JP2009060146A - 半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート及び成形品 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート及び成形品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009060146A JP2009060146A JP2008311363A JP2008311363A JP2009060146A JP 2009060146 A JP2009060146 A JP 2009060146A JP 2008311363 A JP2008311363 A JP 2008311363A JP 2008311363 A JP2008311363 A JP 2008311363A JP 2009060146 A JP2009060146 A JP 2009060146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- composite sheet
- inorganic composite
- semiconductor
- filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
【解決手段】エポキシ樹脂及び充填剤並びに溶剤を含有するエポキシ樹脂組成物をキャリア材の表面に塗布し、これを加熱乾燥することによって得られる半硬化状態の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートに関する。エポキシ樹脂組成物全量に対して、充填剤として、低弾性有機フィラーをX質量%(X=2〜15)及び無機フィラーを70−X〜90−X質量%用いる。キャリア材の表面に形成される半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートの厚みが5〜200μmである。
【選択図】なし
Description
下記[表1]に示すエポキシ樹脂、硬化剤、充填剤(低弾性有機フィラー及び無機フィラー)、カーボンブラックをプラネタリーミキサーを用いて混練し、これにメチルエチルケトンを配合することによって、粘度を3000cps(3000mPa・s)に調整した樹脂ワニスを得た。なお、エポキシ樹脂と硬化剤の配合比率は、エポキシ基/フェノール性水酸基=1.0となるように設定した。次に、この樹脂ワニスを厚み75μmのポリエチレンテレフタレート(PET)製フィルムからなるキャリア材(表面をあらかじめオルガノポリシロキサンで離型処理)に塗布した後、これを110℃で3分間加熱乾燥することによって、キャリア材の片面に厚み50μmの半硬化状態(Bステージ状態)のエポキシ樹脂組成物からなる半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートを形成した。
樹脂流動性を評価するため、ホットプレスを用い、130℃、2MPaの圧力により、直径100mmに打ち抜いた半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートを成形し、材料のフローを質量換算により算出した。その結果を下記[表1]に示す。なお、樹脂流動性(%)の算出式は次のとおりである。樹脂流動性(%)=(100mmφよりはみ出したフロー樹脂分質量)/(初期100mmφ樹脂分質量)×100
(反り量)
上記のようにして得られた半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートを用い、シリコンウエハー(厚み200μm、直径100mm)に100℃、数秒でラミネートを行った後、キャリア材であるポリエステルフィルムを剥離した。その後、100℃で30分、さらに180℃で90分の硬化条件で、硬化させることによって、反り量評価のためのサンプルを作製した。その後、このサンプルを30分間、230℃のオーブンに投入し、ウエハーとの複合化による反り量評価を行った。オーブンから取り出したサンプルについて、歪ゲージを用いて複数箇所の反り量を測定し、そのうち最大値をサンプルの反り量とした。その結果を下記[表1]に示す。
反り量の測定が終了したサンプルに関して断面観察を行い、硬化物層とウエハーとの界面にボイドが存在しているか否か確認した。その結果を下記[表1]に示す。
100℃、数秒でラミネートを行う際及びその後のポリエステルフィルムの剥離時において、ウエハーとの密着が不十分なため全面的に又は部分的に剥離を生じていたかどうかを目視で観察した。一部でも剥離を生じていたものは「剥離あり」とし、それ以外のものは「○」とした。その結果を下記[表1]に示す。
「A2」:ビフェニル型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン(株)製「YX4000H」、平均分子量384
「B1」:フェノールビフェニルアラルキル樹脂、明和化成(株)製「MEH7851SS」、軟化温度66℃
「B2」:フェノールノボラック、明和化成(株)製「H4」、軟化温度73℃
「F1」:架橋アクリル系ゴムフィラー(コアシェル構造を有するもの)、ガンツ化成(株)製「スタフィロイド AC3355」
「F2」:シリコーンゴムフィラー、旭化成ワッカーシリコーン(株)製「SPM」
「F3」:シリコーンゴムフィラー、東レ・ダウコーニング(株)製「トレフィル E601」
また、無機フィラーとしては、溶融シリカを用いた。
Claims (10)
- エポキシ樹脂及び充填剤並びに溶剤を含有するエポキシ樹脂組成物をキャリア材の表面に塗布し、これを加熱乾燥することによって得られる半硬化状態の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートにおいて、エポキシ樹脂組成物全量に対して、充填剤として、低弾性有機フィラーをX質量%(X=2〜15)及び無機フィラーを70−X〜90−X質量%用いると共に、キャリア材の表面に形成される半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートの厚みが5〜200μmであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート。
- 無機フィラーを80−X〜85−X質量%用いて成ることを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート。
- X=2〜10であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート。
- 低弾性有機フィラーが、シリコーンゴム及びこれをコアとするコアシェル構造を有するものの少なくとも一方であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート。
- 低弾性有機フィラーが、架橋アクリルゴム及びこれをコアとするコアシェル構造を有するものの少なくとも一方であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート。
- エポキシ樹脂組成物全量に対して、カーボンブラックを0.1〜0.6質量%添加して成ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート。
- エポキシ樹脂の硬化剤として、フェノールビフェニルアラルキル樹脂をエポキシ樹脂組成物に配合して成ることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート。
- エポキシ樹脂として、常温において液状のエポキシ樹脂及び平均分子量が400以下の結晶性エポキシ樹脂の少なくとも一方を用いて成ることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート。
- 請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートを成形硬化して成ることを特徴とする成形品。
- 請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートを半導体用ウエハーの表面に貼り合わせ、これを硬化させることによってコーティング膜を形成して成ることを特徴とする成形品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008311363A JP5342221B2 (ja) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート及び成形品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008311363A JP5342221B2 (ja) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート及び成形品 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005187260A Division JP4379387B2 (ja) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | エポキシ樹脂無機複合シート及び成形品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009060146A true JP2009060146A (ja) | 2009-03-19 |
JP5342221B2 JP5342221B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=40555531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008311363A Expired - Fee Related JP5342221B2 (ja) | 2008-12-05 | 2008-12-05 | 半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート及び成形品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5342221B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2469590A2 (en) | 2010-12-27 | 2012-06-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
