JP4979063B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4979063B2 JP4979063B2 JP2006165917A JP2006165917A JP4979063B2 JP 4979063 B2 JP4979063 B2 JP 4979063B2 JP 2006165917 A JP2006165917 A JP 2006165917A JP 2006165917 A JP2006165917 A JP 2006165917A JP 4979063 B2 JP4979063 B2 JP 4979063B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive sheet
- semiconductor chip
- resin
- semiconductor
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
- H01L2224/85207—Thermosonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
即ち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記の課題を解決する為に、粘着シート付きの接着シート上に貼り合わせ固定されている半導体ウェハに対し、ダイシングブレードを用いてダイシングすることにより半導体チップを形成する工程と、前記粘着シート付きの接着シートをエキスパンド量1〜4mmの条件下でエキスパンドする工程と、前記の接着シート付き半導体チップを前記粘着シートからピックアップする工程とを有し、前記接着シートとして、室温に於ける引張破断強度が3MPa以上70MPa以下、引張破断伸度が7%以上700%以下のものを使用することを特徴とする。
即ち、本発明によれば、接着シートとして、室温での引張破断強度が100MPa以下、引張破断伸度が1000%以下の物性を示すものを使用するので、目的の半導体チップのみを確実にピックアップすることができ、ピックアップ性の向上が図れる。その結果、信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く製造することが可能になるという効果を奏する。
接着シート11は、室温に於ける引張破断強度が100MPa以下であり、かつ引張破断伸度が1000%以下であれば、その構成は特に限定されない。具体的には、例えば接着剤層の単層のみからなる接着シートや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造の接着シート等が挙げられる。ここで、前記コア材料としては、フィルム(例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルA、ポリエチレンテレフタレートフィルA、ポリエチレンナフタレートフィルA、ポリカーボネートフィルA等)、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板も シリコン基板又はカラス基板等が挙げられる。また、接着シートとダイシングシートとの一体型のものも使用することができる。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(根上工業(株)製、パラクロンW−197CM)100部に対して、多官能イソシアネート系架橋剤3部、エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、エピコート1004)23部、フェノール樹脂(三井化学(株)製、ミレックスXLC−CC)6部、球状シリカ(アドマテックス(株)製、S0−25R)60部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度20重量%の接着剤組成物の溶液を調整した。
本実施例2に於いては、実施例1にて使用したエポキシ樹脂とフェノール樹脂の添加量をそれぞれ92部と24部に変更した。それ以外は、実施例1と同様の手法により、本実施例に係る接着シートを作製した。
本実施例3に於いては、実施例1にて使用したエポキシ樹脂とフェノール樹脂の添加量をそれぞれ184部と48部に変更した。それ以外は、実施例1と同様の手法により、本実施例に係る接着シートを作製した。
本比較例1に於いては、実施例1にて使用したエポキシ樹脂とフェノール樹脂の添加量をそれぞれ7.7部と2部に変更した。それ以外は、実施例1と同様の手法により、本実施例に係る接着シートを作製した。
本比較例2に於いては、実施例1にて使用したエポキシ樹脂とフェノール樹脂の添加量をそれぞれ276部と18部に変更した。それ以外は、実施例1と同様の手法により、本実施例に係る接着シートを作製した。
本比較例3に於いては、実施例1にて使用した球状シリカを添加しなかったこと以外は、実施例1と同様の手法により、本比較例に係る接着シートを作製した。
本比較例4に於いては、実施例1にて使用したアクリル樹脂を添加しなかったこと以外は、実施例1と同様の手法により接着シートの作製を行ったが、接着シートとして完成させることはできなかった。
前記実施例1〜3及び比較例1〜4に於いて作製した接着シートについて、それぞれ引張被断強度及び引張破断伸度を以下の通り測定した。
次に、前記の各接着シートについてそれらのピックアップ性を評価した。即ち、得られた各接着シートをセパレーターから剥離した後、8inchのシリコンミラーウェハ(75μm厚み)に貼り付けた。次に、接着シートのシリコンミラーウェハの貼り付け面とは反対側の面に、ダイシングテープ(日東電工(株)製、ダイシングテープV−8−T)をダイシングリングと共にラミネートした。ラミネートは室温下でラミネーターを用いて行った。
ダイサー:DISCO社製、DFD−651
ブレード:DISCO社製、126F−SE27HABB
ブレード回転数:40000rpm
ダイシング速度:30mm/sec
ダイシング深さ:85μm
カットモード:シングルカット
ダイシングサイズ:2.0×2.0mm
ダイボンダー:ダイボンダーSPA300((株)新川製))
ピン数:1本
ピン先端曲率:350mm
ピン突き上げ量:300mm
吸着保持時間:50msec
エキスバンド量:2mm
下記表1の結果から分かるように、実施例1〜3に係る接着シートは何れも引張被断強度が100MPa以上、かつ引張破断伸度が1000%以下であり、ピックアップ性も良好であった。その一方、比較例1〜3に係る接着シートは、何れも引張破断強度100MPa以上であるか、又は引張破断伸度が1000%以上であった。また、ピックアップ性に於いても、目的とする半導体チップの周辺の半導体チップも同時にピックアップされており、ピックアップ性に問題が見られた。尚、比較例4に係る接着シートについては、製膜ができなかった為、評価不能であった。
11a〜11c 接着シート
12 粘着シート
13 半導体ウェハ
14 半導体チップ
15 ダイシングリング
16 外リング
17 内リング
18 ダイシングブレード
19 被着体
20 ボンディングワイヤー
21 半導体チップ
22 封止樹脂
23 スペーサ
Claims (6)
- 粘着シート付きの接着シート上に貼り合わせ固定されている半導体ウェハに対し、ダイシングブレードを用いてダイシングすることにより半導体チップを形成する工程と、
前記粘着シート付きの接着シートをエキスパンド量1〜4mmの条件下でエキスパンドする工程と、
前記の接着シート付き半導体チップを前記粘着シートからピックアップする工程とを有し、
前記接着シートとして、室温に於ける引張破断強度が3MPa以上70MPa以下、引張破断伸度が7%以上700%以下のものを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記接着シートは、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含有し、
前記熱可塑性樹脂としてアクリル樹脂を使用し、前記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂又はフェノール樹脂の少なくとも一方を使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記接着シートを介して、半導体チップを被着体上に仮固着する工程と、
前記半導体チップにワイヤーボンディングをする工程とを有し、
前記ワイヤーボンディングの前に、前記半導体チップを前記被着体上に固着させる為の加熱工程を行わないことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記被着体は、基板、リードフレーム又は他の半導体チップであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記被着体が半導体チップである場合に、半導体チップと半導体チップとの間に、前記接着シートを介してスペーサを積層する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ワイヤーボンディングされた半導体チップを封止樹脂により封止する工程と、前記封止樹脂の後硬化を行う工程とを含み、
前記封止工程又は後硬化工程の少なくとも一方に於いて、加熱により封止樹脂を硬化させると共に、前記接着シートを介して半導体チップとスペーサを固着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006165917A JP4979063B2 (ja) | 2006-06-15 | 2006-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006165917A JP4979063B2 (ja) | 2006-06-15 | 2006-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007335643A JP2007335643A (ja) | 2007-12-27 |
JP4979063B2 true JP4979063B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=38934817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006165917A Active JP4979063B2 (ja) | 2006-06-15 | 2006-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4979063B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101647096B (zh) | 2007-04-05 | 2012-01-04 | 日立化成工业株式会社 | 半导体芯片的制造方法和半导体用粘接膜及其复合片 |
KR20110010601A (ko) * | 2008-03-31 | 2011-02-01 | 헨켈 코포레이션 | 다중층 uv-경화성 접착 필름 |
JP2010251727A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-11-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハ加工用テープ |
JP5743555B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2015-07-01 | リンテック株式会社 | ダイシングシート |
JP4976522B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2012-07-18 | 日東電工株式会社 | 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 |
JP5456807B2 (ja) * | 2012-02-08 | 2014-04-02 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
JP5908543B2 (ja) * | 2014-08-07 | 2016-04-26 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5863914B1 (ja) | 2014-09-05 | 2016-02-17 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ及びこれを使用して製造する半導体装置の製造方法 |
JP6967506B2 (ja) * | 2016-02-23 | 2021-11-17 | リンテック株式会社 | フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法 |
JP6662337B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2020-03-11 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、並びに積層体 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4770126B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2011-09-14 | 日立化成工業株式会社 | 接着シート |
TWI318649B (en) * | 2003-06-06 | 2009-12-21 | Hitachi Chemical Co Ltd | Sticking sheep, connecting sheet unified with dicing tape,and fabricating method of semiconductor device |
JP4518535B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2010-08-04 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シート用粘着剤、ダイシング用粘着シート、半導体素子の製造方法、半導体素子 |
JP4562118B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2010-10-13 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4923398B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2012-04-25 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤層付き半導体素子の製造方法 |
JP2006203133A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Lintec Corp | チップ体の製造方法、デバイスの製造方法およびチップ体固着用粘接着シート |
JP4476848B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2010-06-09 | リンテック株式会社 | レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法 |
JP4549239B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2010-09-22 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シート |
JP2007019151A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープおよびそれを用いたチップの製造方法 |
-
2006
- 2006-06-15 JP JP2006165917A patent/JP4979063B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007335643A (ja) | 2007-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102493750B1 (ko) | 다이싱·다이본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP4979063B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4430085B2 (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルム | |
JP4976522B2 (ja) | 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP5305501B2 (ja) | 熱硬化型ダイボンドフィルム | |
KR101417205B1 (ko) | 다이싱ㆍ다이 본드 필름 | |
JP4801127B2 (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法 | |
JP2012079936A (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP2011060848A (ja) | 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置 | |
WO2007094418A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2014142154A1 (ja) | 補強シート及び二次実装半導体装置の製造方法 | |
JP2017183705A (ja) | ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 | |
US20100261314A1 (en) | Thermosetting die bonding film | |
JP2009049400A (ja) | 熱硬化型ダイボンドフィルム | |
JP2011023607A (ja) | 放熱性ダイボンドフィルム | |
JP2012222002A (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP2013038408A (ja) | 半導体ウェハ固定用粘着テープ、半導体チップの製造方法及び接着フィルム付き粘着テープ | |
JP2015211079A (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルム | |
JP2008135448A (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルム | |
JP2014082498A (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法 | |
JP2017216273A (ja) | ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP5908543B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5749314B2 (ja) | 放熱性ダイボンドフィルム | |
JP5656741B2 (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法 | |
JP6053457B2 (ja) | セパレータ付きダイシング・ダイボンドフィルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081110 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110824 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111021 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120412 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120413 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4979063 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |