WO2024024883A1 - モールドアンダーフィル封止用シートおよびこれを用いる電子部品実装基板の封止方法 - Google Patents

モールドアンダーフィル封止用シートおよびこれを用いる電子部品実装基板の封止方法 Download PDF

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WO2024024883A1
WO2024024883A1 PCT/JP2023/027537 JP2023027537W WO2024024883A1 WO 2024024883 A1 WO2024024883 A1 WO 2024024883A1 JP 2023027537 W JP2023027537 W JP 2023027537W WO 2024024883 A1 WO2024024883 A1 WO 2024024883A1
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sheet
electronic component
less
board
measurement
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PCT/JP2023/027537
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大輔 森
祐基 杉浦
康仁 藤井
Original Assignee
ナガセケムテックス株式会社
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape

Definitions

  • the present invention relates to a mold underfill sealing sheet and a method for sealing an electronic component mounting board using the same.
  • the gap between the electronic component and the board is underfilled with a fluid liquid sealant, and then another liquid sealant or sealing film is applied.
  • a common method is to overmold the material with a metal mold (see Patent Documents 1 to 3).
  • mold underfill encapsulation which performs overmold encapsulation in addition to underfill encapsulation, voids may be created in the space between multiple electronic components and the board, so it is not possible to ensure stable and sufficient encapsulation. It is difficult to apply accurate underfill sealing.
  • One aspect of the present invention is a sheet of a thermosetting resin composition, which has a viscosity V90 of the sheet 90 seconds after the start of measurement and a viscosity V0 of the sheet 0 seconds after measurement at a measurement temperature of 125° C. and a measurement time of 150 seconds.
  • the electronic component mounting has a thickening rate (V90/V0) of less than 9, and includes a plurality of electronic components and a substrate, and a space is provided between the electronic component and the substrate.
  • the present invention relates to a mold underfill sealing sheet for a substrate.
  • Another aspect of the present invention includes (a) preparing an electronic component mounting board that includes a plurality of electronic components and a board, and a space is provided between the electronic components and the board; (b) placing the sheet on the electronic component mounting board so as to be in contact with the electronic component; and (c) heating and molding the placed sheet to form a gap between the electronic component and the board.
  • the present invention relates to a method for sealing an electronic component mounting board, the heating temperature being 110° C. or higher and 175° C. or lower during the heat molding, the heating temperature being 110° C. or higher and 175° C. or lower.
  • the sealing material in the space between the electronic component and the board This makes it difficult for uninfiltrated portions (voids) to be formed, making it possible to perform stable and sufficient underfill sealing.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram showing an example of an electronic component mounting board.
  • FIG. 3 is a process diagram of a method for sealing an electronic component mounting board.
  • the term “contains” or “includes” is an expression that includes “contains (or includes),” “substantially consists of,” and “consists of.” It is.
  • thermosetting resin may be referred to as a “sealing material” regardless of whether it is cured or not.
  • a sheet of a thermosetting resin composition (a sheet for mold underfill sealing) according to an embodiment of the present invention is a sealing material used for mold underfill sealing that performs overmold sealing as well as underfill sealing.
  • the object to be sealed is an electronic component mounting board that includes a plurality of electronic components and a substrate, and a space is provided between the electronic components and the substrate.
  • the electrode part connecting the electronic component and the board i.e., underfill sealing
  • the entire electronic component including the outer surface i.e., overmold sealing
  • the mold underfill sealing sheet (hereinafter also referred to as "MUFS sheet”) is a sheet of an uncured or semi-cured (B stage) thermosetting resin composition.
  • a semi-cured product (B stage) is a solid at room temperature, but when heated above a certain temperature, it has fluidity for a while, and then loses fluidity as the curing reaction progresses.
  • a curable resin composition is a sheet of an uncured or semi-cured (B stage) thermosetting resin composition.
  • ⁇ Thickening rate> By controlling the thickening rate of the sheet to less than 9, it is easy for the encapsulant to penetrate into the space between the electronic component and the board (hereinafter also referred to as "space S") (hereinafter referred to as "MUF property"). ) is significantly improved.
  • the viscosity increase rate is the viscosity increase rate under measurement conditions of a measurement temperature of 125° C. and a measurement time of 150 seconds (hereinafter referred to as measurement conditions (A)).
  • the viscosity increase rate is the ratio of the viscosity V90 90 seconds after the start of viscosity measurement to the viscosity V0 0 seconds after the start of viscosity measurement (V90/V0).
  • An example of a specific measurement method using measurement condition (A) is shown below.
  • MCR102 manufactured by Anton-Paar
  • the measuring device has an attached upper plate and a lower plate for measurement.
  • test piece with a diameter of 25 mm ⁇ was placed on the surface of the lower plate at 125°C. This causes the test piece to start heating towards 125°C.
  • a test piece is prepared by cutting it out from a MUFS sheet.
  • Measurement temperature 125°C Measurement time: 0 to 150 seconds
  • Test piece size ⁇ 25mm circular Shear rate: 20 (1/s)
  • Viscosity increase rate Viscosity after 90 seconds / Viscosity after 0 seconds
  • the thickening rate may be set to 8.2 or less, 6.0 or less, or 3.0 or less.
  • the timing at which the sealant enters the space S among the spaces to be sealed is slow, and the sealant needs to have sufficient fluidity until the space S is sufficiently filled. be.
  • the sealant can maintain sufficient fluidity until the space S is sufficiently filled with the sealant.
  • the viscosity of the sealant at 125° C. is preferably 1000 Pa ⁇ s or less, more preferably 100 Pa ⁇ s or less. With such a low viscosity, the MUF properties are further significantly improved.
  • the viscosity at 125° C. can be measured at the same time as the thickening rate.
  • the viscosity (V20) of the sealant is measured 20 seconds after the above measurement is started.
  • the mold underfill sealing sheet has a maximum value of tan ⁇ (loss tangent) of less than 6 under measurement conditions of a measurement temperature of 125 ° C. and a measurement time of 0 to 70 seconds (hereinafter referred to as measurement conditions (B)). It may be less than 3, 2.9 or less, 2.7 or less, or 2.5 or less.
  • measurement conditions (B) When the maximum value of tan ⁇ under measurement condition (B) is within the above range, the warpage of the mold underfill-sealed electronic component mounting board is significantly reduced.
  • the warpage after curing can be reduced to 12 mm or less.
  • Molding pressure 5MPa Molding temperature: 125°C Molding time: 10 minutes Minimum vacuum level: 200Pa Post mold cure: 150°C/3 hours or 180°C/1.5 hours
  • ARES-LS2 manufactured by TA Instruments
  • test piece with a diameter of 25 mm ⁇ in the measuring device.
  • a test piece is prepared by cutting it out from a MUFS sheet.
  • tan ⁇ is measured under the condition of a frequency of 1 Hz.
  • Measurement temperature 125°C Measurement time: 0 to 70 seconds
  • Test piece size ⁇ 25mm circle
  • tan ⁇ under measurement condition (B) may be set to 0.2 or more; It may be 3 or more. Tan ⁇ under measurement condition (B) is preferably 0.8 or more and less than 3, for example.
  • Methods for controlling tan ⁇ within the above range under measurement conditions (B) are not particularly limited, but include, for example, increasing the content of the filler, applying a surface treatment agent to the surface of the filler, selecting the main resin and the curing agent, etc. Examples of methods include:
  • the storage modulus of the cured product of the MUFS sheet may be, for example, 3 GPa or more, and may be 5 GPa or more, and may be, for example, 40 GPa or less, and 30 GPa or less.
  • the storage modulus of the cured MUFS sheet is measured using the following procedure. First, a measurement sample measuring 50 mm in length x 10 mm in width x 2 mm in thickness is prepared from a cured MUFS sheet. As the cured product, a cured product obtained by heating and curing a MUFS sheet at 175° C. for 1 hour is used. Next, the measurement sample was set in a bending measurement jig, and using a viscoelasticity measuring device (DMA6100, manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.), the bending storage elastic modulus in the temperature range of -50 to 300°C was determined. Measurement is performed under the conditions of a frequency of 1 Hz and a temperature increase rate of 2.5° C./min. The storage modulus at 25°C is read from the measurement results. The storage modulus is an indicator of the stiffness of the sheet. A MUFS sheet whose cured product has a storage modulus within the above range has excellent handling properties.
  • DMA6100 viscoelasticity measuring
  • the MUFS sheet may be a sheet with a single layer structure.
  • a sheet with a single layer structure refers to a sheet made of a single thermosetting resin composition.
  • the MUFS sheet may be attached to one release sheet or sandwiched between two release sheets in order to improve handling properties.
  • the MUFS sheet may have a multilayer structure.
  • the multilayer structure refers to a structure in which two or more layers of thermosetting resin compositions having different compositions are laminated.
  • the manufacturing process for multi-layered sheets is more complicated than for single-layered sheets. From the viewpoint of simplifying the manufacturing process, a sheet with a single layer structure is more desirable.
  • the thickness of the MUFS sheet is not particularly limited, but may be, for example, 50 ⁇ m or more, 100 ⁇ m or more, 200 ⁇ m or more, or 400 ⁇ m or more.
  • the thickness of the MUFS sheet is, for example, 1000 ⁇ m or less, and may be 800 ⁇ m or less.
  • a MUFS sheet with a single-layer structure is formed by molding a thermosetting resin composition into a single sheet.
  • the molding method for example, a calendar film forming method, a casting film forming method, an inflation extrusion method, a T-die extrusion method, a dry laminating method, etc. can be adopted.
  • a MUFS sheet may be formed on a release sheet, and the release sheet may be peeled off at the time of use.
  • Examples of the release sheet include, but are not limited to, plastic films, paper, nonwoven fabrics, metals, and the like.
  • plastic films include polyolefin films, halogenated vinyl polymer films, acrylic resin films, rubber films, cellulose films, polyester films, polycarbonate films, polystyrene films, polyphenylene sulfide films, and cycloolefins. Examples include polymer films. A release sheet treated with silicone or the like may also be used.
  • thermosetting resin composition constituting the MUFS sheet includes, for example, a base resin, a curing agent, and a filler.
  • Fillers are solid components that are dispersed in the thermosetting resin composition and do not melt during the encapsulation process.
  • the solid component may be either an inorganic material or an organic material.
  • the solid component may be in the form of particles, plates, or fibers.
  • the thermosetting resin composition may contain inorganic powder as a filler.
  • fused silica As the inorganic powder, fused silica, crystalline silica, quartz glass powder, calcium carbonate, aluminum hydroxide, etc. can be used. Among them, silica is preferred, and fused silica is more preferred.
  • the content of the filler in the thermosetting resin composition is not particularly limited, but may be, for example, 50% by mass or more, 60% by mass or more, or 70% by mass or more.
  • the content of the filler is desirably 70% by mass or more, since tan ⁇ under measurement condition (A) can be easily made less than 3.
  • the upper limit of the filler content in the thermosetting resin composition is not particularly limited, but may be, for example, 90% by mass or less, and may be 85% by mass or less.
  • the maximum particle diameter (Dmax) of the filler is the minimum distance between electronic components to be sealed (distance between the closest outer edges of adjacent electronic components) (W) and the space between the electronic component and the substrate. It is desirable that the distance is smaller than the height (H) of the distance (W) and the height (H) can be selected as appropriate.
  • the maximum particle diameter (Dmax) of the filler may be, for example, 35 ⁇ m or less, 25 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter (D50) of the filler may be appropriately selected depending on the distance (W) and height (H), and is, for example, 0.5 ⁇ m or more, may be 1 ⁇ m or more, or 2 ⁇ m or more. It may be.
  • the average particle diameter (D50) of the filler may be, for example, 20 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or less, or 5 ⁇ m or less (for example, 3 ⁇ m or less).
  • the average particle diameter (D50) of the filler is the median diameter at 50% cumulative volume of the volume particle size distribution.
  • the average particle diameter (D50) and maximum particle diameter (Dmax) of the filler can be measured by a laser diffraction scattering method using a laser diffraction type particle size distribution measuring device.
  • the main resin is not particularly limited, but epoxy resin is excellent in terms of heat resistance and cost.