JP2013007028A (ja) * | 2011-05-20 | 2013-01-10 | Nitto Denko Corp | 封止用シートおよび電子部品装置 |
JP2013013683A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Kao Corp | パンツ型吸収性物品 |
EP2626898A2 (en) | 2012-02-07 | 2013-08-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sealant laminated composite, sealed semiconductor devices mounting substrate, sealed semiconductor devices forming wafer, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
JP2014095063A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-22 | Panasonic Corp | 封止用エポキシ樹脂無機複合シート |
KR20150014382A (ko) | 2013-07-29 | 2015-02-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉용 기재 부착 밀봉재, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US9287174B2 (en) | 2012-11-19 | 2016-03-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fiber-containing resin substrate, device-mounting substrate and device-forming wafer, semiconductor apparatus, and method for producing semiconductor apparatus |
US9312197B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-04-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
JP2018104717A (ja) * | 2012-09-03 | 2018-07-05 | 味の素株式会社 | 硬化体、積層体、プリント配線板及び半導体装置 |
KR20190024694A (ko) | 2017-08-28 | 2019-03-08 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 섬유함유 수지기판, 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 봉지후 반도체소자 탑재시트, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조방법 |
KR20190114858A (ko) | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 실리콘 변성 폴리이미드 수지 조성물 |
KR20190114857A (ko) | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 실리콘 변성 폴리이미드 수지 조성물 |
KR20190114860A (ko) | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 실리콘 변성 폴리이미드 수지 조성물 |
WO2020196430A1 (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 日立化成株式会社 | 半導体用接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR20200139194A (ko) | 2018-03-29 | 2020-12-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 파워 모듈 |
TWI748105B (zh) * | 2017-06-07 | 2021-12-01 | 日商昭和電工材料股份有限公司 | 半導體用膜狀接著劑、半導體裝置的製造方法及半導體裝置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09307027A (ja) * | 1996-05-13 | 1997-11-28 | Toray Ind Inc | 半導体封止材および半導体装置 |
JP2000156437A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-06-06 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 |
JP2003082241A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-19 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2004018803A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005060584A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用フィルム |
WO2005054331A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works, Ltd. | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
-
2008
- 2008-12-05 JP JP2008311363A patent/JP5342221B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09307027A (ja) * | 1996-05-13 | 1997-11-28 | Toray Ind Inc | 半導体封止材および半導体装置 |
JP2000156437A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-06-06 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法 |
JP2003082241A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-19 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP2004018803A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005060584A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用フィルム |
WO2005054331A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works, Ltd. | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8823186B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-09-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
KR20120074260A (ko) | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 섬유 함유 수지 기판, 봉지후 반도체 소자 탑재 기판 및 봉지후 반도체 소자 형성 웨이퍼, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조방법 |
EP2469590A2 (en) | 2010-12-27 | 2012-06-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
US9240332B2 (en) | 2010-12-27 | 2016-01-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
JP2013007028A (ja) * | 2011-05-20 | 2013-01-10 | Nitto Denko Corp | 封止用シートおよび電子部品装置 |
JP2013013683A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Kao Corp | パンツ型吸収性物品 |
US8872358B2 (en) | 2012-02-07 | 2014-10-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sealant laminated composite, sealed semiconductor devices mounting substrate, sealed semiconductor devices forming wafer, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
