JP2014204033A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子を樹脂組成物からなる封止層で効率よく封止し、半導体装置を精度よく製造する。【解決手段】半導体基板Wに形成された複数個の半導体素子の分布領域に当該分布領域の面積よりも小さい面積で、かつ、複数個分の半導体素子Cを囲う分断ラインに合わせて切断した複数枚の封止シート片CTを当該半導体素子Cの分布領域の全面にわたって貼り付ける。当該封止層を硬化させて半導体素子Cを封止した半導体基板Wをダイシングテープを介してリングフレームに保持した後にダイシング工程に搬送し、分断ラインに沿って切断し、ダイシングテープをエキスパンドして半導体装置を製造する。【選択図】図14
Description
本発明は、樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを貼り付けて半導体素子を封止する半導体装置を製造する方法に関する。
1個の半導体チップの周りを枠体で囲んだ後に、樹脂を含浸させたプリプレグから成る第1の封止用樹脂シートと第2の封止用樹脂シートによって当該半導体チップの両面のそれぞれから挟み込み、半導体チップを封止して半導体装置を製造している(特許文献1を参照)。
しかしながら、上記従来方法では次のような問題が生じている。
すなわち、近年、アプリケーションの急速な進歩に伴う高密度実装の要求により、半導体装置が小型化される傾向にある。したがって、ダイシング処理によって半導体ウエハを半導体素子に分断した後に、半導体素子を個々に樹脂で封止しているので、スループットが低下し、ひいては生産効率を低下させるといった不都合が生じている。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、半導体装置の生産速度を向上させつつも、半導体装置を精度よく製造することを可能にする半導体装置の製造方法を提供することを主たる目的とする。
そこで、本発明者たちは、当該不都合を解決するために、実験やシミュレーションを繰り返して鋭意検討した結果、以下の知見を得た。
半導体基板の全面に樹脂組成物からなる封止層の形成された枚葉の封止シートを貼り付けて硬化させた後に、当該半導体装置に分断することを試みた。しかしながら、当該方法では、次のような新たな問題が発生した。先ず、封止シートの封止層の加熱硬化処理後の冷却過程で、封止層の収縮によって半導体基板に反りが発生した。当該反りは、半導体基板を吸着して搬送する過程で搬送エラーを発生させる。また、半導体基板の反り量が大きい場合、半導体基板を押圧して当該反りを矯正すると半導体基板が破損する。さらに、大面積の封止シートを貼り付ける場合、貼付け過程で半導体基板との接着界面に気泡が巻き込まれやすく、封止層内にボイドを発生せ、半導体装置が不良品になる。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、剥離ライナに樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを半導体素子に貼り付けて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板に形成された複数個の前記半導体素子の分布領域に当該分布領域の面積よりも小さい面積で、かつ、複数個の半導体素子を囲う分断ラインに合わせて切断した複数枚の封止シート片を当該半導体素子の分布領域の全面に貼り付ける貼付け過程と、
前記封止層を硬化させる硬化過程と、
硬化した前記封止層によって半導体素子が封止された半導体基板を分断する分断過程と、
を備えたことを特徴とする。
半導体基板に形成された複数個の前記半導体素子の分布領域に当該分布領域の面積よりも小さい面積で、かつ、複数個の半導体素子を囲う分断ラインに合わせて切断した複数枚の封止シート片を当該半導体素子の分布領域の全面に貼り付ける貼付け過程と、
前記封止層を硬化させる硬化過程と、
硬化した前記封止層によって半導体素子が封止された半導体基板を分断する分断過程と、
を備えたことを特徴とする。
(作用・効果) 上記方法によれば、半導体素子が形成された分布領域の全体の面積よりも小さい面積に切断した複数枚の封止シート片に分けて当該半導体素子の分布領域に貼り付けるので、封止シート片が半導体基板上で個々に収縮する。半導体基板と略同形状の1枚の封止シートを半導体基板に貼り付けた場合、当該封止シートは、半導体基板の中心の一方向に向かって収縮する。しかしながら、この方法のように、複数枚の封止シート片を貼り付けた場合、封止シート片の収縮方向が分散されるので、半導体基板の反りが抑制される。なお、ここで分布領域とは、半導体基板を個片化する予定の複数個の半導体素子が配置されており、その最外周部の切断予定ラインを含む領域である。なお、本発明において、封止シート片とは、封止層に剥離ライナが添設された状態の形態をいう。