  • Epoxy resins include, but are not particularly limited to, biphenyl epoxy resins, bisphenol A epoxy resins, bisphenol F epoxy resins, bisphenol AD epoxy resins, naphthalene epoxy resins, glycidylamine epoxy resins, phenol novolak epoxy resins, Phenolphthalein type epoxy resin, polyglycol modified epoxy resin, polyolefin modified bisphenol A type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, polyether type epoxy resin, silicone modified epoxy resin, etc. can be used. . These may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the bisphenol A epoxy resin contained in the base resin is, for example, 50% by mass or more and 90% by mass or less, and may be 60% by mass or more and 90% by mass or less.
  • the content of the phenol novolac type epoxy resin contained in the main resin is, for example, 50% by mass or more and 90% by mass or less, and may be 60% by mass or more and 90% by mass or less.
  • the main resin contains a solid epoxy resin with a melting point of 50° C. or higher.
  • the main resin is selected from the group consisting of an epoxy resin having an alkylene chain, an epoxy resin having a polyoxyalkylene chain, and a phenolphthalein type epoxy resin in terms of easily suppressing warping of the electronic component mounting board after encapsulation. It is desirable to include at least one of the following as part of the base resin.
  • a phenolphthalein type epoxy resin and an epoxy resin having an alkylene chain and/or an epoxy resin having a polyoxyalkylene chain may be used in combination.
  • Epoxy resin with alkylene chain The content of the epoxy resin having an alkylene chain contained in the main resin is, for example, 5% by mass or more and 30% by mass or less, and may be 5% by mass or more and 20% by mass or less.
  • the type of epoxy resin having an alkylene chain is not particularly limited as long as it has an alkylene chain, but it may be an epoxy modified product of a polyol having 8 or more carbon atoms. Moreover, it may have a bisphenol A type epoxy resin as a basic skeleton.
  • the epoxy resin having an alkylene chain may be any of the glycidyl ether type, glycidyl ester type, glycidyl amine type, alicyclic epoxy compound, etc. From the viewpoint of easy availability, glycidyl ether (specifically, glycol-modified epoxy resin) having an alkylene chain is used.
  • the number of carbon atoms contained in the alkylene chain is, for example, 1 or more, may be 2 or more, or may be 3 or more.
  • the number of carbon atoms in the polyolefin chain is preferably 10 or less, may be 8 or less, or may be 6 or less.
  • epoxy resin having an alkylene chain examples include 1,6-hexanediol diglycidyl ether, resorcinol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, and cyclohexanedimethanol diglycidyl ether. Also included are epoxy-modified polybutadiene, epoxy-modified polyisoprene, epoxy-modified polyethylene, epoxy-modified polypropylene, epoxy-modified (meth)acrylic polymer, and epoxy-modified natural rubber.
  • Epoxy resin with polyoxyalkylene chain The content of the epoxy resin having a polyoxyalkylene chain contained in the main resin is, for example, 5% by mass or more and 30% by mass or less, and may be 5% by mass or more and 20% by mass or less.
  • the epoxy resin having a polyoxyalkylene chain may have a bisphenol A type epoxy resin as a basic skeleton.
  • the type of epoxy resin having a polyoxyalkylene chain is not particularly limited as long as it has a polyoxyalkylene chain, and may be any of the glycidyl ether type, glycidyl ester type, glycidyl amine type, alicyclic epoxy compound, etc. good. From the viewpoint of easy availability, glycidyl ether having a polyoxyalkylene chain (specifically, polyalkylene glycol glycidyl ether) is used.
  • Examples of glycidyl ether type epoxy resins include polyoxyethylene diglycidyl ether, polyoxypropylene diglycidyl ether, polyoxytrimethylene diglycidyl ether, polyoxybutylene diglycidyl ether, polyoxyhexamethylene diglycidyl ether, polyoxy Examples include ethylene polyoxypropylene diglycidyl ether.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group contained in the polyoxyalkylene chain is, for example, 2 or more, preferably 3 or more, and more preferably 4 or more.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group is preferably 16 or less, and may be 10 or less or 6 or less.
  • alkylene groups include ethylene, propylene, trimethylene, butylene (1,2-butylene, 1,3-butylene, 1,4-butylene (or tetramethylene), etc.), hexamethylene, octamethylene, decamethylene Examples include.
  • the repeating number n of oxyalkylene units in the polyoxyalkylene chain is, for example, 3 or more, preferably 4 or more, or 5 or more.
  • the repeating number n of the oxyalkylene units is, for example, 70 or less, may be 30 or less, or may be 10 or less.
  • the content of the phenolphthalein type epoxy resin contained in the main resin is, for example, 50% by mass or more and 90% by mass or less, and may be 60% by mass or more and 90% by mass or less.
  • Phenolphthalein type epoxy resin is a bifunctional epoxy resin that has a bulky phenolphthalein skeleton in its molecule.
  • the phenolphthalein type epoxy resin may have, for example, a glycidyl ether group at each of the para positions of two phenyl groups that are not bonded to a nitrogen atom.
  • phenolphthalein diglycidyl ether N-phenylphenolphthalein diglycidyl ether
  • thermosetting resin composition is selected from the group consisting of a polyol having an alkylene chain, a polyol having a polyoxyalkylene chain, an epoxy resin having an alkylene chain, an epoxy resin having a polyoxyalkylene chain, and a phenolphthalein type epoxy resin. It may contain at least one kind.
  • the content of the polyol having an alkylene chain contained in the thermosetting resin composition is, for example, 5% by mass or more and 30% by mass or less, and may be 5% by mass or more and 20% by mass or less.
  • the type of polyol having an alkylene chain is not particularly limited as long as it has an alkylene chain, but it may be a polyol having 8 or more carbon atoms.
  • polyols having 8 or more carbon atoms examples include 1,4-cyclohexanedimethanol, 1,2-cyclohexanedimethanol, 1,3-cyclohexanedimethanol, 2-methyl-1,1-cyclohexanedimethanol, tricyclo[5.2 .1.0 2,6 ]
  • Decane dimethanol, 1,9-nonanediol, 2-methyl-1,8-octanediol, 1,10-decadiol, 1,12-todecanediol, dimer diol, hydrogenated dimer Diols and the like can be mentioned.
  • Other examples include alcohol-modified polybutadiene, alcohol-modified polyisoprene, alcohol-modified polyethylene, alcohol-modified polypropylene, alcohol-modified (meth)acrylic polymer, and alcohol-modified natural rubber.
  • the content of the polyol having a polyoxyalkylene chain contained in the thermosetting resin composition is, for example, 5% by mass or more and 30% by mass or less, and may be 5% by mass or more and 20% by mass or less.
  • the type of polyol having a polyoxyalkylene chain is not particularly limited as long as it has a polyoxyalkylene chain.
  • polyols having a polyoxyalkylene chain examples include polyoxyethylene polyol, polyoxypropylene polyol, polyoxytetramethylene polyol, polyoxyethylene polyoxypropylene polyol, polyoxyethylene polyoxytetramethylene polyol, polyoxypropylene polyoxy Tetramethylene polyol and the like can be used. These polyoxyalkylene polyols may be used alone or in combination of two or more. The polyoxyalkylene polyol may have, for example, 2 to 6 hydroxyl groups, or 2 to 4 hydroxyl groups.
  • Examples of the polyol constituting the polyol having a polyoxyalkylene chain include diethylene glycol, triethylene glycol, polyethylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, polypropylene glycol, dibutylene glycol, tributylene glycol, polybutylene glycol, polytetra Methylene glycol, diglycerin, triglycerin, polyglycerin, polyoxyalkylene glycol (containing one or more alkylene oxides such as ethylene oxide, propylene oxide, butylene oxide as a constituent unit of oxyalkylene), and mixtures thereof, polyoxy Examples include ethylene glycerin, polyoxypropylene glyceryl ether, polyoxybutylene glyceryl ether, polyoxyalkylene glyceryl ether (containing one or more alkylene oxides such as ethylene oxide, propylene oxide, butylene oxide as an oxyalkylene constituent unit), etc. .
  • phenol resin As a curing agent for the main resin, phenol resin, acid anhydride, amine compound, etc. can be used. Among these, phenol resin is preferred in that it can easily suppress warpage of the electronic component mounting board after sealing.
  • the phenol resin is not particularly limited, but a phenol novolak resin is preferred.
  • Phenol novolak resin is a product obtained by condensation polymerization of phenols or naphthols (eg, phenol, cresol, naphthol, alkylphenol, bisphenol, terpenephenol, naphthol, etc.) and formaldehyde. More specifically, examples include phenol novolak resin, cresol novolak resin, aralkylphenol novolak resin, biphenylphenol novolak resin, terpenephenol novolak resin, ⁇ -naphthol novolak resin, ⁇ -naphthol novolak resin, and the like. Among these, naphthol novolak resin is preferred from the viewpoint of water resistance. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the curing agent contains a solid phenol novolak resin with a melting point of 60° C. or higher.
  • the amount of the curing agent is appropriately controlled, for example, in the range of 30 parts by mass or more and 80 parts by mass or less, and may be in the range of 45 parts by mass or more and 60 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the main resin.
  • the thermosetting resin composition may also contain a curing accelerator.
  • the curing accelerator include, but are not limited to, imidazole accelerators, phosphorus curing accelerators, phosphonium salt curing accelerators, bicyclic amidines and their derivatives, organometallic complexes, polyamine urea compounds, etc. .
  • the curing accelerator preferably has latent properties, and examples of the latent curing accelerator include imidazole accelerators and phosphorus accelerators. Among the latent curing accelerators, encapsulated imidazole modified products (microcapsule type curing accelerators) are particularly preferred.
  • the thickening rate may be controlled, for example, by appropriately selecting the type and amount of the curing accelerator. It is desirable to use an imidazole-based accelerator because the thickening rate can be easily controlled.
  • the amount of the curing accelerator is appropriately controlled, for example, in the range of 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less, and may be in the range of 2 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the main resin.
  • thermosetting resin composition may further contain additives.
  • additives include, but are not limited to, silane coupling agents, carbon black, antifoaming agents, leveling agents, pigments, stress relaxation agents, thermoplastic resins, and ion scavengers.
  • the silane coupling agent has a hydrolyzable group (alkoxy group, hydroxyl group, etc.), and further has an alkyl group, an aliphatic or aromatic amino group (phenylamino group, etc.), an acrylic group, a methacryl group, etc. Good too.
  • thermoplastic resin contributes to suppressing warping of the electronic component mounting board after sealing, and also contributes to gelation or solidification of the MUFS sheet.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin may be, for example, 300,000 or less, 200,000 or less, or 100,000 or less. Mw may be, for example, 5,000 or more. When the Mw of the thermoplastic resin is within such a range, the dispersibility is high and the elasticity of the cured product is easily reduced, so that the effect of suppressing warpage can be further enhanced.
  • the weight average molecular weight Mw is a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured using gel permeation chromatography (GPC).
  • the thermoplastic resin may have a reactive functional group.
  • reactive functional groups include epoxy groups, carboxy groups, hydroxy groups, amino groups (including imino groups), amide groups, nitrile groups, and groups having polymerizable carbon-carbon unsaturated bonds (for example, vinyl groups, allyl groups). group, acryloyl group, methacryloyl group, etc.).
  • thermoplastic resins examples include diene thermoplastic resins (isoprene rubber, butadiene rubber, styrene butadiene rubber, chloroprene rubber, etc.), acrylic thermoplastic resins (acrylic rubber, etc.), nitrile thermoplastic resins (nitrile rubber, etc.) , urethane thermoplastic resin (urethane rubber, etc.), silicone thermoplastic resin (silicone rubber, epoxy-modified silicone, etc.), polyester thermoplastic resin (crystalline polyester, amorphous polyester, polyester elastomer, etc.), polyamide thermoplastic resin Examples include plastic resins (polyether ester amide, polyamide elastomer, etc.), butyl rubber, ethylene propylene rubber, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Acrylic thermoplastic resins may be used from the viewpoints of easy control of molecular weight and molecular weight distribution, easy introduction of reactive functional groups, and easy dispersion in the curable resin composition.
  • Acrylic thermoplastic resin contains (meth)acrylate units.
  • the (meth)acrylate unit include an alkyl (meth)acrylate unit.
  • alkyl (meth)acrylate units include C 1-6 alkyl (meth)acrylate units (ethyl (meth)acrylate units, propyl (meth)acrylate units, butyl (meth)acrylate units, etc.), and C 1-4 It may also be an alkyl (meth)acrylate unit. Note that acrylate and methacrylate are collectively referred to as (meth)acrylate.
  • the amount of the thermoplastic resin is, for example, 5 parts by mass or more and 30 parts by mass or less, and may be 5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the main resin.
  • the method for sealing an electronic component mounting board includes: (a) preparing an electronic component mounting board including a plurality of electronic components and a board, and having a space between the electronic components and the board; (b) placing the MUFS sheet on the electronic component mounting board so as to make contact with the electronic component; and (c) heating and molding the placed MUFS sheet to form the space between the electronic component and the board. filling the sheet with a melted material and curing the sheet.
  • the heating temperature in hot molding is, for example, 110°C or higher and 175°C or lower.
  • an electronic component mounting board (hereinafter also referred to as "sealing body") comprising a board, an electronic component mounted on the board, and a cured product of a sealing material for sealing the electronic component. .) is obtained. Therefore, the sealing method according to this embodiment is also a method for manufacturing an electronic component mounting board (sealed body). Specifically, the method involves ⁇ an electronic component mounting board that is equipped with a plurality of electronic components and a board, and a space is provided between the electronic components and the board, and that space is sealed with an under-mold. and a cured product of a mold underfill sealing sheet for overmolding electronic components.
  • the electronic component mounting board may be a single-sided sealed body in which only one side of the board is sealed with a sealing material, or may be a double-sided sealed body in which both sides are sealed with a sealing material.
  • a plurality of electronic components are connected to the board (specifically, to electrodes provided on the board) by, for example, a flip-chip connection method.
  • electronic components are mounted on a substrate using protruding terminals (also called "bumps") arranged in an array.
  • a plurality of bumps are provided on the surface of the electronic component that faces the substrate. The bump constitutes a part of the electronic component.
  • the space between the electronic component and the substrate is generally occupied by gaps between the plurality of bumps.
  • the MUFS sheet used in step (b) has the property of being melted by heating and then hardened.
  • the MUFS sheet may be B-stage.
  • step (c) the MUFS sheet is heated and molded using a mold.
  • the mold presses the MUFS sheet placed on the electronic component mounting board against the board so as to cover the plurality of electronic components.
  • the mold is heated at any desired timing.
  • the MUFS sheet is melted by heating, and the melt fills the space between the electronic component and the substrate while covering the surface of the electronic component, and is also filled between each electronic component, and then hardens. That is, underfill sealing and overmolding sealing for sealing the entire electronic component are performed at once.
  • Overmold sealing means sealing at least the surface of an electronic component with a sealant.
  • the pressing surface of the mold may be covered with a release film.
  • the size and shape of the MUFS sheet in plan view are determined according to a frame line (hereinafter also referred to as "frame line F") that surrounds all the plurality of electronic components and minimizes the enclosed area. It may be designed by
  • the size of the MUFS sheet in plan view may be larger than the size of the substrate, but from the viewpoint of simplification of the sealing process and cost, it is preferably the same size as the substrate or smaller than the substrate.
  • the distance between an arbitrary point P on the frame line F and the center of the substrate is defined as Lp.
  • point Q is the intersection of a straight line passing through point P and center C (hereinafter also referred to as “straight line Lcp”) and the outer edge of the MUFS sheet (hereinafter also referred to as “outer edge S").
  • the distance between the point Q and the center C may be limited to 0.9 Lp or more.
  • the distance Lq may be 0.91Lp or more, 0.93Lp or more, or 0.96Lp or more. Note that Lp and Lq may satisfy the above relationship for 70% or more, or even 90% or more of the length of the trajectory of the frame line F, and Lp and Lq may satisfy the above relationship for 98% to 100%. desirable.
  • Lq may be set to 1.0 Lp or more.
  • the substrate may be completely covered with the thermosetting sheet when viewed from above.
  • the radius R of such a MUFS sheet corresponds to the distance Lq.
  • the distance Lq (radius R) and the maximum value MLp of the distance Lp satisfy the above relationship such as Lq ⁇ 0.9MLp.
  • MLp which is the maximum value of Lp, is the distance Lp when point P is located at the farthest point from the center of the board among all the electronic component parts on the board.
  • the MUFS sheet is placed on the substrate so as to completely cover or mostly cover the plurality of electronic components when viewed from above. Even when the outer edge S of the MUFS sheet is located inside (closer to the center C) than the frame line F, the distance between the points P and Q is small. In this case, more of the pressure energy applied to the MUFS sheet from the mold is utilized to fill the space between the electronic component and the substrate with the melt of the thermoset sheet. Therefore, the space between the electronic component and the substrate is easily filled with the molten material (it is difficult to form a portion where the sealing material has not penetrated), and it is possible to perform stable and sufficient underfill sealing. This effect becomes noticeable when multiple electronic components mounted on a large-area substrate are sealed together using packaging technologies such as panel level packaging (PLP) and wafer level packaging (WLP). Become.
  • PLP panel level packaging
  • WLP wafer level packaging
  • the pressure applied to the MUFS sheet (or its melt) from the pressing surface of the mold may be, for example, 0.5 MPa or more and 15 MPa or less, or 2 MPa or more and 12 MPa or less. Good too. Thereby, it is possible to promote penetration of the melt into a narrow space.
  • Lq may be, for example, 1.45 Lp or less, 1.2 Lp or less, 1.1 Lp or less, or 1.05 Lp or less. But that's fine.
  • the heat molding of the MUFS sheet may be performed in a reduced pressure atmosphere.
  • the reduced pressure atmosphere may be any pressure atmosphere lower than atmospheric pressure, but for example, it is preferably a pressure atmosphere of 10000 Pa (Pascal) or less, that is, 100 Hectopascal (hPa) or less, and may be 5000 Pa (Pascal) or less, and may be 500 Pa (5hPa) or less. ), and more preferably less than 200 Pa (2 hPa).
  • the cured product of the sealing material seals the underfill portion that fills the space between the substrate and the electronic component and the surface of the electronic component that does not face the substrate. It also constitutes an over-mold part.
  • the structure of the underfill part and overmold part is continuous. The boundary between the underfill part and the overmold part is not observed even by microscopic observation, and there is no substantial difference in morphology (state of structure) between the underfill part and the overmold part.
  • the type of substrate is not particularly limited, and includes, for example, a wafer, panel, glass substrate, resin substrate, printed wiring board, etc.
  • the wafer include silicon wafers, sapphire wafers, and compound semiconductor wafers.
  • the panel include plate-like members used in liquid crystal panels, organic (or inorganic) LED panels, and the like.
  • the resin substrate include a bismaleimide triazine substrate, a polyimide substrate, and a fluororesin substrate.
  • the board itself may be an assembly of electronic components.
  • An example of an assembly of electronic components is an assembly of semiconductor chips before being separated into a plurality of pieces.
  • the electronic component may be an active element or a passive element.
  • the electronic component may be a semiconductor element or may be other than that.
  • the electronic component may be a semiconductor package such as a BGA (ball grid array) or a CSP (chip size package).
  • Specific examples of electronic components include RFICs (Radio frequency identifiers), chip multilayer LC filters, dielectric filters, and multilayer ceramic capacitors (MLCCs).
  • the outer shape of the substrate and the outer shape of the MUFS sheet roughly correspond.
  • the outer shape of the substrate and the outer shape of the MUFS sheet may be similar.
  • the MUFS sheet may also have a circular outer shape.
  • the outer shape of the MUFS sheet may also be rectangular.
  • the substrate has a generally circular profile, such as an orientation flat wafer, the MUFS sheet may have a circular profile.
  • 70% or more of the length of the trajectory of the outer edge S of the MUFS sheet may satisfy the relationship of similarity to the outer shape of the substrate.
  • the size of the electronic component is not particularly limited, the area of the surface of the electronic component facing the substrate may be, for example, 1 mm 2 or more, or 3 mm 2 or more per electronic component. Further, the area of the surface of the electronic component facing the substrate may be, for example, 1600 mm 2 or less, or 2500 mm 2 or less per electronic component.
  • the size of the electronic component may be determined by measuring a plurality of arbitrary electronic components (for example, 10 electronic components) on the board and calculating the average value.
  • the height of the electronic component is not particularly limited, but may be, for example, 5 ⁇ m or more and 800 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or more and 600 ⁇ m or less.
  • the height of the electronic component is, for example, the distance from the contact position between the bump and the board to the maximum height of the electronic component. That is, in this embodiment, even for a board on which a plurality of minute electronic components having a height of about 5 ⁇ m are mounted, good underfill sealing and overmold sealing can be performed at once.
  • the distance between electronic components is not particularly limited, but may be, for example, 5 ⁇ m or more and 2000 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less.
  • the minimum distance (W) between electronic components is the distance between the closest outer edges of adjacent electronic components (that is, the gap interval). That is, the present embodiment can simultaneously perform good underfill sealing and overmold sealing even on a board that is mounted at a high density with a gap interval of about 5 ⁇ m.
  • the distance (W) between electronic components may be measured using any plurality of pairs of electronic components (for example, 10 pairs) on the board, and the average value may be determined.
  • the height (H) of the space between the electronic component and the substrate may be, for example, 2 ⁇ m or more, 5 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or more and 80 ⁇ m or less. That is, in this embodiment, good underfill sealing and overmold sealing can be performed at once even on a substrate with small bumps and a space height of about 2 to 5 ⁇ m.
  • the height of the space between the electronic component and the substrate may be, for example, 40 ⁇ m or less, or 15 ⁇ m or less.
  • the height of the space between the electronic component and the board refers to the minimum distance between the surface of the electronic component that faces the board and the board. The minimum distance may be measured using any number of electronic components (for example, 10) on the board, and the average value may be determined.
  • the maximum thickness T of the cured product of the sealing material may be, for example, 1.2 mm or less, 1.0 mm or less, 0.8 mm or less, or 0.4 mm or less. (ie, 400 ⁇ m or less). According to this embodiment, for example, in package applications such as PLP and WLP, it is effective even when forming a thin sealing body as described above and when performing good underfill sealing and overmold sealing at once. It is.
  • the maximum thickness T of the cured product of the sealant is the maximum distance from the surface of the substrate to the surface of the cured product opposite to the substrate.
  • the maximum thickness T may be measured at multiple locations (for example, 10 locations) on the substrate and the average value may be determined.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing an example of an electronic component mounting board 10.
  • the substrate 11 included in the electronic component mounting board 10 is a notched wafer having a circular outer shape.
  • a plurality of rectangular semiconductor chips are mounted as electronic components 12 on the surface of the substrate 11 .
  • FIG. 1 is a conceptual diagram and does not necessarily reflect the actual size of the electronic component.
  • the MUFS sheet 20 is placed on the substrate 11 so as to be in contact with the electronic component 12 .
  • an arbitrary point on the frame line F that encloses all of the plurality of electronic components 12 and minimizes the enclosed area is defined as a point P.
  • Lp be the distance between point P and the center C of the substrate.
  • a point Q is defined as a point where a straight line Lcp passing through the point P and the center C of the substrate intersects with the outer edge S of the MUFS sheet.
  • the distance Lq between the point Q and the center C of the substrate 11 satisfies 0.9Lp or more.
  • FIG. 2 shows the center C of the board 11, a frame line F that surrounds all of the plurality of electronic components 12 and minimizes the enclosed area, an arbitrary point P on the frame line F, an outer edge S of the MUFS sheet 20, and a point P.
  • 3 is a diagram illustrating an example of an intersection point Q between a straight line Lcp passing through and a center C and an outer edge S.
  • the frame line F is shown as a thicker solid line.
  • the outer edge S of the MUFS sheet 20 is indicated by a broken line.
  • Lq>Lp is shown here, there is also a case where Lq ⁇ Lp.
  • the size of the MUFS sheet 20 is larger than the substrate 11 in a top view here, the size of the MUFS sheet 20 may be smaller than the size of the substrate 11.
  • FIG. 3 is a process diagram of a method for sealing the electronic component mounting board 10.
  • the electronic component mounting board 10 is set in the compression molding machine 50.
  • the compression molding machine 50 includes an upper mold 51, a lower mold 52, and a flange portion 53 fixed to the periphery of the upper mold 51 via an elastic member such as a spring and serving as a part of the mold.
  • the upper mold 51 has a flat pressing surface that presses the MUFS sheet 20. Note that the pressing surface of the upper mold 51, the substrate mounting surface of the lower mold 52, the flange portion 53, etc. may be covered with a release sheet.
  • the plurality of electronic components 12 are connected to the surface of the substrate 11 via bumps 121, respectively.
  • a space 10S is provided between the surface of the electronic component 12 facing the substrate 11 and the substrate 11. Most of the space 10S is occupied by the gaps between the bumps.
  • the MUFS sheet 20 placed on the electronic component mounting board 10 is covered with the pressing surface of the mold, and the MUFS sheet 20 is compressed while being heated. At this time, a part of the molten material of the MUFS sheet 20 enters the space 10S, and a curing reaction of the molten material progresses.
  • At least one of the lower mold 52 and the upper mold 51 is heated to a temperature at which the curing reaction of the melt of the MUFS sheet 20 proceeds.
  • the curing reaction of the melt progresses, and an underfill portion 221 and an overmolded portion 222 are formed simultaneously.
  • a sealed body 100 in which the electronic component mounting board 10 is sealed with the cured material 22 is obtained.
  • step (c) may be performed under atmospheric pressure or under reduced pressure as already described.
  • air may be sucked from the space where the compression molding machine 50 is installed.
  • the heating temperature is, for example, 80 to 200°C, may be 100 to 180°C, and is preferably 110 to 140°C.
  • the heating time is, for example, 30 seconds to 30 minutes, and may be 2 minutes to 20 minutes.
  • the sealed body 100 carried out from the compression molding machine 50 may be further subjected to post-mold curing.
  • Post mold curing may be performed, for example, at 100 to 180° C. for about 30 minutes to 3 hours.
  • Example The present invention will be described in more detail below based on Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.
  • thermosetting resin composition was coated onto a release sheet by T-die extrusion at 100° C. and molded into a sheet to produce a MUFS sheet with a thickness of 500 ⁇ m.
  • release sheet a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 ⁇ m and subjected to silicone release treatment was used.
  • TOGs Five evaluation electronic components (TEGs) were mounted on a glass substrate with a circular outer shape and a diameter of 300 mm to prepare a sample of an electronic component mounting board for evaluation.
  • the TEG has a bump height of 30 ⁇ m, which corresponds to the height of the space between the electronic component and the board, a size of 25 mm x 25 mm x 300 ⁇ m (the height of the electronic component including the bump is 330 ⁇ m), a bump size of 20 ⁇ m, and a bump size of 20 ⁇ m.
  • the center-to-center pitch of is 40 ⁇ m.
  • the MUFS sheet was heat molded under the following conditions.
  • Molding pressure 5MPa Molding temperature: 125°C Molding time: 10 minutes Minimum vacuum level: 200Pa Post mold cure: 175°C/1 hour
  • the condition (infiltration) of the underfill portion that fills the space between the board and electronic components was visually evaluated. It was directly observed from the back side of the glass substrate, and evaluated based on the size of the uninfiltrated portion (void) of the cured product of the sealing material using the following criteria. The size of the void was confirmed to be the largest among the five electronic components for evaluation (TEG). The results are shown in each table.
  • ⁇ The size of the void is 500 ⁇ m or less. Good: The size of the void is larger than 500 ⁇ m and smaller than 750 ⁇ m. ⁇ : The size of the void is larger than 750 ⁇ m and smaller than 1000 ⁇ m. ⁇ : The size of the void is larger than 1000 ⁇ m.
  • a MUFS sheet was placed on a silicon wafer having a diameter of 12 inches ⁇ and a thickness of 775 ⁇ m, and the MUFS sheet was heat-molded under the following conditions.
  • Molding pressure 5MPa Molding temperature: 125°C Molding time: 10 minutes Minimum vacuum level: 200Pa Post mold cure: 150°C/3 hours or 180°C/1.5 hours
  • the post-cured silicon wafer and sealing material laminate was cooled to room temperature, and the amount of warpage was evaluated using the following criteria. Using a laser displacement meter, the difference in height between the center of the wafer and two points on the edge of the wafer was measured on the surface of the silicon wafer without the sealing material, and the average was calculated as the amount of warpage. The amount of warpage was evaluated based on the following criteria. The results are shown in each table.
  • Warpage is 12 mm or less. ⁇ : Warpage is greater than 12 mm.
  • the mold underfill sealing sheet when performing mold underfill sealing on an electronic component mounting board in which a space is provided between the electronic component and the board, warpage of the board can be reduced. Can be done. Furthermore, a method for sealing an electronic component mounting board with excellent MUF properties can be realized.
  • the present invention can be used, for example, to seal integrated circuits and large-scale integrated circuits used in IOT, automatic driving, and the like.

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Abstract

熱硬化性樹脂組成物のシートであって、測定温度１２５℃、測定時間１５０秒における、シートの測定開始から９０秒後の粘度Ｖ９０と０秒後の粘度Ｖ０との比（Ｖ９０／Ｖ０）である増粘率が、９未満であり、複数の電子部品と基板とを具備し、かつ電子部品と基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板のモールドアンダーフィル封止用シート。

Description

モールドアンダーフィル封止用シートおよびこれを用いる電子部品実装基板の封止方法
　本発明は、モールドアンダーフィル封止用シートおよびこれを用いる電子部品実装基板の封止方法に関する。
　フリップチップ接続方式で接続された電子部品の封止は、電子部品と基板との隙間に流動性を有する液状の封止材でアンダーフィルを施した後、別の液状封止材または封止フィルムでオーバーモールドする方法が一般的である（特許文献１～３参照）。
　一方、工程数を低減するために、アンダーフィル封止とオーバーモールド封止を同時に行うことができるモールドアンダーフィル封止用材料が提案されている（特許文献４参照）。
特開２０１４－１３１０１６号公報 特開２０１４－２２９７６９号公報 特開２０１５－１７８６３５号公報 特開２０１５－７１６７０号公報
　アンダーフィル封止とともにオーバーモールド封止を行うモールドアンダーフィル封止では、複数の電子部品と基板との間の空間に封止材の未浸入部（ボイド）が生じることがあり、安定して十分なアンダーフィル封止を施すことは難しい。
　本発明の一側面は、熱硬化性樹脂組成物のシートであって、測定温度１２５℃、測定時間１５０秒における、前記シートの測定開始から９０秒後の粘度Ｖ９０と０秒後の粘度Ｖ０との比（Ｖ９０／Ｖ０）である増粘率が、９未満であり、複数の電子部品と基板とを具備し、かつ前記電子部品と前記基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板のモールドアンダーフィル封止用シートに関する。
　また、本発明の別の側面は、（ａ）複数の電子部品と基板とを具備し、かつ前記電子部品と前記基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板を準備する工程と、（ｂ）前記電子部品と接するように上記のシートを前記電子部品実装基板に載置する工程と、（ｃ）載置された前記シートを加熱成型し、前記電子部品と前記基板との間の空間にシートの溶融物を充填して硬化させる工程と、を含み、前記加熱成型における加熱温度が、１１０℃以上、１７５℃以下である、電子部品実装基板の封止方法に関する。
　本発明の上記側面によれば、電子部品と基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板をモールドアンダーフィル封止する場合に、電子部品と基板との間の空間における封止材の未侵入部（ボイド）が形成されにくくなり、安定して十分なアンダーフィル封止を施すことができるようになる。
　本発明の新規な特徴を添付の請求の範囲に記述するが、本発明は、構成および内容の両方に関し、本発明の他の目的および特徴と併せ、図面を照合した以下の詳細な説明によりさらによく理解されるであろう。
電子部品実装基板の一例を示す概念図である。 基板の中心Ｃ、複数の電子部品を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線Ｆ、枠線上の任意の点Ｐ、熱硬化性シートの外縁Ｓ、点Ｐと中心Ｃとを通る直線Ｌｃｐと外縁Ｓとの交点Ｑの一例を示す図である。 電子部品実装基板の封止方法の工程図である。
　以下では、本開示の実施形態について例を挙げて説明するが、本開示は以下で説明する例に限定されない。以下の説明では、具体的な数値や材料を例示する場合があるが、本開示の効果が得られる限り、他の数値や材料を適用してもよい。この明細書において、「数値Ａ～数値Ｂ」という記載は、数値Ａおよび数値Ｂを含み、「数値Ａ以上で数値Ｂ以下」と読み替えることが可能である。以下の説明において、特定の物性や条件などに関する数値の下限と上限とを例示した場合、下限が上限以上とならない限り、例示した下限のいずれかと例示した上限のいずれかを任意に組み合わせることができる。複数の材料が例示される場合、その中から１種を選択して単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　また、本開示は、添付の特許請求の範囲に記載の複数の請求項から任意に選択される２つ以上の請求項に記載の事項の組み合わせを包含する。つまり、技術的な矛盾が生じない限り、添付の特許請求の範囲に記載の複数の請求項から任意に選択される２つ以上の請求項に記載の事項を組み合わせることができる。
　以下の説明において、「～を含有する」もしくは「～を含む」という用語は、「～を含有する（もしくは含む）」、「実質的に～からなる」および「～からなる」を包含する表現である。
　なお、本開示では、硬化の前後を問わず「熱硬化性樹脂」を「封止材」と称する場合がある。
　本発明の実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物のシート（モールドアンダーフィル封止用シート）は、アンダーフィル封止とともにオーバーモールド封止を行うモールドアンダーフィル封止に用いられる封止材である。封止の対象は、複数の電子部品と基板とを具備し、かつ電子部品と基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板である。モールドアンダーフィル封止では、電子部品と基板とを接続する電極部分の封止（すなわちアンダーフィル封止）と、電子部品の外面を含む全体の封止（すなわちオーバーモールド封止）とが一括で行われる。
　モールドアンダーフィル封止用シート（以下、「ＭＵＦＳシート」とも称する。）は、未硬化もしくは半硬化物（Ｂステージ）の熱硬化性樹脂組成物のシートである。半硬化物（Ｂステージ）とは、室温では固体を呈するが、所定温度以上に加熱された状態では、暫くの間、流動性を持ち、その後、硬化反応が進行するにしたがって流動性を失う熱硬化性樹脂組成物をいう。
＜増粘率＞
　シートの増粘率を９未満に制御することで、電子部品と基板との間の空間（以下、「空間Ｓ」とも称する。）への封止材の侵入しやすさ（以下、「ＭＵＦ性」とも称する。）が顕著に改善する。
　ここで、増粘率とは、測定温度１２５℃、測定時間１５０秒の測定条件（以下、測定条件（Ａ））における増粘率である。増粘率は、粘度の測定開始から９０秒後の粘度Ｖ９０と０秒後の粘度Ｖ０との比（Ｖ９０／Ｖ０）である。測定条件（Ａ）を用いる具体的な測定方法の一例を以下に示す。
　増粘率の測定装置として、例えば、ＭＣＲ１０２（Ａｎｔｏｎ-ｐａａｒ社製）を用いる。測定装置は、附属の測定用の上プレートと下プレートを有する。
　まず、下プレートを１２５℃に昇温して温度を安定化させる。
　次に、１２５℃の下プレートの表面に直径２５ｍｍΦの試験片を載置する。これにより、試験片は、１２５℃に向けて加熱され始める。試験片は、ＭＵＦＳシートから切り出して準備する。
　試験片を下プレートに載置してから３０秒以内に、上プレートと下プレートのギャップが０．２５ｍｍになるように装置を設定する。ギャップの設定の際に試験片の余分な部分を除去する。
　試験片を下プレートに載置してから３０秒後に、測定をスタートし、０秒後（すなわち、測定開始時）の封止材の粘度（Ｖ０）と、９０秒後の封止材の粘度（Ｖ９０）を計測し、両者の比（Ｖ９０／Ｖ０）を増粘率として算出する。
　以下に、測定条件（Ａ）のパラメータをまとめて示す。
　測定温度：１２５℃
　測定時間：０～１５０秒
　試験片サイズ：Φ２５ｍｍの円形
　Ｓｈｅａｒ　ｒａｔｅ：２０（１／ｓ）
　熱硬化性樹脂組成物（封止材）の厚み：０．２５ｍｍ
　増粘率：９０秒後の粘度／０秒後の粘度
　ＭＵＦ性を更に向上させるために、増粘率を８．２以下としてもよく、６．０以下としてもよく、３．０以下としてもよい。モールドアンダーフィル封止において、封止される空間のうち空間Ｓに封止材が侵入するタイミングは遅く、空間Ｓが十分に埋められるまでの期間、封止材が十分な流動性を有する必要がある。増粘率を上記範囲内に制御することで、封止材で空間Ｓが十分に埋められるまでの期間中は封止材に十分な流動性を維持させることができる。
　上記測定において、封止材の１２５℃における粘度は、１０００Ｐａ・ｓ以下が望ましく、１００Ｐａ・ｓ以下がより望ましい。このように低粘度であることで、ＭＵＦ性が更に顕著に改善する。１２５℃における粘度は、増粘率の測定時に同時に測定できる。ここでは、上記測定をスタートしてから、２０秒後の封止材の粘度（Ｖ２０）を測定する。
＜ｔａｎδ＞
　モールドアンダーフィル封止用シートは、測定温度１２５℃、測定時間０～７０秒の測定条件（以下、測定条件（Ｂ））におけるｔａｎδ（損失正接）の極大値が６未満であることが望ましく、３未満でもよく、２．９以下でもよく、２．７以下でもよく、２．５以下でもよい。測定条件（Ｂ）におけるｔａｎδの極大値が上記範囲であることで、モールドアンダーフィル封止された電子部品実装基板の反りが顕著に低減する。
　例えば直径１２インチΦ×厚み７７５μｍのシリコンウエハ上に、ＭＵＦＳシートを載置し、下記条件で、ＭＵＦＳシートを加熱成型したときに、硬化後の反りは１２ｍｍ以下にまで低減され得る。
＜条件＞
　成型圧力：５ＭＰａ
　成型温度：１２５℃
　成型時間：１０分間
　最低真空度：２００Ｐａ
　ポストモールドキュア（後硬化）：１５０℃／３時間もしくは１８０℃／１．５時間
　ｔａｎδの極大値が上記範囲にある場合、硬化後の封止材（特にオーバーモールド部分）に残留する応力が低減されやすくなるため、反りが低減されると考えられる。測定条件（Ｂ）を用いる具体的な測定方法の一例を以下に示す。
　ｔａｎδの測定装置として、例えば、ＡＲＥＳ－ＬＳ２（ＴＡ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いる。
　測定装置に、直径２５ｍｍΦの試験片をセットする。試験片は、ＭＵＦＳシートから切り出して準備する。
　次いで、例えば、周波数１Ｈｚの条件で、ｔａｎδの測定を行う。
　以下に、測定条件（Ｂ）のパラメータをまとめて示す。
　測定温度：１２５℃
　測定時間：０～７０秒
　試験片サイズ：Φ２５ｍｍの円形
　熱硬化性樹脂組成物（封止材）の厚み：０．２５ｍｍ
　電子部品と基板との間の空間（空間Ｓ）への封止材の侵入しやすさ（ＭＵＦ性）を高める観点から、測定条件（Ｂ）におけるｔａｎδを０．２以上としてもよく、０．３以上としてもよい。測定条件（Ｂ）におけるｔａｎδは、例えば、０．８以上３未満が望ましい。
　測定条件（Ｂ）におけるｔａｎδを上記範囲に制御する方法は、特に限定されないが、例えば、フィラーの含有率を高める、フィラーの表面に表面処理剤を付与する、主剤樹脂および硬化剤を選択する、などの手法が挙げられる。
＜貯蔵弾性率＞
　ＭＵＦＳシートの硬化物の貯蔵弾性率は、例えば、３ＧＰａ以上であり、５ＧＰａ以上でもよく、例えば、４０ＧＰａ以下であり、３０ＧＰａ以下でもよい。
　ＭＵＦＳシートの硬化物の貯蔵弾性率の測定は、以下の手順で行われる。まず、ＭＵＦＳシートの硬化物から、長さ５０ｍｍ×幅１０ｍｍ×厚さ２ｍｍの測定試料を用意する。硬化物としては、ＭＵＦＳシートを１７５℃で１時間加熱して硬化させた硬化物を用いる。次に、測定試料を曲げ測定用治具にセットし、粘弾性測定装置（ＤＭＡ６１００、日立ハイテクサイエンス（株）製）を用いて、－５０～３００℃の温度域での曲げ貯蔵弾性率を、周波数１Ｈｚ、昇温速度２．５℃／ｍｉｎの条件下で測定する。測定結果から２５℃での貯蔵弾性率を読み取る。貯蔵弾性率は、シートの剛性の指標になる。硬化物の貯蔵弾性率が上記範囲内にあるＭＵＦＳシートは、ハンドリング性に優れている。
＜ＭＵＦＳシートの構造＞
　ＭＵＦＳシートは、単層構造のシートであってもよい。単層構造のシートとは、単一の熱硬化性樹脂組成物で構成されたシートをいう。ＭＵＦＳシートは、ハンドリング性を向上させるために、１枚の離型シートに貼り付けたり、２枚の離型シートで挟み込んだりしてもよい。
　ただし、ＭＵＦＳシートは、複層構造であってもよい。複層構造とは、組成の異なる熱硬化性樹脂組成物の層が２層以上積層された構造をいう。一方、複層構造のシートは、単層構造のシートよりも製造プロセスが複雑である。製造プロセスの簡略化の観点からは、単層構造のシートがより望ましい。
　ＭＵＦＳシートの厚さは、特に限定されないが、例えば、５０μｍ以上であり、１００μｍ以上でもよく、２００μｍ以上でもよく、４００μｍ以上でもよい。ＭＵＦＳシートの厚さは、例えば、１０００μｍ以下であり、８００μｍ以下でもよい。
＜ＭＵＦＳシートの製造方法＞
　単層構造のＭＵＦＳシートは、熱硬化性樹脂組成物を１枚のシート状に成形加工することで形成される。成形加工方法は、例えば、カレンダー製膜法、キャスティング成膜法、インフレーション押出法、Ｔダイ押出法、ドライラミネート法などを採用し得る。離型シート上にＭＵＦＳシートを形成し、使用時に離型シートを剥離してもよい。
　離型シートとしては、特に限定されないが、プラスチックフィルム、紙、不織布、金属などが挙げられる。プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリオレフィン系フィルム、ハロゲン化ビニル重合体系フィルム、アクリル樹脂系フィルム、ゴム系フィルム、セルロース系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリカーボネート系フィルム、ポリスチレン系フィルム、ポリフェニレンサルファイド系フィルム、シクロオレフィンポリマー系フィルムが挙げられる。シリコーンなどで離型処理した離型シートを用いてもよい。
＜熱硬化性樹脂組成物＞
　ＭＵＦＳシートを構成する熱硬化性樹脂組成物は、例えば、主剤樹脂、硬化剤およびフィラーを含む。
（フィラー）
　フィラーは、熱硬化性樹脂組成物中に分散させ、かつ封止プロセスでは溶融しない固形成分である。固形成分は、無機材料および有機材料のいずれであってもよい。固形成分は、粒子状、板状および繊維状のいずれであってもよい。熱硬化性樹脂組成物に、無機粉体がフィラーとして含まれていてもよい。
　無機粉体としては、溶融シリカ、結晶シリカ、石英ガラス粉末、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウムなどを用いることができる。中でもシリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。
　熱硬化性樹脂組成物中のフィラーの含有率は、特に制限されないが、例えば、５０質量％以上でもよく、６０質量％以上でもよく、７０質量％以上でもよい。測定条件（Ａ）におけるｔａｎδを３未満にしやすい点で、フィラーの含有率は、７０質量％以上であることが望ましい。熱硬化性樹脂組成物中のフィラーの含有率の上限は、特に制限されないが、例えば、９０質量％以下であり、８５質量％以下であってもよい。
　フィラーの最大粒子径（Ｄｍａｘ）は、封止の対象である電子部品間の最小距離（隣接する電子部品同士の最も近接する外縁間の距離）（Ｗ）および電子部品と基板との間の空間の高さ（Ｈ）よりも小さいことが望ましく、上記距離（Ｗ）および高さ（Ｈ）に応じて適宜選択すればよい。フィラーの最大粒子径（Ｄｍａｘ）は、例えば３５μｍ以下でもよく、２５μｍ以下でもよく、２０μｍ以下でもよく、１０μｍ以下でもよい。
　フィラーの平均粒子径（Ｄ５０）は、上記距離（Ｗ）および高さ（Ｈ）に応じて適宜選択すればよいが、例えば、０．５μｍ以上であり、１μｍ以上であってもよく、２μｍ以上であってもよい。フィラーの平均粒子径（Ｄ５０）は、例えば、２０μｍ以下でもよく、１０μｍ以下でもよく、５μｍ以下（例えば３μｍ以下）でもよい。フィラーの平均粒子径（Ｄ５０）は、体積粒度分布の累積体積５０％におけるメディアン径である。
　フィラーの平均粒子径（Ｄ５０）および最大粒子径（Ｄｍａｘ）は、レーザ回折式の粒度分布測定装置を用いて、レーザ回折散乱法によって測定することができる。
（主材樹脂）
　主材樹脂は、特に限定されないが、エポキシ樹脂が、耐熱性やコストの点で優れている。
　エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールフタレイン型エポキシ樹脂、ポリグリコール変性エポキシ樹脂、ポリオレフィン変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂等を用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いる場合、主剤樹脂に含まれるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の含有率は、例えば、５０質量％以上９０質量％以下であり、６０質量％以上９０質量％以下でもよい。例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂を用いる場合、主剤樹脂に含まれるフェノールノボラック型エポキシ樹脂の含有率は、例えば、５０質量％以上９０質量％以下であり、６０質量％以上９０質量％以下でもよい。
　中でも、ガラス転移温度向上の観点から、主剤樹脂は、融点が５０℃以上の固形エポキシ樹脂を含むことが望ましい。
　封止後の電子部品実装基板の反りを抑制しやすい点では、主剤樹脂が、アルキレン鎖を有するエポキシ樹脂、ポリオキシアルキレン鎖を有するエポキシ樹脂、および、フェノールフタレイン型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１種を、主剤樹脂の一部として含むことが望ましい。フェノールフタレイン型エポキシ樹脂と、アルキレン鎖を有するエポキシ樹脂および／またはポリオキシアルキレン鎖を有するエポキシ樹脂とを併用してもよい。
　（アルキレン鎖を有するエポキシ樹脂）
　主剤樹脂に含まれるアルキレン鎖を有するエポキシ樹脂の含有率は、例えば、５質量％以上３０質量％以下であり、５質量％以上２０質量％以下でもよい。アルキレン鎖を有するエポキシ樹脂は、アルキレン鎖を有する限り、その種類は特に限定されないが、炭素数８以上のポリオールのエポキシ変性物であってもよい。また、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を基本骨格として有してもよい。
　アルキレン鎖を有するエポキシ樹脂は、グリシジルエーテル型、グリシジルエステル型、グリシジルアミン型、脂環式エポキシ化合物などのいずれであってもよい。入手が容易である観点からは、アルキレン鎖を有するグリシジルエーテル（具体的には、グリコール変性型エポキシ樹脂）などが用いられる。
　アルキレン鎖に含まれる炭素数は、例えば、１以上であり、２以上でもよく、３以上でもよい。ポリオレフィン鎖の炭素数は、１０以下とすることが好ましく、８以下でもよく、６以下でもよい。
　アルキレン鎖を有するエポキシ樹脂としては、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルなどが挙げられる。また、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリイソプレン、エポキシ変性ポリエチレン、エポキシ変性ポリプロピレン、エポキシ変性(メタ)アクリルポリマー、エポキシ変性天然ゴムなども挙げられる。
　（ポリオキシアルキレン鎖を有するエポキシ樹脂）
　主剤樹脂に含まれるポリオキシアルキレン鎖を有するエポキシ樹脂の含有率は、例えば、５質量％以上３０質量％以下であり、５質量％以上２０質量％以下でもよい。ポリオキシアルキレン鎖を有するエポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を基本骨格として有してもよい。
　ポリオキシアルキレン鎖を有するエポキシ樹脂は、ポリオキシアルキレン鎖を有する限り、その種類は特に限定されず、グリシジルエーテル型、グリシジルエステル型、グリシジルアミン型、脂環式エポキシ化合物などのいずれであってもよい。入手が容易である観点からは、ポリオキシアルキレン鎖を有するグリシジルエーテル（具体的には、ポリアルキレングリコールグリシジルエーテル）などが用いられる。
　グリシジルエーテル型のエポキシ樹脂としては、例えば、ポリオキシエチレンジグリシジルエーテル、ポリオキシプロピレンジグリシジルエーテル、ポリオキシトリメチレンジグリシジルエーテル、ポリオキシブチレンジグリシジルエーテル、ポリオキシヘキサメチレンジグリシジルエーテル、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンジグリシジルエーテルなどが挙げられる。
　ポリオキシアルキレン鎖に含まれるアルキレン基の炭素数は、例えば、２以上であり、３以上が好ましく、４以上がさらに好ましい。アルキレン基の炭素数は、１６以下とすることが好ましく、１０以下または６以下としてもよい。
　アルキレン基の具体例としては、例えば、エチレン、プロピレン、トリメチレン、ブチレン（１，２－ブチレン、１，３－ブチレン、１，４－ブチレン（またはテトラメチレン）など）、ヘキサメチレン、オクタメチレン、デカメチレンなどが挙げられる。
　ポリオキシアルキレン鎖におけるオキシアルキレン単位の繰り返し数ｎは、例えば、３以上であり、４以上または５以上であることが好ましい。オキシアルキレン単位の繰り返し数ｎは、例えば、７０以下であり、３０以下でもよく、１０以下でもよい。
　（フェノールフタレイン型エポキシ樹脂）
　主剤樹脂に含まれるフェノールフタレイン型エポキシ樹脂の含有率は、例えば、５０質量％以上９０質量％以下であり、６０質量％以上９０質量％以下でもよい。
　フェノールフタレイン型エポキシ樹脂は、分子内に嵩高いフェノールフタレインの骨格を有する２官能性エポキシ樹脂である。フェノールフタレイン型エポキシ樹脂は、例えば、窒素原子に結合しない２つのフェニル基のパラ位にそれぞれグリシジルエーテル基を有してもよい。具体的にはフェノールフタレイン系ジグリシジルエーテル（Ｎフェニルフェノールフタレインジグリシジルエーテル）を挙げることができる。
　熱硬化性樹脂組成物は、アルキレン鎖を有するポリオール、ポリオキシアルキレン鎖を有するポリオール、アルキレン鎖を有するエポキシ樹脂、ポリオキシアルキレン鎖を有するエポキシ樹脂およびフェノールフタレイン型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１種を含んでもよい。
　（アルキレン鎖を有するポリオール）
　熱硬化性樹脂組成物に含まれるアルキレン鎖を有するポリオールの含有率は、例えば、５質量％以上３０質量％以下であり、５質量％以上２０質量％以下でもよい。アルキレン鎖を有するポリオールは、アルキレン鎖を有する限り、その種類は特に限定されないが、炭素数８以上のポリオールであってもよい。炭素数８以上のポリオールとしては、１，４－シクロヘキサンジメタノール、１，２－シクロヘキサンジメタノール、１，３－シクロヘキサンジメタノール、２－メチル－１，１－シクロヘキサンジメタノール、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカンジメタノール、１，９－ノナンジオール、２－メチル－１，８－オクタンジオール、１，１０－デカジオール、１，１２－トデカンジオール、ダイマージオール、水添ダイマージオール等を挙げることができる。また、アルコール変成ポリブタジエン、アルコール変成ポリイソプレン、アルコール変成ポリエチレン、アルコール変成ポリプロピレン、アルコール変成(メタ)アクリルポリマー、アルコール変成天然ゴムなども挙げられる。
　（ポリオキシアルキレン鎖を有するポリオール）
　熱硬化性樹脂組成物に含まれるポリオキシアルキレン鎖を有するポリオールの含有率は、例えば、５質量％以上３０質量％以下であり、５質量％以上２０質量％以下でもよい。ポリオキシアルキレン鎖を有するポリオールは、ポリオキシアルキレン鎖を有する限り、その種類は特に限定されない。
　ポリオキシアルキレン鎖を有するポリオールとしては、例えば、ポリオキシエチレンポリオール、ポリオキシプロピレンポリオール、ポリオキシテトラメチレンポリオール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンポリオール、ポリオキシエチレンポリオキシテトラメチレンポリオール、ポリオキシプロピレンポリオキシテトラメチレンポリオール等を用いることができる。これらのポリオキシアルキレンポリオールは単独で用いても２種以上を併用してもよい。ポリオキシアルキレンポリオールは、例えば、水酸基を２～６個有してもよく、２～４個有してもよい。
　ポリオキシアルキレン鎖を有するポリオールを構成するポリオールとしては、例えば、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ジブチレングリコール、トリブチレングリコール、ポリブチレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ジグリセリン、トリグリセリン、ポリグリセリン、ポリオキシアルキレングリコール（オキシアルキレンの構成単位としてエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、ブチレンオキサイド等のアルキレンオキサイドを１種以上含むもの）、及びこれらの混合物、ポリオキシエチレングリセリン、ポリオキシプロピレングリセリルエーテル、ポリオキシブチレングリセリルエーテル、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル（オキシアルキレンの構成単位としてエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、ブチレンオキサイド等のアルキレンオキサイドを１種以上含むもの）などが挙げられる。
（硬化剤）
　主剤樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂、酸無水物、アミン化合物などを用いることができる。中でも、封止後の電子部品実装基板の反りを抑制しやすい点では、フェノール樹脂が好ましい。
　フェノール樹脂としては、特に限定されないが、フェノールノボラック樹脂が好ましい。フェノールノボラック樹脂は、フェノール類またはナフトール類（例えば、フェノール、クレゾール、ナフトール、アルキルフェノール、ビスフェノール、テルペンフェノール、ナフトール等）と、ホルムアルデヒドとを、縮合重合させたものである。より具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、アラルキルフェノールノボラック樹脂、ビフェニルフェノールノボラック樹脂、テルペンフェノールノボラック樹脂、α－ナフトールノボラック樹脂、β－ナフトールノボラック樹脂等が挙げられる。これらのうち耐水性の観点からは、ナフトールノボラック樹脂が好ましい。これらは単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
　中でも、ガラス転移温度を高める観点から、硬化剤は、融点が６０℃以上の固形フェノールノボラック樹脂を含むことが望ましい。
　硬化剤の量は、主剤樹脂１００質量部に対して、例えば、３０質量部以上８０質量部以下の範囲で適宜制御され、４５質量部以上６０質量部以下の範囲としてもよい。
（硬化促進剤）
　熱硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤を含んでもよい。硬化促進剤としては、特に限定されないが、イミダゾール系促進剤、リン系硬化促進剤、ホスホニウム塩系硬化促進剤、双環式アミジン類とその誘導体、有機金属錯体、ポリアミンの尿素化物等が挙げられる。硬化促進剤は、潜在性を有することが好ましく、潜在性硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール系促進剤、リン系促進剤等が挙げられる。潜在性硬化促進剤の中でも、カプセル化されたイミダゾール変性物（マイクロカプセル型硬化促進剤）が特に好ましい。
　増粘率は、例えば、硬化促進剤の種類および量を適宜選択することで制御してもよい。増粘率を制御しやすい点で、イミダゾール系促進剤を用いることが望ましい。
　硬化促進剤の量は、主剤樹脂１００質量部に対して、例えば、１質量部以上１０質量部以下の範囲で適宜制御され、２質量部以上５質量部以下の範囲としてもよい。
（添加剤）
　熱硬化性樹脂組成物には、さらに添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、シランカップリング剤、カーボンブラック、消泡剤、レベリング剤、顔料、応力緩和剤、熱可塑性樹脂、イオン捕捉剤などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　シランカップリング剤には様々な種類があり、その種類によって樹脂組成物の特性（例えば室温での粘度）に変化が生じ得る。そのため、適宜、望ましいものが選択される。シランカップリング剤は、加水分解性基（アルコキシ基、水酸基など）を有し、更に、アルキル基、脂肪族または芳香族アミノ基（フェニルアミノ基など）、アクリル基、メタクリル基などを有してもよい。
　熱可塑性樹脂は、封止後の電子部品実装基板の反りの抑制に寄与するとともに、ＭＵＦＳシートのゲル化もしくは固形化にも寄与する。
　熱可塑性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、は、例えば、３００，０００以下でもよく、２００，０００以下でもよく、１００，０００以下でもよい。Ｍｗは、例えば、５,０００以上でもよい。熱可塑性樹脂のＭｗがこのような範囲である場合、分散性が高く、硬化物の弾性を低減しやすいため、反りを抑制する効果をさらに高めることができる。
　なお、本明細書中、重量平均分子量Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
