TWI318649B - Sticking sheep, connecting sheet unified with dicing tape,and fabricating method of semiconductor device - Google Patents

Sticking sheep, connecting sheet unified with dicing tape,and fabricating method of semiconductor device Download PDF

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TWI318649B
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wafer
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Teiichi Inada
Michio Mashino
Michio Uruno
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】
，發明是關於適用於半導體元件與半導體元件 牛接合的黏著片，與切割背膠 及半導财置的製造方法。 ^ U 【先前技術】 合，=是與半導體元件裝載用支承部件的接 t用銀膠。但是，隨著近年來半導體元件的 匕’商性能化’對_的支承部件也開始要求小型化 細化。由於用銀膠接合，在導缘 精 出或半導體元件的歪斜會造成突 為了滿足的要t因此， ^近年來開始使用片狀的黏著劑。 貼方方式或晶片背面黏 置時，將捲汽肤it 的黏著片製造半導體裝 置時將捲同狀的黏著片切割或拉裂成單片後 支r切割成單個的半導體元件黏接在 乩、有黏者片的支承部件上，製二 半據需要’經過導線接合過程，:裝過程 :二=將使用上述的單_方式 =:因此編銀膠的方法相比’存在著生2 另-方面’在用後者的晶片背面黏貝占方式的泰著月製 13913pif 5 1318649 造半導體裝置時，首先將黏著片黏貼在半導體晶片的背 面’再在黏著片的另-面貼上切割背膠；然後用切割方法 ，上述晶片切割成單個的半導體元件；將單個化的具有黏 著片的半導體元件拾取(pick up)出來黏接到支承部件 上；然後經過加熱、硬化，導線接合等過程，製成半導體 裝置。這種晶片背面黏貼方式的黏著片，在單的具 有黏^料導體元件減到支承部件上時，=要黏著 片的單片化裝置，習知的銀膠用組裝設備不加改造便可使 用，或者只要附加熱盤等裝置，進行部分改造便可使用。 ，此’在使用黏著片的組裝方法中，作為—種能將生產成 本控制得比較低的方法而引人注目。 但疋，因為在使用晶片背面黏貼方式的黏著片的方法 中，，上述洲步驟之前，必驗獅著片與切割背膠的 黏貼等2次黏貼步驟，所以需要將過程簡化。因此，有人 提出了在切割背膠上附帶有黏著片，將其黏貼在晶片上的 方法。（例如，曰本專利早期公開之2〇〇2_226796號公報， 曰本專利早期公開之2002-158270號公報，日本專利早 公開之2-32181號公報） ， 另外，使用晶片背面黏貼方式的黏著片的方法，在曰 =切割時，必須同時也將黏著片切斷，但是在使用鑽石: 剎刀的一般切割方法中，要同時切斷晶片與黏著 將切割速狀慢，料較成本上升。 另方面，對於晶片的切割方法，近年來有人提出 不將晶片完全切斷，而是用可折裂的槽的加工方 了 或用 6 1318649 雷射光射照射預定的切割線上的晶片内部，形成變質領域 的方式’對晶片進行能容易切斷的加工，然後再用施加外 力等方法予以切斷，前者被稱為半切割，後者叫做暗切割 (例如，曰本專利早期公開之2002-192370號公報，曰本 專利早期公開之2003-338467號公報）。這些方法，特別是 在晶片的厚度較薄的情況下，有減少切片不良的效果由 於不需要切口 (kerf)寬度，因此可以預期有提高成品率的效 果。 為了用上述的半切割或暗切割進行上述的晶片背面黏 貼方式的半導體裝置製造過程，必須將黏著片與晶片同時 切斷，但是在用一般的黏著片的情況下，要與晶片同時切 斷是困難的。另外，如黏著片使用斷裂性良好的非伸縮性 黏著片時，可以使晶片與黏著片的切斷面大致一致，同時 切斷’但是非伸縮性的黏著片的流動性低，因此很難在 C以下的低溫下黏貼在晶片上，而且黏著片本身很脆，可 能會產生龜裂，降低黏接的可靠性。 【發明内容】 ，上所述，在用晶片背面黏貼方式的黏著片的方法 中i還沒有找到高效率的切斷^與黏著片的辦法。因此， 造=導體裝置時的侧過程中，需要有—種能在上述 曰曰進行了可切斷處理後，可以與晶片同 二接另外，在魏轉舰置料導航件與支承部件^ <程中，還需要有一種可靠性優良的黏著片。 本發明的目的是提供一種能在低溫下黏貼在晶片上， 13913pif 7 1318649 具有能在室溫下進行處理的柔知 斷條件下與晶片同時切斷的度’而且能在通常的切 本發明人等發現，如將25 片的斷裂強度與延伸率限定在特定階狀態的黏著 獲得能在室溫下與晶片同時切片值範圍内，州 可撓'ί有並等發現’為了維持黏著片在室溫下的 片=生晶片的同時切斷黏著片，黏著 彈f模數必/頁具有特定的頻率 率相關性是指在動態黏彈性 =k裏所明的頻 試樣中的畸變鮮而不_現象。、、/彈性難因加至 其特;體地說，本發明以下面⑴〜⑻所述的事項為 B階二一上種：著含;高= 〇遍以上、10MPa二〇的溫度下，斷裂強度為 以下。 下’且延伸率為1 %以上、40 % 彈性模數測定所得她c :=下動態黏 度下，9〇〇 HZ動離黏^二〜3〇〇〇MPa，在25°C的溫 4_〜20_ MPa。彈性模數測賴得彈性模數為 B階ΠΓίίί有高分子量成分的黏著片’其中處於 ；L著片，在25〇C的溫度下，10Hz動裹 彈性模數測疋所得彈性模數為卜誦嫩，在_2〇 % 13913pif 1318649 度下’ 10 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數為 4000〜20000 MPa。 " 〈4〉如上述〈2〉或〈3〉所述之至少含有高分子量成 分的黏著片，其中處於B階狀態的上述黏著片，在6〇 % 的溫度下，10 Hz動態黏彈性模數測定所得彈性模數 0.1 〜20 MPa。 ' ’、、' 〈5〉如上述〈2〉〜〈4〉中任何一項所述之至少含有 高分子量成分的黏著片，其中處於B階狀態的上述黏著 片，在25 〇C的溫度下，斷裂強度為0.1 MPa以上、10 Mpa 以下，且延伸率為1❶/。以上、40 %以下。 〈6〉如上述 其中上述面分子量 量平均分子量為5 〈1〉〜〈5〉中任何一項所述之黏著片， 成分的玻璃轉化溫度為-30°C〜50。(：，重 萬〜100萬。 产為述〈6〉所述之黏著片’其中玻璃化轉變溫 二4、人重量平均分子量為5萬〜剛萬的上述高 量為轉片總重量除去填料重量後的5〇重 分。〈8〉如上述〈7〉所述之黏著片，更包括熱硬化性成 〈9〉如上述〈7〉*〈8〉的任何—項所述之黏著片， 更^括5〜70重量。/〇的填料。 盆* 1!；!〉如上述⑴〜〈9〉中任何—項所述之黏著片， 其中殘留的揮發成分為0.01〜3重量％。 ⑴〉如上述〇〉〜〈1G〉中任何-項所述之黏著片， 13913pif 1318649 其中膜厚為1〜250μιη。 …〈12〉一種與切割背膠一體型的黏著片，其係利用上 述〈1〉 〈u〉中任何一項所述之黏著片與切割背膠層壓 而成。 〈13〉一種半導體裝置的製造方法，包括：I)將上述 〈1>〜〈11〉中任何一項所述之黏著片，黏貼在半導體晶 片上，II)對上述半導體晶片進行可切斷處理步驟；即將切 割背，黏貼在上述黏著片上，其中上述這些步驟的順序為 ΙΙ-ΙΙΙ ’ ΙΙ·Ι-ΙΙΙ或Ι_ΙΠ_Π。且此方法更包括進 片導述黏著片切斷，以得到多個單片的具有 t f片的+導體晶片；以及V)將上述具有減片的半導體 曰曰片黏接在裝載半導體晶片㈣支承部件上。 〈12>〈=2”體裝置的製造方法’包括：1’)將上述 Μ細，。錢_包括進行： 體0曰片與上述與切割背膠一體型的黏著片 導體晶片㈣支承料導體W減在裝载半 造方或⑼所述之半導體裝置的製 割或暗切割。料導體晶片成為可切斷的方法為半切 本申請案於此主張同樣的申請人先前提出的日本專利 l3913pif 1318649 申請’即2003-161656號（申請日2003年6月6日）以及 2003-402748號（申請日2003年12月2日）的優先權，以便 參照這些申請的發明說明。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂’下文特舉較佳實施例’並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 本發明的黏著片是一種至少含有高分子量成分的黏著 片，其特徵在於處於B階狀態的上述黏著片，在25。(：的 溫度下’斷裂強度為〇.1 MPa以上、1〇 MPa以下，且延伸 率為1 %以上、40 %以下。 斷裂強度不足0.1 Mpa時，黏著片較脆，較不易處理。 另外，在超過10 Mpa的情況下，在切斷晶片時就不可能 同時將黏著片切斷，因此上述這些條件都是不適當的。同 樣地，延伸率不足1 %時，黏著片較脆，較不易處理。另 外三在超過40 %的情況下，在切斷晶片時就不可能同時將 黏著片切斷，因此上述這些條件都是不適當的。從晶片被 切斷時⑨確實地將黏著#也切斷這—點以及有充分的強度
月色方便地進打處理這一點來看，斷裂強度最好為U MPa ’延伸率最好為5〜35 %，更好的是斷裂強度為3〜7 MPa，延伸率最好為1〇〜3〇%。 處於B階狀態的上述黏著片在25 °C的溫度下的斷裂 強度與延伸率，相寬版m，卡盤(ehuek)間距離20 mm， 厚5〜25〇μΠ1的試樣，用拉伸試驗機以0.5 m/min的拉伸速 13913pif 11 1318649 度，對其應力、畸變曲線進行測定’然後用下式求出。 斷裂強度(Pa)=最大強度(N)/試樣的截面積(m2) 延伸率(％)=(斷裂時的試樣長度(mm)-2〇)/2〇xi〇〇 為了提高斷裂強度，可以提高彈性模數，同時提高材 料的韌性。具體地說，在透過添加各種填料提高彈性模數 的同時，添加少量的橡膠等對改良材料的韌性很有效。要 降低斷裂強度，可以增加寡聚物、單體的添加量，降低填 料的延伸率。 _八 為了提高延伸率，可以提高材料的可撓性與韌性，例 如，增加募聚物、單體的添加量，且此募聚體、單體具有 低玻璃轉化溫度(Tg)、分子量大的高分子量成分，且軟化 點溫度不到30。〇為了降低延伸m增加軟化點溫度 南於30 π以上的寡聚物、單體的添加量，增加 璃轉化溫度(Tg)的高分子量成分的量，添加填料，如此對 降低韌性是有效的。 本發明的黏著片是-種至少含有高分子量成分的黏 片，其特徵在於處於B階狀態的上述黏著片，在25 c 的溫度下’ 10 Hz動態师賴數測定所得彈性 =000 MPa，在25。(：的溫度下，_ Hz動祕彈性模】 測疋所得彈性模數為4000-20000 MPa。 、 從處理時黏著片不易產生龜裂這點來看，在乃 1 度下’ 1GHZ的彈性模數最好為10-1500 MPa,更好的, * 士目二t 如不滿1MPa，黏著片的延小 ’則難以處理’如超過3嶋咖，處理時黏著片會』 13913pif 1318649 ，龜裂，因此上述之條件並不合適。另外，在25。 度:，900 Hz的彈性模數最好為5〇〇〇〜15〇〇〇 m柯。註: 性模數如不滿4GGG Mpa，有難以切斷的傾向，如超過 Mpa^有處理時黏著片容易產生龜裂的傾向。 還有，本發明的黏著片是一種至少含有高分子量 其碰在於處㈣階狀態的上述黏著片，在25 i Z，動態黏彈性模數測定所得彈性模數為 1〜3—_ MPa ’在_2〇 %的溫度下，1()㈣態黏彈性模數 測定所得彈性模數為4〇〇〇〜20000 MPa。 在_20。(：的溫度下，10出的彈性模數最好為 5_〜15_ Mpa。該彈性模數如不滿4〇〇〇 _，有難以切 斷的傾向，如超過2_ Mpa，有處理時黏著 龜裂的傾向。 本發明的黏著片，只要在黏貼到晶片上之後，在切斷 時在上述規定的各機性值範圍⑽可，在黏貼時可以不 在此範圍内。這就是說’可以在黏著片黏貼到晶片上之後， 經過-定的保存時·，再進行熱處理、光硬化等放射線 照射加工，使其在上述各種特性值範圍内，例如，用黏貼 到半導體晶片上之前雜態下斷裂強度與延伸率高的黏著 片，可以在低溫下將黏著片黏貼到半導體晶片上，可以在 黏貼之後再使其斷裂強度與延伸率在上 内。同樣地，如黏著片初期，在PC的溫度下，10 Hz 的彈性模數不到i MPa，在黏貼到晶片上時，有报強的黏 著性，容易在室溫下進行層壓，然後再使其斷裂強度與延 13913pif 13 1318649 伸率值，内，也是可以的。 溫下报容易進行處=黏:::好::晶片的翹度小’在室 間層麗至晶片上。因此=好0在4()，_的溫度之 Β階狀態的上輕著#，在6〇。^!^ ’最好是在處於 彈性模數測定所得彈性模數為01=下，10出動_ 0.1〜lOMpa，特別好的是〇 ^ . Mpa，更好的是 貼後點著片合從曰κ μ Pa。如不滿0.1 Mpa，考占 制離，發生錯位，因此不好： 還有，本發明的黏著 匕不好 還具有將半導體元件裝载在.半各種特性外， 上的實際生產過程所要求的耐 用的支承部件 =黏著片，雖然只要能滿足^的^性^有^ 性成分與填還含熱硬化 分g劑等。另夕卜，由於黏著片中含的高 越多，填料越少’斷裂強度與延伸率就越高， 成分對騎_度與延伸__本發明規 數值乾圍内非常重要。 下面’對構成本發日_黏料的成分進行詳細說明。 本發明中的高分子量成分，只要是能滿足上述黏著片 =性的就可以’沒有制的轉，但是最好是其玻璃轉 化溫度(下稱Tg)為-30。(：〜50。(：，重量平均分子量為5莖 〜1〇〇萬。如Tg超過50 %，黏著片的可撓性低，故並不合 !39l3pif 14 1318649 適’如Tg不到_30〇c，則因為黏著片的可撓性過高，晶片 =裂k黏著片難以斷裂，所以亦不合適。另外，重量平均 分=量如不滿5萬’則黏著片的耐熱性低，所以並不合適， 重置平均分子量如超過⑽帛，則黏著片的流動性低，所 以亦不合適。 從晶片被切斷時黏著片的斷裂性與或耐熱性的觀點來 f ’Tg^_20°C〜4〇°c’重量平均分子量為1〇萬〜90萬的 尚分子量成分為佳，Tg為_1〇。(：〜50。(：，重量平均分子量 。為5萬〜100萬的高分子量成分為更好，Tg為-10。(：〜30 C，重量平均分子量為’50萬〜90萬的高分子量成分特別 此外，重量平均分子量是用凝膠滲透光譜分析法(GPC) 得到的、採用標準聚苯乙烯檢量線的聚苯乙烯換算值，使 用曰立製作所製造的L-6000，色譜柱用日立化成工業(有 限公司）製造的蓋爾帕克(Gelpack)GL-R440,蓋爾帕克 GLR450 以及盘爾帕克 GL-R400M(各 l〇.7mm(|)x300mm) 依此順序連結的管柱，洗提液用四氫吱喃，對用mg 試樣溶解於5 ml四氫呋喃中構成的試樣，在175 ml/分的 流速下，進行的測定。 兩分子量成分’具體地說，可以舉出的有聚醯亞胺， 聚苯乙烯，聚乙烯，聚酯，聚醯胺，丁二烯橡膠，丙烯酸 橡膠，（甲基）丙烯酸樹脂，氨基甲酸樹脂，聚苯撐醚樹脂， 聚醚醯亞胺樹脂，苯氧樹脂，改性聚苯撐醚樹脂、苯氧樹 脂’聚碳酸酯及其混合物等。特別最好是含官能性單體的 重量平均分子量10萬以上的高分子量成分，例如，含有丙 13913pif 15 1318649 婦酸縮水甘油醋或甲基丙稀酸縮水甘油醋等官能性單體， 且重量平均分子量ίο萬以上的含環氧基的（甲基）丙烯酸 共聚物等。含環氧基的（甲基）丙烯酸共聚物可以使用例 如’（甲基）丙烯酸共聚物，丙烯酸橡膠等，更好的是使用 丙烯酸橡膠。丙烯酸橡膠以丙烯酸酯為主要成分，是以丁 基丙婦酸醋與丙烯晴等的共聚物，乙基丙烯酸g旨與丙稀晴 等的共聚物為主構成的橡膠。 ⑧分子量成分的含量最好綠著片總重量除去填料重 量後的50重量％以下，更好的是35重量％以下，特 的是25重量％以上’ 3〇重量％以下。高分 量太多，黏著片的斷裂性有惡化的傾向，添 接時的流祕過大，有產生㈣的傾向。 心娜 成分’有環氧樹腊’购樹脂，盼 是從耐熱性好的觀點來看，最好 用環氧樹I日。環氧樹脂只要能硬化， 2特別的限制。可以使用雙酚八型環氧樹 ；:: ^脂’鱗的嵌段型環氧樹腊或甲衣 等嵌段型環氧樹脂。另外，多官氧樹脂 =樹腊物族環氧樹脂等-般公知； 還有，為了降低處於3階狀態的黏 延伸率，提高黏接劑的可處理性斷裂強度與 摻入填料，最好與無機填料。 發日㈣黏著片應當 13913pif 16 1318649 碳酸鎂’糊，石夕酸㈡广氫氧化鎮，娜弓， 化鋁，哪酸銘，氦化娜，、^化=，氧化鎂，氧化紹’氮 f氧化物等。為了提高熱傳’非晶二氧化石夕， 氮化领，結晶二氧化梦 最好用乳化銘，氮化紹， „予其觸變性，最好;ί 了調整溶融 舞，碳酸鎂，石夕酸每1氧化叙’氫氧化鎂，碳酸 結晶二氧化石夕，非晶二氧二等H，氧化鎮，氧化!呂， 最好用氮化叙，二氧化 =為了提高耐濕性， 上述的填料的角量最片 以上，70重量％以下 Ί片王*重置的5重量％ 以下。添加量太多，容/漆^疋35重量％以上，6〇重量〇/〇 勘接性能降低，數上升， 所，的是50重 造=二降=題， l-10g/cm3〇 力汁填科的比重最好是 此外’本發明軸著片可以透過 =不飽和雙鍵的丙婦酸單體及其光起始;:内 兔外線（UV)硬化性，在低溫下層顯 &線 照射降低延料，提高_性。 ㈣系外線 在上述高分子量成分，如有需要，還可以在有機溶劑 中混入熱硬化性成分，填料，以及其他成分，在混勻調製 成清漆後，在基體薄膜上形成清漆層’加熱乾 體，即可製成本發明的黏著片。 舌基 上述的混合、混勻可以適當地組合使用一般的攪拌 13913pif 17 2熱機:三輥·機，球磨機等分散機。上述的 沒有转ρ、要能將糊的溶劑充分揮發掉就可以， 二有寺：的限制’但是，通常是加熱至60。 度，加熱0.1〜9〇分鐘。 幻/皿 劑，製造巾’調漆所㈣有機溶 特別二;=地==或分散就可以，沒有 以列舉出，例如知的有機溶劑。這類溶劑可 咯烷_，丙酮，；I t 甲基乙醯胺，沁甲基吡 望y 丁酮，壞己酉同等_系溶劑，甲苯，二甲笑 環g燥速度快；價格便宜的角度來看，最好使用 全部用量只要是黏著片製造後的殘留揮發量為 是從耐重^%就行’沒有特別的限制，但 曹旦。/，、、i的角度來看’最好是全部重量基準W 〇.〇1〜2.0 里。好的是全部重量基準的G.H 5重量％。 干張可切斷的範_ ’本發明的黏著片可以由若 片可以;丄ί;ίΓ黏著片。還有，本發明的黏著 薄膜組合起來’ ，熱硬化樹脂等構成的 芦的麟t!在相的㈣重#上黏著4，或者形成多 "_ u 。另外，所謂的在可切斷的範圍内，是指多層 狄^斷裂強度以及延伸率、彈性模數在上述的數值 二生胸 1，!員5膜可以列舉出例如，聚醯亞胺，聚酯等熱 、-曰’環氧樹脂，石夕樹腊，及其混合物等構成的薄膜。 乂類溥膜可以含各種填料。 13913pif 18 1318649 β、本發明的黏著片的膜厚，沒有特別的限制，但是最好 ，為1〜250 μιη。如比} μιη薄，則應力緩衝效果與黏接性 迠有變差的傾向，如比250 μπι厚，則不夠經濟，也不符 ^半導體装置小型化的要求，有難以切斷的傾向。另外， 從黏接性能好，而且能實現半導體装置的薄型化的角度出 發’最好為3〜1〇〇 μπι，更好的是5〜55 μπι。 本發明的與切割背膠一體型的黏著片，可以用本發明 的黏著片層壓在公知的切割背膠上以製得。使用該與切割 月膠體型的黏者片，可以將晶片上的層壓步驟一次完 成，提高生產效率。在切割背膠上層壓黏著片的方法，除 ^印刷外’還可以列舉出將預先製成的黏著片押壓在切割 月膠上，熱軋層壓(hotr〇1Uaminating)等方法，但 連續製造’效率高的角度來看，最好賴軋層壓方法。 本發明所用的切割背膠，可以列舉出例如 :薄=作二甲酸乙醋薄膜，聚乙埽薄膜，聚丙;ί 膜t甲基戊烯薄膜，聚酿亞胺薄膜等塑膠薄膜 也可以根據需要進行底漆塗覆，斜線處理，電声 ”處理處理等表面處理。切割背膠必須 接性此’可以在域背膠的—面設黏接_。這可以 接劑層的樹驗合物，_是對其㈣成分的比例，古八 燥=的_當黏接二 黏著 13913pif 19 1318649 發明:斤屬技術領域的人員的知識適當確定，但是從經 好’薄膜處理方便等方面考慮可以為6G〜15G _，最^ 70〜130 μιη。 奸疋 另外，本發明的黏著片或與切割背膠一體型的 必須具有在製造半導體裝置時，半導體元件不會在進= 割f飛散的黏接力，而且在以後拾取時又要能從切割背^ 上剝離下來。例如，如黏著片或切割背膠的黏接性太^ 槽端部的樹脂就會融結，而造成分離困難。所以，本= =著片或切割背膠在處㈣階狀態下的9〇。二 好在15GN/m以下，更好的是5〜刚N/m，還要好又取〇 N/m。剝離強度如超過15〇 N/ 〜％ 剝離強度的測定，是在2代片谷易被撕壞。 疋甘L的虱虱中，以90°的角度，用 ^果麵仏的拉錢度將詩4從_轉以離下來的 ^使得上述90。的剝離強度在15〇 N/m 二，黏著片的雜強度進行調節。調節黏接強度= 剝離強度财上升的傾向，崎動 3^、 向這，。例如，要=上升 物要降健雜，射以減少上述化合 ㈣3!°上述的可_可以列舉出，例如具單 丙婦酸單體’具單官能基環氧樹脂，液態環氧，二烯 酸類樹腊，魏樹脂系的所謂稀彻^ ’曰、 13913pif 20 1318649 ^ 上述本發明的黏著片或具有本發明的黏著片的與切割 责膠一體型的黏著片可以用來製造半導體裝置。 具體地說，本發明的半導體裝置的製造方法’包括： 發明的黏著片’黏貼在半導體晶片上；π)對上述半 晶片進行可切斷處理步驟；ιη)將切割背膠黏貼在上述 IΓΤ^片上其_上述這些步驟的順序為1-11-111，Π_Ι_ΠΙ或 切齡η。且此方法還含IV)將上述半導體晶片與上述黏著片 V)將’卜以得到多個單片的具有黏著片的半導體晶片；以及 片用的的半導體晶片黏接在裝載半導體晶
上的圖本發明的黏著片1，黏貼在半導體晶片A 4進行雷射光2'♦讀半導體晶片A的預定切割線 部)5，進内部形成變質領域(切割預定 黏接劑層2a輕二麵的—種貫關，圖3綠示將由 1上的-種實施 t 構成的切割背膠2黏貼在黏著片 體晶片A與黏著片’Γ切4^1透=伸切割背膠2’將半導 黏著片的半導體曰片的一種實施例，圖5繪示將具有 件7上的-Si二啸裝载半導體晶片用的支承部 义:Ϊ導=外’還可以_ 二=體:二的溫度， 翹度，更好的是在2〇mc 為二減少晶片的 J乾固内，特別好的是在 13913pif 21 1318649 2〇°c〜60°C的範圍内。另外，在步驟II)後進行步驟i)的情 况下，為了防止層壓過程中因應力或變形造成晶片破裂， 最好以不會產生變形的條件支承晶片，進行層壓。 上述步驟II)中的對晶片進行玎切斷處理的加工方 法，可以列舉出不將晶片用切割刃等完全切斷’而是以可 析裂的槽的加工方法，或用雷射光照射預定切割線上的晶 片内部，形成變質領域的方法等，然後再用施加外力等， 报容易地強晶片切斷的方法。晶片的雷射光加工方法可以 使用曰本專利早期公開之2002_192370號公報，曰本專利 早期公開之2003-338467號公報所述的方法。裝置可以使 用’例如株式會社東京精密製造的雷射光切割機 MAHOHDICING MACHINE。對半導體晶片照射的°雷射 光，可以從半導體晶片的表面，即形成電路的一面照射， 另外’ ^可以從半導體晶片的背面，即沒有形成電路、黏 貼了黏著片的那一面照射如步驟Π)在步驟或後面 說明的步驟I，)或步驟ΙΠ)之後才騎的話，因為雷射光也 可以從黏著片或_背膠—側照射半導體晶片 片或切割背膠最好能透過雷射光。另外黏者 割’即切斷部分的辨認的角度來看，黏 谬的翻賴色調不同。 黏者片取好與切割背 在本發明中，例如，在下述條件下， 加工裝置，將聚光點對林晶料 2相雷射光 财晶片的表面進行雷射光照射，在抑;^預定切割線 質領域。該變質領域可以沿著預定:的内部形成變 刀刳線將晶片切斷。變 13913pif 22 1318649 質領域最好是透過多光子吸收，在半導體晶片内部局部加 熱溶融而形成的溶融處理領域。 (雷射光加工條件） (A)半導體基板：矽晶片（厚：35〇 μιη，外徑6英寸） (Β)雷射光光源：半導體雷射器激發Nd:YAG雷射光 波長：1064 nm 雷射光光點截面積：3.14xl(T8cm2 振蕩形悲.Q開關脈衝 反復頻率：100kHz 脈衝寬度：30 ns 輸出：20 pj/脈衝 雷射光質量：TEMqq 偏光特性：直線偏光 (C) 聚光用透鏡 倍率：50倍 NA ： 0.55 對聚光波長的透光率百分之6〇 (D) 裝載半導體基板的裝載平臺的移動速度：刚腿/ 秒 在步驟III)中，可以用一般所知的方法將切割背膠黏 貼在黏著片與半導體晶片黏接的面的反面。黏貼的溫度， 即層壓的溫度最好在代〜齡的範_，更好的是在 1〇〇C〜40。(：的範圍内，還要好的是在l5〇c〜3〇〇c的範圍内。 在步驟II)後進行步驟ΠΙ)的情況下，為了防止層壓過程中 l39l3pif 23 1318649 因應力或變形造成晶片破裂，最好按不會產生變形的條件 支承晶片，進行層壓。 ~ 在本發明的半導體裝置的製造方法中，可以將步驟工) 與步驟in)變化為步驟〗’）的將本發明的與切割背膠一體 型的黏著片黏貼在半導體晶片上的步騾。 ，在這種情況下，本發明的半導體裝置的製造方法按照 I -II或II-I的順序，含r )的將本發明的與切割背膠一 體型的黏著片黏貼在半導體晶壯的步驟，以及π)使半 體晶片可切斷的步驟’還含IV)將半導體晶片與本發 與切割背膠-體型的黏著片靖，以得到多個單片的呈右 黏著片的半導體晶片的步驟，以及V)將具有黏著片的^ 體晶片黏接在裝财導體^㈣支承部件±的步驟^導 圖6緣不將本發明的與切割背膠一體型的黏， 黏貼在半導體晶片Α上的步驟的一種者 固 _ 切割鑛23對半導體晶片A進行半切^ ^ 7綠示用 的步驟的-種實施例，圖8繪示對與^ #j可切斷 著片3施加外力，晶片八以及與切 ^一二型的黏 3的黏著片1被切斷狀態的—種實:广體型的黏著片 黏著片的半導趙晶片6黏接在體，示將具有 件7上的步驟的—種實施例4 ^ ϋ片用的支承部 的與切割背膠一體型的黏著片3， 、，听納了將本發明 的步驟，對半導體晶片Α的預定切導體晶片Α上 射，在晶片内部形成變質領域(切 三λ進仃雷射光照 為可切斷的步驟，以及對切金彳昔1 ^邻)5，使得晶片成 以膠2或與切割背膠一體型 139l3pif 24 1318649 的黏著片3施加外力，將晶片A以及與黏著片1切斷的步 ，。另外，在本發明的半導體裝置的製造方法中，對將黏 『义或切割背膠黏貼到晶片上的黏貼方法以及切割方法的 口 OL有特定的限制。從操作方便和講究效率的觀點 發’最好是用暗切割的組合。 在將與切割背膠一體型的黏著片黏貼到半導體晶片上 \，將半導體晶片同與切割背膠一體型的黏著片的黏接面 貝在一起。黏貼溫度，即層壓溫度最好在0°C〜170°c的範 ，内，為了減少晶片的翹度，更好的是在2〇〇C〜13〇C)C的 範圍内，特別好的是在2〇〇c〜6〇〇c的範圍内。 在上述步驟〗）、π)以及冚），或者Γ )以及π)之後， =行步驟IV) ’在該步驟中，半導體晶片與黏著片的切斷， Ζ以用對切割背膠或與_背膠一體型的黏著片施加外力 叔方法進行。該外力，例如在半切割的情況下最好是以 =曲方向或螺旋方向施加’在暗_的情況下，最好是以 拉伸(擴張)方向施加。 例如，在暗切割中，在拉伸切割背膠的兩端，4加外 ’切斷晶>}與黏著片時，可以使用市售的晶片擴張裝置。 f具體地說’如圖4所示，在放置於平臺13上的切割背膠 的四周。卩貼上夾圈丨卜加以固紐透過上升部口 、上升’從兩端給切#j背膠2施加張力。以這時上升部的 2速度為擴張速度，上升部上升的高度14為擴張量，在 明中，擴張速度最好為1〇_1〇〇〇 mm/秒 10_100職/秒’特別好的是呢〇馳/秒。另外，擴張量 13913pif 25 丄318649 好喊_圓纷，_㈣是5-20 110 mm/# j ^ 魏著片么\ϊ擴張量不到5 mm，半導體晶片盘 有易破裂二向困難的傾向，超過3。随時，則切割背膠 只由，過這樣對切割背膠進行拉伸，施加外力，就會以曰 裂=變質領域為起點在半導體晶片的厚度方向產生： 龜制達晶#的表面財面， 二:著巧著:的背面，半導體晶繼著=;; 便可以製成具有有黏著片的半導體晶片。 體層最杯田ί擴ΐ量超過25·的情況下，切割背膠的基 好伟ί 材料，但在拉伸的量不大的情況下，最 種聚烯烴材料。另外，擴張最好在室溫下 在要=二= 間。從祕μ 是在〇〇c〜4〇〇c之 斷不良造成成品率二:=容== ，切割背膠的黏接劑層用紫外線硬化黏接劑的情況 ^擴賴誠後’用料線從與切㈣膠上黏貼半導 體=片的面相反的-面照射，使紫外線硬化黏接劑硬化。 ^樣’紫外線硬化黏接劑與黏著片之_黏接力下降，因 此，後面的步驟IV)中的拾取就容易了。 13913pif 26 1318649 吸附ΐΐ t，在步驟V)中，拾取裝置用圖5或圖9所示的 鋼絲夾22’將多個單片化的具有黏著片的半 W導二：載ΐΐ輯在半導體晶片裝载用支承部 通常料加驗化。加熱硬化 驟，ί發I的ί導體裝置的製造方法，並不限定為上述步 後，任意的步驟。例如，在進行了步驟〗)或步驟Π 進订步驟IV)之前任何—個階段，都可以包含用紫外 ^ ^外線，或微波照射黏著片的步驟，或者將黏著片加 :ίί=過程。在進行了過程V)之後，可以根據需要包 含導線接合步驟，封裝步驟等。 下面，用本發明的實例進行更為詳細的說明，但 發明不限於此。 - (實例1) 在環氧樹脂用雙酚F型環氧樹脂（用環氧基當量為16〇， 東都化成株式會社製造的，商品名YD_817〇C的產品）3〇 重量部；曱酚的嵌段型環氧樹脂（用環氧基當量為21〇，東 都化成株式會社製造的，商品名YDCN-703的產品）1〇重 量部;環氧樹脂的硬化劑用苯酚的嵌段樹脂（用大日本墨水 化學工業株式會社製造的，商品名7 7 4才_7二> LF2882的產品）27重量部;含環氧基的丙烯酸系共聚物用 含有環氧基的丙烯酸橡膠（用凝膠滲透光譜分析法測得的 重量平均分子量為80萬，甲基丙烯酸縮水甘油酯3重量〇/〇， Tg為-7°C，（于力、七少二亍7夕又製造的，商品名 13913pif 27 1318649 HTR 860P-3DR的產品）28重量部；硬化促進劑用咪唾系 硬化促進劑（用四國化成株式會社製造的与二7 2PZ-CN) 0.1重量部;二氧化石夕填料（用了卜、γ 7 “ >株 式會社製造的—SG_C2(比重：2.2g/em2)95重量部；石夕烧偶聯 劑（用日本工-力·株式會社製造的，商品名a489的產品） 0.25重量部與（日本：二力—株式會社製造的，商品名 A-1160的產品）G.5重量部構成的組合物中，加人環己嗣， 攪拌混合，真空除氣，製成黏接劑清漆。 將該黏接劑清漆塗覆在厚度為5〇μηι的脫模處理過的 聚對苯二曱酸乙酯薄膜上，加熱至9〇〇c的溫度1〇分鐘， 加熱至120°C的溫度5分鐘，乾燥，形成膜厚25μπι的塗 膜，製成處於Β階狀態的黏著片。另外，用同樣的操作， 製成膜厚75μπι的處於Β階狀態的黏著片。 (實例2-6) 用表1所示的組合物，用與實施例i同樣的方法，製 成黏著片。實施例6的黏著片是用實施例i所得的黏著片 經40°C、24小時熱處理，降低了延伸率的黏著片。 (比較例1-5) 用表1所示的組合物，用與實施例1同樣的方法，製 成黏著片。 13913pif 28 1318649 表1 — __1 實例 4 實例 5 實例 6 比較 例1 比較 例2 比較 例3 比較 例4 比較 例5 項目 單位 實例 1 實例 2 實例 3 一 30 30 30 30 30 30 30 30 YD-8170C f f部 30 30 30 YDCN-703 重量都 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 LF-2882 重量部 27 27 27 27 27 27 27 27 27 27 27 2PZ-CN 重量部 0.1 0.1 0.1 0. 1 0.1 0-1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 A-189 重量部 0.25 0.25 0.25 0. 25 0.25 0. 25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 A-1160 重量部 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 HTR-860P- 3 重量部 28 44.1 33.1 31.7 28.3 28.0 180 28.3 66.1 44. 1 66.1 S0-C2 重量部 95 110 66.1 132.2 180.6 95 0 0 25.3 47.2 56.7 聚合物的 比例* % 29.2 39.4 32.8 31.8 29.4 29.2 72.6 29.4 49.3 39.4 49.3 填料的重 量比例 % 49.8 49.6 39.6 57.0 65.3 49.8 0 0 65.4 29.7 29.7 填料的體 積比例 % 34.1 34.0 25. 5 40.9 49.6 34.1 0 0 49.7 18.1 18.1 办首《τ Α Λ» . * · 、 一 _ 萬的高分子量成分與黏著片全部構成成分除去填料成分 重量比例。
在下述的評估專項目中， μιη的黏著片，對於其他項目 對實施例1-6以及比較例K5 果如表2所示D 對於彈性模數，使用膜厚75 使用膜厚25μηι的黏著片， 的翁著片進行評價。所得結 [黏著片的評價方法】 I3913pif 29 1318649 (1)斷裂強度、延伸率 處於B階狀態的黏著片在25°C的溫度下的斷裂強度 與延伸率’是用寬10 mm，長30 mm，厚25 μιη的試樣， 用拉伸試驗機(今田製作所製造的數位荷載儀SV55)以卡 盤間距離20 mm，0.5 m/min的拉伸速度，對其應力、畸變 曲線進行測定’然後用下式求出。 斷裂強度(Pa)=最大強度(Ny試樣的截面積(m2) 延伸率（％)=(斷裂時的試樣的卡盤間 (mm)-20)/20xl〇〇 又 (2)殘留的揮發成分 殘留的揮發成分，是對從B價狀態的薄膜中取下的 5cm見方的薄膜稱重（質量A)，在具有脫模性的 置於17〇。0的乾燥機中i小時後，再稱细量b)，^ 用下式求出。 ^、、又 田 -1 的禪發成分(％)=(A-B)xl〇〇/A (3)彈性模數(儲藏彈性模數） 用動態黏彈性模數測定裝置（卜才口 (=ΓΓ於陳_—模數 (试樣尺寸：長20 mm 适订欺 -3〇〇C〜1(^C，升 ^贿膜厚75师，溫度範圍 自動静荷重） 職，拉伸模1〇Hz或_HZ， (4)黏接強度 標準造的轉試驗機，根據日本工業 所述的方法(探針直徑5.1職，剝離速 13913pif 30 1318649 度10 mm/s ’接觸荷載1〇〇 gf/cm2 ’接觸時間1 s)在25。匸 的溫度下進行測定。 (5) 黏著力 在120°C的加熱板上，用黏著片將晶片（5mm見方)與 鍍金基板(具有銅箔的電鍍軟基板(鎳：5 μηι，金0.3 μιη )) 層壓丄經1300C、30min+i7〇°c、1小時固化。測定該試樣 吸濕前’ 85°C/85%RH，48小時吸濕後的260。(：溫度下的 剝離強度。 (6) 層壓性 用熱軋層璧(6〇°C、〇.3 m/分、〇 3 Mpa)將寬度1〇 _ 的黏著片於晶片黏貼，然後，求錢TOY〇BALWIN製造 的UTM-4-100難力計，在25〇c的氣氛中，以9〇。的負 度，50 mm/分的拉伸速度對黏著片進行剝離時的剝離強 度。剝離強度在3G N/m以上時，層壓性良好，剝離強度 在30N/m以下時，層壓性不良。 (7) 流動性 對沖裁成薄長方形的黏著片與PET薄膜的試樣，用熱 壓接試驗裝置（于7 >-產業(株)製），在加熱板溫度 160°C J 壓力1 Mpa的條件下，按愿18秒後，用光學顯微鏡對試 樣端部突出的樹脂的長度進行測定，將此作為流動量。 (8) 半切割的斷裂性 將分別製作的黏著片與切割背膠搭配好，將黏著片廣 壓在切割背膠上’用熱乾層壓機(杜邦製造的仙⑽在 25〇C的溫度下將其層壓，製成與切割背膠一體型的黏著 13913pif 1318649 片。延時，切割背膠用古河電工(株)製造的(UC3004M-80)。 切，背膠的膜厚為8〇μιη。接下來，將要進行切割加工的 半導，，片黏貼在與切割背膠一體型的黏著片的黏著片面 上這#，半導體晶片用厚度為8〇μιη的半導體晶片。另 :卜:層度為6〇〇c。接下來，用蝴輯晶片進行半切 再洗淨、乾燥，對晶片進行可切斷的加工，使得半導 ^晶片受到外力作用時，至少能得到2塊以上的晶片。然 切割背膠一體型的黏著片彎折將黏著片與半 Ϊ得具有黏著片的半導體晶片。這裏，以 為斷I黏者片半切割距離的9G%以上被同時切斷的 為斷4性良好，不滿9G%的為不良。 (9)耐回流龜裂性、耐溫度循環性 將5mm見方的切斷半導體元件及黏著片，與用厚 導胺薄膜作為基體的線路板減，製作成半 在-面形成焊球)，測試其耐熱性= 耐回流龜裂性=流2性與·度循雜試驗。 試产矣沾# -的砰估疋讓試樣透過將溫度設定為使 20 微鏡觀察經過反復2 •欠仃相，用目測與超音波顯 個試樣均树域_切處況。10 下分鐘，之後並將其放置在把的環境 為一個循環。在進行觸次下分鐘視 上述讀超音軸微鏡觀察 中的龜裂情况。1G個試樣均未發生龜裂的 13913pif 32 1318649 為Ο，1個以上發生龜裂的為X。 表2 項目 單位 條件 實例 實例 實例 實例 實例 實例 比較 比較 比較 比較 比較 1 2 3 4 5 6 例1 例2 例3 例4 例5 斷裂強度 MPa 25BC 5.8 4.6 4.4 5.5 7.4 5.7 19.4 1.4 7.2 2.3 2.2 延伸率 % 25.C 28 35 40 20 15 20 330 425 145 103 100 流動性 μ m 160Ό 660 328 790 380 50 450 523 >1000 50 346 222 殘留揮發成分 % - 0.4 0.3 0.4 0.4 0.3 0.4 0.4 0.4 0.4 0.3 0.4 黏接 力 吸濕 前 Kg 260T： 1.1 1.2 1.1 1.1 0.4 1.1 1.6 1.4 0.3 1 1.3 吸濕 後 Kg 260 r 0.8 0.7 0.7 0.7 0.3 0.8 1.5 1 0.3 0.7 1 彈性模數 MPa 25Ό10Ηζ 1000 1900 720 1800 - 1300 300 - - 1200 1300 60XM0fiz 4.2 13 2.5 20 35 6.4 5 5 30 7 12 25Ό900ΗΖ 5400 7000 5800 6200 - 6600 3000 - 一 3800 3600 -20t：10Hz 7800 8000 6700 7800 - 7900 3200 - - 3900 3800 黏接強度 gf 25eC 5 5 8 3 3 4 6 18 3 11 7 空氣面 40*C 12 27 40 27 12 16 18 37 11 63 38 60'C 41 62 85 55 23 32 40 67 23 Θ6 58 80t： 90 161 198 111 34 78 64 200 40 176 89 黏接強度 gf 25·。 8 7 9 4 4 6 11 19 4 9 9 基體薄膜 4〇r 15 31 45 27 14 13 36 55 10 155 61 面 6〇·〇 97 290 240 120 27 88 67 102 34 290 302 80*0 162 300 300 173 49 142 171 300 40 300 340 層壓性 - 60Ό 良好 良好 良好 良好 不良 良好 良好 良好 不良 良好 良好 斷裂性 - 25*C 斷裂 斷裂 斷裂 斷裂 斷裂 - 不斷 -不斷 不斷 不斷 不斷 裂 裂 裂 裂 裂 耐回流亀 - - 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 裂性 财溫度循 - - 0 0 0 0 0 0 0 0 X 0 0 環性 33 13913pif 1318649 實例1〜4 =彈性模數’斷㈣度與延伸率在本發明規 黏接強度較小，因此容=良:外另二口= 力優良，所以耐回流龜裂性二*由於一下的黏接 5雖然斷裂性良好，但是―時層壓 ^^ 層壓。比較例1-5的彈性握缸此别私—> 路日/模數，斷裂強度與延伸率不在本 發明規疋的辄圍内，任何—個的斷裂性都不良。 [暗切割的具有黏著片的半導體晶片的製作] …將’實例6 ’比較例1與比較例5的黏著片與 备組合，製造具有黏著片的半導體晶片’對i :裂性=部的;出情况進行評估。各方式的概要如表; 不纟’黏著片與進行方式的組合，以及斷裂性與端 部的突出情關評估結果如表4所示。 (方式1) #用熱軋層壓機(杜邦製造的Riston)在60。(：的溫度下將 黏著：層，在要進行切割加工的半導體晶片（厚肋㈣ =半導體晶片上。如圖2所示，用雷射絲射製得與切割 月膠#體型的黏者片’在晶片内部形成變質領域。接下來， 在黏著片的另"-面層歷切割背膠（古河電工(株)製造的 ^JC3004M_8G)。將不銹鋼製的夾義在切割背膠的外周 部。接下來’用擴張裝置將固定了夾圈的切割背膠擴張。 該擴張的條件為擴張速度是3G mm/秒，擴張量為15 mm。 13913pif 34 1318649 (方式2) 如圖2所示，用雷射光照射半導體晶片（厚80μιη)， 在晶片内部形成變質領域。然後，用熱軋層壓機(杜邦製造 的Riston)在60°C的溫度下將黏著片層壓到半導體晶片A 上。接下來，在黏著片的另一面層壓切割背膠（古河電工(株) 製造的(UC3004M-80)。然後，將不銹鋼製的夾圈貼在切割 背膠的外周部。接下來，用擴張裝置將固定了夾圈的切割 背膠擴張。該擴張的條件為擴張速度是30 mm/秒，擴張量 為 15 mm。 (方式3) 如圖2所示，用雷射光照射半導體晶片（厚80μιη)， 在晶片内部形成變質領域。然後，用熱軋層壓機(杜邦製造 的Riston)在60°C的溫度下對黏著片與切割背膠（古河電 工(株)製造的(UC3004M-80)層壓形成的與切割背膠一體型 的黏者片層壓到晶片上。然後’將不鱗鋼製的爽圈貼在切 割背膠的外周部。接下來，用擴張.裝置將固定了夹圈的切 割背膠擴張。該擴張的條件為擴張速度是30 mm/秒，擴張 量為15 mm。 (方式4) 如圖2所示，用雷射光照射半導體晶片（厚80μιη)， 在晶片内部形成變質領域。然後，用熱軋層壓機(杜邦製造 的Riston)在60°C的溫度下將黏著片層壓到晶片上。接下 來，對黏著片加熱10分鐘，加熱溫度120°C。然後，在黏 著片的另一面層壓切割背膠（古河電工（株）製造的 13913pif 35 1318649 該擴張的條件:==。定了編切割背膠擴張 =7Γ)_。將不義㈣叫靖_外周 表3 方式1 晶片準備 1 黏貼黏接片 I 雷射加工 I 黏貼切割膠帶 喜 擴張 mm/秒’擴張量為15 mm
方式2 晶片準備
I 雷射加工
I
黏貼黏接片 I 黏貼切割膠帶
I 擴張 晶片準備 1 雷射加工
I
勒貼與切割膠 帶成一體的黏 接片 I
擴張 晶片準備 I 雷射加工
I 黏貼黏接片
I 黏接片加熱
I 黏貼切割膠帶 1 擴張 (斷裂性） 擴張後，用光學顯微鏡觀察丰 90 %以上斷裂的為良好（=裂的為極良好（◎)’ (△)不滿50 %的為不良(^)。〜90 %斷裂的為部分良好 (端部的突出情況） 另外，對拾取出來的具有 如圖10所示的半導體曰片盘私货乃97午等體曰曰片，進订 斷、從晶片端部突出的^著m端部的觀察。以未被切 庚™ % λλΓ黏#的長度8為突出長度。該長 度不滿0〜20陣的為極良好（◎)„ 13913pif 36 1318649 超過100 μιη的為不良（X)。 表4 項目 實例7 實例8 實例9 實例10 實例11 實例12 實例13 實例14 黏接片 實例1 實例1 實例1 實例1 實例2 實例2 實例2 實例2 方式 方式1 方式2 方式3 方式4 方式1 方式2 方式3 方式4 斷裂性 ◎ 0 0 ◎ 0 △ △ ◎ 端部突出 ◎ 0 0 ◎ 0 0 0 ◎ 斷裂強度（MPa) 5.8 5.8 5.8 8 4.6 4.6 4.6 7.8 延伸率（°/〇) 28 28 28 6.1 35 35 35 9.5 彈性 25°C10Hz 1000 1000 1000 1400 1900 1900 1900 2200 模數 60°C 10Hz 4.2 4.2 4.2 15 13 13 13 20 (MPa) 25 °C 900Hz 5400 5400 5400 6500 7000 7000 7000 7500 -20 °C 10Hz 7800 7800 7800 7850 8000 8000 8000 8100 項目 實例15 實例16 實例17 實例18 實例19 實例20 實例21 實例22 黏接片 實例3 實例3 實例3 實例3 實例6 實例6 實例6 實例6 方式 方式1 方式2 方式3 方式4 方式1 方式2 方式3 方式4 斷裂性 0 Δ Λ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 端部突出 0 0 0 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 斷裂強度（MPa) 4.4 4.4 4.4 7.8 5.7 5.7 5.7 8 延伸率（％) 40 40 40 12 20 20 20 6.4 彈性 25°C10Hz 720 720 720 1200 1300 1300 1300 1600 模數 60°C 10Hz 2.5 2.5 2.5 12 6.4 6.4 6.4 15 (MPa) 25 °C 900Hz 5800 5800 5800 6800 6600 6600 6600 7500 -20 °C 10Hz 6700 6700 6700 7500 7900 7900 7900 8200 項目 比較例 比較例 比較例 比較例 6 7 8 9 黏接片 實例1 實例5 實例1 實例5 方式 方式1 方式2 方式3 方式4 斷裂性 X X X X 端部突出 X X X X 斷裂強度（MPa) 19.4 2.2 19.4 2.2 廷伸率（％) 330 100 330 100 彈性 25°C10Hz 300 1300 300 1300 模數 60°C10Hz 5 12 5 12 (MPa) 25。。900Hz 3000 3600 3000 3600 -20 °C 10Hz 3200 1800 3200 1800 實例7-22的彈性模數，斷裂強度與延伸率在本發明規 定的範圍内，層壓性，斷裂性良好。另外，由於室溫下的 37 13913pif 1318649 黏接強度較小’因此容易處理。此外，由於高溫下的 力優良，所以耐回流龜裂性、耐溫度循環性也優良。^ 是實例10，14，18，22，由於對黏著片進行了後^熱因 此斷裂性提高。另外，降低了黏著片的延伸率 的斷裂性也優良。 22
—比較例的彈性模數’斷裂強度與延伸率不在本發明規 定的範圍内，任何一個的斷裂性都不良。 X 採用本發明，可以提供一種能在1〇〇〇c以下的低溫下 ^貼到晶>}上’具有能在室溫下進行處理的柔她度，而 且旎在通常的切斷條件下與晶片同時切斷的黏著片。 另外、，採用本發明，由於可以將半切割或暗切割等晶 切割方法與晶片背面黏貼方式的黏著 中率地 下的fi1採用本發明的黏著片，即使使用厚度1卿m以 片於沒有必要用切割鑛之類將晶片與黏著 H’r局半導體裝置的加工速度，提高成品率。 _面吏用本發明的黏著片，晶片與黏著片的切 易確認、黏著片是否被切斷，所心生有:取斷不= 况，可以咼敢率地製造半導體裝置。 、月 元件=造半導體裝置的半導體元件與裝載半導體 件用的支承部件的接合過程中，接合的可靠性也很優 l39l3pif 38 1318649 是說，本發明的黏著片具有將半導體树裳載在 件上時實際需要的耐熱性與耐濕性，而且可:二: 雖然本發明已啸佳實關揭露如上，然其並非用以 限,本發明，任何熟習雜藝者，在不_本發明之精神 ^範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1疋繪示本發明的步驟I)的一種實施例的示意圖。 圖2疋續·示本發明的步驟II)的一種實施例的示意圖。 圖3是繪示本發明的步驟ΙΠ)的一種實施例的示意圖。 圖4是緣示本發明的步驟IV)的一種實施例的示意圖。 圖5是繪示本發明的步驟V)的一種實施例的示意圖。 圖6是緣示本發明的步驟I’)的一種實施例的示意圖。 圖7是缘示本發明的步驟II)的一種實施例的示意圖。 圖8是繪示對圖7的晶片施加外力，晶片與黏著片成 被切斷狀態的示意圖。 圖9是繪示本發明的步驟V)的一種實施例的示意圖。 圖10是繪示具有黏著片的半導體晶片的一種實施例 的示意圖。 圖11是繪示本發明的步驟I，）、步驟π)與步驟IV)的 一種實施例的示意圖。 【主要元件符號說明】 A:半導體晶片 13913pif 39 1318649 I :黏著片 2:切割背膠 2a :黏接劑層 2b :基體層 3 =黏著片 4:預定切割線 5 :變質領域 6.具有黏者片的半導體晶片 7:支承部件 II :炎圈 12 :上升部 13 :平臺 14 :高度 21 :吸附夾頭 22 :鋼絲夾 23 :切割鋸 13913pif 40

Claims (1)

1318649 十、申請專利範圍： 1.-種至少含有高分子量成分的黏著片其中處於B 階狀態的該黏著片’在25 〇c的溫度下，斷裂強度為〇1 MPa以上、10 MPa以下，且延伸率為i %以上、4〇 %以下。 2·—種至少含有高分子量成分的黏著片其中處於b 階狀態的該黏著片’在25°C的溫度下，以丨啦動態黏彈 性模數測定所得彈性模數為idOOO ，在Μ%的溫度 下以900 Hz動態黏彈性模數測定所 4000-20000 MPa。 坪模歡為 3.-種至少含有高分子量成分的黏著片，1 階狀態的該黏著片，在25〇c的溫度下，以1〇出黏 性模數測定所得彈性模數為1〜3_MPa，在_20 T = ’以1〇ΗΖ動態黏彈性模數測定所得彈性模：： 4000〜20000 MPa。 斤丨王犋数為 β 4·如申4專利範圍第2或第3項所述之至 八 子篁成分的黏著片，其中處於Β階狀態的該黏，^刀 1^Ι：10Ηζ^^ 5.如申請專利範圍第2或第3項所述之至 =成分的黏料’其中處㈣階狀態的該黏料1 C的溫度下，斷㈣度為Q」娜以上、1() % =5 且延伸率為1 %以上、%以下。 ’ 6.如申請專利範圍第Μ射的任何—項 月，其中該高分子量成分的玻璃轉化溫度為 13913pif 41 18649 C ’重量平均分子量為5萬〜⑽萬。 轉申請專利範圍第6項所述之點著片L 匕^為-30 T〜50 T，重量平均 /、中該玻璃 5〇重量％以下。 ’、去填料重量後的 8.如申請專利範圍第7項所述 硬化性成分。 者片，更包括含熱 4 “9.如ΐ請專利範圍第7或第8項 黏者片，更包括含5〜70重量％的填料。、可一項所述之 10·如申請專利範圍第 片，其中殘留的揮發成分為〇.〇1〜3^= 一項所述之點著 二如媒== 利範圍第Ml項係使用申，專 層壓而成。 7項所述之黏著片與切割背膠 13.-種半導體裝置的製造方法 l) 將申請專利範圍第^ 片黏貼在-轉體晶片上；射的任何—項所述之黏著 II)對該半導體晶片進行可切斷 m) 將一切割背膠黏貼在該黏著片上步驟’ 且更==該些步驟順序為咖’时㈣1-111-11， IV)將該半導體晶片與該黏著片切斷，以得到多個單片 13913pif 42 1318649 的具有黏著片的半導體晶片；以及 V)將該具有黏者.片的半導體晶片黏接在裝載半導體 晶片用的支承部件上。 14. 一種半導體裝置的製造方法，包含： Γ)將申請專利範圍第12項所述之與切割背膠一體型 的黏者片黏貼在·一半導體晶片上， II)對該半導體晶片進行可切斷處理步驟， 其中上述該些步驟順序為Γ-ΙΙ或ΙΙ_Γ，且更包括進行： IV) 將該半導體晶片與該與切割背膠一體型的黏著片 切斷，以得多個單片的具有黏著片的半導體晶片；以及 V) 將該具有黏著片的半導體晶片黏接在裝載半導體 晶片用的支承部件上。 15. 如申請專利範圍第13或14項所述之半導體裝置的 製造方法，其中使該半導體晶片成為可切斷的方法為半切 割或暗切割。 13913pif 43 1318649 七、 指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：圖（4)。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： A:半導體晶片 I :黏著片 2:切割背膠 6.具有黏者片的半導體晶片 II :夾圈 12 :上升部 13 :平臺 14 :高度 八、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式： 無 13913pif 4
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