KR20190024694A - 섬유함유 수지기판, 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 봉지후 반도체소자 탑재시트, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

섬유함유 수지기판, 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 봉지후 반도체소자 탑재시트, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조방법 Download PDF

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슈이치 후지이
켄지 하기와라
신스케 야마구치
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

[과제] 대경웨이퍼나 대경기판을 봉지한 경우에도, 기판이나 웨이퍼의 휨 및 기판으로부터의 반도체소자의 박리를 억제할 수 있고, 반도체소자 탑재면 또는 반도체소자 형성면을 웨이퍼레벨로 일괄봉지할 수 있음과 함께, 미경화수지층의 보존안정성이나 경화전의 핸들링성이 우수한 섬유함유 수지기판을 제공한다.
[해결수단] 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재와, 그 편면 상에 형성된 미경화수지층을 갖고, 이 미경화수지층이
(A)결정성을 갖는 비스페놀A형 에폭시 수지 및/또는 비스페놀F형 에폭시 수지,
(B)상기 (A)성분 이외의 25℃에서 비유동성인 에폭시 수지,
(C)1분자 중에 2개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 페놀 화합물,
(D)무기충전재, 및
(E)우레아계 경화촉진제,
를 함유하는 조성물로부터 형성된 것인 섬유함유 수지기판.

Description

섬유함유 수지기판, 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 봉지후 반도체소자 탑재시트, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조방법{FIBER-CONTAINING RESIN SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE AFTER SEALING, SEMICONDUCTOR ELEMENT FORMATION WAFER AFTER SEALING, SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING SHEET AFTER SEALING, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 반도체봉지용 섬유함유 수지기판, 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 봉지후 반도체소자 탑재시트, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 반도체봉지기술은 트랜스퍼 성형이 주류이나, 수지의 유동이 일어나는 트랜스퍼 성형에 있어서는, 패키지사이즈의 한계나 박형 고밀도화에 의한 칩, 와이어에의 영향, 성형에 있어서의 필러의 불균일 분포에 의한 패키지의 휨, 컬이나 러너가 필요한 것에 의한 수지의 사용효율 등 다양한 과제가 있다. 이러한 배경을 바탕으로, 컴프레션(압축) 성형법의 적용이 검토되고, 액상뿐만 아니라, 다양한 시트상 봉지재료가 검토되고 있다(특허문헌 1, 2).
그러나, 컴프레션 성형법에서는, 200mm(8인치) 정도의 소경 웨이퍼나 금속 등의 소경 기판을 사용한 경우는 현상으로도 큰 문제없이 봉지할 수 있으나, 300mm(12인치) 이상의 반도체소자를 탑재한 대경 기판이나 반도체소자를 형성한 대경웨이퍼를 봉지한 경우에는, 봉지경화시의 에폭시 수지 등의 수축응력에 의해 기판이나 웨이퍼에 휨이 발생하는 것이 큰 문제였다. 또한, 반도체소자를 탑재한 대경기판의 반도체소자 탑재면을 웨이퍼레벨로 봉지하는 경우에는, 봉지경화시의 에폭시 수지 등의 수축응력에 의해 반도체소자가 금속 등의 기판으로부터 박리되거나, 다음 공정의 작업을 행할 수 없는 것과 같은 문제가 발생하므로, 양산화할 수 없는 것이 큰 문제였다.
이러한 반도체소자를 탑재한 기판이나 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 대경화에 수반되는 문제를 해결하는 방법으로서, 필러를 봉지용 수지 조성물에 90wt% 근처까지 충전하는 것이나, 봉지용 수지 조성물의 저탄성화에 의해 경화시의 수축응력을 줄이는 것을 들 수 있다(특허문헌 3, 4, 5).
그러나, 필러를 90wt% 근처까지 충전하면 봉지용 수지 조성물의 점도가 상승하고, 봉지용 수지 조성물을 유입하여, 성형이나 봉지를 할 때에 기판에 탑재된 반도체소자에 힘이 가해져, 반도체소자가 기판으로부터 박리하는 것과 같은 트랜스퍼 성형시와 동일한 문제가 새로이 발생한다. 또한, 봉지용 수지 경화물을 저탄성화하면, 봉지된 반도체소자를 탑재한 기판이나 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 휨은 개선되나, 내열성이나 내습성 등의 봉지성능의 저하로 이어진다. 이 때문에, 이들 방법에서는 근본적인 해결에는 도달하지 않았다.
이러한 점으로부터, 대경웨이퍼나 금속 등의 대경기판을 봉지한 경우에도, 기판이나 웨이퍼에 휨이 발생하거나, 반도체소자가 금속 등의 기판으로부터 박리되는 일 없이, 반도체소자를 탑재한 기판의 반도체소자 탑재면, 또는 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 웨이퍼레벨로 일괄 봉지할 수 있고, 또한 봉지후에는 내열성이나 내습성 등의 봉지성능이 우수한 봉지재가 요구되고 있었다.
이들 문제를 해결하기 위해, 섬유기재에 열경화성 수지를 함침시켜 이 열경화성 수지를 본 경화한 열경화성 수지함침 섬유기재와 이 열경화성 수지 함침섬유 기재의 편면 상에 형성된 미경화의 열경화성 수지 조성물로 반도체소자를 탑재한 기판의 반도체소자 탑재면 또는 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 피복하는 것과 같은 수단이 보고되어 있다. 이는 섬유기재와 반도체소자 탑재기판의 열팽창계수를 근접시킴으로써, 성형후의 휨을 억제하는 것과 같은 수법인데, 실제로는 섬유기재에 미경화의 열경화성 수지 조성물을 탑재하는 것이 매우 어렵고, 탑재 후에도 핸들링성이 뒤떨어지는 것이었다.
일본특허공개 H8-073621호 공보 일본특허공개 2006-216899호 공보 일본특허공개 2009-060146호 공보 일본특허공개 2007-001266호 공보 일본특허공개 2012-151451호 공보
본 발명은, 상기 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 대경웨이퍼나 금속 등의 대경기판을 봉지한 경우에도, 기판이나 웨이퍼의 휨 및 기판으로부터의 반도체소자의 박리를 억제할 수 있고, 반도체소자를 탑재한 기판의 반도체소자 탑재면 또는 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 웨이퍼레벨로 일괄봉지할 수 있음과 함께, 미경화수지층의 보존안정성이나 경화전의 핸들링성이 우수한 섬유함유 수지기판을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 이 섬유함유 수지기판에 의해 봉지된 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼 및 봉지후 반도체소자 탑재시트, 및 이 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼 및 봉지후 반도체소자 탑재시트를 개편화한 반도체장치, 및 본 발명의 섬유함유 수지기판을 이용한 반도체장치의 제조방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에서는, 2개 이상의 반도체소자가 탑재된 기판 또는 시트의 반도체소자 탑재면, 혹은 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 일괄봉지하기 위한 섬유함유 수지기판으로서, 섬유기재에 열경화성 에폭시 수지를 함침시켜 이 열경화성 에폭시 수지를 경화 또는 반경화시킨 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재와, 이 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 편면 상에 형성된, 상기 반도체소자 탑재면 또는 상기 반도체소자 형성면을 피복하기 위한 미경화수지층을 갖고, 이 미경화수지층이
(A)결정성을 갖는 비스페놀A형 에폭시 수지 및/또는 비스페놀F형 에폭시 수지,
(B)상기 (A)성분 이외의 25℃에서 비유동성인 에폭시 수지,
(C)1분자 중에 2개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 페놀 화합물,
(D)무기충전재, 및
(E)우레아계 경화촉진제,
를 함유하는 조성물로부터 형성된 것인 섬유함유 수지기판을 제공한다.
이러한 섬유함유 수지기판이면, 대경웨이퍼나 금속 등의 대경기판을 봉지한 경우에도, 기판이나 웨이퍼의 휨 및 기판으로부터의 반도체소자의 박리를 억제할 수 있고, 반도체소자를 탑재한 기판의 반도체소자 탑재면 또는 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 웨이퍼레벨로 일괄봉지할 수 있음과 함께, 미경화수지층의 보존안정성이나 경화전의 핸들링성이 우수한 섬유함유 수지기판으로 할 수 있다.
또한, 상기 (A)성분의 함유량이, 상기 (A), (B) 및 (C)성분의 총합 100질량부에 대하여 10~25질량부이며, 상기 (E)성분의 함유량이, 상기 (A), (B) 및 (C)성분의 총합 100질량부에 대하여 0.05~6질량부인 것이 바람직하다.