　熱可塑性樹脂は、反応性官能基を有してもよい。反応性官能基としては、エポキシ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基（イミノ基も含む）、アミド基、ニトリル基、重合性の炭素－炭素不飽和結合を有する基（例えば、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基など）などが例示できる。
　熱可塑性樹脂としては、例えば、ジエン系熱可塑性樹脂（イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴムなど）、アクリル系熱可塑性樹脂（アクリルゴムなど）、ニトリル系熱可塑性樹脂（ニトリルゴムなど）、ウレタン系熱可塑性樹脂（ウレタンゴムなど）、シリコーン系熱可塑性樹脂（シリコーンゴム、エポキシ変性シリコーンなど）、ポリエステル系熱可塑性樹脂（結晶性ポリエステル、非晶性ポリエステル、ポリエステルエラストマーなど）、ポリアミド系熱可塑性樹脂（ポリエーテルエステルアミド、ポリアミドエラストマーなど）、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴムなどが挙げられる。これらは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
　分子量や分子量分布を制御し易く、反応性官能基の導入も容易で、硬化性樹脂組成物中で分散し易い観点から、アクリル系熱可塑性樹脂を用いてもよい。アクリル系熱可塑性樹脂は、（メタ）アクリレート単位を含む。（メタ）アクリレート単位としては、例えば、アルキル（メタ）アクリレート単位などが挙げられる。アルキル（メタ）アクリレート単位としては、Ｃ１－６アルキル（メタ）アクリレート単位（エチル（メタ）アクリレート単位、プロピル（メタ）アクリレート単位、ブチル（メタ）アクリレート単位など）が例示され、Ｃ１－４アルキル（メタ）アクリレート単位であってもよい。なお、アクリレートとメタクリレートとを合わせて（メタ）アクリレートと記載する。
　熱可塑性樹脂の量は、主剤樹脂１００質量部に対して、例えば、５質量部以上３０質量部以下であり、５質量部以上２０質量部以下でもよい。
＜電子部品実装基板の封止方法＞
　以下、ＭＵＦＳシートを用いる電子部品実装基板の封止方法の実施形態の例を説明する。
　本実施形態に係る電子部品実装基板の封止方法は、（ａ）複数の電子部品と基板とを具備し、かつ電子部品と基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板を準備する工程と、（ｂ）電子部品と接するようにＭＵＦＳシートを電子部品実装基板に載置する工程と、（ｃ）載置されたＭＵＦＳシートを加熱成型し、電子部品と基板との間の空間にシートの溶融物を充填して硬化させる工程と、を含む。加熱成型における加熱温度は、例えば、１１０℃以上、１７５℃以下である。
　上記封止方法によれば、基板と、基板に搭載された電子部品と、電子部品を封止する封止材の硬化物とを具備する電子部品実装基板（以下、「封止体」とも称する。）が得られる。よって、本実施形態に係る封止方法は、電子部品実装基板（封止体）の製造方法でもある。具体的には、その方法は、「複数の電子部品と基板とを具備し、かつ電子部品と基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板と、その空間をアンダーモールド封止するとともに電子部品をオーバーモールドするモールドアンダーフィル封止用シートの硬化物と、を具備する、電子部品実装基板の封止体の製造方法」であるといえる。電子部品実装基板は、基板の片面だけを封止材で封止した片面封止体であってもよく、両面を封止材で封止した両面封止体であってもよい。
　工程（ａ）で準備される電子部品実装基板において、複数の電子部品は、例えば、フリップチップ接続方式で基板（具体的には基板に設けられた電極）に接続されている。フリップチップ接続方式では、電子部品が、アレイ状に並んだ突起状の端子（「バンプ」とも称される。）によって基板に実装される。バンプは、電子部品の基板との対向面に複数設けられている。バンプは、電子部品の一部を構成する。電子部品と基板との間の空間は、概ね複数のバンプ間の空隙で占められる。
　工程（ｂ）で用いられるＭＵＦＳシートは、加熱により溶融し、その後、硬化する性質を有する。ＭＵＦＳシートは、Ｂステージであってもよい。
　工程（ｃ）において、ＭＵＦＳシートの加熱成型は、金型を用いて行われる。金型は、複数の電子部品を覆うように電子部品実装基板に載置されたＭＵＦＳシートを基板に対して押圧する。金型は任意のタイミングで加熱される。加熱によりＭＵＦＳシートが溶融し、溶融物が電子部品表面を覆いながら電子部品と基板との間の空間に充填されるとともに、各電子部品間に充填され、その後、硬化する。すなわち、アンダーフィル封止と、電子部品全体の封止を行うオーバーモールド封止とが一括で行われる。オーバーモールド封止とは、少なくとも電子部品の表面を封止材で封止することを意味する。金型の押圧面は、剥離フィルムで覆われていてもよい。
　上記封止方法において、ＭＵＦＳシートの平面視でのサイズと形状を、複数の電子部品を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線（以下、「枠線Ｆ」とも称する。）に応じて設計してもよい。ＭＵＦＳシートの平面視でのサイズは、基板のサイズよりも大きくてもよいが、封止プロセスの簡易化およびコスト面の観点から、基板と同じサイズか、基板より小さいサイズであることが望ましい。
　具体的には、枠線Ｆ上の任意の点Ｐと、基板の中心（以下、「中心Ｃ」とも称する。）との距離をＬｐとする。また、点Ｐと中心Ｃとを通る直線（以下、「直線Ｌｃｐ」とも称する。）とＭＵＦＳシートの外縁（以下、「外縁Ｓ」とも称する。）との交点を点Ｑとする。このとき、点Ｑと中心Ｃとの距離（以下、「Ｌｑ」とも称する。）が０．９Ｌｐ以上に制限してもよい。
　距離Ｌｑは、０．９１Ｌｐ以上であってもよく、０．９３Ｌｐ以上であってもよく、０．９６Ｌｐ以上であってもよい。なお、枠線Ｆの軌跡の長さの７０％以上、更には９０％以上において、ＬｐとＬｑが上記関係を満たしてもよく、９８％～１００％においてＬｐとＬｑが上記関係を満たすことが望ましい。
　ＭＵＦＳシートの公差、基板の公差、更には金型の交差を考慮して、Ｌｑを１．０Ｌｐ以上としてもよい。また、上面視で基板が熱硬化性シートで完全に覆われるようにしてもよい。
　ＭＵＦＳシートが円形である場合、そのようなＭＵＦＳシートの半径Ｒは、距離Ｌｑに相当する。このときは、距離Ｌｑ（半径Ｒ）と距離Ｌｐの最大値ＭＬｐとが、Ｌｑ≧０．９ＭＬｐなどの上記関係を満たせばよい。なお、Ｌｐの最大値であるＭＬｐは、点Ｐが基板上の全ての電子部品の部位のうち、基板の中心から最も離れた点に位置するときの距離Ｌｐである。
　すなわち、本実施形態では、上面視で、ＭＵＦＳシートが複数の電子部品を完全に覆うか、大半を覆うように基板に載置される。枠線ＦよりもＭＵＦＳシートの外縁Ｓが内側（中心Ｃ寄り）にある場合でも、点Ｐと点Ｑとの距離は僅かである。この場合、金型からＭＵＦＳシートに付与される圧力エネルギーのより多くが、電子部品と基板との間の空間に熱硬化性シートの溶融物を充填するために利用される。よって、電子部品と基板との間の空間に溶融物が充填されやすく（封止材の未浸入部が形成されにくく）、安定して十分なアンダーフィル封止を施すことができる。このような効果は、例えば、パネルレベルパッケージ（ＰＬＰ）、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）のようなパッケージ技術で、大面積の基板に搭載された複数の電子部品を一括に封止する場合に顕著になる。
　工程（ｃ）において、金型の押圧面からＭＵＦＳシート（もしくはその溶融物）に付与される圧力は、例えば、０．５ＭＰａ以上、１５ＭＰａ以下であってもよく、２ＭＰａ以上、１２ＭＰａ以下であってもよい。これにより、狭い空間への溶融物の浸入を促進することができる。
　点Ｑと中心Ｃとの距離Ｌｑの上限は、安定して十分なアンダーフィル封止を施す観点からは特に制限されない。ただし、ＭＵＦＳシートの製造コストおよびハンドリングの良さを考慮すると、Ｌｑは、例えば１．４５Ｌｐ以下であってもよく、１．２Ｌｐ以下であってもよく、１．１Ｌｐ以下でもよく、１．０５Ｌｐ以下でもよい。
　ＭＵＦＳシートの加熱成型は、減圧雰囲気で行ってもよい。この場合、より良好なアンダーフィル部分を形成し得る。減圧雰囲気とは、大気圧よりも低い圧力雰囲気であればよいが、例えば、１００００Ｐａ（パスカル）以下、つまり１００ヘクトパスカル（ｈＰａ）以下の圧力雰囲気が好ましく、５０００Ｐａ（パスカル）以下でもよく、５００Ｐａ（５ｈＰａ）未満が望ましく、２００Ｐａ（２ｈＰａ）未満がより望ましい。
　工程（ｃ）を経て得られた封止体において、封止材の硬化物は、基板と電子部品との間の空間を埋めるアンダーフィル部分と、電子部品の基板と対向しない面を封止するオーバーモールド部分とを構成している。アンダーフィル部分とオーバーモールド部分の構造は連続している。アンダーフィル部分とオーバーモールド部分との境界は顕微鏡観察などでも観測されず、アンダーフィル部分とオーバーモールド部分のモルホロジー（組織の状態）に実質的な違いはない。
　基板の種類は、特に限定されず、例えばウエハ、パネル、ガラス基板、樹脂基板、プリント配線基板等が包含される。ウエハとしては、シリコンウエハ、サファイアウエハ、化合物半導体ウエハなどが挙げられる。パネルとしては、液晶パネル、有機（もしくは無機）ＬＥＤパネルなどに用いられる板状部材が挙げられる。樹脂基板としては、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板、フッ素樹脂基板などが挙げる。基板自体が、電子部品の集合体であってもよい。電子部品の集合体は、例えば、複数に個片化される前の半導体チップの集合体が挙げられる。
　電子部品は、能動素子でもよく、受動素子でもよい。電子部品は、半導体素子であってもよく、それ以外でもよい。電子部品は、ＢＧＡ（Ball grid array）、ＣＳＰ（Chip size package）のような半導体パッケージであってもよい。電子部品の具体例としては、ＲＦＩＣ（Radio frequency identifier）、チップ多層ＬＣフィルタ、誘電体フィルタ、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）などが挙げられる。
　基板の外形とＭＵＦＳシートの外形とは概ね対応していることが望ましい。基板の外形とＭＵＦＳシートの外形とは相似であってもよい。例えば、基板の外形が円形である場合には、ＭＵＦＳシートの外形も円形でよい。基板の外形が矩形である場合には、ＭＵＦＳシートの外形も矩形でよい。基板が、オリフラウエハのように概ね円形の外形を有する場合、ＭＵＦＳシートの外形は円形でもよい。また、ＭＵＦＳシートの外縁Ｓの軌跡の長さの７０％以上が基板の外形と相似の関係を満たしてもよい。
　電子部品のサイズは、特に限定されないが、電子部品の基板と対向する面の面積は、電子部品１つ当たり、例えば１ｍｍ２以上であってもよく、３ｍｍ２以上であってもよい。また、電子部品の基板と対向する面の面積は、電子部品１つ当たり、例えば１６００ｍｍ２以下であってもよく、２５００ｍｍ２以下であってもよい。電子部品のサイズは、基板上の任意の複数の電子部品（例えば１０個）で測定し、平均値を求めればよい。
　電子部品の高さは、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上、８００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上、６００μｍ以下でもよい。電子部品の高さとは、例えば、バンプと基板との接触位置から電子部品の最大高さまでの距離である。すなわち、本実施形態は、高さが５μｍ程度の微小な電子部品を複数実装する基板に対しても、良好なアンダーフィル封止とオーバーモールド封止とを一括で行うことができる。
　電子部品間の距離は、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上、２０００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上、１０００μｍ以下でもよい。電子部品間の最小距離（Ｗ）とは、隣接する電子部品同士の最も近接する外縁間の距離（すなわち、隙間の間隔）である。すなわち、本実施形態は、隙間の間隔が５μｍ程度の高密度実装された基板に対しても、良好なアンダーフィル封止とオーバーモールド封止とを一括で行うことができる。電子部品間の距離（Ｗ）は、基板上の任意の複数対の電子部品（例えば１０対）で測定し、平均値を求めればよい。
　電子部品と基板との間の空間の高さ（Ｈ）は、例えば、２μｍ以上でもよく、５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上８０μｍ以下でもよい。すなわち、本実施形態は、バンプが小さく、空間の高さが２～５μｍ程度の基板にも、良好なアンダーフィル封止とオーバーモールド封止とを一括で行うことができる。電子部品と基板との間の空間の高さは、例えば４０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよい。なお、電子部品と基板との間の空間の高さとは、電子部品の基板と対向する面と基板との最小距離をいう。最小距離は、基板上の任意の複数の電子部品（例えば１０個）で測定し、平均値を求めればよい。
　電子部品実装基板（封止体）において、封止材の硬化物の最大厚みＴは、例えば、１．２ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以下でもよく、０．８ｍｍ以下でもよく、０．４ｍｍ以下（すなわち４００μｍ以下）であってもよい。本実施形態によれば、例えばＰＬＰ、ＷＬＰといったパッケージ用途において、上記のように薄い封止体を形成する場合でも、良好なアンダーフィル封止とオーバーモールド封止とを一括で行う場合にも有効である。
　封止体において、封止材の硬化物の最大厚みＴとは、基板の表面からの硬化物の基板とは反対側の表面までの最大距離である。最大厚みＴは、基板上の複数箇所（例えば１０箇所）で測定し、平均値を求めればよい。
　以下、図面を参照しながら封止方法について更に具体的に説明する。
　工程（ａ）
　まず、複数の電子部品が実装された基板を準備する。電子部品と基板との間には空間が設けられている。図１は、電子部品実装基板１０の一例を示す概念図である。電子部品実装基板１０が具備する基板１１は、円形の外形を有するノッチウエハである。基板１１の表面には、電子部品１２として複数の矩形の半導体チップが実装されている。なお、図１は概念図であり、必ずしも実際の電子部品のサイズを反映していない。
　工程（ｂ）
　次に、電子部品１２と接するようにＭＵＦＳシート２０を基板１１上に載置する。ここで、複数の電子部品１２を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線Ｆ上の任意の点を、点Ｐとする。点Ｐと基板の中心Ｃとの距離をＬｐとする。点Ｐと基板の中心Ｃとを通る直線ＬｃｐとＭＵＦＳシートの外縁Ｓとが交わる点を、点Ｑとする。このとき、点Ｑと基板１１の中心Ｃとの距離Ｌｑは０．９Ｌｐ以上を満たす。
　図２は、基板１１の中心Ｃ、複数の電子部品１２を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線Ｆ、枠線Ｆ上の任意の点Ｐ、ＭＵＦＳシート２０の外縁Ｓ、点Ｐと中心Ｃとを通る直線Ｌｃｐと外縁Ｓとの交点Ｑの一例を示す図である。枠線Ｆはより太い実線で示す。ＭＵＦＳシート２０の外縁Ｓは破線で示す。ここでは、Ｌｑ＞Ｌｐの場合を示すが、Ｌｑ≦Ｌｐとなる場合もある。また、ここでは、上面視で基板１１よりもＭＵＦＳシート２０のサイズが大きいが、ＭＵＦＳシート２０のサイズが基板１１のサイズ以下であってもよい。
　工程（ｃ）
　次に、電子部品実装基板１０に載置したＭＵＦＳシート２０を加熱成型し、電子部品１２と基板１１との間の空間にＭＵＦＳシート２０の溶融物を充填し、溶融物を硬化させる。図３は、電子部品実装基板１０の封止方法の工程図である。
　具体的には、図３（ａ）に示すように、電子部品実装基板１０が圧縮成形機５０にセットされる。圧縮成形機５０は、上金型５１と、下金型５２と、上金型５１の周縁にバネなどの弾性部材を介して固定された金型の一部を兼ねるフランジ部５３とを有する。上金型５１は、ＭＵＦＳシート２０を押圧する平坦な押圧面を有する。なお、上金型５１の押圧面、下金型５２の基板載置面、フランジ部５３などは、剥離シートで覆われていてもよい。
　複数の電子部品１２は、それぞれバンプ１２１を介して基板１１の表面に接続されている。電子部品１２の基板１１と対向する面と基板１１との間には空間１０Ｓが設けられている。空間１０Ｓの大半は、バンプ同士の空隙で占められている。
　加熱成形の工程では、図３（ｂ）に示されるように、電子部品実装基板１０に載置されたＭＵＦＳシート２０を金型の押圧面で覆って、ＭＵＦＳシート２０を加熱しながら圧縮する。このとき、ＭＵＦＳシート２０の溶融物の一部が空間１０Ｓに浸入するとともに溶融物の硬化反応が進行する。
　下金型５２および上金型５１の少なくとも一方は、ＭＵＦＳシート２０の溶融物の硬化反応が進行する温度まで加熱されている。溶融物の硬化反応が進行し、アンダーフィル部分２２１とオーバーモールド部分２２２とが同時に形成される。その結果、電子部品実装基板１０が硬化物２２で封止された封止体１００が得られる。
　工程（ｃ）の少なくとも一部は、大気圧下で行ってもよく、既に述べたような減圧下で行ってもよい。減圧下で加熱成形を行う場合、圧縮成形機５０が設置されている空間から空気を吸引すればよい。
　加熱温度は、例えば、８０～２００℃であり、１００～１８０℃でもよく、１１０～１４０℃が望ましい。加熱時間は、例えば、３０秒～３０分であり、２分～２０分であってもよい。
　圧縮成形機５０から搬出された封止体１００に対し、さらに、ポストモールドキュア（後硬化）を行ってもよい。ポストモールドキュアは、例えば、１００～１８０℃で、３０分～３時間程度行えばよい。
［実施例］
　以下に実施例および比較例に基づいて、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
《実施例１～２８および比較例１～６》
＜ＭＵＦＳシートの作製＞
　（１）各表に示す配合で材料を混合し、ロール混練機により混練し、熱硬化性樹脂組成物を調製した。表中の配合を示す数値は全て質量部である。
　（２）得られた熱硬化性樹脂組成物を、１００℃の条件下、Ｔダイ押出法により離型シート上に塗工してシート状に成形し、厚さ５００μｍのＭＵＦＳシートを作製した。離型シートとしては、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。
［評価］
＜増粘率の測定＞
　各実施例（実１～２８）および比較例（比１～６）について、上記で得られたＭＵＦＳシートについて既述の方法で増粘率を測定した。
＜ＭＵＦ性＞
　直径３００ｍｍΦの外形が円形のガラス基板上に、５つの評価用電子部品（ＴＥＧ）を実装し、評価用の電子部品実装基板のサンプルを作製した。電子部品は、基板の中心Ｃと、中心Ｃに対して角度的に等価な４箇所（０°、９０°、１８０°および２７０°）の位置に、各電子部品上の点Ｐと基板の中心Ｃとの距離の最大値がＬｐ＝１４０ｍｍとなるように配置した。
　ＴＥＧは、電子部品と基板との間の空間の高さに相当するバンプの高さが３０μｍ、サイズ２５ｍｍ×２５ｍｍ×３００μｍ（バンプを含む電子部品の高さは３３０μｍ）、バンプサイズは２０μｍ、バンプの中心間のピッチは４０μｍである。
　Ｌｑ＝１４０ｍｍ＝１．０Ｌｐである基板と相似形（円形）のＭＵＦＳシートを、電子部品と接するように、基板の中心とＭＵＦＳシートの中心の位置を合わせて、サンプル上に載置し、下記条件で、ＭＵＦＳシートを加熱成型した。
　成型圧力：５ＭＰａ
　成型温度：１２５℃
　成型時間：１０分間
　最低真空度：２００Ｐａ
　ポストモールドキュア（後硬化）：１７５℃／１時間
　基板と電子部品との間の空間を埋めるアンダーフィル部分の状態（浸入性）を目視で評価した。ガラス基板の裏面から直接観察し、封止材の硬化物の未浸入部（ボイド）の大きさにより、下記の基準で評価した。ボイドの大きさは５つの評価用電子部品（ＴＥＧ）の中で最大のサイズを確認した。結果を各表に示す。
　◎：ボイドの大きさが５００μｍ以下である。
　〇：ボイドの大きさが５００μｍより大きく、７５０μｍ以下である。
　△：ボイドの大きさが７５０μｍより大きく、１０００μｍ以下である。
　×：ボイドの大きさが１０００μｍより大きい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表１～３より、増粘率が９以下の場合には、ＭＵＦ性が顕著に向上することが理解できる。
＜ｔａｎδの極大値の測定＞
　上記で得られたＭＵＦＳシートについて既述の方法でｔａｎδを測定した。
＜反り量＞
　直径１２インチΦ×厚み７７５μｍのシリコンウエハ上に、ＭＵＦＳシートを載置し、下記条件で、ＭＵＦＳシートを加熱成型した。
　成型圧力：５ＭＰａ
　成型温度：１２５℃
　成型時間：１０分間
　最低真空度：２００Ｐａ
　ポストモールドキュア（後硬化）：１５０℃／３時間もしくは１８０℃／１．５時間
　後硬化後のシリコンウエハと封止材の積層体を室温まで冷却し、反り量を以下の基準で評価した。レーザ変位計を用いて、シリコンウエハの封止材が無い面において、ウエハ中心部とウエハ端部２点との高低差を測定し、それらの平均を算出し、反り量とした。反り量を下記の基準で評価した。結果を各表に示す。
　〇：反りが１２ｍｍ以下である。
　△：反りが１２ｍｍより大きい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　表４～６より、ｔａｎδが６未満の場合には、ＭＵＦ封止において、反り量が顕著に低減されることが理解できる。
　本発明を現時点での好ましい実施態様に関して説明したが、そのような開示を限定的に解釈してはならない。種々の変形および改変は、上記開示を読むことによって本発明に属する技術分野における当業者には間違いなく明らかになるであろう。したがって、添付の請求の範囲は、本発明の真の精神および範囲から逸脱することなく、すべての変形および改変を包含する、と解釈されるべきものである。
　本発明に係るモールドアンダーフィル封止用シートによれば、電子部品と基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板をモールドアンダーフィル封止する場合に、基板の反りを低減することができる。また、ＭＵＦ性に優れた電子部品実装基板の封止方法を実現し得る。本発明は、例えば、ＩＯＴ、自動運転などに利用される集積回路、大規模集積回路の封止に利用することができる。
　１０：電子部品実装基板
　　１０Ｓ：空間
　　１１：基板
　　１２：電子部品
　　　１２１：バンプ
　２０：ＭＵＦＳシート
　　２２：硬化物
　　　２２１：アンダーフィル部分
　　　２２２：オーバーモールド部分
　５０：圧縮成形機
　　５１：上金型
　　５２：下金型
　　５３：フランジ部
　Ｆ：枠線
　Ｃ：基板の中心
　Ｐ点：枠線上の任意の点
　Ｌｐ：点Ｐと中心Ｃとの距離
　Ｌｃｐ：点Ｐと中心Ｃとを通る直線
　Ｓ：熱硬化性シートの外縁
　Ｑ：Ｌｃｐと外縁Ｓとの交点
　Ｌｑ：点Ｑと中心Ｃとの距離

Claims (15)

  1. 　熱硬化性樹脂組成物のシートであって、
    　測定温度１２５℃、測定時間１５０秒における、前記シートの測定開始から９０秒後の粘度Ｖ９０と０秒後の粘度Ｖ０との比（Ｖ９０／Ｖ０）である増粘率が、９未満であり、
    　複数の電子部品と基板とを具備し、かつ前記電子部品と前記基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板のモールドアンダーフィル封止用シート。
  2. 　１２５℃における粘度は、１０００Ｐａ・ｓ以下である、請求項１に記載のシート。
  3. 　測定温度１２５℃、測定時間０～７０秒における、前記シートのｔａｎδ（損失正接）の極大値が０．２以上である、請求項１に記載のシート。
  4. 　前記ｔａｎδの極大値が６未満である、請求項３に記載のシート。
  5. 　熱硬化性樹脂組成物が、主剤樹脂、硬化剤およびフィラーを含み、
    　前記フィラーの含有率が、７０質量％以上である、請求項１に記載のシート。
  6. 　前記フィラーの最大粒子径が、３５μｍ以下である、請求項５に記載のシート。
  7. 　前記フィラーの平均粒子径が、２０μｍ以下である、請求項５に記載のシート。
  8. 　前記熱硬化性樹脂組成物が、アルキレン鎖を有するポリオール、アルキレン鎖を有するエポキシ樹脂、ポリオキシアルキレン鎖を有するポリオール、ポリオキシアルキレン鎖を有するエポキシ樹脂およびフェノールフタレイン型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載のシート。
  9. 　前記硬化剤が、固形フェノールノボラック樹脂を含む、請求項５に記載のシート。
  10. 　単層構造である、請求項１～９に記載のシート。
  11. 　直径１２インチΦ×厚み７７５μｍのシリコンウエハ上に、前記シートを載置し、
    下記条件：
    　成型圧力：５ＭＰａ
    　成型温度：１２５℃
    　成型時間：１０分間
    　最低真空度：２００Ｐａ
    　ポストモールドキュア（後硬化）：１５０℃／３時間もしくは１８０℃／１．５時間で、前記シートを加熱成型したときに、硬化後の反りが１２ｍｍ以下である、請求項１～９のいずれか１項に記載のシート。
  12. 　（ａ）複数の電子部品と基板とを具備し、かつ前記電子部品と前記基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板を準備する工程と、
    　（ｂ）前記電子部品と接するように、熱硬化性樹脂組成物のシートであるモールドアンダーフィル封止用シートを前記電子部品実装基板に載置する工程と、
    　（ｃ）載置された前記シートを加熱成型し、前記電子部品と前記基板との間の空間にシートの溶融物を充填して硬化させる工程と、
    を含み、
    　前記加熱成型における加熱温度が、１１０℃以上、１７５℃以下であり、
    　測定温度１２５℃、測定時間１５０秒における、前記シートの測定開始から９０秒後の粘度Ｖ９０と０秒後の粘度Ｖ０との比（Ｖ９０／Ｖ０）である増粘率が、９未満である、電子部品実装基板の封止方法。
  13. 　前記複数の電子部品を全て囲うとともに囲まれた面積が最小になる枠線上の任意の点Ｐと、前記基板の中心との距離をＬｐとするとき、
    　前記点Ｐと前記基板の中心とを通る直線と前記シートの外縁とが交わる点Ｑと、前記基板の中心との距離Ｌｑが０．９Ｌｐ以上である、請求項１２に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  14. 　前記電子部品と前記基板との間の空間の高さ（Ｈ）、および、電子部品間の最小距離（Ｗ）よりも前記フィラーの最大粒子径が小さい、請求項１２または１３に記載の電子部品実装基板の封止方法。
  15. 　複数の電子部品と基板とを具備し、かつ前記電子部品と前記基板との間に空間が設けられている電子部品実装基板と、
    　前記空間をアンダーモールド封止するとともに前記電子部品をオーバーモールドする熱硬化性樹脂組成物のシートであるモールドアンダーフィル封止用シートの硬化物と、を具備し、
    　測定温度１２５℃、測定時間１５０秒における、前記シートの測定開始から９０秒後の粘度Ｖ９０と０秒後の粘度Ｖ０との比（Ｖ９０／Ｖ０）である増粘率が、９未満である、電子部品実装基板の封止体。
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