また、複数枚の封止シート片は、半導体基板の分断ラインに合わせた外形を有するので、半導体素子を偏りなく封止することができる。また、隣接する封止シート片同士の間が分断ラインに相当するので、当該部位に沿って半導体基板から半導体装置を容易に切断することができる。
また、複数枚の封止シート片は、半導体基板よりもサイズが小さいので、貼付け時の取り扱いが容易である。すなわち、半導体基板と封止シートの接着界面への気泡の巻き込みを抑制することができる。したがって、封止層内でのボイドの発生を抑制することができる。
なお、この方法において、貼付け過程は、次のようにして実施することができる。
例えば、一実施形態として、半導体基板の形状以上の大きさを有する枚葉の封止シートにハーフカットされた複数枚の封止シート片を半導体基板に貼り付け、
前記剥離ライナおよび封止シート片周囲の切り抜かれた封止シートを半導体基板から剥離する。
前記剥離ライナおよび封止シート片周囲の切り抜かれた封止シートを半導体基板から剥離する。
この方法によれば、1回の貼り付け動作で複数枚の封止シート片を半導体基板に貼り付けることができる。なお、枚葉の封止シートは、半導体基板と同じ形状であってもよいし、半導体基板よりも大きいサイズであってもよい。
枚葉の封止シートが、半導体基板よりも大きいサイズの場合、枚葉の封止シートに張力を付与しながら複数枚の封止シート片を半導体基板に貼り付け、分断過程の前に、剥離ライナを封止シートから剥離することが好ましい。
この方法によれば、封止シートに張力が付与されているので、当該封止シートに弛みが生じない。したがって、封止シートと半導体基板との接着界面への気泡の巻き込みを抑制しながら当該封止シートを半導体基板に精度よく貼り付けることができる。
他の実施形態として、半導体基板の形状以上の大きさを有する枚葉の剥離ライナに複数枚の封止シート片を仮接着し、
枚葉の前記剥離ライナを介して前記半導体基板に複数枚の封止シート片を貼り付け、
前記分断過程の前に、枚葉の前記剥離ライナを封止シート片から剥離する。
枚葉の前記剥離ライナを介して前記半導体基板に複数枚の封止シート片を貼り付け、
前記分断過程の前に、枚葉の前記剥離ライナを封止シート片から剥離する。
この方法においても、上記実施形態と同様に、1回の貼り付け動作で複数枚の封止シート片を半導体基板に貼り付けることができる。なお、枚葉の剥離ライナは、半導体基板と同じ形状であってもよいし、半導体基板よりも大きいサイズであってもよい。
枚葉の剥離ライナが、半導体基板よりも大きいサイズの場合、当該剥離ライナに張力を付与しながら複数枚の封止シート片を半導体基板に貼り付け、分断過程の前に、剥離ライナを封止シートから剥離することが好ましい。
この方法によれば、剥離ライナに張力が付与されているので、封止シート片に弛みが生じない。したがって、封止シート片と半導体基板との接着界面への気泡の巻き込みおよび皺の発生を抑制しながら当該封止シート片を半導体基板に貼り付けることができる。
なお、当該実施形態において、半導体基板の領域に応じて異なる特性の封止シートを貼り付けてもよい。
すなわち、半導体基板の反りを発生させやすい部位に、他の封止シート片よりも収縮率の小さい封止シート片を貼り付けることにより、半導体基板の反りを抑制することができる。
また、半導体素子の分布領域に応じて異なるサイズおよび形状の封止シート片を貼り付けてもよい。
この方法によれば、複数枚の同じ封止シート片は、収縮率が同じであっても、封止シートが小形および端辺が短くなる程、封止層の収縮距離が小さくなってゆく。すなわち、異なるサイズおよび形状の封止シート片を混在させて貼り付けることにより、封止層の収縮を調整して半導体基板の反りを抑制することができる。
なお、上記各実施形態において、減圧雰囲気で半導体基板に封止シートを貼り付けることが好ましい。
この方法によれば、封止シートと半導体基板との間に巻き込んだ気泡を抜き出す移動距離が、半導体基板と同じサイズの封止シートに比べて短い。したがって、短時間でより確実に接着界面から気泡を除去することができる。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体装置の生産速度を向上させつつも、半導体装置を精度よく製造することができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。表面に複数個の半導体素子が形成された半導体基板に、樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを貼り付ける場合を例に取って説明する。
<封止シート>
封止シートTは、例えば、図1および図2に示すように、長尺の封止シートTを巻き回した原反ロールで供給される。また、当該封止シートTは、封止層Mの両面に保護用の第1剥離ライナS1および第2剥離ライナS2が添設されている。
封止シートTは、例えば、図1および図2に示すように、長尺の封止シートTを巻き回した原反ロールで供給される。また、当該封止シートTは、封止層Mの両面に保護用の第1剥離ライナS1および第2剥離ライナS2が添設されている。
封止層Mは、封止材料からシート形状に形成されている。封止材料としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、などの熱硬化性樹脂が挙げられる。また、封止材料として、上記した熱硬化性樹脂と、添加剤を適宜の割合で含有する熱硬化性樹脂組成物を挙げることもできる。
添加剤としては、例えば、充填剤、蛍光体などが挙げられる。充填剤としては、例えば、シリカ、チタニア、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子、例えば、シリコーン粒子、などの有機微粒子などが挙げられる。蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変化することのできる赤色蛍光体などを挙げることができる。黄色蛍光体としては、例えば、Y3Al5O12:Ce(YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)などのガーネット型蛍光体が挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Euなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
封止層Mは、半導体素子を封止する前において、半固形状に調整されており、具体的には、封止材料が熱硬化性樹脂を含有する場合には、例えば、完全硬化(Cステージ化)する前、つまり、半硬化(Bステージ)状態で調整されている。
封止層Mの寸法は、半導体素子および基板の寸法に応じて適宜に設定されている。具体的には、封止シートが長尺のシートとして用意される場合における封止層の左右方向における長さ、つまり、幅は、例えば、100mm以上、好ましくは、200mm以上であり、例えば、1500mm以下、好ましくは、700mm以下である。また、封止層の厚みは、半導体素子に寸法に対応して適宜に設定され、例えば、30μm以上、好ましくは、100μm以上であり、また、例えば、3000μm以下、好ましくは、1000μm以下である。
第1剥離ライナS1および第2剥離ライナS2は、例えば、ポリエチレンシート、ポリエステルシート(PETなど)、ポリスチレンシート、ポリカーボネートシート、ポリイミドシートなどのポリマーシート、例えば、セラミックシート、例えば、金属箔などが挙げられる。剥離ライナにおいて、封止層と接触する接触面には、フッ素処理などの離型処理を施すこともできる。第1剥離ライナおよび第2剥離ライナの寸法は、剥離条件に応じて適宜に設定され、厚みが、例えば、15μm以上、好ましくは、25μm以上であり、また、例えば、125μm以下、好ましくは、75μm以下である。
次に、封止シートTを半導体基板に貼り付けて半導体装置を製造する工程および装置について説明する。なお、本実施例では、円形の半導体基板に封止シートを貼り付ける場合を例にとって説明する。
半導体装置の製造工程は、切断工程、貼付け工程、硬化処理工程およびダイシング工程から構成されている。
切断工程には、図3に示すように、シート供給部1、切断機構2およびシート回収部3などから構成されている。
シート供給部1は、供給ボビン4から繰り出された両面に剥離ライナS1、S2付きの封止シートTを送りローラ5およびガイドローラ6で案内して切断機構2に導く。
切断機構2は、例えば、裁断テーブル7、第1切断機構8および第2切断機構9などから構成される。
裁断テーブル7は、封止シートTの幅よりも大きいチャックテーブルで構成される。第1切断機構8は、裁断テーブル7に跨った状態で前後にガイドレールRに沿って移動する可動フレーム10に装着された可動台11によって当該可動フレーム10上で水平移動および昇降するプロッタ切断ユニット12などから構成されている。当該プロッタ切断ユニット12は、刃先を下向きにしたカッタ13を備えている。したがって、プロッタ切断ユニット12は、裏面側の剥離ライナS2のみを残し、図1に示すように、封止シートTを所定形状の封止シート片CTにハーフカットする。なお、本実施例において、封止シート片は、封止層に剥離ライナが添設された状態の形態をいう。
第2切断機構9は、昇降可能な可動台の下部に、裁断テーブル7の中心上に位置する縦軸心X周りに駆動旋回可能に支持アーム16が装備されている。また、この支持アーム16の遊端側に備えたカッタユニット17に、刃先を下向きにしたカッタ18が装着されている。そして、この支持アーム16が、縦軸心X周りに旋回することによって、カッタ18が半導体基板と略同じ形状に封止シートTを切り抜くように構成されている。したがって、切断後の枚葉の封止シートTは、半導体基板に形成されたノッチやオリエンテーションフラットの外形までを完全に一致させたものではなく、ノッチなどを覆う円形のものを含む。
シート回収部3は、半導体基板の形状に切り抜かれた封止シートTを回収ボビン19に巻き取るよう構成されている。
なお,裁断テーブル7の下流側には先細りテーパー状の剥離板14が配備されている。つまり、剥離板14で封止シートTを折り返して円形に切り抜かれた封止シートTを剥離するように構成されている。封止シートTは、剥離板14上で吸着プレートを備えた搬送機構15によって吸着保持され、封止シートTの送り速度に同調して水平移動し、剥離板14から剥離される封止シートTを吸着して搬出するよう構成されている。
貼付け工程には、図4および図5に示すように、シート載置台20、シート搬送機構21、ライナ剥離機構22、第1保持テーブル23、基板搬送機構24およびシート貼付け機構25などが配備されている。
シート載置台20は、封止シートTよりも大形のチャックテーブルで構成されている。
シート搬送機構21は、前後左右に水平移動および昇降可能な吸着プレート26を備えている。すなわち、装置本体の横方向に伸びるフレーム27に沿ったガイドレールR1上を移動する第1可動台28を備える。装置本体の前後に向けて水平保持されたガイドレールR2が第1可動台28の下部に装着されている。ガイドレールR2に沿って前後に移動可能な第2可動台30に懸垂支持された縦フレームに沿って昇降可能な吸着プレート26を備えている。
ライナ剥離機構22は、図6に示すように、剥離テープ供給部31、剥離ユニット32、テープ回収部33およびカメラ34から構成される。
剥離テープ供給部31は、封止シートTよりも幅の狭い長尺の剥離テープTSを剥離ユニット32に向けて供給する。
剥離ユニット32は、剥離テープTSを巻き回される剥離ローラ35を備えている。当該剥離ローラ35は、昇降可能であり、シート載置台20よりも高い位置まで上昇する。すなわち、封止シートTがシート搬送機構21によって吸着保持されて搬送される過程で、剥離ローラ35は、封止シートTの裏面の剥離ライナS2に剥離テープTSを押圧して貼り付ける。
テープ回収部33は、剥離ローラ35によって封止シートTの裏面側の剥離ライナS2に貼り付けられた状態で剥離テープTSを巻き取ることにより、封止シートTから剥離された剥離ライナS2とともに回収ボビン19に剥離テープTSを巻き取り回収する。
カメラ34は、裏面から第2剥離ライナS2の剥離された封止シートTのハーフカットされた複数枚の封止シート片CTの位置を撮像し、当該画像データを制御部100に送信する。
第1保持テーブル23は、半導体基板Wよりも大形のチャックテーブルで構成されている。第1保持テーブル23は、縦X軸周りに回転し、半導体基板Wのアライメントを行うよう構成されている。また、第1保持テーブル23は、ガイドレール38に沿って半導体基板Wの載置位置と装置奥側のアライメント位置とにわたって往復移動するように構成されている。
アライメント位置の上方には、2台のカメラ39が配備されており、半導体基板Wの外形および分断ライン(スクライブライン)を撮像し、両画像データを制御部100に送信する。
基板搬送機構24は、装置本体の横方向に伸びるフレーム41に沿ってシート貼付け機構25側まで達するガイドレールR3上を装置移動する可動台42を備える。当該可動台42に懸垂支持された縦フレームに沿って昇降可能な吸着プレート44を備えている。吸着プレート44は、半導体基板Wの形状以上の大きさを有する。すなわち、基板搬送機構24は、第1保持テーブル23から後述する貼付け工程の第2保持テーブル45までを往復移動するよう構成されている。
貼付け工程は、シート貼付け機構25を備えている。当該シート貼付け機構25は、第2保持テーブル45およびチャンバ46などから構成されている。
第2保持テーブル45は、図7に示すように、チャンバ46を構成する上下一対の上ハウジング46Aと下ハウジング46Bのうち、下ハウジング46Bに収納されている。
また、下ハウジング46Bは、ガイドレール48に沿って、装置本体の前側の半導体基板Wの受け取り位置と上ハウジング46Aの下方の間を往復移動するよう構成されている。
チャンバ46を構成する上ハウジング46Aには、昇降駆動機構50に備えてられている。この昇降駆動機構50は、縦壁51の背部に縦向きに配置されたレール52に沿って昇降可能な可動台53、この可動台53に高さ調節可能に支持された可動枠54、この可動枠54から前方に向けて延出されたアーム55を備えている。このアーム55の先端部から下方に延出する支軸56に上ハウジング46Aが装着されている。
可動台53は、ネジ軸57をモータ58によって正逆転することでねじ送り昇降されるようになっている。また、上ハウジング46Aの内部には、昇降可能な押圧プレート59が内装されている。当該押圧プレート59には、ヒータ60が埋設されている。
硬化処理工程は、図8に示すように、加熱装置61を備えている。加熱装置61は、例えば、半導体基板Wを載置保持する第3保持テーブル62および昇降可能なヒータ63を埋設した加熱プレート64などから構成される。
ダイシング工程は、ダイシングテープを介して接着保持された半導体基板Wを半導体装置に分断する切断装置を備えている。
次に、半導体装置を製造する一連の動作について詳述する。
切断工程において、裁断テーブル7に吸着保持された長尺の封止シートTを、プロッタ切断ユニット12によって、半導体基板に形成された複数個の半導体素子の分布領域の全体の面積よりも小さい面積で、かつ、複数個分の半導体素子を囲う分断ラインに合わせて封止シート片CTにハーフカットする。複数枚の封止シート片CTは、図1に示すように、互いに重なることなく半導体素子の分布領域の全体を覆うように予めレイアウトされている。すなわち、分断ライン幅の内側のラインのサイズ以下に合わせてハーフカットする。なお、ここで分布領域とは、半導体基板を個片化する予定の複数個の半導体素子が配置されており、図5の一点鎖線で示すように、その最外周部の切断予定ラインを含む領域DAである
次に、第2切断機構9によって、封止シート片CTの形成された封止シートTを半導体基板Wの形状に切り抜く。裁断テーブル7の吸着を解除して半導体基板Wの形状となった枚葉の封止シートTを貼付け工程のシート載置台20に載置する。なお、円形に切り抜かれた長尺の封止シートTは、シート回収部3に巻き取り回収される。
シート載置台20に封止シートTが載置されると、シート搬送機構21によって吸着保持され、カメラ34の上方に搬送される。このとき、図6に示すように、シート載置台20から僅かに上昇し、水平搬送される過程で当該シート載置台20から外れた搬送方向の前方の位置に剥離ローラ35が上昇してくる。当該剥離ローラ35に巻き回された剥離テープTSが、図9に示すように、封止シートTの裏面側の第2剥離ライナS2に押圧される。その後、シート搬送機構21の搬送速度と同調した速度で剥離テープTSを巻き取りながら、第2剥離ライナS2を封止シートTから剥離する。剥離された第2剥離ライナS2は、剥離テープTSごと回収ボビン19に巻き取り回収される。
カメラ34の上方に封止シートTが達すると、封止シートTの外形および封止シートTのレイアウト画像が撮像される。当該画像データが制御部100に送信される。撮像処理が完了すると、シート搬送機構21は、封止シートTを吸着保持したまま、第1保持テーブル23上へと移動する。
封止シートTがシート載置台20に載置されると略同時に、第1保持テーブル23に半導体基板Wが載置される。半導体基板Wを吸着保持した第1保持テーブル23は、アライメント位置に移動し、カメラ39によって表面が撮像される。撮像された画像データは、制御部100へと送信される。
撮像処理が完了すると、第1保持ステージ23は、載置位置に戻る。ここで、制御部100の画像解析処理により求めた封止シート片CTのレイアウトの輪郭と半導体基板Wの半導体素子の分断ラインの内側のラインとが合致し、かつ、半導体素子の分布領域の全面を覆うように、半導体基板Wのアライメントを行う。第1保持テーブル23を縦軸周りに回転させてアライメントを行う。
半導体基板Wのアライメントが完了すると、シート搬送機構21によって搬送されてきた封止シートTが、図10に示すように、半導体基板Wに対向配置される。その後に、図11に示すように、吸着プレート26が所定高さまで下降する。このとき、封止シートTが適度に押圧されて半導体基板Wに仮圧着される。封止シートTの仮圧着が完了すると、シート搬送機構21は、シート載置台20側に戻る。
封止シートTが仮圧着された半導体基板Wは、基板搬送機構24によって吸着保持され、第2保持テーブル45に搬送される。
半導体基板Wが第2保持テーブル45に載置されると、基板搬送機構24は上昇して第1保持テーブル23側に戻る。第2保持テーブル45は、半導体基板Wを吸着保持したまま、上ハウジング46Aの下方まで移動する。
図12に示すように、上ハウジング46Aの下端が下ハウジング46Bに当接する位置まで下降する。つまり、チャンバ46を形成する。その後、チャンバ46内を減圧する。さらに、図13に示すように、押圧プレート59を下降させて封止シートTを押圧および加熱して半導体基板Wに本圧着する。この時点で、封止層Mは、完全に硬化していない状態である。
本圧着が完了すると、チャンバ46内を大気圧まで戻して上ハウジング46Aを開放する。下ハウジング46Bは、第2保持テーブル45ごと基板の受け渡し位置まで戻る。封止シートTの本圧着された半導体基板Wは、図14に示すように、不要な封止層Mと剥離ライナが剥離され、硬化処理部に搬送される。
第3保持テーブル62に載置された半導体基板Wに加熱プレート64を当接させて加熱し、封止層Mを加熱硬化させる。すなわち、所定温度まで上昇させた後、ガラス転移点まで冷却して封止層Mを完全に硬化させる。
その後、図15に示すように、リングフレームfを介してダイシングテープDTに半導体基板Wを接着保持する。この状態でダイシング工程に搬送され、分断ラインに沿って半導体基板Wをカッタによって分断する。分断処理が完了すると、図16に示すように、基板保持テーブル85のみを僅かに上昇させてダイシングテープを裏面側から突き上げてエキスパンドし、半導体装置CPごとに完全分離する。以上で一連の処理が完了し、同じ処理が繰り返される。
上述のように、半導体素子が形成された分布領域の全体の面積よりも小さい面積に切断した複数枚の封止シート片CTに分けて当該半導体素子の分布領域の全面に貼り付けるので、半導体基板Wの反りを抑制することができる。つまり、半導体基板と同じ形状の1枚の封止シートTを半導体基板Wに貼り付けた場合、封止シートTは、半導体基板Wの中心の一方向に向かって収縮する。しかしながら、複数枚の封止シート片CTを半導体基板Wに分割して貼り付けた場合、収縮方向が分散され、半導体基板Wの反りが抑制される。
また、封止シート片CTは、半導体基板Wよりもサイズが小さいので、貼付け時の取り扱いが容易である。すなわち、半導体基板Wと封止シート片CTの接着界面への気泡の巻き込みを抑制することができる。したがって、封止層内でのボイドの発生を抑制することができる。
なお、本発明は以下のような形態で実施することもできる。
(1)上記実施例において、枚葉の封止シートTは、半導体基板Wの形状に限定されるものではない。例えば、図17に示すように、半導体基板Wよりも大形の矩形に切断された枚葉の封止シートTに封止シート片CTをハーフカットして形成したものを利用してもよい。
この場合、シート貼付け工程では、封止シートTに張力を付与した状態で半導体基板Wに貼り付けることが好ましい。
例えば、図18に示す貼付け治具70に封止シートTを装着して取り扱う。貼付け治具70は、矩形のフレーム枠71の両端にクランプ板72がコイルバネ73によって受け板74を押圧する方向に付勢されている。また、逆L字状の受け板74の一方の下部寄りにフレーム枠71に固定された固定ブロック75を貫通するボール軸76の先端が当接されている。当該ボール軸76と固定ブロック75の間のコイルバネ77によって、受け板74が外向きにバネ付勢されている。また、当該ボール軸76の他端側にはナット78が螺合されている。当該ナット78を正逆転することにより、ボール軸76の突き出し距離が変化し、クランプ板72と受け板74の外向きの付勢力が調整可能に構成されている。
次に、当該貼付け治具70を利用して、封止シートTを半導体基板Wに本圧着する一巡の動作について説明する。
図19に示すように、バネ付勢に抗してクランプ板72を開放し、封止シートTをフレーム枠71に載置する。その後に、図20および図21に示すように、クランプ板72によって封止シートの両端をクランプする。
アライメント処理の済んだ第1保持テーブル23上の半導体基板Wと貼付け治具70を対向させ、図22に示すように、貼付け治具70を所定高さまで下降させる。このとき、図23に示すように、第2保持テーブル45に立設された位置決めピンPが、貼付け治具70の位置決め孔79に係合し、位置合わせされる。この状態で、封止シートTに所定荷重をかけて半導体基板Wに仮圧着する。
図24に示すように、吸着プレート44から吸着パッド80に変更した基板搬送機構24によって、貼付け治具70を吸着し、第2保持テーブル45に搬送および載置する。このとき、第1保持テーブル23に貼付け治具70をセットしたとき同じように、貼付け治具70のフレーム枠71に形成された位置決め孔79に第2保持テーブル45に形成された位置決めピンPが係合し、位置合わせされる。
第2保持テーブル45を収納している下ハウジング46Bを上ハウジング46Aの下方まで移動させ、図25に示すように、チャンバ46を形成する。チャンバ46内を減圧するとともに、押圧プレート59で加熱しながら封止シートTを半導体基板Wに本圧着する。
本圧着が完了すると、第2保持テーブル45を基板の受け渡し位置に移動させ、所定時時間冷却する。その後、図26に示すように、基板搬送機構24によって貼付け治具70を吸着して上昇させることにより、接着力の低下している不要な封止層Mが第1剥離ライナS1側に残って半導体基板Wから剥離される。
封止シート片CTの形状に封止層Mが本圧着された半導体基板Wは、上記実施例と同様に硬化処理工程およびダイシング工程を経て半導体装置に分断される。
この方法によれば、半導体基板Wの外形からはみ出る部位を貼付け治具70によってクランプすることにより、封止シートTに適度な張力を付与した状態で半導体基板Wに封止シートTを貼り付けることができる。すなわち、封止シートTは貼付時に弛んでいないので、半導体基板Wとの接着界面に気泡が巻き込んだり、或いは、皺が発生したりするのを抑制することができる。
(2)上記実施例において、長尺の封止シートTから所定形状に切り抜いた封止シート片CTから裏面側の第2剥離ライナS2を剥離し、半導体基板Wの所定位置に順番に貼り付けるようにしてもよい。または、半導体基板の形状または半導体基板よりも大形に切断した剥離ライナに、予め所定形状に切断した封止シート片CTを決められたレイアウトで仮接着した封止シートを利用してもよい。
半導体基板Wと同じ形状の剥離ライナに封止シート片CTを仮接着した場合、裏面から第2剥離ライナS2を剥離して半導体基板Wとの位置合わせを行った後に、半導体基板Wに仮圧着をすればよい。その後の処理工程は、上記主たる実施例と同じ処理を行う。
また、半導体基板Wより大形の剥離ライナに封止シート片CTを仮接着した場合、貼付け治具70に剥離ライナの両端をクランプして適度の張力を付与する。その状態で封止シート片CTの裏面から第2剥離ライナS2を剥離し、半導体基板Wとの位置合わせを行って仮圧着する。その後は、上記変形例と同じ処理を行う。
これらの実施形態によれば、特性の異なる封止シート片CTを半導体基板Wに貼り付けることができる。例えば、封止層Mの収縮率の異なる封止シート片CTを利用し、半導体基板Wの反りの発生しやすい領域と発生しにくい領域で使い分ける。例えば、反りの発生し易い部分に他の部分に貼り付ける封止シート片CTの封止層Mよりも収縮率の小さい封止層Mの形成された封止シート片CTを貼り付ける。この方法によれば、半導体基板Wの反り量を調整することができる。
(3)上記各実施例において、封止シートTを第1切断機構8および第2切断機構9によって封止シート片CTと枚葉の封止シートTの切断を使い分けていたが、予め半導体基板Wおよび封止シート片CTのレイアウトのかたどったトムソン刃で打ち抜きまたはハーフカットするよう構成してもよい。
(4)上記各実施例において、シート貼付け工程で封止層の硬化処理までを行ってもよい。
(5)上記各実施例において、半導体基板Wの形状は、円形に限定されない。したがって、半導体基板Wは、正方形または長方形などの四角形であってもよい。
(6)上記実施例において、枚葉の半導体基板と同じ形状の封止シートTは、当該半導体基板より大きいサイズであってもよいし、分布領域の外から半導体基板の外周までに収まる当該半導体基板よりも小さいサイズであってもよい。
3 … シート切断機構
20 … シート載置台
21 … シート搬送機構
22 … ライナ剥離機構
23 … 第1保持テーブル
24 … 基板搬送機構
25 … シート貼付け機構
45 … 第2保持テーブル
46 … チャンバ
59 … 押圧プレート
60 … ヒータ
61 … 加熱装置
64 … 加熱プレート
T … 封止シート
C … 半導体素子
CT … 封止シート片
M … 封止層
S1,S2…剥離ライナ
W … 半導体基板
20 … シート載置台
21 … シート搬送機構
22 … ライナ剥離機構
23 … 第1保持テーブル
24 … 基板搬送機構
25 … シート貼付け機構
45 … 第2保持テーブル
46 … チャンバ
59 … 押圧プレート
60 … ヒータ
61 … 加熱装置
64 … 加熱プレート
T … 封止シート
C … 半導体素子
CT … 封止シート片
M … 封止層
S1,S2…剥離ライナ
W … 半導体基板
Claims (12)
- 剥離ライナに樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを半導体素子に貼り付けて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板に形成された複数個の前記半導体素子の分布領域に当該分布領域の面積よりも小さい面積で、かつ、複数個の半導体素子を囲う分断ラインに合わせて切断した複数枚の封止シート片を当該半導体素子の分布領域の全面に貼り付ける貼付け過程と、
前記封止層を硬化させる硬化過程と、
硬化した前記封止層によって半導体素子が封止された半導体基板を分断する分断過程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記貼付け過程は、半導体基板の形状以上の大きさを有する枚葉の封止シートにハーフカットされた複数枚の封止シート片を半導体基板に貼り付け、
前記剥離ライナおよび封止シート片周囲の切り抜かれた封止シートを半導体基板から剥離する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記枚葉の封止シートは、半導体基板と同じ形状である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記枚葉の封止シートは、半導体基板よりも大きいサイズである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、
前記貼付け過程は、枚葉の封止シートに張力を付与しながら複数枚の封止シートを半導体基板に貼り付ける
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記貼付け過程は、半導体基板の形状以上の大きさを有する枚葉の剥離ライナに複数枚の封止シート片を仮接着し、
枚葉の前記剥離ライナを介して前記半導体基板に複数枚の封止シート片を貼り付け、
前記分断過程の前に、枚葉の前記剥離ライナを封止シート片から剥離する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体装置の製造方法において、
前記枚葉の剥離ライナは、半導体基板と同じ形状である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体装置の製造方法において、
前記枚葉の剥離ライナは、半導体基板よりも大きいサイズである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、
前記貼付け過程は、枚葉の剥離ライナに張力を付与しながら複数枚の封止シート片を半導体基板に貼り付ける
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6ないし請求項9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記貼付け過程は、半導体基板の領域に応じて異なる特性の封止シート片を貼り付ける
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし請求項10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記貼付け過程は、半導体素子の分布領域に応じて異なるサイズおよび形状の封止シート片を貼り付ける
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし請求項11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記貼付け過程は、減圧雰囲気で半導体基板に封止シート片を貼り付ける
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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