EP2626898A2 (en) | 2012-02-07 | 2013-08-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sealant laminated composite, sealed semiconductor devices mounting substrate, sealed semiconductor devices forming wafer, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
EP3024021A1 (en) | 2012-02-07 | 2016-05-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sealant laminated composite, sealed semiconductor devices mounting substrate, sealed semiconductor devices forming wafer, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
JP2018104717A (ja) * | 2012-09-03 | 2018-07-05 | 味の素株式会社 | 硬化体、積層体、プリント配線板及び半導体装置 |
JP2014095063A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-22 | Panasonic Corp | 封止用エポキシ樹脂無機複合シート |
US9287174B2 (en) | 2012-11-19 | 2016-03-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fiber-containing resin substrate, device-mounting substrate and device-forming wafer, semiconductor apparatus, and method for producing semiconductor apparatus |
KR20150014382A (ko) | 2013-07-29 | 2015-02-06 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉용 기재 부착 밀봉재, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN104347530A (zh) * | 2013-07-29 | 2015-02-11 | 信越化学工业株式会社 | 带半导体密封用基体材料的密封材料、半导体装置及半导体装置的制造方法 |
US9449856B2 (en) | 2013-07-29 | 2016-09-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Encapsulant with base for use in semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
US9312197B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-04-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
TWI748105B (zh) * | 2017-06-07 | 2021-12-01 | 日商昭和電工材料股份有限公司 | 半導體用膜狀接著劑、半導體裝置的製造方法及半導體裝置 |
KR20190024694A (ko) | 2017-08-28 | 2019-03-08 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 섬유함유 수지기판, 봉지후 반도체소자 탑재기판, 봉지후 반도체소자 형성 웨이퍼, 봉지후 반도체소자 탑재시트, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조방법 |
US10600707B2 (en) | 2017-08-28 | 2020-03-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fiber-containing resin substrate, encapsulated semiconductor devices mounting substrate, encapsulated semiconductor devices forming wafer, encapsulated semiconductor devices mounting sheet, semiconductor equipment, and method for manufacturing semiconductor equipment |
KR20190114858A (ko) | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 실리콘 변성 폴리이미드 수지 조성물 |
KR20190114857A (ko) | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 실리콘 변성 폴리이미드 수지 조성물 |
KR20190114860A (ko) | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 실리콘 변성 폴리이미드 수지 조성물 |
KR20200139194A (ko) | 2018-03-29 | 2020-12-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 파워 모듈 |
US11551987B2 (en) | 2018-03-29 | 2023-01-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Power module comprising a primer layer |
WO2020196430A1 (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 日立化成株式会社 | 半導体用接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
CN113795560A (zh) * | 2019-03-26 | 2021-12-14 | 昭和电工材料株式会社 | 半导体用黏合剂、半导体装置的制造方法及半导体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5342221B2 (ja) | 2013-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5342221B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート及び成形品 | |
JP4379387B2 (ja) | エポキシ樹脂無機複合シート及び成形品 | |
JP5426511B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物シート及びこれを用いて封止した中空型デバイス | |
JP2008285593A (ja) | 封止用熱硬化型接着シート | |
JP2014095063A (ja) | 封止用エポキシ樹脂無機複合シート | |
JP6927717B2 (ja) | 絶縁材料及び電子部品 | |
JP2010229269A (ja) | 熱伝導性エポキシ樹脂シート材 | |
US20220251335A1 (en) | Resin composition, cured product, composite molded product, semiconductor device | |
JP7188070B2 (ja) | 放熱絶縁シートおよび該シート硬化物を絶縁層とする積層構造体 | |
JP6497998B2 (ja) | 封止用シートおよびパッケージの製造方法 | |
JP5767540B2 (ja) | エピスルフィド樹脂材料であるbステージフィルム、多層基板及び積層フィルム | |
JP6533399B2 (ja) | 封止用シートおよびパッケージの製造方法 | |
JP2006124434A (ja) | エポキシ樹脂無機複合シート及び成形品 | |
JP2000290613A (ja) | 熱硬化性接着シート | |
JP2010135587A (ja) | 半導体デバイス | |
JP2010253822A (ja) | シート材料及びプリント配線板 | |
JP2003193016A (ja) | 高耐熱高放熱接着フィルム | |
TWI688603B (zh) | 樹脂組成物及使用該樹脂組成物的絕緣膜和產品 | |
JP7383971B2 (ja) | 樹脂組成物、樹脂硬化物および複合成形体 | |
JP6857895B2 (ja) | 樹脂組成物、熱硬化性フィルム、硬化物、プリント配線板、半導体装置 | |
JP5837839B2 (ja) | 積層構造体 | |
JPWO2020075663A1 (ja) | 樹脂組成物、樹脂硬化物および複合成形体 | |
KR101070089B1 (ko) | 전자 부품용 접착 테이프 | |
JP2008260845A (ja) | 封止用熱硬化型接着シート | |
JP3083814B1 (ja) | 電子部品接着テープ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081210 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130809 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5342221 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |