體型的黏著片3的黏著片1被切斷狀態的一種實施例，圖9繪示將具有黏著片的半導體晶片6黏接在裝載半導體晶片用的支承部件7上的步驟的一種實施例。另外，圖11歸納了將本發明的與切割背膠一體型的黏著片3，黏貼在半導體晶片A上的步驟，對半導體晶片A的預定切割線4進行雷射光照射，在晶片內部形成變質領域(切割預定部)5，使得晶片成為可切斷的步驟，以及對切割背膠2或與切割背膠一體型 的黏著片3施加外力，將晶片A以及與黏著片1切斷的步驟。另外，在本發明的半導體裝置的製造方法中，對將黏著片或切割背膠黏貼到晶片上的黏貼方法以及切割方法的組合沒有特定的限制。從操作方便和講究效率的觀點出發，最好是用暗切割的組合。
在將與切割背膠一體型的黏著片黏貼到半導體晶片上時，將半導體晶片同與切割背膠一體型的黏著片的黏接面貼在一起。黏貼溫度，即層壓溫度最好在0℃~170℃的範圍內，為了減少晶片的翹度，更好的是在20℃~130℃的範圍內，特別好的是在20℃~60℃的範圍內。
在上述步驟I)、II)以及III)，或者I')以及II)之後，進行步驟IV)，在該步驟中，半導體晶片與黏著片的切斷，可以用對切割背膠或與切割背膠一體型的黏著片施加外力的方法進行。該外力，例如在半切割的情況下，最好是以扭曲方向或螺旋方向施加，在暗切割的情況下，最好是以拉伸(擴張)方向施加。
例如，在暗切割中，在拉伸切割背膠的兩端，施加外力，切斷晶片與黏著片時，可以使用市售的晶片擴張裝置。更具體地說，如圖4所示，在放置於平臺13上的切割背膠2的四周部貼上夾圈11，加以固定，然後透過上升部12的上升，從兩端給切割背膠2施加張力。以這時上升部的上升速度為擴張速度，上升部上升的高度14為擴張量，在本發明中，擴張速度最好為10-1000 mm/秒，更好的是10-100 mm/秒，特別好的是10-50 mm/秒。另外，擴張量 最好為5-30 mm，更好的是10-30 mm/秒，特別好的是5-20 mm。如擴張速度不到10 mm/秒，半導體晶片與黏著片的切斷有困難的傾向，超過1000 mm/秒時，則切割背膠有易破裂的傾向。此外，如擴張量不到5 mm，半導體晶片與黏著片的切斷有困難的傾向，超過30 mm時，則切割背膠有易破裂的傾向。
透過這樣對切割背膠進行拉伸，施加外力，就會以晶片內部的變質領域為起點在半導體晶片的厚度方向產生龜裂，該龜裂到達晶片的表面與背面，再到達與半導體晶片密切貼著的黏著片的背面，半導體晶片與黏著片被切割，即切斷。這樣，便可以製成具有有黏著片的半導體晶片。
還有，在擴張量超過25mm的情況下，切割背膠的基體層最好用氯乙烯材料，但在拉伸的量不大的情況下，最好使用各種聚烯烴材料。另外，擴張最好在室溫下進行，但是如有必要也可以在-50℃~100℃之間調整。在本發明中，最好是在-50℃~60℃之間，更好的是在0℃~40℃之間。從黏著片的延伸率低，切斷比較容易，可防止因黏著片切斷不良造成成品率低的觀點考慮，擴張時的溫度以低為好。
在切割背膠的黏接劑層用紫外線硬化黏接劑的情況下，在擴張的前或後，用紫外線從與切割背膠上黏貼半導體晶片的面相反的一面照射，使紫外線硬化黏接劑硬化。這樣，紫外線硬化黏接劑與黏著片之間的黏接力下降，因此，後面的步驟IV)中的拾取就容易了。
接下來，在步驟V)中，拾取裝置用圖5或圖9所示的吸附夾頭21，鋼絲夾22，將多個單片化的具有黏著片的半導體晶片拾取出來，將其裝載在半導體晶片裝載用支承部件的半導體晶片裝載部上，將黏著片加熱硬化。加熱硬化通常在100℃~220℃之間進行。
本發明的半導體裝置的製造方法，並不限定為上述步驟，可以含任意的步驟。例如，在進行了步驟I)或步驟I')後，進行步驟IV)之前任何一個階段，都可以包含用紫外線，紅外線，或微波照射黏著片的步驟，或者將黏著片加熱或冷卻的過程。在進行了過程V)之後，可以根據需要包含導線接合步驟，封裝步驟等。
下面，用本發明的實例進行更為詳細的說明，但是本發明不限於此。
(實例1)