이러한 (A)성분의 함유량이면, 미경화수지층의 가요성이 충분함과 함께, 점착성이 강해지거나, 미경화수지층으로서의 유지력이 저하되거나, 미경화수지층을 구성하는 수지의 유리전이온도가 지나치게 낮아질 우려가 없다. 또한 이러한 (E)성분의 함유량이면, 조성물의 경화물의 내열성 및 내습성의 밸런스가 나빠지거나, 성형시의 경화속도가 매우 늦거나 또는 빨라지거나 할 우려가 없다.
또한, 상기 (D)성분의 함유량이, 상기 조성물 100질량부에 대하여 80~93질량부인 것이 바람직하다.
이러한 (D)성분의 함유량이면, 미경화수지층에 충분한 강도를 부여할 수 있음과 함께, 증점에 의한 충전불량이나 유연성을 잃게 됨으로써 반도체장치내에서의 박리 등의 불량이 발생할 우려가 없다.
또한, 상기 (E)성분이, 하기 일반식(1)로 표시되는 것이 바람직하다.
R1NHCONR2R3 (1)
(식 중, R1은 수소원자, 탄소수 1~18의 알킬기 또는 탄소수 6~18의 아릴기이며, R2 및 R3은 탄소수 1~6의 알킬기이다. R1~R3은 서로 동일할 수도 상이할 수도 있다.)
이러한 (E)성분을 포함하는 것으로 함으로써, 미경화수지층의 보존안정성과 경화성을 더욱 밸런스 좋게 달성할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 2개 이상의 반도체소자가 탑재된 기판의 반도체소자 탑재면이, 상술의 섬유함유 수지기판의 미경화수지층에 의해 일괄봉지된 것인 봉지후 반도체소자 탑재기판을 제공한다.
이러한 봉지후 반도체소자 탑재기판이면, 대경의 반도체소자 탑재기판을 일괄봉지한 경우에도, 기판의 휨 및 기판으로부터의 반도체소자의 박리가 억제된 봉지후 반도체소자 탑재기판이 된다.
또한, 본 발명에서는, 2개 이상의 반도체소자가 형성된 웨이퍼의 반도체소자 형성면이, 상술의 섬유함유 수지기판의 미경화수지층에 의해 일괄봉지된 것인 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼를 제공한다.
이러한 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼이면, 대구경의 반도체소자 형성 웨이퍼를 일괄봉지한 경우에도, 웨이퍼의 휨이 억제된 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼가 된다.
또한, 본 발명에서는, 2개 이상의 반도체소자가 탑재된 시트의 반도체소자 탑재면이, 상술의 섬유함유 수지기판의 미경화수지층에 의해 일괄봉지된 것인 봉지후 반도체소자 탑재시트를 제공한다.
이러한 봉지후 반도체소자 탑재시트이면, 대면적의 반도체소자 탑재시트를 일괄봉지한 경우에도, 시트의 휨 및 시트로부터의 반도체소자의 박리가 억제된 봉지후 반도체소자 탑재시트가 된다.
또한, 본 발명에서는, 반도체장치로서, 상술의 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 또는 봉지후 반도체소자 탑재시트가 개편화된 것인 반도체장치를 제공한다.
이러한 반도체장치이면, 보다 내열성이나 내습성 등의 봉지성능이 우수한 섬유함유 수지기판에 의해 봉지되고, 기판이나 웨이퍼, 시트의 휨이 없고, 기판이나 시트로부터의 소자의 박리가 억제된 고품질의 반도체장치가 된다.
또한, 본 발명에서는, 반도체장치를 제조하는 방법으로서, 상술의 섬유함유 수지기판의 미경화수지층에 의해 상기 2개 이상의 반도체소자를 탑재한 기판 또는 시트의 반도체소자 탑재면 혹은 상기 2개 이상의 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 피복하는 피복공정, 상기 미경화수지층을 가열, 경화함으로써, 상기 반도체소자 탑재면 또는 상기 반도체소자 형성면을 일괄봉지하고, 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 또는 봉지후 반도체소자 탑재시트로 하는 봉지공정, 및 상기 봉지후 반도체소자 탑재기판, 상기 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼 또는 상기 봉지후 반도체소자 탑재시트를 다이싱하고, 개편화함으로써, 반도체장치를 제조하는 개편화공정을 갖는 반도체장치의 제조방법을 제공한다.
이러한 반도체장치의 제조방법이면, 상술한 바와 같은 고품질의 반도체장치를 용이하게 제조할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 섬유함유 수지기판이면, 대경웨이퍼나 금속 등의 대경기판을 봉지한 경우에도, 기판이나 웨이퍼의 휨, 기판으로부터의 반도체소자의 박리를 억제할 수 있고, 반도체소자를 탑재한 기판이나 시트의 반도체소자 탑재면, 또는 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 웨이퍼레벨로 일괄봉지할 수 있음과 함께, 미경화수지층의 보존안정성이나 경화전의 핸들링성, 특히, 미경화수지층을 형성후, 핸들링시에 있어서의 미경화수지층의 내크랙성이 우수한 섬유함유 수지기판을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 섬유함유 수지기판에 의해 봉지된 본 발명의 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 및 봉지후 반도체소자 탑재시트이면, 기판이나 웨이퍼, 시트의 휨이 없고, 기판이나 시트로부터의 반도체소자의 박리가 억제된 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 및 봉지후 반도체소자 탑재시트를 제공할 수 있다. 또한 본 발명의 반도체장치이면, 보다 내열성이나 내습성 등의 봉지성능이 우수한 섬유함유 수지기판에 의해 봉지되고, 기판이나 웨이퍼, 시트의 휨이 없고, 기판이나 시트로부터의 소자의 박리가 억제된 고품질의 반도체장치가 된다. 또한 본 발명의 반도체장치의 제조방법이면, 이러한 고품질의 반도체장치를 용이하게 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 섬유함유 수지기판의 일례의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 봉지후 반도체소자 탑재기판의 일례의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼의 일례의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 봉지후 반도체소자 탑재기판이 개편화된 반도체장치의 일례의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼가 개편화된 반도체장치의 일례의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 반도체장치의 제조방법의 일례의 설명도이다.
상술한 바와 같이, 대경웨이퍼나 금속 등의 대경기판을 봉지한 경우에도, 기판이나 웨이퍼의 휨 및 기판으로부터의 반도체소자의 박리를 억제할 수 있고, 반도체소자를 탑재한 기판의 반도체소자 탑재면 또는 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 웨이퍼레벨로 일괄봉지할 수 있음과 함께, 미경화수지층의 보존안정성이나 경화전의 핸들링성이 우수한 섬유함유 수지기판의 개발이 요구되고 있었다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 특정 조합의 에폭시 수지 및 우레아계 경화촉진제를 함유하는 조성물로부터 형성된 미경화수지층을 갖는 섬유함유 수지기판이면, 상기 과제를 달성할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은, 2개 이상의 반도체소자가 탑재된 기판 또는 시트의 반도체소자 탑재면, 혹은 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 일괄봉지하기 위한 섬유함유 수지기판으로서, 섬유기재에 열경화성 에폭시 수지를 함침시켜 이 열경화성 에폭시 수지를 경화 또는 반경화시킨 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재와, 이 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 편면 상에 형성된, 상기 반도체소자 탑재면 또는 상기 반도체소자 형성면을 피복하기 위한 미경화수지층을 갖고, 이 미경화수지층이
(A)결정성을 갖는 비스페놀A형 에폭시 수지 및/또는 비스페놀F형 에폭시 수지,
(B)상기 (A)성분 이외의 25℃에서 비유동성인 에폭시 수지,
(C)1분자 중에 2개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 페놀 화합물,
(D)무기충전재, 및
(E)우레아계 경화촉진제,
를 함유하는 조성물로부터 형성된 것인 섬유함유 수지기판이다.
이하, 본 발명의 섬유함유 수지기판, 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 봉지후 반도체소자 탑재시트, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조방법에 대하여 상세하게 설명하나, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
<<섬유함유 수지기판>>
본 발명의 섬유함유 수지기판의 일례의 단면도를 도 1에 나타낸다. 도 1의 섬유함유 수지기판(10)은, 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재(1)와, 이 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재(1)의 편면 상에 형성된 미경화수지층(2)을 갖는 것이다.
