JP7161084B1 - 電子部品実装基板の封止方法および熱硬化性シート - Google Patents

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Abstract

複数の電子部品が実装された基板であって、電子部品と基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板を準備する工程と、電子部品と接するように熱硬化性シートを電子部品実装基板に載置する工程と、載置された熱硬化性シートを加熱成型し、電子部品と基板との間の空間に熱硬化性シートの溶融物を充填して硬化させる工程とを含み、複数の電子部品を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線上の任意の点Ｐと、基板の中心との距離をＬｐとするとき、点Ｐと基板の中心とを通る直線と熱硬化性シートの外縁とが交わる点Ｑと、基板の中心との距離Ｌｑが０．９Ｌｐ以上である、電子部品実装基板の封止方法。

Description

本発明は、電子部品実装基板の封止方法および熱硬化性シートに関する。
フリップチップ接続方式で接続された電子部品の封止は、電子部品と基板との隙間に流動性を有する液状の封止材でアンダーフィルを施した後、別の液状封止材または封止フィルムでオーバーモールドする方法が一般的である（特許文献１～３参照）。
一方、工程数を低減するために、アンダーフィルとオーバーモールドを同時に行うことができるモールドアンダーフィル材料が提案されている（特許文献４参照）。
特開２０１４－１３１０１６号公報 特開２０１４－２２９７６９号公報 特開２０１５－１７８６３５号公報 特開２０１５－７１６７０号公報
しかし、アンダーフィルとオーバーモールドを同時に行う場合、複数の電子部品と基板との間の空間に封止材の未浸入部（ボイド）が生じることがあり、安定して十分なアンダーフィルを施すことは難しい。
本発明の目的の一つは、複数の電子部品が実装され、電子部品と基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板を封止する際に、電子部品と基板との間の空間における封止材の未浸入部（ボイド）を抑制し、安定して十分なアンダーフィルを施すことができる封止方法を提供することである。
本発明の一側面は、（ａ）複数の電子部品が実装された基板であって、前記電子部品と前記基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板を準備する工程と、（ｂ）前記電子部品と接するように熱硬化性シートを前記電子部品実装基板に載置する工程と、（ｃ）載置された前記熱硬化性シートを加熱成型し、前記電子部品と前記基板との間の空間に熱硬化性シートの溶融物を充填して硬化させる工程と、を含み、前記複数の電子部品を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線上の任意の点Ｐと、前記基板の中心との距離をＬｐとするとき、前記点Ｐと前記基板の中心とを通る直線と前記熱硬化性シートの外縁とが交わる点Ｑと、前記基板の中心との距離Ｌｑが０．９Ｌｐ以上である、電子部品実装基板の封止方法に関する。
また、本発明の別の側面は、上記電子部品実装基板の封止方法に用いるための熱硬化性シートであって、測定温度１２５℃、測定時間０～１００秒におけるｔａｎδ（損失正接）の極大値が３以上である樹脂組成物で構成された層を有する熱硬化性シートに関する。
本発明の上記側面によれば、複数の電子部品が実装され、電子部品と基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板を封止する際に、電子部品と基板との間の空間における封止材の未侵入部（ボイド）が形成されにくくなり、安定して十分なアンダーフィルを施すことができるようになる。
本発明の新規な特徴を添付の請求の範囲に記述するが、本発明は、構成および内容の両方に関し、本発明の他の目的および特徴と併せ、図面を照合した以下の詳細な説明によりさらによく理解されるであろう。
電子部品実装基板の一例を示す概念図である。 基板の中心Ｃ、複数の電子部品を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線Ｆ、枠線上の任意の点Ｐ、熱硬化性シートの外縁Ｓ、点Ｐと中心Ｃとを通る直線Ｌｃｐと外縁Ｓとの交点Ｑの一例を示す図である。 電子部品実装基板の封止方法の工程図である。
本発明の実施形態に係る電子部品実装基板の封止方法は、（ａ）複数の電子部品が実装された基板であって、電子部品と基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板を準備する工程と、（ｂ）電子部品と接するように熱硬化性シートを電子部品実装基板に載置する工程と、（ｃ）載置された熱硬化性シートを加熱成型し、電子部品と基板との間の空間に熱硬化性シートの溶融物を充填して硬化させる工程とを含む。
本実施形態に係る封止方法によれば、基板と、基板に搭載された電子部品と、電子部品を封止する樹脂組成物の硬化物とを具備する電子部品実装基板（以下、「封止体」とも称する。）が得られる。よって、本実施形態に係る封止方法は、熱硬化性シートの溶融物の硬化物で封止された電子部品実装基板（封止体）の製造方法でもある。電子部品実装基板は、基板の片面だけを硬化物で封止した片面封止体であってもよく、両面を硬化物で封止した両面封止体であってもよい。
なお、硬化物は、半硬化物（Ｂステージ）であってもよい。半硬化物（Ｂステージ）とは、室温では固体を呈するが、所定温度以上に加熱された状態では、暫くの間、流動性を持ち、その後、硬化反応が進行するにしたがって流動性を失う樹脂組成物をいう。以下、硬化物という場合は、それが半硬化物である場合を包含する。
工程（ａ）で準備される電子部品実装基板において、複数の電子部品は、例えば、フリップチップ接続方式で基板（具体的には基板に設けられた電極）に接続されている。フリップチップ接続方式では、電子部品が、アレイ状に並んだ突起状の端子（「バンプ」とも称される。）によって基板に実装される。バンプは、電子部品の基板との対向面に複数設けられている。バンプは、電子部品の一部を構成する。電子部品と基板との間の空間は、概ね複数のバンプ間の空隙で占められる。
工程（ｂ）で用いられる熱硬化性シートは、封止材であり、シート状に成形されたモールドアンダーフィル材料である。熱硬化性シートは、加熱により溶融し、その後、硬化する性質を有する。熱硬化性シートは、例えば、熱硬化性樹脂組成物（以下、単に「樹脂組成物」とも称する。）で構成され、樹脂組成物は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含む。
熱硬化性シートは、熱硬化性樹脂組成物の半硬化物（Ｂステージ）であってもよい。以下、熱硬化性樹脂組成物もしくは熱硬化性シートの硬化物も、未硬化物と区別せずに封止材と称する。
工程（ｃ）において、熱硬化性シートの加熱成型は、金型を用いて行われる。金型は、複数の電子部品を覆うように電子部品実装基板に載置された熱硬化性シートを基板に対して押圧する。金型は任意のタイミングで加熱される。加熱により熱硬化性シートが溶融し、溶融物が電子部品表面を覆いながら電子部品と基板との間の空間に充填されるとともに、各電子部品間に充填され、その後、硬化する。すなわち、アンダーフィル封止と、電子部品全体の封止を行うオーバーモールド封止とが一括で行われる。ここでは、オーバーモールド封止とは、少なくとも電子部品の表面を封止材で封止することを意味する。なお、金型の押圧面は、剥離フィルムで覆われていてもよい。
一般的なオーバーモールド封止では、液状の封止材を用いる場合、封止材が電子部品を搭載した基板の中央部にポッティングされ、金型で押圧され、基板に押し付けられる。また、熱硬化性シートもしくはシート状の封止材を用いる場合、液状の封止材を用いる場合に準じて、基板よりもサイズの小さい熱硬化性シートを基板の中心寄りに載置することが一般的である。これは、封止材が金型で押圧され、基板に押し付けられる際に、溶融した封止材が流動し、基板に濡れ広がることを許容するためである。しかし、基板上には複数の電子部品が実装されているため、溶融した封止材の流動が制限されやすく、基板上に十分に濡れ広がらず、電子部品と基板との間の空間が溶融した封止材で十分に埋められないことがある。
これに対し、本実施形態においては、熱硬化性シートの平面視でのサイズと形状とが、複数の電子部品を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線（以下、「枠線Ｆ」とも称する。）に応じて設計され、基板上に載置される。具体的には、枠線Ｆ上の任意の点Ｐと、基板の中心（以下、「中心Ｃ」とも称する。）との距離をＬｐとする。また、点Ｐと中心Ｃとを通る直線（以下、「直線Ｌｃｐ」とも称する。）と熱硬化性シートの外縁（以下、「外縁Ｓ」とも称する。）との交点を点Ｑとする。このとき、点Ｑと中心Ｃとの距離（以下、「Ｌｑ」とも称する。）が０．９Ｌｐ以上に制限される。距離Ｌｑは、０．９１Ｌｐ以上であってもよく、０．９３Ｌｐ以上であってもよく、０．９６Ｌｐ以上であってもよい。なお、枠線Ｆの軌跡の長さの７０％以上、更には９０％以上において、ＬｐとＬｑが上記関係を満たしてもよく、９８％～１００％においてＬｐとＬｑが上記関係を満たすことが望ましい。
熱硬化性シートの公差、基板の公差、更には金型の交差を考慮して、Ｌｑを１．０Ｌｐ以上としてもよい。また、上面視で基板が熱硬化性シートで完全に覆われるようにしてもよい。
熱硬化性シートが円形である場合、そのような熱硬化性シートの半径Ｒは、距離Ｌｑに相当する。このときは、距離Ｌｑ（半径Ｒ）と距離Ｌｐの最大値ＭＬｐとが、Ｌｑ≧０．９ＭＬｐなどの上記関係を満たせばよい。なお、Ｌｐの最大値であるＭＬｐは、点Ｐが基板上の全ての電子部品の部位のうち、基板の中心から最も離れた点に位置するときの距離Ｌｐである。
すなわち、本実施形態では、上面視で、熱硬化性シートが複数の電子部品を完全に覆うか、大半を覆うように基板に載置される。枠線Ｆよりも熱硬化性シートの外縁Ｓが内側（中心Ｃ寄り）にある場合でも、点Ｐと点Ｑとの距離は僅かである。この場合、金型から熱硬化性シートに付与される圧力エネルギーのより多くが、電子部品と基板との間の空間に熱硬化性シートの溶融物を充填するために利用される。よって、電子部品と基板との間の空間に溶融物が充填されやすく（封止材の未浸入部が形成されにくく）、安定して十分なアンダーフィルを施すことができる。このような効果は、例えば、パネルレベルパッケージ（ＰＬＰ）、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）のようなパッケージ技術で、大面積の基板に搭載された複数の電子部品を一括に封止する場合に顕著になる。
工程（ｃ）において、金型の押圧面から熱硬化性シート（もしくはその溶融物）に付与される圧力は、例えば、０．５ＭＰａ以上、１５ＭＰａ以下であってもよく、２ＭＰａ以上、１２ＭＰａ以下であってもよい。これにより、狭い空間への溶融物の浸入を促進することができる。
点Ｑと中心Ｃとの距離Ｌｑの上限は、安定して十分なアンダーフィルを施す観点からは特に制限されない。ただし、熱硬化性シートの製造コストおよびハンドリングの良さを考慮すると、Ｌｑは、例えば１．４５Ｌｐ以下であってもよく、１．２Ｌｐ以下であってもよく、１．１Ｌｐ以下でもよく、１．０５Ｌｐ以下でもよい。
熱硬化性シートの加熱成型は、減圧雰囲気で行ってもよい。この場合、より良好なアンダーフィル部分を形成し得る。減圧雰囲気とは、大気圧よりも低い圧力雰囲気であればよいが、例えば、１００００Ｐａ（パスカル）以下、つまり１００ヘクトパスカル（ｈＰａ）以下の圧力雰囲気が好ましく、５０００Ｐａ（パスカル）以下でもよく、５００Ｐａ（５ｈＰａ）未満が望ましく、２００Ｐａ（２ｈＰａ）未満がより望ましい。
工程（ｃ）を経て得られた封止体において、硬化物は、基板と電子部品との間の空間を埋めるアンダーフィル部分と、電子部品の基板と対向しない面を封止するオーバーモールド部分とを構成している。アンダーフィル部分とオーバーモールド部分の構造は連続している。
ここで、「アンダーフィル部分とオーバーモールド部分の構造が連続している」とは、アンダーフィル部分とオーバーモールド部分とが同一の封止材により同時に形成されることと同義である。すなわち、アンダーフィル部分とオーバーモールド部分を構成する硬化物の組成は同じである。また、アンダーフィル部分とオーバーモールド部分との境界は顕微鏡観察などでも観測されず、アンダーフィル部分とオーバーモールド部分のモルホロジー（組織の状態）に実質的な違いはない。
基板の種類は、特に限定されず、例えばウエハ、パネル、ガラス基板、樹脂基板、プリント配線基板等が包含される。ウエハとしては、シリコンウエハ、サファイアウエハ、化合物半導体ウエハなどが挙げられる。パネルとしては、液晶パネル、有機（もしくは無機）ＬＥＤパネルなどに用いられる板状部材が挙げられる。樹脂基板としては、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板、フッ素樹脂基板などが挙げる。基板自体が、電子部品の集合体であってもよい。電子部品の集合体は、例えば、複数に個片化される前の半導体チップの集合体が挙げられる。
電子部品は、能動素子でもよく、受動素子でもよい。電子部品は、半導体素子であってもよく、それ以外でもよい。電子部品は、ＢＧＡ（Ball grid array）、ＣＳＰ（Chip size package）のような半導体パッケージであってもよい。電子部品の具体例としては、ＲＦＩＣ（Radio frequency identifier）、チップ多層ＬＣフィルタ、誘電体フィルタ、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）などが挙げられる。
基板の外形と熱硬化性シートの外形とは概ね対応していることが望ましい。基板の外形と熱硬化性シートの外形とは相似であってもよい。例えば、基板の外形が円形である場合には、熱硬化性シートの外形も円形でよい。基板の外形が矩形である場合には、熱硬化性シートの外形も矩形でよい。基板が、オリフラウエハのように概ね円形の外形を有する場合、熱硬化性シートの外形は円形でもよい。また、熱硬化性シートの外縁Ｓの軌跡の長さの７０％以上が基板の外形と相似の関係を満たしてもよい。
電子部品のサイズは、特に限定されないが、電子部品の基板と対向する面の面積は、電子部品１つ当たり、例えば１ｍｍ２以上であってもよく、３ｍｍ２以上であってもよい。また、電子部品の基板と対向する面の面積は、電子部品１つ当たり、例えば１６００ｍｍ２以下であってもよく、２５００ｍｍ２以下であってもよい。電子部品のサイズは、基板上の任意の複数の電子部品（例えば１０個）で測定し、平均値を求めればよい。
電子部品の高さは、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上、８００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上、６００μｍ以下でもよい。電子部品の高さとは、例えば、バンプと基板との接触位置から電子部品の最大高さまでの距離である。すなわち、本実施形態は、高さが５μｍ程度の微小な電子部品を複数実装する基板に対しても、良好なアンダーフィル封止とオーバーモールド封止とを一括で行うことができる。
電子部品間の距離は、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上、２０００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上、１０００μｍ以下でもよい。電子部品間の距離とは、隣接する電子部品同士の最も近接する外縁間の距離（すなわち、隙間の間隔）である。すなわち、本実施形態は、隙間の間隔が５μｍ程度の高密度実装された基板に対しても、良好なアンダーフィル封止とオーバーモールド封止とを一括で行うことができる。電子部品間の距離は、基板上の任意の複数対の電子部品（例えば１０対）で測定し、平均値を求めればよい。
電子部品と基板との間の空間の高さは、例えば、２μｍ以上でもよく、５μｍ～１００μｍでもよく、１０μｍ以上、８０μｍ以下でもよい。すなわち、本実施形態は、バンプが小さく、空間の高さが２～５μｍ程度の基板にも、良好なアンダーフィル封止とオーバーモールド封止とを一括で行うことができる。電子部品と基板との間の空間の高さは、例えば４０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよい。なお、電子部品と基板との間の空間の高さとは、電子部品の基板と対向する面と基板との最小距離をいう。最小距離は、基板上の任意の複数の電子部品（例えば１０個）で測定し、平均値を求めればよい。
熱硬化性樹脂の硬化物で封止された電子部品実装基板（封止体）において、硬化物の最大厚みＴは、例えば、１．２ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以下でもよく、０．８ｍｍ以下でもよく、０．４ｍｍ以下（すなわち４００μｍ以下）であってもよい。本実施形態によれば、例えばＰＬＰ、ＷＬＰといったパッケージ用途において、上記のように薄い封止体を形成する場合でも、良好なアンダーフィル封止とオーバーモールド封止とを一括で行う場合にも有効である。
封止体において、硬化性樹脂組成物の硬化物の最大厚みＴとは、基板の表面からの硬化物の基板とは反対側の表面までの最大距離である。最大厚みＴは、基板上の複数箇所（例えば１０箇所）で測定し、平均値を求めればよい。
＜熱硬化性シート＞
電子部品実装基板の封止方法に用いる熱硬化性シートは、単層構造でもよく、複層構造でもよい。複層構造とは、組成の異なる層が２層以上積層された構造である。
熱硬化性シートを構成する熱硬化性樹脂組成物には、固形成分が含まれてもよい。固形成分は、無機材料および有機材料のいずれであってもよい。樹脂組成物中に分散した固形成分は、粒子状、板状および繊維状などのいずれであってもよい。通常、熱硬化性樹脂組成物には、無機粉体がフィラーとして含まれている。
熱硬化性樹脂組成物は、例えば、熱硬化性樹脂（主材樹脂）、フィラー、硬化剤および／または硬化促進剤などを含む。
主材樹脂は、特に限定されないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタンなどを含むことができる。これらのうちでは、特にエポキシ樹脂が耐熱性やコストの点で優れている。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等を用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。これらのうちでは、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂などが好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂が、溶融物の粘度が低く、耐湿性に優れる点でさらに好ましい。
フェノール樹脂としては、特に限定されないが、フェノールノボラック樹脂が好ましい。フェノールノボラック樹脂は、フェノール類またはナフトール類（例えば、フェノール、クレゾール、ナフトール、アルキルフェノール、ビスフェノール、テルペンフェノール、ナフトール等）と、ホルムアルデヒドとを、縮合重合させたものである。より具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、アラルキルフェノールノボラック樹脂、ビフェニルフェノールノボラック樹脂、テルペンフェノールノボラック樹脂、α－ナフトールノボラック樹脂、β－ナフトールノボラック樹脂等が挙げられる。これらのうち耐水性の観点からは、ナフトールノボラック樹脂が好ましい。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
エポキシ樹脂の硬化剤としては、上記のフェノール樹脂の他に、酸無水物、アミン化合物などを用いることができる。酸無水物としては、特に限定されないが、例えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸、アルキルヘキサヒドロ無水フタル酸、アルキルテトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、メチルノルボルナン－２，３－ジカルボン酸を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
アミン化合物としては、特に限定されないが、例えば、テトラメチルジアミノジフェニルメタン、テトラエチルジアミノジフェニルメタン、ジエチルジメチルジアミノジフェニルメタン、ジメチルジアミノトルエン、ジアミノジブチルトルエン、ジアミノジプロピルトルエン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジトリルスルホン、ジエチルジアミノトルエン、ビス（４－アミノー３－エチルフェニル）メタン、ポリテトラメチレンオキシド－ジ－ｐ－アミノベンゾエート等を用いることができる。
硬化促進剤としては、特に限定されないが、イミダゾール系促進剤、リン系硬化促進剤、ホスホニウム塩系硬化促進剤、双環式アミジン類とその誘導体、有機金属錯体、ポリアミンの尿素化物等が挙げられる。硬化促進剤は、潜在性を有することが好ましく、潜在性硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール系促進剤、リン系促進剤等が挙げられる。潜在性硬化促進剤の中でも、カプセル化されたイミダゾール変性物（マイクロカプセル型硬化促進剤）が特に好ましい。
熱硬化性樹脂組成物には、さらに添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、シランカップリング剤、カーボンブラック、消泡剤、レベリング剤、顔料、応力緩和剤、プレゲル化剤、イオン捕捉剤などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、シランカップリング剤には様々な種類があり、その種類によって樹脂組成物の特性（例えば室温での粘度）に変化が生じ得る。そのため、適宜、望ましいものが選択される。シランカップリング剤は、加水分解性基（アルコキシ基、水酸基など）を有し、更に、アルキル基、脂肪族または芳香族アミノ基（フェニルアミノ基など）、アクリル基、メタクリル基などを有してもよい。
フィラーとしては、シリカ（例えば、溶融シリカ、結晶シリカ）、石英ガラス粉末、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウムなどを用いることができる。これらのうちでは、シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。
熱硬化性樹脂組成物中のフィラーの含有量は、特に制限されないが、例えば、３５質量％以上であり、５０質量％以上でもよく、６０質量％以上でもよく、７０質量％以上でもよい。熱硬化性樹脂組成物中の固形成分の含有量の上限は、特に制限されないが、例えば、９０質量％以下であり、８５質量％以下であってもよい。
フィラーの平均粒子径は、電子部品と基板との間の空間の厚みに応じて、当該厚みよりも小さい範囲で適宜決定すればよいが、例えば、０．５μｍ以上であり、１μｍ以上であってもよく、２μｍ以上であってもよい。フィラーの平均粒子径は、例えば、１０μｍ以下であってもよく、５μｍ以下でもよい。フィラーの平均粒子径は、体積粒度分布の累積体積５０％におけるメディアン径（Ｄ５０）である。
フィラーの最大粒子径は、電子部品間の距離（隣接する電子部品同士の最も近接する外縁間の距離）および電子部品と基板との間の空間の高さよりも小さいことが望ましく、上記距離および高さに応じて適宜選択すればよい。フィラーの最大粒子径（Ｄｍａｘ）は、例えば３５μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよい。
フィラーの平均粒子径（Ｄ５０）および最大粒子径（Ｄｍａｘ）は、レーザー回折式の粒度分布測定装置を用いて、レーザー回折散乱法によって測定することができる。
熱硬化性シートの厚さは、特に限定されないが、例えば、１００μｍ以上であり、２００μｍ以上でもよく、４００μｍ以上でもよい。熱硬化性シートの厚さは、例えば、１０００μｍ以下であり、８００μｍ以下でもよい。
熱硬化性シートは、例えば、測定温度１２５℃、測定時間０～１００秒におけるｔａｎδ（損失正接）の極大値が３以上の樹脂組成物で構成された単層構造であってもよく、そのような極大値が３以上である樹脂組成物で構成された層を有する複層構造でもよい。上記のような３以上のｔａｎδ（損失正接）の極大値を有する樹脂組成物（以下、「樹脂組成物Ａ」とも称する。）は、電子部品と基板との間の空間がより狭い場合でも、モールドアンダーフィルを行う際に優れた浸入性を発揮する。熱硬化性シートは、上記のようなｔａｎδ（損失正接）の極大値が５以上でもよく、７以上でもよい。
ｔａｎδ（損失正接）は、概ね、樹脂組成物Ａにおける弾性の性質と粘性の性質との割合と関連している。電極間の距離がより狭い半導体チップなどの電子部品に対してアンダーフィルを行う場合、粘度が小さいだけでは最深部への浸入性が不十分になりやすい。最深部への浸入性をより満足させるには、浸入している材料を後方から押し出す力である弾性力も必要となる。上記ｔａｎδ（損失正接）の極大値を有する樹脂組成物ＡからなるＡ層を含有する熱硬化性シートは、電極間の距離がより狭い電子部品に対してモールドアンダーフィルを行う際に、優れた浸入性を発揮する。
熱硬化性シートは、更に、樹脂組成物Ｂで構成されたＢ層を有してもよい。Ｂ層は、式：４００００≦α×Ｅ’≦２５００００［Ｐａ／Ｋ］を満たしてもよい。ただし、αは、樹脂組成物Ｂを１７５℃で１時間加熱して硬化させた硬化物の８０℃以下（例えば５０℃～７０℃）における熱膨張係数［ｐｐｍ／Ｋ］である。Ｅ’は、そのような硬化物の２５℃における貯蔵弾性率［ＧＰａ］である。
電子部品は、樹脂組成物の硬化時に形状変化を起こすことがある。一方、上記式を満たす樹脂組成物ＢからなるＢ層を備える熱硬化性シートは、電子部品の形状変化に追従しやすく、優れた浸入性を発揮しつつ、反りを高度に抑制する。具体的には、熱膨張係数は、温度の上昇にあわせてシートの長さが変化する割合を示しており、貯蔵弾性率は、シートの剛性を表している。上記式を満たす場合、例えば、熱膨張係数αが大きい場合は、貯蔵弾性率Ｅ’が小さくなり、シートの剛性を小さくできる。その分、電子部品の形状変化に対して、シートが追従しやすくなり、電子部品の熱による応力を緩和する程度が大きくなる。
Ａ層の厚みに対するＢ層の厚みの比：Ｂ／Ａは、例えば０．１～８０であり、好ましくは０．３～２０である。この場合、電極間の距離がより狭い電子部品に対してより優れた封止性を発揮することができる。また、封止した電子部品の反りをより高度に抑制することができる。
複層構造においては、ｔａｎδ（損失正接）の極大値が３以上である樹脂組成物Ａで構成された層が、最外層に配置されることが望ましい。そのＡ層は、電子部品および基板と直接接するように載置される。この場合、当該Ａ層の厚さは、例えば、１０μｍ以上であり、２０μｍ以上でもよく、４０μｍ以上でもよい。当該Ａ層の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、４００μｍ以下でもよく、３００μｍ以下でもよい。また、Ｂ層の厚さは、５０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよく、２００μｍ以上でもよい。当該Ｂ層の厚さは、８００μｍ以下でもよく、７００μｍ以下でもよく、６００μｍ以下でもよい。Ｂ層の厚さを上記範囲とすることで、電子部品の反りを抑制しやすくなる。
熱硬化性樹脂組成物のｔａｎδの極大値は、フィラーの含有量、熱硬化性樹脂、硬化剤の種類などにより制御することができる。例えば、フィラーの含有量を増やせば、極大値が小さくなり、フィラーの含有量を減らすことで、極大値を大きくすることができる。また、加熱時に低粘度となる結晶性エポキシ樹脂や液状エポキシ樹脂等を熱硬化性樹脂として用いること、低分子量のフェノール樹脂、結晶性酸無水物、液状フェノール樹脂等の低粘度の硬化剤を用いることにより、ｔａｎδの極大値を３以上とすることができる。
熱硬化性樹脂組成物のｔａｎδの極大値は、直径２５ｍｍΦの試験片について、粘弾性計測定装置（例えば、ＴＡＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、ＡＲＥＳ－ＬＳ２）を用いて、測定温度１２５℃、測定時間０～１００秒、周波数１Ｈｚの条件で測定された値であってよい。試験片は、未硬化もしくは半硬化物（Ｂステージ）の熱硬化性シートから切り出して用いる。
熱硬化性シートの硬化物の全体としての貯蔵弾性率は、例えば、３ＧＰａ以上であり、５ＧＰａ以上でもよく、例えば、４０ＧＰａ以下であり、３０ＧＰａ以下でもよい。
熱硬化性シートの硬化物の貯蔵弾性率の測定は、以下の手順で行われる。まず、熱硬化性シート（熱硬化性樹脂組成物）の硬化物から、長さ５０ｍｍ×幅１０ｍｍ×厚さ２ｍｍの測定試料を用意する。硬化物としては、熱硬化性シートを１７５℃で１時間加熱して硬化させた硬化物を用いる。次に、測定試料を曲げ測定用治具にセットし、粘弾性測定装置（ＤＭＡ６１００、日立ハイテクサイエンス（株）製）を用いて、－５０～３００℃の温度域での曲げ貯蔵弾性率を、周波数１Ｈｚ、昇温速度２．５℃／ｍｉｎの条件下で測定する。測定結果から２５℃での貯蔵弾性率を読み取る。
熱硬化性樹脂組成物の熱膨張率の測定は、樹脂組成物を１７５℃で１時間熱して硬化させた硬化物から、長さ２０ｍｍ×幅５ｍｍ×厚さ５μｍの測定試料を用意する。測定試料を熱機械分析装置（ＴＭＡ７１００）の圧縮測定用治具にセットした後、－５０～３００℃の温度域で、荷重５ｇ、昇温速度２．５℃／ｍｉｎの条件下で測定する。例えば、５０℃～７０℃での膨張率から熱膨張係数α［ｐｐｍ／Ｋ］を算出する。
熱硬化性シートは、熱可塑性樹脂を含んでもよい。熱可塑性樹脂としては、非反応性シリコーンオイルや反応性シリコーンオイルなどのシリコーンオイル、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリオレフィン、ポリウレタン、ブロックイソシアネート、ポリエーテル、ポリエステル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、ポリアミド、塩化ビニル、セルロース、熱可塑性エポキシ樹脂、熱可塑性フェノール樹脂などが挙げられる。中でも、アクリル樹脂が望ましい。
熱硬化性シートに含まれる熱可塑性樹脂の量は、例えば、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂などの主材樹脂）１００質量部あたり、５質量部以上、６５質量部以下が好ましく、１０質量部以上、５０質量部以下がより好ましい。
＜複層構造を有する熱硬化性シートの製造方法＞
複層構造を有する熱硬化性シートは、例えば、カレンダー製膜法、キャスティング成膜法、インフレーション押出法、Ｔダイ押出法、ドライラミネート法などで各層を個別で成膜しておき、その後、貼り合わせるか、共押出し法などを用いて製造し得る。基材上に熱硬化性シートを形成し、使用時に基材を剥離してもよい。基材としては、特に限定されないが、プラスチックフィルム、紙、不織布、金属などが挙げられる。プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリオレフィン系フィルム、ハロゲン化ビニル重合体系フィルム、アクリル樹脂系フィルム、ゴム系フィルム、セルロース系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリカーボネート系フィルム、ポリスチレン系フィルム、ポリフェニレンサルファイド系フィルム、シクロオレフィンポリマー系フィルムが挙げられる。また、シリコーンなどで離型処理した基材を用いることもできる。基材の厚さは特に限定されないが、好ましくは５００μｍ以下である。
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施形態に係る封止方法について更に具体的に説明する。
工程（ａ）
まず、複数の電子部品が実装された基板を準備する。電子部品と基板との間には空間が設けられている。図１は、電子部品実装基板１０の一例を示す概念図である。電子部品実装基板１０が具備する基板１１は、円形の外形を有するノッチウエハである。基板１１の表面には、電子部品１２として複数の矩形の半導体チップが実装されている。なお、図１は概念図であり、必ずしも実際の電子部品のサイズを反映していない。
工程（ｂ）
次に、電子部品１２と接するように熱硬化性シート２０を基板１１上に載置する。ここで、複数の電子部品１２を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線Ｆ上の任意の点を、点Ｐとする。点Ｐと基板の中心Ｃとの距離をＬｐとする。点Ｐと基板の中心Ｃとを通る直線Ｌｃｐと熱硬化性シートの外縁Ｓとが交わる点を、点Ｑとする。このとき、点Ｑと基板１１の中心Ｃとの距離Ｌｑは０．９Ｌｐ以上を満たす。
図２は、基板１１の中心Ｃ、複数の電子部品１２を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線Ｆ、枠線Ｆ上の任意の点Ｐ、熱硬化性シート２０の外縁Ｓ、点Ｐと中心Ｃとを通る直線Ｌｃｐと外縁Ｓとの交点Ｑの一例を示す図である。枠線Ｆはより太い実線で示す。熱硬化性シート２０の外縁Ｓは破線で示す。ここでは、Ｌｑ＞Ｌｐの場合を示すが、Ｌｑ≦Ｌｐとなる場合もある。また、ここでは、上面視で基板１１よりも熱硬化性シート２０のサイズが大きいが、熱硬化性シート２０のサイズが基板１１のサイズ以下であってもよい。
工程（ｃ）
次に、電子部品実装基板１０に載置した熱硬化性シート２０を加熱成型し、電子部品１２と基板１１との間の空間に熱硬化性シート２０の溶融物を充填し、溶融物を硬化させる。図３は、電子部品実装基板１０の封止方法の工程図である。
具体的には、図３（ａ）に示すように、電子部品実装基板１０が圧縮成形機５０にセットされる。圧縮成形機５０は、上金型５１と、下金型５２と、上金型５１の周縁にバネなどの弾性部材を介して固定された金型の一部を兼ねるフランジ部５３とを有する。上金型５１は、熱硬化性シート２０を押圧する平坦な押圧面を有する。なお、上金型５１の押圧面、下金型５２の基板載置面、フランジ部５３などは、剥離フィルムで覆われていてもよい。
複数の電子部品１２は、それぞれバンプ１２１を介して基板１１の表面に接続されている。電子部品１２の基板１１と対向する面と基板１１との間には空間１０Ｓが設けられている。空間１０Ｓの大半は、バンプ同士の空隙で占められている。
加熱成形の工程では、図３（ｂ）に示されるように、電子部品実装基板１０に載置された熱硬化性シート２０を金型の押圧面で覆って、熱硬化性シート２０を加熱しながら圧縮する。このとき、熱硬化性シート２０の溶融物の一部が空間１０Ｓに浸入するとともに溶融物の硬化反応が進行する。
下金型５２および上金型５１の少なくとも一方は、熱硬化性シート２０の溶融物の硬化反応が進行する温度まで加熱されている。溶融物の硬化反応が進行し、アンダーフィル部分２２１とオーバーモールド部分２２２とが同時に形成される。その結果、電子部品実装基板１０が硬化物２２で封止された封止体１００が得られる。
工程（ｃ）の少なくとも一部は、大気圧下で行ってもよく、既に述べたような減圧下で行ってもよい。減圧下で加熱成形を行う場合、圧縮成形機５０が設置されている空間から空気を吸引すればよい。
加熱温度は、例えば、８０～２００℃であり、１００～１８０℃であってもよい。加熱時間は、例えば、３０秒～３０分であり、２分～２０分であってもよい。
圧縮成形機５０から搬出された封止体１００に対し、さらに、ポストモールドキュア（後硬化）を行ってもよい。ポストモールドキュアは、例えば、１００～１８０℃で、３０分～３時間程度行えばよい。
［実施例］
以下に実施例および比較例に基づいて、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
《実施例１～１０および比較例１、２》
＜熱硬化性シートの作製＞
（１）表１に示す配合で熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）、硬化剤、フィラー（溶融シリカ：平均粒子径（Ｄ５０）２．８μｍ、最大粒子径（Ｄｍａｘ）１０μｍ）、カーボンブラック（平均粒子径２４ｎｍ）、シランカップリング剤Ａ（ＫＢＭ５０３：信越シリコーン製）、イオン捕捉剤（無機イオン交換剤）、硬化促進剤等を混合し、ロール混練機により混練し、熱硬化性樹脂組成物を調製した。表中の数値は全て質量部である。
（２）次に、得られた熱硬化性樹脂組成物を、１００℃の条件下、Ｔダイ押出法により離型処理フィルム上に塗工してシート状に形成し、厚さ５００μｍの熱硬化性シート（封止材）を作製した。上記離型処理フィルムとしては、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。
［評価］
＜ｔａｎδ（損失正接）の極大値の測定＞
上記で得られた熱硬化性シートについてｔａｎδを測定した。測定は直径２５ｍｍΦの試験片として、粘弾性計測定装置（ＴＡＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、ＡＲＥＳ－ＬＳ２）を用いて、測定温度１２５℃、測定時間０～１００秒、周波数１Ｈｚの条件で行った。その結果、いずれの熱硬化性シートにおいても、ｔａｎδ（損失正接）の極大値が３以上であった。
＜モールドアンダーフィル試験＞
（基板が円形の場合（実施例１、３、５、７、９、比較例１））
直径３００ｍｍΦの外形が円形のガラス基板上に、５つの評価用電子部品（ＴＥＧ）を実装し、評価用の電子部品実装基板のサンプルを作製した。電子部品は、基板の中心Ｃと、中心Ｃに対して角度的に等価な４箇所（０°、９０°、１８０°および２７０°）の位置に、各電子部品上の点Ｐと基板の中心Ｃとの距離の最大値がＬｐ＝１４０ｍｍとなるように配置した。
（基板が四角形の場合（実施例２、４、６、８、１０、比較例２））
縦２４０ｍｍ×横７４ｍｍの外形が長方形のガラス基板上に、５つの評価用電子部品（ＴＥＧ）を実装し、評価用の電子部品実装基板のサンプルを作製した。電子部品は、基板の中心Ｃと、四隅の等価な４箇所の位置に、各電子部品上の点Ｐと基板の中心Ｃとの距離の最大値がＬｐ＝１１０ｍｍとなるように配置した。
ＴＥＧは、電子部品と基板との間の空間の高さに相当するバンプの高さが３０μｍ、サイズ２５ｍｍ×２５ｍｍ×３００μｍ（バンプを含む電子部品の高さは３３０μｍ）、バンプサイズは２０μｍ、バンプの中心間のピッチは４０μｍである。
Ｌｑが表１に示す数値である基板と相似形（円形または長方形）の熱硬化性シートを、電子部品と接するように、基板の中心と熱硬化性シートの中心の位置を合わせて、サンプル上に載置し、下記条件で、熱硬化性シートを加熱成型した。
成型圧力：５ＭＰａ
成型温度：１２５℃
成型時間：１０分間
最低真空度：２００Ｐａ
ポストモールドキュア（後硬化）：１７５℃／１時間
基板と電子部品との間の空間を埋めるアンダーフィル部分の状態（浸入性）を目視で評価した。ガラス基板の裏面から直接観察し、封止材の硬化物の未浸入部（ボイド）の大きさにより、下記の基準で評価した。ボイドの大きさは５つの評価用電子部品（ＴＥＧ）の中で最大のサイズを確認した。結果を表１に示す。
◎：ボイドの大きさが５００μｍ以下である。
〇：ボイドの大きさが５００μｍより大きく、１０００μｍ以下である。
×：ボイドの大きさが１０００μｍより大きい。
Figure 0007161084000001
《実施例１１～３７》
＜熱硬化性シートの作製＞
表２～３に示す配合で熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）、硬化剤、フィラー、熱可塑性樹脂、カーボンブラック（平均粒子径２４ｎｍ）、シランカップリング剤Ａ（ＫＢＭ５０３：信越シリコーン製）またはＢ（ＫＢＭ５７３：信越シリコーン製）、イオン捕捉剤（無機イオン交換剤）、硬化促進剤等を混合し、ロール混練機により混練し、熱硬化性樹脂組成物を調製し、シート状に形成し、厚さ５００μｍの熱硬化性シート（封止材）を作製した。表中の数値は全て質量部である。
実施例１と同様の円形の基板上に電子部品を載置した評価用の電子部品実装基板のサンプルを準備した。Ｌｑが１．０Ｌｐである円形の熱硬化性シートを、電子部品と接するように、基板の中心と熱硬化性シートの中心の位置を合わせて、サンプル上に載置し、上記実施例と同様に熱硬化性シートを加熱成型し、同様に評価した。結果を表２～３に示す。なお、いずれの熱硬化性シートにおいても、ｔａｎδ（損失正接）の極大値が３以上であった。
《実施例３８～４５》
＜熱硬化性シートの作製＞
（Ａ層）
実施例１と同様に調製した熱硬化性樹脂組成物を、１００℃の条件下、Ｔダイ押出法により上記と同様の離型処理フィルム上に塗工してシート状に形成し、厚さ１５０μｍの熱硬化性シート（封止材）を作製した。
（Ｂ層）
表４に示す配合で熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）、硬化剤、熱可塑性樹脂、フィラー（溶融シリカ：平均粒子径（Ｄ５０）４μｍ、最大粒子径（Ｄｍａｘ）２０μｍ）、カーボンブラック（平均粒子径２４ｎｍ）、シランカップリング剤Ａ（ＫＢＭ５０３：信越シリコーン製）、イオン捕捉剤（無機イオン交換剤）、硬化促進剤等を混合し、ロール混練機により混練し、熱硬化性樹脂組成物Ｂを調製した。表中の数値は全て質量部である。
次に、得られた熱硬化性樹脂組成物を、１００℃の条件下、Ｔダイ押出法により上記と同様の離型処理フィルム上に塗工してシート状に形成し、厚さ３５０μｍの熱硬化性シート（Ｂ層、封止材）を作製した。
上記で作製したＡ層とＢ層とを、お互いが接するように積層し、ラミネーターにより温度６０℃で貼り合せ、２層構造の熱硬化性シートを作製した。実施例３８～４５において、Ａ層は共通である。
実施例１と同様の円形の基板上に電子部品を載置した評価用の電子部品実装基板のサンプルを準備した。Ｌｑが１．０Ｌｐである円形の熱硬化性シートを、電子部品と接するように、基板の中心と熱硬化性シートの中心の位置を合わせて、Ａ層がサンプルに接するようにサンプル上に載置し、上記実施例と同様に熱硬化性シートを加熱成型し、同様に評価した。結果を表４に示す。なお、いずれの熱硬化性シートにおいても、Ａ層のｔａｎδ（損失正接）の極大値が３以上であった。また、Ｂ層のα×Ｅ’値は４００００≦α×Ｅ’≦２５００００［Ｐａ／Ｋ］を満たした。
Figure 0007161084000002
Figure 0007161084000003
Figure 0007161084000004
なお、貯蔵弾性率、線膨張係数などを測定するための硬化物を形成するための硬化条件は、上記条件に限らず、例えば、１５０℃で１．５時間、１５０℃で３時間、１７５℃で１．５時間などに設定してもよいし、これらに限られない。
本発明を現時点での好ましい実施態様に関して説明したが、そのような開示を限定的に解釈してはならない。種々の変形および改変は、上記開示を読むことによって本発明に属する技術分野における当業者には間違いなく明らかになるであろう。したがって、添付の請求の範囲は、本発明の真の精神および範囲から逸脱することなく、すべての変形および改変を包含する、と解釈されるべきものである。
本発明に係る封止方法によれば、複数の電子部品が実装され、電子部品と基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板を封止する際に、電子部品と基板との間の空間における封止材の未侵入部（ボイド）が形成されにくくなり、安定して十分なアンダーフィルを施すことができるようになる。本発明は、例えば、ＩＯＴ、自動運転などに利用される集積回路、大規模集積回路の封止に利用することができる。
１０：電子部品実装基板
１０Ｓ：空間
１１：基板
１２：電子部品
１２１：バンプ
２０：熱硬化性シート
２２：硬化物
２２１：アンダーフィル部分
２２２：オーバーモールド部分
５０：圧縮成形機
５１：上金型
５２：下金型
５３：フランジ部
Ｆ：枠線
Ｃ：基板の中心
Ｐ点：枠線上の任意の点
Ｌｐ：点Ｐと中心Ｃとの距離
Ｌｃｐ：点Ｐと中心Ｃとを通る直線
Ｓ：熱硬化性シートの外縁
Ｑ：Ｌｃｐと外縁Ｓとの交点
Ｌｑ：点Ｑと中心Ｃとの距離

Claims (18)

  1. （ａ）複数の電子部品が実装された基板であって、前記電子部品と前記基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板を準備する工程と、
    （ｂ）前記電子部品と接するように、前記基板よりも平面視でのサイズが小さい熱硬化性シートを前記電子部品実装基板に載置する工程と、
    （ｃ）載置された前記熱硬化性シートを加熱成型し、前記電子部品と前記基板との間の空間に熱硬化性シートの溶融物を充填して硬化させる工程と、
    を含み、
    前記複数の電子部品を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線上の任意の点Ｐと、前記基板の中心との距離をＬｐとするとき、
    前記点Ｐと前記基板の中心とを通る直線と前記熱硬化性シートの外縁とが交わる点Ｑと、前記基板の中心との距離Ｌｑが０．９Ｌｐ以上、１．１Ｌｐ以下である、電子部品実装基板の封止方法。
  2. 前記点Ｑと前記基板の中心との距離が、１．０５Ｌｐ以下である、請求項１に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  3. 前記基板の外形と前記熱硬化性シートの外形とが相似である、請求項１または２に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  4. 前記電子部品の高さが、５μｍ～８００μｍであり、
    前記電子部品間の距離が、５μｍ～２０００μｍである、請求項１～３のいずれか１項に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  5. 前記電子部品と前記基板との間の前記空間の高さが、５μｍ～１００μｍである、請求項１～４のいずれか１項に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  6. 前記熱硬化性シートが、測定温度１２５℃、測定時間０～１００秒におけるｔａｎδ（損失正接）の極大値が３以上である樹脂組成物Ａで構成されたＡ層を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  7. 更に、樹脂組成物Ｂで構成されたＢ層を有し、
    式：４００００≦α×Ｅ’≦２５００００［Ｐａ／Ｋ］
    を満たし、
    αは、前記樹脂組成物Ｂを１７５℃で１時間加熱して硬化させた硬化物の８０℃における熱膨張係数［ｐｐｍ／Ｋ］であり、
    Ｅ’は、前記硬化物の２５℃における貯蔵弾性率［ＧＰａ］である、請求項６に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  8. 前記Ａ層の厚みに対する前記Ｂ層の厚みの比：Ｂ／Ａが、０．１～８０である、請求項７に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  9. 前記熱硬化性シートは、フィラーを含有する、請求項１～８のいずれか１項に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  10. 前記フィラーの最大粒子径が３５μｍ以下である、請求項９に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  11. 前記熱硬化性シートにおける前記フィラーの含有量は３０～８５質量％である、請求項９または１０に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  12. 前記熱硬化性シートの形状が円形である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  13. 請求項６に記載の電子部品実装基板の封止方法に用いるための熱硬化性シート。
  14. 前記電子部品と前記基板との間の前記空間の高さが、５μｍ～４０μｍである、請求項１～１２のいずれか１項に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  15. 前記フィラーの平均粒径が１０μｍ以下である、請求項９～１１のいずれか１項に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  16. 前記点Ｑと前記基板の中心との距離が、０．９１Ｌｐ以上である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  17. 前記点Ｑと前記基板の中心との距離が、０．９３Ｌｐ以上である、請求項１６に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  18. 前記工程（ｃ）において、大気圧よりも低い圧力雰囲気下で、載置された前記熱硬化性シートを加熱して前記電子部品と前記基板との間の空間に前記熱硬化性シートの溶融物を充填しながら加圧して硬化させる、請求項１～１７のいずれか１項に記載の電子部品実装基板の封止方法。
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