在環氧樹脂用雙酚F型環氧樹脂(用環氧基當量為160，東都化成株式會社製造的，商品名YD-8170C的產品)30重量部；甲酚的嵌段型環氧樹脂(用環氧基當量為210，東都化成株式會社製造的，商品名YDCN-703的產品)10重量部；環氧樹脂的硬化劑用苯酚的嵌段樹脂(用大日本墨水化學工業株式會社製造的，商品名 LF2882的產品)27重量部；含環氧基的丙烯酸系共聚物用含有環氧基的丙烯酸橡膠(用凝膠滲透光譜分析法測得的重量平均分子量為80萬，甲基丙烯酸縮水甘油酯3重量%，Tg為-7℃,( 製造的，商品名 HTR-860P-3DR的產品)28重量部；硬化促進劑用咪唑系硬化促進劑(用四國化成株式會社製造的 2PZ-CN)0.1重量部；二氧化矽填料(用 株式會社製造的S0-C2(比重：2.2g/cm2 )95重量部；矽烷偶聯劑(用日本 -株式會社製造的，商品名A-189的產品)0.25重量部與(日本 -株式會社製造的，商品名A-1160的產品)0.5重量部構成的組合物中，加入環己酮，攪拌混合，真空除氣，製成黏接劑清漆。
將該黏接劑清漆塗覆在厚度為50μm的脫模處理過的聚對苯二甲酸乙酯薄膜上，加熱至90℃的溫度10分鐘，加熱至120℃的溫度5分鐘，乾燥，形成膜厚25μm的塗膜，製成處於B階狀態的黏著片。另外，用同樣的操作，製成膜厚75μm的處於B階狀態的黏著片。
(實例2-6)
用表1所示的組合物，用與實施例1同樣的方法，製成黏著片。實施例6的黏著片是用實施例1所得的黏著片經40℃、24小時熱處理，降低了延伸率的黏著片。
(比較例1-5)
用表1所示的組合物，用與實施例1同樣的方法，製成黏著片。
在下述的評估專項目中，對於彈性模數，使用膜厚75 μm的黏著片，對於其他項目，使用膜厚25μm的黏著片，對實施例1-6以及比較例1-5的黏著片進行評價。所得結果如表2所示。
[黏著片的評價方法]
(1)斷裂強度、延伸率
處於B階狀態的黏著片在25℃的溫度下的斷裂強度與延伸率，是用寬10 mm，長30 mm，厚25 μm的試樣，用拉伸試驗機(今田製作所製造的數位荷載儀SV55)以卡盤間距離20 mm，0.5 m/min的拉伸速度，對其應力、畸變曲線進行測定，然後用下式求出。
斷裂強度(Pa)=最大強度(N)/試樣的截面積(m2 )
延伸率(%)=(斷裂時的試樣的卡盤間長度(mm)-20)/20×100
(2)殘留的揮發成分
殘留的揮發成分，是對從B價狀態的薄膜中取下的5cm見方的薄膜稱重(質量A)，在具有脫模性的基板上放置於170℃的乾燥機中1小時後，再稱重(質量B)，然後用下式求出。
殘留的揮發成分(%)=(A-B)×100/A
(3)彈性模數(儲藏彈性模數)
用動態黏彈性模數測定裝置( -公司製造的DVE-V4)對處於B狀態的黏著片的儲藏彈性模數進行測定(試樣尺寸：長20 mm，寬4 mm，膜厚75 μm，溫度範圍-30℃~100℃，升溫速度5℃/min，拉伸模10Hz或900Hz，自動靜荷重)。
(4)黏接強度
用 株式會社製造的黏接試驗機，根據日本工業標準JISZ0237-1991所述的方法(探針直徑5.1 mm，剝離速 度10 mm/s，接觸荷載100 gf/cm2 ，接觸時間1 s)在25℃的溫度下進行測定。
(5)黏著力
在120℃的加熱板上，用黏著片將晶片(5mm見方)與鍍金基板(具有銅箔的電鍍軟基板(鎳：5 μm，金0.3 μm))層壓，經130℃、30 min+170℃、1小時固化。測定該試樣吸濕前，85℃/85%RH，48小時吸濕後的260℃溫度下的剝離強度。
(6)層壓性
用熱軋層壓(60℃、0.3 m/分、0.3 Mpa)將寬度10 mm的黏著片於晶片黏貼，然後，求出用TOYOBALWIN製造的UTM-4-100型拉力計，在25℃的氣氛中，以90∘的角度，50 mm/分的拉伸速度對黏著片進行剝離時的剝離強度。剝離強度在30 N/m以上時，層壓性良好，剝離強度在30N/m以下時，層壓性不良。
(7)流動性
對沖裁成薄長方形的黏著片與PET薄膜的試樣，用熱壓接試驗裝置( -產業(株)製)，在加熱板溫度160℃，壓力1 Mpa的條件下，按壓18秒後，用光學顯微鏡對試樣端部突出的樹脂的長度進行測定，將此作為流動量。
(8)半切割的斷裂性
將分別製作的黏著片與切割背膠搭配好，將黏著片層壓在切割背膠上，用熱軋層壓機(杜邦製造的Riston)在25℃的溫度下將其層壓，製成與切割背膠一體型的黏著 片。這時，切割背膠用古河電工(株)製造的(UC3004M-80)。切割背膠的膜厚為80μm。接下來，將要進行切割加工的半導體晶片黏貼在與切割背膠一體型的黏著片的黏著片面上。這時，半導體晶片用厚度為80μm的半導體晶片。另外，層壓溫度為60℃。接下來，用切割刃對晶片進行半切割，再洗淨、乾燥，對晶片進行可切斷的加工，使得半導體晶片受到外力作用時，至少能得到2塊以上的晶片。然後，透過將與切割背膠一體型的黏著片彎折將黏著片與半導體晶片切斷，製得具有黏著片的半導體晶片。這裏，以半導體晶片與黏著片半切割距離的90%以上被同時切斷的為斷裂性良好，不滿90%的為不良。
(9)耐回流龜裂性、耐溫度循環性
將5mm見方的切斷半導體元件及黏著片，與用厚25μm的聚醯亞胺薄膜作為基體的線路板黏貼，製作成半導體裝置試樣(在一面形成焊球)，測試其耐熱性。在耐熱性的評估方法中，用耐回流龜裂性與耐溫度循環性試驗。
耐回流龜裂性的評估，是讓試樣透過將溫度設定為使試樣表面的最高溫度為26℃，並將該溫度保持20秒鐘的IR回流爐。再放置於室溫下進行冷卻，用目測與超音波顯微鏡觀察經過反復2次上述處理的試樣中的龜裂情況。10個試樣均未發生龜裂的為O，1個以上發生龜裂的為X。
耐溫度循環性的評估，是把將試樣放在-55℃的環境下30分鐘，之後並將其放置在125℃的環境下30分鐘視為一個循環。在進行1000次循環後，用超音波顯微鏡觀察上述處理的試樣中的龜裂情況。10個試樣均未發生龜裂的 為O，1個以上發生龜裂的為X。
實例1~4的彈性模數，斷裂強度與延伸率在本發明規定的範圍內，層壓性，斷裂性良好。另外，由於室溫下的黏接強度較小，因此容易處理。此外，由於高溫下的黏接力優良，所以耐回流龜裂性、耐溫度循環性也優良。實例5雖然斷裂性良好，但是60℃時層壓性不良，不適於低溫層壓。比較例1-5的彈性模數，斷裂強度與延伸率不在本發明規定的範圍內，任何一個的斷裂性都不良。
[暗切割的具有黏著片的半導體晶片的製作]
將實例1-3，實例6，比較例1與比較例5的黏著片與下述過程適當組合，製造具有黏著片的半導體晶片，對其斷裂性與端部的突出情況進行評估。各方式的概要如表3所示。另外，黏著片與進行方式的組合，以及斷裂性與端部的突出情況的評估結果如表4所示。
(方式1)
用熱軋層壓機(杜邦製造的Riston)在60℃的溫度下將黏著片層壓在要進行切割加工的半導體晶片(厚80μm)的半導體晶片上。如圖2所示，用雷射光照射製得與切割背膠一體型的黏著片，在晶片內部形成變質領域。接下來，在黏著片的另一面層壓切割背膠(古河電工(株)製造的(UC3004M-80)。將不銹鋼製的夾圈貼在切割背膠的外周部。接下來，用擴張裝置將固定了夾圈的切割背膠擴張。該擴張的條件為擴張速度是30mm/秒，擴張量為15mm。
(方式2)
如圖2所示，用雷射光照射半導體晶片(厚80μm)，在晶片內部形成變質領域。然後，用熱軋層壓機(杜邦製造的Riston)在60℃的溫度下將黏著片層壓到半導體晶片A上。接下來，在黏著片的另一面層壓切割背膠(古河電工(株)製造的(UC3004M-80)。然後，將不銹鋼製的夾圈貼在切割背膠的外周部。接下來，用擴張裝置將固定了夾圈的切割背膠擴張。該擴張的條件為擴張速度是30 mm/秒，擴張量為15 mm。
(方式3)
如圖2所示，用雷射光照射半導體晶片(厚80μm)，在晶片內部形成變質領域。然後，用熱軋層壓機(杜邦製造的Riston)在60℃的溫度下對黏著片與切割背膠(古河電工(株)製造的(UC3004M-80)層壓形成的與切割背膠一體型的黏著片層壓到晶片上。然後，將不銹鋼製的夾圈貼在切割背膠的外周部。接下來，用擴張裝置將固定了夾圈的切割背膠擴張。該擴張的條件為擴張速度是30 mm/秒，擴張量為15 mm。
(方式4)
如圖2所示，用雷射光照射半導體晶片(厚80μm)，在晶片內部形成變質領域。然後，用熱軋層壓機(杜邦製造的Riston)在60℃的溫度下將黏著片層壓到晶片上。接下來，對黏著片加熱10分鐘，加熱溫度120℃。然後，在黏著片的另一面層壓切割背膠(古河電工(株)製造的 (UC3004M-80)。將不銹鋼製的夾圈貼在切割背膠的外周部。接下來，用擴張裝置將固定了夾圈的切割背膠擴張。該擴張的條件為擴張速度是30 mm/秒，擴張量為15 mm。
(斷裂性)
擴張後，用光學顯微鏡觀察半導體晶片與黏著片是否斷裂。以被切割距離的98%以上斷裂的為極良好(◎)，90%以上斷裂的為良好(O)50~90%斷裂的為部分良好(△)不滿50%的為不良(X)。
(端部的突出情況)
另外，對拾取出來的具有黏著片的半導體晶片，進行如圖10所示的半導體晶片與黏著片端部的觀察。以未被切斷、從晶片端部突出的黏著片的長度8為突出長度。該長度不滿0~20 μm的為極良好(◎)，20~100 μm的為良好(O) 超過100 μm的為不良(X)。
實例7-22的彈性模數，斷裂強度與延伸率在本發明規定的範圍內，層壓性，斷裂性良好。另外，由於室溫下的 黏接強度較小，因此容易處理。此外，由於高溫下的黏接力優良，所以耐回流龜裂性、耐溫度循環性也優良。特別是實例10，14，18，22，由於對黏著片進行了後加熱，因此斷裂性提高。另外，降低了黏著片的延伸率的實例19-22的斷裂性也優良。
比較例的彈性模數，斷裂強度與延伸率不在本發明規定的範圍內，任何一個的斷裂性都不良。
採用本發明，可以提供一種能在100℃以下的低溫下黏貼到晶片上，具有能在室溫下進行處理的柔韌程度，而且能在通常的切斷條件下與晶片同時切斷的黏著片。
另外，採用本發明，由於可以將半切割或暗切割等晶片切割方法與晶片背面黏貼方式的黏著片使用方法同時適用於半導體裝置製造中的切割過程中，因此可以高效率地進行切割過程。
還有，採用本發明的黏著片，即使使用厚度100μm以下的極薄晶片，由於沒有必要用切割鋸之類將晶片與黏著片同時切斷，所以可以提高切割速度。因此，採用本發明的黏著片，可以提高半導體裝置的加工速度，提高成品率。
另外，透過使用本發明的黏著片，晶片與黏著片的切斷面可以在100μm以內一致，而且萬一沒有切斷，也能容易確認黏著片是否被切斷，所以不會發生拾取不良的情況，可以高效率地製造半導體裝置。
此外，在製造半導體裝置的半導體元件與裝載半導體元件用的支承部件的接合過程中，接合的可靠性也很優 良。也就是說，本發明的黏著片具有將半導體元件裝載在支承部件上時實際需要的耐熱性與耐濕性，而且可操作性優良。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
A‧‧‧半導體晶片
1‧‧‧黏著片
2‧‧‧切割背膠
2a‧‧‧黏接劑層
2b‧‧‧基體層
3‧‧‧黏著片
4‧‧‧預定切割線
5‧‧‧變質領域
6‧‧‧具有黏著片的半導體晶片
7‧‧‧支承部件
11‧‧‧夾圈
12‧‧‧上升部
13‧‧‧平臺
14‧‧‧高度
21‧‧‧吸附夾頭
22‧‧‧鋼絲夾
23‧‧‧切割鋸
圖1是繪示本發明的步驟I)的一種實施例的示意圖。
圖2是繪示本發明的步驟II)的一種實施例的示意圖。
圖3是繪示本發明的步驟III)的一種實施例的示意圖。
圖4是繪示本發明的步驟IV)的一種實施例的示意圖。
圖5是繪示本發明的步驟V)的一種實施例的示意圖。
圖6是繪示本發明的步驟I')的一種實施例的示意圖。
圖7是繪示本發明的步驟II)的一種實施例的示意圖。
圖8是繪示對圖7的晶片施加外力，晶片與黏著片成被切斷狀態的示意圖。
圖9是繪示本發明的步驟V)的一種實施例的示意圖。
圖10是繪示具有黏著片的半導體晶片的一種實施例的示意圖。