[열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재]
본 발명의 섬유함유 수지기판은 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재를 갖는다. 이 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재는, 섬유기재에 열경화성 에폭시 수지를 함침시켜, 이 열경화성 에폭시 수지를 경화 또는 반경화시킨 것이다. 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 열팽창계수는 반도체소자 탑재기판이나 반도체소자 형성 웨이퍼, 반도체소자 탑재시트의 열팽창계수에 맞출 수 있으므로, 후술하는 미경화수지층을 경화시켰을 때의 수축응력을 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명의 섬유함유 수지기판에 의해 대경웨이퍼나 금속 등의 대형기판 혹은 대면적의 시트를 봉지한 경우에도, 기판이나 웨이퍼, 시트의 휨이나 기판이나 시트로부터의 반도체소자의 박리를 억제할 수 있다. 또한, 개편화 전후에 있어서 봉지성형물을 지지하는 역할을 갖고, 핸들링시에 봉지수지층, 즉, 미경화수지층의 내크랙성을 향상시킬 수 있다.
<섬유기재>
본 발명에 이용하는 섬유기재로는, 예를 들어 탄소섬유, 유리섬유, 석영유리섬유, 금속섬유 등의 무기섬유, 방향족 폴리아미드섬유, 폴리이미드섬유, 폴리아미드이미드섬유 등의 유기섬유, 더 나아가 탄화규소섬유, 탄화티탄섬유, 보론섬유, 알루미나섬유 등으로 이루어진 기재가 예시되고, 제품특성에 따라 어떠한 것이나 사용할 수 있으나, 바람직하게는 유리섬유, 석영섬유, 탄소섬유로 이루어진 기재이며, 보다 바람직하게는 절연성이 높은 유리섬유나 석영유리섬유로 이루어진 기재이다.
이러한 섬유기재의 형태로는, 예를 들어 장섬유 필라멘트를 일정방향으로 늘어놓은 로빙, 섬유크로스, 부직포 등의 시트상인 것, 더 나아가 찹드 스트랜드 매트(chopped strand mats) 등이 예시되나, 두께를 조정하기 위해, 적층체를 형성할 수 있는 것이면 바람직하다.
<열경화성 에폭시 수지>
일반적인 열경화성 수지로는, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지와 실리콘 수지로 이루어진 혼성 수지가 예시되나, 봉지용 수지, 즉, 미경화수지층의 수지와의 상성으로부터, 본 발명에서는 섬유기재에 함침시키는 수지로서, 열경화성 에폭시 수지를 사용한다. 열경화성 에폭시 수지로는, 통상 반도체소자의 봉지에 사용되는 것이면, 특별히 제한은 없다.
<열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 제작방법>
섬유기재에 열경화성 에폭시 수지를 함침시키는 방법으로는, 용제법과 핫멜트법을 들 수 있고, 어떠한 방법이나 실시할 수 있다. 용제법이란 열경화성 에폭시 수지를 유기 용제에 용해한 수지바니시를 조제하고, 이 수지바니시를 섬유기재에 함침시키고, 그 후, 유기 용제를 휘산제거하는 방법이며, 핫멜트법이란 고형의 열경화에폭시성 수지를 가열용해하여, 섬유기재에 함침시키는 방법이다.
섬유기재에 함침한 열경화성 에폭시 수지를 경화 또는 반경화시키는 방법으로는, 특별히 제한되지는 않으나, 섬유기재에 함침한 열경화성 에폭시 수지를 가열에 의해 탈용매 등 하여 경화 또는 반경화하는 방법 등이 예시된다.
본 발명에 있어서 반경화란, JIS K 6800:2006 「접착제·접착용어」에 정의되어 있는 바와 같은 B-스테이지(열경화성 수지의 경화중간체, 이 상태에서의 수지는 가열하면 연화되고, 일종의 용제에 닿으면 팽윤하나, 완전히 용융, 용해되는 일은 없음) 상태를 말하는 것이다.
열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 두께는 사용하는 섬유크로스 등의 섬유기재의 두께에 따라 결정되고, 두꺼운 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재를 제작하는 경우는 섬유크로스 등의 섬유기재의 사용매수는 늘려서, 적층하여 제작할 수 있다.
열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 두께는, 섬유기재에 함침시킨 열경화성 에폭시 수지를 경화 또는 반경화한 어떠한 경우에도 20μm~1mm인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 25μm~500μm이다. 20μm 이상이면, 충분한 휨교정의 효과가 얻어짐과 함께, 미경화수지층의 내크랙성도 양호한 것이 된다.
열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재는, 2개 이상의 반도체소자가 탑재된 기판 또는 시트의 반도체소자 탑재면, 혹은 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 일괄봉지한 후의 휨을 저감시키고, 2개 이상의 반도체소자를 배열, 접착시킨 기판이나 웨이퍼, 시트를 보강하기 위하여 중요하다. 이 때문에, 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재는 딱딱하고 강직한 것이 바람직하다.
또한, 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 X-Y방향의 열팽창계수에 제한은 없으나, 사용하는 기판, 웨이퍼, 및 시트의 열팽창계수에 가까운 값인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3ppm 이하이다. 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 X-Y방향의 열팽창계수가 이를 만족시킴으로써, 미경화수지층, 즉, 봉지층의 팽창·수축을 억제할 수 있고, 휨을 억제할 수 있다. 한편, X-Y방향이란 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 면방향을 말한다. 또한, X-Y방향의 열팽창계수는, 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 면방향으로 임의로 X축, Y축을 취하여 측정한 열팽창계수를 말한다.
[미경화수지층]
본 발명의 섬유함유 수지기판은 미경화수지층을 갖는다. 이 미경화수지층은, 반도체소자를 피복하기 위한 것이며, 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 편면 상에 형성된다.
미경화수지층의 형성에는, 핸들링성이나 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재와의 밀착성 등의 관점에서, 후술하는 (A)~(E)성분을 함유하는 조성물(미경화수지층 형성용 조성물)을 사용한다. 이하, 미경화수지층 형성용 조성물에 사용하는 각 성분에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
<(A)성분>
본 발명에 있어서, 미경화수지층 형성용 조성물에 이용되는 (A)성분은, 결정성을 갖는 비스페놀A형 에폭시 수지 및/또는 비스페놀F형 에폭시 수지이다. 이러한 (A)성분을 사용함으로써, 조성물을, 미경화수지층을 형성하기 위하여, 예를 들어 후술하는 방법으로 시트상으로 성형했을 때에, 시트에 유연성을 부여할 수 있을뿐만 아니라, 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재와의 밀착성이 양호하여, 후술하는 (D)성분인 무기충전재를 고충전해도 양호한 봉지성형성을 갖는 것으로 할 수 있다. 또한 (A)성분은, 분자량 등에 제한되지 않고 이용할 수 있으나, 바람직하게는 비스페놀A형 에폭시 수지이다.
또한, (A)성분으로는, 예를 들어, YL-6810(이상, 미쯔비시화학(주)제), YSLV-70XY, YSLV-80XY(이상, 신닛테쯔스미킨화학(주)제) 등의 시판품을 사용할 수 있다.
(A)성분의 함유량은, (A)성분과, 후술하는 (B)성분인 (A)성분 이외의 25℃에서 비유동성인 에폭시 수지 및 (C)성분인 1분자 중에 2개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 페놀 화합물과의 총합 100질량부에 대하여 10~25질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 12~22질량부이며, 더욱 바람직하게는 14~20질량부이다. 10질량부 이상이면, 조성물을 시트상으로 성형했을 때에, 시트에 충분한 가요성을 부여할 수 있고, 25질량부 이하이면, 충분한 가요성을 유지하면서도, 점착성(タック性)이 강해지거나, 시트로서의 유지력이 저하되거나, 시트를 구성하는 수지의 유리전이온도가 지나치게 낮아질 우려가 없다.
<(B)성분>
본 발명에 있어서, 미경화수지층 형성용 조성물에 이용되는 (B)성분은, 상기 (A)성분 이외의 25℃에서 비유동성인 에폭시 수지이다. 25℃에서 유동성을 갖는 에폭시 수지를 사용하면, 조성물을 시트상으로 성형했을 때에, 점착성이나 부착성이 강하여, 이형 필름으로부터 벗기기 어려워지는 등 핸들링성이 결여된 시트가 되므로, 본 발명에서는 25℃에서 비유동성인 에폭시 수지를 사용한다.
(B)성분의 에폭시 수지의 예로는, 일반적인 고형의 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-비페놀형 에폭시 수지, 및 4,4'-비페놀형 에폭시 수지 등의 비페놀형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌디올형 에폭시 수지, 트리스페닐올메탄(トリスフェニロ-ルメタン)형 에폭시 수지, 테트라키스페닐올에탄형 에폭시 수지, 및 페놀디시클로펜타디엔노볼락형 에폭시 수지의 방향환을 수소화한 에폭시 수지, 및 지환식 에폭시 수지, 트리아딘유도체 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 조성물을 시트상으로 성형했을 때의 시트의 점착성을 비롯한 핸들링성의 향상의 점에서, 연화점 50~120℃를 갖는 것이 바람직하다.
<(C)성분>
본 발명에 있어서, 미경화수지층 형성용 조성물에 이용되는 (C)성분은, 1분자 중에 2개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 페놀 화합물이다. 이 (C)성분은 상술의 (A)성분 및 (B)성분에 대한 경화제로서 사용하는 것이며, 1분자 중에 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 것이면 일반적으로 공지의 것을 사용할 수 있다. 이러한 (C)성분으로는, 예를 들어, 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 나프톨아랄킬 수지, 테르펜변성 페놀 수지, 디시클로펜타디엔변성 페놀 수지 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 이용할 수도 있고, 2종류 이상을 혼합하여 이용할 수도 있다. 이들 페놀계의 수지는, 분자량, 연화점, 수산기량 등에 제한없이 사용할 수 있으나, 연화점이 낮고 비교적 저점도인 것이 바람직하다.
(C)성분의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분 중의 에폭시기에 대하여, (C)성분 중의 페놀성 수산기의 당량비가, 0.5~2.0이 되는 양이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.7~1.5가 되는 양이다. 당량비 0.5 이상, 2.0 이하가 되는 양이면, 미경화수지층의 경화성, 기계특성, 및 내습성 등이 저하될 우려가 없다.
<(D)성분>
본 발명에 있어서, 미경화수지층 형성용 조성물에 이용되는 (D)성분은, 무기충전재이다. 이 (D)성분은, 미경화수지층의 경화후의 강도를 높이기 위하여 배합된다. 이러한 (D)성분으로는, 통상 에폭시 수지 조성물이나 실리콘 수지 조성물에 배합되는 것을 사용할 수 있고, 예를 들어, 구상 실리카, 용융 실리카 및 결정성 실리카 등의 실리카류, 알루미나, 질화규소, 질화알루미늄, 보론나이트라이드, 유리섬유 및 유리입자 등을 들 수 있으나, 실리카류가 바람직하다.
(D)성분의 평균입경 및 형상은 특별히 한정되지 않으나, 평균입경은 0.5~40μm가 바람직하고, 보다 바람직하게는 3~40μm이다. (D)성분으로는, 평균입경이 0.5~40μm인 구상 실리카가 호적하게 이용된다. 한편, 본 발명에 있어서 평균입경은, 레이저광 회절법에 의한 입도분포측정에 있어서의 질량평균값D50(또는 메디안 직경(メジアン徑))으로서 구한 값이다.
또한, 미경화수지층 형성용 조성물의 고유동화의 관점에서, (D)성분으로서 복수의 입경범위의 무기충전재를 조합한 것을 사용해도 되고, 이러한 경우에는, 0.1~3μm의 미세영역, 3~7μm의 중입경영역, 및 10~40μm의 조(粗)영역의 구상 실리카를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 향상된 고유동화를 위해서는, 평균입경이 더욱 큰 구상 실리카를 이용하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 섬유함유 수지기판은 컴프레션 성형이나 라미네이트 성형으로의 성형을 주안하고 있으며, 이들 성형방법에서는 몰드언더필(MUF)성이 요구되는 경우가 많아지고 있다. MUF성을 향상시키는 관점에서는, 구상 실리카의 평균입경이 0.5~6μm, 탑컷사이즈가 5~20μm인 것을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, (D)성분으로는, 상술의 (A), (B) 및 (C)성분의 수지성분과의 결합강도를 강하게 하기 위해, 후술하는 (I)성분의 커플링제로 미리 표면처리한 것을 이용할 수도 있다. 커플링제로는, 실란커플링제, 티타네이트커플링제 등을 들 수 있다.
(D)성분의 함유량은, (A), (B), 및 (C)성분의 총합 100질량부에 대하여, 400~1,300질량부, 특히 500~1,200질량부인 것이 바람직하다. 400질량부 이상이면, 미경화수지층에 충분한 강도를 부여할 수 있고, 1,300질량부 이하이면, 증점에 의한 충전불량이나 유연성을 잃게 됨으로써 반도체장치 내에서의 박리 등의 불량이 발생할 우려가 없다. 한편, (D)성분의 함유량은, 조성물 100질량부에 대하여 80~93질량부인 것이 바람직하고, 83~92질량부인 것이 보다 바람직하다. 80질량부 이상이면 미경화수지층에 충분한 강도를 부여할 수 있고, 93질량부 이하이면, 증점에 의한 충전불량이나 유연성을 잃게 됨으로써 반도체장치내에서의 박리 등의 불량이 발생할 우려가 없다.
<(E)성분>
본 발명에 있어서, 미경화수지층 형성용 조성물에 이용되는 (E)성분은, 우레아계 경화촉진제이다. 이 (E)성분은, 상술의 (A), (B)성분의 에폭시 수지와 (C)성분의 경화제의 경화반응을 촉진하기 위해 배합된다. 이러한 (E)성분을 이용함으로써, 미경화수지층의 보존안정성을 향상시키면서, 봉지성형시에는 미경화는 되지 않고 확실히 경화시킬 수 있다. 즉, 성형성이 우수한 것으로 할 수 있다.
(E)성분으로는, 하기 일반식(1)로 표시되는 구조를 갖는 것을 이용하는 것이 바람직하다.
R1NHCONR2R3 (1)
(식 중, R1은 수소원자, 탄소수 1~18의 알킬기 또는 탄소수 6~18의 아릴기이며, R2 및 R3은 탄소수 1~6의 알킬기이다. R1~R3은 서로 동일할 수도 상이할 수도 있다.)
식 중, R1은 수소원자, 탄소수 1~18의 알킬기 또는 탄소수 6~18의 아릴기이며, R2 및 R3은 탄소수 1~6의 알킬기이다. R1 내지 R3은 서로 동일할 수도 상이할 수도 있다. R1에 관해서는 보존안정성의 관점에서 시클로헥실기인 것이 바람직하고, R2 및 R3에 관해서는, 보존안정성 및 경화성의 관점에서 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 일반식(1)로 표시되는 우레아계 경화촉진제의 구체예로는, 1,1-디메틸요소, 1,1,3-트리메틸요소, 1,1-디메틸-3-에틸요소, 1,1-디메틸-3-페닐요소, 1,1-디에틸-3-메틸요소, 1,1-디에틸-3-페닐요소, 1,1-디메틸-3-(3,4-디메틸페닐)요소, 1,1-디메틸3-(p-클로로페닐)요소, 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸요소(DCMU) 등을 들 수 있다.
(E)성분의 함유량은, 상술의 (A), (B) 및 (C)성분의 총합 100질량부에 대하여 0.05~6질량부인 것이 바람직하고, 특히 0.1~5질량부인 것이 보다 바람직하다. 0.05~6질량부이면, 미경화수지층의 경화물의 내열성 및 내습성의 밸런스가 나빠지거나, 성형시의 경화속도가 매우 늦거나 또는 빨라지거나 할 우려가 없다.
또한, 미경화수지층 형성용 조성물에는, 상기의 (A)~(E)성분에 더하여, 하기의 임의의 성분을 배합할 수 있다.
<(F)성분>
미경화수지층 형성용 조성물에는, 상술의 (E)성분에 더하여, (F)성분으로서, 상술의 (E)성분 이외의(즉, 우레아계 이외의) 경화촉진제를 배합할 수 있다. 이러한 (F)성분으로는, 통상 에폭시 수지의 경화촉진제로서 이용되는 어떠한 것이나 사용할 수 있고, 구체적으로는, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센 등의 아민계 화합물, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄·테트라보레이트염 등의 유기인계 화합물, 2-메틸이미다졸 등의 이미다졸 화합물 등을 들 수 있다.
<(G)성분>
미경화수지층 형성용 조성물에는, (G)성분으로서 이형제를 배합할 수 있다. 이 (G)성분은, 성형시의 이형성을 높이기 위해 배합하는 것인데, 본 발명에서는, 용융혼련에 의한 제조시의 과부하에 따른 수지의 불필요한 경화 등을 방지하기 위해 배합하는 것이다. 이러한 (G)성분으로는, 카나우바왁스, 라이스왁스를 비롯한 천연왁스, 산왁스, 폴리에틸렌왁스, 지방산에스테르를 비롯한 합성왁스를 들 수 있는데, 수지로부터의 용출성의 점에서 카나우바왁스가 바람직하다.
(G)성분의 함유량은, 상술의 (A), (B) 및 (C)성분의 총합 100질량부에 대하여, 0.05~5.0질량부, 특히 0.4~3.0질량부인 것이 바람직하다. 0.05질량부 이상이면, 충분한 이형성이 얻어지지 않거나, 제조시의 용융혼련시에 과부하가 발생하거나 할 우려가 없고, 5.0질량부 이하이면, 스며냄(沁み出し) 불량이나 접착성 불량 등이 일어날 우려가 없다.
<(H)성분>
미경화수지층 형성용 조성물에는, (H)성분으로서 난연제를 배합할 수 있다. 이 (H)성분은, 미경화수지층의 난연성을 높이기 위해 배합하는 것이다. 이러한 (H)성분으로는, 특별히 제한되지 않고 공지의 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 포스파젠 화합물, 실리콘 화합물, 몰리브덴산아연담지 탈크, 몰리브덴산아연담지 산화아연, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 산화몰리브덴, 삼산화안티몬 등을 들 수 있고, 이들을 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
(H)성분의 함유량은 상술의 (A), (B) 및 (C)성분의 총합 100질량부에 대하여 2~20질량부인 것이 바람직하고, 3~10질량부인 것이 보다 바람직하다.
<(I)성분>
미경화수지층 형성용 조성물에는, (I)성분으로서 실란커플링제, 티타네이트커플링제 등의 커플링제를 배합할 수 있다. 이 (I)성분은, 상술의 (A), (B) 및 (C)성분의 수지성분과 (D)성분인 무기충전재의 결합강도를 강하게 하거나, 실리콘웨이퍼나 유기기판과의 접착성을 높이거나 하기 위해 배합하는 것이다. 이러한 (I)성분으로는, 예를 들어, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시관능성 알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 등의 메르캅토관능성 알콕시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아민관능성 알콕시실란, N-β(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노관능성 알콕시실란 등을 들 수 있다.
표면처리에 이용하는 커플링제의 배합량 및 표면처리방법에 대해서는 특별히 제한되는 것은 아니고, 상법에 따라 행하면 된다. 또한, 전술한 바와 같이 미리 커플링제로 무기충전재를 처리할 수도 있고, 상술의 (A), (B) 및 (C)성분의 수지성분과 (D)성분의 무기충전재를 혼련할 때에, 커플링제를 첨가하여 표면처리하면서 조성물을 혼련할 수도 있다.
(I)성분의 함유량은, 상술의 (A), (B) 및 (C)성분의 총합 100질량부에 대하여, 0.1~8.0질량부로 하는 것이 바람직하고, 특히 0.5~6.0질량부로 하는 것이 바람직하다. 0.1 질량부 이상이면, 기재에 대한 접착효과가 충분히 얻어지고, 8.0질량부 이하이면, 점도가 극단적으로 저하되어 보이드의 원인이 될 우려가 없다.
<기타 첨가제>
미경화수지층 형성용 조성물에는, 추가로 필요에 따라 각종의 첨가제를 배합할 수 있다. 예를 들어, 수지의 성질을 개선하는 목적으로 오가노폴리실록산, 실리콘오일, 열가소성 수지, 열가소성 엘라스토머, 유기합성고무, 또는 광안정제 등의 첨가제, 전기특성을 개선하는 목적으로 이온트랩재, 착색의 관점에서 카본블랙과 같은 안료 등을 첨가배합할 수 있다.
<<섬유함유 수지기판의 제작방법>>
본 발명의 섬유함유 수지기판을 제작하는 방법으로는, 섬유기재에 열경화성 에폭시 수지를 함침시켜 이 열경화성 에폭시 수지를 경화 또는 반경화시킨 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 편면 상에, 감압 또는 진공하에서, 인쇄나 디스펜스 등으로 미경화수지층 형성용 액상의 조성물을 도포하고, 가열함으로써, 50℃ 이하에서 고형인 미경화수지층을 형성하고, 섬유함유 수지기판을 제작하는 방법을 들 수 있다. 또한, 섬유기재에 열경화성 에폭시 수지를 함침시켜 이 열경화성 에폭시 수지를 경화시킨 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 편면 상에, 미경화수지층 형성용 조성물을 프레스성형 또는 인쇄하는 등, 종래의 열경화성 에폭시 수지에서 이용되어 온 각종 방법으로 미경화수지층을 형성할 수도 있다. 미경화수지층의 형성 후, 통상 150~180℃ 정도의 온도에서 4~8시간 포스트큐어시키는 것이 바람직하다. 또한, 미경화수지층 형성용 실온에서 고형의 조성물을 가열하면서 가압하는 방법이나 미경화수지층 형성용 고형의 조성물에 아세톤 등의 극성 용제를 적량 첨가함으로써 액상화하고 인쇄 등으로 박막을 형성하고, 용제를 감압하에서 가열하는 등의 방법으로 제거함으로써 균일하게 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 편면 상에 미경화수지층을 형성할 수도 있다.
실온에서 고형의 미경화수지층 형성용 조성물로는, 조성물을 시트상으로 성형한 것을 이용하는 것이 바람직하다. 이 시트의 제작방법으로는, 상술의 (A), (B)성분의 에폭시 수지, (C)성분의 페놀 화합물, (D)성분의 무기충전재, (E)성분의 우레아계 경화촉진제, 및 기타 첨가물을 소정의 조성비로 배합하고, 이것을 믹서 등에 의해 충분히 균일하게 혼합한 후, 선단에 T다이를 설치한 이축압출기를 이용하여 시트상으로 성형하는 T다이 압출법을 들 수 있다. 혹은, 열롤, 니더, 엑스트루더 등에 의한 용융혼합처리를 행하고, 이어서 냉각고화시키고, 적당한 크기로 분쇄하여 얻어진 조성물의 분쇄품을 가압부재간에 70~120℃에서 가열용융하고 압축하여 시트상으로 성형함으로써 시트상의 미경화수지 형성용 조성물을 얻을 수도 있다.
이와 같이 하여 얻어진 시트상의 미경화수지 형성용 조성물의 두께는, 0.1~5.0mm인 것이 바람직하다.
이상과 같이, 본 발명의 섬유함유 수지기판이면, 대경웨이퍼나 금속 등의 대경기판을 봉지한 경우에도, 기판이나 웨이퍼의 휨, 기판으로부터의 반도체소자의 박리를 억제할 수 있고, 반도체소자를 탑재한 기판이나 시트의 반도체소자 탑재면, 또는 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 웨이퍼레벨로 일괄봉지할 수 있음과 함께, 미경화수지층의 보존안정성이나 경화전의 핸들링성, 특히, 미경화수지층을 형성후, 핸들링시에 있어서의 미경화수지층의 내크랙성이 우수한 섬유함유 수지기판을 제공할 수 있다.
<<봉지후 반도체소자 탑재기판>>
본 발명에서는, 2개 이상의 반도체소자가 탑재된 기판의 반도체소자 탑재면이, 상술의 섬유함유 수지기판의 미경화수지층에 의해 일괄봉지된 것을 특징으로 하는 봉지후 반도체소자 탑재기판을 제공한다.
본 발명의 봉지후 반도체소자 탑재기판의 일례의 단면도를 도 2에 나타낸다. 도 2의 봉지후 반도체소자 탑재기판(11)은, 2개 이상의 반도체소자(3)가 탑재된 기판(5)의 반도체소자 탑재면이, 도 1의 섬유함유 수지기판(10)의 미경화수지층(2)의 경화물(즉, 경화후의 수지층(2'))에 의해 일괄봉지된 것이다.
이러한 본 발명의 섬유함유 수지기판에 의해 일괄봉지된 봉지후 반도체소자 탑재기판이면, 기판의 휨이 발생하거나, 기판으로부터 반도체소자가 박리되거나 하는 것이 억제된 봉지후 반도체소자 탑재기판이 된다.
[반도체소자를 탑재한 기판]
반도체소자가 탑재된 기판으로는, 예를 들어 도 2 중의 2개 이상의 반도체소자(3)가 접착제(4)로 기판(5)(예를 들어 무기, 금속, 혹은 유기기판) 상에 탑재된 기판을 들 수 있다. 한편, 반도체소자가 탑재된 기판이란, 반도체소자를 탑재하고 배열 등을 한 반도체소자 어레이를 포함하는 것이다.
<<봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼>>
본 발명에서는, 2개 이상의 반도체소자가 형성된 웨이퍼의 반도체소자 형성면이, 상술의 섬유함유 수지기판의 미경화수지층에 의해 일괄봉지된 것을 특징으로 하는 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼를 제공한다.
본 발명의 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼의 일례의 단면도를 도 3에 나타낸다. 도 3의 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼(12)는, 2개 이상의 반도체소자(3)가 탑재된 웨이퍼(6)의 반도체소자 형성면이, 도 1의 섬유함유 수지기판(10)의 미경화수지층(2)의 경화물(즉, 경화후의 수지층(2'))에 의해 일괄봉지된 것이다.
이러한 본 발명의 섬유함유 수지기판에 의해 일괄봉지된 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼이면, 웨이퍼의 휨이 발생하는 것이 억제된 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼가 된다.
<<봉지후 반도체소자 탑재시트>>
본 발명에서는, 2개 이상의 반도체소자가 탑재된 시트의 반도체소자 탑재면이, 상술의 섬유함유 수지기판의 미경화수지층에 의해 일괄봉지된 것을 특징으로 하는 봉지후 반도체소자 탑재시트를 제공한다.
본 발명의 봉지후 반도체소자 탑재시트의 일례의 단면도는, 도 2의 봉지후 반도체소자 탑재기판(11)의 기판(5)을 대신하여 시트를 이용한 것으로서 나타난다.
이러한 본 발명의 섬유함유 수지기판에 의해 일괄봉지된 봉지후 반도체소자 탑재시트이면, 시트의 휨이 발생하거나, 시트로부터 반도체소자가 박리되거나 하는 것이 억제된 봉지후 반도체소자 탑재시트가 된다.
<<반도체장치>>
본 발명에서는, 반도체장치로서, 상술의 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 또는 봉지후 반도체소자 탑재시트가 개편화된 것인 반도체장치를 제공한다.
본 발명의 반도체장치의 일례의 단면도를 도 4, 5에 나타낸다. 도 4의 반도체장치(13)는 도 2의 봉지후 반도체소자 탑재기판(11)을 다이싱하여, 개편화한 것이다. 또한 도 5의 반도체장치(13')는 도 3의 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼(12)를 다이싱하여, 개편화한 것이다. 이와 같이 하여 제작된 반도체장치(13, 13')는 내열성이나 내습성 등의 봉지성능이 우수한 섬유함유 수지기판에 의해 봉지되고, 또한 기판이나 웨이퍼, 시트의 휨, 기판이나 시트로부터의 반도체소자의 박리가 억제된 고품질의 반도체장치가 된다. 반도체장치(13)는 기판(5) 상에 접착제(4)를 개재하여 반도체소자(3)가 탑재되고, 그 위로부터 경화후의 수지층(2')과 수지함침 섬유기재(1)에 의해 봉지된 반도체장치가 된다(도 4). 또한, 반도체장치(13')는 웨이퍼(6)에 반도체소자(3)가 형성되고, 그 위로부터 경화후의 수지층(2')과 수지함침 섬유기재(1)에 의해 봉지된 반도체장치가 된다(도 5).
<<반도체장치의 제조방법>>
또한, 본 발명에서는, 반도체장치를 제조하는 방법으로서, 상술의 섬유함유 수지기판의 미경화수지층에 의해 상기 2개 이상의 반도체소자를 탑재한 기판 또는 시트의 반도체소자 탑재면 혹은 상기 2개 이상의 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 피복하는 피복공정, 상기 미경화수지층을 가열, 경화함으로써, 상기 반도체소자 탑재면 또는 상기 반도체소자 형성면을 일괄봉지하고, 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 또는 봉지후 반도체소자 탑재시트로 하는 봉지공정, 및 상기 봉지후 반도체소자 탑재기판, 상기 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼 또는 상기 봉지후 반도체소자 탑재시트를 다이싱하고, 개편화함으로써, 반도체장치를 제조하는 개편화공정을 갖는 반도체장치의 제조방법을 제공한다. 이하, 도 6을 이용하여 본 발명의 반도체장치의 제조방법에 대하여 설명한다.
<피복공정>
본 발명의 반도체장치의 제조방법의 피복공정은, 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재(1)와 미경화수지층(2)을 갖는 섬유함유 수지기판(10)의 미경화수지층(2)에 의해, 접착제(4)를 개재하여 반도체소자(3)가 탑재된 기판(5)의 반도체소자 탑재면을 피복하는 공정이다(도 6(A)).
<봉지공정>
본 발명의 반도체장치의 제조방법의 봉지공정은, 섬유함유 수지기판(10)의 미경화수지층(2)을 가열, 경화하여 경화후의 수지층(2')으로 함으로써, 반도체소자(3)가 탑재된 기판(5)의 반도체소자 탑재면을 일괄봉지하고, 봉지후 반도체소자 탑재기판(11)으로 하는 공정이다(도 6(B)).
<개편화공정>
본 발명의 반도체장치의 제조방법의 개편화공정은, 봉지후 반도체소자 탑재기판(11)을 다이싱하고, 개편화함으로써, 반도체장치(13)를 제조하는 공정이다(도 6(C) 및 (D)).
한편, 여기서는 반도체소자가 탑재된 기판을 이용하여 반도체장치를 제조하는 방법에 대하여 설명하였으나, 반도체소자를 형성한 웨이퍼 또는 반도체소자를 탑재한 시트를 이용하는 경우에도 상기와 동일하게 하여 반도체장치를 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 반도체장치의 제조방법에 대하여, 보다 구체적으로 설명한다. 전술한 피복공정, 봉지공정에 있어서는, 솔더레지스트필름이나 각종 절연필름 등의 라미네이션에 사용되고 있는 진공라미네이터장치나 진공프레스장치 등을 사용함으로써, 보이드도 휨도 없는 피복, 봉지를 행할 수 있다. 라미네이션의 방식으로는 롤라미네이션이나 다이어프램식 진공라미네이션, 에어가공식 라미네이션 등 어떠한 방식도 사용할 수 있다.
여기서는 예로서, 니치고모톤사제의 진공라미네이션장치를 이용하여, 두께 42μm의 유리크로스(섬유기재)에 열경화성 에폭시 수지를 함침한 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재와 그 편면에 형성된 두께 150μm의 미경화수지층을 갖는 섬유함유 수지기판에서, 두께 250μm, 60×220mm의 유기기판에 14×14mm의 실리콘칩을 탑재한 기판을 봉지하는 경우에 대하여 설명한다.
상하에 히터가 내장되고 150℃로 설정된 플레이트 중, 상측플레이트에는 다이어프램러버가 감압된 상태로 히터와 밀착되어 있다. 하측플레이트 상에 유기기판를 세트하고, 그 위에 편면에 섬유함유 수지기판의 미경화수지층면을 전술한 유기기판의 반도체소자 탑재면에 맞추어 세트한다. 그 후, 하측플레이트가 상승하고, 하측플레이트 상에 세트된 유기기판을 둘러싸도록 설치된 O링에 의해 상하의 플레이트가 밀착되어 진공챔버가 형성되고, 이 진공챔버내가 감압된다. 진공챔버내가 충분히 감압되면, 상측플레이트의 다이어프램러버와 히터의 사이로부터 진공펌프로 이어지는 배관의 밸브를 닫고, 압축공기를 보낸다. 이에 따라, 상측의 다이어프램러버가 팽창되고 유기기판과 섬유함유 수지기판을 상측의 다이어프램러버와 하측의 플레이트로 끼우고, 진공라미네이션을 행함과 동시에 열경화성 에폭시 수지의 경화가 진행되고, 봉지가 완료된다. 경화시간으로는 3~20분 정도이면 충분하다. 진공라미네이션이 완료되면 진공챔버내를 상압으로 되돌리고, 하측플레이트를 하강시키고, 봉지한 유기기판을 취출한다. 상기 공정에 의해 보이드나 휨이 없는 기판의 봉지를 행할 수 있다. 취출한 기판은 통상, 150~180℃의 온도에서 1~4시간 포스트큐어함으로써 전기특성이나 기계특성을 안정화시킬 수 있다.
이러한 반도체장치의 제조방법이면, 피복공정에 있어서는 섬유함유 수지기판의 미경화수지층에 의해 간편하게, 충전불량 없이 반도체소자 탑재면 또는 반도체소자 형성면을 피복할 수 있다. 또한, 섬유함유 수지기판을 사용함으로써, 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재에 의해 미경화수지층의 경화시의 수축응력을 억제할 수 있으므로, 봉지공정에 있어서는 반도체소자 탑재면 또는 반도체소자 형성면을 일괄봉지할 수 있고, 박형의 대경웨이퍼나 금속 등의 대경기판을 봉지한 경우에도, 기판, 웨이퍼나 시트의 휨, 기판이나 시트로부터의 반도체소자의 박리가 억제된 봉지후 반도체소자 탑재기판, 시트 또는 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼를 얻을 수 있다. 나아가, 개편화공정에 있어서는 내열성이나 내습성 등의 봉지성능이 우수한 섬유함유 수지기판에 의해 봉지되고, 또한 휨이 억제된 봉지후 반도체소자 탑재기판이나 시트 또는 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼로부터 반도체장치를 다이싱하고, 개편화할 수 있으므로, 고품질의 반도체장치를 용이하게 제조할 수 있는 반도체장치의 제조방법이 된다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내고, 본 발명을 구체적으로 설명하나, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
<열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 제작>
크레졸노볼락형 에폭시 수지(상품명: EPICLON-N695, DIC제) 60질량부, 페놀노볼락수지(상품명: TD2090, DIC제) 30질량부, 입경 0.5μm의 실리카(상품명: SO-25R, (주)애드마텍스제) 150질량부, 흑색 안료로서 카본블랙(상품명: 3230B, 미쯔비시화학제) 3질량부, 트리페닐포스핀(TPP, 홋코화학(주)제) 0.6질량부에, 톨루엔 300질량부를 첨가하여 교반혼합하여, 에폭시 수지 조성물의 톨루엔분산액을 조제하였다. 이 에폭시 수지 조성물의 톨루엔분산액에 섬유기재로서 T유리크로스(닛토방적제, 두께: 88μm)를 침지함으로써, 에폭시 수지 조성물의 톨루엔분산액을 T유리크로스에 함침시켰다. 이 유리크로스를 120℃에서 15분간 방치함으로써 톨루엔을 휘발시켰다. 이 유리크로스를 175℃에서 5분간 가열성형하여 성형품을 얻고, 다시 이것을 180℃에서 4시간 가열(2차 경화)함으로써, 함침시킨 에폭시 수지 조성물을 경화시켜, 섬유기재층의 양면에 에폭시 수지 조성물의 경화물층이 형성된, 400mm×500mm, 두께 0.12mm의 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재(X1)를 제작하고, 그 후, 직경 300mm(12인치)의 원판상으로 절단하였다. 이 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재(X1)의 0℃ 내지 200℃에 있어서의 선팽창계수는 5~8ppm/℃였다.
실시예, 비교예에서 사용한 원료를 이하에 나타낸다.
(A)결정성을 갖는 비스페놀A형 에폭시 수지 및/또는 비스페놀F형 에폭시 수지
(A-1): 결정성 비스페놀A형 에폭시 수지(YL-6810: 미쯔비시화학(주)제 상품명, 에폭시당량 170)
(B)(A)성분 이외의 25℃에서 비유동성의 에폭시 수지
(B-1): 고형 비스페놀A형 에폭시 수지(jER-1001: 미쯔비시화학(주)제, 에폭시당량 475)
(B-2): 크레졸노볼락형 에폭시 수지(EPICLON N-670: (주)DIC제, 에폭시당량 210)
(B-3): 비페닐형 에폭시 수지(YX-4000: 미쯔비시화학(주)제, 에폭시당량 186)
(B-4): 트리스페놀메탄형 에폭시 수지(EPPN-501: 일본화약(주)제, 에폭시당량 166)
(C)1분자 중에 2개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 페놀 화합물
(C-1): 트리스페놀메탄형 페놀수지(MEH-7500: 메이와화성(주)제, 수산기당량 97)
(C-2): 페놀노볼락형 페놀경화제(TD-2131: (주)DIC제, 수산기당량 110)
(D)무기충전재
(D-1): 용융구상 실리카(CS-6103 53C2, (주)타츠모리제, 평균입경 10μm)
(E)우레아계 경화촉진제
(E-1): 방향족 디메틸우레아(U-CAT 3512T, 산아프로(주)제)
(E-2): 지방족 디메틸우레아(U-CAT 3513N, 산아프로(주)제)
(F)우레아계 이외의 경화촉진제
(F-1): 2-에틸-4-메틸이미다졸(2E4MZ, 시코쿠화성(주)제)
(F-2): 트리페닐포스핀(TPP, 홋코화학(주)제)
(G)이형제
(G-1)카나우바왁스(TOWAX-131: 동아화성(주)제)
(H)난연재
(H-1): 몰리브덴산아연담지 산화아연(KEMGARD 911C: 셔윈 윌리암스제)
(I)커플링제
(I-1): 실란커플링제: 3-메르캅토프로필트리메톡시실란(KBM-803: 신에쯔화학공업(주)제)
(J)착색제
(J-1): 카본블랙(미쯔비시카본블랙 #3230MJ, 미쯔비시화학(주)제)
[실시예 1~5, 비교예 1~8]
<미경화수지층 형성용 조성물의 조제>
표 1 및 표 2에 나타낸 배합으로, 미리 헨셸믹서로 프리혼합하여 조성물을 조제한 후, T다이를 부착한 2축 압출기를 이용하여 각 조성물을 폭 400mm, 두께 0.3mm로 성형하여 시트상의 미경화수지층 형성용 조성물을 얻고, 그 후 직경 280mm의 원판상으로 절단하였다.
<섬유함유 수지기판의 제작>
상기 에폭시 수지함침 섬유기재(X1) 상에, 상기와 같이 하여 제작한 각각의 시트상의 미경화수지층 형성용 조성물을 놓고, 닛코마테리얼즈사제의 진공라미네이터를 이용하여, 진공도 50Pa, 온도 100℃, 시간 10초의 조건으로 라미네이트함으로써 섬유함유 수지기판을 제작하였다. 이때의 시트접합에 의한 섬유함유 수지기판의 제작시의 핸들링성을 평가한 결과를 표 1 및 표 2에 기재하였다.
[표 1]
Figure pat00001
[표 2]
Figure pat00002
[실시예 6~10, 비교예 9~12]
<반도체소자가 탑재된 기판의 제작>
직경 300mm(12인치) 그리고 두께 300μm의 실리콘웨이퍼 상에, 접착제(상품명: SFX-513S, 신에쯔화학공업제)를 이용하여, 10mm×10mm, 두께 200μm의 실리콘칩을 400개 정렬하고, 탑재하였다.
<반도체소자가 탑재된 웨이퍼의 피복 및 봉지>
다음에, 니치고모톤사제의 진공라미네이션장치를 이용하여, 플레이트온도를 150℃로 설정하여, 상술의 기판을 피복 및 봉지하였다. 우선, 상술한 바와 같이 하여 제작한 섬유함유 수지기판을 상기 실리콘웨이퍼의 반도체소자 탑재면에 맞추어 피복하였다. 그 후, 플레이트를 닫고 5분간 진공압축 성형함으로써 경화봉지하였다. 경화봉지후, 150℃에서 4시간 포스트큐어하여, 봉지후 반도체소자 탑재기판을 얻었다. 이때, 표 1 및 표 2에 나타낸 섬유함유 수지기판의 제작시 핸들링성 평가의 결과에 있어서, 문제없이 접합가능했던 것만을 기판의 봉지에 이용하였다.
이와 같이 하여 봉지를 행한 봉지후 반도체소자 탑재기판의 휨, 외관, 수지와 기판의 접착상태를 평가하였다. 그 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다. 여기서, 외관에 대해서는 미충전(보이드) 및 다이마크의 유무를 조사하고, 이들이 없으면 양호로 하였다. 또한, 접착상태에 대해서는 성형시에 박리가 없으면 양호로 하였다.
[표 3]
Figure pat00003
[표 4]
Figure pat00004
표 1에 나타낸 바와 같이, 섬유함유 수지기판의 미경화수지층을 (A)~(E)성분을 함유하는 조성물로부터 형성한 실시예 1~5에서는, 섬유함유 수지기판의 제작에 있어서의 시트접합시의 미경화수지층의 핸들링성이 양호하였다. 또한, 표 3에 나타낸 바와 같이, 이들 미경화수지층을 이용한 본 발명의 섬유함유 수지기판이면, 기판의 휨, 외관 및 수지와 기판의 접착상태가 양호하였다. 나아가 미경화수지층의 보존안정성도 양호하였다.
한편, 표 2에 나타낸 바와 같이, 비교예 1에서는, (B)성분을 이용하지 않았으므로, 미경화수지층에 점착이 있어 양호한 핸들링성이 얻어지지 않았다. 또한 비교예 5~8에서는, (A)성분을 이용하지 않았으므로, 미경화수지층에 유연성을 부여할 수 없고, 시트를 접합하기 전에 시트에 균열이 발생하고, 접합후에도 용이하게 미경화수지층에 크랙이나 기판으로부터의 탈락이 발생하였다. 나아가 표 2 및 표 4에 나타낸 바와 같이, 비교예 2 및 3에서는, (E)성분을 이용하지 않고, 우레아계 이외의 경화촉진제를 이용한 점에서, 미경화수지층이 보존안정성이 결여된 것이 되어, 충전성도 불량해졌다. 나아가 표 2 및 표 4의 비교예 4에서는 (E)성분을 이용하지 않고, 우레아계 이외의 경화촉진제의 배합량이 적었으므로, 소정의 시간내에 경화되지 않았다. 그리고 실시예 1의 미경화수지층 형성용 조성물만을 이용하여 봉지한 경우에는, 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재가 없는 점에서, 기판의 휨이 커졌다.
이상의 점에서, 본 발명의 섬유함유 수지기판이면, 대경웨이퍼나 금속 등의 대경기판을 봉지한 경우에도, 기판이나 웨이퍼의 휨 및 기판으로부터의 반도체소자의 박리를 억제할 수 있고, 반도체소자를 탑재한 기판의 반도체소자 탑재면 또는 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 웨이퍼레벨로 일괄봉지할 수 있음과 함께, 미경화수지층의 보존안정성이나 경화전의 핸들링성이 우수한 섬유함유 수지기판이 되는 것이 명백해졌다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
1: 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재
2: 미경화수지층
2': 경화후의 수지층
3: 반도체소자
4: 접착제
5: 기판
6: 웨이퍼
10: 섬유함유 수지기판
11: 봉지후 반도체소자 탑재기판
12: 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼
13, 13': 반도체장치

Claims (15)

  1. 2개 이상의 반도체소자가 탑재된 기판 또는 시트의 반도체소자 탑재면, 혹은 반도체소자를 형성한 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 일괄봉지하기 위한 섬유함유 수지기판으로서, 섬유기재에 열경화성 에폭시 수지를 함침시켜 이 열경화성 에폭시 수지를 경화 또는 반경화시킨 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재와, 이 열경화성 에폭시 수지함침 섬유기재의 편면 상에 형성된, 상기 반도체소자 탑재면 또는 상기 반도체소자 형성면을 피복하기 위한 미경화수지층을 갖고, 이 미경화수지층이
    (A)결정성을 갖는 비스페놀A형 에폭시 수지 및/또는 비스페놀F형 에폭시 수지,
    (B)상기 (A)성분 이외의 25℃에서 비유동성인 에폭시 수지,
    (C)1분자 중에 2개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 페놀 화합물,
    (D)무기충전재, 및
    (E)우레아계 경화촉진제,
    를 함유하는 조성물로부터 형성된 것을 특징으로 하는 섬유함유 수지기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (A)성분의 함유량이, 상기 (A), (B) 및 (C)성분의 총합 100질량부에 대하여 10~25질량부이며, 상기 (E)성분의 함유량이, 상기 (A), (B) 및 (C)성분의 총합 100질량부에 대하여 0.05~6질량부인 것을 특징으로 하는 섬유함유 수지기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (D)성분의 함유량이, 상기 조성물 100질량부에 대하여 80~93질량부인 것을 특징으로 하는 섬유함유 수지기판.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 (D)성분의 함유량이, 상기 조성물 100질량부에 대하여 80~93질량부인 것을 특징으로 하는 섬유함유 수지기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 (E)성분이, 하기 일반식(1)로 표시되는 것을 특징으로 하는 섬유함유 수지기판.
    R1NHCONR2R3 (1)
    (식 중, R1은 수소원자, 탄소수 1~18의 알킬기 또는 탄소수 6~18의 아릴기이며, R2 및 R3은 탄소수 1~6의 알킬기이다. R1~R3은 서로 동일할 수도 상이할 수도 있다.)
  6. 제2항에 있어서,
    상기 (E)성분이, 하기 일반식(1)로 표시되는 것을 특징으로 하는 섬유함유 수지기판.
    R1NHCONR2R3 (1)
    (식 중, R1은 수소원자, 탄소수 1~18의 알킬기 또는 탄소수 6~18의 아릴기이며, R2 및 R3은 탄소수 1~6의 알킬기이다. R1~R3은 서로 동일할 수도 상이할 수도 있다.)
  7. 제3항에 있어서,
    상기 (E)성분이, 하기 일반식(1)로 표시되는 것을 특징으로 하는 섬유함유 수지기판.
    R1NHCONR2R3 (1)
    (식 중, R1은 수소원자, 탄소수 1~18의 알킬기 또는 탄소수 6~18의 아릴기이며, R2 및 R3은 탄소수 1~6의 알킬기이다. R1~R3은 서로 동일할 수도 상이할 수도 있다.)
  8. 제4항에 있어서,
    상기 (E)성분이, 하기 일반식(1)로 표시되는 것을 특징으로 하는 섬유함유 수지기판.
    R1NHCONR2R3 (1)
    (식 중, R1은 수소원자, 탄소수 1~18의 알킬기 또는 탄소수 6~18의 아릴기이며, R2 및 R3은 탄소수 1~6의 알킬기이다. R1~R3은 서로 동일할 수도 상이할 수도 있다.)
  9. 2개 이상의 반도체소자가 탑재된 기판의 반도체소자 탑재면이, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 섬유함유 수지기판의 미경화수지층의 경화물에 의해 일괄봉지된 것을 특징으로 하는 봉지후 반도체소자 탑재기판.
  10. 2개 이상의 반도체소자가 형성된 웨이퍼의 반도체소자 형성면이, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 섬유함유 수지기판의 미경화수지층의 경화물에 의해 일괄봉지된 것을 특징으로 하는 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼.
  11. 2개 이상의 반도체소자가 탑재된 시트의 반도체소자 탑재면이, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 섬유함유 수지기판의 미경화수지층의 경화물에 의해 일괄봉지된 것을 특징으로 하는 봉지후 반도체소자 탑재시트.
  12. 반도체장치로서, 제9항에 기재된 봉지후 반도체소자 탑재기판이 개편화된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  13. 반도체장치로서, 제10항에 기재된 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼가 개편화된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  14. 반도체장치로서, 제11항에 기재된 봉지후 반도체소자 탑재시트가 개편화된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  15. 반도체장치를 제조하는 방법으로서, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 섬유함유 수지기판의 미경화수지층에 의해 상기 2개 이상의 반도체소자가 탑재된 기판 또는 시트의 반도체소자 탑재면 혹은 상기 2개 이상의 반도체소자가 형성된 웨이퍼의 반도체소자 형성면을 피복하는 피복공정, 상기 미경화수지층을 가열, 경화함으로써, 상기 반도체소자 탑재면 또는 상기 반도체소자 형성면을 일괄봉지하고, 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 또는 봉지후 반도체소자 탑재시트로 하는 봉지공정, 및 상기 봉지후 반도체소자 탑재기판, 상기 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼 또는 상기 봉지후 반도체소자 탑재시트를 다이싱하고, 개편화함으로써, 반도체장치를 제조하는 개편화공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
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