圖11是繪示本發明的步驟I')、步驟II)與步驟IV)的一種實施例的示意圖。
A‧‧‧半導體晶片
1‧‧‧黏著片
2‧‧‧切割背膠
6‧‧‧具有黏著片的半導體晶片
11‧‧‧夾圈
12‧‧‧上升部
13‧‧‧平臺
14‧‧‧高度

Claims (10)

  1. 一種切割背膠一體型黏著片，其係使用黏著片與切割背膠層壓而成，其中：前述黏著片包括含環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物、環氧樹脂以及無機填料；前述切割背膠具有由氯乙烯構成的基體層，其中以前述黏著片的全重量為基準，含有前述無機填料35~60重量%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之切割背膠一體型黏著片，其中前述含環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的玻璃轉化溫度為-30℃~50℃，重量平均分子量為5萬~100萬。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之切割背膠一體型黏著片，其中前述含環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物含量為黏著片總重量除去填料重量後的50重量%以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之切割背膠一體型黏著片，其中前述黏著片的殘留的揮發成分為0.01~3重量%。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之切割背膠一體型黏著片，其中前述黏著片的膜厚為1~250 μm。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之切割背膠一體型黏著片，其中前述含環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物包括丙烯酸橡膠。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之切割背膠一體型黏著片，其中處於B階狀態的前述黏著片，在25℃的溫度下，以10 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為1~3000 MPa，在25℃的溫度下，以900 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為4000~20000 MPa。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之切割背膠一體型黏著片，其中處於B階狀態的前述黏著片，在25℃的溫度下，以10Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為1~3000 MPa，在-20℃的溫度下，以10Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為4000~20000 MPa。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之切割背膠一體型黏著片，其中處於B階狀態的前述黏著片，在60℃的溫度下，以10Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為0.1~20 MPa。
  10. 如申請專利範圍第7項或第8項所述之切割背膠一體型黏著片，其中處於B階狀態的前述黏著片，在25℃的溫度下，斷裂強度為0.1 MPa以上至10 MPa以下，且延伸率為1%以上至40%以下。
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